JPH0997448A

JPH0997448A - 光ピックアップ

Info

Publication number: JPH0997448A
Application number: JP7254037A
Authority: JP
Inventors: Kazushi Mori; 和思森; Atsushi Tajiri; 敦志田尻; Yasuaki Inoue; 泰明井上; Akira Ibaraki; 晃茨木; Keiichi Yoshitoshi; 慶一吉年
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1995-09-29
Filing date: 1995-09-29
Publication date: 1997-04-08
Anticipated expiration: 2015-09-29
Also published as: JP3208297B2

Abstract

(57)【要約】【課題】波長が異なる二つの光ビームを用いる場合に
各々の波長の光ビームに対して３スポット間隔を略同じ
にしたり傾きを異ならせたりすることを可能にしてトラ
ッキング制御の信頼性を向上する。【解決手段】ＴＭモードの６３５ｎｍの光ビームを出
射する第１の光源１１と、ＴＥモードの７８０ｎｍの光
ビームを出射する第２の光源１２と、ＴＭモードの光ビ
ームに対してのみ３ビーム回折機能を呈する第１の偏波
依存３ビーム用回折格子１７１と、ＴＥモードの光ビー
ムに対してのみ３ビーム回折機能を呈する第２の偏波依
存３ビーム用回折格子１７２と、第１の光源１１と第２
の光源１２のどちらかを選択的に駆動する駆動選択手段
とを備えた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク、光カ
ード、或いは光磁気ディスクなどの情報記録媒体に記録
される情報の再生又は再生と記録を行う光ピックアップ
に関する。

【０００２】

【従来の技術】トラッキング制御の手法として、３ビー
ム法が知られている。この３ビーム法は、３ビーム用回
折格子に単一の光源からの光ビームを入射して主ビーム
とこの主ビームを挟むように位置する２つの副ビームを
生成し、それぞれを情報記録媒体に照射し、その反射光
をそれぞれ受光素子に導いてトラッキング制御信号を得
るようにした方法である。

【０００３】ここで、図６に示すように、主ビーム５１
の焦点を中心とし、光ディスク５３の傾きにより生じる
副ビーム５２位置での高さ方向のずれ幅の許容範囲は、
副ビーム５２の焦点深度（焦点近傍の円柱部分）以内で
ある。従って、図６（ｂ）に示すように、主スポット５
１ａと副スポット５２ａとの間の距離が広い場合より
も、図６（ａ）に示すように、主スポット５１ａと副ス
ポット５２ａとの間の距離が狭い方が、光ディスク５３
の傾きの許容範囲を広くとることができる。

【０００４】また、図７に示すように、主スポット５１
ａをトラック５４の中央位置に位置させたとき、両副ス
ポット５２ａ，５２ａはトラック５４を境に互いに反対
の側に位置する必要がある。光カードのごとく、情報記
録媒体のトラックが直線的である場合には、副スポット
５２ａ，５２ａ間の間隔は特に問題とならないが、ディ
スク状の記録媒体５３の場合は、そのトラック５４は曲
率を持つため、副スポット５２ａ，５２ａ間の間隔が広
くなると、副スポット５２ａ，５２ａはトラック５４を
境に互いに反対の側に位置し難くなる。

【０００５】このような事情により、通常、主スポット
５１ａと副スポット５２ａ，５２ａとの間の距離は、そ
れぞれ２０μｍ以下に設定される。

【０００６】ところで、例えばコンパクトディスクとデ
ィジタルディスクとでは、ディスクを構成する透明基板
の表面から記録層までの距離が、前者は１．２ｍｍ、後
者は０．６ｍｍというように互いに異なっている。一
方、このように規格の異なる２種のディスクを単一の光
ピックアップで再生する互換性の要求がある。

【０００７】従来のこの種の互換性のある光ピックアッ
プとして、二焦点光ヘッドが提案されている（１９９４
年９月応用物理学会学術講演会：１９ｐ−Ｓ４：１９ｐ
−Ｓ−５参照）。この二焦点光ヘッドは、格子レンズに
より、一つの光源からの光ビーム（６３５ｎｍ〜６５０
ｎｍ）を０次回折光と１次回折光とに分離し、二つの焦
点を同時に発生させる構成になっている。具体的には、
図１１に示すように、前記格子レンズ１０１には、光源
１０５から出射されたハーフミラー１０６にて反射され
た光ビームをそのまま透過させる領域と、光ビームを広
げる方向に回折させる領域とが形成されており、前記
０．６ｍｍのディスク１０２に対してはそのまま透過さ
せた光ビーム（０次回折光）を用い、前記１．２ｍｍの
ディスク１０３に対しては広がる方向に回折された光ビ
ーム（１次回折光）を用いることで、対物レンズ１０４
を経た光ビームの合焦点位置が異なるようになってい
る。なお、光ディスクにて反射された光は、ハーフミラ
ー１０６を透過して受光素子１０７に入射される。

