JPH0964602A - Transmission line - Google Patents
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- JPH0964602A JPH0964602A JP7214963A JP21496395A JPH0964602A JP H0964602 A JPH0964602 A JP H0964602A JP 7214963 A JP7214963 A JP 7214963A JP 21496395 A JP21496395 A JP 21496395A JP H0964602 A JPH0964602 A JP H0964602A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、マイクロ波帯以
上の周波数で用いる平面回路（ＭＭＩＣ）等に使用され
る伝送線路に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transmission line used for a planar circuit (MMIC) used in frequencies higher than the microwave band.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の伝送線路について図２０及び図２
１を参照しながら説明する。図２０は、従来のスイッチ
回路の平面を示す図である。また、図２１は、図２０の
ＲＦ／ＤＣマイクロストリップ線路交差部を示す斜視図
である。2. Description of the Related Art A conventional transmission line is shown in FIGS.
1 will be described. FIG. 20 is a plan view of a conventional switch circuit. 21 is a perspective view showing an RF / DC microstrip line intersection portion of FIG.
【０００３】図２０及び図２１において、１はＧａＡｓ
基板、２はＲＦマイクロストリップ線路、３はＤＣマイ
クロストリップ線路、４はエアブリッジ部である。ま
た、５はＲＦ信号入力パッド、６及び７はＲＦ信号出力
パッド、８及び９はＤＣ印加用パッド、１０及び１１は
ＦＥＴゲート電極である。20 and 21, 1 is GaAs
A substrate, 2 is an RF microstrip line, 3 is a DC microstrip line, and 4 is an air bridge portion. Further, 5 is an RF signal input pad, 6 and 7 are RF signal output pads, 8 and 9 are DC application pads, and 10 and 11 are FET gate electrodes.
【０００４】ＤＣ印加用パッド８、９から電圧を例えば
０／−５Ｖと切替えることで、ＲＦ信号入力パッド５か
ら入力されるＲＦ信号をＲＦ信号出力パッド６あるいは
７に出力させる。The RF signal input from the RF signal input pad 5 is output to the RF signal output pad 6 or 7 by switching the voltage from the DC application pads 8 and 9 to 0 / -5V, for example.
【０００５】回路パターン内でのＤＣ印加用パッド８、
９の位置は回路の実装あるいはシステム側から制限され
るため、ＲＦマイクロストリップ線路２と、ＤＣマイク
ロストリップ線路３とを交差させる必要が生じる。DC application pads 8 in the circuit pattern,
Since the position of 9 is limited from the circuit mounting or system side, it is necessary to cross the RF microstrip line 2 and the DC microstrip line 3.
【０００６】このＲＦマイクロストリップ線路２と、Ｄ
Ｃマイクロストリップ線路３の交差部において、従来
は、図２１に示すように、ＤＣマイクロストリップ線路
３側をエアブリッジとしていた。This RF microstrip line 2 and D
At the intersection of the C microstrip line 3, conventionally, the DC microstrip line 3 side is used as an air bridge as shown in FIG.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
伝送線路では、ＲＦ／ＤＣマイクロストリップ線路交差
部での特性インピーダンスの変化による反射損が大きい
という問題点があった。The conventional transmission line as described above has a problem that the reflection loss due to a change in the characteristic impedance at the RF / DC microstrip line intersection is large.
【０００８】この発明は、前述した問題点を解決するた
めになされたもので、ＲＦ／ＤＣ、ＲＦ／ＲＦマイクロ
ストリップ線路交差部での特性インピーダンスの変化に
よる反射損を低減することができる伝送線路を得ること
を目的とする。The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is possible to reduce the reflection loss due to the change in the characteristic impedance at the intersection of the RF / DC and RF / RF microstrip lines. Aim to get.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】この発明に係る伝送線路
は、基板面に設けられたＲＦマイクロストリップ線路と
ＤＣマイクロストリップ線路の交差部において、前記Ｄ
Ｃマイクロストリップ線路を下部線路とし、前記ＲＦマ
イクロストリップ線路を上部線路であるエアブリッジと
したものである。A transmission line according to the present invention has the above-mentioned D at an intersection of an RF microstrip line and a DC microstrip line provided on a substrate surface.
The C microstrip line is a lower line, and the RF microstrip line is an air bridge which is an upper line.
【００１０】また、この発明に係る伝送線路は、前記Ｄ
Ｃマイクロストリップ線路の線路幅と前記ＲＦマイクロ
ストリップ線路の線路幅とを同じにしたものである。Further, the transmission line according to the present invention is the above-mentioned D.
The line width of the C microstrip line is the same as the line width of the RF microstrip line.
【００１１】また、この発明に係る伝送線路は、前記Ｄ
Ｃマイクロストリップ線路の線路幅を前記ＲＦマイクロ
ストリップ線路の線路幅よりも狭くしたものである。The transmission line according to the present invention is the above-mentioned D
The line width of the C microstrip line is narrower than the line width of the RF microstrip line.
【００１２】また、この発明に係る伝送線路は、前記Ｄ
Ｃマイクロストリップ線路の線路幅を前記ＲＦマイクロ
ストリップ線路の線路幅の約半分にしたものである。Further, the transmission line according to the present invention is the above-mentioned D.
The line width of the C microstrip line is approximately half the line width of the RF microstrip line.
【００１３】また、この発明に係る伝送線路は、前記Ｄ
Ｃマイクロストリップ線路の線路幅を前記ＲＦマイクロ
ストリップ線路の線路幅の半分以下にしたものである。The transmission line according to the present invention is the above-mentioned D
The line width of the C microstrip line is less than half the line width of the RF microstrip line.
【００１４】また、この発明に係る伝送線路は、前記Ｒ
Ｆマイクロストリップ線路のエアブリッジ部分の線路幅
を前記ＲＦマイクロストリップ線路の基板に接した部分
の線路幅よりも狭くしたものである。The transmission line according to the present invention is the R
The line width of the air bridge portion of the F microstrip line is made narrower than the line width of the portion of the RF microstrip line in contact with the substrate.
【００１５】また、この発明に係る伝送線路は、前記エ
アブリッジ部分の線路幅を前記ＤＣマイクロストリップ
線路の線路幅とを同じにしたものである。In the transmission line according to the present invention, the line width of the air bridge portion is the same as the line width of the DC microstrip line.
【００１６】また、この発明に係る伝送線路は、前記エ
アブリッジ部分の線路幅を前記ＤＣマイクロストリップ
線路の線路幅よりも狭くしたものである。Further, in the transmission line according to the present invention, the line width of the air bridge portion is made narrower than the line width of the DC microstrip line.
【００１７】また、この発明に係る伝送線路は、前記エ
アブリッジ部分の線路幅を前記ＤＣマイクロストリップ
線路の線路幅の約半分にしたものである。Also, in the transmission line according to the present invention, the line width of the air bridge portion is approximately half the line width of the DC microstrip line.
【００１８】また、この発明に係る伝送線路は、前記エ
アブリッジ部分の線路幅を前記ＤＣマイクロストリップ
線路の線路幅の半分以下にしたものである。Also, in the transmission line according to the present invention, the line width of the air bridge portion is set to be half or less of the line width of the DC microstrip line.
