JPH0979823A - Object measuring method and device - Google Patents

Object measuring method and device

Info

Publication number
JPH0979823A
JPH0979823A JP23626095A JP23626095A JPH0979823A JP H0979823 A JPH0979823 A JP H0979823A JP 23626095 A JP23626095 A JP 23626095A JP 23626095 A JP23626095 A JP 23626095A JP H0979823 A JPH0979823 A JP H0979823A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
transmittance
emission wavelength
cloth
measuring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP23626095A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Sumio Goto
純夫 後藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Juki Corp
Original Assignee
Juki Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Juki Corp filed Critical Juki Corp
Priority to JP23626095A priority Critical patent/JPH0979823A/en
Publication of JPH0979823A publication Critical patent/JPH0979823A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Sewing Machines And Sewing (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To accurately detect an end part of an object even if a length of a heterogeneous material changes by projecting plural light emitting wave lengths in order on the object, and measuring a length of the heterogeneous material according to a difference in transmissivity between the heterogeneous material and the object in the respective light emitting wave lengths. SOLUTION: An fluff part (a heterogeneous material) of sample cloth or cloth to be sewn (an object) is set in a transmissivity measuring solar cell 4a, and transistors Q1 to Q4 are driven in order by a light emitting wave length selecting command of a microcomputer 17, and when respective diodes R, G, B and IR of a surface emmisive LED panel 3 are made to emit the light in order, the light passing through the fluff part or the cloth irradiates the cell 4a, and voltage according to a quantity of light is outputted from a light detecting circuit 12a. Next, voltage corresponding to the disturbance light is removed (13a) from this voltage, and is inputted to the microcomputer 17 through an A/D converter 16 after it is held (14a), and is compared with a quantity of received light of the cell 4a at fully opened time, and transmissivity of fluff or the cloth in respective light emitting wave lengths is found, and a length of the cloth and the fluff is calculated by these transmissivity and received light voltage of the cloth end position measuring solar cell 4a.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、対象物の計測方法
および装置、更に詳細には、端部に透過率の異る異質部
がある対象物の端部位置の変化に従って変化する対象物
からの受光光量を測定することにより対象物の端部位置
を計測する対象物の計測装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for measuring an object, and more particularly, to a method for measuring an object which has a heterogeneous portion with different transmittance at the edge and which changes in accordance with a change in the edge position of the object. The present invention relates to an object measuring device that measures the edge position of an object by measuring the amount of received light.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、例えば、ミシンの縫製分野におい
て、異なる曲線の布端カーブを持つ2枚の生地をその布
端を揃えながら自動的に縫製することが行なわれている
(例えば、特公平3ー44548号公報を参照)。この
ような縫製ミシンにおいて、2枚の被縫製物のそれぞれ
に対して複数個のLED(発光ダイオード)素子を併設
した薄板状LEDパネルとソーラセルとを被縫製物を介
挿可能にして対向配置し、LED素子をオンオフさせ、
ソーラセルに受光された光量から、LEDをオフした時
に受光された外乱光量分を除去して、LED素子の光量
分に基づいて、布の縁部位置を検出することが行なわれ
ている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in the sewing field of sewing machines, for example, two fabrics having different cloth end curves have been automatically sewn while aligning the cloth ends (for example, Japanese Patent Publication No. (See JP-A-3-44548). In such a sewing machine, a thin plate-shaped LED panel provided with a plurality of LED (light emitting diode) elements and a solar cell are arranged so as to be opposed to each other with respect to each of two sewn objects. , Turn on and off the LED element,
The amount of ambient light received when the LED is turned off is removed from the amount of light received by the solar cell, and the edge position of the cloth is detected based on the amount of light of the LED element.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
薄板状LEDパネルとソーラセルの組み合せによる布の
エッジ位置測定装置では、ソーラセルで受光される受光
光量は、布の透過率に関係するので、布端にケバがある
場合には、そのケバ部分の透過率が布の透過率と相違
し、ケバの長さが一定でない場合には、布端位置の測定
値に誤差が生じてしまう、という問題がある。
However, in a conventional cloth edge position measuring device using a combination of a thin plate-shaped LED panel and a solar cell, the amount of light received by the solar cell is related to the transmittance of the cloth. If there is a fluff, the transmittance of the fluff portion is different from the transmittance of the cloth, and if the length of the fluff is not constant, an error may occur in the measured value of the cloth edge position, which is a problem. is there.

【0004】以上は、ミシンの縫製分野における布の縁
部位置の検出の問題であったが、一般的に、フィルム、
用紙等のシート状の物に対しても同様な問題がある。例
えば、柄物のフィルム、用紙等のシート端部を検出する
場合、その端部に着色部があってその幅が一定でない場
合には、同様な問題が発生する。
The above has been the problem of detecting the edge position of cloth in the sewing field of sewing machines.
There is a similar problem with sheet-like objects such as paper. For example, when detecting the edge of a sheet of a patterned film or paper, the same problem occurs when there is a colored portion at the edge and the width is not constant.

【0005】従って、本発明は、このような問題点に鑑
みてなされたもので、被測定対象物の端部に色模様ない
しその透過特性の異る異質部があるような対象物の端部
位置を正確に計測することが可能な対象物の計測方法お
よび装置を提供することを課題とする。
Therefore, the present invention has been made in view of the above problems, and the end portion of the object to be measured has a color pattern or a foreign portion having different transmission characteristics. An object of the present invention is to provide a method and apparatus for measuring an object that can accurately measure the position.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】対象物からの受光光量
は、その受光光量が測定される対象物の透過率に関係す
る。対象物の端部位置に透過率が異る異質部が存在し、
その異質部の幅が相違すると、対象物からの受光光量が
端部位置並びに異質部の幅の関数になるので、端部位置
の測定に誤差が発生する。そこで、本発明では、この異
質部の幅(長さ)が計測される。
The amount of light received from an object is related to the transmittance of the object for which the amount of received light is measured. There is a foreign part with different transmittance at the edge position of the object,
If the widths of the different portions are different, the amount of light received from the object becomes a function of the end position and the width of the different portion, so that an error occurs in the measurement of the end position. Therefore, in the present invention, the width (length) of this foreign portion is measured.

【0007】そのために、本発明では、複数の発光波長
が順次切り替えて対象物に投射され、異質部と対象物の
透過率が各発光波長ごとに測定される。対象物の透過率
から対象物の受光に適する発光波長が選択され、選択さ
れた発光波長並びに可視光以外の発光波長での異質部と
対象物の各透過率と、選択された発光波長並びに可視光
以外の発光波長での異質部を含む対象物からの各受光光
量とに基づいて異質部の長さが計測される。
Therefore, in the present invention, a plurality of emission wavelengths are sequentially switched and projected onto the object, and the transmittances of the foreign portion and the object are measured for each emission wavelength. An emission wavelength suitable for receiving the object is selected from the transmittance of the object, and the respective transmittances of the heterogeneous part and the object at the emission wavelength other than the selected emission wavelength and visible light, the selected emission wavelength and the visible light The length of the foreign portion is measured based on the amount of each received light from the object including the foreign portion having an emission wavelength other than light.

【0008】このように、本発明では、可視光と可視光
以外、例えば赤外の各発光波長での異質部と対象物の透
過率の差を利用して異質部の長さを計測できる。従っ
て、異質部の長さが変化しても正確に対象物の端部位置
が検知可能になる。
As described above, according to the present invention, the length of the foreign portion can be measured by utilizing the difference between the transmittances of the foreign portion and the object at each emission wavelength of visible light and other than visible light, such as infrared light. Therefore, even if the length of the foreign portion changes, the end position of the object can be accurately detected.

【0009】本発明の好ましい実施形態では、各発光波
長ごとの受光光量と、異質部あるいは対象物がないとき
の各発光波長ごとの受光光量との各比に基づき異質部と
対象物の透過率が求められる。
In a preferred embodiment of the present invention, the transmissivity of the foreign portion and the object is based on the ratio of the received light amount for each emission wavelength to the received light amount for each emission wavelength when there is no foreign portion or object. Is required.

【0010】本発明は、特に縫製布の端部位置を計測す
る場合に有利である。例えば、布を裁断したときには、
ケバ部分が発生し、このケバ部分は、布の透過率と相違
するために、ケバ部分の幅(長さ)が相違すると、布の
端部位置に誤差が発生する。しかし、本発明では、ケバ
部分と布の端部位置が検知できるので、ケバ部分があっ
ても、正確な縫代で縫製が可能になる。
The present invention is particularly advantageous when measuring the end position of the sewing cloth. For example, when cutting a cloth,
Since the fluff portion is generated and this fluff portion is different from the transmittance of the cloth, if the width (length) of the fluff portion is different, an error occurs in the end position of the cloth. However, in the present invention, since the positions of the fluff portion and the end portion of the cloth can be detected, even if there is the fluff portion, it is possible to sew with an accurate seam allowance.

【0011】好ましい実施形態では、受光手段は、透過
率を求めるために対象物あるいは異質部からの光を受光
する第1の受光器と、対象物の端部位置を計測するため
に対象物あるいは異質部からの光を受光する第2の受光
器とから構成される。
In a preferred embodiment, the light receiving means comprises a first light receiver for receiving light from the object or a foreign part to determine the transmittance, and an object or object to measure the edge position of the object. A second light receiver for receiving light from the foreign portion.

【0012】また、発光手段は、単独の発光器から構成
してもよく、あるいは透過率測定のために複数の発光波
長の光を対象物に投射する第1の発光器と、対象物の端
部位置測定のために複数の発光波長の光を対象物に投射
する第2の発光器とから構成するようにしてもよい。
The light emitting means may be composed of a single light emitting device, or a first light emitting device for projecting light of a plurality of emission wavelengths on the object for measuring the transmittance and an end of the object. It may be configured with a second light emitter that projects light of a plurality of emission wavelengths onto an object for measuring the position of a part.

【0013】発光手段は、例えば異る発光波長の光を発
光する発光ダイオードと、これらの発光ダイオードを順
次パルス駆動する駆動手段とから構成され、その場合、
発光ダイオードは、各発光波長の光ごとに対象物を均一
に照明できるように配置される。発光ダイオードは、具
体的には、チップ素子あるいはチップ素子を棒状に配列
した棒状アレイあるいは広指向性のダイオードである。
The light emitting means is composed of, for example, a light emitting diode which emits light of different emission wavelengths, and a driving means which sequentially pulse-drives these light emitting diodes. In that case,
The light emitting diode is arranged so that an object can be uniformly illuminated for each light of each emission wavelength. The light emitting diode is, specifically, a chip element, a rod-shaped array in which the chip elements are arranged in a rod shape, or a wide directional diode.

【0014】透過率測定時あるいは端部位置測定時、パ
ルス駆動された発光ダイオードで照射された対象物ある
いは異質部からの受光光量に対応する信号から外乱光信
号が除去され、あるいは測定された対象物あるいは異質
部からの受光光量に対応する信号に対して温度補正ある
いは光量補正が行なわれる。
At the time of measuring the transmittance or the edge position, the disturbance light signal is removed or measured from the signal corresponding to the amount of light received from the object or the foreign part irradiated by the pulse-driven light emitting diode. The temperature correction or the light amount correction is performed on the signal corresponding to the received light amount from the object or the foreign portion.

