JPH1017860A - Electroluminescent element characterized in using cyclopentadiene derivative - Google Patents

Electroluminescent element characterized in using cyclopentadiene derivative

Info

Publication number
JPH1017860A
JPH1017860A JP8188653A JP18865396A JPH1017860A JP H1017860 A JPH1017860 A JP H1017860A JP 8188653 A JP8188653 A JP 8188653A JP 18865396 A JP18865396 A JP 18865396A JP H1017860 A JPH1017860 A JP H1017860A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
substituted
electroluminescent device
unsubstituted
alkoxy
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP8188653A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3755196B2 (en
Inventor
Manabu Uchida
内田  学
Yusho Izumisawa
勇昇 泉澤
Kenji Furukawa
顕治 古川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JNC Corp
Original Assignee
Chisso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chisso Corp filed Critical Chisso Corp
Priority to JP18865396A priority Critical patent/JP3755196B2/en
Publication of JPH1017860A publication Critical patent/JPH1017860A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3755196B2 publication Critical patent/JP3755196B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an org. electroluminescent element which is excellent in electron transport properties and emits light with a high luminance at a low voltage by using a specific germacyclopentadiene deriv. SOLUTION: A germacyclopentadiene deriv. used is represented by the formula [wherein X and Y are each a 1-6C (un)satd. hydrocarbon group, alkoxy, alkenyloxy, alkynyloxy, OH, (substd.) aryl, a (subtd.) hetero ring, or an (un)satd. ring formed by combining both; and R1 to R4 are each H, halogen, (substd.) 1-6C alkyl, alkoxy, aryloxy, perfluoroalkyl, perfluoroalkoxy, amino, alkyl-, aryl-, alkoxy-, or aryloxycarbonyl, azo, alkyl-, aryl-, alkoxy-, or aryloxycarbonyloxy, sulfinyl, sulfonyl, sulfanyl, silyl, carbamoyl, heterocyclic, alkenyl, alkynyl, NO2 , formyl, NO, formyloxy, isocyano, etc.].

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電界発光(ELECTR
OLUMINESCENCE、以下ELと略記する。)素子に関し、
さらに詳しくはシクロペンタジエン誘導体を用いた有機
EL素子に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to an electroluminescence (ELECTR)
OLUMINESCENCE, hereinafter abbreviated as EL. ) Regarding the element,
More specifically, the present invention relates to an organic EL device using a cyclopentadiene derivative.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、これまでにない高輝度な平面ディ
スプレイの候補として有機EL素子が注目され、その研
究開発が活発化している。有機EL素子は有機発光層を
2つの電極で挟んだ構造であり、陽極から注入された正
孔と陰極から注入された電子とが発光層中で再結合して
光を発する。用いられる有機材料には低分子材料と高分
子材料があり、共に高輝度の有機EL素子を与えること
が知らされている。
2. Description of the Related Art In recent years, an organic EL element has been attracting attention as a candidate for an unprecedented high-luminance flat display, and research and development thereof have been actively conducted. The organic EL element has a structure in which an organic light emitting layer is sandwiched between two electrodes, and holes injected from an anode and electrons injected from a cathode are recombined in the light emitting layer to emit light. The organic material used includes a low molecular weight material and a high molecular weight material, and both are known to provide a high-luminance organic EL device.

【0003】このような有機EL素子には2つのタイプ
がある。1つは、タン(C.W.Tang)らによって発表され
た蛍光色素を電荷輸送層中に添加したもの(ジャーナル
オブ ジ アプライド フィジックス(J.Appl.Phy
s.),65,3610(1989))、もう1つは、蛍光色素を単独に
用いたものである(例えば、ジャパニーズ ジャーナル
オブ ジ アプライド フィジックス(Jpn.J.Appl.Phy
s.),27,L269(1988)に記載されている素子である。)。
後者の素子では、蛍光色素が電荷の1つである正孔のみ
を輸送する正孔輸送層および/または電子のみを輸送す
る電子輸送層と積層しているような場合に発光効率が向
上することが示されている。
[0003] There are two types of such organic EL elements. One is the addition of a fluorescent dye described by CWTang et al. In the charge transport layer (Journal of Applied Physics (J. Appl.
s.), 65, 3610 (1989)), and the other uses a fluorescent dye alone (for example, Japanese Journal of Applied Physics (Jpn. J. Appl. Phy.
s.), 27, L269 (1988). ).
In the latter device, the luminous efficiency is improved when the fluorescent dye is laminated with a hole transport layer that transports only holes, which are one of the charges, and / or an electron transport layer that transports only electrons. It is shown.

【0004】有機EL素子に使用される正孔輸送材料に
ついては、トリフェニルアミン誘導体を中心にして多種
多様の材料が知られているにもかかわらず、電子輸送材
料について知られているものは少ない。また、既存の電
子輸送材料は、既存の正孔輸送材料、例えば、N,N’
−ジフェニル−N,N’−ジ(3−メチルフェニル)−
4,4’−ジアミノビフェニル(以下TPDと略記す
る。)に比べ電荷の輸送能力が低く、有機EL素子に使
用した場合、性能が用いた電子輸送材料により制限され
十分な素子の特性を引き出すことができなかった。
[0004] Regarding hole transporting materials used in organic EL devices, although a wide variety of materials centering on triphenylamine derivatives are known, few are known as electron transporting materials. . In addition, the existing electron transporting material is an existing hole transporting material, for example, N, N ′.
-Diphenyl-N, N'-di (3-methylphenyl)-
As compared with 4,4'-diaminobiphenyl (hereinafter abbreviated as TPD), the charge transporting ability is low, and when used in an organic EL device, the performance is limited by the electron transporting material used and the device can bring out sufficient device characteristics. Could not.

【0005】従来の電子輸送材料の具体例としてオキシ
ン誘導体の金属錯体(特開昭59−194393などに
記載のもの。)、2−(4−ビフェニルイル)−5−
(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジ
アゾール(以下PBDと略記する。)などが知られてい
る。前者は、比較的低電圧で有機EL素子を駆動させる
ことができるが、まだ十分ではなく、また、自身の発光
が緑色であるためフルカラーデスプレ−用としては実用
的ではない。後者を電子輸送層として用いた例としてジ
ャパニーズジャーナルオブジアプライドフィジックス
(Jpn.J.Appl.Phys.),27,L269(1988)に記載の有機EL
素子をあげることができるが、結晶化を起こしやすいな
ど、薄膜の安定性に乏しいことが指摘されていた。
As specific examples of conventional electron transporting materials, metal complexes of oxine derivatives (those described in JP-A-59-194393, etc.), 2- (4-biphenylyl) -5-
(4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole (hereinafter abbreviated as PBD) and the like are known. The former can drive the organic EL element at a relatively low voltage, but is not yet sufficient, and is not practical for full color display because its own light emission is green. As an example of using the latter as an electron transport layer, an organic EL described in Japanese Journal of Diapride Physics (Jpn. J. Appl. Phys.), 27, L269 (1988)
It has been pointed out that although the device can be used, the stability of the thin film is poor, for example, crystallization is likely to occur.

【0006】この問題を解決するためにオキサジアゾー
ル環を複数持つ化合物(日本化学会誌,11,1540(1991)、
特開平6ー145658、特開平6ー92947、特開
平5ー152072、特開平5ー202011および特
開平6ー136359などに記載のもの。)が開発され
たが、これらにおいても駆動電圧が高いなど実用上充分
な性質を有していなかった。また、キノキサリン誘導体
(特開平6−207169)を2量化させることにより
分子量を増大させ薄膜の安定性を向上させることができ
ることが報告されているが駆動電圧は依然として高く実
用には十分ではなかった。
In order to solve this problem, a compound having a plurality of oxadiazole rings (Journal of the Chemical Society of Japan, 11, 1540 (1991),
JP-A-6-145658, JP-A-6-92947, JP-A-5-152072, JP-A-5-202011 and JP-A-6-136359. ) Were developed, but also did not have practically sufficient properties such as a high driving voltage. It has been reported that dimerization of a quinoxaline derivative (JP-A-6-207169) can increase the molecular weight and improve the stability of a thin film, but the driving voltage is still high and is not sufficient for practical use.

【0007】シクロペンタジエン誘導体(アプライド
フィジックス レター(Appl.Phys.Lett.),56,799(199
0)、1,2,3,4,5−ペンタシクロペンタジエ
ン)を用いた例も報告されているが、高効率、高発光な
素子は得られていない。
Cyclopentadiene derivatives (Applied
Physics Letter (Appl. Phys. Lett.), 56 , 799 (199)
0), 1,2,3,4,5-pentacyclopentadiene), but an element with high efficiency and high light emission has not been obtained.

【0008】このように、従来の有機EL素子に用いら
れる電子輸送材料は、電子輸送能に劣る上、フルカラー
表示、薄膜の安定性、駆動電圧、発光効率等が不十分な
ものであった。優れた材料を使用することにより有機E
L素子の効率を高める必要があり、何よりもまず電子輸
送能に優れていることが必要であると考えられている。
As described above, the electron transporting material used in the conventional organic EL device is inferior in electron transporting ability and insufficient in full color display, thin film stability, driving voltage, luminous efficiency and the like. Organic E by using excellent materials
It is considered that it is necessary to increase the efficiency of the L element, and first of all, it is necessary to have an excellent electron transport ability.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、低電
圧、高発光効率な有機EL素子を提供することである。
An object of the present invention is to provide an organic EL device having a low voltage and a high luminous efficiency.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、従来の有
機EL素子が抱えている前記の問題を解決する為に、鋭
意検討した結果、スタナシクロペンタジエン環あるいは
ゲルマシクロペンタジエン環誘導体を用いることによ
り、低電圧、高発光効率であることを見出し本発明を完
成した。
Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have conducted intensive studies in order to solve the above-mentioned problems of the conventional organic EL device, and have found that a stanacyclopentadiene ring or a germanacyclopentadiene ring derivative is used. As a result, they found that the voltage was low and the luminous efficiency was high, and completed the present invention.

【0011】スタナシクロペンタジエン環あるいはゲル
マシクロペンタジエン環が有機EL素子として好適であ
る理由について本発明者らが種々研究した結果、対応す
るシクロペンタジエン環、チオフェン環、ピロール環あ
るいはフラン環に比べて、最低非占有分子軌道が低く、
電子を受け取りやすい構造であることが半経験的分子軌
道法計算により判明した。しかしながら、その他にも、
スタナシクロペンタジエン環あるいはゲルマシクロペン
タジエン環の構造等が電子輸送性に効果を与えていると
考えている。
The present inventors have conducted various studies on the reason why the stanacyclopentadiene ring or the germanacyclopentadiene ring is suitable as an organic EL device. As a result, as compared with the corresponding cyclopentadiene ring, thiophene ring, pyrrole ring or furan ring, The lowest unoccupied molecular orbitals are low,
The semi-empirical molecular orbital calculation revealed that the structure was easy to accept electrons. However, besides,
It is considered that the structure of the stannacyclopentadiene ring or the germanic cyclopentadiene ring has an effect on the electron transporting property.

【0012】本発明は、下記(1)、(2)、(3)、
ないし(4)の各構成を有する。 (1)下記化3で表されるシクロペンタジエン誘導体を
用いた電界発光素子。
The present invention provides the following (1), (2), (3),
Or (4). (1) An electroluminescent device using a cyclopentadiene derivative represented by the following formula (3).

【0013】[0013]

【化3】 Embedded image

【0014】[式中、AはGeもしくはSnであり、X
及びYは、それぞれ独立に炭素数1から6までの飽和若
しくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、アルケニル
オキシ基、アルキニルオキシ基、ヒドロキシ基、置換若
しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテ
ロ環又はXとYが結合して飽和又は不飽和の環を形成し
た構造であり、R1〜R4は、それぞれ独立に水素、ハロ
ゲン、置換もしくは無置換の炭素数1から6までのアル
キル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、パーフルオ
ロアルキル基、パーフルオロアルコキシ基、アミノ基、
アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコ
キシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アゾ
基、アルキルカルボニルオキシ基、アリールカルボニル
オキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオ
キシカルボニルオキシ基、スルフィニル基、スルフォニ
ル基、スルファニル基、シリル基、カルバモイル基、ア
リール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アルキニル基、
ニトロ基、ホルミル基、ニトロソ基、ホルミルオキシ
基、イソシアノ基、シアネート基、イソシアネート基、
チオシアネート基、イソチオシアネート基もしくはシア
ノ基又は隣接した場合には置換若しくは無置換の環が縮
合した構造である。]
Wherein A is Ge or Sn, X
And Y each independently represent a saturated or unsaturated hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group, an alkenyloxy group, an alkynyloxy group, a hydroxy group, a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted group. A heterocyclic ring or a structure in which X and Y are combined to form a saturated or unsaturated ring, and R 1 to R 4 are each independently hydrogen, halogen, substituted or unsubstituted alkyl having 1 to 6 carbon atoms. Group, alkoxy group, aryloxy group, perfluoroalkyl group, perfluoroalkoxy group, amino group,
Alkylcarbonyl group, arylcarbonyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, azo group, alkylcarbonyloxy group, arylcarbonyloxy group, alkoxycarbonyloxy group, aryloxycarbonyloxy group, sulfinyl group, sulfonyl group, sulfanyl group, Silyl group, carbamoyl group, aryl group, heterocyclic group, alkenyl group, alkynyl group,
Nitro group, formyl group, nitroso group, formyloxy group, isocyano group, cyanate group, isocyanate group,
It has a structure in which a thiocyanate group, an isothiocyanate group or a cyano group or, when adjacent, a substituted or unsubstituted ring is fused. ]

【0015】(2)前記(1)項記載のシクロペンタジ
エン誘導体のうち少なくとも1種を電荷輸送層の成分と
して用いたことを特徴とする電界発光素子。 (3)前記(1)項記載のシクロペンタジエン誘導体の
うち少なくとも1種を発光層の成分として用いたことを
特徴とする電界発光素子。 (4)前記(1)項記載のシクロペンタジエン誘導体の
うち少なくとも1種を正孔阻止層の成分として用いたこ
とを特徴とする電界発光素子。
(2) An electroluminescent device using at least one of the cyclopentadiene derivatives described in (1) above as a component of a charge transport layer. (3) An electroluminescent device using at least one of the cyclopentadiene derivatives described in the above (1) as a component of a light emitting layer. (4) An electroluminescent device, wherein at least one of the cyclopentadiene derivatives according to the above (1) is used as a component of a hole blocking layer.