【００１９】また、この発明に係る伝送線路は、前記Ｒ
Ｆマイクロストリップ線路のエアブリッジ部分前後にイ
ンピーダンス変換部を設けたものである。The transmission line according to the present invention has the above-mentioned R
An impedance conversion section is provided before and after the air bridge portion of the F microstrip line.
【００２０】また、この発明に係る伝送線路は、前記エ
アブリッジ部分前後にインピーダンス変換部を設け、前
記エアブリッジ部分の線路幅を前記ＤＣマイクロストリ
ップ線路の線路幅とを同じにしたものである。In the transmission line according to the present invention, impedance conversion portions are provided before and after the air bridge portion, and the line width of the air bridge portion is the same as the line width of the DC microstrip line.
【００２１】また、この発明に係る伝送線路は、基板面
に設けられた第１のＲＦマイクロストリップ線路と第２
のＲＦマイクロストリップ線路の交差部において、前記
第２のＲＦマイクロストリップ線路を下部線路とし、前
記第１のＲＦマイクロストリップ線路を上部線路である
エアブリッジとしたものである。Further, the transmission line according to the present invention includes the first RF microstrip line and the second RF microstrip line provided on the substrate surface.
At the intersection of the RF microstrip lines, the second RF microstrip line is a lower line, and the first RF microstrip line is an air bridge that is an upper line.
【００２２】また、この発明に係る伝送線路は、前記第
１のＲＦマイクロストリップ線路の線路幅と前記第２の
ＲＦマイクロストリップ線路の線路幅とを同じにしたも
のである。Further, in the transmission line according to the present invention, the line width of the first RF microstrip line and the line width of the second RF microstrip line are the same.
【００２３】また、この発明に係る伝送線路は、前記第
１のＲＦマイクロストリップ線路の線路幅を前記第２の
ＲＦマイクロストリップ線路の線路幅よりも狭くしたも
のである。In the transmission line according to the present invention, the line width of the first RF microstrip line is narrower than the line width of the second RF microstrip line.
【００２４】また、この発明に係る伝送線路は、前記第
１及び第２のＲＦマイクロストリップ線路の交差部の線
路幅を前記第１及び第２のＲＦマイクロストリップ線路
の基板に接した部分の線路幅よりも狭くしたものであ
る。In the transmission line according to the present invention, the line width of the intersection of the first and second RF microstrip lines is in contact with the substrate of the first and second RF microstrip lines. It is narrower than the width.
【００２５】さらに、この発明に係る伝送線路は、前記
交差部の前記上部線路及び前記下部線路間に誘電体を挿
入したものである。Further, in the transmission line according to the present invention, a dielectric is inserted between the upper line and the lower line at the intersection.
【００２６】[0026]
実施の形態１．以下、この発明の実施の形態１について
図１から図７までを参照しながら説明する。図１は、こ
の実施の形態１のＲＦ／ＤＣマイクロストリップ線路交
差部を示す斜視図である。また、図２及び図３は、この
実施の形態１及び従来例のエアブリッジ部分の断面とそ
れぞれの電磁界解析に用いた線路モデルを示す図であ
る。さらに、図４から図７までは、この実施の形態１の
電磁界解析の計算結果であって、ＲＦ信号の通過損失を
示す図である。なお、各図中、同一符号は同一又は相当
部分を示す。Embodiment 1. Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a perspective view showing an RF / DC microstrip line intersection portion of the first embodiment. 2 and 3 are views showing a cross section of the air bridge portion of the first embodiment and the conventional example and a line model used for each electromagnetic field analysis. Further, FIGS. 4 to 7 are diagrams showing the calculation results of the electromagnetic field analysis of the first embodiment and showing the passage loss of the RF signal. In the drawings, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.
【００２７】図１において、１は基板厚が１００μｍの
ＧａＡｓ基板、２ＡはＡｕ等からなり膜厚が２μｍ、線
路幅が７０μｍのＲＦマイクロストリップ線路、３Ａは
Ａｕ等からなり膜厚が２μｍ、線路幅がｗ１（＝７０、
４０、２０、１０μｍ）のＤＣマイクロストリップ線
路、４は高さが４μｍのエアブリッジ部である。In FIG. 1, 1 is a GaAs substrate having a substrate thickness of 100 μm, 2A is an Au micro film having a thickness of 2 μm, and a line width is an RF microstrip line having a line width of 70 μm. 3A is a film having an Au film having a thickness of 2 μm. The width is w1 (= 70,
40, 20, 10 μm) DC microstrip line 4 is an air bridge portion having a height of 4 μm.
【００２８】なお、上記エアブリッジ部４の高さは、Ｄ
Ｃマイクロストリップ線路３Ａの表（上）面からＲＦマ
イクロストリップ線路２Ａの下面までの距離である。ま
た、ストリップ線路はＴＥＭ波を伝送させることができ
るのに対して、このマイクロストリップ線路は進行方向
にも電磁界分布を持った混成波を伝送させることができ
る。さらに、この実施の形態１は、下側に接地導体をも
つグラウンデッドコプレーナ線路（ＧＣＰＷ：Ｇrounde
d Ｃo-Ｐlanar Ｗaveguide）に関するものである。下側
に接地導体をもたないコプレーナ線路に較べて、このグ
ラウンデッドコプレーナ線路はその電界が下側の接地導
体に向けて走っている割合が高い。その割合はグラウン
デッドコプレーナ線路の基板厚に依存する。The height of the air bridge portion 4 is D
It is the distance from the front (upper) surface of the C microstrip line 3A to the lower surface of the RF microstrip line 2A. Further, while the strip line can transmit a TEM wave, this microstrip line can transmit a mixed wave having an electromagnetic field distribution also in the traveling direction. Furthermore, this Embodiment 1 is a grounded coplanar line (GCPW: Grounde) which has a grounding conductor on the lower side.
d Co-Planar Waveguide). The grounded coplanar line has a higher proportion of its electric field running toward the lower ground conductor, as compared to the coplanar line having no ground conductor on the lower side. The ratio depends on the substrate thickness of the grounded coplanar line.
【００２９】図１に示すように、ＲＦマイクロストリッ
プ線路２Ａ側をエアブリッジとすることにより、ＲＦ／
ＤＣマイクロストリップ線路交差部での特性インピーダ
ンスの変化を最小とすることが可能となる。As shown in FIG. 1, by using an air bridge on the RF microstrip line 2A side, the RF /
It is possible to minimize the change in the characteristic impedance at the intersection of the DC microstrip lines.
【００３０】図２及び図３において、それぞれの（ａ）
は交差部の断面、（ｂ）はその線路モデルを示し、１２
は空気、１３はシールド導体を示す。2 and 3, each (a)
Shows the cross section of the intersection, (b) shows the line model,
Indicates air, and 13 indicates a shield conductor.
【００３１】図４から図７までにおいて、横軸は周波数
（ＧＨＺ）、縦軸はＲＦ信号の通過損失（Ｓパラメー
タ：│Ｓ21│）（ｄＢ１０：１０ｌｏｇ10（ｍａｇ（Ｓ
２１）））である。In FIGS. 4 to 7, the horizontal axis represents frequency (GHZ) and the vertical axis represents RF signal passage loss (S parameter: | S 21 |) (dB 10:10 log 10 (mag (S
21))).
