JPH105473A - Optical information detection device - Google Patents

Optical information detection device

Info

Publication number
JPH105473A
JPH105473A JP8185482A JP18548296A JPH105473A JP H105473 A JPH105473 A JP H105473A JP 8185482 A JP8185482 A JP 8185482A JP 18548296 A JP18548296 A JP 18548296A JP H105473 A JPH105473 A JP H105473A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
pulse
output
circuit
disturbance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8185482A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Sumio Goto
純夫 後藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Juki Corp
Original Assignee
Juki Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Juki Corp filed Critical Juki Corp
Priority to JP8185482A priority Critical patent/JPH105473A/en
Publication of JPH105473A publication Critical patent/JPH105473A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Geophysics And Detection Of Objects (AREA)
  • Sewing Machines And Sewing (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To correctly provide prescribed information even where pulses of disturbing light exist. SOLUTION: A prescribed object (work to be sewn) is irradiated by a light emitting means 3 which emits pulse light, radiation light irradiating the object is received by light receiving means 4a, 4b, and prescribed information (edge part information) is obtained by an information obtaining means (edge part information obtaining means) 19 based on received light quantity received by the light receiving means 4a, 4b. In the meanwhile, as pulses of disturbing light are detected by a disturbing light pulse detection means 70 in a pulse light emitting timing of the light emitting means 3, the light emitting means 3 again is set to emit pulse light before the next pulse light emitting timing by a light emission control means 55, and the information obtaining means 19 obtains prescribed information based on received light quantity received by the light receiving means 4a, 4b at the time of above second pulse emission, while prescribed information when the pulses of disturbing light are detected is ignored.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光情報検出装置に
関し、特に生地端制御ミシンに適用される光情報検出装
置に関する。
The present invention relates to an optical information detecting device, and more particularly to an optical information detecting device applied to a cloth edge control sewing machine.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、例えばミシンの縫製分野において
は、異なる曲線の布端カーブを持つ2枚の生地をその布
端を揃えながら自動的に縫合することが行われており、
このような所謂生地端制御ミシンに関しては、例えば特
開平6−246081号公報記載のものが知られてい
る。この特開平6−246081号公報記載の装置は、
2枚の被縫製物のそれぞれに対して、複数個のLED
(発光ダイオード)素子を並設した薄板状LEDパネル
とソーラセルとを被縫製物を介挿可能にして対向配置
し、該LED素子をオンオフする(パルス発光させる)
ことによって、介挿された被縫製物を照射して該被縫製
物に遮光されない照射光をソーラセルにて受光し、この
受光された光量に基づいて被縫製物の縁部位置情報を取
得して、この縁部位置情報に基づいて所定の縫い代が得
られるように当該被縫製物を移動することによって、縁
部に沿った所謂倣い縫いを行い得るといったものであ
る。
2. Description of the Related Art Conventionally, for example, in the sewing field of sewing machines, two cloths having cloth end curves having different curves are automatically sewn while aligning the cloth ends.
With respect to such a so-called cloth edge control sewing machine, for example, a machine disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-246081 is known. The device described in JP-A-6-246081 is
Multiple LEDs for each of the two sewing objects
(Light Emitting Diode) A thin-plate LED panel in which elements are juxtaposed and a solar cell are arranged facing each other with a sewing object interposed therebetween, and the LED elements are turned on / off (pulse emission).
By irradiating the interposed sewing object and irradiating light that is not blocked by the sewing object with the solar cell, the edge position information of the sewing object is acquired based on the received light amount. By moving the workpiece so as to obtain a predetermined sewing allowance based on the edge position information, so-called copying sewing along the edge can be performed.

【0003】上記装置はまた、ソーラセルに受光された
受光光量から、例えば白熱灯や蛍光灯等の室内灯や、太
陽光等の外乱光を除去する手段を備えている。この外乱
光除去手段は、LED素子オフ時にソーラセルに受光さ
れた外乱光量分を、該LED素子オン時にソーラセルに
受光された受光光量から除去するといったものであり、
これによって外乱光に影響されない縁部位置情報が取得
されて、正確な倣い縫いをできるようになっている。
[0003] The above-mentioned apparatus is also provided with a means for removing disturbance light such as indoor light such as incandescent lamps and fluorescent lamps and sunlight from the amount of light received by the solar cell. This disturbance light removing means removes the amount of disturbance light received by the solar cell when the LED element is off from the amount of light received by the solar cell when the LED element is on,
As a result, edge position information that is not affected by disturbance light is acquired, and accurate copying can be performed.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記装
置にあっては、以下の問題点がある。すなわち、LED
素子オン時に、例えばフラッシュ的に光るパルス状の外
乱光がソーラセルに受光されると、上記外乱光除去手段
では、このパルス状の外乱光による光量分をソーラセル
に受光された受光光量から除去することができず、取得
される縁部位置情報が不正確となって、正確な倣い縫い
ができないといった問題があった。
However, the above apparatus has the following problems. That is, LED
When the solar cell receives pulsed disturbance light that shines, for example, when the element is turned on, the disturbance light removal means removes the light amount due to the pulsed disturbance light from the received light amount received by the solar cell. However, there is a problem that the obtained edge position information becomes inaccurate, and accurate copying and sewing cannot be performed.

【0005】また、上記生地端制御ミシン以外に適用さ
れる光情報を検出する装置として、例えばイメージセン
サ等にあっても、パルス発光する発光手段により所定の
検出物を照射した時に、この照射光に加えて、上記のよ
うなパルス状の外乱光が受光手段に受光されると、取得
される撮像情報が不正確になってしまうといった問題が
ある。
As an apparatus for detecting optical information other than the above-described cloth edge control sewing machine, for example, even in an image sensor or the like, when a predetermined object is irradiated by a light emitting means which emits a pulse light, the irradiation light is emitted. In addition, when the pulse-like disturbance light as described above is received by the light receiving unit, there is a problem that the acquired imaging information becomes inaccurate.

【0006】そこで本発明は、パルス状の外乱光があっ
ても所定の情報を正確に得ることができる光情報検出装
置を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION It is therefore an object of the present invention to provide an optical information detecting device capable of accurately obtaining predetermined information even when there is pulsed disturbance light.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1の光情報検出装置は、生地端制御ミシンに
適用される布端用の光情報検出装置であって、パルス発
光する照射光により被縫製物を照射する発光手段と、前
記被縫製物を照射した照射光を受光する受光手段と、こ
の受光手段に受光された受光光量に基づいて被縫製物の
縁部情報を得る縁部情報取得手段と、を備えた光情報検
出装置において、パルス状の外乱光を検出する外乱光パ
ルス検出手段と、前記発光手段のパルス発光時期にパル
ス状の外乱光が検出されたら、次のパルス発光時期まで
に前記発光手段を再度パルス発光させる発光制御手段
と、を設け、前記縁部情報取得手段は、前記発光手段が
再度パルス発光した場合には、この再度パルス発光した
時に前記受光手段に受光される受光光量に基づいて被縫
製物の縁部情報を得ることを特徴としている。
According to another aspect of the present invention, there is provided an optical information detecting apparatus for a cloth edge applied to a cloth edge control sewing machine, wherein the optical information detecting apparatus emits pulses. A light emitting unit that irradiates the sewing object with the irradiation light, a light receiving unit that receives the irradiation light that irradiates the sewing object, and edge information of the sewing object is obtained based on the amount of light received by the light receiving unit. Edge information acquisition means, and an optical information detection device comprising: a disturbance light pulse detection means for detecting pulse-like disturbance light; and a pulse-like disturbance light is detected at the pulse emission timing of the light-emitting means. Light emission control means for causing the light emitting means to emit pulse light again by the time of the pulse light emission, wherein, when the light emitting means emits pulse light again, By means It is characterized by obtaining edge information of the workpiece on the basis of the quantity of received light to be light.

【0008】上記目的を達成するために、請求項2の光
情報検出装置は、パルス発光する照射光により所定の検
出物を照射する発光手段と、前記検出物を照射した照射
光を受光する受光手段と、この受光手段に受光された受
光光量に基づいて所定の情報を得る情報取得手段と、を
備えた光情報検出装置において、パルス状の外乱光を検
出する外乱光パルス検出手段と、前記発光手段のパルス
発光時期にパルス状の外乱光が検出されたら、次のパル
ス発光時期までに前記発光手段を再度パルス発光させる
発光制御手段と、を設け、前記情報取得手段は、前記発
光手段が再度パルス発光した場合には、この再度パルス
発光した時に前記受光手段に受光される受光光量に基づ
いて所定の情報を得ることを特徴としている。
According to another aspect of the present invention, there is provided an optical information detecting apparatus, comprising: a light emitting means for irradiating a predetermined detection object with irradiation light of pulse emission; and a light receiving means for receiving irradiation light irradiating the detection object. Means, and information acquisition means for obtaining predetermined information based on the amount of light received by the light receiving means, an optical information detection device comprising: a disturbance light pulse detection means for detecting pulse-like disturbance light; When a pulse-like disturbance light is detected at the pulse emission timing of the light emitting unit, a light emission control unit that causes the light emitting unit to emit pulse light again by the next pulse emission timing is provided. When the pulse light is emitted again, predetermined information is obtained based on the amount of light received by the light receiving means when the pulse light is emitted again.

【0009】このような請求項1、2の光情報検出装置
によれば、所定の検出物(被縫製物)が、パルス発光す
る発光手段によって照射され、この検出物を照射した照
射光が受光手段によって受光され、この受光手段に受光
された受光光量に基づいて所定の情報(縁部情報)が情
報取得手段(縁部情報取得手段)によって取得される
が、上記発光手段のパルス発光時期に、パルス状の外乱
光が外乱光パルス検出手段によって検出されると、発光
制御手段によって次のパルス発光時期までに該発光手段
が再度パルス発光され、上記情報取得手段は、この再度
パルス発光した時に該受光手段に受光される受光光量に
基づいて、所定の情報を得るようになり、パルス状の外
乱光が検出された時における所定の情報は無視される。
According to the optical information detecting device of the first and second aspects, a predetermined detected object (a sewing object) is irradiated by the light emitting means which emits the pulse light, and the irradiated light irradiated on the detected object is received. The predetermined information (edge information) is acquired by the information acquisition means (edge information acquisition means) based on the amount of light received by the light reception means. When the pulsed disturbance light is detected by the disturbance light pulse detection means, the light emission control means emits the pulse light again by the time of the next pulse light emission, and the information acquisition means performs the pulse emission again when the pulse light is emitted again. The predetermined information is obtained based on the amount of light received by the light receiving means, and the predetermined information when the pulsed disturbance light is detected is ignored.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。本実施形態の光情報検出装置は、異
なる曲線の布端カーブを持つ2枚の生地(被縫製物)を
その布端を揃えながら自動的に縫い合わせる生地端制御
ミシンに適用されている。図1において、符号1はミシ
ンヘッドを、2は縫製針をそれぞれ示しており、縫製針
2の針落ち点の手前近傍には、発光手段としての面発光
LED(発光ダイオード)パネル3,3’と、受光手段
としての例えば単結晶タイプのソーラセル(フォトダイ
オード)4,4’とが、上下方向に重なるように対向配
置されている。この面発光LEDパネル3,3’及びソ
ーラセル4,4’は、分離板5を介して上布用と下布用
とがあり、両者は重ねられた状態となっている。そし
て、上布用の面発光LEDパネル3と下布用の面発光L
EDパネル3’、上布用のソーラセル4と下布用のソー
ラセル4’は、それぞれ同様に構成されている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The optical information detection device of the present embodiment is applied to a fabric edge control sewing machine that automatically sewes two fabrics (sewed objects) having different fabric edge curves while aligning the fabric edges. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a sewing machine head, 2 denotes a sewing needle, and near the needle drop point of the sewing needle 2, near the surface emitting LED (light emitting diode) panels 3 and 3 'as light emitting means. And single-crystal type solar cells (photodiodes) 4, 4 'as light receiving means, for example, are arranged so as to be overlapped in the vertical direction. The surface emitting LED panels 3 and 3 'and the solar cells 4 and 4' are provided for the upper cloth and the lower cloth via the separation plate 5, and both are superposed. Then, the surface emitting LED panel 3 for the upper cloth and the surface light emitting L for the lower cloth
The ED panel 3 ', the solar cell 4 for the upper cloth, and the solar cell 4' for the lower cloth have the same configuration.

【0011】面発光LEDパネル3は、図3に示される
ように、パネルプリント基板3bと、このパネルプリン
ト基板3b上に等間隔に並設される複数個のLED素子
チップ3aと、これらLED素子チップ3aを囲うケー
ス3dと、このケース3dのパネルプリント基板の反対
側を覆う光拡散用の半透明フィルム3cと、から構成さ
れており、LED素子チップ3aが発光した時に、拡散
フィルム3cの表面から均一な光量が得られるように構
成されている。なお、図3では、LED素子チップ3a
を縦横のマトリックス状に配置しているが、例えば6角
格子上の各点に配置しても良く、その他多くの配列パタ
ーンが考えられる。
As shown in FIG. 3, the surface-emitting LED panel 3 includes a panel printed board 3b, a plurality of LED element chips 3a arranged in parallel on the panel printed board 3b, and these LED elements. The case 3d includes a case 3d surrounding the chip 3a, and a translucent film 3c for light diffusion covering the opposite side of the case 3d from the panel printed circuit board. When the LED element chip 3a emits light, the surface of the diffusion film 3c is formed. Are configured so that a uniform light amount can be obtained. In FIG. 3, the LED element chip 3a
Are arranged in a vertical and horizontal matrix, but may be arranged at each point on a hexagonal lattice, for example, and many other arrangement patterns are conceivable.

【0012】ソーラセル4は、図2に詳細に示されるよ
うに、透過率測定用のソーラセル4aと、縁部情報とし
ての布端位置を測定用のソーラセル4bと、から構成さ
れている。また、面発光LEDパネル3を固定する部材
の裏面には、外乱光パルス検出手段を構成する外乱光検
出用のソーラセル4cが固定されており、外乱光を検出
可能な構成になされている。なお、外乱光検出用ソーラ
セル4cの位置は、これに限定されるものではなく、ソ
ーラセル4の近傍で、外乱光を受光可能且つ上記面発光
LEDパネル3,3’の照射光を受けない位置であれば
良い。
As shown in detail in FIG. 2, the solar cell 4 includes a solar cell 4a for measuring transmittance and a solar cell 4b for measuring a cloth edge position as edge information. A solar cell 4c for detecting disturbance light constituting disturbance light pulse detection means is fixed to the back surface of the member for fixing the surface-emitting LED panel 3, so that disturbance light can be detected. The position of the disturbance light detecting solar cell 4c is not limited to this, and is a position near the solar cell 4 where the disturbance light can be received and the irradiation of the surface light emitting LED panels 3 and 3 'is not received. I just want it.

【0013】上記面発光LEDパネル3とソーラセル4
との間及び面発光LEDパネル3’とソーラセル4’と
の間は、それぞれ所定距離離間されており、縫製時に、
図2に示されるように、面発光LEDパネル3とソーラ
セル4との間に上布7が、また不図示ではあるが、面発
光LEDパネル3’とソーラセル4’との間に下布が、
それぞれ通過し、以下で説明するように縁部情報として
の各布の端部位置が取得される。そして、各布端部位置
がずれている場合には、ずれている布の位置を補正しな
がら縫製が行われ、各布端を揃えながら自動的に縫製が
行われる。
The above-mentioned surface emitting LED panel 3 and solar cell 4
And between the surface emitting LED panel 3 ′ and the solar cell 4 ′ are respectively separated by a predetermined distance.
As shown in FIG. 2, an upper cloth 7 is provided between the surface emitting LED panel 3 and the solar cell 4, and although not shown, a lower cloth is provided between the surface emitting LED panel 3 ′ and the solar cell 4 ′.
After passing through each of them, an edge position of each cloth is acquired as edge information as described below. When the positions of the cloth end portions are shifted, the sewing is performed while correcting the position of the shifted cloth, and the sewing is automatically performed while aligning the cloth ends.

【0014】次に、上記面発光LEDパネル3、ソーラ
セル4(4a,4b)及び外乱光検出用ソーラセル4c
を備える光情報検出装置の回路構成について、図4を参
照しながら以下説明する。なお、下布用の面発光LED
パネル3’及びソーラセル4’に関しては、面発光LE
Dパネル3及びソーラセル4と同様であるから、図示及
びその説明は省略する。
Next, the above-mentioned surface-emitting LED panel 3, solar cells 4 (4a, 4b) and disturbance light detecting solar cells 4c
The circuit configuration of the optical information detection device having the above will be described below with reference to FIG. In addition, surface emitting LED for lower cloth
For the panel 3 'and the solar cell 4', the surface emitting LE
Since they are the same as the D panel 3 and the solar cell 4, illustration and description thereof are omitted.

【0015】同図において、符号10はLED点灯周期
を決める発振器を示しており、この発振器10からの矩
形波信号はワンショット発生回路Aに入力される。ワン
ショット発生回路Aは、発振器10からの矩形波信号の
立ち上がりに同期したLEDオンパルス信号を発生す
る。このワンショット発生回路AからのLEDオンパル
ス信号は、オアゲートU1、バッファU2、抵抗R1を
介してトランジスタQ1のベースに供給される。このト
ランジスタQ1のコレクタには、上記面発光LEDパネ
ル3が抵抗R2を介して接続されている。
In FIG. 1, reference numeral 10 denotes an oscillator for determining an LED lighting cycle. A rectangular wave signal from the oscillator 10 is input to a one-shot generation circuit A. The one-shot generation circuit A generates an LED on-pulse signal synchronized with the rise of the rectangular wave signal from the oscillator 10. The LED on-pulse signal from the one-shot generation circuit A is supplied to the base of the transistor Q1 via the OR gate U1, the buffer U2, and the resistor R1. The surface emitting LED panel 3 is connected to the collector of the transistor Q1 via a resistor R2.

【0016】透過率測定用光量検出回路14aは、上記
ソーラセル4a、オペアンプU6、抵抗R7及びコンデ
ンサC3より構成され、当該透過率測定用光量検出回路
14aの出力は、トランジスタQ2、インバータU7、
コンデンサC4及び抵抗R8,R9,R10よりなる外
乱光を除去するパルス分検出回路15aに入力される。
このパルス分検出回路15aのインバータU7には、上
記オアゲートU1からのパルスが入力される。このパル
ス分検出回路15aの出力は、サンプルホールド回路1
6aに入力される。このサンプルホールド回路16a
は、オアゲートU1からのパルスに応じてパルス分検出
回路15aのパルスをサンプルホールドする。なお、こ
のサンプルホールド回路16aをピークホールド回路に
代えることも可能でである。
The transmittance measuring light quantity detecting circuit 14a comprises the above-mentioned solar cell 4a, an operational amplifier U6, a resistor R7 and a capacitor C3. The output of the transmittance measuring light quantity detecting circuit 14a is a transistor Q2, an inverter U7,
It is input to a pulse component detection circuit 15a composed of a capacitor C4 and resistors R8, R9, and R10 for removing disturbance light.
A pulse from the OR gate U1 is input to the inverter U7 of the pulse detection circuit 15a. The output of the pulse detection circuit 15a is supplied to the sample and hold circuit 1
6a. This sample and hold circuit 16a
Sample and hold the pulse of the pulse detection circuit 15a according to the pulse from the OR gate U1. The sample hold circuit 16a can be replaced with a peak hold circuit.

