JPH10178230A - Method and device of driving and controlling semi-conductor laser, and radiograph reader - Google Patents
Method and device of driving and controlling semi-conductor laser, and radiograph readerInfo
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- JPH10178230A JPH10178230A JP8339339A JP33933996A JPH10178230A JP H10178230 A JPH10178230 A JP H10178230A JP 8339339 A JP8339339 A JP 8339339A JP 33933996 A JP33933996 A JP 33933996A JP H10178230 A JPH10178230 A JP H10178230A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザの光出
力を一定に保つようにする駆動制御方法および駆動制御
装置に関し、さらに詳細には、温度制御を必要とする半
導体レーザやマスターオシレーター・パワーアンプリフ
ァイアー型の半導体レーザ（以下「ＭＯＰＡレーザ」と
いう。）に流れる電流の制御方法およびその装置と、こ
の装置を用いた放射線画像読取装置に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a drive control method and a drive control device for maintaining a constant light output of a semiconductor laser, and more particularly, to a semiconductor laser requiring a temperature control, a master oscillator, and a power amplifier. The present invention relates to a method and an apparatus for controlling a current flowing through a semiconductor laser of an arc type (hereinafter referred to as a “MOPA laser”) and a radiation image reading apparatus using the apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば特開昭62-189783 号公報に示され
るように、ネオジウム等の希土類が添加された固体レー
ザ結晶を、レーザダイオードから発せられた光によって
励起するレーザダイオード励起固体レーザ（以下、単に
「レーザ」という。）が公知となっている。この種のレ
ーザにおいては、より短波長のレーザビームを得るため
に、その共振器内に非線形光学結晶を配置して、固体レ
ーザビームを第２高調波や和周波等に波長変換すること
も広く行なわれており、例えば第２高調波を取り出すも
のはＳＨＧレーザといわれている。2. Description of the Related Art For example, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 62-189783, a laser diode pumped solid laser (hereinafter referred to as a laser diode) which pumps a solid laser crystal doped with a rare earth element such as neodymium by light emitted from a laser diode. , Simply referred to as “laser”). In this type of laser, in order to obtain a laser beam of a shorter wavelength, it is widely used to arrange a nonlinear optical crystal in the resonator and wavelength-convert the solid-state laser beam into a second harmonic, a sum frequency, or the like. For example, a device that extracts the second harmonic is called an SHG laser.
【０００３】また、このレーザ（上述のように波長変換
するものも含む。以下同様である。）においては、励起
源であるレーザダイオードの光出力および発振波長の変
動を抑えるため、さらに上述の波長変換を行なう場合は
非線形光学結晶において所定の位相整合状態を維持する
ために、レーザダイオード、固体レーザ結晶および共振
器の部分を所定温度に温度調節するのが一般的である。
この温度調節は通常、上記の各部分を電子冷却素子（ペ
ルチェ素子）の冷却面上に載置するとともに、レーザダ
イオードや共振器内の温度を検出し、その検出温度に基
づいて電子冷却素子の駆動を最終目的温度値に保つよう
にフィードバック制御することによってなされる。Further, in this laser (including the one that converts the wavelength as described above; the same applies hereinafter), the above-mentioned wavelength is further suppressed in order to suppress the fluctuation of the optical output and the oscillation wavelength of the laser diode as the pump source. When conversion is performed, it is common to adjust the temperature of the laser diode, the solid-state laser crystal, and the resonator to a predetermined temperature in order to maintain a predetermined phase matching state in the nonlinear optical crystal.
This temperature adjustment is usually carried out by placing the above-mentioned parts on the cooling surface of the electronic cooling element (Peltier element), detecting the temperature in the laser diode and the resonator, and, based on the detected temperature, detecting the temperature of the electronic cooling element. This is performed by performing feedback control so as to maintain the driving at the final target temperature value.
【０００４】さらに、このレーザは、高出力の光出力を
得るにも適することから、高出力レーザとしての利用が
広がっている。Further, since this laser is suitable for obtaining a high-output optical output, its use as a high-output laser is expanding.
【０００５】一方、高出力の光出力を得ることのできる
半導体レーザとして、例えばＥlectronics Ｌetters
（エレクトロニクス・レターズ）Vol.28 No.2 p 2011
〜2013やＯptics ＆ Ｐhotonics Ｎews（オプティクス
＆フォトニクス・ニュース）Mch.'93 p 11〜13に示され
ているようなＭＯＰＡレーザも提案されている。On the other hand, as a semiconductor laser capable of obtaining a high output light, for example, Electronics Letters
(Electronic Letters) Vol.28 No.2 p 2011
MOPA lasers such as those described in Optics & Photonics News 2013, Optics & Photonics News, Mch. '93, p.
【０００６】上記ＭＯＰＡレーザは、図３にチップ部分
を示すように、活性領域10ａ、シングルモード光導波路
10ｂ、マスターオシレーター部10ｃとパワーアンプリフ
ァイアー部10ｄとを有する。そして、マスターオシレー
ター部分10ｃから発せられた基本波がＴＷＡ（Ｔraveli
ng Ｗave Ａmplifier）を用いたパワーアンプリファイ
アー部分10ｄによって光増幅されて、その前面10ｅから
レーザ光が発光される。例えば、その発光幅ｗが200 μ
ｍ、発振波長λ1 が860 ｎｍ、出力が３ＷのＭＯＰＡレ
ーザが紹介されている（特開平６−２９１４００号参
照）。The MOPA laser has an active region 10a and a single mode optical waveguide, as shown in FIG.
10b, a master oscillator unit 10c and a power amplifier unit 10d. Then, the fundamental wave emitted from the master oscillator part 10c is used as the TWA (Traveli).
The laser light is amplified by a power amplifier portion 10d using an ng Wave Amplifier, and a laser beam is emitted from the front surface 10e. For example, the emission width w is 200 μ
m, the oscillation wavelength lambda 1 is 860 nm, the output is introduced MOPA laser 3W (see JP-A-6-291400).
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記レーザ
の光出力を一定に保つためには、所定温度に保つ温度調
節のほかに光出力を一定に保つＡＰＣ（Ａutomatic Ｐo
wer Ｃontrol）制御を行うのが一般的である。レーザに
流れる電流量が同じであると仮定すると、レーザが所定
の温度に達していない場合は、レーザの定常状態の光出
力に対して十分な光出力が得られない場合がある。この
ときにＡＰＣ制御をしつづけると、レーザにさらに電流
を供給して光出力を一定に保とうとする。そして、最終
的には過大電流によりレーザを破壊するという現象を生
じる。By the way, in order to keep the light output of the laser constant, in addition to controlling the temperature to keep it at a predetermined temperature, APC (Automatic Pos.) Which keeps the light output constant.
Generally, wer control is performed. Assuming that the amount of current flowing through the laser is the same, if the laser has not reached a predetermined temperature, a sufficient optical output may not be obtained with respect to the steady-state optical output of the laser. At this time, if the APC control is continued, the current is further supplied to the laser to keep the optical output constant. Eventually, a phenomenon occurs in which the laser is destroyed by an excessive current.