【0015】透過率測定手段並びに端部位置計測手段
は、それぞれ受光光量を検出する検出回路を有してもよ
いし、またこれらの検出回路を共有するようにすること
もできる。
The transmittance measuring means and the end position measuring means may each have a detection circuit for detecting the amount of received light, or these detection circuits may be shared.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、図面に示す実施形態に基づ
いて本発明を詳細に説明する。以下に示す例では、ミシ
ンの縫製布の端部位置を計測する例に基づいて説明が行
なわれるが、本発明は、このような縫製布に限らず、フ
ィルムあるいは用紙などのシート状の物の端部位置を検
知する場合などにも適用されるものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail based on embodiments shown in the drawings. In the example shown below, the description will be given based on an example of measuring the end position of the sewing cloth of the sewing machine, but the present invention is not limited to such a sewing cloth, and a sheet-shaped product such as a film or paper. It is also applied to the case of detecting the end position.

【0017】図1は、本発明の一実施形態である発光波
長自動切替機能付のエッジ位置測定装置を備えたミシン
の概略を示す。同図において、符号1はミシンヘッド
を、2は縫製針をそれぞれ示しており、針2の針落ち点
の近傍には、面発光LED(発光ダイオード)パネル
3、3’の発光手段と、例えば単結晶タイプのソーラセ
ル(フォトダイオード)4、4’の受光手段が上下方向
に重なるように対向配置されている。
FIG. 1 schematically shows a sewing machine equipped with an edge position measuring device having an emission wavelength automatic switching function, which is an embodiment of the present invention. In the figure, reference numeral 1 indicates a sewing machine head, 2 indicates a sewing needle, and in the vicinity of the needle drop point of the needle 2, light emitting means of surface emitting LED (light emitting diode) panels 3 and 3 ', for example, The light receiving means of the single crystal type solar cells (photodiodes) 4 and 4'are arranged to face each other so as to overlap in the vertical direction.

【0018】この面発光LEDパネル3、3’及びソー
ラセル4、4’は分離板5を介して上布用と下布用とが
あり、両者は重ねられた状態となっている。本装置は、
異なる曲線の布端カーブを持つ上布をLEDパネル3と
ソーラセル4間に、また下布をLEDパネル3’とソー
ラセル4’間に挿入し、各布端を揃えながら自動的に縫
い合わせるミシンに適用されている。
The surface emitting LED panels 3 and 3'and the solar cells 4 and 4'are provided for the upper cloth and the lower cloth via the separating plate 5, and both of them are in a stacked state. This device
Applicable to a sewing machine that inserts an upper cloth with different cloth edge curves between the LED panel 3 and the solar cell 4 and a lower cloth between the LED panel 3'and the solar cell 4'and automatically sews while aligning the respective cloth edges. Has been done.

【0019】面発光LEDパネル3、3’並びにソーラ
セル4、4’はそれぞれ同様に構成されており、図2に
は、上布用の面発光LEDパネル3、ソーラセル4、分
離板5並びに上布7が図示されており、ソーラセル4
は、透過率測定用のソーラセル4aと布端位置測定用の
ソーラセル4bから構成されている。
The surface emitting LED panels 3 and 3'and the solar cells 4 and 4'have the same structure. In FIG. 2, the surface emitting LED panel 3 for the upper cloth, the solar cells 4, the separating plate 5 and the upper cloth. 7 is shown and the solar cell 4
Is composed of a solar cell 4a for measuring the transmittance and a solar cell 4b for measuring the cloth edge position.

【0020】また、面発光LEDパネル3は、図3に示
されるように、LED素子チップ3aと、これらのLE
D素子チップ3aが配置されるパネルプリント基板3b
と、LED素子チップ3aを囲うケース3dと、このケ
ース3dのプリント基板の反対側を覆う光拡散用の半透
明フィルム3cとから構成されており、LED素子チッ
プ3aが発光した時に、拡散フィルム3cの表面から均
一な光量が得られるように構成されている。
As shown in FIG. 3, the surface-emitting LED panel 3 includes an LED element chip 3a and LEs thereof.
Panel printed circuit board 3b on which D element chip 3a is arranged
And a case 3d that surrounds the LED element chip 3a and a semi-transparent film 3c for light diffusion that covers the opposite side of the case 3d from the printed circuit board. When the LED element chip 3a emits light, the diffusion film 3c is formed. It is configured so that a uniform amount of light can be obtained from the surface of the.

【0021】さらに、LED素子チップ3aは、この例
では、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)、赤外(I
R)のように波長の異なるLEDを規則的に配置し、か
つ、同一の波長のLEDのみ独立して点灯可能に回路が
構成される。LEDの並べ方は、各波長とも単独で点灯
させた場合に、拡散フィルム3c表面で均一な光量が得
られるような配列で配置される。例として、図示したよ
うに縦横のマトリックス状になっているが、六角格子状
の各点等でもよく、その他多くの配列パターンが考えら
れる。
Further, in this example, the LED element chip 3a includes red (R), green (G), blue (B), infrared (I).
As shown in R), the circuit is configured such that LEDs having different wavelengths are regularly arranged and only the LEDs having the same wavelength can be independently turned on. The LEDs are arranged in such an arrangement that a uniform amount of light can be obtained on the surface of the diffusion film 3c when the LEDs are individually turned on for each wavelength. As an example, as shown in the drawing, the matrix is arranged in the vertical and horizontal directions, but it may be a hexagonal lattice-shaped point or the like, and many other arrangement patterns are conceivable.

【0022】図2に示したように、縫製時には、面発光
LEDパネル3とソーラセル4間には、上布7が、また
不図示であるが、面発光LEDパネル3’とソーラセル
4’間には下布がそれぞれ一定距離、離間して通過可能
になっており、以下で説明するように各布端の端部位置
が計測される。各布端部位置がずれている場合には、ず
れている布の位置を補正しながら縫製が行なわれ、各布
端を揃えながら自動的に縫製が行なわれる。
As shown in FIG. 2, at the time of sewing, an upper cloth 7 is provided between the surface emitting LED panel 3 and the solar cell 4 and, although not shown, between the surface emitting LED panel 3'and the solar cell 4 '. Allows the lower cloths to pass therethrough at a fixed distance from each other, and the end position of each cloth end is measured as described below. When the positions of the respective cloth ends are displaced, the sewing is performed while correcting the position of the displaced fabric, and the sewing is automatically performed while aligning the respective fabric ends.

【0023】上述した発光色切替可能な発光LEDパネ
ル3及びソーラセル4a、4bを備えるエッジ位置測定
装置の回路構成が図4に図示されている。
FIG. 4 shows a circuit configuration of an edge position measuring device including the light emitting LED panel 3 and the solar cells 4a and 4b whose light emission colors can be switched.

【0024】図4において、符号10は、パルス発生手
段としての発振器を示し、発振器10からのパルスは、
LEDドライブ回路11のゲートU1〜U4の一方の端
子に入力され、これらのゲートの他方の端子には、マイ
クロコンピュータ17よりの発光波長選択ラインに接続
される。各ゲートU1〜U4の出力は、抵抗R1〜R4
を介してトランジスタQ1〜Q4のベースに接続されて
いる。
In FIG. 4, reference numeral 10 indicates an oscillator as a pulse generating means, and the pulse from the oscillator 10 is
It is input to one terminal of the gates U1 to U4 of the LED drive circuit 11, and the other terminal of these gates is connected to the emission wavelength selection line from the microcomputer 17. The outputs of the respective gates U1 to U4 are resistors R1 to R4.
Is connected to the bases of the transistors Q1 to Q4 via.

【0025】面発光LEDパネル3は、LEDドライブ
回路11に接続され、LEDパネル3の赤、緑、青、赤
外に対応する各ダイオード(R)、(G)、(B)、
(IR)は、それぞれ抵抗R5〜R8を介してトランジ
スタQ1〜Q4のコレクタに接続される。従って、マイ
クロコンピュータ17からそれぞれ赤、緑、青、赤外の
選択ラインが選択されると、それに応じて発振器10か
らのパルスに同期してトランジスタQ1〜Q4が駆動さ
れ、LEDパネル3の各ダイオードが駆動される。
The surface emitting LED panel 3 is connected to the LED drive circuit 11 and each diode (R), (G), (B), corresponding to red, green, blue and infrared of the LED panel 3 is connected.
(IR) is connected to the collectors of the transistors Q1 to Q4 via resistors R5 to R8, respectively. Therefore, when the red, green, blue, and infrared selection lines are selected from the microcomputer 17, the transistors Q1 to Q4 are driven in synchronization with the pulse from the oscillator 10, and the diodes of the LED panel 3 are driven. Is driven.

【0026】透過率測定用光量検出回路12aは、ソー
ラセル4aとオペアンプU5および抵抗R9、コンデン
サC1より構成され、検出回路12aの出力は、トラン
ジスタQ5、インバータU6、コンデンサC2及び抵抗
R10、R11、R12よりなるノイズ除去手段として
のパルス分検出回路13aに入力される。このパルス分
検出回路13aのインバータU6には、発振器10から
のパルスが入力される。サンプル&ホールド回路14a
は、パルス分検出回路13aに接続され、発振器10か
らのパルスに応じてパルス分検出回路13aのパルスを
サンプルホールドする。
The transmittance measuring light amount detection circuit 12a comprises a solar cell 4a, an operational amplifier U5, a resistor R9 and a capacitor C1. The output of the detection circuit 12a is a transistor Q5, an inverter U6, a capacitor C2 and resistors R10, R11 and R12. Is input to the pulse amount detecting circuit 13a as a noise removing unit. The pulse from the oscillator 10 is input to the inverter U6 of the pulse amount detection circuit 13a. Sample and hold circuit 14a
Is connected to the pulse amount detection circuit 13a and samples and holds the pulse of the pulse amount detection circuit 13a according to the pulse from the oscillator 10.

【0027】布端位置測定用にも、その光量検出回路1
2b、パルス分検出回路13b並びにサンプル&ホール
ド回路14bが設けられており、光量検出回路12b
は、ソーラセル4bとオペアンプU7および抵抗R1
3、コンデンサC3より構成され、また、パルス分検出
回路13bは、トランジスタQ6、インバータU8、コ
ンデンサC4及び抵抗R14、R15、R16より構成
され、サンプル&ホールド回路14bは、発振器10か
らのパルスに応じてパルス分検出回路13bのパルスを
サンプルホールドする。
The light amount detecting circuit 1 is also used for measuring the cloth edge position.
2b, a pulse amount detection circuit 13b and a sample & hold circuit 14b are provided, and the light amount detection circuit 12b is provided.
Is a solar cell 4b, an operational amplifier U7 and a resistor R1.
3 and a capacitor C3, and the pulse amount detection circuit 13b includes a transistor Q6, an inverter U8, a capacitor C4 and resistors R14, R15 and R16. The sample & hold circuit 14b responds to a pulse from the oscillator 10. Then, the pulse of the pulse amount detection circuit 13b is sampled and held.

【0028】アナログマルチプレクサ15は、マイクロ
コンピュータ17の切替信号に応じてサンプル&ホール
ド回路14a、14bの信号を選択し、これをA/D変
換器16を介してマイクロコンピュータ17に入力す
る。また、図4の回路には、ワンショット回路18が設
けられ、発振器10からのパルスから所定パルス幅T1
のパルスを形成し、マイクロコンピュータ17に読み込
みタイミングパルスを供給している。
The analog multiplexer 15 selects the signals of the sample & hold circuits 14a and 14b according to the switching signal of the microcomputer 17, and inputs them to the microcomputer 17 via the A / D converter 16. In addition, the circuit of FIG. 4 is provided with a one-shot circuit 18, which detects a pulse having a predetermined pulse width T1 from the pulse from the oscillator 10.
Pulse is formed and a read timing pulse is supplied to the microcomputer 17.

