JPH1010727A - Positive type photosensitive resin composition - Google Patents

Positive type photosensitive resin composition

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JPH1010727A
JPH1010727A JP15967996A JP15967996A JPH1010727A JP H1010727 A JPH1010727 A JP H1010727A JP 15967996 A JP15967996 A JP 15967996A JP 15967996 A JP15967996 A JP 15967996A JP H1010727 A JPH1010727 A JP H1010727A
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photosensitive resin
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敏夫 番場
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直滋 竹田
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裕明 真壁
Toshiro Takeda
敏郎 竹田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photosensitive resin compsn. having superior adhesion to a substrate by incorporating specified polyamide, a photosensitive diazoquinone compd. and a specified organosilicon compd. SOLUTION: This photosensitive resin compsn. consists of 100 pts.wt. polyamide represented by formula I, 1-100 pts.wt. photosensitive diazoquinone compd. and 0.1-20 pts.wt. organosilicon compd. represented by formula II. In the formula I, X is a tetravalent arom. group, Y is a divalent arom. group and Z is a group represented by formula III, wherein each of R1 and R2 is a divalent org. group, each of R3 and R4 is a monovalent org. group, a+b=100mol%, (a) is 60-100mol% and (b) is 0-40mol%. In the formula II, R5 is a divalent arom. residue or a divalent org. group, R6 is a divalent org. group, each of R7 and R8 is a monovalent org. group, R7 and R8 may be different from each other and (l) is 0, 1 or 2.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板との密着性に
優れたポジ型感光性樹脂組成物に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a positive photosensitive resin composition having excellent adhesion to a substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体素子の表面保護膜、層間絶
縁膜等には、耐熱性が優れ、又卓越した電気的特性、機
械的特性等を有するポリイミド樹脂が用いられている
が、近年半導体素子の高集積化、大型化、封止樹脂パッ
ケージの薄型化、小型化、半田リフローによる表面実装
方式への移行等により耐熱サイクル性、耐熱ショック性
等の著しい向上の要求があり、更に高性能のポリイミド
樹脂が必要とされるようになってきた。一方、ポリイミ
ド樹脂自身に感光性を付与する技術が最近注目を集めて
きており、例えば感光性ポリイミド樹脂として、下記式
(3)等がある。
2. Description of the Related Art Conventionally, a polyimide resin having excellent heat resistance and excellent electrical and mechanical properties has been used for a surface protective film and an interlayer insulating film of a semiconductor element. There is a demand for remarkable improvement in heat cycle resistance and heat shock resistance due to the high integration and large size of the elements, the thinning and miniaturization of the sealing resin package, and the shift to the surface mounting method by solder reflow. Is required. On the other hand, a technique for imparting photosensitivity to the polyimide resin itself has recently attracted attention. For example, the following formula (3) is given as a photosensitive polyimide resin.

