JPH10112823A - 局部画像記憶を有する小型画像捕捉デバイス - Google Patents

局部画像記憶を有する小型画像捕捉デバイス

Info

Publication number
JPH10112823A
JPH10112823A JP9250650A JP25065097A JPH10112823A JP H10112823 A JPH10112823 A JP H10112823A JP 9250650 A JP9250650 A JP 9250650A JP 25065097 A JP25065097 A JP 25065097A JP H10112823 A JPH10112823 A JP H10112823A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
array
optical
lenslet
photo detector
current mirror
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9250650A
Other languages
English (en)
Inventor
Mark Marshall Meyers
マーシャル マイヤーズ マーク
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Eastman Kodak Co
Original Assignee
Eastman Kodak Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Eastman Kodak Co filed Critical Eastman Kodak Co
Publication of JPH10112823A publication Critical patent/JPH10112823A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627Microlenses
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50Constructional details
    • H04N23/55Optical parts specially adapted for electronic image sensors; Mounting thereof
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • H04N25/41Extracting pixel data from a plurality of image sensors simultaneously picking up an image, e.g. for increasing the field of view by combining the outputs of a plurality of sensors
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/766Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors comprising control or output lines used for a plurality of functions, e.g. for pixel output, driving, reset or power
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H04N25/771Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising storage means other than floating diffusion
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00Simple or compound lenses
    • G02B3/0006Arrays
    • G02B3/0037Arrays characterized by the distribution or form of lenses
    • G02B3/0043Inhomogeneous or irregular arrays, e.g. varying shape, size, height

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 回路及び画像メモリを画像捕捉デバイスを形
成する光検出器の間の領域に集積した光学的配列カメラ
を提供する。 【解決手段】 積分カレントミラーは光検出器電流出力
を増加するよう各光検出配置で使用されない空間に形成
される。補正された二重サンプリング回路はまた各光検
出器配置に入射した放射強度に比例する電圧を発生する
ために各露出期間にわたりカレントミラーにより発生さ
れた電流の和をとるよう各光検出器配置に形成される。
ADC回路及び不揮発性メモリ回路は発生された電圧を
受け、記憶する。メモリ回路の全て又は一部は捕捉され
た画像を表す電圧の全て又は一部を出力するようアドレ
スされる。画像捕捉装置を独自のレンズレット配列と結
合することで非常に小型の光学的配列カメラが形成され
