JP2000349390A - Method and device for controlling drive of semiconductor laser - Google Patents

Method and device for controlling drive of semiconductor laser

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JP2000349390A
JP2000349390A JP11155256A JP15525699A JP2000349390A JP 2000349390 A JP2000349390 A JP 2000349390A JP 11155256 A JP11155256 A JP 11155256A JP 15525699 A JP15525699 A JP 15525699A JP 2000349390 A JP2000349390 A JP 2000349390A
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Hiroaki Yasuda
裕昭 安田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make smoother the switching of an SHG(second harmonic generation) laser, etc., from ACC(automatic current control) to APC(automatic power control). SOLUTION: The cathode of a laser diode 11 is connected to an ACC amplifier 20a and an APC amplifier 30a so that the summed current of an ACC current IC and an APC current IP may become the whole current ID flowing to an SHG laser 10. At the time of starting a laser 10, only ACC is performed so that the whole current ID may become a steady current amount I0 and, when the light output PD of the laser 10 approaches a reference light output P0, second ACC is performed so that the ACC current IC may become smaller than the steady current amount I0 and, at the same time, first APC is performed so that the light output PD may become the reference light output P0. When a prescribed period of time elapses after the second ACC and first APC are started, the second ACC and first APC are stopped and, at the same time, only second APC is made so that the light output PD may become the reference light output P0.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザの光
出力を一定に保つようにする駆動制御方法および装置に
関し、さらに詳細には、レーザダイオード励起固体レー
ザやマスターオシレーター・パワーアンプリファイアー
型の半導体レーザ等、高出力の光出力を得ることのでき
る半導体レーザの光出力を一定に保つようにする駆動制
御方法および装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a drive control method and apparatus for keeping the optical output of a semiconductor laser constant, and more particularly to a laser diode pumped solid-state laser or a master oscillator / power amplifier type semiconductor. The present invention relates to a drive control method and apparatus for maintaining a constant optical output of a semiconductor laser such as a laser capable of obtaining a high output optical output.

【0002】[0002]

【従来の技術】コンパクトデイスクプレーヤ、ミニデイ
スクプレーヤ等のピックアップ部の読取光源や、放射線
画像読取装置(例えば、特公平3−79695号、特開
平7−191421号等)、蛍光診断装置(例えば、特
開平1−136630号、特開平7−59783号等)
等の励起光源として半導体レーザが使用されていること
は良く知られている。
2. Description of the Related Art A reading light source of a pickup unit such as a compact disk player and a mini disk player, a radiation image reading device (for example, Japanese Patent Publication No. 3-79695, Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-191421, etc.), and a fluorescence diagnostic device (for example, JP-A-1-136630, JP-A-7-59783, etc.)
It is well known that a semiconductor laser is used as an excitation light source.

【0003】このような各種装置において光源として使
用されている半導体レーザは、小型であること、安価で
あること、取り扱いが容易であること等から、従来の固
体レーザ、ガスレーザ等に代えて使用されることが多く
なってきており、急速にその需要が増大している。
[0003] Semiconductor lasers used as light sources in such various devices are used in place of conventional solid-state lasers, gas lasers and the like because of their small size, low cost, and easy handling. And its demand is rapidly increasing.

【0004】前記半導体レーザとしては、例えば特開昭
62−189783号に示されるように、ネオジウム等
の希土類が添加された固体レーザ結晶を、レーザダイオ
ードから発せられた光(レーザビーム)によって励起す
るレーザダイオード励起固体レーザ(以下単に励起固体
レーザという)が公知となっている。この励起固体レー
ザにおいては、より短波長のレーザビームを得るため
に、その共振器内に非線形光学結晶を配置して、固体レ
ーザビームを第2高調波や和周波等に波長変換すること
も広く行なわれており、例えば近赤外の出力光をベース
に非線形光学結晶を用いて周波数2逓倍により可視光や
紫外光を得ることを目的として使用されている第2高調
波を取り出すものは、SHG(Second Harmonic Genera
tion)レーザといわれている。この励起固体レーザは、
高出力の光出力を得るにも適することから、高出力レー
ザとしての利用が広がっている。
As the semiconductor laser, for example, as shown in Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-189773, a solid laser crystal to which a rare earth element such as neodymium is added is excited by light (laser beam) emitted from a laser diode. 2. Description of the Related Art A laser diode pumped solid-state laser (hereinafter, simply referred to as a pumped solid-state laser) is known. In this pumped solid-state laser, in order to obtain a shorter-wavelength laser beam, it is widely used to arrange a nonlinear optical crystal in the resonator and convert the wavelength of the solid-state laser beam to a second harmonic or a sum frequency. For example, SHG is used to extract a second harmonic used for obtaining visible light or ultraviolet light by frequency doubling using a nonlinear optical crystal based on near-infrared output light. (Second Harmonic Genera
tion) It is called a laser. This pumped solid-state laser
Since it is suitable for obtaining a high-output optical output, its use as a high-output laser is expanding.

【0005】また、励起固体レーザ(上述のように波長
変換するものも含む。以下同様である。)においては、
励起源であるレーザダイオードの光出力および発振波長
の変動を抑えるため、さらに上述の波長変換を行なうも
のの場合は非線形光学結晶において所定の位相整合状態
を維持するために、レーザダイオード、固体レーザ結晶
および共振器の部分を所定温度に温度調節するのが一般
的である。この温度調節は通常、上記の各部分をペルチ
ェ素子(発熱吸熱素子)等の電子冷却素子の冷却面上に
載置するとともに、レーザダイオードや共振器内の温度
を検出し、その検出温度に基づいて電子冷却素子の駆動
を最終目的温度値に保つようにフィードバック制御する
ことによってなされる。
In an excitation solid-state laser (including a wavelength-converting laser as described above; the same applies hereinafter),
In order to suppress fluctuations in the optical output and oscillation wavelength of the laser diode, which is the pump source, and to maintain a predetermined phase matching state in the nonlinear optical crystal in the case of performing the above-described wavelength conversion, a laser diode, a solid-state laser crystal and Generally, the temperature of the portion of the resonator is adjusted to a predetermined temperature. This temperature adjustment is usually carried out by placing the above-mentioned parts on the cooling surface of an electronic cooling element such as a Peltier element (heat-absorbing / absorbing element), detecting the temperature inside the laser diode or the resonator, and based on the detected temperature. This is performed by performing feedback control so that the operation of the electronic cooling element is maintained at the final target temperature value.

【0006】また、上記励起固体レーザを各種装置の光
源として使用する場合、読取精度の安定化等のため、定
常状態において半導体レーザの光出力(発光量)を一定
に保つために、前記温度調節のほかにAPC(Automati
c Power Control) 制御を行うのが一般的である。
In the case where the above-mentioned excitation solid-state laser is used as a light source for various devices, the temperature control is performed in order to keep the optical output (light emission amount) of the semiconductor laser constant in a steady state in order to stabilize reading accuracy and the like. APC (Automati
c Power Control) Control is generally performed.

【0007】このAPC制御は、通常以下のような構成
を採って実現している。即ち、半導体レーザの光出力を
フォトダイオード等の光検出素子により検出し、光検出
素子の出力信号が一定の値となるようにオペアンプ等か
らなる負帰還回路を構成することにより実現している。
[0007] This APC control is usually realized by adopting the following configuration. That is, the light output of the semiconductor laser is detected by a photodetector such as a photodiode, and a negative feedback circuit including an operational amplifier is configured so that the output signal of the photodetector has a constant value.

【0008】一方、高出力の光出力を得ることのできる
半導体レーザとして、例えばElectronics Letters Vo
l.28 No.2 p 2011〜2013、Optics & Photonics Ne
ws Mch. '93 p 11〜13、特開平6−291400号等に
示されているようなマスターオシレータ・パワーアンプ
リファイア(Master Oscillator-Power Amplifier ;M
OPA)型の半導体レーザ(以下MOPAレーザとい
う)も提案されている。このMOPAレーザにおいて
は、MOPAレーザの光出力を一定に保つために、マス
ターオシレーター部とパワーアンプリファイアー部との
何れか一方に流れる電流量を一定に保つACC(Autom
atic Current Control)制御を行い、他方に対して光
出力を一定に保つAPC制御を行うのが一般的である。
また、上記励起固体レーザと同様にMOPAレーザを所
定温度に保つ温度調節も行う。
On the other hand, as a semiconductor laser capable of obtaining a high output light output, for example, Electronics Letters Vos
l.28 No.2 p 2011-2013, Optics & Photonics Ne
ws Mch. '93 p11-13, JP-A-6-291400, etc., a master oscillator-power amplifier (Master Oscillator-Power Amplifier; M)
An OPA type semiconductor laser (hereinafter referred to as MOPA laser) has also been proposed. In this MOPA laser, in order to keep the optical output of the MOPA laser constant, an ACC (Automated Motor) that keeps the amount of current flowing in one of the master oscillator section and the power amplifier section constant.
It is common to perform APC (Accient Control) control and APC control to keep the light output constant for the other.
In addition, temperature adjustment for maintaining the MOPA laser at a predetermined temperature is also performed in the same manner as the above-described pumped solid laser.

【0009】また、上記励起固体レーザやMOPAレー
ザ等の半導体レーザは、過電流が流れると破壊するとい
う特性を有しており、使用に際しては半導体レーザの最
大許容電流値(Imax)を越えないように十分注意をして
使用する必要があり、この最大許容電流値を越えて使用
すると、最終的には過大電流により半導体レーザを破壊
するという現象を生じるので、一般的には、ACC制御
およびAPC制御の何れの制御を行う場合にも、半導体
レーザに流れる電流量を最大許容電流値以下に抑制する
電流制限手段としてのリミッタ回路が設けられる。
Further, semiconductor lasers such as the above-mentioned pumped solid-state lasers and MOPA lasers have a characteristic that they are destroyed when an overcurrent flows, so that the semiconductor laser does not exceed the maximum allowable current value (Imax) of the semiconductor laser when used. If the current exceeds the maximum allowable current value, the semiconductor laser will eventually be destroyed due to an excessive current. In any control, a limiter circuit is provided as current limiting means for suppressing the amount of current flowing through the semiconductor laser to the maximum allowable current value or less.

【0010】さらに、最大許容電流値を越えないように
使用することは、例えば電源投入時等、半導体レーザが
所定温度に達していない場合や、MOPAレーザにおい
ては更にACC制御による電流値が所定の値に達してい
ない場合、即ち定常状態のみならず過渡状態においても
満足しなければならない。
Further, when the semiconductor laser does not reach the predetermined temperature, for example, when the power is turned on, or when the power is turned on, the current value by the ACC control is further reduced when the semiconductor laser does not reach the predetermined temperature. If the value has not been reached, that is, not only in the steady state but also in the transient state, it must be satisfied.

【0011】そこで、半導体レーザが定常状態にないと
きに、APC制御をしつづけると、過大電流により半導
体レーザを破壊するという現象を生じる虞れがあること
から、本願出願人は、APC制御をしつづけことによる
過大電流の防止のために、定常状態にないときにはAP
C制御を作動させずに、半導体レーザに流れる電流量を
定常状態における基準光出力に対応する定常電流量と略
等しい電流量に保つACC制御を行い、定常状態になっ
たときにACC制御からAPC制御に切り替えるように
した制御駆動方法を提案している(特開平10−178230
号)。
Therefore, if the APC control is continued while the semiconductor laser is not in a steady state, there is a possibility that the semiconductor laser may be destroyed due to an excessive current. To prevent excessive current by continuing, when not in a steady state, AP
Without operating the C control, ACC control is performed to maintain the amount of current flowing through the semiconductor laser at a current amount substantially equal to the steady current amount corresponding to the reference light output in the steady state. A control drive method for switching to control has been proposed (JP-A-10-178230).
issue).