【化6】 Embedded image

【0003】これを用いるとパターン作成工程の一部が
簡略化でき、工程短縮の効果はあるが、現像の際にN−
メチル−2−ピロリドン等の溶剤が必要となるため、安
全、取扱いにおいて問題がある。そこで最近では、アル
カリ水溶液で現像ができるポジ型の感光性樹脂が開発さ
れている。例えば、特公平1−46862号公報におい
てはポリベンゾオキサゾール前駆体とジアゾキノン化合
物からなるポジ型感光性樹脂が開示されている。これは
高い耐熱性、易加工性に加え、低誘電率等の優れた電気
特性、微細加工性、感度を有し、ウェハーコート用途の
みならず、層間絶縁用樹脂としての可能性も有してい
る。このポジ型の感光性樹脂は、ビァホール部の除去を
アルカリ性水溶液を用いて行うため、従来の他の感光性
ポリイミド樹脂のように有機溶剤ヲ必要とせず作業の安
全性は更に向上している。しかし、この感光性ポリベン
ゾオキサゾール前駆体は、基板、特にシリコンウェハー
との密着性に劣り、硬化後の高温吸湿処理によって樹脂
が基板から剥離するという重大な欠陥をも有している。
そこで密着性改良のため市販されているシランカップリ
ング剤等を添加しても完全に解決できず、その用途も強
く制限されているのが現状である。
When this is used, a part of the pattern forming process can be simplified and the process can be shortened.
Since a solvent such as methyl-2-pyrrolidone is required, there is a problem in safety and handling. Therefore, recently, a positive photosensitive resin that can be developed with an alkaline aqueous solution has been developed. For example, Japanese Patent Publication No. 1-46862 discloses a positive photosensitive resin comprising a polybenzoxazole precursor and a diazoquinone compound. It has excellent electrical properties such as low dielectric constant, fine workability and sensitivity in addition to high heat resistance and easy workability, and has the potential not only as a wafer coat application but also as a resin for interlayer insulation. I have. This positive photosensitive resin does not require an organic solvent unlike other conventional photosensitive polyimide resins because the via hole portion is removed using an alkaline aqueous solution, so that the work safety is further improved. However, this photosensitive polybenzoxazole precursor has poor adhesion to a substrate, particularly a silicon wafer, and also has a serious defect that the resin is separated from the substrate by a high-temperature moisture absorption treatment after curing.
Therefore, even if a commercially available silane coupling agent or the like is added for the purpose of improving the adhesion, the problem cannot be completely solved, and at present, its use is severely restricted.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、基板との優
れた密着性を有する新規なポジ型感光性樹脂を提供する
ことを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a novel positive photosensitive resin having excellent adhesion to a substrate.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明は、一般式(1)
で示されるポリアミド(A)100重量部と感光性ジア
ゾキノン化合物(B)1〜100重量部と一般式(2)
で表わされる有機ケイ素化合物(C)0.1〜20重量
部からなることを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物で
ある。
According to the present invention, there is provided a compound represented by the general formula (1):
And 100 to 100 parts by weight of a photosensitive diazoquinone compound (B) represented by the formula (2):
A positive photosensitive resin composition comprising 0.1 to 20 parts by weight of an organosilicon compound (C) represented by the formula:

【化7】 Embedded image

【0006】[0006]

【化8】 Embedded image

【0007】式(1)のポリアミドは、Xの構造を有す
るビスアミノフェノールとYの構造を有するジカルボン
酸からなり、このポリアミドを約300〜400℃で加
熱すると閉環し、ポリベンゾオキサゾールという耐熱性
樹脂に変化する。本発明のポリアミド(1)のXは、例
えば、
The polyamide of the formula (1) comprises bisaminophenol having the structure of X and dicarboxylic acid having the structure of Y. When the polyamide is heated at about 300 to 400 ° C., the ring is closed, and the heat resistance of polybenzoxazole is obtained. Changes to resin. X of the polyamide (1) of the present invention is, for example,

【化9】 等であるがこれらに限定されるものではない。Embedded image Etc., but are not limited to these.

【0008】この中で特に好ましいものは、[0008] Of these, particularly preferred are:

【化10】 より選ばれるものである。Embedded image It is more chosen.

【0009】又式(1)のYは、例えば、Further, Y in the formula (1) is, for example,

【化11】 等であるがこれらに限定されるものではない。Embedded image Etc., but are not limited to these.

【0010】これらの中で特に好ましいものは、[0010] Of these, particularly preferred are:

【化12】 より選ばれるものである。Embedded image It is more chosen.

【0011】更に、式(1)のZは、例えばFurther, Z in the equation (1) is, for example,

【化13】 等であるがこれらに限定されるものではない。Embedded image Etc., but are not limited to these.

【0012】式(1)のZは、例えば、シリコンウェハ
ーのような基板に対して、特に密着性が必要な場合に用
いるが、その使用割合bについては最大40.0モル%
まで使用することができる。40.0モル%を越えると
樹脂の溶解性が極めて低下し、スカムが発生し、パター
ン加工ができない。なお、これらX、Y、Zの使用にあ
たっては、それぞれ1種類であっても2種類以上の混合
物であっても構わない。
Z in the formula (1) is used, for example, when adhesion is particularly required to a substrate such as a silicon wafer.
Can be used up to. If it exceeds 40.0 mol%, the solubility of the resin is extremely reduced, scum is generated, and pattern processing cannot be performed. When using X, Y, and Z, one type or a mixture of two or more types may be used.

【0013】本発明で用いる感光性ジアゾキノン化合物
は、1,2−ベンゾキノンジアジドあるいは1,2−ナ
フトキノンジアジド構造を有する化合物であり、米国特
許明細書第2,772,972号、第2,797,21
3号、第3,669,658号により公知の物質であ
る。例えば、下記のものが挙げられる。
The photosensitive diazoquinone compound used in the present invention is a compound having a 1,2-benzoquinonediazide or 1,2-naphthoquinonediazide structure, and is disclosed in US Pat. Nos. 2,772,972 and 2,797, 21
No. 3,669,658. For example, the following are mentioned.

