JPH10172514A - ランプ - Google Patents

ランプ

Info

Publication number
JPH10172514A
JPH10172514A JP8359488A JP35948896A JPH10172514A JP H10172514 A JPH10172514 A JP H10172514A JP 8359488 A JP8359488 A JP 8359488A JP 35948896 A JP35948896 A JP 35948896A JP H10172514 A JPH10172514 A JP H10172514A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
hole
joint
lamp
outer periphery
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8359488A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroki Tobimatsu
浩樹 飛松
Tomoyasu Ichiki
智康 一木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toto Ltd
Original Assignee
Toto Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toto Ltd filed Critical Toto Ltd
Priority to JP8359488A priority Critical patent/JPH10172514A/ja
Publication of JPH10172514A publication Critical patent/JPH10172514A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【目的】 電極への通電時に、封止部材の穴の内周と電
極外周との接合面が剥離しないようにすることを目的と
する。 【構成】 電極が挿入される穴の内周部分の熱膨張係数
を、電極外周部分の熱膨張係数以下としたことにより、
電極への通電時に封止部材及び電極が熱膨張しても、電
極外周が穴の内周を圧迫する状態となるため、両者が剥
離することはない。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ランプの封止部構
造に関し、特に封止部材と電極との接合構造に関する。
ここで、ランプとは、放電灯等の放電管及びフィラメン
ト等を有するヒータを含むものとする。
【0002】
【従来技術】従来、メタルハライドランプ等のランプ
は、封止部材を絶縁性封止管の端部開口に位置させ、封
止部材に形成された穴の内周に電極外周を接合すること
により、封止管内外の電気的導通を図るとともに、封止
部材外周と開口内周との間隙を封着することにより、封
止管の内封物質が封止管外に漏出することを防止してい
た。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、電極へ
の通電時には封止部材及び電極は熱膨張し、その際、封
止部材の穴の内周の熱膨張が電極外周の熱膨張を上回る
と、接合面が剥離する問題があった。
【0004】また、封止部材が導電性材料と絶縁性材料
を含有する複合体である場合には、電極への通電時に
は、複合体及び電極が熱膨張するとともに、複合体中の
絶縁性材料が高温により軟化する可能性があった。
【0005】このように軟化すると弾性変形しなくなる
ため、常温に戻った場合、複合体中の他の弾性変形する
部分との応力差によりクラックが生じる畏れがあった。
【0006】本発明は、電極への通電時に、封止部材の
穴の内周と電極外周との接合面が剥離しないようにする
ことを目的とする。
【0007】本発明は、また、電極への通電時に封止部
材中の絶縁部材が軟化しないようにすることを目的とす
る。
【0008】
【課題を解決するための手段およびその作用・効果】本
発明は、少なくとも導電性材料を含有する封止部材を絶
縁性封止管の端部開口に位置させ、封止部材外周と開口
内周との間隙を封着するとともに、封止部材に形成され
た穴の内周に、電極外周を接合してなるランプにおい
て、穴の内周と電極外周との接合部における穴の内周部
分の熱膨張係数を、接合部における電極外周部分の熱膨
張係数以下としたことにより、電極への通電時に封止部
材及び電極が熱膨張しても、電極外周が穴の内周を圧迫
する状態となるため、両者が剥離することはない。
【0009】また、常温に戻した際の残留応力を考慮す
ると、熱膨張した封止部材及び電極は、共に弾性変形領
