JPH10106999A - Wafer washer - Google Patents
Wafer washerInfo
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- JPH10106999A JPH10106999A JP25473996A JP25473996A JPH10106999A JP H10106999 A JPH10106999 A JP H10106999A JP 25473996 A JP25473996 A JP 25473996A JP 25473996 A JP25473996 A JP 25473996A JP H10106999 A JPH10106999 A JP H10106999A
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- wafer
- chamber
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- cleaning
- processing liquid
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はウェーハ洗浄装置に
関し、詳細には、密閉型のチャンバ内でウェーハを回転
させながら洗浄液を供給してスピン洗浄するウェーハ洗
浄装置に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a wafer cleaning apparatus, and more particularly, to a wafer cleaning apparatus for spin-cleaning by supplying a cleaning liquid while rotating a wafer in a closed chamber.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体製造ライン等におけるスピン式の
ウェーハ洗浄装置では、フッ化水素酸、オゾン添加超純
水、超純水等の高純度で活性の高い洗浄液を用いること
から、一般に、その内部雰囲気の調整が可能な密閉型に
構成されている。そして基本構成部として、その概要図
である〔図３〕に示すように、ウェーハ(W) を移載する
ために上部(31b) と下部(31a) に分割して開放可能とし
た密閉型のチャンバ(31)と、このチャンバ(31)内に配さ
れ、ウェーハ(W) を保持して回転するウェーハチャック
(32)と、そのウェーハ(W) 上に洗浄液を供給するノズル
(33)とを備え、そのノズル(33)からウェーハチャック(3
2)で保持・回転させているウェーハ(W) 上に洗浄液を供
給し、遠心力によって該ウェーハ(W) 表面に分散させて
洗浄を行う構成とされている。また通常、その洗浄時に
は、図示省略の循環供給系によりチャンバ(31)内を窒素
やアルゴンなどの不活性ガスでパージする。2. Description of the Related Art In a spin type wafer cleaning apparatus in a semiconductor manufacturing line or the like, a high purity and highly active cleaning liquid such as hydrofluoric acid, ozone-added ultrapure water and ultrapure water is used. It is configured as a closed type that can adjust the atmosphere. As a basic component, as shown in the schematic diagram of FIG. 3, a closed type which can be opened by being divided into an upper part (31b) and a lower part (31a) for transferring a wafer (W). A chamber (31) and a wafer chuck disposed in the chamber (31) and rotating while holding the wafer (W).
(32) and a nozzle for supplying the cleaning liquid on the wafer (W)
(33), and the wafer chuck (3
The cleaning liquid is supplied onto the wafer (W) held and rotated in 2), and the cleaning liquid is dispersed on the surface of the wafer (W) by centrifugal force to perform cleaning. Usually, during the cleaning, the inside of the chamber (31) is purged with an inert gas such as nitrogen or argon by a circulating supply system (not shown).
【０００３】一方、この種の洗浄装置では、処理液がチ
ャンバ内に滞留しないように速やかに排出する必要があ
る。そこで、例えば、特開平6-224173号公報に開示され
た洗浄装置では、その縦断面図である〔図４〕に示すよ
うに、チャンバ(41)内の上部にウェーハ(W) の周囲を覆
うカップ(41a) を設ける一方、そのチャンバ(41)底部
の、ウェーハチャック(42)の回転軸芯に近い位置に環状
の第１排出口(43)を設けると共に、この第１排出口(43)
よりも回転軸芯から遠いウェーハ(W) 外周縁に近い位置
に第２排出口(44)を設け、回転するウェーハ(W) 外周縁
から外方に飛び散った処理液を第２排出口(44)から排出
しながら、その外周縁からチャンバ(41)底部に流下した
処理液を環状の第１排出口(B3)から速やかに排出し、こ
れにより処理液に起因するウェーハへのミストの付着を
防止している。On the other hand, in this type of cleaning apparatus, it is necessary to quickly discharge the processing liquid so that the processing liquid does not stay in the chamber. Therefore, for example, in a cleaning apparatus disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-224173, the periphery of a wafer (W) is covered on the upper part in a chamber (41) as shown in FIG. While the cup (41a) is provided, an annular first outlet (43) is provided at a position near the rotation axis of the wafer chuck (42) at the bottom of the chamber (41), and the first outlet (43) is provided.
A second discharge port (44) is provided at a position closer to the outer peripheral edge of the wafer (W) farther from the rotation axis than the processing liquid scattered outward from the outer peripheral edge of the rotating wafer (W). ), The processing liquid that has flowed down from the outer peripheral edge to the bottom of the chamber (41) is quickly discharged from the first annular discharge port (B3), thereby preventing the mist from adhering to the wafer due to the processing liquid. Preventing.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来のウ
ェーハ洗浄装置では、密閉型のチャンバを上下部に２分
割して開放可能な構成としているため、次のような問題
が派生している。すなわち、この種のウェーハ洗浄装置
では、ウェーハをスピン洗浄する際に洗浄液がチャンバ
周壁面や上壁面に飛散し、多数の液滴が壁面に付着して
しまうので、そのチャンバを開放してウェーハを移載す
る際に、上部チャンバから液滴がウェーハ上に落下し、
洗浄済のウェーハ表面を汚染するという問題がしばしば
発生する。また、上記後者の洗浄装置（特開平6-224173
号）では、ウェーハの周囲を覆うカップによって洗浄液
の無制御な飛散は防止できるものの、そのカップ内面に
液滴が付着することは避け難いため、その液滴が移載時
のウェーハ上に落下することを完全には防止できない。However, in the above-mentioned conventional wafer cleaning apparatus, since the closed chamber is configured to be opened by being divided into upper and lower parts, the following problems arise. In other words, in this type of wafer cleaning apparatus, when spin cleaning the wafer, the cleaning liquid scatters on the peripheral wall or upper wall of the chamber, and many droplets adhere to the wall. During transfer, droplets fall from the upper chamber onto the wafer,
The problem of contaminating the cleaned wafer surface often arises. Further, the latter cleaning device (Japanese Patent Laid-Open No. 6-224173)
In (1), although the uncontrolled scattering of the cleaning liquid can be prevented by the cup covering the periphery of the wafer, it is inevitable that the droplet adheres to the inner surface of the cup, so that the droplet falls onto the wafer at the time of transfer. It cannot be completely prevented.