【化14】 Embedded image

【0014】[0014]

【化15】 Embedded image

【0015】これらの中で特に好ましいものとしては下
記のものがある。
Among these, the following are particularly preferred.

【化16】 Embedded image

【0016】感光性ジアジドキノン化合物(B)のポリ
アミド(A)への配合量は、ポリアミド100重量部に
対し、1〜100重量部で、配合量が1重量部未満だと
樹脂のパターニング性が不良であり、逆に100重量部
を越えるとフィルムの引張り伸び率が著しく低下する。
The compounding amount of the photosensitive diazidoquinone compound (B) to the polyamide (A) is 1 to 100 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polyamide. If the compounding amount is less than 1 part by weight, the patterning property of the resin is poor. Conversely, if it exceeds 100 parts by weight, the tensile elongation of the film is significantly reduced.

【0017】本発明のポジ型感光性樹脂組成物には、必
要により感光特性を高めるためにジヒドロキシピリジン
誘導体を加えることができる。ジヒドロキシピリジン誘
導体としては、例えば2,6−ジメチル−3,5−ジア
セチル−4−(2′−ニトロフェニル)−1,4−ジヒ
ドロピリジン、4−(2′−ニトロフェニル)−2,6
−ジメチル−3,5−ジカルボエトキシ−1,4−ジヒ
ドロピリジン、4−(2′,4′−ジニトロフェニル)
−2,6−ジメチル−3,5−カルボメトキシ−1,4
−ジヒドロピリジン等を挙げることができる。
A dihydroxypyridine derivative can be added to the positive photosensitive resin composition of the present invention, if necessary, to enhance the photosensitive characteristics. Examples of the dihydroxypyridine derivative include 2,6-dimethyl-3,5-diacetyl-4- (2'-nitrophenyl) -1,4-dihydropyridine and 4- (2'-nitrophenyl) -2,6
-Dimethyl-3,5-dicarbethoxy-1,4-dihydropyridine, 4- (2 ', 4'-dinitrophenyl)
-2,6-dimethyl-3,5-carbomethoxy-1,4
-Dihydropyridine and the like.

【0018】本発明のポジ型感光性樹脂組成物において
は、更に一般式(2)で表わされる有機ケイ素化合物を
含有させることが重要である。
It is important that the positive photosensitive resin composition of the present invention further contains an organosilicon compound represented by the general formula (2).

【化17】 Embedded image

【0019】一般式(2)で表される有機ケイ素化合物
は、米国特許第3755354号及び第4460739
号明細書に開示されており、公知物質であるが本発明で
は、この有機ケイ素化合物を特公平1−46862号公
報に示されているような感光性ポリベンゾオキサゾール
前駆体に加えるとシリコンウェハーに対して従来のシラ
ンカップリング剤等では得られないような高い密着性が
発現できることを見いだした。一般式(2)で示される
有機ケイ素化合物はアミノ基を有するケイ素化合物を酸
無水物に反応させて得ることができる。アミノ基を有す
るケイ素化合物としては例えば、3−アミノプロピルト
リメトキシシラン、N−(2−アミノエチル)−3−ア
ミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピル
メチルジメトキシシラン、N−(2−アミノエチル)−
3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−アミノプ
ロピルトリエトキシシラン等が挙げられる。また酸無水
物としては例えば、無水マレイン酸、クロロ無水マレイ
ン酸、シアノ無水マレイン酸、シトコン酸、無水フタル
酸等を挙げることができ、これらの1種類を単独で又は
2種類以上を併用して使用することができる。一般式
(2)で示される有機ケイ素化合物のポジ型感光性樹脂
組成物への配合量はポリアミド(A)100重量部に対
して0.1〜20重量部である。配合量が0.1重量部
未満だと基板に対して充分な密着性が得られず、また2
0重量部を超えると現像時の膜減りが大きくなり好まし
くない。
The organosilicon compounds represented by the general formula (2) are disclosed in US Pat. Nos. 3,755,354 and 4,460,739.
In the present invention, this organosilicon compound is added to a photosensitive polybenzoxazole precursor as shown in Japanese Patent Publication No. 1-46862, and is known in the art. On the other hand, it has been found that a high adhesiveness that cannot be obtained with a conventional silane coupling agent or the like can be exhibited. The organosilicon compound represented by the general formula (2) can be obtained by reacting a silicon compound having an amino group with an acid anhydride. Examples of the silicon compound having an amino group include 3-aminopropyltrimethoxysilane, N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropylmethyldimethoxysilane, and N- (2-aminoethyl )-
Examples thereof include 3-aminopropyltriethoxysilane and 3-aminopropyltriethoxysilane. Examples of the acid anhydride include, for example, maleic anhydride, chloromaleic anhydride, cyanomaleic anhydride, cytoconic acid, phthalic anhydride, and the like.One of these may be used alone, or two or more may be used in combination. Can be used. The amount of the organosilicon compound represented by the general formula (2) in the positive photosensitive resin composition is 0.1 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the polyamide (A). If the amount is less than 0.1 part by weight, sufficient adhesion to the substrate cannot be obtained.
If the amount exceeds 0 parts by weight, the film loss during development is undesirably large.

