JP2002278051A - Positive type photosensitive resin composition and semiconductor device - Google Patents

Positive type photosensitive resin composition and semiconductor device

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JP2002278051A
JP2002278051A JP2001077602A JP2001077602A JP2002278051A JP 2002278051 A JP2002278051 A JP 2002278051A JP 2001077602 A JP2001077602 A JP 2001077602A JP 2001077602 A JP2001077602 A JP 2001077602A JP 2002278051 A JP2002278051 A JP 2002278051A
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JP
Japan
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photosensitive resin
resin composition
positive photosensitive
weight
parts
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Application number
JP2001077602A
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Japanese (ja)
Inventor
Toshio Banba
敏夫 番場
Takashi Hirano
孝 平野
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Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a positive type photosensitive resin composition giving a light-colored film after curing and less liable to discoloration even in a heat treatment process after curing. SOLUTION: The positive type photosensitive resin composition comprises 100 pts.wt. polyamide (A) of formula (I) having phenolic hydroxyl groups, 1-100 pts.wt. photosensitive diazoquinone compound (B) and 1-20 pts.wt. phosphorus compound (C).

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、硬化後の膜の色が
淡く、また硬化後の熱処理プロセスにおいても変色が少
ないポジ型感光性樹脂組成物に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a positive photosensitive resin composition having a pale color after curing and having little discoloration in a heat treatment process after curing.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から、半導体素子の表面保護膜、層
間絶縁膜として耐熱性が優れ、卓越した電気特性、機械
特性等を有するポリイミド樹脂が用いられているが、近
年、半導体素子の高集積化、大型化、パッケージの薄型
化、小型化、半田リフローによる表面実装への移行等に
より耐熱サイクル性、耐熱ショック性等の著しい向上の
要求があり、更に高性能の樹脂が必要とされるようにな
ってきた。一方、ポリイミド樹脂自身に感光性を付与す
る技術が注目を集めてきており、例えば下記式(II)に
示される感光性ポリイミド樹脂が挙げられる。
2. Description of the Related Art Conventionally, a polyimide resin having excellent heat resistance and excellent electrical and mechanical properties has been used as a surface protective film and an interlayer insulating film of a semiconductor element. There is a demand for remarkable improvement in heat cycle resistance and heat shock resistance due to the increase in size, increase in size, thinner and smaller package, shift to surface mounting by solder reflow, etc., and further high-performance resin is required. It has become On the other hand, a technique for imparting photosensitivity to the polyimide resin itself has attracted attention, and examples thereof include a photosensitive polyimide resin represented by the following formula (II).

【0003】[0003]

【化5】 Embedded image

【0004】これを用いるとパターン作成工程の一部が
簡略化でき、工程短縮の効果はあるが、現像の際にN−
メチル−2−ピロリドン等の溶剤が必要となるため、安
全性、取扱い性に問題がある。そこで最近、アルカリ水
溶液で現像ができるポジ型の感光性樹脂が開発されてい
る。例えば、特公平1−46862号公報においてはポ
リベンゾオキサゾール前駆体とジアゾキノン化合物より
構成されるポジ型感光性樹脂が開示されている。これは
高い耐熱性、優れた電気特性、微細加工性を有し、ウェ
ハーコート用のみならず層間絶縁用樹脂としての可能性
も有している。このポジ型の感光性樹脂の現像メカニズ
ムは、未露光部のジアゾキノン化合物はアルカリ水溶液
に不溶であるが、露光することによりジアゾキノン化合
物が化学変化を起こし、アルカリ水溶液に可溶となる。
この露光部と未露光部との溶解性の差を利用し、露光部
を溶解除去することにより、未露光部のみの塗膜パター
ンの作成が可能となるものである。
When this is used, a part of the pattern forming process can be simplified, which has the effect of shortening the process.
Since a solvent such as methyl-2-pyrrolidone is required, there is a problem in safety and handling. Therefore, recently, a positive photosensitive resin that can be developed with an alkaline aqueous solution has been developed. For example, Japanese Patent Publication No. 1-46862 discloses a positive photosensitive resin composed of a polybenzoxazole precursor and a diazoquinone compound. It has high heat resistance, excellent electrical properties and fine workability, and has the potential not only as a wafer coat but also as an interlayer insulating resin. The mechanism of development of this positive photosensitive resin is that the unexposed part of the diazoquinone compound is insoluble in an aqueous alkali solution, but the exposure causes the diazoquinone compound to undergo a chemical change and become soluble in the aqueous alkali solution.
By utilizing the difference in solubility between the exposed portion and the unexposed portion to dissolve and remove the exposed portion, it becomes possible to form a coating film pattern of only the unexposed portion.

