JPH1010202A - 信号配線の接続テスト方法、テスト装置及びバウンダリスキャン対応のic - Google Patents

信号配線の接続テスト方法、テスト装置及びバウンダリスキャン対応のic

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JPH1010202A
JPH1010202A JP8167444A JP16744496A JPH1010202A JP H1010202 A JPH1010202 A JP H1010202A JP 8167444 A JP8167444 A JP 8167444A JP 16744496 A JP16744496 A JP 16744496A JP H1010202 A JPH1010202 A JP H1010202A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 終端抵抗にバウンダリスキャン対応機能を追
加することなく、IC側に備えたバウンダリスキャンの
機能を用いて終端抵抗の接続テストを行う。 【解決手段】 まず、出力データ用バウンダリスキャン
セル12と、出力イネーブル用バウンダリスキャンセル
11とに“0”をシフトインする。入力データ用バウン
ダリスキャンセル13にデータを転送する。データをテ
スタ2へ転送し、テスタ2は、このデータが“1”の出
力ゲート14の出力ピンから終端抵抗までの間のネット
がオープンであると判定する。テスタ2に転送されたデ
ータが“0”のとき、出力ゲート14の出力をハイイン
ピーダンスにして、データを入力データ用バウンダリス
キャンセル13に転送する。テスタ2は、その後転送さ
れたデータが“1”であれば終端抵抗接続、“0”であ
れば終端抵抗未接続と判断する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、信号配線の接続テ
スト方法、テスト装置、及び、バウンダリスキャン対応
のICに係り、特に、バウンダリスキャン方式を用いた
回路基板テストにおけるバウンダリスキャン非対応部品
の接続テスト方法、テスト装置及びバウンダリスキャン
対応のICに関する。
【0002】
【従来の技術】近年、ICの高速化、高機能化に伴い、
ICを搭載する回路基板に対してもIC間の高速データ
転送、省電力化、高密度化、大規模化等が要求されてい
る。そして、これらの要求に伴い、基板の構成、テスト
方法が変わってきている。以下、従来技術による信号配
線の接続テスト方法を図面により説明する。
【0003】図7は回路基板上の各種の信号配線の構成
例を示す図であり、図7(a)は純粋CMOS出力回路
を用いたネットの構成例、図7(b)はGTL出力回路
を用いたネットの構成例、図7(c)はCTT出力回路
を用いたネットの構成例である。図7において、80a
〜80cは出力回路、81はプルダウンイネーブル生成
部、82はプルダウン/プルアップイネーブル生成部、
800はPMOSトランジスタ、801はNMOSトラ
ンジスタである。
【0004】図7(a)に示す従来技術による純粋CM
OS入出力インタフェースを使用したネット構成を有す
る回路基板は、高速性に対する要求が強くなかったた
め、IC間のネットには終端抵抗を必要としないもので
あった。図7(a)に示す純粋CMOS出力回路80a
によるインタフェースは、High レベル信号を伝達する
場合、PMOSトランジスタ800を介しVCCから電
荷を供給し、Lowレベル信号を伝達する場合、NMOS
トランジスタ801を介しGNDに電荷を引き抜くとい
う方法をとるものである。そして、このインタフェース
は、反射波が収まる時間を考慮した時間設計を行うこと
により、終端抵抗を設けなくても信号レベルを確定する
ことができる。
【0005】しかし、近年、CMOS系ICを使用する
システムに対しても、動作周波数が100MHzを超え
るような高速データ転送を行う要求があり、小振幅、高
速な入出力インタフェースが必要になってきた。このた
め、純粋CMOS入出力インタフェースに代わり、GT
L、CTT等の小振幅、高速インタフェースが使用され
るようになってきている。なお、この種のインタフェー
スに関する従来技術として、例えば、NIKKEI ELECTRONI
CS 1992.6.8(頁110、120)等に記載された技術
が知られている。
【0006】これらの入出力インタフェースを高い周波
数の下で使用するためには、バイポーラ系のインタフェ
ースと同様に、整合終端抵抗が不可欠である。このた
め、CMOS系ICを使用した基板においても、終端抵