【０００５】本発明は、上記従来技術の問題点を解消す
るためのもので、移載するウェーハ上への液滴の落下を
完全に防止でき、しかもウェーハの移載を容易かつ円滑
に行うことのできるウェーハ洗浄装置を提供することを
目的とする。An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, and it is possible to completely prevent a droplet from dropping onto a wafer to be transferred, and to easily and smoothly transfer the wafer. It is an object of the present invention to provide a wafer cleaning apparatus capable of performing the above.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は以下の構成とされている。すなわち、本
発明に係るウェーハ洗浄装置は、一方を開閉可能とした
下部および上部チャンバを備えてなるチャンバ内の、下
部チャンバ中心部に垂直軸心回りに駆動回転されるウェ
ーハ保持具を配設すると共に、このウェーハ保持具の上
方に少なくとも１つの洗浄ノズルを配設し、該洗浄ノズ
ルから前記ウェーハ保持具に保持されたウェーハ上に洗
浄液を供給してスピン洗浄するウェーハ洗浄装置におい
て、前記ウェーハ保持具に保持されるウェーハの外径よ
りも少し大きい内径を有すると共に、外周側が斜め下方
にラッパ状に拡径するテーパ管部と、このテーパ管部外
縁から下方に向かう円筒部とを有してなるカバーを、前
記ウェーハ保持具を同芯に囲繞して、上下動可能に前記
下部チャンバ上に配設していることを特徴とする。In order to achieve the above object, the present invention has the following arrangement. That is, in the wafer cleaning apparatus according to the present invention, a wafer holder that is driven and rotated around a vertical axis is disposed at the center of the lower chamber in a chamber including a lower and an upper chamber that can be opened and closed on one side. A wafer cleaning apparatus for arranging at least one cleaning nozzle above the wafer holder and supplying a cleaning liquid from the cleaning nozzle onto the wafer held by the wafer holder to perform spin cleaning; A tapered tube portion having an inner diameter slightly larger than the outer diameter of the wafer held by the tool, and having a tapered tube portion whose outer peripheral side expands obliquely downward in a trumpet shape, and a cylindrical portion directed downward from the outer edge of the tapered tube portion. A cover is provided on the lower chamber so as to be vertically movable, surrounding the wafer holder concentrically.
【０００７】また、前記上部チャンバに、該上部チャン
バ上壁の前記ウェーハ保持具の回転軸線上に位置する部
位を気密に貫通し、その下端部に前記ウェーハ保持具に
保持されたウェーハ上面を指向して該ウェーハに対して
垂直な気流を発生させる垂直噴射口を中心部に有すると
共に、該垂直噴射口の外周側に前記カバーのテーパ管部
を指向する斜め下方にラッパ状に拡径されて該カバーの
内壁面に沿う気流を発生させるスリット状の斜角噴射口
を周設してなるガス噴射ノズルを設けても良い。Further, the upper chamber is airtightly penetrated through a portion of the upper chamber upper wall which is located on the rotation axis of the wafer holder, and the lower end thereof is directed to the upper surface of the wafer held by the wafer holder. A vertical injection port for generating an air flow perpendicular to the wafer is provided at the center, and the diameter of the vertical injection port is expanded diagonally downward toward the outer peripheral side of the cover toward the tapered tube portion of the cover. A gas injection nozzle having a slit-shaped oblique angle injection port for generating an air flow along the inner wall surface of the cover may be provided.
【０００８】また、前記洗浄ノズルが、外部の回転機構
に連結された基端部を前記上部チャンバの外周部上壁を
気密に貫通させて該チャンバ内上部に配された水平回動
アームに支持されて、その先端の噴射口を前記ウェーハ
保持具に保持されたウェーハ中心部上からチャンバ周壁
側に回動退避可能に配設されていても良い。Further, the washing nozzle supports a base end connected to an external rotation mechanism in a hermetically penetrating upper wall of an outer peripheral portion of the upper chamber, and is supported by a horizontal rotating arm disposed at an upper portion in the chamber. Then, the injection port at the tip may be disposed so as to be able to rotate and retreat from the center of the wafer held by the wafer holder to the chamber peripheral wall side.
【０００９】上記本発明のウェーハ洗浄装置では、ウェ
ーハ保持具に保持されるウェーハの外径よりも少し大き
い内径を有し、かつ外周側が斜め下方にラッパ状に拡径
するテーパ管部と、このテーパ管部外縁から下方に向か
う円筒部とを有してなるカバーを、ウェーハ保持具を同
芯に囲繞して、上下動可能に下部チャンバ上に配設して
いるので、ウェーハのスピン洗浄時において、このカバ
ーを、該カバーのテーパ管部内縁がウェーハ保持具で保
持したウェーハ上面を越える高さ位置まで上昇させるこ
とで、回転するウェーハ上に供給され遠心力によって外
周縁から外方に飛び散る処理液を、該カバーのテーパ管
部内面で受け、その内面と続く円筒部の内面に沿わせて
下方に流下させ、これにより処理液が無制御に飛散して
その液滴がチャンバ周壁面や上壁面に付着することを防
止できる。また、ウェーハのスピン洗浄後、チャンバを
開放して該ウェーハを移載する際には、このカバーを、
ウェーハ保持具で保持したウェーハよりも低い高さ位置
まで下降させることで、該カバーに付着した液滴がウェ
ーハ上に落下することを完全に防止できる。また、これ
によりウェーハの移載を円滑かつ容易に行うことができ
る。In the above-described wafer cleaning apparatus of the present invention, a tapered tube portion having an inner diameter slightly larger than the outer diameter of the wafer held by the wafer holder and having an outer peripheral side expanding diagonally downward in a trumpet shape is provided. Since the cover having a cylindrical portion directed downward from the outer edge of the tapered tube portion is disposed on the lower chamber so as to be vertically movable, surrounding the wafer holder concentrically, the spin cleaning of the wafer is performed. By raising the cover to a position where the inner edge of the tapered tube portion of the cover exceeds the upper surface of the wafer held by the wafer holder, the cover is supplied onto the rotating wafer and scatters outward from the outer edge by centrifugal force. The treatment liquid is received on the inner surface of the tapered tube portion of the cover, and flows downward along the inner surface of the cover and the inner surface of the cylindrical portion that follows. It is prevented from adhering to the peripheral wall or the upper wall surface. Also, after spin cleaning the wafer, when opening the chamber and transferring the wafer,
By lowering the liquid drop to a position lower than the wafer held by the wafer holder, it is possible to completely prevent the droplets attached to the cover from falling onto the wafer. Further, this makes it possible to transfer the wafer smoothly and easily.