【0005】この特公平1−46862号公報に示され
ているポジ型感光性樹脂は現像後、約300〜400℃
の温度で熱処理を行い閉環し(硬化)、熱安定性に優れ
た膜に変換するのが一般的なプロセスである。しかし、
この硬化を行うとポリベンゾオキサゾール樹脂及びジア
ゾキノン化合物が分解、酸化し、膜が黒く変色するとい
う問題ある。また、半導体の製造プロセスにおいてはポ
リベンゾオキサゾール樹脂の硬化のプロセス後にも、様
々な熱処理が行われる。例えば、LOC構造の場合はL
OCテープ付きリードフレームを350〜450℃の高
温でチップに圧着する。その際、チップにコートしたポ
リベンゾオキサゾール樹脂も黒く変色する。変色すると
その後に行われるワイヤーボンディング時に認識不良が
発生する。そこで硬化後の膜の色が淡く、また硬化後の
熱処理プロセスにおいても変色が少ないポジ型感光性樹
脂組成物が望まれている。
After development, the positive photosensitive resin disclosed in Japanese Patent Publication No. 1-46862 is heated to about 300-400 ° C.
Is a general process of performing a heat treatment at the temperature described above to close the ring (curing) and convert the film into a film having excellent thermal stability. But,
When this curing is performed, there is a problem that the polybenzoxazole resin and the diazoquinone compound are decomposed and oxidized, and the film turns black. Further, in the semiconductor manufacturing process, various heat treatments are also performed after the curing process of the polybenzoxazole resin. For example, in the case of the LOC structure, L
The lead frame with the OC tape is pressure-bonded to the chip at a high temperature of 350 to 450 ° C. At that time, the polybenzoxazole resin coated on the chip also turns black. When the color changes, recognition failure occurs during the subsequent wire bonding. Therefore, a positive photosensitive resin composition in which the color of the cured film is light and the discoloration is small in the heat treatment process after the curing is desired.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】硬化後の膜の色が淡
く、また硬化後の熱処理プロセスにおいても変色が少な
いポジ型感光性樹脂組成物に関するものである。
The present invention relates to a positive photosensitive resin composition in which the color of a cured film is light and the discoloration is small even in a heat treatment process after curing.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】一般式(I)で示される
ポリアミド(A)100重量部と感光性ジアゾキノン化
合物(B)1〜100重量部とリン系の化合物(C)
0.5〜20重量部からなるポジ型感光性樹脂組成物で
ある。またそれを用いて製作された半導体装置である。
Means for Solving the Problems 100 parts by weight of a polyamide (A) represented by the general formula (I), 1 to 100 parts by weight of a photosensitive diazoquinone compound (B), and a phosphorus compound (C)
It is a positive photosensitive resin composition comprising 0.5 to 20 parts by weight. Also, it is a semiconductor device manufactured using the same.

【0008】[0008]

【化6】 Embedded image

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】式(I)のポリアミドは、Xの構
造を有するジアミンとYの構造を有するジカルボン酸と
更にEの構造を有するカルボン酸誘導体から合成され、
このポリアミドを約300〜400℃で加熱すると脱水
閉環し、ポリベンゾオキサゾールという耐熱性樹脂に変
化する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The polyamide of the formula (I) is synthesized from a diamine having the structure X, a dicarboxylic acid having the structure Y and a carboxylic acid derivative further having the structure E.
When this polyamide is heated at about 300 to 400 ° C., it undergoes dehydration and ring closure to change to a heat-resistant resin called polybenzoxazole.

【0010】本発明のポリアミド(I)のXは、例え
ば、
X of the polyamide (I) of the present invention is, for example,

【化7】 等であるがこれらに限定されるものではない。Embedded image Etc., but are not limited to these.

【0011】この中で特に好ましいものは、[0011] Of these, particularly preferred are:

【化8】 より選ばれるものである。Embedded image It is more chosen.

【0012】又式(I)のYは、例えば、Further, Y in the formula (I) is, for example,

【化9】 等であるがこれらに限定されるものではない。Embedded image Etc., but are not limited to these.

【0013】これらの中で特に好ましいものは、Among these, particularly preferred are:

【化10】 より選ばれるものである。Embedded image It is more chosen.

