JPH10111509A - Reflection type guest-host liquid crystal display device - Google Patents

Reflection type guest-host liquid crystal display device

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Publication number
JPH10111509A
JPH10111509A JP8283220A JP28322096A JPH10111509A JP H10111509 A JPH10111509 A JP H10111509A JP 8283220 A JP8283220 A JP 8283220A JP 28322096 A JP28322096 A JP 28322096A JP H10111509 A JPH10111509 A JP H10111509A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
substrate
layer
reflection
guest
Prior art date
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Pending
Application number
JP8283220A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Eiho You
映保 楊
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP8283220A priority Critical patent/JPH10111509A/en
Publication of JPH10111509A publication Critical patent/JPH10111509A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make a display brighter and more easily visible by improving the reflection characteristics of the light reflection layer built into a reflection type guest-host liquid crystal display device. SOLUTION: A flat panel structure is obtd. by combining a transparent substrate 1 arranged on an incident side and a substrate 2 joined to the substrate 1 and arranged on the opposite side via a prescribed spacing. A guest-host liquid crystal layer 3 is arranged on the substrate 1 side within the spacing of the flat panel and the light reflection layer 9 exists on the substrate 2 side. A quarter-wave plate layer 10 is interposed between the guest-host liquid crystal layer 3 and the light reflection layer 9. Electrodes 6, 11 are formed on the substrate 1 and the substrate 2, respectively, to impress voltages on the guest- host liquid crystal layer 3. The light reflection layer 9 has a rugged reflection surface and scatters and reflects incident light. The angle θ1 of the rugged reflection surface is set at half the total reflected index angle θC of the substrate 1 or below.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は反射型ゲストホスト
液晶表示装置に関する。より詳しくは、四分の一波長板
層及び光反射層をパネルに内蔵させて入射光の利用効率
を改善する技術に関する。更に詳しくは、光反射層の反
射特性を改善して表示の明るさ及び見易さを向上させる
技術に関する。
The present invention relates to a reflection type guest-host liquid crystal display device. More specifically, the present invention relates to a technology for improving the efficiency of use of incident light by incorporating a quarter-wave plate layer and a light reflection layer in a panel. More specifically, the present invention relates to a technique for improving the reflection characteristics of a light reflection layer to improve the brightness and visibility of a display.

【0002】[0002]

【従来の技術】四分の一波長板層と光反射層を内蔵した
反射型ゲストホスト液晶表示装置は、例えば特開平6−
222351号公報に開示されており、図7にその断面
構造を示す。この反射型ゲストホスト液晶表示装置10
1は、上下一対の基板102及び103、ゲストホスト
液晶層104、二色性色素105、上下一対の透明電極
106及び110、上下一対の配向層107及び11
1、鏡面の光反射層108、四分の一波長板層109を
含んで構成されている。一対の基板102及び103
は、例えばガラス、石英、プラスチック等の絶縁性を有
する材料で構成されている。少くとも入射側に位置する
上側の基板102は透明である。一対の基板102及び
103の間隙には二色性色素105を含むゲストホスト
液晶層104が保持されている。ゲストホスト液晶層1
04はネマティック液晶分子104aを含んでおり、二
色性色素105はその分子の長軸に略平行な遷移双極子
モーメントを有する、所謂p形色素である。上側の基板
102の内表面102aには図示しないがスイッチング
素子が集積形成されている。又、透明な電極106は画
素電極としてマトリクス状にパタニングされており、対
応するスイッチング素子により駆動される。更に、上側
の基板102の内表面はポリイミド樹脂等からなる配向
層107で被覆されている。この配向層107の表面は
例えばラビング処理が施されており、ネマティック液晶
分子104aを水平配向している。
2. Description of the Related Art A reflection type guest-host liquid crystal display device incorporating a quarter-wave plate layer and a light reflection layer is disclosed in, for example,
FIG. 7 shows a cross-sectional structure thereof. This reflective guest-host liquid crystal display device 10
Reference numeral 1 denotes a pair of upper and lower substrates 102 and 103, a guest-host liquid crystal layer 104, a dichroic dye 105, a pair of upper and lower transparent electrodes 106 and 110, and a pair of upper and lower alignment layers 107 and 11.
1, a mirror light reflecting layer 108 and a quarter-wave plate layer 109 are included. A pair of substrates 102 and 103
Is made of an insulating material such as glass, quartz, and plastic. The upper substrate 102 located at least on the incident side is transparent. A guest-host liquid crystal layer 104 including a dichroic dye 105 is held in a gap between the pair of substrates 102 and 103. Guest host liquid crystal layer 1
Reference numeral 04 includes a nematic liquid crystal molecule 104a, and the dichroic dye 105 is a so-called p-type dye having a transition dipole moment substantially parallel to the long axis of the molecule. Although not shown, a switching element is integrally formed on the inner surface 102a of the upper substrate 102. The transparent electrode 106 is patterned in a matrix as a pixel electrode, and is driven by a corresponding switching element. Further, the inner surface of the upper substrate 102 is covered with an alignment layer 107 made of polyimide resin or the like. The surface of the alignment layer 107 is, for example, subjected to a rubbing treatment, so that the nematic liquid crystal molecules 104a are horizontally aligned.

【0003】一方、反射側に位置する下側の基板103
の内表面103aにはアルミニウム等からなる鏡面の光
反射層108と、高分子液晶等からなる四分の一波長板
層109とがこの順に形成されている。更に、四分の一
波長板層109の上には対向電極となる透明電極110
と配向層111とがこの順に形成されている。
On the other hand, the lower substrate 103 located on the reflection side
On the inner surface 103a, a mirror-like light reflecting layer 108 made of aluminum or the like and a quarter-wave plate layer 109 made of a polymer liquid crystal or the like are formed in this order. Further, a transparent electrode 110 serving as a counter electrode is formed on the quarter-wave plate layer 109.
And the orientation layer 111 are formed in this order.

