JPH1012557A - プラズマ化学蒸着装置 - Google Patents
プラズマ化学蒸着装置Info
- Publication number
- JPH1012557A JPH1012557A JP16722896A JP16722896A JPH1012557A JP H1012557 A JPH1012557 A JP H1012557A JP 16722896 A JP16722896 A JP 16722896A JP 16722896 A JP16722896 A JP 16722896A JP H1012557 A JPH1012557 A JP H1012557A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- electrode
- thin film
- reaction vessel
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 放電電力を増加させた場合に拡散したプラズ
マと雰囲気ガスとの境界の時間的・空間的変動により発
生するシリコン系の微粒子の付着による非晶質薄膜の品
質の低下を防止可能とする。 【解決手段】 反応ガスの導入・排出手段１１，１２を
有する反応容器１と、同反応容器１内に対向して配設さ
れた接地電極３及びプラズマ発生用電極２と、上記反応
容器１の側方に配設されそれぞれの軸芯が直交する一方
と他方の１対のソレノイドコイル１４ａ，１４ｂ、１５
ａ，１５ｂを備え、接地電極３に配設された基板上に薄
膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、上記接地電
極３及びプラズマ発生用電極２間の空間の側部を囲むよ
うに配設され、接地され、ガス流の通過が可能に形成さ
れたプラズマ制限用電極１７を備えたことによって、均
一かつ高品質で、大面積の非晶質薄膜の形成が可能とな
り、また、上記プラズマ発生用電極に電位を与えるもの
としたことによって、更に均一な非晶質薄膜の形成が可
能となる。
マと雰囲気ガスとの境界の時間的・空間的変動により発
生するシリコン系の微粒子の付着による非晶質薄膜の品
質の低下を防止可能とする。 【解決手段】 反応ガスの導入・排出手段１１，１２を
有する反応容器１と、同反応容器１内に対向して配設さ
れた接地電極３及びプラズマ発生用電極２と、上記反応
容器１の側方に配設されそれぞれの軸芯が直交する一方
と他方の１対のソレノイドコイル１４ａ，１４ｂ、１５
ａ，１５ｂを備え、接地電極３に配設された基板上に薄
膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、上記接地電
極３及びプラズマ発生用電極２間の空間の側部を囲むよ
うに配設され、接地され、ガス流の通過が可能に形成さ
れたプラズマ制限用電極１７を備えたことによって、均
一かつ高品質で、大面積の非晶質薄膜の形成が可能とな
り、また、上記プラズマ発生用電極に電位を与えるもの
としたことによって、更に均一な非晶質薄膜の形成が可
能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アモルファスシリ
コン太陽電池、薄膜トランジスタ、光センサ、半導体保
護膜など各種電子デバイスに使用される大面積薄膜の製
造に適用されるプラズマ化学蒸着装置（以下プラズマＣ
ＶＤ装置とする）に関する。
コン太陽電池、薄膜トランジスタ、光センサ、半導体保
護膜など各種電子デバイスに使用される大面積薄膜の製
造に適用されるプラズマ化学蒸着装置（以下プラズマＣ
ＶＤ装置とする）に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の大面積アモルファスシリコン薄膜
を製造するために適用されるプラズマＣＶＤ装置の構成
について、図４により説明する。なお、本装置の詳細
は、特願平５−１８８０７３号（特開平７−４５５４０
号）に記載されている。
を製造するために適用されるプラズマＣＶＤ装置の構成
について、図４により説明する。なお、本装置の詳細
は、特願平５−１８８０７３号（特開平７−４５５４０
号）に記載されている。
【０００３】図４において、反応容器１内には、グロー
放電プラズマを発生させるための電極２と接地電極３が
互いに対向して配置されている。電極２には、高周波電
源４から、例えば１３．５６ＭＨZ の周波数で１００Ｗ
の電力が、インピーダンスマッチング回路５、第１の高
周波ケーブル６及び電力導入端子７を介して供給され
る。