【0020】本発明におけるポジ型感光性樹脂組成物に
は、必要によりレベリング剤、シランカップリング剤等
の添加剤を添加することができる。本発明においてはこ
れらの成分を溶剤に溶解し、ワニス状にして使用する。
溶剤としては、N−メチル−2−ピロリドン、γ−ブチ
ロラクトン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチル
スルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレ
ングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコール
モノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチ
ルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メ
チル−1,3−ブチレングリコールアセテート、1,3
−ブチレングリコール−3−モノメチルエーテル、ピル
ビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチル−3−メトキ
シプロピオネート等を単独でも混合して用いてもよい。
If necessary, additives such as a leveling agent and a silane coupling agent can be added to the positive photosensitive resin composition of the present invention. In the present invention, these components are dissolved in a solvent and used in the form of a varnish.
Examples of the solvent include N-methyl-2-pyrrolidone, γ-butyrolactone, N, N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, and propylene glycol. Monomethyl ether acetate, methyl lactate, ethyl lactate, butyl lactate, methyl-1,3-butylene glycol acetate, 1,3
-Butylene glycol-3-monomethyl ether, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl-3-methoxypropionate and the like may be used alone or in combination.

【0021】本発明のポジ型感光性樹脂組成物の使用方
法は、まず該組成物を適当な支持体、例えば、シリコン
ウェハー、セラミック、アルミ基板等に塗布する。塗布
方法としては、スピンナーを用いた回転塗布、スプレー
コーターを用いた噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコーテ
ィング等がある。次に、60〜120℃でプリベークし
て塗膜を乾燥後、所望のパターン形状に化学線を照射す
る。化学線としては、X線、電子線、紫外線、可視光線
等が使用できるが、200〜500nmの波長のものが
好ましい。次に照射部を現像液で溶解除去することによ
りレリーフパターンを得る。現像液としては、水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナ
トリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無
機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルアミン等の
第1アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミ
ン等の第2アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチ
ルアミン等の第3アミン類、ジメチルエタノールアミ
ン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルア
ンモニウムヒドロキシド等の第4級アンモニウム塩等の
アルカリ類の水溶液、及びこれにメタノール、エタノー
ルのごときアルコール類等の水溶性有機溶媒や界面活性
剤を適当量添加した水溶液を好適に使用することができ
る。現像方法としては、スプレー、パドル、浸漬、超音
波等の方式が可能である。次に、現像によって形成した
レリーフパターンをリンスする。リンス液としては、蒸
留水を使用する。次に加熱処理を行い、オキサゾール環
を形成し、耐熱性に富む最終パターンを得る。本発明に
よるポジ型感光性樹脂組成物は、半導体用途のみなら
ず、多層回路の層間絶縁やフレキシブル銅張板のカバー
コート、ソルダーレジスト膜や液晶配向膜等としても有
用である。
In the method of using the positive photosensitive resin composition of the present invention, the composition is first applied to a suitable support, for example, a silicon wafer, ceramic, aluminum substrate or the like. Examples of the coating method include spin coating using a spinner, spray coating using a spray coater, dipping, printing, and roll coating. Next, after pre-baking at 60 to 120 ° C. to dry the coating film, a desired pattern shape is irradiated with actinic radiation. As the actinic radiation, X-rays, electron beams, ultraviolet rays, visible rays and the like can be used, but those having a wavelength of 200 to 500 nm are preferable. Next, a relief pattern is obtained by dissolving and removing the irradiated portion with a developer. Examples of the developer include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, and aqueous ammonia, primary amines such as ethylamine and n-propylamine, diethylamine, and di-n. Secondary amines such as propylamine, tertiary amines such as triethylamine and methyldiethylamine, alcoholamines such as dimethylethanolamine and triethanolamine, and quaternary ammoniums such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide. An aqueous solution of an alkali such as a salt or an aqueous solution obtained by adding a suitable amount of a water-soluble organic solvent such as an alcohol such as methanol or ethanol or a surfactant thereto can be suitably used. As a developing method, a system such as spray, paddle, immersion, and ultrasonic wave can be used. Next, the relief pattern formed by development is rinsed. Distilled water is used as the rinsing liquid. Next, heat treatment is performed to form an oxazole ring, and a final pattern having high heat resistance is obtained. The positive photosensitive resin composition according to the present invention is useful not only for semiconductor applications but also as interlayer insulation for multilayer circuits, cover coats for flexible copper clad boards, solder resist films, liquid crystal alignment films, and the like.

