JPH10112436A - Rotational substrate treatment device - Google Patents
Rotational substrate treatment deviceInfo
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- JPH10112436A JPH10112436A JP28601896A JP28601896A JPH10112436A JP H10112436 A JPH10112436 A JP H10112436A JP 28601896 A JP28601896 A JP 28601896A JP 28601896 A JP28601896 A JP 28601896A JP H10112436 A JPH10112436 A JP H10112436A
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- substrate
- processing apparatus
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウェハや
液晶表示基板などの基板を処理する基板処理装置に係
り、特に基板を回転させながら、基板表面にフォトレジ
スト、カラーフィルタ材等の感光性樹脂、ガラス溶剤、
等の薬液を均一に塗布する回転式基板処理装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate such as a semiconductor wafer or a liquid crystal display substrate, and more particularly to a photosensitive resin such as a photoresist or a color filter material on a substrate surface while rotating the substrate. , Glass solvent,
The present invention relates to a rotary substrate processing apparatus that uniformly applies a chemical such as a liquid chemical.
【0002】[0002]
【従来の技術】回転式基板処理装置では、回転可能に支
持された基板の上面中央部にフォトレジスト液等の薬液
(処理液ともいう)を吐出した後、基板を高速に回転さ
せ、基板の回転に伴う遠心力を利用して薬液を基板上面
に均一に塗布している。このとき、薬液を基板に吐出す
る薬液供給ノズルは、基板の上面中央部(供給位置)で
薬液を吐出した後、供給位置から基板側方の待機位置へ
移動し、待機位置に備えられた待機ポット内にノズル先
端部が収められる。この待機ポットは、ノズルの先端か
ら滴る薬液のしずくを受けたり、ノズルの先端からの薬
液の溶剤揮発により薬液が固化することを防止する機能
を有している。また、回転式基板処理装置には、基板へ
の薬液回転塗布の際には薬液が飛散するため、これを受
け止め回収するために、基板の周囲を取り囲むように飛
散防止カップ(スピンカップ)が備えられている。2. Description of the Related Art In a rotary substrate processing apparatus, a chemical solution (also referred to as a processing liquid) such as a photoresist liquid is discharged to the center of the upper surface of a rotatably supported substrate, and then the substrate is rotated at a high speed. A chemical solution is uniformly applied to the upper surface of the substrate by using centrifugal force caused by rotation. At this time, the chemical solution supply nozzle that discharges the chemical solution to the substrate discharges the chemical solution at the central portion (supply position) of the upper surface of the substrate, then moves from the supply position to the standby position beside the substrate, and is provided at the standby position. The tip of the nozzle is housed in the pot. The standby pot has a function of preventing a drop of the chemical solution dripping from the tip of the nozzle and preventing the chemical solution from solidifying due to evaporation of the solvent from the tip of the nozzle. Also, the rotating substrate processing apparatus is provided with a scattering prevention cup (spin cup) surrounding the periphery of the substrate for receiving and collecting the chemical solution when the chemical solution is spin-coated on the substrate. Have been.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】使用する薬液は揮発性
を有するため、待機ポット内にノズル先端部が長時間置
かれると、ノズル先端部分に溜まっている薬液が固化す
る等の特性変化が発生する。このように特性が変化した
薬液を使用すると、基板上に形成された被膜の膜厚ばら
つき等の基板処理上の種々の問題が発生する可能性が高
い。そこで、待機ポット内にノズル先端部を一定時間以
上置いた場合は、回転塗布処理前に待機ポット内で薬液
を少量(特性変化した薬液の量)だけ吐出廃棄する処理
(以下、プリディスペンスという)を行っている。ま
た、スピンカップ内側の側壁や、待機ポット内部の側
壁、ノズルの先端部外側に付着した薬液は、固化すると
パーティクル発生の原因となる。そこで、一定間隔の回
転塗布処理後に、薬液溶剤によりそれらを洗浄する処
理、即ち、カップリンス(スピンカップ内側の側壁洗
浄)、ポットリンス(待機ポット内部の側壁洗浄)、ノ
ズルリンス(ノズルの先端部外側)の吐出(以下、代表
してアフタディスペンスという)を行っている。Since the chemical used has volatility, if the tip of the nozzle is placed in the standby pot for a long period of time, a change in characteristics such as the solidification of the chemical stored at the tip of the nozzle occurs. I do. The use of a chemical solution having changed characteristics in this manner is likely to cause various problems in substrate processing, such as variations in the thickness of a film formed on the substrate. Therefore, when the nozzle tip is placed in the standby pot for a certain period of time or more, a process of discharging and discarding a small amount of the chemical solution (the amount of the chemical solution having changed characteristics) in the standby pot before the spin coating process (hereinafter, referred to as pre-dispense). It is carried out. In addition, the chemical liquid attached to the side wall inside the spin cup, the side wall inside the standby pot, and the outside of the tip of the nozzle is solidified, and causes generation of particles. Therefore, after the spin coating process at regular intervals, a process of cleaning them with a chemical solution solvent, that is, a cup rinse (side wall cleaning inside the spin cup), a pot rinse (side wall cleaning inside the standby pot), a nozzle rinse (nozzle tip portion) (Hereinafter referred to as “outside dispense”).
【0004】図8は、従来の回転式基板処理装置におけ
るアフターディスペンスとプリディスペンスの処理手順
を示す説明図である。従来は、基板のレシピ処理(レシ
ピに従った処理液の塗布処理)が完了した後に、アフタ
ーディスペンスとプリディスペンスとが順次行なわれて
いた。そして、アフターディスペンスとプリディスペン
スを行っている間に、搬送アームを用いて処理済みの基
板と未処理の基板とを入れ替える作業も並行して行われ
る。このように、従来は、基板のレシピ処理終了後アフ
タディスペンス(後洗浄処理)や、プリディスペンス
(前洗浄処理)が順次行われるので、これらの処理の終
了までに無駄な待ち時間(以下、ディスペンス完了待ち
時間という)が発生する場合があった。多くの基板を処
理する間に、このディスペンス完了待ち時間が何度も発
生する場合があり、スループット向上の制約となってい
た。FIG. 8 is an explanatory view showing a procedure of after-dispense and pre-dispense in a conventional rotary substrate processing apparatus. Conventionally, after dispensing of a substrate (application of a treatment liquid according to the recipe), after-dispensing and pre-dispensing are sequentially performed. Then, during the after-dispensing and the pre-dispensing, the operation of exchanging the processed substrate and the unprocessed substrate using the transfer arm is also performed in parallel. As described above, conventionally, after-dispensing (post-cleaning processing) and pre-dispensing (pre-cleaning processing) are sequentially performed after the completion of the recipe processing of the substrate. Waiting time for completion). During processing of many substrates, the dispense completion wait time may occur many times, which limits the improvement of throughput.
【0005】この発明は、従来技術における上述の課題
を解決するためになされたものであり、回転式基板処理
装置のスループットを向上させる技術を提供することを
目的とする。The present invention has been made to solve the above-mentioned problems in the prior art, and has as its object to provide a technique for improving the throughput of a rotary substrate processing apparatus.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段およびその作用・効果】上
述の課題の少なくとも一部を解決するため、第1の発明
は、回転可能に支持された基板上に処理液を塗布する回
転式基板処理装置であって、基板上への処理液の塗布処
理の前に前記回転式基板処理装置の所定の部分の前処理
を行う前処理手段と、前記前処理が前記塗布処理の開始
予定時刻までに終了するように、前記前処理を開始させ
る制御手段と、を備えることを特徴とする。In order to solve at least a part of the above-mentioned problems, a first aspect of the present invention is a rotary substrate processing apparatus for applying a processing liquid onto a rotatably supported substrate. An apparatus, wherein a pre-processing means for performing a pre-processing of a predetermined portion of the rotary substrate processing apparatus before the coating processing of the processing liquid on the substrate, the pre-processing by the scheduled start time of the coating processing And control means for starting the preprocessing so as to end the processing.
【0007】上記第1の発明では、所定の部分の前処理
が、基板上への処理液の塗布処理の開始予定時刻までに
終了するように、他の処理とは独立して開始される。従
って、従来発生していた前処理による処理の待ち時間を
ほとんど無視することができ、回転式基板処理装置のス
ループットを向上させることができる。In the first aspect of the invention, the pre-processing of the predetermined portion is started independently of the other processing so that the pre-processing of the predetermined part is completed by the scheduled start time of the processing of applying the processing liquid onto the substrate. Therefore, the waiting time of the processing by the pre-processing which has conventionally occurred can be almost ignored, and the throughput of the rotary substrate processing apparatus can be improved.
