JPH1013178A - Manufacture of surface acoustic wave element - Google Patents
Manufacture of surface acoustic wave elementInfo
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- JPH1013178A JPH1013178A JP17731496A JP17731496A JPH1013178A JP H1013178 A JPH1013178 A JP H1013178A JP 17731496 A JP17731496 A JP 17731496A JP 17731496 A JP17731496 A JP 17731496A JP H1013178 A JPH1013178 A JP H1013178A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電子機器，無線通
信機，携帯無線機等の高周波電子回路に用いられる表面
弾性波素子の製造方法に関し、特に、歩留りの著しい改
善と目標とする共振周波数への微調整を可能とした表面
弾性波素子の製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a surface acoustic wave device used for a high-frequency electronic circuit of an electronic device, a radio communication device, a portable radio device, and the like. The present invention relates to a method of manufacturing a surface acoustic wave device that can be finely adjusted.
【０００２】[0002]
【従来の技術】表面弾性波素子は、電気信号を、固体表
面を伝播する表面波振動エネルギに変換し、再び電気信
号に変換して取り出すデバイスである。表面弾性波素子
を製造する際に要求される項目の１つに表面波の共振周
波数における伝搬損失を小さくすることが挙げられる。
そのためには、交差指（ＩＤＴ）電極のパターンの精度
を上げる必要があり、ＩＤＴ電極表面の凹凸を小さくす
る技術、均一な厚さのＩＤＴ電極（以下、単に電極とい
う）を形成する技術、さらに、高周波に対応するために
は電極指のピッチが小さくなるので電極指の幅を細くす
る技術が必要である。そこで、半導体プロセスにおける
ホトリソグラフィ技術を用いて電極を形成し、所望の周
波数特性を得る。そして、このプロセス内での膜厚と電
極指幅のバラツキを抑えることが重要となる。2. Description of the Related Art A surface acoustic wave element is a device that converts an electric signal into surface wave vibration energy propagating on the surface of a solid and converts it into an electric signal again. One of the items required when manufacturing a surface acoustic wave element is to reduce the propagation loss at the resonance frequency of the surface acoustic wave.
For this purpose, it is necessary to increase the accuracy of the pattern of the interdigital finger (IDT) electrode, a technique for reducing irregularities on the surface of the IDT electrode, a technique for forming an IDT electrode having a uniform thickness (hereinafter, simply referred to as an electrode), and In order to cope with a high frequency, the pitch of the electrode fingers is reduced, so that a technique for reducing the width of the electrode fingers is required. Therefore, an electrode is formed using photolithography technology in a semiconductor process to obtain a desired frequency characteristic. It is important to suppress variations in the film thickness and the electrode finger width in this process.
【０００３】図５は従来の製造フローチャートである。
図において、１〜７、および１１，１２は工程番号を示
す。図６は図５に対応した製品の製造経過を説明する各
工程における半製品の側面図及び斜視図である。以下、
図５および図６によってホトリソグラフィ技術による金
属薄膜の電極形成について説明する。 （ａ）基板洗浄（工程１） 図６（ａ）に示すようにＬｉＴａＯ3 （タンタル酸リチ
ュウム），ＬｉＮｂＯ3 （ニオブ酸リチュウム）等の圧
電材料からなる圧電基板２０を有機溶剤等で洗浄し、基
板表面上の異物，汚れ等の除去を行う。この圧電基板２
０はウエーハ状であり、以後の工程もウエーハ単位で行
われる。 （ｂ）金属薄膜被着（工程２） 前記（ａ）の工程で洗浄した圧電基板２０を、電子ビー
ム真空蒸着装置またはスパッタ装置等によって、金属薄
膜２１を形成する。 （ｃ）レジスト膜形成（工程３） 前記（ｂ）の工程で圧電基板２０の表面に形成された金
属薄膜２１の上面にレジストを塗布して均一なレジスト
膜２２を形成する。FIG. 5 is a conventional manufacturing flowchart.
