JPH0982848A - Hybrid ic semiconductor device - Google Patents

Hybrid ic semiconductor device

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JPH0982848A
JPH0982848A JP7241985A JP24198595A JPH0982848A JP H0982848 A JPH0982848 A JP H0982848A JP 7241985 A JP7241985 A JP 7241985A JP 24198595 A JP24198595 A JP 24198595A JP H0982848 A JPH0982848 A JP H0982848A
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JP
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resin
hybrid
semiconductor device
metal case
fixing
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JP7241985A
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Japanese (ja)
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Toshitaka Sekine
敏孝 関根
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Toshiba Corp
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Toshiba Corp
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Publication date
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    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a hybrid IC semiconductor device of a structure, wherein the reliability of the device is made to enhance and moreover, an increase in cost and the expansion of the size of the device can be suppressed, by a method wherein when the device is resin-sealed by a vacuum cast method, a cast agent is prevented from intruding into a gel-like resin. SOLUTION: A hybrid IC semiconductor device is constituted into such a structure that a second resin 21 is filled on a first resin 7, whereby when a cast agent is vacuum-cast, the cast agent is prevented from intruding into the interior of the device and by providing a means for fixing the resin 21 in a metal case 5, the resin 21 is prevented from being pushed out by a pressure due to bubbles in the resin 7 when the cast agent is vacuum-cast.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ハイブリッドＩＣ
半導体装置に関し、特に、真空注型に適したハイブリッ
ドＩＣ半導体装置に関する。The present invention relates to a hybrid IC.
The present invention relates to a semiconductor device, and particularly to a hybrid IC semiconductor device suitable for vacuum casting.

【０００２】[0002]

【従来の技術】ハイブリッドＩＣ半導体装置では、電子
部品 (膜回路、トランジスタ、ダイオード、コンデンサ
等) を厚膜基板上に半田付けで接続することにより目的
の回路を構成しているが、その厚膜基板のパッケージ構
造には大別して２つの構造が従来より広く使用されてい
る。2. Description of the Related Art In a hybrid IC semiconductor device, an electronic circuit (film circuit, transistor, diode, capacitor, etc.) is connected to a thick film substrate by soldering to form a target circuit. Two types of board package structures have been widely used from the past.

【０００３】図９は、従来のハイブリッドＩＣ半導体装
置の一例を示す断面図であり、回路を構成する電子部品
を半田付けした厚膜基板１が接着剤３で金属ケース５に
固定されており、金属ケース５内にはゲル状樹脂７が充
填されている。厚膜基板１と装置外部の電気的接続は、
厚膜基板１から直接取り出されたリード９によって行わ
れる。このような構造を有するハイブリッドＩＣ半導体
装置は、取り付ける相手側の装置に、リード９を巻き付
けて半田付けや溶接等により接続が行われる。FIG. 9 is a sectional view showing an example of a conventional hybrid IC semiconductor device, in which a thick film substrate 1 to which electronic components constituting a circuit are soldered is fixed to a metal case 5 with an adhesive 3. The metal case 5 is filled with a gel resin 7. Electrical connection between the thick film substrate 1 and the outside of the device
This is performed by the leads 9 directly taken out from the thick film substrate 1. In the hybrid IC semiconductor device having such a structure, the lead 9 is wound around the device on the other side to which the device is attached, and the device is connected by soldering, welding, or the like.