抗が多用されるようになってきた。CMOS系ICに終
端抵抗を使用するネットの例が、図7(b)に示すGT
Lインタフェースを使用したIC間のネットの構成例、
図7(c)に示すCTTインタフェースを使用したIC
間のネットの構成例である。
【0007】また、回路基板の高密度化、大規模化に伴
って基板の信号配線の接続テストの方法も変化してい
る。従来、回路基板上のネット接続テストは、基板上の
部品ピンに直接プローブを接触させテストデータを被テ
スト部品ピンに対して入出力するインサーキットテスト
方式が採用されていた。しかし、回路基板の高密度化、
大規模化、さらに、部品の高機能化により、インサーキ
ットテストでは対応できないケースが増えてきた。この
ため、回路基板に直接プローブを接触させる代わりに、
ICの入出力ピン部にシフトレジスタを構成することに
より、被テスト部品ピンにテストデータを入出力するバ
ウンダリスキャン方式が利用されるようになってきてい
る。
【0008】図8は従来技術によるバウンダリスキャン
を使用する信号配線の接続テスト方法を説明する図であ
り、以下、これについて説明する。図8において、1は
被診断基板、1a、1bは半導体IC、2はテスタ、1
0a、10bはTAP(テスト・アクセス・ポート)コ
ントローラー、20a〜20hはバウンダリスキャンセ
ル、21a、21bは命令レジスタ、22a、22bは
バイパスレジスタである。なお、バウンダリスキャンを
使用するテスト方法は、IEEE Std 1149.1-1990で標準化
されている回路基板及びデバイスのテスト方式である。
【0009】図8に示すように、バウンダリスキャンに
よる方法は、半導体IC1a、1bの被テスト部品ピン
に対してバウンダリスキャンセル20a〜20hを設
け、これらのセルをTAPコントローラー10a、10
bにより制御することによりテストを行うものである。
テスタ2は、TPAコントローラー10a、10bへの
制御信号(TCK、TMS、TRST)とテストデータ
とをシフトインするTDIによる制御を行い、TDOか
らシフトアウトされたデータを取り込み、期待値と比較
判定する機構である。なお、TCKはバウンダリスキャ
ンテストで使用するクロック、TMSはTCKに同期し
たTAPコントローラーを制御するための信号、TRS
Tは非同期でTAPコントローラーを初期化する信号、
TDIはテストデータ、命令等をシフトインするための
信号、TDOは各シフトアウトされた値をテスタ2へ転
送するための信号である。また、半導体IC1a、1b
に設けられる命令レジスタ21a、21bは、テストモ
ードを規定する命令を格納するためのシフトレジスタで
あり、バイパスレジスタ22a、22bは、バウンダリ
スキャンをバイパスする場合のシフトレジスタである。
【0010】図9はバウンダリスキャンセルの構成例を
示すブロック図であり、図9において、41a、41b
はマスタレジスタ、42はスレーブレジスタである。
【0011】図9(a)に示すバウンダリスキャンセル
は、データの取り込み、シフトを行うためのマスタレジ
スタ41a及びデータの送出を行うためのスレーブレジ
スタ42を備えるマスタ・スレーブ構造のものである。
そして、図9(b)に示すバウンダリスキャンセルは、
入力属性のICピンに設けられるものであり、マスタレ
ジスタ41bを備えるだけで構成される。これは、入力
属性のICピンのスレーブレジスタは、IC内部の動作
をテストする場合に必要なレジスタであり、IC間のネ
ット接続テストのみを行う場合に、特に必要としないか
らである。
【0012】図10はTAPコントローラーによるバウ
ンダリスキャンセルの制御ステートを説明する図であ
る。
【0013】TAPコントローラーは、図10に示すよ
うに、16のステートを持つステートマシンであり、そ
れぞれのステートと命令レジスタに挿入される命令とに
よりバウンダリスキャンセルへの制御信号を生成する。
ステートの遷移は、TCKに同期してTMSを取り込む
ことにより行われる。
【0014】
【表1】
【0015】表1は図10に示す各ステートの役割を示
したものであり、テスト上重要な意味を持つステート
は、Shift-IR/Shift-DR、Update-IR/Update-DR、Capt
ure-IR/Capture-DRである。Shift-IR/Shift-DRは、テ
ストデータをテスタからセットする、あるいは、データ
をテスタへ転送するステートであり、Update-IR/Updat
e-DRは、データを出力するステートであり、Capture-IR