放電プラズマを発生させるための電極２と接地電極３が
互いに対向して配置されている。電極２には、高周波電
源４から、例えば１３．５６ＭＨZ の周波数で１００Ｗ
の電力が、インピーダンスマッチング回路５、第１の高
周波ケーブル６及び電力導入端子７を介して供給され
る。
【０００４】接地電極３は、反応容器１及び第２の高周
波ケーブル８を介してアース９に接続されている。ま
た、上記インピーダンスマッチング回路５の接地側端子
は、第３の高周波ケーブル１０により反応容器１に接続
されている。
波ケーブル８を介してアース９に接続されている。ま
た、上記インピーダンスマッチング回路５の接地側端子
は、第３の高周波ケーブル１０により反応容器１に接続
されている。
【０００５】上記反応容器１内には、流量計を有するボ
ンベ（図示せず）から、反応ガス導入管１１を通して、
例えばモノシラン等の反応ガスが供給され、反応容器１
内のガスは排気管１２を通して真空ポンプ（図示せず）
により排気される。基板１３は、電極２，３と平行に、
すなわち、電極２，３により発生する電界に直交するよ
うに配置される。また、反応容器１の周囲には、有限長
ソレノイドコイル１４ａ，１４ｂ、１５ａ，１５ｂが配
置されている。
ンベ（図示せず）から、反応ガス導入管１１を通して、
例えばモノシラン等の反応ガスが供給され、反応容器１
内のガスは排気管１２を通して真空ポンプ（図示せず）
により排気される。基板１３は、電極２，３と平行に、
すなわち、電極２，３により発生する電界に直交するよ
うに配置される。また、反応容器１の周囲には、有限長
ソレノイドコイル１４ａ，１４ｂ、１５ａ，１５ｂが配
置されている。
【０００６】上記従来の装置を用いて薄膜の製造を行う
場合には、まず、真空ポンプ（図示せず）を用いて反応
容器１内を排気する。その後、反応ガス導入管１１を通
して、例えばモノシランと水素との混合ガスを供給し、
反応容器１内の圧力を０．０５〜０．５torrに保ち、高
周波電源４から電極２，３間に電圧を印加し、電極２，
３間にグロー放電プラズマを発生させる。
場合には、まず、真空ポンプ（図示せず）を用いて反応
容器１内を排気する。その後、反応ガス導入管１１を通
して、例えばモノシランと水素との混合ガスを供給し、
反応容器１内の圧力を０．０５〜０．５torrに保ち、高
周波電源４から電極２，３間に電圧を印加し、電極２，
３間にグロー放電プラズマを発生させる。
【０００７】一方、有限長ソレノイドコイル１４ａ，１
４ｂ、１５ａ，１５ｂには、位相可変２出力発振器１６
から、例えば位相を９０°ずらした周波数１０ＨZ の正
弦波電圧を印加する。これにより、電極２，３の間の電
界Ｅに対して直交方向に一定の角速度２０π（ラジアン
／sec ）で回転する磁界Ｂがプラズマに作用する。
４ｂ、１５ａ，１５ｂには、位相可変２出力発振器１６
から、例えば位相を９０°ずらした周波数１０ＨZ の正
弦波電圧を印加する。これにより、電極２，３の間の電
界Ｅに対して直交方向に一定の角速度２０π（ラジアン
／sec ）で回転する磁界Ｂがプラズマに作用する。
【０００８】この結果、グロー放電プラズマ内の荷電粒
子は、電界Ｅによるクーロン力と、磁界Ｂによるローレ
ンツ力とによって、一定の角速度で回転する力（Ｅ×Ｂ
ドリフト）を受け、非晶質薄膜を形成するラジカルと衝
突するため、基板１３の表面に均一な非晶質薄膜が形成
される。
子は、電界Ｅによるクーロン力と、磁界Ｂによるローレ
ンツ力とによって、一定の角速度で回転する力（Ｅ×Ｂ
ドリフト）を受け、非晶質薄膜を形成するラジカルと衝
突するため、基板１３の表面に均一な非晶質薄膜が形成
される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来のプラズマＣＶＤ
装置において、プラズマは電極の間から横部の領域に拡
散するが、成膜速度の増加を狙って放電電力を増加させ
た場合、図４（ａ）に示すように拡散したプラズマと雰
囲気ガスとの境界２０が時間的、空間的に変動してい
た。
装置において、プラズマは電極の間から横部の領域に拡
散するが、成膜速度の増加を狙って放電電力を増加させ
た場合、図４（ａ）に示すように拡散したプラズマと雰
囲気ガスとの境界２０が時間的、空間的に変動してい
た。
【００１０】そのため、拡散したプラズマと雰囲気ガス
との境界領域においてプラズマが急激に冷却され、ここ
でシリコン系の微粒子が発生し、この微粒子が基板上に
付着して非晶質薄膜の品質を低下させていた。本発明
は、上記の課題を解決しようとするものである。
との境界領域においてプラズマが急激に冷却され、ここ
