JPH10153543A - 磁気記録媒体のカーボン膜質評価方法及び磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体のカーボン膜質評価方法及び磁気記録媒体Info
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- JPH10153543A JPH10153543A JP32595196A JP32595196A JPH10153543A JP H10153543 A JPH10153543 A JP H10153543A JP 32595196 A JP32595196 A JP 32595196A JP 32595196 A JP32595196 A JP 32595196A JP H10153543 A JPH10153543 A JP H10153543A
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- carbon
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- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 正確なカーボン膜質評価方法がなかった。
【解決手段】 磁気記録媒体の磁性層２の保護膜として
用いられるカーボン膜３の膜質評価方法であって、エリ
プソメトリー偏光解析法によってカーボン膜３の複素数
屈折率ｎ＾を求め、その複素数屈折率ｎ＾から式ｎ＾＝
ｎ−ｉｋ（ｎは屈折率）により求められる吸収係数ｋに
よりカーボン膜３の膜質を評価する。
用いられるカーボン膜３の膜質評価方法であって、エリ
プソメトリー偏光解析法によってカーボン膜３の複素数
屈折率ｎ＾を求め、その複素数屈折率ｎ＾から式ｎ＾＝
ｎ−ｉｋ（ｎは屈折率）により求められる吸収係数ｋに
よりカーボン膜３の膜質を評価する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク、磁
気テ−プ等の磁気記録媒体の保護膜として用いられるカ
ーボン膜の膜質評価方法、及びその評価方法で特定した
膜質のカーボン保護膜を備えた磁気記録媒体に関するも
のである。
気テ−プ等の磁気記録媒体の保護膜として用いられるカ
ーボン膜の膜質評価方法、及びその評価方法で特定した
膜質のカーボン保護膜を備えた磁気記録媒体に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、磁気記録媒体への記録密度の
高密度化に伴い、磁気ヘッドと磁気記録媒体との相対速
度が大きくなる傾向にある。磁気ヘッドと磁気記録媒体
の相対速度が大きくなると、摺動速度が大きくなり、磁
気記録媒体の耐摩耗性が問題となってくる。そして、そ
の解決策としては保護膜を設けることが有効であること
から、特にカーボン保護膜が実用化されている。
高密度化に伴い、磁気ヘッドと磁気記録媒体との相対速
度が大きくなる傾向にある。磁気ヘッドと磁気記録媒体
の相対速度が大きくなると、摺動速度が大きくなり、磁
気記録媒体の耐摩耗性が問題となってくる。そして、そ
の解決策としては保護膜を設けることが有効であること
から、特にカーボン保護膜が実用化されている。
【０００３】ビデオデッキ用の磁気テープの場合、従来
から市販されているアナログ記録用蒸着テープでは、カ
ーボン保護膜を使用していなかったが、近年開発された
ＤＶフォーマット規格と呼ばれるデジタル記録用蒸着テ
ープは摺動速度が大きいので、硬度の高いダイアモンド
的な性質を付与したダイアモンド状カーボン（Diamond
Like Carbon：以下ＤＬＣと称する）膜を保護膜とし
て使用している。そして、ＤＬＣ膜は成膜条件により様
々な膜質となるが、ある特定の膜質のときに優れた耐摩
耗性を示す。このため、ＤＬＣ膜を磁気記録媒体の保護
膜として使用する場合には、膜質を正確に評価し、適正