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】関連する出願の相互参照 本発明はMark M.Meyersによる1996年
4月23日出願の米国特許出願08/652735、”
A Diffractive/Refractive
Lenslet Array”及びMark M.Me
yersによる1995年4月5日出願の米国特許出願
08/417422、”A BlurFilter F
or Eliminating Aliasing I
n Electrically Sampled Im
ages”及びMark M.Meyersによる19
96年6月14日出願の米国特許出願08/66388
7、”A Diffractive/Refracti
ve LensletArray Incoporat
ing A Second AsphericSurf
ace”及びMark M.Meyersによる199
6年7月18日出願の米国特許出願08/68407
3、”Lens”及びMark M.Meyersによ
る1996年8月19日出願の米国特許出願08/69
9306、”Compact Image Captu
re Device”に関する。
【0002】
【発明の属する技術分野】本発明は画像捕捉デバイスに
関し、より詳細にはアナログ及びデジタル回路及び画像
メモリを画像捕捉デバイスを形成するそれぞれの光検出
器の間の領域に集積し、それらの組合せが光学的配列カ
メラとして形成される改善に関する。
【0003】
【従来の技術】Fossum等による米国特許第547
1515号、”Active Pixel Senso
r with Intra−Pixel Charge
Trnasfer”に開示される発明は半導体光セン
サーの光ゲートの下に蓄積された光生成された電荷を能
動画素ユニットセル内に配置された感知ノード(典型的
にはコンデンサ)にその電荷を移動することにより電圧
に変換するものである。Fossumは信号ノイズを減
少し、光センサからの暗電流の影響を除去するために信
号に基づく電圧の相関二重サンプリングの2つのサンプ
ルを用いている。画像露出に関連した電圧は光センサー
の行又は列の端に配置される電圧作動増幅器によりダー
クサンプル中の読み取りに関連する電圧から減算され
る。適切な行及び列選択データラインを用いることによ
り配列の減算は全体の画像配列を読み出す必要なしに読
み出されうる。しかしながらFossumの発明は能動
画素に光を集中するレンズ配列の使用を開示している
が、光センサ(CCD検出器)素子の全体の感度を増加
させえず、また視野の異なる領域の画像を形成する配列
光学型構造に用いる構想を示していない。Fossum
の発明は検出器配列のユニットセルの内部の画素の全体
の露出レベルを調節する手段を含まない。Fossum
の発明はまた信号処理のほとんどを電圧増幅モードでな
しているが、一方で本発明は信号処理の電流モードの利
点を用いる。加えて本発明は各光センササイトでデジタ
ル画像データのデジタル化と記憶を実現する。
【0004】Yoshimoto等による米国特許第5
004901号、”CurrentMirror Am
plifier for use in an Opt
ical Data Medium Driving
Apparatus and Servo Circu
it”では光ディスクトラッキング及び読み取りセンサ
からの光により生成された電流はスイッチング可能な一
連のカレントミラーにより固定された段階で増幅され、
ここでカレントミラーは並列に接続される出力トランジ
スタのベースを有する多重出力トランジスタか又は入力
側のトランジスタのエミッタ領域の多重集積である出力
トランジスタの使用により出力段の使用を通して電流増
倍をなす。Yosimotoの発明の目的は調節可能な
比で入力電流を増倍することにより大きなダイナミック
レンジを有する受容された光電流の使用を許容すること
である。Yosimotoの発明は配列画像センサの分
野に関係せず、作動増幅器のスイッチング可能な配列の
使用を必要とする。Yosimotoの発明は光センサ
からの電流を積分せず、電流は光ディスクヘッドにより
出射されたレーザー光から受容された光により連続的に
発生される。故にそのセンサは本発明のようにアナログ
及びデジタル信号処理電子回路により積分されたその検
知信号を有する画像に対して露出されず、むしろ連続的
な光ディスク位置モニターモードで用いられる。Yos
imotoは本発明で開示されるようなノイズ減少のた
めのデュアルスロープ相関二重サンプリングを用いな
い。Yoshimotoはセンサ配列での径方向位置の
関数として変化する視野を有する配列光学系の使用につ
いて言及していない。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は上記の
問題を克服することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】短く要約すると本発明の
一つの特徴によれば各放射センサ上の画像から入射する
放射の関数である出力信号を供給する離間した放射セン
サの配列と;画像捕捉を容易にするよう供給された出力
信号を増幅し、デジタル化し、記憶するために、供給さ
れた出力信号を受信する離間した放射センサ間の空間に
分散された配列電子回路と;該放射センサ上で捕捉され