でシリコン系の微粒子が発生し、この微粒子が基板上に
付着して非晶質薄膜の品質を低下させていた。本発明
は、上記の課題を解決しようとするものである。
【００１１】
（１）請求項１に記載の発明は、反応容器と、この反応
容器に反応ガスを導入して排出する手段と、上記反応容
器内に収容された接地電極及びプラズマ発生用電極と、
このプラズマ発生用電極にグロー放電用電力を供給する
電源と、上記電極間に直交し、かつ互いに直交する方向
に軸芯をもつように反応容器を挟んで設置された２対の
ソレノイドコイルと、これらのソレノイドコイルに磁界
発生用電力を供給する交流電源を有し、上記電極間の電
界に直交するように支持された基板上に非晶質薄膜を形
成するプラズマＣＶＤ装置において、接地電極及びプラ
ズマ発生用電極間の空間との間に均等でかつプラズマの
拡散長よりも短い長さの間隙を有して上記空間の側部を
囲むように配設され、ガス流の通過が可能に形成された
プラズマ制限用電極を備えたことを特徴としている。
容器に反応ガスを導入して排出する手段と、上記反応容
器内に収容された接地電極及びプラズマ発生用電極と、
このプラズマ発生用電極にグロー放電用電力を供給する
電源と、上記電極間に直交し、かつ互いに直交する方向
に軸芯をもつように反応容器を挟んで設置された２対の
ソレノイドコイルと、これらのソレノイドコイルに磁界
発生用電力を供給する交流電源を有し、上記電極間の電
界に直交するように支持された基板上に非晶質薄膜を形
成するプラズマＣＶＤ装置において、接地電極及びプラ
ズマ発生用電極間の空間との間に均等でかつプラズマの
拡散長よりも短い長さの間隙を有して上記空間の側部を
囲むように配設され、ガス流の通過が可能に形成された
プラズマ制限用電極を備えたことを特徴としている。
【００１２】上記において、プラズマが上記の空間から
その側方の領域に拡散した場合、その拡散領域に接地さ
れたプラズマ制限用電極が設置されているため、拡散し
たプラズマと雰囲気ガスとの境界を一定の位置とするこ
とができ、成膜速度の増加を狙って放電電力を増加させ
た場合についても、プラズマの境界を安定化させること
ができる。
その側方の領域に拡散した場合、その拡散領域に接地さ
れたプラズマ制限用電極が設置されているため、拡散し
たプラズマと雰囲気ガスとの境界を一定の位置とするこ
とができ、成膜速度の増加を狙って放電電力を増加させ
た場合についても、プラズマの境界を安定化させること
ができる。
【００１３】また、上記プラズマ制限用電極は、ガス流
の通過が可能に形成されており、また、中性ガスの流れ
を防げないため、非晶質薄膜を形成するラジカルの空間
分布を片寄らせることがない。そのため、均一かつ高品
質で、大面積の非晶質薄膜の形成が可能となる。
の通過が可能に形成されており、また、中性ガスの流れ
を防げないため、非晶質薄膜を形成するラジカルの空間
分布を片寄らせることがない。そのため、均一かつ高品
質で、大面積の非晶質薄膜の形成が可能となる。
【００１４】（２）請求項２に記載の発明は、上記発明
（１）に記載のプラズマＣＶＤ装置において、プラズマ
制限用電極とアースとの間に直流電源を接続し、上記プ
ラズマ制限用電極に電位を与えたことを特徴としてい
る。
（１）に記載のプラズマＣＶＤ装置において、プラズマ
制限用電極とアースとの間に直流電源を接続し、上記プ
ラズマ制限用電極に電位を与えたことを特徴としてい
る。
【００１５】上記において、プラズマ制限用電極は電位
が与えられ、直接接地の場合に比べてプラズマとの電位
差を小さくすることができるため、プラズマの安定性を
向上させることができ、上記発明（１）より更に均一な
非晶質薄膜を形成することが可能となる。
が与えられ、直接接地の場合に比べてプラズマとの電位
差を小さくすることができるため、プラズマの安定性を
向上させることができ、上記発明（１）より更に均一な
非晶質薄膜を形成することが可能となる。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の実施の第１形態に係るプ
ラズマＣＶＤ装置について、図１により説明する。
ラズマＣＶＤ装置について、図１により説明する。
【００１７】なお、図１に示す本実施形態は、反応ガス
導入管１１と排気管１２が接続された反応容器１、この
反応容器１内に上下に対向して配設されたそれぞれが正
方形の板状のプラズマ発生用電極２と接地電極３、上記
反応容器１を挟んでその外側の側方にそれぞれ配設され
た１対の有限長ソレノイドコイル１４ａ，１４ｂ、およ
び同コイル１４ａ，１４ｂの軸芯がその軸芯と直交する