【0016】本発明について以下に詳述する。本発明で
用いられるシクロペンタジエン誘導体は、例えば、以下
の製造法により得ることができる。すなわち、下記化4
The present invention will be described in detail below. The cyclopentadiene derivative used in the present invention can be obtained, for example, by the following production method. That is,

【0017】[0017]

【化4】 Embedded image

【0018】[式中、R1及びR2は、それぞれ独立に水
素、ハロゲン、置換もしくは無置換の炭素数1から6ま
でのアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、パ
ーフルオロアルキル基、パーフルオロアルコキシ基、ア
ミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル
基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニ
ル基、アゾ基、アルキルカルボニルオキシ基、アリール
カルボニルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、
アリールオキシカルボニルオキシ基、スルフィニル基、
スルフォニル基、スルファニル基、シリル基、カルバモ
イル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アル
キニル基、ニトロ基、ホルミル基、ニトロソ基、ホルミ
ルオキシ基、イソシアノ基、シアネート基、イソシアネ
ート基、チオシアネート基、イソチオシアネート基もし
くはシアノ基又は隣接した場合には置換若しくは無置換
の環が縮合した構造である。]で表されるアセチレン誘
導体にアルカリ金属あるいはその錯体を反応させ、続い
て一般式化5
Wherein R 1 and R 2 each independently represent hydrogen, halogen, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group, an aryloxy group, a perfluoroalkyl group, a perfluoroalkyl group; Alkoxy group, amino group, alkylcarbonyl group, arylcarbonyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, azo group, alkylcarbonyloxy group, arylcarbonyloxy group, alkoxycarbonyloxy group,
Aryloxycarbonyloxy group, sulfinyl group,
Sulfonyl group, sulfanyl group, silyl group, carbamoyl group, aryl group, heterocyclic group, alkenyl group, alkynyl group, nitro group, formyl group, nitroso group, formyloxy group, isocyano group, cyanate group, isocyanate group, thiocyanate group, It has a structure in which an isothiocyanate group or a cyano group or, when adjacent, a substituted or unsubstituted ring is fused. With an alkali metal or a complex thereof, followed by the general formula 5

【0019】[0019]

【化5】 Embedded image

【0020】[式中、Aは、ゲルマニウム若しくは錫を
示し、X及びYは、それぞれ独立に炭素数1から6まで
の飽和若しくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、ア
ルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、置換若しくは
無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテロ環を
示すか、XとYが結合して飽和または不飽和の環を形成
している。]で表される塩化物を作用させることによっ
て、目的のシクロペンタジエン誘導体が得られる。
In the formula, A represents germanium or tin, and X and Y each independently represent a saturated or unsaturated hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group, an alkenyloxy group, an alkynyloxy group. Or a substituted or unsubstituted aryl group or a substituted or unsubstituted heterocycle, or X and Y are combined to form a saturated or unsaturated ring. ], The desired cyclopentadiene derivative can be obtained.

【0021】ここで用いられるアセチレン誘導体には、
アルカリ金属若しくはその錯体とアセチレンとの反応を
阻害しにくいものを置換基として有するものを好適に用
いることができる。置換基として特に好ましくはアルカ
リ金属若しくはその錯体に対して不活性なものである。
用いられるアルカリ金属若しくはその錯体としては、例
えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、リチウムナフ
タレニド、ナトリウムナフタレニド、カリウムナフタレ
ニド、リチウム4,4’−ジターシャリーブチル−2,
2’−ビフェニリドあるいはリチウム(N、N−ジメチ
ルアミノ)ナフタレニドなどがあげられる。用いられる
溶媒としては、アルカリ金属あるいはアルカリ金属錯体
に不活性なものなら特に制限はなく、通常、エーテルあ
るいはテトラヒドロフランなどのエーテル系の溶媒が用
いられる。この一連の反応は、不活性気流中で行うこと
が好ましく、窒素若しくはアルゴンガスが使われる。反
応は、NMRあるいはクロマトグラフィー等の一般的な
分析手段により反応を追跡し、反応の終点を決定すれば
よい。
The acetylene derivative used here includes:
Those having, as a substituent, a substance which does not easily inhibit the reaction between the alkali metal or its complex and acetylene can be suitably used. Particularly preferably, the substituent is inert to an alkali metal or a complex thereof.
Examples of the alkali metal or a complex thereof used include lithium, sodium, potassium, lithium naphthalenide, sodium naphthalenide, potassium naphthalenide, lithium 4,4′-ditert-butyl-2,
2'-biphenylide or lithium (N, N-dimethylamino) naphthalenide. The solvent to be used is not particularly limited as long as it is inert to an alkali metal or an alkali metal complex, and usually an ether solvent such as ether or tetrahydrofuran is used. This series of reactions is preferably performed in an inert gas stream, and nitrogen or argon gas is used. The reaction may be followed by a general analytical means such as NMR or chromatography, and the end point of the reaction may be determined.

【0022】本発明で用いられる化合物において、シク
ロペンタジエン環にベンゼン環が縮合している場合に
は、上記製造法とは異なる方法が用いられる。これまで
に知られている公知の方法を用いることができるが、例
えば以下の方法を例示することができる。すなわち、下
記化6
When a benzene ring is condensed with a cyclopentadiene ring in the compound used in the present invention, a method different from the above-mentioned production method is used. Known methods known so far can be used, and for example, the following methods can be exemplified. That is,

【0023】[0023]

【化6】 Embedded image

【0024】[式中、Xは、塩素、臭素若しくはヨウ素
を表し、R1からR8は、それぞれ独立に炭素数1から6
までの飽和若しくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ
基、アルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、フッ
素、水素、置換若しくは無置換のアリール基、置換若し
くは無置換のヘテロ環、シアノ基、隣接している場合に
は、飽和または不飽和の環を形成している。]で表され
る2,2’−ジハロゲノビフェニル誘導体にアルカリ金
属、アルカリ土類金属あるいはアルカリ金属錯体を作用
させ、これに下記化7
[Wherein, X represents chlorine, bromine or iodine, and R 1 to R 8 each independently represent a carbon number of 1 to 6;
Saturated or unsaturated hydrocarbon group, alkoxy group, alkenyloxy group, alkynyloxy group, fluorine, hydrogen, substituted or unsubstituted aryl group, substituted or unsubstituted heterocycle, cyano group, when adjacent Has a saturated or unsaturated ring. With an alkali metal, an alkaline earth metal or an alkali metal complex on the 2,2′-dihalogenobiphenyl derivative represented by the following formula:

【0025】[0025]

【化7】Embedded image

【0026】[式中、Aは、ゲルマニウム若しくは錫を
示し、X及びYは、それぞれ独立に炭素数1から6まで
の飽和若しくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、ア
ルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、置換若しくは
無置換のアリール基、置換あるいは無置換のヘテロ環を
示すか、XとYが結合して飽和または不飽和の環を形成
している。]で表されるジクロロゲルマニウム誘導体若
しくはジクロロスタナン誘導体を反応させることによっ
て、本発明で用いられるシクロペンタジエン誘導体を得
ることができる。ここで用いられる金属としては、リチ
ウム、ナトリウム、マグネシウムあるいはカリウム等が
あげられ、金属錯体としては、ノルマルブチルリチウ
ム、ターシャリーブチルリチウムあるいはフェニルリチ
ウム等があげられる。用いられる2,2’−ジハロゲノ
ビフェニル誘導体の置換基としては、アルカリ金属、ア
ルカリ土類金属あるいはアルカリ金属錯体に、この反応
条件下不活性なものなら特に制限はない。アルカリ金
属、アルカリ土類金属あるいはアルカリ金属錯体を作用
させる時の反応温度についても特に制限はなく、通常、
0℃以下で行われる。ただし、反応性の高いシアノ基な
どの置換基が存在している時には低い温度が好ましく、
通常、−70℃以下で行われる。用いられる反応溶媒と
しては、アルカリ金属、アルカリ土類金属あるいはアル
カリ金属錯体に不活性なものなら特に制限はなく、通
常、エーテルあるいはテトラヒドロフランなどのエーテ
ル系の溶媒が用いられる。
Wherein A represents germanium or tin, and X and Y each independently represent a saturated or unsaturated hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group, an alkenyloxy group, or an alkynyloxy group. Or a substituted or unsubstituted aryl group or a substituted or unsubstituted heterocyclic ring, or X and Y are combined to form a saturated or unsaturated ring. The cyclopentadiene derivative used in the present invention can be obtained by reacting a dichlorogermanium derivative or a dichlorostannane derivative represented by the following formula: Examples of the metal used here include lithium, sodium, magnesium, and potassium, and examples of the metal complex include normal butyl lithium, tertiary butyl lithium, and phenyl lithium. The substituent of the 2,2'-dihalogenobiphenyl derivative to be used is not particularly limited as long as it is inert to the alkali metal, alkaline earth metal or alkali metal complex under the reaction conditions. There is no particular limitation on the reaction temperature when the alkali metal, alkaline earth metal or alkali metal complex is allowed to act, and usually,
Performed at 0 ° C. or lower. However, when a substituent such as a highly reactive cyano group is present, a lower temperature is preferable,
Usually, it is carried out at -70 ° C or lower. The reaction solvent to be used is not particularly limited as long as it is inert to an alkali metal, an alkaline earth metal or an alkali metal complex, and usually an ether solvent such as ether or tetrahydrofuran is used.

【0027】このようにして得られた本発明で用いられ
るシクロペンタジエン誘導体のヘテロ元素上に付く置換
基としては、メチル基、エチル基、ノルマルプロピル
基、イソプロピル基、シクロペンチル基、あるいはター
シャリーブチル基などのアルキル基、ビニル基、アリル
基、ブテニル基あるいはスチリル基などのアルケニル
基、エチニル基、プロパギル基あるいはフェニルアセチ
ニル基などのアルキニル基、メトキシ基、エトキシ基、
イソプロポキシ基あるいはターシャリーブトキシ基など
のアルコキシ基、ビニルオキシ基あるいはアリルオキシ
基などのアルケニルオキシ基、エチニルオキシ基あるい
はフェニルアセチルオキシ基などのアルキニルオキシ
基、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、ビフ
ェニル基、トルイル基、ピレニル基、ペリレニル基、ア
ニシル基、ターフェニル基あるいはフェナンスレニル基
等のアリール基、ヒドロフリル基、ヒドロピレニル基、
ジオキサニル基、チエニル基、フリル基、オキサゾリル
基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、チアジアゾリ
ル基、アクリジニル基、キノリル基、キノキサロイル
基、フェナンスロリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾチ
アゾリル基、インドリル基、ゲルマシクロペンタジエニ
ル基あるいはピリジル基等のヘテロ環等があげられる。
さらに、これらの置換基がお互いに任意の場所で結合し
てスピロ環を形成していても良い。
The substituent attached to the hetero element of the cyclopentadiene derivative used in the present invention thus obtained may be a methyl group, an ethyl group, a normal propyl group, an isopropyl group, a cyclopentyl group or a tertiary butyl group. Alkyl groups such as alkyl group, vinyl group, allyl group, butenyl group or styryl group, ethynyl group, alkynyl group such as propargyl group or phenylacetylinyl group, methoxy group, ethoxy group,
Alkoxy groups such as isopropoxy or tertiary butoxy, alkenyloxy such as vinyloxy or allyloxy, alkynyloxy such as ethynyloxy or phenylacetyloxy, phenyl, naphthyl, anthracenyl, biphenyl, Aryl group such as toluyl group, pyrenyl group, perylenyl group, anisyl group, terphenyl group or phenanthrenyl group, hydrofuryl group, hydropyrenyl group,
Dioxanyl group, thienyl group, furyl group, oxazolyl group, oxadiazolyl group, thiazolyl group, thiadiazolyl group, acridinyl group, quinolyl group, quinoxaloyl group, phenanthrolyl group, benzothienyl group, benzothiazolyl group, indolyl group, germanacyclopentadienyl group or Examples include a heterocyclic ring such as a pyridyl group.
Further, these substituents may be bonded to each other at an arbitrary position to form a spiro ring.