【０００４】ところが、ハイブリッドＩＣ半導体装置
は、通常、厚膜基板１等の機械的保護及び耐湿保護の目
的で樹脂封止されるが、例えば、その樹脂封止の方法と
して真空注型法を用いた場合に、上記構造のハイブリッ
ドＩＣ半導体装置では、厚膜基板や電子部品に含まれる
水分や空気が泡となって発生すると、注型剤１１がゲル
状樹脂７内に入り込み、ハイブリッドＩＣ半導体装置の
信頼性を低下させるという問題を持っていた。例えば、
図１０では、Ａで示す部分において、注型剤１１がゲル
状樹脂７内に入り込んでおり、ボンディングワイヤー１
３の変形を引き起こし、最悪、断線する可能性が生じて
いる。However, the hybrid IC semiconductor device is usually resin-sealed for the purpose of mechanical protection and moisture resistance protection of the thick film substrate 1 and the like. For example, a vacuum casting method is used as the resin sealing method. In such a case, in the hybrid IC semiconductor device having the above structure, when the water or air contained in the thick film substrate or the electronic component is generated as bubbles, the casting agent 11 gets into the gel resin 7 and the hybrid IC semiconductor device. Had the problem of reducing the credibility of. For example,
In FIG. 10, in the portion indicated by A, the casting agent 11 has entered the gel-like resin 7, and the bonding wire 1
The deformation of No. 3 is caused, and in the worst case, there is a possibility of breaking the wire.

【０００５】一方、上述した構造以外に、リードをコネ
クター形状とすることで取り付ける相手側の装置にソケ
ットによる接続が可能である、図１１に示すような構造
のハイブリッドＩＣ半導体装置も広く使用されている。
図１１に示すハイブリッドＩＣ半導体装置は、厚膜基板
１が接着剤３で金属プレート１５に固定され、さらに、
金属プレート１５には樹脂ケース１７も接着剤３で固定
されており、金属プレート１５と樹脂ケース１７からな
る空間内にゲル状樹脂７が充填されている。また、樹脂
プレート１９は、接着剤３により樹脂ケース１７に接着
固定され、ハイブリッドＩＣ半導体装置を封止している
ので、真空注型による樹脂封止を行う、図９に示すハイ
ブリッドＩＣ半導体装置で問題となる注型剤の入り込み
による信頼性の低下は発生しない。On the other hand, in addition to the structure described above, a hybrid IC semiconductor device having a structure as shown in FIG. 11 is widely used, in which the lead is formed into a connector shape so that the device can be connected to a mating device by a socket. There is.
In the hybrid IC semiconductor device shown in FIG. 11, the thick film substrate 1 is fixed to the metal plate 15 with the adhesive 3, and
A resin case 17 is also fixed to the metal plate 15 with an adhesive 3, and the space between the metal plate 15 and the resin case 17 is filled with the gel resin 7. Further, the resin plate 19 is adhered and fixed to the resin case 17 by the adhesive 3 to seal the hybrid IC semiconductor device. Therefore, the hybrid IC semiconductor device shown in FIG. There is no reduction in reliability due to the entry of the casting compound, which is a problem.

【０００６】ところが、樹脂ケース１７、樹脂プレート
１９を使用するため、部品コストが高価になる、さら
に、樹脂ケース１７に樹脂プレート１９を接着している
ので、樹脂ケース１７にある程度の厚みが必要となり、
ハイブリッドＩＣ半導体装置のサイズを小さくすること
ができなかった。また、図１２において、 (ａ) に示す
ように、図９のハイブリッドＩＣ半導体装置では厚膜基
板１から直接リード９を取り出すことができたが、
(ｂ) に示すように、図１１のハイブリッドＩＣ半導体
装置では厚膜基板１から直接リード９を取り出すことが
できないので、補助リード９Ａを介して取り出すことと
なり、信頼性の低下が発生する可能性があった。However, since the resin case 17 and the resin plate 19 are used, the parts cost is high. Further, since the resin plate 19 is bonded to the resin case 17, the resin case 17 needs to have a certain thickness. ,
The size of the hybrid IC semiconductor device could not be reduced. Further, as shown in FIG. 12A, in the hybrid IC semiconductor device of FIG. 9, the lead 9 could be directly taken out from the thick film substrate 1, but
As shown in FIG. 11B, in the hybrid IC semiconductor device of FIG. 11, the lead 9 cannot be taken out directly from the thick film substrate 1, so the lead 9 is taken out via the auxiliary lead 9A, which may cause deterioration in reliability. was there.

