JPH10163510A - Infrared-detecting element - Google Patents
Infrared-detecting elementInfo
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- JPH10163510A JPH10163510A JP8323976A JP32397696A JPH10163510A JP H10163510 A JPH10163510 A JP H10163510A JP 8323976 A JP8323976 A JP 8323976A JP 32397696 A JP32397696 A JP 32397696A JP H10163510 A JPH10163510 A JP H10163510A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、赤外線検知素子に
関し、さらに詳しくは、入射赤外線の吸収により温度を
変え、その温度変化によって抵抗値を変える材料に関す
るものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an infrared detecting element, and more particularly, to a material which changes a temperature by absorbing incident infrared rays and changes a resistance value according to the temperature change.
【０００２】[0002]
【従来の技術】最近は、赤外線による光学機器の利用が
盛んになっており、夜間の監視や温度計測などに活用さ
れている。この応用の拡大に伴い、ボロメータ方式など
の熱型検出器による安価な赤外線検出器の開発が要望さ
れている。ボロメータ方式の赤外線検出器は、量子型の
検出器と比較して素子の冷却が不要であるため、低コス
トの赤外線検出器として提供できる利点を有している。2. Description of the Related Art In recent years, optical devices using infrared rays have been actively used, and are used for nighttime monitoring, temperature measurement, and the like. With the expansion of this application, development of an inexpensive infrared detector using a thermal detector such as a bolometer method has been demanded. The bolometer-type infrared detector does not require cooling of the element as compared with the quantum detector, and thus has an advantage that it can be provided as a low-cost infrared detector.
【０００３】ボロメータ方式の赤外線検出器は、入射し
た赤外線を受光部が吸収することにより受光部の温度を
変化させ、この受光部に配置した抵抗体の温度変化を抵
抗値の変化とし、この抵抗変化から該赤外線の放射強度
を電気信号として検出するものであるから、抵抗変化の
温度依存性（抵抗温度係数）が高ければ高いほど感度が
高くなる。このボロメータ方式の赤外線検出器に使われ
ている抵抗体材料として従来は、ＡｕやＢｉ、Ｎｉなど
の金属、または、酸化バナジウムやＳｉ、Ｇｅなどの半
導体材料などが通常使用されてきた。A bolometer type infrared detector changes the temperature of a light receiving section by absorbing incident infrared light by a light receiving section, and changes the temperature of a resistor disposed in the light receiving section into a change in resistance value. Since the radiation intensity of the infrared ray is detected as an electric signal from the change, the higher the temperature dependency (resistance temperature coefficient) of the resistance change, the higher the sensitivity. Conventionally, metals such as Au, Bi, and Ni, or semiconductor materials such as vanadium oxide, Si, and Ge have been generally used as a resistor material used in the bolometer-type infrared detector.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、金属の
抵抗温度係数は０．１％／Ｋ程度と小さく、また半導体
材料のＳｉや酸化バナジウムも１％／Ｋ程度であり、高
感度を得るためには十分とはいえない問題点があった。However, the temperature coefficient of resistance of a metal is as small as about 0.1% / K, and Si and vanadium oxide of a semiconductor material are also about 1% / K. There was a problem that was not enough.
【０００５】本発明は、このような問題点を解消するた
めになされたもので、高感度のボロメータ方式の赤外線
検出器を提供するため、高い抵抗温度係数の抵抗体によ
る赤外線検知素子を得ることを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such a problem. To provide a high-sensitivity bolometer type infrared detector, an infrared detecting element using a resistor having a high temperature coefficient of resistance has been obtained. With the goal.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明の赤外線検知素子
は、温度変化により抵抗を変える材料が、Ｒを三価の希
土類金属、Ａを二価のアルカリ土類金属、Ｍｎをマンガ
ン、Ｏを酸素として、Ｒ1-x Ａx ＭｎＯ3 （０＜ｘ＜
１）で示されるペロブスカイト型の結晶構造のＭｎ酸化
物であることを特徴とするものである。According to the infrared detecting element of the present invention, R is a trivalent rare earth metal, A is a divalent alkaline earth metal, Mn is manganese, and O is O. As oxygen, R 1-x A x MnO 3 (0 <x <
It is a Mn oxide having a perovskite-type crystal structure shown in 1).
