JPH1015790A - Working method - Google Patents
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Landscapes
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ーハのような材料を研削砥石を使用して研削するグライ
ンダー装置、またはダイヤモンドブレードを使用して複
数のダイスに切断するためのダイシング装置等に適用さ
れる加工方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is applied to a grinder apparatus for grinding a material such as a semiconductor wafer using a grinding wheel, or a dicing apparatus for cutting a plurality of dies using a diamond blade. The processing method to be performed.
【0002】[0002]
【従来の技術】この種のグラインダー装置またはダイシ
ング装置は周知であり、例えばダイシング装置として
は、図5に示したような構成を有している。2. Description of the Related Art A grinder or dicing apparatus of this type is well known. For example, a dicing apparatus has a configuration as shown in FIG.
【0003】この従来例の装置においては、少なくとも
装置本体1には半導体ウエーハ2をダイシングするため
のチャックテーブル3と、ダイヤモンドブレード4が装
備されたスピンドル軸5とを備えている。チャックテー
ブル3は所定の移動機構を介しブレード4に対して直行
する方向に水平に移動できるように構成されている。ま
た、半導体ウエーハ2は所定のフレーム7に貼着テープ
6を介して貼着載置された状態で供給される。そして、
これらチャックテーブル3とダイヤモンドブレード4と
が位置する加工領域と、その加工領域を含む周囲が、例
えば透明なアクリル樹脂等からなる所謂アクリル板で形
成したカバー8により覆われている。In this conventional apparatus, at least the apparatus main body 1 is provided with a chuck table 3 for dicing a semiconductor wafer 2 and a spindle shaft 5 equipped with a diamond blade 4. The chuck table 3 is configured to be horizontally movable in a direction perpendicular to the blade 4 via a predetermined moving mechanism. Further, the semiconductor wafer 2 is supplied in a state of being stuck and placed on a predetermined frame 7 through an sticking tape 6. And
A processing area where the chuck table 3 and the diamond blade 4 are located, and a periphery including the processing area are covered with a cover 8 formed of a so-called acrylic plate made of, for example, a transparent acrylic resin.
【0004】チャックテーブル3上に載置された半導体
ウエーハ2は、切削水等の加工液を供給しながらブレー
ド4によりチップサイズに切削するものであるが、その
切削工程において加工屑である切り粉が発生し、その切
り粉がウエーハ表面に不純物として付着するという問題
点がある。この原因として、切削水の供給が充分でない
とか、或は切削水の供給が充分であったとしても、ウエ
ーハへの不純物による汚染防止のために、比抵抗の高い
純水が用いられるため、静電気の発生により切り粉がウ
エーハ表面に静電付着するという問題点を有している。A semiconductor wafer 2 mounted on a chuck table 3 is cut into a chip size by a blade 4 while supplying a processing liquid such as cutting water. Is generated, and the cutting powder adheres to the wafer surface as an impurity. The reason for this is that the supply of cutting water is not sufficient, or even if the supply of cutting water is sufficient, pure water with a high specific resistance is used to prevent contamination of the wafer by impurities. There is a problem that the cutting powder is electrostatically attached to the wafer surface due to the generation of the particles.
【0005】これらの問題点を解決するために、各種の
切削水供給ノズルが提案されると共に、純粋の比抵抗を
下げ、切り粉の静電付着を防止するために、純水に二酸
化炭素を混入して比抵抗を下げることが一般に行われて
いる。In order to solve these problems, various kinds of cutting water supply nozzles have been proposed, and carbon dioxide has been added to pure water in order to lower the pure specific resistance and prevent the electrostatic adhesion of chips. It is common practice to lower the specific resistance by mixing.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ウエー
ハをチップサイズに小さく切削加工を行う場合に、その
切削加工部とその近傍に加工液が供給されていること、
及び加工時間が長くなることからして、加工済み部分及
び未加工部分の汚染の可能性が高まり、研削水の供給ノ
ズルの改造のみでは、実質的に汚染の対応ができない実
情にある。また、二酸化炭素(炭酸ガス)の混入も混入
量を多くすれば、静電付着防止の効果は大きくなるが、
二酸化炭素の混入によって、純水を炭酸水に変えてしま
うので、pHが低下し、ウエーハ上に形成したパターン
が腐食したり、ブレードが腐食したりして、加工結果に
重大な問題点を引き起こすことになる。However, when a wafer is cut into small chips, a machining fluid is supplied to the cut portion and its vicinity.