【０００７】[0007]

【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
従来のハイブリッドＩＣ半導体装置には、図９に示す構
造では、真空注型する際に、注型剤がゲル状樹脂内に入
り込み、ハイブリッドＩＣ半導体装置の信頼性を低下さ
せるという問題を持っており、図１１に示す構造では、
部品コストが高価になる、装置のサイズを小さくするこ
とができない、厚膜基板から直接リードを取り出すこと
ができないという問題があった。As described above,
The conventional hybrid IC semiconductor device has a problem in that the structure shown in FIG. 9 causes the casting agent to enter the gel-like resin during vacuum casting, thereby reducing the reliability of the hybrid IC semiconductor device. , In the structure shown in FIG.
There are problems that the parts cost becomes high, the device size cannot be reduced, and the leads cannot be directly taken out from the thick film substrate.

【０００８】本発明は上記事情に鑑みて成されたもので
あり、その目的は、真空注型法による樹脂封止をする際
に、注型剤がゲル状樹脂内に入り込むのを防ぐことによ
り、装置の信頼性を向上させ、さらに、コストアップ及
び装置サイズの拡大を抑えることができるハイブリッド
ＩＣ半導体装置を提供することにある。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to prevent a casting agent from entering a gel-like resin during resin sealing by a vacuum casting method. Another object of the present invention is to provide a hybrid IC semiconductor device capable of improving the reliability of the device and suppressing increase in cost and increase in device size.

【０００９】[0009]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに第１の発明は、回路を構成する電子部品等を半田付
けした回路基板と、前記回路基板を固定する金属ケース
と、前記電子部品等を保護するために前記金属ケース内
に充填される第１の樹脂を有するハイブリッドＩＣ半導
体装置において、前記第１の樹脂上に充填される第２の
樹脂と、前記金属ケースに設けられ、前記第２の樹脂を
固定する手段を有することを特徴とする。In order to achieve the above object, a first aspect of the present invention is to provide a circuit board to which electronic parts constituting a circuit are soldered, a metal case for fixing the circuit board, and an electronic device. In a hybrid IC semiconductor device having a first resin filled in the metal case for protecting components and the like, a second resin filled on the first resin and the metal case are provided. It has a means for fixing the second resin.

【００１０】第２の発明は、前記第２の樹脂が、加熱に
より硬化する性質を有することを特徴とする。A second invention is characterized in that the second resin has a property of being hardened by heating.

【００１１】第３の発明は、前記第２の樹脂を固定する
手段が、前記金属ケース上端に設けられた突起であるこ
とを特徴とする。A third invention is characterized in that the means for fixing the second resin is a protrusion provided on the upper end of the metal case.

【００１２】第４の発明は、前記第２の樹脂を固定する
手段が、前記金属ケース上端に設けられた凹部であるこ
とを特徴とする。A fourth aspect of the invention is characterized in that the means for fixing the second resin is a recess provided in the upper end of the metal case.

【００１３】第５の発明は、前記第２の樹脂を固定する
手段が、前記金属ケース上端に設けられた貫通穴である
ことを特徴とする。A fifth aspect of the invention is characterized in that the means for fixing the second resin is a through hole provided at the upper end of the metal case.

【００１４】第６の発明は、前記第２の樹脂を固定する
手段が、前記金属ケースの側面の内側への絞りであるこ
とを特徴とする。A sixth aspect of the invention is characterized in that the means for fixing the second resin is an inward drawing of the side surface of the metal case.

