JPH0982267A - イオンドーピング装置 - Google Patents
イオンドーピング装置Info
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- JPH0982267A JPH0982267A JP7230965A JP23096595A JPH0982267A JP H0982267 A JPH0982267 A JP H0982267A JP 7230965 A JP7230965 A JP 7230965A JP 23096595 A JP23096595 A JP 23096595A JP H0982267 A JPH0982267 A JP H0982267A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 処理中のガラス基板の表面温度を一定に保
ち、処理の安定性および再現性が得られるイオンドーピ
ング装置を得る。 【解決手段】 処理室内に設置された赤外線モニタ９に
よってガラス基板１の表面温度を複数箇所測定し、その
検出結果をターゲットの温度調整器１０にフィードバッ
クする。ガラス基板１表面の温度上昇を検出した場合に
は、冷却水の熱交換器であるチラー１１の設定温度を下
げる等して、ターゲット２の表面温度を抑制し、ガラス
基板１の表面温度を一定に保つ。また、ガラス基板１の
裏面温度を熱電対等の温度測定器１２でモニターし、タ
ーゲット２の温度調整器１０にフィードバックする
ち、処理の安定性および再現性が得られるイオンドーピ
ング装置を得る。 【解決手段】 処理室内に設置された赤外線モニタ９に
よってガラス基板１の表面温度を複数箇所測定し、その
検出結果をターゲットの温度調整器１０にフィードバッ
クする。ガラス基板１表面の温度上昇を検出した場合に
は、冷却水の熱交換器であるチラー１１の設定温度を下
げる等して、ターゲット２の表面温度を抑制し、ガラス
基板１の表面温度を一定に保つ。また、ガラス基板１の
裏面温度を熱電対等の温度測定器１２でモニターし、タ
ーゲット２の温度調整器１０にフィードバックする
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、イオンドーピン
グ装置、特に大面積のガラス基板を処理するイオンドー
ピング装置に関するものである。
グ装置、特に大面積のガラス基板を処理するイオンドー
ピング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図７は、従来のイオンドーピング装置の
処理室を示す断面図である。図において、１はガラス基
板、２はガラス基板の保持部であるターゲット、３は陰
極に帯電した電極板、４はコイル、５はＲＦ高周波電
源、６はガラス基板に打ち込まれるプラスイオン源をそ
れぞれ示す。また、７は冷却水ＩＮ側、８は冷却水ＯＵ
Ｔ側、１０はターゲット２の温度を制御している温度調
整器、１１は熱交換用のチラーである。以上のように構
成された従来のイオンドーピング装置では、ＲＦ高周波
をかけられた電磁場中にガスを導入し、陰極に帯電した
電極板３によってプラスに帯電したイオン６を引き込み
加速することにより、ターゲット２上に設置されたガラ
ス基板１にイオンを打ち込む方法をとっている。装置内
の圧力は、真空ポンプで高真空を引き、調整を行ってい
る。
処理室を示す断面図である。図において、１はガラス基
板、２はガラス基板の保持部であるターゲット、３は陰
極に帯電した電極板、４はコイル、５はＲＦ高周波電
源、６はガラス基板に打ち込まれるプラスイオン源をそ
れぞれ示す。また、７は冷却水ＩＮ側、８は冷却水ＯＵ
Ｔ側、１０はターゲット２の温度を制御している温度調
整器、１１は熱交換用のチラーである。以上のように構
成された従来のイオンドーピング装置では、ＲＦ高周波
をかけられた電磁場中にガスを導入し、陰極に帯電した
電極板３によってプラスに帯電したイオン６を引き込み
加速することにより、ターゲット２上に設置されたガラ
ス基板１にイオンを打ち込む方法をとっている。装置内
の圧力は、真空ポンプで高真空を引き、調整を行ってい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のイオンドーピン
グ装置は、以上のように構成されているので、基板の処