【0004】続いて、この反射型ゲストホスト液晶表示
装置101を用いて白黒表示を行なう場合の動作につい
て簡潔に説明する。電圧無印加状態では、ネマティック
液晶分子104aは水平に配向しており、二色性色素1
05も同様に配向する。上側の基板102側から入射し
た光がゲストホスト液晶層104に進むと、入射光のう
ち二色性色素105の分子の長軸方向に対して平行な振
動面を持つ成分が二色性色素105によって吸収され
る。又、二色性色素105の分子の長軸方向に対して垂
直な振動面を持つ成分はゲストホスト液晶層104を通
過し、下側の基板103の表面103aに形成された四
分の一波長板層109で円偏光とされて、光反射層10
8で鏡面反射する。この時、反射光の偏光が逆廻りとな
り、再び四分の一波長板層109を通過し、二色性色素
105の分子の長軸方向に対して平行な振動面を持つ成
分となる。この成分は二色性色素105によって吸収さ
れるので完全な黒色表示となる。一方、電圧印加時には
ネマティック液晶分子104aは電界方向に沿って垂直
に配向し、二色性色素105も同様に配向する。上側の
基板102側から入射した光は二色性色素105によっ
て吸収されずにゲストホスト液晶層104を通過し、更
に、四分の一波長板層109で影響を受けることなく光
反射層108で正反射する。反射光は再び四分の一波長
板層109を通過し、ゲストホスト液晶層104で吸収
されずに出射する。従って白色表示となる。
Next, the operation of the reflective guest-host liquid crystal display device 101 for monochrome display will be briefly described. In the state where no voltage is applied, the nematic liquid crystal molecules 104a are horizontally aligned and the dichroic dye 1
05 is similarly oriented. When light incident from the upper substrate 102 side travels to the guest host liquid crystal layer 104, a component of the incident light having a vibration plane parallel to the major axis direction of the molecules of the dichroic dye 105 becomes a dichroic dye 105. Is absorbed by A component of the dichroic dye 105 having a vibration plane perpendicular to the major axis direction of the molecule passes through the guest-host liquid crystal layer 104 and is formed on the surface 103 a of the lower substrate 103 by a quarter wavelength. The light reflected by the light reflecting layer 10
At 8, the light is specularly reflected. At this time, the polarization of the reflected light is reversed, passes through the quarter-wave plate layer 109 again, and becomes a component having a vibration plane parallel to the major axis direction of the molecules of the dichroic dye 105. Since this component is absorbed by the dichroic dye 105, a complete black display is obtained. On the other hand, when a voltage is applied, the nematic liquid crystal molecules 104a are vertically oriented along the direction of the electric field, and the dichroic dye 105 is similarly oriented. Light incident from the upper substrate 102 side passes through the guest-host liquid crystal layer 104 without being absorbed by the dichroic dye 105, and further passes through the light reflection layer 108 without being affected by the quarter-wave plate layer 109. Reflect specularly. The reflected light passes through the quarter-wave plate layer 109 again and exits without being absorbed by the guest-host liquid crystal layer 104. Therefore, white display is obtained.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来構造で
は、アルミニウム等金属の蒸着膜を光反射層108とし
て形成する。この光反射層108は鏡面状態にあり入射
光を正反射する為極めて指向性が強い。従って、外部照
明光との関係で視角により表示の明るさが極端に変化す
る。この為、表示が極めて見難いという課題がある。
又、鏡面状態の光反射層108はメタリックな外観を呈
し、表示の背景としては必ずしも適当なものではない。
In the above-mentioned conventional structure, a vapor-deposited film of a metal such as aluminum is formed as the light reflection layer. The light reflecting layer 108 is in a mirror surface state and reflects the incident light, and therefore has a very strong directivity. Therefore, the brightness of the display changes extremely depending on the viewing angle in relation to the external illumination light. For this reason, there is a problem that the display is extremely difficult to see.
Further, the mirror-like light reflecting layer 108 has a metallic appearance and is not always suitable as a display background.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上述した従来の技術の課
題を解決する為に以下の手段を講じた。即ち、本発明に
かかる反射型ゲストホスト液晶表示装置は基本的な構成
として、入射側に配置される第1基板と、所定の間隙を
介して該第1基板に接合し反射側に配置される第2基板
と、該間隙内で第1基板側に位置するゲストホスト液晶
層と、該間隙内で第2基板側に位置する光反射層と、該
ゲストホスト液晶層と該光反射層の間に介在する四分の
一波長板層と、該第1基板側及び第2基板側に夫々形成
され該ゲストホスト液晶層に電圧を印加する電極とを備
えている。特徴事項として、前記光反射層は凹凸反射面
を有し入射光を散乱反射すると共に、該凹凸反射面の傾
斜角が該第1基板の全反射角の半分以下に設定されてい
る。例えば、第1基板がガラス等からなる場合その全反
射角は40°程度であり、この場合前記凹凸反射面はお
よそ20°以下の傾斜角を有する。好ましくは、前記光
反射層は凹凸が形成された樹脂膜とその表面に成膜され
た反射膜とからなり凹凸の最大傾斜角が該第1基板の全
反射角の半分以下に設定されている。形成手段として
は、予め隙間を残して離散的にパタニングされた樹脂膜
をリフローして隙間を埋め、なだらかな起伏を有する凹
凸を形成する。或いは、予め隙間を残して離散的にパタ
ニングされた樹脂膜をリフローして隙間を狭め、更に隙
間を他の樹脂膜で部分的に埋めてなだらかな起伏を有す
る凹凸を形成しても良い。
The following means have been taken in order to solve the above-mentioned problems of the prior art. That is, the reflection type guest-host liquid crystal display device according to the present invention has, as a basic configuration, a first substrate disposed on the incident side, and joined to the first substrate via a predetermined gap and disposed on the reflection side. A second substrate, a guest host liquid crystal layer located on the first substrate side in the gap, a light reflecting layer located on the second substrate side in the gap, and a light reflecting layer between the guest host liquid crystal layer and the light reflecting layer. And a quarter-wave plate layer interposed therebetween, and electrodes formed on the first substrate side and the second substrate side, respectively, for applying a voltage to the guest host liquid crystal layer. As a characteristic feature, the light reflecting layer has an uneven reflecting surface and scatters and reflects incident light, and the inclination angle of the uneven reflecting surface is set to be less than half the total reflection angle of the first substrate. For example, when the first substrate is made of glass or the like, the total reflection angle is about 40 °, and in this case, the uneven reflection surface has an inclination angle of about 20 ° or less. Preferably, the light reflection layer includes a resin film having irregularities formed thereon and a reflective film formed on the surface thereof, and a maximum inclination angle of the irregularities is set to be equal to or less than half of a total reflection angle of the first substrate. . As a forming means, a resin film that has been discretely patterned with a gap left in advance is reflowed to fill the gap, and irregularities having gentle undulations are formed. Alternatively, the gap may be narrowed by reflowing the resin film that has been discretely patterned with a gap left in advance, and the gap may be partially filled with another resin film to form irregularities having gentle undulations.