な膜質となるように管理することが必要となる。
から市販されているアナログ記録用蒸着テープでは、カ
ーボン保護膜を使用していなかったが、近年開発された
ＤＶフォーマット規格と呼ばれるデジタル記録用蒸着テ
ープは摺動速度が大きいので、硬度の高いダイアモンド
的な性質を付与したダイアモンド状カーボン（Diamond
Like Carbon：以下ＤＬＣと称する）膜を保護膜とし
て使用している。そして、ＤＬＣ膜は成膜条件により様
々な膜質となるが、ある特定の膜質のときに優れた耐摩
耗性を示す。このため、ＤＬＣ膜を磁気記録媒体の保護
膜として使用する場合には、膜質を正確に評価し、適正
な膜質となるように管理することが必要となる。
【０００４】このＤＬＣ膜の膜質評価方法としては、ラ
マン分光分析（ＲＳ）による方法が知られている。その
方法は、「表面技術Vol.47,No.5,P414〜P418,1996」に
示されているが、簡単に説明するとＤＬＣ膜のラマンス
ペクトルは波数１０００ｃｍ-1〜１９００ｃｍ-1付近に
ＤＬＣ膜特有のピーク（ＤＬＣピーク）が現れるので、
このピークの部分について蛍光によるバックグランド
（蛍光強度）を直線近似で除去して補正し、ガウス関数
を用いてＧ−ピークとＤ−ピークの２つのピークに波形
分離する。そして、高波数側のＧ−ピークの面積強度Ｉ
ｇと低波数側のＤ−ピークの面積強度Ｉｄとのピーク面
積強度比Ｉｄ／Ｉｇにより、ＤＬＣの膜質を組成的に評
価する。その結果として、ピーク面積強度比Ｉｄ／Ｉｇ
が小さい場合には、ＤＬＣ膜中のｓｐ３結合が多く、耐
摩耗性も良好になるので、ピーク面積強度比Ｉｄ／Ｉｇ
は耐摩耗性の指標になるとされている。
マン分光分析（ＲＳ）による方法が知られている。その
方法は、「表面技術Vol.47,No.5,P414〜P418,1996」に
示されているが、簡単に説明するとＤＬＣ膜のラマンス
ペクトルは波数１０００ｃｍ-1〜１９００ｃｍ-1付近に
ＤＬＣ膜特有のピーク（ＤＬＣピーク）が現れるので、
このピークの部分について蛍光によるバックグランド
（蛍光強度）を直線近似で除去して補正し、ガウス関数
を用いてＧ−ピークとＤ−ピークの２つのピークに波形
分離する。そして、高波数側のＧ−ピークの面積強度Ｉ
ｇと低波数側のＤ−ピークの面積強度Ｉｄとのピーク面
積強度比Ｉｄ／Ｉｇにより、ＤＬＣの膜質を組成的に評
価する。その結果として、ピーク面積強度比Ｉｄ／Ｉｇ
が小さい場合には、ＤＬＣ膜中のｓｐ３結合が多く、耐
摩耗性も良好になるので、ピーク面積強度比Ｉｄ／Ｉｇ
は耐摩耗性の指標になるとされている。
【０００５】また、特開平７−１２７１４号には、エリ
プソメトリー偏光解析法に従ってカーボン膜の光学定数
を求め、光学定数のひとつである屈折率に着目して、カ
ーボン膜質を評価する方法が記載されている。このエリ
プソメトリー（ellipsometry）偏光解析法は、物体（光
学下地）の表面で光が反射する際の偏光状態の変化を観
測して物体自身の光学定数（複素数屈折率）又は物体表
面の薄膜の膜厚及び光学定数を知る方法である。そし
て、通常、〜０．１nmの精度で測定できるエリプソメー
タ（エリプソメトリック膜厚分析器）が使用されてい
る。
プソメトリー偏光解析法に従ってカーボン膜の光学定数
を求め、光学定数のひとつである屈折率に着目して、カ
ーボン膜質を評価する方法が記載されている。このエリ
プソメトリー（ellipsometry）偏光解析法は、物体（光
学下地）の表面で光が反射する際の偏光状態の変化を観
測して物体自身の光学定数（複素数屈折率）又は物体表
面の薄膜の膜厚及び光学定数を知る方法である。そし
て、通常、〜０．１nmの精度で測定できるエリプソメー
タ（エリプソメトリック膜厚分析器）が使用されてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ＤＬＣ膜中の結合状態
を知ることは、ＤＬＣ膜の膜質評価には重要である。従