【００３２】ＲＦ／ＤＣマイクロストリップ線路交差部
について電磁界解析を行い、その計算（シミュレーショ
ン）結果を図４〜図７に示す。この実施の形態１のシミ
ュレーションについては、図２（ａ）に示す実施の形態
１のエアブリッジ部分の断面に対応させて、同図（ｂ）
に示す線路モデルに基づいて行った。同様に、従来例の
シミュレーションについては、図３（ａ）に示す従来例
のエアブリッジ部分の断面に対応させて、同図（ｂ）に
示す線路モデルに基づいて行った。Electromagnetic field analysis was performed on the RF / DC microstrip line intersection, and the calculation (simulation) results are shown in FIGS. In the simulation of the first embodiment, the cross section of the air bridge portion of the first embodiment shown in FIG.
It was performed based on the line model shown in. Similarly, the simulation of the conventional example was performed based on the line model shown in FIG. 3B corresponding to the cross section of the air bridge portion of the conventional example shown in FIG.
【００３３】図４〜図７のグラフには、ＲＦマイクロス
トリップ線路２Ａをエアブリッジとした実施の形態１を
＊印で、ＲＦマイクロストリップ線路２を下部線路とし
た従来例を〇印でプロットしたものを示す。なお、従来
のＲＦマイクロストリップ線路２は、線路長が１３０μ
ｍ、線路幅が７０μｍの場合の計算例である。また、略
直線状にプロットされているものは、線路長が１３０μ
ｍ、線路幅が７０μｍであって、交差なしの通常のマイ
クロストリップスルー線路の通過損失を表わす。In the graphs of FIGS. 4 to 7, the first embodiment in which the RF microstrip line 2A is an air bridge is plotted by *, and the conventional example in which the RF microstrip line 2 is a lower line is plotted by ◯. Show things. The conventional RF microstrip line 2 has a line length of 130 μm.
m is an example of calculation when the line width is 70 μm. Moreover, the line length of 130 μ is plotted in a substantially straight line.
m, the line width is 70 μm, and represents the passage loss of a normal microstrip through line without crossing.
【００３４】図４は、ＲＦマイクロストリップ線路２Ａ
の線路幅が７０μｍ、ＤＣマイクロストリップ線路３Ａ
の線路幅ｗ１が７０μｍの場合のＲＦ信号の通過損失を
表す。また、図５は、ＲＦマイクロストリップ線路２Ａ
の線路幅が７０μｍ、ＤＣマイクロストリップ線路３Ａ
の線路幅ｗ１が４０μｍの場合を表す。また、図６は、
ＲＦマイクロストリップ線路２Ａの線路幅が７０μｍ、
ＤＣマイクロストリップ線路３Ａの線路幅ｗ１が２０μ
ｍの場合を表す。さらに、図７は、ＲＦマイクロストリ
ップ線路２Ａの線路幅が７０μｍ、ＤＣマイクロストリ
ップ線路３Ａの線路幅ｗ１が１０μｍの場合を表す。な
お、ＲＦマイクロストリップ線路２Ａ及びＤＣマイクロ
ストリップ線路３Ａの線路長は１３０μｍの場合であ
る。FIG. 4 shows an RF microstrip line 2A.
Line width of 70μm, DC microstrip line 3A
Represents the passage loss of the RF signal when the line width w1 of is 70 μm. Further, FIG. 5 shows an RF microstrip line 2A.
Line width of 70μm, DC microstrip line 3A
Shows the case where the line width w1 is 40 μm. In addition, FIG.
The line width of the RF microstrip line 2A is 70 μm,
The line width w1 of the DC microstrip line 3A is 20μ
represents the case of m. Further, FIG. 7 shows a case where the line width of the RF microstrip line 2A is 70 μm and the line width w1 of the DC microstrip line 3A is 10 μm. The line lengths of the RF microstrip line 2A and the DC microstrip line 3A are 130 μm.
【００３５】これらの図より、従来のＲＦマイクロスト
リップ線路２が下部線路となる場合（〇印）よりも、こ
の実施の形態１によるＲＦマイクロストリップ線路２Ａ
がエアブリッジとなる場合（×印）の方が低損失となる
ことがわかる。From these figures, the RF microstrip line 2A according to the first embodiment is more than the case where the conventional RF microstrip line 2 is the lower line (marked with a circle).
It can be seen that when is an air bridge (marked with x), the loss is lower.
【００３６】ＲＦマイクロストリップ線路の特性インピ
ーダンスは下記の式１によって表される。なお、式１に
おいて、Ｚ0は特性インピーダンス、Ｌは単位長さ当た
りのインダクタンス、Ｃは単位長さ当たりの線路導体と
グランド導体間のキャパシタンスである。The characteristic impedance of the RF microstrip line is expressed by the following equation 1. In Equation 1, Z 0 is the characteristic impedance, L is the inductance per unit length, and C is the capacitance between the line conductor and the ground conductor per unit length.
【００３７】Ｚ0＝√（Ｌ／Ｃ） ・・・ 式１Z 0 = √ (L / C) Equation 1
【００３８】交差のあるＲＦマイクロストリップ線路の
場合は、単なるマイクロストリップスルー線路の場合と
比較して、式１のキャパシタンスＣが大きくなるため、
特性インピーダンスは小さくなる。また、解析の結果、
キャパシタンスＣの増加の程度が、図２及び図３に示す
ように、従来例よりもこの実施の形態１の方が小さいた
め、低損失となることが明らかとなった。In the case of the RF microstrip line having the crossing, the capacitance C of the equation 1 becomes large as compared with the case of the mere microstrip through line.
The characteristic impedance becomes small. Also, as a result of the analysis,
As shown in FIGS. 2 and 3, the degree of increase of the capacitance C is smaller in the first embodiment than in the conventional example, so that it becomes clear that the loss is low.
【００３９】以上のように、この実施の形態１によれば
ＲＦ／ＤＣマイクロストリップ線路交差部での特性イン
ピーダンスの変化による反射損（通過損失）を低減する
ことが可能となり、積極的な回路の小型化、高機能化が
実現できる。As described above, according to the first embodiment, it is possible to reduce the reflection loss (passage loss) due to the change in the characteristic impedance at the RF / DC microstrip line crossing portion, and the positive circuit Miniaturization and high functionality can be realized.
【００４０】実施の形態２．この発明の実施の形態２に
ついて図８から図１０までを参照しながら説明する。図
８は、この実施の形態２のＲＦ／ＤＣマイクロストリッ
プ線路交差部を示す斜視図である。さらに、図９及び図
１０は、この実施の形態２の電磁界解析の計算結果であ
って、ＲＦ信号の通過損失を示す図である。Embodiment 2 The second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 8 to 10. FIG. 8 is a perspective view showing an RF / DC microstrip line intersection portion of the second embodiment. Further, FIGS. 9 and 10 are diagrams showing the calculation results of the electromagnetic field analysis of the second embodiment and showing the passage loss of the RF signal.