【0014】又式(I)のEは、Yの構造を有するジカ
ルボン酸誘導体とXの構造を有するジアミンを反応させ
てポリアミドを合成した後、末端アミノ基をアルケニル
基又はアルキニル基を少なくとも1個有するカルボン酸
誘導体を反応させ、末端封止を行うもので、カルボン酸
誘導体としては5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン
酸無水物、無水マレイン酸等が挙げられるが、特に5−
ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物が好まし
い。
E in the formula (I) represents a polyamide synthesized by reacting a dicarboxylic acid derivative having the structure of Y with a diamine having the structure of X, and then ending the terminal amino group with at least one alkenyl group or alkynyl group. The reaction is carried out by reacting a carboxylic acid derivative having the same, and the terminal is blocked. Examples of the carboxylic acid derivative include 5-norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride, maleic anhydride and the like.
Norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride is preferred.

【0015】更に、式(I)のZは、例えばFurther, Z in the formula (I) is, for example,

【化11】 等であるがこれらに限定されるものではない。Embedded image Etc., but are not limited to these.

【0016】式(I)のZは、更により高い密着性が必
要な場合に用いるが、その使用割合bは最大40.0モ
ル%までである。40.0モル%を越えると樹脂の溶解
性が極めて低下し、現像残り(スカム)が発生し、パタ
ーン加工ができない。なお、これらX、Y、E、Zの使
用にあたっては、それぞれ1種類であっても2種類以上
の混合物であっても構わない。
Z in the formula (I) is used when even higher adhesion is required, but the proportion b used is up to 40.0 mol%. If it exceeds 40.0 mol%, the solubility of the resin is extremely reduced, and undeveloped portions (scum) are generated, so that pattern processing cannot be performed. In using these X, Y, E, and Z, one type or a mixture of two or more types may be used.

【0017】本発明で用いる感光性ジアゾキノン化合物
は、1,2−ベンゾキノンジアジドあるいは1,2−ナ
フトキノンジアジド構造を有する化合物であり、米国特
許第2,772,972号、同第2,797,213
号、同第3,669,658号により公知の物質であ
る。例えば、下記のものが挙げられる。
The photosensitive diazoquinone compound used in the present invention is a compound having a 1,2-benzoquinonediazide or 1,2-naphthoquinonediazide structure, and is disclosed in US Pat. Nos. 2,772,972 and 2,797,213.
No. 3,669,658. For example, the following are mentioned.

【0018】[0018]

【化12】 Embedded image

【0019】[0019]

【化13】 Embedded image

【0020】これらの中で特に好ましいものとしては下
記のものがある。
Among these, the following are particularly preferred.

【化14】 Embedded image

【0021】感光性ジアゾキノン化合物(B)のポリア
ミド(A)への配合量は、ポリアミド100重量部に対
し、1〜100重量部が好ましく、配合量が1重量部未
満だと樹脂のパターニング性が不良であり、逆に100
重量部を越えると硬化後に得られる膜の引張り伸び率が
著しく低下する。
The compounding amount of the photosensitive diazoquinone compound (B) to the polyamide (A) is preferably 1 to 100 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polyamide. It is bad, conversely 100
If the amount is more than 10 parts by weight, the tensile elongation of the film obtained after curing is significantly reduced.

【0022】本発明のポジ型感光性樹脂組成物には、必
要により感光特性を高めるためにジヒドロピリジン誘導
体を加えることができる。ジヒドロピリジン誘導体とし
ては、例えば、2,6−ジメチル−3,5−ジアセチル
−4−(2′−ニトロフェニル)−1,4−ジヒドロピ
リジン、4−(2′−ニトロフェニル)−2,6−ジメ
チル−3,5−ジカルボエトキシ−1,4−ジヒドロピ
リジン、4−(2′,4′−ジニトロフェニル)−2,
6−ジメチル−3,5−ジカルボメトキシ−1,4−ジ
ヒドロピリジン等を挙げることができる。
A dihydropyridine derivative can be added to the positive photosensitive resin composition of the present invention, if necessary, to enhance the photosensitive characteristics. Examples of the dihydropyridine derivative include, for example, 2,6-dimethyl-3,5-diacetyl-4- (2′-nitrophenyl) -1,4-dihydropyridine, 4- (2′-nitrophenyl) -2,6-dimethyl -3,5-dicarbethoxy-1,4-dihydropyridine, 4- (2 ', 4'-dinitrophenyl) -2,
6-dimethyl-3,5-dicarbomethoxy-1,4-dihydropyridine and the like can be mentioned.