【0028】シクロペンタジエン環の炭素上に付く置換
基としては、水素、フッ素あるいは塩素等のハロゲン、
メチル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イソプロピ
ル基、シクロペンチル基、あるいはターシャリーブチル
基などのアルキル基、ビニル基、アリル基、ブテニル基
あるいはスチリル基などのアルケニル基、エチニル基、
プロパギル基あるいはフェニルアセチニル基などのアル
キニル基、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基
あるいはターシャリーブトキシ基などのアルコキシ基、
ビニルオキシ基あるいはアリルオキシ基などのアルケニ
ルオキシ基、エチニルオキシ基あるいはフェニルアセチ
ルオキシ基などのアルキニルオキシ基、フェノキシ基、
ナフトキシ基、ビフェニルオキシ基あるいはピレニルオ
キシ基などのアリールオキシ基、トリフルオロメチル
基、トリフルオロメトキシ基あるいはペンタフルオロエ
トキシ基などのパーフルオロ基、ジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基あるいはジフェニルアミノ基などのアミ
ノ基、アセチル基あるいはベンゾイル基などのケトン、
アセトキシ基あるいはベンゾイルオキシ基などのエステ
ル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基あ
るいはフェノキシカルボニル基などのエステル基、メチ
ルスルフィニル基あるいはフェニルスルフィニル基など
のスルフィニル基、トリメチルシリル基、ジメチルター
シャリーブチルシリル基、トリメトキシシリル基あるい
はトリフェニルシリル基などのシリル基、フェニル基、
ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントラ
セニル基、ピレニル基、トルイル基、アニシル基、フル
オロフェニル基、ジフェニルアミノフェニル基、ジメチ
ルアミノフェニル基、ジエチルアミノフェニル基あるい
はフェナンスレニル基などのアリール基、チエニル基、
フリル基、ゲルマシクロペンタジエニル基、オキサゾリ
ル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、チアジアゾ
リル基、アクリジニル基、キノリル基、キノキサロイル
基、フェナンスロリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾチ
アゾリル基、インドリル基、カルバゾリル基、ピリジル
基、ピロリル基、ベンゾオキサゾリル基、ピリミジル基
あるいはイミダゾリル基等のヘテロ環、ニトロ基、ホル
ミル基、ニトロソ基、ホルミルオキシ基、イソシアノ
基、シアネート基、イソシアネート基、チオシアネート
基、イソチオシアネート基あるいはシアノ基等があげら
れる。さらに、これらの置換基がお互いに任意の場所で
結合して環を形成していても良い。これらの置換基の導
入方法は、シクロペンタジエン環の形成前に導入しても
良いし、シクロペンタジエン環形成後に導入しても良
い。
Examples of the substituent attached to the carbon of the cyclopentadiene ring include halogen such as hydrogen, fluorine or chlorine,
Methyl group, ethyl group, normal propyl group, isopropyl group, cyclopentyl group, or alkyl group such as tertiary butyl group, vinyl group, allyl group, alkenyl group such as butenyl group or styryl group, ethynyl group,
Alkynyl group such as propargyl group or phenylacetylinyl group, methoxy group, ethoxy group, alkoxy group such as isopropoxy group or tertiary butoxy group,
Alkenyloxy group such as vinyloxy group or allyloxy group, alkynyloxy group such as ethynyloxy group or phenylacetyloxy group, phenoxy group,
Naphthoxy group, aryloxy group such as biphenyloxy group or pyrenyloxy group, trifluoromethyl group, perfluoro group such as trifluoromethoxy group or pentafluoroethoxy group, dimethylamino group, amino group such as diethylamino group or diphenylamino group, Ketones such as acetyl group or benzoyl group,
An ester group such as an acetoxy group or a benzoyloxy group, an ester group such as a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group or a phenoxycarbonyl group, a sulfinyl group such as a methylsulfinyl group or a phenylsulfinyl group, a trimethylsilyl group, a dimethyltertiarybutylsilyl group, A silyl group such as a methoxysilyl group or a triphenylsilyl group, a phenyl group,
Biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, toluyl group, anisyl group, fluorophenyl group, diphenylaminophenyl group, dimethylaminophenyl group, aryl group such as diethylaminophenyl group or phenanthrenyl group, thienyl group,
Furyl group, germanacyclopentadienyl group, oxazolyl group, oxadiazolyl group, thiazolyl group, thiadiazolyl group, acridinyl group, quinolyl group, quinoxaloyl group, phenanthrolyl group, benzothienyl group, benzothiazolyl group, indolyl group, carbazolyl group, pyridyl group, Hetero ring such as pyrrolyl group, benzoxazolyl group, pyrimidyl group or imidazolyl group, nitro group, formyl group, nitroso group, formyloxy group, isocyano group, cyanate group, isocyanate group, thiocyanate group, isothiocyanate group or cyano group And the like. Further, these substituents may be bonded to each other at any position to form a ring. These substituents may be introduced before the formation of the cyclopentadiene ring or after the formation of the cyclopentadiene ring.

【0029】本発明で用いられるシクロペンタジエン誘
導体例として以下のものを例示することができる。 1,1ージメチルー2,3,4,5ーテトラフェニルゲ
ルマシクロペンタジエン 1,1ージエチルー2,3,4,5ーテトラキス(2ー
メチルフェニル)ゲルマシクロペンタジエン 1,1ージイソプロピルー2,3,4,5ーテトラキス
(3ーメチルフェニル)ゲルマシクロペンタジエン 1−エチル−1ーメチルー2,3,4,5ーテトラキス
(4ーメチルフェニル)ゲルマシクロペンタジエン 1,1ージターシャリーブチルー2,3,4,5ーテト
ラキス(2ーエチルフェニル)ゲルマシクロペンタジエ
ン 1,1ージフェニルー2,3,4,5ーテトラキス(3
ーエチルフェニル)ゲルマシクロペンタジエン 1ーメチル−1−フェニルー2,3,4,5ーテトラキ
ス(4ーエチルフェニル)ゲルマシクロペンタジエン
Examples of the cyclopentadiene derivative used in the present invention include the following. 1,1-dimethyl-2,3,4,5-tetraphenylgermacyclopentadiene 1,1-diethyl-2,3,4,5-tetrakis (2-methylphenyl) germacyclopentadiene 1,1-diisopropyl-2,3,4,5-tetrakis (3-methylphenyl) germacyclopentadiene 1-ethyl-1-methyl-2,3,4,5-tetrakis (4-methylphenyl) germacyclopentadiene 1,1 di-tert-butyl-2,3,4,5-tetrakis (2-ethylphenyl) germacyclo Pentadiene 1,1-diphenyl-2,3,4,5-tetrakis (3
-Ethylphenyl) germacyclopentadiene 1-methyl-1-phenyl-2,3,4,5-tetrakis (4-ethylphenyl) germacyclopentadiene

【0030】1−フェニル−1−ターシャリーブチルー
2,3,4,5ーテトラキス(3ーターシャリーブチル
フェニル)ゲルマシクロペンタジエン 1,1ージメチルー2,5ービス(3ーメチルフェニ
ル)ー3,4ージフェニルゲルマシクロペンタジエン 1,1ージ(4−トルイル)ー2,5ービス(4ーメチ
ルフェニル)ー3,4ージフェニルゲルマシクロペンタ
ジエン 1ーゲルマシクロヘキサン−1−スピロー2’,5’ー
ジ(2ービフェニル)ー3’,4’ージフェニル−1’
−ゲルマシクロペンタジエン 1ーゲルマシクロペンタン−1−スピロー2’,5’ー
ジ(3ービフェニル)ー3’,4’ージフェニル−1’
−ゲルマシクロペンタジエン 9−ゲルマフルオレン−9−スピロ−2’,5’ージ
(4ービフェニル)ー3’,4’ージフェニル−1’−
ゲルマシクロペンタジエン 1,1ージメチルー2,5ービス(2ートリフルオロメ
チルフェニル)ー3,4ージフェニルゲルマシクロペン
タジエン 1,1ージメチルー2,5ービス(3ーフルオロフェニ
ル)ー3,4ージフェニルゲルマシクロペンタジエン
1-phenyl-1-tert-butyl-2,3,4,5-tetrakis (3-tert-butylphenyl) germacyclopentadiene 1,1-dimethyl-2,5-bis (3-methylphenyl) -3,4-diphenylgerma Cyclopentadiene 1,1-di (4-toluyl) -2,5-bis (4-methylphenyl) -3,4-diphenylgermacyclopentadiene 1-germacyclohexane-1-spirol 2 ′, 5′di (2-biphenyl)- 3 ', 4'diphenyl-1'
-Germacyclopentadiene 1-Germacyclopentane-1-spiro 2 ', 5'-di (3-biphenyl) -3', 4'-diphenyl-1 '
-Germacyclopentadiene 9-germafluorene-9-spiro-2 ', 5'-di (4-biphenyl) -3', 4'-diphenyl-1'-
Germacyclopentadiene 1,1-dimethyl-2,5-bis (2-trifluoromethylphenyl) -3,4-diphenylgermacyclopentadiene 1,1-dimethyl-2,5-bis (3-fluorophenyl) -3,4-diphenylgermacyclo Pentadiene

【0031】1,2ービス(1ーメチルー2,5ービス
(3ーメトキシフェニル)ー3、4ージフェニルゲルマ
シクロペンタジエニル)エタン 1,1ージメチルー2,5ービス(4ーシアノフェニ
ル)ー3,4ージフェニルスタナシクロペンタジエン 1,1ージメチルー2,5ービス{2ー(2ーベンゾオ
キサゾリル)フェニル}ー3,4ージフェニルゲルマシ
クロペンタジエン 1,1ージメチルー2,5ービス{3ー(2ーベンゾチ
エニル)フェニル}ー3,4ージフェニルゲルマシクロ
ペンタジエン 1,1ージメチルー2,5ービス{4ー(2ーベンゾフ
リル)フェニル}ー3,4ージフェニルゲルマシクロペ
ンタジエン 1,1ージメチルー2,5ービス{2ー(2ーベンゾチ
アゾリル)フェニル}ー3,4ージフェニルゲルマシク
ロペンタジエン 1,1ージメチルー2,5ービス{3ー(2ーベンゾイ
ミダゾリル)フェニル}ー3,4ージフェニルゲルマシ
クロペンタジエン 1,1ージメチルー2,5ービス{4ー(2ーインドリ
ル)フェニル}ー3,4ージフェニルゲルマシクロペン
タジエン
1,2-bis (1-methyl-2,5-bis (3-methoxyphenyl) -3,4-diphenylgermacyclopentadienyl) ethane 1,1-dimethyl-2,5-bis (4-cyanophenyl) -3,4- Diphenyl stanacyclopentadiene 1,1-dimethyl-2,5-bis {2- (2-benzoxazolyl) phenyl} -3,4-diphenylgermacyclopentadiene 1,1-dimethyl-2,5-bis {3- (2-benzothienyl) phenyl 3,4-diphenylgermacyclopentadiene 1,1-dimethyl-2,5-bis {4- (2-benzofuryl) phenyl} -3,4-diphenylgermacyclopentadiene 1,1-dimethyl-2,5-bis {2- (2- Benzothiazolyl) phenyl-3,4-diphenyl gel Pentadiene 1,1-dimethyl-2,5-bis {3- (2-benzimidazolyl) phenyl} -3,4-diphenylgermacyclopentadiene 1,1-dimethyl-2,5-bis {4- (2-indolyl) phenyl} -3,4- Diphenylgermacyclopentadiene

【0032】1,1ージメチルー2,5ービス{3ー
(5ーメトキシー2ーベンゾチアゾリル)フェニル}ー
3,4ージフェニルゲルマシクロペンタジエン 1,1ージメチルー2,5ージ(1ーナフチル)ー3,
4ージフェニルゲルマシクロペンタジエン 1,1ージメチルー2,5ージ(2ーメチルー1ーナフ
チル)ー3,4ージフェニルスタナシクロペンタジエン 1,1ージメトキシー2,5ージ(2ーナフチル)ー
3,4ージフェニルゲルマシクロペンタジエン 1,1ージメチルー2,5ージ(2ーベンゾチエニル)
ー3,4ージフェニルゲルマシクロペンタジエン 1,1ージメチルー2,5ービス(3ーメチルー2ーベ
ンゾチエニル)ー3,4ージフェニルゲルマシクロペン
タジエン 1,1ージメチルー2,5ービス(3ーフェニルー2ー
ベンゾチエニル)ー3,4ージフェニルゲルマシクロペ
ンタジエン 1,1ージメチルー2,5ービス(2ーメチルー3ーベ
ンゾチエニル)ー3,4ージフェニルゲルマシクロペン
タジエン 1,1ージメチルー2,5ージ(2ーベンゾチアゾリ
ル)ー3,4ージフェニルゲルマシクロペンタジエン 1,1ージメチルー2,5ージ(2ーベンゾオキサゾリ
ル)ー3,4ージフェニルゲルマシクロペンタジエン
1,1-dimethyl-2,5-bis {3- (5-methoxy-2-benzothiazolyl) phenyl} -3,4-diphenylgermacyclopentadiene 1,1-dimethyl-2,5-di (1-naphthyl) -3 ,
4-Diphenylgermacyclopentadiene 1,1-dimethyl-2,5-di (2-methyl-1-naphthyl) -3,4-diphenylstanacyclopentadiene 1,1-dimethoxy-2,5-di (2naphthyl) -3,4-diphenylgerma Cyclopentadiene 1,1-dimethyl-2,5-di (2-benzothienyl)
-3,4-Diphenylgermacyclopentadiene 1,1-dimethyl-2,5-bis (3-methyl-2-benzothienyl) -3,4-diphenylgermacyclopentadiene 1,1-dimethyl-2,5-bis (3-phenyl-2-benzothienyl) -3,4 Diphenylgermacyclopentadiene 1,1-dimethyl-2,5-bis (2-methyl-3-benzothienyl) -3,4 diphenylgermacyclopentadiene 1,1-dimethyl-2,5-di (2-benzothiazolyl) -3,4- Diphenylgermacyclopentadiene 1,1-dimethyl-2,5-di (2-benzoxazolyl) -3,4-diphenylgermacyclopentadiene

