JPH10145679A - 画像撮像装置 - Google Patents

画像撮像装置

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JPH10145679A
JPH10145679A JP8312631A JP31263196A JPH10145679A JP H10145679 A JPH10145679 A JP H10145679A JP 8312631 A JP8312631 A JP 8312631A JP 31263196 A JP31263196 A JP 31263196A JP H10145679 A JPH10145679 A JP H10145679A
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JP
Japan
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photosensors
signal charges
shift register
transferred
image pickup
Prior art date
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Pending
Application number
JP8312631A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshimichi Masaki
俊道 政木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Omron Corp
Original Assignee
Omron Corp
Omron Tateisi Electronics Co
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Filing date
Publication date
Application filed by Omron Corp, Omron Tateisi Electronics Co filed Critical Omron Corp
Priority to JP8312631A priority Critical patent/JPH10145679A/ja
Publication of JPH10145679A publication Critical patent/JPH10145679A/ja
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  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 固体撮像素子を用いて2次元画像を撮像する
画像撮像装置に関し、特殊な固体撮像素子を用いること
なしに撮像時間を大幅に高速化することを目的する。 【解決手段】 複数のフォトセンサと、フォトセンサに
発生した信号電荷が垂直期間毎に転送される垂直シフト
レジスタVR1〜VR3と、各垂直シフトレジスタに転
送された信号電荷が水平期間毎にライン毎に転送され、
この転送された信号電荷を1水平期間内に出力する水平
シフトレジスタHRと、複数のフォトセンサの一部を構
成するフォトセンサのみに被写体像が結像するように窓
部を有し他のフォトセンサを遮光する光学マスク1a
と、垂直シフトレジスタおよび水平シフトレジスタをシ
フト制御することによって一部を構成するフォトセンサ
に蓄積された信号電荷のみを取り出す撮像素子駆動回路
2とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、CCD撮像デバイ
スなどの固体撮像素子を用いて2次元画像を撮像する画
像撮像装置に関する。
【0002】
【従来の技術】固体撮像素子を用いた画像撮像装置は、
被写体の光学像をレンズを通してフォトダイオードやフ
ォトトランジスタなどのフォトセンサ上に結像させ、光
電変換によってフォトセンサに蓄積された信号電荷を電
圧信号に変換し、インターライン転送方式やフレーム転
送方式などの転送方式によって1次元の映像信号として
外部に出力するように構成されている。
【0003】図5は、インターライン転送型固体撮像素
子の基本構成図で、複数のフォトセンサPhがマトリク
ス状(m列×n行)に配置されており、各列のフォトセ
ンサPhの間には、例えばCCD(電荷結合素子)から
なる垂直シフトレジスタVR1,VR2,…,VRmが
配置されている。
【0004】また、各垂直シフトレジスタVR1〜VR
mの出力端には、例えばCCDからなる一ライン転送分
の水平シフトレジスタHRが配置されており、各垂直シ