【0017】布端位置検出用にも、光量検出回路14
b、パルス分検出回路15b及びサンプルホールド回路
16bが設けられており、布端位置検出用光量検出回路
14bは、上記ソーラセル4b、オペアンプU8、抵抗
R11及びコンデンサC5より構成され、パルス分検出
回路15bは、トランジスタQ3、インバータU9、コ
ンデンサC6及び抵抗R12,R13,R14より構成
され、サンプルホールド回路16bは、オアゲートU1
からのパルスに応じてパルス分検出回路15bのパルス
をサンプルホールドする。
The light amount detection circuit 14 also detects the cloth edge position.
b, a pulse detecting circuit 15b and a sample hold circuit 16b are provided. The cloth edge position detecting light amount detecting circuit 14b includes the solar cell 4b, an operational amplifier U8, a resistor R11, and a capacitor C5. Comprises a transistor Q3, an inverter U9, a capacitor C6, and resistors R12, R13, and R14. The sample-and-hold circuit 16b includes an OR gate U1.
The sample of the pulse of the pulse detection circuit 15b is sampled and held in accordance with the pulse from.

【0018】アナログマルチプレクサ17は、縁部情報
取得手段としてのマイクロコンピュータ(CPU)19
の切替信号に応じてサンプルホールド回路16a,16
bの出力信号を選択し、これをCPU入力可能なように
A/D変換器18を介して上記マイクロコンピュータ1
9に入力する。また、図4の回路には、オアゲートU1
からのパルスに応じて所定幅T1のパルスを形成するワ
ンショット発生回路20が設けられており、上記マイク
ロコンピュータ19に読み込みタイミングパルスを供給
する構成になされている。
The analog multiplexer 17 has a microcomputer (CPU) 19 as edge information acquisition means.
Sample and hold circuits 16a, 16a
b through the A / D converter 18 so that the output signal of the microcomputer 1 can be selected and input to the CPU.
Enter 9 Also, the circuit of FIG.
A one-shot generation circuit 20 for forming a pulse having a predetermined width T1 in response to a pulse from the microcomputer 19 is provided, and a read timing pulse is supplied to the microcomputer 19.

【0019】外乱光パルス検出回路14cは、上記外乱
光検出用ソーラセル4c、オペアンプU3、抵抗R3及
びコンデンサC1より構成され、当該外乱光パルス検出
回路14cの出力は、コンデンサC2及び抵抗R4より
なるハイパスフィルタ50を介して、電圧比較器U4及
び抵抗R5,R6よりなるレベル検出器51に入力され
る。そして、これら外乱光パルス検出回路14c、ハイ
パスフィルタ50、レベル検出器51により外乱光パル
ス検出手段70が構成されている。このレベル検出器5
1からの外乱光パルス信号は、アンドゲートU5に入力
される。このアンドゲートU5は、外乱光パルス信号の
他にオアゲートU1からのパルス信号及び上記マイクロ
コンピュータ19からの信号が入力され、処理結果をワ
ンショット発生回路Bに出力する。
The disturbance light pulse detection circuit 14c is composed of the disturbance light detection solar cell 4c, an operational amplifier U3, a resistor R3, and a capacitor C1, and the output of the disturbance light pulse detection circuit 14c is a high-pass composed of a capacitor C2 and a resistor R4. The signal is input to a level detector 51 including a voltage comparator U4 and resistors R5 and R6 via a filter 50. The disturbance light pulse detection circuit 14c, the high-pass filter 50, and the level detector 51 constitute a disturbance light pulse detection unit 70. This level detector 5
The disturbance light pulse signal from 1 is input to the AND gate U5. The AND gate U5 receives a pulse signal from the OR gate U1 and a signal from the microcomputer 19 in addition to the disturbance light pulse signal, and outputs a processing result to the one-shot generation circuit B.

【0020】ワンショット発生回路Bは、アンドゲート
U5からパルス信号が入力された場合に、T2時間幅の
パルス信号をワンショット発生回路Cに出力する。ワン
ショット発生回路Cは、T2時間幅のパルス信号が入力
されると、その信号の立ち下がりに同期してT3時間幅
のLED再オンパルス信号を出力する。このLED再オ
ンパルス信号は、上記オアゲートU1、バッファU2、
抵抗R1を介してトランジスタQ1のベースに供給され
る。ここで、上記アンドゲートU5、ワンショット発生
回路B,Cにより発光制御手段55が構成されている。
The one-shot generation circuit B outputs a pulse signal having a time width of T2 to the one-shot generation circuit C when a pulse signal is input from the AND gate U5. When the one-shot generation circuit C receives a pulse signal having a time width of T2, the one-shot generation circuit C outputs an LED re-on pulse signal having a time width of T3 in synchronization with a fall of the signal. The LED restart pulse signal is supplied to the OR gate U1, the buffer U2,
The voltage is supplied to the base of the transistor Q1 via the resistor R1. Here, the light emission control means 55 is constituted by the AND gate U5 and the one-shot generation circuits B and C.

【0021】ワンショット発生回路BからのT2時間幅
のパルス信号は、上記マイクロコンピューター19にも
入力され、該マイクロコンピューター19は、このパル
ス信号に従って、上記A/D変換器18を介して入力さ
れる受光光量データの読み込みを禁止する。このマイク
ロコンピューター19にはまた、上記発振器10からの
矩形波信号が入力され、該マイクロコンピューター19
は、この矩形波信号の立ち上がりを検出したら、この矩
形波信号の立ち下がりまでに上記ワンショット発生回路
Bから所定回数以上はT2時間幅のパルス信号を出力さ
せないようにアンドゲートU5に出力し、T2時間幅の
パルス信号の無限出力を防止する構成になされている。
The pulse signal of the T2 time width from the one-shot generation circuit B is also input to the microcomputer 19, and the microcomputer 19 is input via the A / D converter 18 in accordance with the pulse signal. Reading of received light intensity data is prohibited. A rectangular wave signal from the oscillator 10 is input to the microcomputer 19, and the microcomputer 19
When the rising edge of the rectangular wave signal is detected, the one-shot generating circuit B outputs a pulse signal having a time width T2 for a predetermined number of times or more to the AND gate U5 until the falling edge of the rectangular wave signal, The configuration is such that infinite output of a pulse signal having a T2 time width is prevented.

【0022】次に、このような構成を有する光情報検出
装置の回路動作について、以下説明する。先ず、発振器
10により、図5(a)に示されるような矩形波信号が
出力される。この矩形波信号の立ち上がりを受けて、ワ
ンショット発生回路Aが、図5(b)に示されるような
LEDオンパルスを出力をし、このLEDオンパルスが
オアゲートU1、バッファU2、抵抗R1を介してトラ
ンジスタQ1のベースに供給されることによって該トラ
ンジスタQ1が導通し、抵抗R2を介してLED素子チ
ップ3aに電流が流れて該LED素子チップ3aがパル
ス点灯する。
Next, the circuit operation of the optical information detecting device having such a configuration will be described below. First, the oscillator 10 outputs a rectangular wave signal as shown in FIG. In response to the rise of the rectangular wave signal, the one-shot generation circuit A outputs an LED on pulse as shown in FIG. 5B, and the LED on pulse is output via the OR gate U1, the buffer U2, and the resistor R1. When the transistor Q1 is supplied to the base of the transistor Q1, the transistor Q1 conducts, a current flows through the LED element chip 3a via the resistor R2, and the LED element chip 3a is pulsed.

【0023】LED素子チップ3aがパルス点灯する
と、図2に示されるように、布端位置測定用ソーラセル
4b及び送り動作中の布7に均一な照射がなされる。従
って、透過率測定用ソーラセル4aには、布7を透過し
た光量が照射され、布端位置測定用ソーラセル4bに
は、布7により遮蔽されない部分はそのままの光量が、
また遮蔽部分は布7を透過した光量が照射される。
When the LED element chip 3a is lit in a pulsed manner, as shown in FIG. 2, uniform irradiation is performed on the solar cell 4b for measuring the cloth edge position and the cloth 7 during the feeding operation. Accordingly, the solar cell 4a for transmittance measurement is irradiated with the light amount transmitted through the cloth 7, and the solar cell 4b for cloth end position measurement is irradiated with the light amount as it is in the portion not shielded by the cloth 7,
The shielding portion is irradiated with the amount of light transmitted through the cloth 7.

【0024】透過率測定用ソーラセル4aが照射される
と、その光量に比例した光電流が発生するが、抵抗R7
にその光電流と同量の電流が流れて光電流を打ち消すの
で、オペアンプU6の正負入力間は0ボルトに保たれ
る。従って、オペアンプU6の出力電圧は、ソーラセル
4aの光電流に抵抗R7の抵抗値を乗じた値となり、透
過率測定用光量検出回路14aからは、図5(g)に示
されるような出力がなされる。なお、図5(g)におい
て、LED素子チップ3aの発光時に上方に突出してい
る部分AAは、LED素子チップ3aの光量のみに対応
する電圧を、LED素子チップ3aのオフ時の斜線BB
は、白熱灯や蛍光灯等の室内灯や、太陽光等の外乱光の
光量に対応する電圧を、それぞれ示している。
When the solar cell 4a for transmittance measurement is irradiated, a photocurrent proportional to the amount of light is generated.
As a result, the same amount of current as the photocurrent flows to cancel the photocurrent, so that the voltage between the positive and negative inputs of the operational amplifier U6 is maintained at 0 volt. Therefore, the output voltage of the operational amplifier U6 becomes a value obtained by multiplying the photocurrent of the solar cell 4a by the resistance value of the resistor R7, and the output as shown in FIG. You. In FIG. 5 (g), a portion AA protruding upward when the LED element chip 3a emits light is a voltage corresponding to only the amount of light of the LED element chip 3a, and a hatched BB when the LED element chip 3a is off.
Indicates a voltage corresponding to the amount of ambient light such as an incandescent lamp or a fluorescent lamp, or disturbance light such as sunlight.

【0025】微分回路により構成されるパルス分検出回
路15aにおいては、LED素子チップ3aのオフ時に
は、トランジスタQ2が導通しており、従ってその出力
は0ボルトとなっている。この時、トランジスタQ2
は、本来の正方向にも、逆方向にも導通する。ここで、
LED素子チップ3aのオン直前の透過率測定用光量検
出回路14aの出力電圧が、例えば4ボルトと仮定する
と、トランジスタQ2がオンしているので、コンデンサ
C4には4ボルト分の電荷がある。ここで、LED素子
チップ3aがオンすると、同時にトランジスタQ2がオ
フし、透過率測定用光量検出回路14aの出力電圧が、
例えば7ボルトに変化したとすると、コンデンサC4に
は、上述のように、4ボルト分の電荷があるために、パ
ルス分検出回路15aからは、(7−4)=3ボルトの
パルス電圧が出力されることになる。但し、R8〈R9
とする。
In the pulse detecting circuit 15a constituted by a differentiating circuit, when the LED element chip 3a is turned off, the transistor Q2 is conducting, so that its output is 0 volt. At this time, the transistor Q2
Conducts both in the normal forward direction and in the reverse direction. here,
Assuming that the output voltage of the transmittance measurement light quantity detection circuit 14a immediately before the LED element chip 3a is turned on is, for example, 4 volts, the capacitor C4 has a charge of 4 volts because the transistor Q2 is on. Here, when the LED element chip 3a is turned on, the transistor Q2 is turned off at the same time, and the output voltage of the transmittance measuring light amount detection circuit 14a becomes
For example, assuming that the voltage has changed to 7 volts, the capacitor C4 has a charge of 4 volts, as described above, so that a pulse voltage of (7-4) = 3 volts is output from the pulse detection circuit 15a. Will be done. However, R8 <R9
And

【0026】因に、LED素子チップ3aのオン中はト
ランジスタQ2がオフしているために、C4×R10の
時定数でパルス分検出回路15aの電圧が下がるが、C
4×R10〉(LED素子チップ3aのオン時のパルス
巾)の条件により、パルス電圧値は、LED素子チップ
3aのオン中、一定と見做せる。そして、再びLED素
子チップ3aがオフすると、トランジスタQ2が導通
し、その出力は0ボルトとなる。
While the transistor Q2 is off while the LED element chip 3a is on, the voltage of the pulse detection circuit 15a decreases with a time constant of C4 × R10.
Under the condition of 4 × R10> (pulse width when the LED element chip 3a is turned on), the pulse voltage value can be regarded as constant while the LED element chip 3a is turned on. Then, when the LED element chip 3a is turned off again, the transistor Q2 conducts, and its output becomes 0 volt.

【0027】ここでもし、トランジスタQ2がないとす
ると、C4×R10の時定数がかなり大きいために、L
ED素子チップ3aのオフ時の外乱光のみによる電圧に
対して、コンデンサC4の端子電圧の応答が遅れ、パル
ス出力電圧は一定しなくなる。
If there is no transistor Q2, the time constant of C4.times.R10 is quite large,
The response of the terminal voltage of the capacitor C4 to the voltage due to only the disturbance light when the ED element chip 3a is off is delayed, and the pulse output voltage is not constant.

【0028】このようにして、パルス分検出回路15a
から出力される電圧が図5(i)に図示されている。同
図に示されるように、図5(g)で説明した外乱光の光
量に対応する電圧BBは除去されており、LED素子チ
ップ3aの光量のみに対応する電圧AAのみが出力され
ることになる。
Thus, the pulse detecting circuit 15a
The voltage output from is shown in FIG. 5 (i). As shown in FIG. 5, the voltage BB corresponding to the amount of disturbance light described with reference to FIG. 5G has been removed, and only the voltage AA corresponding to the amount of light from the LED element chip 3a is output. Become.

【0029】上記パルス分検出回路15aの出力は、サ
ンプルホールド回路16aに入力され、このサンプルホ
ールド回路16aにおいて、LED素子チップ3aの点
灯するタイミングでLED素子チップ3aの光量のみに
対応する電圧AAがホールドされる。この波形を表した
のが図5(k)である。
The output of the pulse detection circuit 15a is input to a sample-and-hold circuit 16a. In the sample-and-hold circuit 16a, a voltage AA corresponding only to the light amount of the LED element chip 3a is generated at the timing when the LED element chip 3a is turned on. It is held. FIG. 5K shows this waveform.

【0030】上記サンプルホールド回路16aの出力
は、アナログマルチプレクサ17に入力され、このアナ
ログマルチプレクサ17において、マイクロコンピュー
ター19より出力される切替信号によってサンプルホー
ルド回路16aの方が選択され、A/D変換器18を介
してマイクロコンピューター19に入力される。この
時、LED素子チップ3aの点灯するタイミングである
ワンショット発生回路AまたはCのパルス出力に同期し
て、T1時間幅のパルスを出力するワンショット発生回
路20によって、図5(m)に示されるような光量読み
込みタイミング信号が発生され、この光量読み込みタイ
ミング信号に従って、LED素子チップ3aの点灯から
A/D変換器18によって光量がデジタル変換されるに
要する時間よりも大きい時間T1後に、マイクロコンピ
ューター19にLED発光による受光電圧Vが読み込ま
れ、レジスタ上に保持される。
The output of the sample-and-hold circuit 16a is input to an analog multiplexer 17, in which the sample-and-hold circuit 16a is selected by a switching signal output from a microcomputer 19, and the A / D converter The data is input to a microcomputer 19 via 18. At this time, as shown in FIG. 5 (m), the one-shot generation circuit 20 that outputs a pulse having a time width of T1 in synchronization with the pulse output of the one-shot generation circuit A or C, which is the lighting timing of the LED element chip 3a. In response to the light amount reading timing signal, the microcomputer reads the light amount reading timing signal, and after a time T1 longer than the time required for the light amount to be digitally converted by the A / D converter 18 from the lighting of the LED element chip 3a, to the microcomputer. The received light voltage V due to the light emission of the LED is read into 19 and is held on a register.

【0031】次に、透過率測定用ソーラセル4aでの受
光光量読み込みと同様な処理を、布端位置測定用ソーラ
セル4bでの受光光量読み込みでも行う。この時には、
布端位置測定用光量検出回路14b、パルス分検出回路
15b、サンプルホールド回路16bが使用され、アナ
ログマルチプレクサ17は、マイクロコンピューター1
9より出力される切替信号によってサンプルホールド回
路16bの方を選択して、A/D変換器18を介してマ
イクロコンピューター19に、布端位置測定用ソーラセ
ル4bから得られた受光電圧を入力する。
Next, the same process as reading the amount of received light in the solar cell 4a for measuring transmittance is also performed in reading the amount of received light in the solar cell 4b for measuring the cloth edge position. At this time,
The light amount detecting circuit 14b for measuring the cloth edge position, the pulse detecting circuit 15b, and the sample and hold circuit 16b are used.
The sample-and-hold circuit 16b is selected by the switching signal output from 9, and the received light voltage obtained from the cloth end position measuring solar cell 4b is input to the microcomputer 19 via the A / D converter 18.

【0032】次に、レジスタ上に保持されている透過率
測定用ソーラセル4aから得られた受光電圧Vが、マイ
クロコンピューター19に予め記憶されている布無し状
態での受光電圧V0 で割算され、この値が布の透過率α
として記憶される。
Next, the received light voltage V obtained from the solar cell 4a for transmittance measurement held on the register is divided by the received light voltage V 0 in the absence of cloth stored in the microcomputer 19 in advance. , This value is the transmittance α of the cloth
Is stored as

【0033】布端位置測定用ソーラセル4bでの受光電
圧Vxと該ソーラセル4bの端部から布縁部までの距離
x(図2参照)との関係は、図6に示されるようにな
る。すなわち、ストロークxが0では、布がソーラセル
4bの全面を覆っているために、透過率が0に近い場合
には符号aのカーブ、透過率が半分位では符号bのカー
ブ、透過率が高い場合には符号cのカーブとなる。ここ
で、直線になる場合には、布の光透過率が場所によらず
均一で、面発光LEDパネル3からの光量も均一である
ことが前提となっている。
FIG. 6 shows the relationship between the received light voltage Vx in the solar cell 4b for measuring the cloth edge position and the distance x (see FIG. 2) from the edge of the solar cell 4b to the cloth edge. That is, when the stroke x is 0, since the cloth covers the entire surface of the solar cell 4b, the curve with the symbol a when the transmittance is close to 0, and the curve with the symbol b when the transmittance is about half, the transmittance is high. In such a case, the curve is indicated by the symbol c. Here, in the case of a straight line, it is assumed that the light transmittance of the cloth is uniform regardless of the location, and that the light amount from the surface-emitting LED panel 3 is also uniform.