【００１０】ここで、カバーのテーパ管部の内径は、ウ
ェーハからの処理液の飛散を確実に制御するために、該
カバーの昇降時に、ウェーハ保持具で保持したウェーハ
外周が衝突せずに通過させ得る範囲内でより小さな径に
設定されることが好ましい。また、そのテーパ管部の水
平面に対する傾斜角度を、90度以上にすると、ウェーハ
の外周縁から飛び散る処理液が、その内面に衝突して上
方に向けて飛散し、上部チャンバ上壁面に液滴が付着し
てしまい、また90度未満45度以上では、その内面に衝突
して続く円筒部に向かうことなく直接的に下方に向けて
飛散し、これがチャンバ底面で跳ね返ってウェーハ裏面
に付着してしまい、一方、10度未満では、続く円筒部内
面に衝突して内方に向けて跳ね返ってウェーハ裏面に付
着してしまう。従って、ウェーハから飛び散る処理液
を、カバー内面に沿わせて効果的に下方に流下させるに
は、そのテーパ管部の水平面に対する傾斜角度は、10度
以上45度未満の範囲内に設定することが好ましい。Here, the inner diameter of the tapered tube portion of the cover passes through the outer periphery of the wafer held by the wafer holder without collision when the cover is raised and lowered in order to reliably control the scattering of the processing liquid from the wafer. It is preferable that the diameter is set to be smaller within a range in which it can be performed. Further, when the inclination angle of the tapered tube portion with respect to the horizontal plane is set to 90 degrees or more, the processing liquid scattered from the outer peripheral edge of the wafer collides with the inner surface and scatters upward, and droplets are formed on the upper chamber upper wall surface. If it is less than 90 degrees and more than 45 degrees, it will scatter directly downward without colliding with the inner surface and going to the subsequent cylindrical part, which will bounce off the bottom of the chamber and adhere to the back of the wafer On the other hand, if it is less than 10 degrees, it collides with the inner surface of the subsequent cylindrical portion, rebounds inward, and adheres to the back surface of the wafer. Therefore, in order to effectively cause the processing liquid scattered from the wafer to flow downward along the inner surface of the cover, the inclination angle of the tapered tube portion with respect to the horizontal plane may be set within a range of 10 degrees or more and less than 45 degrees. preferable.
【００１１】また、上部チャンバに、その上壁を貫通
し、下端部にウェーハ保持具に保持されたウェーハに対
して垂直な気流を発生させる垂直噴射口を中心部に有す
ると共に、該垂直噴射口の外周側にカバーの内壁面に沿
う気流を発生させるスリット状の斜角噴射口を周設して
なるガス噴射ノズルを設けることで、ウェーハのスピン
洗浄後に、このガス噴射ノズルの垂直噴射口からウェー
ハ上面の遠心力の働かない中心部にガス気流を吹き付け
て残留液滴の除去および乾燥を行う一方、外周側に周設
したスリット状の斜角噴射口からカバー内面にガス気流
を吹き付けて、該カバー内面に付着した液滴を完全に除
去でき、これによって移載時におけるウェーハ上への液
滴の落下をより確実に防止することができる。In addition, the upper chamber has a vertical injection port which penetrates an upper wall of the upper chamber and generates a gas flow perpendicular to a wafer held by a wafer holder at a lower end portion, and has a vertical injection port at a central portion thereof. By providing a gas injection nozzle having a slit-shaped oblique angle injection port that generates an air flow along the inner wall surface of the cover on the outer peripheral side of the cover, after spin cleaning of the wafer, from the vertical injection port of this gas injection nozzle A gas stream is blown to the central portion of the wafer upper surface where centrifugal force does not work to remove and dry the remaining droplets, while a gas stream is blown to the inner surface of the cover from a slit-shaped oblique injection port provided on the outer peripheral side, Droplets adhering to the inner surface of the cover can be completely removed, whereby dropping of the droplets onto the wafer during transfer can be more reliably prevented.
【００１２】また、洗浄ノズルを、外部の回転機構に連
結された基端部を上部チャンバの外周部上壁を気密に貫
通させてチャンバ内上部に配された水平回動アームに支
持させ、その先端の噴射口をウェーハ保持具に保持され
たウェーハ中心部上からチャンバ周壁側に回動退避可能
に配設することで、この洗浄ノズルの噴射口を、スピン
洗浄後直ちに、かつチャンバ内の雰囲気を漏らすことな
く、ウェーハ上から回動退避させて、該噴射口から処理
液が洗浄済のウェーハ上に漏出滴下することを回避する
ことができる。また、これにより洗浄後におけるチャン
バ内の雰囲気パージを確実に行えると共に、ウェーハの
移載を円滑かつ容易に行うことができる。Further, the washing nozzle is supported by a horizontal rotating arm disposed at an upper portion in the chamber by hermetically penetrating a base end portion connected to an external rotating mechanism through an upper wall of an outer peripheral portion of the upper chamber. By disposing the ejection port at the tip from the center of the wafer held by the wafer holder so as to be rotatable and retractable toward the peripheral wall of the chamber, the ejection port of the cleaning nozzle can be used immediately after spin cleaning and in the atmosphere in the chamber. Without leaking, the processing liquid can be prevented from leaking and dropping onto the cleaned wafer from the injection port by rotating and retracting from the wafer. In addition, this makes it possible to reliably purge the atmosphere in the chamber after the cleaning, and to smoothly and easily transfer the wafer.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。〔図１〕は、本発明のウェーハ洗
浄装置の１実施形態の概要構成を示す図面であって、
(a)図は縦断面図、 (b)図は一部を切欠いて示す上面図
である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a view showing a schematic configuration of an embodiment of a wafer cleaning apparatus of the present invention,
(a) is a longitudinal sectional view, and (b) is a top view with a part cut away.
【００１４】〔図１〕において、(1) はチャンバであっ
て、このチャンバ(1) は、上下方向で下部チャンバ(2)
と上部チャンバ(3) とに２分割され、かつ両者間は上部
チャンバ(3) の下端面に介装したＯリング(3b)によって
外部とシールされると共に、それぞれの内面部は、フッ
化水素酸などの薬液に耐えるように、ＰＴＦＥなどの樹
脂によって構成され、これによって活性の高い薬液の使
用に耐える密閉容器に形成されている。In FIG. 1, (1) is a chamber, and this chamber (1) is a lower chamber (2) in a vertical direction.
And an upper chamber (3), and the space between the two is sealed by an O-ring (3b) interposed at the lower end surface of the upper chamber (3). It is made of a resin such as PTFE so as to withstand a chemical solution such as an acid, and is thereby formed in a closed container that can withstand the use of a highly active chemical solution.