域内にあるようにすればよい。
【0010】本発明は、また、少なくとも導電性材料を
含有する封止部材を絶縁性封止管の端部開口に位置さ
せ、封止部材外周と開口内周との間隙を封着するととも
に、封止部材に形成された穴の内周に、電極外周を接合
してなるランプにおいて、電極への通電時における穴の
内周と電極外周との距離が、電極への非通電時における
距離以下になるように、穴の内周と電極外周との接合部
における穴の内周部分の熱膨張係数と、同接合部におけ
る電極外周部分の熱膨張係数とを設定することにより、
電極への通電時に封止部材及び電極が熱膨張しても、両
者の距離は変化しないか又は小さくなる方向に変化する
ため、両者が剥離することはない。
【0011】この場合、接合部における穴の内周の熱膨
張係数が、接合部における電極外周の熱膨張係数を越え
たとしても、両者の距離が実質的に大きくならなければ
良い。
【0012】好適な実施形態として電極をW(熱膨張係
数;4.40×10−[1/K])とすれば、接合部
における穴の内周の熱膨張係数は、接合部における電極
外周の熱膨張係数に3×10−[1/K]を加えた値
以下であれば良い。
【0013】本発明において、封止部材が導電性材料と
絶縁性材料を含有する複合体であり、導電性材料が電極
より熱膨張係数が大きいものであり、絶縁性材料が電極
より熱膨張係数が小さいものである場合には、接合部に
おける電極外周部分の熱膨張係数よりも小さい熱膨張係
数となるように、あるいは電極への通電時における穴の
内周と電極外周との距離が電極への非通電時における距
離以下になるように、接合部における穴の内周部分の導
電性材料と絶縁性材料の含有比率を設定すれば良い。
【0014】また、本発明は、MoとSiO2を含有す
る複合体を絶縁性封止管の端部開口に位置させ、複合体
外周と開口内周との間隙を封着するとともに、複合体に
形成された穴の内周にWからなる電極外周を接合してな
るランプにおいて、穴の内周と電極外周との接合部にお
ける穴の内周部分を、MoとSiO2の総量を100と
すると、80vol%以下のMoを含有するよう構成す
ることにより、電極への通電時に封止部材及び電極が熱
膨張しても、両者の距離は変化しないか又は小さくなる
方向に変化するため、両者が剥離することはない。ちな
みに、両者の熱膨張係数が一致するのは、70vol%
以下のMoを含有するよう構成した場合である。
【0015】尚、複合体に導電機能を持たせるために
は、接合部における穴の内周部分は10vol%以上の
Moの含有することが望ましく、この場合、接合部にお
ける抵抗値を低減し、その電力損失をランプ使用に差し
つかえない程度まで下げるためには、15vol%以上
のMoの含有することが好ましい。
【0016】好適な実施形態としては、50vol%以
下のMoを含有することが望ましい。なぜならば、Mo
の含有量が多すぎると、MoとSiO2の複合体が焼成
時に完全に焼結しきれずに、内封物質が複合体内部を通
過する可能性が有るからである。また複合体は、穴の内
周部分のみならず、その外端部においても50vol%
以下のMoを含有することが望ましい。なぜならば、そ
の外端部が酸素と接触する使用形態では、Mo成分が酸
化するからである。
【0017】本発明は、複合体外周の前記封止管と封着
される部分における導電性材料に対する絶縁性材料の存
在比率を、接合部における存在比率より大きく設定する
ことができる。この場合、複合体外周の封止管と封着さ
れる部分は絶縁性材料の存在比率が大きいため、絶縁性
封止管と熱膨張係数を近似させることができ、封止部材
外周と封止管開口内周との間隙の封着部に、熱膨張差に
起因するクラックが発生するのを防止できる。
【0018】本発明は、また、複合体の封止管内方端部
における導電性材料に対する絶縁性材料の存在比率を、
接合部における存在比率より大きく設定することができ
る。この場合、複合体の封止管内方端部では絶縁性材料
の存在比率が大きいため、電極から複合体へのバックア
ーク現象の発生を低減することができる。
【0019】さらに本発明は、接合部を、電極の軸方向
に少なくとも1mm以上形成することにより、接合部に
おける抵抗値を低減し、その電力損失をランプ使用に差
しつかえない程度まで下げることができる。
【0020】本発明のさらなる実施形態としては、穴の
内周部分が、接合部と、接合部より封止管内方に位置し
て電極外周との間に間隙を形成する非接合部とを有する
ように構成することができる。
【0021】すなわち、電極への通電時に、穴の内周の
熱膨張は弾性変形領域内でありながら、電極の熱膨張が
弾性変形領域を越える可能性があり、この場合、常温に
戻すと、両者の残留応力差に基づき両者の接触面からク
ラックが生じる可能性があるが、上述した構成にすれ
