JPH0963474A - Manufacture of shadow mask for color cathode-ray tube - Google Patents

Manufacture of shadow mask for color cathode-ray tube

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Publication number
JPH0963474A
JPH0963474A JP21708395A JP21708395A JPH0963474A JP H0963474 A JPH0963474 A JP H0963474A JP 21708395 A JP21708395 A JP 21708395A JP 21708395 A JP21708395 A JP 21708395A JP H0963474 A JPH0963474 A JP H0963474A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
shadow mask
etching
etching resistance
surface side
resist
Prior art date
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Abandoned
Application number
JP21708395A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasuhisa Otake
康久 大竹
Yasunori Gamo
保則 蒲生
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP21708395A priority Critical patent/JPH0963474A/en
Publication of JPH0963474A publication Critical patent/JPH0963474A/en
Abandoned legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a shadow mask which has an etching resistant layer hard to be damaged and is easily peeled without reducing etching resistance. SOLUTION: After the first recessed hole 12 is formed in one face side of a shadow mask material 20 having resists 23a, 23b formed, the resist on this face side is peeled, an etching resistant agent is applied thereon so as to form an etching resistant layer 28, and then the second recessed hole 13 for communicating with the first recessed hole is formed on the other face side so as to form an electron beam through hole 11. Major components of the etching resistant agent are set to acrylic resin, casein, and bichromate, this etching resistant agent is applied on one face on which the first recessed hole is formed, so as to form the etching resistant layer and then ultraviolet ray is irradiated to cure.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、フォトエッチン
グ法により形成されるカラーブラウン管用シャドウマス
クの製造方法に係り、特に電子ビーム通過孔およびその
配列ピッチの小さい高精細カラーブラウン管用シャドウ
マスクの製造に好適なカラーブラウン管用シャドウマス
クの製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a shadow mask for a color cathode ray tube formed by a photoetching method, and particularly to a method for manufacturing a shadow mask for a high-definition color cathode ray tube having electron beam passage holes and a small arrangement pitch. The present invention relates to a preferred method for producing a shadow mask for a color cathode ray tube.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般にシャドウマスク型カラーブラウン
管は、図3に示すように、パネル1およびファンネル2
からなる外囲器を有し、そのパネル1の内面に形成され
た3色蛍光体層からなる蛍光体スクリーン3に対向し
て、その内側にシャドウマスク4が配置され、ファンネ
ル2のネック5内に配設された電子銃6から放出される
3電子ビーム7B ,7G ,7R を上記シャドウマスク4
により選別して、3色蛍光体層に入射させることによ
り、カラー画像を表示する構造に形成されている。
2. Description of the Related Art Generally, a shadow mask type color cathode ray tube has a panel 1 and a funnel 2 as shown in FIG.
In the neck 5 of the funnel 2, the shadow mask 4 is disposed inside the funnel 2 so as to face the phosphor screen 3 formed of the three-color phosphor layer formed on the inner surface of the panel 1. The three electron beams 7B, 7G and 7R emitted from the electron gun 6 disposed on the shadow mask 4 are
And a three-color phosphor layer is made to enter, and a structure for displaying a color image is formed.

【0003】そのシャドウマスク4は、パネル1の内面
に近似した形状に成形され、その成形面に多数の電子ビ
ーム通過孔が所定の配列で形成されたマスク本体9と、
このマスク本体9の周辺部に取付けられたマスクフレー
ム10とからなる。図4に示すように、そのマスク本体
9の電子ビーム通過孔11は、孔内壁に衝突して蛍光体
スクリーン方向への電子ビームの反射を少なくするた
め、電子銃と対向する一方の面側に相対的に小さな第1
の凹孔12が形成され、蛍光体スクリーンと対向する他
方の面側に相対的に大きな第2の凹孔13が形成され、
これら凹孔12,13が連通した形状に形成されてい
る。
The shadow mask 4 is molded into a shape similar to the inner surface of the panel 1, and a mask body 9 having a large number of electron beam passage holes formed in a predetermined array on the molding surface,
The mask frame 10 is attached to the periphery of the mask body 9. As shown in FIG. 4, the electron beam passage hole 11 of the mask body 9 is provided on one surface side facing the electron gun in order to reduce the reflection of the electron beam in the phosphor screen direction by colliding with the inner wall of the hole. Relatively small first
Is formed, and a relatively large second concave hole 13 is formed on the other surface side facing the phosphor screen.
The recessed holes 12 and 13 are formed in a communicating shape.

【0004】このようなシャドウマスク4のマスク本体
9は、フォトエッチング法により板厚0.13mm程度の
冷間圧延鋼板などからなるシャドウマスク素材に電子ビ
ーム通過孔を形成して、平坦なフラットマスクを形成し
たのち、このフラットマスクを所定の曲面形状にプレス
成形することにより製造されている。
The mask body 9 of such a shadow mask 4 has a flat flat mask obtained by forming electron beam passage holes in a shadow mask material such as a cold rolled steel plate having a plate thickness of about 0.13 mm by photoetching. After being formed, the flat mask is manufactured by press molding into a predetermined curved surface shape.

【0005】そのフォトエッチング法によるフラットマ
スクの製造は、シャドウマスク素材の両面に感光膜を塗
布形成し、この両面の感光膜にそれぞれシャドウマスク
の電子ビーム通過孔、すなわち図4に示した電子ビーム
通過孔11の凹孔12,13に対応する大小大きさの異
なるパターンの形成された一対のネガ原版を密着配置し
て露光し、両面の感光膜に各ネガ原版のパターンを焼付
けたのち、現像して、シャドウマスク素材の両面にネガ
原版のパターンを反転したパターンからなるレジストを
形成する。その後、このレジストの形成されたシャドウ
マスク素材を両面から同時にエッチングして、電子ビー
ム通過孔を形成している。この方法は、後述する2段エ
ッチング法に対して同時エッチング法といわれている。
To manufacture a flat mask by the photo-etching method, photosensitive films are formed on both sides of a shadow mask material, and the electron beam passage holes of the shadow mask, that is, the electron beam shown in FIG. A pair of negative masters having different patterns of large and small sizes corresponding to the concave holes 12 and 13 of the passage hole 11 are closely arranged and exposed to light, and the patterns of the respective negative masters are printed on the photosensitive films on both sides, and then developed. Then, a resist having a pattern obtained by inverting the pattern of the negative original plate is formed on both surfaces of the shadow mask material. After that, the shadow mask material on which the resist is formed is simultaneously etched from both sides to form electron beam passage holes. This method is called a simultaneous etching method as opposed to the two-step etching method described later.