【0007】本発明によれば、反射型ゲストホスト液晶
表示装置に内蔵された光反射層は凹凸反射面を有し光散
乱性を備えている。従来の鏡面光反射層と異なり入射光
を散乱反射し比較的広角度範囲で出射する。この為、観
察者は比較的広い視角範囲で明瞭な表示を視認でき、表
示の明るさが顕著に改善できると共に表示が見易くな
る。又、従来の鏡面光反射層のメタリックな外観と異な
り、光散乱性を備えた光反射層は所謂ペーパーホワイト
の外観を呈し表示背景として好ましいものである。特
に、本発明では光反射層の凹凸反射面の傾斜角を観察者
側に位置する第1基板の全反射角の半分以下に設定して
いる。このように設定することで、光反射層により散乱
反射した光は殆んど第1基板によって全反射を受けるこ
となく観察者側に向って出射される。従って、入射光の
利用効率を顕著に改善でき、一層明るい表示画面が得ら
れる。
According to the present invention, the light reflection layer incorporated in the reflection type guest-host liquid crystal display device has an uneven reflection surface and has light scattering properties. Unlike the conventional mirror light reflection layer, the incident light is scattered and reflected and emitted in a relatively wide angle range. For this reason, the observer can visually recognize a clear display in a relatively wide viewing angle range, can significantly improve the brightness of the display, and can easily view the display. Further, unlike the metallic appearance of the conventional mirror light reflection layer, the light reflection layer having light scattering properties has a so-called paper white appearance and is preferable as a display background. In particular, in the present invention, the inclination angle of the uneven reflection surface of the light reflection layer is set to be equal to or less than half of the total reflection angle of the first substrate located on the viewer side. With this setting, the light scattered and reflected by the light reflecting layer is emitted toward the observer almost without being totally reflected by the first substrate. Therefore, the utilization efficiency of incident light can be remarkably improved, and a brighter display screen can be obtained.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の最良
な実施形態を詳細に説明する。図1は本発明にかかる反
射型ゲストホスト液晶表示装置の基本的な構造並びに光
学的な機能を表わしている。(A)に示すように、本反
射型ゲストホスト液晶表示装置は入射側に配置される透
明な第1の基板1と、所定の間隙を介して入射側の基板
1に接合し反射側に配置される第2の基板2とを用いた
フラットパネル構造となっている。上下一対の基板1,
2の間隙内でゲストホスト液晶層3が基板1側に位置し
ている。又、同じく間隙内で光反射層9が基板2側に位
置している。更に、ゲストホスト液晶層3と光反射層9
との間に四分の一波長板層10が介在している。加え
て、基板1及び2側に夫々透明な電極6及び11が形成
されており、ゲストホスト液晶層3に電圧を印加する。
尚、各電極6,11の表面は夫々配向層7,15で被覆
されており、ゲストホスト液晶層3を水平配向してい
る。このゲストホスト液晶層3はネマティック液晶分子
4を主体とし二色性色素5を所定の割合で含有したもの
である。特徴事項として、光反射層9は凹凸反射面を有
し入射光を散乱反射すると共に、凹凸反射面の傾斜角が
入射側に位置する基板1の全反射角の半分以下に設定さ
れている。例えば、基板1がガラス等からなる場合その
全反射角は40°程度である。この時、光反射層9の凹
凸反射面はおよそ20°以下の傾斜角を有する。好まし
くは、光反射層9は凹凸が形成された樹脂膜9aとその
表面に成膜された反射膜9bとからなり、凹凸の最大傾
斜角が基板1の全反射角の半分以下に設定されている。
尚、光反射層9の凹凸反射面を埋める為平坦化層14が
塗工されており、その上に前述した四分の一波長板層1
0が成膜されている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows a basic structure and an optical function of a reflective guest-host liquid crystal display device according to the present invention. As shown in (A), the reflective guest-host liquid crystal display device is bonded to a transparent first substrate 1 disposed on the incident side and to the incident side substrate 1 via a predetermined gap and disposed on the reflective side. A flat panel structure using the second substrate 2 is used. A pair of upper and lower substrates 1,
The guest-host liquid crystal layer 3 is located on the substrate 1 side in the gap 2. Further, the light reflection layer 9 is located on the substrate 2 side in the same gap. Further, the guest host liquid crystal layer 3 and the light reflection layer 9
And a quarter-wave plate layer 10 is interposed therebetween. In addition, transparent electrodes 6 and 11 are formed on the substrates 1 and 2 respectively, and a voltage is applied to the guest-host liquid crystal layer 3.
The surfaces of the electrodes 6 and 11 are covered with alignment layers 7 and 15, respectively, and the guest host liquid crystal layer 3 is horizontally aligned. The guest-host liquid crystal layer 3 mainly includes nematic liquid crystal molecules 4 and contains a dichroic dye 5 at a predetermined ratio. As a characteristic feature, the light reflection layer 9 has an uneven reflection surface and scatters and reflects incident light, and the inclination angle of the uneven reflection surface is set to be less than half the total reflection angle of the substrate 1 located on the incident side. For example, when the substrate 1 is made of glass or the like, the total reflection angle is about 40 °. At this time, the uneven reflection surface of the light reflection layer 9 has an inclination angle of about 20 ° or less. Preferably, the light reflection layer 9 is composed of a resin film 9a having irregularities formed thereon and a reflective film 9b formed on the surface thereof, and the maximum inclination angle of the irregularities is set to be less than half the total reflection angle of the substrate 1. I have.
A flattening layer 14 is applied to fill the uneven reflection surface of the light reflection layer 9, and the quarter-wave plate layer 1 described above is coated thereon.
0 is formed.

【0009】(B)は光反射層9の光学的な機能を模式
的に表わした幾何光学図である。理解を容易にする為、
周期的な凹凸構造を有する光反射層9の一単位を切り出
し、アイランド9sとして表わしている。このアイラン
ド9sの表面は実際には反射膜で覆われており、ここで
は反射面を球面で近似している。球面の中心をOで示し
てある。アイランド9sは反射側に位置する基板の内表
面2aの上に形成されている。これと対向する入射側の
基板の外表面を1bで表わしている。入射側基板の外表
面1bを境界として外部の屈折率をn0で表わし、内部
の屈折率をn1で表わしている。ここではn0を空気の
屈折率で代表し、n1をガラス等からなる入射側基板1
の屈折率で代表することにする。図から明らかなよう
に、アイランド9sを無数に含む光反射層9は光散乱性
を備えている。従って、ペーパーホワイトの外観を呈し
表示背景として好ましいばかりでなく、入射光を比較的
広い角度範囲で反射する為、視野角が拡大し表示が見易
くなると共に広い視角範囲で表示の明るさが増す。
FIG. 2B is a geometrical optical diagram schematically showing the optical function of the light reflecting layer 9. To facilitate understanding,
One unit of the light reflection layer 9 having a periodic uneven structure is cut out and is represented as an island 9s. The surface of the island 9s is actually covered with a reflective film, and here the reflective surface is approximated by a spherical surface. The center of the sphere is indicated by O. The island 9s is formed on the inner surface 2a of the substrate located on the reflection side. The outer surface of the incident side substrate facing this is denoted by 1b. The external refractive index is represented by n0 and the internal refractive index is represented by n1 with the outer surface 1b of the incident side substrate as a boundary. Here, n0 is represented by the refractive index of air, and n1 is the incident side substrate 1 made of glass or the like.
Will be represented by the refractive index of As is clear from the figure, the light reflection layer 9 including the myriad of islands 9s has light scattering properties. Accordingly, not only is the paper white appearance preferable as a display background, but also the incident light is reflected in a relatively wide angle range, so that the viewing angle is enlarged, the display is easy to see, and the brightness of the display is increased in a wide viewing angle range.