ば、接合部より封止管の内方側には間隙が形成されるた
め、前述した残留応力差が生じたとしてもクラックの発
生を防止することができる。
【0022】本発明は、また、導電性材料と絶縁性材料
を含有する複合体を絶縁性封止管の端部開口に位置さ
せ、複合体外周と開口内周との間隙を封着するととも
に、複合体に形成された穴の内周に電極外周を接合して
なるランプにおいて、穴の内周が、接合部と、接合部よ
り封止管内方に位置して電極外周との間に間隙を形成す
る非接合部とを有するように構成することができる。
【0023】すなわち、電極通電時に、その発熱により
複合体の穴の内周部に含有される絶縁性材料が軟化して
弾性変形しなくなる可能性があり、この場合、常温に戻
すと、複合体中の他の弾性変形する部分との応力差によ
りクラックが生じる可能性があるが、上述した構成にす
れば、接合部より封止管の内方側には間隙が形成される
ため、複合体の穴の内周部は電極の発熱の影響を受けに
くくなり、含有される絶縁性材料の軟化を低減すること
ができる。また、仮に軟化したとしても、穴の内周部と
電極は接していないため、両者間で熱応力が発生するこ
とはない。尚、間隙は、電極の径に対して少なくとも1
%以上設けることが好ましい。
【0024】本発明の好適な実施形態としては、非接合
部における導電性材料に対する絶縁性材料の存在比率
を、接合部における存在比率より大きく設定することが
できる。この場合、非接合部では絶縁性材料の存在比率
が大きいため、電極から複合体へのバックアーク現象の
発生を低減することができる。
【0025】具体的には、非接合部における導電性材料
の含有量を30vol%以下にすることにより、電極か
ら複合体へのバックアーク現象の発生を低減することが
できる。
【0026】以上の本発明の好適な実施形態としては、
封止管内方に開口した有底形状の穴に、封止管内方側か
ら電極を挿入する形態のランプに本発明を適用すること
ができる。この場合、封止管の内封物質が穴を介して封
止管外部に漏出することを防止できる。
【0027】別の実施形態としては、封止管外方に開口
した有底形状の穴に、封止管内方側から電極を挿入する
形態のランプに本発明を適用することができる。
【0028】更に別の形態としては、封止管内外方に開
口した貫通穴に、電極を挿通する形態のランプに本発明
を適用することができる。この場合、封止管の内封物質
が貫通穴を介して封止管外部に漏出することを防止する
ために何等かの対策を講じることが好ましい。
【0029】
【発明の実施の形態】図1は、本発明の一実施形態とし
ての放電灯を示すものであり。参照符号1はシリカから
なる発光管、1aは開口、2は封止部材である。封止部
材2には、導電部2a、封着部2bが形成され、導電部
2aには、タングステンからなる内部電極3が内側から
固定され、モリブデンからなる外部電極4が外側から固
定されている。また、封着部2bは、発光管内(電極3
側)と外部とを発光管1の溶着により気密に封着してい
る。そして、発光管1内部には、内部電極3の放電に寄
与する充填物質が内封されている。
【0030】図から分かるように、導電部2aはモリブ
デンリッチ、封着部2bはシリカリッチに形成されてお
り、モリブデンリッチの部分からシリカリッチの部分に
かけては、モリブデンとシリカの存在比率が徐々に変化
するように構成されている。
【0031】このように、モリブデンリッチとシリカリ
ッチの2つの部分を有することにより、モリブデンリッ
チ部分では内部電極3との導通を図ることができるとと
もに、シリカからなる発光管1との封着を、発光管1と
熱膨張係数が近似するシリカリッチ部分で行うことによ
り、熱膨張差に起因する封着部のクラック発生を防止で
きる。
【0032】また、封止部材2の放電空間に面する側を
シリカリッチ部分にて構成することにより、内部電極3
への通電時に、内部電極3から封止部材2へ短絡的に放
電する所謂バックアーク現象の発生を低減できるのであ
る。このようにバックアーク現象の発生を防止するに
は、シリカリッチ部分では、シリカとモリブデンの総量
を100とした場合、モリブデン含有量を30vol%
以下とするのが好ましい。
【0033】図2は、封止部材2と内部電極3の接合状
態を示す図であり、封止部材2と外部電極4との接合状
態は省略してある。図から分かるように、封止部材2の
封着部2b側(放電空間側)には、有底形状の穴2cが
穿設されており、内部電極3が穴2cの底部に当接する
まで挿入されている。穴2cは、その底部側からφd1
の小径部、φd2の大径部が形成されており、大径部内
周面と内部電極3外周との間には間隙Dが形成されてい
る。
【0034】穴2cの大径部内周と内部電極3の外周と
は、電気的導通を図るための接合部Sを形成している。