た画像の放射を合焦するために配置されたレンズ配列と
からなる小型画像捕捉デバイスが提供される。
【0007】上記から本発明の目的は集積された補助電
子回路を取り付けた改善された光センサを提供すること
にある。本発明の他の目的は本発明の改善された光セン
サ配列に基づく短い焦点距離のカメラを提供することに
ある。本発明の更に他の目的は光センササイトでデジタ
ル化された画像データを記憶することを含む発生された
光電流源に近接して補助電子回路を取り付けた小型光セ
ンサ配列を提供することにある。
【0008】
【発明の実施の形態】本発明のこれらの及び他の目的、
特徴及び利点は以下に図を参照して好ましい実施例と請
求項の詳細な説明により明確に理解される。理解を容易
にするために、同一の符号が図に共通な同一の要素を示
すために可能なところで用いられる。
【0009】図1を参照するに、ユニット画素副組立体
(subassembly)10はカメラの光センサ配
列100(図4の配列を参照)の一部分を形成する。ユ
ニット画素副組立体10は光検出器20からなり、これ
は例えばCCDデバイス及び/又は光ダイオードであ
る。光検出器20の出力22は移動ゲート24、リセッ
トゲート26、多重カレントミラー30Aに接続され
る。移動ゲート24は露出期間中に光検出器20により
集積された電荷が所望の時点で多重カレントミラー30
Aに転送されるのを許容する。閉じられたときにリセッ
トゲート26は前に完了された露出で光検出器20に集
積された電荷を空にすることを許容する。リセットゲー
ト26が開かれ、カメラの機械的なシャッター250
(図7参照)が閉じられたときに光検出器20の出力は
暗電流及びノイズを打ち消すために前の露出時間と同じ
時間積分される。この打ち消しは相関二重サンプリング
回路(CDS)40でなされる。CDS回路40からの
積分された信号はアナログ/デジタル変換器56により
デジタル化され、得られたデジタル値はSRAMメモリ
である不揮発性メモリ58に記憶される。デジタル値は
行及び列アドレスデコーダを介してユニット画素副組立
体にアクセスすることにより主データバス50に出力さ
れる。画像データはサイトに記憶され、及び/又は各捕
捉の後にダウンロードされる。このようにして光センサ
配列100は新たな画像に対して露出する準備がなされ
る。
【0010】良く知られているようにカレントミラー3
0Aは光検出器20により発生された電流を増倍する。
電流の増倍効果はトランジスタ321 から32n のベー
ス又はゲートを相互に並列に接続し、又はエミッタ(又
はソース)領域を入力側トランジスタ34のエミッタ領
域の多重集積によってより大きくすることによるいずれ
かで従来は達成されてきた。この型のカレントミラーは
カレントミラーの全てのトランジスタに対するエミッタ
ベース電圧(又はゲートソース電圧)が等しく、それに
よりそれぞれのコレクタ(ドレイン)電流が同じであ
り、故に出力側T o からの電流の和が出力側でトランジ
スタの数又は領域の比のいずれかの倍数となるという原
理で動作する。この電流増倍は数学的に以下のように表
される: Iout =n*Iin ここで n=カレントミラーの出力側”To ”でのトランジスタ
の数であり、又は n=Aout /Ain=エミッタ領域の比 詳細な解析により出力電流は上記の式のように簡単では
なく、より正確な表現は以下のようになる Iout =n*(Iin/(1+β)) ここで β=トランジスタ電流利得(典型的には50及び200
の間)である。
【0011】カレントミラー30Aの他の実施例ではト
ランジスタ36がカレントミラーの出力側To のベース
(又はゲート)を駆動するためにカレントミラーの入力
側T i に付加され、それにより漏洩電流の影響を減少す
る。これは上記の式の理想からのずれを Iout =n*(Iin/(1+β2 )) にすることで減少させるものとして知られている。
【0012】カレントミラー30Aの出力は2つの電流
増幅器、増幅器42及び44の間でそれぞれ利得を+1
及び−1にスイッチさせる。光検出器20が入射光を受
けるときその増幅された電流は増幅器42の+1利得を
介して所与の時間積分増幅器46にスイッチされ、それ
から電流はシャッターが閉じられた後に増幅器44の−
1利得を介して同じ時間だけ積分される。この動作はデ
ュアルスロープ、相関二重サンプリングとして知られ、
これは暗電流及びKTCノイズの影響を除去する。これ
はデュアルタイムCDSが同じ増幅チェインで用いられ
るときはいつも信号が画像データを示すか、背景のデー
タを示すかに依存して信号が2つの異なる増幅器を通し
てスイッチされる点でデュアルサンプルCDSとは異な
る。相関二重サンプリングはまたジョンソンのノイズ、
フリッカーノイズ、1/fノイズを減少する。類似の効
果が増幅器44の−1の利得を介した不透明なマスクを
された光検出器からの電流を積分することにより達成さ
れる。動作する光検出器20に隣接する不透明なマスク
をされた光検出器を用いることは相関二重サンプリング
技術を並列に実施することを可能にし、読み出し時間の
減少を許容する。電流増幅器42、44の出力の積分は
同時になされ、故に出力データを有するために2つの積
分期間待つ必要をなくする。しかしながら別の光検出器
が用いられるので暗電流及びノイズの小さな差が両者間
で発生されうる。
【0013】光センサからの積分された信号はアナログ