【0034】ここで、透過率の特性が符号bのカーブで
あって、受光電圧Vxが得られたとすると、ストローク
xは、 x={(Vx−V2)/(V1−V2)}・x0 より求められる。ここで、V1はソーラセル4b全開時
の受光電圧で、予めマイクロコンピューター19に記憶
されている。一方、V2はソーラセル4bに全て布が覆
っている時の受光電圧であり、透過率測定用の光検出に
より得られた透過率αにより、 V2=α・V1 として求められる。また、x0 はソーラセル4bの受光
範囲となっている。すなわち、このようにして、縁部位
置情報としてのソーラセル4bの端部から布縁部までの
距離xが求められるようになっている。
Here, assuming that the characteristic of the transmittance is the curve indicated by the symbol b and the received light voltage Vx is obtained, the stroke x is x = {(Vx−V2) / (V1−V2)} × x0. More required. Here, V1 is a light receiving voltage when the solar cell 4b is fully opened, and is stored in the microcomputer 19 in advance. On the other hand, V2 is the light receiving voltage when the solar cell 4b is completely covered with the cloth, and is obtained as V2 = α · V1 from the transmittance α obtained by the light detection for transmittance measurement. In addition, x 0 is in the receiving range of the solar cell 4b. That is, in this way, the distance x from the edge of the solar cell 4b to the cloth edge as the edge position information is obtained.

【0035】ここで、図5(c)に示されるように、パ
ルス状の外乱光がソーラセル4a,4bに受光されてい
る場合でも、図5に符号(イ)で示されるケースのよう
に、LED素子チップ3aの点灯(図5(f)参照)と
外乱光パルス(図5(c)参照)とが重ならなければ、
ソーラセル4a,4bに受光される受光光量に外乱光パ
ルスを含まないので、布端位置測定用ソーラセル4bの
受光電圧Vx、透過率測定用ソーラセル4aの受光電圧
Vをそのまま読み込めるが、図5に符号(ロ)で示され
るケースのように、LED素子チップ3aの点灯(図5
(f)参照)と外乱光パルスP1(図5(c)参照)と
が重なってしまうと、ソーラセル4a、4bに受光され
る受光光量に外乱光パルスを含んでしまうので、上記受
光電圧Vx,Vに外乱光パルスP1分だけそれぞれ誤差
が含まれてしまう。
Here, as shown in FIG. 5C, even when pulsed disturbance light is received by the solar cells 4a and 4b, as shown in FIG. If the lighting of the LED element chip 3a (see FIG. 5 (f)) and the disturbance light pulse (see FIG. 5 (c)) do not overlap,
Since the amount of received light received by the solar cells 4a and 4b does not include a disturbance light pulse, the received light voltage Vx of the cloth end position measuring solar cell 4b and the received light voltage V of the transmittance measuring solar cell 4a can be read as they are. As in the case shown in (b), lighting of the LED element chip 3a (FIG. 5)
If the disturbance light pulse P1 (see FIG. 5C) overlaps with the disturbance light pulse P, the amount of light received by the solar cells 4a and 4b includes a disturbance light pulse. V contains an error corresponding to the disturbance light pulse P1.

【0036】このようにLED素子チップ3aの点灯と
外乱光パルスP1とが重なる場合の動作は以下のように
なる。すなわち、外乱光検出用ソーラセル4cで外乱光
パルスP1が受光されると、この外乱光パルスP1は、
外乱光量検出回路14cによって外乱光パルス電圧に変
換され、さらにハイパスフィルタ50によってパルス分
のみ分離出力され、さらにレベル検出器51によってレ
ベル検出され、このレベル検出器51からの外乱光パル
ス信号はアンドゲートU5に入力される。
The operation when the lighting of the LED element chip 3a and the disturbance light pulse P1 overlap as described above is as follows. That is, when the disturbance light pulse P1 is received by the disturbance light detection solar cell 4c, the disturbance light pulse P1 becomes
It is converted into a disturbance light pulse voltage by a disturbance light amount detection circuit 14c, separated and output only by the high-pass filter 50, and the level is detected by a level detector 51. The disturbance light pulse signal from the level detector 51 is AND gated. Input to U5.

【0037】アンドゲートU5には、図5(f)に示さ
れるオアゲートU1からの信号及びマイクロコンピュー
タ19からの信号も入力され、アンドゲートU5の3入
力ともハイレベル信号となるため、アンドゲートU5か
らはパルス信号が出力されてワンショット発生回路Bを
トリガし、ワンショット発生回路Bからは、図5(d)
に示されるように、T2時間幅のパルス信号が出力され
る。このT2時間幅のパルス信号がマイクロコンピュー
ター19に入力されると、該マイクロコンピューター1
9は、A/D変換器18を介して入力される受光光量デ
ータの読み込みを禁止する。
The signal from the OR gate U1 and the signal from the microcomputer 19 shown in FIG. 5 (f) are also input to the AND gate U5, and all three inputs of the AND gate U5 become high level signals. Output a pulse signal to trigger the one-shot generation circuit B. The one-shot generation circuit B outputs a pulse signal as shown in FIG.
, A pulse signal having a time width of T2 is output. When the pulse signal of this T2 time width is input to the microcomputer 19, the microcomputer 1
Reference numeral 9 prohibits reading of the received light amount data input via the A / D converter 18.

【0038】ワンショット発生回路BからのT2時間幅
のパルス信号は、ワンショット発生回路Cにも入力され
てこのT2時間幅のパルス信号の立ち下がりでトリガ
し、該ワンショット発生回路Cからは、図5(e)に示
されるように、T3時間幅のパルス信号が出力される。
このパルス信号は、オアゲートU1、バッファU2、抵
抗R1を介してトランジスタQ1のベースに供給され、
これによって該トランジスタQ1が導通し、抵抗R2を
介してLED素子チップ3aに電流が流れて該LED素
子チップ3aが、図5(f)に符号d1で示されるよう
に、再パルス点灯する。
The pulse signal of T2 time width from the one-shot generation circuit B is also input to the one-shot generation circuit C and is triggered by the falling edge of the pulse signal of T2 time width. 5 (e), a pulse signal having a T3 time width is output.
This pulse signal is supplied to the base of the transistor Q1 via the OR gate U1, the buffer U2, and the resistor R1,
As a result, the transistor Q1 conducts, a current flows through the LED element chip 3a via the resistor R2, and the LED element chip 3a is re-pulsed, as indicated by the symbol d1 in FIG. 5 (f).

【0039】この図5(f)に符号d1で示される2度
目のLED素子チップ3aの点灯時には、図5(c)に
示されるように、外乱光パルスが発生していないので、
アンドゲートU5からワンショット発生回路Bへパルス
信号が出力されることはなく、従ってワンショット発生
回路BからT2時間幅のパルス信号が出力されることは
ない。すなわち、マイクロコンピュータ19に、A/D
変換器18を介して入力される受光光量データの読み込
みが禁止されないため、布端位置測定用ソーラセル4b
の受光電圧Vx、透過率測定用ソーラセル4aの受光電
圧Vの読み込みがなされ、該マイクロコンピュータ19
において、上述した縁部位置情報としてのソーラセル4
bの端部から布縁部までの距離xが求められる。
At the time of the second lighting of the LED element chip 3a indicated by the symbol d1 in FIG. 5 (f), as shown in FIG. 5 (c), no disturbance light pulse is generated.
A pulse signal is not output from the AND gate U5 to the one-shot generation circuit B, and therefore, a pulse signal having a time width of T2 is not output from the one-shot generation circuit B. That is, the microcomputer 19 has an A / D
Since reading of the received light amount data input through the converter 18 is not prohibited, the solar cell 4b for measuring the cloth edge position is used.
Of the received light voltage Vx and the received light voltage V of the solar cell 4a for transmittance measurement are read.
In the above, the solar cell 4 as the edge position information described above
The distance x from the edge of b to the edge of the cloth is determined.

【0040】また、図5に符号(ハ)で示されるケース
のように、図5(f)に符号d1で示される2度目のL
ED素子チップ3aの点灯時にも、図5(c)に示され
るように、外乱光パルスP2が発生している場合には、
アンドゲートU5からワンショット発生回路Bへパルス
信号が出力されて、ワンショット発生回路BからT2時
間幅のパルス信号が出力される。すなわち、マイクロコ
ンピュータ19に、A/D変換器18を介して入力され
る受光光量データの読み込みが禁止されて、この時の布
端位置測定用ソーラセル4bの受光電圧Vx、透過率測
定用ソーラセル4aの受光電圧Vの読み込みが禁止され
ると共に、ワンショット発生回路Cに上記T2時間幅の
パルス信号が入力されて、上記LED素子チップ3a
が、図5(f)に符号d2で示されるように、再々パル
ス点灯する。
Further, as in the case shown by the reference numeral (c) in FIG. 5, the second L shown by the reference numeral d1 in FIG.
Even when the ED element chip 3a is turned on, as shown in FIG. 5C, when the disturbance light pulse P2 is generated,
A pulse signal is output from AND gate U5 to one-shot generation circuit B, and a pulse signal having a time width of T2 is output from one-shot generation circuit B. That is, reading of the received light amount data input through the A / D converter 18 to the microcomputer 19 is prohibited, and the received light voltage Vx of the cloth end position measuring solar cell 4b and the transmittance measuring solar cell 4a at this time are prohibited. Reading of the received light voltage V is prohibited, and the pulse signal of the T2 time width is input to the one-shot generation circuit C, and the LED element chip 3a
However, as shown by the symbol d2 in FIG.

【0041】この図5(f)に符号d2で示される3度
目のLED素子チップ3aの点灯時には、図5(c)に
示されるように、外乱光パルスが発生していないので、
上述した図5に符号(ロ)で示されるケースと同様に、
この時の布端位置測定用ソーラセル4bの受光電圧V
x、透過率測定用ソーラセル4aの受光電圧Vの読み込
みがなされ、該マイクロコンピュータ19において、上
述した縁部位置情報としてのソーラセル4bの端部から
布縁部までの距離xが求められる。
When the LED element chip 3a is turned on for the third time, indicated by reference numeral d2 in FIG. 5 (f), no disturbance light pulse is generated as shown in FIG. 5 (c).
Similar to the case indicated by the reference numeral (b) in FIG.
The received light voltage V of the solar cell 4b for measuring the cloth edge position at this time
x, the received light voltage V of the solar cell 4a for transmittance measurement is read, and the microcomputer 19 obtains the distance x from the edge of the solar cell 4b to the cloth edge as the edge position information described above.

【0042】そして、この図5(f)に符号d2で示さ
れる3度目のLED素子チップ3aの点灯時にも、外乱
光パルスが発生している場合には、上記動作が同様にし
て行われ、そしてそれ以降もLED素子チップ3aの点
灯時に、外乱光パルスが発生している場合には、発振器
10の次の出力までの間に所定回数、上記動作が繰り返
される。
When the disturbance light pulse is generated at the time of the third lighting of the LED element chip 3a indicated by reference numeral d2 in FIG. 5 (f), the above operation is performed similarly. Thereafter, when a disturbance light pulse is generated when the LED element chip 3a is turned on, the above operation is repeated a predetermined number of times until the next output of the oscillator 10.

【0043】このように、本実施形態においては、被縫
製物を、パルス発光する面発光LEDパネル3(3’)
によって照射し、この被縫製物を照射した照射光をソー
ラセル4(4’)によって受光し、このソーラセル4
(4’)に受光された受光光量に基づいて被縫製物の縁
部情報をマイクロコンピュータ19によって取得する一
方で、上記面発光LEDパネル3(3’)のパルス発光
時期に、パルス状の外乱光を外乱光パルス検出手段70
によって検出したら、発光制御手段55によって次のパ
ルス発光時期までに該面発光LEDパネル3(3’)を
再度パルス発光させ、上記マイクロコンピュータ19
は、この再度パルス発光した時に該ソーラセル4
(4’)に受光される受光光量に基づいて縁部情報を
得、パルス状の外乱光が検出された時における縁部情報
を無視するようにしているため、正確な縁部情報を得る
ことができるようになっている。
As described above, in the present embodiment, the object to be sewn is subjected to pulse light emission from the surface emitting LED panel 3 (3 ').
Irradiates the object to be sewn, and receives irradiation light from the solar cell 4 (4 ′).
While the microcomputer 19 acquires the edge information of the sewing object based on the amount of light received in (4 ′), the pulse-like disturbance occurs during the pulse emission timing of the surface-emitting LED panel 3 (3 ′). Disturbance light pulse detecting means 70
After the detection, the light emission control means 55 causes the surface light-emitting LED panel 3 (3 ') to emit a pulse light again by the next pulse light emission time.
When the pulse light is emitted again, the solar cell 4
(4 ') The edge information is obtained based on the received light amount received, and the edge information when the pulse-like disturbance light is detected is ignored, so that accurate edge information is obtained. Is available.

【0044】図7乃至図9は、上記面発光LEDパネル
3に代えて棒状のLEDアレイ20を用いた実施形態を
表したものであり、図7は該棒状のLEDアレイ20を
上記ソーラセル4a,4bと共に拡大して表した斜視
図、図8は図7の棒状のLEDアレイ20を採用する光
情報検出装置を表した回路図、図9は図7の棒状のLE
Dアレイ20を詳細に表した説明図である。この棒状の
LEDアレイ20は、図9に示されるように、複数のL
ED素子チップ20aが、電極20cを覆う長尺なベー
ス20bから等間隔に露出する構成になされており、上
記面発光LEDパネル3と同様に、対向するソーラセル
4bに対して均一な光を照射可能となっている。回路図
は、図4に示した回路図の面発光LEDパネル3を該棒
状のLEDアレイ20に単に代えたものとなり、図4の
回路動作と同様になる。
FIGS. 7 to 9 show an embodiment in which a bar-shaped LED array 20 is used instead of the surface-emitting LED panel 3. FIG. 7 shows the embodiment in which the bar-shaped LED array 20 is connected to the solar cells 4a and 4a. 4b is an enlarged perspective view together with FIG. 4b, FIG. 8 is a circuit diagram showing an optical information detecting device employing the bar-shaped LED array 20 of FIG. 7, and FIG. 9 is a bar-shaped LE of FIG.
FIG. 3 is an explanatory diagram showing a D array 20 in detail. This rod-shaped LED array 20 has a plurality of LEDs as shown in FIG.
The ED element chip 20a is exposed at equal intervals from the long base 20b that covers the electrode 20c, and can irradiate the opposed solar cell 4b with uniform light, similarly to the surface-emitting LED panel 3. It has become. The circuit diagram is the same as the circuit operation of FIG. 4 except that the surface-emitting LED panel 3 of the circuit diagram shown in FIG.

【0045】図10及び図11は、上記面発光LEDパ
ネル3に代えて広指向性LED22を用いた実施形態を
表したものであり、図10は該広指向性LED22を上
記ソーラセル4a,4bと共に拡大して表した斜視図、
図11は図10の広指向性LED22を採用する光情報
検出装置を表した回路図である。この広指向性LED2
2を用いる場合にあっては、対向するソーラセル4bに
対して均一な光を照射可能とするために、図10に示さ
れるように、ソーラセル4bに対して広指向性LED2
2をかなり離して配置することが必要となる。回路図
は、図4に示した回路図の面発光LEDパネル3を該広
指向性LED22に単に代えたものとなり、図4の回路
動作と同様になる。
FIGS. 10 and 11 show an embodiment in which a wide directional LED 22 is used in place of the surface emitting LED panel 3. FIG. 10 shows the wide directional LED 22 together with the solar cells 4a and 4b. An enlarged perspective view,
FIG. 11 is a circuit diagram showing an optical information detection device employing the wide directional LED 22 of FIG. This wide directional LED2
When using the solar cell 4b, as shown in FIG. 10, a wide directional LED 2 is used for the solar cell 4b in order to make it possible to irradiate uniform light to the opposing solar cell 4b.
It is necessary to place the two considerably apart. The circuit diagram is the same as the circuit operation of FIG. 4 except that the surface emitting LED panel 3 of the circuit diagram shown in FIG.

【0046】図12は、上記面発光LEDパネル3に代
えて照明パネル35を用いた実施形態を表したものであ
り、(a)はその斜視図、(b)はその側面図である。
この照明パネル35は、同図に示されるように、例えば
アクリル樹脂等の透明導光板25及びこの透明導光板2
5の裏側に配置した拡散反射板26により、透明導光板
25の両側面に配置したLED素子チップ3aの光を均
一化してソーラセル4a,4bを照射する構成になされ
ている。この照明パネル35は、図より明らかなよう
に、上記面発光LEDパネル3に比して薄型化が可能で
ある。回路図は図示しないが、図4に示した回路図の面
発光LEDパネル3を該照明パネル35に単に代えたも
のとなり、図4の回路動作と同様になる。
FIGS. 12A and 12B show an embodiment in which an illumination panel 35 is used in place of the above-mentioned surface-emitting LED panel 3. FIG. 12A is a perspective view, and FIG. 12B is a side view.
As shown in the figure, the lighting panel 35 includes a transparent light guide plate 25 made of, for example, acrylic resin and the transparent light guide plate 2.
The light from the LED element chips 3a arranged on both sides of the transparent light guide plate 25 is made uniform by the diffuse reflection plate 26 arranged on the back side of the transparent light guide plate 5, and the solar cells 4a and 4b are irradiated. As is clear from the figure, the lighting panel 35 can be made thinner than the surface-emitting LED panel 3. Although a circuit diagram is not shown, the surface light-emitting LED panel 3 of the circuit diagram shown in FIG. 4 is simply replaced with the lighting panel 35, and the circuit operation is the same as that of FIG.

【0047】図13及び図14は、上記ソーラセル4
a,4bに代えて広指向性受光器40を用いると共に、
上記面発光LEDパネル3に加えて透過率測定用のLE
Dパネル3Xを用いた実施形態を表したものであり、図
13はその斜視図、図14はこれらを採用する光情報検
出装置を表した回路図である。この広指向性受光器40
を用いる場合にあっては、該広指向性受光器40と面発
光LEDパネル3、透過率測定用のLEDパネル3Xと
が、図4に示した場合よりも離間配置されており、面発
光LEDパネル3に対する被縫製物の被り量を、該広指
向性受光器40で受光する受光光量の変化によって検出
する構成になされている。
FIGS. 13 and 14 show the solar cell 4
A wide directional light receiver 40 is used instead of a and 4b,
LE for measuring transmittance in addition to the surface emitting LED panel 3
13 shows an embodiment using the D panel 3X. FIG. 13 is a perspective view of the embodiment, and FIG. 14 is a circuit diagram showing an optical information detecting device employing these. This wide directional light receiver 40
Is used, the wide-directivity light receiver 40, the surface-emitting LED panel 3, and the LED panel 3X for transmittance measurement are arranged more apart than the case shown in FIG. The configuration is such that the amount of the object to be sewn on the panel 3 is detected by a change in the amount of received light received by the wide directional light receiver 40.