【0010】しかしながら、反射光のうち上側基板の外
表面1bの全反射角θCを超えた部分は観察者側に出射
されない為無効となる。本発明ではこの無効成分を除く
為、球状アイランド9sの傾斜角θ1が全反射角θCの
半分以下となるように設定されている。ここで全反射角
はsinθC=n0/n1で表わされる。n0を1と
し、n1を1.5とすると、全反射角θCは40°程度
となる。そこで、アイランド9sの最大傾斜角θ1を2
0°以下に設定すればよい。
[0010] However, the portion of the reflected light exceeding the total reflection angle θC of the outer surface 1b of the upper substrate is not emitted to the observer side and becomes invalid. In the present invention, in order to remove this ineffective component, the inclination angle θ1 of the spherical island 9s is set to be equal to or less than half of the total reflection angle θC. Here, the total reflection angle is represented by sin θC = n0 / n1. Assuming that n0 is 1 and n1 is 1.5, the total reflection angle θC is about 40 °. Therefore, the maximum inclination angle θ1 of the island 9s is set to 2
The angle may be set to 0 ° or less.

【0011】以上の点につき、(B)を参照して更に詳
細に説明する。入射光がアイランド9s上の点P1に垂
直入射した場合を考える。その入射角θ1はP1とOを
結んだ法線に対する入射光のなす角θ1で表わされる。
その時、図示の幾何学的な関係から明らかなように、P
1を通るアイランド9sの接線9tと反射側基板の内表
面2aとのなす角が入射角と等しくθ1となる。ここで
は、このθ1をP1における傾斜角と定義している。即
ち、入射点P1におけるアイランド9sの傾斜角は垂直
入射光の入射角θ1と等しい。P1からの反射光は上側
基板の外表面1bに向けて出射される。この反射光と外
表面1bの交点をRで表わす。外表面1bに対する反射
光の入射角は、Rに立てた法線を基準としてθCで表わ
される。図示の幾何学的な関係から明らかなように、θ
Cは丁度入射光の入射角θ1の2倍となっている。図示
では、外表面1bに対する反射光の入射角θCが丁度全
反射角に等しい。従って、P1に垂直入射した光はアイ
ランド9sで反射した後、外表面1bで全反射される為
無効成分となってしまう。θ1より小さな入射角で入射
した光は全反射を受けることがないので、外表面1bを
通過し観察者側に出射される。従って、アイランド9s
の全表面積のうちハッチングを付した部分が有効領域と
なり、それ以下は無効領域である。実質的に光反射層9
の凹凸面が有効領域のみを含むように、凹凸反射面の傾
斜角を設定すればよい。即ち、(B)に示すように、凹
凸反射面の傾斜角を入射側基板の外表面1bにおける全
反射角の半分以下に設定すればよいことになる。仮に、
(B)に示したアイランド9sをそのまま光反射層9の
構成要素とした場合、例えば点P2に垂直入射した光は
全て全反射される為無効成分となってしまう。アイラン
ド9sの最下端に位置する入射点P2に対応する入射角
はθ2で表わされている。θ2の2倍は全反射角θCを
遥かに超える為基板1の外表面1bを通過することがで
きない。ここで理解を容易にする為利用率という概念を
導入する。この利用率は以下の数式により定義される。
但し、rはアイランド9sの半径を示す。
The above points will be described in more detail with reference to FIG. Consider a case where incident light is perpendicularly incident on a point P1 on the island 9s. The incident angle θ1 is represented by an angle θ1 formed by incident light with respect to a normal line connecting P1 and O.
At that time, as is apparent from the illustrated geometric relationship, P
The angle between the tangent line 9t of the island 9s passing through 1 and the inner surface 2a of the reflection-side substrate is equal to the incident angle and is θ1. Here, θ1 is defined as the inclination angle at P1. That is, the inclination angle of the island 9s at the incident point P1 is equal to the incident angle θ1 of the vertically incident light. The reflected light from P1 is emitted toward outer surface 1b of the upper substrate. The point of intersection of the reflected light and the outer surface 1b is represented by R. The incident angle of the reflected light on the outer surface 1b is represented by θC with reference to a normal line set to R. As is clear from the illustrated geometric relationship, θ
C is just twice the incident angle θ1 of the incident light. In the figure, the incident angle θC of the reflected light on the outer surface 1b is just equal to the total reflection angle. Therefore, the light perpendicularly incident on P1 is reflected by the island 9s and then totally reflected by the outer surface 1b, so that it becomes an invalid component. Light incident at an incident angle smaller than θ1 is not subjected to total reflection, and therefore passes through the outer surface 1b and is emitted toward the observer. Therefore, island 9s
The hatched portion of the total surface area is the effective area, and the area below it is the invalid area. Substantially light reflection layer 9
The inclination angle of the uneven reflecting surface may be set so that the uneven surface includes only the effective area. That is, as shown in (B), the inclination angle of the uneven reflection surface may be set to be less than half the total reflection angle on the outer surface 1b of the incident side substrate. what if,
When the island 9s shown in (B) is used as a component of the light reflection layer 9 as it is, for example, all the light vertically incident on the point P2 is totally reflected and becomes an invalid component. The incident angle corresponding to the incident point P2 located at the lowermost end of the island 9s is represented by θ2. Twice as much as θ2 exceeds the total reflection angle θC, so that it cannot pass through the outer surface 1b of the substrate 1. Here, the concept of utilization rate is introduced to facilitate understanding. This utilization rate is defined by the following equation.
Here, r indicates the radius of the island 9s.

【数1】 利用率を示す式の分母はアイランド9sの全表面積を表
わし、分子はアイランド9sのハッチングを付した面積
を示している。この式から明らかなように、θ2をθ1
に近付けていけば利用率がそれだけ高くなる。
(Equation 1) The denominator of the expression indicating the utilization indicates the total surface area of the island 9s, and the numerator indicates the hatched area of the island 9s. As is apparent from this equation, θ2 is set to θ1
The closer to, the higher the usage rate.