【0008】第2の発明は、回転可能に支持された基板
上に処理液を塗布する回転式基板処理装置であって、基
板上に処理液を吐出した後に前記回転式基板処理装置の
所定の部分の後処理を行なう後洗浄処理手段と、前記基
板上への前記処理液の吐出終了後の一定時間内に前記後
処理を開始させる制御手段と、を備えることを特徴とす
る。According to a second aspect of the present invention, there is provided a rotary substrate processing apparatus for applying a processing liquid onto a rotatably supported substrate. Post-cleaning processing means for performing a partial post-processing, and control means for starting the post-processing within a predetermined time after the end of the discharge of the processing liquid onto the substrate are provided.
【0009】上記第2の発明では、所定の部分の後処理
が、基板上への処理液の吐出終了後の一定時間内に、他
の処理とは独立して開始される。従って、従来発生して
いた後処理による処理の待ち時間をほとんど無視するこ
とができ、回転式基板処理装置のスループットを向上さ
せることができる。In the second aspect of the invention, the post-processing of the predetermined portion is started independently of other processing within a predetermined time after the end of the discharge of the processing liquid onto the substrate. Therefore, the waiting time of the post-processing that has conventionally occurred can be almost ignored, and the throughput of the rotary substrate processing apparatus can be improved.
【0010】第3の発明は、回転可能に支持された基板
上に処理液を塗布する回転式基板処理装置であって、基
板上への処理液の塗布処理の前に前記回転式基板処理装
置の所定の第1の部分の前処理を行う前処理手段と、前
記基板上に前記処理液を吐出した後に前記回転式基板処
理装置の所定の第2の部分の後処理を行う後処理手段
と、前記前処理が前記塗布処理の開始予定時刻までに終
了するように前記前処理を開始させるとともに、前記基
板上への前記処理液の吐出終了後の一定時間内に前記後
処理を開始させる制御手段と、を備えることを特徴とす
る。According to a third aspect of the present invention, there is provided a rotary substrate processing apparatus for applying a processing liquid onto a rotatably supported substrate, wherein the rotary substrate processing apparatus is provided before the processing liquid is applied onto the substrate. A pre-processing means for performing a pre-processing of a predetermined first portion, and a post-processing means for performing a post-processing of a predetermined second portion of the rotary substrate processing apparatus after discharging the processing liquid onto the substrate. A control to start the pre-processing so that the pre-processing is completed before the scheduled start time of the coating processing, and to start the post-processing within a certain time after the end of the discharge of the processing liquid onto the substrate. Means.
【0011】上記第3の発明では、所定の部分の前処理
が、基板上への処理液の塗布処理の開始予定時刻までに
終了するように、他の処理とは独立して開始されるとと
もに、所定の部分の後処理が、基板上への処理液の吐出
終了後の一定時間内に、他の処理とは独立して開始され
る。従って、上記第1,第2の発明と同様に、従来発生
していた前処理や後処理による処理の待ち時間をほとん
ど無視することができ、回転式基板処理装置のスループ
ットを向上させることができる。In the third aspect of the present invention, the pre-processing of the predetermined portion is started independently of the other processing so that the pre-processing of the predetermined portion is completed by the scheduled start time of the processing of applying the processing liquid onto the substrate. The post-processing of the predetermined part is started independently of other processing within a certain time after the end of the discharge of the processing liquid onto the substrate. Therefore, similarly to the first and second inventions, the waiting time of the processing by the pre-processing and the post-processing which has conventionally occurred can be almost ignored, and the throughput of the rotary substrate processing apparatus can be improved. .
【0012】上記第1または第3の発明において、前記
前処理は、前記処理液を前記基板上に吐出するためのノ
ズルが待機位置に存在する状態で、前記ノズルから前記
処理液を吐出する処理であることが好ましい。[0012] In the first or third aspect of the present invention, the pretreatment is a process of discharging the processing liquid from the nozzle in a state where a nozzle for discharging the processing liquid onto the substrate is at a standby position. It is preferred that
【0013】ノズルの先端に一定時間溜まっていた処理
液は、固化等の特性変化が発生し、このように特性が変
化した処理液を使用すると、基板上に形成された被膜の
膜厚ばらつき等の基板処理状の種々の問題が発生しやす
い。しかしながら、上記のようにすれば、基板上への薬
液吐出前に、ノズルの先端に一定時間溜まっていた薬液
を廃棄することができるため、新しい薬液による基板へ
の塗布処理ができ、このような問題を回避することがで
きる。The processing liquid that has accumulated at the tip of the nozzle for a certain period of time undergoes a change in characteristics such as solidification. If the processing liquid having such changed characteristics is used, the film thickness variation of the film formed on the substrate, etc. Various problems in substrate processing tend to occur. However, according to the above method, before discharging the chemical solution onto the substrate, the chemical solution that has accumulated at the tip of the nozzle for a certain period of time can be discarded, so that the substrate can be coated with a new chemical solution. Problems can be avoided.
【0014】上記第2または第3の発明において、前記
後処理は、前記処理液を前記基板上に吐出するためのノ
ズルの周囲を洗浄する第1の処理と、回転する基板の周
囲に設けられたスピンカップを洗浄する第2の処理と、
前記ノズルの待機位置において前記ノズルの先端が挿入
される待機ポットを洗浄する第3の処理と、の中の少な
くとも一つを含む、ことが好ましい。In the second or third invention, the post-processing is a first processing for cleaning around a nozzle for discharging the processing liquid onto the substrate, and a post-processing is provided around a rotating substrate. A second treatment of washing the spin cup,
Preferably, the method includes at least one of a third process of cleaning a standby pot into which the tip of the nozzle is inserted at a standby position of the nozzle.
【0015】ノズルの周囲や、スピンカップ内側の側
壁、待機ポット内部の側壁に付着した薬液は、固化する
とパーティクル発生の原因となる。このようなパーティ
クルの発生した環境で処理された基板は特性劣化の可能
性が高いため、付着した処理液は、洗浄することが好ま
しい。上記のようにすれば、それらに付着した薬液を洗
浄することができ、パーティクル発生を防止することが
できる。The chemical liquid attached to the periphery of the nozzle, the inner wall of the spin cup, or the inner wall of the standby pot solidifies and causes particles. Since a substrate processed in an environment in which such particles are generated has a high possibility of property deterioration, it is preferable to wash the processing liquid that has adhered. According to the above, the chemicals attached to them can be washed, and the generation of particles can be prevented.
【0016】上記第1、または第3の発明において、前
記制御手段は、前記前処理が前記塗布処理の開始予定時
刻直前に終了するように前記前処理を開始させることが
好ましい。In the first or third invention, it is preferable that the control means starts the pretreatment so that the pretreatment ends immediately before the scheduled start time of the coating treatment.
【0017】ノズルの先端に一定時間溜まっていた処理
液は、固化等の特性変化が発生し、このように特性が変
化した処理液を使用すると、基板上に形成された被膜の
膜厚ばらつき等の基板処理状の種々の問題が発生しやす
い。従って、できる限り新しい処理液を使用することが
好ましい。上記のようにすれば、ノズルに長時間溜めら
れた処理液を処理の開始直前に廃棄して、新しい処理液
を利用することができる。The processing liquid accumulated at the tip of the nozzle for a certain period of time undergoes a change in characteristics such as solidification, and when the processing liquid having such changed characteristics is used, the film thickness variation of the film formed on the substrate, etc. Various problems in substrate processing tend to occur. Therefore, it is preferable to use a processing solution as fresh as possible. According to the above, the processing liquid stored in the nozzle for a long time can be discarded immediately before the start of processing, and a new processing liquid can be used.
【0018】上記第2、第3の発明において、前記制御
手段は、前記処理液を前記基板上に吐出するためのノズ
ルが前記処理液を前記基板上に吐出して所定の待機位置
に移動した直後に、前記後処理を開始させることが好ま
しい。In the second and third inventions, the control means may be arranged such that a nozzle for discharging the processing liquid onto the substrate moves to a predetermined standby position after discharging the processing liquid onto the substrate. It is preferable to start the post-treatment immediately after.