って、ラマン分光によるピーク面積強度比Ｉｄ／Ｉｇか
ら、ＤＬＣ膜のｓｐ３結合がどのような状態になってい
るかを評価することは有意義である。しかしながら、Ｄ
ＬＣピークをＧ−ピークとＤ−ピークの２つのピークに
波形分離する際、その波形分離方法により、ピーク面積
強度比Ｉｄ／Ｉｇの値が大きく変わる場合が多々あるこ
とが判明した。
を知ることは、ＤＬＣ膜の膜質評価には重要である。従
って、ラマン分光によるピーク面積強度比Ｉｄ／Ｉｇか
ら、ＤＬＣ膜のｓｐ３結合がどのような状態になってい
るかを評価することは有意義である。しかしながら、Ｄ
ＬＣピークをＧ−ピークとＤ−ピークの２つのピークに
波形分離する際、その波形分離方法により、ピーク面積
強度比Ｉｄ／Ｉｇの値が大きく変わる場合が多々あるこ
とが判明した。
【０００７】すなわち、図５と図６は全く同じバックグ
ランド補正後のＤＬＣピークを示すグラフであるが、波
形分離の方法を一部変えたので、異なる結果を得たもの
である。具体的には、図５は１０００ｃｍ-1〜１９００
ｃｍ-1の範囲でＤＬＣピークを波形分離したもので、図
６は１０３５ｃｍ-1〜１８３５ｃｍ-1の範囲で波形分離
をしたものである。波形分離自体の手法はどちらも同じ
であり、波形分離の精度もどちらもかなり高くなってい
る。しかしながら、ピーク面積強度比Ｉｄ／Ｉｇの値は
図５の場合はＩｄ／Ｉｇ＝２．２７であり、図６の場合
はＩｄ／Ｉｇ＝０．４５であった。この値の差は、かな
り大きいものである。
ランド補正後のＤＬＣピークを示すグラフであるが、波
形分離の方法を一部変えたので、異なる結果を得たもの
である。具体的には、図５は１０００ｃｍ-1〜１９００
ｃｍ-1の範囲でＤＬＣピークを波形分離したもので、図
６は１０３５ｃｍ-1〜１８３５ｃｍ-1の範囲で波形分離
をしたものである。波形分離自体の手法はどちらも同じ
であり、波形分離の精度もどちらもかなり高くなってい
る。しかしながら、ピーク面積強度比Ｉｄ／Ｉｇの値は
図５の場合はＩｄ／Ｉｇ＝２．２７であり、図６の場合
はＩｄ／Ｉｇ＝０．４５であった。この値の差は、かな
り大きいものである。
【０００８】したがって、ピーク面積強度比Ｉｄ／Ｉｇ
は組成的に膜質を評価する値であるが、ピーク面積強度
比Ｉｄ／Ｉｇを求める際の中の波形分離に関してかなり
不確定な部分があり、結果として得られたＩｄ／Ｉｇ値
がＤＬＣ膜中の結合状態を的確に表しているか否かは判
らないので、カーボン膜質評価方法としては不十分なも
のであった。
は組成的に膜質を評価する値であるが、ピーク面積強度
比Ｉｄ／Ｉｇを求める際の中の波形分離に関してかなり
不確定な部分があり、結果として得られたＩｄ／Ｉｇ値
がＤＬＣ膜中の結合状態を的確に表しているか否かは判
らないので、カーボン膜質評価方法としては不十分なも
のであった。
【０００９】また、特開平７−１２７１４号に記載され
ているエリプソメトリー偏光解析法に従ってカーボン膜
の光学定数を求め、光学定数のひとつである屈折率に着
目してカーボン膜質を評価する方法は、磁気記録媒体の
カーボン保護膜の耐摩耗性を正確に評価していなかっ
た。
ているエリプソメトリー偏光解析法に従ってカーボン膜
の光学定数を求め、光学定数のひとつである屈折率に着
目してカーボン膜質を評価する方法は、磁気記録媒体の
カーボン保護膜の耐摩耗性を正確に評価していなかっ
た。
【００１０】すなわち、蒸着磁気テープのカーボン保護
膜の屈折率と耐摩耗性のひとつであるスチル耐久性との
間には、大まかな相関はあるものの正確な対応は取れて
おらず、正確なカーボン膜質評価方法ではなかった。し
たがって、従来の各方法ではカーボン膜質の適正な膜質
管理をすることができないので、耐摩耗性に優れたカー
ボン膜質を有する磁気記録媒体を安定して製造すること
ができなかった。
膜の屈折率と耐摩耗性のひとつであるスチル耐久性との
間には、大まかな相関はあるものの正確な対応は取れて
