JPH10145005A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
- Publication number
- JPH10145005A JPH10145005A JP33620996A JP33620996A JPH10145005A JP H10145005 A JPH10145005 A JP H10145005A JP 33620996 A JP33620996 A JP 33620996A JP 33620996 A JP33620996 A JP 33620996A JP H10145005 A JPH10145005 A JP H10145005A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- layer
- contact layer
- bete
- znte
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 特性、信頼性、寿命などに優れた、ＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物半導体を用いた半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用いた半導
体発光素子において、ｐ型コンタクト層を、順次積層さ
れたｐ型ＺｎＳｅコンタクト層９、ｐ型ＺｎＳｅ／Ｂｅ
Ｔｅ多重量子井戸層１０、ｐ型ＢｅＴｅコンタクト層１
１、ｐ型ＢｅＴｅ／ＺｎＴｅ多重量子井戸層１２および
ｐ型ＺｎＴｅコンタクト層１３により構成する。
Ｉ族化合物半導体を用いた半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用いた半導
体発光素子において、ｐ型コンタクト層を、順次積層さ
れたｐ型ＺｎＳｅコンタクト層９、ｐ型ＺｎＳｅ／Ｂｅ
Ｔｅ多重量子井戸層１０、ｐ型ＢｅＴｅコンタクト層１
１、ｐ型ＢｅＴｅ／ＺｎＴｅ多重量子井戸層１２および
ｐ型ＺｎＴｅコンタクト層１３により構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体発光素子
に関し、特に、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用いた半導
体発光素子に適用して好適なものである。
に関し、特に、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用いた半導
体発光素子に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、光ディスクや光磁気ディスクに対
する記録／再生の高密度化または高解像度化などのため
に、青色ないし緑色で発光可能な半導体レーザや発光ダ
イオードなどの半導体発光素子に対する要求が高まって
おり、その実現を目指して研究が活発に行われている。
する記録／再生の高密度化または高解像度化などのため
に、青色ないし緑色で発光可能な半導体レーザや発光ダ
イオードなどの半導体発光素子に対する要求が高まって
おり、その実現を目指して研究が活発に行われている。
【０００３】このような青色ないし緑色で発光可能な半
導体発光素子の製造に用いる材料としては、Ｚｎ、Ｃ
ｄ、Ｍｇ、Ｈｇ、ＢｅなどのＩＩ族元素とＳ、Ｓｅ、Ｔ
ｅなどのＶＩ族元素とからなるＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体が最も有望である。特に、四元混晶であるＺｎＭｇＳ
Ｓｅは、結晶性に優れ、入手も容易なＧａＡｓ基板上へ
の結晶成長が可能であり、例えば青色で発光可能な半導
体レーザをこのＧａＡｓ基板を用いて製造する際のクラ
ッド層や光導波層などに適していることが知られている
（例えば、Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ
２８（１９９２）ｐ．１７９８）。
導体発光素子の製造に用いる材料としては、Ｚｎ、Ｃ
ｄ、Ｍｇ、Ｈｇ、ＢｅなどのＩＩ族元素とＳ、Ｓｅ、Ｔ
ｅなどのＶＩ族元素とからなるＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体が最も有望である。特に、四元混晶であるＺｎＭｇＳ
Ｓｅは、結晶性に優れ、入手も容易なＧａＡｓ基板上へ
の結晶成長が可能であり、例えば青色で発光可能な半導
体レーザをこのＧａＡｓ基板を用いて製造する際のクラ
ッド層や光導波層などに適していることが知られている
（例えば、Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ
２８（１９９２）ｐ．１７９８）。
【０００４】従来、このＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用
いた半導体発光素子、特にクラッド層にＺｎＭｇＳＳｅ
層を用いた半導体発光素子は、ｎ型ＧａＡｓ基板上にバ
ッファ層を介してｎ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層、活性
層、ｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層、ｐ型ＺｎＳｅコン
タクト層などを分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法により
順次成長させた後、このｐ型ＺｎＳｅコンタクト層上に
ｐ側電極を形成するとともに、ｎ型ＧａＡｓ基板の裏面
にｎ側電極を形成することにより製造するのが一般的で
あった。しかしながら、このような半導体発光素子にお
いては、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層のキャリア濃度を高
