JPH1012956A - Semiconductor laser pumping solid laser oscillation method - Google Patents

Semiconductor laser pumping solid laser oscillation method

Info

Publication number
JPH1012956A
JPH1012956A JP8167231A JP16723196A JPH1012956A JP H1012956 A JPH1012956 A JP H1012956A JP 8167231 A JP8167231 A JP 8167231A JP 16723196 A JP16723196 A JP 16723196A JP H1012956 A JPH1012956 A JP H1012956A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
semiconductor laser
modulator
rod
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP8167231A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masahiro Kuroda
雅博 黒田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Heavy Industries Ltd filed Critical Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Priority to JP8167231A priority Critical patent/JPH1012956A/en
Publication of JPH1012956A publication Critical patent/JPH1012956A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Lasers (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To realize an oscillation method for solid laser in which a laser rod has high energy storage efficiency. SOLUTION: A modulator 8 received a current from a power supply 9 and produce a saw-tooth driving current represented by a function t(x)=x which is fed to a semiconductor laser 1. Since the semiconductor laser 1 delivers a pumping light 3 to a laser rod 2 provided in each laser resonator 5, 6 together with a Q switch 4 and the modulator 8 outputs a driving current being represented by a function f(x) =x.e<x-1> , energy storage efficiency of the laser rod 2 can be enhanced. Consequently, the oscillation efficiency of laser can be enhanced while reducing the size and the power consumption.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ励起
固体レーザ発振方法に関する。
The present invention relates to a semiconductor laser pumped solid-state laser oscillation method.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のQスイッチを用いてジャイアント
パルスを発振する半導体レーザ励起固体レーザについ
て、図3により説明する。図3において、励起用の半導
体レーザ装置01は、変調器08を介して電源9に接続
され、レーザロッド2に励起光03を入射する。
2. Description of the Related Art A conventional semiconductor laser pumped solid-state laser that oscillates a giant pulse using a Q switch will be described with reference to FIG. In FIG. 3, a semiconductor laser device 01 for excitation is connected to a power supply 9 via a modulator 08, and an excitation light 03 is incident on the laser rod 2.

【0003】一方、その間にレーザロッド2とQスイッ
チ素子4が設けられたリアミラー5とフロントミラー6
は、その中心軸が一致するように調整されており、レー
ザ共振器を構成している。上記リアミラー5はレーザ光
を全反射し、フロントミラー6はレーザ光をわずかに
(1〜10%)透過するようにコーティングが施されて
いる。
On the other hand, a rear mirror 5 and a front mirror 6 having a laser rod 2 and a Q switch
Are adjusted so that their central axes coincide, and constitute a laser resonator. The rear mirror 5 is totally reflected by the laser beam, and the front mirror 6 is coated so as to transmit the laser beam slightly (1 to 10%).

【0004】レーザロッド2においては、内部にドープ
されているレーザ媒質のイオン(通常ネオジウムあるい
はクロム)が半導体レーザ装置01の発する励起光03
により基底状態より上準位レベルに励起される。
[0004] In the laser rod 2, ions (usually neodymium or chromium) of a laser medium doped therein are pumped by an excitation light 03 emitted by a semiconductor laser device 01.
Is excited to a level higher than the ground state.

【0005】Qスイッチ素子4は、固体レーザで光共振
器のQ値を急速に変化させて尖頭出力の大きいパルスを
取り出すための光シャッタの役目を果たすものであり、
レーザロッド2中のイオンが上準位レベルに十分励起さ
れた後、これを開くとリアミラー5とフロントミラー6
間で急激に誘導放出によるレーザ増幅作用が起き、レー
ザ光が発振されてパルス状の大出力光7が出射される。
The Q switch element 4 functions as an optical shutter for rapidly changing the Q value of the optical resonator with a solid-state laser and extracting a pulse having a large peak output.
After the ions in the laser rod 2 are sufficiently excited to the upper level, when they are opened, the rear mirror 5 and the front mirror 6 are opened.
The laser amplifying action due to the stimulated emission occurs suddenly between the laser beams, and the laser light is oscillated to emit the pulsed high-power light 7.