【００１５】また、このチャンバ(1) の下部チャンバ
(2) は、図示省略のエレベータまたはシリンダ等の昇降
機構によって昇降し、固定的に配置された上部チャンバ
(3) に対して開閉するものとされている。一方、上部チ
ャンバ(3) の側壁には、図示省略の不活性ガス供給系に
接続されたガス導入孔(3a)が設けてあり、このガス導入
孔(3a)を介して導入する窒素、アルゴンなどの不活性ガ
スによって内部をパージできるようになっており、また
下部チャンバ(2) の底部には、内部のガスおよび洗浄液
を排出するドレイン(2a)が設けてある。A lower chamber of the chamber (1)
(2) is an upper chamber which is lifted and lowered by a lift mechanism such as an elevator,
(3) It is assumed that it opens and closes. On the other hand, a gas introduction hole (3a) connected to an inert gas supply system (not shown) is provided on a side wall of the upper chamber (3), and nitrogen and argon introduced through the gas introduction hole (3a) are provided. The inside of the lower chamber (2) is provided with a drain (2a) for discharging the gas and the cleaning liquid at the bottom of the lower chamber (2).
【００１６】(4) は真空チャックであって、この真空チ
ャック(4) は、下部チャンバ(2) の中心部に配設され、
該下部チャンバ(2) が内蔵するＡＣサーボモータ、ＤＣ
モータなどの電動モータ(2b)で駆動されてウェーハ(W)
を吸着保持して垂直軸心回りに水平回転するものとされ
ている。(4) is a vacuum chuck, which is disposed at the center of the lower chamber (2),
AC servo motor, DC built in the lower chamber (2)
Wafer (W) driven by electric motor (2b) such as motor
And rotate horizontally about a vertical axis.
【００１７】(5) は洗浄ノズルであって、この洗浄ノズ
ル(5) は、ＰＦＡ、ＰＴＦＥなどの可撓性を有する樹脂
からなる洗浄液導入管(5b)の先端に噴射口(5a)を取着し
てなり、その洗浄液導入管(5b)を上部チャンバ(3) の外
周部上壁を気密に貫通させて図示省略の外部の洗浄液供
給装置に接続し、その供給装置からのフッ化水素酸、オ
ゾン添加超純水、超純水などの洗浄液をチャンバ(1) 内
に導入して、真空チャック(4) に保持されたウェーハ
(W) 上に供給するものとされている。(5) is a washing nozzle. This washing nozzle (5) has an injection port (5a) at the tip of a washing liquid introducing pipe (5b) made of a flexible resin such as PFA or PTFE. The cleaning liquid introduction pipe (5b) is connected to an external cleaning liquid supply device (not shown) through the upper peripheral wall of the upper chamber (3) in an airtight manner, and the hydrofluoric acid is supplied from the supply device. A cleaning liquid such as ozone-added ultrapure water or ultrapure water is introduced into the chamber (1) and the wafer held by the vacuum chuck (4)
(W) is to be supplied above.
【００１８】また、この洗浄ノズル(5) は、上部チャン
バ(3) 上に配置したロータリーアクチュエータ(11) に
連結された基端部の回動軸(6a)を、シールカップリング
(12)を介して、該上部チャンバ(3) 外周部の上壁を気密
に貫通させて、チャンバ(1)内上部に配された水平回動
アーム(6) に支持されており、これにより (b)図中の一
点鎖線で示すように、その先端の噴射口(5a)を、真空チ
ャック(4) に保持されたウェーハ(W) の中心部上から該
ウェーハ(W) 外側のチャンバ(1) 周壁側に向けて回動退
避できるようにされている。The cleaning nozzle (5) is connected to a rotary shaft (6a) at a base end connected to a rotary actuator (11) disposed on the upper chamber (3) by a seal coupling.
(12), the upper chamber (3) is supported by a horizontal rotating arm (6) disposed in the upper part of the chamber (1) in an airtight manner through the upper wall of the outer peripheral portion thereof. (b) As shown by the dashed line in the figure, the injection port (5a) at the tip of the chamber (5a) is placed from above the center of the wafer (W) held by the vacuum chuck (4) outside the chamber (W). 1) It can be rotated and retracted toward the peripheral wall.
【００１９】(7) はカバーであって、このカバー(7)
は、真空チャック(4) に保持されるウェーハ(W) の外径
よりも10mm大きい内径を有すると共に、外周側が斜め下
方にラッパ状に拡径し、水平面に対する角度が30度とな
るテーパ管部(7a)と、このテーパ管部(7a)外縁から下方
に向かう円筒部(7b)とを有してなり、下部チャンバ(2)
内底の真空チャック(4) の回転軸芯と同芯の円周上に 1
20度間隔に放射状に配された３個のカバー保持具(8) の
内側端部に下端を支持され、真空チャック(4) を同芯に
囲繞して上下動自由に配されている。(7) is a cover, and the cover (7)
Is a tapered tube part whose inner diameter is 10 mm larger than the outer diameter of the wafer (W) held by the vacuum chuck (4), and whose outer peripheral side expands diagonally downward like a trumpet, and whose angle to the horizontal plane is 30 degrees. (7a) and a cylindrical portion (7b) directed downward from the outer edge of the tapered tube portion (7a), and the lower chamber (2)
1 on the circumference concentric with the rotation axis of the vacuum chuck (4) on the inner bottom
The lower ends are supported by the inner ends of three cover holders (8) radially arranged at intervals of 20 degrees, and are vertically movable freely surrounding a vacuum chuck (4) concentrically.
【００２０】一方、カバー保持具(8) は、下部チャンバ
(2) 内底に立設した支持部材(8a)の上部に設けたピン軸
(8b)に中間部を支持されており、該ピン軸(8b)を支点と
して揺動することで内側端部で支持したカバー(7) を昇
降させるものとされている。また、各カバー保持具(8)
それぞれの外端部上に位置する上部チャンバ(3) の周壁
面には、該上部チャンバ(3) に対して下部チャンバ(2)
が上昇して両者間が閉塞されたとき、各カバー保持具
(8) の外側端部を同期して押し下げて水平方向に回動さ
せる押下げ突部(3c)が突設してあり、一方、支持部材(8
a)には、カバー保持具(8) の内端部の回動下降を規制す
るストッパ(8c)が設けてある。そして、この構成のもと
で、チャンバ(1) を閉塞してウェーハ(W) をスピン洗浄
する際には、前記カバー(7) を、そのテーパ管部(7a)の
上縁が、真空チャック(4) で保持したウェーハ(W) を越
える高さ位置まで上昇させ、また、洗浄後にチャンバ
(1) を開放してウェーハ(W) を移載する際には、真空チ
ャック(4) 上のウェーハ(W) よりも低い高さ位置まで自
重によって自動的に下降させるようにしている。On the other hand, the cover holder (8) is
(2) Pin shaft provided on top of support member (8a) erected on the inner bottom
The cover (7) supported at the inner end is moved up and down by swinging the pin shaft (8b) as a fulcrum. In addition, each cover holder (8)
On the peripheral wall of the upper chamber (3) located on each outer end, there is a lower chamber (2) with respect to the upper chamber (3).