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記特
開平10−178230号に記載の方法においては、A
CC制御からAPC制御に切り替えたときに、瞬間的に
はACC制御およびAPC制御の何れもが作動しない不
制御期間が生じてしまい、そのために半導体レーザの温
度が変動し、安定的にACC制御からAPC制御に移行
させることが難しい、即ち、特開平10−178230
号に記載の方法では、実際には、ACC制御からAPC
制御への切替えをスムーズに行うのは難しいという問題
があり、場合によっては、半導体レーザに過大電流が流
れ、劣化や破壊に至るという虞がある。
However, in the method described in JP-A-10-178230, A
When switching from the CC control to the APC control, a non-control period in which neither the ACC control nor the APC control operates instantaneously occurs. Therefore, the temperature of the semiconductor laser fluctuates, and the ACC control is stably changed from the ACC control. It is difficult to shift to APC control, that is, JP-A-10-178230.
In fact, in the method described in the above paragraph, the ACC
There is a problem that it is difficult to smoothly switch to the control, and in some cases, an excessive current may flow through the semiconductor laser, leading to deterioration or destruction.

【0013】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、半導体レーザの光出力を一定に保つことができ
ると共に、ACC制御からAPC制御への切替えをスム
ーズに行うことができる駆動制御方法および装置を提供
することを目的とするものである。また、この新たな駆
動制御方法および装置に好適な電流制限方法および手段
を備えたものを提供することを目的とするものである。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and a drive control method capable of maintaining a constant optical output of a semiconductor laser and smoothly performing switching from ACC control to APC control. And an apparatus. It is another object of the present invention to provide a new drive control method and device having a current limiting method and means suitable for the device.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明による半導体レー
ザの駆動制御方法は、半導体レーザに流れる電流量を定
常状態における基準光出力に対応する定常電流量と略等
しい電流量に保つACC制御とは異なる、前記定常電流
量以下の所定の電流量に保つACC制御と、光出力を前
記基準光出力に保つAPC制御とを組み合わせて半導体
レーザに流れる電流量を制御する新たな制御方法を、前
述したACC制御からAPC制御への切替時に介在させ
ることによって、制御方法の切替えをスムーズに行うこ
とができるようにしたことを特徴とするものである。即
ち、本発明による半導体レーザ駆動制御方法は、半導体
レーザに流れる電流を制御することにより、該半導体レ
ーザの光出力を制御する半導体レーザ駆動制御方法であ
って、第1ステップとして、半導体レーザの起動時に
は、該半導体レーザに流れる電流量が定常状態における
基準光出力に対応する定常電流量の近傍となるように前
記電流量を略一定に保つ第1のACC制御を行い、その
後、半導体レーザの光出力が基準光出力に近づいたと
き、第2ステップとして、ACC制御による電流量が、
前記電流量が該基準光出力以下の所定の光出力に対応す
る値となるように該電流量を略一定に保つ第2のACC
制御を行うと共に、該半導体レーザの光出力を前記基準
光出力に保つ第1のAPC制御を行うことを特徴とする
ものである。
The drive control method for a semiconductor laser according to the present invention relates to an ACC control for maintaining a current flowing through a semiconductor laser at a current substantially equal to a steady current corresponding to a reference light output in a steady state. The new control method for controlling the amount of current flowing to the semiconductor laser by combining a different ACC control for maintaining a predetermined current amount equal to or less than the steady-state current amount and an APC control for maintaining the optical output at the reference optical output has been described above. By intervening at the time of switching from ACC control to APC control, the control method can be smoothly switched. That is, the semiconductor laser drive control method according to the present invention is a semiconductor laser drive control method for controlling the optical output of the semiconductor laser by controlling the current flowing through the semiconductor laser. Sometimes, the first ACC control for keeping the current amount substantially constant is performed so that the amount of current flowing through the semiconductor laser becomes close to the steady state current amount corresponding to the reference light output in the steady state. When the output approaches the reference light output, as a second step, the amount of current by the ACC control is:
A second ACC that keeps the current amount substantially constant so that the current amount becomes a value corresponding to a predetermined light output that is equal to or less than the reference light output.
Control, and first APC control for maintaining the optical output of the semiconductor laser at the reference optical output is performed.

【0015】また、この本発明による半導体レーザ駆動
制御方法においては、さらに、第2のACC制御および
第1のAPC制御の開始の後、所定時間経過後に、第3
ステップとして、第2のACC制御および第1のAPC
制御を停止させると共に、前記半導体レーザの光出力を
前記基準光出力に保つ第2のAPC制御を行うようにし
てもよい。
Further, in the semiconductor laser drive control method according to the present invention, further, after a predetermined time elapses after the start of the second ACC control and the first APC control, the third control is performed.
As a step, the second ACC control and the first APC
The control may be stopped, and a second APC control for maintaining the light output of the semiconductor laser at the reference light output may be performed.

【0016】ここで、第2ステップにおける第1のAP
C制御と第3ステップにおける第2のAPC制御は、何
れも半導体レーザの光出力を基準光出力に保つものであ
り、略同等の作用を行う制御であるが、第1のAPC制
御は、第2のACC制御による電流量に対応する光出力
(例えば基準光出力の50〜90%)の不足分(前例で
は50〜10%)を該第1のAPC制御によって補うこ
とにより、半導体レーザの光出力を基準光出力に保つよ
うに制御を行うものであるのに対して、第2のAPC制
御は、この第2のAPC制御のみによって、半導体レー
ザの光出力を基準光出力に保つように制御を行うもので
あり、両APC制御の作用は、細かな点において異な
る。
Here, the first AP in the second step
The C control and the second APC control in the third step both maintain the optical output of the semiconductor laser at the reference optical output, and are controls that perform substantially the same operation. The first APC control compensates for the shortage (50 to 90% of the reference light output) of the light output (for example, 50 to 90% of the reference light output) corresponding to the amount of current by the ACC control of the second ACC control. While the control is performed so as to keep the output at the reference light output, the second APC control is performed only by the second APC control so as to maintain the light output of the semiconductor laser at the reference light output. The operation of both APC controls differs in small points.

【0017】即ち、本発明による半導体レーザの駆動制
御方法は、半導体レーザの光出力を基準光出力近傍に保
つという作用を、第1ステップにおいては第1のACC
制御のみにより行い、第2ステップにおいては第2のA
CC制御による不足分を第1のAPC制御を行うことに
より補い、第3ステップにおいては第2のAPC制御の
みにより行うものである。換言すれば、第1ステップに
おいてはACC制御のみにより、第1ステップにおいて
はACC制御とAPC制御とを組み合わせて、第3ステ
ップにおいてはAPC制御のみにより、夫々半導体レー
ザの光出力を基準光出力とするものである。
That is, the drive control method for a semiconductor laser according to the present invention has the effect of maintaining the optical output of the semiconductor laser near the reference optical output.
Only by control, in the second step, the second A
The shortage caused by the CC control is compensated for by performing the first APC control, and the third step is performed only by the second APC control. In other words, in the first step, only the ACC control is performed, in the first step, the ACC control and the APC control are combined, and in the third step, the light output of the semiconductor laser is set to the reference light output only by the APC control. Is what you do.

【0018】また、本発明による半導体レーザ駆動制御
方法においては、前記所定時間の間、即ち第2ステップ
の間、半導体レーザに流れる電流量が所定の値以下とな
るように電流制限を行うことが望ましい。ここで、所定
時間の間に半導体レーザに流れる電流量とは、前記第2
のACC制御による電流成分と第1のAPC制御による
電流成分を合計した、半導体レーザに流れる全電流量を
意味する。また、「半導体レーザに流れる電流量が所定
の値以下となるように電流制限を行う」とは、半導体レ
ーザに流れる全電流量が、決して所定の値以上とはなら
ないように、半導体レーザに流れる電流量を制限するこ
とを意味する。
In the semiconductor laser drive control method according to the present invention, during the predetermined time, that is, during the second step, the current is limited so that the amount of current flowing through the semiconductor laser is equal to or less than a predetermined value. desirable. Here, the amount of current flowing in the semiconductor laser during a predetermined time is the second amount.
Means the total amount of current flowing through the semiconductor laser, which is the sum of the current component obtained by the ACC control and the current component obtained by the first APC control. Further, "performs current limiting so that the amount of current flowing through the semiconductor laser is equal to or less than a predetermined value" means that the total amount of current flowing through the semiconductor laser does not exceed a predetermined value and flows through the semiconductor laser. This means limiting the amount of current.

【0019】全電流量を検出する方法としては、例え
ば、第2のACC制御の制御電圧に基づいて演算等によ
って求めた電流量と、同じく、第1のAPC制御の制御
電圧に基づいて演算等によって求めた電流量とを合計す
ることによって、間接的に前記全電流量を求めてもよい
が、半導体レーザに流れる電流を直接検出することによ
って、第2のACC制御による電流量と第1のAPC制
御による電流量とを峻別することなく、一度に前記全電
流量を求める方が効率的である。
As a method of detecting the total amount of current, for example, the amount of current obtained by calculation or the like based on the control voltage of the second ACC control, or the like, is calculated based on the control voltage of the first APC control. The total amount of current may be obtained indirectly by summing the amount of current obtained in step (1), but by directly detecting the current flowing through the semiconductor laser, the amount of current by the second ACC control and the amount of first current can be obtained. It is more efficient to obtain the total current amount at once without distinguishing the current amount from the APC control.

【0020】なお、このように、半導体レーザに流れる
電流を、ACC制御によるものかAPC制御によるもの
かを峻別することなく、直接且つ一度に検出するように
すれば、第2ステップにおける電流制限作用を行う電流
制限手段と同じものを用いて、上記第1ステップおよび
第3ステップにおいても、半導体レーザに流れる電流量
が所定の値以下となるように電流制限を行うことができ
る。
As described above, if the current flowing through the semiconductor laser is detected directly and all at once without distinguishing between the current under the ACC control and the current under the APC control, the current limiting effect in the second step can be obtained. In the first step and the third step, the current can be limited so that the amount of current flowing through the semiconductor laser is equal to or less than a predetermined value by using the same current limiting means as described above.

【0021】本発明による半導体レーザ駆動制御装置
は、上記方法を実現する装置、即ち、半導体レーザに流
れる電流を制御することにより、該半導体レーザの光出
力を制御する装置であって、半導体レーザの起動時に、
該半導体レーザに流れる電流量が定常状態における基準
光出力に対応する定常電流量の近傍となるように、前記
電流量を略一定に保つ第1のACC制御を行う第1のA
CC制御手段と、共に半導体レーザの光出力が基準光出
力に近づいたときに作動する、該半導体レーザに流れる
電流量が該基準光出力以下の所定の光出力に対応する量
となるように前記電流量を略一定に保つ第2のACC制
御を行う第2のACC制御手段と、該半導体レーザの光
出力を基準光出力に保つ第1のAPC制御を行うAPC
制御手段とを備えたことを特徴とするものである。
A semiconductor laser drive control apparatus according to the present invention is an apparatus for realizing the above method, that is, an apparatus for controlling an optical output of the semiconductor laser by controlling a current flowing through the semiconductor laser. At startup,
A first ACC control for performing the first ACC control for keeping the current amount substantially constant so that the current amount flowing through the semiconductor laser becomes close to the steady state current amount corresponding to the reference light output in the steady state.
CC control means, which operates when the light output of the semiconductor laser approaches the reference light output, so that the amount of current flowing through the semiconductor laser becomes an amount corresponding to a predetermined light output equal to or less than the reference light output. A second ACC control means for performing a second ACC control for keeping the current amount substantially constant, and an APC for performing the first APC control for keeping the light output of the semiconductor laser at the reference light output
And control means.

【0022】ここで、第1のACC制御手段と第2のA
CC制御手段としては、共通のACC制御手段を使用す
るものとし、第1のACC制御手段として作用している
ときの電流設定値を変更することにより第2のACC制
御手段として作用するものとするのが好ましい。
Here, the first ACC control means and the second A
As the CC control means, a common ACC control means is used, and by changing a current set value when acting as the first ACC control means, it operates as the second ACC control means. Is preferred.