【００４１】図８において、１はＧａＡｓ基板、２Ｂは
ＲＦマイクロストリップ線路、３ＡはＤＣマイクロスト
リップ線路、４はエアブリッジ部である。なお、ＲＦマ
イクロストリップ線路２Ｂのエアブリッジ部４の線路幅
ｗ２は、ＧａＡｓ基板１に接した線路部分の線路幅より
も狭くなっている。また、基本的な構造、材質等は上記
実施の形態１と同様であり、各部の寸法は図８に示すと
おりである。In FIG. 8, 1 is a GaAs substrate, 2B is an RF microstrip line, 3A is a DC microstrip line, and 4 is an air bridge portion. The line width w2 of the air bridge portion 4 of the RF microstrip line 2B is narrower than the line width of the line portion in contact with the GaAs substrate 1. The basic structure, material, etc. are the same as those in the first embodiment, and the dimensions of each part are as shown in FIG.
【００４２】図９及び図１０において、横軸は周波数
（ＧＨＺ）、縦軸はＲＦ信号の通過損失（Ｓパラメー
タ：│Ｓ21│）（ｄＢ２０：２０ｌｏｇ10（ｍａｇ（Ｓ
２１））、ｄＢ１０：１０ｌｏｇ10（ｍａｇ（Ｓ２
１）））である。なお、ＲＦ／ＤＣマイクロストリップ
線路交差部についての電磁界解析（シミュレーション）
は上記実施の形態１と同様である。9 and 10, the horizontal axis represents frequency (GHZ) and the vertical axis represents RF signal passage loss (S parameter: | S 21 |) (dB20: 20log 10 (mag (S
21)), dB10: 10 log 10 (mag (S2
1))). In addition, electromagnetic field analysis (simulation) of RF / DC microstrip line intersection
Is the same as in the first embodiment.
【００４３】図９及び図１０のグラフには、ＲＦマイク
ロストリップ線路２Ｂのエアブリッジ部４の線路幅ｗ２
が７０μｍの場合を〇印で、線路幅ｗ２が４０μｍの場
合を×印で、線路幅ｗ２が２０μｍの場合を＊印でプロ
ットしたものを示す。なお、図９及び図１０は縦軸のス
ケールが相違するだけである。また、略直線状にプロッ
トされているものは、交差なしの通常のマイクロストリ
ップスルー線路の通過損失を表わす。In the graphs of FIGS. 9 and 10, the line width w2 of the air bridge portion 4 of the RF microstrip line 2B is shown.
Shows a plot with ◯ when 70 μm, a cross with a line width w2 of 40 μm, and a cross with a line width w2 of 20 μm. 9 and 10 are different only in the scale of the vertical axis. Also, what is plotted in a substantially straight line represents the passage loss of a normal microstrip through line without crossing.
【００４４】上記実施の形態１で、線路交差部における
損失の増大は、式１のキャパシタンスＣの増大による特
性インピーダンスの変化に帰因することを示した。そこ
で、ＲＦマイクロストリップ線路２Ｂのエアブリッジ部
４の特性インピーダンスをＧａＡｓ基板１に接した線路
部分の特性インピーダンスと一致させるために、この実
施の形態２のエアブリッジ部４の線路幅ｗ２は、ＧａＡ
ｓ基板１に接した線路部分の線路幅よりも狭くなってい
る。In the first embodiment described above, it is shown that the increase in loss at the line crossing portion is attributed to the change in the characteristic impedance due to the increase in the capacitance C in the equation 1. Therefore, in order to match the characteristic impedance of the air bridge portion 4 of the RF microstrip line 2B with the characteristic impedance of the line portion in contact with the GaAs substrate 1, the line width w2 of the air bridge portion 4 of the second embodiment is GaA.
It is narrower than the line width of the line portion in contact with the substrate 1.
【００４５】このようにすることで、図９及び図１０に
示すように、交差部でのキャパシタンスＣの増大を最小
とし、一方で式１のインダクタンスＬを増加させ、特性
インピーダンスの変化を抑制することができ、交差部で
の損失を低減できる。By doing so, as shown in FIGS. 9 and 10, the increase of the capacitance C at the intersection is minimized, while the inductance L of the equation 1 is increased, and the change of the characteristic impedance is suppressed. Therefore, the loss at the intersection can be reduced.
【００４６】実施の形態３．この発明の実施の形態３に
ついて図１１から図１３までを参照しながら説明する。
図１１は、この実施の形態３のＲＦ／ＤＣマイクロスト
リップ線路交差部を示す斜視図である。さらに、図１２
及び図１３は、この実施の形態３の電磁界解析の計算結
果であって、ＲＦ信号の通過損失を示す図である。Embodiment 3 A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 11 to 13.
FIG. 11 is a perspective view showing an RF / DC microstrip line intersection portion of the third embodiment. Further, FIG.
13 and FIG. 13 are diagrams showing the calculation results of the electromagnetic field analysis of the third embodiment and showing the passage loss of the RF signal.
【００４７】図１１において、１はＧａＡｓ基板、２Ｃ
はＲＦマイクロストリップ線路、３ＡはＤＣマイクロス
トリップ線路、４はエアブリッジ部である。なお、ＲＦ
マイクロストリップ線路２Ｃのエアブリッジ部４の前後
にインピーダンス変換部１４を設け、交差部での反射の
影響を低減している。また、基本的な構造、材質等は上
記実施の形態１と同様であり、各部の寸法は図１１に示
すとおりである。In FIG. 11, 1 is a GaAs substrate, 2C
Is an RF microstrip line, 3A is a DC microstrip line, and 4 is an air bridge portion. Note that RF
Impedance conversion units 14 are provided before and after the air bridge unit 4 of the microstrip line 2C to reduce the influence of reflection at the intersection. The basic structure, material, etc. are the same as those in the first embodiment, and the dimensions of each part are as shown in FIG.
【００４８】図１２及び図１３において、横軸は周波数
（ＧＨＺ）、縦軸はＲＦ信号の通過損失（Ｓパラメー
タ：│Ｓ21│）（ｄＢ２０：２０ｌｏｇ10（ｍａｇ（Ｓ
２１））、ｄＢ１０：１０ｌｏｇ10（ｍａｇ（Ｓ２
１）））である。なお、ＲＦ／ＤＣマイクロストリップ
線路交差部についての電磁界解析（シミュレーション）
は上記実施の形態１と同様である。In FIGS. 12 and 13, the horizontal axis represents frequency (GHZ) and the vertical axis represents RF signal passage loss (S parameter: | S 21 |) (dB 20:20 log 10 (mag (S
21)), dB10: 10 log 10 (mag (S2
1))). In addition, electromagnetic field analysis (simulation) of RF / DC microstrip line intersection
Is the same as in the first embodiment.
【００４９】図１２及び図１３のグラフには、ＲＦマイ
クロストリップ線路２Ｃのエアブリッジ部４の高さｈが
２μｍの場合を〇印で、高さｈが１５μｍの場合を×印
でプロットしたものを示す。なお、図１２及び図１３は
縦軸のスケールが相違するだけである。また、略直線状
にプロットされているものは、交差なしの通常のマイク
ロストリップスルー線路の通過損失を表わす。In the graphs of FIG. 12 and FIG. 13, the case where the height h of the air bridge portion 4 of the RF microstrip line 2C is 2 μm is plotted with a circle, and the case where the height h is 15 μm is plotted with a cross. Indicates. 12 and 13 are different only in the scale of the vertical axis. Also, what is plotted in a substantially straight line represents the passage loss of a normal microstrip through line without crossing.