【０００７】また、本発明の赤外線検知素子は、温度変
化により抵抗値を変える前記材料が、Ｌａ1-x Ｓｒx Ｍ
ｎＯ3 （０＜ｘ＜１）の化学式で示されるペロブスカイ
ト型の結晶構造のＭｎ酸化物であることを特徴とするも
のである。[0007] In the infrared detecting element of the present invention, the material whose resistance value changes with temperature change is La 1-x Sr x M
It is a Mn oxide having a perovskite crystal structure represented by a chemical formula of nO 3 (0 <x <1).
【０００８】また、本発明の赤外線検知素子は、温度変
化により抵抗値を変える前記材料が、Ｌａ1-x Ｃａx Ｃ
ａＯ3 （０＜ｘ＜１）の化学式で示されるペロブスカイ
ト型の結晶構造のＭｎ酸化物であることを特徴とするも
のである。[0008] The infrared sensing element of the present invention, the material changing the resistance value with temperature variation, La 1-x Ca x C
It is a Mn oxide having a perovskite crystal structure represented by a chemical formula of aO 3 (0 <x <1).
【０００９】また、本発明の赤外線検知素子は、温度変
化により抵抗値を変える前記材料が、Ｐｒ1-x Ｃａx Ｍ
ｎＯ3 （０＜ｘ＜１）の化学式で示されるペロブスカイ
ト型の結晶構造のＭｎ酸化物であることを特徴とするも
のである。Further, in the infrared detecting element of the present invention, the material whose resistance value changes according to a temperature change is Pr 1 -x Ca x M
It is a Mn oxide having a perovskite crystal structure represented by a chemical formula of nO 3 (0 <x <1).
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】以下に本発明の赤外線検知素子に
ついて詳細に説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the infrared detecting element of the present invention will be described in detail.
【００１１】本発明は、赤外線の入射光を吸収すること
により温度を変え、その温度変化により抵抗値を変える
ことによって該赤外線の放射強度の信号を読み出す方式
の赤外線検知素子において、温度変化により抵抗値を変
える材料が、Ｒを三価の希土類金属、Ａを二価のアルカ
リ土類金属、Ｍｎをマンガン、Ｏを酸素として、Ｒ1- x
Ａx ＭｎＯ3 （０＜ｘ＜１）の化学式で示される材料を
用いたことに特徴がある。According to the present invention, there is provided an infrared detecting element of a type in which a temperature is changed by absorbing incident light of infrared rays, and a resistance value is changed by the temperature change to read out a signal of the radiation intensity of the infrared rays. The material whose value is changed is such that R is a trivalent rare earth metal, A is a divalent alkaline earth metal, Mn is manganese, O is oxygen, and R 1− x
It is characterized by using a material represented by the chemical formula of A x MnO 3 (0 <x <1).
【００１２】Ｒ1-x Ａx ＭｎＯ3 はペロブスカイト型の
Ｍｎ酸化物であり、強磁性転移温度の近傍で巨大な磁気
抵抗効果をもつことが知られている。この転移温度より
も高温側では半導体的な電気伝導現象を示し、かつ高い
抵抗温度係数を有している。R 1-x A x MnO 3 is a perovskite-type Mn oxide, and is known to have a huge magnetoresistance effect near the ferromagnetic transition temperature. On the higher temperature side than the transition temperature, it exhibits a semiconductor-like electric conduction phenomenon and has a high temperature coefficient of resistance.
【００１３】本発明は、この半導体領域での高い抵抗温
度係数を赤外線検知素子として利用するものである。つ
ぎに、具体的な実施の形態により、本発明の赤外線検知
素子について、さらに詳細に説明する。The present invention utilizes the high temperature coefficient of resistance in the semiconductor region as an infrared detecting element. Next, the infrared detecting element of the present invention will be described in more detail with reference to specific embodiments.