おらず、正確なカーボン膜質評価方法ではなかった。し
たがって、従来の各方法ではカーボン膜質の適正な膜質
管理をすることができないので、耐摩耗性に優れたカー
ボン膜質を有する磁気記録媒体を安定して製造すること
ができなかった。
【００１１】そこで、本発明は磁気記録媒体におけるカ
ーボン膜の耐摩耗性に対応した簡便かつ正確なカーボン
膜質評価方法を提供することを目的とする。また、耐摩
耗性の面から特定した膜質評価指標により、耐摩耗性に
優れたカーボン保護膜を有する磁気記録媒体を提供する
ことを目的とする。
ーボン膜の耐摩耗性に対応した簡便かつ正確なカーボン
膜質評価方法を提供することを目的とする。また、耐摩
耗性の面から特定した膜質評価指標により、耐摩耗性に
優れたカーボン保護膜を有する磁気記録媒体を提供する
ことを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の手段として、磁気記録媒体の磁性層の保護膜として用
いられるカーボン膜の膜質評価方法であって、エリプソ
メトリー偏光解析法によってカーボン膜の複素数屈折率
ｎ＾を求め、その複素数屈折率ｎ＾から式ｎ＾＝ｎ−ｉ
ｋ（ｎは屈折率，ｉは虚数単位）により求められる吸収
係数ｋによりカーボン膜質を評価することを特徴とする
磁気記録媒体のカーボン膜質評価方法を提供しようとす
るものである。
の手段として、磁気記録媒体の磁性層の保護膜として用
いられるカーボン膜の膜質評価方法であって、エリプソ
メトリー偏光解析法によってカーボン膜の複素数屈折率
ｎ＾を求め、その複素数屈折率ｎ＾から式ｎ＾＝ｎ−ｉ
ｋ（ｎは屈折率，ｉは虚数単位）により求められる吸収
係数ｋによりカーボン膜質を評価することを特徴とする
磁気記録媒体のカーボン膜質評価方法を提供しようとす
るものである。
【００１３】そして、波長７８０ｎｍの光を用いたエリ
プソメトリー偏光解析法により求められた複素数屈折率
ｎ＾から式ｎ＾＝ｎ−ｉｋ（ｎは屈折率，ｉは虚数単
位）を用いて得られる吸収係数ｋが０．０１以上０．２
５以下となるカーボン膜を保護膜として有することを特
徴とする磁気記録媒体を提供しようとするものである。
プソメトリー偏光解析法により求められた複素数屈折率
ｎ＾から式ｎ＾＝ｎ−ｉｋ（ｎは屈折率，ｉは虚数単
位）を用いて得られる吸収係数ｋが０．０１以上０．２
５以下となるカーボン膜を保護膜として有することを特
徴とする磁気記録媒体を提供しようとするものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明は、エリプソメトリー偏光
解析法によってカーボン膜の複素数屈折率ｎ＾を求め、
その複素数屈折率ｎ＾から式ｎ＾＝ｎ−ｉｋ（但し、ｎ
は屈折率，ｉは虚数単位）により求められる吸収係数ｋ
（吸収係数ｋは消衰係数と呼ばれることもあるが、以下
吸収係数と称する）によってカーボン膜質を評価するこ
とにより、簡便かつ正確にカーボン膜質を評価すること
ができる。
解析法によってカーボン膜の複素数屈折率ｎ＾を求め、
その複素数屈折率ｎ＾から式ｎ＾＝ｎ−ｉｋ（但し、ｎ
は屈折率，ｉは虚数単位）により求められる吸収係数ｋ
（吸収係数ｋは消衰係数と呼ばれることもあるが、以下
吸収係数と称する）によってカーボン膜質を評価するこ
とにより、簡便かつ正確にカーボン膜質を評価すること
ができる。
【００１５】また、波長７８０ｎｍの光を用いたエリプ
ソメトリー偏光解析法により求められた複素数屈折率ｎ
＾に対して、式ｎ＾＝ｎ−ｉｋを用いて得られる吸収係
数ｋが０.０１以上０.２５以下となるカーボン膜を保護
膜として使用することにより、耐摩耗性に優れた磁気記
録媒体を得ることが可能となる。
ソメトリー偏光解析法により求められた複素数屈折率ｎ
＾に対して、式ｎ＾＝ｎ−ｉｋを用いて得られる吸収係
数ｋが０.０１以上０.２５以下となるカーボン膜を保護
膜として使用することにより、耐摩耗性に優れた磁気記
録媒体を得ることが可能となる。