/デジタル変換器(ADC)回路56によりデジタル化
される。ADCの出力はメモリセル58に記憶される。
本発明の一実施例では各ユニット画素副組立体サイトで
唯一のメモリセルが存在し、これはまた各サイトで多メ
モリセルを配置することを可能にし、これは光センサ配
列100上に多画像の記憶を許容する。これは本質的に
小型光センサ配列が配列レンズ210を完備した光学配
列カメラ200(図5参照)として動作することを可能
にする。
【0014】デジタル濃度データはデータをデータバス
50に送るために行及び列アドレスデコーダを介してメ
モリセル58をストロービング(strobing)す
ることによりアクセスされる。行及び列アドレスデータ
ラインの設置は画像の問題の特定の領域をより早く画像
読み出しするために光感応配列の副区域をアドレッシン
グすることを許容する。これは場面をモニターし、動く
対象に関する画像の区域を更新することだけを問題にす
るデジタルカメラで有用である。
【0015】図2を参照するにカレントミラー30Aを
置き換えるカレントミラー回路30Bはその領域が入力
トランジスタTi のエミッタ又はソースの領域のn倍で
ある出力トランジスタTo のエミッタ又はソースを用い
ることによりカレントミラー機能の第二の変形例を提供
する。これは光検出器20により大きな領域を割り当て
るより小さな回路を形成する。カレントミラー30Bは
円で囲まれたAで示される接続点でカレントミラー30
Aを置き換えうる。
【0016】図3は30Cで示されるカレントミラーの
他の変形例を示し、これはカレントミラー30A又は3
0Bのいずれかの代わりに円で囲まれたAで示された点
で、図1のユニット画素副組立体10に接続可能であ
る。カレントミラー30Cはエミッタベース(又はゲー
トソース)電圧をカレントミラーの出力側より入力側で
より高くバイアスすることにより電流増倍を達成する。
より詳細にはこれはR1,R2の値を調節することによ
り達成される。あるいはダイオード接合は固定された電
圧のバイアスを供給するためにカレントミラー30Cの
入力側のエミッタ又はソースに置き換えられ得る。
【0017】多重カレントミラーのバイポーラの実施例
に対してこの技術はエバースモール(ebers−mo
ll)関係により示され、これは以下のように与えられ
る Itr=Is *e(vbe/kt-1) ここで Vbei =Vbeo +0.0060v これは300kで約10xの電流増倍を許容する。
【0018】従来の光センサ配列と異なり、光センサ配
列100は可変の視野を有する配列光学系の使用により
各光検出器サイトに使用されない領域を含む。これらの
領域ではアナログ/デジタル変換器56及びメモリセル
58と同様に回路30A,B,C及び回路40が設けれ
られる。上記のように関連する光検出器20に近接した
これらの回路の配置は光センサ配列をより効率的にし、
外部の補助回路の必要を減少する。
【0019】カメラの解像度を劣化させずに光検出器サ
イト間に空き空間を設けるために単独のレンズ配列が用
いられる。この配列は本発明の発明者のMark M.
Meyersによる1996年4月23日出願の米国特
許出願08/652735、”A Diffracti
ve/Refractive Lenslet Arr
ay”に完全に記載されている。この出願の一部分は本
発明の請求項に対する参考を提供するためにここで用い
られる。
【0020】図4を参照するに光センサ配列100は理
解を容易にするためにブロックレイアウトの形で示され
る。各ユニット画素副組立体は行アドレスデコーダ60
及び列アドレスデコーダ62に接続される。動作では配
列の副区域からのデータは問題のデータの配置を表すこ
れらのアドレスのみを用いてアクセスされる。このよう
にして捕捉された画像の一部分は速い場面変化を捕捉す
る領域を観察するためにより速くクロックされ、一方で
より活動的でない領域はより少なくクロックされる。
【0021】一以上の画像が各ユニット画素副組立体サ
イトに記憶される場合にアドレスの長さは多画像データ
ワード(画素画像データ)のそれぞれに個別にアクセス
を許容するよう増加される。図5は光センサ配列100
及びレンズレット配列210からなる光学的配列カメラ
200を示す。図6は光学配列カメラの図5の線6−6
での断面図を示す。図5、6を共に参照するに光学的配
列カメラ200は色消しにされた屈折/回折レンズレッ
ト212又は屈折レンズレットで構成され、それは光感
応性サイト217にわたり中心に置かれる。レンズレッ
ト210の配列はカメラ内の一つの中心軸に沿って離間
された典型的には単一の丸いレンズで置き換えられる。
図5に見られるように各レンズレット212の機械的光
軸214の中心は示されている配列の物理的中心の中心
レンズレットの光軸213からの径方向距離の関数とし
て固定されたセンサー間の距離により配置される。各レ
ンズレット212の機械的な光軸214の周囲に示され
るライン215はレンズレット表面の高さの変化を示す
トポグラフ的なラインである。不透明なマスク216は
レンズレットを通して送られる以外の光が光検出器(光
センサ)に到達するのを防ぐためにレンズレット212
の間の領域を覆う。図6に示される配列は実際のカメラ
で用いられる配列のごく僅かな部分のみを示す。典型的
な実施例はレンズ毎に3画素で480x640(又はそ