【0019】ノズルの周囲や、スピンカップ内側の側
壁、待機ポット内部の側壁に付着した薬液は、固化する
とパーティクル発生の原因となる。このようなパーティ
クルの発生した環境で処理された基板は特性劣化の可能
性が高い。また、固化してしまった処理液を洗浄するよ
りも付着直後の処理液を洗浄した方が洗浄しやすい。従
って、付着した処理液は、できる限り早く洗浄すること
が好ましい。上記のようにすれば、付着直後の処理液を
できる限り早く洗浄することが可能である。The chemical liquid attached to the periphery of the nozzle, the side wall inside the spin cup, and the side wall inside the standby pot solidifies and causes particles. A substrate processed in an environment where such particles are generated has a high possibility of characteristic deterioration. Further, it is easier to wash the processing liquid immediately after the adhesion than to wash the solidified processing liquid. Therefore, it is preferable to wash the attached processing solution as soon as possible. According to the above, it is possible to wash the treatment liquid immediately after the adhesion as soon as possible.
【0020】上記第1または第3の発明において、前記
制御手段は、所定数の基板の塗布処理を完了する度に前
記前処理を1回実行させるようにしてもよい。In the first or third aspect of the present invention, the control means may execute the pre-processing once each time the coating of a predetermined number of substrates is completed.
【0021】使用する処理液の特性によっては、特性変
化して基板に悪影響を及ぼす時間が異なる。従って、上
記のようにすれば、効率よく前処理を実行させることが
できる。Depending on the characteristics of the processing solution used, the time during which the characteristics change and adversely affect the substrate differs. Therefore, according to the above, the preprocessing can be executed efficiently.
【0022】上記第2または第3の発明において、前記
制御手段は、所定数の基板の塗布処理を完了する度に前
記後処理を1回実行させるようにしてもよい。In the second or third aspect of the present invention, the control means may execute the post-processing once each time the coating processing of a predetermined number of substrates is completed.
【0023】使用する処理液の特性によっては、特性変
化して基板に悪影響を及ぼす時間が異なる。従って、上
記のようにすれば、効率よく後処理を実行させることが
できる。Depending on the characteristics of the processing solution used, the time during which the characteristics change and adversely affect the substrate differs. Therefore, according to the above, the post-processing can be executed efficiently.
【0024】[0024]
【発明の他の態様】この発明は、以下のような他の態様
も含んでいる。第1の態様は、回転可能に支持された基
板上に処理液を塗布する回転式基板処理装置の制御方法
であって、基板上への処理液の塗布処理の前に前記回転
式基板処理装置の所定の部分の前処理を、前記前処理が
前記塗布処理の開始予定時刻までに終了するように開始
させる工程、を備えることを特徴とする。Other Embodiments of the Invention The present invention includes the following other embodiments. A first aspect is a control method of a rotary substrate processing apparatus for applying a processing liquid onto a rotatably supported substrate, wherein the rotary substrate processing apparatus is provided with a processing liquid before the processing liquid is applied to the substrate. Starting the pre-processing of the predetermined part so that the pre-processing ends by the scheduled start time of the coating processing.
【0025】第2の態様は、回転可能に支持された基板
上に処理液を塗布する回転式基板処理装置の制御方法で
あって、基板上に処理液を吐出した後に前記回転式基板
処理装置の所定の部分の後処理を、前記基板上への前記
処理液の吐出終了後の一定時間内に開始させる工程、を
備えることを特徴とする。According to a second aspect, there is provided a method of controlling a rotary substrate processing apparatus for applying a processing liquid onto a rotatably supported substrate, the method comprising the steps of: Starting the predetermined part of the post-processing within a fixed time after the end of the discharge of the processing liquid onto the substrate.
【0026】第3の態様は、回転可能に支持された基板
上に処理液を塗布する回転式基板処理装置の制御方法で
あって、基板上への処理液の塗布処理の前に前記回転式
基板処理装置の所定の第1の部分の前処理を、前記前処
理が前記塗布処理の開始予定時刻までに終了するように
開始させるとともに、前記基板上に前記処理液を吐出し
た後に前記回転式基板処理装置の所定の第2の部分の後
処理を、前記基板上への前記処理液の吐出終了後の一定
時間内に開始させる工程、を備えることを特徴とする。According to a third aspect, there is provided a method of controlling a rotary substrate processing apparatus for coating a processing liquid on a rotatably supported substrate, the method comprising: The pre-processing of the first predetermined portion of the substrate processing apparatus is started so that the pre-processing is completed by the scheduled start time of the coating processing, and the rotary processing is performed after discharging the processing liquid onto the substrate. Starting the post-processing of the predetermined second portion of the substrate processing apparatus within a predetermined time after the end of the discharge of the processing liquid onto the substrate.
【0027】第4の態様は、コンピュータシステムのマ
イクロプロセッサによって実行されることによって、上
記の発明の各工程または各手段を実現するソフトウェア
プログラムを格納した携帯型記憶媒体である。According to a fourth aspect, there is provided a portable storage medium which stores a software program which is executed by a microprocessor of a computer system to realize each step or each means of the invention.
【0028】[0028]
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を実施
例に基づき説明する。図1は、この発明の実施例を適用
する基板処理装置1を示す斜視図である。この基板処理
装置1は、半導体ウェハWに一連の処理(この実施例で
は塗布処理、現像処理、加熱処理、冷却処理)を行うた
めの複数の処理ユニットを備えている。前面に配列され
た第1の処理ユニット群Aは、塗布処理を行うスピンコ
ータSCと、現像処理を行うスピンデベロッパSDとで
構成されている。Next, embodiments of the present invention will be described based on examples. FIG. 1 is a perspective view showing a substrate processing apparatus 1 to which an embodiment of the present invention is applied. The substrate processing apparatus 1 includes a plurality of processing units for performing a series of processes (a coating process, a developing process, a heating process, and a cooling process in this embodiment) on the semiconductor wafer W. The first processing unit group A arranged on the front surface includes a spin coater SC for performing a coating process and a spin developer SD for performing a developing process.
【0029】また、第1の処理ユニット群Aに対向する
後方側の位置には、第2の処理ユニット群Bが設けられ
ている。第2の処理ユニット群Bは、各種熱処理を行う
ホットプレートHP1〜HP3及びクールプレートCP
1〜CP3を備えている。Further, a second processing unit group B is provided at a position on the rear side opposite to the first processing unit group A. The second processing unit group B includes hot plates HP1 to HP3 and cool plates CP for performing various heat treatments.
1 to CP3.
【0030】さらに、この装置には、第1の処理ユニッ
ト群Aと第2の処理ユニット群Bに挟まれた位置に、第
1の処理ユニット群Aに沿って延びる搬送領域Cが設け
られている。この搬送領域Cには搬送ロボット10が移
動自在に配置されている。この搬送ロボット10は、半
導体ウェハWをそれぞれ支持するための2本のアームを
有する支持部材11(図中ではひとつのアームのみが見
えている)を有する移動体12を備えている。この支持
部材11を構成する上下2本のアームは、アーム駆動機
構(図示省略)によって駆動され、各処理ユニットにお
いて半導体ウェハの交換を行う。すなわち、一方のアー
ムは、処理の終了した半導体ウェハを処理ユニットから
受け取り、他方のアームは他の処理ユニットから搬送し
てきた半導体ウェハをその処理ユニットに載置する。な
お、図示を省略しているが、搬送ロボット10の移動体
12には3次元の駆動機構が連結されている。この駆動
機構は、移動体12を各処理ユニットの前に移動させ
て、半導体ウェハWの受け渡しを可能としている。Further, in this apparatus, a transfer area C extending along the first processing unit group A is provided at a position between the first processing unit group A and the second processing unit group B. I have. In the transfer area C, a transfer robot 10 is movably arranged. The transfer robot 10 includes a moving body 12 having a support member 11 having two arms for supporting the semiconductor wafer W (only one arm is visible in the drawing). The upper and lower two arms forming the support member 11 are driven by an arm drive mechanism (not shown), and exchange the semiconductor wafer in each processing unit. That is, one arm receives the semiconductor wafer after the processing from the processing unit, and the other arm places the semiconductor wafer transported from another processing unit on the processing unit. Although not shown, a three-dimensional drive mechanism is connected to the moving body 12 of the transfer robot 10. This drive mechanism moves the moving body 12 in front of each processing unit, and enables the transfer of the semiconductor wafer W.