In the figure, 1 to 7, 11 and 12 indicate process numbers. 6A and 6B are a side view and a perspective view of a semi-finished product in each step for explaining the manufacturing process of the product corresponding to FIG. Less than,
The formation of a metal thin film electrode by photolithography will be described with reference to FIGS. (A) Substrate Cleaning (Step 1) As shown in FIG. 6A, the piezoelectric substrate 20 made of a piezoelectric material such as LiTaO 3 (lithium tantalate) or LiNbO 3 (lithium niobate) is washed with an organic solvent or the like. Removal of foreign matter, dirt, etc. on the substrate surface. This piezoelectric substrate 2
Numeral 0 indicates a wafer shape, and the subsequent steps are also performed in wafer units. (B) Metal thin film deposition (Step 2) A metal thin film 21 is formed on the piezoelectric substrate 20 cleaned in the above step (a) by using an electron beam vacuum evaporation apparatus or a sputtering apparatus. (C) Formation of Resist Film (Step 3) A resist is applied on the upper surface of the metal thin film 21 formed on the surface of the piezoelectric substrate 20 in the step (b) to form a uniform resist film 22.
【０００４】（ｄ）露光（工程４） 前記（ｃ）の工程で形成されたレジスト膜２２の上面に
ホトマスク２３を載せ、紫外線をレジスト膜２２に照射
し、そのホトマスク２３のパターンをレジスト膜２２に
転写する。これはホトリソグラフィ技術を用いた露光処
理である。 （ｅ）レジストパターン形成（工程５） 前記（ｄ）の工程で、電極パターン２２ａとなるパター
ンが転写されたレジスト膜２３を有機溶剤等で現像す
る。 （ｆ）エッチング（工程６） 前記（ｅ）の工程で現像により形成されたレジストパタ
ーン２２ａに対して、ドライエッチング装置を用いて金
属薄膜２１に対し設定膜厚までガス化エッチングを行
う。 （ｇ）レジストパターン除去（工程７） 前記（ｆ）の工程で圧電基板２０の表面に形成された電
極パターン２１ａの上面のレジストパターン２２ａに対
して、有機溶剤等を容器に満たし超音波洗浄を行い、レ
ジストパターン２２ａを除去する。以上のように、半導
体プロセスのホトリソグラフィ技術を用いて圧電基板上
にＩＤＴ電極のパターンを形成する。この電極形成技術
は、ＬＳＩ製造工程に準ずるものであり、その技術が適
用されている。(D) Exposure (Step 4) A photomask 23 is placed on the upper surface of the resist film 22 formed in the step (c), the resist film 22 is irradiated with ultraviolet rays, and the pattern of the photomask 23 is Transfer to This is an exposure process using a photolithography technique. (E) Formation of resist pattern (Step 5) In the step (d), the resist film 23 to which the pattern to be the electrode pattern 22a has been transferred is developed with an organic solvent or the like. (F) Etching (Step 6) The resist pattern 22a formed by the development in the step (e) is subjected to gasification etching of the metal thin film 21 to a set thickness using a dry etching apparatus. (G) Removal of resist pattern (Step 7) The container is filled with an organic solvent or the like for the resist pattern 22a on the upper surface of the electrode pattern 21a formed on the surface of the piezoelectric substrate 20 in the step (f), and ultrasonic cleaning is performed. Then, the resist pattern 22a is removed. As described above, the pattern of the IDT electrode is formed on the piezoelectric substrate by using the photolithography technique of the semiconductor process. This electrode forming technology is similar to the LSI manufacturing process, and the technology is applied.
【０００５】（ｌ）プローバ特性検査（工程１１） 前記（ｇ）の工程で出来上がった圧電基板２０に対して
プローバ特性検査装置で測定を行う。ウエーハ状の圧電
基板２０に多数形成された表面弾性波素子の１個１個の
電気的特性を測定し、不良素子の部分にインクを打点
し、測定終了後に乾燥する。 （ｍ）組立（工程１２） 前記（ｌ）の工程まではウエーハ状の圧電基板２０単位
で処理されてきたが、組立工程では、この圧電基板２０
を分割し、良品チップのみを取出して銀ペースト３５等
の接着剤、または合金反応を利用してステム３４に接着
し、リード端子３８とチップのボンディングパット２１
ｂとの間を金属極細線３６で結線し、Ｎ2 （窒素）ガス
を注入してステム３４とキャップ３７を気密封止し、マ
ーク印字等を行う。性能や品質を保証するため電気的特
性検査と外観検査を行って完成品となる。(1) Prober characteristic inspection (Step 11) The prober characteristic inspection device measures the piezoelectric substrate 20 formed in the step (g). The electrical characteristics of each of a large number of surface acoustic wave elements formed on the wafer-shaped piezoelectric substrate 20 are measured, ink is spotted on the defective element, and dried after the measurement. (M) Assembly (Step 12) Up to the step (l), the wafer is processed in units of the piezoelectric substrate 20, but in the assembly step, the piezoelectric substrate 20 is processed.