理を連続的に続けた場合、ＲＦ放電によりガラス基板１
またはターゲット２の表面温度が一定温度まで上昇し続
け、ガラス基板１に塗布されたレジストが変質する等の
問題があった。処理を中断するとＲＦ放電も中断される
ため、次に処理を行うガラス基板１の表面温度は処理の
間隔によっては高いままであったり、低くなったりと、
各処理ごとのガラス基板１の表面温度を一定に保つこと
が困難であり、プロセスが安定しないという問題があっ
た。また、ターゲット２の温度調整は行っていても、実
際に処理が行われているガラス基板１の表面温度、特に
大面積のガラス基板においては面内の温度分布等が把握
できないという問題があった。
グ装置は、以上のように構成されているので、基板の処
理を連続的に続けた場合、ＲＦ放電によりガラス基板１
またはターゲット２の表面温度が一定温度まで上昇し続
け、ガラス基板１に塗布されたレジストが変質する等の
問題があった。処理を中断するとＲＦ放電も中断される
ため、次に処理を行うガラス基板１の表面温度は処理の
間隔によっては高いままであったり、低くなったりと、
各処理ごとのガラス基板１の表面温度を一定に保つこと
が困難であり、プロセスが安定しないという問題があっ
た。また、ターゲット２の温度調整は行っていても、実
際に処理が行われているガラス基板１の表面温度、特に
大面積のガラス基板においては面内の温度分布等が把握
できないという問題があった。
【０００４】この発明は、上記ような問題点を解消する
ためになされたもので、処理中のガラス基板の表面温度
を一定に保ち、処理の安定性および再現性が得られるイ
オンドーピング装置を得ることを目的とする。
ためになされたもので、処理中のガラス基板の表面温度
を一定に保ち、処理の安定性および再現性が得られるイ
オンドーピング装置を得ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明に係わるイオン
ドーピング装置は、ガスの導入手段、イオンの生成手段
および加速手段を有し、内部を真空に保つ処理室内に設
置され、イオンが打ち込まれる被処理体を保持する保持
部と、被処理体の表面温度を検出する温度センサと、保
持部を加熱または冷却する手段と、温度センサの検出結
果に基づいて加熱または冷却手段を駆動し、被処理体の
表面温度を目標温度に制御するコントローラとを備えた
ものである。また、温度センサとして赤外線モニタを用
いるものである。
ドーピング装置は、ガスの導入手段、イオンの生成手段
および加速手段を有し、内部を真空に保つ処理室内に設
置され、イオンが打ち込まれる被処理体を保持する保持
部と、被処理体の表面温度を検出する温度センサと、保
持部を加熱または冷却する手段と、温度センサの検出結
果に基づいて加熱または冷却手段を駆動し、被処理体の
表面温度を目標温度に制御するコントローラとを備えた
ものである。また、温度センサとして赤外線モニタを用
いるものである。
【０００６】また、温度センサは、被処理体表面あるい
は裏面の中心部および周辺部を含む複数箇所の温度を測
定し、コントローラにフィードバックするものである。
また、被処理体表面あるいは裏面の周辺部は、周辺端よ
り７mm以内の部分である。また、ガスの導入手段、イオ
ンの生成手段および加速手段を有し、内部を真空に保つ
処理室内に設置された被処理体を保持する保持部と、保
持部の表面温度を検出する温度センサと、保持部を加熱
または冷却する手段と、温度センサの検出結果に基づい
て加熱または冷却手段を駆動し、保持部を目標温度に制
御するコントローラとを備えたものである。
は裏面の中心部および周辺部を含む複数箇所の温度を測
定し、コントローラにフィードバックするものである。
また、被処理体表面あるいは裏面の周辺部は、周辺端よ
り７mm以内の部分である。また、ガスの導入手段、イオ
ンの生成手段および加速手段を有し、内部を真空に保つ
処理室内に設置された被処理体を保持する保持部と、保
持部の表面温度を検出する温度センサと、保持部を加熱
または冷却する手段と、温度センサの検出結果に基づい
て加熱または冷却手段を駆動し、保持部を目標温度に制
御するコントローラとを備えたものである。
【０００７】また、ガスの導入手段、イオンの生成手段
および加速手段を有し、内部を真空に保つ処理室内に設
置された被処理体を保持する保持部と、イオンのビーム