フトレジスタVR1〜VRmに蓄積された信号電荷をラ
イン毎に出力するように構成されている。なお、垂直シ
フトレジスタVR1〜VRm、水平シフトレジスタHR
は光が入らないように不透明膜で覆われている。
【0005】この構成において、受光期間中にフォトセ
ンサPhで発生した信号電荷は、電荷蓄積動作によって
それぞれの接合容量に蓄積され、蓄積期間が終了する
と、第1の転送パルスTP1によって全センサ同時に隣
接する各列の垂直シフトレジスタVR1〜VRmに転送
される。この転送は1垂直期間終了毎に行われる。
【0006】各シフトレジスタVR1〜VRmに転送さ
れた信号電荷のうち、最初は図の最下部の1ライン目の
信号電荷が第2の転送パルスTP2によって水平シフト
レジスタHRに一斉に転送される。水平シフトレジスタ
HRに転送された1ライン目の信号電荷は第3の転送パ
ルスTP3によってシフトされ、1水平期間中に1ライ
ン分m画素の信号電荷が出力される。この動作をnライ
ン分繰り返すことによって1垂直期間内に全nラインの
信号電荷が電圧信号に変換されて映像信号として時系列
的に出力される。
【0007】図6は、その様子を示す映像信号のタイミ
ング図である。同図において、垂直ブランキング期間毎
に発生する転送パルスTP1によってフォトセンサPh
に蓄積された信号電荷が垂直シフトレジスタVR1〜V
Rmに転送される。
【0008】次いで、水平ブランキング期間毎に発生す
る転送パルスTP2によって垂直シフトレジスタVR1
〜VRmに蓄積された信号電荷が1ライン分のみ水平シ
フトレジスタHRに転送される。水平シフトレジスタH
Rに蓄積された信号電荷は転送パルスTP3によって1
画素ずつシフトされて出力され、1水平期間内に1ライ
ン分m画素の信号電荷が出力される。この動作をnライ
ン分繰り返すことによって1垂直期間が終了する。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】一般に固体撮像素子を
構成するフォトセンサの数(画素数)は、現行テレビジ
ョン方式を考慮した値(例えば、780×484画素)
に設定されており、全てのフォトセンサを走査して各フ
ォトセンサに蓄積されている信号電荷を順次取り出す方
式となっている。全てのフォトセンサ(画素)を走査し
て出力するのに要する時間は、動画像が不自然に見えな
い程度の時間である33.3msecに設定されている。
【0010】この走査時間は現行テレビジョン方式に採
用されている1フレームの時間であり、従ってこの仕様
の固体撮像素子は大量に生産されている。このため、こ
の種の固体撮像素子は安価に入手することができるが、
FA(Factory Automation)用センサの中には、画素数
は少なくてもよいが、高速な撮像時間を必要とする撮像
素子(例えば、100×100画素で走査時間3msec)
が求められている。しかし、このような特殊な仕様の固
体撮像素子は生産量が少ないためにコストが高く、この
ような撮像素子を用いた画像撮像装置もコスト高になる
という不都合がある。
【0011】本発明は、このような従来の課題を解決す
るためになされたもので、特殊な固体撮像素子を用いる
ことなしに、現行テレビジョン方式に採用されているよ
うな汎用の固体撮像素子を用いることによって、撮像時
間を大幅に高速化することができる画像撮像装置を提供
することを目的する。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に記載
の発明は、複数のフォトセンサと、このフォトセンサに
発生した信号電荷が垂直期間毎に転送される複数の垂直
シフトレジスタと、各垂直シフトレジスタに転送された
信号電荷が水平期間毎にライン毎に転送され、この転送
された信号電荷を1水平期間内に出力する水平シフトレ
ジスタと、複数のフォトセンサの一部を構成するフォト
センサのみに被写体像が結像するように窓部を有し他の
フォトセンサを遮光する光学マスクと、垂直シフトレジ
スタおよび水平シフトレジスタをシフト制御することに
よって前記一部を構成するフォトセンサに蓄積された信
号電荷のみを取り出す撮像素子駆動回路とを備える。
【0013】本発明の請求項2記載の発明は、請求項1
記載の発明において、前記一部を構成するフォトセンサ
は複数のフォトセンサのうちの出力側に配置されたフォ
トセンサであることを特徴とする。
【0014】本発明の請求項3記載の発明は、請求項2
記載の発明において、前記一部を構成するフォトセンサ
は複数a×b個のフォトセンサであり、撮像素子駆動回
路は水平シフトレジスタをa回シフトし、垂直シフトレ
ジスタをb回シフトすることによってa×b個のフォト
センサに蓄積された信号電荷のみを取り出すことを特徴