この接合部Sは、1600℃以上で焼成することによ
り、その際の焼成収縮を利用して機械的にかしめてい
る。そして、ピーク温度で1分以上、好ましくは5分以
上保持することにより、接合面全体にわたって完全な接
合を可能にしている。
【0035】この接合部Sについての詳細を図3に示
す。図3は、封止部材2中における、その外端からの距
離とモリブデン含有量との関係を示すと共に、封止部材
2と内部電極3との位置関係及び接合部Sの位置を示し
ており、図から分かるように、接合部Sは大径部の軸方
向全長に亘って形成されてはおらず、穴2cの底部側か
ら図に示す長さaの範囲でのみ形成されている。
【0036】この長さaは短すぎると、接合部Sの抵抗
値が大きくなり過ぎて、内部電極3への通電時の電力損
失が大きすぎる問題が生じ、逆に長すぎると、発光管1
の長さが長くなる問題が生じるため、本実施形態では、
1mm、好ましくは2mmに設定している。
【0037】一方、接合面Sにおける封止部材2側の成
分についてであるが、本実施形態ではモリブデンの含有
量を10vol%〜70vol%の範囲に設定してい
る。
【0038】すなわち、内部電極3への通電時すなわち
放電灯使用時には、接合部S近傍は800℃程度まで温
度上昇するため、接合部Sを形成する内部電極部分及び
封止部材部分は共に熱膨張するのであるが、モリブデン
の含有量が70vol%を越えると、封止部材部分の熱
膨張が内部電極部分の熱膨張を越えるため、封止部材部
分と内部電極部分間に間隙が生じて接合部Sが剥離して
しまう。これが、上限値を規定する理由である。
【0039】以上について図4を用いて詳細に説明する
と、図4は、シリカとモリブデンの総量を100とした
場合のモリブデン含有量に対する熱膨張係数の関係を示
しており、モリブデン含有量が0の場合はシリカに等し
い0.5×10−[1/K]、モリブデン含有量が7
0vol%の場合は、内部電極3を構成するタングステ
ンに等しい4.40×10−[1/K]、モリブデン
含有量が100%の場合はモリブデンに等しい5.0×
10−[1/K]となることが分かる。
【0040】しかしながら、接合部Sにおけるモリブデ
ン含有量及び熱膨張係数は、必ずしも70vol%以下
及び4.40×10−[1/K]以下である必要はな
い。なぜなら、モリブデン含有量及び熱膨張係数が前述
した値を多少越えたとしても、放電灯使用時に接合部S
における封止部材部分と内部電極部分間に間隙が生じな
ければ良いからである。以上のことから本実施形態で
は、モリブデン含有量及び熱膨張係数は、前述した値に
厳密に規定されることはなく、80vol%以下又は
4.70×10−[1/K]に規定されるのである。
【0041】尚、モリブデン含有量の上限値は、上述し
た70vol%より小さい50vol%以下にすること
がより好ましい。なぜならば、Moの含有量が多すぎる
と、MoとSiO2の複合体が焼成時に完全に焼結しき
れずに、内封物質が複合体内部を通過する可能性が有る
からである。また複合体は、穴の内周部分のみならず、
その外端部においても50vol%以下のMoを含有す
ることが望ましい。なぜならば、その外端部が酸素と接
触する使用形態では、Mo成分が酸化するからである。
【0042】接合面Sにおけるモリブデンの含有量の上
限値は以上説明したとおりであるが、その下限値は、ま
ず接合部Sにおける導電を可能にするためには10vo
l%以上、次に接合部Sの抵抗値を放電灯使用時に問題
がない程度まで低減させるためには15vol%以上で
あることが望ましい。尚、図3は、このような上下限値
と電極の長さの関係を模式的に示したものであって、そ
の縦軸の目盛りは等幅ではない。
【0043】続いて、図2に戻って、大径部内周面と内
部電極3外周との間に形成された間隙Dについて詳説す
る。すなわち、本実施形態では、放電灯使用時であって
も、接合部Sは800℃程度までしか温度上昇しないよ
うにしているため、接合部Sにおける封止部材部分と内
部電極部分が熱膨張したとしても、両者は弾性変形領域
内であるため、常温に戻った後に両者に残留応力差が生
じることはない。
【0044】しかしながら、接合部Sより放電空間側の
部分、例えば穴2cの開口部付近では、1100℃程度
まで温度上昇する可能性があり、このように高温になる
と以下のような2つの問題が生じる。
【0045】第1は、相対的に熱膨張係数が大きいタン
グステンからなる内部電極3が、弾性変形領域を越える
場合であり、こうなると、常温に戻した際に、相対的に
熱膨張係数が小さく弾性変形領域内の穴2c内周は、元
の形状に収縮するにも拘わらず、内部電極3が膨張した
ままで両者の間に残留応力差が働き、クラックが発生す
る畏れである。
【0046】第2は、穴2cの特に開口部付近には多く
含まれるシリカが軟化温度を越える場合であり、こうな