くすることが難しいことなどにより、このｐ型ＺｎＳｅ
コンタクト層にｐ側電極をオーミックコンタクトさせる
ことは困難であった。
いた半導体発光素子、特にクラッド層にＺｎＭｇＳＳｅ
層を用いた半導体発光素子は、ｎ型ＧａＡｓ基板上にバ
ッファ層を介してｎ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層、活性
層、ｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層、ｐ型ＺｎＳｅコン
タクト層などを分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法により
順次成長させた後、このｐ型ＺｎＳｅコンタクト層上に
ｐ側電極を形成するとともに、ｎ型ＧａＡｓ基板の裏面
にｎ側電極を形成することにより製造するのが一般的で
あった。しかしながら、このような半導体発光素子にお
いては、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層のキャリア濃度を高
くすることが難しいことなどにより、このｐ型ＺｎＳｅ
コンタクト層にｐ側電極をオーミックコンタクトさせる
ことは困難であった。
【０００５】そこで、この問題を解決するために、ｐ型
ＺｎＳｅコンタクト層上にｐ型ＺｎＳｅ／ＺｎＴｅ多重
量子井戸（ＭＱＷ）層を成長させ、さらにその上に高キ
ャリア濃度のものが容易に得られるｐ型ＺｎＴｅコンタ
クト層を成長させ、その上にｐ側電極、特にＰｄ／Ｐｔ
／Ａｕ構造のｐ側電極を形成することによりオーミック
コンタクト特性の向上を図る技術が提案された。そし
て、ＺｎＣｄＳｅ層を活性層、ＺｎＳＳｅ層を光導波
層、ＺｎＭｇＳＳｅ層をクラッド層とするＺｎＣｄＳｅ
／ＺｎＳＳｅ／ＺｎＭｇＳＳｅ ＳＣＨ（Ｓｅｐａｒａ
ｔｅ Ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕ
ｃｔｕｒｅ）構造の半導体レーザにおいてこのｐ側電極
コンタクト構造を採用したもので、すでに室温連続発振
が達成されている（例えば、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐ
ｈｙｓ．３３（１９９４）ｐ．Ｌ９３８）。
ＺｎＳｅコンタクト層上にｐ型ＺｎＳｅ／ＺｎＴｅ多重
量子井戸（ＭＱＷ）層を成長させ、さらにその上に高キ
ャリア濃度のものが容易に得られるｐ型ＺｎＴｅコンタ
クト層を成長させ、その上にｐ側電極、特にＰｄ／Ｐｔ
／Ａｕ構造のｐ側電極を形成することによりオーミック
コンタクト特性の向上を図る技術が提案された。そし
て、ＺｎＣｄＳｅ層を活性層、ＺｎＳＳｅ層を光導波
層、ＺｎＭｇＳＳｅ層をクラッド層とするＺｎＣｄＳｅ
／ＺｎＳＳｅ／ＺｎＭｇＳＳｅ ＳＣＨ（Ｓｅｐａｒａ
ｔｅ Ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕ
ｃｔｕｒｅ）構造の半導体レーザにおいてこのｐ側電極
コンタクト構造を採用したもので、すでに室温連続発振
が達成されている（例えば、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐ
ｈｙｓ．３３（１９９４）ｐ．Ｌ９３８）。
【０００６】しかしながら、本発明者の知見によれば、
このようなｐ側電極コンタクト構造を用いた従来の半導
体発光素子においては、通電中にｐ側電極コンタタト構
造の劣化が進行し、遂には破壊されてしまうという問題
があった。このため、これまでは、特性、信頼性、寿命
などの点で不十分な半導体発光素子しか得られていなか
った。
このようなｐ側電極コンタクト構造を用いた従来の半導
体発光素子においては、通電中にｐ側電極コンタタト構
造の劣化が進行し、遂には破壊されてしまうという問題
があった。このため、これまでは、特性、信頼性、寿命
などの点で不十分な半導体発光素子しか得られていなか
った。
【０００７】ここで、このようにｐ側電極コンタクト構
造が通電中に破壊されてしまう問題は、次のような原因
によるものであることが明らかとなった。すなわち、上
述のようなｐ側電極コンタクト構造においては、ＺｎＳ
ｅとＺｎＴｅとの間に約７％もの大きな格子不整がある
ことによりｐ型ＺｎＳｅ／ＺｎＴｅＭＱＷ層中に転位な
どの結晶欠陥が発生し、これがこのｐ型ＺｎＳｅ／Ｚｎ
ＴｅＭＱＷ層上のｐ型ＺｎＴｅコンタクト層中に伝播
し、遂にはｐ側電極との界面にまで達する。このため、
半導体発光素子への通電中に、ｐ側電極を構成する金
属、特にＰｄがこの結晶欠陥を通じて容易にｐ型ＺｎＴ
ｅコンタクト層中に拡散し、さらにｐ型ＺｎＳｅ／Ｚｎ
ＴｅＭＱＷ層中に拡散し、これが原因となってこのｐ型
ＺｎＳｅ／ＺｎＴｅＭＱＷ層が破壊される。このように
してｐ側電極コンタクト構造が破壊される。また、ｐ型
ＺｎＴｅコンタクト層中に拡散した金属は、キャリア捕
獲中心の増大をもたらし、半導体発光素子の特性の劣化
などを引き起こす。
造が通電中に破壊されてしまう問題は、次のような原因
によるものであることが明らかとなった。すなわち、上
述のようなｐ側電極コンタクト構造においては、ＺｎＳ
ｅとＺｎＴｅとの間に約７％もの大きな格子不整がある
ことによりｐ型ＺｎＳｅ／ＺｎＴｅＭＱＷ層中に転位な
どの結晶欠陥が発生し、これがこのｐ型ＺｎＳｅ／Ｚｎ
ＴｅＭＱＷ層上のｐ型ＺｎＴｅコンタクト層中に伝播
し、遂にはｐ側電極との界面にまで達する。このため、
半導体発光素子への通電中に、ｐ側電極を構成する金
属、特にＰｄがこの結晶欠陥を通じて容易にｐ型ＺｎＴ
ｅコンタクト層中に拡散し、さらにｐ型ＺｎＳｅ／Ｚｎ
ＴｅＭＱＷ層中に拡散し、これが原因となってこのｐ型
ＺｎＳｅ／ＺｎＴｅＭＱＷ層が破壊される。このように
してｐ側電極コンタクト構造が破壊される。また、ｐ型
ＺｎＴｅコンタクト層中に拡散した金属は、キャリア捕
獲中心の増大をもたらし、半導体発光素子の特性の劣化
などを引き起こす。