【００５０】ＲＦマイクロストリップ線路２Ｃのエアブ
リッジ部４の特性インピーダンスと、ＧａＡｓ基板１に
接した線路部分の特性インピーダンスの違いによるエア
ブリッジ部４での反射を打ち消すため、エアブリッジ部
４前後の線路幅を調整するように、インピーダンス変換
部１４を設け、交差部での反射の影響を低減できる。In order to cancel the reflection at the air bridge portion 4 due to the difference between the characteristic impedance of the air bridge portion 4 of the RF microstrip line 2C and the characteristic impedance of the line portion in contact with the GaAs substrate 1, the lines before and after the air bridge portion 4 are canceled. The impedance converter 14 is provided so as to adjust the width, and the influence of reflection at the intersection can be reduced.
【００５１】実施の形態４．この発明の実施の形態４に
ついて図１４から図１８までを参照しながら説明する。
図１４は、この実施の形態４のＲＦ／ＲＦマイクロスト
リップ線路交差部を示す斜視図である。さらに、図１５
から図１８までは、この実施の形態４の電磁界解析の計
算結果であって、ＲＦ信号の通過損失を示す図である。Embodiment 4 FIG. A fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 14 to 18.
FIG. 14 is a perspective view showing an RF / RF microstrip line intersection portion of the fourth embodiment. Further, FIG.
18 to 18 are diagrams showing the calculation results of the electromagnetic field analysis of the fourth embodiment and showing the passage loss of the RF signal.
【００５２】図１４において、１はＧａＡｓ基板、２Ｂ
及び２ＤはＲＦマイクロストリップ線路、４はエアブリ
ッジ部である。なお、ＲＦ／ＲＦマイクロストリップ線
路交差部において、両方の線路幅が狭くなっている。ま
た、基本的な構造、材質等は上記実施の形態１と同様で
あり、各部の寸法は図１４に示すとおりである。In FIG. 14, 1 is a GaAs substrate, 2B
2 and 2D are RF microstrip lines, and 4 is an air bridge part. Both line widths are narrowed at the RF / RF microstrip line intersections. The basic structure, material, etc. are the same as those in the first embodiment, and the dimensions of each part are as shown in FIG.
【００５３】図１５から図１８までにおいて、横軸は周
波数（ＧＨＺ）、縦軸はＲＦ信号の通過損失（Ｓパラメ
ータ：│Ｓ21│）（ｄＢ２０：２０ｌｏｇ10（ｍａｇ
（Ｓ２１））、ｄＢ１０：１０ｌｏｇ10（ｍａｇ（Ｓ２
１）））である。なお、ＲＦ／ＲＦマイクロストリップ
線路交差部についての電磁界解析（シミュレーション）
は上記実施の形態１と同様である。In FIGS. 15 to 18, the horizontal axis represents frequency (GHZ) and the vertical axis represents RF signal passage loss (S parameter: | S 21 |) (dB 20:20 log 10 (mag).
(S21)), dB10: 10 log 10 (mag (S2
1))). In addition, electromagnetic field analysis (simulation) at the RF / RF microstrip line intersection
Is the same as in the first embodiment.
【００５４】図１５〜図１８のグラフには、ＲＦマイク
ロストリップ線路２Ｂのエアブリッジ部４の前後の線路
幅の変化がステップ状（例えば、エアブリッジ部４の線
路幅ｗ４（＝５、２０μｍ）からその前後の線路幅が７
０μｍへ変化した場合）の場合を〇印で、線路幅の変化
がテーパ状（例えば、エアブリッジ部４の線路幅ｗ４
（＝５、２０μｍ）からその前後の線路幅が３０→５０
→７０μｍへ１５μｍ線路長毎に変化した場合）の場合
を＊印でプロットしたものを示す。なお、略直線状にプ
ロットされているものは、交差なしの通常のマイクロス
トリップスルー線路の通過損失を表わす。In the graphs of FIGS. 15 to 18, the change in the line width before and after the air bridge portion 4 of the RF microstrip line 2B is stepwise (for example, the line width w4 of the air bridge portion 4 (= 5, 20 μm)). The track width before and after is 7
In case of change to 0 μm), the change of the line width is tapered (for example, the line width w4 of the air bridge portion 4).
The line width before and after (= 5, 20 μm) is 30 → 50.
→ The case of changing to 70 μm every 15 μm line length) is plotted by * mark. It should be noted that what is plotted in a substantially straight line represents the passage loss of a normal microstrip through line without crossing.
【００５５】図１５及び図１６は、ＲＦマイクロストリ
ップ線路２Ｂのエアブリッジ部４の線路幅が５μｍの場
合のＲＦ信号の通過損失を表す。なお、図１５及び図１
６は縦軸のスケールが相違するだけである。また、図１
７及び図１８は、ＲＦマイクロストリップ線路２Ｂのエ
アブリッジ部４の線路幅が２０μｍの場合のＲＦ信号の
通過損失を表す。なお、図１７及び図１８は縦軸のスケ
ールが相違するだけである。これらの図からわかるよう
に、エアブリッジ部４の線路幅が５μｍの場合は、ステ
ップ接続よりもテーパ接続した方が損失が少なくなって
いる。また、エアブリッジ部４の線路幅が２０μｍの場
合は、ステップ接続もテーパ接続もあまり変わらない。FIGS. 15 and 16 show the RF signal passage loss when the line width of the air bridge portion 4 of the RF microstrip line 2B is 5 μm. Note that FIG. 15 and FIG.
No. 6 is different only in the scale of the vertical axis. Also, FIG.
7 and FIG. 18 show the RF signal passage loss when the line width of the air bridge portion 4 of the RF microstrip line 2B is 20 μm. 17 and 18 are different only in the scale of the vertical axis. As can be seen from these figures, when the line width of the air bridge portion 4 is 5 μm, the loss is smaller in the taper connection than in the step connection. When the line width of the air bridge portion 4 is 20 μm, the step connection and the taper connection do not change much.
【００５６】ＲＦ／ＲＦマイクロストリップ線路交差部
において、両ＲＦマイクロストリップ線路２Ｂ、２Ｄの
特性インピーダンスの変化を最小化あるいは補償するた
めに、エアブリッジ部４とその下部線路共に交差しない
部分の線路幅よりも狭くした構造は、上記実施の形態１
で述べた式１のキャパシタンスＣの増大を小さくするた
めの構造である。At the intersection of the RF / RF microstrip lines, in order to minimize or compensate for the change in the characteristic impedance of the two RF microstrip lines 2B and 2D, the line width of the portion where neither the air bridge portion 4 nor the lower line thereof intersects. The structure that is narrower than that of the first embodiment
This is a structure for reducing the increase in the capacitance C of the equation 1 described in (1).
【００５７】以上のように、この実施の形態４によれ
ば、上記各実施の形態と同様に、交差部での特性インピ
ーダンスの変化による反射損（通過損失）を低減するこ
とが可能となり、積極的な回路の小型化、高機能化が実
現できる。As described above, according to the fourth embodiment, it is possible to reduce the reflection loss (passage loss) due to the change in the characteristic impedance at the intersection, as in the above-described respective embodiments, and it is possible to reduce the reflection loss. It is possible to realize a compact circuit and high functionality.
【００５８】実施の形態５．この発明の実施の形態５に
ついて図１９を参照しながら説明する。図１９は、この
実施の形態５のＲＦ／ＤＣ、ＲＦ／ＲＦマイクロストリ
ップ線路交差部を示す斜視図である。Embodiment 5 FIG. Embodiment 5 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 19 is a perspective view showing the RF / DC and RF / RF microstrip line intersections of the fifth embodiment.