/Capture-DRは、データを取り込むステートである。な
お、前記各ステートにおけるIRは命令レジスタを意味
し、DRはデータレジスタを意味する。
【0016】バウンダリスキャンを使用してテストを行
う場合、命令レジスタに命令をシフトインする必要があ
る。命令には、IEEE Std 1149.1-1990で規定されている
命令と、ユーザーが定義できる命令とがある。そして、
回路基板上のネットの接続テストは、IEEE Std 1149.1-
1990で規定されている命令であるSAMPLE/PRELOAD 命令
とEXTEST命令とを使用することにより行われる。
【0017】図11はSAMPLE/PRELOAD 命令を説明する
図、図12はEXTEST命令を説明する図であり、以下、図
11、図12を参照してこれらの命令による動作を説明
する。なお、これらの図において、ソース側のバウンダ
リスキャンセルは、マスタレジスタ及びスレーブレジス
タを備える構造を有し、シンク側のバウンダリスキャン
セルは、マスタレジスタのみを備える構造を有するもの
としている。
【0018】SAMPLE/PRELOAD命令は、SAMPLE PhaseとP
RELOAD Phaseとからなり、主にテストに先立ってテスト
データの設定を行うための命令である。SAMPLE/PRELOA
D 命令では、Capture-DRステートのとき、図11(a)
に示すように、まず、各ICピンまたは内部論理の状態
をマスタレジスタに取り込む。これをSAMPLE Phaseとい
う。また、Shift-DRステートのとき、図11(b)に示
すように、テストデータをテスタからシフトインする。
これをPRELOAD Phaseという。SAMPLE Phase またはPREL
OAD Phase によりマスタレジスタにデータをセットし、
次に、図11(c)に示すように、Update-DRステート
を行うことによりスレーブレジスタにデータをセットす
る。これにより、ソース側のデータ送出が終了する。
【0019】EXTEST命令は、主に回路基板上のネットの
接続テストを行うための命令であり、図12(a)に示
すように、Capture-DRステートのときに、ICピンの情
報をマスタレジスタに取り込む。この動作は、前述した
SAMPLE/PRELOAD命令によりソース側がデータを送出し
ているので、シンク側でそれを取り込む動作である。そ
して、図12(b)に示すように、Shift-DRステートの
ときに取り込んだデータをTDOを介してテスタにシフ
トアウトする。次のテストデータが存在する場合、同時
に、テスタからテストデータをシフトインする。
【0020】前述したように、従来技術による回路基板
上のネットの接続テストは、前述の命令を使用し、SAMP
LE/PRELOAD命令(テストデータのセット)→EXTEST命
令(IC間データ転送、データをシフトアウトしテスタ
で確認)の流れで行われるのが一般的である。
【0021】
【発明が解決しようとする課題】前述したバウンダリス
キャンを使用する従来技術による信号配線の接続テスト
方法は、バウンダリスキャンを使用することにより高密
度、大規模な回路基板における信号配線の接続テストが
可能であるという利点を有している。しかし、バウンダ
リスキャンを使用する従来技術による信号配線の接続テ
スト方法は、バウンダリスキャン対応理論が付加されて
いないピンに対するテストを行うことができないという
問題点を有している。
【0022】一般に、回路基板に設けられる終端抵抗に
は、バウンダリスキャン機能が備えられていない。この
ため、終端抵抗の接続が正常に行われているか否かは、
バウンダリスキャンを使用する方法によってテストする
ことができない。しかし、終端抵抗は、回路の高速な動
作の可否を決定する重要なファクターであるため、終端
抵抗の接続テストを行わないことは、回路基板の信頼性
を著しく低下させることになる。特に、高速なデータ転
送系で整合終端等が行われている場合、終端抵抗が多用
されているため、終端抵抗の接続テストが可能か否かは
重要である。
【0023】従来のバイポーラ系の入出力インタフェー
スは、終端抵抗が未接続であると、回路が動作せずデー
タの転送を行うことができないため、データ転送の可否
をテストすることにより終端抵抗の接続、未接続を間接
的に知ることができた。しかし、CMOS系の入出力イ
ンタフェースは、低速に動作させる場合(テストする場
合)、終端抵抗の有無がIC間の接続確認に影響を与え
ることがない。すなわち、一般に、回路基板のテスト
は、数MHzの低周波数で行われるが、このような数M
