JPH10135190A - 半導体処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 異方性形状に優れたパターン形成を行なうと
ともに、発塵や金属汚染を低減することができるように
改良された半導体処理装置を提供することを目的とす
る。 【解決手段】 真空容器１内に放電プラズマ１６を発生
させ、該放電プラズマで被処理体８の表面をエッチング
処理する半導体処理装置に係る。真空容器１の内壁のデ
ポ膜１９を形成しやすい特定の部分に、放電プラズマ１
６に影響を及ぼさない局所磁場を形成する局所磁場形成
手段２２を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、一般に、半導体
処理装置に関するものであり、より特定的には、真空容
器内に放電プラズマを発生させ、該放電プラズマを利用
して被処理体表面にエッチング処理を施す半導体処理装
置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の半導体処理装置の一例として、図
１０に、ＥＣＲ放電プラズマを用いた従来のエッチング
装置の構成図を示す。

【０００３】図１０を参照して、当該装置は、反応処理
室１の上部に石英製マイクロ波導入窓２を持つプラズマ
生成室３を備える。プラズマ生成室３には、真空処理室
内にエッチング用処理ガスを供給するガス供給源（図示
せず）につながる、ガス供給口４が設けられている。ま
た、反応処理室１には、真空処理室内部を所定の圧力に
減圧・排気する真空排気装置（図示せず）につながる、
真空排気口５が設けられている。真空排気口５の近傍
に、コンダクタンスバルブ６とゲートバルブ７が設けら
れている。反応処理室１の内部には、被処理体８を固定
するための静電チャック９を備えた試料台１０が設けら
れている。試料台１０には、ｒｆバイアスが印加される
ようになっており（図示せず）、被処理体８に入射する
イオンのエネルギを制御できるようになっている。プラ
ズマ生成室３の上には導波管１１が設けられており、導
波管１１の端部にはマイクロ波を発生するマグネトロン
１２が設けられている。反応処理室１には、エッチング
の時間を決定するエンドポイントモニタ１３と、真空処
理室内部の圧力を測定する真空計１４が取付けられてい
る。プラズマ生成室３の外側には、プラズマ生成室３内
に所定の磁界を発生させるコイル１５が設けられてい
る。

【０００４】次に動作について説明する。被処理体８
は、搬送系（図示せず）により、反応処理室１内に搬送
され、試料台１０の所定の位置に静電チャック９により
固定される。次に、ガス供給口４より、真空処理室内に
エッチング用処理ガスを導入する。一方、真空排気口５
より排気を行ない、コンダクタンスバルブ６を動作させ
て、真空処理室内を所定のガス圧力に保つ。

【０００５】次に、導波管１１と石英製マイクロ波導入
窓２を通じて、マグネトロン１２からのマイクロ波をプ
ラズマ生成室３に導入する。これとともに、コイル１５
によって磁界を形成し、マイクロ波の電界とコイル１５
による磁界の作用によって、プラズマ生成室３内のエッ
チング用処理ガスをプラズマ１６にする。このプラズマ
１６中の各種イオン、ラジカル等により、被処理体８の
表面のエッチングが行なわれる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来の半導体処理装置では、下記に示す問題点
が生じる。図１１は、上記従来装置を用いて被処理体８
のエッチングを行なうときの、真空処理室の様子を示し
ている。図１２は、エッチング中の被処理体８の表面の
拡大図を示す。

【０００７】これらの図を参照して、エッチングにより
生じる反応生成物１７は、被処理体８の表面から脱離し
て、大部分は真空排気口５から排気される。しかし、そ
のうちのごく一部は、再び被処理体８の表面に再付着し
て、側壁保護膜１８となる。また、その一部は、デポジ
ション膜（以下デポ膜という）１９として、反応処理室
１の内壁やエンドポイントモニタ１３の石英窓２０、あ
るいは、コンダクタンスバルブ６やゲートバルブ７、真
空計１４に堆積する。そして、処理枚数が多くなり、反
応処理室１の内壁やコンダクタンスバルブ６やゲートバ
ルブ７へのデポ膜１９が成長しすぎると、剥離などを起
こし、真空処理室内の発塵となる。また、エンドポイン
トモニタ１３の石英窓２０への堆積が進行すれば、エン
ドポイントモニタ１３に入射する光量が減少し、エンド
ポイントの信頼性を落とし、また真空計１４への堆積が
進行すれば、真空計１４の信頼性を落とすといった問題
点が生じる。