パワーを検出するビームパワー測定器と、保持部を加熱
または冷却する手段と、ビームパワー測定器の検出結果
に基づいて被処理体の表面温度を換算し、加熱または冷
却手段を駆動して被処理体の表面温度を目標温度に制御
するコントローラとを備えたものである。また、被処理
体としてガラス基板を用いるものである。また、ガスの
導入手段、イオンの生成手段および加速手段を有し、内
部を真空に保つ処理室内に設置され、イオンが打ち込ま
れるガラス基板を保持する保持部と、この保持部に埋設
され、被処理体の裏面温度を検出する温度センサと、保
持部を加熱または冷却する手段と、温度センサの検出結
果に基づいて加熱または冷却手段を駆動し、被処理体の
裏面温度を目標温度に制御するコントローラとを備えた
ものである。さらに、被処理体の表面温度を０〜１５０
°Ｃの範囲で制御するものである。
および加速手段を有し、内部を真空に保つ処理室内に設
置された被処理体を保持する保持部と、イオンのビーム
パワーを検出するビームパワー測定器と、保持部を加熱
または冷却する手段と、ビームパワー測定器の検出結果
に基づいて被処理体の表面温度を換算し、加熱または冷
却手段を駆動して被処理体の表面温度を目標温度に制御
するコントローラとを備えたものである。また、被処理
体としてガラス基板を用いるものである。また、ガスの
導入手段、イオンの生成手段および加速手段を有し、内
部を真空に保つ処理室内に設置され、イオンが打ち込ま
れるガラス基板を保持する保持部と、この保持部に埋設
され、被処理体の裏面温度を検出する温度センサと、保
持部を加熱または冷却する手段と、温度センサの検出結
果に基づいて加熱または冷却手段を駆動し、被処理体の
裏面温度を目標温度に制御するコントローラとを備えた
ものである。さらに、被処理体の表面温度を０〜１５０
°Ｃの範囲で制御するものである。
【０００８】
実施の形態１．以下、この発明の一実施の形態を図につ
いて説明する。図１は本発明の実施の形態１であるイオ
ンドーピング装置の処理室を示す断面図である。図にお
いて、１はガラス基板、２はガラス基板を保持する保持
部であるターゲット、３は陰極に帯電した電極板、４は
コイル、５はＲＦ高周波電源、６はガラス基板１に打ち
込まれるプラスイオン源をそれぞれ示す。また、９はガ
ラス基板１の表面温度を測定する赤外線モニタ等の温度
測定器であり、その検出結果をターゲット２の温度調整
器１０にフィードバックし、ターゲット２の温度制御を
行うものである。すなわち、温度調整器１０は、温度測
定器９の検出結果に基づき、冷却水の循環を調整し、目
標温度に制御するコントローラである。７は冷却水ＩＮ
側、８は冷却水ＯＵＴ側であり、冷却水は装置本体の外
部に設けられたチラー１１にて熱交換され、循環されて
いる。また、装置内の圧力は、真空ポンプで高真空を引
き、調整を行っている。
いて説明する。図１は本発明の実施の形態１であるイオ
ンドーピング装置の処理室を示す断面図である。図にお
いて、１はガラス基板、２はガラス基板を保持する保持
部であるターゲット、３は陰極に帯電した電極板、４は
コイル、５はＲＦ高周波電源、６はガラス基板１に打ち
込まれるプラスイオン源をそれぞれ示す。また、９はガ
ラス基板１の表面温度を測定する赤外線モニタ等の温度
測定器であり、その検出結果をターゲット２の温度調整
器１０にフィードバックし、ターゲット２の温度制御を
行うものである。すなわち、温度調整器１０は、温度測
定器９の検出結果に基づき、冷却水の循環を調整し、目
標温度に制御するコントローラである。７は冷却水ＩＮ
側、８は冷却水ＯＵＴ側であり、冷却水は装置本体の外
部に設けられたチラー１１にて熱交換され、循環されて
いる。また、装置内の圧力は、真空ポンプで高真空を引
き、調整を行っている。
【０００９】以上のように構成されたイオンドーピング
装置では、ＲＦ高周波をかけられた電磁場中にガスを導
入し、陰極に帯電した電極板３によってプラスに帯電し
たイオン６を引き込み加速することにより、ターゲット
２上に設置されたガラス基板１にイオンを打ち込む方法
をとっている。ガラス基板１の処理が連続的に行われる
場合、従来のイオンドーピング装置ではＲＦ放電により
基板表面温度がある程度まで上昇し続けるが、本実施の
形態のイオンドーピング装置では、赤外線モニタ９によ