【0012】図2を参照して、本発明にかかる光反射層
の形成方法を詳細に説明する。先ず(A)に示すよう
に、ガラス等からなる下側の基板2の表面に光感光性の
樹脂膜9aを全面的に塗布する。感光性の樹脂膜9aと
しては例えばフォトレジストを用いることができる。
(B)に示すように、所定のマスクを介してフォトレジ
ストを露光現像し、樹脂膜9aを離散的なアイランドに
パタニング加工する。この状態では、各アイランドは柱
状である。続いて(C)に示すように、基板2を加熱処
理して樹脂膜9aのリフローを行なう。このリフローに
よりフォトレジストの柱状形状はなだらかに変形し、所
望の凹凸形状が得られる。(D)に示すように、上記の
ようにして形成された樹脂膜9aの凹凸面に所望の膜厚
で良好な反射率を有するアルミニウム等の反射膜9bが
真空蒸着等により形成される。凹凸の深さ寸法を例えば
数μmに設定することで、良好な光散乱特性が得られ反
射膜9bは白色を呈する。続いて(E)に示すように、
反射膜9b表面の凹凸を平坦化層14で埋める。この平
坦化層14はアクリル樹脂等透明な有機物で形成されて
おり、スピンコート等で塗布する。続いて平坦化層14
の表面をラビング処理する。最後に(F)に示すよう
に、平坦化層14の上に高分子液晶材料を塗布する。こ
の高分子液晶は、例えば安息香酸エステル系のメソゲン
をペンダントとした側鎖型の高分子液晶である。この高
分子液晶材料をシクロヘキサノンとメチルエチルケトン
を8対2の割合で混合した溶液に3〜5重量%溶解させ
る。この溶液を例えば1000rpm の回転速度でスピン
コートし、平坦化層14の上に高分子液晶材料を成膜す
る。この後基板加熱を行ない一旦高分子液晶材料を光学
的に等方状態まで加温する。続いて加熱温度を徐々に降
下しネマティック相を経て室温状態まで戻す。ネマティ
ック相において高分子液晶は下地のラビング方向に沿っ
て配列し、所望の一軸配向性が得られる。この一軸配向
状態は基板2を室温に戻すことにより固定される。この
ようなアニール処理により、高分子液晶材料に含まれる
液晶分子は一軸配向し、所望の四分の一波長板層10が
得られる。更にこの四分の一波長板層10の表面にIT
O等の透明導電膜からなる電極11を形成する。更に電
極11の表面にポリイミド樹脂等からなる配向膜7を形
成する。この配向膜7を所定の方向に沿ってラビング処
理することで、その上に接するゲストホスト液晶層の水
平配向を実現できる。
Referring to FIG. 2, a method for forming a light reflecting layer according to the present invention will be described in detail. First, as shown in FIG. 1A, a photosensitive resin film 9a is applied to the entire surface of the lower substrate 2 made of glass or the like. As the photosensitive resin film 9a, for example, a photoresist can be used.
As shown in (B), the photoresist is exposed and developed through a predetermined mask, and the resin film 9a is patterned into discrete islands. In this state, each island is columnar. Subsequently, as shown in (C), the substrate 2 is subjected to a heat treatment to reflow the resin film 9a. By this reflow, the columnar shape of the photoresist is gently deformed, and a desired uneven shape is obtained. As shown in (D), a reflective film 9b of aluminum or the like having a desired film thickness and good reflectance is formed on the uneven surface of the resin film 9a formed as described above by vacuum evaporation or the like. By setting the depth dimension of the irregularities to, for example, several μm, good light scattering characteristics can be obtained, and the reflective film 9b exhibits white. Then, as shown in (E),
The unevenness on the surface of the reflection film 9b is filled with the flattening layer 14. The flattening layer 14 is formed of a transparent organic material such as an acrylic resin, and is applied by spin coating or the like. Subsequently, the planarization layer 14
Rubbing the surface of. Finally, a polymer liquid crystal material is applied on the flattening layer 14 as shown in FIG. The polymer liquid crystal is, for example, a side-chain polymer liquid crystal using a benzoate ester mesogen as a pendant. This polymer liquid crystal material is dissolved in a solution in which cyclohexanone and methyl ethyl ketone are mixed at a ratio of 8 to 2 by 3 to 5% by weight. This solution is spin-coated at a rotation speed of, for example, 1000 rpm to form a polymer liquid crystal material on the flattening layer 14. Thereafter, the substrate is heated to once heat the polymer liquid crystal material to an optically isotropic state. Subsequently, the heating temperature is gradually lowered to return to a room temperature state through a nematic phase. In the nematic phase, the polymer liquid crystals are arranged along the rubbing direction of the base, and a desired uniaxial orientation can be obtained. This uniaxial orientation state is fixed by returning the substrate 2 to room temperature. By such an annealing treatment, the liquid crystal molecules contained in the polymer liquid crystal material are uniaxially oriented, and a desired quarter-wave plate layer 10 is obtained. Further, the surface of the quarter-wave plate layer 10 has an IT
An electrode 11 made of a transparent conductive film such as O is formed. Further, an alignment film 7 made of a polyimide resin or the like is formed on the surface of the electrode 11. By rubbing the alignment film 7 in a predetermined direction, horizontal alignment of the guest-host liquid crystal layer in contact therewith can be realized.

【0013】図3は、リフロー処理を施した後のアイラ
ンド9sの形状を模式的に表わしている。予め柱状にパ
タニングされたアイランドはリフロー処理(加熱処理)
により流動化し、最終的に球状もしくは椀状のアイラン
ド9sとなる。この時、アイランド9sの接触角θLは
流動化した樹脂の表面張力や粘度によって物理的に決ま
ってしまう。この為、単にリフロー処理を施しただけで
は接触角θLを必要な値以下に制御することが困難な場
合もある。
FIG. 3 schematically shows the shape of the island 9s after the reflow processing. Reflow treatment (heat treatment) for islands that have been patterned in a columnar shape in advance
And finally becomes spherical or bowl-shaped islands 9s. At this time, the contact angle θL of the island 9s is physically determined by the surface tension and the viscosity of the fluidized resin. For this reason, it may be difficult to control the contact angle θL to a required value or less by simply performing the reflow processing.

【0014】図4は、アイランドの傾斜角を所望の値以
下に制御する為の手法を示す模式的な工程図である。先
ず(A)に示すように基板2の上に予め接近したアイラ
ンド9sをパタニング形成する。その後(B)に示すよ
うに熱処理によってアイランド9sをリフローし最終的
になだらかな凹凸形状を得ている。以上のように、予め
隙間を残して離散的にパタニングされた樹脂膜のアイラ
ンド9sをリフローして隙間を埋め、なだらかな起伏を
有する凹凸を形成する。これにより、凹凸反射面の傾斜
角を入射側基板の全反射角の半分以下となるように制御
することが可能になる。尚、図4に示した例では凹凸反
射面の最大傾斜角が20°程度であり、凹凸反射面の高
さ寸法は最大で1.6μm程度に設定されている。
FIG. 4 is a schematic process diagram showing a technique for controlling the inclination angle of the island to a desired value or less. First, as shown in FIG. 2A, an approaching island 9s is formed on the substrate 2 by patterning. Thereafter, the island 9s is reflowed by heat treatment as shown in FIG. As described above, the islands 9s of the resin film, which are discretely patterned with the gaps left in advance, are reflowed to fill the gaps, thereby forming the unevenness having gentle undulations. This makes it possible to control the angle of inclination of the uneven reflection surface to be equal to or less than half the total reflection angle of the incident side substrate. In the example shown in FIG. 4, the maximum inclination angle of the concave and convex reflecting surface is about 20 °, and the maximum height of the concave and convex reflecting surface is set to about 1.6 μm at the maximum.