【０００８】このような問題点を解決するために、たと
えば、真空処理室を加熱する、あるいは磁場によりプラ
ズマを閉込めるという従来方法がある（特開昭６３−２
５３６１７号公報、特開平７−２４５２９６号公報）。

【０００９】しかし、これらの方法を用いた場合、プラ
ズマの状態が大きく変わり、従来のプロセスデータが使
えないため、全く新しく、プロセスの条件出しをしなけ
ればならない、あるいは、最適のプロセス条件が得られ
なくなる可能性もある。一方、被処理体８の表面への反
応生成物１７の再付着が少ないと、側壁保護膜１８が不
十分で、サイドエッチなどの形状不良を生じるし、また
多すぎると、テーパ形状がひどくなり、寸法制御が困難
になる。上記真空処理室を加熱する、あるいは、磁場に
よりプラズマを閉込める等の方法では、被処理体８の表
面へ再付着する反応生成物１６の量を制御することがで
きない。

【００１０】図１３は、静電チャックを備えた従来の試
料台の拡大図である。電極カバー２１は、通常、石英や
セラミックスでできており、試料台１０や静電チャック
９を保護するためのものである。しかし、被処理体８と
の間には、加工精度上、隙間が生じ、その隙間からのイ
オンの入射を防止できない。この隙間から入射したイオ
ンにより、静電チャック９がアタックされ、Ｆｅ、Ｃ
ｒ、Ｎｉ等の重金属汚染が生じる等の問題点がある。

【００１１】また、従来の装置においては、真空容器の
ウエットクリーニングの周期は、発塵量をモニタして増
加傾向にあるかどうか判断して決めるか、あるいは処理
枚数や放電時間で決定している。しかし、これらの方法
では、既に発塵量が増加してしまったり、まだ発塵を開
始するまでには十分時間がある状態でウエットクリーニ
ングを行なう可能性があり、歩留りを落としたり、装置
の稼動率を下げてしまうなどの問題点がある。

【００１２】本発明は、これらの問題点を解決するため
になされたものであり、従来開発されてきたプロセスを
大きく変更することなく、異方性形状に優れたパターン
形成を行なうことができるように改良された半導体処理
装置を提供することを目的とする。

【００１３】この発明の他の目的は、発塵や金属汚染を
低減することのできるように改良された半導体処理装置
を提供することにある。

【００１４】この発明のさらに他の目的は、真空計の交
換周期やチャンバのウエット洗浄周期を長くすることに
より装置の稼動率向上を図ることができるように改良さ
れた半導体処理装置を提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】この発明の第１の局面に
従う半導体処理装置は、真空容器内に放電プラズマを発
生させ、該放電プラズマで被処理体表面をエッチング処
理する半導体処理装置に係るものである。上記真空容器
の内壁のデポ膜を形成しやすい特定の部分に、上記放電
プラズマに影響を及ぼさない局所磁場を形成する局所磁
場形成手段を設けることを特徴とする。

【００１６】この発明の好ましい実施態様によれば、上
記局所磁場の形成手段を磁石によって構成し、それによ
って、上記被処理体表面のエッチング処理中において、
任意のときに、上記局所磁場を形成することができるよ
うにする。