【0006】このQスイッチ素子4を利用したパルスレ
ーザは、Qスイッチ素子4のない連続波レーザに較べて
103 〜105 倍の単位時間当たりの出力が得られるた
め、加工用、計測用等に広く用いられている。
The pulse laser using the Q-switch element 4 has an output per unit time of 10 3 to 10 5 times that of a continuous wave laser without the Q-switch element 4, so that it can be used for processing, measurement, etc. Widely used for

【0007】上記レーザロッド2中のイオンの状態につ
いて、図4により説明する。図4(a)は、励起用半導
体レーザ装置01を駆動する変調器08の電流の時間波
形を示しており、これは一般的に矩形波である。通常、
レーザ媒質イオンの寿命τF(上準位レベルから自然に
基底状態に戻るまでの時間を表わし、全体の個数のうち
1/e≒37%が基底状態に戻る時間と定義されてい
る。ネオジウムイオンの場合約250μs)の間だけ一
定に励起する。
The state of ions in the laser rod 2 will be described with reference to FIG. FIG. 4A shows a time waveform of a current of the modulator 08 for driving the semiconductor laser device 01 for excitation, which is generally a rectangular wave. Normal,
Lifetime τ F of laser medium ions (represents the time from the upper level to the spontaneous return to the ground state, defined as the time for 1 / e 全体 37% of the total number to return to the ground state. Neodymium ions In this case, the excitation is constant for about 250 μs).

【0008】図4(b)は、レーザロッド2中の上準位
レベルのイオン数の時間的変化を示すが、図4(a)で
示す波形のように一定の励起パワーで励起した場合、上
準位レベルのイオン数は時間とともに最初は直線的に増
加するが、次第にその増え方は鈍化する。
FIG. 4B shows the temporal change in the number of ions at the upper level in the laser rod 2. When the laser is excited with a constant excitation power as shown in the waveform of FIG. The number of ions at the upper level increases linearly with time, but gradually decreases.

【0009】これは、イオンの自然放出により、先に励
起されたイオンが自然に基底状態に戻るからである。こ
のイオンの自然放出は、レーザ発振には何ら寄与しな
い。そして、通常、励起を開始してからτF 時間経過後
に図4(c)に示すようにQスイッチ素子4をONと
し、図4(d)に示すようなパルスレーザ光を発振す
る。
This is because the spontaneous emission of ions causes the previously excited ions to return to the ground state spontaneously. This spontaneous emission of ions does not contribute to laser oscillation at all. Normally, the Q switch element 4 is turned on as shown in FIG. 4C after the elapse of the time τ F from the start of the excitation, and the pulse laser light as shown in FIG. 4D is oscillated.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】従来のQスイッチ素子
を利用した半導体レーザ励起固体レーザにおいては、前
記のようにその尖頭出力(単位時間当たりの出力)が数
KW〜数MWと非常に大きいため、加工用、計測用に広く用
いられているが、エネルギ蓄積効率(レーザ発振に寄与
したエネルギ/レーザロッドに注入された励起エネル
ギ)の点から見ると無駄な部分があった。
As described above, the peak output (output per unit time) of a conventional semiconductor laser-pumped solid-state laser using a Q-switch element is several times.
Since it is very large, from KW to several MW, it is widely used for processing and measurement, but it is useless from the viewpoint of energy storage efficiency (energy that contributed to laser oscillation / excitation energy injected into the laser rod). There was a part.

【0011】この無駄な部分が生じるのは、図4(b)
に示すように、励起中に以前に励起されたイオンの自然
放出が発生するためであり、これが無駄なエネルギの放
出につながるからである。レーザロッド2のエネルギ蓄
積効率は、レーザの発振効率(レーザ出力/レーザ駆動
電力)に直接影響するため、できるだけ1に近付ける必
要がある。
FIG. 4 (b) shows how this useless portion occurs.
As shown in (1), spontaneous emission of previously excited ions occurs during excitation, which leads to wasteful energy emission. Since the energy storage efficiency of the laser rod 2 directly affects the laser oscillation efficiency (laser output / laser driving power), it is necessary to approach 1 as much as possible.