【００５９】図１９において、１はＧａＡｓ基板、２Ａ
はＲＦマイクロストリップ線路、３ＢはＤＣマイクロス
トリップ線路、２ＥはＲＦマイクロストリップ線路、４
はエアブリッジ部、１５は誘電体材料である。なお、基
本的な構造、材質等は上記実施の形態１と同様である。In FIG. 19, 1 is a GaAs substrate, 2A
Is an RF microstrip line, 3B is a DC microstrip line, 2E is an RF microstrip line, 4
Is an air bridge portion, and 15 is a dielectric material. The basic structure, material, etc. are the same as those in the first embodiment.
【００６０】この実施の形態５は、交差部で発生する容
量を回路要素として積極的に利用するための構造で、交
差部での両線路間に誘電体材料１５を充填したものであ
る。なお、交差部面積を適当に調整することができる。The fifth embodiment has a structure in which the capacitance generated at the intersection is positively utilized as a circuit element, and a dielectric material 15 is filled between both lines at the intersection. The crossing area can be adjusted appropriately.
【００６１】[0061]
【発明の効果】この発明に係る伝送線路は、以上説明し
たとおり、基板面に設けられたＲＦマイクロストリップ
線路とＤＣマイクロストリップ線路の交差部において、
前記ＤＣマイクロストリップ線路を下部線路とし、前記
ＲＦマイクロストリップ線路を上部線路であるエアブリ
ッジとしたので、交差部での特性インピーダンスの変化
による反射損を低減することが可能となり、積極的な回
路の小型化、高機能化が実現できるという効果を奏す
る。As described above, the transmission line according to the present invention is provided at the intersection of the RF microstrip line and the DC microstrip line provided on the substrate surface.
Since the DC microstrip line is the lower line and the RF microstrip line is the air bridge which is the upper line, it is possible to reduce the reflection loss due to the change of the characteristic impedance at the crossing portion, and the positive circuit This has the effect of achieving miniaturization and higher functionality.
【００６２】また、この発明に係る伝送線路は、以上説
明したとおり、前記ＤＣマイクロストリップ線路の線路
幅と前記ＲＦマイクロストリップ線路の線路幅とを同じ
にしたので、交差部での特性インピーダンスの変化によ
る反射損を低減することができるという効果を奏する。Further, in the transmission line according to the present invention, as described above, since the line width of the DC microstrip line and the line width of the RF microstrip line are the same, the change in the characteristic impedance at the intersection portion. This has the effect of reducing the reflection loss due to.
【００６３】また、この発明に係る伝送線路は、以上説
明したとおり、前記ＤＣマイクロストリップ線路の線路
幅を前記ＲＦマイクロストリップ線路の線路幅よりも狭
くしたので、交差部での特性インピーダンスの変化によ
る反射損を低減することができるという効果を奏する。Further, in the transmission line according to the present invention, as described above, the line width of the DC microstrip line is made narrower than the line width of the RF microstrip line, so that the characteristic impedance changes at the intersection. This has the effect of reducing reflection loss.
【００６４】また、この発明に係る伝送線路は、以上説
明したとおり、前記ＤＣマイクロストリップ線路の線路
幅を前記ＲＦマイクロストリップ線路の線路幅の約半分
にしたので、交差部での特性インピーダンスの変化によ
る反射損を低減することができるという効果を奏する。Further, in the transmission line according to the present invention, as described above, the line width of the DC microstrip line is set to about half of the line width of the RF microstrip line, so that the characteristic impedance change at the intersection. This has the effect of reducing the reflection loss due to.
【００６５】また、この発明に係る伝送線路は、以上説
明したとおり、前記ＤＣマイクロストリップ線路の線路
幅を前記ＲＦマイクロストリップ線路の線路幅の半分以
下にしたので、交差部での特性インピーダンスの変化に
よる反射損を低減することができるという効果を奏す
る。Further, in the transmission line according to the present invention, as described above, the line width of the DC microstrip line is set to be half the line width of the RF microstrip line or less, so that the characteristic impedance change at the intersection portion. This has the effect of reducing the reflection loss due to.
【００６６】また、この発明に係る伝送線路は、以上説
明したとおり、前記ＲＦマイクロストリップ線路のエア
ブリッジ部分の線路幅を前記ＲＦマイクロストリップ線
路の基板に接した部分の線路幅よりも狭くしたので、交
差部での特性インピーダンスの変化による反射損を低減
することができるという効果を奏する。In the transmission line according to the present invention, as described above, the line width of the air bridge portion of the RF microstrip line is made narrower than the line width of the portion of the RF microstrip line in contact with the substrate. Thus, it is possible to reduce the reflection loss due to the change in the characteristic impedance at the intersection.
【００６７】また、この発明に係る伝送線路は、以上説
明したとおり、前記エアブリッジ部分の線路幅を前記Ｄ
Ｃマイクロストリップ線路の線路幅とを同じにしたの
で、交差部での特性インピーダンスの変化による反射損
を低減することができるという効果を奏する。Further, in the transmission line according to the present invention, as described above, the line width of the air bridge portion is set to D
Since the line width of the C microstrip line is the same, there is an effect that the reflection loss due to the change of the characteristic impedance at the intersection can be reduced.
【００６８】また、この発明に係る伝送線路は、以上説
明したとおり、前記エアブリッジ部分の線路幅を前記Ｄ
Ｃマイクロストリップ線路の線路幅よりも狭くしたの
で、交差部での特性インピーダンスの変化による反射損
を低減することができるという効果を奏する。In the transmission line according to the present invention, as described above, the line width of the air bridge portion is set to the D
Since it is made narrower than the line width of the C microstrip line, there is an effect that it is possible to reduce the reflection loss due to the change of the characteristic impedance at the intersection.
【００６９】また、この発明に係る伝送線路は、以上説
明したとおり、前記エアブリッジ部分の線路幅を前記Ｄ
Ｃマイクロストリップ線路の線路幅の約半分にしたの
で、交差部での特性インピーダンスの変化による反射損
を低減することができるという効果を奏する。Further, in the transmission line according to the present invention, as described above, the line width of the air bridge portion is set to D
Since the line width is about half the width of the C microstrip line, it is possible to reduce the reflection loss due to the change in the characteristic impedance at the intersection.
【００７０】また、この発明に係る伝送線路は、以上説
明したとおり、前記エアブリッジ部分の線路幅を前記Ｄ
Ｃマイクロストリップ線路の線路幅の半分以下にしたの
で、交差部での特性インピーダンスの変化による反射損
を低減することができるという効果を奏する。Further, in the transmission line according to the present invention, as described above, the line width of the air bridge portion is set to D
Since the line width is less than half the line width of the C microstrip line, there is an effect that the reflection loss due to the change in the characteristic impedance at the intersection can be reduced.
【００７１】また、この発明に係る伝送線路は、以上説
明したとおり、前記ＲＦマイクロストリップ線路のエア
ブリッジ部分前後にインピーダンス変換部を設けたの
で、交差部での特性インピーダンスの変化による反射損
を低減することができるという効果を奏する。Further, as described above, in the transmission line according to the present invention, the impedance conversion portion is provided before and after the air bridge portion of the RF microstrip line, so that the reflection loss due to the change of the characteristic impedance at the intersection is reduced. There is an effect that can be done.