【００１４】実施の形態１．図１は本発明の実施の形態
１に関する赤外線検知素子の断面説明図である。赤外線
検知素子の受光部１は、Ｓｉ基板２の上に、酸化シリコ
ンによるブリッジ構造体４によって熱絶縁ギャップ６を
形成し、そのブリッジ構造体４の上部に熱型の赤外線検
知回路を設けたものである。検知回路には、温度変化に
より抵抗値を変える抵抗体５が配置され、本発明の実施
の形態１ではＬａ1-x Ｓｒx ＭｎＯ３を使用した。検知
回路は、受光部１が赤外線を吸収することによる温度変
化によりＬａ１−ｘ Ｓｒx ＭｎＯ3 の抵抗値を変え、
抵抗体５の両端からブリッジ構造体４の支持脚を伝って
基板２まで配した配線３に、バイアス電圧を印加して信
号を検出するようになっている。また、受光部１の最外
層には、窒化シリコンによる保護膜７がコーティングさ
れ、抵抗体５を保護している。Embodiment 1 FIG. 1 is an explanatory sectional view of an infrared detecting element according to Embodiment 1 of the present invention. The light-receiving portion 1 of the infrared detecting element has a thermal insulation gap 6 formed on a Si substrate 2 by a bridge structure 4 made of silicon oxide, and a thermal infrared detecting circuit is provided on the bridge structure 4. It is. In the detection circuit, a resistor 5 that changes a resistance value according to a change in temperature is arranged. In the first embodiment of the present invention, La 1-x Sr x MnO 3 is used. The detection circuit changes the resistance value of La 1-x Sr x MnO 3 due to a temperature change caused by the light receiving unit 1 absorbing infrared light,
A bias voltage is applied to the wiring 3 arranged from both ends of the resistor 5 to the substrate 2 along the supporting legs of the bridge structure 4 to detect a signal. The outermost layer of the light receiving section 1 is coated with a protective film 7 made of silicon nitride to protect the resistor 5.
【００１５】図２は本発明の実施の形態１に関する赤外
線検知素子の斜視図である。この図において保護膜７は
記載していない。ブリッジ構造の支持脚８は受光部１の
断熱性を高めるために、細長い構造となっている。FIG. 2 is a perspective view of the infrared detecting element according to the first embodiment of the present invention. In this figure, the protective film 7 is not shown. The support legs 8 of the bridge structure have an elongated structure in order to enhance the heat insulation of the light receiving unit 1.
【００１６】赤外線検知素子の感度をあげるには、断熱
性をさらに高める必要があるため、受光部の周囲全体を
真空状態とする必要がある。図３は本発明の実施の形態
１に関する赤外線検知素子をマウントした真空容器の断
面説明図である。該真空容器は、セラミック製のステム
（基台）１１に前記赤外線検知素子１６を接着し、赤外
線透過窓１０を取り付けたキャップ１２を該検知素子１
６の前面に置き、ステム１１に気密に接着している。キ
ャップ１２の内部は排気管１３をとおして真空引きを行
い、該排気管１３の端面を封止して、最終的に真空容器
を得た。前記検知素子１６の信号は、ワイヤボンド１４
によって、素子の電極とステム１１を貫通している信号
ピン１５とを接続することにより、容器の外に取り出し
た。In order to increase the sensitivity of the infrared detecting element, it is necessary to further enhance the heat insulating property. Therefore, it is necessary to make the entire periphery of the light receiving section be in a vacuum state. FIG. 3 is an explanatory sectional view of a vacuum vessel mounted with the infrared detecting element according to the first embodiment of the present invention. In the vacuum vessel, the infrared detecting element 16 is adhered to a stem (base) 11 made of ceramic, and a cap 12 having an infrared transmitting window 10 is attached thereto.
6 and is hermetically bonded to the stem 11. The inside of the cap 12 was evacuated through the exhaust pipe 13 to seal the end face of the exhaust pipe 13 to finally obtain a vacuum container. The signal from the sensing element 16 is
By connecting the electrode of the element to the signal pin 15 penetrating the stem 11, the device was taken out of the container.
