JPH0974083A - プラズマアッシング装置 - Google Patents
プラズマアッシング装置Info
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- JPH0974083A JPH0974083A JP22926995A JP22926995A JPH0974083A JP H0974083 A JPH0974083 A JP H0974083A JP 22926995 A JP22926995 A JP 22926995A JP 22926995 A JP22926995 A JP 22926995A JP H0974083 A JPH0974083 A JP H0974083A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 キャビティー内のプラズマの立つ位置を調整
することのできるものを得る。 【解決手段】 プラズマ発振器１と、キャビティー３
と、そのキャビティー３内に配されたジャー４と、プラ
ズマ発振器１よりのプラズマをキャビティー３に導く導
波管２とを有し、ジャー４内に配された被処理物５のプ
ラズマアッシングを行うようにしたプラズマアッシング
装置において、キャビティー３にねじ込まれる調整ねじ
８、９を設け、その調整ねじ８、９のキャビティー３内
への突き出し量を調整することにより、キャビティー３
内に立つプラズマの位置を調整する。
することのできるものを得る。 【解決手段】 プラズマ発振器１と、キャビティー３
と、そのキャビティー３内に配されたジャー４と、プラ
ズマ発振器１よりのプラズマをキャビティー３に導く導
波管２とを有し、ジャー４内に配された被処理物５のプ
ラズマアッシングを行うようにしたプラズマアッシング
装置において、キャビティー３にねじ込まれる調整ねじ
８、９を設け、その調整ねじ８、９のキャビティー３内
への突き出し量を調整することにより、キャビティー３
内に立つプラズマの位置を調整する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマアッシング
（プラズマ灰化）装置に関する。
（プラズマ灰化）装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４を参照して、従来の枚葉式プラズマ
アッシング装置を説明する。このプラズマアッシング装
置は、プラズマ発振器（酸素プラズマ発振器）１と、円
筒状（直方体状、多角形筒状等も可）のキャビティー３
と、そのキャビティー３内に配されたジャー、即ち、石
英ベルジャー４と、プラズマ発振器１よりのプラズマを
キャビティー３に導く断面が円形（長方形、正方形等も
可）の導波管２とを有する。ベルジャー４内には、被処
理物としての半導体ウェーハ５が配されている。尚、導
波管２は、キャビティー３の天板上の中央で、ベルジャ
ー４の頂点に対応する部分に接続されている。導波管２
のプラズマ発振器１に近い部分には、例えば、２本のオ
ートスタブ６が挿入される如く取付けられ、導波管２の
中間部には、例えば、３本のマニュアルスタブ７が挿入
される如く取付けられている。そして、キャビティー３
内の導波管２が接続されている部分の真下にプラズマＰ
が立っている。
アッシング装置を説明する。このプラズマアッシング装
置は、プラズマ発振器（酸素プラズマ発振器）１と、円
筒状（直方体状、多角形筒状等も可）のキャビティー３
と、そのキャビティー３内に配されたジャー、即ち、石
英ベルジャー４と、プラズマ発振器１よりのプラズマを
キャビティー３に導く断面が円形（長方形、正方形等も
可）の導波管２とを有する。ベルジャー４内には、被処
理物としての半導体ウェーハ５が配されている。尚、導
波管２は、キャビティー３の天板上の中央で、ベルジャ
ー４の頂点に対応する部分に接続されている。導波管２
のプラズマ発振器１に近い部分には、例えば、２本のオ
ートスタブ６が挿入される如く取付けられ、導波管２の
中間部には、例えば、３本のマニュアルスタブ７が挿入
される如く取付けられている。そして、キャビティー３
内の導波管２が接続されている部分の真下にプラズマＰ
が立っている。
【０００３】かかるプラズマアッシング装置は、ウェー
ハ５上の不要となったエッチングマスクであるレジスト
を酸化分解して除去するものである。尚、オートスタブ
６及びマニュアルスタブ７を調整することによって、キ
ャビティー３内に立つプラズマＰを安定化させることが
