JPH10107329A - 低雑音冷媒容器 - Google Patents
低雑音冷媒容器Info
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- JPH10107329A JPH10107329A JP8263086A JP26308696A JPH10107329A JP H10107329 A JPH10107329 A JP H10107329A JP 8263086 A JP8263086 A JP 8263086A JP 26308696 A JP26308696 A JP 26308696A JP H10107329 A JPH10107329 A JP H10107329A
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Links
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Landscapes
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- Measurement And Recording Of Electrical Phenomena And Electrical Characteristics Of The Living Body (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明の目的は、熱輻射効果と磁気雑音低減効
果とを共に向上させることができる低雑音冷媒容器を提
供することにある。 【解決手段】本発明に係る生体磁気計測装置は、真空層
１８で囲まれ液化ガス１５を収容する内容器１６と、外
来の熱輻射線から内容器１６を遮蔽するために真空層１
８内に配置された第１のシールド１９と、真空層１８内
であって第１のシールド１９の外側に配置された第２の
シールド２０とを有し、第１のシールド１９の電気伝導
率は、所定の温度以下では第２のシールド２０の電気伝
導率よりも低く、所定の温度以上では第２のシールドの
電気伝導率よりも高いことを特徴とする。
果とを共に向上させることができる低雑音冷媒容器を提
供することにある。 【解決手段】本発明に係る生体磁気計測装置は、真空層
１８で囲まれ液化ガス１５を収容する内容器１６と、外
来の熱輻射線から内容器１６を遮蔽するために真空層１
８内に配置された第１のシールド１９と、真空層１８内
であって第１のシールド１９の外側に配置された第２の
シールド２０とを有し、第１のシールド１９の電気伝導
率は、所定の温度以下では第２のシールド２０の電気伝
導率よりも低く、所定の温度以上では第２のシールドの
電気伝導率よりも高いことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、外部からの磁気を
低雑音でピックアップする低雑音冷媒容器に関する。
低雑音でピックアップする低雑音冷媒容器に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の低雑音冷媒容器は、超伝導量子
干渉素子（Superconducting QuantumInterference Devi
ce;SQUID ）で超高感度に生体からの微小な磁気を検出
する生体磁気計測装置や、磁気共鳴信号を検出するため
の高周波コイルを超伝導化した磁気共鳴映像装置では不
可欠である。ここでは生体磁気計測装置を例に説明す
る。
干渉素子（Superconducting QuantumInterference Devi
ce;SQUID ）で超高感度に生体からの微小な磁気を検出
する生体磁気計測装置や、磁気共鳴信号を検出するため
の高周波コイルを超伝導化した磁気共鳴映像装置では不
可欠である。ここでは生体磁気計測装置を例に説明す
る。
【０００３】図１３に生体磁気計測装置の外形を示し、
図１４（ａ）に生体磁気計測装置の縦断面構造を示し、
図１４（ｂ）に図１４（ａ）の低雑音冷媒容器（クライ
オスタット）の壁部の断面構造を示している。生体磁気
計測装置は大きくセンサ部１と低雑音冷媒容器２とから
構成されている。センサ部１は、検出コイル３と超伝導
量子干渉素子４とからなり、低雑音冷媒容器２に充填さ
れている液体ヘリウム等の液化ガス５の中に浸下されて
いる。
図１４（ａ）に生体磁気計測装置の縦断面構造を示し、
図１４（ｂ）に図１４（ａ）の低雑音冷媒容器（クライ
オスタット）の壁部の断面構造を示している。生体磁気
計測装置は大きくセンサ部１と低雑音冷媒容器２とから
構成されている。センサ部１は、検出コイル３と超伝導
量子干渉素子４とからなり、低雑音冷媒容器２に充填さ
れている液体ヘリウム等の液化ガス５の中に浸下されて
いる。
【０００４】低雑音冷媒容器２は、繊維強化プラスティ
ック製の内容器６と外容器７との２重構造になってお
り、内外容器間の内部空間は熱伝導を抑えるために真空
状態に保たれている。また、この内部空間には、1.0 〜
100 μｍの波長帯域の電磁波の一種である熱輻射線から
内容器６を遮蔽するための複数枚のシート状の熱輻射線
シールド８が多重に配置されている。この熱輻射線シー
ルド８は、図１５に示すように、ポリイミドアミド等の
シート基材９の表面に金属素材を蒸着して反射率の高い
金属薄膜１０を形成することにより提供される。この金
属素材は、熱輻射線の反射率が高く、非磁性であるとい
う条件により選定されており、現在はアルミニウム（Ａ
ｌ）が採用されている。
ック製の内容器６と外容器７との２重構造になってお
り、内外容器間の内部空間は熱伝導を抑えるために真空
状態に保たれている。また、この内部空間には、1.0 〜
100 μｍの波長帯域の電磁波の一種である熱輻射線から
内容器６を遮蔽するための複数枚のシート状の熱輻射線
シールド８が多重に配置されている。この熱輻射線シー
ルド８は、図１５に示すように、ポリイミドアミド等の
シート基材９の表面に金属素材を蒸着して反射率の高い
金属薄膜１０を形成することにより提供される。この金
属素材は、熱輻射線の反射率が高く、非磁性であるとい
う条件により選定されており、現在はアルミニウム（Ａ
ｌ）が採用されている。
【０００５】ところで、熱輻射線シールド８の多重枚数
を増加させることにより遮蔽効果を簡易に向上させるこ
とができる。しかし、多重枚数を増加させると、磁気的
雑音が増大して、磁場分解能が低下してしまうので、熱
輻射線シールド８の多重枚数を増加させて遮蔽効果を向
上させることはできなかった。
を増加させることにより遮蔽効果を簡易に向上させるこ
とができる。しかし、多重枚数を増加させると、磁気的
雑音が増大して、磁場分解能が低下してしまうので、熱
輻射線シールド８の多重枚数を増加させて遮蔽効果を向
上させることはできなかった。
【０００６】なお、磁気的雑音としては、外来電磁波に
よって金属薄膜１０に流れる渦電流に起因するものと、