【０００８】しかしながら、上記従来の光ピックアップ
では、前記０．６ｍｍのディスク１０２に対しては広が
る方向に回折された光ビームは用いられず、また、前記
１．２ｍｍのディスク１０３に対してはそのまま透過さ
れた光ビームは用いられないことになるため、光ビーム
の利用効率が悪い。従って、高出力の光源（半導体レー
ザ）が必要になるという欠点がある。更に、６３５ｎｍ
帯で発振する半導体レーザは寿命が短く、特に高出力に
するとより短くなるため、１．２ｍｍのディスク１０３
の再生時にも当該半導体レーザを使うことになる従来の
光ピックアップでは、十分な信頼性が確保できない。

【０００９】また、前記１．２ｍｍのディスク１０３が
コンパクトディスクである場合、例えば６３５ｎｍ帯で
発振する半導体レーザを用いて再生すると、コンパクト
ディスクは波長７８０ｎｍのレーザ光に対して最も収差
が少なくなるように規格化されているため、波長が短い
分だけ透明基板の屈折率が変化し、球面収差が発生しや
すくなり、ＲＦ信号（ピット信号）のＳ／Ｎやサーボの
信頼性を低下させる問題点も有している。

【００１０】そこで、図９（ａ）（ｂ）に示すように、
６３５ｎｍ帯で発振する半導体レーザ１１と７８０ｎｍ
帯で発振する半導体レーザ１２の二つの光源を備えると
ともに、波長の相違により回折角が異なることになる格
子レンズ１３を設けることにより、０．６ｍｍの光ディ
スク１５に要求される光ビームの合焦点位置、及び１．
２ｍｍの光ディスク１６に要求される光ビームの合焦点
位置を選択的に形成するように構成することが考えられ
る。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、波長の
違いによる回折角の相違は、前述した３ビーム法におい
てトラッキング制御の精度を担う３ビーム用回折格子１
７についても生じる。３ビーム用回折格子１７は、図８
にも示すように、透明基板上に凹凸を形成して成るもの
であるが、凹凸ピッチΛを持つ回折格子に距離Ｌから波
長λの光ビームが入射される場合、０次回折光（透過
光）の（仮想）光源と±１次回折光の仮想光源との距離
Ｓ（以下、短波長の場合をＳ₁，長波長の場合をＳ₂と
する）との関係において以下の数式が成立する。但し、
簡単のため基板の厚みは考慮していない。

【００１２】

【数１】λ／Λ＝ｓｉｎθ θ＝ｔａｎ^-1（Ｓ／Ｌ）

【００１３】従って、距離Ｌから互いに波長が異なる光
ビーム（短波長λ₁，長波長λ₂）が３ビーム用回折格
子１７に入射されると、前記の距離Ｓ₁，Ｓ₂について
Ｓ₁＜Ｓ₂の関係が成立することになる。

【００１４】そして、前述したように、情報記録媒体上
の主スポット５１ａと副スポット５２ａ、５２ａとの間
の距離は、それぞれ２０μｍ以下に設定される。また、
回折限界に近い集光特性を得るため、対物レンズ１４の
倍率は、１／６〜１／５倍に設定される。従って、副ス
ポット間隔を±２０μｍ、対物レンズの倍率を１／５．
５とすると、仮想光源の間隔Ｓとしては±１１０μｍが
必要になる。

【００１５】さて、長波長λ₂＝７８０ｎｍ、仮想光源
から３ビーム用回折格子１７までの距離Ｌ＝５ｍｍ、仮
想光源の間隔Ｓ₂＝１１０μｍとすると、上記の数式に
より、３ビーム用回折格子１７の凹凸ピッチΛは３５μ
ｍになる。そして、このΛ＝３５μｍとした３ビーム用
回折格子１７に、短波長λ₁＝６３５ｎｍの光ビーム
を、上記と同じ距離Ｌ＝５ｍｍの地点から照射すると、
副ビームの仮想光源の間隔Ｓ₁は、±９１μｍとなる。