【００１６】この吸収係数ｋは、カーボン膜の色の濃さ
を表しており、一般にカーボン膜の色が濃いとｓｐ２結
合が多いと言われている。従って、前述の吸収係数ｋは
カーボン膜構造すなわち組成に依存する値となるので、
吸収係数ｋは耐摩耗性と明確な相関を有することにな
る。
を表しており、一般にカーボン膜の色が濃いとｓｐ２結
合が多いと言われている。従って、前述の吸収係数ｋは
カーボン膜構造すなわち組成に依存する値となるので、
吸収係数ｋは耐摩耗性と明確な相関を有することにな
る。
【００１７】
【実施例】まず、本発明の実施例を図面と共に説明す
る。図１は本発明の各実施例に用いた磁気記録媒体（蒸
着磁気テープ）を示す断面図である。同図に示す蒸着磁
気テープは、６μｍ厚のポリエチレンテレフタレート
（以下ＰＥＴと称する）ベースフィルム１上にＣｏＯ磁
性層２が１５０ｎｍ蒸着されており、その上にカーボン
保護膜３が１０ｎｍ成膜されている。さらにその上に
は、液体潤滑膜４が２〜４ｎｍ塗布されている。また、
ＰＥＴベースフィルム１の逆側の面には、バックコート
層５が０.５μｍ形成されている。
る。図１は本発明の各実施例に用いた磁気記録媒体（蒸
着磁気テープ）を示す断面図である。同図に示す蒸着磁
気テープは、６μｍ厚のポリエチレンテレフタレート
（以下ＰＥＴと称する）ベースフィルム１上にＣｏＯ磁
性層２が１５０ｎｍ蒸着されており、その上にカーボン
保護膜３が１０ｎｍ成膜されている。さらにその上に
は、液体潤滑膜４が２〜４ｎｍ塗布されている。また、
ＰＥＴベースフィルム１の逆側の面には、バックコート
層５が０.５μｍ形成されている。
【００１８】本実施例では、カーボン保護膜３の膜質を
エリプソメトリー偏光解析法に基づいたエリプソメータ
ーにより評価を行うため、図２に示すようなＰＥＴベー
スフィルム１上にＣｏＯ磁性層２を設けた構造を光学的
下地層６として使用した。そして、この光学的下地層６
（ＣｏＯ磁性層２まで成膜した製造途中の媒体を使用）
の光学定数を測定した結果は、屈折率ｎS＝３．２６
３、吸収係数ｋS＝０．２８８（波長７８０ｎｍの場
合）であった。以降、これを用いることでエリプソメー
ターによるカーボン保護膜３の光学定数を知ることがで
きる。
エリプソメトリー偏光解析法に基づいたエリプソメータ
ーにより評価を行うため、図２に示すようなＰＥＴベー
スフィルム１上にＣｏＯ磁性層２を設けた構造を光学的
下地層６として使用した。そして、この光学的下地層６
（ＣｏＯ磁性層２まで成膜した製造途中の媒体を使用）
の光学定数を測定した結果は、屈折率ｎS＝３．２６
３、吸収係数ｋS＝０．２８８（波長７８０ｎｍの場
合）であった。以降、これを用いることでエリプソメー
ターによるカーボン保護膜３の光学定数を知ることがで
きる。
【００１９】なお、図２に示すような光学的下地層６を
用いてカーボン保護膜３の光学定数を測定したときの値
が大きくばらつくような場合には、シリコンウエハを光
学的下地層として使用することにより、より正確なカー
ボン保護膜３の光学定数の測定が可能となる。
用いてカーボン保護膜３の光学定数を測定したときの値
が大きくばらつくような場合には、シリコンウエハを光
学的下地層として使用することにより、より正確なカー
ボン保護膜３の光学定数の測定が可能となる。
【００２０】エリプソメーターによる光学定数の測定方
法については、「光学ハンドブック」（田幸敏治他編
集、朝倉書店発行）に詳しく記載されているが、波長７
８０ｎｍの測定光の入射角を変えながら、反射に起因す
る位相差Δと、実数振幅反射率比をｔａｎΨとしたとき
のΨを測定し、位相差ΔとΨとカーボン保護膜３の厚さ
ｄから、カーボン膜３の屈折率ｎと吸収係数ｋとを測定
した。
法については、「光学ハンドブック」（田幸敏治他編
集、朝倉書店発行）に詳しく記載されているが、波長７
８０ｎｍの測定光の入射角を変えながら、反射に起因す
る位相差Δと、実数振幅反射率比をｔａｎΨとしたとき