Hz程度の低周波数でのテストあれば、終端が未接続で
あってもデータの転送を行うことができる。従って、数
MHz程度の低い周波数でのテストで、かつ、データ転
送の可否のテストによっては、終端抵抗の接続、未接続
のテストを行うことができない。
【0024】但し、例外として、オープンドレイン型の
入出力インタフェースがある。前述で説明した図7
(b)のGTL入出力インタフェースの例は、オープン
ドレイン型の代表であるが、この例の場合、終端抵抗が
未接続であると、ネットに電荷を供給する経路が無くな
るために、Highレベルの信号の伝達ができなくなり、デ
ータ転送の可否のテストによって、終端抵抗の接続、未
接続のテストを行うことができる。しかし、このオープ
ンドレイン型の入出力インタフェースは、Highレベルの
信号時のリンギングが大きいため、あまり使用されるこ
とがなく、CMOS系の入出力インタフェースとして
は、プッシュプル型やCTT等が主に使用される。そし
て、前述したように、プッシュプル型、CTT等のCM
OS系入出力インタフェースを使用した回路基板は、デ
ータ転送の可否から終端抵抗の接続、未接続を確認こと
ができない。
【0025】CMOS系入出力インタフェースにおける
終端抵抗の接続、未接続をテストする方法としては、前
述した従来技術の延長である2つの方法がが考えられ
る。1つは、インサーキットテストを併用する方法であ
る。しかし、インサーキットテストの適用が無理である
から、バウンダリスキャンを使用する方法を採用するこ
とにした例が多いため、インサーキットテストを併用す
る方法は、有効な手段とは言えない。2つ目は、バウン
ダリスキャン対応の論理を搭載した抵抗モジュール、抵
抗を使用し、バウンダリスキャンを使用する方法により
テストを行うことである。しかし、このような抵抗モジ
ュール等を使用することは、終端抵抗にバウンダリスキ
ャン対応の論理を搭載しなければならないことになり、
回路基板の実装面積、コストの面から現実的ではない。
このように、どちらの方法も、解決策とはなり得ず、バ
ウンダリスキャンを使用してテストを行う回路基板は、
終端抵抗の接続テストを省かざるを得ない状態になって
いた。
【0026】本発明の目的は、前述したような従来技術
の問題点を解決し、抵抗、抵抗モジュールにバウンダリ
スキャン対応の機能を追加することなく、IC側に既に
設けられているバウンダリスキャンの機能を使用して、
終端抵抗の接続テストを行うことを可能にし、回路基板
の品質向上と信頼性の向上とを図ることのできる信号配
線の接続テスト方法、テスト装置及びバウンダリスキャ
ン対応のICを提供することにある。
【0027】
【課題を解決するための手段】本発明によれば前記目的
は、バウンダリスキヤン機能を備えた複数個のICと、
バウンダリスキャン機能を備えない複数個の抵抗部品と
を搭載して構成される配線基板の前記ICのピンと前記
終端抵抗ピンとの間の信号配線の接続テスト方法におい
て、前記信号配線のソースピンに対応するバウンダリス
キャン機能を備えたICの出力ゲートをトライステート
ゲートにより構成し、前記終端抵抗に接続されている電
源電位と反対の電位を前記出力ゲートから出力させる手
順と、前記出力ゲートが前記終端抵抗に接続されている
電源電位と反対の電位を出力した後に出力ゲートをハイ
インピーダンス状態に設定する手順と、その後、前記信
号配線のシンク側のバウンダリスキャン機能を備えたI
Cのピンの入力ゲート側で信号配線上の電位を観測する
手順とを有することにより達成される。
【0028】また、前記目的は、前述の各手順を実行す
る手段を備えることにより達成される。
【0029】さらに、前記目的は、バウンダリスキヤン
機能を備えた複数個のICと、バウンダリスキャン機能
を備えない複数個の抵抗部品とを搭載して構成される配
線基板の前記ICのピンと前記終端抵抗ピンとの間の信
号配線の接続テストを行う信号配線の接続テスト装置に
おいて、前記信号配線のソースピンに対応するバウンダ
リスキャン機能を備えたICの出力ゲート部に、出力ピ
ンと電源との間の電位差を検出する手段と、検出した出
力ピンと電源との間の電位差をディジタル値として取り
込むバウンダリスキャン手段とを備え、さらに、前記出
力ゲート部の電位差のディジタル値を観測する手段を備
えることにより達成される。
【0030】また、前記目的は、入出力ピンに対応して
信号の伝送値に対応した論理値を保持するバウンダリス
キャンセルを備えるバウンダリスキャン対応のICにお
いて、前記ICの出力ゲート部に、出力ピンと電源間の
電位差を検出する回路と、検出された出力ピンと電源間