【００１５】第７の発明は、回路を構成する電子部品等
を半田付けした回路基板と、前記回路基板を固定する金
属ケースと、前記電子部品等を保護するために前記金属
ケース内に充填される第１の樹脂を有するハイブリッド
ＩＣ半導体装置において、前記第１の樹脂上に充填さ
れ、加熱により硬化する第２の樹脂と、前記金属ケース
内に固定されるガイドを有し、前記第２の樹脂を前記ガ
イドに接着させることで前記金属ケースに固定すること
を特徴とする。According to a seventh aspect of the present invention, a circuit board to which electronic parts and the like which form a circuit are soldered, a metal case for fixing the circuit board, and a metal case for protecting the electronic parts and the like are filled in the metal case. In the hybrid IC semiconductor device having the first resin, the second resin has a second resin filled on the first resin and hardened by heating, and a guide fixed in the metal case. The resin is fixed to the metal case by adhering to the guide.

【００１６】上記構成によれば、第１の樹脂上に加熱で
硬化する第２の樹脂を充填することにより、真空注型に
よる樹脂封止を行う際に、第１の樹脂内に注型剤が入り
込むことを防ぐことができるので、装置不良や信頼性の
低下を抑えることができる。According to the above construction, by filling the first resin with the second resin which is hardened by heating, when the resin is sealed by vacuum casting, the casting agent is placed in the first resin. Since it can be prevented from entering, it is possible to suppress a device failure and a decrease in reliability.

【００１７】また、真空注型する際に、第１の樹脂内の
気泡の圧力により第２の樹脂が押し出されることを防ぐ
ために、金属ケースの第２の樹脂を固定するための手段
を有しているのである。Further, there is provided a means for fixing the second resin in the metal case in order to prevent the second resin from being pushed out by the pressure of the air bubbles in the first resin during the vacuum casting. -ing

【００１８】[0018]

【発明の実施の形態】BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

第１の実施の形態 図１は、第１の実施の形態に係るハイブリッドＩＣ半導
体装置の構成を示す断面図である。なお、従来例の図９
及び図１１と同一部分には同一符号が付してある。First Embodiment FIG. 1 is a sectional view showing the structure of a hybrid IC semiconductor device according to the first embodiment. In addition, FIG. 9 of the conventional example
The same parts as those in FIG. 11 are designated by the same reference numerals.

【００１９】図１において、第１の実施の形態に係るハ
イブリッドＩＣ半導体装置は、回路を構成する電子部品
を半田付けした厚膜基板１が接着剤３で金属ケース５に
固定されており、金属ケース５内にはゲル状樹脂７が充
填されている。厚膜基板１と装置外部の電気的接続は、
厚膜基板１から直接取り出されたリード９によって行わ
れる。ここまでは、従来例と同じであり、本発明の特徴
は、ゲル状樹脂７上に一定の硬度を有する熱硬化性樹脂
２１を金属ケース７上端まで充填し、さらに、金属ケー
ス７上端に熱硬化性樹脂２１を固定する固定部２３Ａを
有している点である。Referring to FIG. 1, in the hybrid IC semiconductor device according to the first embodiment, a thick film substrate 1 to which electronic components constituting a circuit are soldered is fixed to a metal case 5 with an adhesive 3, The case 5 is filled with a gel resin 7. The electrical connection between the thick film substrate 1 and the outside of the device is
This is performed by the leads 9 directly taken out from the thick film substrate 1. The process up to this point is the same as in the conventional example, and the feature of the present invention is that the thermosetting resin 21 having a certain hardness is filled on the gel resin 7 up to the upper end of the metal case 7, and the upper end of the metal case 7 is heated. This is that it has a fixing portion 23A for fixing the curable resin 21.

【００２０】熱硬化性樹脂２１は、熱を加えると硬化す
る性質を有する樹脂のことをいい、例えばエポキシ樹脂
などがあり、一般に耐熱性、耐水性が優れている。室温
では熱硬化性樹脂２１は液状であるので、リード９を厚
膜基板１から直接取り出すことができ、さらに、充填後
加熱することにより硬化するので、完全密閉することが
できる。また、真空注型する際に、注型剤がゲル状樹脂
７内に入り込むことを防ぐことができる。The thermosetting resin 21 is a resin having a property of being hardened when heat is applied, and examples thereof include an epoxy resin and the like, and generally have excellent heat resistance and water resistance. Since the thermosetting resin 21 is liquid at room temperature, the leads 9 can be directly taken out from the thick film substrate 1 and further cured by heating after filling so that they can be completely sealed. Further, it is possible to prevent the casting agent from entering the gel-like resin 7 during vacuum casting.