のΨを測定し、位相差ΔとΨとカーボン保護膜３の厚さ
ｄから、カーボン膜３の屈折率ｎと吸収係数ｋとを測定
した。
【００２１】また、耐摩耗性を調べるテスト方法のひと
つであるスチル耐久性とは、スチルモード（静止画モー
ド）において、磁気ヘッドが磁気テープの同一トラック
上を繰り返し摺動した時に正常な再生画像が得られる継
続時間のことであり、本実施例では再生出力が６ｄＢ低
下するまでの時間を測定した。
つであるスチル耐久性とは、スチルモード（静止画モー
ド）において、磁気ヘッドが磁気テープの同一トラック
上を繰り返し摺動した時に正常な再生画像が得られる継
続時間のことであり、本実施例では再生出力が６ｄＢ低
下するまでの時間を測定した。
【００２２】そして、図２に示す同じ条件の光学的下地
層６に対して、カーボン保護膜３をプラズマＣＶＤ法ま
たはスパッタ法により成膜条件を種々に変えて製造した
カーボン保護膜３を有する７種類の蒸着磁気テープを作
成した。そして、それぞれについてエリプソメトリー偏
光解析方法に基づいて屈折率ｎと吸収係数ｋとを測定
し、液体潤滑膜４を塗布して図１の構成状態とした蒸着
磁気テープのスチル耐久性を調べた。その結果を表１に
示す。
層６に対して、カーボン保護膜３をプラズマＣＶＤ法ま
たはスパッタ法により成膜条件を種々に変えて製造した
カーボン保護膜３を有する７種類の蒸着磁気テープを作
成した。そして、それぞれについてエリプソメトリー偏
光解析方法に基づいて屈折率ｎと吸収係数ｋとを測定
し、液体潤滑膜４を塗布して図１の構成状態とした蒸着
磁気テープのスチル耐久性を調べた。その結果を表１に
示す。
【００２３】
【表１】
【００２４】そして、表１の屈折率ｎとスチル耐久性と
の相関関係を示すグラフを図３に示し、表１の吸収係数
ｋとスチル耐久性との相関関係を示すグラフを図４に示
す。表１及び図３から分かるように、屈折率ｎとスチル
耐久性には大まかな相関はあるものの、例えば、屈折率
ｎが２．１３の時にはスチル耐久性１８０分以上と良い
のに対してその近辺となる屈折率ｎが２．０８及び２．
２４の場合にはスチル耐久性がそれぞれ３６分、１７分
と悪くなるなど、正確な対応関係は成り立っていない。
の相関関係を示すグラフを図３に示し、表１の吸収係数
ｋとスチル耐久性との相関関係を示すグラフを図４に示
す。表１及び図３から分かるように、屈折率ｎとスチル
耐久性には大まかな相関はあるものの、例えば、屈折率
ｎが２．１３の時にはスチル耐久性１８０分以上と良い
のに対してその近辺となる屈折率ｎが２．０８及び２．
２４の場合にはスチル耐久性がそれぞれ３６分、１７分
と悪くなるなど、正確な対応関係は成り立っていない。
【００２５】しかしながら、表１及び図４から分かるよ
うに吸収係数ｋとスチル耐久性との間には正確な相関が
あり、吸収係数ｋにより耐摩耗性に対応したカーボン保
護膜３の膜質評価を行うことができることが判明した。
したがって、吸収係数ｋをコントロールすることによ
り、耐摩耗性に優れた保護膜を有する磁気記録媒体を安
定して製造することができる。
うに吸収係数ｋとスチル耐久性との間には正確な相関が
あり、吸収係数ｋにより耐摩耗性に対応したカーボン保
護膜３の膜質評価を行うことができることが判明した。
したがって、吸収係数ｋをコントロールすることによ
り、耐摩耗性に優れた保護膜を有する磁気記録媒体を安
定して製造することができる。
【００２６】また、上記実施例では、特に、吸収係数ｋ
が０．２５以下（ｋ＝０を除く）の場合に良好なスチル
耐久性が得られていることから、波長７８０ｎｍの光を
用いて、光学定数のひとつである吸収係数ｋの値を０．
０１〜０．２５の範囲内にするようにカーボン膜を作成
すれば、耐摩耗性に優れた保護膜有する磁気記録媒体を
得ることができる。
が０．２５以下（ｋ＝０を除く）の場合に良好なスチル
耐久性が得られていることから、波長７８０ｎｍの光を
用いて、光学定数のひとつである吸収係数ｋの値を０．