【0048】そして、被縫製物の透過率を測定する場合
には、図14に示されるように、マイクロコンピュータ
19からアンドゲートU3’を選択する切替信号が出力
され、該アンドゲートU3’において、上記オアゲート
U1からの出力信号と該切替信号の両者がハイレベル信
号となると該アンドゲートU3’からLEDオンパルス
信号が出力され、このLEDオンパルス信号が、抵抗R
1’を介してトランジスタQ1’のベースに供給される
ことによって、該トランジスタQ1’が導通し、抵抗R
2’を介して透過率測定用のLEDパネル3Xに電流が
流れて該透過率測定用のLEDパネル3Xがパルス点灯
するようになっている。そして、被縫製物を照射するこ
の照射光は、上記光量検出回路14bのソーラセル4b
に代えて用いられている広指向性受光器40に受光され
る。そして、マイクロコンピュータ19によって、広指
向性受光器40にて受光された受光電圧Vの読み込みが
なされて透過率が求められる。
When measuring the transmittance of the sewing object, as shown in FIG. 14, a switching signal for selecting the AND gate U3 'is output from the microcomputer 19, and the AND gate U3' When both the output signal from the OR gate U1 and the switching signal become a high level signal, an LED on pulse signal is output from the AND gate U3 '.
1 'is supplied to the base of the transistor Q1' through the transistor Q1 ', so that the transistor Q1' is turned on.
A current flows through the transmittance-measuring LED panel 3X via 2 ', and the transmittance-measuring LED panel 3X is pulse-lit. The irradiation light for irradiating the sewing object is transmitted to the solar cell 4b of the light amount detection circuit 14b.
The light is received by the wide directional light receiver 40 which is used in place of. Then, the microcomputer 19 reads the light reception voltage V received by the wide directional light receiver 40 to determine the transmittance.

【0049】一方、被縫製物の布端位置を測定する場合
には、図14に示されるように、マイクロコンピュータ
19からアンドゲートU3を選択する切替信号が出力さ
れ、該アンドゲートU3において、上記オアゲートU1
からの出力信号と該切替信号の両者がハイレベル信号と
なると該アンドゲートU3からLEDオンパルス信号が
出力され、このLEDオンパルス信号が、抵抗R1を介
してトランジスタQ1のベースに供給されることによっ
て、該トランジスタQ1が導通し、抵抗R2を介して面
発光LEDパネル3に電流が流れて該面発光LEDパネ
ル3がパルス点灯するようになっている。そして、被縫
製物を照射するこの照射光は、上記光量検出回路14b
のソーラセル4bに代えて用いられている広指向性受光
器40に受光される。そして、マイクロコンピュータ1
9によって、広指向性受光器40で受光された受光電圧
Vxの読み込みがなされて縁部位置情報が得られること
になる。なお、図13に示した面発光LEDパネル3の
代わりに、図12に示した照明パネル35を用いても良
い。
On the other hand, when measuring the cloth edge position of the sewing object, a switching signal for selecting the AND gate U3 is output from the microcomputer 19 as shown in FIG. OR gate U1
When both the output signal from the switch and the switching signal become a high level signal, an LED on pulse signal is output from the AND gate U3, and this LED on pulse signal is supplied to the base of the transistor Q1 via the resistor R1. The transistor Q1 conducts, a current flows through the surface-emitting LED panel 3 via the resistor R2, and the surface-emitting LED panel 3 is pulse-lit. Then, the irradiation light for irradiating the sewing object is supplied to the light amount detection circuit 14b.
Is received by the wide directional light receiver 40 used in place of the solar cell 4b. And the microcomputer 1
According to 9, the received light voltage Vx received by the wide directional light receiver 40 is read, and the edge position information is obtained. Note that the lighting panel 35 shown in FIG. 12 may be used instead of the surface-emitting LED panel 3 shown in FIG.

【0050】図15は、図13に示した上記面発光LE
Dパネル3に代えて図7に示した棒状のLEDアレイ2
0を用いると共に、図13に示した透過率測定用のLE
Dパネル3Xに代えてLED素子チップ41を用いた実
施形態を表したものである。この実施形態のように、面
発光LEDパネルを用いずに棒状のLEDアレイ20、
LED素子チップ41を用いると、発光手段を薄型化す
ることができる。
FIG. 15 shows the above-mentioned surface light emitting LE shown in FIG.
A bar-shaped LED array 2 shown in FIG.
0 and the LE for transmittance measurement shown in FIG.
This shows an embodiment using an LED element chip 41 instead of the D panel 3X. As in this embodiment, a bar-shaped LED array 20 without using a surface-emitting LED panel,
When the LED element chip 41 is used, the thickness of the light emitting means can be reduced.

【0051】以上、図7乃至図15に示されるように構
成しても、図1乃至図6で説明した実施形態と同様な効
果を得ることができるというのはいうまでもない。
As described above, it is needless to say that the same effects as those of the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 6 can be obtained even with the configuration shown in FIGS.

【0052】図16は、本発明のさらに他の実施形態を
表した回路図であり、図4に対応するものである。この
実施形態では、発振器10からの矩形波信号に代えて、
マイクロコンピュータ19からのセンサスタート信号
が、ワンショット発生回路Aに入力される構成になされ
ている。すなわち、ワンショット発生回路Aは、上記マ
イクロコンピュータ19からのセンサスタート信号の立
ち上がりに同期してLEDオンパルス信号を発生する構
成になされている。
FIG. 16 is a circuit diagram showing still another embodiment of the present invention, and corresponds to FIG. In this embodiment, instead of the rectangular wave signal from the oscillator 10,
The sensor start signal from the microcomputer 19 is input to the one-shot generation circuit A. That is, the one-shot generation circuit A is configured to generate the LED on-pulse signal in synchronization with the rise of the sensor start signal from the microcomputer 19.

【0053】また、この実施形態では、マイクロコンピ
ュータ19は、LED発光による発光電圧の読み込み
を、図4に示したワンショット発生回路20による光量
読み込みタイミング信号に代えて、当該マイクロコンピ
ュータ19内にて処理されるT1タイマー処理に従って
行う構成になされている。そして、他の構成は、図4で
説明した実施形態と同様である。
Further, in this embodiment, the microcomputer 19 replaces the reading of the light emission voltage by the LED light emission with the light amount reading timing signal by the one-shot generation circuit 20 shown in FIG. The processing is performed according to the T1 timer processing to be performed. Other configurations are the same as those of the embodiment described with reference to FIG.

【0054】次に、このように構成された装置の動作に
ついて図17に示されるフローチャートに従って説明す
る。この実施形態では、装置動作を開始するにあたっ
て、例えばマイクロコンピュータ19内部で発生する所
定の間隔のタイミングまたは所定の時系列のパルス列ま
たは単発的タイミング、例えばマイクロコンピュータ1
9外部からの操作スイッチ入力またはミシン主軸のタイ
ミングまたは送りタイミング、また例えばミシン以外で
は、例えば被測定物体の移動、回転等に関するタイミン
グがトリガーにされる。すなわち、上記タイミングに従
って動作が開始される。なお、図4に示した実施形態で
は、発振器10から所定の間隔で発せられる矩形波信号
(正確にはその立ち上がり)がトリガーにされている。
Next, the operation of the above-configured apparatus will be described with reference to the flowchart shown in FIG. In this embodiment, when the operation of the apparatus is started, for example, a timing at a predetermined interval generated in the microcomputer 19, a pulse train of a predetermined time series or a single timing, for example, the microcomputer 1
9 An operation switch input from the outside or the timing or feed timing of the sewing machine main spindle, and, for example, other than the sewing machine, for example, timing related to movement, rotation, etc. of the measured object is triggered. That is, the operation is started according to the above timing. In the embodiment shown in FIG. 4, a rectangular wave signal (more precisely, its rising edge) emitted from the oscillator 10 at a predetermined interval is triggered.

【0055】そして、プログラムがスタートすると、先
ずステップ1において、マイクロコンピュータ19によ
りアンドゲートU5を開いてステップ2に進み、ステッ
プ2において、外乱光パルスとLED点灯とが重なった
回数を計数するための繰り返しカウンタの値Nを0にセ
ットしてステップ3に進み、ステップ3において、マイ
クロコンピュータ19からセンサスタート信号をワンシ
ョット発生回路Aに出力する(図18(a)参照)。
When the program starts, first, in step 1, the microcomputer 19 opens the AND gate U5 by the microcomputer 19, and proceeds to step 2. In step 2, the number of times that the disturbance light pulse and the LED lighting are overlapped is counted. The value N of the repetition counter is set to 0, and the process proceeds to step 3. In step 3, the microcomputer 19 outputs a sensor start signal to the one-shot generation circuit A (see FIG. 18A).

【0056】すると、ワンショット発生回路Aは、この
センサスタート信号の立ち上がりを受けて、図18
(b)に示されるようなLEDオンパルス信号を出力
し、このLEDオンパルスがオアゲートU1、バッファ
U2、抵抗R1を介してトランジスタQ1のベースに供
給されることによって該トランジスタQ1が導通し、抵
抗R2を介してLED素子チップ3aに電流が流れて該
LED素子チップ3aがパルス点灯(図18(f)参
照)し、布端位置測定用ソーラセル4b及び送り動作中
の布7に均一な照射を行う。従って、図4で説明した実
施形態と同様に、透過率測定用ソーラセル4aには、布
7を透過した光量が照射され、布端位置測定用ソーラセ
ル4bには、布7により遮蔽されない部分はそのままの
光量が、また遮蔽部分は布7を透過した光量が照射され
る。
Then, the one-shot generation circuit A receives the rising edge of the sensor start signal, and
(B), an LED on pulse signal is output, and this LED on pulse is supplied to the base of the transistor Q1 via the OR gate U1, the buffer U2, and the resistor R1, so that the transistor Q1 is turned on and the resistor R2 is turned on. A current flows through the LED element chip 3a via the LED element 3a, and the LED element chip 3a performs pulse lighting (see FIG. 18 (f)), and uniformly irradiates the solar cell 4b for measuring the cloth edge position and the cloth 7 during the feeding operation. Therefore, as in the embodiment described with reference to FIG. 4, the solar cell 4a for transmittance measurement is irradiated with the amount of light transmitted through the cloth 7, and the solar cell 4b for measuring the cloth end position is left untouched by the cloth 7 as it is. And the shielding portion is irradiated with the light amount transmitted through the cloth 7.

【0057】すると、透過率測定用光量検出回路14a
からは、図18(g)に示されるような出力がなされ、
布端位置測定用光量検出回路14bからは、図18
(h)に示されるような出力がなされる。なお、この図
18(g)、(h)にあっても、図5(g)で説明した
のと同様に、LED素子チップ3aの発光時に上方に突
出している部分AA、AA’が、LED素子チップ3a
の光量のみに対応する電圧であり、LED素子チップ3
aのオフ時の斜線BB、BB’が、白熱灯や蛍光灯等の
室内灯や、太陽光等の外乱光の光量に対応する電圧であ
る。
Then, the light amount detection circuit for transmittance measurement 14a
18 outputs an output as shown in FIG.
FIG. 18 shows the light amount detection circuit 14b for measuring the cloth edge position.
An output as shown in (h) is made. 18 (g) and 18 (h), similarly to FIG. 5 (g), the portions AA and AA ′ projecting upward when the LED element chip 3a emits light are the same as those in FIG. Element chip 3a
Is a voltage corresponding to only the amount of light of the LED element chip 3
The off-line oblique lines BB and BB ′ of “a” are voltages corresponding to the amount of ambient light such as incandescent lamps and fluorescent lamps, and disturbance light such as sunlight.

【0058】従って、パルス分検出回路15aからは、
図18(g)に示した外乱光の光量に対応する電圧BB
が除去されて、LED素子チップ3aの光量のみに対応
する電圧AAのみが出力される(図18(i)参照)。
同様に、パルス分検出回路15bからは、図18(h)
に示した外乱光の光量に対応する電圧BB’が除去され
て、LED素子チップ3aの光量のみに対応する電圧A
A’のみが出力される(図18(j)参照)。
Therefore, from the pulse detection circuit 15a,
Voltage BB corresponding to the amount of disturbance light shown in FIG.
Is removed, and only the voltage AA corresponding to only the light amount of the LED element chip 3a is output (see FIG. 18 (i)).
Similarly, from the pulse detection circuit 15b, FIG.
Is removed, and the voltage A corresponding to only the light amount of the LED element chip 3a is removed.
Only A 'is output (see FIG. 18 (j)).

【0059】そして、サンプルホールド回路16aにお
いて、LED素子チップ3aの点灯するタイミングでL
ED素子チップ3aの光量のみに対応する電圧AAがホ
ールドされる(図18(k)参照)。同様に、サンプル
ホールド回路16bにおいて、LED素子チップ3aの
点灯するタイミングでLED素子チップ3aの光量のみ
に対応する電圧AA’がホールドされる(図18(l)
参照)。
Then, in the sample-and-hold circuit 16a, when the LED element chip 3a is turned on, L
The voltage AA corresponding to only the light amount of the ED element chip 3a is held (see FIG. 18 (k)). Similarly, in the sample-and-hold circuit 16b, the voltage AA 'corresponding to only the light amount of the LED element chip 3a is held at the lighting timing of the LED element chip 3a (FIG. 18 (l)).
reference).

【0060】このような動作がなされる一方で、フロー
チャートでは、センサスタート信号を出力(ステップ
3)後、T1時間の経過を待ち(ステップ4)、T1時
間経過したらステップ5に進み、ステップ5において、
ワンショット発生回路Bの出力をチェックする。
On the other hand, while such an operation is performed, in the flowchart, after the sensor start signal is output (step 3), the elapse of the time T1 is waited (step 4). ,
Check the output of the one-shot generation circuit B.

【0061】ここで、外乱光パルス検出回路14c、ハ
イパスフィルタ50、レベル検出器51よりなる外乱光
パルス検出手段70及び発光制御手段55は、図4に示
した実施形態と同様であるため、LED素子チップ3a
の点灯(図18(f)参照)と外乱光パルス(図18
(c)参照)とが重ならない場合には、ワンショット発
生回路Bからの出力はなく、LED素子チップ3aの点
灯と外乱光パルスとマイクロコンピュータ19からの信
号(これはワンショット発生回路Bからの出力が所定回
数に達するで出力される)とが重なった場合には、ワン
ショット発生回路BからはT2時間幅のパルスが出力さ
れる。
Here, since the disturbance light pulse detecting means 70 comprising the disturbance light pulse detecting circuit 14c, the high-pass filter 50 and the level detector 51 and the light emission control means 55 are the same as those of the embodiment shown in FIG. Element chip 3a
(See FIG. 18 (f)) and disturbance light pulses (see FIG. 18 (f)).
(C), there is no output from the one-shot generation circuit B, and there is no output from the one-shot generation circuit B, lighting of the LED element chip 3a, a disturbance light pulse, and a signal from the microcomputer 19 (this is a signal from the one-shot generation circuit B). Is output when the number of times reaches a predetermined number), the one-shot generation circuit B outputs a pulse having a time width of T2.

【0062】従って、ステップ5において、ワンショッ
ト発生回路Bの出力をチェックし、図18に符号(イ)
で示されるケースのように、LED素子チップ3aの点
灯と外乱光パルスとが重ならずワンショット発生回路B
の出力がない場合にはステップ6に進み、ステップ6に
おいて、センサスタート信号をオフしてステップ7に進
み、ステップ7において、透過率測定用光量の読み込み
を行う。
Therefore, in step 5, the output of the one-shot generating circuit B is checked, and FIG.
As shown in the case shown by, the lighting of the LED element chip 3a and the disturbance light pulse do not overlap, and the one-shot generation circuit B
If there is no output, the process proceeds to step 6, in which the sensor start signal is turned off and the process proceeds to step 7, and in step 7, the light amount for transmittance measurement is read.

【0063】すなわち、アナログマルチプレクサ17に
おいて、マイクロコンピューター19より出力される切
替信号によってサンプルホールド回路16aの方を選択
し、この出力をA/D変換器18を介してマイクロコン
ピューター19に入力して、透過率測定用光量の読み込
みを行う。
That is, in the analog multiplexer 17, the sample-and-hold circuit 16 a is selected by the switching signal output from the microcomputer 19, and this output is input to the microcomputer 19 via the A / D converter 18. Read the light amount for transmittance measurement.

【0064】次いで、ステップ8に進み、ステップ8に
おいて、マイクロコンピューター19より出力される切
替信号によってサンプルホールド回路16bの方を選択
し、この出力をA/D変換器18を介してマイクロコン
ピューター19に入力して、布端位置測定用光量の読み
込みを行う。
Next, the process proceeds to step 8, in which the sample and hold circuit 16b is selected by the switching signal output from the microcomputer 19, and this output is sent to the microcomputer 19 via the A / D converter 18. Input and read the light amount for measuring the cloth edge position.

【0065】次いで、ステップ9に進み、ステップ9に
おいて、上記透過率測定用光量及び布端位置測定用光量
に基づいて、布端位置(縁部位置情報としてのソーラセ
ル4bの端部から布縁部までの距離)xを演算にて求め
る。この演算は、図4で説明した実施形態と同様であ
る。そして、このようにして布端位置xが求められたら
図17に示したフローを終了する。
Then, the process proceeds to step 9, in which the cloth edge position (from the edge of the solar cell 4b as the edge position information to the cloth edge portion) is determined based on the transmittance measurement light amount and the cloth edge position measurement light amount. X) is calculated. This calculation is the same as in the embodiment described with reference to FIG. Then, when the cloth edge position x is obtained in this way, the flow shown in FIG. 17 ends.

【0066】一方、ステップ5において、ワンショット
発生回路Bの出力をチェックし、図18に符号(ロ)で
示されるケースのように、LED素子チップ3aの点灯
(図18(f)参照)と外乱光パルスP1(図18
(c)参照)とマイクロコンピュータ19からの信号と
が重なってワンショット発生回路BからT2時間幅のパ
ルスが出力された場合には、ステップ10に進み、ステ
ップ10において、このT2時間幅のパルスをマイクロ
コンピュータ19が受けて、当該マイクロコンピュータ
19は、A/D変換器18を介して入力される受光光量
データの読み込みを行わないでワンショット発生回路B
の出力がオフになるのを待ち、オフになったらステップ
11に進み、ステップ11において、上記繰り返しカウ
ンタ値Nを+1加算してしてステップ12に進み、ステ
ップ12において、繰り返しカウンタ値Nが、所定の回
数N0 に達したか否かを判定する。そして、繰り返しカ
ウンタ値Nが所定の回数N0 達していない場合にはステ
ップ4にリターンする。
On the other hand, in step 5, the output of the one-shot generation circuit B is checked, and the LED element chip 3a is turned on (see FIG. 18 (f)), as in the case indicated by reference numeral (b) in FIG. The disturbance light pulse P1 (FIG. 18)
If the signal from the microcomputer 19 overlaps with the signal from the microcomputer 19 and a pulse having a time width of T2 is output from the one-shot generation circuit B, the process proceeds to step 10, and in step 10, the pulse having the time width of T2 is output. Is received by the microcomputer 19, and the microcomputer 19 does not read the received light amount data input via the A / D converter 18 without performing the one-shot generation circuit B.
Is turned off, and when it is turned off, the process proceeds to step 11. In step 11, the repetition counter value N is added by +1 and the process proceeds to step 12. In step 12, the repetition counter value N It is determined whether a predetermined number N 0 has been reached. If the repetition counter value N has not reached the predetermined number N 0 , the process returns to step 4.