【0023】また、本発明による半導体レーザ駆動制御
装置においては、第2のACC制御手段が、第2のAC
C制御および第1のAPC制御の開始の後、所定時間経
過後に停止するものとしてもよい。なお、所定時間経過
後に第2のACC制御手段が停止したときには、APC
制御手段は、第1のAPC制御とは異なり、該APC制
御手段のみによって半導体レーザの光出力を基準光出力
に保つ第2のAPC制御を自動的に行うようになる。な
お、この第2のAPC制御を行う手段を第1のAPC制
御を行う手段とは別個に設け、両者を切り替えるように
してもよい。
Further, in the semiconductor laser drive control device according to the present invention, the second ACC control means includes a second AC control means.
After the start of the C control and the first APC control, the control may be stopped after a predetermined time has elapsed. When the second ACC control means stops after a predetermined time has elapsed, the APC
Unlike the first APC control, the control means automatically performs the second APC control for keeping the light output of the semiconductor laser at the reference light output only by the APC control means. The means for performing the second APC control may be provided separately from the means for performing the first APC control, and the two may be switched.

【0024】本発明による半導体レーザ駆動制御装置に
おいては、前記所定時間における半導体レーザに流れる
電流量を検出する電流検出手段と、検出した電流量に基
づいて、該電流量が所定の値以下となるように電流制限
を行う電流制限手段とを備えたものとするのが望まし
い。
In the semiconductor laser drive control device according to the present invention, current detecting means for detecting the amount of current flowing through the semiconductor laser during the predetermined time, and the amount of current becomes equal to or less than a predetermined value based on the detected amount of current. It is desirable to provide a current limiting means for limiting the current as described above.

【0025】電流検出手段としては、第2のACC制御
による電流量と第1のAPC制御による電流量とを峻別
することなく、半導体レーザに流れる電流を直接且つ一
度に検出するものとするのが望ましい。
The current detecting means should detect the current flowing in the semiconductor laser directly and at once without distinguishing the current amount by the second ACC control from the current amount by the first APC control. desirable.

【0026】また、電流制限手段を備えた装置とする場
合には、半導体レーザに流れる全電流が電流制限手段に
流れるように、電流制限手段が半導体レーザに接続され
ているものとするのが望ましい。
When the device is provided with a current limiting means, it is desirable that the current limiting means is connected to the semiconductor laser so that the entire current flowing through the semiconductor laser flows through the current limiting means. .

【0027】さらに、電流制限手段を備えた装置とする
場合には、電流検出手段を、抵抗等の、電流値を電圧値
に変換する電流電圧変換機能を有するものとすると共
に、電流制限手段を、コレクタエミッタ間に全電流が流
れるトランジスタと、電流検出手段によって変換された
全電流の値を表す電圧値と前記所定の値を表す基準電圧
値とを比較して、全電流の値が所定の値以上となると
き、トランジスタのコレクタエミッタ間電圧が大きくな
るような電圧を該トランジスタのベースに入力する手段
とを有するものとするのが望ましい。即ち、トランジス
タのコレクタエミッタ間に全電流が流れる構成とすると
共に、この全電流を電圧値に変換して、この電圧値と基
準電圧値とを比較した結果を、トランジスタのベースに
負帰還する構成とする。なお、全電流の値が所定の値以
下となるときには、トランジスタのコレクタエミッタ間
を略ショート状態にするのが好ましい。
Further, when the apparatus is provided with a current limiting means, the current detecting means has a current / voltage converting function of converting a current value to a voltage value such as a resistor, and the current limiting means is provided with a current limiting means. A transistor in which the total current flows between the collector and the emitter, a voltage value representing the value of the total current converted by the current detecting means, and a reference voltage value representing the predetermined value, and the value of the total current is determined to be a predetermined value. It is desirable to have a means for inputting a voltage to the base of the transistor so that the voltage between the collector and the emitter of the transistor when the value is equal to or more than the value is increased. That is, a configuration in which a total current flows between the collector and the emitter of the transistor, a configuration in which the total current is converted into a voltage value, and the result of comparing the voltage value with the reference voltage value is negatively fed back to the base of the transistor. And When the value of the total current is equal to or less than a predetermined value, it is preferable that the collector and the emitter of the transistor be substantially short-circuited.

【0028】[0028]

【発明の効果】本発明による半導体レーザ駆動制御方法
および装置によれば、半導体レーザに流れる電流量を定
常状態における基準光出力に対応する定常電流量以下の
所定の電流量に保つACC制御と、光出力を前記基準光
出力に保つAPC制御とを組み合わせた“ACC制御+
APC制御”という新たな制御方法を導入し、従来のA
CC制御から従来のAPC制御へ直ちに切り替えるので
はなく、従来のACC制御→ACC制御+APC制御→
従来のAPC制御という手順で制御方法を移行させるよ
うにしたので、ACC制御およびAPC制御の何れもが
作動しない不制御期間が生じる虞がなくなる。即ち、本
発明による第1ステップの第1のACC制御に相当する
従来のACC制御から、本発明による第3ステップの第
2のAPC制御に相当する従来のAPC制御へ切り替え
る際に、第1ステップと第3ステップとの間に第2ステ
ップとして、ACC制御とAPC制御とを組み合わせた
“ACC制御+APC制御”という新たな駆動制御方法
を介在させるようにしたので、第1ステップから第2ス
テップに切り替わった際にはACC制御が作動し続け、
また、第2ステップから第3ステップに切り替わった際
にはAPC制御が作動し続けるようになるので、ACC
制御およびAPC制御の何れもが作動しない不制御期間
が生じる虞がなくなる。
According to the semiconductor laser drive control method and apparatus of the present invention, ACC control for maintaining the amount of current flowing through a semiconductor laser at a predetermined amount of current equal to or less than the steady-state current corresponding to the reference light output in a steady state, "ACC control +" which is combined with APC control to keep the light output at the reference light output.
Introducing a new control method called "APC control"
Instead of immediately switching from CC control to conventional APC control, conventional ACC control → ACC control + APC control →
Since the control method is shifted according to the procedure of the conventional APC control, there is no possibility that an uncontrol period in which neither the ACC control nor the APC control operates will occur. That is, when switching from the conventional ACC control corresponding to the first ACC control of the first step according to the present invention to the conventional APC control corresponding to the second APC control of the third step according to the present invention, the first step As a second step between the first step and the third step, a new drive control method called “ACC control + APC control” combining the ACC control and the APC control is interposed. When switching, ACC control continues to operate,
In addition, when switching from the second step to the third step, the APC control continues to operate.
There is no possibility that a non-control period in which neither the control nor the APC control operates will occur.

【0029】したがって、安定的にACC制御からAP
C制御に移行させることできるようになり、半導体レー
ザに過大電流を流すということがなくなり、半導体レー
ザの過大電流による劣化や破壊を防止できる。
Therefore, it is possible to stably shift from the ACC control to the AP.
The control can be shifted to the C control, so that an excessive current does not flow through the semiconductor laser, and deterioration and destruction of the semiconductor laser due to the excessive current can be prevented.

【0030】また、半導体レーザに流れる全電流量を検
出して、この電流量が所定の値以下となるように電流制
限を行うようにすれば、上記第2ステップ、即ちACC
制御とAPC制御の両方が作動している際にも、半導体
レーザに流れる電流が、最大許容電流を越えないよう
に、電流制限作用を働かせることができる。
Further, if the total amount of current flowing through the semiconductor laser is detected and the current is limited so that this amount of current becomes equal to or less than a predetermined value, the second step, ie, ACC
Even when both the control and the APC control are operating, the current limiting action can be exerted so that the current flowing through the semiconductor laser does not exceed the maximum allowable current.

【0031】この際、電流制限手段と半導体レーザと
を、半導体レーザに流れる全電流が電流制限手段に流れ
るように接続すれば、回路を簡易にすることができる。
At this time, the circuit can be simplified if the current limiting means and the semiconductor laser are connected such that the entire current flowing through the semiconductor laser flows through the current limiting means.

【0032】また、トランジスタのコレクタエミッタ間
に全電流が流れるようにすると共に、この全電流を電圧
値に変換して、この電圧値と基準電圧値とを比較した結
果をトランジスタのベースに帰還する構成とすれば、極
めて簡易な電流リミッタ回路を構成することができる。
In addition, a total current flows between the collector and the emitter of the transistor, the total current is converted into a voltage value, and the result of comparing the voltage value with the reference voltage value is fed back to the base of the transistor. With this configuration, an extremely simple current limiter circuit can be configured.

【0033】[0033]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明によ
る半導体レーザ駆動制御方法および装置の一実施の形態
について詳細に説明する。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram showing a semiconductor laser drive control method and apparatus according to an embodiment of the present invention;

【0034】図1は本発明による半導体レーザ駆動制御
装置の一実施の形態の構成を示す基本ブロック図、図2
は駆動制御方法と半導体レーザに流れる電流量と光出力
との関係を示したタイミングチャート、図3は電流制限
の他の態様例を示した図、図4は図1の基本ブロック図
を具体化した回路の一例を示した図、図5は図4に示し
た回路の機能ブロック図である。なお、図1等におい
て、同等の要素には同番号を付し、それらについての説
明は、何れかの図においてのみ行い、他の図においては
必要のない限り省略する。
FIG. 1 is a basic block diagram showing the configuration of an embodiment of a semiconductor laser drive control device according to the present invention.
FIG. 3 is a timing chart showing the relationship between the drive control method and the amount of current flowing through the semiconductor laser and the light output, FIG. 3 is a diagram showing another example of the current limitation, and FIG. 4 is a concrete block diagram of FIG. FIG. 5 is a functional block diagram of the circuit shown in FIG. In FIG. 1 and the like, the same elements are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be made only in one of the drawings, and will be omitted in other drawings unless necessary.

【0035】図1に示す半導体レーザ駆動制御装置1
は、レーザダイオード11と共振器12とからなるレー
ザダイオード励起固体レーザの一態様であるSHGレー
ザ10のレーザダイオード11に流れる電流量IDを制
御することにより共振器12から出力されるレーザ光L
の光出力(発光量)を制御するものとして構成されてい
る。SHGレーザ10に代えて、MOPAレーザ等、そ
の他の半導体レーザを用いてもよい。
The semiconductor laser drive control device 1 shown in FIG.
Is a laser beam L output from the resonator 12 by controlling the amount of current ID flowing through the laser diode 11 of the SHG laser 10, which is an embodiment of a laser diode-pumped solid-state laser including the laser diode 11 and the resonator 12.
This is configured to control the light output (light emission amount). Instead of the SHG laser 10, another semiconductor laser such as a MOPA laser may be used.

【0036】レーザダイオード11のアノードは正電源
13に接続され、そのカソードは、ACC制御手段20
を構成するACC制御アンプ20aと、APC制御手段
30を構成するAPC制御アンプ30aとに接続されて
いる。ACC制御アンプ20aの出力およびAPC制御
アンプ30aの出力は、加算回路19に接続されてい
る。これにより、ACC制御アンプ20aとAPC制御
アンプ30aとが、共に作動可能な状態にあるときに
は、レーザダイオード11に流れる全電流IDが、一旦
ACC制御アンプ20aによるACC電流ICとAPC
制御アンプ30aによるAPC電流IPとに分流され、
その後、加算回路19によって合成されて全電流IDに
再生される。一方、ACC制御アンプ20aとAPC制
御アンプ30aとの何れか一方が非作動状態にあるとき
は、全電流IDは分流されることなく、作動状態にある
方の制御アンプを介して流れる。
The anode of the laser diode 11 is connected to the positive power supply 13 and the cathode thereof is connected to the ACC control means 20.
And an APC control amplifier 30a forming the APC control means 30. The output of the ACC control amplifier 20a and the output of the APC control amplifier 30a are connected to the addition circuit 19. Thus, when both the ACC control amplifier 20a and the APC control amplifier 30a are in an operable state, the total current ID flowing through the laser diode 11 once becomes the ACC current IC and the APC
The current is shunted to the APC current IP by the control amplifier 30a,
Thereafter, the signals are combined by the adder circuit 19 and reproduced into the total current ID. On the other hand, when one of the ACC control amplifier 20a and the APC control amplifier 30a is in an inactive state, the entire current ID flows through the active control amplifier without being divided.