【００２１】固定部２３Ａは、金属ケース５上端に設け
られた内側への突起であり、真空注型する際に、硬化し
た熱硬化性樹脂２１がゲル状樹脂７内の気泡の圧力によ
り外側に押し出されてしまうことを防ぎ、熱硬化性樹脂
２１を金属ケース５に固定している。The fixing portion 23A is an inward protrusion provided on the upper end of the metal case 5, and when the vacuum casting is performed, the hardened thermosetting resin 21 is moved outward by the pressure of the bubbles in the gel resin 7. The thermosetting resin 21 is fixed to the metal case 5 to prevent it from being pushed out.

【００２２】このように、本実施の形態に係るハイブリ
ッドＩＣ半導体装置は、ゲル状樹脂上に熱硬化性樹脂を
充填したことにより、真空注型する際に、注型剤がゲル
状樹脂内に入り込むことを防ぐことができるので、装置
不良や信頼性の低下を抑えることができる。また、熱硬
化性樹脂の金属ケースへの固定は、金属ケース上端に設
けた突起である固定部のみによるので、金属ケースの厚
みを必要とはせず、装置サイズを小さくすることができ
る。As described above, in the hybrid IC semiconductor device according to the present embodiment, the gel-like resin is filled with the thermosetting resin so that the casting agent is placed in the gel-like resin during vacuum casting. Since it is possible to prevent the entry, it is possible to suppress a device defect and a decrease in reliability. Further, since the thermosetting resin is fixed to the metal case only by the fixing portion which is the protrusion provided on the upper end of the metal case, the thickness of the metal case is not required, and the device size can be reduced.

【００２３】第２の実施の形態 図２は、第２の実施の形態に係るハイブリッドＩＣ半導
体装置の構成を示す断面図である。なお、図１、図９及
び図１１と同一部分には同一符号が付してある。Second Embodiment FIG. 2 is a sectional view showing the structure of a hybrid IC semiconductor device according to the second embodiment. The same parts as those in FIGS. 1, 9 and 11 are designated by the same reference numerals.

【００２４】図２において、金属ケース５の上端には外
側への突起である固定部２３Ｂが設けられている。In FIG. 2, a fixing portion 23B, which is an outward protrusion, is provided on the upper end of the metal case 5.

【００２５】第３の実施の形態 図３は、第３の実施の形態に係るハイブリッドＩＣ半導
体装置の構成を示す断面図である。なお、図１、図９及
び図１１と同一部分には同一符号が付してある。Third Embodiment FIG. 3 is a sectional view showing the structure of a hybrid IC semiconductor device according to the third embodiment. The same parts as those in FIGS. 1, 9 and 11 are designated by the same reference numerals.

【００２６】図３において、金属ケース５の上端の内側
に凹部である固定部２３Ｃが設けられている。In FIG. 3, a fixing portion 23C, which is a concave portion, is provided inside the upper end of the metal case 5.

【００２７】第４の実施の形態 図４は、第４の実施の形態に係るハイブリッドＩＣ半導
体装置の構成を示す断面図である。なお、図１、図９及
び図１１と同一部分には同一符号が付してある。Fourth Embodiment FIG. 4 is a sectional view showing the structure of a hybrid IC semiconductor device according to the fourth embodiment. The same parts as those in FIGS. 1, 9 and 11 are designated by the same reference numerals.