ってガラス基板１の表面温度を測定し、その検出結果を
ターゲット２の温度調整器１０にフィードバックしてい
るため、ガラス基板１表面の温度上昇を検出した場合に
は冷却水の熱交換器であるチラーの設定温度を下げる等
の調整を行い、ターゲット２の表面温度の上昇を抑制
し、ガラス基板１の表面温度が一定に保たれるように構
成されている。ガラス基板１の表面温度の制御範囲は、
１５０°Ｃを超えるとガラス基板に塗布されているレジ
ストが変質するため、０〜１５０°Ｃの範囲内とする。
また、赤外線モニタ９は、測定対象より発生する赤外線
を検出し、その波長によって測定対象物の表面温度を換
算するものであるが、本実施の形態では、イオンドーピ
ング装置の処理室内に設置し、プラズマ放電中に検出を
行うため、プラズマのスペクトルを考慮した検出設定を
用いる。
装置では、ＲＦ高周波をかけられた電磁場中にガスを導
入し、陰極に帯電した電極板３によってプラスに帯電し
たイオン６を引き込み加速することにより、ターゲット
２上に設置されたガラス基板１にイオンを打ち込む方法
をとっている。ガラス基板１の処理が連続的に行われる
場合、従来のイオンドーピング装置ではＲＦ放電により
基板表面温度がある程度まで上昇し続けるが、本実施の
形態のイオンドーピング装置では、赤外線モニタ９によ
ってガラス基板１の表面温度を測定し、その検出結果を
ターゲット２の温度調整器１０にフィードバックしてい
るため、ガラス基板１表面の温度上昇を検出した場合に
は冷却水の熱交換器であるチラーの設定温度を下げる等
の調整を行い、ターゲット２の表面温度の上昇を抑制
し、ガラス基板１の表面温度が一定に保たれるように構
成されている。ガラス基板１の表面温度の制御範囲は、
１５０°Ｃを超えるとガラス基板に塗布されているレジ
ストが変質するため、０〜１５０°Ｃの範囲内とする。
また、赤外線モニタ９は、測定対象より発生する赤外線
を検出し、その波長によって測定対象物の表面温度を換
算するものであるが、本実施の形態では、イオンドーピ
ング装置の処理室内に設置し、プラズマ放電中に検出を
行うため、プラズマのスペクトルを考慮した検出設定を
用いる。
【００１０】赤外線モニタ９による測定ポイントは、大
面積のガラス基板１の表面温度を均一に保つために複数
箇所設けることが望ましく、本実施の形態ではガラス基
板１の中央部と周辺部、特に周辺より７mm以内の位置の
２箇所に設けた。基板の端より７mmまでの基板内側の範
囲はデバイス特性の保証の必要があるため、基板の端よ
り７mm以内の保証外の部分も測定し管理する必要があ
る。また、温度の測定ポイントは上記２箇所以外でも良
く、数もさらに増やしても良い。ターゲット２の温度調
整を行う冷却水の循環経路を示すターゲット２の水平断
面図を図２に示す。大面積のガラス基板に対応するター
ゲット２を均一にしかも迅速に温度調整するために、図
２ａに示されるような環状循環経路と図２ｂに示される
ような放射状循環経路がとられている。冷却水の循環経
路は以上の２例に限らず、他の方法をとっても良いこと
は言うまでもない。また、冷却水を用いずに、Ｈｅ等の
ガス冷却でも同様の効果を得ることができる。
面積のガラス基板１の表面温度を均一に保つために複数
箇所設けることが望ましく、本実施の形態ではガラス基
板１の中央部と周辺部、特に周辺より７mm以内の位置の
２箇所に設けた。基板の端より７mmまでの基板内側の範
囲はデバイス特性の保証の必要があるため、基板の端よ
り７mm以内の保証外の部分も測定し管理する必要があ
る。また、温度の測定ポイントは上記２箇所以外でも良
く、数もさらに増やしても良い。ターゲット２の温度調
整を行う冷却水の循環経路を示すターゲット２の水平断
面図を図２に示す。大面積のガラス基板に対応するター
ゲット２を均一にしかも迅速に温度調整するために、図
２ａに示されるような環状循環経路と図２ｂに示される
ような放射状循環経路がとられている。冷却水の循環経
路は以上の２例に限らず、他の方法をとっても良いこと
は言うまでもない。また、冷却水を用いずに、Ｈｅ等の
ガス冷却でも同様の効果を得ることができる。
【００１１】以上のように、本実施の形態のイオンドー
ピング装置によれば、ガラス基板１の表面温度をモニタ
ーして、ターゲット２の温度調整器１０にフィードバッ
クする機能を有するため、処理中のガラス基板１の表面