とする。
【0015】本発明によれば、フォトセンサの上に窓部
を設けた光学マスクを重ね、この窓部に対応する部分の
フォトセンサのみを露光し、このフォトセンサに蓄積さ
れた信号電荷のみを読み出すことによって、汎用の固体
撮像素子を用いて高速処理が可能な画像撮像装置を提供
することができる。
【0016】
【発明の実施の形態】図1は、本発明による画像撮像装
置の一実施の形態を示すブロック図である。同図におい
て、固体撮像素子1は、レンズ(図示せず)を透過した
被写体像が光学マスク1aの窓部1bに結像するように
配置されている。固体撮像素子1としては、CCD(電
荷結合素子)撮像デバイスがあるが、他の構造の撮像デ
バイスを用いてもよい。
【0017】固体撮像素子1の基本構成は、前述した従
来の固体撮像素子(図5)と同一であるので、詳細説明
は省略するが、撮像素子駆動回路2からの第1の転送パ
ルスTP1によってフォトセンサに蓄積された信号電荷
が垂直シフトレジスタに転送され、第2の転送パルスT
P2によって垂直シフトレジスタに蓄積された信号電荷
が1ラインずつ水平シフトレジスタに転送され、第3の
転送パルスTP3によって水平シフトレジスタに蓄積さ
れた信号電荷が出力されるように構成されている。こう
して得られた信号電荷は出力バッファ3を介して映像信
号として外部に出力される。
【0018】図2は、固体撮像素子1を光学マスク1a
によって遮光し、窓部1bのみが露光可能な状態を示す
平面構造図である。すなわち、複数A×B個のフォトセ
ンサ(フォトダイオード)のうち、a×b個(ただし、
a<A,b<B)のフォトセンサのみに被写体像が結像
するように窓部1bが開けられ、他のフォトセンサは光
学マスク1aによって遮光するように構成されている。
なお、a×b個のフォトセンサは、最初に読み出される
出力側(図の左下)に位置するフォトセンサとするのが
望ましい。
【0019】次に、図3に示す固体撮像素子1の基本構
成図と、図4に示す映像信号のタイミング図とを参照し
ながら、本実施の形態の動作について説明する。なお、
以下の説明では、簡略化のためにA×B個のフォトセン
サの数を3列×5行とし、a×b個のフォトセンサの数
を2列×2行として説明する。従って、図で破線で囲っ
た出力側の2×2個のフォトセンサのみが露光され、残
りのフォトセンサは遮光されているものとする。
【0020】まず、受光期間中に各フォトセンサに発生
した信号電荷Q11〜Q35は、電荷蓄積動作によってそれ
ぞれの接合容量に蓄積され、蓄積期間が終了すると、1
垂直期間開始前に発生する第1の転送パルスTP1によ
って隣接する各列の垂直シフトレジスタVR1〜VR3
の垂直転送素子V11〜V35に転送される。
【0021】すなわち、第1列目のフォトセンサに発生
した信号電荷Q11〜Q15は垂直シフトレジスタVR1の
垂直転送素子V11〜V15に転送され、第2列目のフォト
センサに発生した信号電荷Q21〜Q25は垂直シフトレジ
スタVR2の垂直転送素子V21〜V25に転送され、第3
列目のフォトセンサに発生した信号電荷Q31〜Q35は垂
直シフトレジスタVR3の垂直転送素子V31〜V35に転
送される。
【0022】次いで、1水平期間開始毎に発生する第2
の転送パルスTP2によって垂直転送素子V11〜V35に
蓄積された信号電荷Q11〜Q35が各垂直シフトレジスタ
VR1〜VR3毎に1ライン分シフトされる。従って、
最初は図の最下部の1ライン目の垂直転送素子V11,V
21,V31の信号電荷Q11,Q21,Q31が水平シフトレジ
スタHRの水平転送素子H1,H2,H3に転送され
る。
【0023】水平シフトレジスタHRに転送された1ラ
イン目の信号電荷Q11〜Q31は第3の転送パルスTP3
によってシフトされ、最初の転送パルスTP3によって
信号電荷Q11が出力され、2番目の転送パルスTP3に
よって信号電荷Q21が出力される。この例では、露光部
のフォトセンサの数は2列としているので、2つの転送
パルスTP3によって1ライン目の全ての信号電荷Q1
1,Q21が出力され、1水平期間が終了する。
【0024】次いで、次の転送パルスTP2によって、
最下部の垂直転送素子V11,V21,V31に転送されてい
た2ライン目の信号電荷Q12,Q22,Q32が水平シフト
レジスタHRの水平転送素子H1,H2,H3に転送さ
れる。このとき、水平転送素子H1には信号電荷Q31が
転送されて来ているが、信号電荷Q31の電荷量は光学マ
スク1aによって遮光されている部分の電荷量であるの
で零であり、従って信号電荷Q12が転送された後の水平
転送素子H1の蓄積電荷は信号電荷Q12のみとなる。
【0025】水平シフトレジスタHRに転送された2ラ