And only the non-defective chips are taken out and adhered to the stem 34 using an adhesive such as a silver paste 35 or an alloy reaction, and the lead pad 38 and the bonding pad 21
b is connected with a metal ultrafine wire 36, N 2 (nitrogen) gas is injected to hermetically seal the stem 34 and the cap 37, and mark printing is performed. Electrical characteristics inspection and appearance inspection are performed to guarantee the performance and quality.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上記従来の製造方法に
おいてはウエーハ単位の電極膜厚のばらつきが大きく、
歩留りが１０％程度で極めて低いため、歩留り向上を目
的としてプローバ特性検査工程１１の後に周波数調整が
行われる場合がある。この調整手段として、圧電基板上
に形成された電極に対してドライエッチング装置を用い
てガス化エッチングする方法が用いられている。このエ
ッチングによる周波数調整は、電極の膜厚を削り取り、
同時にパターン幅も狭くするというものである。しか
し、歩留り向上という点では有効な手段であるが、金属
薄膜被着工程２での膜厚のばらつきが大きく、エッチン
グ工程６のエッチング精度にも限度があって歩留りが２
０％程度にしか改善できない。しかも、膜自体の内部応
力や格子欠陥等による歪が含まれたままになっているた
め経年変化を起こす可能性があり、製品の品質低下を招
く原因になる。また、共振周波数の高周波化のための電
極の膜厚，電極指幅の制御及び精度の向上が難しいとい
う問題がある。In the above-mentioned conventional manufacturing method, there is a large variation in the electrode film thickness in wafer units.
Since the yield is extremely low at about 10%, the frequency may be adjusted after the prober characteristic inspection step 11 for the purpose of improving the yield. As this adjusting means, a method of gasifying and etching the electrodes formed on the piezoelectric substrate using a dry etching apparatus is used. The frequency adjustment by this etching removes the thickness of the electrode,
At the same time, the pattern width is reduced. However, although this is an effective means in terms of improving the yield, the variation in the film thickness in the metal thin film deposition step 2 is large, and the etching accuracy in the etching step 6 is limited, so that the yield is 2%.
It can only be improved to about 0%. In addition, since the film itself still contains strains due to internal stress and lattice defects, there is a possibility that aging may occur, which may cause deterioration in product quality. Further, there is a problem that it is difficult to control the electrode film thickness and the electrode finger width and to improve the accuracy for increasing the resonance frequency.
【０００７】本発明の目的は、上記従来技術の問題点を
解決し、歩留りを著しく改善し、かつ、高安定な周波数
経年変化特性を有する表面弾性波素子の製造方法を提供
することにある。An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, to significantly improve the yield, and to provide a method of manufacturing a surface acoustic wave device having highly stable frequency aging characteristics.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明による表面弾性波
素子の製造方法は、まず、圧電基板上に金属薄膜を被着
するときの膜厚のばらつきを、後に設けた周波数調整工
程で補って吸収するため、設定膜厚を目標膜厚より厚く
して所定の形状の電極を形成する。次に、形成された金
属薄膜電極に残っている膜自体の内部応力や格子欠陥を
緩和，除去するための熱処理を行う。熱処理後に、膜
厚，電極指幅及び共振周波数の測定・検査を行う。この
測定・検査工程では、電極の膜厚，形状，寸法の測定と
共振周波数の測定を行って、共振周波数の測定値が規格
値と合致するかどうかの判定を行う。判定の結果、共振
周波数が規格値を満たしているものは次工程へ進める。
しかし、予め膜厚を目標値より厚くしてあるため、大部
分は共振周波数が規格値を満たしていない。そこで、測
定した膜厚と共振周波数の値を、予め実験的に求めた膜
厚に対する共振周波数の相関関係を参照して所定の共振
周波数にするための膜厚を求め、膜厚測定値との差から
エッチングする量を算出し、該当する電極に対して選択
的なエッチングによる周波数調整を施し、前記測定・検
査工程に戻して再度測定・検査を実施する。この測定・
検査工程と周波数調整工程とを膜厚差が零になって共振
周波数が規格値に収まるまで繰り返し行うことを特徴と
するものである。In the method of manufacturing a surface acoustic wave device according to the present invention, first, a variation in film thickness when a metal thin film is deposited on a piezoelectric substrate is compensated for by a frequency adjustment step provided later. For absorption, an electrode having a predetermined shape is formed by setting the set film thickness larger than the target film thickness. Next, a heat treatment for relaxing and removing internal stress and lattice defects of the film itself remaining on the formed metal thin film electrode is performed. After the heat treatment, measurement and inspection of the film thickness, electrode finger width, and resonance frequency are performed. In this measurement / inspection step, the thickness, shape and dimensions of the electrode are measured and the resonance frequency is measured, and it is determined whether or not the measured value of the resonance frequency matches the standard value. If the resonance frequency satisfies the standard value as a result of the determination, the process proceeds to the next step.