ると、常温に戻した際に、封止部材2に含まれるモリブ
デンは収縮するにも拘わらず、軟化したシリカは収縮せ
ず、両者の間に残留応力差が働き、クラックが発生する
畏れである。
【0047】以上2つの間題は、何れも穴2cの内周部
分が内部電極3に近接して高温になるために生じるもの
であるから、接合部Sよりも放電空間側では、大径部内
周面と内部電極3外周との間に間隙Dを形成することに
より、穴2cの内周部分の温度を低下させているのであ
る。この間隙Dの寸法については、内部電極3の1%以
上にすることが好ましい。
【0048】尚、図2においては、封止部材2と外部電
極4との接合状態は省略してあるが、外部電極4につい
ても内部電極2と同様に、封止部材2の外方から穿設さ
れた外方穴に挿入、接合すれば良い。この場合、内部電
極2と同様に、その接合部における封止部材部分の熱膨
張が外部電極部分の熱膨張を越えないようにすれば良
く、また、外方穴と穴2cは連通させないほうが、発光
管1の充填物質の漏出防止という観点からは望ましい。
【0049】しかしながら、外方穴と穴2cを連通さ
せ、内部電極3と外部電極4を1本の電極として、これ
らの接合部に本実施形態の特徴を適用してもよいが、こ
の場合、発光管1の充填物質の漏出防止のために何等か
の手段を講じる必要はある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施形態としての放電灯を示す図
【図2】 封止部材2と内部電極3の接合状態を示す図
【図3】 封止部材2中におけるモリブデン含有分布を
示す図
【図4】 モリブデン含有量に対する熱膨張係数の関係
を示す図
【符号の説明】
1…発光管、1a…開口、2…電極構造体、2a…導電
部、2b…封着部、2c…穴、3…内部電極、4…外部
電極、D…間隙、S…接合部

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】少なくとも導電性材料を含有する封止部材
    を絶縁性封止管の端部開口に位置させ、前記封止部材外
    周と前記開口内周との間隙を封着するとともに、前記封
    止部材に形成された穴の内周に、電極外周を接合してな
    るランプにおいて、 前記穴の内周と前記電極外周との接合部における前記穴
    の内周部分の熱膨張係数を、同接合部における前記電極
    外周部分の熱膨張係数以下としたことを特徴とするラン
  2. 【請求項2】少なくとも導電性材料を含有する封止部材
    を絶縁性封止管の端部開口に位置させ、前記封止部材外
    周と前記開口内周との間隙を封着するとともに、前記封
    止部材に形成された穴の内周に、電極外周を接合してな
    るランプにおいて、 前記電極への通電時における前記穴の内周と前記電極外
    周との距離が、前記電極への非通電時における前記距離
    以下になるように、前記穴の内周と前記電極外周との接
    合部における前記穴の内周部分の熱膨張係数と、同接合
    部における前記電極外周部分の熱膨張係数とを設定した
    ことを特徴とするランプ
  3. 【請求項3】前記電極がWであり、 前記接合部における前記穴の内周の熱膨張係数が、前記
    接合部における前記電極外周の熱膨張係数に3×10−
    [1/K]を加えた値以下であることを特徴とする請
    求項2記載のランプ
  4. 【請求項4】前記封止部材は、導電性材料と絶縁性材料
    を含有する複合体であって、 前記導電性材料が前記電極より熱膨張係数が大きいもの
    であり、 前記絶縁性材料が前記電極より熱膨張係数が小さいもの
    であるとともに、 前記接合部における前記穴の内周部分は、前記導電性材
    料と前記絶縁性材料を共に含むことを特徴とする請求項
    1〜3の何れか記載のランプ
  5. 【請求項5】MoとSiO2を含有する複合体を絶縁性
    封止管の端部開口に位置させ、前記複合体外周と前記開
    口内周との間隙を封着するとともに、前記複合体に形成
    された穴の内周にWからなる電極外周を接合してなるラ
    ンプにおいて、 前記穴の内周と前記電極外周との接合部における前記穴
    の内周部分を、MoとSiO2の総量を100とする
    と、80vol%以下のMoを含有するよう構成したこ
    とを特徴とするランプ
  6. 【請求項6】前記接合部における前記穴の内周部分は、
    MoとSiO2の総量を100とすると、50vol%
    以下のMoを含有することを特徴とする請求項5記載の
    ランプ
  7. 【請求項7】前記複合体外周の前記封止管と封着される
    部分における、前記導電性材料に対する前記絶縁性材料