【０００８】近年、この問題を解決可能な技術として、
ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層上にｐ型ＺｎＳｅ／ＢｅＴｅ
ＭＱＷ層を成長させ、さらにその上にｐ型ＢｅＴｅコン
タクト層を成長させ、その上にｐ側電極を形成すること
によりオーミックコンタクト特性の向上を図る技術が提
案された（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６４（１
９９４）ｐ．２１４８ 、特開平７−５８４１７号公
報）。これによれば、ＺｎＳｅとＢｅＴｅとの間には格
子不整がほとんどないことにより、ｐ型ＺｎＳｅ／Ｂｅ
ＴｅＭＱＷ層中に転位などの結晶欠陥が発生することが
ほとんどなくなるため、このｐ型ＺｎＳｅ／ＢｅＴｅＭ
ＱＷ層、したがってｐ側電極コンタクト構造が破壊され
る問題を解決することが可能であり、特性、信頼性、寿
命などに優れた半導体発光素子の実現が可能である。
ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層上にｐ型ＺｎＳｅ／ＢｅＴｅ
ＭＱＷ層を成長させ、さらにその上にｐ型ＢｅＴｅコン
タクト層を成長させ、その上にｐ側電極を形成すること
によりオーミックコンタクト特性の向上を図る技術が提
案された（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６４（１
９９４）ｐ．２１４８ 、特開平７−５８４１７号公
報）。これによれば、ＺｎＳｅとＢｅＴｅとの間には格
子不整がほとんどないことにより、ｐ型ＺｎＳｅ／Ｂｅ
ＴｅＭＱＷ層中に転位などの結晶欠陥が発生することが
ほとんどなくなるため、このｐ型ＺｎＳｅ／ＢｅＴｅＭ
ＱＷ層、したがってｐ側電極コンタクト構造が破壊され
る問題を解決することが可能であり、特性、信頼性、寿
命などに優れた半導体発光素子の実現が可能である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者の知見によれば、上述のようなｐ型ＺｎＳｅコンタク
ト層、ｐ型ＺｎＳｅ／ＢｅＴｅＭＱＷ層およびｐ型Ｂｅ
Ｔｅコンタクト層からなるｐ型コンタクト層を用いた半
導体発光素子においては、時間の経過とともにそのｐ型
ＢｅＴｅコンタクト層が酸化されてしまい、動作電圧が
上昇してしまうという問題があった。
者の知見によれば、上述のようなｐ型ＺｎＳｅコンタク
ト層、ｐ型ＺｎＳｅ／ＢｅＴｅＭＱＷ層およびｐ型Ｂｅ
Ｔｅコンタクト層からなるｐ型コンタクト層を用いた半
導体発光素子においては、時間の経過とともにそのｐ型
ＢｅＴｅコンタクト層が酸化されてしまい、動作電圧が
上昇してしまうという問題があった。
【００１０】したがって、この発明の目的は、動作中に
動作電圧の上昇が生じず、特性、信頼性、寿命などに優
れた、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用いた半導体発光素
子を提供することにある。
動作電圧の上昇が生じず、特性、信頼性、寿命などに優
れた、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用いた半導体発光素
子を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明による半導体発光素子は、化合物半導体基
板と、化合物半導体基板上のｎ型クラッド層と、ｎ型ク
ラッド層上の活性層と、活性層上のｐ型クラッド層と、
ｐ型クラッド層上のｐ型コンタクト層とを有し、ｎ型ク
ラッド層、活性層、ｐ型クラッド層およびｐ型コンタク
ト層は、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｍｇ、ＨｇおよびＢｅからなる群
より選ばれた少なくとも一種類以上のＩＩ族元素とＳ、
ＳｅおよびＴｅからなる群より選ばれた少なくとも一種
類以上のＶＩ族元素とからなるＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体により構成されている半導体発光素子において、ｐ型
コンタクト層が、ｐ型ＺｎＳｅまたはｐ型ＺｎＳＳｅか
らなる第１のｐ型コンタクト層と、この第１のｐ型コン
タクト層上の複数のｐ型ＢｅＴｅ層および複数のｐ型Ｚ
ｎＳｅ層により構成された第１の多重量子井戸層と、こ
の第１の多重量子井戸層上のｐ型ＢｅＴｅからなる第２
のｐ型コンタクト層と、この第２のｐ型コンタクト層上
の複数のｐ型ＺｎＴｅ層および複数のｐ型ＢｅＴｅ層に
より構成された第２の多重量子井戸層と、この第２の多
重量子井戸層上のｐ型ＺｎＴｅからなる第２のｐ型コン
タクト層とからなることを特徴とするものである。
に、この発明による半導体発光素子は、化合物半導体基
板と、化合物半導体基板上のｎ型クラッド層と、ｎ型ク
ラッド層上の活性層と、活性層上のｐ型クラッド層と、
ｐ型クラッド層上のｐ型コンタクト層とを有し、ｎ型ク
ラッド層、活性層、ｐ型クラッド層およびｐ型コンタク
ト層は、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｍｇ、ＨｇおよびＢｅからなる群
より選ばれた少なくとも一種類以上のＩＩ族元素とＳ、
ＳｅおよびＴｅからなる群より選ばれた少なくとも一種
類以上のＶＩ族元素とからなるＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体により構成されている半導体発光素子において、ｐ型
コンタクト層が、ｐ型ＺｎＳｅまたはｐ型ＺｎＳＳｅか
らなる第１のｐ型コンタクト層と、この第１のｐ型コン
タクト層上の複数のｐ型ＢｅＴｅ層および複数のｐ型Ｚ
ｎＳｅ層により構成された第１の多重量子井戸層と、こ
の第１の多重量子井戸層上のｐ型ＢｅＴｅからなる第２
のｐ型コンタクト層と、この第２のｐ型コンタクト層上