【0031】基板処理装置1の端部には、カセット20
からの半導体ウェハWの搬出とカセット20への半導体
ウェハWの搬入とを行うインデクサINDが設けられて
いる。このインデクサINDに設けられた移載ロボット
40は、カセット20から半導体ウェハWを取り出し、
搬送ロボット10に送り出したり、逆に一連の処理が施
された半導体ウェハWを搬送ロボット10から受け取
り、カセット20に戻す作業を行う。なお、図1には図
示が省略されているが、インデクサINDの反対側(図
面右側)の端部には、半導体ウェハWを他の処理装置
(例えばステッパ等の露光装置)との間で受け渡しする
インターフェースユニットが設けられている。実施例の
基板処理装置1と他の処理装置との間の半導体ウェハW
の受け渡しは、インターフェースユニットに設けられた
移動ロボット(図示省略)と搬送ロボット10とが協働
することによって行われる。At the end of the substrate processing apparatus 1, a cassette 20
There is provided an indexer IND for carrying out the semiconductor wafer W from the semiconductor wafer W and carrying the semiconductor wafer W into the cassette 20. The transfer robot 40 provided in the indexer IND takes out the semiconductor wafer W from the cassette 20,
The semiconductor wafer W that has been sent out to the transfer robot 10 or, on the contrary, has undergone a series of processes is received from the transfer robot 10 and returned to the cassette 20. Although not shown in FIG. 1, the semiconductor wafer W is transferred to and from another processing apparatus (for example, an exposure apparatus such as a stepper) at an end opposite to the indexer IND (right side in the drawing). An interface unit is provided. Semiconductor wafer W between the substrate processing apparatus 1 of the embodiment and another processing apparatus
Is performed by a mobile robot (not shown) provided in the interface unit and the transfer robot 10 cooperating with each other.
【0032】図2は、図1の基板処理装置1のブロック
図である。図2において、コントローラ50は、演算部
(CPU)やメインメモリ(RAMおよびROM)を備
えた演算処理装置であり、ディスプレイ51およびキー
ボード52が接続されている。コントローラ50は、予
め設定された処理レシピに従って搬送ロボット10や移
載ロボット40(インデクサINDのロボット)、およ
び、各処理ユニットSC,SD,HP1〜HP3,CP
1〜CP3の動作を制御する。FIG. 2 is a block diagram of the substrate processing apparatus 1 of FIG. In FIG. 2, a controller 50 is an arithmetic processing device including an arithmetic unit (CPU) and a main memory (RAM and ROM), and a display 51 and a keyboard 52 are connected. The controller 50 includes the transfer robot 10 and the transfer robot 40 (robots of the indexer IND), and the processing units SC, SD, HP1 to HP3, and CP according to a preset processing recipe.
1 to control the operation of CP3.
【0033】なお、コントローラ50による各種の機能
を実現するソフトウェアプログラム(アプリケーション
プログラム)は、フロッピディスクやCD−ROM等の
携帯型記憶媒体(可搬型記憶媒体)からコントローラ5
0のメインメモリまたは外部記憶装置に転送される。A software program (application program) for realizing various functions by the controller 50 is transferred from a portable storage medium (portable storage medium) such as a floppy disk or a CD-ROM to the controller 5.
0 is transferred to the main memory or the external storage device.
【0034】図3は、図1に示す基板処理装置1におい
て、本発明を実際に適用する基板処理装置、例えばスピ
ンコータSCやスピンデベロッパSDのような回転式基
板処理装置30の概略構成を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a schematic structure of a substrate processing apparatus to which the present invention is actually applied, for example, a rotary substrate processing apparatus 30 such as a spin coater SC or a spin developer SD in the substrate processing apparatus 1 shown in FIG. FIG.
【0035】この回転式基板処理装置30では、電動モ
ータ301の駆動によって鉛直方向の軸心まわりで回転
する回転軸302の上端に、処理を行うウェハWを水平
姿勢で真空吸着保持する回転台303が一体回転可能に
取り付けられている。In the rotary type substrate processing apparatus 30, a rotary table 303 for vacuum-holding and holding a wafer W to be processed in a horizontal posture is provided on an upper end of a rotary shaft 302 which rotates around a vertical axis by driving an electric motor 301. Are mounted so as to be able to rotate together.
【0036】回転台303の周囲は、図示しない昇降駆
動機構によって昇降可能なスピンカップ304で覆われ
ている。ウェハWの搬入/搬出時には、スピンカップ3
04を下方に移動させた状態において、処理済みのウェ
ハWを回転台303の上から降ろし、また、未処理のウ
ェハWを回転台303に載せる動作が実行される。塗布
処理時(ウェハWの回転処理時)には、スピンカップ3
04を上方に移動させてウェハWの上に供給された薬液
(処理液)が飛び散るのを防ぐ。スピンカップ304内
に飛散した余剰の薬液は、排液管304aを介して排出
されており、また、スピンカップ内は、排気ダクト30
4bを介して排気されている。The periphery of the turntable 303 is covered with a spin cup 304 that can be moved up and down by a lifting drive mechanism (not shown). When loading / unloading the wafer W, the spin cup 3
In a state in which the wafer W is moved downward, an operation of lowering the processed wafer W from the turntable 303 and placing the unprocessed wafer W on the turntable 303 is performed. During the coating process (at the time of rotating the wafer W), the spin cup 3
04 is moved upward to prevent the chemical solution (processing solution) supplied onto the wafer W from scattering. The surplus chemical liquid scattered into the spin cup 304 is discharged through a drain pipe 304a, and the inside of the spin cup is evacuated by an exhaust duct 30.
4b.
【0037】スピンカップ304の上方側面外側には、
カップ内洗浄液供給装置330a,330bが設けられ
ている。スピンカップ304側壁内側には、カップ内洗
浄液供給装置330a,330bに接続されたカップ洗
浄液吐出孔331a,331bが設けられている。これ
らのカップ洗浄液吐出孔331a,331bから、洗浄
液が供給されてスピンカップ304の内側を洗浄する。Outside the upper side surface of the spin cup 304,
In-cup cleaning liquid supply devices 330a and 330b are provided. Inside the side wall of the spin cup 304, cup cleaning liquid discharge holes 331a, 331b connected to the in-cup cleaning liquid supply devices 330a, 330b are provided. A cleaning liquid is supplied from these cup cleaning liquid discharge holes 331a and 331b to clean the inside of the spin cup 304.
【0038】この回転式基板処理装置30が収容される
フード305の側壁には開口部306があり、図1に示
した搬送ロボット10によって、開口部306からウェ
ハWの搬入/搬出が行われる。また、この開口部306
は、シャッター307で開閉されるようになっている。An opening 306 is provided on the side wall of the hood 305 in which the rotary substrate processing apparatus 30 is accommodated. The transfer robot 10 shown in FIG. 1 carries in / out the wafer W through the opening 306. Also, this opening 306
Are opened and closed by a shutter 307.
【0039】フード305の上方には、送気口308が
設けられている。この送気口308からは清浄な恒温空
気が常に流入しており、フード305内を清浄な恒温空
気が流下することにより、フード305内が常に適温
(基板処理用薬液の管理温度よりも若干低めの温度)に
保たれるとともに、フード305内が常に清浄な雰囲気
に保たれる。Above the hood 305, an air supply port 308 is provided. Clean constant-temperature air is constantly flowing from the air supply port 308, and the clean constant-temperature air flows down the hood 305, so that the inside of the hood 305 is always at an appropriate temperature (slightly lower than the management temperature of the chemical liquid for substrate processing). ) And the inside of the hood 305 is always kept in a clean atmosphere.
【0040】スピンカップ304の側方には、回転台3
03に保持されたウェハWの上面に薬液を供給するため
の薬液供給ノズル310が配備されている。薬液供給ノ
ズル310は回動および昇降可能な支持部材311に片
持ち支持され、鎖線で示した薬液供給位置と実線で示し
た待機位置とにわたって移動可能に構成されている。On the side of the spin cup 304, the turntable 3
A chemical solution supply nozzle 310 for supplying a chemical solution to the upper surface of the wafer W held at 03 is provided. The chemical supply nozzle 310 is cantilevered by a rotatable and vertically movable support member 311 and is configured to be movable between a chemical supply position indicated by a chain line and a standby position indicated by a solid line.
【0041】薬液供給ノズル310の待機位置には待機
ポット320が配備されている。支持部材311の回動
に伴って待機位置へと移動してきた薬液供給ノズル31
0は少し下に移動して、ノズル先端部313が待機ポッ
ト20の開口321から差し込まれて、そのままの状態
で次の薬液吐出を行う時まで待機する。A standby pot 320 is provided at a standby position of the chemical solution supply nozzle 310. Chemical supply nozzle 31 that has moved to the standby position with rotation of support member 311
0 moves slightly downward, and the nozzle tip 313 is inserted through the opening 321 of the standby pot 20, and waits until the next chemical liquid discharge is performed in that state.