【００２８】図４において、金属ケース５の上端に貫通
穴である固定部２３Ｄが設けられている。In FIG. 4, a fixing portion 23D, which is a through hole, is provided at the upper end of the metal case 5.

【００２９】第５の実施の形態 図５は、第５の実施の形態に係るハイブリッドＩＣ半導
体装置の構成を示す断面図である。なお、図１、図９及
び図１１と同一部分には同一符号が付してある。Fifth Embodiment FIG. 5 is a sectional view showing the structure of a hybrid IC semiconductor device according to the fifth embodiment. The same parts as those in FIGS. 1, 9 and 11 are designated by the same reference numerals.

【００３０】図５において、金属ケース５の側面に内側
への絞りである固定部２３Ｅが設けられている。In FIG. 5, a fixing portion 23E, which is an inward diaphragm, is provided on the side surface of the metal case 5.

【００３１】第６の実施の形態 図６は、第６の実施の形態に係るハイブリッドＩＣ半導
体装置の構成を示す断面図である。なお、図１、図９及
び図１１と同一部分には同一符号が付してある。Sixth Embodiment FIG. 6 is a sectional view showing the structure of a hybrid IC semiconductor device according to the sixth embodiment. The same parts as those in FIGS. 1, 9 and 11 are designated by the same reference numerals.

【００３２】図６において、樹脂ガイド２５は、金属ケ
ース５側面と厚膜基板１の間で金属ケース５底面に固定
され、樹脂ガイド２５内にゲル状樹脂７が充填されてい
る。一方、熱硬化性樹脂２１は、金属ケース５上端まで
充填され、樹脂ガイド２５と金属ケース５の隙間に入り
込んでいる。In FIG. 6, the resin guide 25 is fixed to the bottom surface of the metal case 5 between the side surface of the metal case 5 and the thick film substrate 1, and the resin guide 25 is filled with the gel resin 7. On the other hand, the thermosetting resin 21 is filled up to the upper end of the metal case 5 and enters the gap between the resin guide 25 and the metal case 5.

【００３３】このように、本実施の形態に係るハイブリ
ッドＩＣ半導体装置は、樹脂ガイド２５と金属ケース５
の隙間に熱硬化性樹脂２１を入り込ませて熱硬化性樹脂
２１の接着面積を広くすることにより、熱硬化性樹脂２
１の接着力を大きくし、熱硬化性樹脂２１を金属ケース
５に固定している。As described above, the hybrid IC semiconductor device according to this embodiment has the resin guide 25 and the metal case 5.
The thermosetting resin 21 is allowed to enter the gap between the two to widen the bonding area of the thermosetting resin 21.
The adhesive force of 1 is increased and the thermosetting resin 21 is fixed to the metal case 5.

【００３４】第７の実施の形態 図７は、第７の実施の形態に係るハイブリッドＩＣ半導
体装置の構成を示す断面図である。なお、図１、図９及
び図１１と同一部分には同一符号が付してある。Seventh Embodiment FIG. 7 is a sectional view showing the structure of a hybrid IC semiconductor device according to the seventh embodiment. The same parts as those in FIGS. 1, 9 and 11 are designated by the same reference numerals.

【００３５】図７において、金属ケース５の内側に樹脂
ガイド２５が接着剤２５で固定されている。ゲル状樹脂
７は樹脂ガイド２５の下部まで充填され、その上に熱硬
化性樹脂２１が充填されており、熱硬化性樹脂２１は樹
脂ガイド２５と広い接着面積で接着している。In FIG. 7, a resin guide 25 is fixed inside the metal case 5 with an adhesive 25. The gel-like resin 7 is filled up to the lower part of the resin guide 25, and the thermosetting resin 21 is filled on it, and the thermosetting resin 21 is bonded to the resin guide 25 with a wide bonding area.