熱的揺らぎに伴う自由電子の不規則的な運動によって金
属薄膜１０に流れる電流に起因するいわゆる熱雑音とが
支配的である。熱雑音Ｂは、ｋをボルツマン定数、μ0
を真空透磁率、Ｔを金属薄膜１０が使われる温度、ｔを
金属薄膜１０の厚み、σを金属薄膜１０の電気伝導率と
して、次の式により近似的に与えられることが知られて
いる。
よって金属薄膜１０に流れる渦電流に起因するものと、
熱的揺らぎに伴う自由電子の不規則的な運動によって金
属薄膜１０に流れる電流に起因するいわゆる熱雑音とが
支配的である。熱雑音Ｂは、ｋをボルツマン定数、μ0
を真空透磁率、Ｔを金属薄膜１０が使われる温度、ｔを
金属薄膜１０の厚み、σを金属薄膜１０の電気伝導率と
して、次の式により近似的に与えられることが知られて
いる。
【０００７】
【数１】
【０００８】熱輻射線シールド８の多重枚数を増加させ
ると金属薄膜１０の合計厚が増加し、したがって上記式
のパラメータｔが増加することにより熱雑音が増大す
る。このように熱輻射線の遮蔽と磁気的雑音の問題は、
一方を向上させると、他方が劣化するというトレードオ
フの関係にあり、両方を共に向上させることはできなか
った。
ると金属薄膜１０の合計厚が増加し、したがって上記式
のパラメータｔが増加することにより熱雑音が増大す
る。このように熱輻射線の遮蔽と磁気的雑音の問題は、
一方を向上させると、他方が劣化するというトレードオ
フの関係にあり、両方を共に向上させることはできなか
った。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、熱輻
射効果と磁気雑音低減効果とを共に向上させることがで
きる低雑音冷媒容器を提供することにある。
射効果と磁気雑音低減効果とを共に向上させることがで
きる低雑音冷媒容器を提供することにある。
【００１０】
（構成）第１の発明に係る低雑音冷媒容器は、真空層で
囲まれた液化ガスを収容する容器と、外来の熱輻射線か
ら前記容器を遮蔽するために前記真空層内に配置された
第１の熱輻射線シールドと、前記真空層内であって前記
第１の熱輻射線シールドの外側に配置された第２の熱輻
射線シールドとを有し、前記第１の熱輻射線シールドの
電気伝導率は、所定の温度以下では前記第２の熱輻射線
シールドの電気伝導率よりも低く、所定の温度以上では
前記第２の熱輻射線シールドの電気伝導率よりも高いこ
とを特徴とする。
囲まれた液化ガスを収容する容器と、外来の熱輻射線か
ら前記容器を遮蔽するために前記真空層内に配置された
第１の熱輻射線シールドと、前記真空層内であって前記
第１の熱輻射線シールドの外側に配置された第２の熱輻
射線シールドとを有し、前記第１の熱輻射線シールドの
電気伝導率は、所定の温度以下では前記第２の熱輻射線
シールドの電気伝導率よりも低く、所定の温度以上では
前記第２の熱輻射線シールドの電気伝導率よりも高いこ
とを特徴とする。
【００１１】第２の発明に係る低雑音冷媒容器は、真空
層で囲まれた液化ガスを収容する容器と、前記液化ガス
中に浸下され、外部からの磁気をピックアップする超伝
導要素と、外来の熱輻射線から前記容器を遮蔽するため
に前記真空層内に多重に配置された複数枚の金属薄膜と
を有し、前記金属薄膜の間隔を、外側より内側を広くし
たことを特徴とする。
層で囲まれた液化ガスを収容する容器と、前記液化ガス
中に浸下され、外部からの磁気をピックアップする超伝
導要素と、外来の熱輻射線から前記容器を遮蔽するため
に前記真空層内に多重に配置された複数枚の金属薄膜と
を有し、前記金属薄膜の間隔を、外側より内側を広くし
たことを特徴とする。
【００１２】第３の発明に係る低雑音冷媒容器は、真空
層で囲まれた液化ガスを収容する容器と、前記液化ガス
中に浸下され、外部からの磁気をピックアップする超伝
導要素と、外来の熱輻射線から前記容器を遮蔽するため
に前記真空層内に多重に配置された複数枚の金属薄膜と
を有し、前記金属薄膜の厚みを、外側より内側を薄くし
たことを特徴とする。
層で囲まれた液化ガスを収容する容器と、前記液化ガス
中に浸下され、外部からの磁気をピックアップする超伝
導要素と、外来の熱輻射線から前記容器を遮蔽するため
に前記真空層内に多重に配置された複数枚の金属薄膜と
を有し、前記金属薄膜の厚みを、外側より内側を薄くし
たことを特徴とする。
【００１３】第４の発明に係る低雑音冷媒容器は、液化
ガスを収容する容器と、外来の熱輻射線から前記容器を
遮蔽するシールドとを有し、前記シールドを、非磁性で
あって、前記熱輻射線の反射率が７０％以上であり、電
気伝導率がＡｌより低く、且つ液化ガス温度で超伝導に
非転移の金属素材から作成したことを特徴とする。
ガスを収容する容器と、外来の熱輻射線から前記容器を
遮蔽するシールドとを有し、前記シールドを、非磁性で
あって、前記熱輻射線の反射率が７０％以上であり、電
気伝導率がＡｌより低く、且つ液化ガス温度で超伝導に
非転移の金属素材から作成したことを特徴とする。
【００１４】第５の発明に係る低雑音冷媒容器は、真空
層で囲まれた液化ガスを収容する容器と、前記液化ガス
中に浸下され、外部からの磁気をピックアップする超伝
導要素と、前記超伝導要素に比較的近い前記容器の一部
分を覆うように前記真空層内に配置された第１の熱輻射
線シールドと、前記超伝導要素から比較的遠い前記容器
の他の部分を覆うように前記真空層内に配置された第２
の熱輻射線シールドとを有し、前記第１の熱輻射線シー
ルドを、非磁性であって、前記熱輻射線の反射率が７０
％以上であり、電気伝導率がＡｌより低く、且つ液化ガ
ス温度で超伝導に非転移の金属素材から作成し、前記第
２の熱輻射線シールドを、ＡｌまたはＡｇから作成した
ことを特徴とする （作用）第１の発明によると、全ての熱輻射線シールド
を第１の熱輻射線シールドで作成するよりも、また全て
の熱輻射線シールドを第２の熱輻射線シールドで作成す
るよりも、熱輻射線シールドの電気伝導率は所定温度以
上の場所及び所定温度以下の場所の両方で低くなるの
で、磁気的雑音を低減することができる。
層で囲まれた液化ガスを収容する容器と、前記液化ガス
中に浸下され、外部からの磁気をピックアップする超伝
導要素と、前記超伝導要素に比較的近い前記容器の一部
分を覆うように前記真空層内に配置された第１の熱輻射
線シールドと、前記超伝導要素から比較的遠い前記容器
の他の部分を覆うように前記真空層内に配置された第２
の熱輻射線シールドとを有し、前記第１の熱輻射線シー
ルドを、非磁性であって、前記熱輻射線の反射率が７０
％以上であり、電気伝導率がＡｌより低く、且つ液化ガ
ス温度で超伝導に非転移の金属素材から作成し、前記第
２の熱輻射線シールドを、ＡｌまたはＡｇから作成した
ことを特徴とする （作用）第１の発明によると、全ての熱輻射線シールド
を第１の熱輻射線シールドで作成するよりも、また全て
の熱輻射線シールドを第２の熱輻射線シールドで作成す
るよりも、熱輻射線シールドの電気伝導率は所定温度以
上の場所及び所定温度以下の場所の両方で低くなるの
