JPH0963087A - 光ピックアップ装置 - Google Patents

光ピックアップ装置

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JPH0963087A
JPH0963087A JP21055195A JP21055195A JPH0963087A JP H0963087 A JPH0963087 A JP H0963087A JP 21055195 A JP21055195 A JP 21055195A JP 21055195 A JP21055195 A JP 21055195A JP H0963087 A JPH0963087 A JP H0963087A
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JP
Japan
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receiving element
light receiving
chip
optical pickup
pickup device
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JP21055195A
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English (en)
Inventor
Yoshitaka Takahashi
義孝 高橋
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Ricoh Co Ltd
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Ricoh Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 受光素子の関連部分における小型化,薄型化
を図り、しかも取付工数を低減できるようにする。 【解決手段】 光ビームの光学的変化を検出するための
受光素子のチップ44を、ハウジングを介さずに可撓性プ
リント基板(FPC)41に対して直接取り付ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学的情報機器等
に適用される光ピックアップ装置に係り、特に光ピック
アップ装置に搭載された受光素子の設置構造およびその
関連構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図14は従来の光ピックアップ装置の構成
の説明図であり、半導体レーザ1から出射した光は、コ
リメータレンズ2により平行光とされ、ビームスプリッ
タ3を透過して偏向プリズム4によって光路を曲げら
れ、対物レンズ5によって光ディスク6表面に対して情
報の再生,記録あるいは消去のために微小スポットSと
して集束される。そして、光ディスク6からの反射光
は、対物レンズ5によって再び平行光とされ、偏向プリ
ズム4とビームスプリッタ3とで反射されて、集光レン
ズ7によって集束光とされて、シリンドリカルレンズ8
で光束に非点収差を与えられ、再生信号と、前記対物レ
ンズ5に対するサーボ信号(トラッキング,フォーカシ
ング制御)とを検出するための受光素子9に入射する。
【0003】なお、図中の10は半導体レーザ1の光量モ
ニタ用受光素子であって、前記コリメータレンズ2に入
射しない半導体レーザ1からの出射光を受光して、光量
モニタ用受光素子から出力される検出信号に基づいて制
御部11によって半導体レーザ1のパワー制御が行われ
る。
【0004】図15,図16は前記受光素子の具体的構成を
示す斜視図であり、図15に示す受光素子20は、金属性の
筒体21内に受光素子チップ22を収納し、開口部をガラス
窓23としている。筒体21の下側より受光素子チップ22に
対して電気的に接続したリード線24が垂下している。
【0005】また、図16に示す受光素子30は、セラミッ
ク製パッケージ31上に受光素子チップ32を設置し、その
受光素子チップ32上を樹脂モールド33で封止してある。
樹脂モールド33の下側より受光素子チップ32に対して電
気的に接続したリード線34が垂下している。
【0006】図17は図16の受光素子30の一実装方法を説
明するための斜視図であり、受光素子30は、リード線34
が可撓性プリント基板(FPC)35に形成されたホール35
aに半田付けによって固定され、このFPC35を光ピッ
クアップ・ハウジング(図示せず)に固定することによっ
て、所定位置に設置されることになる。
【0007】図17において、36は回路基板37上に固定さ
れたコネクタであって、コネクタ36にFPC35を挿入す
ることによって、FPC35の接点と前記ホール35aに連
なるランド部35bとが接触する。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】前記従来の技術におい
て、図15,図16に示す受光素子20,30のように、受光素
子チップ22,32に対して、そのパッケージである金属性