However, most of the resonance frequency does not satisfy the standard value because the film thickness is made larger than the target value in advance. Therefore, the value of the measured film thickness and the resonance frequency is determined with reference to the correlation between the resonance frequency and the film thickness obtained experimentally in advance to obtain a film thickness for obtaining a predetermined resonance frequency. The amount to be etched is calculated from the difference, the frequency is adjusted by selective etching for the corresponding electrode, and the process returns to the measurement / inspection step to perform the measurement / inspection again. This measurement
The inspection step and the frequency adjustment step are repeatedly performed until the thickness difference becomes zero and the resonance frequency falls within the standard value.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施例を示す製造
フローチャートである。従来と異なる点は、金属薄膜被
着工程２での膜厚を厚くすること、及びレジストパター
ン除去工程７とプローバ特性検査工程１１との間に、熱
処理工程８と、測定・検査工程９を挿入し、測定・検査
工程９で判定される調整未完了品を周波数調整する周波
数調整（エッチング）工程１０を設けて測定・検査工程
９に戻すようにした点である。図２，図３，図４は図１
の製造工程に対応した製品の製造過程（その１），（そ
の２），（その３）を示す説明図である。図１および図
２〜図４を参照して本発明の製造方法を説明する。FIG. 1 is a manufacturing flowchart showing an embodiment of the present invention. What is different from the conventional method is that the film thickness is increased in the metal thin film deposition step 2, and a heat treatment step 8 and a measurement / inspection step 9 are inserted between the resist pattern removal step 7 and the prober characteristic inspection step 11. In addition, a frequency adjustment (etching) step 10 for adjusting the frequency of the unfinished product determined in the measurement / inspection step 9 is provided, and the process returns to the measurement / inspection step 9. FIG. 2, FIG. 3, and FIG.
It is explanatory drawing which shows the manufacturing process (the 1), (the 2), (the 3) of the product corresponding to the manufacturing process of FIG. The manufacturing method of the present invention will be described with reference to FIG. 1 and FIGS.