で、磁気的雑音を低減することができる。
【００１５】第２の発明によると、次のような効果を実
現できる。周知の通り、磁場強度は発生源からの距離の
２乗に反比例する。磁気的雑音の原因となるのは、外来
電磁波により金属薄膜中に流れる渦電流や電子の熱的揺
らぎによって金属薄膜中に流れる電流である。したがっ
て、超伝導要素に近い内側の金属薄膜を疎にし、超伝導
要素から遠い外側の金属薄膜を密にすることにより、金
属薄膜の枚数を落とさないでつまり遮蔽効果を劣化させ
ることなく、磁気的雑音を低減することができる。
現できる。周知の通り、磁場強度は発生源からの距離の
２乗に反比例する。磁気的雑音の原因となるのは、外来
電磁波により金属薄膜中に流れる渦電流や電子の熱的揺
らぎによって金属薄膜中に流れる電流である。したがっ
て、超伝導要素に近い内側の金属薄膜を疎にし、超伝導
要素から遠い外側の金属薄膜を密にすることにより、金
属薄膜の枚数を落とさないでつまり遮蔽効果を劣化させ
ることなく、磁気的雑音を低減することができる。
【００１６】第３の発明によると、超伝導要素に比較的
近い内側の金属薄膜を薄くすることにより、その部分の
電気伝導率が低下し（抵抗値が高くなり）、金属薄膜に
流れる渦電流等の磁気的雑音の原因となる電流の電流値
が実質的に低下するので、発生される磁場強度の低下に
伴って磁気的雑音も低減される。
近い内側の金属薄膜を薄くすることにより、その部分の
電気伝導率が低下し（抵抗値が高くなり）、金属薄膜に
流れる渦電流等の磁気的雑音の原因となる電流の電流値
が実質的に低下するので、発生される磁場強度の低下に
伴って磁気的雑音も低減される。
【００１７】第４の発明によると、非磁性であって、熱
輻射線の反射率がＡｌより高く、電気伝導率がＡｌより
低く、且つ液化ガス温度でも超伝導に非転移という条件
により、遮蔽効果と磁気的雑音の低減効果を共に向上さ
せることができる好適な金属素材を選定することができ
る。
輻射線の反射率がＡｌより高く、電気伝導率がＡｌより
低く、且つ液化ガス温度でも超伝導に非転移という条件
により、遮蔽効果と磁気的雑音の低減効果を共に向上さ
せることができる好適な金属素材を選定することができ
る。
【００１８】第５の発明によると、超伝導要素に比較的
近い容器の一部分が第１の熱輻射線シールドで覆われ、
この第１の熱輻射線シールドを、非磁性であって、前記
熱輻射線の反射率が７０％以上であり、電気伝導率がＡ
ｌより低く、且つ液化ガス温度で超伝導に非転移の金属
素材から作成したので、遮蔽効果と磁気的雑音の低減効
果を共に向上させることができる。
近い容器の一部分が第１の熱輻射線シールドで覆われ、
この第１の熱輻射線シールドを、非磁性であって、前記
熱輻射線の反射率が７０％以上であり、電気伝導率がＡ
ｌより低く、且つ液化ガス温度で超伝導に非転移の金属
素材から作成したので、遮蔽効果と磁気的雑音の低減効
果を共に向上させることができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明に
係る低雑音冷媒容器を好ましい実施形態により詳細に説
明する。 （第１の実施形態）低雑音冷媒容器は、超伝導量子干渉
素子（Superconducting Quantum Interference Device;
SQUID ）で超高感度に生体からの微小な磁気を検出する
生体磁気計測装置や、磁気共鳴信号を検出するための高
周波コイル（超伝導要素）を超伝導化した磁気共鳴映像
装置に用いられる。ここでは生体磁気計測装置を例に説
明する。
係る低雑音冷媒容器を好ましい実施形態により詳細に説
明する。 （第１の実施形態）低雑音冷媒容器は、超伝導量子干渉
素子（Superconducting Quantum Interference Device;
SQUID ）で超高感度に生体からの微小な磁気を検出する
生体磁気計測装置や、磁気共鳴信号を検出するための高
周波コイル（超伝導要素）を超伝導化した磁気共鳴映像
装置に用いられる。ここでは生体磁気計測装置を例に説
明する。
【００２０】図１に第１の実施形態に係る生体磁気計測
装置の縦断面構造を示している。図２に図１の内部空間
１８の断面構造を詳細に示している。本生体磁気計測装
置は、大きく超伝導量子干渉効果を利用して生体からの
磁気をピックアップするためのセンサ部（超伝導要素）
１１と、このセンサ部１１を超伝導状態に維持するため
の低雑音冷媒容器１２とから構成されている。センサ部
１１は、検出コイル１３と超伝導量子干渉素子１４とか
らなり、低雑音冷媒容器１２に充填されている液体ヘリ
ウム等の液化ガス１５の中に浸下されている。
装置の縦断面構造を示している。図２に図１の内部空間
１８の断面構造を詳細に示している。本生体磁気計測装
置は、大きく超伝導量子干渉効果を利用して生体からの
磁気をピックアップするためのセンサ部（超伝導要素）
１１と、このセンサ部１１を超伝導状態に維持するため
の低雑音冷媒容器１２とから構成されている。センサ部
１１は、検出コイル１３と超伝導量子干渉素子１４とか
らなり、低雑音冷媒容器１２に充填されている液体ヘリ
ウム等の液化ガス１５の中に浸下されている。
【００２１】低雑音冷媒容器１２は、繊維強化プラステ
ィック製の内容器１６と外容器１７との２重構造になっ
ており、内外容器間の内部空間（真空層）１８は熱伝導
を抑えるために真空状態に保たれている。つまり、内容
器１６は真空層１８で囲まれている。また、この真空層
１８には、1.0 〜100 μｍの波長帯域の電磁波の一種で
ある熱輻射線から内容器１６及び液化ガス１５を遮蔽す
るために、金属素材の異なる少なくとも２種類のシート
状の熱輻射線シールド１９、２０が配置される。
ィック製の内容器１６と外容器１７との２重構造になっ
ており、内外容器間の内部空間（真空層）１８は熱伝導
を抑えるために真空状態に保たれている。つまり、内容
器１６は真空層１８で囲まれている。また、この真空層
１８には、1.0 〜100 μｍの波長帯域の電磁波の一種で
ある熱輻射線から内容器１６及び液化ガス１５を遮蔽す
るために、金属素材の異なる少なくとも２種類のシート
状の熱輻射線シールド１９、２０が配置される。
【００２２】複数枚の第１の熱輻射線シールド１９は、
内容器１６を多重に取り囲むように設けられ、さらにこ
れらの第１の熱輻射線シールド１９の外側には、シート
状の複数枚の第２の熱輻射線シールド２０が多重に設け
られている。
内容器１６を多重に取り囲むように設けられ、さらにこ
れらの第１の熱輻射線シールド１９の外側には、シート
状の複数枚の第２の熱輻射線シールド２０が多重に設け
られている。
【００２３】センサ部１１から遠い外側（室温側）に配
置された第２の熱輻射線シールド２０は、従来同様のア
ルミニウム（Ａｌ）の第２の金属薄膜２２を実質とする
のであるが、強度上の問題から実際には、図３（ａ）に
示すように、この金属薄膜２２は熱伝導率が比較的低い