【0006】上記フラットマスクの製造方法に対して、
特に高精細カラブラウン管に用いられる板厚に対して孔
径の小さいシャドウマスクの製造方法として、2段エッ
チング法といわれる方法がある。この方法は、たとえば
特公平4−19311号公報に示されている。この方法
では、上記同時エッチング法と同様に、シャドウマスク
素材の両面に感光膜を形成し、この両面の感光膜にそれ
ぞれ一対のネガ原版を密着配置して露光し、両面の感光
膜に各ネガ原版のパターンを焼付け、現像して、シャド
ウマスク素材の両面にネガ原版のパターンを反転したパ
ターンからなるレジストを形成したのち、まず前段のエ
ッチングとして、大きな凹孔を形成する他方の面側に保
護フィルムを貼着して、一方の面側からエッチングし、
この一方の面側に小さな凹孔を形成する。つぎにこの一
方の面側のレジストを剥離除去し、このレジストの除去
された一方の面に、エポキシ樹脂、カゼインおよびレベ
リング剤を主成分とするエッチング抵抗剤を塗布してエ
ッチング抵抗層を形成したのち、他方の面側から後段の
エッチングをおこない、この他方の面側に上記一方の面
側から形成された小さな凹孔に連通する大きな凹孔を形
成することにより製造される。
With respect to the method of manufacturing the flat mask described above,
In particular, as a method of manufacturing a shadow mask having a small hole diameter with respect to the plate thickness used for a high-definition color Braun tube, there is a method called a two-step etching method. This method is disclosed, for example, in Japanese Examined Patent Publication No. 4-19311. In this method, similar to the above-mentioned simultaneous etching method, photosensitive films are formed on both sides of the shadow mask material, and a pair of negative masters are closely arranged on the photosensitive films on both sides and exposed to light. The pattern of the original plate is baked and developed to form a resist consisting of a pattern in which the pattern of the negative original plate is inverted on both sides of the shadow mask material, and then, as the etching in the previous stage, the other surface side that forms a large concave hole is protected. Stick the film and etch from one side,
A small concave hole is formed on this one surface side. Next, the resist on the one surface side was peeled off and removed, and the one surface on which the resist was removed was coated with an etching resistance agent containing epoxy resin, casein and a leveling agent as main components to form an etching resistance layer. After that, post-stage etching is performed from the other surface side, and a large concave hole communicating with the small concave hole formed from the one surface side is formed on the other surface side.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来よ
りシャドウマスクの製造方法として、2段エッチング法
といわれる方法がある。この2段エッチング法では、レ
ジストの形成されたシャドウマスク素材の他方の面を保
護して、エッチングにより一方の面側に小さな凹孔を形
成し(前段のエッチング)、その後、その一方の面側に
エッチング抵抗層を形成したのち、他方の面側に上記一
方の面側の小さな凹孔に連通する大きな凹孔を形成する
(後段のエッチング)により製造される。つまりこの2
段エッチング法では、後段のエッチング時に、先に小さ
な凹孔が形成された一方の面側がエッチングされないよ
うに保護しておくことが必要であり、従来は、その一方
の面側を保護するエッチング抵抗層を、エポキシ樹脂、
カゼインおよびレベリング剤を主成分とするエッチング
抵抗剤を塗布して形成している。
As described above, as a conventional shadow mask manufacturing method, there is a method called a two-step etching method. In this two-step etching method, the other surface of the shadow mask material on which the resist is formed is protected, a small concave hole is formed on one surface side by etching (previous etching), and then one surface side After the etching resistance layer is formed on the substrate, a large concave hole communicating with the small concave hole on the one surface side is formed on the other surface side (post-stage etching). In other words, this 2
In the step etching method, it is necessary to protect one surface side where a small concave hole was previously formed so as not to be etched at the time of the subsequent etching. Conventionally, the etching resistance for protecting the one surface side is required. Layers, epoxy resin,
It is formed by applying an etching resistance agent containing casein and a leveling agent as main components.

【0008】しかしこのようにエポキシ樹脂を主成分と
するエッチング抵抗層を形成すると、一方の面側の小さ
な凹孔に連通する大きな凹孔を他方の面側に形成して電
子ビーム通過孔を形成したのち、そのエッチング抵抗層
を除去しにくく、電子ビーム通過孔の孔詰まりが生じや
すいという問題がある。すなわち、エッチング抵抗層の
剥離には、高温の苛性アルカリ溶液が用いられている
が、エポキシ樹脂は、苛性アルカリ溶液に不溶であるた
め、完全に剥離せず、また剥離したエッチング抵抗層が
溶液中に浮遊し、フラットマスクに付着して電子ビーム
通過孔を詰まらせる。また剥離したエッチング抵抗層が
剥離チャンバーの内壁やローラーなどに付着して、電子
ビーム通過孔を詰まらせる。
However, when the etching resistance layer containing an epoxy resin as a main component is formed in this manner, a large concave hole communicating with a small concave hole on one surface side is formed on the other surface side to form an electron beam passage hole. After that, there is a problem that it is difficult to remove the etching resistant layer, and the electron beam passage hole is easily clogged. That is, a high temperature caustic solution is used for peeling the etching resistance layer, but the epoxy resin is insoluble in the caustic alkali solution, so it is not completely peeled off, and the peeled etching resistance layer is in solution. And float on the flat mask to block the electron beam passage hole. Further, the peeled etching resistance layer adheres to the inner wall of the peeling chamber, the roller, etc., and clogs the electron beam passage hole.

【0009】さらに長尺帯状のシャドウマスク素材を走
行させながら製造する方法では、走行駆動ローラーやガ
イドローラーなどとの接触によるエッチング抵抗層の損
傷を防止するため、エッチング抵抗層を高温熱処理して
その硬度を高めることが望まれるが、高温熱処理する
と、さらにエッチング終了後の剥離が困難となり、フラ
ットマスクの製造歩留が低下する。
Further, in the method of manufacturing a long strip shadow mask material while running, in order to prevent damage to the etching resistance layer due to contact with a running drive roller or guide roller, the etching resistance layer is subjected to high temperature heat treatment to Although it is desired to increase the hardness, the high temperature heat treatment further makes it difficult to peel off after the etching is completed, and the manufacturing yield of the flat mask is reduced.