【0022】[0022]

【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。 《実施例1》 *ポリアミドの合成 2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)
ヘキサフルオロプロパン36.6重量部(0.100モ
ル)をN,N−ジメチルアセトアミド150重量部及び
ピリジン33.2(0.420モル)重量部に溶解し
た。次にシクロヘキサノン100重量部に溶解したテレ
フタル酸クロリド17.0重量部(0.084モル)と
イソフタル酸クロリド4.3重量部(0.021モル)
を−10〜−15℃で30分かけて滴下し、その後室温
で4時間撹拌し反応を終了した。反応混合物を濾過した
後、溶液を水中に投入し目的の一般式(I)で示され、
Xが下記式X−1、Yが下記式Y−1及びY−2の混合
で、a=100、b=0からなるポリアミド(A1)を
沈殿させた。沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空
下80℃で1昼夜乾燥させた。
The present invention will be described below in detail with reference to examples. << Example 1 >> * Synthesis of polyamide 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl)
36.6 parts (0.100 mol) of hexafluoropropane were dissolved in 150 parts by weight of N, N-dimethylacetamide and 33.2 (0.420 mol) of pyridine. Next, 17.0 parts by weight (0.084 mol) of terephthalic acid chloride and 4.3 parts by weight (0.021 mol) of isophthalic acid chloride dissolved in 100 parts by weight of cyclohexanone were used.
Was added dropwise at -10 to -15 ° C over 30 minutes, followed by stirring at room temperature for 4 hours to complete the reaction. After the reaction mixture is filtered, the solution is poured into water and represented by the desired general formula (I):
X is a mixture of the following formulas X-1 and Y is a mixture of the following formulas Y-1 and Y-2 to precipitate a polyamide (A 1 ) consisting of a = 100 and b = 0. The precipitate was collected by filtration, washed sufficiently with water, and then dried at 80 ° C. under vacuum overnight.

【0023】*ポジ型感光性樹脂組成物の作製 合成したポリアミド(A1)100重量部、下記式の構
造を有するジアゾキノン(Q1)25重量部、下記式の
構造を有する有機ケイ素化合物(S−1)5重量部をN
−メチル−2−ピロリドン200重量部に溶解した後、
0.2μmのテフロンフィルターで濾過し感光性樹脂組
成物を得た。
* Preparation of Positive Photosensitive Resin Composition 100 parts by weight of the synthesized polyamide (A 1 ), 25 parts by weight of diazoquinone (Q1) having a structure of the following formula, and an organosilicon compound (S- 1) 5 parts by weight of N
-Methyl-2-pyrrolidone after dissolving in 200 parts by weight,
The mixture was filtered through a 0.2 μm Teflon filter to obtain a photosensitive resin composition.