【0033】1,1ージメチルー2,5ービス(5ーメ
チルー2ーベンゾオキサゾリル)ー3,4ージフェニル
スタナシクロペンタジエン 1,1ージメチルー2,5ービス(5ーフェニルー2ー
ベンゾチアジアゾリル)ー3,4ージフェニルゲルマシ
クロペンタジエン 1,1ージメチルー2,5ージ(3ーベンゾフラニル)
ー3,4ージフェニルゲルマシクロペンタジエン 1,1ージメチルー2,5ービス(3,4ージフルオロ
フェニル)ー3,4ージフェニルゲルマシクロペンタジ
エン 1,1ージメチルー2,5ービス(3,4,5ートリフ
ルオロフェニル)ー3,4ージフェニルスタナシクロペ
ンタジエン 1,1ージメチルー2,5ービス(2,3,4,5,6
ーペンタフルオロフェニル)ー3,4ージフェニルゲル
マシクロペンタジエン 5,5’−ジブロモ−1,1,1’,1’−テトラエチ
ル−3,3’,4,4’−テトラフェニル−2,2’−
ビゲルモール 5,5’−ジメチル−1,1,1’,1’−テトラエチ
ル−3,3’,4,4’−テトラフェニル−2,2’−
ビスタノール 5,5’’’−ジブロモ−1,1,1’,1’,
1’’,1’’,1’’’,1’’’−オクタエチル−
3,3’,3’’,3’’’,4,4’,4’’,
4’’’−オクタフェニル−2,2’:5’,2’’:
5’’,2’’’−クォーターゲルモール 9,9’−ゲルマスピロビフルオレン 9,9’−スタナスピロビフルオレン 9,9−ジフェニル−9−スタナフルオレン 9,9−ジナフチル−9−ゲルマフルオレン
1,1-dimethyl-2,5-bis (5-methyl-2-benzooxazolyl) -3,4-diphenylstanacyclopentadiene 1,1-dimethyl-2,5-bis (5-phenyl-2-benzothiadiazolyl) -3 1,4-Diphenylgermacyclopentadiene 1,1-dimethyl-2,5-di (3-benzofuranyl)
-3,4 diphenylgermacyclopentadiene 1,1-dimethyl-2,5-bis (3,4difluorophenyl) -3,4diphenylgermacyclopentadiene 1,1-dimethyl-2,5-bis (3,4,5-tri Fluorophenyl) -3,4-diphenyl stanacyclopentadiene 1,1-dimethyl-2,5-bis (2,3,4,5,6
-Pentafluorophenyl) -3,4-diphenylgermacyclopentadiene 5,5'-dibromo-1,1,1 ', 1'-tetraethyl-3,3', 4,4'-tetraphenyl-2,2 ' −
Bigermol 5,5'-dimethyl-1,1,1 ', 1'-tetraethyl-3,3', 4,4'-tetraphenyl-2,2'-
Vistanol 5,5 '''-dibromo-1,1,1', 1 ',
1 '', 1 '', 1 ''',1'''-octaethyl-
3,3 ', 3'',3''', 4,4 ', 4'',
4 ″ ′-octaphenyl-2,2 ′: 5 ′, 2 ″:
5 ″, 2 ′ ″-quartergermol 9,9′-germaspyrobifluorene 9,9′-stanaspyrobifluorene 9,9-diphenyl-9-stannafluorene 9,9-dinaphthyl-9-germafluorene

【0034】本発明のEL素子の構成は、各種の態様が
あるが、基本的には一対の電極(陽極と陰極)間に、前
記シクロペンタジエン誘導体を挟持した構成とし、これ
に必要に応じて、正孔輸送材料、発光材料および電子輸
送材料を加えるか、別の層として積層すればよい。
The EL device of the present invention has various configurations. Basically, the configuration is such that the cyclopentadiene derivative is sandwiched between a pair of electrodes (anode and cathode). , A hole-transporting material, a light-emitting material, and an electron-transporting material, or may be stacked as separate layers.

【0035】具体例としては、陽極/シクロペンタジエ
ン誘導体層/陰極、陽極/正孔輸送層/シクロペンタジ
エン誘導体層/陰極、陽極/正孔輸送層/発光層/シク
ロペンタジエン誘導体層/陰極、陽極/正孔輸送材料+
発光材料+シクロペンタジエン誘導体層/陰極などが挙
げられる。他のシクロペンタジエン誘導体の特殊な使用
法として、正孔阻止材料への適用がある。正孔阻止材料
とは、電子と正孔の2つの電荷のうち電子のみを輸送
し、正孔を伝達しない若しくは伝達し難い材料のことで
ある。本発明で用いられるシクロペンタジエン誘導体
は、電子を優先的若しくは選択的に輸送するので、本発
明の有機EL素子の他の具体例として、陽極/正孔輸送
層/シクロペンタジエン誘導体層/電子輸送層/陰極等
があげられる。この場合、発光するのは、正孔輸送層あ
るいはシクロペンタジエン誘導体層になる。特に、この
ような正孔阻止の効果を出すシクロペンタジエン誘導体
としては、発光波長の短いものがあげられる。例えば、
9,9’−ゲルマスピロビフルオレン等があげられる。
この9,9’−ゲルマスピロビフルオレンを正孔阻止層
に、TPDを正孔輸送層に、8−ヒドロキシキノリンア
ルミニウム(以下Alqと略記する。)を電子輸送層に
用いた素子においては、その発光は、TPDの発光に由
来する紫色のものしか見られず、非常に優れた正孔阻止
能を有する。このようにTPDが発光する素子として
は、キドら(Kido, et. al.Science,267,1332(1995))
によるトリアゾール誘導体を用いた素子があるが完全で
はなかった。さらに特殊な例として、本発明で用いられ
るシクロペンタジエン誘導体層を発光層若しくは電子輸
送性発光層として使用できる。この場合の素子の構成
は、陽極/正孔輸送層/(シクロペンタジエン誘導体+
電子輸送材料)層/陰極等があげられる。
As specific examples, anode / cyclopentadiene derivative layer / cathode, anode / hole transport layer / cyclopentadiene derivative layer / cathode, anode / hole transport layer / light emitting layer / cyclopentadiene derivative layer / cathode, anode / Hole transport material +
Light-emitting material + cyclopentadiene derivative layer / cathode. Another special use of cyclopentadiene derivatives is in application to hole blocking materials. The hole blocking material is a material that transports only electrons among two charges of electrons and holes, and does not transmit or hardly transmits holes. Since the cyclopentadiene derivative used in the present invention transports electrons preferentially or selectively, another specific example of the organic EL device of the present invention is an anode / hole transport layer / cyclopentadiene derivative layer / electron transport layer. / Cathode and the like. In this case, light is emitted from the hole transport layer or the cyclopentadiene derivative layer. In particular, as the cyclopentadiene derivative which exerts such a hole blocking effect, one having a short emission wavelength can be mentioned. For example,
9,9'-germaspyrobifluorene and the like.
In a device using 9,9'-germaspirobifluorene as a hole blocking layer, TPD as a hole transporting layer, and 8-hydroxyquinoline aluminum (hereinafter abbreviated as Alq) as an electron transporting layer, Light emission is only purple, which is derived from TPD light emission, and has very excellent hole blocking ability. Such a device that emits light from a TPD is described in Kido et al. (Kido, et. Al. Science, 267, 1332 (1995)).
There was a device using a triazole derivative according to the above, but it was not perfect. As a more specific example, the cyclopentadiene derivative layer used in the present invention can be used as a light emitting layer or an electron transporting light emitting layer. In this case, the structure of the device is as follows: anode / hole transport layer / (cyclopentadiene derivative +
Electron transport material) layer / cathode.

【0036】本発明の素子は、いずれも基板に支持され
ていることが好ましく、該基板に付いては特に制限はな
く、従来EL素子に慣用されているもの、例えばガラ
ス、透明プラスチック、導電性高分子あるいは石英など
から成るものを用いることができる。
The device of the present invention is preferably supported on a substrate, and there is no particular limitation on the substrate, and those conventionally used in EL devices, for example, glass, transparent plastic, and conductive materials A material made of a polymer, quartz, or the like can be used.

【0037】本発明で使用される各層は、例えば蒸着
法、塗布法等の公知の方法によって、薄膜化する事によ
り形成することができる。このようにして形成された各
層の薄膜の厚みについては特に制限はなく、適宜状況に
応じて選ぶことができるが、通常2nmないし5000
nmの範囲で選定される。
Each layer used in the present invention can be formed by thinning by a known method such as a vapor deposition method and a coating method. The thickness of the thin film of each layer thus formed is not particularly limited and can be appropriately selected depending on the situation.
It is selected in the range of nm.

【0038】本発明のEL素子における陽極として、仕
事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性
化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ま
しく用いられる。このような電極物質の具体例としては
Auなどの金属、CuI、SnO2、ZnO、ITO
(酸化インジウム)などの誘電性透明材料が挙げられ
る。陽極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング
などの方法により、薄膜を形成させることにより作製す
ることができる。この電極より発光を取り出す場合に
は、透過率を10%より大きくすることが望ましく、ま
た、電極としてのシート抵抗は数百Ω/square以下が好
ましい。膜厚は材料にもよるが、好ましくは10nmな
いし1μm、より好ましくは10〜200nmの範囲で
ある。
As the anode in the EL device of the present invention, a material having a large work function (4 eV or more), a metal, an alloy, an electrically conductive compound and a mixture thereof as an electrode material is preferably used. Specific examples of such an electrode material include metals such as Au, CuI, SnO 2 , ZnO, and ITO.
(Indium oxide) and the like. The anode can be manufactured by forming a thin film from these electrode substances by a method such as evaporation or sputtering. When light is extracted from this electrode, the transmittance is desirably greater than 10%, and the sheet resistance of the electrode is preferably several hundred Ω / square or less. The thickness depends on the material, but is preferably in the range of 10 nm to 1 μm, more preferably 10 to 200 nm.

【0039】陰極としては、仕事関数の小さい(4.3
eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの
混合物を電極物質とするものが用いられる。このような
電極物質の具体例としては、カルシウム、マグネシウ
ム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム合金、リチ
ウム合金、アルミニウム合金、アルミニウム/リチウム
混合物、マグネシウム/銀混合物、インジウムなどが挙
げられる。陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタ
リングなどの方法により、薄膜を形成させることによ
り、作製することができる。また、電極としてのシート
抵抗は数百Ω/square以下が好ましく、好ましくは10
nmないし1μm、より好ましくは50〜200nmの
範囲である。
The cathode has a small work function (4.3).
eV or less) A metal, an alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof are used as an electrode material. Specific examples of such an electrode material include calcium, magnesium, lithium, aluminum, a magnesium alloy, a lithium alloy, an aluminum alloy, an aluminum / lithium mixture, a magnesium / silver mixture, and indium. The cathode can be manufactured by forming a thin film from these electrode substances by a method such as evaporation or sputtering. The sheet resistance as an electrode is preferably several hundreds Ω / square or less, and more preferably 10
nm to 1 μm, more preferably 50 to 200 nm.

【0040】本発明の有機EL素子の構成は、前記した
ように各種の態様があるが、正孔輸送層を設けると発光
効率が向上する。正孔輸送層に用いられる正孔輸送材料
としては、電界を与えられた2個の電極間に配置されて
陽極から正孔が注入された場合、該正孔を適切に発光層
へ伝達しうる化合物であって、例えば、104〜106
/cmの電界印加時に、少なくとも10-6cm2/V・
秒以上の正孔移動度をもつものが好適である。正孔輸送
材料として用いる材料はこのような性質を有する物であ
れば特に制限はなく、従来、光導電材料において、正孔
の電荷輸送材として慣用されているものやEL素子の正
孔輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを
選択して用いることができる。
The configuration of the organic EL device of the present invention has various modes as described above, but the luminous efficiency is improved by providing a hole transport layer. As a hole transporting material used for the hole transporting layer, when a hole is injected from an anode placed between two electrodes to which an electric field is applied, the hole can be appropriately transmitted to the light emitting layer. A compound, for example, 10 4 to 10 6 V
/ Cm when applying an electric field of at least 10 −6 cm 2 / V ·
Those having a hole mobility of seconds or more are preferred. The material used as the hole transporting material is not particularly limited as long as it has such properties. Conventionally, a photoconductive material commonly used as a hole charge transporting material or a hole transporting layer of an EL element is used. Any known ones can be selected from known ones to be used.