【0010】上記高温熱処理したエッチング抵抗層の問
題点を解決する方法として、前段のエッチング時に、他
方の面側に貼着する保護フィルムと同様の保護フィルム
を、エッチング抵抗層の代わりに貼着する方法がある
が、このような方法は、エッチング抵抗層を形成する方
法にくらべて、製造コストが高くなる。
As a method of solving the problem of the above-mentioned etching resistance layer that has been heat-treated at high temperature, a protective film similar to the one to be adhered to the other surface side is attached instead of the etching resistance layer at the time of the previous etching. Although there is a method, such a method has a higher manufacturing cost than the method of forming the etching resistance layer.

【0011】この発明は、上記問題点に鑑みてなされた
ものであり、エッチング抵抗層の硬度を高めて損傷しに
くくし、かつ耐エッチング性を低下させることなく、容
易に剥離でき、電子ビーム通過孔の孔詰まりが生じにく
いシャドウマスクの製造方法を得ることを目的とする。
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and the hardness of the etching resistance layer is increased to make it less likely to be damaged, and the etching resistance layer can be easily peeled off without lowering the etching resistance and the electron beam passage. It is an object of the present invention to obtain a method for manufacturing a shadow mask that is less likely to cause hole clogging.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】シャドウマスク素材の両
面にシャドウマスクの電子ビーム通過孔に対応するパタ
ーンからなるレジストを形成し、このレジストの形成さ
れたシャドウマスク素材を一方の面側からエッチングし
てこの一方の面側に第1の凹孔を形成したのち、この一
方の面側のレジストを剥離し、このレジストの剥離され
た一方の面にエッチング抵抗剤を塗布してエッチング抵
抗層を形成したのち、シャドウマスク素材を他方の面側
からエッチングしてこの他方の面側に第1の凹孔に連通
する第2の凹孔を形成して電子ビーム通過孔を形成する
カラーブラウン管用シャドウマスクの製造方法におい
て、エッチング抵抗剤をアクリル系樹脂、カゼインおよ
び重クロム酸塩を主成分とする組成にし、このエッチン
グ抵抗剤を第1の凹孔が形成された一方の面に塗布して
エッチング抵抗層を形成したのち、紫外線を照射して硬
化させた。
Means for Solving the Problems A resist having a pattern corresponding to an electron beam passage hole of a shadow mask is formed on both surfaces of a shadow mask material, and the shadow mask material on which the resist is formed is etched from one surface side. After forming the first concave hole on one surface side of the lever, the resist on the one surface side is peeled off, and an etching resistance agent is applied to the peeled one surface of the resist to form an etching resistance layer. After that, the shadow mask material is etched from the other surface side to form a second concave hole communicating with the first concave hole on the other surface side to form an electron beam passage hole. In the method for manufacturing the same, the etching resistance agent is a composition containing acrylic resin, casein and dichromate as main components, and the etching resistance agent is the first concave portion. There After forming the etching resistant layer is coated on one surface formed and cured by irradiation with ultraviolet rays.

【0013】また、エッチング抵抗剤中のアクリル系樹
脂の含有量を3.0〜7.0重量%、カゼインの含有量
を3〜5重量%、重クロム酸塩の含有量を0.5〜1.
5重量%とした。
Further, the content of the acrylic resin in the etching resistance agent is 3.0 to 7.0% by weight, the content of casein is 3 to 5% by weight, and the content of dichromate is 0.5 to 7. 1.
It was set to 5% by weight.

【0014】また、エッチング抵抗層に365nm近辺の
紫外線を150〜500mJ/cm2照射して硬化させた。
[0014] Also, the ultraviolet 365nm near the etch resistant layer is cured 150~500mJ / c m2 irradiating the.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面を参照して説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0016】図1(a)ないし(h)に、フォトエッチ
ング法、特に2段エッチング法によるシャドウマスクの
製造方法の主要工程を示す。
1 (a) to 1 (h) show the main steps of a method for producing a shadow mask by a photo-etching method, especially a two-step etching method.

【0017】シャドウマスク素材として、板厚0.13
mm程度のアルミキルド鋼板を用い、脱脂洗浄したのち、
図1(a)に示すように、このシャドウマスク素材20
の両面に、牛乳カゼイン酸アルカリと重クロム酸アンモ
ニウムを主成分とする感光剤を塗布し、乾燥して厚さ約
6μm の感光膜21を形成する。つぎに同(b)に示す
ように、上記両面の感光膜21に、製造しようとするシ
ャドウマスクの電子ビーム通過孔に対応する大小大きさ
の異なる下記パターンの形成された一対のネガ原版22
a ,22b を密着して露光し、両面の感光膜21に各ネ
ガ原版22a ,22b のパターンを焼付ける。その一方
のネガ原版22a のパターンは、図4に示した電子ビー
ム通過孔11の相対的に小さな第1の凹孔12よりも、
後述するエッチング時のサイドエッチング量を考慮して
若干小さなパターンの形成されている。また他方のネガ
原版22b のパターンは、同様に相対的に大きな第2の
凹孔12よりも、エッチング時のサイドエッチング量を
考慮して若干小さなパターンの形成されている。
As a shadow mask material, a plate thickness of 0.13
After degreasing and cleaning with an aluminum-killed steel plate of about mm,
As shown in FIG. 1A, this shadow mask material 20
A photosensitizer containing milk caseinate alkali and ammonium dichromate as main components is applied to both surfaces of the above and dried to form a photosensitive film 21 having a thickness of about 6 μm. Next, as shown in (b), a pair of negative masters 22 having the following patterns of different sizes corresponding to the electron beam passage holes of the shadow mask to be manufactured are formed on the photosensitive films 21 on both sides.
A and 22b are closely contacted and exposed, and the patterns of the negative master plates 22a and 22b are printed on the photosensitive films 21 on both sides. The pattern of the negative master 22a on the other hand is smaller than that of the relatively small first concave hole 12 of the electron beam passage hole 11 shown in FIG.
A slightly smaller pattern is formed in consideration of the side etching amount at the time of etching which will be described later. On the other hand, the pattern of the other negative original plate 22b is formed with a slightly smaller pattern than the relatively large second concave hole 12 in consideration of the side etching amount at the time of etching.