【０００８】また、上記ＭＯＰＡレーザの光出力を一定
に保つためには、マスターオシレーター部とパワーアン
プリファイアー部との何れか一方に流れる電流値を一定
に保つＡＣＣ（Ａutomatic Ｃurrent Ｃontrol）制御を
行い、他方に対して光出力を一定に保つＡＰＣ（Ａutom
atic Ｐower Ｃontrol）制御を行うのが一般的である。
一方に流れるＡＣＣ制御による電流値が所定の値に達し
ていない場合は、ＡＰＣ制御により他方に流れる電流量
が同じであると仮定すると、ＭＯＰＡレーザの定常状態
の光出力に対して十分な光出力が得られない場合があ
る。このときに他方に対してＡＰＣ制御をしつづける
と、ＭＯＰＡレーザにさらに電流を供給して光出力を一
定に保とうとする。そして、最終的には過大電流により
ＭＯＰＡレーザを破壊するという現象を生じる。Further, in order to keep the optical output of the MOPA laser constant, ACC (Automatic Current Control) control for keeping a constant current value in one of the master oscillator section and the power amplifier section is performed. APC (Autom) that keeps the light output constant with respect to the other
It is common to perform atic power control.
If the current value by the ACC control flowing to one side does not reach a predetermined value, it is assumed that the amount of current flowing to the other side by the APC control is the same, and the light output sufficient for the steady state light output of the MOPA laser is obtained. May not be obtained. At this time, if the APC control is continued on the other side, the current is further supplied to the MOPA laser to keep the optical output constant. Eventually, a phenomenon occurs in which the MOPA laser is destroyed by an excessive current.
【０００９】さらに、上記ＭＯＰＡレーザの光出力を安
定化させるために、上記ＡＰＣ制御およびＡＰＣ制御に
加えて、上記ＭＯＰＡレーザを所定温度に保つ温度調節
を行う場合がある。このとき、ＡＣＣ制御による電流値
が所定の値に達していたとしても、ＭＯＰＡレーザが所
定の温度に達していない場合には、上述のレーザと同様
に、ＡＰＣ制御をしつづけると過大電流によりＭＯＰＡ
レーザを破壊するという現象を生じる。Further, in order to stabilize the optical output of the MOPA laser, in addition to the APC control and the APC control, a temperature adjustment for keeping the MOPA laser at a predetermined temperature may be performed. At this time, even if the current value by the ACC control has reached a predetermined value, if the MOPA laser has not reached the predetermined temperature, as in the case of the above laser, if the APC control is continued, the MOPA
A phenomenon of destroying the laser occurs.
【００１０】このため、上記レーザを代表とする温度制
御を必要とする半導体レーザおよびＭＯＰＡレーザ（以
下、単に「レーザ等」という。）が正常な状態になく、
レーザ等の温度やＭＯＰＡレーザのＡＣＣ制御による電
流値が所定の値にない場合に、レーザ等に過大電流が流
れないようにする必要がある。For this reason, the semiconductor laser and the MOPA laser (hereinafter, simply referred to as “laser or the like”) requiring temperature control represented by the laser are not in a normal state.
When the temperature of the laser or the like or the current value by the ACC control of the MOPA laser is not at a predetermined value, it is necessary to prevent an excessive current from flowing through the laser or the like.
【００１１】特に、放射線画像読取装置においては、読
取画像の品質向上のためにより高出力の半導体レーザを
励起光源とすることが望まれており、上記レーザ等を励
起光源とすることが望まれている。したがって、この場
合も上述のように励起光源として使用されるレーザ等に
過大電流が流れないようにする必要がある。In particular, in a radiation image reading apparatus, it is desired to use a semiconductor laser having a higher output as an excitation light source in order to improve the quality of a read image, and it is desired to use the above laser or the like as an excitation light source. I have. Therefore, also in this case, it is necessary to prevent an excessive current from flowing through the laser or the like used as the excitation light source as described above.
【００１２】尚、ここで「放射線画像読取装置」とは、
被写体の放射線画像情報が蓄積記録された蓄積性蛍光体
シートに励起光を走査して、該シートに蓄積記録された
上記画像情報に応じて輝尽発光する輝尽発光光を検出し
て、この放射線画像情報を担持する画像データを得る読
取装置をいう（例えば、特公平 ３−７９６９５号、特
開平７−１９１４２１号等）。[0012] Here, the "radiation image reading device"
The excitation light is scanned on the stimulable phosphor sheet on which the radiation image information of the subject is accumulated and recorded, and the stimulable emission light that emits stimulable light in accordance with the image information accumulated and recorded on the sheet is detected. It refers to a reading device that obtains image data carrying radiation image information (for example, Japanese Patent Publication No. 3-79695, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 7-191421).
【００１３】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、上記レーザ等が正常な状態にない場合であって
も、レーザ等に過大電流を流すことのない半導体レーザ
の駆動制御方法およびその装置、ならびにこの装置を使
用した放射線画像読取装置を提供することを目的とする
ものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has a drive control method for a semiconductor laser which does not cause an excessive current to flow through a laser or the like even when the laser or the like is not in a normal state. It is an object of the present invention to provide an apparatus and a radiation image reading apparatus using the apparatus.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】本発明による第１の半導
体レーザ駆動制御方法は、半導体レーザの光出力を一定
に保つ選択的に作動可能なＡＰＣ制御手段と、この半導
体レーザを一定の温度に保つ温度制御手段とを設け、上
記半導体レーザが所定の温度範囲内にあるときにのみ、
上記ＡＰＣ制御手段を作動させることを特徴とするもの
である。A first semiconductor laser drive control method according to the present invention comprises a selectively operable APC control means for maintaining a constant optical output of a semiconductor laser, and a method for controlling the semiconductor laser to a constant temperature. Temperature control means for maintaining, only when the semiconductor laser is within a predetermined temperature range,
The APC control means is operated.
【００１５】また、本発明による第１の半導体レーザ駆
動制御方法においては、半導体レーザに流れる電流値を
一定に保つ選択的に作動可能なＡＣＣ制御手段をさらに
設け、上記半導体レーザが上記所定の温度範囲外にある
ときは上記ＡＣＣ制御手段を作動させることが望まし
い。Further, in the first semiconductor laser drive control method according to the present invention, there is further provided a selectively operable ACC control means for maintaining a constant current value flowing through the semiconductor laser, wherein the semiconductor laser has a predetermined temperature. When it is out of the range, it is desirable to operate the ACC control means.
【００１６】また、本発明による第２の半導体レーザ駆
動制御方法は、ＭＯＰＡレーザのマスターオシレーター
部とパワーアンプリファイアー部との何れか一方に流れ
る電流値を一定に保つＡＣＣ制御手段と、他方に対して
光出力を一定に保つ選択的に作動可能なＡＰＣ制御手段
とを設け、上記一方に流れる電流値が所定の電流範囲内
にあるときにのみ上記ＡＰＣ制御手段を作動させること
を特徴とするものである。Further, a second semiconductor laser drive control method according to the present invention is characterized in that the ACC control means for maintaining a constant current value in one of the master oscillator section and the power amplifier section of the MOPA laser, and Selectively operable APC control means for keeping the light output constant, and activating the APC control means only when the value of the current flowing in the one side is within a predetermined current range. It is.
【００１７】また、この本発明による第２の半導体レー
ザ駆動制御方法においては、上記半導体レーザを一定の
温度に保つ温度制御手段をさらに設け、上記一方に流れ
る電流値が上記所定の電流範囲内にあり、かつ上記半導
体レーザが所定の温度範囲内にあるときにのみ上記ＡＰ
Ｃ制御手段を作動させることが望ましい。Further, in the second semiconductor laser drive control method according to the present invention, a temperature control means for keeping the semiconductor laser at a constant temperature is further provided, and the value of the current flowing in the one side is within the predetermined current range. And the AP only when the semiconductor laser is within a predetermined temperature range.
It is desirable to activate the C control means.