の複数のｐ型ＺｎＴｅ層および複数のｐ型ＢｅＴｅ層に
より構成された第２の多重量子井戸層と、この第２の多
重量子井戸層上のｐ型ＺｎＴｅからなる第２のｐ型コン
タクト層とからなることを特徴とするものである。
【００１２】この発明において、第１の多重量子井戸層
は、その量子井戸層のそれぞれに形成される量子準位の
うちの少なくとも一つ（例えば、第１量子準位）がｐ型
ＺｎＳｅおよびｐ型ＢｅＴｅの価電子帯の頂上のエネル
ギーと一致し、しかも互いに等しくなるように設計さ
れ、具体的には例えばそのようになるように例えば量子
井戸層の厚さ（量子井戸幅）を変える。同様に、第２の
多重量子井戸層は、その量子井戸層のそれぞれに形成さ
れる量子準位のうちの少なくとも一つ（例えば、第１量
子準位）がｐ型ＢｅＴｅおよびｐ型ＺｎＴｅの価電子帯
の頂上のエネルギーと一致し、しかも互いに等しくなる
ように設計され、具体的には例えばそのようになるよう
に量子井戸層の厚さを変える。
は、その量子井戸層のそれぞれに形成される量子準位の
うちの少なくとも一つ（例えば、第１量子準位）がｐ型
ＺｎＳｅおよびｐ型ＢｅＴｅの価電子帯の頂上のエネル
ギーと一致し、しかも互いに等しくなるように設計さ
れ、具体的には例えばそのようになるように例えば量子
井戸層の厚さ（量子井戸幅）を変える。同様に、第２の
多重量子井戸層は、その量子井戸層のそれぞれに形成さ
れる量子準位のうちの少なくとも一つ（例えば、第１量
子準位）がｐ型ＢｅＴｅおよびｐ型ＺｎＴｅの価電子帯
の頂上のエネルギーと一致し、しかも互いに等しくなる
ように設計され、具体的には例えばそのようになるよう
に量子井戸層の厚さを変える。
【００１３】この発明において、第３のｐ型コンタクト
層の厚さは２〜１００ｎｍ、好適には２〜８０ｎｍ、典
型的には６０〜８０ｎｍ、例えば７０ｎｍである。
層の厚さは２〜１００ｎｍ、好適には２〜８０ｎｍ、典
型的には６０〜８０ｎｍ、例えば７０ｎｍである。
【００１４】上述のように構成されたこの発明によれ
ば、ｐ型コンタクト層の最上層は、ＢｅＴｅに比べては
るかに酸化されにくいＺｎＴｅにより構成されているの
で、動作中に酸化される問題がなく、したがって動作中
に動作電圧の上昇が起きる問題がない。
ば、ｐ型コンタクト層の最上層は、ＢｅＴｅに比べては
るかに酸化されにくいＺｎＴｅにより構成されているの
で、動作中に酸化される問題がなく、したがって動作中
に動作電圧の上昇が起きる問題がない。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施形態につ
いて図面を参照しながら説明する。
いて図面を参照しながら説明する。
【００１６】図１はこの発明の一実施形態による半導体
レーザを示す。この半導体レーザはＳＣＨ構造を有する
ものである。
レーザを示す。この半導体レーザはＳＣＨ構造を有する
ものである。
【００１７】図１に示すように、この一実施形態による
半導体レーザにおいては、ｎ型不純物として例えばＳｉ
がドープされた例えば（００１）面方位のｎ型ＧａＡｓ
基板１上に、ｎ型ＺｎＳｅバッファ層２、ｎ型ＺｎＭｇ
ＳＳｅクラッド層３、ｎ型ＺｎＳＳｅ光導波層４、例え
ばアンドープのＺｎＣｄＳｅ層を量子井戸層とする単一
量子井戸構造または多重量子井戸構造の活性層５、ｐ型
ＺｎＳＳｅ光導波層６、ｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層
７、ｐ型ＺｎＳＳｅ層８、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層
９、ｐ型ＺｎＳｅ／ＢｅＴｅＭＱＷ層１０、ｐ型ＢｅＴ
ｅコンタクト層１１、ｐ型ＢｅＴｅ／ＺｎＴｅＭＱＷ層
１２およびｐ型ＺｎＴｅコンタクト層１３が、順次積層
されている。ここで、ｎ型ＺｎＳｅバッファ層２、ｎ型
ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層３およびｎ型ＺｎＳＳｅ光導
波層４にはそれぞれｎ型不純物として例えばＣ１がドー
プされている。また、ｐ型ＺｎＳＳｅ光導波層６、ｐ型
ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層７、ｐ型ＺｎＳＳｅ層８、ｐ
型ＺｎＳｅコンタクト層９、ｐ型ＺｎＳｅ／ＢｅＴｅＭ
ＱＷ層１０、ｐ型ＢｅＴｅコンタクト層１１、ｐ型Ｂｅ
Ｔｅ／ＺｎＴｅＭＱＷ層１２およびｐ型ＺｎＴｅコンタ
クト層１３にはそれぞれｐ型不純物として例えばＮがド
ープされている。
半導体レーザにおいては、ｎ型不純物として例えばＳｉ
がドープされた例えば（００１）面方位のｎ型ＧａＡｓ
基板１上に、ｎ型ＺｎＳｅバッファ層２、ｎ型ＺｎＭｇ
ＳＳｅクラッド層３、ｎ型ＺｎＳＳｅ光導波層４、例え
ばアンドープのＺｎＣｄＳｅ層を量子井戸層とする単一
量子井戸構造または多重量子井戸構造の活性層５、ｐ型
ＺｎＳＳｅ光導波層６、ｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層
７、ｐ型ＺｎＳＳｅ層８、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層
９、ｐ型ＺｎＳｅ／ＢｅＴｅＭＱＷ層１０、ｐ型ＢｅＴ
ｅコンタクト層１１、ｐ型ＢｅＴｅ／ＺｎＴｅＭＱＷ層
１２およびｐ型ＺｎＴｅコンタクト層１３が、順次積層
されている。ここで、ｎ型ＺｎＳｅバッファ層２、ｎ型
ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層３およびｎ型ＺｎＳＳｅ光導
波層４にはそれぞれｎ型不純物として例えばＣ１がドー
プされている。また、ｐ型ＺｎＳＳｅ光導波層６、ｐ型
ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層７、ｐ型ＺｎＳＳｅ層８、ｐ
型ＺｎＳｅコンタクト層９、ｐ型ＺｎＳｅ／ＢｅＴｅＭ