【0042】待機ポット320の側壁外側には、待機ポ
ット内洗浄液供給装置322a,322bが設けられて
いる。待機ポット320側壁内側には、待機ポット内洗
浄液供給装置322a,322bに接続された待機ポッ
ト洗浄液吐出孔323a,323bが設けられている。
これらの待機ポット洗浄液吐出孔323a,323bか
ら、洗浄液が供給されて待機ポット320の内側を洗浄
する。また、待機ポット320の上方外側には、ノズル
洗浄液供給装置324が設けられている。待機ポット3
20上壁内側には、ノズル洗浄液供給装置324に接続
されたノズル洗浄液吐出孔325が設けられている。こ
のノズル洗浄液吐出孔325から、洗浄液が供給されて
薬液供給ノズルの先端部を洗浄する。Outside the side wall of the standby pot 320, cleaning liquid supply devices 322a and 322b in the standby pot are provided. Inside the side wall of the standby pot 320, standby pot cleaning liquid discharge holes 323a and 323b connected to the cleaning liquid supply devices 322a and 322b in the standby pot are provided.
The cleaning liquid is supplied from these standby pot cleaning liquid discharge holes 323a and 323b to clean the inside of the standby pot 320. Further, a nozzle cleaning liquid supply device 324 is provided above and outside the standby pot 320. Waiting pot 3
A nozzle cleaning liquid discharge hole 325 connected to the nozzle cleaning liquid supply device 324 is provided inside the upper wall 20. The cleaning liquid is supplied from the nozzle cleaning liquid discharge hole 325 to clean the tip of the chemical liquid supply nozzle.
【0043】図4は、図3に示す回転式基板処理装置3
0のブロック図である。図4において、コントローラ5
0は、上述したように図1に示す基板処理装置1の各構
成装置を総合的に制御する。回転式基板処理装置30
は、処理条件設定手段31、基板交換制御手段33、処
理液供給制御手段35、前処理制御手段37、後処理制
御手段39を備えている。コントローラ50から回転式
基板処理装置30の処理が指示されると、各制御手段が
図3に示す各処理装置を制御する。処理条件設定手段3
1は、コントローラ50から供給される処理条件(レシ
ピ)を保持し、各処理条件に従って、処理のタイミング
を指示する。基板交換制御手段33は、処理条件設定手
段31から指示されるタイミングに従って、搬送ロボッ
ト10(図1)の動作と連動して図3に示すシャッター
307の開閉を制御して、ウェハWの搬入,載置,搬出
を制御する。処理液供給制御手段35は、処理条件設定
手段31から指示される処理タイミングに従って、スピ
ンカップ304の昇降や、薬液供給ノズル310の回動
および昇降を制御するとともに、回転台303に載置さ
れたウェハW上への薬液供給を制御し、電動モータ30
1の回転制御を行う。前処理制御手段37は、処理条件
設定手段31から指示される処理タイミングに従って、
プリディスペンスを制御する。ここで、プリディスペン
スとは、前述したようにウェハ上に薬液を供給する前に
待機ポット320内で薬液供給ノズル310から薬液を
少量(特性変化した薬液の量)だけ吐出廃棄する処理の
ことである。後処理制御手段39は、処理条件設定手段
31から指示される処理タイミングに従って、アフタデ
ィスペンスを制御する。ここで、アフタディスペンスと
は、前述したように、ウェハ処理開始後に行う、カップ
内洗浄液供給装置330a,330bによるカップリン
ス(カップ内側の側壁洗浄)、待機ポット内洗浄液供給
装置322a,322bによるポットリンス(待機ポッ
ト内部の側壁洗浄)、ノズル洗浄液供給装置324によ
るノズルリンス(ノズルの先端部外側)のことである。
また、薬液を供給するノズルへの薬液供給の準備作業等
の種々の準備作業もアフタディスペンスで行うことが可
能である。FIG. 4 shows the rotary substrate processing apparatus 3 shown in FIG.
0 is a block diagram of FIG. In FIG. 4, the controller 5
0 comprehensively controls each component of the substrate processing apparatus 1 shown in FIG. 1 as described above. Rotary substrate processing apparatus 30
Comprises a processing condition setting means 31, a substrate exchange control means 33, a processing liquid supply control means 35, a pre-processing control means 37, and a post-processing control means 39. When the processing of the rotary substrate processing apparatus 30 is instructed from the controller 50, each control unit controls each processing apparatus shown in FIG. Processing condition setting means 3
1 holds processing conditions (recipe) supplied from the controller 50 and instructs processing timing according to each processing condition. The substrate exchange control means 33 controls the opening and closing of the shutter 307 shown in FIG. 3 in conjunction with the operation of the transfer robot 10 (FIG. 1) in accordance with the timing instructed by the processing condition setting means 31, so that the wafer W is loaded and unloaded. Controls loading and unloading. The processing liquid supply control means 35 controls the elevation of the spin cup 304 and the rotation and elevation of the chemical liquid supply nozzle 310 in accordance with the processing timing instructed from the processing condition setting means 31, and is mounted on the turntable 303. The supply of the chemical solution onto the wafer W is controlled, and the electric motor 30 is controlled.
1 is performed. The pre-processing control unit 37 performs the processing according to the processing timing instructed by the processing condition setting unit 31.
Control pre-dispense. Here, as described above, the pre-dispensing is a process of discharging and discarding a small amount (amount of the chemical solution having changed characteristics) of the chemical solution from the chemical solution supply nozzle 310 in the standby pot 320 before supplying the chemical solution onto the wafer, as described above. is there. The post-processing control unit 39 controls the after-dispensing according to the processing timing instructed by the processing condition setting unit 31. Here, the after-dispensing is, as described above, the rinsing by the in-cup cleaning liquid supply devices 330a and 330b (washing the side wall inside the cup) and the pot rinsing by the in-pot cleaning liquid supply devices 322a and 322b performed after the wafer processing is started. (Washing of the side wall inside the standby pot) and nozzle rinsing (outside of the nozzle tip) by the nozzle cleaning liquid supply device 324.
Also, various preparation operations such as a preparation operation for supplying a chemical solution to a nozzle for supplying a chemical solution can be performed by after-dispense.
【0044】なお、各制御手段は、ハードウエア回路の
みによる実現に限らず、CPU(演算装置)およびメモ
リを備えるハードウエア回路と、各手段の機能を実現す
るソフトウェアプログラム(アプリケーションプログラ
ム)とによる構成でも実現可能である。また、これらの
機能を実現するソフトウエアプログラムは、フロッピデ
ィスクやCD−ROM等の携帯型記憶媒体(可搬型記憶
媒体)から回転式基板処理装置30のメモリまたは外部
記憶装置に転送される。Each control means is not limited to being realized only by a hardware circuit, but is constituted by a hardware circuit having a CPU (arithmetic unit) and a memory and a software program (application program) for realizing the function of each means. But it is feasible. Further, a software program for realizing these functions is transferred from a portable storage medium (portable storage medium) such as a floppy disk or a CD-ROM to a memory of the rotary substrate processing apparatus 30 or an external storage device.
【0045】図5は、従来の処理フローと実施例の処理
フローとを比較して示す説明図である。図5(A)は従
来の処理フローを示しており、図5(B)は実施例によ
るウェハ処理のフローを示している。コントローラ50
(図4)から回転式基板処理装置30での処理が指示さ
れると、処理条件設定手段31に保持されている処理条
件に従って各処理が開始される。FIG. 5 is an explanatory diagram showing a comparison between the conventional processing flow and the processing flow of the embodiment. FIG. 5A shows a conventional processing flow, and FIG. 5B shows a wafer processing flow according to the embodiment. Controller 50
When the processing in the rotary substrate processing apparatus 30 is instructed from FIG. 4, each processing is started according to the processing conditions held in the processing condition setting means 31.
【0046】まず、基本的な処理動作について説明す
る。図5(B)の時刻T1からT2までの期間では、基
板交換制御手段33により、シャッター307を開放し
てフード305内に搬送ロボット10の搬送アーム11
(図1)が進入してウェハWを回転台303の上に載置
する。この時、前に処理された別のウェハWが載置され
ている場合には、それらの入れ替えを同時に行う。ウェ
ハWを回転台303に載置後、搬送アーム11をフード
305内から退出させ、シャッター307を閉じる。First, the basic processing operation will be described. In the period from time T1 to time T2 in FIG. 5B, the shutter 307 is opened by the substrate exchange control unit 33 and the transfer arm 11 of the transfer robot 10 is placed in the hood 305.