ポリイミドアミド等のシート基材２１の表面に例えば蒸
着されて提供される。
置された第２の熱輻射線シールド２０は、従来同様のア
ルミニウム（Ａｌ）の第２の金属薄膜２２を実質とする
のであるが、強度上の問題から実際には、図３（ａ）に
示すように、この金属薄膜２２は熱伝導率が比較的低い
ポリイミドアミド等のシート基材２１の表面に例えば蒸
着されて提供される。
【００２４】一方、センサ部１１に近い内側（低温側）
に配置された第１の熱輻射線シールド１９は、銀（Ａ
ｇ）の第１の金属薄膜２３を実質とするのであるが、同
様に、強度上の問題から実際には、図３（ｂ）に示すよ
うに、この金属薄膜２３は熱伝導率が比較的低いポリイ
ミドアミド等のシート基材２１の表面に例えば蒸着され
て提供される。
に配置された第１の熱輻射線シールド１９は、銀（Ａ
ｇ）の第１の金属薄膜２３を実質とするのであるが、同
様に、強度上の問題から実際には、図３（ｂ）に示すよ
うに、この金属薄膜２３は熱伝導率が比較的低いポリイ
ミドアミド等のシート基材２１の表面に例えば蒸着され
て提供される。
【００２５】なお、Ａｇの第１の金属薄膜２３の酸化も
しくは硫化を防止するために、図４（ａ）、（ｂ）に示
すように、この第１の金属薄膜２３の表面に透明な絶縁
膜をコーティングすることが好ましい。
しくは硫化を防止するために、図４（ａ）、（ｂ）に示
すように、この第１の金属薄膜２３の表面に透明な絶縁
膜をコーティングすることが好ましい。
【００２６】図５に、ＡｇとＡｌそれぞれの反射率の波
長による変化を示している。肝心の1.0 〜100 μｍの波
長帯域の熱輻射線に対する反射率を比較すると、Ａｌよ
り、Ａｇが高い数値を示している。
長による変化を示している。肝心の1.0 〜100 μｍの波
長帯域の熱輻射線に対する反射率を比較すると、Ａｌよ
り、Ａｇが高い数値を示している。
【００２７】ところで金属薄膜２２，２３が配置され使
われる真空層１８内での温度は、内側から外側に向かっ
て例えば４．２Ｋから３００Ｋに上昇する。この温度範
囲でのＡｇとＡｌそれぞれに関する“温度×電気伝導
率”の温度による変化を図６に示している。勿論、“温
度×電気伝導率”が高いことは電流が流れやすいことを
意味し、したがって磁気的雑音を低減するには“温度×
電気伝導率”が低いほど好ましい。
われる真空層１８内での温度は、内側から外側に向かっ
て例えば４．２Ｋから３００Ｋに上昇する。この温度範
囲でのＡｇとＡｌそれぞれに関する“温度×電気伝導
率”の温度による変化を図６に示している。勿論、“温
度×電気伝導率”が高いことは電流が流れやすいことを
意味し、したがって磁気的雑音を低減するには“温度×
電気伝導率”が低いほど好ましい。
【００２８】図６のグラフを見て分かる通り、１００Ｋ
付近の所定の低温度を境に、ＡｇとＡｌとの“温度×電
気伝導率”の高低関係が逆転している。つまり、所定の
低温度以上では、“温度×電気伝導率”はＡｌのほうが
Ａｇよりも低い（抵抗率が高い）が、所定温度以下で
は、この関係は逆転し、ＡｇがＡｌよりも低くなってい
る。
付近の所定の低温度を境に、ＡｇとＡｌとの“温度×電
気伝導率”の高低関係が逆転している。つまり、所定の
低温度以上では、“温度×電気伝導率”はＡｌのほうが
Ａｇよりも低い（抵抗率が高い）が、所定温度以下で
は、この関係は逆転し、ＡｇがＡｌよりも低くなってい
る。
【００２９】このような関係を利用して、本実施形態で
は、液化ガス１５に近く温度が比較的低い内側（内容器
１６側）にＡｇの熱輻射線シールド１９を配置し、液化
ガス１５から遠く温度が比較的高い外側（外容器１７
側）にＡｌの熱輻射線シールド２０を配置したものであ
る。
は、液化ガス１５に近く温度が比較的低い内側（内容器
１６側）にＡｇの熱輻射線シールド１９を配置し、液化
ガス１５から遠く温度が比較的高い外側（外容器１７
側）にＡｌの熱輻射線シールド２０を配置したものであ
る。
【００３０】さらに好ましくは、温度が４．２Ｋから１
００Ｋの範囲を示す場所にはＡｇの熱輻射線シールド１
９を配置し、一方、温度が１００Ｋ以上を示す場所には
Ａｌの熱輻射線シールド２０を配置する。
００Ｋの範囲を示す場所にはＡｇの熱輻射線シールド１
９を配置し、一方、温度が１００Ｋ以上を示す場所には
Ａｌの熱輻射線シールド２０を配置する。
【００３１】このように構成した第１の実施形態によれ
ば、全ての金属薄膜をＡｌで作成した従来よりも、１０
０Ｋ以下の場所では電気伝導率が低くなり、１００Ｋ以
上の場所では電気伝導率は変わらないので、磁気的雑音
を低減することができる。また、本実施形態によれば、
ＡｇはＡｌよりも熱輻射線の反射率が高いので、従来よ
りも、熱輻射線の遮蔽効果を向上することができる。こ
こで全ての金属薄膜をＡｇで作成すれば、遮蔽効果をさ
らに高めることができるが、この場合コストの上昇とい
う問題だけでなく、Ａｇは１００Ｋ以上ではＡｌより電
気伝導率が高くなるので、結果的に従来より磁気的雑音
が増加してしまうかもしれないという問題を抱えており
好ましいとはいえない。
ば、全ての金属薄膜をＡｌで作成した従来よりも、１０
０Ｋ以下の場所では電気伝導率が低くなり、１００Ｋ以
上の場所では電気伝導率は変わらないので、磁気的雑音
を低減することができる。また、本実施形態によれば、
ＡｇはＡｌよりも熱輻射線の反射率が高いので、従来よ
りも、熱輻射線の遮蔽効果を向上することができる。こ
こで全ての金属薄膜をＡｇで作成すれば、遮蔽効果をさ
らに高めることができるが、この場合コストの上昇とい
う問題だけでなく、Ａｇは１００Ｋ以上ではＡｌより電
気伝導率が高くなるので、結果的に従来より磁気的雑音
が増加してしまうかもしれないという問題を抱えており
好ましいとはいえない。
【００３２】なお、第１の熱輻射線シールド１９の金属
素材はＡｇに限定されることはなく、Ａｌより熱輻射線
の反射率が高く、しかも真空層１８の温度範囲（４．２
Ｋ〜３００Ｋ）内の特定の低温度以下で電気伝導率がＡ
ｌより低くなるような他の非磁性金属素材、例えば銅や
金であっても良い。（第２の実施形態）第２の実施形態
は、Ａｌの金属薄膜が形成された複数枚の熱輻射線シー
ルドだけを使って、遮蔽効果を劣化させることなく、磁
気的雑音の低減を図るものである。第２の実施形態に係
る生体磁気計測装置の構成は、第１の実施形態のそれと
同様であり、相違する部分のみ説明し、同じ部分の説明
は省略する。
素材はＡｇに限定されることはなく、Ａｌより熱輻射線
の反射率が高く、しかも真空層１８の温度範囲（４．２
Ｋ〜３００Ｋ）内の特定の低温度以下で電気伝導率がＡ
ｌより低くなるような他の非磁性金属素材、例えば銅や
金であっても良い。（第２の実施形態）第２の実施形態
は、Ａｌの金属薄膜が形成された複数枚の熱輻射線シー
ルドだけを使って、遮蔽効果を劣化させることなく、磁
気的雑音の低減を図るものである。第２の実施形態に係
る生体磁気計測装置の構成は、第１の実施形態のそれと