との電位差をディジタル値として取り込むバウンダリス
キャンセルとを備えることにより達成される。
【0031】
【発明の実施の形態】以下、本発明による信号配線の接
続テスト方法及びテスト装置の実施形態を図面により詳
細に説明する。
【0032】図1は本発明の第1の実施形態による信号
配線の接続テスト方法を説明する図、図2は本発明の第
1の実施形態による信号配線の接続テスト方法の処理動
作を説明するフローチャートである。図1において、1
1は出力イネーブル制御信号用バウンダリスキャンセ
ル、12は出力データ用バウンダリスキャンセル、13
は入力データ用バウンダリスキャンセル、14はトライ
ステート出力ゲート、15は入力ゲート、100a、1
00bは命令レジスタ・バイパスレジスタであり、他の
符号は図8の場合と同一である。なお、命令レジスタ・
バイパスレジスタ100a、100bは、従来技術の場
合の命令レジスタ21a、21b、バイパスレジスタ2
2a、22bの機能を行うものである。
【0033】被診断基板1は、半導体IC1a、1bを
搭載して構成されており、半導体IC1a、1bは、バ
ウンダリスキャン対応論理が搭載されて構成されてい
る。ソース側となる半導体IC1aは、そのソースゲー
トに、トライステート出力ゲート14が使用され、ま
た、図9(a)により説明したと同様なマスタ・スレー
ブ構造を持つ出力イネーブル用バウンダリスキャンセル
11及び出力データ用バウンダリスキャンセル12が付
加されている。シンク側となる半導体IC1bは、入力
ゲート15を備えると共に、図9(b)により説明した
と同様なマスタレジスタのみを有する入力データバウン
ダリスキャンセル13が付加されている。この例では、
トライステート出力ゲート14の終端がHighレベル終端
であるとしている。
【0034】トライステート出力ゲート14は、出力イ
ネーブル制御信号用バウンダリスキャンセル11からの
出力イネーブルが論理値“1”であるときデータを出力
し、出力イネーブルが論理値“0”であるときハイイン
ピーダンスになるように制御される。テスタ2は、TA
Pコントローラー10a、10bを制御するTCK、T
MS、TRSTとデータをシフトインするTDIを制御
し、TDOからシフトアウトされたデータと期待値とを
比較し判定を行う。
【0035】次に、図2に示すフローを参照して図1に
示す本発明の第1の実施形態による信号配線の接続テス
ト方法の処理動作を説明する。なお、この処理動作の制
御は、TAPコントローラ10a、10bにより、図1
0に示した各ステートにより行われる。
【0036】(1)まず、命令レジスタにSAMPLE/PREL
OAD Instruction を挿入する。次に、Shift-DRステート
時に、テスタ2からTDIを介して出力データ用バウン
ダリスキャンセル12と、出力イネーブル用バウンダリ
スキャンセル11とに“0”をシフトインすると共に、
Update-DRステートを行い、データをスレーブレジスタ
にセットする(ステップ81、82)。
【0037】(2)ステップ81、82の処理でテスト
データのセットが終わるので、データ転送モードにする
ために、命令レジスタにEXTEST Instrucion を挿入す
る。次に、Capture-DRステートを行い、入力データ用バ
ウンダリスキャンセル13でデータを受け取る(ステッ
プ83、84)。
【0038】(3)Shift-DRステートを行い、データを
シフトアウトしTDOを介してテスタ2へ転送する。テ
スタ2は、データとして“0”がシフトアウトされるこ
とを確認する。もし、“1”がシフトアウトされた場
合、テスタ2は、出力ゲート14の出力ピンから終端抵
抗までの間のネットがオープンであると判定してネット
オープンとして処理を行う(ステップ85、86)。
【0039】(4)ステップ85で“0”がシフトアウ
トされることが確認できると、データのシフトアウトと
同時に、ステップ82と同様に、次のテストデータの挿
入を行い、テスタ2からTDIを介し出力イネーブル用
バウンダリスキャンセル11に“1”をシフトインし、
Update-DR ステートを行い出力ゲート14の出力をハイ
インピーダンスにする。次に、Capture-DRステートを行
い、入力データ用バウンダリスキャンセル13に値を取
り込む(ステップ87、88)。
【0040】(5)Shift-DRステートを行い、データを
シフトアウトしTDOを介してテスタ2へ転送する。テ
スタ2は、シフトアウトされたデータの判定を行う。こ
のとき、出力ゲート14は、ハイインピーダンスになっ