(FIG. 1) enters and places the wafer W on the turntable 303. At this time, if another wafer W that has been processed previously is mounted, the replacement is performed at the same time. After placing the wafer W on the turntable 303, the transfer arm 11 is retracted from the hood 305, and the shutter 307 is closed.
【0047】時刻T2からT5までの期間では、処理液
供給制御手段35によって、コントローラ50から供給
されて処理条件設定手段31に保持されているウェハの
処理レシピに従って所定の処理(ウェハのレシピ処
理)、例えば、以下に説明するような処理が実行され
る。まず、薬液供給ノズル310を待機位置から薬液供
給位置へ回動させて、ノズル先端部313から必要量の
薬液をウェハWの上面に吐出供給させる。薬液を吐出供
給した後、薬液供給ノズル310を薬液供給位置から待
機位置へ移動させて、ノズル先端部313を待機ポット
320に収める。次に、スピンカップ304を上昇させ
て、電動モータ301によりウェハWを所定の回転数で
所定の時間だけ回転させて薬液を拡がらせることによ
り、ウェハWの上面に薬液を均一に塗布させる。塗布終
了後、ウェハWの回転を止めてスピンカップ304を下
降させて処理を終了する。なお、この実施例では、レシ
ピ処理の途中からアフタディスペンス処理やプリディス
ペンス処理が開始されるが、これについては後で詳述す
る。In the period from time T2 to time T5, the processing liquid supply control means 35 performs predetermined processing (wafer recipe processing) in accordance with the wafer processing recipe supplied from the controller 50 and held in the processing condition setting means 31. For example, processing as described below is executed. First, the chemical supply nozzle 310 is rotated from the standby position to the chemical supply position, and a required amount of the chemical is discharged and supplied from the nozzle tip 313 to the upper surface of the wafer W. After the chemical is discharged and supplied, the chemical supply nozzle 310 is moved from the chemical supply position to the standby position, and the nozzle tip 313 is placed in the standby pot 320. Next, the spin cup 304 is raised, and the electric motor 301 rotates the wafer W at a predetermined number of revolutions for a predetermined time to spread the chemical solution, thereby uniformly coating the upper surface of the wafer W with the chemical solution. After the coating is completed, the rotation of the wafer W is stopped, and the spin cup 304 is moved down to finish the processing. In this embodiment, the after-dispensing process and the pre-dispensing process are started in the middle of the recipe process, which will be described later in detail.
【0048】時刻T5でレシピ処理が終了したあと、時
刻T6までは、搬送アーム待ち時間である。この搬送ア
ーム待ち時間は、搬送ロボット10(図1)が、この回
転式基板処理装置の位置までくるのを待っている時間で
ある。処理レシピによっては、搬送アーム待ち時間がな
い場合もある。After the completion of the recipe processing at time T5, the transfer arm waits until time T6. The transfer arm waiting time is a time during which the transfer robot 10 (FIG. 1) waits to reach the position of the rotary substrate processing apparatus. Depending on the processing recipe, there may be no transfer arm waiting time.
【0049】次のウェハ処理を行う場合は、時刻T6以
降において、再び基板交換制御手段33によって次のウ
ェハの交換処理を行う。すなわち、搬送ロボット10が
未処理ウェハと既処理ウェハを入れ替え、既に処理され
たウェハWを搬出する。次のウェハWへの一連の処理
は、上述と同様の動作を繰り返し行うことにより実行さ
れる。なお、ウェハのレシピ処理の周期は「タクト時
間」と呼ばれている。When the next wafer processing is to be performed, the substrate replacement control means 33 again performs the next wafer replacement processing after time T6. That is, the transfer robot 10 replaces the unprocessed wafer and the processed wafer, and unloads the already processed wafer W. A series of processing for the next wafer W is executed by repeatedly performing the same operation as described above. The cycle of the wafer recipe process is called "tact time".
【0050】図5(B)に示す実施例の処理フローで
は、アフタディスペンスは、ウェハのレシピ処理の完了
やウェハの入れ替えのタイミングとは独立して実行され
ており、薬液供給ノズル310が薬液をウェハ上に吐出
して待機位置に移動を完了した後からプリディスペンス
開始までの間に行われる。アフタディスペンスは、スピ
ンカップや待機ポットやノズル周辺に付着した薬液の洗
浄を主目的とする場合が多いので、薬液の固化による洗
浄力の低下を防止するため、薬液供給ノズル310の待
機位置への移動完了後直ちに(例えば約10秒以内に)
行われる方が好ましい。なお、アフタディスペンスは、
1ウェハ処理単位だけでなく、複数毎のウェハ処理単
位、例えばウェハ複数枚処理毎、ウェハ1ロット(通常
25枚)処理毎、複数ロット処理毎、ウェハ収納カセッ
ト交換毎等の種々の処理間隔で実行するように、レシピ
を設定しておくことが可能である。In the processing flow of the embodiment shown in FIG. 5B, the after-dispense is executed independently of the completion of the wafer recipe processing and the timing of the replacement of the wafer. This is carried out after the discharge onto the wafer and the movement to the standby position are completed and before the pre-dispensing is started. The main purpose of the after-dispense is to wash a chemical solution attached to the periphery of a spin cup, a standby pot, or a nozzle in many cases. Therefore, in order to prevent a decrease in the cleaning power due to solidification of the chemical solution, the chemical solution supply nozzle 310 is moved to a standby position. Immediately after moving is completed (for example, within about 10 seconds)
It is preferred that this be done. In addition, after dispense,
Not only one wafer processing unit, but also a plurality of wafer processing units, for example, a plurality of wafers, a lot of wafers (usually 25 wafers), a plurality of lots, a wafer storage cassette exchange, etc. A recipe can be set to be executed.
【0051】処理条件設定手段31から後処理制御手段
39に処理が指示されると、薬液供給ノズル310を薬
液供給位置から待機位置へ移動完了後直ちに、アフタデ
ィスペンスが実行される。アフタディスペンスの内容と
しては、カップ内洗浄液供給装置330a,330bに
よるカップリンス(カップ内側の側壁洗浄)、待機ポッ
ト内洗浄液供給装置322a,322bによるポットリ
ンス(待機ポット内部の側壁洗浄)、ノズル洗浄液供給
装置324によるノズルリンス(ノズルの先端部外側)
や、薬液を供給するノズルへの薬液供給の準備作業等の
種々の準備作業を行うことが可能である。但し、薬液供
給ノズル310の待機位置への移動完了直後は、ウェハ
Wを回転処理させている最中であり、この時にカップリ
ンスを行うことは、ウェハWの特性に悪影響を及ぼす可
能性がある。従って、カップリンスについては、ウェハ
への処理液の回転塗布の処理の終了後に行う方が好まし
い。When processing is instructed from the processing condition setting means 31 to the post-processing control means 39, the after-dispense is executed immediately after the movement of the chemical liquid supply nozzle 310 from the chemical liquid supply position to the standby position is completed. The contents of the after-dispensing include cup rinsing (washing the inside wall of the cup) by the cleaning liquid supply devices 330a and 330b in the cup, pot rinsing (cleaning the inside wall of the standby pot) by the cleaning liquid supply devices 322a and 322b in the standby pot, and nozzle cleaning liquid supply. Nozzle rinsing by the device 324 (outside the tip of the nozzle)
It is also possible to perform various preparatory operations such as preparatory operations for supplying a chemical solution to a nozzle for supplying a chemical solution. However, immediately after the completion of the movement of the chemical supply nozzle 310 to the standby position, the wafer W is being rotated, and performing the rinsing at this time may adversely affect the characteristics of the wafer W. . Therefore, it is preferable to perform the coupling rinsing after the completion of the spin coating of the processing liquid on the wafer.