Is raised and the space between them is closed,
A push-down protrusion (3c) that synchronously pushes down the outer end of (8) to rotate in the horizontal direction protrudes, while the support member (8)
a) is provided with a stopper (8c) for restricting the rotation of the inner end of the cover holder (8). In this configuration, when the chamber (1) is closed and the wafer (W) is spin-cleaned, the upper edge of the cover (7) and the tapered tube (7a) are vacuum-chucked. Raise the wafer to a position that exceeds the wafer (W) held in (4), and after cleaning,
When (1) is opened and the wafer (W) is transferred, the wafer (W) is automatically lowered by its own weight to a position lower than the wafer (W) on the vacuum chuck (4).
【００２１】なお、本例では、このカバー(7) が下降し
た時、テーパ管部(7a)上部内縁の高さが、真空チャック
(4) で保持したウェーハ(W) 上面よりも10mm程度低くな
る高さ位置を基準下限とし、これにより該カバー(7)
が、真空吸着ペン等のウェーハ(W) の搬送具と干渉しな
いようにしている。また、円筒部(7b)は、該カバー(7)
が上限にあるとき、真空チャック(4) で保持したウェー
ハ(W) よりも20mm低い高さ位置から下方に向かうものと
している。In this embodiment, when the cover (7) is lowered, the height of the inner edge of the upper portion of the tapered pipe portion (7a) is adjusted to the height of the vacuum chuck.
The height lower than the upper surface of the wafer (W) held by (4) by about 10 mm is set as a reference lower limit, whereby the cover (7)
However, it does not interfere with the wafer (W) carrier such as a vacuum suction pen. Further, the cylindrical portion (7b) includes the cover (7).
When is at the upper limit, it is assumed that the wafer goes downward from a height position 20 mm lower than the wafer (W) held by the vacuum chuck (4).
【００２２】翻って、上部チャンバ(3) には、その上部
壁の真空チャック(4) の回転軸線上に位置する中心部を
気密に貫通して、図示省略の不活性ガス供給系に接続さ
れたガス導入管(9) が設けられると共に、このガス導入
管(9) の下端部に、該チャンバ(1) 内に不活性ガスを吹
き込むガス噴射ノズル(10)が設けてある。また、このガ
ス噴射ノズル(10)は、ラッパ状に斜め下方に大きく拡径
させた上部ノズル管部材内に、垂直下方に緩やかに拡径
させた貫通孔を中心部に有する台形状の下部ノズル管部
材を所定小間隙をおいて同芯に挿入すると共に、両者を
中間部の円周方向に配した複数の締結具を介して連結す
ることで、その中心部に、真空チャック(4) に保持され
たウェーハ(W) の上面を指向して該ウェーハ(w) に対し
て垂直な気流を発生させる垂直噴射口(5a)を設けると共
に、その垂直噴射口(5a)の外周側に、上昇したカバー
(8) のテーパ管部(8a)を指向して該カバー(8)の内壁面
に沿う気流を発生させるスリット状の斜角噴射口(10b)
を周設してなる構成とされている。In turn, the upper chamber (3) is connected to an inert gas supply system (not shown) through the center portion of the upper wall located on the rotation axis of the vacuum chuck (4) in an airtight manner. A gas injection pipe (9) is provided, and a gas injection nozzle (10) for blowing an inert gas into the chamber (1) is provided at a lower end of the gas introduction pipe (9). This gas injection nozzle (10) has a trapezoidal lower nozzle having a through hole whose diameter is gradually increased vertically downward in the center of an upper nozzle pipe member which is greatly enlarged diagonally downward in a trumpet shape. By inserting the pipe member concentrically with a predetermined small gap and connecting them via a plurality of fasteners arranged in the circumferential direction of the middle part, the center part of the pipe member is connected to the vacuum chuck (4). A vertical injection port (5a) that directs the upper surface of the held wafer (W) to generate an airflow perpendicular to the wafer (w) is provided, and the vertical injection port (5a) rises to the outer peripheral side of the vertical injection port (5a). Cover
(8) The slit-shaped oblique-angle injection port (10b) that directs the tapered pipe section (8a) to generate an airflow along the inner wall surface of the cover (8).
Is provided around.
【００２３】上記構成の本例のウェーハ洗浄装置による
洗浄処理の手順を、その作動説明図である〔図２〕によ
り説明する。まず (a)図に示すように、下部チャンバ
(2) を下降させてチャンバ(1) を開放して、内部の真空
チャック(4) 上にウェーハ(W) を載置・吸着させる。こ
のとき、上部チャンバ(3) の押下げ突部(3c)が、カバー
保持具(8) から離れ、カバー(7) が自重によって真空チ
ャック(4) 上面よりも10mm程度低い下限高さまで自動的
に下降しているので、真空吸着ペンなどの搬送具と干渉
することなく、ウェーハ(W) を真空チャック(4) 上に容
易に移載することができる。一方、洗浄ノズル(5) の噴
射口(5a)は、ロータリーアクチュエータ(11)で水平回動
アーム(6) の回動させることで、チャンバ(1) 周壁側に
回動退避させておき、その噴射口(5a)から処理液がウェ
ーハ(W) 上に滴下することを防ぐ。The procedure of the cleaning process by the wafer cleaning apparatus of the present embodiment having the above configuration will be described with reference to FIG. First, as shown in (a), lower chamber
(2) is lowered to open the chamber (1), and the wafer (W) is placed and sucked on the internal vacuum chuck (4). At this time, the push-down protrusion (3c) of the upper chamber (3) separates from the cover holder (8), and the cover (7) is automatically moved to the lower limit height about 10 mm lower than the upper surface of the vacuum chuck (4) by its own weight. The wafer (W) can be easily transferred onto the vacuum chuck (4) without interfering with a carrier such as a vacuum suction pen. On the other hand, the injection port (5a) of the cleaning nozzle (5) is rotated and retracted to the peripheral wall side of the chamber (1) by rotating the horizontal rotation arm (6) by the rotary actuator (11). The processing liquid is prevented from dropping onto the wafer (W) from the injection port (5a).