【0041】正孔輸送材料としては、例えばカルバゾー
ル誘導体(Nーフェニルカルバゾール、ポリビニルカル
バゾールなど。)、トリアリールアミン誘導体(TP
D、芳香族第3級アミンを主鎖あるいは側鎖に持つポリ
マー、1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニ
ル)シクロヘキサン、N,N’−ジフェニル−N,N’
−ジナフチル−4,4’−ジアミノビフェニルな
ど。)、フタロシアニン誘導体(無金属、銅フタロシア
ニンなど)、ポリシランなどがあげられる。本発明の有
機EL素子における電子を輸送する層において、複数の
電子輸送材料を使用する場合は、ゲルマシクロペンタジ
エン誘導体ばかりでなく、他の電子輸送材料を用いても
良い。このような電子輸送材料について特に制限はな
く、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用
いる事ができる。電子輸送材料の好ましい例としては、
下記化7
Examples of the hole transporting material include carbazole derivatives (N-phenylcarbazole, polyvinylcarbazole, etc.) and triarylamine derivatives (TP
D, a polymer having an aromatic tertiary amine in the main chain or side chain, 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane, N, N′-diphenyl-N, N ′
-Dinaphthyl-4,4'-diaminobiphenyl and the like. ), Phthalocyanine derivatives (metal-free, copper phthalocyanine, etc.), polysilanes and the like. When a plurality of electron transporting materials are used in the electron transporting layer in the organic EL device of the present invention, not only the germanocyclopentadiene derivative but also other electron transporting materials may be used. There is no particular limitation on such an electron transporting material, and any one of conventionally known compounds can be selected and used. Preferred examples of the electron transport material include:
Following 7

【化7】などのジフェニルキノン誘導体(電子写真学会
誌、30,3(1991)などに記載のもの。)、あるいは下記化
8、化9
Or a diphenylquinone derivative such as that described in the journal of the Institute of Electrophotography, 30,3 (1991), or the following:

【0042】[0042]

【化8】 Embedded image

【0043】[0043]

【化9】Embedded image

【0044】などの化合物(ジャーナル・アプライド・
フィジックス(J.Apply.Phys.),27,269(1988)などに記載
のもの。)や、オキサジアゾール誘導体(ジャパニーズ
・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス(Jpn.
J.Appl.Phys.),27,L713(1988)、アプライドフィジック
スレター(Appl.Phys.Lett.),55,1489(1989)に記載のも
の)、チオフェン誘導体(特開平4−212286号公
報などに記載のもの。)、トリアゾール誘導体(ジャパ
ニーズ ジャーナル オブ アプライド フィジックス
(Jpn.J.Appl.Phys.),32,L917(1993)などに記載のも
の。)、チアジアゾール誘導体(第43回高分子学会予
稿集、IIIP1a007などに記載のもの。)、オキシ
ン誘導体の金属錯体(電子情報通信学会技術研究報告、
92(311),43(1992)などに記載のもの)、キノキサリン誘
導体のポリマー(ジャパニーズ ジャーナル オブ ア
プライド フィジックス(Jpn.J.Appl.Phys.),33,L250
(1994)などに記載のもの。)、フェナントロリン誘導体
(第43回高分子討論会予稿集、14J07などに記載
のもの)などを挙げることができる。
Compounds such as (Journal Applied
Physics (J. Apply. Phys.), 27, 269 (1988). ) And oxadiazole derivatives (Japanese Journal of Applied Physics (Jpn.
J. Appl. Phys.), 27, L713 (1988), Applied Physics Letter (Appl. Phys. Lett.), 55, 1489 (1989)), thiophene derivatives (JP-A-4-212286, etc.) ), Triazole derivatives (those described in Japanese Journal of Applied Physics (Jpn. J. Appl. Phys.), 32, L917 (1993), etc.), thiadiazole derivatives (the 43rd Annual Meeting of the Society of Polymer Science, Japan) , IIIP1a007, etc.), metal complexes of oxine derivatives (IEICE Technical Report,
92 (311), 43 (1992)), polymers of quinoxaline derivatives (Japanese Journal of Applied Physics (Jpn. J. Appl. Phys.), 33, L250
(1994). ), Phenanthroline derivatives (those described in the 43rd Polymer Symposium Proceedings, 14J07 and the like).

【0045】本発明に用いる発光材料には、高分子学会
編 高分子機能材料シリーズ”光機能材料”、共立出版
(1991)、P236 に記載されているような昼光蛍光材料、蛍
光増白剤、レーザー色素、有機シンチレータ、各種の蛍
光分析試薬などの公知の発光材料を用いることができる
が、具体的には、アントラセン、フェナントレン、ピレ
ン、クリセン、ペリレン、コロネン、ルブレン、キナク
リドンなどの多環縮合化合物、クオーターフェニルなど
のオリゴフェニレン系化合物、1,4−ビス(2−メチ
ルスチリル)ベンゼン、1,4−ビス(4−メチルスチ
リル)ベンゼン、1,4−ビス(4−メチル−5−フェ
ニル−2−オキザゾリル)ベンゼン、1,4−ビス(5
−フェニル−2−オキサゾリル)ベンゼン、2,5−ビ
ス(5−タシャリー−ブチル−2−ベンズオキサゾリ
ル)チオフェン、1,4−ジフェニル−1,3−ブタジ
エン、1,6−ジフェニル−1,3,5−ヘキサトリエ
ン、1,1,4,4−テトラフェニル−1,3,−ブタ
ジエンなどの液体シンチレーション用シンチレータ、特
開昭63-264692 号公報記載のオキシン誘導体の金属錯
体、クマリン染料、ジシアノメチレンピラン染料、ジシ
アノメチレンチオピラン染料、ポリメチン染料、オキソ
ベンズアントラセン染料、キサンテン染料、カルボスチ
リル染料およびペリレン染料、独国特許2534713 公報に
記載のオキサジン系化合物、第40回応用物理学関係連
合講演会講演予稿集、1146(1993)に記載のスチルベン誘
導体および特開平4-363891号公報記載のオキサジアゾー
ル系化合物が好ましい。また、本発明のシクロペンタジ
エン誘導体を用いても良い。
The luminescent materials used in the present invention include Polymer Functional Materials Series “Optical Functional Materials” edited by the Society of Polymer Science, Kyoritsu Shuppan
(1991), known light-emitting materials such as daylight fluorescent materials, fluorescent brighteners, laser dyes, organic scintillators, and various fluorescent analysis reagents as described in P236 can be used. Polycyclic condensed compounds such as anthracene, anthracene, phenanthrene, pyrene, chrysene, perylene, coronene, rubrene, and quinacridone; oligophenylene-based compounds such as quarterphenyl; 1,4-bis (2-methylstyryl) benzene; 1,4-bis (4-methylstyryl) benzene, 1,4-bis (4-methyl-5-phenyl-2-oxazolyl) benzene, 1,4-bis (5
-Phenyl-2-oxazolyl) benzene, 2,5-bis (5-tert-butyl-2-benzoxazolyl) thiophene, 1,4-diphenyl-1,3-butadiene, 1,6-diphenyl-1, Liquid scintillators such as 3,5-hexatriene and 1,1,4,4-tetraphenyl-1,3, -butadiene; metal complexes of oxine derivatives described in JP-A-63-264692; coumarin dyes; Dicyanomethylenepyran dye, dicyanomethylenethiopyran dye, polymethine dye, oxobenzanthracene dye, xanthene dye, carbostyril dye and perylene dye, oxazine compounds described in German Patent 2534713, the 40th Joint Lecture on Applied Physics Stilbene derivatives described in Proceedings of the Conference, 1146 (1993) and JP-A-4-363891 Preferably the oxadiazole compound. Further, the cyclopentadiene derivative of the present invention may be used.

【0046】本発明の有機EL素子は従来行われている
方法により作製することができる。以下に本発明に好適
な方法のを例示する。
The organic EL device of the present invention can be manufactured by a conventional method. The following is an example of a method suitable for the present invention.

【0047】陽極/該シクロペンタジエン誘導体層/陰
極からなるEL素子を以下のようにして作製することが
できる。まず適当な基板上に、所望の電極物質、例えば
陽極用物質からなる薄膜を、1μm以下、好ましくは1
0〜200nmの範囲の膜厚になるように、蒸着やスパ
ッタリングなどの方法により形成させ、陽極を作製した
のち、この上にシクロペンタジエン誘導体の薄膜を形成
させる。薄膜化の方法としては、例えば、浸漬塗工法、
スピンコート法、キャスト法、蒸着法等があるが、より
均質な膜が得られやすく、より不純物が混ざり難くかつ
ピンホールが生成しにくいなどの点から蒸着法がより好
ましい。
An EL device comprising the anode / the cyclopentadiene derivative layer / cathode can be manufactured as follows. First, a thin film made of a desired electrode material, for example, a material for an anode, is formed on an appropriate substrate at a thickness of 1 μm or less,
An anode is formed so as to have a thickness in the range of 0 to 200 nm by a method such as vapor deposition or sputtering, and then a thin film of a cyclopentadiene derivative is formed thereon. As a method of thinning, for example, dip coating method,
There are a spin coating method, a casting method, a vapor deposition method, and the like, but a vapor deposition method is more preferable because a more uniform film is easily obtained, impurities are hardly mixed, and pinholes are hardly generated.

【0048】次に、このシクロペンタジエン誘導体層の
形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を、1μm以
下、例えば蒸着やスパッタリング等の方法により形成さ
せ、陰極を設けることにより、所望の有機EL素子を得
ることができる。なお、この有機EL素子の作製におい
ては、作製順序を逆にして、陰極、該シクロペンタジエ
ン誘導体層、陽極の順に作製することも可能である。こ
のようにして得られたEL素子に直流電圧を印加する
と、発光が透明または半透明の電極側より観測できる。
さらに、交流電圧を印加することによっても発光する。
なお印加する交流の波形は任意でよい。
Next, after forming this cyclopentadiene derivative layer, a thin film made of a cathode material is formed thereon by a method of 1 μm or less, for example, by vapor deposition or sputtering, and a desired cathode is provided by providing a cathode. An element can be obtained. In the production of this organic EL device, the production order can be reversed, and the cathode, the cyclopentadiene derivative layer, and the anode can be produced in this order. When a DC voltage is applied to the thus obtained EL device, light emission can be observed from the transparent or translucent electrode side.
Furthermore, light is emitted by applying an AC voltage.
The waveform of the applied alternating current may be arbitrary.

【0049】[0049]

【実施例】以下に実施例にて本発明を具体的に説明する
が、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples, but the present invention is not limited to the following examples.

【0050】実施例1 25mm×75mm×1.1mmのガラス基板上にIT
Oを蒸着法にて50nmの厚さで製膜したもの(東京三
容真空(株)製)を透明支持基板とした。この透明支持
基板を市販の蒸着装置(真空機工(株)製)の基板ホル
ダーに固定し、石英製のるつぼにTPDをいれ、さらに
別のるつぼに1,1−ジメチル−2,3,4,5−テト
ラフェニルゲルマシクロペンタジエン(以下TPGと略
記する。)を入れて真空槽を1×10-4Paまで減圧し
た。こののち、TPD入りのるつぼを加熱し、膜厚50
nmになるようにTPDを蒸着したのち、さらにこの上
に、TPG入りのるつぼを加熱して、膜厚50nmにな
るようにTPGを蒸着した。蒸着速度は0.1〜0.2
nm/秒であった。その後真空槽を2×10-4Paまで
減圧たのち、グラファイト性のるつぼを用い、マグネシ
ウムを1.2〜2.4nm/秒の蒸着速度で、同時にさ
らに別のるつぼから銀を0.1〜0.2nm/秒の蒸着
速度で蒸着し、発光層の上にマグネシウムと銀の混合金
属電極の対向電極とし、素子を形成した。ITO電極を
陽極、マグネシウムと銀の混合電極を陰極として、得ら
れた素子に、直流電圧を印加すると電流が流れ、緑色の
発光を得た。
Example 1 An IT was placed on a glass substrate of 25 mm × 75 mm × 1.1 mm.
A film obtained by forming O to a thickness of 50 nm by a vapor deposition method (manufactured by Tokyo Sanyo Vacuum Co., Ltd.) was used as a transparent support substrate. This transparent support substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available vapor deposition apparatus (manufactured by Vacuum Kiko Co., Ltd.), TPD was placed in a quartz crucible, and 1,1-dimethyl-2,3,4,4 was placed in another crucible. 5-Tetraphenylgermacyclopentadiene (hereinafter abbreviated as TPG) was charged, and the pressure in the vacuum chamber was reduced to 1 × 10 −4 Pa. Thereafter, the crucible containing TPD is heated to a thickness of 50 mm.
After vapor deposition of TPD to a thickness of 50 nm, a crucible containing TPG was further heated thereon to vapor-deposit TPG to a thickness of 50 nm. The deposition rate is 0.1-0.2
nm / sec. Thereafter, the pressure in the vacuum chamber was reduced to 2 × 10 −4 Pa, and then, using a graphite crucible, magnesium was deposited at a deposition rate of 1.2 to 2.4 nm / sec. An element was formed by vapor deposition at a vapor deposition rate of 0.2 nm / sec, which was used as a counter electrode of a mixed metal electrode of magnesium and silver on the light emitting layer. When a direct current voltage was applied to the obtained device using the ITO electrode as an anode and the mixed electrode of magnesium and silver as a cathode, current flowed and green light was emitted.

【0051】実施例2 TPGを9,9’−スタナスピロビフルオレンに代えた
以外は実施例1と同様な方法で素子を作成した。得られ
た素子に、直流電圧を印加すると電流が流れ、青紫色の
発光を得た。
Example 2 A device was prepared in the same manner as in Example 1, except that TPG was replaced with 9,9'-stanaspyrobifluorene. When a DC voltage was applied to the obtained device, a current flowed and blue-violet light emission was obtained.

【0052】実施例3 TPGを9,9’−ゲルマスピロビフルオレンに代えた
以外は実施例1と同様な方法で素子を作成した。得られ
た素子に、直流電圧17Vを印加すると約50mA/c
2の電流が流れ、約100cd/m2の青色の発光を得
た。
Example 3 A device was prepared in the same manner as in Example 1 except that TPG was replaced with 9,9'-germaspirobifluorene. When a DC voltage of 17 V is applied to the obtained device, about 50 mA / c
m 2 flowed, and blue light emission of about 100 cd / m 2 was obtained.

【0053】実施例4 TPGを1,1ージエチルー2,3,4,5ーテトラフ
ェニルスタナシクロペンタジエンに代えた以外は実施例
1と同様な方法で素子を作成した。得られた素子に、直
流電圧を印加すると電流が流れ、緑色の発光を得た。
Example 4 A device was prepared in the same manner as in Example 1 except that TPG was replaced with 1,1-diethyl-2,3,4,5-tetraphenylstanacyclopentadiene. When a DC voltage was applied to the obtained device, a current flowed and green light was emitted.