【００７２】また、この発明に係る伝送線路は、以上説
明したとおり、前記エアブリッジ部分前後にインピーダ
ンス変換部を設け、前記エアブリッジ部分の線路幅を前
記ＤＣマイクロストリップ線路の線路幅とを同じにした
ので、交差部での特性インピーダンスの変化による反射
損を低減することができるという効果を奏する。Further, as described above, the transmission line according to the present invention is provided with the impedance converters before and after the air bridge portion so that the line width of the air bridge portion is the same as the line width of the DC microstrip line. Therefore, it is possible to reduce the reflection loss due to the change in the characteristic impedance at the intersection.
【００７３】また、この発明に係る伝送線路は、以上説
明したとおり、基板面に設けられた第１のＲＦマイクロ
ストリップ線路と第２のＲＦマイクロストリップ線路の
交差部において、前記第２のＲＦマイクロストリップ線
路を下部線路とし、前記第１のＲＦマイクロストリップ
線路を上部線路であるエアブリッジとしたので、交差部
での特性インピーダンスの変化による反射損を低減する
ことが可能となり、積極的な回路の小型化、高機能化が
実現できるという効果を奏する。As described above, the transmission line according to the present invention has the second RF microstrip line at the intersection of the first RF microstrip line and the second RF microstrip line provided on the substrate surface. Since the strip line is the lower line and the first RF microstrip line is the air bridge which is the upper line, it is possible to reduce the reflection loss due to the change of the characteristic impedance at the crossing portion, and the positive circuit This has the effect of achieving miniaturization and higher functionality.
【００７４】また、この発明に係る伝送線路は、以上説
明したとおり、前記第１のＲＦマイクロストリップ線路
の線路幅と前記第２のＲＦマイクロストリップ線路の線
路幅とを同じにしたので、交差部での特性インピーダン
スの変化による反射損を低減することができるという効
果を奏する。Further, in the transmission line according to the present invention, as described above, the line width of the first RF microstrip line and the line width of the second RF microstrip line are made equal to each other. It is possible to reduce the reflection loss due to the change of the characteristic impedance in the above.
【００７５】また、この発明に係る伝送線路は、以上説
明したとおり、前記第１のＲＦマイクロストリップ線路
の線路幅を前記第２のＲＦマイクロストリップ線路の線
路幅よりも狭くしたので、交差部での特性インピーダン
スの変化による反射損を低減することができるという効
果を奏する。Further, in the transmission line according to the present invention, as described above, the line width of the first RF microstrip line is made narrower than the line width of the second RF microstrip line. The effect that the reflection loss due to the change of the characteristic impedance can be reduced.
【００７６】また、この発明に係る伝送線路は、以上説
明したとおり、前記第１及び第２のＲＦマイクロストリ
ップ線路の交差部の線路幅を前記第１及び第２のＲＦマ
イクロストリップ線路の基板に接した部分の線路幅より
も狭くしたので、交差部での特性インピーダンスの変化
による反射損を低減することができるという効果を奏す
る。Further, in the transmission line according to the present invention, as described above, the line width at the intersection of the first and second RF microstrip lines is set on the substrate of the first and second RF microstrip lines. Since the line width is made narrower than the contacted portion, there is an effect that the reflection loss due to the change in the characteristic impedance at the intersection can be reduced.
【００７７】さらに、この発明に係る伝送線路は、以上
説明したとおり、前記交差部の前記上部線路及び前記下
部線路間に誘電体を挿入したので、交差部で発生する容
量を回路要素として利用することができるという効果を
奏する。Furthermore, in the transmission line according to the present invention, as described above, since the dielectric is inserted between the upper line and the lower line at the intersection, the capacitance generated at the intersection is used as a circuit element. There is an effect that can be.
【図１】 この発明の実施の形態１に係るＲＦ／ＤＣ線
路交差部を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an RF / DC line intersection portion according to a first embodiment of the present invention.
【図２】 この発明の実施の形態１に係るエアブリッジ
部分の断面とその電磁界解析に用いた線路モデルを示す
図である。FIG. 2 is a diagram showing a cross section of an air bridge portion according to the first embodiment of the present invention and a line model used for electromagnetic field analysis thereof.
【図３】 従来例に係るエアブリッジ部分の断面とその
電磁界解析に用いた線路モデルを示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a cross section of an air bridge portion according to a conventional example and a line model used for electromagnetic field analysis thereof.
【図４】 この発明の実施の形態１のＲＦ信号の通過損
失を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing an RF signal passage loss according to the first embodiment of the present invention.
【図５】 この発明の実施の形態１のＲＦ信号の通過損
失を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing an RF signal passage loss according to the first embodiment of the present invention.
【図６】 この発明の実施の形態１のＲＦ信号の通過損
失を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing an RF signal passage loss according to the first embodiment of the present invention.
【図７】 この発明の実施の形態１のＲＦ信号の通過損
失を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing an RF signal passage loss according to the first embodiment of the present invention.
【図８】 この発明の実施の形態２に係るＲＦ／ＤＣ線
路交差部を示す斜視図である。FIG. 8 is a perspective view showing an RF / DC line intersection portion according to a second embodiment of the present invention.
【図９】 この発明の実施の形態２のＲＦ信号の通過損
失を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing an RF signal passage loss according to the second embodiment of the present invention.
【図１０】 この発明の実施の形態２のＲＦ信号の通過
損失を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing an RF signal passage loss according to the second embodiment of the present invention.
【図１１】 この発明の実施の形態３に係るＲＦ／ＤＣ
線路交差部を示す斜視図である。FIG. 11: RF / DC according to Embodiment 3 of the present invention
It is a perspective view showing a track intersection.
【図１２】 この発明の実施の形態３のＲＦ信号の通過
損失を示す図である。FIG. 12 is a diagram showing an RF signal passage loss according to the third embodiment of the present invention.
【図１３】 この発明の実施の形態３のＲＦ信号の通過
損失を示す図である。FIG. 13 is a diagram showing an RF signal passage loss according to the third embodiment of the present invention.
【図１４】 この発明の実施の形態４に係るＲＦ／ＲＦ
線路交差部を示す斜視図である。[FIG. 14] RF / RF according to Embodiment 4 of the present invention
It is a perspective view showing a track intersection.
【図１５】 この発明の実施の形態４のＲＦ信号の通過
損失を示す図である。FIG. 15 is a diagram showing an RF signal passage loss according to the fourth embodiment of the present invention.
【図１６】 この発明の実施の形態４のＲＦ信号の通過
損失を示す図である。FIG. 16 is a diagram showing an RF signal passage loss according to the fourth embodiment of the present invention.
【図１７】 この発明の実施の形態４のＲＦ信号の通過
損失を示す図である。FIG. 17 is a diagram showing an RF signal passage loss according to the fourth embodiment of the present invention.
【図１８】 この発明の実施の形態４のＲＦ信号の通過
損失を示す図である。FIG. 18 is a diagram showing an RF signal passage loss according to the fourth embodiment of the present invention.