ている。このため、終端抵抗が接続されていれば、図1
のG点からの電荷が流入して、ネットの電位はHighレベ
ルになるはずであり、入力データ用バウンダリスキャン
セル13には、“1”が取り込まれる。また、終端抵抗
が未接続の場合、当該ネットはフローティング状態でL
owレベルのままであり、入力バウンダリスキャンセル1
3には、“0”が取り込まれる。従って、テスタ2は、
シフトアウトされたデータの判定でその値が“1”であ
れば終端抵抗接続、“0”であれば終端抵抗未接続と判
断する(ステップ89〜8B)。
【0041】前述したテスト動作で注意しなければなら
ないことは、テスト時の動作周期である。すなわち、リ
ーク電流による電荷の流入は、速度が遅く時間がかか
る。このため、動作周波数を速くしすぎると電荷流入が
間に合わなくなる。また、終端抵抗が未接続である場
合、ネットはフローティングになり以前の状態を保持し
ているはずである。しかし、現実には非常に高い抵抗で
あるが外部と接続されていると考えられ、長い時間の間
に外部からのリーク電流により電荷が供給される可能性
がある。このため、動作周波数を遅くしすぎると外部か
らのリーク電流により、判定を誤る可能性がある。従っ
て、テスト時の動作周期は、Update-DR、 Capture-DR間
の時間(ソース側がデータを送出し、シンク側でデータ
を受け取るまでの時間)で決定する必要がある。そし
て、動作周期の下限は、Update-DRからCapture-DR 間に
リーク電流によるチャージが完了する時間であり、動作
周期の上限は、Update-DRからCapture-DR の間に、外部
からのリーク電流により電位が変化しない時間である。
従って、テスト時の動作周期は、前述の下限、上限の時
間の間に設定される。
【0042】前述した本発明の第1の実施形態は、終端
抵抗に電位VCCが接続されて構成されるHighレベル終
端の例であるが、本発明は、終端抵抗に接地電位が接続
されて構成されるGND終端の場合、前述と同様の構成
で出力データ用バウンダリスキャンセル12にセットす
る値を逆にすれることによりテストを行うことができ
る。すなわち、1回目のデータセットで、出力データ用
バウンダリスキャンセル12に“1”をセットし、出力
イネーブル用バウンダリスキャンセル11に“0”をセ
ットする。そして、入力用バウンダリスキャンセル13
で“1”を受ける。2回目のデータセットは、出力イネ
ーブル用バウンダリスキャンセル11に“1”をセット
してソース側の出力をハイインピーダンスする。この状
態で、入力データ用バウンダリスキャンセル13に
“0”を取り込む。テスタ2は、シフトアウトされたデ
ータが1回目と2回目とで同一である場合に、終端ネッ
ト未接続と判定する。
【0043】図3は本発明の第2の実施形態による信号
配線の接続テスト方法を説明する図、図4は本発明の第
2の実施形態による信号配線の接続テスト方法の処理動
作を説明するフローチャートである。図3において、3
1は終端抵抗接続テスト用バウンダリスキャンセル、3
2は差動増幅回路、33は出力ゲートであり、他の符号
は図1の場合と同一である。
【0044】図3に示す本発明の第2の実施形態は、I
C間のネットをMOS GTL回路により構成した例で
あり、終端電位はHighレベルであるとする。この実施形
態において、半導体IC1aは、出力ゲート部に、出力
ピンと電源間の電位差を検出する回路である差動増幅器
32と、検出された出力ピンと電源間との電位差をディ
ジタル値として取り込むバウンダリスキャンセル31と
を備えて構成される。そして、図3における差動増幅回
路32は、出力ゲート33の出力点とGNDとの間の電
位差の有無を終端抵抗接続テスト用バウンダリスキャン
セル31に転送する機構である。
【0045】次に、図4に示すフローを参照して図3に
示す本発明の第2の実施形態による信号配線の接続テス
ト方法の処理動作を説明する。
【0046】(1)まず、命令レジスタにSAMPLE/PREL
OAD Instruction を挿入する。次に、Shift-DRステート
時に、テスタ2からTDIを介して出力データ用バウン
ダリスキャンセル12に“0”をシフトインすると共
に、Update-DR ステートを行い、データをスレーブレジ
スタに転送する(ステップ101、102)。
【0047】(2)ステップ101、102の処理でテ
ストデータのセットが終わるので、データ転送モードに
するために、命令レジスタにEXTEST Instrucion を挿入
する。次に、Capture-DRステートを行い、入力データ用
バウンダリスキャンセル13と終端抵抗接続テスト用バ