【００１８】また、上記第２の半導体レーザ駆動制御方
法においては、上記他方に流れる電流値を一定に保つ選
択的に作動可能なＡＣＣ制御手段をさらに設け、上記一
方に流れるＡＣＣ制御による電流値が上記所定の電流範
囲外にあるとき、または、上記半導体レーザが所定の温
度範囲外にあるときには上記ＡＣＣ制御手段を作動させ
るとさらに好ましい。Further, in the second semiconductor laser drive control method, there is further provided ACC control means which is selectively operable to keep the current value flowing to the other side constant, and the current value by the ACC control flowing to the one side is reduced. It is further preferable to operate the ACC control means when the current is outside the predetermined current range or when the semiconductor laser is outside the predetermined temperature range.
【００１９】一方、本発明による第１の半導体レーザ駆
動制御装置は、上記第１の方法に従って半導体レーザに
流れる電流量を制御する装置であって、半導体レーザの
光出力を一定に保つＡＰＣ制御手段と、上記半導体レー
ザを一定の温度に保つ温度制御手段と、上記半導体レー
ザが所定の温度範囲内にあるときにのみ、上記ＡＰＣ制
御手段を作動させるＡＰＣ作動手段とを有することを特
徴とするものである。On the other hand, a first semiconductor laser drive control device according to the present invention is a device for controlling the amount of current flowing through a semiconductor laser according to the first method, wherein the APC control means keeps the optical output of the semiconductor laser constant. And temperature control means for keeping the semiconductor laser at a constant temperature, and APC operating means for operating the APC control means only when the semiconductor laser is within a predetermined temperature range. It is.
【００２０】また、この本発明による第１の半導体レー
ザ駆動制御装置においては、半導体レーザに流れる電流
値を一定に保つＡＣＣ制御手段と、上記半導体レーザが
上記所定の温度範囲外にあるときは上記ＡＣＣ制御手段
を作動させるＡＣＣ作動手段とをさらに設けることが望
ましい。Further, in the first semiconductor laser drive control device according to the present invention, the ACC control means for maintaining a constant current value flowing through the semiconductor laser; and the ACC control means when the semiconductor laser is out of the predetermined temperature range. It is desirable to further provide ACC operating means for operating the ACC control means.
【００２１】また、本発明による第２の半導体レーザ駆
動制御装置は、上記第２の方法に従ってＭＯＰＡレーザ
に流れる電流量を制御する装置であって、ＭＯＰＡレー
ザのマスターオシレーター部とパワーアンプリファイア
ー部との何れか一方に流れる電流値を一定に保つＡＣＣ
制御手段と、他方に対して光出力を一定に保つＡＰＣ制
御手段と、上記一方に流れる電流値が所定の電流範囲内
にあるときにのみ上記ＡＰＣ制御手段を作動させるＡＰ
Ｃ作動手段とを有することを特徴とするものである。Further, a second semiconductor laser drive control device according to the present invention is a device for controlling the amount of current flowing through a MOPA laser according to the second method, wherein the master oscillator portion and the power amplifier portion of the MOPA laser are provided. ACC that keeps the current value flowing to one of the two constant
A control means, an APC control means for keeping the light output constant with respect to the other, and an AP for operating the APC control means only when the value of the current flowing through the one is within a predetermined current range.
C operating means.
【００２２】また、この本発明による第２の半導体レー
ザ駆動制御装置においては、上記ＭＯＰＡレーザを一定
の温度に保つ温度制御手段をさらに有しており、上記Ａ
ＰＣ作動手段が、上記一方に流れる電流値が上記所定の
電流範囲内にあり、かつ上記半導体レーザが所定の温度
範囲内にあるときにのみ上記ＡＰＣ制御手段を作動させ
ることが望ましい。Further, the second semiconductor laser drive control device according to the present invention further comprises a temperature control means for keeping the MOPA laser at a constant temperature.
It is preferable that the PC operating means activates the APC control means only when the value of the current flowing in the one side is within the predetermined current range and the semiconductor laser is within a predetermined temperature range.
【００２３】また、上記第２の半導体レーザ駆動制御装
置においては、上記他方に流れる電流値を一定に保つＡ
ＣＣ制御手段と、上記一方に流れるＡＣＣ制御による電
流値が上記所定の電流範囲外にあるとき、または、上記
半導体レーザが所定の温度範囲外にあるときは上記ＡＣ
Ｃ制御手段を作動させるＡＣＣ作動手段とをさらに有す
るとなお好ましい。Further, in the second semiconductor laser drive control device, the current value flowing to the other side is kept constant.
When the current value of the ACC control flowing through the CC control means is outside the predetermined current range, or when the semiconductor laser is outside the predetermined temperature range,
It is more preferable that the apparatus further include ACC operating means for operating the C control means.
【００２４】また、本発明による放射線画像読取装置
は、放射線画像情報が蓄積記録された蓄積性蛍光体シー
トに励起光を照射する励起光照射手段と、上記蓄積性蛍
光体シートに蓄積記録された上記放射線画像情報に応じ
て輝尽発光する輝尽発光光を検出してこの放射線画像情
報を読み取る読取手段とを有する放射線画像読取装置で
あって、上記励起光照射手段が、上述の半導体レーザ駆
動制御装置により構成される励起光光源を有することを
特徴とするものである。Further, in the radiation image reading apparatus according to the present invention, an excitation light irradiating means for irradiating the stimulable phosphor sheet on which the radiation image information is accumulated and recorded with excitation light, and the stimulable phosphor sheet accumulated and recorded on the stimulable phosphor sheet are provided. A reading means for detecting stimulating luminescence light that emits stimulating light in accordance with the radiation image information and reading the radiation image information, wherein the excitation light irradiating means includes It is characterized by having an excitation light source constituted by a control device.
【００２５】[0025]
【発明の効果】本発明による第１の半導体レーザ駆動制
御方法およびその装置によれば、半導体レーザが所定温
度範囲に達するまではＡＰＣ制御を作動させないため、
ＡＰＣ制御をしつづけることにより半導体レーザに過大
電流を流すということがなくなり、半導体レーザの過大
電流による破壊を防止できる。この場合、半導体レーザ
が所定温度範囲に達するまではＡＣＣ制御を作動させる
ことにより、定常状態になるまでの間においても半導体
レーザの発光量をある程度の安定化させることも可能と
なる。According to the first semiconductor laser drive control method and apparatus of the present invention, the APC control is not activated until the semiconductor laser reaches a predetermined temperature range.
By continuing the APC control, it is possible to prevent an excessive current from flowing to the semiconductor laser, thereby preventing the semiconductor laser from being damaged by the excessive current. In this case, by operating the ACC control until the semiconductor laser reaches the predetermined temperature range, it is possible to stabilize the light emission amount of the semiconductor laser to some extent even until the semiconductor laser enters a steady state.
【００２６】また、本発明による第２の半導体レーザ駆
動制御方法およびその装置によれば、ＭＯＰＡレーザの
マスターオシレーター部とパワーアンプリファイアー部
との何れか一方に流れるＡＣＣ制御による電流値が所定
の電流範囲内に達するまでは他方に対してＡＰＣ制御を
作動させないため、ＡＰＣ制御をしつづけることにより
ＭＯＰＡレーザに過大電流を流すということがなくな
り、ＭＯＰＡレーザを破壊するという現象を防止でき
る。この場合、ＭＯＰＡレーザを一定の温度に保つ温度
制御手段をさらに設けることによって、さらにＭＯＰＡ
レーザが所定温度範囲に達するまではＡＰＣ制御を作動
させないようにすることも可能となるので、ＭＯＰＡレ
ーザの過大電流による破壊防止をより完全なものとする
ことが可能となる。According to the second semiconductor laser drive control method and apparatus according to the present invention, the current value by the ACC control flowing to one of the master oscillator section and the power amplifier section of the MOPA laser is a predetermined current. Since the APC control is not operated on the other side until it reaches the range, by continuing the APC control, it is possible to prevent an excessive current from flowing to the MOPA laser and prevent a phenomenon that the MOPA laser is broken. In this case, by further providing a temperature control means for keeping the MOPA laser at a constant temperature, the MOPA laser is further provided.