【００３６】第８の実施の形態 図８は、第８の実施の形態に係るハイブリッドＩＣ半導
体装置の構成を示す断面図である。なお、図１、図９及
び図１１と同一部分には同一符号が付してある。Eighth Embodiment FIG. 8 is a sectional view showing the structure of a hybrid IC semiconductor device according to the eighth embodiment. The same parts as those in FIGS. 1, 9 and 11 are designated by the same reference numerals.

【００３７】図８において、本実施の形態に係るハイブ
リッドＩＣ半導体装置は、金属ケース５上端に、図１に
示す内側への突起、図３に示す内側への凹部、また、図
５に示す金属ケース５の側面の内側への絞りを組み合わ
せて、熱硬化性樹脂２１を固定している。In FIG. 8, the hybrid IC semiconductor device according to the present embodiment is provided with an inward projection shown in FIG. 1, an inward recess shown in FIG. 3, and a metal shown in FIG. The thermosetting resin 21 is fixed by combining an inward drawing of the side surface of the case 5.

【００３８】[0038]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ハ
イブリッドＩＣ半導体装置を真空注型により樹脂封止を
する際に、注型剤が装置内部に入り込むことを防ぐこと
により装置不良や装置の信頼性の低下を抑えることがで
きる。As described above, according to the present invention, when a hybrid IC semiconductor device is resin-molded by vacuum casting, the casting agent is prevented from entering the inside of the device, and thus the device is defective. It is possible to suppress a decrease in reliability.

【００３９】また、装置の部品コストを抑え、装置サイ
ズを小さくすることができる。Further, the cost of parts of the device can be suppressed and the size of the device can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】第１の実施の形態に係るハイブリッドＩＣ半導
体装置の構成を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a hybrid IC semiconductor device according to a first embodiment.

【図２】第２の実施の形態に係るハイブリッドＩＣ半導
体装置の構成を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing a configuration of a hybrid IC semiconductor device according to a second embodiment.

【図３】第３の実施の形態に係るハイブリッドＩＣ半導
体装置の構成を示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing a configuration of a hybrid IC semiconductor device according to a third embodiment.

【図４】第４の実施の形態に係るハイブリッドＩＣ半導
体装置の構成を示す断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing a configuration of a hybrid IC semiconductor device according to a fourth embodiment.

【図５】第５の実施の形態に係るハイブリッドＩＣ半導
体装置の構成を示す断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing a configuration of a hybrid IC semiconductor device according to a fifth embodiment.

【図６】第６の実施の形態に係るハイブリッドＩＣ半導
体装置の構成を示す断面図である。FIG. 6 is a sectional view showing a configuration of a hybrid IC semiconductor device according to a sixth embodiment.

【図７】第７の実施の形態に係るハイブリッドＩＣ半導
体装置の構成を示す断面図である。FIG. 7 is a sectional view showing a configuration of a hybrid IC semiconductor device according to a seventh embodiment.

【図８】第８の実施の形態に係るハイブリッドＩＣ半導
体装置の構成を示す断面図である。FIG. 8 is a sectional view showing a configuration of a hybrid IC semiconductor device according to an eighth embodiment.

【図９】従来のハイブリッドＩＣ半導体装置の一例を示
す断面図である。FIG. 9 is a sectional view showing an example of a conventional hybrid IC semiconductor device.

【図１０】図９に示す従来のハイブリッドＩＣ半導体装
置の問題点を説明するための図である。FIG. 10 is a diagram for explaining a problem of the conventional hybrid IC semiconductor device shown in FIG.

【図１１】従来のハイブリッドＩＣ半導体装置の他の例
を示す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view showing another example of a conventional hybrid IC semiconductor device.