れ以上)の画素からなる。レンズレットの他の構成は本
発明から離れることなく正方形、六角形、又は円形のよ
うな各レンズレット212の外周を形成するように用い
られる。
【0022】配列が異なる視野を見るためにレンズ配列
100のレンズレット212の光軸214が配列の画素
の中心間の距離より次第に大きくなる距離で配置され
る。レンズレットの光軸214の変位は配列の中心から
径方向に増加する。レンズ素子を中心から離すことは光
線を軸から外れた視野角からレンズ群の視野の中心に曲
げる傾向にある。配列の中心から距離を増加してレンズ
要素の光軸を径方向に更に外に動かすことにより所与の
レンズレット/光検出器の対に対して視野の中心での対
象の角度配置は視野全体のますます軸を外れた区域から
由来する。
【0023】例えば焦点距離Fli の配列要素に対して
光線を所望の画角から配列要素の視野絞りの中心に偏向
するために必要な要求される偏心は近軸光線追跡法の式
から決定される。近軸の式は y’=y0 +nu(t/n) n’u’=n0 0 −yφ ここで y’= 次の表面への伝搬後の高さ y0 = 前の表面の高さ u= 近軸スロープ角(ラジアン) u0 = 屈折前のスロープ角 φ= 配列要素の倍率(φ=1/FLi ) n= 媒体の屈折率 故に屈折の後に中心光線を与えられた角度から所望の角
度u’へ曲げるのに必要な倍率φ(=1/FLi )を有
する所与のレンズレットに対する変位は以下のように与
えられる d=y=(n0 0 −n’u’)/φ 本発明はレンズレットの配列を用い、ここでレンズの群
の光軸の局部変位はシステムの画像光軸の中心に関する
径方向位置の関数として変化し、それにより一次の項は
以下のようになる d(r)=(n0 0 (r)−n’u’(r))/φ 本発明はレンズレットの偏心の調整からなり、それによ
り与えられたレンズレットの視野内の中心光線に対して
u’(r)=0である。この場合には与えられた要素に
対して必要な偏心はシステムの光軸からの要素の径方向
距離の概略線形関数である。
【0024】図6を再び参照してレンズレット配列21
0は群化された光センサ222の光センサ配列100に
わたり配置される。各光センサ群222は関連する光感
応性サイト217に配置される。光センサ222の各群
は赤(R)、緑(G)、青(B)センサで形成される。
光感応性サイト217の数は少なくともレンズレット配
列210のレンズレット212の数と対応する。レンズ
レット配列210は光バッフルの付加的な機能を提供す
るスペーサ218により光センサの表面から一定の距離
で離間されるよう維持される。視野絞り開口板240と
結合されるレンズレット配列210上の不透明のマスク
216は隣接する視野と大きく重複しないように特定の
光センサの視野を制限する。開口板240はレンズレッ
ト配列210の表面から約0.5mmから2.0mmに
配置される。開口板240はその表面の片側に形成され
たフォトレジストマスクパターンを有する透明ガラスの
層である。
【0025】開口板240の開口の中心は対応するレン
ズレットの視野の中心に対して配列される。機械的光学
的中心214の間隔は配列の中心から径方向に各レンズ
レットの径方向位置の関数として増加する。開口板24
0を有する不透明領域216と与えられたレンズレット
焦点距離との組合せは光感応性サイト217に対する視
野を決定する。レンズレット配列210はエッチングさ
れた石英又はガラス基板上のエポキシレプリカで形成さ
れえ、又は射出成形プラスチックでありうる。
【0026】適切な視野絞り開口板240と結合された
レンズレット212は各光感応性サイト217上の視野
の小さな区画の画像を形成する。機械的光学的軸214
の偏心を有するレンズレット212を形成することによ
り、それはレンズレット配列にわたり径方向に増加し、
特定のレンズレット上に軸方向の光線が入射する角度は
表面で形成され、レンズレット配列210の面への法線
は特定のレンズレットの径方向位置の関数として増加す
る。故に各レンズレットの偏心を適切に形成することに
より各光感応性サイト217は場面(画像)の異なる部
分からの入射を受ける。各光センサ群222がそれ自体
のレンズレットを有する故に画像をリレーレンズで再逆
転(reinvert)する必要はない。
【0027】故に本発明に用いられるいかなるカメラシ
ステムでもカメラの大きさの更なる減少を許容する支持
回路基板の除去を許容する上記回路の集積により極めて
コンパクトかつ平坦でありうる。カメラはカラーフィル
タを有する三つのユニット画素副組立体が入射する放射
の割り当てられた周波数のみを通過するよう各画素サイ
ト217で形成される場合には白黒又はカラーで動作可
能である。
【0028】非球面レンズレットの配列はまた光センサ
配列100上に画像を形成するよう用いられる。しかし
ながら前記実施例は波長の関数として焦点距離の変動を
補正しない。何故ならばレンズレットは単一の屈折率の
材料から形成され、故に入射光のスポットの大きさは色
の関数として変動するからである。各光サイトで発生さ
れた光電流を増加するために多重カレントミラーを用い
ることにより光センサ配列の有効感度は増加する。従来
技術の光感応性配列(CCD配列のような)は非常に高
い開口数(低いF/#、典型的にはF/1.8からF/
4.0)のレンズの使用を要求され、これは配列させる
ことがより困難であり、合焦を保つことが難しく、一般