Since it is possible to prevent the APC control from being operated until the laser reaches a predetermined temperature range, it is possible to more completely prevent the MOPA laser from being broken by an excessive current.
【００２７】また、上記第２の半導体レーザ駆動制御方
法およびその装置においては、上記他方に流れる電流値
を一定に保つＡＣＣ制御手段をさらに設けることによ
り、上記一方に流れるＡＣＣ制御による電流値が所定の
電流範囲に達するまで、または、上記ＭＯＰＡレーザが
所定温度範囲に達するまでは上記他方に対してＡＣＣ制
御を作動させることにより、定常状態になるまでの間に
おいてもＭＯＰＡレーザの発光量をある程度の安定化さ
せることも可能となる。In the second semiconductor laser drive control method and the apparatus therefor, ACC control means for keeping the value of the current flowing to the other side constant is further provided, so that the current value of the ACC control flowing to the one side is predetermined. Until the current range of the MOPA laser reaches the predetermined temperature range, or by operating the ACC control on the other until the MOPA laser reaches the predetermined temperature range, the light emission amount of the MOPA laser can be maintained to some extent even until the steady state is reached. It can also be stabilized.
【００２８】また、上記半導体レーザ駆動制御装置によ
り構成される励起光光源を放射線画像読取装置に適用す
ることによって、当該装置が定常状態に達するまでは半
導体レーザのＡＰＣ制御を作動させないため、半導体レ
ーザの過大電流による破壊防止を図ることが可能とな
る。Further, by applying the excitation light source constituted by the semiconductor laser drive control device to the radiation image reading device, the APC control of the semiconductor laser is not operated until the device reaches a steady state. Can be prevented from destruction due to excessive current.
【００２９】本発明の方法あるいは装置によれば、以上
の説明からも明らかなように、半導体レーザに流れる電
流を制御する場合において、レーザが定常状態にある場
合にのみＡＰＣ制御によりレーザ出力を安定化させるた
め、レーザが定常状態にない場合にレーザに過大電流を
流し破壊に至らしめるということがなく、しかも特別に
高価な装置を必要とすることもなく安価にこれを実現す
ることができることから、実用上、工業上の価値は大き
い。According to the method or apparatus of the present invention, as is apparent from the above description, when controlling the current flowing through the semiconductor laser, the laser output is stabilized by APC control only when the laser is in a steady state. In the case where the laser is not in a steady state, it does not cause an excessive current to flow to the laser to cause destruction, and it can be realized at low cost without requiring special expensive equipment. It has great practical and industrial value.
【００３０】[0030]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の半
導体レーザ駆動制御方法および装置の一実施の形態につ
いて詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施の形態
による半導体レーザ駆動制御装置の概略ブロック図であ
り、半導体レーザとしてレーザダイオード励起固体レー
ザを使用している。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram showing a semiconductor laser drive control method and apparatus according to an embodiment of the present invention; FIG. 1 is a schematic block diagram of a semiconductor laser drive control device according to a first embodiment of the present invention, and uses a laser diode pumped solid-state laser as a semiconductor laser.
【００３１】温度制御手段18は、レーザダイオード励起
固体レーザ12を図示しないペルチェ素子の上に固定し、
このペルチェ素子を図示しない温度調節回路によって駆
動制御することによりレーザダイオード励起固体レーザ
12を所定の温度に保つ。The temperature control means 18 fixes the laser diode pumped solid-state laser 12 on a Peltier device (not shown),
The Peltier device is driven and controlled by a temperature control circuit (not shown) to produce a laser diode-pumped solid-state laser.
Keep 12 at the given temperature.
【００３２】上述の通常の温度制御と同様に、温度制御
手段18は、レーザダイオード励起固体レーザ12を電子冷
却素子（ペルチェ素子）の冷却面上に載置するとともに
サーミスタなどの温度検出素子により該レーザの温度を
検出し、その検出温度に基づいて電子冷却素子を温度調
節回路（いずれも図示せず）によって駆動制御すること
によりレーザダイオード励起固体レーザ12を最終目的温
度値に保つようにフィードバック制御する。As in the case of the normal temperature control described above, the temperature control means 18 places the laser diode-pumped solid-state laser 12 on the cooling surface of an electronic cooling element (Peltier element) and controls the temperature by a temperature detecting element such as a thermistor. The temperature of the laser is detected, and the thermoelectric cooler is driven and controlled by a temperature control circuit (both not shown) based on the detected temperature, whereby feedback control is performed to keep the laser diode pumped solid-state laser 12 at the final target temperature value. I do.
【００３３】ＡＰＣ制御手段20の出力が選択手段24の一
方の入力部に接続されており、ＡＣＣ制御手段22の出力
が選択手段24の他方の入力部に接続されいる。選択手段
24は、温度制御手段18からの制御情報D2に基づいて、Ａ
ＰＣ制御手段20とＡＣＣ制御手段22のうちの一方を選択
する。選択手段24により選択された制御手段の出力はト
ランジスタやＦＥＴ等からなる電流制御手段14の制御入
力（例えばベースまたはゲート）に接続される。The output of the APC control means 20 is connected to one input of the selection means 24, and the output of the ACC control means 22 is connected to the other input of the selection means 24. Selection means
24 is A based on the control information D2 from the temperature control means 18.
One of the PC control means 20 and the ACC control means 22 is selected. The output of the control means selected by the selection means 24 is connected to a control input (for example, a base or a gate) of the current control means 14 comprising a transistor, an FET or the like.
【００３４】電源11ａがレーザダイオード励起固体レー
ザ12の基本波を発生させる半導体レーザ12ａのアノード
端子に接続され、そのカソード端子が電流制御手段14に
接続される。電源11ａは正電圧を有する電源であり半導
体レーザ12ａに流れる電流を供給する。電流制御手段14
は上記選択された制御手段の出力S1に基づいて半導体レ
ーザ12ａに流れる電流量を制御する。A power supply 11 a is connected to an anode terminal of a semiconductor laser 12 a for generating a fundamental wave of the laser diode pumped solid-state laser 12, and its cathode terminal is connected to the current control means 14. The power supply 11a is a power supply having a positive voltage and supplies a current flowing to the semiconductor laser 12a. Current control means 14
Controls the amount of current flowing to the semiconductor laser 12a based on the output S1 of the selected control means.
【００３５】ＡＰＣ制御手段20およびＡＣＣ制御手段22
は、オペアンプ等による制御アンプ（図示せず）を有し
ており、電流制御手段14とともに選択手段24を介して半
導体レーザ12ａに流れる電流を制御する帰還制御ループ
を構成する。APC control means 20 and ACC control means 22
Has a control amplifier (not shown) such as an operational amplifier, and forms a feedback control loop for controlling the current flowing to the semiconductor laser 12a via the selection means 24 together with the current control means 14.