【0054】実施例5 実施例1で用いた透明支持基板を蒸着装置の基板ホルダ
ーに固定し、石英製のるつぼにTPD、別のるつぼに
9,9’−ゲルマスピロビフルオレン、さらに別のるつ
ぼに4,4’−ビス(2,2−ジフェニルビニル)ビフ
ェニル(以下DPVBiと略記する)を入れて真空槽を
1×10-4Paまで減圧した。まず、TPD入りのるつ
ぼを加熱し、膜厚50nmになるようにTPDを蒸着し
た。この上に、DPVBi入りのるつぼを加熱して膜厚
20nmになるようにDPVBiを蒸着し、さらに、こ
の上に9,9’−スピロビゲルマフルオレン入りのるつ
ぼを加熱して膜厚30nmになるように蒸着した。蒸着
速度は0.1〜0.2nm/秒であった。その後真空槽
を2×10-4Paまで減圧したのち、グラファイト性の
るつぼから、マグネシウムを1.2〜2.4nm/秒の
蒸着速度で、同時にもう一方のるつぼから銀を0.1〜
0.2nm/秒の蒸着速度で蒸着し、マグネシウムと銀
の混合金属電極を発光層の上に200nm積層蒸着し対
向電極とし、素子を形成した。ITO電極を陽極、マグ
ネシウムと銀の混合電極を陰極として、得られた素子
に、直流電圧を印加すると電流が流れ青色の発光を得
た。発光スペクトルはDPVBiの蒸着膜の蛍光スペク
トルと一致した。
Example 5 The transparent support substrate used in Example 1 was fixed to a substrate holder of a vapor deposition apparatus, and TPD was placed in a crucible made of quartz, 9,9′-germaspyrobifluorene in another crucible, and further another crucible. Was charged with 4,4′-bis (2,2-diphenylvinyl) biphenyl (hereinafter abbreviated as DPVBi), and the pressure in the vacuum chamber was reduced to 1 × 10 −4 Pa. First, a crucible containing TPD was heated to deposit TPD so as to have a thickness of 50 nm. On this, a crucible containing DPVBi is heated to deposit DPVBi to a thickness of 20 nm, and a crucible containing 9,9′-spirobigermafluorene is further heated thereon to a thickness of 30 nm. Was deposited as follows. The deposition rate was 0.1-0.2 nm / sec. Thereafter, the pressure in the vacuum chamber was reduced to 2 × 10 −4 Pa, and then magnesium was deposited from the graphite crucible at a deposition rate of 1.2 to 2.4 nm / sec.
An element was formed by vapor deposition at a vapor deposition rate of 0.2 nm / sec, and laminating 200 nm of a mixed metal electrode of magnesium and silver on the light-emitting layer as a counter electrode. When a direct current voltage was applied to the obtained device using the ITO electrode as an anode and the mixed electrode of magnesium and silver as a cathode, current flowed and blue light was emitted. The emission spectrum coincided with the fluorescence spectrum of the deposited film of DPVBi.

【0055】実施例6 DPVBiをAlq代えた以外は実施例5と同様な方法
で素子を作成した。得られた素子に、直流電圧を印加す
ると電流が流れ緑色の発光を得た。
Example 6 An element was prepared in the same manner as in Example 5, except that DPVBi was changed to Alq. When a DC voltage was applied to the obtained device, a current flowed and green light was emitted.

【0056】実施例7 実施例1で用いた透明支持基板を蒸着装置の基板ホルダ
ーに固定し、石英製のるつぼにTPD、別のるつぼにT
PG、さらにもう1つのるつぼにナイルレッドを入れて
真空槽を1×10-4Paまで減圧した。TPD入りのる
つぼを加熱し、膜厚50nmになるようにTPDを蒸着
した。この上に、TPGとナイルレッドのるつぼを共に
加熱して膜厚50nmになるように蒸着した。TPGの
蒸着速度は0.1〜0.2nm/秒であり、ナイルレッ
ドのそれはTPGの100分の1であった。その後真空
槽を2×10-4Paまで減圧したのち、グラファイト性
のるつぼから、マグネシウムを1.2〜2.4nm/秒
の蒸着速度で、同時にもう一方のるつぼから銀を0.1
〜0.2nm/秒の蒸着速度で蒸着し、マグネシウムと
銀の混合金属電極を発光層の上に200nm積層蒸着
し、対向電極とし素子を作製した。ITO電極を陽極、
マグネシウムと銀の混合電極を陰極として、得られた素
子に、直流電圧印加すると電流が流れの赤橙色の発光を
得た。
Example 7 The transparent support substrate used in Example 1 was fixed to a substrate holder of a vapor deposition device, and TPD was placed in a quartz crucible and T was placed in another crucible.
Nile red was added to PG and another crucible, and the pressure in the vacuum chamber was reduced to 1 × 10 −4 Pa. The crucible containing TPD was heated, and TPD was deposited to a thickness of 50 nm. On this, TPG and a Nile Red crucible were both heated and vapor-deposited to a film thickness of 50 nm. The deposition rate of TPG was 0.1-0.2 nm / sec, and that of Nile Red was 1/100 of TPG. Thereafter, the pressure in the vacuum chamber was reduced to 2 × 10 −4 Pa, and then magnesium was deposited from the graphite crucible at a deposition rate of 1.2 to 2.4 nm / sec.
Vapor deposition was performed at a vapor deposition rate of about 0.2 nm / sec, and a mixed metal electrode of magnesium and silver was laminated and vapor-deposited to a thickness of 200 nm on the light-emitting layer to prepare a device as a counter electrode. Anode for ITO electrode,
When a DC voltage was applied to the obtained device using a mixed electrode of magnesium and silver as a cathode, current flowed and red-orange light emission was obtained.

【0057】実施例8 実施例1で用いた透明支持基板を市販のスピンナー(協
栄セミコンダクター(株)製)に固定し、ポリビニルカ
ルバゾール50重量部、9,9’−ゲルマスピロビフル
オレン50重量部を1,2−ジクロロエタンに溶解した
ものを5000rpmで塗布した。その後、この基板を
10-1Paの減圧下50℃にて乾燥後、蒸着装置の基板
ホルダーに固定した。その後真空槽を2×10-4Paま
で減圧したのち、グラファイト性のるつぼから、マグネ
シウムを1.2〜2.4nm/秒の蒸着速度で、同時に
もう一方のるつぼから銀を0.1〜0.2nm/秒の蒸
着速度で蒸着し、マグネシウムと銀の混合金属電極を発
光層の上に200nm積層蒸着し、対向電極とし、素子
を形成した。ITO電極を陽極、マグネシウムと銀の混
合電極を陰極として、得られた素子に、直流電圧を印加
すると電流が流れ、紫色の発光を得た。
Example 8 The transparent support substrate used in Example 1 was fixed on a commercially available spinner (manufactured by Kyoei Semiconductor Co., Ltd.), and 50 parts by weight of polyvinyl carbazole and 50 parts by weight of 9,9′-gelmaspyrobifluorene were used. Was dissolved in 1,2-dichloroethane and applied at 5000 rpm. Thereafter, the substrate was dried at 50 ° C. under a reduced pressure of 10 −1 Pa, and then fixed to a substrate holder of a vapor deposition apparatus. Thereafter, the pressure in the vacuum chamber was reduced to 2 × 10 −4 Pa, and then magnesium was evaporated from the graphite crucible at a deposition rate of 1.2 to 2.4 nm / sec. An evaporation was performed at a deposition rate of 0.2 nm / sec, and a mixed metal electrode of magnesium and silver was deposited to a thickness of 200 nm on the light emitting layer to form a counter electrode, thereby forming an element. When a DC voltage was applied to the obtained device using the ITO electrode as an anode and the mixed electrode of magnesium and silver as a cathode, a current flowed and purple light was emitted.

【0058】実施例9 ポリビニルカルバゾール50重量部、9,9’−ゲルマ
スピロビフルオレン50重量部の1,2−ジクロロエタ
ン溶液に代えて、ポリビニルカルバゾール50重量部、
9,9’−ゲルマスピロビフルオレン50重量部、クマ
リン6(KODAK社製)1重量部の1,2−ジクロロ
エタン溶液を用いた以外は実施例8に同様な方法で素子
を作成した。得られた素子に、直流電圧を印加すると電
流が流れ緑色の発光を得た。
Example 9 Instead of a solution of 50 parts by weight of polyvinyl carbazole and 50 parts by weight of 9,9'-germaspirobifluorene in 1,2-dichloroethane, 50 parts by weight of polyvinyl carbazole was used.
A device was prepared in the same manner as in Example 8, except that a 1,2-dichloroethane solution containing 50 parts by weight of 9,9′-germaspirobifluorene and 1 part by weight of coumarin 6 (manufactured by KODAK) was used. When a DC voltage was applied to the obtained device, a current flowed and green light was emitted.

【0059】実施例10 クマリン6をペリレンに代えた以外は実施例9と同様な
方法で素子を作成した。得られた素子に、直流電圧を印
加すると電流が流れ青色の発光を得た。
Example 10 A device was prepared in the same manner as in Example 9 except that coumarin 6 was replaced with perylene. When a DC voltage was applied to the obtained device, a current flowed and blue light was emitted.

【0060】実施例11 クマリン6をナイルレッドに代えた以外は実施例9と同
様な方法で素子を作成した。得られた素子に、直流電圧
を印加すると電流が流れ橙色の発光を得た。
Example 11 A device was prepared in the same manner as in Example 9 except that Nile Red was used instead of Coumarin 6. When a DC voltage was applied to the obtained device, current flowed and orange light emission was obtained.

【0061】実施例12 DPVBiを9,9’−ゲルマスピロビフルオレンに、
9,9’−ゲルマスピロビフルオレンをAlqに代えた
以外は実施例14と同様の方法で素子を作成した。得ら
れた素子に、直流電圧を10V印加すると約300mA
/cm2の電流が流れ、約1700cd/m2の紫色の発
光を得た。発光スペクトルは、TPD蒸着膜の蛍光スペ
クトルとほぼ一致し、発光波長は405nmであった。
Example 12 DPVBi was converted to 9,9'-germaspirobifluorene.
A device was prepared in the same manner as in Example 14 except that Alq was used instead of 9,9'-germaspyrobifluorene. When a DC voltage of 10 V is applied to the obtained device, about 300 mA is applied.
/ Cm 2 , and purple light emission of about 1700 cd / m 2 was obtained. The emission spectrum almost coincided with the fluorescence spectrum of the TPD deposited film, and the emission wavelength was 405 nm.

【0062】実施例13 実施例1で用いた透明支持基板を蒸着装置の基板ホルダ
ーに固定し、石英製のるつぼにTPD40重量部、9,
9’−ゲルマスピロビフルオレン60重量部及びクマリ
ン6を1重量部入れて真空槽を1×10-4Paまで減圧
した。このるつぼを加熱し、膜厚100nmになるよう
に蒸着した。蒸着速度は1〜1.2nm/秒であった。
その後真空槽を2×10-4Paまで減圧してから、グラ
ファイト性のるつぼから、マグネシウムを1.2〜2.
4nm/秒の蒸着速度で、同時にもう一方のるつぼから
銀を0.1〜0.2nm/秒の蒸着速度で蒸着し、マグ
ネシウムと銀の混合金属電極を発光層の上に200nm
積層蒸着し、対向電極とし、素子を形成した。ITO電
極を陽極、マグネシウムと銀の混合電極を陰極として、
得られた素子に、直流電圧を印加すると電流が流れ緑色
の発光を得た。
Example 13 The transparent support substrate used in Example 1 was fixed to a substrate holder of a vapor deposition device, and 40 parts by weight of TPD, 9, and 9 were placed in a crucible made of quartz.
60 parts by weight of 9′-germaspyrobifluorene and 1 part by weight of coumarin 6 were put therein, and the pressure in the vacuum chamber was reduced to 1 × 10 −4 Pa. The crucible was heated and deposited so as to have a thickness of 100 nm. The deposition rate was 1-1.2 nm / sec.
Thereafter, the pressure in the vacuum chamber was reduced to 2 × 10 −4 Pa, and then magnesium was added to the graphite crucible in an amount of 1.2 to 2.
At a deposition rate of 4 nm / sec, silver was simultaneously deposited from the other crucible at a deposition rate of 0.1 to 0.2 nm / sec, and a mixed metal electrode of magnesium and silver was deposited on the light emitting layer by 200 nm.
An element was formed by stacking and vapor-depositing the resultant to form a counter electrode. Using the ITO electrode as the anode and the mixed electrode of magnesium and silver as the cathode,
When a DC voltage was applied to the obtained device, a current flowed and green light was emitted.

【0063】[0063]

【発明の効果】本発明のシクロペンタジエン誘導体を電
子輸送材料として用いた有機電界発光素子は、従来の電
子輸送材料を使用した素子よりも電子輸送性に優れ、低
電圧で高輝度な発光することができる。これらを用いる
ことにより、フルカラーのフラットパネルディスプレー
等の発光素子が作成できる。
The organic electroluminescent device using the cyclopentadiene derivative of the present invention as an electron transporting material has a better electron transporting property than a device using a conventional electron transporting material, and emits light with high luminance at a low voltage. Can be. By using these, a light-emitting element such as a full-color flat panel display can be manufactured.