【0029】被縫製物の布の端部に異質部であるケバ部
分がある場合には、このケバ部分は布部分とその透過率
が相違するので、図4の回路には、ケバ部分の透過率を
測定するためのケバ透過率測定スイッチ50が設けら
れ、そのスイッチ操作信号がマイクロコンピュータ17
に接続されている。
When a cloth portion to be sewn has a fluff portion which is a foreign portion, the fluff portion has a transmittance different from that of the cloth portion, so that the circuit of FIG. A fluff transmittance measuring switch 50 for measuring the rate is provided, and the switch operation signal is supplied to the microcomputer 17
It is connected to the.

【0030】上述した回路は、上布用であるが、同様な
回路構成が下布用にも設けられるが、図示は省略されて
いる。
The circuit described above is for the upper cloth, but a similar circuit configuration is provided for the lower cloth, but the illustration is omitted.

【0031】次に、この発光波長自動切替機能付のエッ
ジ位置測定装置の回路動作について以下説明する。
Next, the circuit operation of the edge position measuring device having the automatic emission wavelength switching function will be described below.

【0032】先ず、処理に先立ちケバ部分の透過率を求
めるために、透過率測定用のソーラセル4aにサンプル
布のケバ部分がセットされ、続いてケバ透過率測定スイ
ッチ50が操作される。
First, in order to obtain the transmittance of the fluff portion prior to the processing, the fluff portion of the sample cloth is set in the solar cell 4a for transmittance measurement, and then the flicker transmittance measurement switch 50 is operated.

【0033】図5のステップS1においてケバ透過率測
定スイッチ50が操作されたと判断された場合には、続
いて図5のステップS2において、マイクロコンピュー
タ17の発光波長選択出力から、R(赤色)LED選択
が出力される(図8(d))。従って、LEDドライブ
回路11のゲートU1が開き、図8(h)に示したよう
に、発振器からのパルス(図8(c))に同期して赤の
LEDの部分がドライブされ、面発光LEDパネル3は
赤色にパルス発光する。
If it is determined in step S1 of FIG. 5 that the flash transmittance measuring switch 50 has been operated, then in step S2 of FIG. 5, the R (red) LED is output from the emission wavelength selection output of the microcomputer 17. The selection is output (FIG. 8 (d)). Therefore, the gate U1 of the LED drive circuit 11 is opened, and as shown in FIG. 8 (h), the red LED portion is driven in synchronization with the pulse from the oscillator (FIG. 8 (c)), and the surface emitting LED is driven. The panel 3 emits a pulsed light in red.

【0034】上記面発光LEDパネルが赤色にパルス発
光すると、サンプル布のケバ部分に均一な照射がなされ
る。従って、透過率測定用ソーラセル4aには、そのケ
バ部分を透過した光量が照射される。
When the surface emitting LED panel emits a pulsed light in red, the fluffed portion of the sample cloth is uniformly illuminated. Therefore, the transmittance measuring solar cell 4a is irradiated with the amount of light transmitted through the fluff portion.

【0035】透過率測定用ソーラセル4aが照射される
と、その光量に比例して光電流が発生するが、抵抗R9
にその光電流と同量の電流が流れて光電流を打ち消すの
で、オペアンプU5の正負入力間は0ボルトに保たれ
る。従って、オペアンプU5の出力電圧は、ソーラセル
の光電流に抵抗R9の抵抗値を乗じた値となり、光量検
出回路12aからは、図8(l)に示されるような出力
がなされる。
When the transmittance measuring solar cell 4a is irradiated, a photocurrent is generated in proportion to the amount of light, but the resistance R9
Since the same amount of current as the photocurrent flows to cancel the photocurrent, the voltage between the positive and negative inputs of the operational amplifier U5 is maintained at 0 volt. Therefore, the output voltage of the operational amplifier U5 becomes a value obtained by multiplying the photocurrent of the solar cell by the resistance value of the resistor R9, and the light amount detection circuit 12a produces an output as shown in FIG.

【0036】なお、図8(l)において、LED素子3
aオン時に上方に突出している部分Aは、LED素子3
aの光量のみに対応する電圧を、LED素子3aオフ時
の斜線Bは、白熱灯や蛍光灯等の室内灯や、太陽光等の
外乱光の光量に対応する電圧をそれぞれ示している。
In FIG. 8 (l), the LED element 3
The part A protruding upward when the switch is on is the LED element 3
The voltage corresponding to only the light amount of a, and the diagonal line B when the LED element 3a is off indicate the voltage corresponding to the amount of ambient light such as an incandescent lamp or a fluorescent lamp or the ambient light such as sunlight.

【0037】微分回路により構成されるパルス分検出回
路13aにおいては、LED素子3aオフ時には、トラ
ンジスタQ5が導通しており、従ってその出力は0ボル
トとなっている。この時トランジスタQ5は本来の正方
向にも、逆方向にも導通する。ここで、LED素子3a
のオン直前の光量検出回路12aの出力電圧が、例えば
4ボルトと仮定すると、トランジスタQ5がオンしてい
るので、コンデンサC2には4ボルト分の電荷がある。
ここで、LED素子3aがオンすると、同時にトランジ
スタQ5がオフし、光量検出回路12aの出力電圧が、
例えば7ボルトに変化したとすると、コンデンサC2に
は、上述のように、4ボルト分の電荷があるために、パ
ルス分検出回路13aからは、(7−4)=3ボルトの
パルス電圧が出力されることになる。但し、R10《R
12とする。
In the pulse amount detecting circuit 13a constituted by the differentiating circuit, when the LED element 3a is off, the transistor Q5 is conductive, so that the output is 0 volt. At this time, the transistor Q5 conducts in both the normal direction and the reverse direction. Here, the LED element 3a
Assuming that the output voltage of the light amount detection circuit 12a immediately before turning on is, for example, 4 volts, the transistor Q5 is on, so the capacitor C2 has a charge of 4 volts.
Here, when the LED element 3a turns on, the transistor Q5 turns off at the same time, and the output voltage of the light amount detection circuit 12a changes to
For example, if the voltage is changed to 7 V, the capacitor C2 has a charge of 4 V as described above, so that the pulse detection circuit 13a outputs a pulse voltage of (7-4) = 3 V. Will be done. However, R10 << R
It is assumed to be 12.

【0038】因に、LED素子3aのオン中はトランジ
スタQ5がオフしているために、C2×R12の時定数
でパルス分検出回路13aの電圧が下がるが、C2×R
12》(LED素子3aのオン時のパルス巾)の条件に
より、パルス電圧値は、LED素子3aオン中、一定と
見做せる。そして、再びLED素子3aがオフすると、
トランジスタQ5が導通し、その出力は0ボルトとな
る。
Incidentally, since the transistor Q5 is off while the LED element 3a is on, the voltage of the pulse detection circuit 13a decreases due to the time constant of C2 × R12, but C2 × R.
12 >> (pulse width when the LED element 3a is on), the pulse voltage value can be regarded as constant while the LED element 3a is on. Then, when the LED element 3a is turned off again,
Transistor Q5 conducts and its output goes to 0 volts.

【0039】ここでもし、トランジスタQ5がないとす
ると、C2×R12の時定数がかなり大きいために、L
ED素子3aのオフ時の外乱光のみによる電圧に対し
て、コンデンサC2の端子電圧の応答が遅れ、パルス出
力電圧は一定しなくなる。
If there is no transistor Q5, the time constant of C2 × R12 is considerably large, and therefore L
The response of the terminal voltage of the capacitor C2 is delayed with respect to the voltage due to only the ambient light when the ED element 3a is off, and the pulse output voltage becomes unstable.

【0040】このようにして、パルス分検出回路13a
から出力される電圧が図8(n)に図示されている。同
図に示されるように、図8(l)で説明した外乱光の光
量に対応する電圧Bは除去されており、LED素子3a
の光量のみに対応する電圧Aのみが出力されることにな
る。
In this way, the pulse component detection circuit 13a
The voltage output from is shown in FIG. 8 (n). As shown in the figure, the voltage B corresponding to the light quantity of the disturbance light described in FIG.
Therefore, only the voltage A corresponding to only the light amount of is output.

【0041】上記パルス分検出回路13aの出力は、サ
ンプル&ホールド回路14aに入力され、このサンプル
&ホールド回路14aにおいて、LED素子3aの点灯
するタイミングでLED素子3aの光量のみに対応する
電圧Aがホールドされる。この波形を表わしたのが、図
8(p)である。
The output of the pulse amount detection circuit 13a is input to the sample & hold circuit 14a. In the sample & hold circuit 14a, the voltage A corresponding to only the light quantity of the LED element 3a is output at the timing when the LED element 3a is turned on. To be held. This waveform is shown in FIG. 8 (p).

【0042】上記サンプル&ホールド回路14aの出力
は、アナログマルチプレクサ15に入力され、このアナ
ログマルチプレクサ15において、マイクロコンピュー
タ17より出ている切替信号によりサンプル&ホールド
回路14aの方が選択され、A/D変換器16に入力さ
れる。
The output of the sample-and-hold circuit 14a is input to the analog multiplexer 15, and in the analog multiplexer 15, the sample-and-hold circuit 14a is selected by the switching signal output from the microcomputer 17, and the A / D. It is input to the converter 16.

【0043】上記A/D変換器16の出力は、マイクロ
コンピュータ17へ入力される。このとき、LED素子
3aの点灯するタイミングである発振器10のパルス出
力に同期して、時間T1の幅のパルスを出力するワンシ
ョットマルチバイブレータ18により、図8(r)に示
したような光量読み込みタイミング信号が発生され(図
5のステップS3)、LED素子3aの点灯よりA/D
変換器16により光量がデジタル変換されるに要する時
間よりも大きい時間T1後にマイクロコンピュータ17
にR(赤色)LED発光による受光電圧VR'が読み込ま
れ、レジスタ上に保持される(図5のステップS4)。
The output of the A / D converter 16 is input to the microcomputer 17. At this time, the one-shot multivibrator 18 that outputs a pulse having a width of time T1 in synchronization with the pulse output of the oscillator 10 which is the timing of turning on the LED element 3a reads the light amount as shown in FIG. A timing signal is generated (step S3 in FIG. 5), and the A / D is activated by turning on the LED element 3a
After a time T1 that is longer than the time required for the light quantity to be converted into digital data by the converter 16, the microcomputer 17
The received light voltage VR 'due to the R (red) LED light emission is read in and stored in the register (step S4 in FIG. 5).

【0044】次のステップS5では、このようにして求
められた赤の発光波長に対する受光光量VR'と予めマイ
クロコンピュータに記憶されているソーラセル4aの全
開時の透過率測定用センサの受光光量VR0より赤の発光
波長に対するケバ部分の透過率VR'/VR0が求められ、
メモリに記憶される。
In the next step S5, the amount of received light VR 'for the emission wavelength of red thus obtained and the amount of received light VR0 of the sensor for measuring the transmittance when the solar cell 4a is fully opened are stored in advance in the microcomputer. The transmittance VR '/ VR0 of the fluff part for the red emission wavelength is obtained,
Stored in memory.