【００１６】受光素子２０，２１上のスポット間隔は、
仮想光源の間隔にほぼ等しい。また、スポットの大きさ
は波長にかかわらず殆ど同じである。従って、７８０ｎ
ｍの光ビームに対して光ディスク上で２０μｍのスポッ
ト間隔となるように、即ち、受光素子上で約１１０μｍ
の間隔になるように設計すると、図１０（ｂ）に示すよ
うに、７８０ｎｍの光ビームにおける光スポットは受光
素子２１の各受光部上において限度いっぱいで受光され
るが、同図（ａ）に示すように、６３５ｎｍの光ビーム
における光スポットは受光素子２０の両端の受光部から
はみ出して受光される。即ち、６３５ｎｍの光ビームを
用いたときには、主スポットと副スポットを分離できな
くなり、十分な信頼性のあるトラッキング制御を行うこ
とができないという問題がある。

【００１７】また、トラックに対する３スポットの並び
方向の傾きをそれぞれの種類の光ディスクについて独自
の傾きとしたいような要求に対しても、図９に示した光
ピックアップでは応えることができない。

【００１８】本発明は、上記の事情に鑑み、波長が異な
る二つの光ビームを用いると共に、各々の波長の光ビー
ムに対して３スポット間隔を略同じにしたり３スポット
の並び方向の傾きを異ならせたりすることを可能にして
トラッキング制御の信頼性を向上できる光ピックアップ
を提供することを目的とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明の光ピックアップ
は、第１の偏波方向を有する第１の波長の光ビームを出
射する第１の光源と、第２の偏波方向を有する第２の波
長の光ビームを出射する第２の光源と、第１の偏波方向
の光ビームに対してのみ３ビーム回折機能を呈する第１
の偏波依存３ビーム用回折格子と、第２の偏波方向の光
ビームに対してのみ３ビーム回折機能を呈する第２の偏
波依存３ビーム用回折格子と、第１の光源と第２の光源
のどちらかを選択的に駆動する駆動選択手段とを備えた
ことを特徴とする。

【００２０】これにより、第１の偏波依存３ビーム用回
折格子については、第１の波長の光ビームに対応させた
格子パターンを持たせ、第２の偏波依存３ビーム用回折
格子については、第２の波長の光ビームに対応させた格
子パターンを持たせることができ、各々の波長の光ビー
ムによる３スポット間隔を同じにしたり、或いは互いの
３スポットの並び方向の傾きを独自に設定したりするこ
とが可能となる。

【００２１】前記の二つの偏波依存３ビーム用回折格子
は、透明基板に特定の偏波方向の光ビームに対してのみ
当該透明基板の屈折率と異なる屈折率を有する線状部分
を所定ピッチで形成することにより得ることができる。
即ち、特定の偏波方向を有する光ビームは、その偏波方
向の屈折率を感じるため、当該偏波方向の屈折率が透明
基板本来の屈折率と異なった線状部分を有することによ
り、当該透明基板は当該光ビームに対して回折格子とし
て機能することができる。

【００２２】なお、使用する情報記録媒体の種類を使用
者が予め知り、所定の操作を行って前記駆動手段により
第１の光源と第２の光源のどららかを選択的に駆動させ
るようにしてもよいし、或いは、前記駆動選択手段が、
当該光ピックアップが設けられるプレーヤーに情報記録
媒体が装填された当初は第１の光源と第２の光源の両方
を駆動し、装填された情報記録媒体の種類が判別できた
後にその種類に応じて第１の光源と第２の光源のどちら
かを選択的に駆動するように構成されるものであっても
よい。

【００２３】また、第１の光源と第２の光源が同一平面
上に配置されている構造であれば、各光源への配線など
が簡単に行える。

【００２４】そして、上記の偏波依存３ビーム用回折格
子は、プロトン交換法を用いることにより、容易に製造
することができる。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
基づいて説明する。

【００２６】図１（ａ）（ｂ）は、本発明の光ピックア
ップの概略断面図であり、同図（ａ）はディスク表面か
ら記録層１５ａまでの距離が０．６ｍｍである光ディス
ク１５が用いられる場合を示し、同図（ｂ）はディスク
表面から記録層１６ａまでの距離が１．２ｍｍである光
ディスク１６が用いられる場合を示している。