に低いF/#の対物レンズよりコストがかかる。光感応
性配列内の径方向位置の関数として変化する視野を有す
る配列光学カメラに対して増加した感度を有する光セン
サユニットセルの使用はより低いF/#光学系の使用を
許容する。レンズのF/#の定義は F/#=焦点距離/レンズの直径 である。
【0029】各レンズレットのF/#を減少することは
配列要素間の中心から中心への間隔の減少を許容する。
何故ならば与えられたF/#及び検出器感度に対して特
定の光電流が発生するからである。与えられたレンズレ
ットから検出器配列上の入射する光は(F/#)2 に比
例する。故に感度がx倍増加する場合にはF/#はx 1/
2 倍減少可能である。例えば多重カレントミラーのない
配列光学カメラがF/#=4.0でFL=0.5mmを
有するレンズレットを用いるときにレンズレットの直径
は250μmである。故に配列光学カメラが780x6
40画素であるときに配列の長い寸法の長さは各光サイ
トで3つのカラー画素(光センサ)の場合に32.5m
mである。これは光センサ配列当たりのシリコンの大き
な面積を必要とし、これは部品コストを増加し、与えら
れたウエーハの大きさからの光センサの収率を低下す
る。各光サイトで増倍係数16を有するカレントミラー
を用いることによりレンズレットの直径は4倍減少の6
5μmにすることが可能であり、配列の長さは8.12
5mmに減少され、より高い光センサ収率とより低い部
品コストが達成される。配列光学カメラは使用可能な光
感受性表面領域を減少せずにこの技術を用いうる。何故
ならば光サイト間の空間は光検出に用いられていないか
らである。光センサ間の領域は必要な補助回路のみを許
容するよう最小化される。例えば光センサ間の間隔が6
5μmであり、単一のカラー光センサの大きさが正方形
で側面が5から10μmの場合には単位セルで4225
μm2 、三つのカラー光センサの動作領域に関する表面
領域はわずか75から300μm 2 である。故に画素間
の領域は光センサより56から14倍大きい。この余分
な領域は各光サイトでアナログ回路、ADC及び1から
nの不揮発性メモリセルの設置を許容する。メモリセル
の数が多ければ多いほど光サイトに記憶可能な画像の数
は多い。適切なメモリの使用(例えばフラッシュメモ
リ)はカメラへの電力がオフされた場合でさえ画像デー
タを記憶したままにしうる。リフレッシュ回路を含むこ
とを受容可能な光サイトでDRAMメモリを使用するこ
ともまた可能である。DRAMメモリは光サイト間のよ
り小さな距離又はより多くの画像データの記憶のいずれ
かを許容するより小さな表面領域を用いて構成されう
る。 上記メモリ及びレンズレット配列と結合した多重
カレントミラーの使用は光サイト間の距離の減少を許容
する。しかしながら光サイト間の大きな距離はより多く
のメモリセルの設置を許容する。故にそれはカレントミ
ラーに関する増倍係数と小さな画像化配列に記憶可能な
画像の数との間のトレードオフである。
【0030】図7は図6の光学的配列カメラ200が機
械的シャッター250を介して画像に露出される光密閉
された筐体252内に配置されているのを示す図であ
る。機械的なシャッターはフィルム型のカメラで用いら
れる典型的なシャッターのいずれでも良い。図6に示さ
れる光学的配列カメラ200の利点は機械的なシャッタ
ーが必要とされないことである;光センサ222が光セ
ンサ配列100上に合焦された画像からの光を捕捉する
ために’オン”され、又は作動される。図7の実施例で
は光センサ222はカメラ電源がオンされ、シャッター
250が作動されて画像捕捉が生ずるときに一般に”オ
ン”される。
【0031】本発明は好ましい実施例を参照して記載さ
れてきた。しかしながら改良及び変更は本発明の範囲を
離れることなく当業者によりなされうる。
【0032】
【発明の効果】本発明は増加された信号電流が光センサ
配列に対する感度の増加を表す関連する配列された光検
出器に物理的に近接して配置されるカレントミラーの組
合せにより発生する増加された信号電流を有するという
利点を有する。この増加された感度は光センサ配列がカ
メラで用いられるときにより短い露出時間の使用又はよ
り小さな開口値の光学系の使用を許容する。カメラ内の
より低い開口値の光学系(より高いF/#)はより深い
焦点深度、光学系及び光センサのより容易な配列、一般
的なシステムコストの減少を許容する。光センササイト
で画像データをデジタル化することが可能な利点により
アナログデータバスを横切って画素データを搬送するこ
とに関するノイズピックアップを除去でき、外部メモリ
ICの必要をなくするデジタル画像データの局部記憶用
に光センササイトでメモリセルを取り付けることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】配列内に配置され画像を捕捉するカメラのよう
な装置で用いられるユニット画素組立体の概略図であ
る。
【図2】図1のユニット画素組立体の一部分の代替実施
例の回路図である。
【図3】図1のユニット画素組立体の一部分の他の実施
例の回路図である。
【図4】ユニット画素組立体及び各サイトでの関連する
メモリを取り付けた光検出配列ブロック配置図である。
【図5】複数のユニット画素副組立体を取り付けられた
光学配列カメラの平面図である。
【図6】6−6に沿った図5の光センサ配列の断面であ
る。