In addition, since the processing time is long, the possibility of contamination of the processed portion and the unprocessed portion is increased, and it is difficult to substantially cope with the contamination only by modifying the supply nozzle of the grinding water. Also, if the amount of carbon dioxide (carbon dioxide) is increased, the effect of preventing electrostatic adhesion is increased.
The mixing of carbon dioxide turns pure water into carbonated water, which lowers the pH and corrodes the patterns formed on the wafer and corrodes the blades, causing serious problems in processing results. Will be.
【0007】更に、従来例としてのグラインダー装置に
おいては、ウエーハの研削加工に加工液として超純水が
用いられている。この超純水は絶縁体であることから、
研削時のホイールの高速回転により静電気が発生する。
この静電気の作用によって、ウエーハの加工屑である研
削粉が研削部とその周辺の装置側に付着し、長時間に渡
る装置の稼働によって付着した研削粉がセメント状に固
着した状態になってしまう。Further, in a grinder apparatus as a conventional example, ultrapure water is used as a processing liquid for grinding a wafer. Since this ultrapure water is an insulator,
High-speed rotation of the wheel during grinding generates static electricity.
Due to the action of the static electricity, the grinding powder, which is the processing dust of the wafer, adheres to the grinding portion and the peripheral device side, and the grinding powder adhered to the cement portion by the operation of the device for a long time becomes a state of cement. .
【0008】このように研削粉が固着してしまうと、ホ
イール交換時に支障を来すばかりでなく、固着した切削
粉がある程度の大きさに成長すると、装置内に落下した
りしてチャックテーブルを汚染したり、或は研削中のウ
エーハ上に落下して研削に悪影響を及ぼすことになる。
そこで、一般的には、定期的に清掃点検する以外にコン
タミネーション防止の対策はなかった。[0008] When the grinding powder is fixed as described above, not only does it hinder the replacement of the wheel, but when the fixed cutting powder grows to a certain size, it drops into the apparatus and causes the chuck table to fall. It may contaminate or fall on the wafer being ground, adversely affecting the grinding.
Therefore, in general, there has been no countermeasure for preventing contamination except for periodic cleaning and inspection.
【0009】従って、従来技術においては、ウエーハの
切削または研削加工等において、静電気による切り粉ま
たは切削粉からなる加工屑の付着防止に解決しなければ
ならない課題を有している。Therefore, the prior art has a problem to be solved in the prevention of the attachment of cutting chips or cutting chips made of cutting powder due to static electricity in wafer cutting or grinding.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】前記従来例の課題を解決
する具体的な手段として、本発明は、半導体ウエーハ等
の被加工物に加工液を供給しながら砥石で加工を施す加
工方法であって、加工屑によるコンタミネーションの付
着を防止するために加工領域を含む周囲の雰囲気を静電
気除去手段によって除電しながら加工を遂行することを
特徴とする加工方法を提供するものであり、被加工物の
加工が研削加工であり、使用される砥石が研削砥石であ
ること、及び被加工物の加工がダイシング加工であり、
使用される砥石がダイヤモンドブレードであること、更
に静電気除去手段が、イオン発生装置を経て供給される
イオン化されたエアーであることも含むものである。As a specific means for solving the problems of the conventional example, the present invention relates to a processing method for performing processing with a grindstone while supplying a processing liquid to a workpiece such as a semiconductor wafer. And a processing method for performing processing while removing static electricity by a static electricity removing means in a surrounding atmosphere including a processing area in order to prevent adhesion of contamination due to processing waste. Is grinding, the grindstone used is a grinding wheel, and the processing of the workpiece is dicing,
This includes that the grindstone used is a diamond blade, and that the means for removing static electricity is ionized air supplied through an ion generator.