【0037】加算回路19の出力は、レーザダイオード
11に流れる全電流IDが電流制限手段70に流れるよ
うに、電流制限手段70および電流検出手段80を順次
介してグランドに接続されている。電流制限手段70の
端子aは、電流検出手段80の検出端子aに接続され、
同じく端子bには、電流リミット値を表す基準電圧VR
EFが入力されるように構成されている。
The output of the adder circuit 19 is connected to the ground via the current limiting means 70 and the current detecting means 80 so that the total current ID flowing through the laser diode 11 flows through the current limiting means 70. The terminal a of the current limiter 70 is connected to the detection terminal a of the current detector 80,
Similarly, a terminal b has a reference voltage VR representing a current limit value.
The EF is configured to be input.

【0038】ACC制御アンプ20aの端子aは電流検
出手段80の検出端子bに接続され、同じく端子bには
電流指令値が入力されるように構成され、同じく端子c
にはACCオンオフ信号が入力されるように構成されて
いる。これにより、ACC制御手段20は、電流検出手
段80の検出端子bに得られる、レーザダイオード11
に流れる全電流IDに応じた電圧信号VFB1を監視し
ながら、レーザダイオード11に流れる全電流IDが、
入力された電流指令値に対応し、且つ一定するようにA
CC制御を行う。
The terminal "a" of the ACC control amplifier 20a is connected to the detection terminal "b" of the current detecting means 80, and the terminal "b" is also configured to receive a current command value.
Is configured to receive an ACC on / off signal. As a result, the ACC control unit 20 obtains the laser diode 11 obtained at the detection terminal b of the current detection unit 80.
While monitoring the voltage signal VFB1 corresponding to the total current ID flowing through the laser diode 11,
A is set so that it corresponds to the input current command value and is constant.
Performs CC control.

【0039】一方、APC制御アンプ30aの端子aは
レーザ光Lを検出して光出力PDに応じた電圧信号VF
B2を出力するAPC帰還回路31と接続され、同じく
端子bには光量指令値が入力されるように構成され、同
じく端子cにはAPCオンオフ信号が入力されるように
構成されている。これにより、APC制御手段30は、
APC帰還回路31の出力VFB2を監視しながら、S
HGレーザ10の光出力PDが、入力された光量指令値
に対応し、且つ一定するようにAPC制御を行う。
On the other hand, the terminal a of the APC control amplifier 30a detects the laser light L and outputs a voltage signal VF corresponding to the light output PD.
It is connected to an APC feedback circuit 31 that outputs B2, and is similarly configured so that a light quantity command value is input to a terminal b and an APC on / off signal is input to a terminal c. Thereby, the APC control means 30
While monitoring the output VFB2 of the APC feedback circuit 31,
APC control is performed so that the light output PD of the HG laser 10 corresponds to the input light amount command value and is constant.

【0040】以下、上記構成の半導体レーザ駆動制御装
置1の基本的な作用について説明する。最初に、図2に
示すフローチャートを参照して、半導体レーザに流れる
電流量を制御する駆動制御方法について説明する。
Hereinafter, the basic operation of the semiconductor laser drive control device 1 having the above configuration will be described. First, a drive control method for controlling the amount of current flowing through the semiconductor laser will be described with reference to the flowchart shown in FIG.

【0041】この駆動制御装置1においては、SHGレ
ーザ10の起動時には、SHGレーザ10の駆動制御方
法として、本発明の第1のACC制御を行う第1ステッ
プの制御方法を選択する。即ち、ACCオンオフ信号と
してACC制御アンプ20aを作動状態にする信号をA
CC制御アンプ20aに入力すると共に、APCオンオ
フ信号としてAPC制御アンプ30aを非作動状態にす
る信号をAPC制御アンプ30aに入力する。また、レ
ーザダイオード11に流れる全電流IDが定常状態にお
ける光出力、即ち基準光出力P0に対応する定常電流量
I0と略等しくなるような電流指令値をACC制御アン
プ20aに入力する。
In the drive control device 1, when the SHG laser 10 is started, the control method of the first step of performing the first ACC control of the present invention is selected as the drive control method of the SHG laser 10. That is, a signal for operating the ACC control amplifier 20a as an ACC on / off signal is set to A.
In addition to the input to the CC control amplifier 20a, a signal for disabling the APC control amplifier 30a is input to the APC control amplifier 30a as an APC on / off signal. Further, a current command value such that the total current ID flowing through the laser diode 11 becomes substantially equal to the light output in the steady state, that is, the steady current amount I0 corresponding to the reference light output P0 is input to the ACC control amplifier 20a.

【0042】これにより、駆動制御装置1は、ACC制
御手段20のみによって、レーザダイオード11に流れ
る全電流IDが定常状態における基準光出力P0に対応
する定常電流量I0と略等しくなり、且つその電流量が
略一定となるようにACC制御を行う。
Thus, the drive control device 1 allows only the ACC control means 20 to make the total current ID flowing through the laser diode 11 substantially equal to the steady current amount I0 corresponding to the reference light output P0 in the steady state, ACC control is performed so that the amount becomes substantially constant.

【0043】したがって、図2に示すように、SHGレ
ーザ10の起動と共に、第1のACC制御が作動して、
ACC制御アンプ20aによるACC電流IC1が全電
流IDとなってレーザダイオード11に流れ、ACC電
流IC1に対応する光出力PDC1がSHGレーザ10
から得られる。この光出力PDC1は、SHGレーザ1
0が定常状態となるまで、時間tと共に漸次上昇する。
Accordingly, as shown in FIG. 2, when the SHG laser 10 is started, the first ACC control is activated,
The ACC current IC1 from the ACC control amplifier 20a becomes the total current ID and flows to the laser diode 11, and the optical output PDC1 corresponding to the ACC current IC1 is
Obtained from This optical output PDC1 is a SHG laser 1
It gradually increases with time t until 0 becomes a steady state.

【0044】次に、SHGレーザ10が定常状態に近づ
いて、SHGレーザ10の光出力PDが基準光出力P0
に略等しくなったとき(図2におけるt1)、SHGレ
ーザ10の駆動制御方法として、本発明の第2のACC
制御を行うと共に、本発明の第1のAPC制御を行う第
2ステップの制御方法を選択する。即ち、ACCオンオ
フ信号としてACC制御アンプ20aを作動状態にする
信号をACC制御アンプ20aに入力した状態で、AP
Cオンオフ信号としてAPC制御アンプ30aを作動状
態にする信号をAPC制御アンプ30aに入力する。ま
た、レーザダイオード11に流れる全電流IDのうち、
第2のACC制御によって流れる電流成分が基準光出力
P0に対応する定常電流量I0以下、例えば定常電流量
I0の50〜90%となるような電流指令値(前述の第
1ステップにおける電流指令値と異なる)をACC制御
アンプ20aに入力する。さらに、SHGレーザ10の
光出力PDが基準光出力P0と略等しくなるような光量
指令値をAPC制御アンプ30aに入力する。
Next, the SHG laser 10 approaches a steady state, and the light output PD of the SHG laser 10 changes to the reference light output P0.
(T1 in FIG. 2), the second ACC of the present invention is used as the drive control method of the SHG laser 10.
In addition to performing the control, the control method of the second step of performing the first APC control of the present invention is selected. That is, while a signal for turning on the ACC control amplifier 20a is input to the ACC control amplifier 20a as an ACC on / off signal, the AP
A signal for activating the APC control amplifier 30a is input to the APC control amplifier 30a as a C on / off signal. Also, of the total current ID flowing through the laser diode 11,
A current command value such that the current component flowing by the second ACC control is equal to or less than the steady current amount I0 corresponding to the reference light output P0, for example, 50 to 90% of the steady current amount I0 (the current command value in the first step described above). Is input to the ACC control amplifier 20a. Further, a light amount command value such that the light output PD of the SHG laser 10 becomes substantially equal to the reference light output P0 is input to the APC control amplifier 30a.

【0045】これにより、駆動制御装置1は、第2のA
CC制御と第1のAPC制御とを組み合わせた電流制御
作用を行うようになる。即ち、ACC制御アンプ20a
が作動することによる、第2のACC制御によるACC
電流IC2がACC制御アンプ20aを介して流れ、こ
のACC電流IC2に対応する光出力PDC2がSHG
レーザ10から得られる。また、APC制御アンプ30
aが作動することによる、第1のAPC制御によるAP
C電流IP1がAPC制御アンプ30aを介して流れ、
このAPC電流IP1に対応する光出力PDP1がSH
Gレーザ10から得られる。
As a result, the drive control device 1 controls the second A
A current control operation combining the CC control and the first APC control is performed. That is, the ACC control amplifier 20a
ACC by the second ACC control due to activation of
The current IC2 flows through the ACC control amplifier 20a, and the optical output PDC2 corresponding to the ACC current IC2 is SHG
Obtained from laser 10. The APC control amplifier 30
a based on the first APC control
C current IP1 flows through APC control amplifier 30a,
The optical output PDP1 corresponding to this APC current IP1 is SH
Obtained from the G laser 10.

【0046】したがって、図2に示すように、時間t1
以降暫くの間は、ACC電流IC2とAPC電流IP1
とを加算した結果がレーザダイオード11に流れる全電
流IDとなり、光出力PDC2と光出力PDP1とを加
算した結果がSHGレーザ10の光出力PDとなる。
Therefore, as shown in FIG.
Thereafter, for a while, the ACC current IC2 and the APC current IP1
Is the total current ID flowing through the laser diode 11, and the result of adding the optical output PDC2 and the optical output PDP1 is the optical output PD of the SHG laser 10.

【0047】ここで、第1のAPC制御はSHGレーザ
10の光出力PDが基準光出力P0と略等しく且つ一定
となるように制御を行うものであるが、第2のACC制
御による光出力PDC2が予め得られているので、結果
として、第1のAPC制御は、図2に示すように、第2
のACC制御による光出力の不足分PDP1を該第1の
APC制御によって補うことにより、SHGレーザ10
の光出力PDを基準光出力P0に保つように作用する。
Here, the first APC control is to control the light output PD of the SHG laser 10 to be substantially equal to the reference light output P0 and to be constant, but the light output PDC2 by the second ACC control is controlled. As a result, the first APC control, as shown in FIG.
The shortage of light output PDP1 due to the ACC control is compensated by the first APC control so that the SHG laser 10
To maintain the reference light output P0 at the reference light output PD.

【0048】なお、第1ステップから第2ステップに切
り替わった際にはACC制御が作動し続けるようになる
ので、ACC制御およびAPC制御の何れもが作動しな
い不制御期間が生じる虞はない。また、切替えの前後で
レーザダイオード11に流れる電流量に差があっても、
APC制御の作用する範囲は、図2に示したように、A
CC制御による分だけ小さくなるので、駆動制御方法を
切替えた際に、ハンチングが生じる虞が、従来よりも少
なくなる。
Since the ACC control continues to operate when the first step is switched to the second step, there is no possibility that an uncontrol period in which neither the ACC control nor the APC control operates will occur. Also, even if there is a difference in the amount of current flowing through the laser diode 11 before and after switching,
The range in which the APC control operates is, as shown in FIG.
Since the size is reduced by the CC control, the possibility of hunting occurring when the drive control method is switched is reduced as compared with the related art.