【0067】この時、ワンショット発生回路Cは、ワン
ショット発生回路BからのT2時間幅のパルス信号の立
ち下がりでトリガし、該ワンショット発生回路Cからは
T3時間幅のパルス信号が出力され(図18(e)参
照)、このパルス信号は、オアゲートU1、バッファU
2、抵抗R1を介してトランジスタQ1のベースに供給
され、これによって該トランジスタQ1が導通し、抵抗
R2を介してLED素子チップ3aに電流が流れて該L
ED素子チップ3aが、図18(f)に符号d1で示さ
れるように、再パルス点灯し、上記と同様にしてサンプ
ルホールド回路16a,16bにおいて、LED素子チ
ップ3aの点灯するタイミングで光量に対応する電圧A
A、AA’がそれぞれホールドされる(図18(k),
(l)参照)。
At this time, the one-shot generation circuit C triggers on the falling edge of the pulse signal of T2 time width from the one-shot generation circuit B, and the one-shot generation circuit C outputs a pulse signal of T3 time width. (See FIG. 18 (e)), this pulse signal is supplied to the OR gate U1, the buffer U
2. The current is supplied to the base of the transistor Q1 via the resistor R1, thereby turning on the transistor Q1.
The ED element chip 3a is re-pulsed as shown by the symbol d1 in FIG. 18 (f), and the sample-and-hold circuits 16a and 16b correspond to the light amount at the timing when the LED element chip 3a is turned on in the same manner as described above. Voltage A
A and AA 'are respectively held (FIG. 18 (k),
(L)).

【0068】このような動作がなされる一方で、フロー
チャートでは、T1時間の経過を待ち(ステップ4)、
T1時間経過したらステップ5に進み、ステップ5にお
いて、ワンショット発生回路Bの出力をチェックする。
While such an operation is performed, the flowchart waits for the elapse of time T1 (step 4).
When the time T1 has elapsed, the process proceeds to step 5, where the output of the one-shot generation circuit B is checked.

【0069】ここで、図18に符号(ロ)で示されるケ
ースの場合では、LED素子チップ3aの2度目の点灯
で、LED素子チップ3aの点灯と外乱光パルスとが重
ならずワンショット発生回路Bの出力がないためステッ
プ6に進み、以降は上述したのと同様な動作を行う。
Here, in the case indicated by reference numeral (b) in FIG. 18, in the second lighting of the LED element chip 3a, the lighting of the LED element chip 3a and the disturbance light pulse do not overlap, and a one-shot occurs. Since there is no output from the circuit B, the process proceeds to step 6, and thereafter, the same operation as described above is performed.

【0070】また、図18に符号(ハ)で示されるケー
スのように、図18(f)に符号d1で示される2度目
のLED素子チップ3aの点灯時にも、図18(c)に
示されるように、外乱光パルスP2が発生している場合
にはワンショット発生回路BからT2時間幅のパルスが
出力される(図18(d)参照)ため、ステップ5から
ステップ10〜12に進み、上記と同様な動作を行う。
そして、ステップ12において、繰り返しカウンタ値N
が、所定の回数N0 に達したか否かを判定し、繰り返し
カウンタ値Nが所定の回数N0 達していない場合にはス
テップ4にリターンする。
Also, as in the case indicated by reference numeral (c) in FIG. 18, when the LED element chip 3a indicated by reference numeral d1 in FIG. 18 (f) is turned on for the second time, the state shown in FIG. When the disturbance light pulse P2 is generated, the one-shot generation circuit B outputs a pulse having a time width of T2 (see FIG. 18D). Perform the same operation as described above.
Then, in step 12, the repetition counter value N
There, it is determined whether or not reached a predetermined number N 0, repeat counter value N when it does not reach a predetermined number N 0 returns to step 4.

【0071】この時、ワンショット発生回路Cからは、
上述したようにT3時間幅のパルス信号が出力され(図
18(e)参照)、このパルス信号に従ってLED素子
チップ3aが、図18(f)に符号d2で示されるよう
に、再々パルス点灯し、サンプルホールド回路16a,
16bにおいて、LED素子チップ3aの点灯するタイ
ミングで光量に対応する電圧AA、AA’がそれぞれホ
ールドされる(図18(k),(l)参照)。
At this time, from the one-shot generation circuit C,
As described above, a pulse signal having a time width of T3 is output (see FIG. 18E), and according to this pulse signal, the LED element chip 3a is pulse-lit again as shown by a symbol d2 in FIG. 18F. , The sample and hold circuit 16a,
At 16b, the voltages AA and AA 'corresponding to the light amounts are held at the timing when the LED element chip 3a is turned on (see FIGS. 18 (k) and (l)).

【0072】このような動作がなされる一方で、フロー
チャートでは、T1時間の経過を待ち(ステップ4)、
T1時間経過したらステップ5に進み、ステップ5にお
いて、ワンショット発生回路Bの出力をチェックする。
While such an operation is performed, the flowchart waits until the time T1 has elapsed (step 4).
When the time T1 has elapsed, the process proceeds to step 5, where the output of the one-shot generation circuit B is checked.

【0073】ここで、図18に符号(ハ)で示されるケ
ースの場合では、LED素子チップ3aの3度目の点灯
で、LED素子チップ3aの点灯と外乱光パルスとが重
ならずワンショット発生回路Bの出力がないためステッ
プ6に進み、以降は上述したのと同様な動作を行う。
Here, in the case indicated by the symbol (c) in FIG. 18, in the third lighting of the LED element chip 3a, the lighting of the LED element chip 3a and the disturbance light pulse do not overlap, and a one-shot occurs. Since there is no output from the circuit B, the process proceeds to step 6, and thereafter, the same operation as described above is performed.

【0074】そして、この図18(f)に符号d2で示
される3度目のLED素子チップ3aの点灯時にも、外
乱光パルスが発生している場合には、ステップ4、5、
10〜12の動作が繰り返される。
If a disturbance light pulse is generated even when the LED element chip 3a is turned on for the third time as indicated by the symbol d2 in FIG.
Operations 10 to 12 are repeated.

【0075】一方、ステップ12において、繰り返しカ
ウンタ値Nが、所定の回数N0 に達したと判定した場合
には、ステップ13に進み、ステップ13において、セ
ンサスタート信号をオフしてステップ14に進み、ステ
ップ14において、アンドゲートU5を開じてステップ
15に進み、ステップ15において、所定の表示手段に
よってエラー表示を行うようになっている。
On the other hand, if it is determined in step 12 that the repetition counter value N has reached the predetermined number N 0 , the process proceeds to step 13, where the sensor start signal is turned off and the process proceeds to step 14. In step 14, the AND gate U5 is opened to proceed to step 15, and in step 15, an error is displayed by a predetermined display means.

【0076】図19は、本発明のさらに他の実施形態を
表した回路図であり、図16に対応するものである。こ
の実施形態では、ワンショット発生回路AからのLED
オンパルス信号及びワンショット発生回路CからのLE
D再オンパルス信号に代えて、マイクロコンピュータ1
9からの発光パルス出力が、バッファU2に入力される
構成になされている。すなわち、LED素子チップ3a
は、上記マイクロコンピュータ19からの発光パルス出
力に同期して点灯する構成になされている。
FIG. 19 is a circuit diagram showing still another embodiment of the present invention, and corresponds to FIG. In this embodiment, the LED from the one-shot generation circuit A
LE from on-pulse signal and one-shot generation circuit C
Microcomputer 1 instead of the D restart pulse signal
The configuration is such that the light emission pulse output from 9 is input to the buffer U2. That is, the LED element chip 3a
Are turned on in synchronization with the emission pulse output from the microcomputer 19.

【0077】また、この実施形態では、ワンショット発
生回路Bに代えて、フリップフロップ60を用い、この
フリップフロップ60に、上記アンドゲートU5の出力
信号及びマイクロコンピュータ19のリセット信号が入
力され、このフリップフロップ60の出力信号がマイク
ロコンピュータ19に入力される構成になされている。
すなわち、LED素子チップ3aの点灯時に外乱光パル
スがあると、上記フリップフロップ60がセットされ、
LED素子チップ3aの点灯時に外乱光パルスがあった
ことをマイクロコンピュータ19に知らしめる構成にな
されており、これによって、該マイクロコンピュータ1
9が、再発光パルス出力をバッファU2に出力する構成
になされている。従って、アンドゲートU5、フリップ
フロップ60、マイクロコンピュータ19によって、発
光制御手段61が構成された状態となっている。
In this embodiment, a flip-flop 60 is used in place of the one-shot generation circuit B, and the output signal of the AND gate U5 and the reset signal of the microcomputer 19 are input to the flip-flop 60. The output signal of the flip-flop 60 is input to the microcomputer 19.
That is, if there is a disturbance light pulse when the LED element chip 3a is turned on, the flip-flop 60 is set,
The microcomputer 19 is configured to notify the microcomputer 19 that there is a disturbance light pulse when the LED element chip 3a is turned on.
9 is configured to output the re-emission pulse output to the buffer U2. Therefore, the light emission control means 61 is configured by the AND gate U5, the flip-flop 60, and the microcomputer 19.

【0078】次に、このように構成された装置の動作に
ついて図20に示されるフローチャートに従って説明す
る。先ずステップ1において、マイクロコンピュータ1
9によりフリップフロップ60をリセットしてステップ
2に進み、ステップ2において、先の実施形態で説明し
たのと同様な繰り返しカウンタの値Nを0にセットして
ステップ3に進み、ステップ3において、マイクロコン
ピュータ19からT3時間幅の発光パルス出力をバッフ
ァU2に出力する(図21(a)参照)。
Next, the operation of the above-configured apparatus will be described with reference to the flowchart shown in FIG. First, in step 1, the microcomputer 1
9, the flip-flop 60 is reset, and the process proceeds to step 2. In step 2, the value N of the repetition counter similar to that described in the previous embodiment is set to 0, and the process proceeds to step 3. The computer 19 outputs an emission pulse output having a T3 time width to the buffer U2 (see FIG. 21A).

【0079】すると、この発光パルス出力によりトラン
ジスタQ1が導通し、LED素子チップ3aがパルス点
灯する(図21(d)参照)。この時、透過率測定用光
量検出回路14aからは、図21(e)に示されるよう
な出力がなされ、布端位置測定用光量検出回路14bか
らは、図21(f)に示されるような出力がなされる。
従って、パルス分検出回路15aからは、図21(e)
に示した外乱光の光量に対応する電圧BBが除去され
て、LED素子チップ3aの光量のみに対応する電圧A
Aのみが出力される(図21(g)参照)。同様に、パ
ルス分検出回路15bからは、図21(f)に示した外
乱光の光量に対応する電圧BB’が除去されて、LED
素子チップ3aの光量のみに対応する電圧AA’のみが
出力される(図21(h)参照)。
Then, the transistor Q1 is turned on by the output of the light emission pulse, and the LED element chip 3a is pulse-lit (see FIG. 21D). At this time, the output as shown in FIG. 21 (e) is output from the light amount detection circuit 14a for transmittance measurement, and the output as shown in FIG. 21 (f) from the light amount detection circuit 14b for cloth edge position measurement. Output is made.
Therefore, from the pulse detection circuit 15a, the signal shown in FIG.
The voltage BB corresponding to the light amount of the disturbance light shown in FIG.
Only A is output (see FIG. 21 (g)). Similarly, from the pulse detection circuit 15b, the voltage BB 'corresponding to the amount of disturbance light shown in FIG.
Only the voltage AA 'corresponding to only the light amount of the element chip 3a is output (see FIG. 21H).

【0080】そして、サンプルホールド回路16a,1
6bにおいて、LED素子チップ3aの点灯するタイミ
ングでLED素子チップ3aの光量のみに対応する電圧
AA、AA’がそれぞれホールドされる(図18
(i),(j)参照)。
Then, the sample hold circuits 16a, 16
At 6b, the voltages AA and AA 'corresponding to only the light amount of the LED element chip 3a are held at the timing when the LED element chip 3a is turned on (FIG. 18).
(See (i) and (j)).

【0081】このような動作がなされる一方で、フロー
チャートでは、発光パルス出力を出力(ステップ3)
後、T1時間の経過を待ち(ステップ4)、T1時間経
過したらステップ5に進み、ステップ5において、フリ
ップフロップ60の出力をチェックする。
While such an operation is performed, a light emission pulse output is output in the flowchart (step 3).
Thereafter, the elapse of the time T1 is waited (step 4), and after the elapse of the time T1, the process proceeds to step 5, where the output of the flip-flop 60 is checked.

【0082】ここで、LED素子チップ3aの点灯(図
21(d)参照)と外乱光パルス(図21(b)参照)
とが重ならない場合には、フリップフロップ60からの
出力はなく、LED素子チップ3aの点灯と外乱光パル
スとが重なった場合には、フリップフロップ60から外
乱重なり信号が出力される。
Here, the lighting of the LED element chip 3a (see FIG. 21 (d)) and the disturbance light pulse (see FIG. 21 (b))
If they do not overlap, there is no output from the flip-flop 60, and if the lighting of the LED element chip 3a and the disturbance light pulse overlap, a disturbance overlap signal is output from the flip-flop 60.

【0083】従って、ステップ5において、フリップフ
ロップ60の出力をチェックし、図21に符号(イ)で
示されるケースのように、LED素子チップ3aの点灯
と外乱光パルスとが重ならずフリップフロップ60の出
力がない場合にはステップ6に進む。ステップ6〜8の
動作は、図17のステップ7〜9で説明したのと同様で
ある。
Therefore, in step 5, the output of the flip-flop 60 is checked, and the lighting of the LED element chip 3a and the disturbance light pulse do not overlap with each other, as shown in FIG. If there is no output, the process proceeds to step 6. The operations in steps 6 to 8 are the same as those described in steps 7 to 9 in FIG.

【0084】一方、ステップ5において、フリップフロ
ップ60の出力をチェックし、図21に符号(ロ)で示
されるケースのように、LED素子チップ3aの点灯
(図21(d)参照)と外乱光パルスP1(図21
(b)参照)とが重なってフリップフロップ60から外
乱重なり信号が出力された場合には、ステップ9に進
み、ステップ9において、この外乱重なり信号をマイク
ロコンピュータ19が受けて、当該マイクロコンピュー
タ19は、A/D変換器18を介して入力される受光光
量データの読み込みを行わないでフリップフロップ60
をリセットしてステップ10に進み、ステップ10にお
いて、上記繰り返しカウンタ値Nを+1加算してしてス
テップ11に進み、ステップ11において、繰り返しカ
ウンタ値Nが、所定の回数N0 に達したか否かを判定す
る。そして、繰り返しカウンタ値Nが所定の回数N0
していない場合にはステップ12に進み、ステップ12
において、T2時間待ってステップ3にリターンする。
On the other hand, in step 5, the output of the flip-flop 60 is checked, and as shown in FIG. 21, the LED element chip 3a is turned on (see FIG. Pulse P1 (FIG. 21)
When the disturbance overlap signal is output from the flip-flop 60 due to the overlap with (b), the process proceeds to step 9 where the microcomputer 19 receives the disturbance overlap signal and the microcomputer 19 receives the disturbance overlap signal. , Without reading the received light amount data input through the A / D converter 18.
And then proceeds to step 10. In step 10, the repetition counter value N is incremented by one, and the process proceeds to step 11. In step 11, it is determined whether the repetition counter value N has reached a predetermined number N 0. Is determined. If the repetition counter value N has not reached the predetermined number N 0 , the process proceeds to step 12, and
, The process returns to step 3 after waiting for the time T2.

【0085】ステップ3では、マイクロコンピュータ1
9からT3時間幅の発光パルス出力を再度バッファU2
に出力し(図21(a)参照)、LED素子チップ3a
を再度パルス点灯して(図21(d)参照)ステップ4
に進み、ステップ4において、T1時間の経過を待って
ステップ5に進み、ステップ5において、フリップフロ
ップ60の出力をチェックする。
In step 3, the microcomputer 1
The emission pulse output having a time width of T3 from 9 is output again to the buffer U2.
(See FIG. 21A), and the LED element chip 3a
Is pulse-lit again (see FIG. 21 (d)).
Then, in step 4, after elapse of the time T1, the process proceeds to step 5, and in step 5, the output of the flip-flop 60 is checked.

【0086】ここで、図21に符号(ロ)で示されるケ
ースの場合では、LED素子チップ3aの2度目の点灯
で、LED素子チップ3aの点灯と外乱光パルスとが重
ならずフリップフロップ60の出力がないためステップ
6に進み、以降は上述したのと同様な動作を行う。
Here, in the case indicated by reference numeral (b) in FIG. 21, in the second lighting of the LED element chip 3a, the lighting of the LED element chip 3a and the disturbance light pulse do not overlap and the flip-flop 60 is turned on. Does not exist, the process proceeds to step 6, and thereafter, the same operation as described above is performed.

【0087】また、図21に符号(ハ)で示されるケー
スのように、図21(d)に符号d1で示される2度目
のLED素子チップ3aの点灯時にも、図21(b)に
示されるように、外乱光パルスP2が発生している場合
にはフリップフロップ60から外乱重なり信号が出力さ
れる(図21(c)参照)ため、ステップ5からステッ
プ9〜11に進み、上記と同様な動作を行う。そして、
ステップ11において、繰り返しカウンタ値Nが、所定
の回数N0 に達したか否かを判定し、繰り返しカウンタ
値Nが所定の回数N0 達していない場合にはステップ1
2を介してステップ3にリターンする。
Also, as in the case indicated by reference numeral (c) in FIG. 21, when the LED element chip 3a indicated by reference numeral d1 in FIG. 21 (d) is turned on for the second time, as shown in FIG. As shown in FIG. 21, when the disturbance light pulse P2 is generated, a disturbance overlap signal is output from the flip-flop 60 (see FIG. 21C). Perform various operations. And
In step 11, repeat counter value N, it is determined whether or not reached a predetermined number N 0, if the repetition counter value N has not reached the predetermined number N 0 Step 1
It returns to step 3 via 2.

【0088】ステップ3では、マイクロコンピュータ1
9からT3時間幅の発光パルス出力を再再度バッファU
2に出力し(図21(a)参照)、LED素子チップ3
aを再再度パルス点灯して(図21(d)参照)ステッ
プ4に進み、ステップ4において、T1時間の経過を待
ってステップ5に進み、ステップ5において、フリップ
フロップ60の出力をチェックする。
In step 3, the microcomputer 1
The output of the light emission pulse having a time width of T3 from 9 is again performed in the buffer U
2 (see FIG. 21A), and the LED element chip 3
The pulse a is again lit (see FIG. 21D), and the process proceeds to step 4. In step 4, the process proceeds to step 5 after elapse of the time T1, and in step 5, the output of the flip-flop 60 is checked.

【0089】ここで、図21に符号(ハ)で示されるケ
ースの場合では、LED素子チップ3aの3度目の点灯
で、LED素子チップ3aの点灯と外乱光パルスとが重
ならずフリップフロップ60の出力がないためステップ
6に進み、以降は上述したのと同様な動作を行う。
Here, in the case indicated by the symbol (c) in FIG. 21, the lighting of the LED element chip 3a and the disturbance light pulse do not overlap with each other in the third lighting of the LED element chip 3a. Does not exist, the process proceeds to step 6, and thereafter, the same operation as described above is performed.

【0090】そして、この図21(d)に符号d2で示
される3度目のLED素子チップ3aの点灯時にも、外
乱光パルスが発生している場合には、ステップ3〜5、
9〜12の動作が繰り返される。
If a disturbance light pulse is generated even when the LED element chip 3a is turned on for the third time as indicated by reference numeral d2 in FIG. 21D, steps 3 to 5 are performed.
Operations 9 to 12 are repeated.