【0023】本発明のポジ型感光性樹脂組成物において
は更にリン系の化合物を用いることを必須としており、
一般式(I)で示されるポリアミドを用いることによっ
て変色などに効果があることを見出した。本発明に使用
できるリン系の化合物の具体例としては、ジエチル
[[3,5―ビス(1,1−ジメチルエチル)―4−ヒ
ドロキシフェニル]メチル]ホスフォネート、トリス
(2,4−ジーtert―ブチルフェニル)フォスファ
イト、ビス[2,4−ビス(1,1−ジメチルエチル)
―6−メチルフェニル]エチルエステル亜リン酸、テト
ラキス(2,4−tert―ブチルフェニル)[1,1
−ビフェニル]―4,4’―ジイルビスホスフォナイ
ト、ビス(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)ペ
ンタエリスリトールジフォスファイト等を挙げることが
できる。また、これらの使用にあたっては単独で使用し
ても、2種類以上の混合物で使用することができる。ま
た、一般的なヒンダードフェノール系酸化防止剤を併用
することもできる。
In the positive photosensitive resin composition of the present invention, it is essential to further use a phosphorus compound.
It has been found that the use of the polyamide represented by the general formula (I) is effective for discoloration and the like. Specific examples of the phosphorus-based compound that can be used in the present invention include diethyl [[3,5-bis (1,1-dimethylethyl) -4-hydroxyphenyl] methyl] phosphonate and tris (2,4-ditert- Butylphenyl) phosphite, bis [2,4-bis (1,1-dimethylethyl)
-6-methylphenyl] ethyl ester phosphorous acid, tetrakis (2,4-tert-butylphenyl) [1,1
-Biphenyl] -4,4'-diylbisphosphonite, bis (2,4-di-tert-butylphenyl) pentaerythritol diphosphite and the like. In addition, these can be used alone or in a mixture of two or more. Further, a general hindered phenol-based antioxidant can be used in combination.

【0024】リン系の化合物のポジ型感光性樹脂組成物
への配合量はポリアミド(A)100重量部に対して
0.5〜20重量部であり、好ましくは 1〜10重量
部である。配合量が0.5重量部未満だと耐変色の効果
が得られず、また20重量部を超えると感度が低下し実
用性に問題があり好ましくない。
The amount of the phosphorus compound to be added to the positive photosensitive resin composition is 0.5 to 20 parts by weight, preferably 1 to 10 parts by weight, per 100 parts by weight of the polyamide (A). When the amount is less than 0.5 part by weight, the effect of discoloration resistance cannot be obtained, and when the amount exceeds 20 parts by weight, sensitivity is lowered, and there is a problem in practicality.

【0025】本発明におけるポジ型感光性樹脂組成物に
は、必要によりレベリング剤、シランカップリング剤等
の添加剤を添加することができる。
If necessary, additives such as a leveling agent and a silane coupling agent can be added to the positive photosensitive resin composition of the present invention.

【0026】本発明においてはこれらの成分を溶剤に溶
解し、ワニス状にして使用する。溶剤としては、N−メ
チル−2−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、N,N−
ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチ
レングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコー
ルジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエ
ーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジ
プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチ
ル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチル−1,3−ブチレ
ングリコールアセテート、1,3−ブチレングリコール
−3−モノメチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビ
ン酸エチル、メチル−3−メトキシプロピオネート等が
挙げられ、単独でも混合して用いてもよい。
In the present invention, these components are dissolved in a solvent and used in the form of a varnish. Examples of the solvent include N-methyl-2-pyrrolidone, γ-butyrolactone, N, N-
Dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl lactate, ethyl lactate, butyl lactate, methyl-1,3-butylene Glycol acetate, 1,3-butylene glycol-3-monomethyl ether, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl-3-methoxypropionate, etc., may be used alone or as a mixture.