【図7】図5、6の光センサ配列に結合された機械式シ
ャッターを用いたカメラを示す。
【符号の説明】
10 ユニット画素副組立体 20 光検出器 22 出力 24 転送ゲート 26 リセットゲート 30A 多重カレントミラー 30B カレントミラー回路 30C カレントミラー 32 出力側トランジスタ 34 入力側トランジスタ 36 トランジスタ 40 相関二重サンプリング回路 42、44、46 増幅器 50 データバス 56 アナログ/デジタル変換器(ADC) 58 不揮発性メモリ 60 行アドレスデコーダ 62 列アドレスデコーダ 100 光センサ配列 200 光学的配列カメラ 210 レンズレット配列 212 色消し屈折/回折レンズレット 213、214 光軸 215 ライン 216 不透明マスク 217 光感応性サイト 218 光スペーサ及び/又はバッフル 222 光センサ 240 開口板視野絞り 250 機械的シャッター 252 光密閉筐体 To 出力トランジスタ Ti 入力トランジスタ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】各放射センサ上の画像から入射する放射の
    関数である出力信号を供給する離間した放射センサの配
    列と;画像捕捉を容易にするよう供給された出力信号を
    増幅し、デジタル化し、記憶するために、供給された出
    力信号を受信する離間した放射センサ間の空間に分散さ
    れた配列電子回路と;該放射センサ上で捕捉された画像
    の放射を合焦するために配置されたレンズ配列とからな
    る小型画像捕捉デバイス。
JP9250650A 1996-09-26 1997-09-16 局部画像記憶を有する小型画像捕捉デバイス Pending JPH10112823A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US72028296A 1996-09-26 1996-09-26
US720282 1996-09-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10112823A true JPH10112823A (ja) 1998-04-28

Family

ID=24893418

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9250650A Pending JPH10112823A (ja) 1996-09-26 1997-09-16 局部画像記憶を有する小型画像捕捉デバイス

Country Status (2)

Country Link
EP (1) EP0833502A3 (ja)
JP (1) JPH10112823A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100715970B1 (ko) * 2001-03-08 2007-05-08 삼성전자주식회사 메모리 모듈

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6137535A (en) * 1996-11-04 2000-10-24 Eastman Kodak Company Compact digital camera with segmented fields of view
EP0893915A3 (en) * 1997-06-25 2000-01-05 Eastman Kodak Company Compact image sensor with display integrally attached
US6975355B1 (en) * 2000-02-22 2005-12-13 Pixim, Inc. Multiple sampling via a time-indexed method to achieve wide dynamic ranges
US6985181B2 (en) * 2000-05-09 2006-01-10 Pixim, Inc. CMOS sensor array with a memory interface
US6831684B1 (en) 2000-05-09 2004-12-14 Pixim, Inc. Circuit and method for pixel rearrangement in a digital pixel sensor readout
TW522723B (en) * 2000-08-15 2003-03-01 Pixim Inc Circuit and method for pixel rearrangement in a digital pixel sensor readout
FR2974669B1 (fr) * 2011-04-28 2013-06-07 Commissariat Energie Atomique Dispositif imageur destine a evaluer des distances d'elements dans une image
DE102012218835B4 (de) * 2012-10-12 2016-09-29 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Bildsensor und verfahren