【0049】次に、時間t1の後、所定時間が経過した
とき(図2におけるt2)、SHGレーザ10の駆動制
御方法として、本発明の第2のACC制御を停止させる
と共に、本発明の第2のAPC制御を行う第3ステップ
の制御方法を選択する。即ち、APCオンオフ信号とし
てAPC制御アンプ30aを作動状態にする信号をAP
C制御アンプ30aに入力した状態で、ACCオンオフ
信号としてACC制御アンプ20aを非作動状態にする
信号をACC制御アンプ20aに入力する。また、SH
Gレーザ10の光出力PDが基準光出力I0と略等しく
なるような光量指令値をAPC制御アンプ30aに入力
する。なお、この光量指令値は、前述の第2ステップに
おける光量指令値と同じであってよい。
Next, when a predetermined time elapses after the time t1 (t2 in FIG. 2), as a drive control method of the SHG laser 10, the second ACC control of the present invention is stopped and the second control of the present invention is performed. The control method of the third step for performing the APC control of No. 2 is selected. That is, a signal for activating the APC control amplifier 30a as an APC on / off signal is transmitted to the AP.
While being input to the C control amplifier 30a, a signal for disabling the ACC control amplifier 20a is input to the ACC control amplifier 20a as an ACC on / off signal. Also, SH
A light amount command value such that the light output PD of the G laser 10 becomes substantially equal to the reference light output I0 is input to the APC control amplifier 30a. Note that this light amount command value may be the same as the light amount command value in the above-described second step.

【0050】これにより、駆動制御装置1は、APC制
御手段30のみによって、SHGレーザ10の光出力P
Dが基準光出力P0と略等しくなり、且つその光量値が
略一定となるようにAPC制御を行う。
As a result, the drive control unit 1 controls the light output P of the SHG laser 10 by the APC control means 30 alone.
APC control is performed so that D becomes substantially equal to the reference light output P0 and the light amount becomes substantially constant.

【0051】したがって、図2に示すように、時間t2
以降は、APC制御によるAPC電流IP2のみがレー
ザダイオード11に流れる全電流IDとなり、APC電
流IP2に対応する光出力PDP2のみがSHGレーザ
10の光出力PDとなる。
Therefore, as shown in FIG.
Thereafter, only the APC current IP2 by the APC control becomes the total current ID flowing through the laser diode 11, and only the optical output PDP2 corresponding to the APC current IP2 becomes the optical output PD of the SHG laser 10.

【0052】なお、第2ステップから第3ステップに切
り替わる際には、APC制御が作動した状態を維持して
いるので、ACC制御およびAPC制御の何れもが作動
しない不制御期間が生じる虞はない。
When switching from the second step to the third step, the state in which the APC control is activated is maintained, so that there is no possibility that an uncontrol period in which neither the ACC control nor the APC control is activated will occur. .

【0053】次に、上記構成の駆動制御装置1の電流制
限作用について説明する。
Next, the current limiting operation of the drive control device 1 having the above configuration will be described.

【0054】SHGレーザ10に流れる全電流、具体的
にはレーザダイオード11に流れる電流IDは、電流制
限手段70および電流検出手段80を順次介してグラン
ドに流れ込む。電流検出手段80は電流値を電圧値に変
換する電流電圧変換機能を有しており、電流IDの値に
応じた電圧信号VSが電流検出手段80の端子aから得
られ、この電圧信号VSが電流制限手段70の端子aに
入力される。一方、電流制限手段70の端子bには、基
準電圧VREFが入力される。
The total current flowing through the SHG laser 10, specifically, the current ID flowing through the laser diode 11, flows into the ground via the current limiting means 70 and the current detecting means 80 in order. The current detection means 80 has a current-voltage conversion function of converting a current value to a voltage value, and a voltage signal VS corresponding to the value of the current ID is obtained from a terminal a of the current detection means 80, and this voltage signal VS is It is input to the terminal a of the current limiting means 70. On the other hand, the reference voltage VREF is input to the terminal b of the current limiting means 70.

【0055】電流制限手段70は、電圧信号VSが基準
電圧VREF以下のときには、当該電流制限手段70の
加算回路19側と電流検出手段80側とを、即ち電流の
入出力間を略ショート状態にする。一方、レーザダイオ
ード11に流れる電流IDが増加して、電圧信号VSが
基準電圧VREF以上となるときには、前記入出力間に
所定の電圧を発生させる。この結果、加算回路19の出
力側の電位が上昇し、これによりACC制御アンプ20
aおよびAPC制御アンプ30aの双方の電流制限手段
70側の電位が上昇する。
When the voltage signal VS is equal to or lower than the reference voltage VREF, the current limiting means 70 brings the addition circuit 19 side and the current detecting means 80 side of the current limiting means 70 into a short-circuit state between the input and output of the current. I do. On the other hand, when the current ID flowing through the laser diode 11 increases and the voltage signal VS becomes equal to or higher than the reference voltage VREF, a predetermined voltage is generated between the input and output. As a result, the potential on the output side of the adder circuit 19 rises, whereby the ACC control amplifier 20
The potentials on the current limiting means 70 side of both the APC control amplifier 30a and the APC control amplifier 30a increase.

【0056】一般には、ACC制御アンプ20aおよび
APC制御アンプ30aの電流制限手段70側は、トラ
ンジスタのエミッタとなるように構成されるので、電流
制限手段70側の電位が上昇することによって、ACC
制御アンプ20aによるACC電流ICおよびAPC制
御アンプ30aによるAPC電流IPが少なくなるよう
に作用する。この結果、電流制限手段70と電流検出手
段80とを接続するループが、レーザダイオード11に
流れる電流IDの値が、決して基準電圧VREFに対応
する所定の値以上とはならないように、負帰還ループを
構成するように作用する。したがって、SHGレーザ1
0の最大許容電流値以下を表すように基準電圧VREF
を設定することによって、SHGレーザ10に流れる電
流を最大許容電流値以下に抑制することができる。
In general, the current limiting means 70 of the ACC control amplifier 20a and the APC control amplifier 30a is configured to be an emitter of a transistor.
It works so that the ACC current IC by the control amplifier 20a and the APC current IP by the APC control amplifier 30a are reduced. As a result, a loop connecting the current limiting means 70 and the current detecting means 80 forms a negative feedback loop so that the value of the current ID flowing through the laser diode 11 never exceeds a predetermined value corresponding to the reference voltage VREF. Act to constitute. Therefore, SHG laser 1
0, the reference voltage VREF
Is set, the current flowing through the SHG laser 10 can be suppressed to the maximum allowable current value or less.

【0057】また、上述のように、SHGレーザ10の
駆動制御方法を切り替えた際に、ACC制御およびAP
C制御の何れもが作動しない不制御期間が生じる虞がな
く、切替時においても、SHGレーザ10に流れる電流
を最大許容電流値以下に抑制することができるので、瞬
間的に、SHGレーザ10に過大電流が流れ、SHGレ
ーザ10を劣化させたり破壊させるという虞れもない。
As described above, when the drive control method of the SHG laser 10 is switched, the ACC control and the AP
There is no danger that a non-control period in which none of the C control operates will occur, and the current flowing through the SHG laser 10 can be suppressed to the maximum allowable current value or less even at the time of switching. There is no danger that an excessive current will flow and cause the SHG laser 10 to deteriorate or break down.

【0058】なお、ACC制御アンプ20aおよびAP
C制御アンプ30aの電流制限手段70側が、トランジ
スタのエミッタとなるように構成されていない場合にお
いても、電流制限手段70の入出力間の電圧を、その構
成に応じて制御することによって、レーザダイオード1
1に流れる電流IDの値が所定の値以上とはならないよ
うにすることは可能である。
The ACC control amplifier 20a and the AP
Even when the current limiting means 70 side of the C control amplifier 30a is not configured to be an emitter of a transistor, the voltage between the input and output of the current limiting means 70 is controlled in accordance with the configuration, so that the laser diode 1
It is possible to prevent the value of the current ID flowing to 1 from becoming more than a predetermined value.

【0059】また、上述のように、SHGレーザ10に
流れる全電流が電流制限手段70に流れる構成を採ら
ず、例えば、図3に示すように、加算回路19の出力を
直接電流検出手段80に入力すると共に、電流検出手段
80による検出結果に応じて、ACC制御アンプ20a
の電流指令値を変更したり、或いはAPC制御アンプ3
0aの光量指令値を変更したりする電流制限手段70を
設けた構成とすることによって、レーザダイオード11
に流れる電流IDの値が、所定の値以上とはならないよ
うにすることもできる。
Further, as described above, the configuration in which the entire current flowing through the SHG laser 10 flows through the current limiting means 70 is not employed. For example, as shown in FIG. Input, and according to the detection result by the current detection means 80, the ACC control amplifier 20a
The current command value of the APC control amplifier 3
By providing the current limiting means 70 for changing the light intensity command value of the laser diode 11a, the laser diode 11
The value of the current ID flowing through the power supply may not exceed a predetermined value.

【0060】次に、図4および図5を参照して、図1に
示した基本ブロック図を具体化した一例について説明す
る。
Next, an example in which the basic block diagram shown in FIG. 1 is embodied will be described with reference to FIGS.

【0061】図4に示すように、駆動制御装置1には、
SHGレーザ10を所定の温度に保つ温度制御手段18
が備えられている。温度制御手段18は、SHGレーザ
10を電子冷却素子としてのペルチェ素子(発熱吸熱素
子)19の冷却面上に載置すると共に、サーミスタ等の
不図示の温度検出素子によりSHGレーザ10の温度を
検出し、その検出温度に応じた制御信号D1をペルチェ
素子19に入力して該ペルチェ素子19を駆動制御する
ことによりSHGレーザ10を最終目的温度に保つよう
にフィードバック制御する。
As shown in FIG. 4, the drive control device 1 includes:
Temperature control means 18 for keeping SHG laser 10 at a predetermined temperature
Is provided. The temperature control means 18 mounts the SHG laser 10 on the cooling surface of a Peltier element (heat generating / absorbing element) 19 as an electronic cooling element, and detects the temperature of the SHG laser 10 by a temperature detecting element (not shown) such as a thermistor. Then, a control signal D1 corresponding to the detected temperature is input to the Peltier device 19 to drive and control the Peltier device 19, thereby performing feedback control so that the SHG laser 10 is maintained at the final target temperature.

【0062】ACC制御アンプの一部を担う増幅アンプ
50の出力は電流出力素子としてのトランジスタ60の
ベース(制御入力端子)bに接続されている。トランジ
スタ60のコレクタcはSHGレーザ10を構成するレ
ーザダイオード11のカソードと接続され、レーザダイ
オード11のアノードが正電源13に接続されている。
The output of the amplifier 50, which is a part of the ACC control amplifier, is connected to the base (control input terminal) b of the transistor 60 as a current output element. The collector c of the transistor 60 is connected to the cathode of the laser diode 11 constituting the SHG laser 10, and the anode of the laser diode 11 is connected to the positive power supply 13.

【0063】増幅アンプ50は、オペアンプ501、オ
ペアンプの非反転入力端子(+)と後述する抵抗803
の端子3と接続された抵抗502、オペアンプ501の
出力端子(O)とトランジスタ60のベースbとの間に
接続された抵抗503とコンデンサ504の並列回路、
およびトランジスタ60のベースbとエミッタeとの間
に接続されたダイオード505からなる。
The amplification amplifier 50 includes an operational amplifier 501, a non-inverting input terminal (+) of the operational amplifier, and a resistor 803 described later.
A parallel circuit of a resistor 503 and a capacitor 504 connected between the output terminal (O) of the operational amplifier 501 and the base b of the transistor 60;
And a diode 505 connected between the base b and the emitter e of the transistor 60.