【0045】次に、ステップS6においてR(赤)のL
EDの選択出力がオフにされ、ステップS7において、
マイクロコンピュータ17の発光波長選択出力は、G
(緑色)LED選択に切替わる。この切り替わる状態が
図8(d)、図8(e)に図示されている。このとき、
LEDドライブ回路11のゲートU1が閉じ、代わりに
ゲートU2が開き、発振器10の次のパルス出力に同期
して、G(緑)LEDの部分がドライブされ(図8
(i))、面発光LEDパネル3は緑色にパルス発光す
る。
Next, in step S6, R (red) L
The selective output of the ED is turned off, and in step S7,
The emission wavelength selection output of the microcomputer 17 is G
(Green) Switch to LED selection. This switching state is illustrated in FIGS. 8D and 8E. At this time,
The gate U1 of the LED drive circuit 11 is closed and the gate U2 is opened instead, and the portion of the G (green) LED is driven in synchronization with the next pulse output of the oscillator 10 (see FIG. 8).
(I)), the surface-emitting LED panel 3 emits pulsed green light.

【0046】そしてR(赤色)LEDのパルス発光時と
同様な処理で、マイクロコンピュータ17にG(緑色)
LED発光による受光電圧VG'が読み込まれ、レジスタ
上に保持され、予めマイクロコンピュータに記憶されて
いるソーラセル4aの全開時の透過率測定用センサの受
光光量VG0により割算されて緑の発光波長に対するケバ
部分の透過率が求められ、メモリに記憶される(ステッ
プS8、S9、S10)。
Then, the microcomputer 17 performs G (green) by the same processing as when the R (red) LED emits a pulse.
The received light voltage VG ′ due to the LED light emission is read, is held in the register, and is divided by the received light amount VG0 of the sensor for measuring the transmittance when the solar cell 4a is fully opened, which is previously stored in the microcomputer, and is divided by the green light emission wavelength. The transmittance of the fluffy portion is obtained and stored in the memory (steps S8, S9, S10).

【0047】次に、ステップS11、S12で示したよ
うに、マイクロコンピュータ17の発光波長選択出力
は、B(青色)LED選択に切替わり(図8(e)、図
8(f)を参照)、LEDドライブ回路11のゲートU
2が閉じ、代わりにゲートU3が開き、発振器10の次
のパルス出力に同期して、B(青)LEDの部分がドラ
イブされ(図8(j))、面発光LEDパネル3は、青
色にパルス発光する。
Next, as shown in steps S11 and S12, the emission wavelength selection output of the microcomputer 17 is switched to B (blue) LED selection (see FIGS. 8 (e) and 8 (f)). , The gate U of the LED drive circuit 11
2 is closed and the gate U3 is opened instead, and in synchronization with the next pulse output of the oscillator 10, the portion of the B (blue) LED is driven (FIG. 8 (j)), and the surface emitting LED panel 3 turns blue. It emits pulsed light.

【0048】そして、R(赤色)LEDやG(緑色)L
EDのパルス発光時と同様な処理で、マイクロコンピュ
ータ17にB(青色)LED発光による受光電圧VB'並
びに予め記憶されいるソーラセル4aの全開時の受光電
圧VB0の値により青の発光波長に対する透過率が計算さ
れてメモリに記憶され(ステップS13、S14、S1
5)、ステップS16においてB(青)LEDの選択出
力がオフにされる。
Then, R (red) LED and G (green) L
By the same processing as that of the ED pulse emission, the transmittance for the emission wavelength of blue is determined by the value of the reception voltage VB 'by the B (blue) LED emission in the microcomputer 17 and the reception voltage VB0 stored in advance when the solar cell 4a is fully opened. Is calculated and stored in the memory (steps S13, S14, S1
5) In step S16, the selection output of the B (blue) LED is turned off.

【0049】次に、図6のステップS17に示したよう
に、マイクロコンピュータ17の発光波長選択出力は、
IR(赤外)LED選択に切替わる(図8(f)、
(g))。LEDドライブ回路11のゲートU3が閉
じ、代わりにゲートU4が開き、発振器10の次のパル
ス出力に同期して、IR(赤外)LEDの部分がドライ
ブされ(図8(k))、面発光LEDパネル3は、赤外
のパルス発光する。
Next, as shown in step S17 of FIG. 6, the emission wavelength selection output of the microcomputer 17 is
Switch to IR (infrared) LED selection (Fig. 8 (f),
(G)). The gate U3 of the LED drive circuit 11 is closed and the gate U4 is opened instead, and the portion of the IR (infrared) LED is driven in synchronization with the next pulse output of the oscillator 10 (FIG. 8 (k)), and the surface emission is performed. The LED panel 3 emits infrared pulsed light.

【0050】そして、R(赤色)LED、G(緑色)L
EDおよびB(青色)LEDのパルス発光時と同様な処
理で、マイクロコンピュータ17にIR(赤外)LED
発光による受光電圧VIR'並びに予め記憶されいるソー
ラセル4aの全開時の受光電圧VIR0の値により赤外の
発光波長に対する透過率が計算されてメモリに記憶され
(ステップS18、S19、S20)、ステップS21
においてIR(赤外)LEDの選択出力がオフにされ
る。
Then, R (red) LED and G (green) L
IR (infrared) LED is applied to the microcomputer 17 by the same process as the pulse emission of ED and B (blue) LED.
The transmittance for the infrared emission wavelength is calculated from the value of the received light voltage VIR ′ due to the light emission and the previously stored value of the received light voltage VIR0 when the solar cell 4a is fully opened and stored in the memory (steps S18, S19, S20), and step S21.
At, the selective output of the IR (infrared) LED is turned off.

【0051】以上説明した処理によりケバ部分の各発光
波長での透過率VR'/VR0、VG'/VG0、VB'/VB0、
VIR'/VIR0が求められる。
By the processing described above, the transmittances VR '/ VR0, VG' / VG0, VB '/ VB0 of the fluff portion at the respective emission wavelengths,
VIR '/ VIR0 is calculated.

【0052】次に縫製開始するために布をセットし、図
6のステップS22に示したようにスタートスイッチを
オンにする。この状態が図8の(b)に図示されてお
り、これによりマイクロコンピュータ17の発光波長選
択出力では、R(赤色)LED選択出力される(ステッ
プS23、図8(d))。従って、LEDドライブ回路
11のゲートU1が開き、図8(h)に示したように、
発振器からのパルスに同期して赤のLEDの部分がドラ
イブされ、面発光LEDパネル3は赤色にパルス発光す
る。
Next, cloth is set to start sewing, and the start switch is turned on as shown in step S22 of FIG. This state is shown in FIG. 8B, whereby the R (red) LED is selectively output in the emission wavelength selection output of the microcomputer 17 (step S23, FIG. 8D). Therefore, the gate U1 of the LED drive circuit 11 is opened, and as shown in FIG.
The red LED portion is driven in synchronization with the pulse from the oscillator, and the surface emitting LED panel 3 emits red pulse light.

【0053】上記面発光LEDパネルが赤色にパルス発
光すると、図2に示されるように、布端位置測定用ソー
ラセル4bおよび送り動作中の布7に均一な照射がなさ
れる。従って、布端位置測定用ソーラセル4bでは、布
7により遮蔽されていない部分はそのままの光量が、ま
た遮蔽部分は布7を透過した光量が照射される。
When the surface emitting LED panel emits a pulsed light in red, as shown in FIG. 2, the cloth edge position measuring solar cell 4b and the cloth 7 during the feeding operation are uniformly irradiated. Therefore, in the cloth edge position measuring solar cell 4b, the light amount that is not shielded by the cloth 7 is emitted as it is, and the light shield portion is irradiated with the light amount that has passed through the cloth 7.

【0054】ステップS24、S25において上記ケバ
透過率測定と同様にして透過率測定用ソーラセル4aに
照射されたR(赤色)LED発光による受光電圧VRが
マイクロコンピュータに読み込まれたレジスタに保持さ
れる(図8(p))。
In steps S24 and S25, the light reception voltage VR by the R (red) LED emitted from the solar cell 4a for transmittance measurement is held in the register read by the microcomputer in the same manner as in the above-described flicker transmittance measurement. FIG. 8 (p)).

【0055】同様にして、布端位置測定用ソーラセル4
bに照射された光量も布端位置測定用の光量検出回路1
2bにより検出され(図8(m))、パルス分検出回路
13bにより外乱光分が除去され(図8(o))、サン
プル&ホールド回路14bによりホールドされる(図8
(q))。この値は、アナログマルチプレクサ15およ
びA/D変換器16を介してマイクロコンピュータ17
にR(赤色)LED発光による受光電圧VRxとして読み
込まれ、レジスタ上に保持される(ステップS26)。
Similarly, the solar cell 4 for measuring the cloth edge position
The light quantity detection circuit 1 for measuring the light quantity applied to b
2b (FIG. 8 (m)), the disturbance light component is removed by the pulse amount detection circuit 13b (FIG. 8 (o)), and held by the sample & hold circuit 14b (FIG. 8).
(Q)). This value is transferred to the microcomputer 17 via the analog multiplexer 15 and the A / D converter 16.
Is read as the received light voltage VRx by the R (red) LED and is held in the register (step S26).

【0056】次に、ステップS27においてR(赤)の
LEDの選択出力がオフにされ、ステップS28におい
て、マイクロコンピュータ17の発光波長選択出力は、
G(緑色)LED選択に切替わる。この切り替わる状態
が図8(d)、図8(e)に図示されている。このと
き、LEDドライブ回路11のゲートU1が閉じ、代わ
りにゲートU2が開き、発振器10の次のパルス出力に
同期して、G(緑)LEDの部分がドライブされ(図8
(i))、面発光LEDパネル3は緑色にパルス発光す
る。
Next, in step S27, the selection output of the R (red) LED is turned off, and in step S28, the emission wavelength selection output of the microcomputer 17 is
Switch to G (green) LED selection. This switching state is illustrated in FIGS. 8D and 8E. At this time, the gate U1 of the LED drive circuit 11 is closed and the gate U2 is opened instead, and the portion of the G (green) LED is driven in synchronization with the next pulse output of the oscillator 10 (see FIG. 8).
(I)), the surface-emitting LED panel 3 emits pulsed green light.

【0057】そしてR(赤色)LEDのパルス発光時と
同様な処理で、マイクロコンピュータ17に図8
(p)、(q)に図示したようなG(緑色)LED発光
による受光電圧VG、VGxが読み込まれ、レジスタ上に
保持される(ステップS29、S30、S31)。
Then, the microcomputer 17 performs the same processing as that for the pulse emission of the R (red) LED.
Light receiving voltages VG and VGx by G (green) LED emission as shown in (p) and (q) are read and held in the register (steps S29, S30, S31).

【0058】次に、ステップS32でG(緑色)のLE
Dの選択出力がオフにされ、図7のステップS33にお
いて、マイクロコンピュータ17の発光波長選択出力
は、B(青色)LED選択に切替わる((図8(e)、
図8(f)を参照)。これによりLEDドライブ回路1
1のゲートU2が閉じ、代わりにゲートU3が開き、発
振器10の次のパルス出力に同期して、B(青)LED
の部分がドライブされ(図8(j))、面発光LEDパ
ネル3は、青色にパルス発光する。
Next, in step S32, LE for G (green)
The selection output of D is turned off, and in step S33 of FIG. 7, the emission wavelength selection output of the microcomputer 17 is switched to B (blue) LED selection ((FIG. 8 (e),
See FIG. 8 (f). As a result, the LED drive circuit 1
The gate U2 of 1 is closed, the gate U3 is opened instead, and the B (blue) LED is synchronized with the next pulse output of the oscillator 10.
Is driven (FIG. 8 (j)), and the surface emitting LED panel 3 emits blue pulse light.