温度を一定に保持することができ、ガラス基板１の温度
管理を行うことが可能となる。従って、ガラス基板温度
に関するプロセスパラメータの最適化が可能となり、イ
オンドーピング装置の処理における安定性および再現性
が向上し、デバイスの歩留まりを向上することができ
る。
ピング装置によれば、ガラス基板１の表面温度をモニタ
ーして、ターゲット２の温度調整器１０にフィードバッ
クする機能を有するため、処理中のガラス基板１の表面
温度を一定に保持することができ、ガラス基板１の温度
管理を行うことが可能となる。従って、ガラス基板温度
に関するプロセスパラメータの最適化が可能となり、イ
オンドーピング装置の処理における安定性および再現性
が向上し、デバイスの歩留まりを向上することができ
る。
【００１２】実施の形態２．図３は、本発明の実施の形
態２であるイオンドーピング装置のターゲット部を示す
断面模式図である。本実施の形態では、ガラス基板１の
裏面温度を熱電対等の温度測定器１２でモニターし、タ
ーゲット２の温度調整器１０にフィードバックするもの
である。温度測定器１２は、ターゲット２に埋設されて
いる。本実施の形態では、ガラス基板１の表面温度の代
わりに裏面温度を測定する以外は実施の形態１と同様で
ある。また、測定ポイントをガラス基板１の中央および
周辺（特に周辺から７mm以内）等、複数箇所に増やすこ
とにより、大面積基板にも対応できる。実施の形態１に
示したようなガラス基板１の表面温度を実際に測定する
方法が適用できない場合、例えば赤外線モニタの設置が
物理的に難しい場合等に本実施の形態を適用すると良
い。
態２であるイオンドーピング装置のターゲット部を示す
断面模式図である。本実施の形態では、ガラス基板１の
裏面温度を熱電対等の温度測定器１２でモニターし、タ
ーゲット２の温度調整器１０にフィードバックするもの
である。温度測定器１２は、ターゲット２に埋設されて
いる。本実施の形態では、ガラス基板１の表面温度の代
わりに裏面温度を測定する以外は実施の形態１と同様で
ある。また、測定ポイントをガラス基板１の中央および
周辺（特に周辺から７mm以内）等、複数箇所に増やすこ
とにより、大面積基板にも対応できる。実施の形態１に
示したようなガラス基板１の表面温度を実際に測定する
方法が適用できない場合、例えば赤外線モニタの設置が
物理的に難しい場合等に本実施の形態を適用すると良
い。
【００１３】実施の形態３．図４は、本発明の実施の形
態３であるイオンドーピング装置のターゲット部を示す
断面模式図である。本実施の形態では、ターゲット２の
表面温度を例えば熱電対等の温度測定器１２でモニター
し、ターゲット２の温度調整器１０にフィードバックす
るものである。本実施の形態では、ガラス基板１の代わ
りにターゲット２の表面温度を測定する以外は実施の形
態１と同様である。従来例との相違点は、ターゲット２
表面の温度を直接測定してその結果をフィードバックす
ることにより、より正確にターゲット２の温度の制御が
行える。また、測定ポイントを複数箇所に増やすことに
より、大面積基板用のターゲット２にも対応できる。実
施の形態１に示したようなガラス基板１の表面温度を実
際に測定する方法が適用できない場合、例えば赤外線モ
ニタの設置が物理的に難しい場合等に本実施の形態を適
用すると良い。
態３であるイオンドーピング装置のターゲット部を示す
断面模式図である。本実施の形態では、ターゲット２の
表面温度を例えば熱電対等の温度測定器１２でモニター
し、ターゲット２の温度調整器１０にフィードバックす
るものである。本実施の形態では、ガラス基板１の代わ
りにターゲット２の表面温度を測定する以外は実施の形
態１と同様である。従来例との相違点は、ターゲット２
表面の温度を直接測定してその結果をフィードバックす
ることにより、より正確にターゲット２の温度の制御が
行える。また、測定ポイントを複数箇所に増やすことに
より、大面積基板用のターゲット２にも対応できる。実
施の形態１に示したようなガラス基板１の表面温度を実
際に測定する方法が適用できない場合、例えば赤外線モ
ニタの設置が物理的に難しい場合等に本実施の形態を適
用すると良い。
【００１４】実施の形態４．図５は、本発明の実施の形
態４であるイオンドーピング装置の処理室を示す断面図
である。図において１３はビームパワー測定器である。