【0011】本発明の加工方法においては、加工領域に
発生する静電気を除去しながら、加工を遂行するもので
あるから、加工屑が静電気によって被加工物または加工
部の周辺に付着しなくなるので、コンタミネーションの
付着が回避されると共に、清掃点検が著しく容易になる
のである。In the processing method of the present invention, since the processing is performed while removing the static electricity generated in the processing area, the processing waste does not adhere to the workpiece or the periphery of the processing portion due to the static electricity. Contamination is avoided and cleaning and inspection are significantly easier.
【0012】[0012]
【発明の実施の形態】次に、本発明を図示の実施例によ
り更に詳しく説明する。まず、図1〜2に示した第1実
施例は、半導体ウエーハのグラインダー装置を示すもの
であり、装置本体10の機台、即ちテーブル11の所定
位置にチャックテーブル12が配設され、該チャックテ
ーブル12は支持部材13により支持され、サーボモー
タ14により回転可能に配設されている。このサーボモ
ータ14はエンコーダー15によって回転駆動が制御さ
れるものであり、該エンコーダー15は後述するコンピ
ューターによって制御されるようになっている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in more detail with reference to the illustrated embodiments. First, a first embodiment shown in FIGS. 1 and 2 shows a semiconductor wafer grinder apparatus, in which a chuck table 12 is provided at a predetermined position of a machine body of an apparatus body 10, that is, a table 11, and the chuck table 12 is provided. The table 12 is supported by a support member 13 and is rotatably provided by a servomotor 14. The rotational drive of the servo motor 14 is controlled by an encoder 15, and the encoder 15 is controlled by a computer described later.
【0013】前記チャックテーブル12には、研削加工
に供せられる半導体ウエーハ2がそのままの状態で載置
され、適宜の吸引手段等によって吸着固定される構成に
なっている。The semiconductor wafer 2 to be subjected to grinding is mounted on the chuck table 12 as it is, and is suction-fixed by an appropriate suction means or the like.
【0014】チャックテーブル12の上部には、研磨手
段16が配設されている。この研磨手段16は、筒状の
胴部17と、該胴部の上部に取り付けられたモータ18
と、該モータによって駆動され前記胴部から下方に突出
したスピンドル19と、該スピンドルに取り付けられた
ホイール20と、該ホイールに着脱自在に取り付けられ
た砥石21とから構成されている。Above the chuck table 12, a polishing means 16 is provided. The polishing means 16 comprises a cylindrical body 17 and a motor 18 mounted on the upper part of the body.
A spindle 19 driven by the motor and projecting downward from the body, a wheel 20 attached to the spindle, and a grindstone 21 detachably attached to the wheel.
【0015】そして、胴部17は、テーブル11から起
立して設けた壁体22に対して、上下動可能に取り付け
られている。即ち、壁体22に縦方向に一対のレール2
3が設けられ、該レールに沿って上下動するスライド板
24が配設されている。このスライド板24に対し、胴
部17に取り付けられている支持板25がボルト等の適
宜の固定手段により固定され、スライド板24の上下動
によって研磨手段16が上下動するように構成されてい
る。The body 17 is vertically movably attached to a wall 22 provided upright from the table 11. That is, the pair of rails 2
3 is provided, and a slide plate 24 that moves up and down along the rail is provided. A support plate 25 attached to the body 17 is fixed to the slide plate 24 by appropriate fixing means such as bolts, and the polishing means 16 is vertically moved by the vertical movement of the slide plate 24. .
【0016】スライド板24の上下動は、壁体22の裏
面側に設けられた駆動部によって遂行される。即ち、ス
ライド板24の背面側に軸部27が一体に取り付けら
れ、該軸部は壁体22に設けられた溝状の貫通孔26を
貫通して壁体22の裏面側に突出させ、その突出した軸
部に直交する方向、即ち上下方向に配設したスクリュー
杆28に係合させて取り付けられている。The vertical movement of the slide plate 24 is performed by a drive unit provided on the back side of the wall 22. That is, the shaft portion 27 is integrally attached to the rear surface side of the slide plate 24, and the shaft portion penetrates the groove-shaped through hole 26 provided in the wall body 22 and projects to the rear surface side of the wall body 22. It is attached by being engaged with a screw rod 28 arranged in a direction perpendicular to the protruding shaft portion, that is, in a vertical direction.