【００１７】Ｌａ1-x Ｓｒx ＭｎＯ3 の成膜はスパッタ
法により実施し、組成比を決めるｘはそれぞれ（Ａ）
０．０５、（Ｂ）０．２、（Ｃ）０．５とした。なお、
スパッタ法による成膜は一例であり、蒸着法やＣＶＤ法
などの他の成膜法を除外するものではない。The film formation of La 1-x Sr x MnO 3 is performed by a sputtering method, and x which determines the composition ratio is (A)
0.05, (B) 0.2 and (C) 0.5. In addition,
The film formation by the sputtering method is an example, and does not exclude other film formation methods such as an evaporation method and a CVD method.
【００１８】Ｌａ1-x Ｓｒx ＭｎＯ3 の抵抗温度係数の
測定は、前記赤外線検知素子を恒温槽にいれ、各温度で
の抵抗値測定を行った。測定は、通電時の自己発熱によ
る誤差をなるべく小さくするため、短時間のパルス電流
を流すことによる方法で行った。抵抗温度係数と温度と
の相関を図４に示す。For measuring the temperature coefficient of resistance of La 1-x Sr x MnO 3 , the infrared detecting element was placed in a thermostat and the resistance value was measured at each temperature. The measurement was performed by applying a short-time pulse current in order to minimize an error due to self-heating during energization. FIG. 4 shows the correlation between the temperature coefficient of resistance and the temperature.
【００１９】実施の形態２．本発明における実施の形態
２は、Ｌａ1-x Ｓｒx ＭｎＯ3 をＬａ1-x Ｃａx ＭｎＯ
3 にした他は実施の形態１と同じである。Ｌａ1-x Ｃａ
x ＭｎＯ3 の成膜はスパッタ法により実施し、組成比を
決めるｘはそれぞれ（Ａ）０．３、（Ｂ）０．４とし
た。Ｌａ1-x Ｃａx ＭｎＯ3 の抵抗温度係数の測定は、
実施の形態１と同様の方法により行った。抵抗温度係数
と温度との相関を図５に示す。Embodiment 2 In the second embodiment of the present invention, La 1-x Sr x MnO 3 is replaced with La 1-x Ca x MnO 3.
The third embodiment is the same as the first embodiment except for the third . La 1-x Ca
x MnO 3 was deposited by a sputtering method, and x, which determines the composition ratio, was (A) 0.3 and (B) 0.4, respectively. Measurement of the temperature coefficient of resistance of La 1-x Ca x MnO 3
This was performed in the same manner as in the first embodiment. FIG. 5 shows the correlation between the temperature coefficient of resistance and the temperature.
【００２０】実施の形態３．本発明における実施の形態
３は、Ｌａ1-x Ｓｒx ＭｎＯ3 をＰｒ1-x Ｃａx ＭｎＯ
3 にした他は実施の形態１と同じである。Ｐｒ1-x Ｃａ
x ＭｎＯ3 の成膜はスパッタ法により実施し、組成比を
決めるｘはそれぞれ（Ａ）０．２５、（Ｂ）０．３とし
た。Ｐｒ1-x Ｃａx ＭｎＯ3 の抵抗温度係数の測定は、
実施の形態１と同様の方法により行った。抵抗温度係数
と温度との相関を図６に示す。Embodiment 3 Embodiment 3 of the present invention, the La 1-x Sr x MnO 3 Pr 1-x Ca x MnO
The third embodiment is the same as the first embodiment except for the third . Pr 1-x Ca
x MnO 3 was deposited by sputtering, and x, which determines the composition ratio, was (A) 0.25 and (B) 0.3, respectively. The measurement of the temperature coefficient of resistance of Pr 1-x Ca x MnO 3
This was performed in the same manner as in the first embodiment. FIG. 6 shows the correlation between the temperature coefficient of resistance and the temperature.