【0064】トランジスタ60は、ダーリントン接続さ
れたトランジスタ601,602からなる。トランジス
タ60のエミッタeは、比較制御手段72と共に電流制
限手段70を構成するトランジスタ71のコレクタcに
接続されている。トランジスタ71は、ダーリントン接
続されたトランジスタ711,712からなる。トラン
ジスタ71のエミッタeは、電流検出手段80の端子8
0aに入力され、電流検出手段80の端子80bを介し
てレーザグランドLGに接続されている。
The transistor 60 is composed of Darlington-connected transistors 601, 602. The emitter e of the transistor 60 is connected to the collector c of the transistor 71 constituting the current limiting means 70 together with the comparison control means 72. The transistor 71 includes Darlington-connected transistors 711 and 712. The emitter e of the transistor 71 is connected to the terminal 8 of the current detecting means 80.
0a, and is connected to the laser ground LG via the terminal 80b of the current detecting means 80.

【0065】電流検出手段80は、並列抵抗801,8
02と抵抗803との直列回路からなる。並列抵抗80
1,802は抵抗803の端子2に接続されている。
The current detecting means 80 includes parallel resistances 801 and 8
02 and a resistor 803 in series. Parallel resistance 80
1, 802 are connected to the terminal 2 of the resistor 803.

【0066】電流検出手段80の端子83から出力され
る電流検出信号(電圧値)VFB1は、抵抗211とコ
ンデンサ212との並列回路からなるACC帰還回路2
1を介して、オペアンプ501の反転入力端子(−)に
入力されている。
The current detection signal (voltage value) VFB1 output from the terminal 83 of the current detection means 80 is supplied to an ACC feedback circuit 2 composed of a parallel circuit of a resistor 211 and a capacitor 212.
1 is input to the inverting input terminal (−) of the operational amplifier 501.

【0067】APC制御アンプの一部を担う増幅アンプ
51の出力は電流出力素子としてのトランジスタ61の
ベースbに接続されている。トランジスタ61のコレク
タcはSHGレーザ10を構成するレーザダイオード1
1のカソードと接続されている。増幅アンプ51は、オ
ペアンプ511、オペアンプの非反転入力端子(+)と
抵抗803の端子3と接続された抵抗512、オペアン
プ511の出力端子(O)とトランジスタ61のベース
bとの間に接続された抵抗513とコンデンサ514の
並列回路、およびトランジスタ61のベースbとエミッ
タeとの間に接続されたダイオード515からなる。ト
ランジスタ61は、ダーリントン接続されたトランジス
タ611,612からなる。トランジスタ61のエミッ
タeは、トランジスタ71のコレクタcに接続されてい
る。
The output of the amplification amplifier 51 serving as a part of the APC control amplifier is connected to the base b of the transistor 61 as a current output element. The collector c of the transistor 61 is a laser diode 1 constituting the SHG laser 10.
1 cathode. The amplification amplifier 51 is connected between the operational amplifier 511, the resistor 512 connected to the non-inverting input terminal (+) of the operational amplifier and the terminal 3 of the resistor 803, and the output terminal (O) of the operational amplifier 511 and the base b of the transistor 61. A parallel circuit of a resistor 513 and a capacitor 514, and a diode 515 connected between the base b and the emitter e of the transistor 61. The transistor 61 includes transistors 611 and 612 connected in Darlington. The emitter e of the transistor 61 is connected to the collector c of the transistor 71.

【0068】SHGレーザ10の共振器12から出力さ
れたレーザ光Lの一部が、APC帰還回路31を構成す
る光検出部32に入射するように構成されている。AP
C帰還回路31を構成する増幅部33は、反転入力端子
(−)が光検出部32と接続され、非反転入力端子
(+)がグランドに接続されたオペアンプ331、反転
入力端子(−)と出力端子(O)との間に接続された抵
抗332,333の直列回路とコンデンサ335との並
列帰還回路、抵抗333に並列接続された可変抵抗33
4からなる。
A part of the laser beam L output from the resonator 12 of the SHG laser 10 is configured to be incident on the photodetector 32 constituting the APC feedback circuit 31. AP
The amplifying unit 33 included in the C feedback circuit 31 includes an operational amplifier 331 having an inverting input terminal (-) connected to the light detecting unit 32, a non-inverting input terminal (+) connected to the ground, and an inverting input terminal (-). A parallel feedback circuit including a series circuit of resistors 332 and 333 connected to the output terminal (O) and a capacitor 335; a variable resistor 33 connected in parallel to the resistor 333;
Consists of four.

【0069】光検出部32で検出されたレーザ光Lは、
電気信号に変換された後、増幅部33に入力され、この
増幅部33の電圧出力がAPC帰還回路31の出力VF
B2となって、抵抗331とコンデンサ332との並列
回路を介してオペアンプ511の反転入力端子(−)に
入力されている。
The laser light L detected by the light detection unit 32 is
After being converted into an electric signal, the signal is input to the amplifier 33, and the voltage output of the amplifier 33 is output from the output VF of the APC feedback circuit 31.
B2 is input to the inverting input terminal (−) of the operational amplifier 511 via a parallel circuit of the resistor 331 and the capacitor 332.

【0070】駆動制御装置1には、該駆動制御装置1の
動作を集中制御するコントローラ42が設けられてい
る。このコントローラ42は、CPU(マイクロプロセ
ッサ)429とボルテージフォロワ接続されたオペアン
プ425とを有する。オペアンプ425の非反転入力端
子(+)と接地との間にはコンデンサ424が設けられ
ている。
The drive control device 1 is provided with a controller 42 for centrally controlling the operation of the drive control device 1. The controller 42 has a CPU (microprocessor) 429 and an operational amplifier 425 connected to a voltage follower. A capacitor 424 is provided between the non-inverting input terminal (+) of the operational amplifier 425 and the ground.

【0071】CPU429から出力された光量指令値を
表す制御信号AVPSがオペアンプ425の非反転入力
端子(+)に入力されている。オペアンプ425の出力
端子(O)に得られる信号は、抵抗426を介して、C
PU429から出力されたAPC制御をオンオフするた
めの制御信号SPと合成されて、APC制御アンプとし
て機能する増幅アンプ51を構成するオペアンプ511
の反転入力端子(−)に入力されている。
The control signal AVPS representing the light intensity command value output from the CPU 429 is input to the non-inverting input terminal (+) of the operational amplifier 425. The signal obtained at the output terminal (O) of the operational amplifier 425 is supplied to the C terminal via the resistor 426.
An operational amplifier 511 which is combined with a control signal SP for turning on / off the APC control output from the PU 429 and constitutes the amplification amplifier 51 functioning as an APC control amplifier
Are input to the inverting input terminal (−).

【0072】一方、CPU429から出力された光量指
令値を表す制御信号ACCSIGと、同じくCPU42
9から出力されたACC制御をオンオフするための制御
信号SCとが合成されて、ACC制御アンプとして機能
する増幅アンプ50を構成するオペアンプ501の反転
入力端子(−)に入力されている。
On the other hand, a control signal ACCSIG representing the light intensity command value output from the CPU 429 and the CPU 42
9 and a control signal SC for turning on / off the ACC control are synthesized and input to the inverting input terminal (−) of the operational amplifier 501 constituting the amplification amplifier 50 functioning as the ACC control amplifier.

【0073】このコントローラ42は、温度制御手段1
8からの制御信号D2に基づいて、SHGレーザ10が
定常状態にあるか否かを判断し、この判断結果に応じて
制御信号SC,SPをコントロールして、SHGレーザ
10の駆動制御方法を、ACC制御→ACC制御+AP
C制御→APC制御と順次切り替える(詳しくは後述す
る)と共に、制御信号ACCSIGを所定の大きさにす
ることによってSHGレーザ10のレーザダイオード1
1に流れる電流量IDの設定を行い、制御信号APVS
を所定の大きさにすることによってSHGレーザ10の
光出力(光量)PDの設定を行う。
The controller 42 is provided with the temperature control means 1
8 to determine whether or not the SHG laser 10 is in a steady state, and control the control signals SC and SP in accordance with the result of the determination to control the drive of the SHG laser 10. ACC control → ACC control + AP
The laser diode 1 of the SHG laser 10 is switched by sequentially switching from C control to APC control (to be described in detail later) and by setting the control signal ACCSIG to a predetermined size.
1 is set and the control signal APVS is set.
Is set to a predetermined size to set the light output (light amount) PD of the SHG laser 10.

【0074】上記構成から判るように、SHGレーザ1
0に流れる電流を制御するための、ACC制御手段20
による帰還制御ループは、ACC帰還回路21、増幅ア
ンプ50、トランジスタ60,71、および電流検出手
段80からなるループにより構成され、一方、APC制
御手段30による帰還制御ループは、APC帰還回路3
1、増幅アンプ51、トランジスタ60およびレーザダ
イオード11からなるループにより構成される。
As can be seen from the above configuration, the SHG laser 1
ACC control means 20 for controlling the current flowing through
Is constituted by a loop composed of the ACC feedback circuit 21, the amplification amplifier 50, the transistors 60 and 71, and the current detection means 80. On the other hand, the feedback control loop by the APC control means 30 is the APC feedback circuit 3.
1, a loop composed of an amplifier 51, a transistor 60 and a laser diode 11.

【0075】電流制限手段70を構成する比較制御手段
72の反転入力端子72aには、電流検出手段80の端
子80aにおいて検出された電流検出信号(電圧値)V
Sが入力され、この比較制御手段72の非反転入力端子
72bには基準電圧発生回路73からの基準電圧信号V
REFが入力されており、比較制御手段72の出力72
cはトランジスタ71のベースbに接続されている。
The inverting input terminal 72a of the comparison control means 72 constituting the current limiting means 70 has a current detection signal (voltage value) V detected at the terminal 80a of the current detection means 80.
S is input, and the reference voltage signal V from the reference voltage generation circuit 73 is applied to the non-inverting input terminal 72b of the comparison control means 72.
REF is input and the output 72 of the comparison control means 72
c is connected to the base b of the transistor 71.

【0076】比較制御手段72は、両エミッタが差動接
続されたトランジスタ721,722、トランジスタ7
21のコレクタと正電源13との間に接続された抵抗7
23、両エミッタと負電源15との間に接続された抵抗
724、トランジスタ722のベースとトランジスタ7
1のエミッタとの間に接続された抵抗725、トランジ
スタ722のベースとコレクタとの間に接続されたコン
デンサ726、トランジスタ722のコレクタと正電源
13との間に接続された抵抗727、およびトランジス
タ722のコレクタとグランドとの間に接続されたコン
デンサ728からなる。
The comparison control means 72 includes transistors 721 and 722 having both emitters differentially connected,
The resistor 7 connected between the collector of the power supply 21 and the positive power supply 13
23, a resistor 724 connected between both emitters and the negative power supply 15, a base of the transistor 722 and the transistor 7
1, a resistor 725 connected between the base and the collector of the transistor 722, a resistor 727 connected between the collector of the transistor 722 and the positive power supply 13, and a transistor 722. And a capacitor 728 connected between the collector and the ground.

【0077】また、基準電圧発生回路73は、正電源1
6とグランドとの間に接続された抵抗731と可変抵抗
732との直列回路およびボルテージフォロワ接続され
たオペアンプ733からなる。可変抵抗732の可変端
子がオペアンプ733の非反転端子(+)に入力され、
オペアンプ733の出力端子(O)が比較制御手段72
を構成するトランジスタ721のベースに接続されてい
る。
The reference voltage generation circuit 73 is connected to the positive power supply 1
6 comprises a series circuit of a resistor 731 and a variable resistor 732 connected between the resistor 6 and the ground, and an operational amplifier 733 connected by a voltage follower. The variable terminal of the variable resistor 732 is input to the non-inverting terminal (+) of the operational amplifier 733,
The output terminal (O) of the operational amplifier 733 is the comparison control unit 72
Is connected to the base of the transistor 721 constituting

【0078】なお、図示しないが、各オペアンプは正負
の両電源に接続されている。
Although not shown, each operational amplifier is connected to both positive and negative power supplies.