【0017】スクリュー杆28は、その上下端部が軸受
けされ、上端部側にパルスモータ等の駆動部29が連結
され、該駆動部29の駆動によってスクリュー杆28が
回転し、それによって軸部27を上下動させ、スライド
板24及び研磨手段16が上下動することになる。The upper and lower ends of the screw rod 28 are supported, and a driving section 29 such as a pulse motor is connected to the upper end side. The driving of the driving section 29 causes the screw rod 28 to rotate. Is moved up and down, so that the slide plate 24 and the polishing means 16 move up and down.
【0018】そして、スライド板24及び研磨手段16
の上下動の度合いは、壁体22の背面側に設けられたリ
ニアスケール30の目盛りに対応して微妙に調整される
のである。つまり、軸部27から突出させてセンサー2
7aが設けられ、該センサーによってリニアスケール3
0の目盛りを読み取るようにし、その読み取った目盛り
情報に基づいて上下動の移動を調整するのである。The slide plate 24 and the polishing means 16
The degree of vertical movement is finely adjusted according to the scale of the linear scale 30 provided on the back side of the wall 22. That is, the sensor 2 is made to protrude from the shaft portion 27 and
7a is provided, and the linear scale 3 is
The scale of 0 is read, and the vertical movement is adjusted based on the read scale information.
【0019】このクラインダー装置10は、所謂コンピ
ューター31によって制御されており、前記チャックテ
ーブル12を駆動するサーボモーター14はサーボドラ
イバー32によって駆動され、その駆動状況はエンコー
ダー15によって情報として取り出され、その情報に基
づいでコンピューター31がサーボドライバー32を駆
動するのである。従って、チャックテーブル12は実質
的にコンピューター31によって制御されていることに
なる。The grinder apparatus 10 is controlled by a so-called computer 31. The servo motor 14 for driving the chuck table 12 is driven by a servo driver 32. The driving state is taken out as information by an encoder 15, and The computer 31 drives the servo driver 32 based on the information. Accordingly, the chuck table 12 is substantially controlled by the computer 31.
【0020】また、研削手段16を上下動させる駆動部
29は、パルスモータドライバー33によって駆動が制
御され、該パルスモータドライバー33はコンピュータ
31によって制御されている。従って、切削手段16
は、実質的にコンピューター31によって制御されてい
る。The driving of the driving unit 29 for moving the grinding means 16 up and down is controlled by a pulse motor driver 33, which is controlled by a computer 31. Therefore, the cutting means 16
Is substantially controlled by the computer 31.
【0021】このような構成のグラインダー装置10に
おいて、研削手段16の加工領域を囲むようにして、胴
部17の下方部分にはホイルカバー34が取り付けら
れ、該ホイルカバーにエアー供給用のホース35の一端
部が接続され、該ホースの他端部は静電気除去装置(イ
オナイザー)36に接続されている。In the grinder apparatus 10 having such a structure, a wheel cover 34 is attached to a lower portion of the body 17 so as to surround a processing area of the grinding means 16, and one end of an air supply hose 35 is attached to the wheel cover. The other end of the hose is connected to a static eliminator (ionizer) 36.
【0022】この場合の加工領域とは、胴部17の下方
で、チャックテーブル12を含み、胴部17から突出し
たスピンドル19、ホイール20及び砥石21が位置し
ている部分である。そして、加工領域に静電気除去装置
36でイオン化されたエアーがホース35を介して供給
され、加工領域の雰囲気を全面的に除電するようにして
いるのである。The processing region in this case is a portion below the body 17, including the chuck table 12, where the spindle 19, the wheel 20, and the grindstone 21 projecting from the body 17 are located. Then, the air ionized by the static eliminator 36 is supplied to the processing area via the hose 35, and the atmosphere in the processing area is completely discharged.