同様であり、相違する部分のみ説明し、同じ部分の説明
は省略する。
【００３３】図７に、第２の実施形態による低雑音冷媒
容器の壁部の断面構造を詳細に示している。図２と同じ
部分には同じ符号を付している。内容器１６と外容器１
７との間の真空層１８には、複数枚のＡｌの熱輻射線シ
ールド２０が多重に配置される。これら熱輻射線シール
ド２０の金属薄膜は一定の間隔で配列されるわけではな
く、センサ部１１に近い低温側（内側）では長い間隔で
疎に設けられ、一方、センサ部１１から遠い室温側（外
側）では短い間隔で密に設けられる。
容器の壁部の断面構造を詳細に示している。図２と同じ
部分には同じ符号を付している。内容器１６と外容器１
７との間の真空層１８には、複数枚のＡｌの熱輻射線シ
ールド２０が多重に配置される。これら熱輻射線シール
ド２０の金属薄膜は一定の間隔で配列されるわけではな
く、センサ部１１に近い低温側（内側）では長い間隔で
疎に設けられ、一方、センサ部１１から遠い室温側（外
側）では短い間隔で密に設けられる。
【００３４】この間隔は、図８に実線で示すように、セ
ンサ部１１からの距離の一次関数にしたがって直線的に
変化させてもよいし、破線で示すように、センサ部１１
からの距離の多次関数にしたがって曲線的に変化させて
もよいし、または点線で示すように、センサ部１１から
の距離に応じて段階的に変化させてもよい。
ンサ部１１からの距離の一次関数にしたがって直線的に
変化させてもよいし、破線で示すように、センサ部１１
からの距離の多次関数にしたがって曲線的に変化させて
もよいし、または点線で示すように、センサ部１１から
の距離に応じて段階的に変化させてもよい。
【００３５】ここで、熱輻射線の遮蔽効果は、金属薄膜
の枚数に依存する。したがって、本実施形態での金属薄
膜の枚数を従来と同じにすれば、従来に比べて遮蔽効果
が劣化することはない。
の枚数に依存する。したがって、本実施形態での金属薄
膜の枚数を従来と同じにすれば、従来に比べて遮蔽効果
が劣化することはない。
【００３６】また、周知の通り、磁場強度は発生源から
の距離の２乗に反比例する。上述したように磁気的雑音
の原因となる磁場の発生源は、外来電磁波による渦電流
や熱的揺らぎによる電流が流れる金属薄膜である。した
がって、従来と金属薄膜の枚数が同じであっても、本実
施形態のように、センサ部１１に近い内側の金属薄膜を
従来より疎にし、センサ部１１から遠い外側の金属薄膜
を密にすることにより、磁気的雑音を低減することがで
きる。 （第３の実施形態）第３の実施形態も第２の実施形態と
同様に、Ａｌの金属薄膜が形成された複数枚の熱輻射線
シールドだけを使って、遮蔽効果を劣化させることな
く、磁気的雑音の低減を図るものである。第３の実施形
態に係る生体磁気計測装置の構成は、第１の実施形態の
それと同様であり、相違する部分のみ説明し、同じ部分
の説明は省略する。
の距離の２乗に反比例する。上述したように磁気的雑音
の原因となる磁場の発生源は、外来電磁波による渦電流
や熱的揺らぎによる電流が流れる金属薄膜である。した
がって、従来と金属薄膜の枚数が同じであっても、本実
施形態のように、センサ部１１に近い内側の金属薄膜を
従来より疎にし、センサ部１１から遠い外側の金属薄膜
を密にすることにより、磁気的雑音を低減することがで
きる。 （第３の実施形態）第３の実施形態も第２の実施形態と
同様に、Ａｌの金属薄膜が形成された複数枚の熱輻射線
シールドだけを使って、遮蔽効果を劣化させることな
く、磁気的雑音の低減を図るものである。第３の実施形
態に係る生体磁気計測装置の構成は、第１の実施形態の
それと同様であり、相違する部分のみ説明し、同じ部分
の説明は省略する。
【００３７】図９に、第３の実施形態による低雑音冷媒
容器の壁部の断面構造を詳細に示している。図２と同じ
部分には同じ符号を付している。内容器１６と外容器１
７との間の真空層１８には、複数枚のＡｌの熱輻射線シ
ールド２６が多重に配置される。これら熱輻射線シール
ド２６に蒸着されているＡｌの金属薄膜の厚みは一定で
はなく、センサ部１１から遠い室温側（外側）では従来
と同様の厚みで、センサ部１１に近い低温側（内側）で
は外側のそれより薄く形成されている。
容器の壁部の断面構造を詳細に示している。図２と同じ
部分には同じ符号を付している。内容器１６と外容器１
７との間の真空層１８には、複数枚のＡｌの熱輻射線シ
ールド２６が多重に配置される。これら熱輻射線シール
ド２６に蒸着されているＡｌの金属薄膜の厚みは一定で
はなく、センサ部１１から遠い室温側（外側）では従来
と同様の厚みで、センサ部１１に近い低温側（内側）で
は外側のそれより薄く形成されている。
【００３８】この厚みは、図１０に実線で示すように、
センサ部１１からの距離の一次関数にしたがって直線的
に変化させてもよいし、破線で示すように、センサ部１
１からの距離の多次関数にしたがって曲線的に変化させ
てもよいし、または点線で示すように、センサ部１１か
らの距離に応じて段階的に変化させてもよい。
センサ部１１からの距離の一次関数にしたがって直線的
に変化させてもよいし、破線で示すように、センサ部１
１からの距離の多次関数にしたがって曲線的に変化させ
てもよいし、または点線で示すように、センサ部１１か
らの距離に応じて段階的に変化させてもよい。
【００３９】ここで、熱輻射線の遮蔽効果は、金属薄膜
の枚数に依存し、その厚みには依存しない。したがっ
て、本実施形態での金属薄膜の枚数を従来と同じにすれ
ば、従来に比べて遮蔽効果が劣化することはない。
の枚数に依存し、その厚みには依存しない。したがっ
て、本実施形態での金属薄膜の枚数を従来と同じにすれ
ば、従来に比べて遮蔽効果が劣化することはない。
【００４０】また、本実施形態のように、センサ部１１
に比較的近い内側の金属薄膜を薄くすることにより、そ
の部分の電気伝導率が低下し（抵抗値が高くなり）、金
属薄膜に流れる渦電流等の磁気的雑音の原因となる電流
の電流値が実質的に低下するので、発生される磁場強度
の低下に伴って磁気的雑音も低減される。 （第４の実施形態）第４の実施形態に係る生体磁気計測
装置の構成は、第１の実施形態のそれと同様であり、相
違する部分のみ説明し、同じ部分の説明は省略する。
に比較的近い内側の金属薄膜を薄くすることにより、そ
の部分の電気伝導率が低下し（抵抗値が高くなり）、金
属薄膜に流れる渦電流等の磁気的雑音の原因となる電流
の電流値が実質的に低下するので、発生される磁場強度
の低下に伴って磁気的雑音も低減される。 （第４の実施形態）第４の実施形態に係る生体磁気計測
装置の構成は、第１の実施形態のそれと同様であり、相
違する部分のみ説明し、同じ部分の説明は省略する。
【００４１】従来では金属薄膜の金属素材を、その本来
的な目的にしたがって熱輻射線の反射率が高いという条
件にしたがって選定しこの結果Ａｌが採用されていた。
これに対して、本実施形態では、金属薄膜の金属素材を
選定するに当たって、（１）非磁性であること、（２）