ＱＷ層１０、ｐ型ＢｅＴｅコンタクト層１１、ｐ型Ｂｅ
Ｔｅ／ＺｎＴｅＭＱＷ層１２およびｐ型ＺｎＴｅコンタ
クト層１３にはそれぞれｐ型不純物として例えばＮがド
ープされている。
【００１８】ｐ型ＺｎＳＳｅ層８の上層部、ｐ型ＺｎＳ
ｅコンタクト層９、ｐ型ＺｎＳｅ／ＢｅＴｅＭＱＷ層１
０、ｐ型ＢｅＴｅコンタクト層１１、ｐ型ＢｅＴｅ／Ｚ
ｎＴｅＭＱＷ層１２およびｐ型ＺｎＴｅコンタクト層１
３は、一方向（例えば、〈１−１０〉方向）に延在する
ストライプ形状にパターニングされている。
ｅコンタクト層９、ｐ型ＺｎＳｅ／ＢｅＴｅＭＱＷ層１
０、ｐ型ＢｅＴｅコンタクト層１１、ｐ型ＢｅＴｅ／Ｚ
ｎＴｅＭＱＷ層１２およびｐ型ＺｎＴｅコンタクト層１
３は、一方向（例えば、〈１−１０〉方向）に延在する
ストライプ形状にパターニングされている。
【００１９】このストライプ部以外の部分におけるｐ型
ＺｎＳＳｅ層８上には、例えばＡｌ２Ｏ３膜からなる絶
縁層１４が形成されている。なお、この絶縁層１４とし
ては、例えばポリイミドを用いてもよい。
ＺｎＳＳｅ層８上には、例えばＡｌ２Ｏ３膜からなる絶
縁層１４が形成されている。なお、この絶縁層１４とし
ては、例えばポリイミドを用いてもよい。
【００２０】この絶縁層１４およびｐ型ＺｎＴｅコンタ
クト層１３上には、例えばＰｄ／Ｐｔ／Ａｕ構造のｐ側
電極１５が、ｐ型ＺｎＴｅコンタクト層１３にオーミッ
クコンタクトして設けられている。一方、ｎ型ＧａＡｓ
基板１の裏面には、例えばＩｎ電極のようなｎ側電極１
６がオーミックコンタクトして設けられている。
クト層１３上には、例えばＰｄ／Ｐｔ／Ａｕ構造のｐ側
電極１５が、ｐ型ＺｎＴｅコンタクト層１３にオーミッ
クコンタクトして設けられている。一方、ｎ型ＧａＡｓ
基板１の裏面には、例えばＩｎ電極のようなｎ側電極１
６がオーミックコンタクトして設けられている。
【００２１】この一実施形態による半導体レーザにおい
ては、ｐ側電極１５からｐ型ＺｎＴｅコンタクト層１３
中に注入された正孔は、ｐ型ＢｅＴｅ／ＺｎＴｅＭＱＷ
層１２のそれぞれの量子井戸に形成された量子準位（例
えば、第１量子準位Ｅ１）を介して共鳴トンネリングに
よりｐ型ＢｅＴｅコンタクト層１１に流れ込み、さらに
この正孔はｐ型ＺｎＳｅ／ＢｅＴｅＭＱＷ層１０のそれ
ぞれの量子井戸に形成された量子準位（例えば、第１量
子準位Ｅ１）を介して共鳴トンネリングによりｐ型Ｚｎ
Ｓｅコンタクト層９に流れるので、ｐ型ＺｎＳｅ／Ｂｅ
Ｔｅ界面およびｐ型ＢｅＴｅ／ＺｎＴｅ界面のポテンシ
ャル障壁は実効的になくなる。
ては、ｐ側電極１５からｐ型ＺｎＴｅコンタクト層１３
中に注入された正孔は、ｐ型ＢｅＴｅ／ＺｎＴｅＭＱＷ
層１２のそれぞれの量子井戸に形成された量子準位（例
えば、第１量子準位Ｅ１）を介して共鳴トンネリングに
よりｐ型ＢｅＴｅコンタクト層１１に流れ込み、さらに
この正孔はｐ型ＺｎＳｅ／ＢｅＴｅＭＱＷ層１０のそれ
ぞれの量子井戸に形成された量子準位（例えば、第１量
子準位Ｅ１）を介して共鳴トンネリングによりｐ型Ｚｎ
Ｓｅコンタクト層９に流れるので、ｐ型ＺｎＳｅ／Ｂｅ
Ｔｅ界面およびｐ型ＢｅＴｅ／ＺｎＴｅ界面のポテンシ
ャル障壁は実効的になくなる。
【００２２】次に、上述のように構成されたこの一実施
形態による半導体レーザの製造方法について説明する。
この半導体レーザを製造するには、まず、図１に示すよ
うに、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、例えばＭＢＥ法によ
り、ｎ型ＺｎＳｅバッファ層２、ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅク
ラッド層３、ｎ型ＺｎＳＳｅ光導波層４、活性層５、ｐ
型ＺｎＳＳｅ光導波層６、ｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド
層７、ｐ型ＺｎＳＳｅ層８、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層
９、ｐ型ＺｎＳｅ／ＢｅＴｅＭＱＷ層１０、ｐ型ＢｅＴ
ｅコンタクト層１１、ｐ型ＢｅＴｅ／ＺｎＴｅＭＱＷ層
１２およびｐ型ＺｎＴｅコンタクト層１３を順次成長さ
せる。
形態による半導体レーザの製造方法について説明する。
この半導体レーザを製造するには、まず、図１に示すよ
うに、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、例えばＭＢＥ法によ
り、ｎ型ＺｎＳｅバッファ層２、ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅク
ラッド層３、ｎ型ＺｎＳＳｅ光導波層４、活性層５、ｐ
型ＺｎＳＳｅ光導波層６、ｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド
層７、ｐ型ＺｎＳＳｅ層８、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層
９、ｐ型ＺｎＳｅ／ＢｅＴｅＭＱＷ層１０、ｐ型ＢｅＴ
ｅコンタクト層１１、ｐ型ＢｅＴｅ／ＺｎＴｅＭＱＷ層
１２およびｐ型ＺｎＴｅコンタクト層１３を順次成長さ
せる。
【００２３】次に、ｐ型ＺｎＴｅコンタクト層１３上に
リソグラフィーにより一方向に延在するストライプ形状
のレジストパターン（図示せず）を形成した後、このレ
ジストパターンをマスクとして例えばウエットエッチン
グ法によりｐ型ＺｎＳＳｅ層８の厚さ方向の途中の深さ
までエッチングする。これによって、ｐ型ＺｎＳＳｅ層
８の上層部、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層９、ｐ型ＺｎＳ
ｅ／ＢｅＴｅＭＱＷ層１０、ｐ型ＢｅＴｅコンタクト層
１１、ｐ型ＢｅＴｅ／ＺｎＴｅＭＱＷ層１２およびｐ型
ＺｎＴｅコンタクト層１３がストライプ形状にパターニ
ングされる。