できる。
ハ５上の不要となったエッチングマスクであるレジスト
を酸化分解して除去するものである。尚、オートスタブ
６及びマニュアルスタブ７を調整することによって、キ
ャビティー３内に立つプラズマＰを安定化させることが
できる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】かかる従来のプラズマ
アッシング装置では、キャビティー３内のプラズマＰの
立つ位置を調整することが出来なかった。このため、プ
ラズマアッシングレートが変動し、プラズマアッシング
レートの均一性が悪化し、プラズマダメージが増加す
る。
アッシング装置では、キャビティー３内のプラズマＰの
立つ位置を調整することが出来なかった。このため、プ
ラズマアッシングレートが変動し、プラズマアッシング
レートの均一性が悪化し、プラズマダメージが増加す
る。
【０００５】かかる点に鑑み、本発明は、プラズマ発振
器と、キャビティーと、そのキャビティー内に配された
ジャーと、プラズマ発振器よりのプラズマをキャビティ
ーに導く導波管とを有し、ジャー内に配された被処理物
のプラズマアッシングを行うようにしたプラズマアッシ
ング装置において、キャビティー内のプラズマの立つ位
置を調整することのできるものを提案しようとするもの
である。
器と、キャビティーと、そのキャビティー内に配された
ジャーと、プラズマ発振器よりのプラズマをキャビティ
ーに導く導波管とを有し、ジャー内に配された被処理物
のプラズマアッシングを行うようにしたプラズマアッシ
ング装置において、キャビティー内のプラズマの立つ位
置を調整することのできるものを提案しようとするもの
である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、プラズマ発振
器と、キャビティーと、そのキャビティー内に配された
ジャーと、プラズマ発振器よりのプラズマをキャビティ
ーに導く導波管とを有し、ジャー内に配された被処理物
のプラズマアッシングを行うようにしたプラズマアッシ
ング装置において、キャビティーにねじ込まれる調整ね
じを設け、その調整ねじのキャビティー内への突き出し
量を調整することにより、キャビティー内に立つプラズ
マの位置を調整するようにしたことを特徴とするプラズ
マアッシング装置である。
器と、キャビティーと、そのキャビティー内に配された
ジャーと、プラズマ発振器よりのプラズマをキャビティ
ーに導く導波管とを有し、ジャー内に配された被処理物
のプラズマアッシングを行うようにしたプラズマアッシ
ング装置において、キャビティーにねじ込まれる調整ね
じを設け、その調整ねじのキャビティー内への突き出し
量を調整することにより、キャビティー内に立つプラズ
マの位置を調整するようにしたことを特徴とするプラズ
マアッシング装置である。
【０００７】かかる本発明によれば、調整ねじのキャビ
ティー内への突き出し量を調整することにより、キャビ
ティー内に立つプラズマの位置が調整される。
ティー内への突き出し量を調整することにより、キャビ
ティー内に立つプラズマの位置が調整される。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下に、図１を参照して、本発明
の実施の形態を説明するも、図１において、図４に対応
する部分には、同一符号を付して説明する。このプラズ
マアッシング装置は、枚葉式プラズマアッシング装置で
あって、プラズマ発振器（酸素プラズマ発振器）１と、
円筒状（直方体状、多角形筒状等も可）のキャビティー
３と、そのキャビティー３内に配されたジャー、即ち、
石英ベルジャー４と、プラズマ発振器１よりのプラズマ
をキャビティー３に導く断面が円形（長方形、正方形等
も可）の導波管２とを有する。ベルジャー４内には、被
処理物としての半導体ウェーハ５が配されている。
の実施の形態を説明するも、図１において、図４に対応
する部分には、同一符号を付して説明する。このプラズ
マアッシング装置は、枚葉式プラズマアッシング装置で
あって、プラズマ発振器（酸素プラズマ発振器）１と、
円筒状（直方体状、多角形筒状等も可）のキャビティー
３と、そのキャビティー３内に配されたジャー、即ち、
石英ベルジャー４と、プラズマ発振器１よりのプラズマ
をキャビティー３に導く断面が円形（長方形、正方形等
も可）の導波管２とを有する。ベルジャー４内には、被
処理物としての半導体ウェーハ５が配されている。
【０００９】尚、導波管２は、キャビティー３の天板上