【００３６】ＡＰＣ制御手段20はレーザダイオード励起
固体レーザ12の光出力Ｌをフォトダイオード等の光検出
素子（図示せず）により検出し、この光検出素子の出力
信号が一定の値となるように電流制御手段14を制御する
帰還制御ループを構成する。即ち、ＡＰＣ制御手段20
は、レーザダイオード励起固体レーザ12の光出力が一定
となるように電流制御手段14を制御する帰還制御ループ
を構成する。また、ＡＣＣ制御手段22は半導体レーザ12
ａに流れる電流量を抵抗の両端に発生する電圧差を検出
する方法などにより検出し、半導体レーザ12ａに流れる
電流量が一定の値となるように電流制御手段14を制御す
る帰還制御ループを構成する。The APC control means 20 detects the light output L of the laser-diode-pumped solid-state laser 12 by means of a photodetector (not shown) such as a photodiode, so that the output signal of the photodetector becomes a constant value. A feedback control loop for controlling the current control means 14 is formed. That is, the APC control means 20
Constitutes a feedback control loop for controlling the current control means 14 so that the light output of the laser diode pumped solid-state laser 12 is constant. The ACC control means 22 is provided for the semiconductor laser 12.
a feedback control loop for controlling the current control means 14 so that the amount of current flowing through the semiconductor laser 12a is detected by a method such as detecting a voltage difference generated between both ends of the resistor. I do.
【００３７】レーザダイオード励起固体レーザ12の起動
直後など定常状態にない場合であってレーザダイオード
励起固体レーザ12が所定温度範囲内にないときには、温
度制御手段18は選択手段24によりＡＣＣ制御手段22を選
択させる。そして、レーザダイオード励起固体レーザ12
が所定温度範囲に達したときには選択手段24によりＡＰ
Ｃ制御手段20を選択させる。When the laser diode pumped solid-state laser 12 is not in a steady state, such as immediately after activation, and the laser diode pumped solid-state laser 12 is not within a predetermined temperature range, the temperature control means 18 controls the ACC control means 22 by the selection means 24. Let me choose. And a laser diode pumped solid state laser 12
When the temperature reaches a predetermined temperature range, AP
The C control means 20 is selected.
【００３８】したがって、本発明の第１の実施の形態に
よる半導体レーザ駆動制御装置によれば、レーザダイオ
ード励起固体レーザ12が所定温度範囲内にないときに
は、半導体レーザ12ａに流れる電流量が一定となるよう
にＡＣＣ制御により半導体レーザ12ａに流れる電流量が
制御され、また、所定温度範囲に達したときにはレーザ
ダイオード励起固体レーザ12の光出力が一定となるよう
にＡＰＣ制御により半導体レーザ12ａに流れる電流量が
制御されることとなる。Therefore, according to the semiconductor laser drive control device according to the first embodiment of the present invention, when the laser diode pumped solid-state laser 12 is not within the predetermined temperature range, the amount of current flowing through the semiconductor laser 12a is constant. As described above, the amount of current flowing through the semiconductor laser 12a is controlled by the ACC control, and the amount of current flowing through the semiconductor laser 12a by the APC control is controlled so that the optical output of the laser diode pumped solid-state laser 12 becomes constant when the temperature reaches a predetermined temperature range. Is controlled.
【００３９】これにより、レーザダイオード励起固体レ
ーザ12が所定温度範囲内にないときには、半導体レーザ
12ａの過大電流による破壊防止を図りつつ、ＡＣＣ制御
によりレーザ出力をある程度安定化させることが可能と
なる。Accordingly, when the laser diode pumped solid-state laser 12 is not within the predetermined temperature range, the semiconductor laser
The laser output can be stabilized to some extent by ACC control while preventing destruction due to the excessive current of 12a.
【００４０】なお、レーザダイオード励起固体レーザ12
が過大電流により破壊されるのを防止するという点にお
いては、レーザダイオード励起固体レーザ12が所定温度
範囲内にないときに、必ずしもＡＣＣ制御を行う必要が
ないことは言うまでもない。例えばＡＣＣ制御手段22の
出力の代わりに固定値を与えることにより半導体レーザ
12ａに流れる電流量を許容されうる範囲内で設定しても
良い。The laser diode pumped solid-state laser 12
It is needless to say that the ACC control is not necessarily performed when the laser diode-pumped solid-state laser 12 is not within the predetermined temperature range in order to prevent the laser diode from being destroyed by an excessive current. For example, by giving a fixed value instead of the output of the ACC control means 22,
The amount of current flowing through 12a may be set within an allowable range.
【００４１】次に図２を参照して、本発明の第２の実施
の形態による半導体レーザ駆動制御方法および装置につ
いて説明する。なお図２において、図１中の要素と同等
の要素には同番号を付し、それらについての説明は特に
必要のない限り省略する。Next, a semiconductor laser drive control method and apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In FIG. 2, elements that are the same as the elements in FIG. 1 are given the same reference numerals, and descriptions thereof will be omitted unless otherwise required.
【００４２】この第２の実施の形態の半導体レーザ駆動
制御方法および装置は、半導体レーザとしてＭＯＰＡレ
ーザを使用している。The semiconductor laser drive control method and apparatus according to the second embodiment uses a MOPA laser as a semiconductor laser.
【００４３】温度制御手段18は、第１の実施の形態と同
様にＭＯＰＡレーザ10を図示しないペルチェ素子の上に
固定し、ＭＯＰＡレーザ10を最終目標温度に保ように図
示しない温度調節回路によってペルチェ素子を駆動制御
する。As in the first embodiment, the temperature control means 18 fixes the MOPA laser 10 on a Peltier device (not shown), and operates a Peltier device (not shown) to maintain the MOPA laser 10 at a final target temperature. Drive control of the element.
【００４４】電源11ａがＭＯＰＡレーザ10の基本波を発
生させるマスターオシレーター部10ｃのＭＯ(+) 端子に
接続され、そのＭＯ(-) 端子が電流制御手段14に接続さ
れる。電源11ａは正電圧を有する電源でありマスターオ
シレーター部10ｃに流れる電流を供給する。第１の実施
の形態と同様に、電流制御手段14は選択手段14により選
択された制御手段の出力S1に基づいてマスターオシレー
ター部10ｃに流れる電流量を制御する。The power supply 11a is connected to the MO (+) terminal of the master oscillator section 10c for generating the fundamental wave of the MOPA laser 10, and the MO (-) terminal is connected to the current control means 14. The power supply 11a is a power supply having a positive voltage and supplies a current flowing to the master oscillator section 10c. As in the first embodiment, the current control means 14 controls the amount of current flowing to the master oscillator section 10c based on the output S1 of the control means selected by the selection means 14.
【００４５】また、電源11ｂがＭＯＰＡレーザ10のパワ
ーアンプリファイアー部10ｄのＰＡ(+) 端子に接続さ
れ、そのＰＡ(-) 端子が電流制御手段16に接続される。
電源11ｂは正電圧を有する電源でありパワーアンプリフ
ァイアー部10ｄに流れる電流を供給する。The power supply 11 b is connected to the PA (+) terminal of the power amplifier section 10 d of the MOPA laser 10, and the PA (−) terminal is connected to the current control means 16.
The power supply 11b is a power supply having a positive voltage, and supplies a current flowing to the power amplifier unit 10d.
【００４６】第１の実施の形態と同様に、ＡＰＣ制御手
段20はＭＯＰＡレーザ10の光出力が一定となるように電
流制御手段14を制御する帰還制御ループを構成し、ＡＣ
Ｃ制御手段22はマスターオシレーター部10ｃに流れる電
流量が一定の値となるように電流制御手段14を制御する
帰還制御ループを構成する。また、ＡＣＣ制御手段26も
オペアンプ等による制御アンプ（図示せず）を有してお
り、電流制御手段16とともにパワーアンプリファイアー
部10ｄに流れる電流を制御する帰還制御ループを構成す
る。As in the first embodiment, the APC control means 20 constitutes a feedback control loop for controlling the current control means 14 so that the light output of the MOPA laser 10 becomes constant,
The C control means 22 forms a feedback control loop for controlling the current control means 14 so that the amount of current flowing to the master oscillator section 10c becomes a constant value. The ACC control means 26 also has a control amplifier (not shown) such as an operational amplifier, and forms a feedback control loop for controlling the current flowing through the power amplifier 10d together with the current control means 16.