【0052】この実施例において、プリディスペンス
は、ウェハのレシピ処理の完了やウェハの入れ替えのタ
イミングとは独立して実行されており、次のウェハのレ
シピ処理の開始予定時刻から逆算して、そのレシピ処理
の開始までに完了するように開始されている。プリディ
スペンスは、前述したように待機ポット内にノズル先端
部が長時間置かれた場合にノズル先端部分に溜まってい
る薬液を廃棄する処理である。従って、ウェハのレシピ
処理開始直前に(例えば約10秒以内に)プリディスペ
ンスを完了する方が好ましい。また、プリディスペンス
は、1ウェハ処理単位だけでなく、複数毎のウェハ処理
単位、例えばウェハ複数枚処理毎、ウェハ1ロット(通
常25枚)処理毎、複数ロット処理毎、ウェハ収納カセ
ット交換毎等の種々の処理間隔で実行可能であり、薬液
の特性にあわせてレシピに設定される。In this embodiment, the pre-dispensing is executed independently of the completion timing of the wafer recipe processing and the timing of replacing the wafer, and is calculated backward from the scheduled start time of the recipe processing of the next wafer. It is started to be completed by the start of the recipe processing. The pre-dispense is a process of discarding the chemical liquid accumulated at the nozzle tip when the nozzle tip is placed in the standby pot for a long time as described above. Therefore, it is preferable to complete the pre-dispense immediately before the start of the wafer recipe process (for example, within about 10 seconds). In addition, the pre-dispensing is performed not only for one wafer processing unit but also for a plurality of wafer processing units, for example, for each processing of a plurality of wafers, for each processing of one lot of wafers (usually 25 wafers), for each processing of a plurality of lots, and each time a wafer storage cassette is replaced. Can be executed at various processing intervals, and are set in the recipe according to the characteristics of the chemical solution.
【0053】なお、プリディスペンスは、アフターディ
スペンスの終了後に実行することが好ましい。但し、ア
フターディスペンスにおいて待機ポット320と薬液供
給ノズル310の洗浄処理を行わない場合には、アフタ
ーディスペンスとプリディスペンスを並行して行うこと
も可能である。また、アフターディスペンスとプリディ
スペンスは、1回のタクト時間の間に両方とも行う必要
はなく、いずれか一方のみが実行される場合もあり、ま
た、いずれも実行されない場合もある。The pre-dispense is preferably executed after the end of the after-dispense. However, when the cleaning process of the standby pot 320 and the chemical solution supply nozzle 310 is not performed in the after-dispensing, the after-dispensing and the pre-dispensing can be performed in parallel. It is not necessary to perform both after-dispensing and pre-dispensing during one tact time, and only one of them may be performed, or neither may be performed.
【0054】図6は、プリディスペンスの開始時間につ
いて説明する説明図である。処理条件設定手段31か
ら、前処理制御手段37に処理が指示されると、次のレ
シピ処理の開始予定時刻T12からプリディスペンスに
要する時間Tpだけ前の時刻T11からプリディスペン
スが開始され、終了と同時にウェハのレシピ処理が実行
される。なお、ウェハのレシピ処理の間隔(即ち時刻T
10とT12の間の時間)は、タクト時間間隔Tcとし
て予めレシピに設定されており、このレシピはコントロ
ーラ50から処理条件設定手段31に転送されている。
従って、プリディスペンスの開始時刻は、プリディスペ
ンスの実行が指示されたウェハ処理の一つ前のウェハの
レシピ処理の開始時刻T10から(Tc−Tp)時間経
過後に設定することも可能である。なお、プリディスペ
ンスの時間Tpには、数秒程度の余裕を見込んでおいて
もよい。FIG. 6 is an explanatory diagram for explaining the start time of the pre-dispense. When processing is instructed from the processing condition setting means 31 to the preprocessing control means 37, predispensing is started from time T11, which is the time Tp required for predispensing from the scheduled start time T12 of the next recipe processing, and ends. At the same time, a wafer recipe process is performed. Note that the wafer recipe processing interval (ie, time T
The time between 10 and T12) is preset in the recipe as the tact time interval Tc, and this recipe is transferred from the controller 50 to the processing condition setting means 31.
Accordingly, the start time of the pre-dispense can be set after a lapse of (Tc-Tp) from the start time T10 of the recipe process of the wafer immediately before the wafer process instructed to perform the pre-dispense. The pre-dispensing time Tp may have a margin of about several seconds.
【0055】図5(A)に示す従来の処理フローでは、
アフタディスペンスを行う場合、一つのウェハのレシピ
処理を終了後に実行していた。また、プリディスペンス
も、アフタディスペンスの後に行っていた。従って、ウ
ェハ入れ替え後実際にウェハのレシピ処理が開始される
までに、ディスペンス完了待ち時間が発生し、アフタデ
ィスペンスやプリディスペンスが実行される場合のウェ
ハのレシピ処理の間隔、即ちタクト時間Tcが長くなっ
ていた。In the conventional processing flow shown in FIG.
In the case of performing after-dispense, the recipe processing for one wafer has been performed after completion. Also, pre-dispensing was performed after after-dispense. Therefore, a dispense completion wait time occurs before the wafer recipe process is actually started after the wafer replacement, and the interval between wafer recipe processes when after-dispense or pre-dispense is executed, that is, the tact time Tc is long. Had become.
【0056】一方、図5(B)に示す実施例による処理
フローでは、ウェハの入れ替えやウェハのレシピ処理と
並行してプリディスペンスやアフタディスペンスを実行
するので、これらのディスペンス処理の有無に関わら
ず、基本的にはタクト時間にあまり影響を与えることな
く処理を実行でき、スループットの向上を図ることがで
きる。On the other hand, in the processing flow according to the embodiment shown in FIG. 5B, pre-dispensing and after-dispensing are performed in parallel with wafer replacement and wafer recipe processing. Basically, the processing can be executed without much affecting the tact time, and the throughput can be improved.
【0057】なお、図1に示す基板処理装置1の第1の
処理ユニット群Aとして、複数台の同種の回転式基板処
理装置で構成される場合、例えば2台のスピンコータS
C1とSC2とで構成される場合がある。図7は、2台
の回転式基板処理装置による処理のタクト時間を説明す
る説明図である。この場合、基板処理装置1としては、
回転式基板処理装置SC1およびSC2を交互にウェハ
を供給して処理を行うため、そのタクト時間Tcは実効
的に各回転式基板処理装置SC1,SC2の要処理時間
Tc1,Tc2の半分となる。従って、各回転式基板処理装
置SC1,SC2では、基板処理装置1のタクト時間T
cから、それぞれの要処理時間Tc1,Tc2を求めて、プ
リディスペンス開始時間(Tc1−Tp),(Tc2−T
p)を求めるようにすればよい。When the first processing unit group A of the substrate processing apparatus 1 shown in FIG. 1 includes a plurality of rotary substrate processing apparatuses of the same type, for example, two spin coaters S
It may be composed of C1 and SC2. FIG. 7 is an explanatory diagram for explaining the tact time of the processing by the two rotary substrate processing apparatuses. In this case, as the substrate processing apparatus 1,
Since the wafers are alternately supplied to the rotary substrate processing apparatuses SC1 and SC2 to perform processing, the tact time Tc is effectively half of the required processing time Tc1 and Tc2 of each of the rotary substrate processing apparatuses SC1 and SC2. Therefore, in each of the rotary substrate processing apparatuses SC1 and SC2, the tact time T of the substrate processing apparatus 1
c, the required processing times Tc1 and Tc2 are obtained, and the predispensing start times (Tc1−Tp) and (Tc2−Tc) are calculated.
p) may be obtained.
【0058】なお、この発明は上記の実施例や実施形態
に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲に
おいて種々の態様において実施することが可能である。The present invention is not limited to the above-described examples and embodiments, but can be implemented in various modes without departing from the scope of the invention.
【図1】この発明の実施例を適用する基板処理装置を示
す斜視図。FIG. 1 is a perspective view showing a substrate processing apparatus to which an embodiment of the present invention is applied.
【図2】基板処理装置のブロック図。FIG. 2 is a block diagram of a substrate processing apparatus.
【図3】本発明を実際に適用する回転式基板処理装置の
概略構成を示す断面図。FIG. 3 is a sectional view showing a schematic configuration of a rotary substrate processing apparatus to which the present invention is actually applied.
【図4】本発明を実際に適用する回転式基板処理装置の
ブロック図。FIG. 4 is a block diagram of a rotary substrate processing apparatus to which the present invention is actually applied.
【図5】従来の処理フローと実施例の処理フローとを比
較して示す説明図。FIG. 5 is an explanatory diagram showing a comparison between a conventional processing flow and a processing flow of an embodiment.
【図6】プリディスペンスの開始時間について説明する
説明図。FIG. 6 is an explanatory diagram illustrating a start time of pre-dispense.
【図7】2台の回転式基板処理装置による処理のタクト
時間を説明する説明図。FIG. 7 is an explanatory diagram illustrating a tact time of processing by two rotary substrate processing apparatuses.