【0091】一方、ステップ11において、繰り返しカ
ウンタ値Nが、所定の回数N0 に達したと判定した場合
には、ステップ13に進み、ステップ13において、所
定の表示手段によってエラー表示を行うようになってい
る。
On the other hand, if it is determined in step 11 that the repetition counter value N has reached the predetermined number of times N 0 , the process proceeds to step 13 so that an error display is performed by predetermined display means in step 13. Has become.

【0092】図22は、本発明のさらに他の実施形態を
表した回路図であり、図4に対応するものである。この
実施形態では、外乱光パルス検出回路14c及びハイパ
スフィルタ50に代えて、光量検出回路(光量モニタ)
14d及びパルス分検出回路15dを用いている。
FIG. 22 is a circuit diagram showing still another embodiment of the present invention, and corresponds to FIG. In this embodiment, a light quantity detection circuit (light quantity monitor) is used instead of the disturbance light pulse detection circuit 14c and the high-pass filter 50.
14d and a pulse detection circuit 15d are used.

【0093】この光量検出回路14dは、面発光LED
パネル3の温度、経時的変化等による光量変動を検出す
ると共に外乱光パルスを検出するためのものである。こ
の光量検出回路14dの構成は、外乱光パルス検出回路
14cの構成と略同様であるが、光量検出回路14dを
構成する光量検出モニタ用のソーラセル4dが、図25
に示されるように、分離板5上であって上記面発光LE
Dパネル3による照射光を受光可能な位置且つ被縫製物
により該照射光が遮られない位置に配置されている。す
なわち、外乱光と共に面発光LEDパネル3による照射
光を受ける構成になされている。また、パルス分検出回
路15dの構成は、上記パルス分検出回路15a,15
bの構成と同様である。
This light amount detection circuit 14d is a surface emitting LED.
This is for detecting fluctuations in light amount due to the temperature of the panel 3, changes over time, and the like, and detecting disturbance light pulses. The configuration of the light quantity detection circuit 14d is substantially the same as the configuration of the disturbance light pulse detection circuit 14c, except that the solar cell 4d for monitoring the light quantity constituting the light quantity detection circuit 14d is configured as shown in FIG.
As shown in FIG.
It is arranged at a position where the irradiation light from the D panel 3 can be received and at a position where the irradiation light is not blocked by the sewing object. That is, it is configured to receive irradiation light from the surface-emitting LED panel 3 together with disturbance light. The configuration of the pulse detection circuit 15d is the same as that of the pulse detection circuits 15a and 15a.
This is the same as the configuration of b.

【0094】このパルス分検出回路15dの出力は、上
記レベル検出器51を構成する電圧比較器U4の一方の
入力端子に入力され、他方の入力端子には、LED素子
チップ3aの光量のみに対応する電圧AA”より高い電
圧に設定された閾値電圧が入力される構成になされてい
る。すなわち、電圧比較器U4からは、図4で説明した
実施形態と同様に、外乱光パルスをアンドゲートU5に
出力し得る構成になされており、これら光量検出回路1
4d、パルス分検出回路15d、レベル検出器51によ
り外乱光パルス検出手段71が構成された状態となって
いる。
The output of the pulse detecting circuit 15d is input to one input terminal of a voltage comparator U4 constituting the level detector 51, and the other input terminal corresponds to only the light quantity of the LED element chip 3a. The threshold voltage set to a voltage higher than the threshold voltage AA "is input. That is, the disturbance light pulse is supplied from the voltage comparator U4 to the AND gate U5 in the same manner as in the embodiment described with reference to FIG. The light amount detection circuit 1
4 d, the disturbance light pulse detection means 71 is constituted by the pulse detection circuit 15 d and the level detector 51.

【0095】上記パルス分検出回路15dには、サンプ
ルホールド回路16dも接続されている。このサンプル
ホールド回路16dは、オアゲートU1からのパルスに
応じて上記パルス分検出回路15dの出力パルスをサン
プルホールドする。そして、このサンプルホールド回路
16dには、上記アナログマルチプレクサ17が接続さ
れており、マイクロコンピュータ19による切替信号に
従って、サンプルホールド回路16a,16b,16d
の何れかが選択される構成になされている。
A sample and hold circuit 16d is also connected to the pulse detection circuit 15d. The sample and hold circuit 16d samples and holds the output pulse of the pulse detection circuit 15d according to the pulse from the OR gate U1. The analog multiplexer 17 is connected to the sample-and-hold circuit 16d, and the sample-and-hold circuits 16a, 16b, and 16d are switched according to a switching signal from the microcomputer 19.
Is selected.

【0096】マイクロコンピュータ19は、サンプルホ
ールド回路16dを選択して光量モニタ用光量を読み込
み、これに基づいて面発光LEDパネル3の温度、経時
的変化等による光量変動を補正して縁部位置情報として
のソーラセル4bの端部から布端部までの距離xを正確
に求め得るように構成されている。
The microcomputer 19 selects the sample-and-hold circuit 16d to read the light amount for monitoring the light amount, and based on the read-out light amount, corrects the fluctuation of the light amount due to the temperature of the surface light-emitting LED panel 3, a temporal change, etc. The distance x from the end of the solar cell 4b to the end of the fabric can be accurately obtained.

【0097】次に、このように構成された装置の動作に
ついて図23に示されるフローチャートに従って説明す
る。先ずステップ1において、マイクロコンピュータ1
9によりアンドゲートU5を開いてステップ2に進み、
ステップ2において、上述したのと同様な繰り返しカウ
ンタの値Nを0にセットしてステップ3に進み、ステッ
プ3において、発振器10により矩形波信号が出力され
るのを待つ。発振器10により図24(a)に示される
ような矩形波信号が出力されると、この矩形波信号の立
ち上がりを受けて、ワンショット発生回路Aが、図24
(b)に示されるようなLEDオンパルスを出力をし、
LED素子チップ3aがパルス点灯し(図24(f)参
照)、布端位置測定用ソーラセル4b及び送り動作中の
布7並びに光量モニタ用ソーラセル4dに均一な照射を
行う。従って、透過率測定用ソーラセル4aには、布7
を透過した光量が照射され、布端位置測定用ソーラセル
4bには、布7により遮蔽されない部分はそのままの光
量が、また遮蔽部分は布7を透過した光量が照射され、
光量モニタ用ソーラセル4dには、そのままの光量が照
射される。
Next, the operation of the thus configured apparatus will be described with reference to the flowchart shown in FIG. First, in step 1, the microcomputer 1
9. Open the AND gate U5 and proceed to step 2,
In step 2, the value N of the repetition counter similar to that described above is set to 0, and the process proceeds to step 3. In step 3, it waits for the oscillator 10 to output a rectangular wave signal. When a rectangular wave signal as shown in FIG. 24A is output from the oscillator 10, the one-shot generation circuit A receives the rising edge of the rectangular wave signal, and
An LED on pulse as shown in (b) is output,
The LED element chip 3a is pulse-lit (see FIG. 24 (f)) to uniformly irradiate the solar cell 4b for measuring the cloth edge position, the cloth 7 during the feeding operation, and the solar cell 4d for monitoring the amount of light. Therefore, the cloth 7 is attached to the solar cell 4a for transmittance measurement.
Is irradiated on the solar cell 4b for measuring the cloth edge position, the light amount as it is is applied to the portion not shielded by the cloth 7, and the light amount transmitted through the cloth 7 is irradiated to the shielded portion.
The light quantity monitoring solar cell 4d is irradiated with the same light quantity.

【0098】すると、透過率測定用光量検出回路14a
からは、図24(g)に示されるような出力がなされ、
布端位置測定用光量検出回路14bからは、図24
(h)に示されるような出力がなされ、光量モニタ用光
量検出回路14dからは、図24(i)に示されるよう
な出力がなされる。
Then, the light amount detection circuit for transmittance measurement 14a
Outputs an output as shown in FIG. 24 (g).
FIG. 24 shows the light amount detection circuit 14b for measuring the cloth edge position.
An output as shown in (h) is made, and an output as shown in FIG. 24 (i) is made from the light quantity monitoring circuit 14d for light quantity monitoring.

【0099】従って、パルス分検出回路15aからは、
図24(g)に示した外乱光の光量に対応する電圧BB
が除去されて、LED素子チップ3aの光量のみに対応
する電圧AAのみが出力される(図24(j)参照)。
同様に、パルス分検出回路15bからは、図24(h)
に示した外乱光の光量に対応する電圧BB’が除去され
て、LED素子チップ3aの光量のみに対応する電圧A
A’のみが出力される(図24(k)参照)。また同様
に、パルス分検出回路15dからは、図24(i)に示
した外乱光の光量に対応する電圧BB”が除去されて、
LED素子チップ3aの光量のみに対応する電圧AA”
のみが出力される(図24(l)参照)。
Therefore, from the pulse detection circuit 15a,
Voltage BB corresponding to the amount of disturbance light shown in FIG.
Are removed, and only the voltage AA corresponding to only the light amount of the LED element chip 3a is output (see FIG. 24 (j)).
Similarly, from the pulse detection circuit 15b, FIG.
Is removed, and the voltage A corresponding to only the light amount of the LED element chip 3a is removed.
Only A 'is output (see FIG. 24 (k)). Similarly, the voltage BB "corresponding to the amount of disturbance light shown in FIG. 24 (i) is removed from the pulse detection circuit 15d.
Voltage AA "corresponding only to the light amount of LED element chip 3a"
Is output (see FIG. 24 (l)).

【0100】そして、サンプルホールド回路16aにお
いて、LED素子チップ3aの点灯するタイミングでL
ED素子チップ3aの光量のみに対応する電圧AAがホ
ールドされる(図24(m)参照)。同様に、サンプル
ホールド回路16bにおいて、LED素子チップ3aの
点灯するタイミングでLED素子チップ3aの光量のみ
に対応する電圧AA’がホールドされる(図24(n)
参照)。また同様に、サンプルホールド回路16dにお
いて、LED素子チップ3aの点灯するタイミングでL
ED素子チップ3aの光量のみに対応する電圧AA”が
ホールドされる(図24(o)参照)。
Then, in the sample and hold circuit 16a, at the timing when the LED element chip 3a is turned on, L
The voltage AA corresponding to only the light amount of the ED element chip 3a is held (see FIG. 24 (m)). Similarly, in the sample-and-hold circuit 16b, the voltage AA 'corresponding to only the light amount of the LED element chip 3a is held at the lighting timing of the LED element chip 3a (FIG. 24 (n)).
reference). Similarly, in the sample-and-hold circuit 16d, when the LED element chip 3a is turned on, L
The voltage AA "corresponding to only the light amount of the ED element chip 3a is held (see FIG. 24 (o)).

【0101】この時、LED素子チップ3aの点灯する
タイミングであるワンショット発生回路AまたはCのパ
ルス出力に同期して、T1時間幅のパルスを出力するワ
ンショット発生回路20によって、図24(p)に示さ
れるような光量読み込みタイミング信号が発生される。
At this time, the one-shot generation circuit 20 that outputs a pulse having a time width of T1 in synchronization with the pulse output of the one-shot generation circuit A or C, which is the lighting timing of the LED element chip 3a, is used as shown in FIG. A light amount reading timing signal as shown in FIG.

【0102】従って、フローチャートでは、ステップ4
において、この光量読み込みタイミング信号をチェック
してこの光量読み込みタイミング信号が発生するのを待
ち、この光量読み込みタイミング信号が発生したら、ス
テップ5に進み、ステップ5において、ワンショット発
生回路Bの出力をチェックする。
Therefore, in the flowchart, step 4
In step 5, the light amount reading timing signal is checked and the light amount reading timing signal is generated. When the light amount reading timing signal is generated, the process proceeds to step 5, and in step 5, the output of the one-shot generation circuit B is checked. I do.

【0103】ここで、レベル検出器51の出力は、前述
したように図4で説明したレベル検出器51の出力と同
様となるため、LED素子チップ3aの点灯(図24
(f)参照)と外乱光パルス(図24(c)参照)とが
重ならない場合には、ワンショット発生回路Bからの出
力はなく、LED素子チップ3aの点灯と外乱光パルス
とマイクロコンピュータ19からの信号(これはワンシ
ョット発生回路Bからの出力が所定回数に達するで出力
される)とが重なった場合には、ワンショット発生回路
BからはT2時間幅のパルスが出力される。
Since the output of the level detector 51 is the same as the output of the level detector 51 described with reference to FIG. 4 as described above, the LED element chip 3a is turned on (FIG. 24).
When the disturbance light pulse (see FIG. 24 (c)) does not overlap with the disturbance light pulse (see FIG. 24 (c)), there is no output from the one-shot generation circuit B, and the lighting of the LED element chip 3a, the disturbance light pulse and the microcomputer 19 (Which is output when the output from the one-shot generation circuit B reaches a predetermined number of times), the one-shot generation circuit B outputs a pulse having a time width of T2.

【0104】従って、ステップ5において、ワンショッ
ト発生回路Bの出力をチェックし、図24に符号(イ)
で示されるケースのように、LED素子チップ3aの点
灯と外乱光パルスとが重ならずワンショット発生回路B
の出力がない場合にはステップ6に進み、ステップ6に
おいて、LED素子チップ3aの点灯からA/D変換器
18によって光量がデジタル変換されるに要する時間よ
りも大きい時間T1後に、マイクロコンピューター19
にLED発光による受光電圧を読み込み、レジスタ上に
保持する。すなわち、先ず透過率測定用光量に対応する
受光電圧Vの読み込みを行ってステップ7に進み、ステ
ップ7において、布端位置測定用光量に対応する受光電
圧Vxの読み込みを行ってステップ8に進み、ステップ
8において、光量モニタ用光量に対応する受光電圧Vm
の読み込みを行い、ステップ9に進む。
Therefore, in step 5, the output of the one-shot generation circuit B is checked, and reference numeral (a) in FIG.
As shown in the case shown by, the lighting of the LED element chip 3a and the disturbance light pulse do not overlap, and the one-shot generation circuit B
If there is no output, the process proceeds to step 6. In step 6, after a time T1 longer than the time required for the light amount to be converted digitally by the A / D converter 18 from the lighting of the LED element chip 3a, the microcomputer 19
, The received light voltage by the LED light emission is read and held on a register. That is, first, the light reception voltage V corresponding to the light amount for transmittance measurement is read, and the process proceeds to step 7. In step 7, the light reception voltage Vx corresponding to the light amount for the cloth edge position measurement is read, and the process proceeds to step 8. In step 8, the light receiving voltage Vm corresponding to the light amount for light amount monitoring
Is read, and the process proceeds to step 9.

【0105】ステップ9では、以下の演算を行う。すな
わち、先ずマイクロコンピュータ19に予め記憶されて
いる初期値の光量モニタ受光電圧をVmoとし、光量補
正率kを以下の式で求める。 k=Vm/Vmo
In step 9, the following calculation is performed. That is, first, the light quantity monitor light receiving voltage of the initial value stored in advance in the microcomputer 19 is set to Vmo, and the light quantity correction rate k is obtained by the following equation. k = Vm / Vmo

【0106】次に、マイクロコンピュータ19に予め記
憶されている布なし状態での受光電圧Voに上記光量補
正率kを乗算し、この補正された値kVoで、上記レジ
スタ上に保持されている透過率測定用光量に対応する受
光電圧Vを除算する。そして、この得られた値を、面発
光LEDパネル3の温度、経時的変化等による光量変動
を加味した布の透過率α’として記憶する。
Next, the light receiving voltage Vo in the absence of cloth, which is stored in the microcomputer 19 in advance, is multiplied by the light quantity correction factor k, and the corrected value kVo is used as the transmission value held in the register. The light receiving voltage V corresponding to the rate measuring light amount is divided. Then, the obtained value is stored as the transmittance α ′ of the cloth in consideration of the light amount fluctuation due to the temperature of the surface-emitting LED panel 3, a temporal change, or the like.

【0107】ここで、透過率の特性が図26に示した符
号bのカーブとすると、ストローク(布端位置測定用ソ
ーラセル4bの端部から布端部までの距離)xは、以下
の式で表される。 x={(Vx−V2)/(V1’−V2)}・x0
Here, assuming that the characteristic of the transmittance is a curve indicated by the symbol b shown in FIG. 26, the stroke (the distance from the edge of the solar cell 4b for measuring the edge of the cloth edge to the edge of the cloth) x is expressed by the following equation. expressed. x = {(Vx-V2) / (V1'-V2)} · x 0

【0108】上記V1’はソーラセル4b全開時の受光
電圧で、予めマイクロコンピューター19に記憶されて
いる全開時の受光電圧V1を上記光量補正率kによりV
1’=kV1と補正した値である。一方、V2はソーラ
セル4bに全て布が覆っている時の受光電圧であり、透
過率測定用の光検出により得られた上記透過率α’によ
り、 V2=α’・V1’ として求められる。また、x0 はソーラセル4bの受光
範囲となっている。すなわち、ステップ9では、このよ
うにして、面発光LEDパネル3の温度、経時的変化等
による光量変動を補正した縁部位置情報としてのソーラ
セル4bの端部から布縁部までの距離xが求められるよ
うになっている。
V1 'is the received light voltage when the solar cell 4b is fully opened. The received light voltage V1 when the solar cell 4b is fully opened and which is stored in advance in the microcomputer 19 is calculated by the light amount correction rate k.
1 ′ = kV1 is a corrected value. On the other hand, V2 is the light receiving voltage when the solar cell 4b is completely covered with the cloth, and is obtained as V2 = α ′ · V1 ′ from the transmittance α ′ obtained by the light detection for transmittance measurement. In addition, x 0 is in the receiving range of the solar cell 4b. That is, in step 9, the distance x from the edge of the solar cell 4b to the edge of the cloth as edge position information obtained by correcting the light amount fluctuation due to the temperature, the temporal change, etc. of the surface emitting LED panel 3 is obtained. It is supposed to be.

【0109】一方、ステップ5において、ワンショット
発生回路Bの出力をチェックし、図24に符号(ロ)で
示されるケースのように、LED素子チップ3aの点灯
(図24(f)参照)と外乱光パルスP1(図24
(c)参照)とマイクロコンピュータ19からの信号と
が重なってワンショット発生回路BからT2時間幅のパ
ルスが出力された場合には、ステップ10に進み、ステ
ップ10において、このT2時間幅のパルスをマイクロ
コンピュータ19が受けて、当該マイクロコンピュータ
19は、A/D変換器18を介して入力される受光光量
データの読み込みを禁止してワンショット発生回路Bの
出力がオフになるのを待ち、オフになったらステップ1
1に進み、ステップ11において、上記繰り返しカウン
タ値Nを+1加算してしてステップ12に進み、ステッ
プ12において、繰り返しカウンタ値Nが、所定の回数
0 に達したか否かを判定する。そして、繰り返しカウ
ンタ値Nが所定の回数N0 達していない場合にはステッ
プ4にリターンする。
On the other hand, in step 5, the output of the one-shot generation circuit B is checked, and the LED element chip 3a is turned on (see FIG. 24 (f)), as in the case indicated by reference numeral (b) in FIG. The disturbance light pulse P1 (FIG. 24)
If the signal from the microcomputer 19 overlaps with the signal from the microcomputer 19 and a pulse having a time width of T2 is output from the one-shot generation circuit B, the process proceeds to step 10, and in step 10, the pulse having the time width of T2 is output. Is received by the microcomputer 19, the microcomputer 19 inhibits reading of the received light amount data input via the A / D converter 18 and waits until the output of the one-shot generation circuit B is turned off. Step 1 when turned off
Proceeds to 1, in step 11, the process proceeds to Step 12 to +1 adding the repeat counter value N at step 12, determines repetition counter value N, whether or not reached a predetermined number N 0. If the repetition counter value N has not reached the predetermined number N 0 , the process returns to step 4.