【００２４】次いで、 (b)図に示すように、下部チャン
バ(2) を上昇させてチャンバ(1) を閉塞すると共に、上
部チャンバ(3) のガス導入孔(3a)を介して導入した不活
性ガスによって内部をパージする。このとき、各カバー
保持具(8) は、上部チャンバ(3) の押下げ突部(3c)によ
って外端部を押し下げられて水平方向に回動し、その内
端部で支持するカバー(7) を、そのテーパ管部(7a)上部
内縁が、真空チャック(4) で保持したウェーハ(W) 上面
を越える上限高さ位置まで上昇させる。Then, as shown in FIG. 2 (b), the lower chamber (2) is raised to close the chamber (1), and the gas introduced through the gas introduction hole (3a) of the upper chamber (3). Purge the interior with active gas. At this time, each of the cover holders (8) is pushed down at the outer end thereof by the push-down projection (3c) of the upper chamber (3), turns in the horizontal direction, and supports the cover (7) supported at its inner end. ) Is raised to the upper limit position where the upper inner edge of the tapered tube portion (7a) exceeds the upper surface of the wafer (W) held by the vacuum chuck (4).
【００２５】続いて、電動モータ(2b)によって真空チャ
ック(4) を駆動回転させると共に、水平回動アーム(6)
の作動により、 (b)図中の一点鎖線で示すように、洗浄
ノズル(5) の噴射口(5a)を回転するウェーハ(W) の中心
上に位置させて、その噴射口(5a)からウェーハ(W) 上面
に処理液を供給してスピン洗浄する。このとき、ウェー
ハ(W) 上に供給された処理液は、遠心力によって該ウェ
ーハ(W) の表面に分散して洗浄効果を果たすと共に、そ
の外周縁から外方に飛散するが、本例では、このウェー
ハ(W) を上昇したカバー(7) が囲繞しているので、外方
に飛び散る処理液を、該ウェーハ(W) を囲繞するカバー
(7) のテーパ管部(7a)内面で受け、その内面と続く円筒
部(8b)の内面に沿わせて下方に流下させ、これにより処
理液が無制御に飛散してその液滴がチャンバ(1) 周壁面
や上壁面に付着することを防止することができる。ま
た、このカバー(7) の円筒部(7b)は、該カバー(7) が上
限にあるとき、真空チャック(4) 上のウェーハ(W) より
も20mm低い高さ位置から下方に向かうものとしているの
で、つまりテーパ管部(7a)との接続屈曲部をウェーハ
(W) よりも低い位置としているので、テーパ管部(7a)内
面で受けた処理液が円筒部(7b)に衝突して液滴がウェー
ハ(W) 裏面に跳ね返ることを防止できる。一方、下方に
流下させた処理液は、下部チャンバ(2) の底部に設けた
ドレイン(2a)を介して外部に排出させる。Subsequently, the vacuum chuck (4) is driven and rotated by the electric motor (2b), and the horizontal rotating arm (6) is rotated.
With the operation of (b), the injection port (5a) of the cleaning nozzle (5) is positioned above the center of the rotating wafer (W) as shown by the one-dot chain line in the figure, and from the injection port (5a). A processing liquid is supplied to the upper surface of the wafer (W) to perform spin cleaning. At this time, the processing liquid supplied onto the wafer (W) is dispersed on the surface of the wafer (W) by centrifugal force to perform a cleaning effect, and scatters outward from the outer peripheral edge. Since the wafer (W) is surrounded by the raised cover (7), the processing solution scattered outward is covered by the cover (7) surrounding the wafer (W).
(7) is received on the inner surface of the tapered tube portion (7a), and is caused to flow downward along the inner surface of the tapered tube portion (7a) and the inner surface of the cylindrical portion (8b). (1) It can be prevented from adhering to the peripheral wall surface and the upper wall surface. When the cover (7) is at the upper limit, the cylindrical portion (7b) of the cover (7) moves downward from a height position 20 mm lower than the wafer (W) on the vacuum chuck (4). In other words, the connection bend with the tapered tube (7a)
Since the position is lower than (W), it is possible to prevent the processing liquid received on the inner surface of the tapered tube portion (7a) from colliding with the cylindrical portion (7b) and splashing the liquid droplet back to the back surface of the wafer (W). On the other hand, the processing liquid that has flowed downward is discharged to the outside via a drain (2a) provided at the bottom of the lower chamber (2).
【００２６】次いで、そのスピン洗浄後に、真空チャッ
ク(4) の回転を継続しながら処理液の供給を停止し、洗
浄ノズル(5) の噴射口(5a)をチャンバ(1) 周壁側に回動
退避させると共に、上部チャンバ(3) のガス導入管(9)
を介して導入した不活性ガスを、ガス噴射ノズル(10)の
垂直噴射口(10a) から回転するウェーハ(W) 上面の遠心
力の働かない中心部に流を吹き付けて残留液滴の除去お
よび乾燥を行う一方、その外周側に周設したスリット状
の斜角噴射口(10b) からカバー(7) 内面に吹き付けるこ
とで、該カバー(7) 内面に付着した液滴を除去する。Then, after the spin cleaning, the supply of the processing liquid is stopped while the rotation of the vacuum chuck (4) is continued, and the injection port (5a) of the cleaning nozzle (5) is rotated toward the peripheral wall of the chamber (1). Evacuate and gas inlet pipe (9) in upper chamber (3)
The inert gas introduced through the nozzle is blown from the vertical injection port (10a) of the gas injection nozzle (10) to the central part of the upper surface of the rotating wafer (W) where centrifugal force does not work to remove residual droplets and While drying is performed, the droplets adhered to the inner surface of the cover (7) are removed by spraying the inner surface of the cover (7) from a slit-shaped oblique injection port (10b) provided on the outer peripheral side.
【００２７】続いて、ガス噴射ノズル(10)からの不活性
ガスの吹き込みおよび真空チャック(4) の回転を停止す
ると共に、下部チャンバ(2) を下降させてチャンバ(1)
を開放して、洗浄済のウェーハ(W) を移載する。このと
き、 (a)図に示したように、カバー(7) が下限高さまで
自動的に下降しており、かつ内面の液滴は上記ガス気流
によって除去されているので、該カバー(7) から移載す
るウェーハ(W) 上に液滴が落下することは完全に防止さ
れる。また、洗浄ノズル(5) の噴射口(5a)は、チャンバ
(1) 周壁側に退避させているので、その噴射口(5a)から
処理液がウェーハ(W) 上にボタ落ちすることも防止する
ことができる。更にまた、カバー(7) は真空チャック
(4) 上面よりも10mm程度低い下限高さまで下降している
ので、真空吸着ペンなどの搬送具と干渉することなく、
ウェーハ(W) を移載を円滑かつ容易に行うことができ
る。Subsequently, the blowing of the inert gas from the gas injection nozzle (10) and the rotation of the vacuum chuck (4) are stopped, and the lower chamber (2) is lowered to lower the chamber (1).