【００１０】まず、図２（ｂ）の金属薄膜被着工程２で
は膜厚を目標膜厚より厚くする。図２の他の工程は、図
６に示した従来の製造過程と同等であるので説明を省略
する。 （ｈ）熱処理（工程８） 図２（ｇ）のレジストパターン除去（工程７）によって
圧電基板２０に形成された電極パターン２１ａに対し
て、図３（ｈ）に示すように電気炉２４を用いて金属薄
膜の内部歪みを除去するために熱処理を行う。 （ｉ）測定・検査（工程９） 前記（ｈ）の工程まで形成された電極パターン２１ａに
対して、膜厚，電極指幅及び共振周波数の測定を行う。 膜厚測定（ｉ）−１ 例として、接触型の表面形状測定装置を用いる。この測
定は、例えばダイヤモンドの探針２５を圧電基板２０の
任意の場所に当てて圧電基板２０に対して水平に走査さ
せる。探針２５の走査でステップ高さＨ１を制御装置で
測定し、電極パターン２１ａの膜厚を測定する。 電極指幅測定（ｉ）−２ 例として、光学プロファイルを利用した測定方法であ
る。これは自動制御によるもので、圧電基板２０に焦点
を合わせる為に、モータ２６でステージ２７を上下に動
かす。顕微光学系により入射した測定用の光が圧電基板
２０の上面で反射し、レンズによる結像面上をスリット
２８で走査されて通過してきた光を検出器２９で検出
し、プロファイルを制御装置３０で解析し電極指幅寸法
を測定する。 プローバ特性測定（ｉ）−３ 次に、表面弾性波素子として所定の電気的特定が得られ
ているか測定する。テスタ３３からの測定用信号が、ケ
ーブル，プローバ針３１を経由しボンディングパット２
１ｂに流れ、電極２１ａと電極２１ａ間の圧電基板２０
に表面波が励起されるので、これを電気信号に変換して
出力された信号を測定する。１枚のウエーハの圧電基板
２０に作り込むまれている多数の表面弾性波素子の全数
を測定するのではなく、オリエンテーション・フラット
に対して水平，垂直の十字の形で５〜２０ケ程の各サン
プルポイント測定を行い、測定データを解析し、電気的
特性が規格値を満足しているかどうかを判定する。測定
した結果、合格品はプローバ特性検査工程１１へ送り、
満足していない物は周波数調整（エッチング）工程１０
へ戻す。First, in the metal thin film deposition step 2 of FIG. 2B, the film thickness is made larger than a target film thickness. The other steps in FIG. 2 are the same as those in the conventional manufacturing process shown in FIG. (H) Heat treatment (Step 8) The electric furnace 24 is used for the electrode pattern 21a formed on the piezoelectric substrate 20 by the resist pattern removal (Step 7) of FIG. 2 (g) as shown in FIG. 3 (h). Then, heat treatment is performed to remove internal strain of the metal thin film. (I) Measurement / Inspection (Step 9) The film thickness, electrode finger width and resonance frequency are measured for the electrode pattern 21a formed up to the step (h). Film Thickness Measurement (i) -1 As an example, a contact type surface shape measuring device is used. In this measurement, for example, a diamond probe 25 is applied to an arbitrary position on the piezoelectric substrate 20 to scan the piezoelectric substrate 20 horizontally. The step height H1 is measured by the control device by scanning the probe 25, and the film thickness of the electrode pattern 21a is measured. Electrode finger width measurement (i) -2 As an example, there is a measurement method using an optical profile. This is based on automatic control, and the motor 27 moves the stage 27 up and down in order to focus on the piezoelectric substrate 20. The light for measurement incident on the microscopic optical system is reflected on the upper surface of the piezoelectric substrate 20, the light scanned by the slit 28 on the image forming surface by the lens is detected by the detector 29, and the profile is detected by the detector 30. And measure the electrode finger width dimension. Prober characteristic measurement (i) -3 Next, it is measured whether a predetermined electrical specification is obtained as the surface acoustic wave device. The measurement signal from the tester 33 is passed through the cable and the prober needle 31 to the bonding pad 2.
1b, the piezoelectric substrate 20 between the electrodes 21a
Since a surface wave is excited, it is converted into an electric signal and the output signal is measured. Instead of measuring the total number of a large number of surface acoustic wave elements built in the piezoelectric substrate 20 of one wafer, about 5 to 20 pieces of horizontal and vertical crosses are formed with respect to the orientation flat. A sample point measurement is performed, the measured data is analyzed, and it is determined whether or not the electrical characteristics satisfy standard values. As a result of the measurement, the passed product is sent to the prober characteristic inspection process 11,
Those not satisfied are frequency adjustment (etching) process 10
Return to
【００１１】図７は電極膜厚に対する共振周波数の変化
特性例図であり、電極膜厚をエッチングして薄くすると
共振周波数が高くなることを示している。FIG. 7 is a graph showing an example of a change characteristic of the resonance frequency with respect to the electrode film thickness. It is shown that the resonance frequency becomes higher when the electrode film thickness is reduced by etching.