【0027】本発明のポジ型感光性樹脂組成物の使用方
法は、まず該組成物を適当な支持体、例えば、シリコン
ウェハー、セラミック基板、アルミ基板等に塗布する。
塗布方法としては、スピンナーを用いた回転塗布、スプ
レーコーターを用いた噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコ
ーティング等がある。次に、60〜130℃でプリベー
クして塗膜を乾燥後、所望のパターン形状に化学線を照
射する。化学線としては、X線、電子線、紫外線、可視
光線等が使用できるが、200〜500nmの波長のも
のが好ましい。次に照射部を現像液で溶解除去すること
によりレリーフパターンを得る。現像液としては、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ
酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等
の無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルアミン
等の第1アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−プロピル
アミン等の第2アミン類、トリエチルアミン、メチルジ
エチルアミン等の第3アミン類、ジメチルエタノールア
ミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチル
アンモニウムヒドロキシド等の第4級アンモニウム塩等
のアルカリ類の水溶液、及びこれにメタノール、エタノ
ールのごときアルコール類等の水溶性有機溶媒や界面活
性剤を適当量添加した水溶液を好適に使用することがで
きる。現像方法としては、スプレー、パドル、浸漬、超
音波等の方式が可能である。次に、現像によって形成し
たレリーフパターンをリンスする。リンス液としては、
蒸留水を使用する。次に加熱処理を行い、オキサゾール
環を形成し、耐熱性に富む最終パターンを得る。本発明
によるポジ型感光性樹脂組成物は、半導体用途のみなら
ず、多層回路の層間絶縁やフレキシブル銅張板のカバー
コート、ソルダーレジスト膜や液晶配向膜等としても有
用である。半導体装置に用いるときは公知の方法を用い
ることができる。
In the method of using the positive photosensitive resin composition of the present invention, the composition is first applied to a suitable support, for example, a silicon wafer, a ceramic substrate, an aluminum substrate or the like.
Examples of the coating method include spin coating using a spinner, spray coating using a spray coater, dipping, printing, and roll coating. Next, after pre-baking at 60 to 130 ° C. to dry the coating film, a desired pattern shape is irradiated with actinic radiation. As the actinic radiation, X-rays, electron beams, ultraviolet rays, visible rays and the like can be used, but those having a wavelength of 200 to 500 nm are preferable. Next, a relief pattern is obtained by dissolving and removing the irradiated portion with a developer. Examples of the developer include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, and aqueous ammonia, primary amines such as ethylamine and n-propylamine, diethylamine, and di-n. Secondary amines such as propylamine, tertiary amines such as triethylamine and methyldiethylamine, alcoholamines such as dimethylethanolamine and triethanolamine,
An aqueous solution of an alkali such as a quaternary ammonium salt such as tetramethylammonium hydroxide or tetraethylammonium hydroxide, and an aqueous solution obtained by adding an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as alcohol such as methanol or ethanol or a surfactant. Can be suitably used. As a developing method, a system such as spray, paddle, immersion, and ultrasonic wave can be used. Next, the relief pattern formed by development is rinsed. As the rinse liquid,
Use distilled water. Next, heat treatment is performed to form an oxazole ring, and a final pattern having high heat resistance is obtained. The positive photosensitive resin composition according to the present invention is useful not only for semiconductor applications, but also as interlayer insulation for multilayer circuits, cover coats for flexible copper clad boards, solder resist films, liquid crystal alignment films, and the like. When used for a semiconductor device, a known method can be used.

【0028】[0028]

【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。 《実施例1》 *ポリアミドの合成 ジフェニルエーテル−4、4’−ジカルボン酸1モルと
1−ヒドロキシベンゾトリアゾール2モルとを反応させ
て得られたジカルボン酸誘導体443.2重量部(0.
9モル)とヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ
−4−ヒドロキシフェニル)プロパン366.3重量部
(1.0モル)とを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥
窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに
入れ、N−メチル−2−ピロリドン3000重量部を加
えて溶解させた。その後オイルバスを用いて75℃にて
12時間反応させた。次にN−メチル−2−ピロリドン
500重量部に溶解させた5−ノルボルネン−2、3−
ジカルボン酸無水物32.8重量部(0.2モル)を加
え、更に12時間攪拌し反応を終了した。反応混合物を
ろ過した後、反応混合物を水/メタノール=3/1の溶
液に投入、沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下
で乾燥し、目的のポリアミド(A−1)を得た。
The present invention will be described below in detail with reference to examples. << Example 1 >> * Synthesis of polyamide 443.2 parts by weight of a dicarboxylic acid derivative obtained by reacting 1 mol of diphenyl ether-4,4'-dicarboxylic acid with 2 mol of 1-hydroxybenzotriazole (0.
9 mol) and 366.3 parts by weight (1.0 mol) of hexafluoro-2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) propane were mixed with a thermometer, a stirrer, a raw material inlet, and a dry nitrogen gas inlet tube. Was placed in a four-necked separable flask, and 3000 parts by weight of N-methyl-2-pyrrolidone was added to dissolve. Thereafter, the reaction was carried out at 75 ° C. for 12 hours using an oil bath. Next, 5-norbornene-2,3-dissolved in 500 parts by weight of N-methyl-2-pyrrolidone
32.8 parts by weight (0.2 mol) of dicarboxylic anhydride was added, and the mixture was further stirred for 12 hours to complete the reaction. After filtering the reaction mixture, the reaction mixture was poured into a solution of water / methanol = 3/1, the precipitate was collected by filtration, washed sufficiently with water, and dried under vacuum to obtain the desired polyamide (A-1). Obtained.