【0059】そして、R(赤色)LEDやG(緑色)L
EDのパルス発光時と同様な処理で、マイクロコンピュ
ータ17に図8(p)、(q)に図示したようなB(青
色)LED発光による受光電圧VB、VBxが読み込ま
れ、レジスタ上に保持される(ステップS34、S3
5、S36)。
Then, R (red) LED and G (green) L
By the same processing as that of the ED pulse emission, the microcomputer 17 reads the received light voltages VB and VBx by the B (blue) LED emission as shown in FIGS. 8 (p) and (q) and holds them in the register. (Steps S34, S3
5, S36).

【0060】次に、ステップS37でB(青色)のLE
Dの選択出力がオフにされ、ステップS38において、
マイクロコンピュータ17の発光波長選択出力は、IR
(赤外)LED選択に切替わる((図8(f)、図8
(g)を参照)。これにより、LEDドライブ回路11
のゲートU3が閉じ、代わりにゲートU4が開き、発振
器10の次のパルス出力に同期して、IR(赤外)LE
Dの部分がドライブされ(図8(k))、面発光LED
パネル3は、赤外のパルス発光する。
Next, in step S37, LE of B (blue) is obtained.
The selective output of D is turned off, and in step S38,
The emission wavelength selection output of the microcomputer 17 is IR
Switch to (infrared) LED selection ((Fig. 8 (f), Fig. 8
(See (g)). As a result, the LED drive circuit 11
Gate U3 is closed and gate U4 is opened instead, and the IR (infrared) LE is synchronized with the next pulse output of the oscillator 10.
Part D is driven (Fig. 8 (k)), surface emitting LED
The panel 3 emits infrared pulsed light.

【0061】そして、R(赤色)LED、G(緑色)L
EDおよびB(青色)LEDのパルス発光時と同様な処
理で、マイクロコンピュータ17に図8(p)、(q)
に図示したようなIR(赤外)LED発光による受光電
圧VIRおよびVIRxが読み込まれ、レジスタ上に保持さ
れる(ステップS39、S40、S41)。続いて、ス
テップS42においてIR(赤外)LEDの選択出力が
オフにされる。
Then, R (red) LED and G (green) L
8 (p) and (q) are displayed on the microcomputer 17 by the same process as that of the pulse emission of the ED and B (blue) LEDs.
The received light voltages VIR and VIRx by the IR (infrared) LED emission as shown in FIG. 3 are read and held in the register (steps S39, S40, S41). Then, in step S42, the selective output of the IR (infrared) LED is turned off.

【0062】続く、ステップS43〜S46において、
上記のようにして求められた透過率測定用ソーラセル4
aにより得られた各面発光波長LED個別点灯による受
光電圧VR、VG、VB、VIRと、予めマイクロコンピュ
ータ17上に記憶されている布の無い状態での受光電圧
VR0、VG0、VB0、VIR0を用いて、各発光波長に対す
る布の透過率αR、αG、αB、αIRを計算する。
In the following steps S43 to S46,
Solar cell 4 for transmittance measurement obtained as described above
The light receiving voltages VR, VG, VB and VIR obtained by individually lighting the surface emitting wavelength LEDs obtained by a and the light receiving voltages VR0, VG0, VB0 and VIR0 stored in the microcomputer 17 in advance without a cloth are shown. It is used to calculate the fabric transmittances αR, αG, αB, αIR for each emission wavelength.

【0063】そして、ステップS47において上記R
(赤)、G(緑)、B(青)の各発光波長での透過率α
R、αG、αBの最小値を求め、例えば、赤の発光波長で
の透過率が最小の場合には、ステップS48で、また緑
の発光波長での透過率が最小の場合には、ステップS4
9で、更に青の発光波長での透過率が最小の場合には、
ステップS50で、各最小値の透過率の発光波長と赤外
の発光波長での布の透過率、ケバの透過率、並びにソー
ラセル4bの受光電圧により布の長さとケバの長さを算
出する。
Then, in step S47, the R
Transmittance α at each emission wavelength of (red), G (green), and B (blue)
The minimum values of R, αG, and αB are obtained. For example, if the transmittance at the red emission wavelength is the minimum, step S48 is performed. If the transmittance at the green emission wavelength is the minimum, step S4 is performed.
9 and the minimum transmittance at the blue emission wavelength,
In step S50, the length of the cloth and the length of the fluff are calculated based on the transmittance of the cloth at the emission wavelength of each minimum value and the infrared emission wavelength, the transmittance of the fluff, and the light receiving voltage of the solar cell 4b.

【0064】この算出方法が図9に示されている。同図
においてx1を布7の検知長さ、x2をケバの長さ、x0
をソーラセル4bの長さとすると、赤色発光波長でのソ
ーラセル受光電圧VRxは、以下のような式で表せる。
This calculation method is shown in FIG. In the figure, x1 is the detection length of the cloth 7, x2 is the length of the fluff, and x0
Is the length of the solar cell 4b, the solar cell light receiving voltage VRx at the red emission wavelength can be expressed by the following equation.

【0065】[0065]

【数1】 [Equation 1]

【0066】上の式でαRは、ステップS43で求めた
赤色発光波長での布の透過率、VR’/VR0は、ステッ
プS5で求めた赤色発光波長でのケバの透過率、VR1
は、ソーラセル4bの赤色発光波長での全開時の受光電
圧であり、第1項は、x1の部分に対応する受光電圧、第
2項は、x2に対応する部分の受光電圧、第3項は、
{x0ー(x1+x2)}の部分に対応する受光電圧で、
その合計が受光電圧VRxとなっていることがわかる。
In the above equation, αR is the transmittance of the cloth at the red emission wavelength obtained in step S43, VR '/ VR0 is the transmittance of the fluff at the red emission wavelength obtained in step S5, VR1
Is the received light voltage when the solar cell 4b is fully opened at the red light emission wavelength. The first term is the received voltage of the portion corresponding to x1, the second term is the received voltage of the portion corresponding to x2, and the third term is ,
The received light voltage corresponding to the {x0- (x1 + x2)} part,
It can be seen that the total is the received light voltage VRx.

【0067】これを整理すると、To summarize this,

【0068】[0068]

【数2】 [Equation 2]

【0069】となる。Is obtained.

【0070】同様に、赤外発光波長でのソーラセル受光
電圧VIRxは、αIRをステップS46で求めた赤外発光
波長での布の透過率、VIR’/VIR0をステップS20
で求めた赤外発光波長でのケバの透過率、VIR1をソー
ラセル4bの赤外発光波長での全開時の受光電圧とし
て、
Similarly, for the solar cell light receiving voltage VIRx at the infrared emission wavelength, αIR is the transmittance of the cloth at the infrared emission wavelength obtained in step S46, and VIR '/ VIR0 is the step S20.
Let VIR1 be the transmittance of the fluff at the infrared emission wavelength obtained in step 1 as the received voltage at full open at the infrared emission wavelength of the solar cell 4b,

【0071】[0071]

【数3】 (Equation 3)

【0072】となり、これを整理すると、When this is sorted out,

【0073】[0073]

【数4】 (Equation 4)

【0074】になる。It becomes

【0075】(1)、(2)式より求める布検知長さx
1とケバ長さx2は、
Cloth detection length x obtained from equations (1) and (2)
1 and fluff length x2 are

【0076】[0076]

【数5】 (Equation 5)

【0077】となる。Is obtained.

【0078】ステップS49で求める緑色発光波長と赤
外発光波長での各長さも、
The lengths of the green emission wavelength and the infrared emission wavelength obtained in step S49 are also

【0079】[0079]

【数6】 (Equation 6)

【0080】となる。但し、αGはステップS44で求
めた緑色発光波長での布の透過率、VG’/VG0はステ
ップS10で求めた緑色発光波長でのケバの透過率、V
G1はソーラセル4bの緑色発光波長での全開時の受光電
圧である。
Is obtained. Here, αG is the transmittance of the cloth at the green emission wavelength obtained in step S44, VG '/ VG0 is the transmittance of the fluff at the green emission wavelength obtained in step S10, and V
G1 is the received light voltage when the solar cell 4b is fully opened at the green emission wavelength.

【0081】更に、ステップS50で求める青色発光波
長と赤外発光波長での各長さも、
Further, the respective lengths at the blue emission wavelength and the infrared emission wavelength obtained in step S50 are also

【0082】[0082]

【数7】 (Equation 7)

【0083】となる。但し、αBはステップS45で求
めた青色発光波長での布の透過率、VB’/VB0はステ
ップS15で求めた青色発光波長でのケバの透過率、V
B1はソーラセル4bの青色発光波長での全開時の受光電
圧である。
It becomes Here, αB is the transmittance of the cloth at the blue emission wavelength obtained in step S45, VB '/ VB0 is the transmittance of the fluff at the blue emission wavelength obtained in step S15, and VB
B1 is the received light voltage when the solar cell 4b is fully opened at the blue emission wavelength.

【0084】また、下布に対しても上述したのと同様に
して布検知長さとケバ長さが計算される。
Further, for the lower cloth, the cloth detection length and the fluff length are calculated in the same manner as described above.

【0085】このように、布の端部位置x1とケバ部分
x2が検知できるので、ケバ部分の幅が変化した場合で
も、布の端部に正確に縫代を設けた状態で布を縫製する
ことが可能になる。
Since the edge position x1 and the fluff portion x2 of the cloth can be detected in this way, even if the width of the fluff portion changes, the cloth is sewn with the seam allowance accurately provided at the edge of the cloth. It will be possible.

【0086】図10には、図3に示した面発光LEDパ
ネル3に代る発光器(光源)を用いた例が図示されてお
り、同図の例では、棒状LEDアレイ(赤色)20a、
棒状LEDアレイ(緑色)20b、棒状LEDアレイ
(青色)20c並びに棒状LEDアレイ(赤外)20d
が使用されており、各棒状LEDアレイ20a〜20d
がコ字状のブロック20の一方の脚部に配置され、これ
に対向する部分にソーラセル4a、4bが配置されてい
る。各棒状LEDアレイは、図11に示したように、チ
ップ状LEDが等間隔に並んで、対向するソーラセル4
b上で均一な光を得るようになっている。
FIG. 10 shows an example in which a light emitting device (light source) is used instead of the surface emitting LED panel 3 shown in FIG. 3. In the example shown in FIG. 10, a rod-shaped LED array (red) 20a,
Rod-shaped LED array (green) 20b, rod-shaped LED array (blue) 20c and rod-shaped LED array (infrared) 20d
Is used for each of the rod-shaped LED arrays 20a to 20d.
Is arranged on one leg of the U-shaped block 20, and the solar cells 4a, 4b are arranged on the portions facing the leg. In each rod-shaped LED array, as shown in FIG. 11, chip-shaped LEDs are arranged at equal intervals, and the solar cells 4 facing each other are arranged.
A uniform light is obtained on b.