【００１２】（ｊ）周波数調整（エッチング）（工程１
０） 前記（ｉ）の工程で各種の測定・検査を行い、判定結果
に基づいて所望の共振周波数を得るためにエッチングを
行う。このエッチングは、前記（ｉ）の工程の測定で膜
厚と共振周波数の関係が図７のように予め測定され解析
されているので、目標とする共振周波数にするための膜
厚を求めることができる。所望の共振周波数は、前記
（ｉ）の工程にて測定値と前記相関関係から求まる膜厚
差からエッチングする量を算出し電極２１ａをエッチン
グすることによって調整することができる。また、膜厚
測定を共振周波数の測定データの関係を考慮しエッチン
グする量を決める。 （ｋ）測定・検査（工程９） 前記（ｊ）の工程を実施したもののみ再測定を行う。こ
の測定は前記（ｉ）工程を同様に行う。 （ｌ）プローバ特性検査（工程１１） 前記（ｋ）の工程で、判定結果、膜厚差が零になって合
格した圧電基板２０はプローバ特性検査装置で測定を行
う。再測定になる圧電基板２０における表面弾性波素子
の１個１個の電気的特性を測定し、従来同様に、不良素
子の部分にインクを打点し、測定終了後に乾燥する。 （ｍ）組立（工程１２） この組立工程は従来同様に行われる。(J) Frequency adjustment (etching) (Step 1)
0) Various measurements and inspections are performed in the step (i), and etching is performed to obtain a desired resonance frequency based on the determination result. In this etching, the relationship between the film thickness and the resonance frequency is measured and analyzed in advance as shown in FIG. 7 in the measurement in the step (i), so that the film thickness for achieving the target resonance frequency can be obtained. it can. The desired resonance frequency can be adjusted by calculating the etching amount from the measured value and the film thickness difference obtained from the correlation in the step (i) and etching the electrode 21a. Further, the amount of etching is determined in consideration of the relationship between the measurement data of the resonance frequency and the thickness measurement. (K) Measurement / Inspection (Step 9) Re-measurement is performed only on the one that has performed the step (j). This measurement is performed in the same manner as in the step (i). (L) Prober Characteristic Inspection (Step 11) In the step (k), the piezoelectric substrate 20 that has passed the judgment result with the film thickness difference being zero is measured by a prober characteristic inspector. The electrical characteristics of each of the surface acoustic wave elements on the piezoelectric substrate 20 to be re-measured are measured, ink is spotted on the defective element as in the conventional case, and dried after the measurement. (M) Assembling (Step 12) This assembling step is performed in the same manner as in the related art.
【００１３】[0013]
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明を実
施することにより、従来１０〜２０％だったウエーハ単
位の歩留りが８０〜９５％以上になり著しく改善され
た。すなわち、金属薄膜被着工程２の電子ビーム真空蒸
着装置またはスパッタ装置等による金属薄膜の膜厚ばら
つきを吸収する程度に膜厚を厚くし、後工程に測定・検
査工程と周波数調整工程を設けて、共振周波数が目標値
に達するまでその２つの工程を繰り返すことにより調整
精度を上げたので、歩留りが著しく改善された。熱処理
後、測定・検査により選択的に電極をエッチングするこ
とは、高精度の微細な電極パターンを形成することにな
り、表面弾性波素子の所望の共振周波数への微調整が容
易になって高周波化に対応することができるようになっ
た。しかも、異物，汚れを除去するアッシング効果もあ
り、実用上の効果は極めて大きい。また、圧電基板上に
ＩＤＴ電極を形成したのち熱処理することで金属薄膜の
安定化を図って経時変化を少なくして信頼性を高めるこ
とができた。As described in detail above, by implementing the present invention, the yield per wafer unit, which was conventionally 10 to 20%, has been improved to 80 to 95% or more. That is, the film thickness is increased to such an extent that the thickness variation of the metal thin film by the electron beam vacuum evaporation apparatus or the sputtering apparatus in the metal thin film deposition step 2 is absorbed, and a measurement / inspection step and a frequency adjustment step are provided in a subsequent step. Since the adjustment accuracy was improved by repeating the two steps until the resonance frequency reached the target value, the yield was significantly improved. After the heat treatment, selective etching of the electrodes by measurement / inspection results in the formation of a highly precise and fine electrode pattern, which makes it easy to fine-tune the surface acoustic wave device to the desired resonance frequency, It has become possible to respond to the change. In addition, there is an ashing effect of removing foreign matter and dirt, and the practical effect is extremely large. In addition, heat treatment after forming an IDT electrode on the piezoelectric substrate stabilizes the metal thin film, thereby reducing changes over time and improving reliability.