金属薄膜が配置され使われる場所での温度での熱輻射線
の反射率がＡｌより高く、７０％以上であること、
（３）金属薄膜が配置され使われる場所での温度で電気
伝導率がＡｌより低いこと、（４）金属薄膜が配置され
使われる場所での温度で超伝導に非転移であることとい
う４つの条件を設定し、これら４つの条件全てを満たし
た金属素材またはこの金属素材の酸化物若しくは当該金
属素材の窒化物を採用することを特徴としている。
的な目的にしたがって熱輻射線の反射率が高いという条
件にしたがって選定しこの結果Ａｌが採用されていた。
これに対して、本実施形態では、金属薄膜の金属素材を
選定するに当たって、（１）非磁性であること、（２）
金属薄膜が配置され使われる場所での温度での熱輻射線
の反射率がＡｌより高く、７０％以上であること、
（３）金属薄膜が配置され使われる場所での温度で電気
伝導率がＡｌより低いこと、（４）金属薄膜が配置され
使われる場所での温度で超伝導に非転移であることとい
う４つの条件を設定し、これら４つの条件全てを満たし
た金属素材またはこの金属素材の酸化物若しくは当該金
属素材の窒化物を採用することを特徴としている。
【００４２】これら４つの条件を満たす金属素材として
は、チタン、タリウム、パラジウム、ロジウム、モリブ
デン、タングステンが一例として上げられる。このよう
に本実施形態では上記４つの条件により、遮蔽効果と磁
気的雑音の低減効果を共に向上させることができる好適
な金属素材を選定することができる。
は、チタン、タリウム、パラジウム、ロジウム、モリブ
デン、タングステンが一例として上げられる。このよう
に本実施形態では上記４つの条件により、遮蔽効果と磁
気的雑音の低減効果を共に向上させることができる好適
な金属素材を選定することができる。
【００４３】なお、図１１に示すように、熱輻射線シー
ルドを金属素材が異なる複数種類の金属薄膜３１a 〜３
１n とシート基材３２との多層構造に構成してもよい。 （第５の実施形態）図１２に第５の実施形態に係る生体
磁気計測装置の断面を示している。図１と同じ部分には
同じ符号を付している。第５の実施形態は、センサ部１
１に比較的近い内容器１６の一部分を覆うように真空層
１８内に第１の金属薄膜３６が配置され、センサ部１１
から比較的遠い内容器１６の他の部分を覆うように真空
層１８内に第２の金属薄膜３５が配置されていることを
特徴としている。第１の金属薄膜３６は、第４の実施形
態の条件、つまり非磁性であって、熱輻射線の反射率が
７０％以上であり、所定温度以下で電気伝導率がＡｌよ
り低く、且つ液化ガス温度で超伝導に非転移であるとい
う条件を満たしたチタン、タリウム、パラジウム、ロジ
ウム、モリブデン、タングステンの中のいずれかの金属
から作成される。第２の金属薄膜３５は、ＡｌまたはＡ
ｇから作成される。
ルドを金属素材が異なる複数種類の金属薄膜３１a 〜３
１n とシート基材３２との多層構造に構成してもよい。 （第５の実施形態）図１２に第５の実施形態に係る生体
磁気計測装置の断面を示している。図１と同じ部分には
同じ符号を付している。第５の実施形態は、センサ部１
１に比較的近い内容器１６の一部分を覆うように真空層
１８内に第１の金属薄膜３６が配置され、センサ部１１
から比較的遠い内容器１６の他の部分を覆うように真空
層１８内に第２の金属薄膜３５が配置されていることを
特徴としている。第１の金属薄膜３６は、第４の実施形
態の条件、つまり非磁性であって、熱輻射線の反射率が
７０％以上であり、所定温度以下で電気伝導率がＡｌよ
り低く、且つ液化ガス温度で超伝導に非転移であるとい
う条件を満たしたチタン、タリウム、パラジウム、ロジ
ウム、モリブデン、タングステンの中のいずれかの金属
から作成される。第２の金属薄膜３５は、ＡｌまたはＡ
ｇから作成される。
【００４４】本実施形態によれば、熱輻射線の遮蔽効果
は、金属薄膜の枚数に依存し、その厚みには依存しな
い。したがって、本実施形態での金属薄膜の枚数を従来
と同じにすれば、従来に比べて遮蔽効果が劣化すること
はない。
は、金属薄膜の枚数に依存し、その厚みには依存しな
い。したがって、本実施形態での金属薄膜の枚数を従来
と同じにすれば、従来に比べて遮蔽効果が劣化すること
はない。
【００４５】また、本実施形態のように、センサ部１１
に比較的近い場所に高価であるが雑音低減効果の高い素
材を使い、センサ部１１から比較的遠い場所に比較的安
価なＡｌまたはＡｇを使うことで、遮蔽効果と磁気的雑
音の低減効果の向上をコストの上昇を抑えて実現でき
る。
に比較的近い場所に高価であるが雑音低減効果の高い素
材を使い、センサ部１１から比較的遠い場所に比較的安
価なＡｌまたはＡｇを使うことで、遮蔽効果と磁気的雑
音の低減効果の向上をコストの上昇を抑えて実現でき
る。
【００４６】本発明は、上述した実施形態に限定され
ず、種々変形して実施してもよい。例えば、上述した第
１〜第５の実施形態を各々単独で実施してもよいが、適
当に組み合わせて実施するようにしてもよい。
ず、種々変形して実施してもよい。例えば、上述した第
１〜第５の実施形態を各々単独で実施してもよいが、適
当に組み合わせて実施するようにしてもよい。
【００４７】
【発明の効果】第１の発明によると、全ての熱輻射線シ
ールドを第１の熱輻射線シールドで作成するよりも、ま
た全ての熱輻射線シールドを第２の熱輻射線シールドで
作成するよりも、熱輻射線シールドの電気伝導率は所定
温度以上の場所及び所定温度以下の場所の両方で低くな
るので、磁気的雑音を低減することができる。
ールドを第１の熱輻射線シールドで作成するよりも、ま
た全ての熱輻射線シールドを第２の熱輻射線シールドで
作成するよりも、熱輻射線シールドの電気伝導率は所定
温度以上の場所及び所定温度以下の場所の両方で低くな
るので、磁気的雑音を低減することができる。
【００４８】第２の発明によると、次のような効果を実
現できる。周知の通り、磁場強度は発生源からの距離の
２乗に反比例する。磁気的雑音の原因となるのは、外来
電磁波により金属薄膜中に流れる渦電流や電子の熱的揺
らぎによって金属薄膜中に流れる電流である。したがっ
て、超伝導要素に近い内側の金属薄膜を疎にし、超伝導
要素から遠い外側の金属薄膜を密にすることにより、金
属薄膜の枚数を落とさないでつまり遮蔽効果を劣化させ
ることなく、磁気的雑音を低減することができる。
現できる。周知の通り、磁場強度は発生源からの距離の
２乗に反比例する。磁気的雑音の原因となるのは、外来
電磁波により金属薄膜中に流れる渦電流や電子の熱的揺
らぎによって金属薄膜中に流れる電流である。したがっ
て、超伝導要素に近い内側の金属薄膜を疎にし、超伝導
要素から遠い外側の金属薄膜を密にすることにより、金
属薄膜の枚数を落とさないでつまり遮蔽効果を劣化させ
ることなく、磁気的雑音を低減することができる。
【００４９】第３の発明によると、超伝導要素に比較的
近い内側の金属薄膜を薄くすることにより、その部分の