ように上記反応容器１を挟んでその外側の側方にそれぞ
れ配設された１対の有限長ソレノイドコイル１５ａ，１
５ｂを備えたプラズマＣＶＤ装置に関するものである。
導入管１１と排気管１２が接続された反応容器１、この
反応容器１内に上下に対向して配設されたそれぞれが正
方形の板状のプラズマ発生用電極２と接地電極３、上記
反応容器１を挟んでその外側の側方にそれぞれ配設され
た１対の有限長ソレノイドコイル１４ａ，１４ｂ、およ
び同コイル１４ａ，１４ｂの軸芯がその軸芯と直交する
ように上記反応容器１を挟んでその外側の側方にそれぞ
れ配設された１対の有限長ソレノイドコイル１５ａ，１
５ｂを備えたプラズマＣＶＤ装置に関するものである。
【００１８】上記プラズマ発生用電極２は、その出力端
子の他端側が高周波ケーブル１０を介して上記反応容器
１に接続されたインピーダンスマッチング回路５の一端
側に電力導入端子７と高周波ケーブル６を介して接続さ
れ、このインピーダンスマッチング回路５の入力端子に
は、その他端側が接地された高周波電源４が接続されて
いる。
子の他端側が高周波ケーブル１０を介して上記反応容器
１に接続されたインピーダンスマッチング回路５の一端
側に電力導入端子７と高周波ケーブル６を介して接続さ
れ、このインピーダンスマッチング回路５の入力端子に
は、その他端側が接地された高周波電源４が接続されて
いる。
【００１９】また、上記有限長ソレノイドコイル１４
ａ，１４ｂ、１５ａ，１５ｂは、位相可変２出力発振器
１６に接続されており、上記反応容器１は高周波ケーブ
ル８を介してアース９に接続されている。
ａ，１４ｂ、１５ａ，１５ｂは、位相可変２出力発振器
１６に接続されており、上記反応容器１は高周波ケーブ
ル８を介してアース９に接続されている。
【００２０】図１に示す本実施形態に係るプラズマＣＶ
Ｄ装置は、上記のプラズマＣＶＤ装置において、プラズ
マ発生用電極２と接地電極３の間に形成された空間の側
部を囲むように同空間との間に一定の間隙を有して配設
され接地されたメッシュ状のプラズマ制限用電極１７が
設けられている。なお、このプラズマ制限用電極１７の
メッシュの大きさは１０メッシュ／in程度であり、上記
空間との間隙は約２０mmである。
Ｄ装置は、上記のプラズマＣＶＤ装置において、プラズ
マ発生用電極２と接地電極３の間に形成された空間の側
部を囲むように同空間との間に一定の間隙を有して配設
され接地されたメッシュ状のプラズマ制限用電極１７が
設けられている。なお、このプラズマ制限用電極１７の
メッシュの大きさは１０メッシュ／in程度であり、上記
空間との間隙は約２０mmである。
【００２１】上記において、薄膜を製造する場合には、
まず、真空ポンプ（図示せず）を用いて反応容器１内を
排気する。その後、反応ガス導入管１１を通して、例え
ばモノシランと水素との混合ガスを供給し、反応容器１
内の圧力を０．０５〜０．５torrに保ち、高周波電源４
からプラズマ発生用電極２と接地電極３間に電圧を印加
し、電極２，３間にグロー放電プラズマを発生させる。
まず、真空ポンプ（図示せず）を用いて反応容器１内を
排気する。その後、反応ガス導入管１１を通して、例え
ばモノシランと水素との混合ガスを供給し、反応容器１
内の圧力を０．０５〜０．５torrに保ち、高周波電源４
からプラズマ発生用電極２と接地電極３間に電圧を印加
し、電極２，３間にグロー放電プラズマを発生させる。
【００２２】本実施形態においては、プラズマ発生用電
極２と接地電極３間の空間の側方に、電位が固定されガ
ス流の通過が可能なメッシュ状のプラズマ制限用電極１
７が配設されているため、プラズマ発生用電極３と接地
電極３の間の空間から側方の領域に拡散したプラズマ
と、雰囲気ガスとの境界３０が一定の位置となる。
極２と接地電極３間の空間の側方に、電位が固定されガ
ス流の通過が可能なメッシュ状のプラズマ制限用電極１
７が配設されているため、プラズマ発生用電極３と接地
電極３の間の空間から側方の領域に拡散したプラズマ
と、雰囲気ガスとの境界３０が一定の位置となる。
【００２３】その結果、拡散したプラズマと、雰囲気ガ
スとの境界領域でのシリコン系の微粒子の発生を押さえ
ることができ、高い成膜速度で高品質の非晶質薄膜を形
成することができた。例えば、２６cm角の電極２，３を
用い、シラン圧力を３０mtorr としてアモルファスシリ
コンを成膜した場合、プラズマ制限用電極１７を配設し
ない場合と比較して、約１．５倍の入力電力及び成膜速
度を得ることができた。
スとの境界領域でのシリコン系の微粒子の発生を押さえ
ることができ、高い成膜速度で高品質の非晶質薄膜を形