    の存在比率は、前記接合部における前記存在比率より大
    きく設定されていることを特徴とする請求項1〜6の何
    れか記載のランプ
  8. 【請求項8】前記複合体の封止管内方端部における、前
    記導電性材料に対する前記絶縁性材料の存在比率は、前
    記接合部における前記存在比率より大きく設定されてい
    ることを特徴とする請求項1〜7の何れか記載のランプ
  9. 【請求項9】前記接合部は、前記電極の軸方向に少なく
    とも1mm以上形成されていることを特徴とする請求項
    1〜8の何れか記載のランプ
  10. 【請求項10】前記穴の内周部分は、 前記接合部と、前記接合部より前記封止管内方に位置し
    て前記電極外周との間に間隙を形成する非接合部とを有
    することを特徴とする請求項1〜9の何れか記載のラン
  11. 【請求項11】導電性材料と絶縁性材料を含有する複合
    体を絶縁性封止管の端部開口に位置させ、前記複合体外
    周と前記開口内周との間隙を封着するとともに、前記複
    合体に形成された穴の内周に、電極外周を接合してなる
    ランプにおいて、 前記穴の内周は、 前記接合部と、前記接合部より前記封止管内方に位置し
    て前記電極外周との間に間隙を形成する非接合部とを有
    することを特徴とするランプ
  12. 【請求項12】前記間隙は、前記電極の径に対して少な
    くとも1%以上設けることを特徴とする請求項10又は
    11記載のランプ
  13. 【請求項13】前記非接合部は、前記導電性材料に対す
    る前記絶縁性材料の存在比率が、前記接合部に比べて大
    きくなるよう設定されていることを特徴とする請求項1
    1記載のランプ
  14. 【請求項14】前記非接合部は、前記導電性材料の含有
    量が30vol%以下であることを特徴とする請求項1
    3記載のランプ
  15. 【請求項15】前記穴が、前記封止管内方に開口した有
    底形状であるとともに、 前記電極は、前記封止管内方側から前記穴に挿入される
    ことを特徴とする請求項1〜14記載のランプ
JP8359488A 1996-12-12 1996-12-12 ランプ Pending JPH10172514A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8359488A JPH10172514A (ja) 1996-12-12 1996-12-12 ランプ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8359488A JPH10172514A (ja) 1996-12-12 1996-12-12 ランプ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10172514A true JPH10172514A (ja) 1998-06-26

Family

ID=18464764

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8359488A Pending JPH10172514A (ja) 1996-12-12 1996-12-12 ランプ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10172514A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998047169A1 (fr) * 1997-04-11 1998-10-22 Ushio Denki Kabushiki Kaisya Joint d'ampoule
WO1999000825A1 (en) * 1997-06-30 1999-01-07 Ushio Denki Kabushiki Kaisya Plugging structure for vessels
WO1999013493A1 (fr) * 1997-09-08 1999-03-18 Ushio Denki Kabushiki Kaisya Element d'introduction d'electricite pour enceintes
WO1999017339A1 (fr) * 1997-09-30 1999-04-08 Ushio Denki Kabushiki Kaisya Bouchon etanche pour lampe a decharge
US6787996B1 (en) * 1999-04-06 2004-09-07 Ushiodenki Kabushiki Kaisha Lamp seal using functionally gradient material