【0079】図4に示した構成の半導体レーザ駆動制御
装置1を機能ブロック図で示すと、図5のように表すこ
とができる。即ち、SHGレーザ10を構成するレーザ
ダイオード11のアノードが正電源13に接続され、レ
ーザダイオード11のカソードが、トランジスタ60,
61のコレクタに接続される。ACC帰還回路21およ
び増幅アンプ50の一部等からなるACC制御アンプ2
0aの出力がトランジスタ60のベースに接続される。
APC帰還回路31および増幅アンプ50の一部等から
なるAPC制御アンプ30aの出力がトランジスタ61
のベースに接続される。トランジスタ60,61のエミ
ッタは加算回路19によって実質的に接続され、加算回
路19の出力が電流制限手段70を構成するトランジス
タ71のコレクタに接続される。トランジスタ71のエ
ミッタは、電流検出手段80としての抵抗81,82の
直列回路を介してグランドに接続される。トランジスタ
722のベースに対応する、比較制御手段72の反転入
力端子(−)はトランジスタ71のエミッタと接続され
る。トランジスタ721のベースbに対応する、比較制
御手段72の非反転入力端子(+)には、電流リミット
値を表す基準電圧信号VREFが入力される。比較制御
手段72の出力はトランジスタ71のベースに入力され
る。
FIG. 5 is a functional block diagram of the semiconductor laser drive control device 1 having the configuration shown in FIG. That is, the anode of the laser diode 11 constituting the SHG laser 10 is connected to the positive power supply 13, and the cathode of the laser diode 11 is connected to the transistor 60,
Connected to 61 collectors. ACC control amplifier 2 including ACC feedback circuit 21 and part of amplification amplifier 50
The output of Oa is connected to the base of transistor 60.
The output of the APC control amplifier 30a comprising a part of the APC feedback circuit 31 and the amplification amplifier 50 is a transistor 61
Connected to the base. The emitters of the transistors 60 and 61 are substantially connected by the addition circuit 19, and the output of the addition circuit 19 is connected to the collector of the transistor 71 constituting the current limiting means 70. The emitter of the transistor 71 is connected to the ground via a series circuit of resistors 81 and 82 as current detecting means 80. The inverting input terminal (-) of the comparison control means 72 corresponding to the base of the transistor 722 is connected to the emitter of the transistor 71. A reference voltage signal VREF representing a current limit value is input to a non-inverting input terminal (+) of the comparison control means 72 corresponding to the base b of the transistor 721. The output of the comparison control means 72 is input to the base of the transistor 71.

【0080】図4における抵抗803の端子1に対応す
る抵抗81,82の接続点、即ち電流検出手段80の端
子80cに得られた信号VFB1は、ACC制御アンプ
20aの反転入力端子(−)に接続された加算回路91
に入力される。コントローラ42から出力された、電流
指令値を表す制御信号ACCSIGとACC制御をオン
オフするための制御信号SCとが加算回路90により加
算され、その結果が加算回路91に入力されて、電流検
出手段80の端子80cにおいて得られたレーザダイオ
ード11の電流量を表す信号VFB1と更に加算された
結果が、ACC制御アンプ20aの反転入力端子(−)
に入力される。
The signal VFB1 obtained at the connection point between the resistors 81 and 82 corresponding to the terminal 1 of the resistor 803 in FIG. 4, that is, at the terminal 80c of the current detecting means 80 is supplied to the inverting input terminal (-) of the ACC control amplifier 20a. Connected adder circuit 91
Is input to The control signal ACCSIG indicating the current command value output from the controller 42 and the control signal SC for turning on / off the ACC control are added by the adding circuit 90, and the result is input to the adding circuit 91, and the result is input to the adding circuit 91. The signal VFB1 representing the current amount of the laser diode 11 obtained at the terminal 80c is further added to the result, and the result is the inverted input terminal (-) of the ACC control amplifier 20a.
Is input to

【0081】一方、SHGレーザ10から発せられたレ
ーザ光Lは電圧信号VFB2に変換されて、APC制御
アンプ30aの反転入力端子(−)に接続された加算回
路92に入力される。コントローラ42から出力され
た、光量指令値を表す制御信号APVSとAPC制御を
オンオフするための制御信号SPとが加算回路93によ
り加算され、その結果が加算回路92に入力されて電圧
信号VFB2と更に加算され、その結果がAPC制御ア
ンプ30aの反転入力端子(−)に入力される。
On the other hand, the laser light L emitted from the SHG laser 10 is converted into a voltage signal VFB2, and is input to the addition circuit 92 connected to the inverting input terminal (-) of the APC control amplifier 30a. The control signal APVS representing the light amount command value output from the controller 42 and the control signal SP for turning on / off the APC control are added by an adder circuit 93, and the result is input to an adder circuit 92 to further generate a voltage signal VFB2 and a voltage signal VFB2. The result is added to the inverted input terminal (-) of the APC control amplifier 30a.

【0082】以下、上記構成の半導体レーザ駆動制御装
置1の作用について、図4および図5を参照して、具体
的に説明する。最初に、SHGレーザ10に流れる電流
IDを制御する駆動制御方法について説明する。
Hereinafter, the operation of the semiconductor laser drive control device 1 having the above configuration will be specifically described with reference to FIGS. First, a drive control method for controlling the current ID flowing through the SHG laser 10 will be described.

【0083】この駆動制御装置1に電源が投入されSH
Gレーザ10が起動されると、SHGレーザ10を構成
するレーザダイオード11から励起光としてのレーザ光
L0が発せられ、共振器12により波長変換された出力
レーザ光Lが該共振器12から発せられる。
Power is supplied to the drive control device 1 and SH
When the G laser 10 is activated, the laser diode L <b> 0 constituting the SHG laser 10 emits laser light L <b> 0 as excitation light, and the output laser light L wavelength-converted by the resonator 12 is emitted from the resonator 12. .

【0084】サーミスタ等の不図示の温度検出素子によ
りSHGレーザ10の温度が検出され、その検出温度D
0に応じた制御信号D1に基づいてペルチェ素子19が
駆動制御され、結果としてSHGレーザ10が最終目的
温度値に保たれるようにフィードバック制御される。
The temperature of the SHG laser 10 is detected by a temperature detecting element (not shown) such as a thermistor.
The Peltier element 19 is driven and controlled based on the control signal D1 corresponding to 0, and as a result, feedback control is performed so that the SHG laser 10 is maintained at the final target temperature value.

【0085】この駆動制御装置1においては、SHGレ
ーザ10の起動時には、SHGレーザ10の電流制御方
法として、本発明の第1のACC制御方法を選択する。
In the drive control device 1, when the SHG laser 10 is started, the first ACC control method of the present invention is selected as the current control method of the SHG laser 10.

【0086】この第1のACC制御方法を選択するため
に、コントローラ42は、先ず、CPU429から出力
される制御信号SPを0VにしてAPC制御ループを非
作動状態とする。また、SHGレーザ10に流れる電流
IDの値IC1が基準光出力P0に対応する定常電流量
I0と略等しくなるように、電流指令値としての制御信
号ACCSIGを抵抗427を介してオペアンプ501
の反転入力端子(−)に入力する。
In order to select the first ACC control method, first, the controller 42 sets the control signal SP output from the CPU 429 to 0 V, and makes the APC control loop inactive. The control signal ACCSIG as a current command value is supplied to the operational amplifier 501 via the resistor 427 so that the value IC1 of the current ID flowing through the SHG laser 10 becomes substantially equal to the steady current amount I0 corresponding to the reference light output P0.
To the inverting input terminal (-).

【0087】このような状態におかれた駆動制御装置1
は、SHGレーザ10に流れる電流量IDが定常状態に
おける基準光出力P0に対応する定常電流量I0と略等
しくなるように電流量IDを略一定に保つACC制御を
行う。
The drive control device 1 in such a state
Performs ACC control that keeps the current amount ID substantially constant so that the current amount ID flowing to the SHG laser 10 becomes substantially equal to the steady current amount I0 corresponding to the reference light output P0 in the steady state.

【0088】次に、SHGレーザ10が定常状態に近づ
いて、SHGレーザ10の温度が安定すると共に、SH
Gレーザ10の光出力が基準光出力P0に近づいたと
き、SHGレーザ10の電流制御方法として、本発明の
第2のACC制御方法を行うと共に、本発明の第1のA
PC制御を行う制御方法を選択する。
Next, as the SHG laser 10 approaches a steady state, the temperature of the SHG laser 10 is stabilized, and
When the light output of the G laser 10 approaches the reference light output P0, the second ACC control method of the present invention is performed as the current control method of the SHG laser 10 and the first A of the present invention is controlled.
A control method for performing PC control is selected.

【0089】この第2のACC制御と第1のAPC制御
とを組み合わた電流制御方法を選択するために、コント
ローラ42は、先ずCPU429から出力される制御信
号SPを所定の値(0V以外)にしてAPC制御ループ
を作動状態とする。次に、この状態において、オペアン
プ331の出力端子(O)の電圧が、基準光出力P0に
対応するように、増幅部30の可変抵抗334を調整す
ると共に、光量指令値としての制御信号APVSをオペ
アンプ425の非反転入力端子(−)に入力する。ま
た、第2のACC制御によってSHGレーザ10に流れ
る電流IDの値IC2が基準光出力P0に対応する定常
電流量I0以下、例えば定常電流量I0の50〜90%
となるように、電流指令値としての制御信号ACCSI
Gを抵抗427を介してオペアンプ501の反転入力端
子(−)に入力する。
In order to select a current control method combining the second ACC control and the first APC control, the controller 42 first sets the control signal SP output from the CPU 429 to a predetermined value (other than 0 V). To make the APC control loop active. Next, in this state, the variable resistor 334 of the amplifier 30 is adjusted so that the voltage of the output terminal (O) of the operational amplifier 331 corresponds to the reference light output P0, and the control signal APVS as the light amount command value is changed. The signal is input to the non-inverting input terminal (-) of the operational amplifier 425. Further, the value IC2 of the current ID flowing to the SHG laser 10 by the second ACC control is equal to or less than the steady current amount I0 corresponding to the reference light output P0, for example, 50 to 90% of the steady current amount I0.
Control signal ACCSI as a current command value
G is input to the inverting input terminal (−) of the operational amplifier 501 via the resistor 427.

【0090】このような状態におかれた駆動制御装置1
の第1のAPC制御は、第2のACC制御による電流量
IC2に対応する光出力の不足分を該第1のAPC制御
によって補うことにより、半導体レーザの光出力PDを
基準光出力P0に保つように制御を行う。したがって、
駆動制御装置1としては、第2のACC制御と第1のA
PC制御とを組み合わせた“ACC制御+APC制御”
という新たな電流制御を行い、結果として、第2のAC
C制御による電流IC2と第1のAPC制御による電流
IP1とを加算したSHGレーザ10に流れる電流量I
Dが、定常状態における基準光出力P0に対応する定常
電流量I0と略等しく且つ略一定となるように制御す
る。
The drive control device 1 in such a state
In the first APC control, the shortage of the optical output corresponding to the current amount IC2 by the second ACC control is compensated by the first APC control, so that the optical output PD of the semiconductor laser is kept at the reference optical output P0. Control as follows. Therefore,
The drive control device 1 includes the second ACC control and the first A
"ACC control + APC control" combined with PC control
New current control, and as a result, the second AC
The current I flowing through the SHG laser 10 obtained by adding the current IC2 obtained by the C control and the current IP1 obtained by the first APC control.
D is controlled so as to be substantially equal to and substantially constant to the steady-state current amount I0 corresponding to the reference light output P0 in the steady state.