【００２７】光ピックアップは、第１の光源１１と第２
の光源１２の二つの光源を備えている。第１の光源１１
には６３５ｎｍ帯で発振する半導体レーザが用いられ、
第２の光源１２には７８０ｎｍで発振する半導体レーザ
が用いられている。そして、前記第１の光源１１である
６３５ｎｍ帯で発振する半導体レーザは、この実施の形
態では、ＴＭモード（例えば、少なくとも井戸層に引っ
張り歪みをもつ量子井戸構造を有する活性層を備えるＡ
ｌＧａＩｎＰ系半導体レーザが挙げられる）で発振し、
第２の光源１２である７８０ｎｍ帯で発振する半導体レ
ーザは、ＴＥモード（例えば、ＡｌＧａＡｓ系の半導体
レーザが挙げられる）で発振するため、両光ビームの偏
波方向は互いに異なる。また、これら両光源１１，１２
は、図示しない駆動選択手段によって、どちらかが選択
的に駆動されるようになっている。更に、両光源１１，
１２は、この実施の形態では、光ビームの光軸に平行な
同一平面上に配置し、各光源への配線などが簡単に行え
るようにしている。

【００２８】ここで、光軸方向をｘ方向とし、図の紙面
に対して垂直な方向をｙ方向とし、上記ｘ方向およびｙ
方向に垂直な方向をｚ方向とする。前記ＴＭモードの第
１の光源１１は、その光ビームの偏波方向がｙ方向に一
致するように配置され、前記ＴＥモードの第２の光源１
２は、その光ビームの偏波方向がｚ方向に一致するよう
に配置される。

【００２９】各光源１１，１２から出射された光ビーム
は、互いに異なる特定の偏波方向の光ビームに対しての
みトラッキング制御用の３ビームを生じさせる第１，第
２の偏波依存３ビーム用回折格子１７１，１７２、フォ
ーカス制御用の非点収差光を生じさせるホログラム素子
１８、凹レンズ機能を呈する格子パターンを有する格子
レンズ１３、及び光ビームを集光させる対物レンズ１４
を透過して光ディスク１５或いは光ディスク１６の記録
層１５ａ，１６ａに集光される。そして、光ディスク１
５或いは光ディスク１６の記録層１５ａ，１６ａにて反
射された反射光は、前記の対物レンズ１４、格子レンズ
１３を逆方向にたどり、前記ホログラム素子１８に至
る。そして、このホログラム素子１８により、６３５ｎ
ｍの光ビームは回折されて第１受光素子２０に導かれ、
７８０ｎｍの光ビームはより大きく回折されて第２受光
素子２１に導かれる。

【００３０】第１の偏波依存３ビーム用回折格子１７１
は、第１の光源１１又は第２の光源１２から出射された
光ビームを入射し、偏波方向がｙ方向であるＴＭモード
の第１の光源１１の光ビームに対しては、３ビーム用回
折格子として機能する一方、偏波方向がｚ方向であるＴ
Ｅモードの第２の光源１２の光ビームに対しては、単な
る透明基板として機能するようになっている。

【００３１】一方、第２の偏波依存３ビーム用回折格子
１７２は、第１の光源１１又は第２の光源１２から出射
された光ビームを入射し、偏波方向がｙ方向であるＴＭ
モードの第１の光源１１の光ビームに対しては、単なる
透明基板として機能する一方、偏波方向がｚ方向である
ＴＥモードの第２の光源１２の光ビームに対しては、３
ビーム用回折格子として機能するようになっている。

【００３２】ここで、図３に示すように、例えば、Ｌｉ
ＮｂＯ₃結晶基板は、プロトン交換によって、プロトン
交換前の屈折率分布に対して、Ｚ軸方向の屈折率ｎｅの
みが増加する。そして、光はその偏波した方向の屈折率
に従う。なお、一般に、異方性結晶をイオン交換する
と、一方向にのみ屈折率が変化する。

【００３３】従って、６３５ｎｍのＴＭモードの光ビー
ム（ｙ方向偏波）に対して回折格子として機能すべき第
１の偏波依存３ビーム用回折格子１７１は、図４（ａ）
（ｂ）に示すように、前記屈折率が増加する方向（Ｚ
軸）をｙ方向に一致させ、ｙ方向に長いプロトン交換線
状部分１７１ａ…が所定ピッチで形成されている。

【００３４】また、７８０ｎｍのＴＥモードの光ビーム
（ｚ方向偏波）に対して回折格子として機能すべき第２
の偏波依存３ビーム用回折格子１７２は、図４（ｃ）
（ｄ）に示すように、前記屈折率が増加する方向（Ｚ
軸）をｚ方向に一致させ、ｙ方向に長いプロトン交換線
状部分１７２ａ…が所定ピッチで形成されている。