【００２１】実施の形態４．図７は本発明の実施の形態
４に関する赤外線検知素子の断面説明図である。赤外線
の受光部１は、Ｓｉ基板２に形成した凹部の上に酸化シ
リコンのブリッジ構造体４によって熱絶縁ギャップ６を
形成し、該ブリッジ構造体４の上部に熱型の赤外線検知
回路を設けたものである。検知回路の抵抗体５には、実
施の形態１と同様に、Ｌａ1-x Ｓｒx ＭｎＯ3 を使用し
た。検知回路は、受光部が赤外線を吸収することによっ
て変わる温度をＬａ1-x Ｓｒx ＭｎＯ3 の抵抗変化に変
え、抵抗体５の両端からブリッジ構造体４の支持脚を伝
って基板まで配した配線３により信号を検出するように
なっている。また、受光部１の最外層には、窒化シリコ
ンによる保護膜７がコーティングされ、抵抗体５を保護
している。Embodiment 4 FIG. FIG. 7 is an explanatory sectional view of an infrared detecting element according to Embodiment 4 of the present invention. In the infrared light receiving section 1, a thermal insulating gap 6 is formed by a silicon oxide bridge structure 4 on a concave portion formed in a Si substrate 2, and a thermal infrared detection circuit is provided on the bridge structure 4. Things. La 1-x Sr x MnO 3 was used for the resistor 5 of the detection circuit, as in the first embodiment. The detection circuit changes the temperature changed by the absorption of infrared rays by the light receiving section into a resistance change of La 1-x Sr x MnO 3 , and is arranged from both ends of the resistor 5 to the substrate via the support legs of the bridge structure 4. The signal is detected by the wiring 3. The outermost layer of the light receiving section 1 is coated with a protective film 7 made of silicon nitride to protect the resistor 5.
【００２２】図８は本発明の実施の形態４に関する赤外
線検知素子を上部からみた説明図である。図中の斜線は
熱絶縁のためのギャップとブリッジ構造体４の支持脚８
を形成するためにエッチング液を浸透させるエッチング
ホール９である。ブリッジ構造体４の支持脚８は断熱性
をあげるために細長い構造となっている。FIG. 8 is an explanatory diagram of an infrared detecting element according to Embodiment 4 of the present invention as viewed from above. The hatched lines in the figure indicate gaps for thermal insulation and supporting legs 8 of the bridge structure 4.
Is an etching hole 9 through which an etching solution is permeated to form a hole. The support legs 8 of the bridge structure 4 have an elongated structure to enhance heat insulation.
【００２３】実施の形態５．本発明における実施の形態
５は、図９のように実施の形態１の検知部を、同一の基
板上に２次元のアレイ状に並べたものである。ビデオ信
号を得るために、１つの受光部を１つの画素とし、信号
読み出しのためのバイアス電圧を各画素に順次印加する
ための走査回路を基板に設けている。このようにして作
製された素子は、該基板の前面に赤外線用の光学レンズ
を配置し、基板が焦点面となるようにして、赤外線の画
像が表示できる素子とした。Embodiment 5 In the fifth embodiment of the present invention, the detection units of the first embodiment are arranged in a two-dimensional array on the same substrate as shown in FIG. In order to obtain a video signal, one light receiving unit is one pixel, and a scanning circuit for sequentially applying a bias voltage for signal reading to each pixel is provided on the substrate. The device fabricated in this manner was a device capable of displaying an infrared image by disposing an infrared optical lens on the front surface of the substrate so that the substrate was the focal plane.
【００２４】なお、図９に記載した画素のアレイは、全
画素の一部を示したもので、アレイの数を制限するもの
ではない。The array of pixels shown in FIG. 9 shows only a part of all pixels, and does not limit the number of arrays.
【００２５】以上のようにして、温度変化により抵抗を
変える材料が、Ｒを三価の希土類金属、Ａを二価のアル
カリ土類金属、Ｍｎをマンガン、Ｏを酸素として、Ｒ
1-x Ａx ＭｎＯ3 （０＜ｘ＜１）の化学式で示される高
い抵抗温度係数を持つペロブスカイト型の結晶構造のＭ
ｎ酸化物を用いることにより、赤外線の入射光を吸収す
ることにより温度を変え、その温度変化により抵抗値を
変えることによって該赤外線の放射強度の信号を読み出
す方式の、高感度の赤外線検知素子を得た。As described above, a material whose resistance changes according to a temperature change is as follows: R is a trivalent rare earth metal, A is a divalent alkaline earth metal, Mn is manganese, and O is oxygen.