本実施の形態では、イオンドーピング装置の処理中のビ
ームパワーをビームパワー測定器１３でモニターし、タ
ーゲット２の温度調整器１０にフィードバックするもの
である。
態４であるイオンドーピング装置の処理室を示す断面図
である。図において１３はビームパワー測定器である。
本実施の形態では、イオンドーピング装置の処理中のビ
ームパワーをビームパワー測定器１３でモニターし、タ
ーゲット２の温度調整器１０にフィードバックするもの
である。
【００１５】ビームパワーとガラス基板の表面温度は図
６の一例に示すように直線的な関係がある。ビームパワ
ーをパラメータとして予めガラス基板表面温度との関係
をデータ化しておき、その係数をターゲット２の温度調
整器１０に設定しておき、ビームパワー測定器１３より
送られてくるモニタ信号と連結させておくことにより、
ビームパワーモニタ信号によりガラス基板１の表面温度
を換算し、ターゲット２の温度調整器１０による温度制
御が可能となる。ビームパワーとガラス基板表面温度の
データは、ガラス基板１上の中央および周辺部（特に周
辺から７mm以内）を含む５箇所程度に温度測定用の耐熱
式のサーモラベルを貼り、ラベルの変化により基板の表
面温度を測定することにより得られる。
６の一例に示すように直線的な関係がある。ビームパワ
ーをパラメータとして予めガラス基板表面温度との関係
をデータ化しておき、その係数をターゲット２の温度調
整器１０に設定しておき、ビームパワー測定器１３より
送られてくるモニタ信号と連結させておくことにより、
ビームパワーモニタ信号によりガラス基板１の表面温度
を換算し、ターゲット２の温度調整器１０による温度制
御が可能となる。ビームパワーとガラス基板表面温度の
データは、ガラス基板１上の中央および周辺部（特に周
辺から７mm以内）を含む５箇所程度に温度測定用の耐熱
式のサーモラベルを貼り、ラベルの変化により基板の表
面温度を測定することにより得られる。
【００１６】以上のように、本実施の形態によれば、イ
オンドーピング装置のビームパワーをモニターして、タ
ーゲット２の温度調整器１０にフィードバックする機能
を有するため、処理中のガラス基板１の表面温度を一定
に保持することができ、ガラス基板１の温度管理を行う
ことが可能となる。従って、ガラス基板温度に関するプ
ロセスパラメータの最適化が可能となり、イオンドーピ
ング装置の処理における安定性および再現性が向上し、
デバイスの歩留まりを向上することができる。なお、上
記各実施の形態では被処理体を保持するターゲットを冷
却する場合についてのみ説明したが、本発明はターゲッ
トを加熱する場合についても同様に適用できることはい
うまでもない。
オンドーピング装置のビームパワーをモニターして、タ
ーゲット２の温度調整器１０にフィードバックする機能
を有するため、処理中のガラス基板１の表面温度を一定
に保持することができ、ガラス基板１の温度管理を行う
ことが可能となる。従って、ガラス基板温度に関するプ
ロセスパラメータの最適化が可能となり、イオンドーピ
ング装置の処理における安定性および再現性が向上し、
デバイスの歩留まりを向上することができる。なお、上
記各実施の形態では被処理体を保持するターゲットを冷
却する場合についてのみ説明したが、本発明はターゲッ
トを加熱する場合についても同様に適用できることはい
うまでもない。
【図１】 この発明の一実施の形態であるイオンドーピ
ング装置の処理室を示す断面図である。
ング装置の処理室を示す断面図である。
【図２】 この発明の一実施の形態であるイオンドーピ
ング装置の冷却水の循環経路を示すターゲットの水平断
面図である。
ング装置の冷却水の循環経路を示すターゲットの水平断
面図である。
【図３】 この発明の第２の実施の形態であるイオンド
ーピング装置のターゲット部を示す断面模式図である。
ーピング装置のターゲット部を示す断面模式図である。
【図４】 この発明の第３の実施の形態であるイオンド
ーピング装置のターゲット部を示す断面模式図である。
ーピング装置のターゲット部を示す断面模式図である。
【図５】 この発明の第４の実施の形態であるイオンド
ーピング装置の処理室を示す断面図である。
ーピング装置の処理室を示す断面図である。
【図６】 ビームパワーと基板の表面温度との関係の一
例を示す図である。
例を示す図である。