【００１７】この発明の第２の局面に従う半導体処理装
置は、真空容器内に放電プラズマを発生させ、該放電プ
ラズマで被処理体の表面をエッチング処理する半導体処
理装置に係る。上記真空容器の内壁の特定の部分にデポ
膜を形成するための、上記放電プラズマに影響を及ぼさ
ない局所磁場を形成するための電磁石と、上記デポ膜の
形成される部分にバイアス電圧を印加する手段を備えた
ことを特徴とする。

【００１８】この発明の第３の局面に従う半導体処理装
置は、静電チャックを備えた試料台を備え、真空容器内
に放電プラズマを発生させ、上記静電チャックにより上
記試料台に固定された被処理体の表面を、上記放電プラ
ズマでエッチング処理する半導体処理装置に係る。上記
静電チャックが上記放電プラズマにさらされる部分にデ
ポ膜が形成されるように、上記放電プラズマに影響を及
ぼさない局所磁場を形成する局所磁場形成手段を配置し
たことを特徴とする。

【００１９】この発明の第４の局面に従う半導体処理装
置は、静電チャックを備えた試料台を備え、真空容器内
に放電プラズマを発生させ、上記静電チャックにより上
記試料台に固定された被処理体の表面を、上記放電プラ
ズマでエッチング処理する半導体処理装置に係る。上記
静電チャックが上記放電プラズマにさらされる部分にイ
オンが入射しないように、上記放電プラズマに影響を及
ぼさない局所磁場を形成する局所磁場形成手段を備えた
ことを特徴とする。

【００２０】この発明の第５の局面に従う半導体処理装
置は、反応処理室とエンドポイントモニタとを備える。
上記エンドポイントモニタと上記反応処理室とを、エン
ドポイントモニタポートが結ぶ。当該装置は、上記エン
ドポイントモニタポート内に飛来するイオンの軌道を曲
げる局所磁場を形成する局所磁場形成手段を備える。

【００２１】この発明の第６の局面に従う半導体処理装
置は、反応処理室と真空計とを備える。上記反応処理室
と上記真空計とをポートが接続する。当該装置は、さら
に、上記ポート内に設けられ、上記真空計へのデポ膜の
堆積を防ぐように局所磁場を形成する局所磁場形成手段
を備える。

【００２２】この発明の第７の局面に従う半導体処理装
置は、反応処理室を備える。上記反応処理室に真空排気
口が設けられている。上記真空排気口の近傍に、コンダ
クタンスバルブとゲートバルブが設けられている。当該
装置は、さらに、上記コンダクタンスバルブおよび上記
ゲートバルブへのデポ膜の堆積を防ぐように局所磁場を
形成する局所磁場形成手段を備える。

【００２３】この発明の第８の局面に従う半導体処理装
置は、反応処理室を備える。当該装置は、さらに、上記
反応処理室の内壁の特定の部分にデポ膜を多く堆積する
ように、局所磁場を形成する局所磁場形成手段を備え
る。当該装置は、さらに、上記特定部分に形成されたデ
ポ膜の膜厚をモニタする手段を備える。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
について説明する。

【００２５】実施の形態１ 図１は、実施の形態１に係る半導体処理装置の構成図で
ある。図１において、図１０および図１１の中で示され
た部材と同一または相当する部分には同一番号を付し、
その説明を繰返さない。

【００２６】真空容器内において、デポ膜１９が多く堆
積するのは、反応処理室１において、プラズマ１７の影
になる部分であり、この部分に、局所磁場を発生する磁
石２２を配置する。磁石２２は、図示したように、Ｓ極
とＮ極が交互になるように配置し、かつ、磁石間の磁力
が２０ガウス以上になり、かつ磁石から５ｃｍ離れたと
ころでは、２ガウス以下になるように配置する。