【0087】この発光器を有する回路の構成が図12に
図示されている。図4の回路と同様であるが、発光器が
棒状LEDアレイ20a〜20dとなっているところが
相違するだけであり、動作については、図4に関連して
説明したのと同様である。
The structure of a circuit having this light emitter is shown in FIG. The circuit is the same as that of FIG. 4, except that the light emitters are rod-shaped LED arrays 20a to 20d, and the operation is the same as that described with reference to FIG.

【0088】更に、図13には、面発光LEDパネル3
に替えて、広指向性LED(赤色)22a、広指向性L
ED(緑色)22b、広指向性LED(青色)22c並
びに広指向性LED(赤外)22dを発光器として用い
る例が図示されている。これらの各発光器は、ソーラセ
ル4a、4bよりかなり離して配置され、それによりソ
ーラセル上にほぼ均一なLED光の照射が得られ、セン
サ出力としての直線性を可能にしている。この広指向性
LEDはこの図では各波長について1本づつであるが、
各波長について複数本としても良い。
Further, in FIG. 13, the surface emitting LED panel 3 is shown.
Wide directional LED (red) 22a, wide directional L
An example is shown in which an ED (green) 22b, a wide directional LED (blue) 22c, and a wide directional LED (infrared) 22d are used as light emitters. Each of these light emitters is placed far away from the solar cells 4a, 4b, which results in a substantially uniform illumination of the LED light on the solar cells, allowing a linear sensor output. Although this wide directional LED is one for each wavelength in this figure,
There may be a plurality of lines for each wavelength.

【0089】これらの広指向性の光源を有する回路の構
成が図14に図示されているが、光源が広指向性の棒状
LEDアレイ22a〜22dとなっているところが図4
の構成と相違するだけであり、動作については、図4に
関連して説明したのと同様である。
FIG. 14 shows the configuration of a circuit having these wide directional light sources, and FIG. 4 shows that the light sources are wide directional rod-shaped LED arrays 22a to 22d.
The operation is the same as that described with reference to FIG.

【0090】図15(A)、(B)には、面発光LED
パネル3に代る発光器が図示されており、同図に示す例
では、発光器は、アクリル樹脂等の透明導光板25と、
導光板25の裏側に配置した拡散反射板26と、透明導
光板25の両側面に配置したLEDチップ3aから構成
されている。LEDチップ3aは、R、G、B、IRの
LEDが順次直線状に配置された構成になっている。こ
の光源では、拡散反射板26により照明光が均一化され
る。また面発光LEDパネルに比べて、薄型化が可能と
なる。回路構成並びに動作については図4と同様であ
る。
FIGS. 15A and 15B show surface emitting LEDs.
A light emitter that replaces the panel 3 is shown. In the example shown in the figure, the light emitter is a transparent light guide plate 25 made of acrylic resin or the like.
It is composed of a diffuse reflection plate 26 arranged on the back side of the light guide plate 25 and LED chips 3a arranged on both side surfaces of the transparent light guide plate 25. The LED chip 3a has a configuration in which R, G, B, and IR LEDs are sequentially arranged in a straight line. In this light source, the diffuse reflection plate 26 makes the illumination light uniform. Further, it can be made thinner than a surface emitting LED panel. The circuit configuration and operation are the same as in FIG.

【0091】図16には、面発光LEDパネルを用いた
図4の回路において、発振器10のパルス出力によりL
EDをパルス点灯するのでなく、マイクロコンピュータ
17よりの各発光波長パルス出力により、LEDをパル
ス発光させる回路構成が図示されている。この回路構成
では、マイクロコンピュータ17は、図17(a)、
(b)に図示したように、ケバ透過率スイッチ並びにス
タートスイッチを操作すると、図17の(c)〜(f)
に示したようなR(赤)LEDパルスr、G(緑)LE
Dパルスg、B(青)LEDパルスb、IR(赤外)L
EDパルスirを信号線17a〜17dに順次出力す
る。オアゲートU9により各パルスごとにLED発光時
期信号が得られ(図17(g))、この信号に同期して
パルス分検出回路13a、13bおよびサンプルホール
ド14a、14bが駆動され、それぞれ図17(l)に
図示したように、透過率測定用のソーラセルと布端位置
測定用のソーラセルで検出された受光電圧VR'、VG'、
VB'、VIR'、VR、VG、VB、VIRおよびVRx、VGx、
VBx、VIRxがサンプルホールドされる。これらの値は
読み込みタイミングに従ってマイクロコンピュータ17
に読み込まれ、図4の回路に関連して説明したように、
布とケバ部分の透過率が計算され、布検知長さ並びにケ
バ長さが計測される。
FIG. 16 is a circuit diagram of FIG. 4 using a surface emitting LED panel, in which L is generated by the pulse output of the oscillator 10.
The circuit configuration is shown in which the LED is pulse-emitted by the pulse output of each emission wavelength from the microcomputer 17 rather than the ED being pulse-lighted. In this circuit configuration, the microcomputer 17 has the configuration shown in FIG.
When the flicker transmittance switch and the start switch are operated as shown in (b), (c) to (f) in FIG.
R (red) LED pulse r, G (green) LE as shown in
D pulse g, B (blue) LED pulse b, IR (infrared) L
The ED pulse ir is sequentially output to the signal lines 17a to 17d. An LED light emission timing signal is obtained for each pulse by the OR gate U9 (FIG. 17 (g)), and the pulse amount detection circuits 13a and 13b and the sample and hold 14a and 14b are driven in synchronization with this signal, respectively. ), The received light voltages VR ′, VG ′ detected by the solar cell for measuring the transmittance and the solar cell for measuring the cloth edge position,
VB ', VIR', VR, VG, VB, VIR and VRx, VGx,
VBx and VIRx are sampled and held. These values are read by the microcomputer 17 according to the read timing.
Read in, and as described in connection with the circuit of FIG.
The transmittance of the cloth and the fluff portion is calculated, and the cloth detection length and the fluff length are measured.

【0092】図18には、図16の回路構成を簡略化し
た回路が図示されている。図16の回路より外乱光対策
用のパルス分検出回路13a、13bを除いた構成であ
る。面発光LEDパネルがソーラセル4a、4bに近
く、かつ外乱光量がLED光に比べて充分小さな場合に
は、有効な構成となる。この回路では、マイクロコンピ
ュータ17は、図19(a)、(b)に図示したよう
に、ケバ透過率測定用スイッチとスタートスイッチを操
作すると、図19(c)〜(f)で示したように、信号
線17a〜17dを介してR(赤)LED、G(緑)L
ED、B(青)LED、IR(赤外)LEDを駆動する
パルスを出力する。マイクロコンピュータ17は、各パ
ルス間隔で図19(g)で図示したようなサンプリング
信号を出力し、サンプル&ホールド回路14a、14b
を介して光量検出器の出力をサンプリングする(図19
(h)〜(k))。以後の動作は、図4の回路と同様で
ある。
FIG. 18 shows a circuit obtained by simplifying the circuit configuration of FIG. This is a configuration in which the pulse amount detection circuits 13a and 13b for the measure against ambient light are removed from the circuit of FIG. When the surface emitting LED panel is close to the solar cells 4a, 4b and the amount of disturbance light is sufficiently smaller than the LED light, the configuration is effective. In this circuit, the microcomputer 17 operates the flash transmittance measuring switch and the start switch as shown in FIGS. 19 (a) and 19 (b), and as shown in FIGS. 19 (c) to 19 (f). R (red) LED and G (green) L via signal lines 17a to 17d
It outputs pulses to drive the ED, B (blue) LED, and IR (infrared) LED. The microcomputer 17 outputs the sampling signal as shown in FIG. 19 (g) at each pulse interval, and the sample & hold circuits 14a and 14b.
The output of the light quantity detector is sampled via
(H) to (k)). The subsequent operation is similar to that of the circuit of FIG.

【0093】図20は、図4の構成に温度センサ19を
加えて、面発光LEDパネル3およびソーラセル4a、
4bによる光量検出電圧に表われる温度ドリフトの補正
を行う回路構成を示す。アナロクマルチプレクサ15に
入力される光量検出電圧に温度センサ19により検出さ
れた温度に従って補正演算を行なうことにより温度ドリ
フトの補正が行なわれる。
FIG. 20 shows a structure in which the temperature sensor 19 is added to the structure shown in FIG. 4, and the surface emitting LED panel 3 and the solar cell 4a,
4B shows a circuit configuration for correcting the temperature drift appearing in the light amount detection voltage by 4b. The temperature drift is corrected by performing a correction operation on the light amount detection voltage input to the analog multiplexer 15 according to the temperature detected by the temperature sensor 19.

【0094】図21は、図4の構成に面発光LEDパネ
ルの光量モニタ用光量検出回路12c、パルス分検出回
路13c、サンプル&ホールド回路14cを加えて面発
光LEDパネル3およびソーラセル4a、4bによる光
量検出電圧に表われる温度ドリフトおよび経年変化の補
正を行なう回路構成を示す。光量検出回路12c、パル
ス分検出回路13c、サンプル&ホールド回路14c
は、光量検出回路12a、12b、パルス分検出回路1
3a、13b、サンプル&ホールド回路14a、14b
とそれぞれ同様の構成であり、光量検出回路12c、パ
ルス分検出回路13c、サンプル&ホールド回路14c
のチャンネルを介して得られた電圧に基づき光量検出回
路12a、12b、パルス分検出回路13a、13b、
サンプル&ホールド回路14a、14bの各チャンネル
で得られた光量検出電圧に演算補正して温度ドリフトお
よび経年変化の補正を行なう。
FIG. 21 shows a structure of the surface emitting LED panel 3 and the solar cells 4a and 4b in which the light amount detecting circuit 12c for monitoring the light amount of the surface emitting LED panel, the pulse amount detecting circuit 13c, and the sample & hold circuit 14c are added to the configuration of FIG. 2 shows a circuit configuration for correcting temperature drift and aging change appearing in a light amount detection voltage. Light amount detection circuit 12c, pulse amount detection circuit 13c, sample & hold circuit 14c
Are the light amount detection circuits 12a and 12b, the pulse amount detection circuit 1
3a and 13b, sample and hold circuits 14a and 14b
And a light amount detection circuit 12c, a pulse amount detection circuit 13c, and a sample & hold circuit 14c.
Light amount detection circuits 12a and 12b, pulse amount detection circuits 13a and 13b, based on the voltage obtained through the channel of
The light amount detection voltage obtained in each channel of the sample & hold circuits 14a and 14b is arithmetically corrected to correct temperature drift and secular change.