成することができた。例えば、２６cm角の電極２，３を
用い、シラン圧力を３０mtorr としてアモルファスシリ
コンを成膜した場合、プラズマ制限用電極１７を配設し
ない場合と比較して、約１．５倍の入力電力及び成膜速
度を得ることができた。
【００２４】また、メッシュ状のプラズマ制限用電極１
７を用いており、これが中性ガスの流れを防げないた
め、非晶質薄膜を形成するラジカルの空間分布の片寄り
を生じることがなく、大面積かつ均一な非晶質薄膜の形
成ができた。
７を用いており、これが中性ガスの流れを防げないた
め、非晶質薄膜を形成するラジカルの空間分布の片寄り
を生じることがなく、大面積かつ均一な非晶質薄膜の形
成ができた。
【００２５】本発明の実施に係る第２形態に係るプラズ
マＣＶＤ装置について、図２により説明する。図２に示
す本実施形態に係るプラズマＣＶＤ装置においては、第
１実施形態における正方形の板状のプラズマ発生用電極
２と接地電極３に替えて円板状のプラズマ発生用電極２
ａと接地電極３ａを用い、四角筒状のプラズマ制限用電
極１７に替えて円筒形状のプラズマ制限用電極１７ａを
用いている。
マＣＶＤ装置について、図２により説明する。図２に示
す本実施形態に係るプラズマＣＶＤ装置においては、第
１実施形態における正方形の板状のプラズマ発生用電極
２と接地電極３に替えて円板状のプラズマ発生用電極２
ａと接地電極３ａを用い、四角筒状のプラズマ制限用電
極１７に替えて円筒形状のプラズマ制限用電極１７ａを
用いている。
【００２６】本実施形態においては、プラズマ発生用電
極２ａと接地電極３ａの間の空間とプラズマ制限用電極
１７ａの間隙を全て等間隔とすることができるため、第
１実施形態に比して、更にプラズマ密度の均一化を図る
ことができ、一層均一な非晶質薄膜の形成が可能となっ
た。
極２ａと接地電極３ａの間の空間とプラズマ制限用電極
１７ａの間隙を全て等間隔とすることができるため、第
１実施形態に比して、更にプラズマ密度の均一化を図る
ことができ、一層均一な非晶質薄膜の形成が可能となっ
た。
【００２７】本発明の実施の第３形態に係るプラズマＣ
ＶＤ装置について、図３により説明する。図３に示す本
実施形態に係るプラズマＣＶＤ装置においては、第１及
び第２実施形態におけるプラズマ制限用電極１７，１７
ａを直接接地ではなく直流電源１８を介して接地してい
る。
ＶＤ装置について、図３により説明する。図３に示す本
実施形態に係るプラズマＣＶＤ装置においては、第１及
び第２実施形態におけるプラズマ制限用電極１７，１７
ａを直接接地ではなく直流電源１８を介して接地してい
る。
【００２８】本実施形態においては、プラズマ制限用電
極１７，１７ａに直流電源１８により電位を与えている
ため、これを直接接地した場合に比べてプラズマとプラ
ズマ制限用電極１７，１７ａの間の境界層の電位差を小
さくすることができ、プラズマの安定性を向上させるこ
とができ、第１及び第２実施形態に比して更に非晶質薄
膜の均一化を図ることができた。
極１７，１７ａに直流電源１８により電位を与えている
ため、これを直接接地した場合に比べてプラズマとプラ
ズマ制限用電極１７，１７ａの間の境界層の電位差を小
さくすることができ、プラズマの安定性を向上させるこ
とができ、第１及び第２実施形態に比して更に非晶質薄
膜の均一化を図ることができた。
【００２９】
【発明の効果】本発明は、反応ガスの導入・排出手段を
有する反応容器と、同反応容器内に対向して配設された
接地電極及びプラズマ発生用電極と、上記反応容器の側
方に配設されそれぞれの軸芯が直交する一方と他方の１
対のソレノイドコイルを備え、接地電極に配設された基
板上に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、上
記接地電極及びプラズマ発生用電極間の空間の側部を囲
むように配設され、接地され、ガス流の通過が可能に形
成されたプラズマ制限用電極を備えたことによって、均
一かつ高品質で、大面積の非晶質薄膜の形成が可能とな
り、また、上記プラズマ発生用電極に電位を与えるもの
としたことによって、更に均一な非晶質薄膜の形成が可
能となる。
有する反応容器と、同反応容器内に対向して配設された
接地電極及びプラズマ発生用電極と、上記反応容器の側
方に配設されそれぞれの軸芯が直交する一方と他方の１
対のソレノイドコイルを備え、接地電極に配設された基
板上に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、上
記接地電極及びプラズマ発生用電極間の空間の側部を囲