【図７】 従来のイオンドーピング装置の処理室を示す
断面図である。
断面図である。
１ ガラス基板、２ ターゲット、３ 陰極に帯電した
電極板、４ コイル、５ ＲＦ高周波電源、６ ガラス
基板に打ち込まれるプラスイオン源、７ 冷却水ＩＮ
側、８ 冷却水ＯＵＴ側、９ 温度測定器、１０ 温度
調整器、１１ チラー、１２ 温度測定器、１３ ビー
ムパワー測定器。
電極板、４ コイル、５ ＲＦ高周波電源、６ ガラス
基板に打ち込まれるプラスイオン源、７ 冷却水ＩＮ
側、８ 冷却水ＯＵＴ側、９ 温度測定器、１０ 温度
調整器、１１ チラー、１２ 温度測定器、１３ ビー
ムパワー測定器。
Claims (9)
- 【請求項１】 ガスの導入手段、イオンの生成手段およ
び加速手段を有し、内部を真空に保つ処理室、 上記処理室内に設置され、上記イオンが打ち込まれる被
処理体を保持する保持部、 上記被処理体の表面温度を検出する温度センサ、 上記保持部を加熱または冷却する手段、 上記温度センサの検出結果に基づいて上記加熱または冷
却手段を駆動し、上記被処理体の表面温度を目標温度に
制御するコントローラを備えたことを特徴とするイオン
ドーピング装置。 - 【請求項２】 温度センサは赤外線モニタであることを
特徴とする請求項１記載のイオンドーピング装置。 - 【請求項３】 温度センサは、被処理体表面あるいは裏
面の中心部および周辺部を含む複数箇所の温度を測定
し、コントローラにフィードバックすることを特徴とす
る請求項１または請求項２記載のイオンドーピング装
置。 - 【請求項４】 被処理体表面あるいは裏面の周辺部は、
周辺端より７mm以内の部分であることを特徴とする請求
項３記載のイオンドーピング装置。 - 【請求項５】 ガスの導入手段、イオンの生成手段およ
び加速手段を有し、内部を真空に保つ処理室、 上記処理室内に設置され、上記イオンが打ち込まれる被
処理体を保持する保持部、 上記保持部の表面温度を検出する温度センサ、 上記保持部を加熱または冷却する手段、 上記温度センサの検出結果に基づいて上記加熱または冷
却手段を駆動し、上記保持部を目標温度に制御するコン
トローラを備えたことを特徴とするイオンドーピング装
置。 - 【請求項６】 ガスの導入手段、イオンの生成手段およ
び加速手段を有し、内部を真空に保つ処理室、 上記処理室内に設置され、上記イオンが打ち込まれる被
処理体を保持する保持部、 上記イオンのビームパワーを検出するビームパワー測定
器、 上記保持部を加熱または冷却する手段、 上記ビームパワー測定器の検出結果に基づいて上記被処
理体の表面温度を換算し、上記加熱または冷却手段を駆
動して上記被処理体の表面温度を目標温度に制御するコ
ントローラを備えたことを特徴とするイオンドーピング
装置。 - 【請求項７】 被処理体はガラス基板であることを特徴
とする請求項１〜請求項６のいずれか一項記載のイオン
ドーピング装置。 - 【請求項８】 ガスの導入手段、イオンの生成手段およ
び加速手段を有し、内部を真空に保つ処理室、 上記処理室内に設置され、上記イオンが打ち込まれるガ
ラス基板を保持する保持部、 この保持部に埋設され、上記ガラス基板の裏面温度を検
出する温度センサ、 上記保持部を加熱または冷却する手段、 上記温度センサの検出結果に基づいて上記加熱または冷
却手段を駆動し、上記ガラス基板の裏面温度を目標温度
に制御するコントローラを備えたことを特徴とするイオ
ンドーピング装置。 - 【請求項９】 被処理体の表面温度は０〜１５０°Ｃで
あることを特徴とする請求項１〜請求項８のいずれか一
項記載のイオンドーピング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7230965A JPH0982267A (ja) | 1995-09-08 | 1995-09-08 | イオンドーピング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7230965A JPH0982267A (ja) | 1995-09-08 | 1995-09-08 | イオンドーピング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0982267A true JPH0982267A (ja) | 1997-03-28 |
Family