０１〜０．２５の範囲内にするようにカーボン膜を作成
すれば、耐摩耗性に優れた保護膜有する磁気記録媒体を
得ることができる。
【００２７】
【発明の効果】本発明の磁気記録媒体のカーボン膜質評
価方法は、エリプソメトリー偏光解析法によってカーボ
ン膜の複素数屈折率ｎ＾を求め、その複素数屈折率ｎ＾
から式ｎ＾＝ｎ−ｉｋ（ｎは屈折率，ｉは虚数単位）に
より求められる吸収係数ｋによりカーボン膜質を評価し
ているので、簡便かつ正確にカーボン膜の耐摩耗性を評
価することができる。
価方法は、エリプソメトリー偏光解析法によってカーボ
ン膜の複素数屈折率ｎ＾を求め、その複素数屈折率ｎ＾
から式ｎ＾＝ｎ−ｉｋ（ｎは屈折率，ｉは虚数単位）に
より求められる吸収係数ｋによりカーボン膜質を評価し
ているので、簡便かつ正確にカーボン膜の耐摩耗性を評
価することができる。
【００２８】また、本発明の磁気記録媒体は、波長７８
０ｎｍの光を用いたエリプソメトリー偏光解析法により
求められた複素数屈折率ｎ＾から式ｎ＾＝ｎ−ｉｋ（ｎ
は屈折率，ｉは虚数単位）を用いて得られる吸収係数ｋ
が０.０１以上０.２５以下となるカーボン膜を保護膜と
して有しているので、耐摩耗性に優れた良好な磁気記録
媒体となる。
０ｎｍの光を用いたエリプソメトリー偏光解析法により
求められた複素数屈折率ｎ＾から式ｎ＾＝ｎ−ｉｋ（ｎ
は屈折率，ｉは虚数単位）を用いて得られる吸収係数ｋ
が０.０１以上０.２５以下となるカーボン膜を保護膜と
して有しているので、耐摩耗性に優れた良好な磁気記録
媒体となる。
【図１】本発明の磁気記録媒体の実施例を示す構成図で
ある。
ある。
【図２】本発明の磁気記録媒体の光学的下地層の部分を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図３】エリプソメータで測定したカーボン保護膜の屈
折率とスチル耐久性の相関関係を示すグラフである。
折率とスチル耐久性の相関関係を示すグラフである。
【図４】エリプソメータで測定したカーボン保護膜の吸
収係数とスチル耐久性の相関関係を示すグラフである。
収係数とスチル耐久性の相関関係を示すグラフである。
【図５】バックグランド補正後のＤＬＣ膜のラマンスペ
クトルで、波形分離を行った波形図である。
クトルで、波形分離を行った波形図である。
【図６】バックグランド補正後のＤＬＣ膜のラマンスペ
クトルで、波形分離を行った波形図である。
クトルで、波形分離を行った波形図である。
１ ＰＥＴベースフィルム ２ ＣｏＯ磁性層 ３ カーボン保護膜 ４ 液体潤滑膜 ５ バックコート層 ６ 光学的下地層
Claims (2)
- 【請求項１】磁気記録媒体の磁性層の保護膜として用い
られるカーボン膜の膜質評価方法であって、エリプソメ
トリー偏光解析法によってカーボン膜の複素数屈折率ｎ
＾を求め、その複素数屈折率ｎ＾から式ｎ＾＝ｎ−ｉｋ
（ｎは屈折率，ｉは虚数単位）により求められる吸収係
数ｋによりカーボン膜質を評価することを特徴とする磁
気記録媒体のカーボン膜質評価方法。 - 【請求項２】波長７８０ｎｍの光を用いたエリプソメト
リー偏光解析法により求められた複素数屈折率ｎ＾から
式ｎ＾＝ｎ−ｉｋ（ｎは屈折率，ｉは虚数単位）を用い
て得られる吸収係数ｋが０.０１以上０.２５以下となる
カーボン膜を保護膜として有することを特徴とする磁気
記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32595196A JPH10153543A (ja) | 1996-11-21 | 1996-11-21 | 磁気記録媒体のカーボン膜質評価方法及び磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32595196A JPH10153543A (ja) | 1996-11-21 | 1996-11-21 | 磁気記録媒体のカーボン膜質評価方法及び磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10153543A true JPH10153543A (ja) | 1998-06-09 |