【0095】図22には、他の実施形態の回路構成が図
示されている。図4の回路では、透過率測定用並びに布
端位置測定用に対してそれぞれ光量検出回路、パルス分
検出回路、サンプル&ホールドが設けられ、さらに、透
過率測定と布端位置測定の電圧値を切り替えるアナログ
マルチプレクサが必要であった。これに対し、図22の
回路では、光量検出回路12b、パルス分検出回路13
b、サンプル&ホールド回路14bにより透過率と布端
位置の測定を行なう。図4と同様に、透過率測定用のソ
ーラセル4aと布端位置測定用のソーラセル4bが設け
られ、これらのソーラセルを接地させるトランジスタQ
20、Q21が各ソーラセルに接続される。布およびケ
バ部分の透過率測定時には、マイクロコンピュータ17
からの切替信号によりトランジスタQ20が、また布端
測定時には、トランジスタQ21が駆動されて、光量検
出回路12b、パルス分検出回路13b、サンプル&ホ
ールド回路14bによりそれぞれ透過率と布端位置の測
定が行なわれる。
FIG. 22 shows a circuit configuration of another embodiment. In the circuit of FIG. 4, a light amount detection circuit, a pulse amount detection circuit, and a sample & hold are provided for the transmittance measurement and the cloth edge position measurement, respectively, and further the voltage values for the transmittance measurement and the cloth edge position measurement are set. Needed an analog multiplexer to switch. On the other hand, in the circuit of FIG. 22, the light amount detection circuit 12b and the pulse amount detection circuit 13
b, the sample and hold circuit 14b measures the transmittance and the cloth edge position. Similar to FIG. 4, a solar cell 4a for measuring transmittance and a solar cell 4b for measuring cloth edge position are provided, and a transistor Q for grounding these solar cells is provided.
20, Q21 are connected to each solar cell. When measuring the transmittance of the cloth and the fluff part, the microcomputer 17
The transistor Q20 is driven by the switching signal from the switch, and the transistor Q21 is driven at the time of measuring the cloth edge, and the light quantity detecting circuit 12b, the pulse amount detecting circuit 13b, and the sample & hold circuit 14b respectively measure the transmittance and the cloth edge position. Be done.

【0096】図23には、発光器と受光器の他の実施形
態が図示されている。図2、図10に示す実施例では、
ソーラセルと面発光LEDパネルは近接して対向させて
いたが、図23に示す実施形態では、受光器に広指向性
の受光器40が用いられる。この受光器40は、面発光
LEDパネル3より離して配置され、面発光LEDパネ
ルへの布のかぶり量を受光器40への受光量で検出す
る。面発光LEDパネル3に隣接して多波長発光LED
パネル3xが配置される。このパネル3xは、布および
ケバ部分の各波長に対する透過率を測定するために設け
られている。
FIG. 23 shows another embodiment of the light emitter and the light receiver. In the embodiment shown in FIGS. 2 and 10,
Although the solar cell and the surface-emitting LED panel are closely opposed to each other, in the embodiment shown in FIG. 23, the light receiver 40 having wide directivity is used as the light receiver. The light receiver 40 is arranged apart from the surface emitting LED panel 3, and detects the amount of cloth covered on the surface emitting LED panel by the amount of light received by the light receiver 40. Multi-wavelength light emitting LED adjacent to the surface emitting LED panel 3
The panel 3x is arranged. The panel 3x is provided to measure the transmittance of the cloth and the fluff portion for each wavelength.

【0097】図24には、図23の構成を用いた回路図
が図示されている。同図において面発光LEDパネル3
と、多波長発光LEDパネル3xはそれぞれマイクロコ
ンピュータ17により駆動されるトランジスタQ22、
Q23が接続されており、透過率測定時には、トランジ
スタQ23が駆動されて多波長発光LEDパネル3xが
有効になり、また布端位置測定時には、トランジスタQ
22が駆動される。動作については、図22の回路と同
様である。
FIG. 24 shows a circuit diagram using the configuration of FIG. In the figure, the surface emitting LED panel 3
And the multi-wavelength LED panel 3x has a transistor Q22 driven by the microcomputer 17,
Q23 is connected, the transistor Q23 is driven to activate the multi-wavelength light emitting LED panel 3x during the transmittance measurement, and the transistor Q23 is activated during the cloth edge position measurement.
22 is driven. The operation is similar to that of the circuit of FIG.

【0098】図25には、更に他の発光器と受光器の実
施形態が図示されている。この例では、図22の面発光
LEDパネル3に代えて、棒状LEDアレイ(赤、緑、
青、赤外)20a、20b、20c、20dが、また多
波長発光LEDパネル3xに代えて各波長(赤、緑、
青、赤外)LED41a、41b、41c、41dが用
いられている。各波長LED41a、41b、41c、
41dにより各波長に対する布およびケバ部分の透過率
が求められる。この例では、棒状LEDアレイにより面
発光LEDパネルより薄くすることができる。使用され
る回路並びに動作は、図24と同様である。
FIG. 25 shows another embodiment of the light emitter and the light receiver. In this example, instead of the surface emitting LED panel 3 of FIG. 22, a rod-shaped LED array (red, green,
Blue, infrared) 20a, 20b, 20c, 20d are replaced by the multi-wavelength light emitting LED panel 3x and each wavelength (red, green,
Blue, infrared) LEDs 41a, 41b, 41c, 41d are used. Each wavelength LED 41a, 41b, 41c,
41d determines the transmittance of the cloth and the fluff portion for each wavelength. In this example, the rod-shaped LED array can be made thinner than the surface-emitting LED panel. The circuits and operations used are the same as in FIG.

【0099】更に、上述した各例では、発光手段として
LEDを用いた光源が使用されたが、これに限定される
ことなく、レーザー光源などの各色光源、あるいは多波
長発光可能な他の光源を使用するようにしてもよい。ま
た、多スペクトルの単一光源を用いて各波長フィルタを
使用し、フィルタを切り替えることにより複数の発光波
長を切り替え可能な発光手段を実現するようにしてもよ
い。
Further, in each of the above-mentioned examples, the light source using the LED as the light emitting means is used, but the light source is not limited to this, and each color light source such as a laser light source or another light source capable of emitting multiple wavelengths is used. It may be used. Further, each wavelength filter may be used by using a single light source having multiple spectra, and a light emitting means capable of switching a plurality of emission wavelengths may be realized by switching the filters.

【0100】また、上述した各例では、受光手段とし
て、例えば単結晶タイプのソーラセル(フォトダイオー
ド)が用いられているが、多結晶タイプのソーラセルで
もよく、特に分離板等の部品をベースとして、多結晶タ
イプのソーラセルを形成すると、受光素子の薄型化が可
能となる。
Further, in each of the above-mentioned examples, for example, a single crystal type solar cell (photodiode) is used as the light receiving means, but a polycrystalline type solar cell may be used, and particularly, a component such as a separating plate is used as a base. When a polycrystalline solar cell is formed, the light receiving element can be thinned.

【0101】また、上述した各実施形態では、ミシンに
おける縫製布の布端位置の計測に関連してケバ長さある
いは布検知長さを求める方法について説明を行なった
が、これに限定されず、本発明は、フィルムあるいは用
紙などのシート状の物の端部にある透過率の異る異質部
の長さ並びにこれらの対象物の端部位置の計測にも適用
されるものである。
Further, in each of the above-described embodiments, the method for obtaining the fluff length or the cloth detection length in relation to the measurement of the cloth edge position of the sewing cloth in the sewing machine has been described, but the present invention is not limited to this. INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is also applied to the measurement of the lengths of heterogeneous portions having different transmittances at the end portions of a sheet-shaped object such as a film or paper and the end position of these objects.

【0102】[0102]

【発明の効果】以上説明したように、本発明では、対象
物の透過率から対象物の受光に適する発光波長が選択さ
れ、選択された発光波長並びに可視光以外の発光波長で
の異質部と対象物の各透過率と、選択された発光波長並
びに可視光以外の発光波長での異質部を含む対象物から
の各受光光量とに基づいて異質部の長さが計測されるの
で、異質部の長さが変化しても正確に対象物の端部位置
が検知可能になる。
As described above, according to the present invention, the emission wavelength suitable for receiving the object is selected from the transmittance of the object, and the heterogeneous portion at the selected emission wavelength and the emission wavelength other than the visible light is selected. Since the length of the heterogeneous portion is measured based on each transmittance of the object and each received light amount from the object including the heterogeneous portion at the selected emission wavelength and the emission wavelength other than visible light, the heterogeneous portion is measured. Even if the length of the object changes, the end position of the object can be accurately detected.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明装置がミシンの縫製に用いられた場合を
示す側面図である。
FIG. 1 is a side view showing a case where the device of the present invention is used for sewing a sewing machine.

【図2】面発光LEDパネルを用いて布の透過率並びに
布端位置を測定する状態を示した説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing a state in which the transmittance of a cloth and the position of the cloth edge are measured using a surface-emitting LED panel.

【図3】面発光LEDパネルの構造を示した一部破断斜
視図である。
FIG. 3 is a partially cutaway perspective view showing a structure of a surface emitting LED panel.

【図4】布およびケバ部分の透過率並びに布端位置を測
定する回路構成を示した回路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram showing a circuit configuration for measuring the transmittance of the cloth and the fluff portion and the cloth edge position.

【図5】布およびケバ部分の透過率並びに布端位置の測
定の流れを説明したフローチャート図である。
FIG. 5 is a flowchart illustrating the flow of measuring the transmittance of the cloth and the fluff portion and the cloth edge position.

【図6】図5に続くフローチャート図である。FIG. 6 is a flowchart diagram following FIG. 5;

【図7】図6に続くフローチャート図である。FIG. 7 is a flowchart diagram following FIG. 6;

【図8】図4の回路の動作を示すタイミングチャート図
である。
8 is a timing chart showing the operation of the circuit of FIG.

【図9】ケバ部分の長さおよび布端位置の検出を説明す
る説明図である。
FIG. 9 is an explanatory diagram illustrating detection of a length of a fluff portion and a cloth edge position.

【図10】発光器と受光器の他の構成を示した斜視図で
ある。
FIG. 10 is a perspective view showing another configuration of a light emitter and a light receiver.

【図11】図10の発光器の詳細な構成を示した配置図
である。
FIG. 11 is a layout view showing a detailed configuration of the light emitter of FIG.

【図12】図11の発光器を用いて布およびケバ部分の
透過率並びに布端位置を測定する回路構成を示した回路
図である。
12 is a circuit diagram showing a circuit configuration for measuring the transmittance and the cloth edge position of a cloth and a fluff part using the light emitter of FIG.

【図13】発光器と受光器の更に他の構成を示した斜視
図である。
FIG. 13 is a perspective view showing still another configuration of a light emitter and a light receiver.

【図14】図13の発光器と受光器を用いて布およびケ
バ部分の透過率並びに布端位置を測定する回路構成を示
した回路図である。
14 is a circuit diagram showing a circuit configuration for measuring the transmittance and cloth edge position of a cloth and a fluff part using the light emitter and the light receiver of FIG.

【図15】(A)は発光器の他の例を示す斜視図、
(B)はその側断面図である。
FIG. 15A is a perspective view showing another example of the light emitter.
(B) is a side sectional view thereof.

【図16】マイクロコンピュータからの切替信号で面発
光LEDパネルを駆動する回路構成を示す回路図であ
る。
FIG. 16 is a circuit diagram showing a circuit configuration for driving a surface emitting LED panel by a switching signal from a microcomputer.

【図17】図16の回路の動作を示すタイミングチャー
ト図である。
17 is a timing chart showing the operation of the circuit of FIG.

【図18】図16の回路構成から外乱光対策を除去した
回路構成を示す回路図である。
18 is a circuit diagram showing a circuit configuration in which a measure against ambient light is removed from the circuit configuration in FIG.

【図19】図18の回路の動作を示すタイミングチャー
ト図である。
19 is a timing chart showing the operation of the circuit of FIG.

【図20】図4の回路構成において温度補償を可能にし
た回路構成を示す回路図である。
20 is a circuit diagram showing a circuit configuration that enables temperature compensation in the circuit configuration of FIG.

【図21】図4の回路構成において受光光量を監視でき
る回路構成を示す回路図である。
21 is a circuit diagram showing a circuit configuration capable of monitoring the amount of received light in the circuit configuration of FIG.