リソグラフィーにより一方向に延在するストライプ形状
のレジストパターン（図示せず）を形成した後、このレ
ジストパターンをマスクとして例えばウエットエッチン
グ法によりｐ型ＺｎＳＳｅ層８の厚さ方向の途中の深さ
までエッチングする。これによって、ｐ型ＺｎＳＳｅ層
８の上層部、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層９、ｐ型ＺｎＳ
ｅ／ＢｅＴｅＭＱＷ層１０、ｐ型ＢｅＴｅコンタクト層
１１、ｐ型ＢｅＴｅ／ＺｎＴｅＭＱＷ層１２およびｐ型
ＺｎＴｅコンタクト層１３がストライプ形状にパターニ
ングされる。
【００２４】次に、このエッチングに用いたレジストパ
ターンをそのまま残した状態で、真空蒸着法などにより
全面にＡｌ２Ｏ３膜を形成する。この後、このレジスト
パターンをその上のＡｌ２Ｏ３膜とともに除去する（リ
フトオフ）。これによって、ストライプ形状にパターニ
ングされたｐ型ＺｎＳＳｅ層８の上層部、ｐ型ＺｎＳｅ
コンタクト層９、ｐ型ＺｎＳｅ／ＢｅＴｅＭＱＷ層１
０、ｐ型ＢｅＴｅコンタクト層１１、ｐ型ＢｅＴｅ／Ｚ
ｎＴｅＭＱＷ層１２およびｐ型ＺｎＴｅコンタクト層１
３の両側の部分に絶縁層１４が形成される。
ターンをそのまま残した状態で、真空蒸着法などにより
全面にＡｌ２Ｏ３膜を形成する。この後、このレジスト
パターンをその上のＡｌ２Ｏ３膜とともに除去する（リ
フトオフ）。これによって、ストライプ形状にパターニ
ングされたｐ型ＺｎＳＳｅ層８の上層部、ｐ型ＺｎＳｅ
コンタクト層９、ｐ型ＺｎＳｅ／ＢｅＴｅＭＱＷ層１
０、ｐ型ＢｅＴｅコンタクト層１１、ｐ型ＢｅＴｅ／Ｚ
ｎＴｅＭＱＷ層１２およびｐ型ＺｎＴｅコンタクト層１
３の両側の部分に絶縁層１４が形成される。
【００２５】次に、ストライプ形状のｐ型ＺｎＴｅコン
タクト層１３およびその両側の部分の絶縁層１４の全面
に例えば真空蒸着法によりＰｄ膜、ｐｔ膜およびＡｕ膜
を順次形成してｐｄ／Ｐｔ／Ａｕからなるｐ側電極１５
を形成する。この後、必要に応じて熱処理を行って、こ
のｐ側電極１５をｐ型ＺｎＴｅコンタクト層１３にオー
ミックコンタクトさせる。一方、ｎ型ＧａＡｓ基板１の
裏面に例えばＩｎ電極のようなｎ側電極１６を形成す
る。
タクト層１３およびその両側の部分の絶縁層１４の全面
に例えば真空蒸着法によりＰｄ膜、ｐｔ膜およびＡｕ膜
を順次形成してｐｄ／Ｐｔ／Ａｕからなるｐ側電極１５
を形成する。この後、必要に応じて熱処理を行って、こ
のｐ側電極１５をｐ型ＺｎＴｅコンタクト層１３にオー
ミックコンタクトさせる。一方、ｎ型ＧａＡｓ基板１の
裏面に例えばＩｎ電極のようなｎ側電極１６を形成す
る。
【００２６】次に、以上のようにしてレーザ構造が形成
されたｎ型ＧａＡｓ基板１をバー状に劈開して両共振器
端面を形成し、さらに必要に応じて端面コーティングを
施した後、このバーを劈開してチップ化する。そして、
このようにして得られるレーザチップをヒートシンク上
にマウントし、パッケージングを行う。以上により、目
的とする半導体レーザが製造される。
されたｎ型ＧａＡｓ基板１をバー状に劈開して両共振器
端面を形成し、さらに必要に応じて端面コーティングを
施した後、このバーを劈開してチップ化する。そして、
このようにして得られるレーザチップをヒートシンク上
にマウントし、パッケージングを行う。以上により、目
的とする半導体レーザが製造される。
【００２７】以上のように、この一実施形態によれば、
ｐ型コンタクト層を、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層９、ｐ
型ＺｎＳｅ／ＢｅＴｅＭＱＷ層１０、ｐ型ＢｅＴｅコン
タクト層１１、ｐ型ＢｅＴｅ／ＺｎＴｅＭＱＷ層１２お
よびｐ型ＺｎＴｅコンタクト層１３により構成している
ので、ｐ型コンタクト層の最上層は酸化されにくいｐ型
ＺｎＴｅコンタクト層１３となり、したがって動作中に
このｐ型ＺｎＴｅコンタクト層１３が酸化されることが
なく、この酸化に起因する動作中の動作電圧の上昇の問
題がない。そして、これによって、特性および信頼性が
良好で長寿命のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用いた半導
体レーザを実現することができる。
ｐ型コンタクト層を、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層９、ｐ
型ＺｎＳｅ／ＢｅＴｅＭＱＷ層１０、ｐ型ＢｅＴｅコン
タクト層１１、ｐ型ＢｅＴｅ／ＺｎＴｅＭＱＷ層１２お
よびｐ型ＺｎＴｅコンタクト層１３により構成している
ので、ｐ型コンタクト層の最上層は酸化されにくいｐ型
ＺｎＴｅコンタクト層１３となり、したがって動作中に
このｐ型ＺｎＴｅコンタクト層１３が酸化されることが
なく、この酸化に起因する動作中の動作電圧の上昇の問
題がない。そして、これによって、特性および信頼性が
良好で長寿命のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用いた半導
体レーザを実現することができる。
【００２８】以上、この発明の一実施形態について具体
的に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定さ
れるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種
の変形が可能である。
的に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定さ
れるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種
の変形が可能である。
【００２９】例えば、上述の一実施形態による半導体レ
ーザの構造や材料はあくまでも例に過ぎず、必要に応じ
てこれと異なる構造や材料を用いてもよい。具体的に
は、例えば、上述の一実施形態におけるｐ型ＺｎＳｅコ