Family
ID=18182436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32595196A Pending JPH10153543A (ja) | 1996-11-21 | 1996-11-21 | 磁気記録媒体のカーボン膜質評価方法及び磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10153543A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102006012022A1 (de) * | 2006-03-14 | 2007-09-20 | Betriebsforschungsinstitut VDEh - Institut für angewandte Forschung GmbH | Verfahren zur Bestimmung der Auflage auf einem bewegten Metallband |
| US7362454B2 (en) | 2005-01-21 | 2008-04-22 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method and system for measuring overcoat layer thickness on a thin film disk |
| JP2011023062A (ja) * | 2009-07-15 | 2011-02-03 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 熱アシスト磁気記録媒体とその温度上昇特性の測定方法および加熱方法 |
| JP2011165242A (ja) * | 2010-02-05 | 2011-08-25 | Hitachi High-Technologies Corp | パターン検査方法及びその装置 |
-
1996
- 1996-11-21 JP JP32595196A patent/JPH10153543A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7362454B2 (en) | 2005-01-21 | 2008-04-22 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method and system for measuring overcoat layer thickness on a thin film disk |
| DE102006012022A1 (de) * | 2006-03-14 | 2007-09-20 | Betriebsforschungsinstitut VDEh - Institut für angewandte Forschung GmbH | Verfahren zur Bestimmung der Auflage auf einem bewegten Metallband |
| JP2011023062A (ja) * | 2009-07-15 | 2011-02-03 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 熱アシスト磁気記録媒体とその温度上昇特性の測定方法および加熱方法 |
| JP2011165242A (ja) * | 2010-02-05 | 2011-08-25 | Hitachi High-Technologies Corp | パターン検査方法及びその装置 |
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