【0018】つぎに上記パターンの焼付けられた両面の
感光膜21を現像して、未感光部を除去し、同(c)に
示すように、上記一対のネガ原版に対応するパターンか
らなるレジスト23a ,23b を形成する。このレジス
ト23a ,23b のパターンは、電子ビーム通過孔形成
部分をシャドウマスク素材20の露出した開孔部24a
,24b とし、一方の面側の開孔部24a は、他方の
面側の開孔部24b よりも相対的に小さく形成されてい
る。なお、このレジスト23a ,23b は、耐エッチン
グ性を高めるため、必要に応じて約200℃の雰囲気で
約2分間バーニングすることがある。
Next, the photosensitive films 21 on both sides of which the above-mentioned pattern has been baked are developed to remove the unexposed portion, and as shown in (c), a resist 23a consisting of a pattern corresponding to the above-mentioned pair of negative master plates. , 23b are formed. The pattern of the resists 23a and 23b is such that the electron beam passage hole forming portion is the opening portion 24a where the shadow mask material 20 is exposed.
, 24b, and the opening 24a on one surface side is formed relatively smaller than the opening 24b on the other surface side. The resists 23a and 23b may be burned in an atmosphere of about 200 ° C. for about 2 minutes, if necessary, in order to enhance etching resistance.

【0019】つぎに同(d)に示すように、相対的に大
きな開孔部24b をもつレジスト23b の形成されてい
る他方の面側に、ポリエチレン、ポリスチレン、塩化ビ
ニール樹脂のいずれかなどからなる薄い保護フィルム2
6を接着剤により貼着し、相対的に小さな開孔部24a
をもつレジスト23a の形成されている一方の面を下向
きにして、この一方の面に塩化第2鉄を主成分とするエ
ッチング液をスプレーして、開孔部24a に小さな凹孔
12(第1の凹孔)を形成する(前段のエッチング)。
つぎに同(e)に示すように、その両面を水洗してエッ
チング液を洗流したのち、凹孔12の形成された一方の
面側に、60℃に加熱された濃度15重量の水酸化ナト
リウム水溶液などの苛性アルカリ溶液をスプレーして、
一方の面側のレジストを除去する。さらに水洗したの
ち、一旦乾燥する。
Next, as shown in (d), on the other surface side where the resist 23b having a relatively large opening portion 24b is formed, one made of polyethylene, polystyrene, vinyl chloride resin or the like is used. Thin protective film 2
6 is affixed with an adhesive, and a relatively small opening 24a
One surface on which the resist 23a having the is formed faces downward, and an etching solution containing ferric chloride as a main component is sprayed on the one surface to form a small concave hole 12 (first hole) in the opening 24a. (Concave hole) is formed (pre-stage etching).
Then, as shown in (e), both surfaces thereof were washed with water to wash away the etching solution, and then one side of the surface having the concave holes 12 was heated to 60 ° C. with a concentration of 15 wt. Spray a caustic solution such as an aqueous sodium solution,
The resist on one surface side is removed. After further washing with water, it is once dried.

【0020】つぎに同(f)に示すように、上記レジス
トの除去された一方の面を上向きにして、この一方の面
に、アクリル樹脂、カゼインおよび重クロム酸塩を主成
分とする後述するエッチング抵抗剤を、たとえばナイフ
コーターにより塗布する。ついで他方の面側に貼着され
ている保護フィルムを剥離して、大きな開孔部24bを
もつレジスト23b の形成されている他方の面側を露出
させる。その後、シャドウマスク素材20を水平に保っ
て、塗布されたエッチング抵抗剤を乾燥し、エッチング
抵抗層28を形成する。このエッチング抵抗剤の乾燥温
度は、低いと強度が弱く、逆に高すぎると、剥離除去が
困難となるため、80〜150℃、好ましくは100〜
120℃で乾燥する。この乾燥により、塗布されたエッ
チング抵抗剤中の溶媒の蒸発により体積が減少し、凹孔
部分に窪みができる。
Next, as shown in (f), one side of the resist which has been removed faces upward, and one side of which has acrylic resin, casein and dichromate as main components will be described later. The etching resistance agent is applied by, for example, a knife coater. Then, the protective film attached to the other surface side is peeled off to expose the other surface side where the resist 23b having the large opening portion 24b is formed. Then, the shadow mask material 20 is kept horizontal and the applied etching resistance agent is dried to form the etching resistance layer 28. If the drying temperature of this etching resistance agent is low, the strength is weak, and on the contrary, if it is too high, peeling and removal becomes difficult, and therefore 80 to 150 ° C., preferably 100 to
Dry at 120 ° C. By this drying, the volume of the solvent in the applied etching resistance agent is reduced by evaporation, and a depression is formed in the concave portion.

【0021】つぎにこの乾燥したエッチング抵抗層28
に紫外線を照射して硬化させる。この紫外線照射は、高
圧水銀ランプを用い、紫外線検出器により365nm近辺
の紫外線を検出して、150〜500mJ/cm2の積算光量
となるように照射してエッチング抵抗層28を硬化させ
る。これは、150mJ/cm2よりも少ないと、エッチング
抵抗層28が十分な強度にならず、また500mJ/cm2
上照射しても、強度が飽和してそれ以上強くならないた
めである。
Next, the dry etching resistance layer 28 is formed.
It is irradiated with ultraviolet rays and cured. The ultraviolet irradiation, using a high-pressure mercury lamp, by detecting the ultraviolet around 365nm by UV detector, to cure the etch resistant layer 28 is irradiated such that the integrated quantity of light 150~500mJ / c m2. This is because, if less than 150 mJ / c m @ 2, not the etching resistant layer 28 to a sufficient strength, also be irradiated 500 mJ / c m @ 2 or more, the strength is not more strongly saturated.

【0022】つぎに同(g)に示すように、大きな開孔
部24b をもつレジスト23b の形成されている他方の
面側を下向きにして、その他方の面に塩化第2鉄を主成
分とするエッチング液をスプレーして、開孔部24b に
上記小さな凹孔に連通する大きな凹孔13(第2の凹
孔)を形成する(後段のエッチング)。その後、両面を
水洗し、ついで苛性アルカリ溶液をスプレーして、他方
の面側のレジストおよびエッチング抵抗層を溶解剥離
し、さらに水洗し、乾燥して、同(h)に示すように、
一方の面側の凹孔12と他方の面側の凹孔13とが連通
した電子ビーム通過孔11の形成されたフラットマスク
29を得る。
Next, as shown in (g), the other surface side, on which the resist 23b having a large opening portion 24b is formed, faces downward, and the other surface has ferric chloride as a main component. Then, a large recessed hole 13 (second recessed hole) communicating with the small recessed hole is formed in the opening portion 24b by spraying the etching solution (second etching). After that, both surfaces are washed with water, then a caustic solution is sprayed, the resist and the etching resistant layer on the other surface side are dissolved and peeled off, further washed with water, and dried, as shown in (h).
A flat mask 29 having an electron beam passage hole 11 in which the concave hole 12 on one surface side and the concave hole 13 on the other surface side communicate with each other is obtained.