【００４７】最初に、温度制御手段18が機能していない
場合について説明する。なお、この場合は温度制御手段
18を備えていない場合と等価であることはいうまでもな
い。ＭＯＰＡレーザ10の起動直後など定常状態にない場
合であってパワーアンプリファイアー部10ｄに流れる電
流量が所定範囲内にないときには、ＡＣＣ制御手段26は
選択手段24によりＡＣＣ制御手段22を選択させる。そし
て、パワーアンプリファイアー部10ｄに流れる電流量が
所定範囲に達したときには選択手段24によりＡＰＣ制御
手段20を選択させる。First, the case where the temperature control means 18 is not functioning will be described. In this case, the temperature control means
It is needless to say that this is equivalent to the case where 18 is not provided. When the amount of current flowing through the power amplifier unit 10d is not within a predetermined range, for example, when the MOPA laser 10 is not in a steady state such as immediately after activation, the ACC control unit 26 causes the selection unit 24 to select the ACC control unit 22. When the amount of current flowing through the power amplifier unit 10d reaches a predetermined range, the selection unit 24 causes the APC control unit 20 to be selected.
【００４８】したがって、本発明の第２の実施の形態に
よる半導体レーザ駆動制御装置によれば、パワーアンプ
リファイアー部10ｄに流れる電流量が所定範囲内にない
ときには、マスターオシレーター部10ｃに流れる電流量
が一定となるようにＡＣＣ制御によりマスターオシレー
ター部10ｃに流れる電流量が制御され、また、所定範囲
に達したときにはＭＯＰＡレーザ10の光出力が一定とな
るようにＡＰＣ制御によりマスターオシレーター部10ｃ
に流れる電流量が制御されることとなる。Therefore, according to the semiconductor laser drive control device according to the second embodiment of the present invention, when the amount of current flowing through the power amplifier unit 10d is not within the predetermined range, the amount of current flowing through the master oscillator unit 10c is reduced. The amount of current flowing to the master oscillator section 10c is controlled by ACC control so as to be constant, and the master oscillator section 10c is controlled by APC control so that the optical output of the MOPA laser 10 becomes constant when the current reaches a predetermined range.
Is controlled.
【００４９】これにより、ＭＯＰＡレーザ10が定常状態
になくパワーアンプリファイアー部10ｄに流れる電流量
が所定範囲内にないときには、マスターオシレーター部
10ｃの過大電流による破壊防止を図りつつ、ＡＣＣ制御
によりレーザ出力をある程度安定化させることが可能と
なる。Accordingly, when the MOPA laser 10 is not in a steady state and the amount of current flowing through the power amplifier unit 10d is not within a predetermined range, the master oscillator unit
The laser output can be stabilized to some extent by the ACC control while preventing the destruction due to the excessive current of 10c.
【００５０】次に、温度制御手段18も機能している場合
について説明する。ＭＯＰＡレーザ10の起動直後など定
常状態にない場合であってＭＯＰＡレーザ10が所定温度
範囲内にないときには、上記温度制御手段18は選択手段
24によりＡＣＣ制御手段22を選択させる。これはたとえ
パワーアンプリファイアー部10ｄに流れる電流量が所定
範囲内にあるときでもそのように働く。即ち、ＭＯＰＡ
レーザ10が定常状態に達してパワーアンプリファイアー
部10ｄに流れる電流量が所定範囲内にあり、かつ、ＭＯ
ＰＡレーザ10が所定温度範囲内にある場合にのみ、選択
手段24はＡＰＣ制御手段2Oを選択する。Next, a case where the temperature control means 18 is functioning will be described. When the MOPA laser 10 is not in a steady state such as immediately after the start of the MOPA laser 10 and the MOPA laser 10 is not within the predetermined temperature range, the temperature control means 18
24 causes the ACC control means 22 to be selected. This works even when the amount of current flowing through the power amplifier unit 10d is within a predetermined range. That is, MOPA
When the laser 10 reaches a steady state and the amount of current flowing through the power amplifier unit 10d is within a predetermined range,
The selection means 24 selects the APC control means 20 only when the PA laser 10 is within the predetermined temperature range.
【００５１】したがって、本発明の第２の実施の形態に
よる半導体レーザ駆動制御装置によれば、ＭＯＰＡレー
ザ10が定常状態に達していないときには、マスターオシ
レーター部10ｃに流れる電流量が一定となるようにＡＣ
Ｃ制御によりマスターオシレーター部10ｃに流れる電流
量が制御され、また、定常状態に達したときにはＭＯＰ
Ａレーザ10の光出力が一定となるようにＡＰＣ制御によ
りマスターオシレーター部10ｃに流れる電流量が制御さ
れることとなる。Therefore, according to the semiconductor laser drive control apparatus according to the second embodiment of the present invention, when the MOPA laser 10 has not reached the steady state, the amount of current flowing through the master oscillator section 10c is constant. AC
The C control controls the amount of current flowing to the master oscillator section 10c.
The amount of current flowing to the master oscillator section 10c is controlled by APC control so that the optical output of the A laser 10 is constant.
【００５２】これにより、ＭＯＰＡレーザ10が定常状態
にないときには、マスターオシレーター部10ｃの過大電
流による破壊防止を図りつつ、ＡＣＣ制御によりレーザ
出力をある程度安定化させることが可能となる。Thus, when the MOPA laser 10 is not in a steady state, it is possible to stabilize the laser output to some extent by ACC control while preventing destruction of the master oscillator section 10c due to excessive current.
【００５３】なお、ＡＣＣ制御手段26により常時ＡＣＣ
制御を行うのはマスターオシレーター部10ｃとパワーア
ンプリファイアー部10ｄのいずれでも良く、選択手段14
の出力S1を電流制御手段16の入力に接続し、ＡＣＣ制御
手段26の出力S3を電流制御手段14の入力に接続すること
も可能である。It should be noted that the ACC control means 26
The control may be performed by either the master oscillator section 10c or the power amplifier section 10d.
It is also possible to connect the output S1 of the current control means 16 to the input of the current control means 16 and to connect the output S3 of the ACC control means 26 to the input of the current control means 14.
【００５４】また、ＭＯＰＡレーザ10が過大電流により
破壊されるのを防止するという点においては、マスター
オシレーター部10ｃとパワーアンプリファイアー部10ｄ
のいずれか一方のＡＣＣ制御手段26による電流量が所定
範囲内にないときに、必ずしも他方がＡＣＣ制御を行う
必要がないことは言うまでもない。例えば、第１の実施
の形態と同様にＡＣＣ制御手段22の出力の代わりに固定
値を与えることにより他方に流れる電流量を許容されう
る範囲内で設定しても良い。さらに、温度制御手段18を
必ずしも必要としないことも言うまでもない。In order to prevent the MOPA laser 10 from being broken by an excessive current, the master oscillator section 10c and the power amplifier section 10d are used.
Needless to say, when the current amount by any one of the ACC control means 26 is not within the predetermined range, the other need not necessarily perform the ACC control. For example, similarly to the first embodiment, by giving a fixed value instead of the output of the ACC control means 22, the amount of current flowing to the other side may be set within an allowable range. Further, it goes without saying that the temperature control means 18 is not necessarily required.