【化7】 Embedded image

【化7】 Embedded image

【化10】 Embedded image

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 下記化1で表されるゲルマシクロペンタ
ジエン誘導体を用ることを特徴とする有機電界発光素
子。 【化1】 [式中、X及びYは、それぞれ独立に炭素数1から6ま
での飽和若しくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、
アルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、ヒドロキシ
基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無
置換のヘテロ環又はXとYが結合して飽和又は不飽和の
環を形成した構造であり、R1〜R4は、それぞれ独立に
水素、ハロゲン、置換もしくは無置換の炭素数1から6
までのアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、
パーフルオロアルキル基、パーフルオロアルコキシ基、
アミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル
基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニ
ル基、アゾ基、アルキルカルボニルオキシ基、アリール
カルボニルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、
アリールオキシカルボニルオキシ基、スルフィニル基、
スルフォニル基、スルファニル基、シリル基、カルバモ
イル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アル
キニル基、ニトロ基、ホルミル基、ニトロソ基、ホルミ
ルオキシ基、イソシアノ基、シアネート基、イソシアネ
ート基、チオシアネート基、イソチオシアネート基もし
くはシアノ基又は隣接した場合には置換若しくは無置換
の環が縮合した構造である。]
1. An organic electroluminescent device using a germanocyclopentadiene derivative represented by the following formula 1. Embedded image [Wherein, X and Y each independently represent a saturated or unsaturated hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group,
Alkenyloxy group, alkynyloxy group, hydroxy group, a substituted or unsubstituted aryl group, to form a saturated or unsaturated ring substituted or unsubstituted hetero ring, or X and Y are bonded to the structure, R 1 ~ R 4 is each independently hydrogen, halogen, substituted or unsubstituted carbon atoms having 1 to 6 carbon atoms.
Alkyl group, alkoxy group, aryloxy group,
Perfluoroalkyl group, perfluoroalkoxy group,
Amino group, alkylcarbonyl group, arylcarbonyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, azo group, alkylcarbonyloxy group, arylcarbonyloxy group, alkoxycarbonyloxy group,
Aryloxycarbonyloxy group, sulfinyl group,
Sulfonyl group, sulfanyl group, silyl group, carbamoyl group, aryl group, heterocyclic group, alkenyl group, alkynyl group, nitro group, formyl group, nitroso group, formyloxy group, isocyano group, cyanate group, isocyanate group, thiocyanate group, It has a structure in which an isothiocyanate group or a cyano group or, when adjacent, a substituted or unsubstituted ring is fused. ]
【請求項2】 下記化2で表されるスタナシクロペンタ
ジエン誘導体を用ることを特徴とする電界発光素子。 【化2】 [式中、X及びYは、それぞれ独立に炭素数1から6ま
での飽和若しくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、
アルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、ヒドロキシ
基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無
置換のヘテロ環又はXとYが結合して飽和又は不飽和の
環を形成した構造であり、R1〜R4は、それぞれ独立に
水素、ハロゲン、置換もしくは無置換の炭素数1から6
までのアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、
パーフルオロアルキル基、パーフルオロアルコキシ基、
アミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル
基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニ
ル基、アゾ基、アルキルカルボニルオキシ基、アリール
カルボニルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、
アリールオキシカルボニルオキシ基、スルフィニル基、
スルフォニル基、スルファニル基、シリル基、カルバモ
イル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アル
キニル基、ニトロ基、ホルミル基、ニトロソ基、ホルミ
ルオキシ基、イソシアノ基、シアネート基、イソシアネ
ート基、チオシアネート基、イソチオシアネート基もし
くはシアノ基又は隣接した場合には置換若しくは無置換
の環が縮合した構造である。]
2. An electroluminescent device using a stanacyclopentadiene derivative represented by the following formula (2). Embedded image [Wherein, X and Y each independently represent a saturated or unsaturated hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group,
Alkenyloxy group, alkynyloxy group, hydroxy group, a substituted or unsubstituted aryl group, to form a saturated or unsaturated ring substituted or unsubstituted hetero ring, or X and Y are bonded to the structure, R 1 ~ R 4 is each independently hydrogen, halogen, substituted or unsubstituted carbon atoms having 1 to 6 carbon atoms.
Alkyl group, alkoxy group, aryloxy group,
Perfluoroalkyl group, perfluoroalkoxy group,
Amino group, alkylcarbonyl group, arylcarbonyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, azo group, alkylcarbonyloxy group, arylcarbonyloxy group, alkoxycarbonyloxy group,
Aryloxycarbonyloxy group, sulfinyl group,
Sulfonyl group, sulfanyl group, silyl group, carbamoyl group, aryl group, heterocyclic group, alkenyl group, alkynyl group, nitro group, formyl group, nitroso group, formyloxy group, isocyano group, cyanate group, isocyanate group, thiocyanate group, It has a structure in which an isothiocyanate group or a cyano group or, when adjacent, a substituted or unsubstituted ring is fused. ]
【請求項3】 請求項1記載のゲルマシクロペンタジエ
ン誘導体のうち少なくとも1種を電荷輸送層の成分とし
て用いたことを特徴とする電界発光素子。
3. An electroluminescent device using at least one of the germanocyclopentadiene derivatives according to claim 1 as a component of a charge transport layer.
【請求項4】 請求項1記載のゲルマシクロペンタジエ
ン誘導体のうち少なくとも1種を発光層の成分として用
いたことを特徴とする電界発光素子。
4. An electroluminescent device using at least one of the germanocyclopentadiene derivatives according to claim 1 as a component of a light emitting layer.
【請求項5】 請求項1記載のゲルマシクロペンタジエ
ン誘導体のうち少なくとも1種を正孔阻止層の成分とし
て用いたことを特徴とする電界発光素子。
5. An electroluminescent device using at least one of the germanocyclopentadiene derivatives according to claim 1 as a component of a hole blocking layer.
【請求項6】 請求項2記載のスタナシクロペンタジエ
ン誘導体のうち少なくとも1種を電荷輸送層の成分とし
て用いたことを特徴とする電界発光素子。
6. An electroluminescent device using at least one of the stanacyclopentadiene derivatives according to claim 2 as a component of a charge transport layer.
【請求項7】 請求項2記載のスタナシクロペンタジエ
ン誘導体のうち少なくとも1種を発光層の成分として用
いたことを特徴とする電界発光素子。
7. An electroluminescent device using at least one of the stanacyclopentadiene derivatives according to claim 2 as a component of a light emitting layer.
【請求項8】 請求項2記載のスタナシクロペンタジエ
ン誘導体のうち少なくとも1種を正孔阻止層の成分とし
て用いたことを特徴とする電界発光素子。
8. An electroluminescent device using at least one of the stanacyclopentadiene derivatives according to claim 2 as a component of a hole blocking layer.
JP18865396A 1996-06-28 1996-06-28 Electroluminescent device using cyclopentadiene derivative Expired - Lifetime JP3755196B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18865396A JP3755196B2 (en) 1996-06-28 1996-06-28 Electroluminescent device using cyclopentadiene derivative

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18865396A JP3755196B2 (en) 1996-06-28 1996-06-28 Electroluminescent device using cyclopentadiene derivative

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1017860A true JPH1017860A (en) 1998-01-20
JP3755196B2 JP3755196B2 (en) 2006-03-15

Family

ID=16227493

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP18865396A Expired - Lifetime JP3755196B2 (en) 1996-06-28 1996-06-28 Electroluminescent device using cyclopentadiene derivative

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3755196B2 (en)

Cited By (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006173552A (en) * 2004-11-17 2006-06-29 Ube Ind Ltd Organic electroluminescent element
KR100809481B1 (en) * 2006-04-17 2008-03-03 네오뷰코오롱 주식회사 Red luminescent organic compound and organic light-emitting diode including the same
US7485733B2 (en) 2002-05-07 2009-02-03 Lg Chem, Ltd. Organic compounds for electroluminescence and organic electroluminescent devices using the same
JP2011233912A (en) * 2004-11-17 2011-11-17 Ube Ind Ltd Organic electroluminescent element
JP2012224597A (en) * 2011-04-21 2012-11-15 Konica Minolta Holdings Inc Material for organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, display device, and lighting system
US9181474B2 (en) 2012-02-07 2015-11-10 Samsung Display Co., Ltd. Amine-based compound and organic light-emitting diode including the same
US9391280B2 (en) 2013-01-30 2016-07-12 Samsung Display Co., Ltd. Heterocyclic compound and organic light-emitting device including the same
US9397300B2 (en) 2013-02-14 2016-07-19 Samsung Display Co., Ltd. Compound and organic light-emitting diode including the same
US9425407B2 (en) 2013-09-27 2016-08-23 Samsung Display Co., Ltd. Heterocyclic compound and organic light-emitting device including the same
US9537104B2 (en) 2012-09-17 2017-01-03 Samsung Display Co., Ltd. Condensed-cyclic compound and organic light-emitting diode including the condensed-cyclic compound
US9559310B2 (en) 2012-07-11 2017-01-31 Samsung Display Co., Ltd. Compound with electron injection and/or electron transport capabilities and organic light-emitting device including the same
US9564596B2 (en) 2013-10-02 2017-02-07 Samsung Display Co., Ltd. Heterocyclic compound and organic light-emitting device comprising same
US9583715B2 (en) 2013-08-09 2017-02-28 Samsung Display Co., Ltd. Anthracene-based compounds and organic light-emitting device including the same
US9601699B2 (en) 2013-10-31 2017-03-21 Samsung Display Co., Ltd. Chrysene-based compound and organic light-emitting device including the same
US9627634B2 (en) 2013-08-09 2017-04-18 Samsung Display Co., Ltd. Heterocyclic compound and organic light-emitting diode including the same
US9680106B2 (en) 2013-10-01 2017-06-13 Samsung Display Co., Ltd. Pyrene-based compound and organic light-emitting device including the same
US9705088B2 (en) 2013-12-13 2017-07-11 Samsung Display Co., Ltd. Triazine-based compounds and organic light-emitting devices including triazine-based compounds
US9705093B2 (en) 2013-06-07 2017-07-11 Samsung Display Co., Ltd. Heterocyclic compound and organic light-emitting device including the same
US9716234B2 (en) 2013-08-28 2017-07-25 Samsung Display Co., Ltd. Compound and organic light-emitting device including the same
US9722187B2 (en) 2014-10-22 2017-08-01 Samsung Display Co., Ltd. Compound and organic light-emitting device including the same
US9755153B2 (en) 2014-07-24 2017-09-05 Samsung Display Co., Ltd. Organic compound and organic light emitting diode device including the same
US9825236B2 (en) 2014-07-17 2017-11-21 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting device and display device including the same
US9825231B2 (en) 2013-09-06 2017-11-21 Samsung Display Co., Ltd. Condensed cyclic compound and organic light-emitting device including the same
US9831443B2 (en) 2014-03-19 2017-11-28 Samsung Display Co., Ltd. Condensed cyclic compound and organic light-emitting device comprising the same
US9837614B2 (en) 2013-09-06 2017-12-05 Samsung Display Co., Ltd. Condensed-cyclic compound and organic light-emitting device comprising the same
US9847492B2 (en) 2014-07-10 2017-12-19 Samsung Display Co., Ltd. Organic compound and organic light emitting diode device including the same
US9871208B2 (en) 2014-02-26 2018-01-16 Samsung Display Co., Ltd. Condensed cyclic compound and organic light-emitting device including the same
US9876179B2 (en) 2015-02-23 2018-01-23 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting device
US9882143B2 (en) 2012-02-07 2018-01-30 Samsung Display Co., Ltd. Amine-based compound and organic light-emitting diode including the same
US9899611B2 (en) 2014-09-05 2018-02-20 Samsung Display Co., Ltd. Condensed cyclic compound and organic light-emitting device including the same
US9905781B2 (en) 2015-10-08 2018-02-27 Samsung Display Co., Ltd. Condensed cyclic compound and organic light-emitting device including the same
US9929349B2 (en) 2014-12-08 2018-03-27 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting device and display device including the same
US9997722B2 (en) 2015-09-08 2018-06-12 Samsung Display Co., Ltd. Compound and organic light-emitting device including the same
US9997713B2 (en) 2013-01-28 2018-06-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
US10069083B2 (en) 2014-06-02 2018-09-04 Samsung Display Co., Ltd. Condensed cyclic compounds and organic light-emitting devices including the same
US10069085B2 (en) 2016-07-18 2018-09-04 Samsung Display Co., Ltd. Heterocyclic compound and organic light-emitting device including the same
US10074811B2 (en) 2015-11-04 2018-09-11 Samsung Display Co., Ltd. Compound and organic light emitting device comprising same
US10193072B2 (en) 2013-02-25 2019-01-29 Samsung Display Co., Ltd. Pyrene-based compound and organic light-emitting diode comprising the same
US10205102B2 (en) 2015-06-17 2019-02-12 Samsung Display Co., Ltd. Material for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device including the same
US10211407B2 (en) 2015-03-16 2019-02-19 Samsung Display Co., Ltd. Condensed cyclic compound and organic light-emitting device including the same
US10236452B2 (en) 2015-08-04 2019-03-19 Samsung Display Co., Ltd. Compound and organic light-emitting device including the same
US10305046B2 (en) 2016-05-19 2019-05-28 Samsung Display Co., Ltd. Heterocyclic compound and organic light-emitting device including the same
US10319919B2 (en) 2015-10-15 2019-06-11 Samsung Display Co., Ltd. Compound and organic light-emitting device including the same
US10367150B2 (en) 2015-02-05 2019-07-30 Samsung Display Co., Ltd. Compound and organic light-emitting device including the same
US10418566B2 (en) 2015-03-23 2019-09-17 Samsung Display Co., Ltd. Condensed cyclic compound and organic light-emitting device comprising the same
US10461262B2 (en) 2015-12-22 2019-10-29 Samsung Display Co., Ltd. Condensed cyclic compound and an organic light-emitting device including the same
US10553799B2 (en) 2016-06-20 2020-02-04 Samsung Display Co., Ltd. Condensed cyclic compound and an organic light-emitting device including the same
US10566545B2 (en) 2016-09-30 2020-02-18 Samsung Display Co., Ltd. Condensed cyclic compound and organic light-emitting device including the same
US10580994B2 (en) 2015-09-16 2020-03-03 Samsung Display Co., Ltd. Compound and organic light-emitting device including the same
US10593887B2 (en) 2016-06-20 2020-03-17 Samsung Display Co., Ltd. Condensed cyclic compound and an organic light-emitting device including the same
US10693083B2 (en) 2016-12-09 2020-06-23 Samsung Display Co., Ltd. Condensed cyclic compound and organic light-emitting device including the same
US10693079B2 (en) 2015-06-17 2020-06-23 Samsung Display Co., Ltd. Mono amine derivatives and organic electroluminescent device including the same
US10714695B2 (en) 2015-10-08 2020-07-14 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
US10720585B2 (en) 2015-12-29 2020-07-21 Samsung Display Co., Ltd. Compound and organic light-emitting device including the same
US10818851B2 (en) 2015-07-31 2020-10-27 Samsung Display Co., Ltd. Condensed cyclic compound and organic light-emitting device including the same
US10854823B2 (en) 2017-01-06 2020-12-01 Samsung Display Co., Ltd. Heterocyclic compound and organic light-emitting device including the same
US10897014B2 (en) 2016-07-13 2021-01-19 Samsung Display Co., Ltd. Heterocyclic compound and organic light-emitting device including the same
US10903432B2 (en) 2017-08-08 2021-01-26 Samsung Display Co., Ltd. Heterocyclic compound and organic light-emitting device including the same
US10991891B2 (en) 2017-10-30 2021-04-27 Samsung Display Co., Ltd. Condensed cyclic compound and organic light-emitting device including the same
US10998503B2 (en) 2017-10-27 2021-05-04 Samsung Display Co., Ltd. Condensed cyclic compound and organic light-emitting device including the same
US11078210B2 (en) 2018-02-09 2021-08-03 Samsung Display Co., Ltd. Heterocyclic compound and organic light emitting device including the same
US11133473B2 (en) 2017-05-23 2021-09-28 Samsung Display Co., Ltd. Condensed cyclic compound and organic light-emitting device including the same
US11251376B2 (en) 2017-10-31 2022-02-15 Samsung Display Co., Ltd. Heterocyclic compound and organic light-emitting device including the same
US11563183B2 (en) 2017-06-21 2023-01-24 Samsung Display Co., Ltd. Heterocyclic compound and organic light-emitting device including the same
US11588111B2 (en) 2017-08-04 2023-02-21 Samsung Display Co., Ltd. Condensed-cyclic compound and organic light-emitting device including the same