イン目の信号電荷Q12〜Q32は第3の転送パルスTP3
によってシフトされ、最初の転送パルスTP3によって
信号電荷Q12が出力され、2番目の転送パルスTP3に
よって信号電荷Q22が出力される。これによって2ライ
ン目の全ての信号電荷Q12,Q22が出力され、1水平期
間が終了する。また、この例では、露光部のフォトセン
サの数は2行としているので、これによって全2ライン
の全ての信号電荷Q11〜Q22が出力され、1垂直期間が
終了する。
【0026】次いで、再び第1の転送パルスTP1によ
って各フォトセンサに発生した信号電荷Q11〜Q35が隣
接する各列の垂直シフトレジスタVR1〜VR3の垂直
転送素子V11〜V35に転送され、前述の動作を繰り返
す。このとき、垂直シフトレジスタVR1の垂直転送素
子V11,V12には、信号電荷Q13,Q14が転送されてい
るが、信号電荷Q13,Q14の電荷量は光学マスク1aに
よって遮光されている部分の電荷量であるので零であ
り、従って垂直転送素子V11,V12には新たな信号電荷
Q11,Q12のみが蓄積される。このことは垂直転送素子
V21,V22に新たに蓄積される信号電荷Q21,Q22につ
いても同様である。
【0027】
【発明の効果】本発明によれば、汎用の固体撮像素子の
上に窓部を設けた光学マスクを重ね、この窓部に対応す
る部分のフォトセンサのみを露光し、そのフォトセンサ
に蓄積された信号電荷のみを読み出すことによって、高
速処理が可能な画像撮像装置を安価に提供することが可
能となる。
【0028】例えば、画素数が780×480画素、走
査時間が33.3msecの汎用の固体撮像素子を用いて、
100×100画素の画像撮像装置を作製した場合は、
1画素のアクセス時間を不変とすると、 {(100×100)/(780×480)}×33.3=
0.9msec となり、大幅な高速処理が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態を示す画像撮像装置のブ
ロック図である。
【図2】光学マスクによって遮光され、窓部のみが露光
可能な状態を示す固体撮像素子の平面構造図である。
【図3】本実施の形態の動作を説明するための固体撮像
素子の基本構成図で、説明の簡略化のために3×5個の
フォトセンサを有する構成図を示している。
【図4】図3に示す固体撮像素子の動作を説明するタイ
ミング図で、2×2個のフォトセンサに蓄積された信号
電荷のみを取り出す場合のタイミング図である。
【図5】インターライン転送型固体撮像素子の基本構成
図である。
【図6】図5に示す固体撮像素子の動作を説明するため
のタイミング図である。
【符号の説明】
1 固体撮像素子 1a 光学マスク 1b 窓部 2 撮像素子駆動回路 3 出力バッファ VR1〜VR3 垂直シフトレジスタ HR 水平シフトレジスタ V11〜V35 垂直転送素子 H1〜H3 水平転送素子 Q11〜Q35 信号電荷

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数のフォトセンサと、 前記フォトセンサに発生した信号電荷が垂直期間毎に転
    送される複数の垂直シフトレジスタと、 前記各垂直シフトレジスタに転送された信号電荷が水平
    期間毎にライン毎に転送され、この転送された信号電荷
    を1水平期間内に出力する水平シフトレジスタと、 前記複数のフォトセンサの一部を構成するフォトセンサ
    のみに被写体像が結像するように窓部を有し他のフォト
    センサを遮光する光学マスクと、 前記垂直シフトレジスタおよび前記水平シフトレジスタ
    をシフト制御することによって前記一部を構成するフォ
    トセンサに蓄積された信号電荷のみを取り出す撮像素子
    駆動回路と、 を備えることを特徴とする画像撮像装置。
  2. 【請求項2】 前記一部を構成するフォトセンサは前記
    複数のフォトセンサのうちの出力側に配置されたフォト
    センサであることを特徴とする請求項1記載の画像撮像
    装置。
  3. 【請求項3】 前記一部を構成するフォトセンサは複数
    a×b個のフォトセンサであり、前記撮像素子駆動回路
    は前記水平シフトレジスタをa回シフトし、前記垂直シ
    フトレジスタをb回シフトすることによって前記a×b
    個のフォトセンサに蓄積された信号電荷のみを取り出す
    ことを特徴とする請求項2記載の画像撮像装置。
JP8312631A 1996-11-11 1996-11-11 画像撮像装置 Pending JPH10145679A (ja)

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