【図8】従来の回転式基板処理装置におけるアフターデ
ィスペンスとプリディスペンスの処理手順を示す説明
図。FIG. 8 is an explanatory view showing a procedure of after-dispense and pre-dispense in a conventional rotary substrate processing apparatus.
1…基板処理装置 10…搬送ロボット 11…支持部材 11…搬送アーム 12…移動体 20…カセット 20…待機ポット 25…通常 30…回転式基板処理装置 31…処理条件設定手段 35…処理液供給制御手段 37…前処理制御手段 39…後処理制御手段 40…移載ロボット 50…コントローラ 51…ディスプレイ 52…キーボード 301…電動モータ 302…回転軸 303…回転台 304…スピンカップ 304a…排液管 304b…排気ダクト 305…フード 306…開口部 307…シャッター 308…送気口 310…薬液供給ノズル 311…支持部材 313…ノズル先端部 320…待機ポット 321…開口 322a,322b…待機ポット内洗浄液供給装置 323a,323b…待機ポット洗浄液吐出孔 324…ノズル洗浄液供給装置 325…ノズル洗浄液吐出孔 330a,330b…カップ内洗浄液供給装置 331a,331b…カップ洗浄液吐出孔 CP1〜CP3…クールプレート HP1〜HP3…ホットプレート IND…インデクサ SC…スピンコータ(回転式薬液塗布装置) SD…スピンデベロッパ(回転式薬液現像装置) DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate processing apparatus 10 ... Transfer robot 11 ... Support member 11 ... Transfer arm 12 ... Moving body 20 ... Cassette 20 ... Stand-by pot 25 ... Normal 30 ... Rotary substrate processing apparatus 31 ... Processing condition setting means 35 ... Processing liquid supply control Means 37 Pre-processing control means 39 Post-processing control means 40 Transfer robot 50 Controller 51 Display 52 Keyboard 301 Electric motor 302 Rotating shaft 303 Rotating table 304 Spin cup 304a Drain pipe 304b Exhaust duct 305 Hood 306 Opening 307 Shutter 308 Air inlet 310 Chemical supply nozzle 311 Support member 313 Nozzle tip 320 Standby pot 321 Opening 322a, 322b Cleaning liquid supply device in standby pot 323a, 323b: standby pot cleaning liquid discharge port 324: no Slurry cleaning liquid supply device 325 ... Nozzle cleaning liquid discharge hole 330a, 330b ... Cup cleaning liquid supply device 331a, 331b ... Cup cleaning liquid discharge hole CP1-CP3 ... Cool plate HP1-HP3 ... Hot plate IND ... Indexer SC ... Spin coater (rotary chemical liquid coating) Device) SD: Spin developer (Rotary chemical developer)
Claims (9)
塗布する回転式基板処理装置であって、 基板上への処理液の塗布処理の前に前記回転式基板処理
装置の所定の部分の前処理を行う前処理手段と、 前記前処理が前記塗布処理の開始予定時刻までに終了す
るように、前記前処理を開始させる制御手段と、を備え
ることを特徴とする回転式基板処理装置。1. A rotary substrate processing apparatus for applying a processing liquid onto a rotatably supported substrate, wherein a predetermined portion of the rotary substrate processing apparatus is coated before the processing liquid is applied to the substrate. A rotary substrate processing apparatus, comprising: a pre-processing unit that performs pre-processing of the above; and a control unit that starts the pre-processing so that the pre-processing ends by the scheduled start time of the coating process. .
塗布する回転式基板処理装置であって、 基板上に処理液を吐出した後に前記回転式基板処理装置
の所定の部分の後処理を行なう後処理手段と、 前記基板上への前記処理液の吐出終了後の一定時間内に
前記後処理を開始させる制御手段と、を備えることを特
徴とする回転式基板処理装置。2. A rotary substrate processing apparatus for applying a processing liquid onto a rotatably supported substrate, comprising: post-processing a predetermined portion of the rotary substrate processing apparatus after discharging the processing liquid onto the substrate. And a control means for starting the post-processing within a certain time after the end of the discharge of the processing liquid onto the substrate.
塗布する回転式基板処理装置であって、 基板上への処理液の塗布処理の前に前記回転式基板処理
装置の所定の第1の部分の前処理を行う前処理手段と、 前記基板上に前記処理液を吐出した後に前記回転式基板
処理装置の所定の第2の部分の後処理を行う後処理手段
と、 前記前処理が前記塗布処理の開始予定時刻までに終了す
るように前記前処理を開始させるとともに、前記基板上
への前記処理液の吐出終了後の一定時間内に前記後処理
を開始させる制御手段と、を備えることを特徴とする回
転式基板処理装置。3. A rotary substrate processing apparatus for applying a processing liquid onto a rotatably supported substrate, wherein the rotary substrate processing apparatus has a predetermined processing liquid before the processing liquid is applied onto the substrate. Pre-processing means for performing pre-processing of one part; post-processing means for performing post-processing of a predetermined second part of the rotary substrate processing apparatus after discharging the processing liquid onto the substrate; Control means for starting the pre-processing so as to end by the scheduled start time of the coating processing, and for starting the post-processing within a certain time after the end of the discharge of the processing liquid onto the substrate. A rotary substrate processing apparatus, comprising:
装置であって、 前記前処理は、前記処理液を前記基板上に吐出するため
のノズルが待機位置に存在する状態で、前記ノズルから
前記処理液を吐出する処理である、回転式基板処理装
置。4. The rotary substrate processing apparatus according to claim 1, wherein in the pre-processing, the nozzle for discharging the processing liquid onto the substrate is located at a standby position. A rotary substrate processing apparatus, wherein the processing liquid is discharged from the rotary substrate processing apparatus.
装置であって、 前記後処理は、前記処理液を前記基板上に吐出するため
のノズルの周囲を洗浄する第1の処理と、回転する基板
の周囲に設けられたスピンカップを洗浄する第2の処理
と、前記ノズルの待機位置において前記ノズルの先端が
挿入される待機ポットを洗浄する第3の処理と、の中の
少なくとも一つを含む、回転式基板処理装置。5. The rotary substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the post-processing is a first processing for cleaning a periphery of a nozzle for discharging the processing liquid onto the substrate. At least one of a second process of cleaning a spin cup provided around a rotating substrate and a third process of cleaning a standby pot into which the tip of the nozzle is inserted at a standby position of the nozzle. A rotary substrate processing apparatus including:
板処理装置であって、 前記制御手段は、前記前処理が前記塗布処理の開始予定
時刻直前に終了するように前記前処理を開始させる、回
転式基板処理装置。6. The rotary substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the control unit performs the pre-processing so that the pre-processing ends immediately before the scheduled start time of the coating processing. Rotary substrate processing equipment to start.
板処理装置であって、 前記制御手段は、前記処理液を前記基板上に吐出するた
めのノズルが前記処理液を前記基板上に吐出して所定の
待機位置に移動した直後に、前記後処理を開始させる、
回転式基板処理装置。7. The rotary substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the control means includes a nozzle for discharging the processing liquid onto the substrate, wherein the nozzle discharges the processing liquid onto the substrate. Immediately after being discharged to the predetermined standby position and discharging, the post-processing is started,
Rotary substrate processing equipment.
式基板処理装置であって、 前記制御手段は、所定数の基板の塗布処理を完了する度
に前記前処理を1回実行させる、回転式基板処理装置。8. The rotary substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the control unit executes the pre-processing once each time a predetermined number of substrates are coated. A rotating substrate processing apparatus.
式基板処理装置であって、 前記制御手段は、所定数の基板の塗布処理を完了する度
に前記後処理を1回実行させる、回転式基板処理装置。9. The rotary substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the control unit executes the post-processing once each time a predetermined number of substrates are coated. A rotating substrate processing apparatus.
Priority Applications (1)
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JP28601896A JP3504087B2 (en) | 1996-10-07 | 1996-10-07 | Rotary substrate processing equipment |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7393566B2 (en) | 2002-01-22 | 2008-07-01 | Tokyo Electron Limited | Substrate treatment method and substrate treatment apparatus |
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KR100984420B1 (en) * | 2002-05-01 | 2010-09-30 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Method and device for processing substrate |
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---|---|---|---|---|
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- 1996-10-07 JP JP28601896A patent/JP3504087B2/en not_active Expired - Fee Related
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US7393566B2 (en) | 2002-01-22 | 2008-07-01 | Tokyo Electron Limited | Substrate treatment method and substrate treatment apparatus |
KR100984420B1 (en) * | 2002-05-01 | 2010-09-30 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Method and device for processing substrate |
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