【0029】*ポジ型感光性樹脂組成物の作製 合成したポリアミド(A−1)100重量部、下記式の
構造を有するジアゾキノン(B−1)25重量部、ジエ
チル[[3,5―ビス(1,1−ジメチルエチル)―4
−ヒドロキシフェニル]メチル]ホスフォネート(C−
1)5重量部をN―メチル2−ピロリドン250重量部
に溶解した後、0.2μmのテフロン(登録商標)フィ
ルターで濾過し感光性樹脂組成物を得た。
* Preparation of Positive Photosensitive Resin Composition 100 parts by weight of the synthesized polyamide (A-1), 25 parts by weight of diazoquinone (B-1) having a structure of the following formula, and diethyl [[3,5-bis ( 1,1-dimethylethyl) -4
-Hydroxyphenyl] methyl] phosphonate (C-
1) 5 parts by weight was dissolved in 250 parts by weight of N-methyl 2-pyrrolidone, and then filtered through a 0.2 μm Teflon (registered trademark) filter to obtain a photosensitive resin composition.

【0030】*現像性評価 このポジ型感光性樹脂組成物をシリコンウエハー上にス
ピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートで4
分乾燥し、膜厚5μmの塗膜を得た。この塗膜にg線ス
テッパー露光機NSR−1503G3A(ニコン(株)
製)によりレチクルを通して100mJ/cm2から1
0mJ/cm2づつ増やして、露光を行った後、2.3
8%のテトラヒドキシアンモニュウムヒドロキシド水溶
液(東京応化工業(株)製:NMD−3)で40秒現像
した後、純水で1分リンスし、スピンナーで風乾させ
た。その結果、5μmのライン&スペースが露光量25
0mJ/cm2で開口していることが確認できた。
* Evaluation of Developability After coating this positive photosensitive resin composition on a silicon wafer by using a spin coater, the composition was coated on a hot plate for 4 hours.
After drying for a minute, a coating film having a thickness of 5 μm was obtained. A g-line stepper exposure machine NSR-1503G3A (Nikon Corporation)
From 100 mJ / cm 2 through reticle
After performing exposure by increasing by 0 mJ / cm 2 , 2.3
After developing with an 8% aqueous solution of tetrahydroxyammonium hydroxide (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd .: NMD-3) for 40 seconds, the film was rinsed with pure water for 1 minute and air-dried with a spinner. As a result, a 5 μm line & space has an exposure amount of 25.
It was confirmed that the opening was at 0 mJ / cm 2 .

【0031】*着色性評価 このポジ型感光性樹脂組成物を石英板にスピンコーター
を用いて塗布した後、ホットプレートにて120℃で4
分間、プリベークした。更にクリーンオーブンを用い、
30分/150℃、30分/320℃の順で、窒素雰囲
気で、加熱、硬化させ硬化後10μm膜厚のフィルムを
得た。次ぎに分光光度計を用いて、500nmでの透過
率を測定すると、52.1%と高い透明性であった。更
に次ぎにホットプレートを用いて400℃/30秒熱処
理を行った後、もう一度分光光度計で500nmでの透
過率を測定すると、29.8%と高い透明性であった。
* Evaluation of Colorability After applying this positive photosensitive resin composition to a quartz plate using a spin coater, the composition was heated at 120 ° C. on a hot plate for 4 hours.
Prebaked for minutes. Using a clean oven,
After heating and curing in a nitrogen atmosphere in the order of 30 minutes / 150 ° C. and 30 minutes / 320 ° C., a film having a thickness of 10 μm was obtained after curing. Next, when the transmittance at 500 nm was measured using a spectrophotometer, the transparency was as high as 52.1%. Next, after performing a heat treatment at 400 ° C. for 30 seconds using a hot plate, the transmittance at 500 nm was measured again with a spectrophotometer, and it was 29.8% and high transparency.