の中央で、ベルジャー４の頂点に対応する部分に接続さ
れている。導波管２のプラズマ発振器１に近い部分に
は、例えば、２本のオートスタブ６が挿入される如く取
付けられ、導波管２の中間部には、例えば、３本のマニ
ュアルスタブ７が挿入される如く取付けられている。オ
ートスタブ６及びマニュアルスタブ７を調整することに
よって、キャビティー３内に立つプラズマＰを安定化さ
せることができる。そして、キャビティー３内の導波管
２が接続されている部分の真下にプラズマＰが立ってい
る。
の中央で、ベルジャー４の頂点に対応する部分に接続さ
れている。導波管２のプラズマ発振器１に近い部分に
は、例えば、２本のオートスタブ６が挿入される如く取
付けられ、導波管２の中間部には、例えば、３本のマニ
ュアルスタブ７が挿入される如く取付けられている。オ
ートスタブ６及びマニュアルスタブ７を調整することに
よって、キャビティー３内に立つプラズマＰを安定化さ
せることができる。そして、キャビティー３内の導波管
２が接続されている部分の真下にプラズマＰが立ってい
る。
【００１０】そして、この実施の形態では、キャビティ
ー３の天板の導波管２の接続部の近傍、即ち、その接続
部の周辺で、その中心に対称な位置に、例えば、２本の
同形、同寸法、同材質で円柱状のねじ８、９を、その天
板に垂直にねじ込む。このねじ８、９は１本でも良く、
又、ねじ８、９のキャビティー３に対するねじ込み位置
はどこでも良いが、２本以上のねじ８、９をキャビティ
ー３の天板の導波管２の接続部の近傍にねじ込むように
した方が、キャビティー３内のプラズマＰの立つ位置の
ねじ８、９の突き出し量のに応じた移動量が大きくな
り、移動方向の自由度が高くなる。又、２本以上のねじ
８、９は同じものでなくても、又、キャビティー３の天
板のどの位置にねじ込むようにしても良いが、同形、同
寸法、同材質の２本以上のねじ８、９を、キャビティー
３の天板の導波管２の取付け部の周辺で、その中心に対
し点対称な位置（この場合は偶数本のねじ）、又は、導
波管２の取付け部の中心に中心が一致する正多角形の頂
点の位置（この場合は奇数本又は偶数本のねじ）に配し
た方が、ねじ８、９のキャビティー３内への突き出し量
に応じたプラズマＰの移動量が同じになるので、プラズ
マＰの位置の調整が容易になる。
ー３の天板の導波管２の接続部の近傍、即ち、その接続
部の周辺で、その中心に対称な位置に、例えば、２本の
同形、同寸法、同材質で円柱状のねじ８、９を、その天
板に垂直にねじ込む。このねじ８、９は１本でも良く、
又、ねじ８、９のキャビティー３に対するねじ込み位置
はどこでも良いが、２本以上のねじ８、９をキャビティ
ー３の天板の導波管２の接続部の近傍にねじ込むように
した方が、キャビティー３内のプラズマＰの立つ位置の
ねじ８、９の突き出し量のに応じた移動量が大きくな
り、移動方向の自由度が高くなる。又、２本以上のねじ
８、９は同じものでなくても、又、キャビティー３の天
板のどの位置にねじ込むようにしても良いが、同形、同
寸法、同材質の２本以上のねじ８、９を、キャビティー
３の天板の導波管２の取付け部の周辺で、その中心に対
し点対称な位置（この場合は偶数本のねじ）、又は、導
波管２の取付け部の中心に中心が一致する正多角形の頂
点の位置（この場合は奇数本又は偶数本のねじ）に配し
た方が、ねじ８、９のキャビティー３内への突き出し量
に応じたプラズマＰの移動量が同じになるので、プラズ
マＰの位置の調整が容易になる。
【００１１】次に、図２及び図３を参照して、２本のね
じ８、９のキャビティー３内への突き出し量を可変する
ことによって、キャビティー３内に立つプラズマＰの位
置がどのように変化するかを説明する。図１に示す如
く、ねじ８、９のキャビティー３内への突き出し量が、
図１に示す如き同じ突き出し量（これを基準突き出し量
とする）のとき、キャビティー３内のプラズマＰの立つ
位置が、図１に示すように天板の導波管２の取付け部の
真下の中心（これを基準位置とする）にあるものとす
る。
じ８、９のキャビティー３内への突き出し量を可変する
ことによって、キャビティー３内に立つプラズマＰの位
置がどのように変化するかを説明する。図１に示す如
く、ねじ８、９のキャビティー３内への突き出し量が、
図１に示す如き同じ突き出し量（これを基準突き出し量
とする）のとき、キャビティー３内のプラズマＰの立つ
位置が、図１に示すように天板の導波管２の取付け部の
真下の中心（これを基準位置とする）にあるものとす
る。