電気伝導率が低下し（抵抗値が高くなり）、金属薄膜に
流れる渦電流等の磁気的雑音の原因となる電流の電流値
が実質的に低下するので、発生される磁場強度の低下に
伴って磁気的雑音も低減される。
近い内側の金属薄膜を薄くすることにより、その部分の
電気伝導率が低下し（抵抗値が高くなり）、金属薄膜に
流れる渦電流等の磁気的雑音の原因となる電流の電流値
が実質的に低下するので、発生される磁場強度の低下に
伴って磁気的雑音も低減される。
【００５０】第４の発明によると、非磁性であって、熱
輻射線の反射率がＡｌより高く、電気伝導率がＡｌより
低く、且つ液化ガス温度でも超伝導に非転移という条件
により、遮蔽効果と磁気的雑音の低減効果を共に向上さ
せることができる好適な金属素材を選定することができ
る。
輻射線の反射率がＡｌより高く、電気伝導率がＡｌより
低く、且つ液化ガス温度でも超伝導に非転移という条件
により、遮蔽効果と磁気的雑音の低減効果を共に向上さ
せることができる好適な金属素材を選定することができ
る。
【００５１】第５の発明によると、超伝導要素に比較的
近い容器の一部分が第１の熱輻射線シールドで覆われ、
この第１の熱輻射線シールドを、非磁性であって、前記
熱輻射線の反射率が７０％以上であり、電気伝導率がＡ
ｌより低く、且つ液化ガス温度で超伝導に非転移の金属
素材から作成したので、遮蔽効果と磁気的雑音の低減効
果を共に向上させることができる。
近い容器の一部分が第１の熱輻射線シールドで覆われ、
この第１の熱輻射線シールドを、非磁性であって、前記
熱輻射線の反射率が７０％以上であり、電気伝導率がＡ
ｌより低く、且つ液化ガス温度で超伝導に非転移の金属
素材から作成したので、遮蔽効果と磁気的雑音の低減効
果を共に向上させることができる。
【図１】第１の実施形態に係る生体磁気計測装置の縦断
面図。
面図。
【図２】図１の低雑音冷媒容器の壁部の断面図。
【図３】図２の第１、第２の熱輻射線シールドの断面
図。
図。
【図４】図２の第１の熱輻射線シールドの構造図。
【図５】ＡｇとＡｌの波長に対する反射率の変化を示す
図。
図。
【図６】ＡｇとＡｌの温度に対する電気伝導率の変化を
示す図。
示す図。
【図７】第２の実施形態に係る生体磁気計測装置の低雑
音冷媒容器壁部の断面図。
音冷媒容器壁部の断面図。
【図８】図７の熱輻射線シールドの間隔に関するセンサ
部からの距離に応じた空間的変化を示す図。
部からの距離に応じた空間的変化を示す図。
【図９】第３の実施形態に係る生体磁気計測装置の低雑
音冷媒容器壁部の断面図。
音冷媒容器壁部の断面図。
【図１０】図９の熱輻射線シールドの金属薄膜の厚みに
関するセンサ部からの距離に応じた空間的変化を示す
図。
関するセンサ部からの距離に応じた空間的変化を示す
図。
【図１１】第４の実施形態に係る生体磁気計測装置の熱
輻射線シールドの断面図。
輻射線シールドの断面図。
【図１２】第５の実施形態に係る生体磁気計測装置の断
面図。
面図。
【図１３】生体磁気計測装置の外形図。
【図１４】従来の生体磁気計測装置の構造図。
【図１５】従来の熱輻射線シールドの断面図。
１１…センサ部、 １２…低雑音冷媒容器、 １３…検出コイル、 １４…超伝導量子干渉素子、 １５…液化ガス、 １６…内容器、 １７…外容器、 １８…真空層、 １９…第１の熱輻射線シールド、 ２０…第２の熱輻射線シールド。
Claims (30)
- 【請求項１】 真空層で囲まれた液化ガスを収容する容
器と、前記液化ガス中に浸下され、外部からの磁気をピ
ックアップする超伝導要素と、外来の熱輻射線から前記
容器を遮蔽するために前記真空層内に配置された第１の
熱輻射線シールドと、前記真空層内であって前記第１の
熱輻射線シールドの外側に配置された第２の熱輻射線シ
ールドとを有し、前記第１の熱輻射線シールドの電気伝
導率は、所定の温度以下では前記第２の熱輻射線シール
ドの電気伝導率よりも低く、所定の温度以上では前記第
２の熱輻射線シールドの電気伝導率よりも高いことを特
徴とする低雑音冷媒容器。 - 【請求項２】 前記第１の熱輻射線シールドをＡｇで作
成し、前記第２の熱輻射線シールドをＡｌで作成したこ
とを特徴とする請求項１記載の低雑音冷媒容器。 - 【請求項３】 前記第１の熱輻射線シールドは、Ａｇの
金属薄膜を２枚の絶縁膜で挟み込むことを特徴とする請
求項２記載の低雑音冷媒容器。 - 【請求項４】 真空層で囲まれた液化ガスを収容する容
器と、前記液化ガス中に浸下され、外部からの磁気をピ
ックアップする超伝導要素と、外来の熱輻射線から前記
容器を遮蔽するために前記真空層内に多重に配置された
複数枚の金属薄膜とを有し、前記金属薄膜の間隔を、外
側より内側を広くしたことを特徴とする低雑音冷媒容
器。 - 【請求項５】 前記金属薄膜の間隔を、前記超伝導要素
からの距離の一次関数にしたがって変化させたことを特
徴とする請求項４記載の低雑音冷媒容器。 - 【請求項６】 前記金属薄膜の間隔を、前記超伝導要素
からの距離の多次関数にしたがって変化させたことを特
徴とする請求項４記載の低雑音冷媒容器。 - 【請求項７】 前記金属薄膜の間隔を、段階的に変化さ
せたことを特徴とする請求項４記載の低雑音冷媒容器。 - 【請求項８】 真空層で囲まれた液化ガスを収容する容
器と、前記液化ガス中に浸下され、外部からの磁気をピ
ックアップする超伝導要素と、外来の熱輻射線から前記
容器を遮蔽するために前記真空層内に多重に配置された
複数枚の金属薄膜とを有し、前記金属薄膜の厚みを、外
側より内側を薄くしたことを特徴とする低雑音冷媒容
器。 - 【請求項９】 前記金属薄膜の厚みを、前記超伝導要素
からの距離の一次関数にしたがって変化させたことを特
徴とする請求項８記載の低雑音冷媒容器。 - 【請求項１０】 前記金属薄膜の厚みを、前記超伝導要
素からの距離の多次関数にしたがって変化させたことを
特徴とする請求項８記載の低雑音冷媒容器。 - 【請求項１１】 前記金属薄膜の厚みを、段階的に変化
させたことを特徴とする請求項８記載の低雑音冷媒容
器。 - 【請求項１２】 液化ガスを収容する容器と、外来の熱
輻射線から前記容器を遮蔽するシールドとを有し、前記
シールドを、非磁性であって、前記熱輻射線の反射率が
７０％以上であり、電気伝導率がＡｌより低く、且つ液
化ガス温度で超伝導に非転移の金属素材から作成したこ
とを特徴とする低雑音冷媒容器。 - 【請求項１３】 前記金属素材は、チタン、タリウム、
パラジウム、ロジウム、モリブデン、タングステンの中
のいずれかであることを特徴とする請求項１２記載の低
雑音冷媒容器。 - 【請求項１４】 前記シールドを、前記金属素材が異な
る複数枚の金属薄膜から構成したことを特徴とする請求
項１２記載の低雑音冷媒容器。 - 【請求項１５】 真空層で囲まれた液化ガスを収容する
容器と、前記液化ガス中に浸下され、外部からの磁気を
ピックアップする超伝導要素と、前記超伝導要素に比較
的近い前記容器の一部分を覆うように前記真空層内に配