【００５５】さらに、上述の半導体レーザ駆動制御装置
を使用した励起光光源を特開平７−１９１４２１号等に
記載の放射線画像読取装置に備えることで、放射線画像
読取装置が定常状態に達するまでは半導体レーザのＡＰ
Ｃ制御を作動させないため、半導体レーザの過大電流に
よる破壊防止を図ることが可能となることも言うまでも
ない。図４は放射線画像読取装置を構成する画像読取部
の光ビーム走査装置の概略構成図であり、この光ビーム
走査装置は、本発明による半導体レーザ駆動制御装置を
適用したレーザ光源31を備えている。この光ビーム走査
装置について簡単に説明する。Furthermore, by providing the radiation image reading device described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-191421 or the like with the excitation light source using the above-described semiconductor laser drive control device, the semiconductor device can be used until the radiation image reading device reaches a steady state. Laser AP
Since the C control is not operated, it goes without saying that the semiconductor laser can be prevented from being destroyed due to an excessive current. FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a light beam scanning device of an image reading unit included in the radiation image reading device. The light beam scanning device includes a laser light source 31 to which the semiconductor laser drive control device according to the present invention is applied. . This light beam scanning device will be briefly described.
【００５６】光ビーム走査装置は、所定の波長のレーザ
光Ｌを出射する本発明の半導体レーザ駆動制御装置を適
用したレーザ光源31、この出射されたレーザ光Ｌを反射
偏向する回転多面鏡32、この回転多面鏡32を回転駆動す
るモータ33、レーザ光Ｌを集光するｆθレンズ34、集光
されたレーザ光Ｌを反射して向きを変える反射光学系35
からなる。このレーザ光Ｌの照射によって、蓄積記録さ
れている放射線画像情報に応じた光量で発光する輝尽発
光光Ａを集光する光ガイド36、集光された輝尽発光光Ａ
を増幅して光電変換するフォトマルチプライヤ37などの
画像情報読取手段が蓄積性蛍光体シート40に蓄積記録さ
れた放射線画像情報を読み取る。The light beam scanning device includes a laser light source 31 to which the semiconductor laser drive control device of the present invention for emitting laser light L of a predetermined wavelength is applied, a rotary polygon mirror 32 for reflecting and deflecting the emitted laser light L, A motor 33 for rotating and driving the rotary polygon mirror 32, an fθ lens 34 for condensing the laser light L, and a reflection optical system 35 for reflecting and converging the condensed laser light L
Consists of By the irradiation of the laser light L, a light guide 36 for condensing stimulated emission light A which emits light in an amount corresponding to the radiation image information stored and recorded, a condensed stimulated emission light A
Image information reading means such as a photomultiplier 37 that amplifies the photoelectric conversion and photoelectrically converts the radiation image information stored in the stimulable phosphor sheet 40 is read.
【００５７】放射線画像情報の蓄積記録された蓄積性蛍
光体シート40は搬送手段60に載置されて矢印Ｘ方向に搬
送され、画像読取部に搬入される。画像読取部において
は、レーザ光源31より出射したレーザ光Ｌは、モータ33
により高速回転駆動される回転多面鏡32により所定の方
向に偏向され、この変更されたレーザ光Ｌはｆθレンズ
34により集光され、さらに反射光学系35により反射され
て蓄積性蛍光体シート40を照射する。このとき回転多面
鏡32の矢印Ｋ方向への回転により、レーザ光Ｌは蓄積性
蛍光体シート40を矢印Ｙ方向に主走査し、蓄積性蛍光体
シート40は、この主走査と搬送手段60の矢印Ｘ方向への
移動（副走査）とが組み合わされて、均一にレーザ光Ｌ
を照射される。The stimulable phosphor sheet 40 on which the radiation image information has been stored is placed on the conveying means 60, conveyed in the direction of the arrow X, and carried into the image reading section. In the image reading unit, the laser light L emitted from the laser light source 31
The laser beam L is deflected in a predetermined direction by a rotary polygon mirror 32 driven at a high speed by the rotation of the fθ lens.
The light is condensed by 34 and further reflected by the reflection optical system 35 to irradiate the stimulable phosphor sheet 40. At this time, due to the rotation of the rotary polygon mirror 32 in the direction of the arrow K, the laser beam L scans the stimulable phosphor sheet 40 in the main direction in the arrow Y direction. The movement (sub-scanning) in the direction of the arrow X is combined with the laser light L uniformly.
Is irradiated.
【００５８】レーザ光Ｌを照射された蓄積性蛍光体シー
ト40の表面からは、蓄積記録された放射線画像情報に応
じた輝尽発光光Ａが発光し、この輝尽発光光Ａは光ガイ
ド36によって集光されて読み取られ、フォトマルチプラ
イヤ37により増幅されたうえで電気信号S0に光電変換さ
れる。From the surface of the stimulable phosphor sheet 40 irradiated with the laser beam L, stimulated emission light A corresponding to the accumulated and recorded radiation image information is emitted. the read being condensed, is photoelectrically converted into an electric signal S 0 after having been amplified by the photomultiplier 37.
【図１】本発明の第１の実施の形態による半導体レーザ
駆動制御装置の概略ブロック図FIG. 1 is a schematic block diagram of a semiconductor laser drive control device according to a first embodiment of the present invention;
【図２】本発明の第２の実施の形態による半導体レーザ
駆動制御装置の概略ブロック図FIG. 2 is a schematic block diagram of a semiconductor laser drive control device according to a second embodiment of the present invention;
【図３】ＭＯＰＡレーザのチップ部分の概略斜視図FIG. 3 is a schematic perspective view of a chip portion of a MOPA laser.
【図４】本発明による半導体レーザ駆動制御装置を適用
したレーザ光源を有する光ビーム走査装置の概略図FIG. 4 is a schematic diagram of a light beam scanning device having a laser light source to which a semiconductor laser drive control device according to the present invention is applied;
10 ＭＯＰＡレーザ 11a,11b 電源 12 レーザダイオード励起固体レーザ 14,16 電流制御手段 18 温度制御手段 20 ＡＰＣ制御手段 22,26 ＡＣＣ制御手段 24 選択手段 31 レーザ光源 32 回転多面鏡 33 モータ 34 ｆθレンズ 35 反射光学系 36 光ガイド 37 フォトマルチプライヤ 40 蓄積性蛍光体シート 60 搬送手段 10 MOPA laser 11a, 11b Power supply 12 Laser diode pumped solid-state laser 14,16 Current control means 18 Temperature control means 20 APC control means 22,26 ACC control means 24 Selection means 31 Laser light source 32 Rotating polygon mirror 33 Motor 34 fθ lens 35 Reflection Optical system 36 Light guide 37 Photomultiplier 40 Storable phosphor sheet 60 Transporting means
Claims (11)
的に作動可能なＡＰＣ制御手段と、該半導体レーザを一
定の温度に保つ温度制御手段とを設け、 前記半導体レーザが所定の温度範囲内にあるときにの
み、前記ＡＰＣ制御手段を作動させることを特徴とする
半導体レーザ駆動制御方法。1. A semiconductor device comprising: a selectively operable APC control means for maintaining a constant optical output of a semiconductor laser; and a temperature control means for maintaining the semiconductor laser at a constant temperature. The semiconductor laser drive control method, wherein the APC control means is operated only when the operation is performed.