M of a perovskite type crystal structure having a high temperature coefficient of resistance represented by the chemical formula of 1-x A x MnO 3 (0 <x <1)
By using n-oxide, the temperature is changed by absorbing the incident light of infrared rays, and the resistance value is changed by the temperature change to read out the signal of the radiation intensity of the infrared rays. Obtained.
【００２６】[0026]
【発明の効果】本発明の赤外線検知素子によれば、赤外
線の入射光を吸収することにより温度を変え、その温度
変化により抵抗値を変えることによって該赤外線の放射
強度の信号を読み出す方式の赤外線検知素子において、
温度変化により抵抗を変える材料が、Ｒを三価の希土類
金属、Ａを二価のアルカリ土類金属、Ｍｎをマンガン、
Ｏを酸素として、Ｒ1-x Ａx ＭｎＯ3 （０＜ｘ＜１）の
化学式で示されるペロブスカイト型の結晶構造のＭｎ酸
化物としたので、従来よりも高感度の赤外線検知素子を
得られる効果がある。According to the infrared detecting element of the present invention, the temperature is changed by absorbing the infrared incident light, and the resistance value is changed by the temperature change to read out the signal of the infrared radiation intensity. In the sensing element,
Materials that change resistance according to temperature changes are: R is a trivalent rare earth metal, A is a divalent alkaline earth metal, Mn is manganese,
Since O is used as oxygen and a perovskite-type crystal structure of Mn oxide represented by the chemical formula of R 1-x A x MnO 3 (0 <x <1), an infrared sensing element with higher sensitivity than before can be obtained. effective.
【００２７】また、本発明の赤外線検知素子によれば、
温度変化により抵抗値を変える前記材料が、Ｌａ1-x Ｓ
ｒx ＭｎＯ3 の化学式で示されるペロブスカイト型の結
晶構造のＭｎ酸化物としたので、従来よりも高感度の赤
外線検知素子を得られる効果がある。According to the infrared detecting element of the present invention,
The material whose resistance value changes with temperature change is La 1-x S
Since the Mn oxide has a perovskite-type crystal structure represented by the chemical formula of r x MnO 3 , there is an effect that an infrared detecting element having higher sensitivity than before can be obtained.
【００２８】また、本発明の別の赤外線検知素子によれ
ば、温度変化により抵抗値を変える前記材料が、Ｌａ
1-x Ｃａx ＭｎＯ3 の化学式で示されるペロブスカイト
型の結晶構造のＭｎ酸化物であるものとしたので、従来
よりも高感度の赤外線検知素子を得られる効果がある。According to another infrared detecting element of the present invention, the material whose resistance value changes with temperature change is La.
Since the perovskite-type Mn oxide represented by the chemical formula of 1-x Ca x MnO 3 is used, an infrared detecting element having higher sensitivity than before can be obtained.
【００２９】また、本発明の別の赤外線検知素子によれ
ば、温度変化により抵抗値を変える前記材料が、Ｐｒ
1-x Ｃａx ＭｎＯ3 の化学式で示されるペロブスカイト
型の結晶構造のＭｎ酸化物であるものとしたので、従来
よりも高感度の赤外線検知素子を得られる効果がある。According to another infrared detecting element of the present invention, the material whose resistance value changes with temperature change is Pr
Since the perovskite-type Mn oxide represented by the chemical formula of 1-x Ca x MnO 3 is used, an infrared detecting element having higher sensitivity than before can be obtained.
【図１】 本発明の実施の形態１の受光部の構造を示す
断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a structure of a light receiving unit according to Embodiment 1 of the present invention.
【図２】 本発明の実施の形態１の受光部の斜視図であ
る。FIG. 2 is a perspective view of a light receiving unit according to the first embodiment of the present invention.
【図３】 本発明の実施の形態１に用いた真空容器の断
面図である。FIG. 3 is a sectional view of a vacuum vessel used in the first embodiment of the present invention.
【図４】 Ｌａ1-x Ｓｒx ＭｎＯ3 の抵抗温度係数と温
度との相関を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a correlation between the temperature coefficient of resistance of La 1-x Sr x MnO 3 and temperature.