ンタクト層９の代わりにｐ型ＺｎＳＳｅコンタクト層を
用いてもよい。
ーザの構造や材料はあくまでも例に過ぎず、必要に応じ
てこれと異なる構造や材料を用いてもよい。具体的に
は、例えば、上述の一実施形態におけるｐ型ＺｎＳｅコ
ンタクト層９の代わりにｐ型ＺｎＳＳｅコンタクト層を
用いてもよい。
【００３０】また、上述の一実施形態においては、ＳＣ
Ｈ構造を有する半導体レーザにこの発明を適用した場合
について説明したが、この発明は、ＤＨ構造（Ｄｏｕｂ
ｌｅＨｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有する半導体
レーザに適用することも可能である。さらに、上述の一
実施形態においては、この発明を半導体レーザに適用し
た場合について説明したが、この発明は、発光ダイオー
ドに適用することも可能である。
Ｈ構造を有する半導体レーザにこの発明を適用した場合
について説明したが、この発明は、ＤＨ構造（Ｄｏｕｂ
ｌｅＨｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有する半導体
レーザに適用することも可能である。さらに、上述の一
実施形態においては、この発明を半導体レーザに適用し
た場合について説明したが、この発明は、発光ダイオー
ドに適用することも可能である。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、ｐ型コンタクト層が、ｐ型ＺｎＳｅまたはｐ型Ｚｎ
ＳＳｅからなる第１のｐ型コンタクト層と、この第１の
ｐ型コンタクト層上の複数のｐ型ＢｅＴｅ層および複数
のｐ型ＺｎＳｅ層により構成された第１の多重量子井戸
層と、この第１の多重量子井戸層上のｐ型ＢｅＴｅから
なる第２のｐ型コンタクト層と、この第２のｐ型コンタ
クト層上の複数のｐ型ＺｎＴｅ層および複数のｐ型Ｂｅ
Ｔｅ層により構成された第２の多重量子井戸層と、この
第２の多重量子井戸層上のｐ型ＺｎＴｅからなる第２の
ｐ型コンタクト層とからなることにより、動作中の動作
電圧の上昇が生じず、特性、信頼性、寿命などに優れた
半導体発光素子を実現することができる。
ば、ｐ型コンタクト層が、ｐ型ＺｎＳｅまたはｐ型Ｚｎ
ＳＳｅからなる第１のｐ型コンタクト層と、この第１の
ｐ型コンタクト層上の複数のｐ型ＢｅＴｅ層および複数
のｐ型ＺｎＳｅ層により構成された第１の多重量子井戸
層と、この第１の多重量子井戸層上のｐ型ＢｅＴｅから
なる第２のｐ型コンタクト層と、この第２のｐ型コンタ
クト層上の複数のｐ型ＺｎＴｅ層および複数のｐ型Ｂｅ
Ｔｅ層により構成された第２の多重量子井戸層と、この
第２の多重量子井戸層上のｐ型ＺｎＴｅからなる第２の
ｐ型コンタクト層とからなることにより、動作中の動作
電圧の上昇が生じず、特性、信頼性、寿命などに優れた
半導体発光素子を実現することができる。
【図１】この発明の一実施形態による半導体レーザを示
す断面図である。
す断面図である。
１・・・ｎ型ＧａＡｓ基板、３・・・ｎ型ＺｎＭｇＳＳ
ｅクラッド層、４・・・ｎ型ＺｎＳＳｅ光導波層、５・
・・活性層、６・・・ｐ型ＺｎＳＳｅ光導波層、７・・
・ｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層、９・・・ｐ型ＺｎＳ
ｅコンタクト層、１０・・・ｐ型ＺｎＳｅ／ＢｅＴｅＭ
ＱＷ層、１１・・・ｐ型ＢｅＴｅコンタクト層、１２・
・・ｐ型ＢｅＴｅ／ＺｎＴｅＭＱＷ層、１３・・・ｐ型
ＺｎＴｅコンタクト層、１４・・・絶縁層、１５・・・
ｐ側電極、１６・・・ｎ側電極
ｅクラッド層、４・・・ｎ型ＺｎＳＳｅ光導波層、５・
・・活性層、６・・・ｐ型ＺｎＳＳｅ光導波層、７・・
・ｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層、９・・・ｐ型ＺｎＳ
ｅコンタクト層、１０・・・ｐ型ＺｎＳｅ／ＢｅＴｅＭ
ＱＷ層、１１・・・ｐ型ＢｅＴｅコンタクト層、１２・
・・ｐ型ＢｅＴｅ／ＺｎＴｅＭＱＷ層、１３・・・ｐ型
ＺｎＴｅコンタクト層、１４・・・絶縁層、１５・・・
ｐ側電極、１６・・・ｎ側電極
Claims (2)
- 【請求項１】 化合物半導体基板と、 上記化合物半導体基板上のｎ型クラッド層と、 上記ｎ型クラッド層上の活性層と、 上記活性層上のｐ型クラッド層と、 上記ｐ型クラッド層上のｐ型コンタクト層とを有し、 上記ｎ型クラッド層、上記活性層、上記ｐ型クラッド層
および上記ｐ型コンタクト層は、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｈ
ｇおよびＢｅからなる群より選ばれた少なくとも一種類
以上のＩＩ族元素とＳ、ＳｅおよびＴｅからなる群より
選ばれた少なくとも一種類以上のＶＩ族元素とからなる
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体により構成されている半導体
発光素子において、 上記ｐ型コンタクト層が、ｐ型ＺｎＳｅまたはｐ型Ｚｎ
ＳＳｅからなる第１のｐ型コンタクト層と、この第１の
ｐ型コンタクト層上の複数のｐ型ＢｅＴｅ層および複数
のｐ型ＺｎＳｅ層により構成された第１の多重量子井戸
層と、この第１の多重量子井戸層上のｐ型ＢｅＴｅから
なる第２のｐ型コンタクト層と、この第２のｐ型コンタ
クト層上の複数のｐ型ＺｎＴｅ層および複数のｐ型Ｂｅ
Ｔｅ層により構成された第２の多重量子井戸層と、この
第２の多重量子井戸層上のｐ型ＺｎＴｅからなる第３の
ｐ型コンタクト層とからなることを特徴とする半導体発
光素子。 - 【請求項２】 上記第３のｐ型コンタクト層の厚さは２
〜１００ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の半