つ選択的に作動可能なＡＣＣ制御手段を設け、 前記半導体レーザが前記所定の温度範囲外にあるときは
前記ＡＣＣ制御手段を作動させることを特徴とする請求
項１記載の半導体レーザ駆動制御方法。2. An apparatus according to claim 1, further comprising: selectively operating ACC control means for maintaining a constant current value flowing through the semiconductor laser, wherein the ACC control means is operated when the semiconductor laser is out of the predetermined temperature range. 2. The method according to claim 1, further comprising the steps of:
ファイアー型の半導体レーザのマスターオシレーター部
とパワーアンプリファイアー部との何れか一方に流れる
電流値を一定に保つＡＣＣ制御手段と、他方に対して光
出力を一定に保つ選択的に作動可能なＡＰＣ制御手段と
を設け、 前記一方に流れる電流値が所定の電流範囲内にあるとき
にのみ前記ＡＰＣ制御手段を作動させることを特徴とす
る半導体レーザ駆動制御方法。3. An ACC control means for maintaining a constant current value in one of a master oscillator unit and a power amplifier unit of a master oscillator / power amplifier type semiconductor laser, and a constant optical output with respect to the other. And a selectively operable APC control means for maintaining the APC control means, and activating the APC control means only when the value of the current flowing in the one side is within a predetermined current range.
度制御手段を設け、 前記一方に流れる電流値が前記所定の電流範囲内にあ
り、かつ前記半導体レーザが所定の温度範囲内にあると
きにのみ前記ＡＰＣ制御手段を作動させることを特徴と
する請求項３記載の半導体レーザ駆動制御方法。4. A temperature control means for keeping the semiconductor laser at a constant temperature, wherein a value of a current flowing to the one side is within the predetermined current range and the semiconductor laser is within a predetermined temperature range. 4. The method according to claim 3, wherein the APC control means is operated only.
択的に作動可能なＡＣＣ制御手段を設け、 前記一方に流れる電流値が前記所定の電流範囲外にある
とき、または、前記半導体レーザが所定の温度範囲外に
あるときは前記ＡＣＣ制御手段を作動させることを特徴
とする請求項３または４記載の半導体レーザ駆動制御方
法。5. An ACC control means which is selectively operable to keep a current value flowing to the other side constant, and wherein the current value flowing to one side is outside the predetermined current range, or 5. The semiconductor laser drive control method according to claim 3, wherein said ACC control means is operated when the temperature is outside a predetermined temperature range.
Ｃ制御手段と、 前記半導体レーザを一定の温度に保つ温度制御手段と、 前記半導体レーザが所定の温度範囲内にあるときにの
み、前記ＡＰＣ制御手段を作動させるＡＰＣ作動手段と
を有することを特徴とする半導体レーザ駆動制御装置。6. An AP for maintaining a constant optical output of a semiconductor laser
C control means; temperature control means for keeping the semiconductor laser at a constant temperature; and APC operation means for operating the APC control means only when the semiconductor laser is within a predetermined temperature range. Semiconductor laser drive control device.
つＡＣＣ制御手段と、 前記半導体レーザが前記所定の温度範囲外にあるときは
前記ＡＣＣ制御手段を作動させるＡＣＣ作動手段とを有
することを特徴とする請求項６記載の半導体レーザ駆動
制御装置。7. An ACC control means for keeping a current value flowing through a semiconductor laser constant, and an ACC operation means for operating said ACC control means when said semiconductor laser is out of said predetermined temperature range. 7. The semiconductor laser drive control device according to claim 6, wherein
ファイアー型の半導体レーザのマスターオシレーター部
とパワーアンプリファイアー部との何れか一方に流れる
電流値を一定に保つＡＣＣ制御手段と、 他方に対して光出力を一定に保つＡＰＣ制御手段と、 前記一方に流れる電流値が所定の電流範囲内にあるとき
にのみ前記ＡＰＣ制御手段を作動させるＡＰＣ作動手段
とを有することを特徴とする半導体レーザ駆動制御装
置。8. ACC control means for maintaining a constant current value in one of a master oscillator section and a power amplifier section of a master oscillator / power amplifier type semiconductor laser, and a light output constant with respect to the other. A semiconductor laser drive control device comprising: APC control means for maintaining the APC control means; and APC operation means for operating the APC control means only when the value of the current flowing in the one side is within a predetermined current range.
度制御手段を有し、 前記ＡＰＣ作動手段が、前記一方に流れる電流値が前記
所定の電流範囲内にあり、かつ前記半導体レーザが所定
の温度範囲内にあるときにのみ前記ＡＰＣ制御手段を作
動させること特徴とする請求項８記載の半導体レーザ駆
動制御装置。9. The semiconductor device according to claim 8, further comprising a temperature control unit for maintaining the semiconductor laser at a constant temperature, wherein the APC operating unit determines that a current value flowing to the one side is within the predetermined current range, and 9. The semiconductor laser drive control device according to claim 8, wherein the APC control means is operated only when the temperature is within a temperature range.
ＡＣＣ制御手段と、 前記一方に流れる電流値が前記所定の電流範囲外にある
とき、または、前記半導体レーザが所定の温度範囲外に
あるときは前記ＡＣＣ制御手段を作動させるＡＣＣ作動
手段とを有することを特徴とする請求項８または９記載
の半導体レーザ駆動制御装置。10. An ACC control means for keeping a current value flowing to the other side constant, and when the current value flowing to the one side is outside the predetermined current range, or when the semiconductor laser is outside a predetermined temperature range. 10. The semiconductor laser drive control device according to claim 8, further comprising ACC operation means for operating said ACC control means.
性蛍光体シートに励起光を照射する励起光照射手段と、 前記蓄積性蛍光体シートに蓄積記録された前記放射線画
像情報に応じて輝尽発光する輝尽発光光を検出して該放
射線画像情報を読み取る読取手段とを有する放射線画像
読取装置において、 前記励起光照射手段が、請求項６から１０いずれか１項
記載の半導体レーザ駆動制御装置により構成される励起
光光源を有することを特徴とする放射線画像読取装置。11. An excitation light irradiating means for irradiating excitation light to a stimulable phosphor sheet on which radiation image information is accumulated and recorded, and stimulating light according to the radiation image information accumulated and recorded on the stimulable phosphor sheet. 11. A radiation image reading apparatus comprising: a reading unit that detects emitted stimulating light and reads the radiation image information, wherein the excitation light irradiation unit is a semiconductor laser drive control device according to any one of claims 6 to 10. A radiation image reading apparatus comprising an excitation light source constituted by:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8339339A JPH10178230A (en) | 1996-12-19 | 1996-12-19 | Method and device of driving and controlling semi-conductor laser, and radiograph reader |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8339339A JPH10178230A (en) | 1996-12-19 | 1996-12-19 | Method and device of driving and controlling semi-conductor laser, and radiograph reader |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10178230A true JPH10178230A (en) | 1998-06-30 |
Family
ID=18326521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8339339A Withdrawn JPH10178230A (en) | 1996-12-19 | 1996-12-19 | Method and device of driving and controlling semi-conductor laser, and radiograph reader |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10178230A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007007733A1 (en) * | 2005-07-11 | 2007-01-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light source, light source device, laser image forming device and integrated circuit |
-
1996
- 1996-12-19 JP JP8339339A patent/JPH10178230A/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007007733A1 (en) * | 2005-07-11 | 2007-01-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light source, light source device, laser image forming device and integrated circuit |
| JPWO2007007733A1 (en) * | 2005-07-11 | 2009-01-29 | パナソニック株式会社 | Light source, light source device, laser image forming apparatus, and integrated circuit |
| US7873087B2 (en) | 2005-07-11 | 2011-01-18 | Panasonic Corporation | Light source, light source device, laser image forming device and integrated circuit |
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