【0023】なお、カラーブラウン管に組込まれるシャ
ドウマスクは、上記フラットマスク29を焼鈍し、所定
形状のマスク本体にプレス成形し、さらにその表面に黒
色酸化膜を形成したのち、このマスク本体に別途形成さ
れたマスクフレームを溶接することにより製造される。
The shadow mask incorporated in the color cathode ray tube is formed by annealing the flat mask 29, press-molding it into a mask body having a predetermined shape, and further forming a black oxide film on the surface of the mask body, which is then separately formed on this mask body. It is manufactured by welding the mask frame thus prepared.

【0024】上記エッチング抵抗層28を形成するこの
例のエッチング抵抗剤は、アクリル系樹脂、カゼインお
よび重クロム酸塩を主成分とする溶液からなる。
The etching resistance agent of this example for forming the etching resistance layer 28 is composed of a solution containing acrylic resin, casein and dichromate as main components.

【0025】そのアクリル系樹脂としては、アクリル酸
エステルの重合体、メタクリル酸エステルの重合体、ま
たはそれらの共重合体、たとえばポリアクリル酸メチ
ル、ポリアクリル酸エチル、ポリアクリル酸n−ブチ
ル、ポリメタクリル酸メチル、ポリエチルアクリレー
ト、ポリブチルアクリレートなどが用いられる。
The acrylic resin is a polymer of acrylic acid ester, a polymer of methacrylic acid ester, or a copolymer thereof, such as polymethyl acrylate, polyethyl acrylate, n-butyl polyacrylate, poly Methyl methacrylate, polyethyl acrylate, polybutyl acrylate, etc. are used.

【0026】カゼインは、牛乳中に約3%含まれるリン
蛋白質であり、牛乳中では、通常カルシウムと複合体を
形成し、コロイド粒子として存在している。このカゼイ
ンは、単一な蛋白質ではなく、α−カゼイン、β−カゼ
イン、γ−カゼインの3種類の複合蛋白質であり、感光
剤として、富士薬品工業社製、FR−15、FR−1
6、FR−17、インテック社製、MR−SG、MR−
SGM、MR−SLGなどがあり、固形分としてカゼイ
ンを10〜14%含む。エッチング抵抗層28には、こ
のようなカゼインを含む感光剤を用いることができる。
Casein is a phosphoprotein contained in milk in an amount of about 3%, and normally forms a complex with calcium in milk and exists as colloidal particles. This casein is not a single protein but a complex protein of three kinds of α-casein, β-casein and γ-casein, and as a sensitizer, FR-15 and FR-1 manufactured by Fuji Yakuhin Kogyo Co., Ltd.
6, FR-17, manufactured by Intec, MR-SG, MR-
There are SGM, MR-SLG, etc., and 10 to 14% of casein is contained as solid content. For the etching resistance layer 28, such a photosensitizer containing casein can be used.

【0027】重クロム酸塩としては、重クロム酸アンモ
ニウムや重クロム酸ナトリウムが適当である。
Ammonium dichromate and sodium dichromate are suitable as the dichromate.

【0028】エッチング抵抗層28は、上記アクリル系
樹脂を3.0〜7.0重量%、カゼインを3〜5重量
%、重クロム酸塩を0.5〜1.5重量%含む溶液が用
いられる。この組成から外れ、アクリル系樹脂の含有量
が3.0重量%未満になると、シャドウマスク素材に対
する付着力や耐エッチング性が劣化する。一方、7.0
重量%を越えると、エッチング後の剥離工程で完全に剥
離除去することが困難となる。またカゼインの含有量が
3重量%未満になると、エッチング後の剥離工程で、完
全に剥離除去することが困難となる。一方、5重量%を
越えると、シャドウマスク素材に対する付着力や耐エッ
チング性が劣化する。また重クロム酸塩の含有量が0.
5重量%未満になると、紫外線によるエッチング抵抗層
の硬化が不十分となり、傷つきやすくなる。一方、1.
5重量%を越えると、エッチング抵抗層28がゲル化を
おこし、使用できなくなる。
For the etching resistance layer 28, a solution containing 3.0 to 7.0% by weight of the acrylic resin, 3 to 5% by weight of casein, and 0.5 to 1.5% by weight of dichromate is used. To be If the acrylic resin content is less than 3.0% by weight outside this composition, the adhesion to the shadow mask material and the etching resistance will deteriorate. On the other hand, 7.0
If it exceeds the weight%, it becomes difficult to completely peel and remove in the peeling step after etching. If the casein content is less than 3% by weight, it becomes difficult to completely remove the peeling in the peeling step after etching. On the other hand, if it exceeds 5% by weight, the adhesion to the shadow mask material and the etching resistance deteriorate. Further, the content of dichromate is 0.
If it is less than 5% by weight, the etching resistance layer is insufficiently cured by ultraviolet rays and is easily scratched. On the other hand, 1.
When it exceeds 5% by weight, the etching resistance layer 28 gels and cannot be used.

【0029】つぎに上記シャドウマスクの製造方法にお
けるエッチング工程をより詳細に説明する。
Next, the etching process in the above shadow mask manufacturing method will be described in more detail.