【００２７】次に動作について説明する。被処理体８
は、搬送系（図示せず）により反応処理室１内に搬送さ
れ、試料台１０の所定の位置に、静電チャック９により
固定される。なお、本実施の形態１において用いられる
被処理物８は、一例として、所定の構造を有する基板の
上にバリアメタルであるチタンを１５ｎｍと窒化チタン
膜を１００ｎｍ積層し、その上に、Ｃｕの含有率が０．
５％のＡｌＣｕ合金を形成し、その上に、反射防止膜で
ある窒化チタン膜を２４ｎｍ形成したものに、フォトリ
ソグラフィ工程により、所定形状のフォトレジスト膜を
形成したものである。次に、ガス供給口４より、真空処
理室内に、エッチング用処理ガスを導入する。ここでエ
ッチング処理用ガスは、一例として塩素５０ｓｃｃｍと
三塩化ホウ素５０ｓｃｃｍの混合ガスを用いた。一方、
真空排気口５より排気を行ない、コンダクタンスバルブ
６を動作させて、真空処理室内を所定のガス圧力、たと
えば２Ｐａに保つ。次に、導波管１１と石英製マイクロ
波導入窓２を通して、マグネトロン１２からのマイクロ
波１０００Ｗａｔｔをプラズマ生成室３に導入するとと
もに、コイル１５によって８７５Ｇａｕｓｓの磁界を形
成し、マイクロ波の電界とコイル１５による磁界の作用
によって、プラズマ生成室３内のエッチング用処理ガス
をプラズマ１６に変える。試料台１０には、１３．５６
ＭＨｚのｒｆバイアスが２００Ｗａｔｔ印加されるよう
になっており（図示せず）、被処理体８に入射するイオ
ンのエネルギを制御する。このプラズマ１６中の各種イ
オン、ラジカル等により、被処理体８の表面のエッチン
グが行なわれる。このとき、従来の半導体処理装置で、
反応処理室１内壁に堆積していたデポ膜１９の一部は、
磁石２２の働きにより、磁石２２に堆積し、反応処理室
１内壁に堆積しないため、反応処理室１内の発塵が防止
される。一方、結果として、被処理体８の表面に再付着
する反応生成物１７の量が多くなり、側壁保護膜１８が
厚くなる。しかし、磁石２２の個数を最適化することに
より、再付着する反応生成物１７の量を制御して、サイ
ドエッチなどの形状不良を生じないで、かつ、テーパ形
状がひどくならないようにすることができる。また、磁
石２２を設置しても、プラズマ１６の状態はあまり影響
を受けないため、従来から積上げてきたプロセスのデー
タを利用することができる。

【００２８】実施の形態２ 図２は、実施の形態２に係る半導体処理装置の、動作の
一例を示す図である。図２（ａ）（ｂ）において、磁石
２２は電磁石で構成されている。また、図２中、図１の
中で示した部材と同一または相当する部分には、同一の
参照番号を付し、その説明を繰返さない。通常、エッチ
ングにおいて、メインエッチング中は、エッチャントは
被処理体８の表面のエッチングに多く消費され、かつ反
応生成物１７が多く生成するため、側壁形状の崩れは少
ないが、オーバーエッチング中はエッチャントが過剰に
なり、また、反応生成物１７の新たな供給がなくなるた
め、側壁形状が崩れる。

【００２９】本実施の形態において、エッチング処理用
ガスは、メインエッチング中は、塩素８０ｓｃｃｍと三
塩化ホウ素２０ｓｃｃｍの混合ガスを、そしてオーバー
エッチング中は塩素５０ｓｃｃｍと三塩化ホウ素５０ｓ
ｃｃｍの混合ガスを用いた。その他のエッチング条件や
磁石２２の配置は、実施の形態１と同様である。メイン
エッチング中は、磁石２２を動作させない。そのため、
デポ膜１９が反応処理室１の内壁と磁石２２に堆積す
る。そして、オーバーエッチングに入ったところで、磁
石２２に通電し、磁石間に３０Ｇａｕｓｓ以上の磁場を
形成する。そのため、メインエッチング中には、反応処
理室１の内壁に堆積していた反応生成物１７が、被処理
体８の表面に再付着して、側壁保護膜１８となる。その
結果、オーバーエッチング中に側壁形状が崩れることが
なくなる。本実施の形態では、オーバーエッチング中に
も側壁保護膜１８の形成を可能にできるため、メインエ
ッチング中に形成する側壁保護膜１８の量を減らすこと
ができる。したがって、メインエッチング中における塩
素ガス流量を増やすことができ、結果として、エッチン
グ速度が速くなるため、装置のスループットが向上す
る。