【0023】そして、実際の研削工程で、スピンドル1
9等の動的部分の摩擦等によって生じた静電気は、積極
的に除去されるようになり、チャックテーブル12にセ
ットされた半導体ウエーハ等を砥石21で研削した場合
に、加工屑の大半は切削液と共にテーブル11上を流れ
て除去されるが、周囲に飛び散ったり浮遊したりする加
工屑は、ホイルカバー34によって受け止められると共
に、加工領域内の胴部17の下面、スピンドル19の周
面及びホイール20の外周面に接触することになるが、
静電気が除去された状態にあるので、ほとんどが付着し
ないで流下して除去されてしまう。In the actual grinding process, the spindle 1
Static electricity generated by friction of dynamic parts such as 9 is positively removed, and when a semiconductor wafer or the like set on the chuck table 12 is ground by the grindstone 21, most of the processing waste is cut. Processing chips that are removed by flowing on the table 11 together with the liquid are scattered or floated around, are received by the wheel cover 34, and are also disposed on the lower surface of the body 17 in the processing area, the peripheral surface of the spindle 19, and the wheel. 20 will come into contact with the outer peripheral surface,
Since the static electricity has been removed, almost all of them are removed by flowing down without adhering.
【0024】前記の実施例は、加工領域において周囲の
雰囲気を除電することについて説明したが、グラインダ
ー装置においては、例えば加工領域及びその周辺がアク
リル樹脂等からなる透明なアクリル板で形成されたカバ
ー37によって覆われている場合があり、そのカバー3
7内の雰囲気が全面的に除電されれば良いのである。従
って、エアー供給用のホース35はカバー37の適宜位
置に接続し、該カバー内にイオン化されたエアーを供給
するようにすれば良い。尚、ホース35は異なった方向
から複数本接続するようにしても良い。In the above-described embodiment, the description has been given of the case where the surrounding atmosphere is eliminated in the processing area. However, in the grinder device, for example, the processing area and its periphery are formed of a transparent acrylic plate made of acrylic resin or the like. 37, and its cover 3
It suffices if the atmosphere in 7 is completely discharged. Therefore, the air supply hose 35 may be connected to an appropriate position on the cover 37 to supply ionized air into the cover. Incidentally, a plurality of hoses 35 may be connected from different directions.
【0025】いずれにしても、加工領域の雰囲気が除電
されていることが重要であり、その加工領域が所定の囲
いによって囲われている場合には、その囲いの内部を含
めて周囲の雰囲気と称することができる。In any case, it is important that the atmosphere in the processing area is neutralized, and when the processing area is surrounded by a predetermined enclosure, the surrounding atmosphere including the inside of the enclosure is removed. Can be called.
【0026】従って、加工領域にあっては、研削作業中
は継続して、その加工領域を含む周囲の雰囲気の静電気
が除去されているので、加工屑はその周辺部分に付着堆
積することがなくなるのである。Therefore, in the processing area, since the static electricity in the surrounding atmosphere including the processing area is continuously removed during the grinding operation, the processing waste does not adhere to the peripheral portion. It is.
【0027】また、図3〜4に示した第2実施例は、前
記従来例と同様のダイシング装置における要部の切削部
分を示すものである。このダイシング装置においても、
半導体ウエーハ等の被加工物を、ブレード38で切削す
るものであり、そのブレードは、スピンドル39に取り
付けられ、該スピンドルは軸受部40により回転自在に
軸受けされている。The second embodiment shown in FIGS. 3 and 4 shows a cut portion of a main part in a dicing apparatus similar to the conventional example. Also in this dicing device,
A workpiece such as a semiconductor wafer is cut by a blade 38, which is attached to a spindle 39, which is rotatably supported by a bearing 40.