【0015】図5は、アイランド形成の他の手法を示す
模式的な工程図である。先ず(A)に示すように、基板
2の上に比較的厚膜のアイランド9sを柱状にパタニン
グする。その後(B)に示すように、リフローを施しア
イランド9sを椀状に変形させる。最後に(C)に示す
ように、アイランド9sの表面に別の樹脂膜9xを塗布
し、リフロー後のアイランド9sの急峻な傾斜部を埋め
る。即ち、予め隙間を残して離散的にパタニングされた
樹脂膜のアイランド9sをリフローして隙間を狭め、更
に隙間を他の樹脂膜9xで部分的に埋めなだらかな起伏
を有する凹凸を形成している。これにより、凹凸反射面
の傾斜角が入射側基板の全反射角の半分以下となるよう
に制御できる。因みに、(B)に示したリフロー後の状
態ではアイランド9sの傾斜角は最大で37.6°であ
る。但し、この例では厚みが1.5μmのフォトレジス
トを樹脂膜として用いている。最大傾斜角が37.6°
の時利用率は高々29%程度でしかない。この後(C)
に示すように、例えば20nmの厚みで高分子樹脂膜を塗
布すると、利用率は90%迄向上した。
FIG. 5 is a schematic process diagram showing another method of forming an island. First, as shown in FIG. 3A, a relatively thick island 9s is patterned on the substrate 2 in a columnar shape. Thereafter, as shown in (B), reflow is performed to deform the island 9s into a bowl shape. Finally, as shown in (C), another resin film 9x is applied to the surface of the island 9s to fill the steep slope of the island 9s after the reflow. That is, the gap 9 is narrowed by reflowing the islands 9s of the resin film discretely patterned with the gap left in advance, and the gap is partially filled with another resin film 9x to form irregularities having gentle undulations. . This makes it possible to control the inclination angle of the uneven reflection surface to be equal to or less than half of the total reflection angle of the incident side substrate. Incidentally, in the state after the reflow shown in (B), the inclination angle of the island 9s is 37.6 ° at the maximum. However, in this example, a photoresist having a thickness of 1.5 μm is used as the resin film. Maximum tilt angle is 37.6 °
At that time, the utilization rate is only about 29% at most. After this (C)
As shown in Fig. 7, when a polymer resin film having a thickness of, for example, 20 nm was applied, the utilization rate was improved to 90%.

【0016】最後に図6を参照して、本発明にかかる反
射型ゲストホスト液晶表示装置の具体的な実施例を詳細
に説明する。図示するように、本表示装置は所定の間隙
を介して互いに接合した上下一対の基板1,2を用いて
構成されている。上側基板1は入射側に位置しガラス等
の透明基材からなる。一方下側の基板2は反射側に位置
し、必ずしも透明材料を用いる必要はない。一対の基板
1,2の間隙にはゲストホスト液晶層3が保持されてい
る。このゲストホスト液晶層3は負の誘電異方性を有す
るネマティック液晶分子4を主体とし、且つ二色性色素
5を所定の割合で含有している。上側の基板1の内表面
には対向電極6と配向層7が順に形成されている。対向
電極6はITO等の透明導電膜からなる。配向層7は例
えばポリイミドフィルムからなり、ゲストホスト液晶層
3を垂直配向している。尚、本発明はこれに限られるも
のではなく、図1に示したようにゲストホスト液晶層を
水平配向してもよい。本実施例では電圧無印加状態でゲ
ストホスト液晶層3は垂直配向し、電圧印加状態では水
平配向に移行する。
Finally, a specific embodiment of the reflection type guest-host liquid crystal display device according to the present invention will be described in detail with reference to FIG. As shown in the figure, the present display device is configured using a pair of upper and lower substrates 1 and 2 joined to each other with a predetermined gap therebetween. The upper substrate 1 is located on the incident side and is made of a transparent base material such as glass. On the other hand, the lower substrate 2 is located on the reflection side, and it is not always necessary to use a transparent material. A guest host liquid crystal layer 3 is held in a gap between the pair of substrates 1 and 2. This guest-host liquid crystal layer 3 is mainly composed of nematic liquid crystal molecules 4 having negative dielectric anisotropy, and contains a dichroic dye 5 at a predetermined ratio. On the inner surface of the upper substrate 1, a counter electrode 6 and an alignment layer 7 are sequentially formed. The counter electrode 6 is made of a transparent conductive film such as ITO. The alignment layer 7 is made of, for example, a polyimide film, and vertically aligns the guest-host liquid crystal layer 3. The present invention is not limited to this, and the guest-host liquid crystal layer may be horizontally aligned as shown in FIG. In this embodiment, the guest-host liquid crystal layer 3 is vertically aligned when no voltage is applied, and shifts to horizontal alignment when a voltage is applied.

【0017】下側の基板2には少くとも薄膜トランジス
タ8からなるスイッチング素子と光反射層9と四分の一
波長板層10と画素電極11とが形成されている。基本
的な構成として、四分の一波長板層10は薄膜トランジ
スタ8や光反射層9の上方に成膜されており、且つ薄膜
トランジスタ8に連通するコンタクトホール12が設け
られている。画素電極11はこの四分の一波長板層10
の上にパタニングされている。従って、画素電極11と
対向電極6との間でゲストホスト液晶層3に十分な電界
を印加することが可能である。この画素電極11は四分
の一波長板層10に開口したコンタクトホール12を介
して薄膜トランジスタ8に電気接続している。
On the lower substrate 2, a switching element comprising at least a thin film transistor 8, a light reflection layer 9, a quarter-wave plate layer 10, and a pixel electrode 11 are formed. As a basic configuration, the quarter-wave plate layer 10 is formed above the thin film transistor 8 and the light reflection layer 9, and has a contact hole 12 communicating with the thin film transistor 8. The pixel electrode 11 is formed of the quarter-wave plate layer 10
It is patterned on top. Therefore, a sufficient electric field can be applied to the guest host liquid crystal layer 3 between the pixel electrode 11 and the counter electrode 6. This pixel electrode 11 is electrically connected to the thin film transistor 8 via a contact hole 12 opened in the quarter-wave plate layer 10.