【００３０】実施の形態３ 図３は、実施の形態３に係る製造装置の、動作の一例を
示す図である。

【００３１】図３において、磁石２２は電磁石で構成さ
れており、また磁石２２の近傍の反応処理室の内壁２３
は、他の反応処理室１の内壁と絶縁され、かつバイアス
電源２３につながっており、たとえば４００ＫＨｚのバ
イアス電力が印加される。なお、図３において、図１お
よび図２に示される部材と同一または相当する部分に
は、同一の参照番号を付し、その説明を繰返さない。

【００３２】本実施の形態では、磁石２２に通電し、た
とえば２Ｇａｕｓｓの磁界が発生したときに、バイアス
電力が印加できる反応処理室内壁２３にデポ膜１９が多
く堆積するように磁石が配置されている。磁石２２への
通電をＯＦＦし、磁界を発生していないとき、反応処理
室の内壁２３にバイアス電力を印加すると、反応処理室
の内壁２３に堆積していたデポ膜１９がイオンによって
スパッタされ、プラズマ中にデポ性の反応生成物１７が
供給される。本実施の形態では、磁石２２に通電する電
流と、反応処理室の内壁２３に印加するバイアス電力を
調整することで、プラズマ中のデポ性の反応生成物１７
の量を任意に制御できる。その結果、被処理体８の表面
にパターンを精度よく形成できる。

【００３３】実施の形態４ 図４は、実施の形態４に係る半導体処理装置の概念図で
ある。

【００３４】図４を参照して、磁石２２は、電極カバー
２１と被処理体８との隙間にデポ膜１９が多く形成され
るように、電極カバー２１と被処理体８との隙間で、２
Ｇａｕｓｓ程度になるように配置されている。この結
果、イオンにアタックされる静電チャック９表面がデポ
膜で覆われるため、静電チャック９の表面からのＦｅ、
Ｃｒ、Ｎｉ等の重金属汚染が防止できる。

【００３５】実施の形態５ 図５は、実施の形態５に係る半導体処理装置の概念図で
ある。

【００３６】図５を参照して、磁石２２は、電極カバー
２１と被処理体８との隙間にイオンが入射しないよう
に、電極カバー２１と被処理体８との隙間において、２
０Ｇａｕｓｓ以上になり、かつ、７ｍｍ離れた所で、１
Ｇａｕｓｓ以下になるように磁場が形成されるように、
磁石が配置されている。この結果、静電チャック９の表
面がイオンにアタックされることがないため、静電チャ
ック９の表面からのＦｅ、Ｃｒ、Ｎｉ等の重金属汚染を
防止できる。しかも、上記実施の形態４のように、静電
チャック９の表面にデポ膜１９が形成されないので、静
電チャック９の表面のクリーニングが不要となる。

【００３７】実施の形態６ 図６は実施の形態６に係る半導体処理装置を示す図であ
る。

【００３８】図６を参照して、エンドポイントモニタポ
ート２５に局所磁場を形成するための磁石２２を配置す
る。たとえば、エンドポイントポート２５の直径が１ｃ
ｍの場合、磁石間の磁力が２〜３Ｇａｕｓｓ程度で、磁
石２２から石英窓２０までの距離が５ｃｍ以上であれば
よい。局所磁場により、飛来したイオンの軌道を曲げる
ことにより、エンドポイントモニタポート２５の内壁に
デポ膜１９を堆積させ、エンドポイントモニタ１３の石
英窓２０へのデポ膜１９の付着を防ぎ、発光強度の低下
を防ぐ。磁石は、永久磁石、電磁石のどちらでも問題は
ないが、永久磁石の場合には、Ｎ、Ｓ極の両極を用いた
方が発生した磁場のプラズマへの影響を防ぐことができ
る。