【0028】そして、ブレード38が位置している部分
は、所謂ヘッド部41と称して、ブレード監視手段4
2、加工液供給手段43を備えた蓋体44等が取り付け
られており、全体が囲われた状態になっている。従っ
て、ブレード38を備えたダイシング装置においては、
チャックテーブル(図示せず)を含むヘッド部41が位
置する部分が、所謂加工領域に相当する。The portion where the blade 38 is located is referred to as a so-called head portion 41 and is referred to as a blade monitoring means 4.
2. A lid 44 and the like provided with a processing liquid supply means 43 are attached, and the whole is in an enclosed state. Therefore, in the dicing apparatus having the blade 38,
The portion where the head section 41 including the chuck table (not shown) is located corresponds to a so-called processing area.
【0029】このダイシング装置においては、加工領域
であるヘッド部41に、少なくとも一箇所において、前
記第1実施例と同様に、エアー供給用のホース35の一
端部が接続され、該ホースの他端部は前記同様の静電気
除去装置(図示せず)に接続されている。この場合に、
ヘッド部41を構成する部材及び蓋体44に対して内側
にまで連通する連通孔45を形成しておき、該連通孔4
5に対してホース35の先端部を挿通させるようにすれ
ば簡単に接続できるのである。尚、この場合には、加工
領域に2個所に渡ってホース35が接続されることにな
る。In this dicing apparatus, one end of a hose 35 for supplying air is connected to the head portion 41 which is a processing region at at least one position, as in the first embodiment. The unit is connected to a static eliminator (not shown) similar to the above. In this case,
A communication hole 45 that communicates to the inside of the member constituting the head portion 41 and the lid 44 is formed in advance.
If the distal end of the hose 35 is inserted through 5, the connection can be made easily. In this case, the hose 35 is connected to the processing area at two locations.
【0030】そして、実際の使用に際して、切削液を供
給しながらブレード38を高速回転(例えば、30,0
00RPM)させて切削を行うものであり、その切削作
業によって生ずる切削屑は、切削液と共に流下して除去
されるが、それでもブレード38及びブレードを支持す
る部材の回転によって切削液と切削屑の一部がヘッド部
41の内部空間に飛散し、内部空間の壁面に付着しよう
とする。In actual use, the blade 38 is rotated at a high speed (for example, 30,
00 RPM), and the cuttings generated by the cutting operation flow down together with the cutting fluid and are removed. However, the rotation of the blade 38 and the member supporting the blades still removes the cutting fluid and the cutting debris. The part scatters in the internal space of the head part 41 and tries to adhere to the wall surface of the internal space.
【0031】ところが、ヘッド部41の内部空間も含め
た加工領域に、イオン化されたエアーが継続して供給さ
れていることにより、加工領域における動的な部分によ
って生ずる静電気が積極的に除去されることで、内部で
飛散した加工液及び加工屑がほとんど帯電しなくなるの
で、内部の壁面に付着することなく流下して除去される
ようになり、実質的な静電気による付着が解消されるの
である。However, since the ionized air is continuously supplied to the processing area including the internal space of the head portion 41, static electricity generated by a dynamic portion in the processing area is positively removed. As a result, the processing fluid and the processing chips scattered inside are hardly charged, so that they flow down without being attached to the inner wall surface, and are removed, thereby substantially eliminating the adhesion due to static electricity.
【0032】このダイシング装置においても、前記従来
例と同様に、加工領域を含む周辺が透明なアクリル板で
形成されたカバー8(図5参照)により覆われている場
合があり、外部から一応区画された状態になっている。
この区画された内部は、一応加工領域を含む周囲の雰囲
気ということができ、この区画された内部にイオン化さ
れたエアーを供給して除電するようにすれば良いのであ
る。そのためには、カバー若しくは適宜の部位にエアー
供給用のホース35を接続すれば良い。Also in this dicing apparatus, the periphery including the processing area may be covered with a cover 8 (see FIG. 5) formed of a transparent acrylic plate, similarly to the above-mentioned conventional example. It is in the state that was done.