置された第１の熱輻射線シールドと、前記超伝導要素か
ら比較的遠い前記容器の他の部分を覆うように前記真空
層内に配置された第２の熱輻射線シールドとを有し、前
記第１の熱輻射線シールドを、非磁性であって、前記熱
輻射線の反射率が７０％以上であり、電気伝導率がＡｌ
より低く、且つ液化ガス温度で超伝導に非転移の金属素
材から作成し、前記第２の熱輻射線シールドを、Ａｌま
たはＡｇから作成したことを特徴とする低雑音冷媒容
器。 - 【請求項１６】 真空層で囲まれた液化ガスを収容する
容器と、前記液化ガス中に浸下され、超伝導量子干渉効
果を利用して生体からの磁気をピックアップするセンサ
と、外来の熱輻射線から前記容器を遮蔽するために前記
真空層内に配置された第１の熱輻射線シールドと、前記
真空層内であって前記第１の熱輻射線シールドの外側に
配置された第２の熱輻射線シールドとを有し、前記第１
の熱輻射線シールドの電気伝導率は、所定の温度以下で
は前記第２の熱輻射線シールドの電気伝導率よりも低
く、所定の温度以上では前記第２の熱輻射線シールドの
電気伝導率よりも高いことを特徴とする生体磁気計測装
置。 - 【請求項１７】 前記第１の熱輻射線シールドをＡｇで
作成し、前記第２の熱輻射線シールドをＡｌで作成した
ことを特徴とする請求項１６記載の生体磁気計測装置。 - 【請求項１８】 前記第１の熱輻射線シールドはＡｇを
２枚の絶縁膜で挟み込むことを特徴とする請求項１６記
載の生体磁気計測装置。 - 【請求項１９】 真空層で囲まれた液化ガスを収容する
容器と、前記液化ガス中に浸下され、超伝導量子干渉効
果を利用して生体からの磁気をピックアップするセンサ
と、外来の熱輻射線から前記容器を遮蔽するために前記
真空層内に多重に配置された複数枚の金属薄膜とを有
し、前記金属薄膜の間隔を、外側より内側を広くしたこ
とを特徴とする生体磁気計測装置。 - 【請求項２０】 前記金属薄膜の間隔を、前記センサか
らの距離の一次関数にしたがって変化させたことを特徴
とする請求項１９記載の生体磁気計測装置。 - 【請求項２１】 前記金属薄膜の間隔を、前記センサか
らの距離の多次関数にしたがって変化させたことを特徴
とする請求項１９記載の生体磁気計測装置。 - 【請求項２２】 前記金属薄膜の間隔を、段階的に変化
させたことを特徴とする請求項１９記載の生体磁気計測
装置。 - 【請求項２３】 真空層で囲まれた液化ガスを収容する
容器と、前記液化ガス中に浸下され、超伝導量子干渉効
果を利用して生体からの磁気をピックアップするセンサ
と、外来の熱輻射線から前記容器を遮蔽するために前記
真空層内に多重に配置された複数枚の金属薄膜とを有
し、前記金属薄膜の厚みを、外側より内側を薄くしたこ
とを特徴とする生体磁気計測装置。 - 【請求項２４】 前記金属薄膜の厚みを、前記センサか
らの距離の一次関数にしたがって変化させたことを特徴
とする請求項２３記載の生体磁気計測装置。 - 【請求項２５】 前記金属薄膜の厚みを、前記容器から
の距離の多次関数にしたがって変化させたことを特徴と
する請求項２３記載の生体磁気計測装置。 - 【請求項２６】 前記金属薄膜の厚みを、段階的に変化
させたことを特徴とする請求項２３記載の生体磁気計測
装置。 - 【請求項２７】 液化ガスを収容する容器と、前記液化
ガス中に浸下され、超伝導量子干渉効果を利用して生体
からの磁気をピックアップするセンサと、外来の熱輻射
線から前記容器を遮蔽する熱輻射線シールドとを有し、
前記熱輻射線シールドを、非磁性であって、前記熱輻射
線の反射率が７０％以上であり、電気伝導率がＡｌより
低く、且つ液化ガス温度で超伝導に非転移の金属素材か
ら作成したことを特徴とする生体磁気計測装置。 - 【請求項２８】 前記金属素材は、チタン、タリウム、
パラジウム、ロジウム、モリブデン、タングステンの中
のいずれかであることを特徴とする請求項２７記載の生
体磁気計測装置。 - 【請求項２９】 前記熱輻射線シールドを、前記金属素
材が異なる複数枚の金属薄膜から構成したことを特徴と
する請求項２７記載の生体磁気計測装置。 - 【請求項３０】 真空層で囲まれた液化ガスを収容する
容器と、前記液化ガス中に浸下され、超伝導量子干渉効
果を利用して生体からの磁気をピックアップするセンサ
と、前記センサに比較的近い前記容器の一部分を覆うよ
うに前記真空層内に配置された第１の熱輻射線シールド
と、前記センサから比較的遠い前記容器の他の部分を覆
うように前記真空層内に配置された第２の熱輻射線シー
ルドとを有し、前記第１の熱輻射線シールドを、非磁性
であって、前記熱輻射線の反射率が７０％以上であり、
電気伝導率がＡｌより低く、且つ液化ガス温度で超伝導
に非転移の金属素材から作成し、前記第２の熱輻射線シ
ールドを、ＡｌまたはＡｇから作成したことを特徴とす
る生体磁気計測装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8263086A JPH10107329A (ja) | 1996-10-03 | 1996-10-03 | 低雑音冷媒容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8263086A JPH10107329A (ja) | 1996-10-03 | 1996-10-03 | 低雑音冷媒容器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10107329A true JPH10107329A (ja) | 1998-04-24 |
Family
ID=17384643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8263086A Pending JPH10107329A (ja) | 1996-10-03 | 1996-10-03 | 低雑音冷媒容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10107329A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013515964A (ja) * | 2009-12-29 | 2013-05-09 | コリア・リサーチ・インスティチュート・オブ・スタンダーズ・アンド・サイエンス | 低雑音冷却装置 |
-
1996
- 1996-10-03 JP JP8263086A patent/JPH10107329A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013515964A (ja) * | 2009-12-29 | 2013-05-09 | コリア・リサーチ・インスティチュート・オブ・スタンダーズ・アンド・サイエンス | 低雑音冷却装置 |
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