【００３９】実施の形態７ 図７は、実施の形態７にかかる半導体処理装置を示す図
である。

【００４０】図７を参照して、真空計１４のポートに局
所磁場を形成するための磁石２２を配置する。磁石２２
には電磁石を用いる。真空計１４は、真空処理室内の雰
囲気を測定するために、プラズマによるエッチングを行
なっていないときに動作する。デポ膜１９が形成される
プラズマエッチング中は磁石２２を動作させることによ
り、真空計１４へのデポ膜の付着を防ぐ。たとえば、磁
石２２の間隔が１ｃｍの場合、磁石間の磁力が２０Ｇａ
ｕｓｓ以上であればよい。真空計１４が動作するとき
は、磁石２２を動作させないことで、真空計１４の精度
を保つことが可能となる。

【００４１】実施の形態８ 図８は、実施の形態８に係る半導体処理装置を示す図で
ある。

【００４２】図８を参照して、磁石２２ａは、磁石２２
ａの近傍にデポ膜１９が集中して堆積するように配置さ
れ、磁石２２ｂはコンダクタンスバルブ６とゲートバル
ブ７にデポ膜が入らないように、配置されている。磁石
２２ａは５０Ｇａｕｓｓ以上、磁石２２ｂは磁石間で３
０Ｇａｕｓｓ以上の磁力を発生するものを用いる。ま
た、磁石２２ａと磁石２２ｂが干渉しないように磁気シ
ールド２６を設置する。この結果、コンダクタンスバル
ブ６とゲートバルブ７にデポ膜が形成されないため、コ
ンダクタンスバルブ６やゲートバルブ７が稼動しても、
発塵することがなくなる。さらに、磁石２２ａの近傍に
デポ膜１９が集中して堆積しているので、ウエットクリ
ーニング時は、この部分を取換えるだけでよく、従来の
拭取り作業の時間を短縮できるため、装置のダウンタイ
ムを短くできる。

【００４３】実施の形態９ 図９は、実施の形態９に係る半導体処理装置を示す図で
ある。本実施の形態では、容量結合放電プラズマを用い
たエッチング装置を例示している。図９において、図１
０および図１１の中で示される部材と同一または相当す
る部分には同一参照番号を付し、その説明を繰返さな
い。

【００４４】試料台１０には、制御回路２７とｒｆ電源
２８が接続されている。反応処理室１において局所磁場
を発生する磁石２２を配置する。この磁石は、反応処理
室１側にＳ極が隣接するように設置する。これにより、
従来装置で、反応処理室１の内壁に堆積していたデポ膜
１９に加え、磁石２２の作用（Ｓ極側にイオンをドリフ
トさせる）により、磁石２２の近傍の特定箇所２９にデ
ポ膜１９を多く堆積させる。膜厚干渉計３０を特定箇所
２９の近くに設置し、特定箇所２９のデポ膜１９の膜厚
をモニタする。そこで、発塵量と特定箇所２９のデポ膜
１９の膜厚の相関を調べた上で、特定箇所２９のデポ膜
１９の膜厚をモニタして、ウエットクリーニングの周期
を決定する。これにより、装置に最適なウエットクリー
ニング周期が決定できるため、装置のダウンタイムの削
減ひいてはスループットの向上が図られる。

【００４５】

【発明の効果】この発明の第１の局面に従う半導体処理
装置によれば、真空容器の内壁のデポ膜を形成しやすい
特定の部分に、放電プラズマに影響を及ぼさない局所磁
場を形成するので、真空容器の内壁にデポ膜が堆積しな
い。そのため、真空容器内の発塵が防止される。また、
局所磁場形成手段を設置しても、プラズマの状態はあま
り影響を受けないため、従来から積み上げてきたプロセ
スのデータを利用することができる。