むように配設され、接地され、ガス流の通過が可能に形
成されたプラズマ制限用電極を備えたことによって、均
一かつ高品質で、大面積の非晶質薄膜の形成が可能とな
り、また、上記プラズマ発生用電極に電位を与えるもの
としたことによって、更に均一な非晶質薄膜の形成が可
能となる。
【図１】本発明の実施の第１形態に係るプラズマＣＶＤ
装置の説明図で、（ａ）は側面図、（ｂ）は平面図であ
る。
装置の説明図で、（ａ）は側面図、（ｂ）は平面図であ
る。
【図２】本発明の実施の第２形態に係るプラズマＣＶＤ
装置の平面図である。
装置の平面図である。
【図３】本発明の実施の第３形態に係るプラズマＣＶＤ
装置の側面図である
装置の側面図である
【図４】従来の装置の説明図で（ａ）は側面図、（ｂ）
は平面図である。
は平面図である。
１ 反応容器 ２，２ａ プラズマ発生用電
極 ３，３ａ 接地電極 ４ 高周波電源 ５ インピーダンスマ
ッチング回路 ６ 高周波ケーブル ７ 電力導入端子 ８ 高周波ケーブル ９ アース １０ 高周波ケーブル １１ 反応ガス導入管 １２ 排気管 １３ 基板 １４ａ，１４ｂ、１５ａ，１５ｂ ソレノイドコイル １６ 位相可変出力発振
器 １７，１７ａ プラズマ制限用電
極 １８ 直流電源 ３０ 境界
極 ３，３ａ 接地電極 ４ 高周波電源 ５ インピーダンスマ
ッチング回路 ６ 高周波ケーブル ７ 電力導入端子 ８ 高周波ケーブル ９ アース １０ 高周波ケーブル １１ 反応ガス導入管 １２ 排気管 １３ 基板 １４ａ，１４ｂ、１５ａ，１５ｂ ソレノイドコイル １６ 位相可変出力発振
器 １７，１７ａ プラズマ制限用電
極 １８ 直流電源 ３０ 境界
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹内 良昭 長崎市深堀町五丁目717番１号 三菱重工 業株式会社長崎研究所内 (72)発明者 高野 暁己 長崎市深堀町五丁目717番１号 三菱重工 業株式会社長崎研究所内 (72)発明者 村田 正義 長崎市深堀町五丁目717番１号 三菱重工 業株式会社長崎研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 反応容器と、この反応容器に反応ガスを
導入して排出する手段と、上記反応容器内に収容された
接地電極及びプラズマ発生用電極と、このプラズマ発生
用電極にグロー放電用電力を供給する電源と、上記電極
間に直交し、かつ互いに直交する方向に軸芯をもつよう
に反応容器を挟んで設置された２対のソレノイドコイル
と、これらのソレノイドコイルに磁界発生用電力を供給
する交流電源を有し、上記電極間の電界に直交するよう
に支持された基板上に非晶質薄膜を形成するプラズマ化
学蒸着装置において、接地電極及びプラズマ発生用電極
間の空間との間に均等でかつプラズマの拡散長よりも短
い長さの間隙を有して上記空間の側部を囲むように配設
され、ガス流の通過が可能に形成されたプラズマ制限用
電極を備えたことを特徴とするプラズマ化学蒸着装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載のプラズマ化学蒸着装置
において、プラズマ制限用電極とアースとの間に直流電
源を接続し、上記プラズマ制限用電極に電位を与えたこ
とを特徴とするプラズマ化学蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16722896A JPH1012557A (ja) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | プラズマ化学蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16722896A JPH1012557A (ja) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | プラズマ化学蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1012557A true JPH1012557A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=15845833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16722896A Withdrawn JPH1012557A (ja) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | プラズマ化学蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1012557A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6309742B1 (en) * | 2000-01-28 | 2001-10-30 | Gore Enterprise Holdings, Inc. | EMI/RFI shielding gasket |