【0012】ここで、励起用の半導体レーザ装置に供給
される駆動電流の時間的変化を関数f(x)で表わし、x
を寿命τF で規格化された時間とすると、x=1すなわ
ちt=τF 時までのエネルギ蓄積効率ηSTは次式で表わ
される。
Here, the temporal change of the drive current supplied to the semiconductor laser device for excitation is represented by a function f (x), and x
Is the time standardized by the lifetime τ F , the energy storage efficiency η ST until x = 1, that is, t = τ F is expressed by the following equation.

【0013】[0013]

【数1】 (Equation 1)

【0014】これを図示したものが図5であり、ηST
図5における正方形の面積と斜線部の面積の比で表わさ
れる。すなわち、レーザ発振に寄与するのは斜線部のみ
であり、蓄積エネルギ効率は63%であり、37%は無
駄になっており、その改善が望まれていた。本発明は上
記の課題を解決しようとするものである。
FIG. 5 illustrates this, and η ST is represented by the ratio of the area of the square to the area of the hatched portion in FIG. That is, only the shaded portion contributes to laser oscillation, the stored energy efficiency is 63%, and 37% is wasted, and improvement thereof has been desired. The present invention seeks to solve the above problems.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】[Means for Solving the Problems]

(1)請求項1に記載の発明に係る半導体レーザ励起固
体レーザ発振方法は、レーザ共振器の中にQスイッチ素
子とレーザロッドが設けられ、変調器を介して電源より
電流を入力した半導体レーザ装置が上記レーザロッドに
励起光を入射する半導体レーザ励起固体レーザにおい
て、電源より電流を入力した変調器が関数f(x)=xで
表わされる鋸歯状波形の駆動電流を出力し、この駆動電
流を入力した半導体レーザ装置が励起光を発生してレー
ザロッドに入射して、レーザ共振器がジャイアントパル
スレーザ光を出力することを特徴としている。
(1) A semiconductor laser pumped solid-state laser oscillation method according to the first aspect of the present invention, wherein a Q-switch element and a laser rod are provided in a laser resonator, and a current is input from a power supply via a modulator. In a semiconductor laser-pumped solid-state laser in which a pumping light is incident on the laser rod, a modulator to which a current is input from a power supply outputs a sawtooth-shaped drive current represented by a function f (x) = x, and this drive current Is input to the laser rod, and the laser resonator outputs giant pulse laser light.

【0016】上記において、関数f(x)の変数xは、レ
ーザロッド中のレーザ媒質イオンの寿命で規格化された
時間であり、レーザロッドに注入された励起エネルギに
対するレーザ発振に寄与したエネルギの比で表わされる
レーザロッドのエネルギ蓄積効率ηSTは、次式(1)に
より表わすことができる。
In the above, the variable x of the function f (x) is a time standardized by the life of the laser medium ions in the laser rod, and is a ratio of the energy contributing to laser oscillation to the excitation energy injected into the laser rod. The energy storage efficiency η ST of the laser rod expressed by the ratio can be expressed by the following equation (1).

【0017】[0017]

【数2】 (Equation 2)

【0018】本発明の場合、変調器が出力する駆動電流
が関数f(x)=xで表わされるため、上記式(1)は、
次式(2)のように変換され、この式(2)よりレーザ
ロッドのエネルギ蓄積効率を求めることができる。
In the case of the present invention, the driving current output from the modulator is represented by a function f (x) = x.
The energy is converted into the following equation (2), and the energy storage efficiency of the laser rod can be obtained from the equation (2).

【0019】[0019]

【数3】 (Equation 3)

【0020】本発明においては、上記のようにレーザロ
ッドのエネルギ蓄積効率が0.72となり、従来の場合
の0.63より14%向上して、イオンの自然放出によ
るエネルギの損失を減少させたため、レーザ発振効率の
向上が可能となる。
In the present invention, as described above, the energy storage efficiency of the laser rod is 0.72, which is 14% higher than the conventional case of 0.63, and the energy loss due to spontaneous emission of ions is reduced. Thus, the laser oscillation efficiency can be improved.