【0032】《実施例2》実施例1におけるリン系の化
合物(C−1)をトリス(2,4−ジーtert―ブチ
ルフェニル)フォスファイト(C−2)に替えて評価を
行った。 《実施例3》実施例1におけるリン系の化合物(C−
1)を、ビス[2,4−ビス(1,1−ジメチルエチ
ル)―6−メチルフェニル]エチルエステル亜リン酸
(C−3)に替えて評価を行った。 《実施例4》実施例1におけるリン系の化合物(C−
1)の添加量を1重量部にして評価を行った。 《実施例5》実施例1におけるリン系の化合物(C−
1)の添加量を10重量部にして評価を行った。 《実施例6》実施例1におけるポリアミドの合成におい
て、ジフェニルエーテル−4、4’−ジカルボン酸1モ
ルの替わりに、テレフタル酸0.8モル、イソフタル酸
0.2モルを反応させて得られたジカルボン酸誘導体を
用いてポリアミド(A−2)を合成し、その他は実施例
1と同様の評価を行った。 《実施例7》実施例1におけるポリアミドの合成におい
てヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒ
ドロキシフェニル)プロパンを329.6重量部(0.
9モル)に減らし、替わりに1,3−ビス(3−アミノ
プロピル)−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサ
ン24.9重量部(0.1モル)を加え、ポリアミド
(A−3)を合成し、その他は実施例1と同様の評価を
行った。 《実施例8》実施例1における感光性ジアゾキノン化合
物(B−1)を(B−2)に替えて評価を行った。
Example 2 Evaluation was made by replacing the phosphorus compound (C-1) in Example 1 with tris (2,4-ditert-butylphenyl) phosphite (C-2). << Example 3 >> The phosphorus compound (C-
Evaluation was performed by replacing 1) with bis [2,4-bis (1,1-dimethylethyl) -6-methylphenyl] ethyl ester phosphorous acid (C-3). << Example 4 >> The phosphorus compound (C-
The evaluation was performed with the addition amount of 1) being 1 part by weight. << Example 5 >> The phosphorus compound (C-
The evaluation was performed with the addition amount of 1) being 10 parts by weight. Example 6 In the synthesis of polyamide in Example 1, dicarboxylic acid obtained by reacting 0.8 mol of terephthalic acid and 0.2 mol of isophthalic acid instead of 1 mol of diphenyl ether-4,4′-dicarboxylic acid Polyamide (A-2) was synthesized using an acid derivative, and the other evaluations were the same as in Example 1. Example 7 In the synthesis of the polyamide in Example 1, 329.6 parts by weight of hexafluoro-2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) propane was added.
9 mol), and 24.9 parts by weight (0.1 mol) of 1,3-bis (3-aminopropyl) -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane were added instead. 3) was synthesized, and the other evaluations were performed in the same manner as in Example 1. << Example 8 >> The evaluation was performed by replacing the photosensitive diazoquinone compound (B-1) in Example 1 with (B-2).

【0033】《比較例1》実施例1においてリン系の化
合物を添加しないで評価を行った。その結果、表1に示
すように硬化後透過率、熱処理後透過率は低かった。 《比較例2》実施例1においてリン系の化合物(C−
1)の添加量を0.1重量部にして評価を行った。その
結果、硬化後透過率、熱処理後透過率は低かった。 《比較例3》実施例1においてリン系の化合物(C−
1)の添加量を30重量部にして評価を行った。その結
果、感度は550mJ/cm2と低くなった。
Comparative Example 1 Evaluation was performed in Example 1 without adding a phosphorus compound. As a result, as shown in Table 1, the transmittance after curing and the transmittance after heat treatment were low. << Comparative Example 2 >> In Example 1, the phosphorus compound (C-
The evaluation was performed with the addition amount of 1) being 0.1 part by weight. As a result, the transmittance after curing and the transmittance after heat treatment were low. << Comparative Example 3 >> In Example 1, the phosphorus compound (C-
The evaluation was performed with the addition amount of 1) being 30 parts by weight. As a result, the sensitivity was lowered to 550 mJ / cm 2 .

【0034】[0034]

【化15】 Embedded image

【0035】[0035]

【化16】 Embedded image

【0036】実施例1〜8、比較例1〜3の評価結果を
表1に示す。
Table 1 shows the evaluation results of Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 to 3.