-
1996
- 1996-06-27 JP JP16722896A patent/JPH1012557A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6309742B1 (en) * | 2000-01-28 | 2001-10-30 | Gore Enterprise Holdings, Inc. | EMI/RFI shielding gasket |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3377773B2 (ja) | 放電電極への給電方法、高周波プラズマ発生方法および半導体製造方法 | |
| EP0574100B1 (en) | Plasma CVD method and apparatus therefor | |
| TW507256B (en) | Discharge plasma generating method, discharge plasma generating apparatus, semiconductor device fabrication method, and semiconductor device fabrication apparatus | |
| KR101197735B1 (ko) | 플라즈마처리장치 및 플라즈마처리방법 | |
| JP2785442B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH1012557A (ja) | プラズマ化学蒸着装置 | |
| Pelletier et al. | Chemical vapor deposition in high-density low-pressure plasmas: reactor scale-up and performance | |
| JP3416622B2 (ja) | 表面処理装置及び表面処理方法 | |
| JPH0339480A (ja) | Ｅｃｒプラズマ装置 | |
| JPH0766138A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH03162583A (ja) | 真空プロセス装置 | |
| JPH11340150A (ja) | プラズマ化学蒸着装置 | |
| JPH04157164A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| Hollenstein et al. | Dust particle diagnostics in rf plasma deposition of silicon and silicon oxide films | |
| JP3151596B2 (ja) | プラズマ処理方法およびその装置 | |
| JPH0745540A (ja) | プラズマ化学蒸着装置 | |
| JPH07147243A (ja) | プラズマｃｖｄ方法 | |
| JPS62143418A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| KR100911327B1 (ko) | 플라즈마 발생 장치 | |
| JP2969651B2 (ja) | Ｅｃｒプラズマｃｖｄ装置 | |
| JP2809041B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置およびプラズマｃｖｄ方法 | |
| JPH05311447A (ja) | プラズマｃｖｄ法及びその装置 | |
| JPS619577A (ja) | プラズマ化学気相成長法 | |
| JPH1012558A (ja) | プラズマ化学蒸着装置及び方法 | |
| JP2956395B2 (ja) | 有磁場プラズマ処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030902 |