ウンダリスキャンセル31にデータを受り込む。このと
き、入力データ用バウンダリスキャンセル13は、出力
データ用バウンダリスキャンセル12が送出したデータ
をそのままを受け取る。一方、終端抵抗接続テスト用バ
ウンダリスキャンセル31は、終端抵抗が接続されてい
るとき“1”を取り込み、終端抵抗がオープンになって
いるとき“0を取り込む。これは、出力ゲート33がL
owレベルを出力するとき、終端が接続されていれば、図
3のA点からB点へ向けて定常電流が流れ、図3にCと
して示すトランジスタの持つ抵抗値でGNDとの間に電
位差が生じ、差動増幅回路32によりその電位差が検出
されるためである。終端抵抗がオープンになっていると
きは定常電流が流れず、電位差は生じない(ステップ1
03、104)。
【0048】(3)Shift-DRステートを行い、前述のよ
うにセットされたデータをシフトアウトしTDOを介し
てテスタ2へ転送する。テスタ2は、シフトアウトされ
たデータの判定を行う。テスタ2は、終端抵抗接続テス
ト用バウンダリスキャンセル31から“0”がシフトア
ウトされた場合、終端抵抗未接続、すなわち、終端ネッ
トオープンであると判定し、終端抵抗接続テスト用バウ
ンダリスキャンセル31から“1”がシフトアウトされ
た場合、終端抵抗接続正常であると判定し、さらに、入
力データ用バウンダリスキャンセル13から“1”がシ
フトアウトされた場合、データネットオープンであると
判定する(ステップ105〜108)。
【0049】図5は本発明の第3の実施形態による信号
配線の接続テスト方法を説明する図である。図5におい
て、B1は出力ゲートであり、他の符号は図3の場合と
同一である。図5に示す本発明の第3の実施形態は、G
ND終端の場合の例であり、プルアップ電位VCCと出
力ゲートB1の出力との電位差を検出する回路32が設
けられて構成される。
【0050】そして、テスト時、出力データ用バウンダ
リスキャンセル12に“1”をセットし、出力ゲートB
1からHighレベルの信号を出力させる。このとき、終端
抵抗が接続されていれば、図5のD点からE点に向けて
定常電流が流れる。このため、図5にFとして示すトラ
ンジスタが持つ抵抗値でプルアップ電位VCCとの間に
電位差が生じ、差動増幅回路32によりその電位差が検
出される。そのときの電位差の有無が終端抵抗接続テス
ト用バウンダリスキャンセル31に取り込まれる。テス
タ2は、シフトアウトされたこの終端抵抗接続テスト用
バウンダリスキャンセル31に取り込まれた電位差の有
無を示す信号の値により、前述の場合と同様にして、終
端抵抗の接続、未接続を判定することができる。
【0051】図6は本発明の第4の実施形態による信号
配線の接続テスト方法を説明する図である。図6におけ
る符号は図3の場合と同一である。図6に示す本発明の
第4の実施形態は、CTT等のセンターレベル終端の場
合の例である。この例において、比較電位C1は、GN
D、プルアップ電位VCCを選択することができる。
【0052】テスタ2は、比較電位C1をプルアップ電
位VCCにした場合、GND終端の場合と同様の処理フ
ローにより、終端抵抗接続、未接続の判定を行うことが
でき、また、比較電位C1をGNDにした場合、Highレ
ベル終端の場合と同様の処理フローにより、終端抵抗接
続、未接続の判定を行うことができる。
【0053】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、抵
抗や抵抗モジュールにバウンダリスキャン対応機能を追
加することなく、IC側に備えたバウンダリスキャンの
機能を用いて終端抵抗の接続テストを行うことができ、
回路基板の信頼性、品質の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態による信号配線の接続
テスト方法を説明する図である。
【図2】本発明の第1の実施形態による信号配線の接続
テスト方法の処理動作を説明するフローチャートであ
る。
【図3】本発明の第2の実施形態による信号配線の接続
テスト方法を説明する図である。
【図4】本発明の第2の実施形態による信号配線の接続
テスト方法の処理動作を説明するフローチャートであ
る。
【図5】本発明の第3の実施形態による信号配線の接続
テスト方法を説明する図である。
【図6】本発明の第4の実施形態による信号配線の接続
テスト方法を説明する図である。
【図7】回路基板上の各種の信号配線の構成例を示す図
である。
【図8】従来技術によるバウンダリスキャンを使用する
信号配線の接続テスト方法を説明する図である。