導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33620996A JPH10145005A (ja) | 1996-11-11 | 1996-11-11 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33620996A JPH10145005A (ja) | 1996-11-11 | 1996-11-11 | 半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10145005A true JPH10145005A (ja) | 1998-05-29 |
Family
ID=18296769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33620996A Pending JPH10145005A (ja) | 1996-11-11 | 1996-11-11 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10145005A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1130808C (zh) * | 1997-11-28 | 2003-12-10 | Nec化合物半导体器件株式会社 | 能抑制驱动电流改变的光发射半导体元件 |
| JP2007311808A (ja) * | 1997-02-24 | 2007-11-29 | 3M Co | Ｉｉ−ｖｉ族半導体光変換素子内のオーミック接触のパッシベーションキャップ層 |
-
1996
- 1996-11-11 JP JP33620996A patent/JPH10145005A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007311808A (ja) * | 1997-02-24 | 2007-11-29 | 3M Co | Ｉｉ−ｖｉ族半導体光変換素子内のオーミック接触のパッシベーションキャップ層 |
| CN1130808C (zh) * | 1997-11-28 | 2003-12-10 | Nec化合物半导体器件株式会社 | 能抑制驱动电流改变的光发射半导体元件 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6984841B2 (en) | Nitride semiconductor light emitting element and production thereof | |
| US7026182B2 (en) | Semiconductor device, semiconductor laser, their manufacturing methods and etching methods | |
| US6121634A (en) | Nitride semiconductor light emitting device and its manufacturing method | |
| US8198637B2 (en) | Nitride semiconductor laser and method for fabricating the same | |
| US20080112453A1 (en) | Group-III nitride based laser diode and method for fabricating same | |
| US5561080A (en) | Semiconductor laser and method for fabricating the same | |
| JPH09266352A (ja) | 半導体発光素子 | |
| US6618416B1 (en) | Semiconductor laser | |
| JP3785660B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP4441220B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH1146038A (ja) | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JPH10145005A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH09266351A (ja) | ＡｌＩｎＧａＮ系半導体発光素子 | |
| JP2001144375A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2002043692A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JP2893990B2 (ja) | 半導体レーザおよびその作製方法 | |
| JP3505780B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH06334272A (ja) | 半導体レーザー | |
| JP2004048080A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH09181398A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2002057410A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2556270B2 (ja) | 歪量子井戸型半導体レーザ | |
| JP3206573B2 (ja) | 半導体レーザおよびその作製方法 | |
| JPH104239A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH09162500A (ja) | 半導体発光素子 |