【0030】図2にそのエッチングに用いられる装置を
示す。このエッチング装置は、両面にレジスト23a ,
23b が形成され、フープ状に巻かれた長尺帯状のシャ
ドウマスク素材20を送出し、走行させたのち、巻取る
搬送機構(図示せず)を有し、この搬送機構により走行
するシャドウマスク素材20の走行経路に沿って、複数
のチャンバー31a 〜31i …が設けられている。また
このシャドウマスク素材20の走行経路に沿って、相対
的に大きな開孔部をもつレジスト23b の形成されたシ
ャドウマスク素材20の他方の面側に貼着する保護フィ
ルム26を供給し、貼着された保護フィルム26を後段
のエッチング前に剥がして巻取る保護フィルム供給巻取
り機構32が配設されている。
FIG. 2 shows an apparatus used for the etching. This etching system has resists 23a on both sides,
23b is formed, and has a long strip-shaped shadow mask material 20 wound in a hoop shape, and has a transport mechanism (not shown) for feeding and running, and then winding, and a shadow mask material that is run by this transport mechanism. A plurality of chambers 31a to 31i are provided along the traveling route of 20. Further, along the traveling path of the shadow mask material 20, a protective film 26 to be attached to the other surface side of the shadow mask material 20 on which the resist 23b having a relatively large opening is formed is supplied and attached. A protective film supply / winding mechanism 32 is provided for peeling and winding the thus-protected protective film 26 before the subsequent etching.

【0031】このエッチング装置でのエッチングは、上
記フープ状に巻かれた長尺帯状のシャドウマスク素材2
0を、相対的に小さな開孔部をもつレジスト23a の形
成されている一方の面側を下向きにして連続的に送出
し、まず他方の面側に保護フィルム供給巻取り機構32
により供給される保護フィルム26を貼着する。その
後、第1チャンバー31a に搬入して、この第1チャン
バー31a の下部に設けられた複数個のスプレーノズル
33からエッチング液をスプレーして、下向きの一方の
面に相対的に小さな凹孔を形成する(前段のエッチン
グ)。ついで第1チャンバー31a に隣接する第2チャ
ンバー31b に搬入して、この第2チャンバー31b 内
の上下部に設けられた複数個のスプレーノズル34から
水をスプレーしてエッチング液を洗流す。ついでこの第
2チャンバー31b に隣接する第3チャンバー31c に
搬入して、この第3チャンバー31c の下部に設けられ
た複数個のスプレーノズル35から水酸化ナトリウムの
15%溶液をスプレーして、上記凹孔の形成された一方
の面のレジスト23a を剥離除去する。ついでこの第3
チャンバー31c に隣接する第4チャンバー31d に搬
入して、この第4チャンバー31d の上下部に設けられ
た複数個のスプレーノズル36から水をスプレーして洗
浄し、さらに図示しないヒータにより乾燥する。
The etching by this etching apparatus is performed by the long strip-shaped shadow mask material 2 wound in the hoop shape.
0 is continuously sent with one surface side on which the resist 23a having a relatively small opening is formed facing downward, and first, the protective film supply / winding mechanism 32 is provided on the other surface side.
The protective film 26 supplied by the above is attached. After that, it is carried into the first chamber 31a, and the etching liquid is sprayed from a plurality of spray nozzles 33 provided in the lower portion of the first chamber 31a to form a relatively small concave hole on one surface facing downward. Yes (pre-stage etching). Then, it is carried into the second chamber 31b adjacent to the first chamber 31a, and water is sprayed from a plurality of spray nozzles 34 provided in the upper and lower parts of the second chamber 31b to wash away the etching solution. Then, it is carried into the third chamber 31c adjacent to the second chamber 31b, and a 15% solution of sodium hydroxide is sprayed from a plurality of spray nozzles 35 provided in the lower portion of the third chamber 31c to form the above-mentioned concave portion. The resist 23a on one surface where the holes are formed is peeled and removed. Then this third
It is carried into the fourth chamber 31d adjacent to the chamber 31c, sprayed with water from a plurality of spray nozzles 36 provided in the upper and lower parts of the fourth chamber 31d for cleaning, and further dried by a heater (not shown).

【0032】その後、搬送ローラ38,39によりシャ
ドウマスク素材20の面を反転して、上記レジスト23
a の剥離除去された一方の面を上向きにしたのち、第5
チャンバー31e に搬入し、この第5チャンバー31e
内に設置されたナイフコーター40により、エッチング
抵抗剤を塗布する。その後、他方の面側に貼着されてい
る保護フィルム26を保護フィルム供給巻取り機構32
により剥がして巻取る。ついでこの保護フィルム26を
剥がしたシャドウマスク素材20を第6チャンバー31
f に搬入して、この第6チャンバー31f に設置された
ヒータ41により、上記一方の面に塗布されたエッチン
グ抵抗剤を乾燥して、エッチング抵抗層を形成する。そ
の後、この第6チャンバー31f に隣接する第7チャン
バー31g に搬入して、この第7チャンバー31g の上
部に設置された高圧水銀ランプ42からエッチング抵抗
層に紫外線を照射して硬化させる。この第7チャンバー
31g には、所定速度で走行するシャドウマスク素材2
0に対して照射する紫外線量を一定に保つため、放射さ
れる紫外線強度の劣化やランプ42の断線を検出する検
出装置を有し、紫外線強度の劣化については、ステップ
スイッチなどにより電圧を切換えて紫外線強度を一定に
保ち、また断線については、予備のランプ(図示せず)
を点灯させる構造となっている。
After that, the surface of the shadow mask material 20 is reversed by the transport rollers 38 and 39, and the resist 23 is removed.
After facing up one side of a that has been peeled and removed,
The fifth chamber 31e is loaded into the chamber 31e.
An etching resistance agent is applied by a knife coater 40 installed inside. After that, the protective film 26 attached to the other surface side is attached to the protective film supply / winding mechanism 32.
Peel off and wind up. Then, the shadow mask material 20 from which the protective film 26 has been peeled off is placed in the sixth chamber 31.
After being carried in f, the etching resistance agent applied to the one surface is dried by the heater 41 installed in the sixth chamber 31f to form an etching resistance layer. After that, it is carried into the seventh chamber 31g adjacent to the sixth chamber 31f, and the etching resistance layer is irradiated with ultraviolet rays from the high-pressure mercury lamp 42 installed above the seventh chamber 31g to be cured. In this seventh chamber 31g, the shadow mask material 2 traveling at a predetermined speed is used.
In order to keep the amount of ultraviolet rays applied to 0 constant, a detector for detecting the deterioration of the intensity of the emitted ultraviolet rays and the disconnection of the lamp 42 is provided. For the deterioration of the ultraviolet intensity, the voltage is switched by a step switch or the like. Keep UV intensity constant, and spare lamp (not shown) for disconnection
It has a structure that lights up.