The inside of the partitioned area can be regarded as the surrounding atmosphere including the processing area, and the ionized air may be supplied to the partitioned area to remove the electricity. For this purpose, a hose 35 for supplying air may be connected to the cover or an appropriate portion.
【0033】従って、加工領域を含む周囲の雰囲気が除
電されているので、加工領域を構成する各部材の壁面及
びその周囲の装置並びに部材に対して、静電気による切
削屑が付着堆積しなくなるので、連続的に加工作業を行
っても、加工領域及びその周囲の実質的な汚れ、即ちコ
ンタミネーションが解消されるのである。Therefore, since the surrounding atmosphere including the processing area is neutralized, the cutting chips due to the static electricity are prevented from adhering and depositing on the wall surfaces of the members constituting the processing area and on the peripheral devices and members. Even if the processing operation is performed continuously, substantial contamination, that is, contamination, in the processing area and its surroundings is eliminated.
【0034】[0034]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る加工
方法は、半導体ウエーハ等の被加工物に加工液を供給し
ながら砥石で加工を施す加工方法であって、加工屑によ
るコンタミネーションの付着を防止するために加工領域
を含む周囲の雰囲気を静電気除去手段によって除電しな
がら加工を遂行するようにしたことにより、加工領域に
おいて飛散する加工屑の静電気による帯電現象を解消
し、それによって加工領域を構成する周囲の部材及び装
置の壁面に静電気による加工屑が付着しなくなるので、
長時間の加工作業を継続しても、従来生じていた加工屑
の落下等による被加工物のコンタミネーションが大幅に
解消できると言う優れた効果を奏する。As described above, the processing method according to the present invention is a processing method for performing processing with a grindstone while supplying a processing liquid to a workpiece such as a semiconductor wafer. In order to prevent the adhesion, the surrounding atmosphere including the processing area is processed while removing the static electricity by means of static electricity removing means, thereby eliminating the charging phenomenon due to the static electricity of the processing chips scattered in the processing area and thereby processing. Processing dust due to static electricity will not adhere to the surrounding members that make up the area and the walls of the device,
Even if the machining operation is continued for a long time, there is an excellent effect that the contamination of the workpiece due to the dropping of the processing waste, which has conventionally occurred, can be largely eliminated.
【0035】また、静電気除去手段が、イオン発生装置
を経て供給されるイオン化されたエアーであることか
ら、従来の加工装置に簡単に付加することができ、しか
も、加工領域を含む周囲の雰囲気中の除電を積極的に行
うことから、被加工物に対する静電気による悪影響を全
面的に解消できるばかりでなく、二酸化炭素を混入させ
る必要がなくなると言う優れた効果を奏する。Further, since the static electricity removing means is ionized air supplied through an ion generator, it can be easily added to a conventional processing apparatus, and furthermore, it can be used in a surrounding atmosphere including a processing area. The positive effect of static elimination is not only able to completely eliminate the adverse effects of static electricity on the workpiece, but also has an excellent effect of eliminating the need to mix carbon dioxide.
【0036】更に、加工領域において加工屑の付着が解
消できることから、加工屑の付着固化現象がなくなり、
加工治具等の交換時に支障を来さなくなるばかりでな
く、付着固化した切削粉が装置内に落下したりしてチャ
ックテーブルを汚染したり、或は研削中のウエーハ上に
落下して研削に悪影響を及ぼすことも解消できると言う
優れた効果を奏する。Further, since the adhesion of the processing chips can be eliminated in the processing area, the solidification phenomenon of the processing chips is eliminated,
Not only does not cause any trouble when replacing the processing jig, etc., but also the solidified cutting powder falls into the equipment and contaminates the chuck table, or drops on the wafer being ground and is used for grinding. It has an excellent effect that adverse effects can be eliminated.
【図1】本発明の第1実施例を示すグラインダー装着の
要部を略示的に示した側面図である。FIG. 1 is a side view schematically showing a main part of a grinder mounting according to a first embodiment of the present invention.
【図2】同実施例の要部を略示的に示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view schematically showing a main part of the embodiment.