【0021】(2)請求項2に記載の発明は、上記発明
(1)に記載の半導体レーザ励起固体レーザ発振方法に
おいて、変調器が出力する駆動電流が関数f(x)=x・
x- 1 で表わされる鋸歯状波形の駆動電流であることを
特徴としている。
(2) According to a second aspect of the present invention, in the semiconductor laser-excited solid-state laser oscillation method according to the first aspect, the driving current output from the modulator is a function f (x) = x ·
The drive current is characterized by a saw-tooth waveform drive current represented by ex- 1 .

【0022】本発明においては、変調器が出力する駆動
電流を関数f(x)=x・ex-1 で表わされるものとして
いるため、レーザロッドのエネルギ蓄積効率ηSTは次式
(3)により表わされ、この式(3)より求めることが
できる。
In the present invention, since the driving current output from the modulator is represented by the function f (x) = x · ex −1 , the energy storage efficiency η ST of the laser rod is given by the following equation (3). And can be obtained from this equation (3).

【0023】[0023]

【数4】 (Equation 4)

【0024】本発明の場合、上記のようにレーザロッド
のエネルギ蓄積効率が0.77となり、上記発明(1)
の場合より更に向上するため、発明(1)に比べてレー
ザ発振効率を一層向上させることが可能となる。
In the case of the present invention, the energy storage efficiency of the laser rod is 0.77 as described above, and the above-mentioned invention (1)
In this case, the laser oscillation efficiency can be further improved as compared with the case (1).

【0025】[0025]

【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態に係る半導
体レーザ励起固体レーザについて、図1により説明す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A semiconductor laser pumped solid-state laser according to one embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0026】図1に示す本実施形態は、レーザ共振器を
形成するリアミラー5とフロントミラー6の間にQスイ
ッチ素子4とレーザロッド2が設けられた半導体レーザ
励起固体レーザにおいて、電源9に接続されて鋸歯状波
形の駆動電流を出力する変調器8、およびこの変調器8
より鋸歯状波形の駆動電流を入力し励起光3を発生して
上記レーザロッド2に入射する半導体レーザ装置1を備
えている。なお、半導体レーザ装置1と変調器8以外の
装置の作用は、従来の装置と同様であるため、その詳細
な説明は省略する。
The present embodiment shown in FIG. 1 is a semiconductor laser pumped solid-state laser in which a Q switch element 4 and a laser rod 2 are provided between a rear mirror 5 and a front mirror 6 forming a laser resonator, and is connected to a power supply 9. Modulator 8 that outputs a drive current having a saw-tooth waveform, and modulator 8
A semiconductor laser device 1 is provided which receives a drive current having a more sawtooth waveform, generates excitation light 3 and enters the laser rod 2. The operation of the devices other than the semiconductor laser device 1 and the modulator 8 is the same as that of the conventional device, and a detailed description thereof will be omitted.

【0027】本実施形態においては、変調器8が出力す
る駆動電流が鋸歯状波形の電流のため、この駆動電流は
関数f(x)=xで表わすことができ、レーザ発振に寄与
したエネルギとレーザロッド2に注入された励起エネル
ギの比で示されるレーザロッド2のエネルギ蓄積効率η
STは、次式(2)により求めることができる。
In this embodiment, since the driving current output from the modulator 8 has a sawtooth waveform, this driving current can be represented by a function f (x) = x, and the energy contributing to laser oscillation and Energy storage efficiency η of laser rod 2 represented by the ratio of excitation energy injected into laser rod 2
ST can be obtained by the following equation (2).

【0028】[0028]

【数5】 (Equation 5)

【0029】また、上記について図示したものが図2で
あり、レーザロッド2に注入された励起エネルギとレー
ザ発振に寄与したエネルギは、それぞれ三角形の面積
と、斜線が記載された部分の面積と対応しており、前者
に対する後者の面積比がエネルギ蓄積効率ηSTを表わし
ている。
FIG. 2 illustrates the above, and the excitation energy injected into the laser rod 2 and the energy contributing to laser oscillation correspond to the area of the triangle and the area of the hatched portion, respectively. The area ratio of the latter to the former represents the energy storage efficiency η ST .