【0091】次に、所定時間経過の後、SHGレーザ1
0の駆動制御方法として、本発明の第2のAPC制御を
選択する。即ち、コントローラ42は、光量指令値とし
ての制御信号APVSの値を維持した状態で、CPU4
29から出力される制御信号SCを0VにしてACC制
御ループを非作動状態とする。
Next, after a lapse of a predetermined time, the SHG laser 1
As the drive control method of 0, the second APC control of the present invention is selected. That is, the controller 42 keeps the value of the control signal APVS as the light amount command value, and
The control signal SC output from the control unit 29 is set to 0 V to deactivate the ACC control loop.

【0092】このような状態におかれた駆動制御装置1
の第2のAPC制御は、この第2のAPC制御のみによ
って、SHGレーザ10の光出力PDが基準光出力P0
と略等しくなり、且つその光量値が略一定となるように
APC制御を行う。
The drive control device 1 in such a state
In the second APC control, the light output PD of the SHG laser 10 is changed to the reference light output P0 only by the second APC control.
APC control is performed so that the light amount value becomes substantially constant and the light amount value becomes substantially constant.

【0093】次に、電流制限作用について簡単に説明す
る。レーザダイオード11に流れる電流IDは、電流制
限手段70を構成するトランジスタ71および電流検出
手段80を構成する抵抗81,82を介してグランドに
流れ込む。電流IDの値に応じた電圧信号VSが抵抗8
1,82の接続点80cから得られ、この電圧信号VS
がトランジスタ722のベースb即ち比較制御手段72
の反転入力端子(−)に入力される。
Next, the current limiting operation will be briefly described. The current ID flowing through the laser diode 11 flows to the ground via the transistor 71 forming the current limiting means 70 and the resistors 81 and 82 forming the current detecting means 80. The voltage signal VS corresponding to the value of the current ID is the resistance 8
1, 82, and this voltage signal VS
Is the base b of the transistor 722, that is, the comparison control means 72
Is input to the inverting input terminal (−).

【0094】トランジスタ721のベースb即ち比較制
御手段72の非反転入力端子(+)には、基準電圧発生
回路73から基準電圧VREFが入力されており、電圧
信号VSが基準電圧VREF以下のときには、トランジ
スタ71のコレクタエミッタ間を略ショート状態にす
る。一方、レーザダイオード11に流れる電流IDが増
加して、電圧信号VSが基準電圧VREF以上となると
きには、トランジスタ71のコレクタエミッタ間に所定
の電圧を発生させる。この結果、トランジスタ60a,
60bの両エミッタの電位が上昇して、ACC制御アン
プ20aによるACC電流ICおよびAPC制御アンプ
30aによるAPC電流IPが少なくなるように作用す
る。したがって、トランジスタ71と比較制御回路72
とを接続するループが、レーザダイオード11に流れる
電流IDの値が、決して基準電圧VREFに対応する所
定の値以上とはならないように、負帰還ループを構成す
るように作用する。
The reference voltage VREF is input from the reference voltage generation circuit 73 to the base b of the transistor 721, that is, the non-inverting input terminal (+) of the comparison control means 72. When the voltage signal VS is lower than the reference voltage VREF, The collector and emitter of the transistor 71 are substantially short-circuited. On the other hand, when the current ID flowing through the laser diode 11 increases and the voltage signal VS becomes equal to or higher than the reference voltage VREF, a predetermined voltage is generated between the collector and the emitter of the transistor 71. As a result, transistors 60a,
The potential of both emitters 60b rises, and acts to reduce the ACC current IC by the ACC control amplifier 20a and the APC current IP by the APC control amplifier 30a. Therefore, the transistor 71 and the comparison control circuit 72
In the negative feedback loop so that the value of the current ID flowing through the laser diode 11 never exceeds a predetermined value corresponding to the reference voltage VREF.

【0095】なお、図4に示した回路においては、差動
トランジスタ721,722を介した負帰還ループが構
成されており、回路構成が極めて簡易であると共に、電
流制限作用として、極めて応答性のよいものとすること
ができる。即ち、レーザダイオード11に流れる電流
が、パルス的なものとなった場合においても、流れる電
流量を、確実に最大許容電流値以下に抑制することがで
きる。
In the circuit shown in FIG. 4, a negative feedback loop is formed through differential transistors 721 and 722, and the circuit configuration is extremely simple. It can be good. That is, even when the current flowing through the laser diode 11 becomes pulse-like, the amount of flowing current can be reliably suppressed to the maximum allowable current value or less.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明による半導体レーザ駆動制御装置の一実
施の形態の構成を示す基本ブロック図
FIG. 1 is a basic block diagram showing a configuration of an embodiment of a semiconductor laser drive control device according to the present invention.

【図2】本発明による半導体レーザの駆動制御方法と半
導体レーザに流れる電流量と光出力との関係を示したタ
イミングチャート
FIG. 2 is a timing chart showing a drive control method of a semiconductor laser according to the present invention and a relationship between an amount of current flowing through the semiconductor laser and an optical output;

【図3】電流制限の他の態様例を示した図FIG. 3 is a diagram showing another example of the current limitation.

【図4】図1の基本ブロック図を具体化した回路の一例
を示した図
FIG. 4 is a diagram showing an example of a circuit embodying the basic block diagram of FIG. 1;

【図5】図4に示した回路の機能ブロック図FIG. 5 is a functional block diagram of the circuit shown in FIG. 4;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 SHGレーザ 20 ACC制御手段 30 APC制御手段 70 電流制限手段 71 トランジスタ 73 比較制御手段 80 電流検出手段 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 SHG laser 20 ACC control means 30 APC control means 70 Current limiting means 71 Transistor 73 Comparison control means 80 Current detection means

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体レーザに流れる電流を制御するこ
とにより、該半導体レーザの光出力を制御する半導体レ
ーザ駆動制御方法において、 前記半導体レーザの起動時には、該半導体レーザに流れ
る電流量が定常状態における基準光出力に対応する定常
電流量の近傍となるように前記電流量を略一定に保つ第
1のACC制御を行い、 前記半導体レーザの光出力が前記基準光出力に近づいた
とき、ACC制御による前記電流量が、該基準光出力以
下の所定の光出力に対応する値となるように該電流量を
略一定に保つ第2のACC制御を行うと共に、該半導体
レーザの光出力を前記基準光出力に保つ第1のAPC制
御を行うことを特徴とする半導体レーザ駆動制御方法。
1. A semiconductor laser drive control method for controlling an optical output of a semiconductor laser by controlling a current flowing through the semiconductor laser, wherein when starting up the semiconductor laser, an amount of current flowing through the semiconductor laser is in a steady state. Performing a first ACC control that keeps the current amount substantially constant so as to be near a steady-state current amount corresponding to the reference light output; and when the light output of the semiconductor laser approaches the reference light output, the ACC control is performed. A second ACC control for keeping the current amount substantially constant so that the current amount becomes a value corresponding to a predetermined light output equal to or less than the reference light output is performed, and the light output of the semiconductor laser is changed to the reference light output. A semiconductor laser drive control method, comprising: performing first APC control for maintaining output.
【請求項2】 前記第2のACC制御および第1のAP
C制御の開始の後、所定時間経過後に、前記第2のAC
C制御および第1のAPC制御を停止させると共に、前
記半導体レーザの光出力を前記基準光出力に保つ第2の
APC制御を行うことを特徴とする請求項1記載の半導
体レーザ駆動制御方法。
2. The second ACC control and a first AP
After a predetermined time has elapsed after the start of the C control, the second AC
2. The semiconductor laser drive control method according to claim 1, further comprising: stopping the C control and the first APC control, and performing a second APC control for keeping an optical output of the semiconductor laser at the reference optical output.
【請求項3】 前記所定時間の間、前記半導体レーザに
流れる電流量が所定の値以下となるように電流制限を行
うことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ駆動制
御方法。
3. The semiconductor laser drive control method according to claim 1, wherein during the predetermined time, the current is limited so that the amount of current flowing through the semiconductor laser is equal to or less than a predetermined value.
【請求項4】 半導体レーザに流れる電流を制御するこ
とにより、該半導体レーザの光出力を制御する半導体レ
ーザ駆動制御装置において、 前記半導体レーザの起動時に、該半導体レーザに流れる
電流量が定常状態における基準光出力に対応する定常電
流量の近傍となるように、前記電流量を略一定に保つ第
1のACC制御を行う第1のACC制御手段と、 共に前記半導体レーザの光出力が前記基準光出力に近づ
いたときに作動する、該半導体レーザに流れる電流量が
該基準光出力以下の所定の光出力に対応する量となるよ
うに前記電流量を略一定に保つ第2のACC制御を行う
第2のACC制御手段と、該半導体レーザの光出力を前
記基準光出力に保つ第1のAPC制御を行うAPC制御
手段とを備えたことを特徴とする半導体レーザ駆動制御
装置。
4. A semiconductor laser drive control device for controlling an optical output of the semiconductor laser by controlling a current flowing through the semiconductor laser, wherein when the semiconductor laser is started, the amount of current flowing through the semiconductor laser is in a steady state. First ACC control means for performing first ACC control for keeping the current amount substantially constant so as to be close to the steady-state current amount corresponding to the reference light output; A second ACC control that operates when approaching the output and maintains the current amount substantially constant so that the amount of current flowing through the semiconductor laser corresponds to a predetermined light output that is equal to or less than the reference light output is performed. A semiconductor laser drive comprising: a second ACC control means; and an APC control means for performing a first APC control for keeping the light output of the semiconductor laser at the reference light output. Control device.
【請求項5】 前記第2のACC制御手段が、前記第2
のACC制御および第1のAPC制御の開始の後、所定
時間経過後に停止するものであることを特徴とする請求
項4記載の半導体レーザ駆動制御装置。
5. The second ACC control means, wherein:
5. The semiconductor laser drive control device according to claim 4, wherein the device stops after a predetermined time has elapsed after the start of the ACC control and the first APC control.
【請求項6】 前記所定時間における前記半導体レーザ
に流れる電流量を検出する電流検出手段と、 検出した電流量に基づいて、該電流量が所定の値以下と
なるように電流制限を行う電流制限手段とを備えたこと
を特徴とする請求項4記載の半導体レーザ駆動制御装
置。
6. A current detecting means for detecting an amount of current flowing through the semiconductor laser during the predetermined time, and a current limiter for performing a current limit based on the detected amount of current such that the amount of current becomes a predetermined value or less. 5. The semiconductor laser drive control device according to claim 4, further comprising means.
【請求項7】 前記半導体レーザに流れる全電流が前記
電流制限手段に流れるように前記電流制限手段が前記半
導体レーザに接続されていることを特徴とする請求項6
記載の半導体レーザ駆動制御装置。
7. The semiconductor laser according to claim 6, wherein said current limiting means is connected to said semiconductor laser such that a total current flowing through said semiconductor laser flows through said current limiting means.
14. A semiconductor laser drive control device according to claim 1.
【請求項8】 前記電流検出手段が電流電圧変換機能を
有するものであり、 前記電流制限手段が、コレクタエミッタ間に前記全電流
が流れるトランジスタと、前記電流検出手段によって変
換された前記全電流の値を表す電圧値と前記所定の値を
表す基準電圧値とを比較して、前記全電流の値が前記所
定の値以上となるとき、前記トランジスタのコレクタエ
ミッタ間電圧が大きくなるような電圧を該トランジスタ
のベースに入力する手段とからなるものであることを特
徴とする請求項7記載の半導体レーザ駆動制御装置。
8. The current detection means has a current-to-voltage conversion function, and the current limiting means includes a transistor through which the entire current flows between a collector and an emitter, and a transistor for detecting the total current converted by the current detection means. By comparing the voltage value representing the value and the reference voltage value representing the predetermined value, when the value of the total current is equal to or more than the predetermined value, a voltage such that the collector-emitter voltage of the transistor increases. 8. The semiconductor laser drive control device according to claim 7, further comprising means for inputting a signal to a base of said transistor.
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