【図22】布およびケバ部分の透過率測定と布端位置の
測定を行なうチャンネルを共通にした回路構成を示す回
路図である。
FIG. 22 is a circuit diagram showing a circuit configuration having a common channel for measuring the transmittance of the cloth and the fluff part and the measurement of the cloth edge position.

【図23】発光器と受光器の更に他の構成を示した斜視
図である。
FIG. 23 is a perspective view showing still another configuration of a light emitter and a light receiver.

【図24】図23の発光器と受光器を用いて布およびケ
バ部分の透過率並びに布端位置を測定する回路構成を示
した回路図である。
24 is a circuit diagram showing a circuit configuration for measuring the transmittance and cloth edge position of a cloth and a fluff part using the light emitter and the light receiver of FIG. 23.

【図25】図23の発光器の他の構成を示した斜視図で
ある。
25 is a perspective view showing another configuration of the light emitter of FIG. 23. FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

3 面発光LEDパネル 4 ソーラセル 4a 透過率測定用ソーラセル 4b 布端位置測定用ソーラセル 7 布 10 発振器 11 LEDドライブ回路 12a、12b 光量検出回路 13a、13b パルス分検出回路 14a、14b サンプル&ホールド回路 15 アナログマルチプレクサ 16 A/D変換器 17 マイクロコンピュータ 3 Surface emitting LED panel 4 Solar cell 4a Transmittance measuring solar cell 4b Cloth edge position measuring solar cell 7 Cloth 10 Oscillator 11 LED drive circuit 12a, 12b Light intensity detection circuit 13a, 13b Pulse amount detection circuit 14a, 14b Sample & hold circuit 15 Analog Multiplexer 16 A / D converter 17 Microcomputer

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 端部に透過率の異る異質部がある対象物
の端部位置の変化に従って変化する対象物からの受光光
量を測定することにより対象物の端部位置を計測する対
象物の計測方法において、 複数の発光波長を順次切り替えて対象物に投射し、 前記異質部と対象物の透過率を各発光波長ごとに測定
し、 対象物の透過率から対象物の受光に適する発光波長を選
択し、 選択された発光波長並びに可視光以外の発光波長での異
質部と対象物の各透過率と、選択された発光波長並びに
可視光以外の発光波長での異質部を含む対象物からの各
受光光量とに基づいて異質部の長さを求めることを特徴
とする対象物の計測方法。
1. An object for measuring an end position of an object by measuring an amount of received light from the object, which changes according to a change in an end position of the object having a heterogeneous portion with different transmittance at the end. In the measurement method of 1, a plurality of emission wavelengths are sequentially switched and projected onto an object, the transmittances of the heterogeneous part and the object are measured for each emission wavelength, and the light emission suitable for receiving the object from the transmittance of the object. Select the wavelength, and the transmittance of the heterogeneous portion and the object at the selected emission wavelength and the emission wavelength other than visible light, and the target object including the heterogeneous portion at the selected emission wavelength and the emission wavelength other than visible light A method of measuring an object, characterized in that the length of a foreign portion is obtained based on each received light amount from.
【請求項2】 前記可視光以外の発光波長は赤外線の発
光波長であることを特徴とする請求項1に記載の対象物
の計測方法。
2. The method of measuring an object according to claim 1, wherein the emission wavelengths other than the visible light are infrared emission wavelengths.
【請求項3】 各発光波長ごとの受光光量と、異質部あ
るいは対象物がないときの各発光波長ごとの受光光量と
の各比から異質部と対象物の透過率を計算することを特
徴とする請求項1または2に記載の対象物の計測方法。
3. The transmittance of the foreign part and the object is calculated from each ratio of the received light amount for each emission wavelength and the received light amount for each emission wavelength when there is no foreign part or object. The method for measuring an object according to claim 1 or 2.
【請求項4】 前記対象物はミシンで縫製される被縫製
物であり、異質部はケバ部分であることを特徴とする請
求項1から3までのいずれか1項に記載の対象物の計測
方法。
4. The measurement of an object according to claim 1, wherein the object is a sewing object sewn with a sewing machine, and the foreign portion is a fluff portion. Method.
【請求項5】 端部に透過率の異る異質部がある対象物
の端部位置の変化に従って変化する対象物からの受光光
量を測定することにより対象物の端部位置を計測する対
象物の計測装置において、 複数の発光波長を順次切り替え可能な発光手段と、 異質部と対象物からの各発光波長ごとの光を受光する受
光手段と、 前記受光手段の受光光量から異質部と対象物の各発光波
長ごとの透過率を算出する算出手段と、 算出された対象物の透過率から対象物の受光に適する発
光波長を選択する選択手段と、 選択された発光波長並びに可視光以外の発光波長での異
質部と対象物の各透過率と、選択された発光波長並びに
可視光以外の発光波長での異質部を含む対象物からの各
受光光量とに基づいて異質部の長さを計測する計測手段
と、 を備えたことを特徴とする対象物の計測装置。
5. An object for measuring the edge position of the object by measuring the amount of light received from the object which changes in accordance with the change of the edge position of the object having a heterogeneous portion with different transmittance at the edge. In the measuring device, a plurality of emission wavelengths can be sequentially switched, a light receiving unit for receiving light of each emission wavelength from the foreign portion and the target object, and a light receiving amount of the light receiving unit from the foreign portion and the target object. Calculating means for calculating the transmittance for each emission wavelength, selecting means for selecting an emission wavelength suitable for receiving the target object from the calculated transmittance of the target object, and the selected emission wavelength and light emission other than visible light Measures the length of the heterogeneous part based on the transmittance of the heterogeneous part at the wavelength and each transmittance of the target, and the amount of light received from the target including the foreign part at the selected emission wavelength and the emission wavelength other than visible light It is equipped with Measuring device for target objects.
【請求項6】 前記可視光以外の発光波長は赤外線の発
光波長であることを特徴とする請求項5に記載の対象物
の計測装置。
6. The object measuring device according to claim 5, wherein the emission wavelengths other than the visible light are infrared emission wavelengths.
【請求項7】 各発光波長ごとの受光光量と、異質部あ
るいは対象物がないときの各発光波長ごとの受光光量と
の各比から異質部と対象物の透過率を計算することを特
徴とする請求項5または6に記載の対象物の計測装置。
7. The transmittance of the foreign part and the object is calculated from each ratio of the received light amount for each emission wavelength and the received light amount for each emission wavelength when there is no foreign part or object. The object measuring device according to claim 5 or 6.
【請求項8】 前記対象物はミシンで縫製される被縫製
物であり、異質部はケバ部分であることを特徴とする請
求項5から7までのいずれか1項に記載の対象物の計測
装置。
8. The measurement of an object according to claim 5, wherein the object is a sewing object to be sewn with a sewing machine, and the foreign portion is a fluff portion. apparatus.
【請求項9】 前記受光手段は、透過率を求めるために
対象物あるいは異質部からの光を受光する第1の受光器
と、対象物の端部位置を計測するために異質部を含む対
象物からの光を受光する第2の受光器とから構成される
ことを特徴とする請求項5から8までのいずれか1項に
記載の対象物の計測装置。
9. The light receiving means includes a first light receiver for receiving light from an object or a foreign part to obtain a transmittance, and an object including a foreign part to measure an end position of the object. The device for measuring an object according to any one of claims 5 to 8, which is configured by a second light receiver that receives light from an object.
【請求項10】 前記発光手段は、透過率を求めるため
に複数の発光波長の光を対象物に投射する第1の発光器
と、対象物の端部位置を計測するために複数の発光波長
の光を対象物に投射する第2の発光器とから構成される
ことを特徴とする請求項5から9までのいずれか1項に
記載の対象物の計測装置。
10. The light emitting means includes a first light emitter that projects light having a plurality of emission wavelengths onto an object to obtain a transmittance, and a plurality of emission wavelengths to measure an edge position of the object. 10. The object measuring device according to claim 5, further comprising a second light emitter that projects the light of FIG.
【請求項11】 前記発光手段が、異る発光波長の光を
発光する発光ダイオードと、これらの発光ダイオードを
順次パルス駆動する駆動手段とから構成されることを特
徴とする請求項5から10までのいずれか1項に記載の
対象物の計測装置。
11. The light emitting means comprises a light emitting diode that emits light of different emission wavelengths, and a driving means that sequentially pulse-drives these light emitting diodes. The measuring device for an object according to any one of 1.
JP23626095A 1995-09-14 1995-09-14 Object measuring method and device Pending JPH0979823A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23626095A JPH0979823A (en) 1995-09-14 1995-09-14 Object measuring method and device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23626095A JPH0979823A (en) 1995-09-14 1995-09-14 Object measuring method and device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0979823A true JPH0979823A (en) 1997-03-28

Family

ID=16998153

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP23626095A Pending JPH0979823A (en) 1995-09-14 1995-09-14 Object measuring method and device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0979823A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002340799A (en) * 2001-05-14 2002-11-27 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd Method for measuring transmittance of through hole plate and apparatus therefor
JP2003525441A (en) * 2000-03-02 2003-08-26 エヌディーシー・インフラレッド・エンジニアリング・リミテッド Electromagnetic detection device
CN103820957A (en) * 2014-03-26 2014-05-28 新杰克缝纫机股份有限公司 Working platform and working positioning system of sewing machine

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003525441A (en) * 2000-03-02 2003-08-26 エヌディーシー・インフラレッド・エンジニアリング・リミテッド Electromagnetic detection device
JP2002340799A (en) * 2001-05-14 2002-11-27 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd Method for measuring transmittance of through hole plate and apparatus therefor
CN103820957A (en) * 2014-03-26 2014-05-28 新杰克缝纫机股份有限公司 Working platform and working positioning system of sewing machine

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5006719A (en) Device for detecting the edge location of an object
EP0109686B1 (en) Color sensor
EP0537431B1 (en) Device for the optical recognition of documents
US4890924A (en) Process and apparatus for measuring the weft thread or course position of textile sheets
EP0095948A2 (en) Detecting article edges
DE10022597B4 (en) Device for detecting the edge and / or a marking of a running web
EP0691568A1 (en) Photographic printer and film scanner
CN103026213A (en) Detection device and inspection method for bottle seam and embossing alignment
US4664048A (en) Zigzag sewing machine with fabric-edge tracing function
JPH0979823A (en) Object measuring method and device
JP2762690B2 (en) Sewing machine lower thread amount detector
US5923434A (en) Surface quality and color measuring device
JP3630342B2 (en) Method and apparatus for measuring object
GB2212266A (en) Cloth-pattern sensing device for a sewing machine
JPH0979816A (en) Object measuring method and device
JPS6157960A (en) Photometric device of copying machine
US4967676A (en) Apparatus for detecting the end of cloth-overlap on a sewing machine
US5189969A (en) Device for processing sheet material with colored pattern
CS229667B2 (en) Device for step by optical scanning of multicolour pattern to make figure programm for electrinic control of flatbed knitters
JPH105473A (en) Optical information detection device
US4564893A (en) Method, apparatus and product for illuminating a surface to provide a desired light intensity at discrete points on said surface
JPH06152865A (en) Shading correction device for led array
JPH0131340B2 (en)
JPH0592089A (en) Sewing machine with automatic thread color discriminatng function
JPH06335583A (en) Cloth end position measuring instrument for sewing machine