And release the cleaned wafer (W). At this time, since the cover (7) has been automatically lowered to the lower limit height and the droplets on the inner surface have been removed by the gas stream as shown in FIG. Drops on the wafer (W) transferred from the wafer are completely prevented. The injection port (5a) of the cleaning nozzle (5) is
(1) Since the processing liquid is retracted to the peripheral wall side, it is possible to prevent the processing liquid from dripping onto the wafer (W) from the injection port (5a). Furthermore, the cover (7) is a vacuum chuck
(4) Since it has descended to the lower limit about 10 mm lower than the upper surface, it does not interfere with transport tools such as vacuum suction pens.
Wafers (W) can be transferred smoothly and easily.
【００２８】以上のようにしてスピン洗浄する本実施例
のウェーハ洗浄装置では、スピン洗浄時にウェーハ外周
縁から外方に飛び散る処理液を、チャンバの閉塞時に上
昇して該ウェーハを囲繞するカバーで受けて下方に流下
させ、無制御に飛散してその液滴がチャンバ周壁面や上
壁面に付着することを防止できると共に、スピン洗浄後
にカバー内面に付着した液滴を確実に除去し、かつチャ
ンバの開放により自動的に該ウェーハより低い位置に下
降させるでき、よって移載するウェーハ上への液滴の落
下を完全に防止できると共に、ウェーハの移載を容易か
つ円滑に行うことができて、ウェーハの歩留りと処理効
率とを向上させることができる。In the wafer cleaning apparatus according to the present embodiment for performing the spin cleaning as described above, the processing liquid that scatters outward from the outer peripheral edge of the wafer during the spin cleaning is received by the cover that rises when the chamber is closed and surrounds the wafer. To prevent the droplets from scattering uncontrollably and adhering to the peripheral and upper wall surfaces of the chamber, to reliably remove the droplets adhered to the inner surface of the cover after spin cleaning, and Opening can automatically lower the wafer to a position lower than the wafer, thereby completely preventing the droplets from dropping on the wafer to be transferred, and making it possible to transfer the wafer easily and smoothly. Yield and processing efficiency can be improved.
【００２９】なお、上記例では、カバーのテーパ管部
は、処理対象とするウェーハの外径よりも10mm大きい内
径を有し、かつ水平面に対する角度が30度のものとした
が、これは１例であって、本発明はこれに限定されるも
のではない。すなわち、このカバーのテーパ管部の内径
は、ウェーハからの処理液の飛散を確実に制御するため
に、該カバーの昇降時に、真空チャックで保持したウェ
ーハ外周が衝突せずに通過させ得る範囲内でより小さな
径に設定されることが好ましい。 また、そのテーパ管
部の水平面に対する傾斜角度は、大きすぎると、ウェー
ハの外周縁から飛び散る処理液が、その内面に衝突して
続く円筒部に向かうことなく直接的に下方に向けて飛散
し、これがチャンバ底面で跳ね返ってウェーハ裏面に付
着してしまい、一方、小さすぎると、続く円筒部内面に
衝突して内方に向けて跳ね返ってウェーハ裏面に付着し
てしまうので、その傾斜角度は、10度以上45度未満の範
囲内に設定することが好ましい。In the above example, the tapered tube portion of the cover has an inner diameter 10 mm larger than the outer diameter of the wafer to be processed and has an angle of 30 degrees with respect to the horizontal plane. However, the present invention is not limited to this. In other words, the inner diameter of the tapered tube portion of this cover is within a range in which the outer periphery of the wafer held by the vacuum chuck can pass without collision when the cover is raised and lowered in order to reliably control the scattering of the processing liquid from the wafer. Is preferably set to a smaller diameter. Also, if the angle of inclination of the tapered tube portion with respect to the horizontal plane is too large, the processing liquid scattered from the outer peripheral edge of the wafer scatters directly downward without colliding with the inner surface and going toward the subsequent cylindrical portion, This rebounds on the bottom surface of the chamber and adheres to the wafer back surface.On the other hand, if it is too small, it collides with the inner surface of the subsequent cylindrical portion and rebounds inward and adheres to the back surface of the wafer. It is preferable to set within the range of not less than 45 degrees and not more than 45 degrees.
【００３０】また、上記例では、フッ化水素酸、オゾン
添加超純水、超純水などの洗浄液を１つの洗浄ノズルか
らウェーハ上に供給するものとしたが、これは１例であ
って、例えば、同様構成の洗浄ノズルを真空チャックの
回転軸と同芯の円周上に互いに干渉しない間隔をおいて
複数設け、それぞれから異なる洗浄液を導入してウェー
ハ上に供給するものとされても良い。In the above example, the cleaning liquid such as hydrofluoric acid, ozone-added ultrapure water, and ultrapure water is supplied from one cleaning nozzle onto the wafer. However, this is one example. For example, a plurality of cleaning nozzles having the same configuration may be provided on a circumference concentric with the rotation axis of the vacuum chuck at intervals that do not interfere with each other, and different cleaning liquids may be introduced from the respective nozzles and supplied onto the wafer. .
【００３１】[0031]
【発明の効果】以上に述べたように、本発明に係るウェ
ーハ洗浄装置では、スピン洗浄時にウェーハ外周縁から
外方に飛び散る処理液を、チャンバの閉塞時に上昇して
該ウェーハを囲繞するカバーで受けて下方に流下させ、
無制御に飛散してその液滴がチャンバ周壁面や上壁面に
付着することを防止できると共に、スピン洗浄後にカバ
ー内面に付着した液滴を確実に除去し、かつチャンバの
開放により自動的に該ウェーハより低い位置に下降させ
るでき、よって移載するウェーハ上への液滴の落下を完
全に防止できると共に、ウェーハの移載を容易かつ円滑
に行うことができて、ウェーハの歩留りと処理効率とを
向上させることができる。As described above, in the wafer cleaning apparatus according to the present invention, the processing liquid that scatters outward from the outer peripheral edge of the wafer during spin cleaning rises when the chamber is closed and is covered by the cover surrounding the wafer. Receive and let it flow down,
It is possible to prevent the droplets from scattering uncontrollably and from adhering to the peripheral wall or upper wall of the chamber, to reliably remove the droplets adhering to the inner surface of the cover after spin cleaning, and to automatically remove the droplets by opening the chamber. It can be lowered to a position lower than the wafer, so that the drop of the droplet on the transferred wafer can be completely prevented, and the transfer of the wafer can be performed easily and smoothly. Can be improved.