【００３５】プロトン交換線状部分の形成方法について
は、後述する。なお、図４はＸカット基板を用いる場合
の実施例である。

【００３６】上記の構成であれば、第１の光源１１が用
いられるときには、第１の偏波依存３ビーム用回折格子
１７１が３ビーム用回折格子として機能し、この第１の
偏波依存３ビーム用回折格子１７１の格子パターンによ
る３ビームが光ディスク１５の記録層１５ａ上に照射さ
れる。一方、第２の光源１２が用いられるときには、第
２の偏波依存３ビーム用回折格子１７２が３ビーム用回
折格子として機能し、この第２の偏波依存３ビーム用回
折格子１７２の格子パターンによる３ビームが光ディス
ク１６の記録層１６ａ上に形成される。

【００３７】従って、第１の偏波依存３ビーム用回折格
子１７１の格子パターンを６３５ｎｍの光ビームに合わ
せたパターンとし、第２の偏波依存３ビーム用回折格子
１７２の格子パターンを７８０ｎｍの光ビームに合わせ
たパターンとしておくことにより、図５に示すように、
６３５ｎｍの光ビームによる３ビームスポット（図中斜
線丸で示している）の間隔と、７８０ｎｍの光ビームに
よる３ビームスポット（図中白抜き丸で示している）の
間隔とを同じにすることができる。

【００３８】これにより、図２（ａ）に示すように、受
光素子２０上に形成される６３５ｎｍの光ビームによる
３ビームスポット、及び同図（ｂ）に示すように、受光
素子２１上に形成される７８０ｎｍの光ビームによる３
ビームスポットは、ともにそれぞれの両端の受光部上に
おいてはみ出すことなく形成される。

【００３９】また、光ディスク上の両３ビームスポット
の傾きを、各々の波長の光ビームで独自に設定すること
ができる。図５において、７８０ｎｍの光ビームによる
３ビームスポットの並び方向の傾きを、６３５ｎｍの光
ビームによる３ビームスポットの並び方向の傾きよりも
角度φだけ大きくしている。これは、第１の光源１１の
光ビーム（６３５ｎｍ）は、第２の光源１２の光ビーム
（７８０ｎｍ）に比べて波長が短く、さらに実効的に大
きなＮＡで集光されるので、スポットサイズが幾分小さ
くなり、この幾分小さい６３５ｎｍの光ビームの副スポ
ットをトラック中心線に接するようにすると、上記の角
度φの更なる傾きが必要になるからである。なお、角度
φを得るには、Ｘカット基板を用いる場合について図４
（ｂ）に示しているように、Ｙ軸（Ｙカット基板の場合
はＸ軸）方向に対して角度φだけプロトン交換線状部分
１７２ａ…を傾けて形成すればよい。

【００４０】次に、プロトン交換法を用いた偏波依存３
ビーム用回折格子の製造方法について簡単に説明する。
Ｘカット（又はＹカット）ＬｉＮｂＯ₃結晶基板上に、
Ｔａ（タンタル）膜を３００〜１０００Åの厚みで蒸着
した後、Ｔａ膜上にフォトレジストをスピンコートす
る。次に、一般的なフォトリソグラフィーの手法によ
り、フォトレジストをパターニングし、プロトン交換線
状部分に対応した開口部を形成し、当該部分のＴａ膜を
露出させる。そして、Ｔａ膜の露出部分をフッ素系ガス
を用いてドライエッチングにより除去し、当該部分のＬ
ｉＮｂＯ₃結晶基板の表面を露出させる。その後、フォ
トレジストを除去する。次に、Ｔａ膜上にピロリン酸膜
を塗布し、Ｔａ膜の開口部において露出しているＬｉＮ
ｂＯ₃結晶基板の部分についてプロトン交換を行う。そ
の後、Ｔａ膜をフッ酸系水溶液にて除去する。

【００４１】なお、この実施の形態では、偏波依存３ビ
ーム用回折格子としてＬｉＮｂＯ₃結晶基板を用いた
が、これに限らず、例えば、ＬｉＴａＯ₃結晶板などを
用いることができる。また、イオン交換法を用いること
もできる。また、プロトン交換にはピロリン酸の他に安
息香酸などを用いることもできる。

【００４２】また、図１に示した光学系では、光軸を一
直線としたが、例えば、光源１１，１２と第２の３ビー
ム用回折格子１７２との間、或いは第１の３ビーム用回
折格子１７１とホログラム素子１８との間に反射ミラー
を設け、光源の光軸を異なる方向に偏向する光学系とし
てもよい。特に、偏向角をほぼ９０°とした場合、光源
である半導体レーザーチップと受光素子が平行な面上に
配置でき、配線のためのワイヤボンディングが容易にな
る。