【0033】ついで上記第7チャンバー31g に隣接す
る第8チャンバー31h に搬入して、この第8チャンバ
ー31h の下部に設けられた複数個のスプレーノズル4
3からエッチング液をスプレーして、下向きの他方の面
に上記一方の面側に形成されている相対的に小さな凹孔
に連通する相対的に大きな凹孔を形成する(後段のエッ
チング)。ついでこの第8チャンバー31h に隣接する
第9チャンバー31iに搬入して、この第9チャンバー
31i の上下部に設けられた複数個のスプレーノズル4
4から水をスプレーしてエッチング液を洗流す。その
後、この第9チャンバー31i に隣接する第10チャン
バー(図示せず)に搬入して、この第10チャンバーの
上下部に設けられた複数個のスプレーノズルから、第3
チャンバー31c での水酸化ナトリウム溶液と類似の苛
性アルカリ溶液をスプレーして、上記相対的に大きな凹
孔の形成された他方の面のレジスト23b および一方の
面側に形成されたエッチング抵抗層を剥離除去する。つ
いでこの第10チャンバーに隣接する第11チャンバー
(図示せず)に搬入して、この第11チャンバーの上下
部に設けられた複数個のスプレーノズルから水をスプレ
ーして洗浄し、さらにつぎの第11チャンバー(図示せ
ず)に搬入して乾燥する。
Then, it is carried into the eighth chamber 31h adjacent to the seventh chamber 31g, and a plurality of spray nozzles 4 provided under the eighth chamber 31h.
An etching solution is sprayed from 3 to form a relatively large concave hole communicating with the relatively small concave hole formed on the one surface side on the other downward surface (etching in the latter stage). Then, it is carried into the ninth chamber 31i adjacent to the eighth chamber 31h, and the plurality of spray nozzles 4 provided at the upper and lower parts of the ninth chamber 31i are loaded.
4. Water is sprayed from 4 to wash away the etching solution. After that, it is carried into a tenth chamber (not shown) adjacent to the ninth chamber 31i, and a plurality of spray nozzles provided in the upper and lower parts of the tenth chamber are used to remove the third
A caustic alkali solution similar to the sodium hydroxide solution in the chamber 31c is sprayed to remove the resist 23b on the other surface having the relatively large concave hole and the etching resistance layer formed on the one surface side. Remove. Then, it is carried into an 11th chamber (not shown) adjacent to the 10th chamber, and sprayed with water from a plurality of spray nozzles provided in the upper and lower parts of the 11th chamber to wash it, and then the next chamber. 11. Load into a chamber (not shown) and dry.

【0034】ところで、上記のように前段のエッチング
によりシャドウマスク素材の一方の面に凹孔を形成した
のち、この凹孔の形成された一方の面に、アクリル系樹
脂、カゼインおよび重クロム酸塩を主成分とするエッチ
ング抵抗剤を塗布してエッチング抵抗層を形成し、この
エッチング抵抗層に紫外線を照射して硬化させると、傷
付きにくいエッチング抵抗層とすることができ、電子ビ
ーム通過孔の孔欠点の発生を防止できる。しかもアクリ
ル系樹脂は、苛性アルカリ溶液に溶解するため、従来の
エポキシ樹脂、カゼインおよびレベリング剤を主成分と
するとするエッチング抵抗層の問題点であった剥離が容
易となり、後段のエッチング後、苛性アルカリ溶液によ
り完全に剥離できる。また剥離したエッチング抵抗層の
付着による電子ビーム通過孔の孔詰まりも、ほぼ完全な
なくすことができ、所望のシャドウマスクを歩留よく製
造することができる。
By the way, as described above, after forming a concave hole on one surface of the shadow mask material by the preceding etching, an acrylic resin, casein and dichromate are formed on the one surface where the concave hole is formed. Is applied to form an etching resistance layer, and the etching resistance layer is irradiated with ultraviolet rays and cured to form a scratch resistant etching resistance layer. The occurrence of hole defects can be prevented. Moreover, since the acrylic resin dissolves in the caustic solution, the conventional epoxy resin, casein, and the leveling agent, which are the main problems of the etching resistance layer, are easily peeled off. Can be completely peeled off with a solution. Further, it is possible to almost completely eliminate the clogging of the electron beam passage hole due to the adhesion of the peeled etching resistance layer, and it is possible to manufacture a desired shadow mask with a high yield.

【0035】なお、上記実施の形態では、エッチング抵
抗剤をナイフコーターにより塗布したが、このエッチン
グ抵抗剤の塗布は、スプレー、ディッピング、ローラー
コート、バーコートなど、他の方法で塗布してもよい。
In the above embodiment, the etching resistance agent was applied by a knife coater, but the etching resistance agent may be applied by another method such as spraying, dipping, roller coating or bar coating. .

【0036】また、上記実施の形態では、シャドウマス
ク素材の一方の面側に凹孔を形成する前段のエッチング
時、他方の面側に貼着した保護フィルムをエッチング抵
抗剤塗布後に剥がしたが、この保護フィルムは、エッチ
ング抵抗剤塗布前、すなわち、一方の面側のレジストを
除去し、水洗、乾燥したのちに剥がしてもよい。
Further, in the above embodiment, the protective film attached to the other surface of the shadow mask material was peeled off after application of the etching resistance agent during the etching before forming the concave hole on the one surface of the shadow mask material. This protective film may be peeled off before application of the etching resistance agent, that is, after removing the resist on one surface side, washing with water and drying.

【0037】また、上記実施の形態では、アクリル系樹
脂、カゼインおよび重クロム酸塩を主成分とするエッチ
ング抵抗剤を塗布してエッチング抵抗層を形成したが、
このエッチング抵抗層は、さらにレベリング剤などの他
の材料を添加することは任意である。
In the above embodiment, the etching resistance layer containing acrylic resin, casein and dichromate as the main components is applied to form the etching resistance layer.
It is optional to add other materials such as a leveling agent to the etching resistant layer.

【0038】また、上記実施の形態では、最初にシャド
ウマスク素材の一方の面側に相対的に小さな凹孔を形成
し、ついで他方の面側に相対的に大きな凹孔を形成した
が、この発明は、最初にシャドウマスク素材の他方の面
側に相対的に大きな凹孔を形成し、ついで一方の面側に
相対的に小さな凹孔を形成する場合にも適用できる。
Further, in the above embodiment, a relatively small concave hole is first formed on one surface side of the shadow mask material, and then a relatively large concave hole is formed on the other surface side. The invention can be applied to the case where a relatively large concave hole is first formed on the other surface side of the shadow mask material and then a relatively small concave hole is formed on the one surface side.