【００４６】この発明の好ましい実施態様によれば、局
所磁場形成手段が電磁石で構成されているので、メイン
エッチング中に電磁石を動作させず、オーバーエッチン
グに入ったところで、電磁石を動作させることができる
という効果を奏する。

【００４７】この発明の第２の局面に従う半導体処理装
置によれば、真空容器の内壁の特定部分にデポ膜を形成
するための、放電プラズマに影響を及ぼさない局所磁場
を形成するための電磁石と、デポ膜の形成される部分に
バイアス電圧を印加する手段を備えるので、電磁石に通
電する電流と、反応処理室の内壁に印加するバイアス電
圧を調整することで、プラズマ中のデポ性の反応生成物
の量を任意に制御できる。その結果、被処理体の表面に
パターンを精度よく形成できるという効果を奏する。

【００４８】この発明の第３の局面に従う半導体処理装
置によれば、静電チャックが放電プラズマにさらされる
部分にデポ膜が形成されるように、放電プラズマに影響
を及ぼさない局所磁場を形成する局所磁場形成手段を配
置したので、イオンにアタックされる静電チャックの表
面がデポ膜で覆われるため、静電チャックの表面からの
Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ等の重金属汚染が防止できるという効
果を奏する。

【００４９】この発明の第４の局面に従う半導体処理装
置によれば、静電チャックが放電プラズマにさらされる
部分にイオンが入射しないように、放電プラズマに影響
を及ぼさない局所磁場を形成する局所磁場形成手段を備
えているので、静電チャックの表面がイオンにアタック
されることがない。その結果、静電チャックの表面から
のＦｅ、Ｃｒ、Ｎｉ等の重金属汚染を防止できる。しか
も、静電チャックの表面にデポ膜が形成されないので、
静電チャックの表面のクリーニングが不要となる。

【００５０】この発明の第５の局面に従う半導体処理装
置によれば、エンドポイントモニタポート内に飛来する
イオンの軌道を曲げる局所磁場を形成する局所磁場形成
手段を備えているので、エンドポイントモニタの石英窓
へのデポ膜の付着を防ぎ、発光強度の低下を防ぐことが
できる。

【００５１】この発明の第６の局面に従う半導体処理装
置によれば、ポート内に、真空計へのデポ膜の堆積を防
ぐように局所磁場を形成する局所磁場形成手段を設けて
いるので、真空計の精度を保つことが可能となる。

【００５２】この発明の第７の局面に従う半導体処理装
置によれば、コンダクタンスバルブおよびゲートバルブ
へのデポ膜の堆積を防ぐように局所磁場を形成する局所
磁場形成手段を備えるので、コンダクタンスバルブとゲ
ートバルブにデポ膜が形成されない。その結果、コンダ
クタンスバルブやゲートバルブが稼動しても、発塵する
ことがない。

【００５３】この発明の第８の局面に従う半導体処理装
置によれば、特定部分に形成されたデポ膜の膜厚をモニ
タする手段を備えるので、装置に最適なウエットクリー
ニング周期が決定でき、ひいては、装置のダウンタイム
の削減ひいてはスループットの向上が図られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 実施の形態１に係る半導体処理装置の概念図
である。