【0018】以下、個々の要素について具体的な説明を
加える。本実施例では、四分の一波長板層10は一軸配
向した高分子液晶膜で構成されている。この高分子液晶
膜を一軸配向する為下地配向層13が用いられている。
薄膜トランジスタ8及び光反射層9の凹凸を埋める為平
坦化層14が介在しており、上述した下地配向層13は
この平坦化層14の上に形成される。そして、四分の一
波長板層10もこの平坦化層14の表面に成膜されてい
る。この場合、画素電極11は四分の一波長板層10及
び平坦化層14を貫通して設けたコンタクトホール12
を介して薄膜トランジスタ8に接続することになる。光
反射層9は個々の画素電極11に対応して細分化されて
いる。個々に細分化された部分は対応する画素電極11
と同電位に接続されている。かかる構成により、光反射
層9と画素電極11との間に介在する四分の一波長板層
10や平坦化層14に不要な電界が加わることがない。
光反射層9は図示するように散乱性の凹凸反射面を備え
ており、入射光の鏡面反射を防止して画質の改善を図っ
ている。更に、凹凸反射面の最大傾斜角が入射側に位置
する基板1の全反射角の半分以下に設定されており、入
射光を略全量反射して観察者側に出射できるようにして
いる。これにより表示の明るさが大幅に改善可能であ
る。画素電極11の表面を被覆するように配向層15が
形成されており、ゲストホスト液晶層3に接してその配
向を制御している。本例では、この配向層15は対向す
る配向層7と一緒になって、ゲストホスト液晶層3を垂
直配向している。最後に、薄膜トランジスタ8はボトム
ゲート構造を有しており、下から順にゲート電極16、
ゲート絶縁膜17、半導体薄膜18を重ねた積層構造を
有している。半導体薄膜18は例えば多結晶シリコンか
らなり、ゲート電極16と整合するチャネル領域は上側
からストッパ19により保護されている。かかる構成を
有するボトムゲート型の薄膜トランジスタ8は層間絶縁
膜20により被覆されている。層間絶縁膜20には一対
のコンタクトホールが開口しており、これらを介してソ
ース電極21及びドレイン電極22が薄膜トランジスタ
8に電気接続している。これらの電極21及び22は例
えばアルミニウムをパタニングしたものである。ドレイ
ン電極22は光反射層9と同電位になっている。又、画
素電極11は前述したコンタクトホール12を介してこ
のドレイン電極22と電気接続している。一方、ソース
電極21には信号電圧が供給される。
Hereinafter, each element will be described in detail. In this embodiment, the quarter-wave plate layer 10 is composed of a uniaxially oriented polymer liquid crystal film. A base alignment layer 13 is used to uniaxially align the polymer liquid crystal film.
A flattening layer 14 is interposed to fill the unevenness of the thin film transistor 8 and the light reflection layer 9, and the above-described base alignment layer 13 is formed on the flattening layer 14. Then, the quarter-wave plate layer 10 is also formed on the surface of the flattening layer 14. In this case, the pixel electrode 11 has a contact hole 12 provided through the quarter-wave plate layer 10 and the planarizing layer 14.
Is connected to the thin film transistor 8. The light reflection layer 9 is subdivided corresponding to each pixel electrode 11. The individual subdivided portions correspond to the corresponding pixel electrodes 11.
And the same potential. With this configuration, an unnecessary electric field is not applied to the quarter-wave plate layer 10 or the flattening layer 14 interposed between the light reflection layer 9 and the pixel electrode 11.
The light reflection layer 9 is provided with a scattering uneven surface as shown in the figure, and improves the image quality by preventing the specular reflection of incident light. Further, the maximum inclination angle of the uneven reflection surface is set to be equal to or less than half of the total reflection angle of the substrate 1 located on the incident side, so that substantially all of the incident light is reflected and can be emitted to the observer side. Thereby, the brightness of the display can be greatly improved. An alignment layer 15 is formed so as to cover the surface of the pixel electrode 11, and is in contact with the guest-host liquid crystal layer 3 to control the alignment. In the present example, the alignment layer 15 and the opposite alignment layer 7 together vertically align the guest-host liquid crystal layer 3. Lastly, the thin film transistor 8 has a bottom gate structure, and the gate electrode 16,
It has a stacked structure in which a gate insulating film 17 and a semiconductor thin film 18 are stacked. The semiconductor thin film 18 is made of, for example, polycrystalline silicon, and a channel region aligned with the gate electrode 16 is protected from above by a stopper 19. The bottom gate type thin film transistor 8 having such a configuration is covered with an interlayer insulating film 20. A pair of contact holes are opened in the interlayer insulating film 20, and a source electrode 21 and a drain electrode 22 are electrically connected to the thin film transistor 8 through these. These electrodes 21 and 22 are, for example, patterned aluminum. The drain electrode 22 has the same potential as the light reflection layer 9. The pixel electrode 11 is electrically connected to the drain electrode 22 through the contact hole 12 described above. On the other hand, a signal voltage is supplied to the source electrode 21.

【0019】[0019]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
反射型ゲストホスト液晶表示装置に内蔵される光反射層
は表面に凹凸を有し光散乱性を備えている。かかる構成
により、見易く且つ明るい高輝度の反射型ゲストホスト
液晶表示装置を実現することができる。特に、凹凸反射
面の傾斜角が入射側基板の全反射角の半分以下となるよ
うに設定されている。かかる構成により、入射光の略全
量を効率良く反射して観察者側に出射可能となり、入射
光の利用率が大幅に改善され極めて明るい反射型ゲスト
ホスト液晶表示装置が実現できる。
As described above, according to the present invention,
The light reflection layer incorporated in the reflection type guest-host liquid crystal display device has irregularities on the surface and has light scattering properties. With this configuration, it is possible to realize a reflective guest-host liquid crystal display device that is easy to see and has high brightness. In particular, the inclination angle of the uneven reflection surface is set to be equal to or less than half the total reflection angle of the incident side substrate. With this configuration, almost the entire amount of incident light can be efficiently reflected and emitted to the observer side, and the utilization factor of the incident light is greatly improved, so that an extremely bright reflective guest-host liquid crystal display device can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明にかかる反射型ゲストホスト液晶表示装
置の構造並びに機能を示す説明図である。
FIG. 1 is an explanatory view showing the structure and function of a reflective guest-host liquid crystal display device according to the present invention.

【図2】本発明にかかる反射型ゲストホスト液晶表示装
置に内蔵される光反射層の形成方法を示す工程図であ
る。
FIG. 2 is a process diagram showing a method for forming a light reflecting layer incorporated in the reflective guest-host liquid crystal display device according to the present invention.