【００４３】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、二つの
光源を備え独立に駆動することで光ピックアップの寿命
向上および各記録媒体に対応した信頼性の高いサーボ制
御が行えるとともに、両光源の波長の相違による３ビー
ムスポットの間隔のずれを解消したり３スポットの並び
方向の傾きを異ならせるなどしてトラッキング制御の信
頼性を向上できるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係る光ピックアップの概
略の断面図であって、同図（ａ）は０．６ｍｍ光ディス
クが用いられる場合を、同図（ｂ）は１．２ｍｍ光ディ
スクが用いられる場合をそれぞれ示している。

【図２】本発明の実施の形態に係る光ピックアップの受
光素子上に形成されるスポットを示した説明図であり、
同図（ａ）は６３５ｎｍの光ビームの場合を、同図
（ｂ）は７８０ｎｍの光ビームの場合をそれぞれ示して
いる。

【図３】本発明の実施の形態に係るＬｉＮｂＯ₃結晶の
プロトン交換前とプロトン交換後の屈折率分布を示す模
式図である。

【図４】本発明の実施の形態に係る偏波依存３ビーム用
回折格子のパターンを示す図であって、同図（ａ）
（ｂ）は６３５ｎｍの光ビームの場合の平面図と断面図
であり、同図（ｃ）（ｄ）は７８０ｎｍの光ビームの場
合の平面図と断面図である。

【図５】本発明の実施の形態に係る偏波依存３ビーム用
回折格子を用いたときの光ディスク上のスポット配置を
示す説明図である。

【図６】３ビームスポット間隔と光ディスクの許容傾き
との関係を示す説明図であって、同図（ａ）はスポット
間隔が狭い場合を、同図（ｂ）はスポット間隔が広い場
合をそれぞれ示している。

【図７】光ディスク上のトラックと３ビームスポットと
の関係を示す説明図である。

【図８】回折格子に入射する光ビームの波長の相違によ
る仮想光源形成位置の違いを示す説明図であって、同図
（ａ）は波長が短い場合を、同図（ｂ）は波長が長い場
合をそれぞれ示している。

【図９】二光源の波長の違いを利用して二種の光ディス
クの再生又は再生と記録を行う光ピックアップの概略の
断面図であって、同図（ａ）は０．６ｍｍ光ディスクが
用いられる場合を、同図（ｂ）は１．２ｍｍ光ディスク
が用いられる場合をそれぞれ示している。

【図１０】図９の光ピックアップにより形成される受光
素子上のスポット配置を示す図であって、同図（ａ）は
波長が短い場合を、同図（ｂ）は波長が長い場合をそれ
ぞれ示している。

【図１１】従来の一つの光源を用いて二種の光ディスク
の再生又は再生と記録を行う光ピックアップを示す概略
の断面図である。

【符号の説明】

１１第１の光源１２第２の光源１３格子レンズ１４対物レンズ１５光ディスク１６光ディスク２０受光素子２１受光素子１７１第１の３ビーム用回折格子１７２第２の３ビーム用回折格子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者茨木晃大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号三洋電機株式会社内 (72)発明者吉年慶一大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号三洋電機株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１の偏波方向を有する第１の波長の光
ビームを出射する第１の光源と、第２の偏波方向を有す
る第２の波長の光ビームを出射する第２の光源と、第１
の偏波方向の光ビームに対してのみ３ビーム回折機能を
呈する第１の偏波依存３ビーム用回折格子と、第２の偏
波方向の光ビームに対してのみ３ビーム回折機能を呈す
る第２の偏波依存３ビーム用回折格子と、第１の光源と
第２の光源のどちらかを選択的に駆動する駆動選択手段
とを備えたことを特徴とする光ピックアップ。
【請求項２】前記偏波依存３ビーム用回折格子は、透
明基板に特定の偏波方向の光ビームに対してのみ当該透
明基板の屈折率と異なる屈折率を有する線状部分を所定
ピッチで形成して成ることを特徴とする請求項１に記載
の光ピックアップ。
【請求項３】第１の光源と第２の光源が同一平面上に
配置されていることを特徴とする請求項１又は請求項２
に記載の光ピックアップ。
【請求項４】前記偏波依存３ビーム用回折格子は、プ
ロトン交換により製造されたものであることを特徴とす
る請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の光ピックア
ップ。