【図3】本発明に係る第2実施例のダイシング装置の要
部のみを略示的に且つ一部を分解して示す斜視図であ
る。FIG. 3 is a perspective view schematically showing only a main part of a dicing apparatus according to a second embodiment of the present invention and partially exploded.
【図4】同実施例の要部のみを略示的に示す斜視図であ
る。FIG. 4 is a perspective view schematically showing only a main part of the embodiment.
【図5】従来例のダイシング装置を示す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing a conventional dicing apparatus.
10……装置本体、 11……テーブル、 12……チ
ャックテーブル、13……支持部材、 14……サーボ
モータ、 15……エンコーダー、16……研磨手段、
17……胴部、 18……モータ、19……スピンド
ル、 20……ホイール、 21……砥石、 22……
壁体、23……レール、 24……スライド板、 25
……支持板、26……貫通孔、 27……軸部、 27
a……センサー、28……スクリュー杆、 29……駆
動部、 30……リニアスケール、31……コンピュー
ター、 32……サーボドライバー、33……パルスモ
ータドライバー、 34……ホイルカバー、35……ホ
ース、 36……静電気除去装置、 37……カバー、
38……ブレード、 39……スピンドル、 40……
軸受部、41……ヘッド部、 42……ブレード監視手
段、 43……加工液供給手段、44……蓋体、 45
……連通孔。Reference numeral 10: Device body, 11: Table, 12: Chuck table, 13: Support member, 14: Servo motor, 15: Encoder, 16: Polishing means,
17 ... body, 18 ... motor, 19 ... spindle, 20 ... wheel, 21 ... whetstone, 22 ...
Wall, 23 ... rail, 24 ... slide plate, 25
...... Support plate, 26 ... Through-hole, 27 ... Shaft, 27
a sensor, 28 screw rod, 29 drive unit, 30 linear scale, 31 computer, 32 servo motor, 33 pulse motor driver, 34 wheel cover, 35 Hose, 36 …… Static electricity removal device, 37 …… Cover,
38 ... blade, 39 ... spindle, 40 ...
Bearing part 41 head part 42 blade monitoring means 43 working fluid supply means 44 lid body 45
…… Communication hole.
Claims (4)
供給しながら砥石で加工を施す加工方法であって、 加工屑によるコンタミネーションの付着を防止するため
に加工領域を含む周囲の雰囲気を静電気除去手段によっ
て除電しながら加工を遂行することを特徴とする加工方
法。1. A processing method for performing processing with a grindstone while supplying a processing liquid to a workpiece such as a semiconductor wafer, wherein a surrounding atmosphere including a processing region is formed in order to prevent contamination from being caused by processing chips. A processing method characterized in that processing is performed while removing static electricity by static electricity removing means.
される砥石が研削砥石である請求項1に記載の加工方
法。2. The processing method according to claim 1, wherein the processing of the workpiece is grinding, and the grindstone used is a grindstone.
り、使用される砥石がダイヤモンドブレードである請求
項1に記載の加工方法。3. The processing method according to claim 1, wherein the processing of the workpiece is dicing, and the grindstone used is a diamond blade.
て供給されるイオン化されたエアーである請求項1に記
載の加工方法。4. The processing method according to claim 1, wherein the static electricity removing means is ionized air supplied through an ion generator.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17228296A JPH1015790A (en) | 1996-07-02 | 1996-07-02 | Working method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17228296A JPH1015790A (en) | 1996-07-02 | 1996-07-02 | Working method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1015790A true JPH1015790A (en) | 1998-01-20 |
Family
ID=15939040
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17228296A Pending JPH1015790A (en) | 1996-07-02 | 1996-07-02 | Working method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1015790A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003098675A1 (en) * | 2002-05-13 | 2003-11-27 | Intel Corporation | Apparatus, system and method to reduce wafer warpage |
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KR101252475B1 (en) | 2010-09-17 | 2013-04-10 | 서정희 | Paint removal preprocessing system of concrete wall panel |
-
1996
- 1996-07-02 JP JP17228296A patent/JPH1015790A/en active Pending
Cited By (5)
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