【0110】この時、ワンショット発生回路Cは、ワン
ショット発生回路BからのT2時間幅のパルス信号の立
ち下がりでトリガし、このワンショット発生回路Cから
はT3時間幅のパルス信号が出力され(図24(e)参
照)、このパルス信号によりLED素子チップ3aが、
図24(f)に符号d1で示されるように、再パルス点
灯し、上記と同様にしてサンプルホールド回路16a,
16b,16dにおいて、LED素子チップ3aの点灯
するタイミングで光量に対応する電圧AA、AA’、A
A”がそれぞれホールドされる(図24(m),
(n),(o)参照)。
At this time, the one-shot generation circuit C triggers on the falling edge of the pulse signal of T2 time width from the one-shot generation circuit B, and the one-shot generation circuit C outputs a pulse signal of T3 time width. (See FIG. 24 (e)), the pulse signal causes the LED element chip 3a to
As shown by a symbol d1 in FIG. 24 (f), repulse lighting is performed, and the sample-and-hold circuits 16a, 16a,
In 16b and 16d, the voltages AA, AA ', and A corresponding to the amount of light at the timing when the LED element chip 3a is turned on.
A "are respectively held (FIG. 24 (m),
(N) and (o)).

【0111】このような動作がなされる一方で、フロー
チャートでは、読み込みタイミングを待って(ステップ
4)ステップ5に進み、ステップ5において、ワンショ
ット発生回路Bの出力をチェックする。
While such an operation is being performed, the flow chart waits for the read timing (step 4) and proceeds to step 5, where the output of the one-shot generation circuit B is checked.

【0112】ここで、図24に符号(ロ)で示されるケ
ースの場合では、LED素子チップ3aの2度目の点灯
で、LED素子チップ3aの点灯と外乱光パルスとが重
ならずワンショット発生回路Bの出力がないためステッ
プ6に進み、以降は上述したのと同様な動作を行う。
Here, in the case indicated by reference numeral (b) in FIG. 24, when the LED element chip 3a is turned on for the second time, the lighting of the LED element chip 3a and the disturbance light pulse do not overlap, and a one-shot occurs. Since there is no output from the circuit B, the process proceeds to step 6, and thereafter, the same operation as described above is performed.

【0113】また、図24に符号(ハ)で示されるケー
スのように、図24(f)に符号d1で示される2度目
のLED素子チップ3aの点灯時にも、図24(c)に
示されるように、外乱光パルスP2が発生している場合
にはワンショット発生回路BからT2時間幅のパルスが
出力される(図24(d)参照)ため、ステップ5から
ステップ10〜12に進み、上記と同様な動作を行う。
そして、ステップ12において、繰り返しカウンタ値N
が、所定の回数N0 に達したか否かを判定し、繰り返し
カウンタ値Nが所定の回数N0 達していない場合にはス
テップ4にリターンする。
Also, as in the case indicated by reference numeral (c) in FIG. 24, when the LED element chip 3a indicated by reference numeral d1 in FIG. As shown in FIG. 24, when the disturbance light pulse P2 is generated, a pulse having a T2 time width is output from the one-shot generation circuit B (see FIG. 24D). Perform the same operation as described above.
Then, in step 12, the repetition counter value N
There, it is determined whether or not reached a predetermined number N 0, repeat counter value N when it does not reach a predetermined number N 0 returns to step 4.

【0114】この時、ワンショット発生回路Cからは、
上述したようにT3時間幅のパルス信号が出力され(図
24(e)参照)、このパルス信号に従ってLED素子
チップ3aが、図24(f)に符号d2で示されるよう
に、再々パルス点灯し、サンプルホールド回路16a,
16b,16dにおいて、LED素子チップ3aの点灯
するタイミングで光量に対応する電圧AA、AA’、A
A”がそれぞれホールドされる(図24(m),
(n),(o)参照)。
At this time, from the one-shot generation circuit C,
As described above, a pulse signal having a time width of T3 is output (see FIG. 24 (e)), and according to this pulse signal, the LED element chip 3a is pulse-lit again as indicated by the symbol d2 in FIG. 24 (f). , The sample and hold circuit 16a,
In 16b and 16d, the voltages AA, AA ', and A corresponding to the light amount at the timing when the LED element chip 3a is turned on
A "are respectively held (FIG. 24 (m),
(N) and (o)).

【0115】このような動作がなされる一方で、フロー
チャートでは、読み込みタイミングを待って(ステップ
4)ステップ5に進み、ステップ5において、ワンショ
ット発生回路Bの出力をチェックする。
While such an operation is performed, the flow chart waits for the read timing (step 4) and proceeds to step 5, where the output of the one-shot generation circuit B is checked.

【0116】ここで、図24に符号(ハ)で示されるケ
ースの場合では、LED素子チップ3aの3度目の点灯
で、LED素子チップ3aの点灯と外乱光パルスとが重
ならずワンショット発生回路Bの出力がないためステッ
プ6に進み、以降は上述したのと同様な動作を行う。
Here, in the case indicated by the symbol (c) in FIG. 24, when the LED element chip 3a is turned on for the third time, the lighting of the LED element chip 3a and the disturbance light pulse do not overlap, and a one-shot occurs. Since there is no output from the circuit B, the process proceeds to step 6, and thereafter, the same operation as described above is performed.

【0117】そして、この図24(f)に符号d2で示
される3度目のLED素子チップ3aの点灯時にも、外
乱光パルスが発生している場合には、ステップ4、5、
10〜12の動作が繰り返される。
When a disturbance light pulse is generated even when the LED element chip 3a is turned on for the third time indicated by reference numeral d2 in FIG.
Operations 10 to 12 are repeated.

【0118】一方、ステップ12において、繰り返しカ
ウンタ値Nが、所定の回数N0 に達したと判定した場合
には、ステップ13に進み、ステップ13において、ア
ンドゲートU5を開じてステップ14に進み、ステップ
14において、所定の表示手段によってエラー表示を行
うようになっている。
On the other hand, if it is determined in step 12 that the repetition counter value N has reached the predetermined number N 0 , the process proceeds to step 13. In step 13, the AND gate U5 is opened and the process proceeds to step 14. In step 14, an error is displayed by a predetermined display means.

【0119】図27は、図25で用いられていた面発光
LEDパネル3に代えて広指向性LED22を用いた実
施形態を表したものであり、この実施形態でも光量モニ
タ用ソーラセル4dを、広指向性LED22の温度、経
時的変化等による光量変動検出用及び外乱光パルス検出
用に用いている。
FIG. 27 shows an embodiment in which the wide directional LEDs 22 are used in place of the surface emitting LED panel 3 used in FIG. 25. It is used for detecting a change in light amount due to a change in temperature, a change with time, and the like of the directional LED 22 and for detecting a disturbance light pulse.

【0120】図28は、本発明のさらに他の実施形態を
表した回路図、図29は、図28に示した回路の動作手
順を表したフローチャート、図30は、図28に示した
回路の動作を説明するためのタイミングチャートであ
り、本実施形態は、図16に示した実施形態と図22に
示した実施形態とを組み合わせたものである。
FIG. 28 is a circuit diagram showing still another embodiment of the present invention, FIG. 29 is a flowchart showing the operation procedure of the circuit shown in FIG. 28, and FIG. 30 is a circuit diagram showing the operation of the circuit shown in FIG. It is a timing chart for explaining the operation, and the present embodiment is a combination of the embodiment shown in FIG. 16 and the embodiment shown in FIG.

【0121】すなわち、この実施形態では、図16に示
した外乱光パルス検出回路14c及びハイパスフィルタ
50に代えて、図22で説明した光量検出回路(光量モ
ニタ)14d及びパルス分検出回路15dを用いている
と共に、該パルス分検出回路15dに図22で説明した
サンプルホールド回路16dを接続し、このサンプルホ
ールド回路16dにアナログマルチプレクサ17を接続
して、マイクロコンピュータ19による切替信号に従っ
て、サンプルホールド回路16a,16b,16dの何
れかを選択し得る構成になされている。
That is, in this embodiment, the light amount detection circuit (light amount monitor) 14d and the pulse amount detection circuit 15d described in FIG. 22 are used in place of the disturbance light pulse detection circuit 14c and the high-pass filter 50 shown in FIG. In addition, the sample-and-hold circuit 16d described in FIG. 22 is connected to the pulse detection circuit 15d, and the analog multiplexer 17 is connected to the sample-and-hold circuit 16d. , 16b, and 16d.

【0122】従って、その動作は、図17に示したフロ
ーチャートと略同様となり、異なる点は、ステップ8と
ステップ9との間に、図23に示したフローチャートの
ステップ8と同様な光量モニタ用光量読み込みを行うス
テップ8aが加わり、これに基づいて面発光LEDパネ
ル3の温度、経時的変化等による光量変動を補正した縁
部位置情報としてのソーラセル4bの端部から布縁部ま
での距離xをステップ9にて演算する構成になされてい
る。
Therefore, the operation is substantially the same as that of the flow chart shown in FIG. 17, and the difference is that between step 8 and step 9, the same light quantity monitoring light quantity as step 8 of the flow chart shown in FIG. A reading step 8a is added, and based on this, the distance x from the edge of the solar cell 4b to the edge of the cloth as the edge position information obtained by correcting the light quantity fluctuation due to the temperature of the surface-emitting LED panel 3, a temporal change, etc. The calculation is performed in step 9.

【0123】図31は、本発明のさらに他の実施形態を
表した回路図、図32は、図31に示した回路の動作手
順を表したフローチャート、図33は、図31に示した
回路の動作を説明するためのタイミングチャートであ
り、本実施形態は、図19に示した実施形態と図22に
示した実施形態とを組み合わせたものである。
FIG. 31 is a circuit diagram showing still another embodiment of the present invention, FIG. 32 is a flowchart showing an operation procedure of the circuit shown in FIG. 31, and FIG. 33 is a circuit diagram of the circuit shown in FIG. It is a timing chart for explaining the operation, and this embodiment is a combination of the embodiment shown in FIG. 19 and the embodiment shown in FIG.

【0124】すなわち、この実施形態では、図19に示
した外乱光パルス検出回路14c及びハイパスフィルタ
50に代えて、図22で説明した光量検出回路(光量モ
ニタ)14d及びパルス分検出回路15dを用いている
と共に、該パルス分検出回路15dに図22で説明した
サンプルホールド回路16dを接続し、このサンプルホ
ールド回路16dにアナログマルチプレクサ17を接続
して、マイクロコンピュータ19による切替信号に従っ
て、サンプルホールド回路16a,16b,16dの何
れかを選択し得る構成になされている。また、フリップ
フロップ60、マイクロコンピュータ19によって、発
光制御手段62が構成された状態となっている。
That is, in this embodiment, the light amount detection circuit (light amount monitor) 14d and the pulse amount detection circuit 15d described in FIG. 22 are used instead of the disturbance light pulse detection circuit 14c and the high-pass filter 50 shown in FIG. The sample and hold circuit 16d described with reference to FIG. 22 is connected to the pulse detection circuit 15d, the analog multiplexer 17 is connected to the sample and hold circuit 16d, and the sample and hold circuit 16a , 16b, and 16d. The light emission control means 62 is constituted by the flip-flop 60 and the microcomputer 19.

【0125】従って、その動作は、図20に示したフロ
ーチャートと略同様となり、異なる点は、ステップ7と
ステップ8との間に、図23に示したフローチャートの
ステップ8と同様な光量モニタ用光量読み込みを行うス
テップ7aが加わり、これに基づいて面発光LEDパネ
ル3の温度、経時的変化等による光量変動を補正した縁
部位置情報としてのソーラセル4bの端部から布縁部ま
での距離xをステップ8にて演算する構成になされてい
る。
Therefore, the operation is substantially the same as that of the flow chart shown in FIG. 20. The difference is that between step 7 and step 8, the same light quantity monitoring light quantity as step 8 of the flow chart shown in FIG. A reading step 7a is added, and based on this, the distance x from the edge of the solar cell 4b to the cloth edge as the edge position information in which the light amount fluctuation due to the temperature of the surface-emitting LED panel 3 and the temporal change is corrected. The calculation is performed in step 8.

【0126】図34は、本発明のさらに他の実施形態を
表した回路図、図35は、図34に示した回路の動作手
順を表したフローチャート、図36は、図34に示した
回路の動作を説明するためのタイミングチャートであ
り、本実施形態は、図31に示した回路図に対応するも
のである。
FIG. 34 is a circuit diagram showing still another embodiment of the present invention, FIG. 35 is a flowchart showing an operation procedure of the circuit shown in FIG. 34, and FIG. 36 is a circuit diagram of the circuit shown in FIG. 32 is a timing chart for explaining the operation, and the present embodiment corresponds to the circuit diagram shown in FIG.

【0127】すなわち、この実施形態では、図31に示
したレベル検出器51及びフリップフロップ60を省略
し、外乱光のレベル検出及び比較を、サンプルホールド
回路16dを介してマイクロコンピュータ19に読み込
んで当該マイクロコンピュータ19にて行うと共に、該
マイクロコンピュータ19にて、外乱光パルスがLED
パルス点灯とが重なったか否かを判定し重なった場合に
は当該マイクロコンピュータ19からバッファU2に発
光パルス出力を出力し、面発光LEDパネル3を再点灯
させる構成になされている。従って、光量検出回路(光
量モニタ)14d、パルス分検出回路15d、サンプル
ホールド回路16d、マイクロコンピュータ19により
外乱光パルス検出手段72が構成され、該マイクロコン
ピュータ19により発光制御手段63が構成された状態
となっている。
That is, in this embodiment, the level detector 51 and the flip-flop 60 shown in FIG. 31 are omitted, and the detection and comparison of the level of the disturbance light are read into the microcomputer 19 via the sample and hold circuit 16d and read. This is performed by the microcomputer 19, and the microcomputer 19 outputs the disturbance light pulse to the LED.
It is configured such that it is determined whether or not the pulse lighting is overlapped. If the pulse lighting is overlapped, the microcomputer 19 outputs a light emission pulse output to the buffer U2 to relight the surface light emitting LED panel 3. Therefore, the disturbance light pulse detection means 72 is constituted by the light quantity detection circuit (light quantity monitor) 14d, the pulse detection circuit 15d, the sample hold circuit 16d, and the microcomputer 19, and the light emission control means 63 is constituted by the microcomputer 19. It has become.

【0128】次に、このように構成された装置の動作に
ついて図35に示されるフローチャートに従って説明す
る。先ずステップ1において、上述したのと同様な繰り
返しカウンタの値Nを0にセットしてステップ2に進
み、ステップ2において、発光パルス出力を出力し(図
36(a)参照)、面発光LEDパネル3を点灯する
(図36(c)参照)。この時、透過率測定用光量検出
回路14aからは、図36(d)に示されるような出力
がなされ、布端位置測定用光量検出回路14bからは、
図36(e)に示されるような出力がなされ、光量モニ
タ用光量検出回路14dからは、図36(f)に示され
るような出力がなされる。
Next, the operation of the thus configured device will be described with reference to the flowchart shown in FIG. First, in step 1, the value N of the repetition counter similar to that described above is set to 0, and the process proceeds to step 2. In step 2, an emission pulse output is output (see FIG. 36A), and the surface-emitting LED panel 3 is turned on (see FIG. 36 (c)). At this time, the output as shown in FIG. 36 (d) is output from the transmittance measurement light quantity detection circuit 14a, and the cloth edge position measurement light quantity detection circuit 14b outputs
An output as shown in FIG. 36 (e) is made, and an output as shown in FIG. 36 (f) is made from the light quantity monitoring circuit 14d for light quantity monitoring.

【0129】従って、パルス分検出回路15aからは、
図36(d)に示した外乱光の光量に対応する電圧BB
が除去されて、LED素子チップ3aの光量のみに対応
する電圧AAのみが出力される(図36(g)参照)。
同様に、パルス分検出回路15bからは、図36(e)
に示した外乱光の光量に対応する電圧BB’が除去され
て、LED素子チップ3aの光量のみに対応する電圧A
A’のみが出力される(図36(h)参照)。また同様
に、パルス分検出回路15dからは、図36(f)に示
した外乱光の光量に対応する電圧BB”が除去されて、
LED素子チップ3aの光量のみに対応する電圧AA”
のみが出力される(図36(i)参照)。
Therefore, from the pulse detection circuit 15a,
Voltage BB corresponding to the amount of disturbance light shown in FIG.
Is removed, and only the voltage AA corresponding to only the light amount of the LED element chip 3a is output (see FIG. 36 (g)).
Similarly, from the pulse component detection circuit 15b, FIG.
Is removed, and the voltage A corresponding to only the light amount of the LED element chip 3a is removed.
Only A 'is output (see FIG. 36 (h)). Similarly, from the pulse detection circuit 15d, the voltage BB "corresponding to the amount of disturbance light shown in FIG.
Voltage AA "corresponding only to the light amount of LED element chip 3a"
Is output (see FIG. 36 (i)).

【0130】そして、サンプルホールド回路16aにお
いて、LED素子チップ3aの点灯するタイミングでL
ED素子チップ3aの光量のみに対応する電圧AAがホ
ールドされる(図36(j)参照)。同様に、サンプル
ホールド回路16bにおいて、LED素子チップ3aの
点灯するタイミングでLED素子チップ3aの光量のみ
に対応する電圧AA’がホールドされる(図36(k)
参照)。また同様に、サンプルホールド回路16dにお
いて、LED素子チップ3aの点灯するタイミングでL
ED素子チップ3aの光量のみに対応する電圧AA”が
ホールドされる(図36(l)参照)。
Then, in the sample-and-hold circuit 16a, when the LED element chip 3a is turned on, L
The voltage AA corresponding to only the light amount of the ED element chip 3a is held (see FIG. 36 (j)). Similarly, in the sample and hold circuit 16b, the voltage AA 'corresponding to only the light amount of the LED element chip 3a is held at the lighting timing of the LED element chip 3a (FIG. 36 (k)).
reference). Similarly, in the sample-and-hold circuit 16d, when the LED element chip 3a is turned on, L
The voltage AA "corresponding to only the light amount of the ED element chip 3a is held (see FIG. 36 (l)).