【0024】*特性評価 この感光性ワニスをシリコンウェハー上にスピンコータ
ーを用いて塗布した後、オーブン中70℃で1時間乾燥
し、膜厚約6μmの塗膜を得た。この塗膜に凸版印刷
(株)製マスク(テストチャートNo.1;幅50〜0.
88μmの残しパターン及び抜きパターンが描かれてい
る)を通して高圧水銀灯からの紫外光線を照射した後、
0.79%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
溶液に60秒浸漬することによって露光部を溶解除去し
た後、純水で30秒間現像液を洗い流した(リンス)。
その結果、シリコンウェハー上に5μmの抜きパターン
が解像しているのが確認できた。この時の現像後膜厚は
5.1μmで、残膜率(現像の膜厚/現像前膜厚×10
0)は85.0%であった。また、別に感光性ワニスを
同様にシリコンウェハー上に塗布し、プリベークした
後、オーブン中30分/150℃、30分/250℃、
30分/350℃の順序で加熱し、樹脂を硬化させた。
得られた塗膜1mm角に100個基盤目にカットし、セ
ロハンテープを貼りつけ、引き剥がして、塗膜をシリコ
ンウェハー上より剥がそうとしたが、剥がれた塗膜の数
(これを「硬化後剥がれ数」と称する)は0であり、硬
化膜のウェハーへの密着性も優れていることが確認され
た。更にこのシリコンウェハーを125℃、2.3at
mのプレシャークッカー(PCT)処理100時間を施
した後、同様にセロハンテープを貼り付け、引き剥がし
て評価したところ、剥がれた塗膜の数(これを「高温高
湿処理後剥がれ数」と称する)は0であり、高温湿度処
理後の密着性も優れていることが確認された。
* Characteristic evaluation The photosensitive varnish was applied on a silicon wafer by using a spin coater, and then dried in an oven at 70 ° C. for 1 hour to obtain a coating having a thickness of about 6 μm. Letterpress printing on this coating
Co., Ltd. mask (test chart No. 1; width 50 to 0.
After irradiating ultraviolet light from a high-pressure mercury lamp through
The exposed portion was dissolved and removed by immersion in a 0.79% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide for 60 seconds, and then the developing solution was rinsed with pure water for 30 seconds (rinse).
As a result, it was confirmed that a 5 μm punch pattern was resolved on the silicon wafer. At this time, the film thickness after development was 5.1 μm, and the residual film ratio (film thickness before development / film thickness before development × 10
0) was 85.0%. Separately, a photosensitive varnish was similarly applied on a silicon wafer, and after prebaking, 30 minutes / 150 ° C., 30 minutes / 250 ° C. in an oven.
The resin was heated in the order of 30 minutes / 350 ° C. to cure the resin.
The obtained coating film was cut into 100 squares on a 1 mm square, a cellophane tape was stuck, peeled off, and the coating film was peeled off from the silicon wafer. (Referred to as “post-peeling number”) was 0, and it was confirmed that the cured film had excellent adhesion to the wafer. Further, this silicon wafer was heated at 125 ° C. and 2.3 at.
m after a 100-hour pre-shear cooker (PCT) treatment, a cellophane tape was similarly adhered, peeled off, and evaluated. The number of peeled coating films (this is referred to as the “peeling number after high-temperature and high-humidity treatment”) ) Was 0, which confirmed that the adhesion after the high-temperature and humidity treatment was excellent.

【0025】《実施例2》実施例1における有機ケイ素
化合物を下記式S−2に替えて評価を行った。 《実施例3》実施例1における有機ケイ素化合物を下記
式S−3に替えて評価を行った。 《実施例4》実施例1における有機ケイ素化合物(S−
1)の添加量を1重量部して評価を行った。 《実施例5》実施例1におけるポリアミドの合成におい
て、テレフタル酸クロリド、イソフタル酸クロリドの替
わりにジフェニルエーテル−4,4′−ジカルボン酸ク
ロリドに替え、一般式(1)で示され、Xが下記式X−
1、Yが下記式Y−3で、a=100、b=0からなる
ポリアミド(A2)を合成し、その他は実施例1と同様
の評価を行った。
Example 2 The evaluation was performed by replacing the organosilicon compound in Example 1 with the following formula S-2. << Example 3 >> The evaluation was performed by replacing the organosilicon compound in Example 1 with the following formula S-3. << Example 4 >> The organosilicon compound (S-
The evaluation was performed by adding 1 part by weight of 1). Example 5 In the synthesis of polyamide in Example 1, diphenyl ether-4,4'-dicarboxylic acid chloride was used instead of terephthalic acid chloride and isophthalic acid chloride, and the general formula (1) was used. X-
1, a polyamide (A 2 ) having Y = the following formula Y = a = 100 and b = 0 was synthesized, and the other evaluations were performed in the same manner as in Example 1.