【0039】[0039]

【発明の効果】上記のように前段のエッチングによりシ
ャドウマスク素材の一方の面に凹孔を形成したのち、こ
の凹孔の形成された一方の面に、アクリル系樹脂、カゼ
インおよび重クロム酸塩を主成分とするエッチング抵抗
剤を塗布してエッチング抵抗層を形成し、このエッチン
グ抵抗層に紫外線を照射して硬化させると、硬度が高く
傷付きにくいエッチング抵抗層とすることができ、電子
ビーム通過孔の孔欠点の発生を防止できる。しかもアク
リル系樹脂が苛性アルカリ溶液に溶解するため、従来の
エポキシ樹脂、カゼインおよびレベリング剤を主成分と
するとするエッチング抵抗層の問題点であった剥離が容
易となり、後段のエッチング後、苛性アルカリ溶液によ
り完全に剥離できる。また剥離したエッチング抵抗層の
付着による孔詰まりをほぼ完全ななくすことができ、所
望のシャドウマスクを歩留よく製造することができる。
As described above, after forming a concave hole on one surface of the shadow mask material by the preceding etching, an acrylic resin, casein and dichromate are formed on the one surface where the concave hole is formed. When an etching resistance layer containing as a main component is applied to form an etching resistance layer and the etching resistance layer is irradiated with ultraviolet rays and cured, an etching resistance layer having high hardness and less scratches can be formed. It is possible to prevent the occurrence of hole defects in the passage holes. Moreover, since the acrylic resin dissolves in the caustic solution, the conventional epoxy resin, casein, and the leveling agent, which are the main problems of the etching resistance layer, can be easily peeled off. Can be completely peeled. Further, it is possible to almost completely eliminate the clogging of the holes due to the adhesion of the peeled etching resistance layer, and it is possible to manufacture a desired shadow mask with a high yield.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】図1(a)ないし(h)はそれぞれこの発明の
一実施の形態である2段エッチング法によるシャドウマ
スクの製造方法を説明するための図である。
1A to 1H are views for explaining a method of manufacturing a shadow mask by a two-step etching method which is an embodiment of the present invention.

【図2】長尺帯状のシャドウマスク素材をエッチング装
置によりエッチングする場合の説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram of a case where a long strip shadow mask material is etched by an etching device.

【図3】カラーブラウン管の構成を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a color CRT.

【図4】カラーブラウン管のシャドウマスクの電子ビー
ム通過孔の形状を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a shape of an electron beam passage hole of a shadow mask of a color cathode ray tube.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…電子ビーム通過孔 12…相対的に小さな凹孔 13…相対的に大きな凹孔 20…シャドウマスク素材 21…感光膜 23a ,23b …レジスト 24a ,24b …一対のネガ原版 26…保護フィルム 28…エッチング抵抗層 31a 〜31i …チャンバー 40…ナイフコーター 41…ヒータ 42…高圧水銀ランプ 11 ... Electron beam passage hole 12 ... Relatively small concave hole 13 ... Relatively large concave hole 20 ... Shadow mask material 21 ... Photosensitive film 23a, 23b ... Resist 24a, 24b ... A pair of negative master plates 26 ... Protective film 28 ... Etching resistance layers 31a to 31i ... Chamber 40 ... Knife coater 41 ... Heater 42 ... High pressure mercury lamp

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 シャドウマスク素材の両面にシャドウマ
スクの電子ビーム通過孔に対応するパターンからなるレ
ジストを形成し、このレジストの形成されたシャドウマ
スク素材を一方の面側からエッチングしてこの一方の面
側に第1の凹孔を形成したのち、この一方の面側のレジ
ストを剥離し、このレジストの剥離された一方の面にエ
ッチング抵抗剤を塗布してエッチング抵抗層を形成した
のち、上記シャドウマスク素材を他方の面側からエッチ
ングしてこの他方の面側に上記第1の凹孔に連通する第
2の凹孔を形成して上記電子ビーム通過孔を形成するカ
ラーブラウン管用シャドウマスクの製造方法において、 上記エッチング抵抗剤をアクリル系樹脂、カゼインおよ
び重クロム酸塩を主成分とする組成にし、このエッチン
グ抵抗剤を上記第1の凹孔が形成された一方の面に塗布
してエッチング抵抗層を形成したのち、紫外線を照射し
て硬化させることを特徴とするカラーブラウン管用シャ
ドウマスクの製造方法。
1. A resist having a pattern corresponding to an electron beam passage hole of a shadow mask is formed on both sides of a shadow mask material, and the shadow mask material on which the resist is formed is etched from one surface side to form a resist. After forming the first concave hole on the surface side, the resist on the one surface side is peeled off, and an etching resistance agent is applied to the peeled one surface of the resist to form an etching resistance layer. A shadow mask for a color cathode ray tube, wherein a shadow mask material is etched from the other surface side to form a second concave hole communicating with the first concave hole on the other surface side to form the electron beam passage hole. In the manufacturing method, the etching resistance agent is a composition mainly containing acrylic resin, casein and dichromate, and the etching resistance agent is Of after the recessed hole has been applied to one surface formed to form an etching resistant layer, the manufacturing method of a shadow mask for a color picture tube, characterized in that is cured by irradiation with ultraviolet rays.
【請求項2】 エッチング抵抗剤中のアクリル系樹脂の
含有量を3.0〜7.0重量%、カゼインの含有量を3
〜5重量%、重クロム酸塩の含有量を0.5〜1.5重
量%としたことを特徴とする請求項1記載のカラーブラ
ウン管用シャドウマスクの製造方法。
2. The etching resistance agent has an acrylic resin content of 3.0 to 7.0% by weight and a casein content of 3%.
The method for producing a shadow mask for a color cathode ray tube according to claim 1, wherein the content of the dichromate is 0.5 to 1.5% by weight, and the content of dichromate is 0.5 to 1.5% by weight.
【請求項3】 エッチング抵抗層に365nm近辺の紫外
線を150〜500mJ/cm2照射することを特徴とする請
求項1または2記載のカラーブラウン管用シャドウマス
クの製造方法。
3. A process according to claim 1 or 2 color CRT shadow mask, wherein the etching resistant layer 150~500mJ / c m2 ultraviolet rays in the vicinity of 365nm to.
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