【図１】本発明の実施例を示すフローチャートである。FIG. 1 is a flowchart showing an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の製造過程（その１）の説明図である。FIG. 2 is an explanatory view of a manufacturing process (part 1) of the present invention.
【図３】本発明の製造過程（その２）の説明図である。FIG. 3 is an explanatory view of a manufacturing process (part 2) of the present invention.
【図４】本発明の製造過程（その３）の説明図である。FIG. 4 is an explanatory view of a manufacturing process (part 3) of the present invention.
【図５】従来の製造フローチャートである。FIG. 5 is a conventional manufacturing flowchart.
【図６】従来の製造過程の説明図である。FIG. 6 is an explanatory view of a conventional manufacturing process.
【図７】電極膜厚と共振周波数の相関図である。FIG. 7 is a correlation diagram between an electrode film thickness and a resonance frequency.
１〜１２ 工程番号 ２０ 電極基板 ２１ 金属薄膜 ２２ レジスト膜 ２３ ホトマスク ２４ 電気炉 ２５ 探針 ２６ モータ ２７ ステージ ２８ スリット ２９ 検出器 ３０ 制御装置 ３１ プローバ針 ３３ テスタ 1-12 Process number 20 Electrode substrate 21 Metal thin film 22 Resist film 23 Photomask 24 Electric furnace 25 Probe 26 Motor 27 Stage 28 Slit 29 Detector 30 Control device 31 Prober needle 33 Tester
Claims (1)
電極を形成し、 前記ＩＤＴ電極形成後に熱処理を施し、 次に、前記ＩＤＴ電極の膜厚，電極指幅及び共振周波数
を測定し、膜厚測定値と共振周波数測定値と予め設定さ
れた膜厚と共振周波数の相関関係とから、共振周波数を
規定値の範囲にするための目標膜厚を求め、該目標膜厚
と前記膜厚測定値との差を得るための測定・検査工程
と、 前記差に応じたエッチングをＩＤＴ電極に施した後、前
記測定・検査工程へ戻す周波数調整工程とを設け、 前記差が０になるまで前記測定・検査と前記周波数調整
を繰り返し行うようにしたことを特徴とする表面弾性波
素子の製造方法。1. An IDT having a thickness greater than a target thickness on a piezoelectric substrate.
An electrode is formed, and a heat treatment is performed after the IDT electrode is formed. Next, a film thickness, an electrode finger width, and a resonance frequency of the IDT electrode are measured. From the correlation between the resonance frequency and the resonance frequency, determine a target film thickness for setting the resonance frequency in a range of a specified value, a measurement and inspection step to obtain a difference between the target film thickness and the film thickness measurement value, After performing etching according to the difference on the IDT electrode, a frequency adjustment step of returning to the measurement / inspection step is provided, and the measurement / inspection and the frequency adjustment are repeatedly performed until the difference becomes zero. A method for manufacturing a surface acoustic wave device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17731496A JPH1013178A (en) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | Manufacture of surface acoustic wave element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17731496A JPH1013178A (en) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | Manufacture of surface acoustic wave element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1013178A true JPH1013178A (en) | 1998-01-16 |
Family
ID=16028824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17731496A Pending JPH1013178A (en) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | Manufacture of surface acoustic wave element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1013178A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008079211A (en) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Epson Toyocom Corp | Piezoelectric device, temperature controlled piezoelectric oscillator, and manufacturing method of piezoelectric device |
| US7631412B2 (en) * | 1999-11-01 | 2009-12-15 | Agere Systems Inc. | Incremental tuning process for electrical resonators based on mechanical motion |
| KR20160098504A (en) * | 2014-01-21 | 2016-08-18 | 에이비비 테크놀로지 아게 | Power semiconductor device |
-
1996
- 1996-06-18 JP JP17731496A patent/JPH1013178A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7631412B2 (en) * | 1999-11-01 | 2009-12-15 | Agere Systems Inc. | Incremental tuning process for electrical resonators based on mechanical motion |
| JP2008079211A (en) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Epson Toyocom Corp | Piezoelectric device, temperature controlled piezoelectric oscillator, and manufacturing method of piezoelectric device |
| KR20160098504A (en) * | 2014-01-21 | 2016-08-18 | 에이비비 테크놀로지 아게 | Power semiconductor device |
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