【００１２】図２Ａに示す如く、ねじ８、９の突き出し
量を、基準突き出し量より短く、同じ長さにすると、プ
ラズマＰの立つ位置は、キャビティー３の導波管２の真
下の中心で、基準位置より上昇する。
量を、基準突き出し量より短く、同じ長さにすると、プ
ラズマＰの立つ位置は、キャビティー３の導波管２の真
下の中心で、基準位置より上昇する。
【００１３】図２Ｂに示す如く、ねじ８の突き出し量を
基準突き出し量より長くし、ねじ９の突き出し量を９を
基準突き出し量より短くすると、プラズマＰの位置は基
準位置より下方で、ねじ８の下端に接近する。
基準突き出し量より長くし、ねじ９の突き出し量を９を
基準突き出し量より短くすると、プラズマＰの位置は基
準位置より下方で、ねじ８の下端に接近する。
【００１４】図３Ａに示す如く、ねじ８の突き出し量を
基準突き出し量より短くし、ねじ９の突き出し量を９を
基準突き出し量より長くすると、プラズマＰの位置は基
準位置より下方で、ねじ９の下端に接近する。
基準突き出し量より短くし、ねじ９の突き出し量を９を
基準突き出し量より長くすると、プラズマＰの位置は基
準位置より下方で、ねじ９の下端に接近する。
【００１５】図３Ｂに示す如く、ねじ８、９の突き出し
量を、共に基準突き出し量より長く、同じ長さにする
と、プラズマＰの立つ位置は、キャビティー３の導波管
２の真下の中心で、基準位置より下降する。
量を、共に基準突き出し量より長く、同じ長さにする
と、プラズマＰの立つ位置は、キャビティー３の導波管
２の真下の中心で、基準位置より下降する。
【００１６】この実施の形態のように、キャビティー３
の天板の導波管２の接続部の近傍、即ち、その接続部の
周辺に対称に、２本の同形、同寸法、同材質のねじ８、
９をねじ込む場合は、キャビティー３内に立つプラズマ
Ｐのー中心は、ねじ８、９の軸心を含む平面内を略移動
することになる。
の天板の導波管２の接続部の近傍、即ち、その接続部の
周辺に対称に、２本の同形、同寸法、同材質のねじ８、
９をねじ込む場合は、キャビティー３内に立つプラズマ
Ｐのー中心は、ねじ８、９の軸心を含む平面内を略移動
することになる。
【００１７】又、キャビティー３の天板の導波管２の接
続部の近傍、即ち、その接続部の周辺に３本以上のねじ
をねじ込む場合は、キャビティー３内に立つプラズマＰ
のー中心を３次元的に移動させることができる。
続部の近傍、即ち、その接続部の周辺に３本以上のねじ
をねじ込む場合は、キャビティー３内に立つプラズマＰ
のー中心を３次元的に移動させることができる。
【００１８】かかるプラズマアッシング装置によれば、
被処理物であるウェーハ５上の不要となったエッチング
マスクであるレジスト等を酸化分解して除去することが
できる。
被処理物であるウェーハ５上の不要となったエッチング
マスクであるレジスト等を酸化分解して除去することが
できる。
【００１９】
【発明の効果】上述せる本発明によれば、プラズマ発振
器と、キャビティーと、そのキャビティー内に配された
ジャーと、プラズマ発振器よりのプラズマをキャビティ
ーに導く導波管とを有し、ジャー内に配された被処理物
のプラズマアッシングを行うようにしたプラズマアッシ
ング装置において、キャビティーにねじ込まれる調整ね
じを設け、その調整ねじのキャビティー内への突き出し
量を調整することにより、キャビティー内に立つプラズ
マの位置を調整するようにしたので、キャビティー内の
プラズマの立つ位置を調整することができる。このた
め、プラズマアッシングレートの調整が容易となり、プ
ラズマアッシングレートの均一性が向上し、プラズマダ
メージが減少する。
器と、キャビティーと、そのキャビティー内に配された
ジャーと、プラズマ発振器よりのプラズマをキャビティ
ーに導く導波管とを有し、ジャー内に配された被処理物
のプラズマアッシングを行うようにしたプラズマアッシ
ング装置において、キャビティーにねじ込まれる調整ね
じを設け、その調整ねじのキャビティー内への突き出し
量を調整することにより、キャビティー内に立つプラズ
マの位置を調整するようにしたので、キャビティー内の
プラズマの立つ位置を調整することができる。このた
め、プラズマアッシングレートの調整が容易となり、プ
ラズマアッシングレートの均一性が向上し、プラズマダ
メージが減少する。
【００２０】又、この本発明のプラズマアッシング装置
において、調整ねじを複数本とし、キャビティーの導波
管の接続部の近傍にねじ込むときは、上述の本発明の効
果に加えて、その複数本の調整ねじのキャビティー内へ