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998047169A1 (fr) * 1997-04-11 1998-10-22 Ushio Denki Kabushiki Kaisya Joint d'ampoule
US6271627B1 (en) 1997-04-11 2001-08-07 Ushiodenki Kabushiki Kaisha Sealing body having a shielding layer for hermetically sealing a tube lamp
WO1999000825A1 (en) * 1997-06-30 1999-01-07 Ushio Denki Kabushiki Kaisya Plugging structure for vessels
US6107740A (en) * 1997-06-30 2000-08-22 Ushiodenki Kabushiki Kaisha Plugging structure for vessels
WO1999013493A1 (fr) * 1997-09-08 1999-03-18 Ushio Denki Kabushiki Kaisya Element d'introduction d'electricite pour enceintes
US6175188B1 (en) 1997-09-28 2001-01-16 Ushiodenki Kabushiki Kaisha Sealing body for a discharge lamp
WO1999017339A1 (fr) * 1997-09-30 1999-04-08 Ushio Denki Kabushiki Kaisya Bouchon etanche pour lampe a decharge
US6787996B1 (en) * 1999-04-06 2004-09-07 Ushiodenki Kabushiki Kaisha Lamp seal using functionally gradient material

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3020454A (en) Sealing of electrical semiconductor devices
JPH10172514A (ja) ランプ
US2934588A (en) Semiconductor housing structure
JPH0615256U (ja) 高圧放電ランプ
EP0160316B1 (en) Single-ended high intensity discharge lamp and manufacture
JP2005158352A (ja) ヒューズ付き電線
US6169366B1 (en) High pressure discharge lamp
US3534233A (en) Hermetically sealed electrical device
JPH10241622A (ja) 電子管
US3049792A (en) Method of making insulated terminals of the receptacle type
JPH1074576A (ja) イオン発生装置用放電電極
US3039175A (en) Sealing of electrical semiconductor devices
US6476464B1 (en) Low resistance hermetic lead structure
KR100242330B1 (ko) 진공밸브 및 이를 사용한 진공차단기
JP3142520B2 (ja) 電気導入端子の接続構造
JP3166523B2 (ja) 真空バルブ及びその製造方法並びに真空遮断器
US5772487A (en) Method for manufacturing metal halide lamp
JP2006313649A (ja) 電池及びその外装缶とキャップ缶の封止方法
US2825856A (en) Sealed semiconductor devices
JP3458756B2 (ja) 放電ランプ
JP2528941B2 (ja) ファイバ導入型パッケ―ジとその気密封止方法
JPH11176399A (ja) 非水電解質電池の気密端子
JP2819652B2 (ja) ウェルズおよび管球
CN109841983B (zh) 一种高温密封连接器及其制作方法
JPH05174679A (ja) 可溶合金型温度ヒューズ

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term