【0026】《実施例6》実施例1におけるポリアミド
の合成において、テレフタル酸クロリド、イソフタル酸
クロリドの替わりに、ジフェニルエーテル−4,4′−
ジカルボン酸クロリドを用い、また、2,2−ビス(3
−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプ
ロパンの替わりに、3,3′−ジアミノ−4,4′−ジ
ヒドロキシジフェニルスルホンを用いて、一般式(1)
で示され、Xが下記式X−2、Yが下記式Y−3で、a
=100、b=0からなるポリアミド(A3)の合成を
し、その他は実施例1と同様の評価を行った。 《実施例7》実施例1におけるポリアミドの合成におい
て、テレフタル酸クロリド、イソフタル酸クロリドの替
わりに、ジフェニルエーテル−4,4′−ジカルボン酸
クロリドを用い、又2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒ
ドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンの替わり
に、3,3′−ジアミノ−4,4′−ジヒドロキシジフ
ェニルエーテルを用いて、一般式(1)で示され、Xが
下記式X−3、Yが下記式Y−3で、a=100、b=
0からなるポリアミド(A4)の合成をし、更にジアゾ
キノンとして下記式構造のジアゾキノン(Q2)を使用
し、感光性樹脂組成物を得、その他は実施例1と同様の
評価を行った。 《実施例8》実施例1におけるポリアミドの合成におい
て2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニ
ル)ヘキサフルオロプロパンを34.8重量部(0.0
95モル)に減らし、替わりに1,3−ビス(3−アミ
ノプロピル)−1,1,3,3−テトラメチルジシロキ
サン1.24重量部(0.005モル)を加え、一般式
(1)で示され、Xが下記式X−1、Yが下記式Y−1
及びY−2の混合、Zが下記式Z−1で、a=95、b
=5からなるポリアミド(A5)を合成し、その他は実
施例1と同様の評価を行った。
Example 6 In the synthesis of polyamide in Example 1, diphenyl ether-4,4'- was used instead of terephthalic acid chloride and isophthalic acid chloride.
Dicarboxylic acid chloride is used and 2,2-bis (3
-Amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane is replaced by 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxydiphenylsulfone to give a compound of the general formula (1)
X is the following formula X-2, Y is the following formula Y-3,
= 100, and the synthesis of b = 0 a polyamide (A 3), others were evaluated in the same manner as in Example 1. Example 7 In the synthesis of the polyamide in Example 1, diphenyl ether-4,4'-dicarboxylic acid chloride was used instead of terephthalic acid chloride and isophthalic acid chloride, and 2,2-bis (3-amino-4 -Hydroxyphenyl) hexafluoropropane is replaced by 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxydiphenyl ether, represented by the general formula (1), wherein X is the following formula X-3, and Y is the following formula In Y-3, a = 100, b =
Synthesis of a polyamide (A 4 ) consisting of No. 0 was carried out, and a diazoquinone (Q2) having the following structure was used as the diazoquinone to obtain a photosensitive resin composition. Other evaluations were conducted in the same manner as in Example 1. << Example 8 >> In the synthesis of the polyamide in Example 1, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane was added with 34.8 parts by weight (0.08 parts by weight).
95 mol), and 1.24 parts by weight (0.005 mol) of 1,3-bis (3-aminopropyl) -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane was added instead. X is the following formula X-1, and Y is the following formula Y-1
And Y-2, Z is the following formula Z-1, a = 95, b
= A five polyamide (A 5) were synthesized, others were evaluated in the same manner as in Example 1.