の突き出し量に応じた、キャビティー内に立つプラズマ
の位置の移動量が大きく、又、移動方向の自由度が高く
なる。
において、調整ねじを複数本とし、キャビティーの導波
管の接続部の近傍にねじ込むときは、上述の本発明の効
果に加えて、その複数本の調整ねじのキャビティー内へ
の突き出し量に応じた、キャビティー内に立つプラズマ
の位置の移動量が大きく、又、移動方向の自由度が高く
なる。
【図１】本発明の実施の形態を示す略線図である。
【図２】その実施の形態の動作状態を示す略線図であ
る。
る。
【図３】その実施の形態の動作状態を示す略線図であ
る。
る。
【図４】従来例を示す略線図である。
１ プラズマ発振器 ２ 導波管 ３ キャビティー ４ 石英ベルジャー ５ ウェーハ ６ オートスタブ ７ マニュアルスタブ ８ ねじ ９ ねじ Ｐ プラズマ
Claims (2)
- 【請求項１】 プラズマ発振器と、キャビティーと、該
キャビティー内に配されたジャーと、上記プラズマ発振
器よりのプラズマを上記キャビティーに導く導波管とを
有し、上記ジャー内に配された被処理物のプラズマアッ
シングを行うようにしたプラズマアッシング装置におい
て、 上記キャビティーにねじ込まれる調整ねじを設け、 該調整ねじの上記キャビティー内への突き出し量を調整
することにより、上記キャビティー内に立つプラズマの
位置を調整するようにしたことを特徴とするプラズマア
ッシング装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載のプラズマアッシング装
置において、 上記調整ねじは複数本であって、上記キャビティーの上
記導波管の接続部の近傍にねじ込まれてなることを特徴
とするプラズマアッシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22926995A JPH0974083A (ja) | 1995-09-06 | 1995-09-06 | プラズマアッシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22926995A JPH0974083A (ja) | 1995-09-06 | 1995-09-06 | プラズマアッシング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0974083A true JPH0974083A (ja) | 1997-03-18 |
Family
ID=16889472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22926995A Pending JPH0974083A (ja) | 1995-09-06 | 1995-09-06 | プラズマアッシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0974083A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6653788B2 (en) | 2000-10-18 | 2003-11-25 | Hitachi, Ltd. | Magnetron having a lowered oscillation frequency and processing equipment employing the same |
| CN1333489C (zh) * | 2005-03-23 | 2007-08-22 | 长飞光纤光缆有限公司 | 等离子体谐振腔可调谐波导装置 |
-
1995
- 1995-09-06 JP JP22926995A patent/JPH0974083A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6653788B2 (en) | 2000-10-18 | 2003-11-25 | Hitachi, Ltd. | Magnetron having a lowered oscillation frequency and processing equipment employing the same |
| CN1333489C (zh) * | 2005-03-23 | 2007-08-22 | 长飞光纤光缆有限公司 | 等离子体谐振腔可调谐波导装置 |
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