【図１２】図１１に示す従来のハイブリッドＩＣ半導体
装置の問題点を説明するための図である。FIG. 12 is a diagram for explaining a problem of the conventional hybrid IC semiconductor device shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 厚膜基板 ３ 接着剤 ５ 金属ケース ７ ゲル状樹脂 ９、９Ａ リード １１ 注型剤 １３ ボンティングワイヤー １５ 金属プレート １７ 樹脂ケース １９ 樹脂プレート ２１ 熱硬化性樹脂 ２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃ、２３Ｄ、２３Ｅ、２３Ｆ 固
定部 ２５ 樹脂ガイド1 Thick Film Substrate 3 Adhesive 5 Metal Case 7 Gel Resin 9, 9A Lead 11 Casting Agent 13 Bonding Wire 15 Metal Plate 17 Resin Case 19 Resin Plate 21 Thermosetting Resin 23A, 23B, 23C, 23D, 23E, 23F Fixed part 25 Resin guide

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 回路を構成する電子部品等を半田付けし
た回路基板と、前記回路基板を固定する金属ケースと、
前記電子部品等を保護するために前記金属ケース内に充
填される第１の樹脂を有するハイブリッドＩＣ半導体装
置において、 前記第１の樹脂上に充填される第２の樹脂と、 前記金属ケースに設けられ、前記第２の樹脂を固定する
手段を有することを特徴とするハイブリッドＩＣ半導体
装置。1. A circuit board to which an electronic component or the like forming a circuit is soldered, and a metal case for fixing the circuit board,
A hybrid IC semiconductor device having a first resin filled in the metal case to protect the electronic component, the second resin being filled on the first resin, and provided on the metal case. And a means for fixing the second resin, the hybrid IC semiconductor device. 【請求項２】 前記第２の樹脂が、加熱により硬化する
性質を有することを特徴とする請求項１記載のハイブリ
ッドＩＣ半導体装置。2. The hybrid IC semiconductor device according to claim 1, wherein the second resin has a property of being hardened by heating. 【請求項３】 前記第２の樹脂を固定する手段が、前記
金属ケース上端に設けられた突起であることを特徴とす
る請求項１又は２記載のハイブリッドＩＣ半導体装置。3. The hybrid IC semiconductor device according to claim 1, wherein the means for fixing the second resin is a protrusion provided on the upper end of the metal case. 【請求項４】 前記第２の樹脂を固定する手段が、前記
金属ケース上端に設けられた凹部であることを特徴とす
る請求項１又は２記載のハイブリッドＩＣ半導体装置。4. The hybrid IC semiconductor device according to claim 1, wherein the means for fixing the second resin is a recess provided at the upper end of the metal case. 【請求項５】 前記第２の樹脂を固定する手段が、前記
金属ケース上端に設けられた貫通穴であることを特徴と
する請求項１又は２記載のハイブリッドＩＣ半導体装
置。5. The hybrid IC semiconductor device according to claim 1, wherein the means for fixing the second resin is a through hole provided at an upper end of the metal case. 【請求項６】 前記第２の樹脂を固定する手段が、前記
金属ケースの側面の内側への絞りであることを特徴とす
る請求項１又は２記載のハイブリッドＩＣ半導体装置。6. The hybrid IC semiconductor device according to claim 1, wherein the means for fixing the second resin is an inward drawing of the side surface of the metal case. 【請求項７】 回路を構成する電子部品等を半田付けし
た回路基板と、前記回路基板を固定する金属ケースと、
前記電子部品等を保護するために前記金属ケース内に充
填される第１の樹脂を有するハイブリッドＩＣ半導体装
置において、 前記第１の樹脂上に充填され、加熱により硬化する第２
の樹脂と、 前記金属ケース内に固定されるガイドを有し、 前記第２の樹脂を前記ガイドに接着させることで前記金
属ケースに固定することを特徴とするハイブリッドＩＣ
半導体装置。7. A circuit board to which an electronic component forming a circuit is soldered, and a metal case for fixing the circuit board,
A hybrid IC semiconductor device having a first resin filled in the metal case to protect the electronic component, the second IC being filled on the first resin and being cured by heating.
And a guide fixed in the metal case. The hybrid IC is fixed to the metal case by adhering the second resin to the guide.
Semiconductor device.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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