【0027】《比較例1》実施例1において有機ケイ素
化合物を添加しないで評価を行った。 《比較例2》実施例5において有機ケイ素化合物を添加
しないで評価を行った。 《比較例3》実施例6において有機ケイ素化合物を添加
しないで評価を行った。 《比較例4》実施例1においての有機ケイ素化合物の添
加量を0.5重量部に減らして評価を行った。 《比較例5》実施例1における有機ケイ素化合物の添加
量を50重量部に増して評価を行った。 《比較例6》実施例1における有機ケイ素化合物をS−
4に替えて評価を行った。 《比較例7》実施例1における有機ケイ素化合物をS−
5に替えて評価を行った。 《比較例8》実施例1における有機ケイ素化合物をS−
6に替えて評価を行った。以上実施例1〜8、比較例1
〜8の評価結果を表1に示す。
Comparative Example 1 Evaluation was made in Example 1 without adding an organosilicon compound. << Comparative Example 2 >> Evaluation was made in Example 5 without adding an organosilicon compound. << Comparative Example 3 >> Evaluation was made in Example 6 without adding an organosilicon compound. << Comparative Example 4 >> The evaluation was performed by reducing the amount of the organosilicon compound in Example 1 to 0.5 part by weight. << Comparative Example 5 >> The evaluation was performed by increasing the amount of the organosilicon compound in Example 1 to 50 parts by weight. << Comparative Example 6 >> The organosilicon compound in Example 1 was replaced with S-
The evaluation was performed in place of 4. << Comparative Example 7 >> The organosilicon compound in Example 1 was replaced with S-
The evaluation was performed in place of 5. << Comparative Example 8 >> The organosilicon compound in Example 1 was replaced with S-
The evaluation was performed in place of 6. Examples 1 to 8 and Comparative Example 1
Table 1 shows the evaluation results of Nos. To 8.

【0028】[0028]

【化18】 Embedded image

【0029】[0029]

【化19】 Embedded image

【0030】[0030]

【化20】 Embedded image

【0031】[0031]

【化21】 Embedded image

【0032】[0032]

【表1】 [Table 1]

【0033】[0033]

【発明の効果】本発明によれば、基板との密着性に優れ
るポジ型感光性樹脂組成物を得ることができる。
According to the present invention, a positive photosensitive resin composition having excellent adhesion to a substrate can be obtained.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G03F 7/075 501 G03F 7/075 501 //(C08K 5/23 5:54) (72)発明者 竹田 敏郎 東京都品川区東品川2丁目5番8号 住友 ベークライト株式会社内──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Agency reference number FI Technical display location G03F 7/075 501 G03F 7/075 501 // (C08K 5/23 5:54) (72) Invention Person Toshiro Takeda 2-5-8 Higashishinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Sumitomo Bakelite Co., Ltd.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一般式(1)で示されるポリアミド
(A)100重量部と感光性ジアゾキノン化合物(B)
1〜100重量部と一般式(2)で表わされる有機ケイ
素化合物(C)0.1〜20重量部からなることを特徴
とするポジ型感光性樹脂組成物。 【化1】 【化2】
1. 100 parts by weight of a polyamide (A) represented by the general formula (1) and a photosensitive diazoquinone compound (B)
A positive photosensitive resin composition comprising 1 to 100 parts by weight and 0.1 to 20 parts by weight of an organosilicon compound (C) represented by the general formula (2). Embedded image Embedded image
【請求項2】 一般式(2)で表される有機ケイ素化合
物(C)におけるR5 が、−CH=CH− である請求
項1記載のポジ型感光性樹脂組成物。
2. The positive photosensitive resin composition according to claim 1, wherein R 5 in the organosilicon compound (C) represented by the general formula (2) is —CH = CH—.
【請求項3】 一般式(1)のポリアミドにおけるX
が、下記より選ばれてなる請求項1又は2記載のポジ型
感光性樹脂組成物。 【化3】
3. X in the polyamide of the general formula (1)
Is selected from the following: The positive photosensitive resin composition according to claim 1 or 2, wherein Embedded image
【請求項4】 一般式(1)のポリアミドにおけるY
が、下記より選ばれてなる請求項1、2又は3記載のポ
ジ型感光性樹脂組成物。 【化4】
4. Y in the polyamide of the general formula (1)
Is selected from the following: The positive photosensitive resin composition according to claim 1, 2 or 3. Embedded image
【請求項5】 感光性ジアゾキノン化合物(B)が、下
記より選ばれてなる請求項1、2、3又は4記載のポジ
型感光性樹脂組成物。 【化5】
5. The positive photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the photosensitive diazoquinone compound (B) is selected from the following. Embedded image
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JP2022553764A (en) * 2019-10-23 2022-12-26 ヒューネットプラス カンパニー リミテッド Polysiloxane copolymers, methods for their preparation, and resin compositions containing polysiloxane copolymers

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010090386A (en) * 1999-03-30 2010-04-22 Asahi Kasei E-Materials Corp Photosensitive resin composition
JP2022553764A (en) * 2019-10-23 2022-12-26 ヒューネットプラス カンパニー リミテッド Polysiloxane copolymers, methods for their preparation, and resin compositions containing polysiloxane copolymers

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