【図１９】 この発明の実施の形態５に係るＲＦ／Ｄ
Ｃ、ＲＦ／ＲＦ線路交差部を示す斜視図である。FIG. 19 is an RF / D according to the fifth embodiment of the present invention.
It is a perspective view which shows C and RF / RF line intersection.
【図２０】 従来のスイッチ回路を示す平面図である。FIG. 20 is a plan view showing a conventional switch circuit.
【図２１】 図２０の線路交差部を示す斜視図である。21 is a perspective view showing a line crossing portion of FIG. 20. FIG.
１ ＧａＡｓ基板、２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、２Ｄ、２Ｅ Ｒ
Ｆマイクロストリップ線路、３Ａ、３Ｂ ＤＣマイクロ
ストリップ線路、４ エアブリッジ部、１５誘電体材
料。1 GaAs substrate, 2A, 2B, 2C, 2D, 2ER
F microstrip line, 3A, 3B DC microstrip line, 4 air bridge part, 15 dielectric material.
Claims (17)
ップ線路とＤＣマイクロストリップ線路の交差部におい
て、前記ＤＣマイクロストリップ線路を下部線路とし、
前記ＲＦマイクロストリップ線路を上部線路であるエア
ブリッジとする構造を特徴とする伝送線路。1. The DC microstrip line is a lower line at an intersection of an RF microstrip line and a DC microstrip line provided on a substrate surface,
A transmission line having a structure in which the RF microstrip line is an air bridge that is an upper line.
幅と前記ＲＦマイクロストリップ線路の線路幅とを同じ
にしたことを特徴とする請求項１記載の伝送線路。2. The transmission line according to claim 1, wherein the line width of the DC microstrip line is the same as the line width of the RF microstrip line.
幅を前記ＲＦマイクロストリップ線路の線路幅よりも狭
くしたことを特徴とする請求項１記載の伝送線路。3. The transmission line according to claim 1, wherein the line width of the DC microstrip line is narrower than the line width of the RF microstrip line.
幅を前記ＲＦマイクロストリップ線路の線路幅の約半分
にしたことを特徴とする請求項３記載の伝送線路。4. The transmission line according to claim 3, wherein the line width of the DC microstrip line is approximately half the line width of the RF microstrip line.
幅を前記ＲＦマイクロストリップ線路の線路幅の半分以
下にしたことを特徴とする請求項３記載の伝送線路。5. The transmission line according to claim 3, wherein the line width of the DC microstrip line is set to half or less of the line width of the RF microstrip line.
ブリッジ部分の線路幅を前記ＲＦマイクロストリップ線
路の基板に接した部分の線路幅よりも狭くしたことを特
徴とする請求項１記載の伝送線路。6. The transmission line according to claim 1, wherein a line width of an air bridge portion of the RF microstrip line is made narrower than a line width of a portion of the RF microstrip line in contact with the substrate.
Ｃマイクロストリップ線路の線路幅とを同じにしたこと
を特徴とする請求項６記載の伝送線路。7. The line width of the air bridge portion is set to the D
7. The transmission line according to claim 6, wherein the line width of the C microstrip line is the same.
Ｃマイクロストリップ線路の線路幅よりも狭くしたこと
を特徴とする請求項６記載の伝送線路。8. The line width of the air bridge portion is set to the D
The transmission line according to claim 6, wherein the transmission line is made narrower than the line width of the C microstrip line.
Ｃマイクロストリップ線路の線路幅の約半分にしたこと
を特徴とする請求項８記載の伝送線路。9. The line width of the air bridge portion is set to the D
9. The transmission line according to claim 8, wherein the line width is about half of the line width of the C microstrip line.
ＤＣマイクロストリップ線路の線路幅の半分以下にした
ことを特徴とする請求項８記載の伝送線路。10. The transmission line according to claim 8, wherein the line width of the air bridge portion is not more than half the line width of the DC microstrip line.
アブリッジ部分前後にインピーダンス変換部を設けたこ
とを特徴とする請求項６記載の伝送線路。11. The transmission line according to claim 6, wherein an impedance converter is provided before and after the air bridge portion of the RF microstrip line.
ＤＣマイクロストリップ線路の線路幅とを同じにしたこ
とを特徴とする請求項１１記載の伝送線路。12. The transmission line according to claim 11, wherein the line width of the air bridge portion is the same as the line width of the DC microstrip line.
ロストリップ線路と第２のＲＦマイクロストリップ線路
の交差部において、前記第２のＲＦマイクロストリップ
線路を下部線路とし、前記第１のＲＦマイクロストリッ
プ線路を上部線路であるエアブリッジとする構造を特徴
とする伝送線路。13. The first RF microstrip line is a lower line at the intersection of the first RF microstrip line and the second RF microstrip line provided on the substrate surface. A transmission line characterized by a structure in which the strip line is an upper line air bridge.
路の線路幅と前記第２のＲＦマイクロストリップ線路の
線路幅とを同じにしたことを特徴とする請求項１３記載
の伝送線路。14. The transmission line according to claim 13, wherein the line width of the first RF microstrip line and the line width of the second RF microstrip line are the same.
路の線路幅を前記第２のＲＦマイクロストリップ線路の
線路幅よりも狭くしたことを特徴とする請求項１３記載
の伝送線路。15. The transmission line according to claim 13, wherein the line width of the first RF microstrip line is narrower than the line width of the second RF microstrip line.
リップ線路の交差部の線路幅を前記第１及び第２のＲＦ
マイクロストリップ線路の基板に接した部分の線路幅よ
りも狭くしたことを特徴とする請求項１４又は１５記載
の伝送線路。16. The line width at the intersection of the first and second RF microstrip lines is set to the first and second RF lines.
16. The transmission line according to claim 14, wherein the line width is made narrower than the line width of the portion of the microstrip line which is in contact with the substrate.
部線路間に誘電体を挿入したことを特徴とする請求項１
又は１３記載の伝送線路。17. A dielectric material is inserted between the upper line and the lower line at the intersection.
The transmission line according to 13 above.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7214963A JPH0964602A (en) | 1995-08-23 | 1995-08-23 | Transmission line |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7214963A JPH0964602A (en) | 1995-08-23 | 1995-08-23 | Transmission line |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0964602A true JPH0964602A (en) | 1997-03-07 |
Family
ID=16664475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7214963A Pending JPH0964602A (en) | 1995-08-23 | 1995-08-23 | Transmission line |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0964602A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010187220A (en) * | 2009-02-12 | 2010-08-26 | New Japan Radio Co Ltd | High frequency circuit adjustment mechanism and method |
| JP2011101327A (en) * | 2009-11-09 | 2011-05-19 | Canon Inc | Signal transmission line |
| JP2014187653A (en) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
| JP2015133660A (en) * | 2014-01-15 | 2015-07-23 | 富士通株式会社 | Integrated circuit and transceiver device |
-
1995
- 1995-08-23 JP JP7214963A patent/JPH0964602A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010187220A (en) * | 2009-02-12 | 2010-08-26 | New Japan Radio Co Ltd | High frequency circuit adjustment mechanism and method |
| JP2011101327A (en) * | 2009-11-09 | 2011-05-19 | Canon Inc | Signal transmission line |
| JP2014187653A (en) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
| JP2015133660A (en) * | 2014-01-15 | 2015-07-23 | 富士通株式会社 | Integrated circuit and transceiver device |
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