【0131】そうしたらステップ4に進み、ステップ4
において、光量モニタ用光量に対応する受光電圧Vmの
読み込みを行い(図36(l)参照)、ステップ5に進
み、ステップ5において、外乱光パルスが在るか否かを
判定する。この判定は、予めマイクロコンピュータ19
にて上記電圧AA”より若干高い電圧の閾値を設定して
おき、この閾値以上の電圧が入力されたか否かで判定す
る。従って、図36に符号(イ)で示されるケースのよ
うに、発光パルス出力後T1時間経過後に上記閾値以上
の電圧が入力されない場合(図36(l)参照)には、
外乱光パルスがLEDパルス点灯と重ならないとしてス
テップ6に進み、ステップ6において、透過率測定用光
量に対応する受光電圧Vの読み込みを行ってステップ7
に進み、ステップ7において、布端位置測定用光量に対
応する受光電圧Vxの読み込みを行ってステップ8に進
み、ステップ8において、上述したと同様に、面発光L
EDパネル3の温度、経時的変化等による光量変動を補
正した縁部位置情報としてのソーラセル4bの端部から
布縁部までの距離xを演算する。
Then, the process proceeds to Step 4 and Step 4
In step (2), the received light voltage Vm corresponding to the light amount for light amount monitoring is read (see FIG. 36 (l)), and the process proceeds to step 5, where it is determined whether or not there is a disturbance light pulse. This determination is made in advance by the microcomputer 19
, A threshold value of a voltage slightly higher than the voltage AA "is set in advance, and it is determined whether or not a voltage higher than the threshold value is input. Therefore, as shown in FIG. If a voltage higher than the threshold is not input after the elapse of T1 time after the emission pulse output (see FIG. 36 (l)),
Since it is determined that the disturbance light pulse does not overlap with the LED pulse lighting, the process proceeds to step 6, and in step 6, the received light voltage V corresponding to the light amount for transmittance measurement is read.
In step 7, the received light voltage Vx corresponding to the light amount for measuring the cloth edge position is read, and then the process proceeds to step 8. In step 8, the surface light emission L
The distance x from the edge of the solar cell 4b to the cloth edge is calculated as the edge position information obtained by correcting the light amount fluctuation due to the temperature of the ED panel 3 and the temporal change.

【0132】一方、ステップ5において、図36に符号
(ロ)、(ハ)で示されるケースのように、発光パルス
出力後T1時間経過後に上記閾値以上の電圧が入力され
た場合(図36(l)参照)には、外乱光パルスがLE
Dパルス点灯とが重なったとしてステップ9に進み、ス
テップ9において、上記繰り返しカウンタ値Nを+1加
算してしてステップ10に進み、ステップ10におい
て、繰り返しカウンタ値Nが、所定の回数N0 に達した
か否かを判定する。そして、繰り返しカウンタ値Nが所
定の回数N0 達していない場合にはステップ2にリター
ンし、ステップ2において、面発光LEDパネル3を再
点灯し、上記動作を繰り返す。
On the other hand, in step 5, when a voltage equal to or higher than the threshold is input after a lapse of T1 time after the emission pulse output, as in the case shown by reference numerals (b) and (c) in FIG. l)), the disturbance light pulse is LE
Assuming that the D-pulse lighting overlaps, the process proceeds to step 9, where the repetition counter value N is incremented by 1 and the process proceeds to step 10. In step 10, the repetition counter value N is increased to a predetermined number N 0 . It is determined whether or not it has reached. If the repetition counter value N has not reached the predetermined number of times N 0 , the process returns to step 2, and in step 2, the surface-emitting LED panel 3 is turned on again, and the above operation is repeated.

【0133】一方、ステップ10において、繰り返しカ
ウンタ値Nが、所定の回数N0 に達したと判定した場合
には、ステップ12に進み、ステップ12において、所
定の表示手段によってエラー表示を行うようになってい
る。
On the other hand, if it is determined in step 10 that the repetition counter value N has reached the predetermined number N 0 , the process proceeds to step 12, where an error display is performed by predetermined display means. Has become.

【0134】以上、図16乃至図36に示されるように
構成しても、図1乃至図6で説明した実施形態と同様な
効果を得ることができるというのはいうまでもない。
As described above, it is needless to say that the same effects as those of the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 6 can be obtained even with the configuration shown in FIGS.

【0135】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変形可能であるというのはいうまでもなく、例
えば、上記実施形態においては、光情報検出装置を生地
端制御ミシンに適用した例を述べているが、生地端制御
ミシン以外に対しても適用可能であり、例えばフィルム
または用紙等のシート状物の縁部位置、或いはその有無
等の所定の情報を取得する被測定対象物の計測装置にも
適用できる。また、先に説明したように、例えばイメー
ジセンサ等に対しても適用でき、このような適用によっ
て、撮像情報を正確に取得することができる。また、透
過方式に止まらず、反射方式においても、同様に適用で
きる。
Although the invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiments, the invention is not limited to the above-described embodiments, and can be variously modified without departing from the gist thereof. Needless to say, for example, in the above embodiment, an example is described in which the optical information detection device is applied to a cloth edge control sewing machine. Alternatively, the present invention can be applied to a measuring device for measuring an object to be measured, which obtains predetermined information such as an edge position of a sheet-like material such as a sheet or presence or absence thereof. Further, as described above, the present invention can be applied to, for example, an image sensor and the like, and imaging information can be accurately obtained by such an application. In addition, the present invention can be applied to not only the transmission system but also the reflection system.

【0136】[0136]

【発明の効果】以上述べたように、本発明の光情報検出
装置によれば、所定の検出物(被縫製物)を、パルス発
光する発光手段によって照射し、この検出物を照射した
照射光を受光手段によって受光し、この受光手段に受光
された受光光量に基づいて所定の情報(縁部情報)を情
報取得手段(縁部情報取得手段)によって取得する一方
で、上記発光手段のパルス発光時期に、パルス状の外乱
光を外乱光パルス検出手段によって検出したら、発光制
御手段によって次のパルス発光時期までに該発光手段を
再度パルス発光させ、上記情報取得手段は、この再度パ
ルス発光した時に該受光手段に受光される受光光量に基
づいて所定の情報を得ると共に、パルス状の外乱光が検
出された時における所定の情報を無視するように構成し
たものであるから、所定の情報を正確に得ることがで
き、装置の信頼性及び精度を向上することが可能とな
る。
As described above, according to the optical information detecting apparatus of the present invention, a predetermined object (a sewing object) is irradiated by the light emitting means which emits the pulse light, and the irradiation light irradiating the detected object is emitted. Is received by the light receiving means, and predetermined information (edge information) is obtained by the information obtaining means (edge information obtaining means) based on the amount of received light received by the light receiving means, while the pulse light emission of the light emitting means is performed. At the time, when the pulse-like disturbance light is detected by the disturbance light pulse detection means, the light emission control means causes the light emission means to re-pulse light by the next pulse light emission time, and the information acquisition means re-pulses the light when the pulse light is emitted again. Since predetermined information is obtained based on the amount of light received by the light receiving means, and the predetermined information when pulsed disturbance light is detected is ignored. It can be obtained accurately predetermined information, it is possible to improve the reliability and accuracy of the device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態における光情報検出装置が
適用された生地端制御ミシンを表した正面図である。
FIG. 1 is a front view illustrating a cloth edge control sewing machine to which an optical information detection device according to an embodiment of the present invention is applied.

【図2】上布用の発光、受光手段及び外乱光パルス検出
手段を構成する外乱光検出用受光手段を詳細に表した正
面図である。
FIG. 2 is a front view showing in detail a light-emitting and light-receiving means for the upper cloth and a light-receiving means for disturbance light detection which constitutes a disturbance light pulse detection means.

【図3】面発光LEDパネルを表した一部破断斜視図で
ある。
FIG. 3 is a partially cutaway perspective view showing a surface-emitting LED panel.

【図4】光情報検出装置を表した回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram illustrating an optical information detection device.

【図5】図4の回路動作を説明するためのタイミングチ
ャートである。
FIG. 5 is a timing chart for explaining the operation of the circuit in FIG. 4;

【図6】受光光量に基づく電圧と被縫製物の縁部位置と
の関係を該被縫製物の透過率をパラメータとして表した
線図である。
FIG. 6 is a diagram showing a relationship between a voltage based on the amount of received light and an edge position of a sewing object, with the transmittance of the sewing object as a parameter.

【図7】発光手段の他の実施形態を受光手段と共に拡大
して表した斜視図である。
FIG. 7 is an enlarged perspective view showing another embodiment of the light emitting means together with the light receiving means.

【図8】図7の発光手段を採用する光情報検出装置を表
した回路図である。
FIG. 8 is a circuit diagram showing an optical information detecting device employing the light emitting means of FIG.

【図9】図7の発光手段を詳細に表した説明図である。FIG. 9 is an explanatory diagram showing the light emitting unit of FIG. 7 in detail.

【図10】発光手段のさらに他の実施形態を受光手段と
共に拡大して表した斜視図である。
FIG. 10 is an enlarged perspective view showing still another embodiment of the light emitting means together with the light receiving means.

【図11】図10の発光手段を採用する光情報検出装置
を表した回路図である。
FIG. 11 is a circuit diagram showing an optical information detecting device employing the light emitting means of FIG.

【図12】発光手段のさらに他の実施形態を拡大して表
したものであり、(a)はその斜視図、(b)はその側
面図である。
FIGS. 12A and 12B are enlarged views of still another embodiment of the light emitting means, wherein FIG. 12A is a perspective view and FIG. 12B is a side view.

【図13】発光、受光手段のさらに他の実施形態を拡大
して表した斜視図である。
FIG. 13 is an enlarged perspective view of still another embodiment of the light emitting and light receiving means.

【図14】図13の発光、受光手段を採用する光情報検
出装置を表した回路図である。
FIG. 14 is a circuit diagram showing an optical information detection device employing the light emitting and receiving means of FIG.

【図15】発光、受光手段のさらに他の実施形態を拡大
して表した斜視図である。
FIG. 15 is an enlarged perspective view of still another embodiment of the light emitting and receiving means.

【図16】光情報検出装置のさらに他の実施形態を表し
た回路図である。
FIG. 16 is a circuit diagram showing still another embodiment of the optical information detecting device.

【図17】図16に示した回路の動作手順を表したフロ
ーチャートである。
17 is a flowchart showing an operation procedure of the circuit shown in FIG.

【図18】図16に示した回路動作を説明するためのタ
イミングチャートである。
FIG. 18 is a timing chart for explaining the operation of the circuit shown in FIG. 16;

【図19】光情報検出装置のさらに他の実施形態を表し
た回路図である。
FIG. 19 is a circuit diagram showing still another embodiment of the optical information detecting device.

【図20】図19に示した回路の動作手順を表したフロ
ーチャートである。
20 is a flowchart showing an operation procedure of the circuit shown in FIG.

【図21】図19に示した回路動作を説明するためのタ
イミングチャートである。
FIG. 21 is a timing chart for explaining the operation of the circuit shown in FIG. 19;

【図22】光情報検出装置のさらに他の実施形態を表し
た回路図である。
FIG. 22 is a circuit diagram showing still another embodiment of the optical information detecting device.

【図23】図22に示した回路の動作手順を表したフロ
ーチャートである。
23 is a flowchart showing an operation procedure of the circuit shown in FIG.

【図24】図22に示した回路動作を説明するためのタ
イミングチャートである。
FIG. 24 is a timing chart for explaining the operation of the circuit shown in FIG. 22;

【図25】図22に示した回路中の上布用の発光、受光
手段及び外乱光パルス検出手段、光量補正手段を構成す
る光量モニタ用受光手段を詳細に表した正面図である。
FIG. 25 is a front view showing in detail light emitting and light receiving means for the upper cloth, a disturbance light pulse detecting means, and a light quantity monitoring light receiving means constituting light quantity correcting means in the circuit shown in FIG. 22;

【図26】図6に示した線図に対応する補正線図であ
る。
FIG. 26 is a correction diagram corresponding to the diagram shown in FIG. 6;

【図27】図25に示した発光手段の他の実施形態を受
光手段と共に拡大して表した斜視図である。
FIG. 27 is an enlarged perspective view of another embodiment of the light emitting unit shown in FIG. 25 together with the light receiving unit.

【図28】光情報検出装置のさらに他の実施形態を表し
た回路図である。
FIG. 28 is a circuit diagram showing still another embodiment of the optical information detecting device.

【図29】図28に示した回路の動作手順を表したフロ
ーチャートである。
FIG. 29 is a flowchart showing an operation procedure of the circuit shown in FIG. 28;

【図30】図28に示した回路動作を説明するためのタ
イミングチャートである。
FIG. 30 is a timing chart for explaining the operation of the circuit shown in FIG. 28;

【図31】光情報検出装置のさらに他の実施形態を表し
た回路図である。
FIG. 31 is a circuit diagram showing still another embodiment of the optical information detecting device.

【図32】図31に示した回路の動作手順を表したフロ
ーチャートである。
FIG. 32 is a flowchart showing an operation procedure of the circuit shown in FIG. 31;

【図33】図31に示した回路動作を説明するためのタ
イミングチャートである。
FIG. 33 is a timing chart for explaining the operation of the circuit shown in FIG. 31;

【図34】光情報検出装置のさらに他の実施形態を表し
た回路図である。
FIG. 34 is a circuit diagram showing still another embodiment of the optical information detecting device.

【図35】図34に示した回路の動作手順を表したフロ
ーチャートである。
35 is a flowchart showing an operation procedure of the circuit shown in FIG.

【図36】図34に示した回路動作を説明するためのタ
イミングチャートである。
FIG. 36 is a timing chart for explaining the operation of the circuit shown in FIG. 34;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

3,3’,3X,20,22,35,41 発光手段 4,4’,40 受光手段 7 被縫製物 19 縁部情報取得手段 55,61,62,63 発光制御手段 70,71,72 外乱光パルス検出手段 3, 3 ', 3X, 20, 22, 35, 41 Light emitting means 4, 4', 40 Light receiving means 7 Sewing material 19 Edge information obtaining means 55, 61, 62, 63 Light emission control means 70, 71, 72 Disturbance Optical pulse detection means

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 生地端制御ミシンに適用される布端用の
光情報検出装置であって、パルス発光する照射光により
被縫製物を照射する発光手段と、この被縫製物を照射し
た照射光を受光する受光手段と、この受光手段に受光さ
れた受光光量に基づいて被縫製物の縁部情報を得る縁部
情報取得手段と、を備えた光情報検出装置において、 パルス状の外乱光を検出する外乱光パルス検出手段と、 前記発光手段のパルス発光時期にパルス状の外乱光が検
出されたら、次のパルス発光時期までに前記発光手段を
再度パルス発光させる発光制御手段と、を設け、 前記縁部情報取得手段は、前記発光手段が再度パルス発
光した場合には、この再度パルス発光した時に前記受光
手段に受光される受光光量に基づいて被縫製物の縁部情
報を得ることを特徴とする光情報検出装置。
1. An optical information detecting device for a cloth edge applied to a cloth edge control sewing machine, comprising: a light emitting means for irradiating an object to be sewn with irradiation light emitting a pulse; A light information detecting device comprising: a light receiving means for receiving light; and an edge information obtaining means for obtaining edge information of the workpiece based on the amount of light received by the light receiving means. Disturbance light pulse detection means to be detected, and when a pulsed disturbance light is detected at the pulse emission timing of the light emission means, light emission control means for causing the light emission means to emit pulse light again by the next pulse emission timing is provided, The edge information acquiring means, when the light emitting means emits a pulse again, obtains edge information of the sewing object based on the amount of light received by the light receiving means when the light emitting means emits the pulse again. To be Optical information detection device.
【請求項2】 パルス発光する照射光により所定の検出
物を照射する発光手段と、この検出物を照射した照射光
を受光する受光手段と、この受光手段に受光された受光
光量に基づいて所定の情報を得る情報取得手段と、を備
えた光情報検出装置において、 パルス状の外乱光を検出する外乱光パルス検出手段と、 前記発光手段のパルス発光時期にパルス状の外乱光が検
出されたら、次のパルス発光時期までに前記発光手段を
再度パルス発光させる発光制御手段と、を設け、 前記情報取得手段は、前記発光手段が再度パルス発光し
た場合には、この再度パルス発光した時に前記受光手段
に受光される受光光量に基づいて所定の情報を得ること
を特徴とする光情報検出装置。
2. A light emitting means for irradiating a predetermined detection object with irradiation light of pulse emission, a light receiving means for receiving irradiation light irradiating the detection object, and a predetermined light receiving means based on the amount of light received by the light receiving means. An information obtaining means for obtaining the information of the above, wherein the disturbance light pulse detection means for detecting the pulse-like disturbance light, and if the pulse-like disturbance light is detected at the pulse emission timing of the light-emitting means A light emission control means for causing the light emitting means to emit pulse light again by the next pulse light emission timing, wherein the information obtaining means, when the light emitting means emits pulse light again, the light receiving means An optical information detecting device for obtaining predetermined information based on an amount of light received by the means.
JP8185482A 1996-06-26 1996-06-26 Optical information detection device Pending JPH105473A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8185482A JPH105473A (en) 1996-06-26 1996-06-26 Optical information detection device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8185482A JPH105473A (en) 1996-06-26 1996-06-26 Optical information detection device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH105473A true JPH105473A (en) 1998-01-13

Family

ID=16171543

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8185482A Pending JPH105473A (en) 1996-06-26 1996-06-26 Optical information detection device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH105473A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105986377A (en) * 2015-02-06 2016-10-05 台达电子工业股份有限公司 Sewing machine as well as correlation type electric eye device and automatic correction method thereof

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105986377A (en) * 2015-02-06 2016-10-05 台达电子工业股份有限公司 Sewing machine as well as correlation type electric eye device and automatic correction method thereof
CN105986377B (en) * 2015-02-06 2018-10-09 台达电子工业股份有限公司 A kind of sewing machine and its correlation electric eye device and automatic method for correcting

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0663973B2 (en) Fluorescence detector used for immunoreaction measurement
US6414747B1 (en) Infrared photodetector apparatus for measuring projectile velocity
US6566670B1 (en) Method and system for guiding a web of moving material
KR970066557A (en) Infrared moisture measuring device and infrared moisture measuring method
JPH04369468A (en) Gloss detector
CN207964840U (en) The food safety comprehensive analytical equipment of fluorescence immune chromatography quantitative check can be achieved
JP6478474B2 (en) Granule inspection device
CN107003290A (en) Method and apparatus for the optical sensing of chromatographic sample
CN112964635B (en) Chip detection method and system
JPH105473A (en) Optical information detection device
JP3423518B2 (en) Moisture content detection device / moisture content measurement method and moisture content measurement device
US4652125A (en) Film inspection system
JP3630342B2 (en) Method and apparatus for measuring object
CN204389396U (en) Fluorescence detection device
US4652124A (en) Film inspection system
CN102507612A (en) Detection device for accurately setting and measuring focal length of X-ray machine and method of detection device
TW201823707A (en) Porous detection system, apparatus and method
JPH0979823A (en) Object measuring method and device
CN207650218U (en) A kind of colloid gold immune analyzer
KR920003041B1 (en) Measuring device of luster
JPH0514260B2 (en)
JPH0979816A (en) Object measuring method and device
JP2000112661A (en) Method for adjusting optical axis of scanning light for optical scanning touch panel
JP6564661B2 (en) Apparatus response function measurement method, fluorescence measurement method, and apparatus response function measurement member
CN110894914A (en) Method and device for testing optical performance of infrared light source and infrared sensor

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060531

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060627

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060825

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060920