【図５】 Ｌａ1-x Ｃａx ＭｎＯ3 の抵抗温度係数と温
度との相関を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a correlation between the temperature coefficient of resistance of La 1-x Ca x MnO 3 and temperature.
【図６】 Ｐｒ1-x Ｃａx ＭｎＯ3 の抵抗温度係数と温
度との相関を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a correlation between the temperature coefficient of resistance of Pr 1-x Ca x MnO 3 and temperature.
【図７】 本発明の実施の形態４の受光部の構造を示す
断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a structure of a light receiving unit according to a fourth embodiment of the present invention.
【図８】 本発明の実施の形態４の受光部の構造を上部
から見た説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram of a structure of a light receiving unit according to a fourth embodiment of the present invention as viewed from above.
【図９】 本発明の実施の形態５の画素のアレイ状態を
示す図である。FIG. 9 is a diagram showing an array state of pixels according to the fifth embodiment of the present invention.
１ 受光部、２ Ｓｉ基板、３ 配線、４ ブリッジ構
造体、５ 抵抗体、６ギャップ、７ 保護膜、８ 支持
脚、９ エッチングホール、１０ 赤外線透過窓、１１
ステム、１２ キャップ、１３ 排気管、１４ ワイ
ヤボンド、１５ 信号ピン、１６ 赤外線検知素子。Reference Signs List 1 light receiving unit, 2 Si substrate, 3 wiring, 4 bridge structure, 5 resistor, 6 gap, 7 protective film, 8 support leg, 9 etching hole, 10 infrared transmission window, 11
Stem, 12 cap, 13 exhaust pipe, 14 wire bond, 15 signal pin, 16 infrared detecting element.
Claims (4)
度を変え、その温度変化により抵抗値を変えることによ
って該赤外線の放射強度の信号を読み出す方式の赤外線
検知素子において、温度変化により抵抗値を変える材料
が、Ｒを三価の希土類金属、Ａを二価のアルカリ土類金
属、Ｍｎをマンガン、Ｏを酸素として、Ｒ1-x Ａx Ｍｎ
Ｏ3 （０＜ｘ＜１）で示されるペロブスカイト型の結晶
構造のＭｎ酸化物であることを特徴とする赤外線検知素
子。1. An infrared detecting element of a type in which a temperature is changed by absorbing incident infrared light, and a resistance value is changed by the temperature change to read out a signal of the infrared radiation intensity. The material to be changed is R 1-x A x Mn, where R is a trivalent rare earth metal, A is a divalent alkaline earth metal, Mn is manganese, and O is oxygen.
An infrared sensing element comprising a Mn oxide having a perovskite crystal structure represented by O 3 (0 <x <1).
Ｌａ1-x Ｓｒx ＭｎＯ3 （０＜ｘ＜１）であることを特
徴とする請求項１記載の赤外線検知素子。2. A material for changing a resistance value according to a temperature change,
La 1-x Sr x MnO 3 infrared sensing element according to claim 1, wherein it is (0 <x <1).
Ｌａ1-x Ｃａx ＭｎＯ3 （０＜ｘ＜１）であることを特
徴とする請求項１記載の赤外線検知素子。3. A material for changing a resistance value according to a temperature change,
La 1-x Ca x MnO 3 infrared sensing element according to claim 1, wherein it is (0 <x <1).
Ｐｒ1-x Ｃａx ＭｎＯ3 （０＜ｘ＜１）であることを特
徴とする請求項１記載の赤外線検知素子。4. A material for changing a resistance value according to a temperature change,
Pr 1-x Ca x MnO 3 infrared sensing element according to claim 1, wherein it is (0 <x <1).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8323976A JPH10163510A (en) | 1996-12-04 | 1996-12-04 | Infrared-detecting element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8323976A JPH10163510A (en) | 1996-12-04 | 1996-12-04 | Infrared-detecting element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10163510A true JPH10163510A (en) | 1998-06-19 |
Family
ID=18160738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8323976A Pending JPH10163510A (en) | 1996-12-04 | 1996-12-04 | Infrared-detecting element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10163510A (en) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1996
- 1996-12-04 JP JP8323976A patent/JPH10163510A/en active Pending
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