【0030】本実施形態の場合、レーザロッド2のエネ
ルギ蓄積効率ηSTは0.72であり、従来の装置おける
0.63に比較して1.14倍であり、エネルギ蓄積効
率η STを14%向上させることができた。
In the case of this embodiment, the energy of the laser rod 2 is
Lugi accumulation efficiency ηSTIs 0.72, which is
1.14 times the energy storage effect compared to 0.63
Rate η STWas improved by 14%.

【0031】本発明の実施の他の形態に係る半導体レー
ザ励起固体レーザについて、説明する。本実施形態にお
いては、変調器が半導体レーザ装置に入力する駆動電流
を関数f(x)=x・ex-1 で表わせるものとしており、
レーザロッドのエネルギ蓄積効率ηSTは次式(3)によ
り求めることができる。
A semiconductor laser-pumped solid-state laser according to another embodiment of the present invention will be described. In the present embodiment, the drive current input to the semiconductor laser device by the modulator can be represented by a function f (x) = x · ex -1 .
The energy storage efficiency η ST of the laser rod can be obtained by the following equation (3).

【0032】[0032]

【数6】 (Equation 6)

【0033】本実施形態の場合、上記エネルギ蓄積効率
ηSTは0.77であり、上記一実施形態の場合よりもレ
ーザロッドのエネルギ蓄積効率を更に向上させることが
できた。
In the case of the present embodiment, the energy storage efficiency η ST is 0.77, and the energy storage efficiency of the laser rod can be further improved as compared with the case of the one embodiment.

【0034】[0034]

【発明の効果】本発明の半導体レーザ励起固体レーザ発
振方法においては、電源より電流を入力した変調器が関
数f(x)=xで表わされる鋸歯状波形の駆動電流を出力
して半導体レーザ装置に入力し、同半導体レーザ装置が
レーザ共振器の中にQスイッチ素子とともに設けられた
レーザロッドに励起光を入射することによって、また、
変調器が出力する駆動電流を関数f(x)=x・ex-1
表わされるものとしたことによって、従来のものに比べ
てレーザロッドのエネルギ蓄積効率の向上が可能とな
り、レーザ発振効率の向上が可能となって、装置の小型
化、電力使用量の低減が可能となる。
According to the semiconductor laser-excited solid-state laser oscillation method of the present invention, a modulator to which a current is input from a power supply outputs a drive current having a saw-tooth waveform represented by a function f (x) = x. And the semiconductor laser device inputs excitation light to a laser rod provided together with a Q switch element in a laser resonator,
By setting the drive current output from the modulator to be represented by the function f (x) = x · ex −1 , the energy storage efficiency of the laser rod can be improved as compared with the conventional one, and the laser oscillation efficiency can be improved. It is possible to reduce the size of the device and reduce the amount of power consumption.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の一形態に係る半導体レーザ励起
固体レーザの説明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram of a semiconductor laser-pumped solid-state laser according to an embodiment of the present invention.

【図2】上記一実施形態に係るレーザロッドのエネルギ
蓄積効率の説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram of the energy storage efficiency of the laser rod according to the embodiment.

【図3】従来の装置の説明図である。FIG. 3 is an explanatory view of a conventional device.

【図4】従来の装置の作用説明図である。FIG. 4 is an operation explanatory view of a conventional device.

【図5】従来の装置のレーザロッドのエネルギ蓄積効率
の説明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram of energy storage efficiency of a laser rod of a conventional device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体レーザ装置 2 レーザロッド 3 励起光 4 Qスイッチ素子 5 リアミラー 6 フロントミラー 8 変調器 9 電源 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor laser device 2 Laser rod 3 Excitation light 4 Q switch element 5 Rear mirror 6 Front mirror 8 Modulator 9 Power supply

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成9年7月16日[Submission date] July 16, 1997

【手続補正1】[Procedure amendment 1]

【補正対象書類名】図面[Document name to be amended] Drawing

【補正対象項目名】図2[Correction target item name] Figure 2

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【図2】 FIG. 2

【手続補正2】[Procedure amendment 2]