【図9】バウンダリスキャンセルの構成例を示すブロッ
ク図である。
【図10】TAPコントローラーによるバウンダリスキ
ャンセルの制御ステートを説明する図である。
【図11】SAMPLE/PRELOAD 命令を説明する図である。
【図12】EXTEST命令を説明する図である。
【符号の説明】
1 被診断基板 1a、1b 半導体IC 2 テスタ 10a、10b TAP(テスト・アクセス・ポート)
コントローラー 11〜13、20a〜20h、31、60a〜60d
バウンダリスキャンセル 14、33、B1 出力ゲート 15 入力ゲート 21a、21b 命令レジスタ 22a、22b バイパスレジスタ 32 差動増幅回路 41a、41b マスタレジスタ 42 スレーブレジスタ

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 バウンダリスキヤン機能を備えた複数個
    のICと、バウンダリスキャン機能を備えない複数個の
    抵抗部品とを搭載して構成される配線基板の前記ICの
    ピンと前記終端抵抗ピンとの間の信号配線の接続テスト
    方法において、前記信号配線のソースピンに対応するバ
    ウンダリスキャン機能を備えたICの出力ゲートをトラ
    イステートゲートにより構成し、前記終端抵抗に接続さ
    れている電源電位と反対の電位を前記出力ゲートから出
    力させる手順と、前記出力ゲートが前記終端抵抗に接続
    されている電源電位と反対の電位を出力した後に出力ゲ
    ートをハイインピーダンス状態に設定する手順と、その
    後、前記信号配線のシンク側のバウンダリスキャン機能
    を備えたICのピンの入力ゲート側で信号配線上の電位
    を観測する手順とからなることを特徴とする信号配線の
    接続テスト方法。
  2. 【請求項2】 バウンダリスキヤン機能を備えた複数個
    のICと、バウンダリスキャン機能を備えない複数個の
    抵抗部品とを搭載して構成される配線基板の前記ICの
    ピンと前記終端抵抗ピンとの間の信号配線の接続テスト
    を行う信号配線の接続テスト装置において、前記信号配
    線のソースピンに対応するバウンダリスキャン機能を備
    えたICの出力ゲートをトライステートゲートにより構
    成し、前記終端抵抗に接続されている電源電位と反対の
    電位を前記出力ゲートから出力させる手段と、前記出力
    ゲートが前記終端抵抗に接続されている電源電位と反対
    の電位を出力した後に出力ゲートをハイインピーダンス
    状態に設定する手段と、その後、前記信号配線のシンク
    側のバウンダリスキャン機能を備えたICのピンの入力
    ゲート側で信号配線上の電位を観測する手段とを備えた
    ことを特徴とする信号配線の接続テスト装置。
  3. 【請求項3】 バウンダリスキヤン機能を備えた複数個
    のICと、バウンダリスキャン機能を備えない複数個の
    抵抗部品とを搭載して構成される配線基板の前記ICの
    ピンと前記終端抵抗ピンとの間の信号配線の接続テスト
    を行う信号配線の接続テスト装置において、前記信号配
    線のソースピンに対応するバウンダリスキャン機能を備
    えたICの出力ゲート部に、出力ピンと電源との間の電
    位差を検出する手段と、検出した出力ピンと電源との間
    の電位差をディジタル値として取り込むバウンダリスキ
    ャン手段とを備え、さらに、前記出力ゲート部の電位差
    のディジタル値を観測する手段を備えたことを特徴とす
    る信号配線の接続テスト装置。
  4. 【請求項4】 入出力ピンに対応して信号の伝送値に対
    応した論理値を保持するバウンダリスキャンセルを備え
    るバウンダリスキャン対応のICにおいて、前記ICの
    出力ゲート部に、出力ピンと電源間の電位差を検出する
    回路と、検出された出力ピンと電源間との電位差をディ
    ジタル値として取り込むバウンダリスキャンセルとを備
    えることを特徴とするバウンダリスキャン対応のIC。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI400932B (zh) * 2007-03-22 2013-07-01 Intel Corp 與連至低電力設計用組合邏輯組件之替代電源供應器共享測試信號路由安排之技術

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