【図3】同じく形成方法を示す模式図である。FIG. 3 is a schematic view similarly showing a forming method.

【図4】同じく形成方法の改良例を示す工程図である。FIG. 4 is a process chart showing an improved example of the formation method.

【図5】同じく形成方法の改良例を示す工程図である。FIG. 5 is a process chart showing an improved example of the formation method.

【図6】本発明にかかる反射型ゲストホスト液晶表示装
置の具体的な構成例を示す部分断面図である。
FIG. 6 is a partial cross-sectional view showing a specific configuration example of a reflective guest-host liquid crystal display device according to the present invention.

【図7】従来の反射型ゲストホスト液晶表示装置の一例
を示す部分断面図である。
FIG. 7 is a partial sectional view showing an example of a conventional reflection type guest-host liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…基板、2…基板、3…ゲストホスト液晶層、6…電
極、7…配向層、9…光反射層、9a…樹脂膜、9b…
反射膜、10…四分の一波長板層、11…電極
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... board | substrate, 2 ... board | substrate, 3 ... guest host liquid crystal layer, 6 ... electrode, 7 ... orientation layer, 9 ... light reflection layer, 9a ... resin film, 9b ...
Reflective film, 10: quarter-wave plate layer, 11: electrode

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 入射側に配置する透明な第1基板と、所
定の間隙を介して該第1基板に接合し反射側に配置され
る第2基板と、該間隙内で第1基板側に位置するゲスト
ホスト液晶層と、該間隙内で第2基板側に位置する光反
射層と、該ゲストホスト液晶層と該光反射層の間に介在
する四分の一波長板層と、該第1基板側及び第2基板側
に夫々形成され該ゲストホスト液晶層に電圧を印加する
電極とを備えた反射型ゲストホスト液晶表示装置であっ
て、 前記光反射層は凹凸反射面を有し入射光を散乱反射する
と共に該凹凸反射面の傾斜角が該第1基板の全反射角の
半分以下に設定されていることを特徴とする反射型ゲス
トホスト液晶表示装置。
1. A transparent first substrate arranged on the incident side, a second substrate joined to the first substrate via a predetermined gap and arranged on the reflection side, and a first substrate side in the gap. A guest-host liquid crystal layer located on the second substrate side within the gap, a quarter-wave plate layer interposed between the guest-host liquid crystal layer and the light reflection layer, A reflection-type guest-host liquid crystal display device comprising an electrode formed on each of the first substrate side and the second substrate side for applying a voltage to the guest-host liquid crystal layer, wherein the light reflection layer has an uneven reflection surface and A reflection-type guest-host liquid crystal display device, wherein light is scattered and reflected, and an inclination angle of the uneven reflection surface is set to be equal to or less than half of a total reflection angle of the first substrate.
【請求項2】 前記凹凸反射面はおよそ20°以下の傾
斜角を有することを特徴とする請求項1記載の反射型ゲ
ストホスト液晶表示装置。
2. The reflection type guest-host liquid crystal display device according to claim 1, wherein the uneven reflection surface has an inclination angle of about 20 ° or less.
【請求項3】 前記光反射層は凹凸が形成された樹脂膜
とその表面に成膜された反射膜とからなり凹凸の最大傾
斜角が該第1基板の全反射角の半分以下に設定されてい
ることを特徴とする請求項1記載の反射型ゲストホスト
液晶表示装置。
3. The light reflection layer comprises a resin film having irregularities formed thereon and a reflection film formed on the surface thereof, and the maximum inclination angle of the irregularities is set to be less than half the total reflection angle of the first substrate. 2. The reflective guest-host liquid crystal display device according to claim 1, wherein:
【請求項4】 予め隙間を残して離散的にパタニングさ
れた樹脂膜をリフローして隙間を埋め、なだらかな起伏
を有する凹凸を形成することを特徴とする請求項3記載
の反射型ゲストホスト液晶表示装置。
4. The reflection-type guest-host liquid crystal according to claim 3, wherein the resin film discretely patterned with a gap left in advance is reflowed to fill the gap and form unevenness having a gentle undulation. Display device.
【請求項5】 予め隙間を残して離散的にパタニングさ
れた樹脂膜をリフローして隙間を狭め、更に隙間を他の
樹脂膜で部分的に埋めなだらかな起伏を有する凹凸を形
成することを特徴とする請求項3記載の反射型ゲストホ
スト液晶表示装置。
5. The method according to claim 1, wherein the gap is narrowed by reflowing the resin film discretely patterned with a gap left in advance, and the gap is partially filled with another resin film to form irregularities having a gentle undulation. 4. The reflective guest-host liquid crystal display device according to claim 3, wherein
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002010806A1 (en) * 2000-07-28 2002-02-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Reflection sheet and production method therefor, and display unit using it
US6552766B2 (en) 1998-12-28 2003-04-22 Fujitsu Display Technologies Corporation Reflection liquid crystal display device having slanted parts in interfaces
KR100482464B1 (en) * 1999-09-09 2005-04-14 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 Reflective plate having light weight and reflective LCD using the same
KR100484953B1 (en) * 2002-08-12 2005-04-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 reflective electrode of reflection or transflective type LCD and fabrication method of thereof
KR100892948B1 (en) * 2001-10-22 2009-04-09 삼성전자주식회사 Liquid crystal device for enhancing reflectance and method of manufacturing the same
CN111929944A (en) * 2020-09-02 2020-11-13 京东方科技集团股份有限公司 Display substrate, preparation method thereof, display panel and display module
CN115524882A (en) * 2021-06-25 2022-12-27 北京京东方显示技术有限公司 Display substrate and display panel

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6552766B2 (en) 1998-12-28 2003-04-22 Fujitsu Display Technologies Corporation Reflection liquid crystal display device having slanted parts in interfaces
KR100482464B1 (en) * 1999-09-09 2005-04-14 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 Reflective plate having light weight and reflective LCD using the same
WO2002010806A1 (en) * 2000-07-28 2002-02-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Reflection sheet and production method therefor, and display unit using it
US7215393B2 (en) 2000-07-28 2007-05-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Reflective plate and display device using the plate
KR100892948B1 (en) * 2001-10-22 2009-04-09 삼성전자주식회사 Liquid crystal device for enhancing reflectance and method of manufacturing the same
KR100484953B1 (en) * 2002-08-12 2005-04-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 reflective electrode of reflection or transflective type LCD and fabrication method of thereof
CN111929944A (en) * 2020-09-02 2020-11-13 京东方科技集团股份有限公司 Display substrate, preparation method thereof, display panel and display module
CN115524882A (en) * 2021-06-25 2022-12-27 北京京东方显示技术有限公司 Display substrate and display panel
CN115524882B (en) * 2021-06-25 2024-04-02 北京京东方显示技术有限公司 Display substrate and display panel

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