【図２】 実施の形態２に係る半導体処理装置の概念図
である。

【図３】 実施の形態３に係る半導体処理装置の概念図
である。

【図４】 実施の形態４に係る半導体処理装置の概念図
である。

【図５】 実施の形態５に係る半導体処理装置の概念図
である。

【図６】 実施の形態６に係る半導体処理装置の概念図
である。

【図７】 実施の形態７に係る半導体処理装置の概念図
である。

【図８】 実施の形態８に係る半導体処理装置の概念図
である。

【図９】 実施の形態９に係る半導体処理装置の概念図
である。

【図１０】 従来の半導体処理装置の概念図である。

【図１１】 従来の半導体処理装置の、処理中の真空処
理室内における様子を示す図である。

【図１２】 従来の半導体処理装置の、処理中の被処理
体表面の断面図である。

【図１３】 従来の半導体処理装置における、静電チャ
ックを備えた試料台の拡大図である。

【符号の説明】

１ 反応処理室、８ 被処理体、１６ 放電プラズマ、
１９ デポ膜、２２磁石。

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 真空容器内に放電プラズマを発生させ、
   該放電プラズマで被処理体表面をエッチング処理する半
   導体処理装置において、 前記真空容器の内壁のデポジション膜を形成しやすい特
   定の部分に、前記放電プラズマに影響を及ぼさない局所
   磁場を形成する局所磁場形成手段を備えたことを特徴と
   する半導体処理装置。
2. 【請求項２】 前記局所磁場形成手段は電磁石を含み、
   前記被処理体表面のエッチング処理中において、任意の
   ときに、前記局所磁場を形成することができるようにし
   たことを特徴とする、請求項１に記載の半導体処理装
   置。
3. 【請求項３】 真空容器内に放電プラズマを発生させ、
   該放電プラズマで被処理体表面をエッチング処理する半
   導体処理装置において、 前記真空容器の内壁の特定の部分にデポジション膜を形
   成するための、前記放電プラズマに影響を及ぼさない局
   所磁場を形成するための電磁石と、 前記デポジション膜の形成される部分にバイアス電圧を
   印加する手段と、を備えたことを特徴とする半導体処理
   装置。
4. 【請求項４】 静電チャックを備えた試料台を備え、真
   空容器内に放電プラズマを発生させ、前記静電チャック
   により前記試料台に固定された被処理体の表面を、前記
   放電プラズマでエッチング処理する半導体処理装置にお
   いて、 前記静電チャックが前記放電プラズマにさらされる部分
   にデポジション膜が形成されるように、前記放電プラズ
   マに影響を及ぼさない局所磁場を形成する局所磁場形成
   手段を配置したことを特徴とする半導体処理装置。
5. 【請求項５】 静電チャックを備えた試料台を備え、真
   空容器内に放電プラズマを発生させ、前記静電チャック
   により前記試料台に固定された被処理体の表面を、前記
   放電プラズマでエッチング処理する半導体処理装置にお
   いて、 前記静電チャックが前記放電プラズマにさらされる部分
   にイオンが入射しないように、前記放電プラズマに影響
   を及ぼさない局所磁場を形成する局所磁場形成手段を備
   えたことを特徴とする、半導体処理装置。
6. 【請求項６】 反応処理室と、 エンドポイントモニタと、 前記エンドポイントモニタと前記反応処理室とを結ぶエ
   ンドポイントモニタポートと、 前記エンドポイントモニタポート内に飛来するイオンの
   軌道を曲げる局所磁場を形成する局所磁場形成手段と、
   を備えた半導体処理装置。
7. 【請求項７】 反応処理室と、 真空計と、 前記反応処理室と前記真空計とを接続するためのポート
   と、 前記ポート内に設けられ、前記真空計へのデポジション
   膜の堆積を防ぐように局所磁場を形成する局所磁場形成
   手段と、を備えた半導体処理装置。
8. 【請求項８】 反応処理室と、 前記反応処理室に設けられた真空排気口と、 前記真空排気口の近傍に設けられたコンダクタンスバル
   ブとゲートバルブと、 前記コンダクタンスバルブおよび前記ゲートバルブへの
   デポジション膜の堆積を防ぐように局所磁場を形成する
   局所磁場形成手段と、を備えた半導体処理装置。
9. 【請求項９】 反応処理室と、 前記反応処理室の内壁の特定の部分にデポジション膜を
   多く堆積するように局所磁場を形成する局所磁場形成手
   段と、 前記特定部分に形成された前記デポジション膜の膜厚を
   モニタする手段と、を備えた半導体処理装置。