【補正対象書類名】図面[Document name to be amended] Drawing

【補正対象項目名】図5[Correction target item name] Fig. 5

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【図5】 FIG. 5

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 レーザ共振器の中にQスイッチ素子とレ
ーザロッドが設けられ、変調器を介して電源より電流を
入力した半導体レーザ装置が上記レーザロッドに励起光
を入射する半導体レーザ励起固体レーザにおいて、電源
より電流を入力した変調器が関数f(x)=xで表わされ
る鋸歯状波形の駆動電流を出力し、この駆動電流を入力
した半導体レーザ装置が励起光を発生してレーザロッド
に入射して、レーザ共振器がジャイアントパルスレーザ
光を出力することを特徴とする半導体レーザ励起固体レ
ーザ発振方法。
1. A semiconductor laser-pumped solid-state laser in which a Q-switch element and a laser rod are provided in a laser resonator, and a semiconductor laser device to which a current is input from a power supply via a modulator enters pump light into the laser rod. In the above, the modulator to which a current is input from the power supply outputs a drive current having a sawtooth waveform represented by a function f (x) = x, and the semiconductor laser device to which the drive current is input generates excitation light to generate a laser beam. A semiconductor laser-excited solid-state laser oscillation method, wherein the laser cavity emits a giant pulse laser beam upon incidence.
【請求項2】 請求項1に記載の半導体レーザ励起固体
レーザ発振方法において、変調器が出力する駆動電流が
関数f(x)=x・ex-1 で表わされる鋸歯状波形の駆動
電流であることを特徴とする半導体レーザ励起固体レー
ザ発振方法。
2. The semiconductor laser-excited solid-state laser oscillation method according to claim 1, wherein the driving current output from the modulator is a driving current having a sawtooth waveform represented by a function f (x) = x · ex −1. A solid-state laser oscillation method excited by a semiconductor laser.
JP8167231A 1996-06-27 1996-06-27 Semiconductor laser pumping solid laser oscillation method Withdrawn JPH1012956A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8167231A JPH1012956A (en) 1996-06-27 1996-06-27 Semiconductor laser pumping solid laser oscillation method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8167231A JPH1012956A (en) 1996-06-27 1996-06-27 Semiconductor laser pumping solid laser oscillation method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1012956A true JPH1012956A (en) 1998-01-16

Family

ID=15845890

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8167231A Withdrawn JPH1012956A (en) 1996-06-27 1996-06-27 Semiconductor laser pumping solid laser oscillation method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH1012956A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006156834A (en) * 2004-11-30 2006-06-15 Keyence Corp Laser apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006156834A (en) * 2004-11-30 2006-06-15 Keyence Corp Laser apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1696522B1 (en) Passively Q-switched laser with adjustable pulse repetition rate
US5381431A (en) Picosecond Q-switched microlasers
US7873085B2 (en) Method and device for controlling optical output of laser diode
US6418154B1 (en) Pulsed diode-pumped solid-state laser
US5621745A (en) Intracavity modulated pulsed laser and methods of using the same
US4675872A (en) Driver unit for a laser Q-switch
JPH11224968A (en) Pulse laser having first pulse control
US7787506B1 (en) Gain-switched fiber laser system
US20060007968A1 (en) Long pulse laser
CN110932075B (en) Dual-wavelength pulse pair laser output method and laser
US6038240A (en) Method and solid-state laser system for generating laser pulses with a variable pulse repetition frequency and constant beam characteristics
US6654391B2 (en) Method for operating Q-switched lasers with intracavity frequency conversion
JP2003198019A (en) Laser light source
WO2007064298A1 (en) Q-switched laser arrangement
US6188704B1 (en) Diode-pumped laser drive
JP2009526388A (en) Laser and method for generating pulsed laser light
US20070237190A1 (en) High-power Er: YAG laser
JPH1012956A (en) Semiconductor laser pumping solid laser oscillation method
US6980574B1 (en) Short pulse separation laser
JPH10321933A (en) Semiconductor pumping solid-state laser
CN113725715A (en) Pump modulation-acousto-optic combined Q-switched oscillation stage and working method thereof
JPH02260479A (en) Laser oscillator
JP2000223765A (en) Semiconductor exciting solid state laser oscillating equipment
JP2003347636A (en) Q-switched laser apparatus and method for controlling q-switching
CN115360576B (en) Multi-pulse laser

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20030902