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5471515A (en) * 1994-01-28 1995-11-28 California Institute Of Technology Active pixel sensor with intra-pixel charge transfer
US5461425A (en) * 1994-02-15 1995-10-24 Stanford University CMOS image sensor with pixel level A/D conversion
JPH08107194A (ja) * 1994-10-03 1996-04-23 Fuji Photo Optical Co Ltd 固体撮像装置
US6141048A (en) * 1996-08-19 2000-10-31 Eastman Kodak Company Compact image capture device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100715970B1 (ko) * 2001-03-08 2007-05-08 삼성전자주식회사 메모리 모듈

Also Published As

Publication number Publication date
EP0833502A3 (en) 2000-01-05
EP0833502A2 (en) 1998-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6141048A (en) Compact image capture device
US6137535A (en) Compact digital camera with segmented fields of view
EP0893915A2 (en) Compact image sensor with display integrally attached
JP4388226B2 (ja) センサ装置
EP1031239B1 (en) Optoelectronic camera and method for image formatting in the same
US5512748A (en) Thermal imaging system with a monolithic focal plane array and method
US5781233A (en) MOS FET camera chip and methods of manufacture and operation thereof
US7154548B2 (en) Multiplexed and pipelined column buffer for use with an array of photo sensors
US5953060A (en) Method for reducing fixed pattern noise in solid state imaging devices
US4942473A (en) Intelligent scan image sensor
US6084229A (en) Complimentary metal oxide semiconductor imaging device
US5151587A (en) Image sensor having an array of operative and dummy bipolar transistors and pairs of pixel selecting switches connected thereto
EP1302986B1 (en) Photodetector with high dynamic range and increased operating temperature
US20010010551A1 (en) Circuit, pixel, device and method for reducing fixed pattern noise in solid state imaging devices
JPH1084507A (ja) 能動画素イメージセンサ及びその製造方法
US4489350A (en) Solid-state image pickup device
JP3906202B2 (ja) 固体撮像装置およびそれを利用した撮像システム
US5710428A (en) Infrared focal plane array detecting apparatus having light emitting devices and infrared camera adopting the same
JPH10112823A (ja) 局部画像記憶を有する小型画像捕捉デバイス
JP3809653B2 (ja) プログラミング可能なオフセット電流を有する光検知装置
JPH10227689A (ja) 赤外線検出器および赤外線フォーカルプレーンアレイ
JP2000019478A (ja) 液晶表示装置
CN100498496C (zh) 测光测距用固体摄像装置以及使用了该装置的摄像装置
US5864132A (en) Full image optical detector with spaced detector pixels
CA2301345A1 (en) Frame capture