【図１】本発明のウェーハ洗浄装置の１実施形態の概要
構成を示す図面であって、 (a)図は縦断面図、 (b)図は
一部を切欠いて示す上面図である。FIG. 1 is a view showing a schematic configuration of an embodiment of a wafer cleaning apparatus of the present invention, wherein FIG. 1 (a) is a longitudinal sectional view, and FIG. 1 (b) is a partially cutaway top view.
【図２】本発明の１実施形態のウェーハ洗浄装置の作動
説明図である。FIG. 2 is an operation explanatory view of the wafer cleaning apparatus according to one embodiment of the present invention.
【図３】従来のスピン式ウェーハ洗浄装置の基本構成を
示す概要図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing a basic configuration of a conventional spin-type wafer cleaning apparatus.
【図４】従来の洗浄装置の実施形態例の構成を示す縦断
面図である。FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing a configuration of an embodiment of a conventional cleaning device.
(1) --チャンバ、(2) --下部チャンバ、(2a)--ドレイ
ン、(2b)--電動モータ、(3) --上部チャンバ、(3a)--ガ
ス導入孔、(3b)--Ｏリング、(3c)--押下げ突部、(4) --
真空チャック、(5) --洗浄ノズル、(5a)--噴射口、(5b)
--洗浄液導入管、(6) --水平回動アーム、(6a)--回動
軸、(7) --カバー、(7a)--テーパ管部、(7b)--円筒部、
(8) --カバー保持具、(8a)--支持部材、(8b)--ピン軸、
(8c)--ストッパ、(9) --ガス導入管、(10)--ガス噴射ノ
ズル、(10a) --垂直噴射口、(10b) --斜角噴射口、(10
c) --締結具、(11)--ロータリーアクチュエータ、(12)-
-シールカップリング、(W) --ウェーハ。(1)-chamber, (2)-lower chamber, (2a)-drain, (2b)-electric motor, (3)-upper chamber, (3a)-gas inlet, (3b) -O-ring, (3c)-Push-down projection, (4)-
Vacuum chuck, (5) --wash nozzle, (5a)-jet, (5b)
--Cleaning liquid inlet pipe, (6) --Horizontal rotating arm, (6a)-Rotating axis, (7) --Cover, (7a)-Tapered pipe section, (7b)-Cylinder section,
(8)-Cover holder, (8a)-Support member, (8b)-Pin shaft,
(8c)-Stopper, (9)-Gas inlet pipe, (10)-Gas injection nozzle, (10a)-Vertical injection port, (10b)-Bevel injection port, (10
c)-Fastener, (11)-Rotary actuator, (12)-
-Seal coupling, (W)-Wafer.
Claims (3)
ャンバを備えてなるチャンバ内の、下部チャンバ中心部
に垂直軸心回りに駆動回転されるウェーハ保持具を配設
すると共に、このウェーハ保持具の上方に少なくとも１
つの洗浄ノズルを配設し、該洗浄ノズルから前記ウェー
ハ保持具に保持されたウェーハ上に洗浄液を供給してス
ピン洗浄するウェーハ洗浄装置において、前記ウェーハ
保持具に保持されるウェーハの外径よりも少し大きい内
径を有すると共に、外周側が斜め下方にラッパ状に拡径
するテーパ管部と、このテーパ管部外縁から下方に向か
う円筒部とを有してなるカバーを、前記ウェーハ保持具
を同芯に囲繞して、上下動可能に前記下部チャンバ上に
配設していることを特徴とするウェーハ洗浄装置。1. A wafer holder which is driven and rotated around a vertical axis at a center of a lower chamber in a chamber having a lower and an upper chamber whose one side can be opened and closed. At least one above
In a wafer cleaning apparatus, in which two cleaning nozzles are provided and a cleaning liquid is supplied from the cleaning nozzle onto the wafer held by the wafer holder and spin-cleaned, the outer diameter of the wafer held by the wafer holder is larger than the outer diameter of the wafer held by the wafer holder. A cover having a slightly larger inner diameter and a tapered pipe part whose outer peripheral side expands obliquely downward in a trumpet shape, and a cylindrical part directed downward from the outer edge of the tapered pipe part is concentric with the wafer holder. A wafer cleaning apparatus, which is disposed on the lower chamber so as to be movable up and down.
壁の前記ウェーハ保持具の回転軸線上に位置する部位を
気密に貫通し、その下端部に前記ウェーハ保持具に保持
されたウェーハ上面を指向して該ウェーハに対して垂直
な気流を発生させる垂直噴射口を中心部に有すると共
に、該垂直噴射口の外周側に前記カバーのテーパ管部を
指向する斜め下方にラッパ状に拡径されて該カバーの内
壁面に沿う気流を発生させるスリット状の斜角噴射口を
周設してなるガス噴射ノズルを設けている請求項１記載
のウェーハ洗浄装置。2. An upper chamber upper wall is airtightly penetrated through a portion of the upper chamber located on a rotation axis of the wafer holder, and a lower end of the upper chamber is directed to an upper surface of the wafer held by the wafer holder. A vertical injection port for generating an air flow perpendicular to the wafer is provided at the center, and the diameter of the vertical injection port is expanded diagonally downward toward the outer peripheral side of the cover toward the tapered tube portion of the cover. 2. The wafer cleaning apparatus according to claim 1, further comprising a gas injection nozzle having a slit-shaped oblique angle injection port for generating an air flow along an inner wall surface of the cover.
結された基端部を前記上部チャンバの外周部上壁を気密
に貫通させて該チャンバ内上部に配された水平回動アー
ムに支持されて、その先端の噴射口を前記ウェーハ保持
具に保持されたウェーハ中心部上からチャンバ周壁側に
回動退避可能に配設されている請求項１または２記載の
ウェーハ洗浄装置。3. The cleaning nozzle supports a base end connected to an external rotation mechanism in a horizontal rotation arm disposed in an upper portion of the upper chamber by airtightly penetrating an upper wall of an outer peripheral portion of the upper chamber. 3. The wafer cleaning apparatus according to claim 1, wherein the ejection port at the tip is rotatably retractable from the center of the wafer held by the wafer holder toward the chamber peripheral wall.
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