ID=16916104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7230965A Pending JPH0982267A (ja) | 1995-09-08 | 1995-09-08 | イオンドーピング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0982267A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008036529A2 (en) * | 2006-09-23 | 2008-03-27 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for temperature-controlled ion implantation |
| JP2011009007A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Texas Instr Japan Ltd | イオン注入装置のウエハ温度補償システム |
| US8143134B2 (en) | 2008-10-03 | 2012-03-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
| CN104078400A (zh) * | 2014-06-25 | 2014-10-01 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 承载装置以及离子注入设备 |
| CN111052295A (zh) * | 2017-09-18 | 2020-04-21 | 艾克塞利斯科技公司 | 考虑射束功率输入的晶片温度控制 |
-
1995
- 1995-09-08 JP JP7230965A patent/JPH0982267A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008036529A2 (en) * | 2006-09-23 | 2008-03-27 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for temperature-controlled ion implantation |
| WO2008036529A3 (en) * | 2006-09-23 | 2008-08-28 | Varian Semiconductor Equipment | Techniques for temperature-controlled ion implantation |
| US7993698B2 (en) * | 2006-09-23 | 2011-08-09 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for temperature controlled ion implantation |
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| JP2011009007A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Texas Instr Japan Ltd | イオン注入装置のウエハ温度補償システム |
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| CN111052295A (zh) * | 2017-09-18 | 2020-04-21 | 艾克塞利斯科技公司 | 考虑射束功率输入的晶片温度控制 |
| JP2020534643A (ja) * | 2017-09-18 | 2020-11-26 | アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド | ビームパワー入力に対する制御を伴うウェハー温度制御 |
| CN111052295B (zh) * | 2017-09-18 | 2023-10-20 | 艾克塞利斯科技公司 | 考虑射束功率输入的晶片温度控制 |
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