Cited By (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7485733B2 (en) 2002-05-07 2009-02-03 Lg Chem, Ltd. Organic compounds for electroluminescence and organic electroluminescent devices using the same
US7604874B2 (en) 2002-05-07 2009-10-20 Lg Chem, Ltd. Organic compounds for electroluminescence and organic electroluminescent devices using the same
JP2006173552A (en) * 2004-11-17 2006-06-29 Ube Ind Ltd Organic electroluminescent element
JP2011233912A (en) * 2004-11-17 2011-11-17 Ube Ind Ltd Organic electroluminescent element
KR100809481B1 (en) * 2006-04-17 2008-03-03 네오뷰코오롱 주식회사 Red luminescent organic compound and organic light-emitting diode including the same
JP2012224597A (en) * 2011-04-21 2012-11-15 Konica Minolta Holdings Inc Material for organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, display device, and lighting system
US9181474B2 (en) 2012-02-07 2015-11-10 Samsung Display Co., Ltd. Amine-based compound and organic light-emitting diode including the same
US9882143B2 (en) 2012-02-07 2018-01-30 Samsung Display Co., Ltd. Amine-based compound and organic light-emitting diode including the same
US9559310B2 (en) 2012-07-11 2017-01-31 Samsung Display Co., Ltd. Compound with electron injection and/or electron transport capabilities and organic light-emitting device including the same
US9537104B2 (en) 2012-09-17 2017-01-03 Samsung Display Co., Ltd. Condensed-cyclic compound and organic light-emitting diode including the condensed-cyclic compound
US9997713B2 (en) 2013-01-28 2018-06-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
US9391280B2 (en) 2013-01-30 2016-07-12 Samsung Display Co., Ltd. Heterocyclic compound and organic light-emitting device including the same
US9397300B2 (en) 2013-02-14 2016-07-19 Samsung Display Co., Ltd. Compound and organic light-emitting diode including the same
US10193072B2 (en) 2013-02-25 2019-01-29 Samsung Display Co., Ltd. Pyrene-based compound and organic light-emitting diode comprising the same
US9705093B2 (en) 2013-06-07 2017-07-11 Samsung Display Co., Ltd. Heterocyclic compound and organic light-emitting device including the same
US9627634B2 (en) 2013-08-09 2017-04-18 Samsung Display Co., Ltd. Heterocyclic compound and organic light-emitting diode including the same
US9583715B2 (en) 2013-08-09 2017-02-28 Samsung Display Co., Ltd. Anthracene-based compounds and organic light-emitting device including the same
US9716234B2 (en) 2013-08-28 2017-07-25 Samsung Display Co., Ltd. Compound and organic light-emitting device including the same
US9825231B2 (en) 2013-09-06 2017-11-21 Samsung Display Co., Ltd. Condensed cyclic compound and organic light-emitting device including the same
US9837614B2 (en) 2013-09-06 2017-12-05 Samsung Display Co., Ltd. Condensed-cyclic compound and organic light-emitting device comprising the same
US9425407B2 (en) 2013-09-27 2016-08-23 Samsung Display Co., Ltd. Heterocyclic compound and organic light-emitting device including the same
US9680106B2 (en) 2013-10-01 2017-06-13 Samsung Display Co., Ltd. Pyrene-based compound and organic light-emitting device including the same
US9564596B2 (en) 2013-10-02 2017-02-07 Samsung Display Co., Ltd. Heterocyclic compound and organic light-emitting device comprising same
US9601699B2 (en) 2013-10-31 2017-03-21 Samsung Display Co., Ltd. Chrysene-based compound and organic light-emitting device including the same
US9705088B2 (en) 2013-12-13 2017-07-11 Samsung Display Co., Ltd. Triazine-based compounds and organic light-emitting devices including triazine-based compounds
US9871208B2 (en) 2014-02-26 2018-01-16 Samsung Display Co., Ltd. Condensed cyclic compound and organic light-emitting device including the same
US9831443B2 (en) 2014-03-19 2017-11-28 Samsung Display Co., Ltd. Condensed cyclic compound and organic light-emitting device comprising the same
US10069083B2 (en) 2014-06-02 2018-09-04 Samsung Display Co., Ltd. Condensed cyclic compounds and organic light-emitting devices including the same
US10608189B2 (en) 2014-06-02 2020-03-31 Samsung Display Co., Ltd. Condensed cyclic compounds and organic light-emitting devices including the same
US9847492B2 (en) 2014-07-10 2017-12-19 Samsung Display Co., Ltd. Organic compound and organic light emitting diode device including the same
US9825236B2 (en) 2014-07-17 2017-11-21 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting device and display device including the same
US9755153B2 (en) 2014-07-24 2017-09-05 Samsung Display Co., Ltd. Organic compound and organic light emitting diode device including the same
US9899611B2 (en) 2014-09-05 2018-02-20 Samsung Display Co., Ltd. Condensed cyclic compound and organic light-emitting device including the same
US9722187B2 (en) 2014-10-22 2017-08-01 Samsung Display Co., Ltd. Compound and organic light-emitting device including the same
US9929349B2 (en) 2014-12-08 2018-03-27 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting device and display device including the same
US10367150B2 (en) 2015-02-05 2019-07-30 Samsung Display Co., Ltd. Compound and organic light-emitting device including the same
US9876179B2 (en) 2015-02-23 2018-01-23 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting device
US10211407B2 (en) 2015-03-16 2019-02-19 Samsung Display Co., Ltd. Condensed cyclic compound and organic light-emitting device including the same
US10418566B2 (en) 2015-03-23 2019-09-17 Samsung Display Co., Ltd. Condensed cyclic compound and organic light-emitting device comprising the same
US10205102B2 (en) 2015-06-17 2019-02-12 Samsung Display Co., Ltd. Material for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device including the same
US10693079B2 (en) 2015-06-17 2020-06-23 Samsung Display Co., Ltd. Mono amine derivatives and organic electroluminescent device including the same
US10818851B2 (en) 2015-07-31 2020-10-27 Samsung Display Co., Ltd. Condensed cyclic compound and organic light-emitting device including the same
US10236452B2 (en) 2015-08-04 2019-03-19 Samsung Display Co., Ltd. Compound and organic light-emitting device including the same
US9997722B2 (en) 2015-09-08 2018-06-12 Samsung Display Co., Ltd. Compound and organic light-emitting device including the same
US10580994B2 (en) 2015-09-16 2020-03-03 Samsung Display Co., Ltd. Compound and organic light-emitting device including the same
US9905781B2 (en) 2015-10-08 2018-02-27 Samsung Display Co., Ltd. Condensed cyclic compound and organic light-emitting device including the same
US10714695B2 (en) 2015-10-08 2020-07-14 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
US10319919B2 (en) 2015-10-15 2019-06-11 Samsung Display Co., Ltd. Compound and organic light-emitting device including the same
US10074811B2 (en) 2015-11-04 2018-09-11 Samsung Display Co., Ltd. Compound and organic light emitting device comprising same
US10461262B2 (en) 2015-12-22 2019-10-29 Samsung Display Co., Ltd. Condensed cyclic compound and an organic light-emitting device including the same
US10720585B2 (en) 2015-12-29 2020-07-21 Samsung Display Co., Ltd. Compound and organic light-emitting device including the same
US10305046B2 (en) 2016-05-19 2019-05-28 Samsung Display Co., Ltd. Heterocyclic compound and organic light-emitting device including the same
US10593887B2 (en) 2016-06-20 2020-03-17 Samsung Display Co., Ltd. Condensed cyclic compound and an organic light-emitting device including the same
US10553799B2 (en) 2016-06-20 2020-02-04 Samsung Display Co., Ltd. Condensed cyclic compound and an organic light-emitting device including the same
US10897014B2 (en) 2016-07-13 2021-01-19 Samsung Display Co., Ltd. Heterocyclic compound and organic light-emitting device including the same
US10069085B2 (en) 2016-07-18 2018-09-04 Samsung Display Co., Ltd. Heterocyclic compound and organic light-emitting device including the same
US10566545B2 (en) 2016-09-30 2020-02-18 Samsung Display Co., Ltd. Condensed cyclic compound and organic light-emitting device including the same
US10693083B2 (en) 2016-12-09 2020-06-23 Samsung Display Co., Ltd. Condensed cyclic compound and organic light-emitting device including the same
US10854823B2 (en) 2017-01-06 2020-12-01 Samsung Display Co., Ltd. Heterocyclic compound and organic light-emitting device including the same
US11133473B2 (en) 2017-05-23 2021-09-28 Samsung Display Co., Ltd. Condensed cyclic compound and organic light-emitting device including the same
US11563183B2 (en) 2017-06-21 2023-01-24 Samsung Display Co., Ltd. Heterocyclic compound and organic light-emitting device including the same
US11844273B2 (en) 2017-06-21 2023-12-12 Samsung Display Co., Ltd. Heterocyclic compound and organic light-emitting device including the same
US11588111B2 (en) 2017-08-04 2023-02-21 Samsung Display Co., Ltd. Condensed-cyclic compound and organic light-emitting device including the same
US10903432B2 (en) 2017-08-08 2021-01-26 Samsung Display Co., Ltd. Heterocyclic compound and organic light-emitting device including the same
US10998503B2 (en) 2017-10-27 2021-05-04 Samsung Display Co., Ltd. Condensed cyclic compound and organic light-emitting device including the same
US10991891B2 (en) 2017-10-30 2021-04-27 Samsung Display Co., Ltd. Condensed cyclic compound and organic light-emitting device including the same
US11251376B2 (en) 2017-10-31 2022-02-15 Samsung Display Co., Ltd. Heterocyclic compound and organic light-emitting device including the same
US11078210B2 (en) 2018-02-09 2021-08-03 Samsung Display Co., Ltd. Heterocyclic compound and organic light emitting device including the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP3755196B2 (en) 2006-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3755196B2 (en) Electroluminescent device using cyclopentadiene derivative
JP3834954B2 (en) Hole transport material having silacyclopentadiene ring
JP2918150B2 (en) Organic electroluminescent device using silacyclopentadiene derivative
JP4055363B2 (en) Borane derivatives and organic electroluminescent devices
KR100625505B1 (en) Silole derivatives and organic electroluminescent element containing the same
JP3965800B2 (en) Organic electroluminescent device using triarylamine derivative
US20020058155A1 (en) Cyclic tertiary amine compound and organic electroluminescent device containing the compound
KR100806059B1 (en) Organic electroluminescent device comprising dipyridylthiophene derivative
JP3985311B2 (en) Amine derivative and organic electroluminescence device using the same
JP4545243B2 (en) Diaminonaphthalene derivative and organic electroluminescence device using the same
JPH11338172A (en) Naphthalene derivative and organic electroluminescent element using same
JP3579730B2 (en) Organic electroluminescent device using quinoxaline derivative
JP2001354668A (en) Benzothiophene derivative and organic electroluminescent element using the same
JP4069505B2 (en) Trinaphthylbenzene derivative and organic electroluminescence device using the same
JP3569993B2 (en) Oxadiazole polymer
JPH08176148A (en) Hetero ring-containing oxadiazole derivative
JP3726316B2 (en) Electroluminescent device
JP4792687B2 (en) Charge transport material, light-emitting material containing diazapentacene derivative, and organic electroluminescent device using the same
JP3555271B2 (en) Blue light emitting element
JP3486994B2 (en) Organic electroluminescent device using oxadiazole derivative
JPH1154280A (en) Organic electroluminescent element using naphthylamine derivative
JP3858278B2 (en) Electroluminescent device
JP3925543B2 (en) Electroluminescent device
JP2002216972A (en) Organic electric field light-emitting element containing boron substituted silane cyclopentadiene derivative

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040415

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040427

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040628

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20051129

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20051212

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090106

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100106

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110106

Year of fee payment: 5

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110106

Year of fee payment: 5

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110106

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120106

Year of fee payment: 6

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120106

Year of fee payment: 6

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120106

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130106

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130106

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140106

Year of fee payment: 8

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term