【表1】 [Table 1]

【0037】[0037]

【発明の効果】本発明によれば、硬化後の膜の色が淡
く、また硬化後の熱処理プロセスにおいても変色が少な
いポジ型感光性樹脂組成物を得ることができる。
According to the present invention, it is possible to obtain a positive photosensitive resin composition in which the color of the cured film is light and the discoloration is small even in the heat treatment process after curing.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G03F 7/037 G03F 7/037 7/075 521 7/075 521 H01L 21/027 H01L 21/30 502R Fターム(参考) 2H025 AA00 AA02 AA10 AA11 AA20 AB16 AC01 AD03 BE01 CB26 CB33 CB45 CC01 CC20 FA29 4J001 DA01 DB01 DB02 DC05 DC14 DC16 DD01 DD05 EB02 EB34 EB35 EB36 EB37 EB44 EB55 EB56 EB57 EB58 EB59 EB60 EC02 EC43 EC44 EC55 EC56 EC65 EC66 EC67 EC68 EC69 EC70 ED24 ED35 ED36 ED45 ED46 ED47 ED48 ED49 ED50 4J002 CL031 EQ016 EW047 EW067 EW117 GP03 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G03F 7/037 G03F 7/037 7/075 521 7/075 521 H01L 21/027 H01L 21/30 502R F-term (Ref.) EC70 ED24 ED35 ED36 ED45 ED46 ED47 ED48 ED49 ED50 4J002 CL031 EQ016 EW047 EW067 EW117 GP03

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一般式(I)で示されるポリアミド
(A)100重量部と感光性ジアゾキノン化合物(B)
1〜100重量部とリン系の化合物(C)0.5〜20
重量部からなることを特徴とするポジ型感光性樹脂組成
物。 【化1】
1. 100 parts by weight of a polyamide (A) represented by the general formula (I) and a photosensitive diazoquinone compound (B)
1 to 100 parts by weight and a phosphorus compound (C) 0.5 to 20
A positive photosensitive resin composition comprising parts by weight. Embedded image
【請求項2】 リン系の化合物が、ジエチル[[3,5
―ビス(1,1−ジメチルエチル)―4−ヒドロキシフ
ェニル]メチル]ホスフォネート、トリス(2,4−ジ
ーtert―ブチルフェニル)フォスファイト、ビス
[2,4−ビス(1,1−ジメチルエチル)―6−メチ
ルフェニル]エチルエステル亜リン酸、テトラキス
(2,4−tert―ブチルフェニル)[1,1−ビフ
ェニル]―4,4’―ジイルビスホスフォナイト、ビス
(2,4−ジ−tert−ブチルフェニル)ペンタエリ
スリトールジフォスファイトより選ばれてなる請求項1
記載のポジ型感光性樹脂組成物。
2. The method of claim 1, wherein the phosphorus compound is diethyl [[3,5
-Bis (1,1-dimethylethyl) -4-hydroxyphenyl] methyl] phosphonate, tris (2,4-ditert-butylphenyl) phosphite, bis [2,4-bis (1,1-dimethylethyl) -6-methylphenyl] ethyl ester phosphorous acid, tetrakis (2,4-tert-butylphenyl) [1,1-biphenyl] -4,4'-diylbisphosphonite, bis (2,4-di- 2. The composition according to claim 1, which is selected from tert-butylphenyl) pentaerythritol diphosphite.
The positive photosensitive resin composition according to the above.
【請求項3】 一般式(I)のポリアミドにおけるX
が、下記より選ばれてなる請求項1又は2記載のポジ型
感光性樹脂組成物。 【化2】
3. X in a polyamide of the general formula (I)
Is selected from the following: The positive photosensitive resin composition according to claim 1 or 2, wherein Embedded image
【請求項4】 一般式(I)のポリアミドにおけるY
が、下記より選ばれてなる請求項1、2又は3記載のポ
ジ型感光性樹脂組成物。 【化3】
4. Y in the polyamide of the general formula (I)
Is selected from the following: The positive photosensitive resin composition according to claim 1, 2 or 3. Embedded image
【請求項5】 感光性ジアゾキノン化合物(B)が、下
記より選ばれてなる請求項1、2、3又は4記載のポジ
型感光性樹脂組成物。 【化4】
5. The positive photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the photosensitive diazoquinone compound (B) is selected from the following. Embedded image
【請求項6】 請求項1〜6のいずれかに記載のポジ型
感光性樹脂組成物を用いて製作された半導体装置。
6. A semiconductor device manufactured using the positive photosensitive resin composition according to claim 1.
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