の筒体21あるいはセラミック製パッケージ31が大きく、
光ピックアップ装置全体の小型化の妨げになっていた。
【0009】さらに、図17に示すように、受光素子30と
FPC35とはリード線34の半田付けによって接続固定さ
れるが、使用される受光素子30のなかにはリード線が6
〜8本設けられているものもあり、半田付け工程が多く
なるという問題がある。
【0010】ところで、半導体レーザ1から出射された
レーザ光の光強度分布は、図18に示すようにガウス分布
を呈し、光軸から遠ざかると急に光強度が低下する。し
たがって、受光素子20,30では、その受光面の中央をレ
ーザ光の光軸に合わせるように設置することによって、
十分なる受光量が得られる。
【0011】しかし、前記光量モニタ用受光素子10に使
用される受光素子20,30において、従来ではそのパッケ
ージが上述のように大きく、その受光面を光軸に近づけ
ようとすると、光学系が図14に示すような構成であるた
めに、パッケージがレーザ光の有効光(微小スポットS
として集束されるレーザ光)に掛かってしまう。このた
め、情報記録,再生に影響を与えないように、光量モニ
タ用受光素子10に使用される受光素子20,30を光軸から
離れた位置に設置せざるを得ず、十分な光量が得られ
ず、したがって、半導体レーザ1のパワー制御用信号の
S/N比が十分でないという問題があった。
【0012】そこで、本発明は、前記受光素子の関連部
分における小型化,薄型化が図れ、しかも取付工数を低
減できるようにした光ピックアップ装置を提供すること
を目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、レーザ光源から出射された光ビームを光
学式記録媒体に微小スポットとして照射して、光学式記
録媒体に対して情報の再生,記録あるいは消去を行う光
ピックアップ装置において、前記光ビームの光学的変化
を検出するための受光素子と電気回路とを電気的に接続
する可撓性プリント基板に、前記受光素子のチップを直
接設置したことを特徴する。
【0014】前記可撓性プリント基板における受光素子
のチップ設置箇所とは反対側に、可撓性プリント基板と
一体的に補強部を設けたことを特徴とする。
【0015】前記可撓性プリント基板の補強部を光ピッ
クアップ・ハウジングに取り付けたことを特徴とする。
【0016】前記可撓性プリント基板が信号線と給電線
を備えたものであることを特徴とする。
【0017】前記可撓性プリント基板に電流−電圧変換
初段増幅器を設置したことを特徴とする。
【0018】前記受光素子のチップ上あるいは受光素子
のチップのボンディング線上に保護コーティングを施し
たことを特徴とする。
【0019】前記受光素子のチップ上に施された前記保
護コーティング上に光反射防止コーティングを施したこ
とを特徴とする。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を図面に基づいて説明する。以下に説明する各実施形態
は、前記図14のような構成の光学系を有する光ピックア
ップ装置に適用されるものである。
【0021】図1は本発明の第1実施形態における要部
の平面図、図2は同要部のの正面図であり、41は可撓性
プリント基板(Flexible Printed Circuit:FPC)、42
は銅線パターン、43は銅線パターン42の端部に設けられ
たコネクタ接続部としてのメッキランド部であって、44
は受光素子のチップ、45は受光素子のチップ44の受光面
である。
【0022】図1,図2において、受光素子のチップ44
は、FPC41に直接固定されて、銅線パターン42にボン
ディング線46を介して接続されている。このように、受
光素子のチップ44をFPC41に直接取り付けたことによ
って、従来の受光素子パッケージの取付機構に比べて、
小型,薄型になり、しかも半田付けが必要なくなるた
め、取付工数が低減する。
【0023】図3は本発明の第2実施形態における要部
の平面図、図4は同要部の正面図であり、前記第1実施
形態の構成における受光素子のチップ44とボンディング
線46とを保護コーティング47にて被覆したものである。
また、図5は本発明の第3実施形態における要部の平面
図、図6は同要部の正面図であり、受光素子のチップ44
のみを保護コーティング47にて被覆したものである。
【0024】このようにすることによって、受光素子の
チップ44あるいはボンディング線46に塵埃等が直接付
着することを防ぎ、受光素子のチップの環境に対する信
頼性を向上させることができる。
【0025】なお、前記第2実施形態と第3実施形態と
において、受光素子のチップ44の表面上部における保
護コーティング47上に反射防止コートを施すことによっ
て、保護コーティング47における光の反射を抑制するこ
とができ、受光効率が向上する。
【0026】図7は本発明の第4実施形態における要部
の平面図、図8は同要部の正面図であり、この第4実施
形態は、前記FPC41における受光素子のチップ44の設
置面とは反対側に、補強板50を一体的に設けたものであ
り、外力にて生じる受光素子のチップ44部分の変形によ
る破壊を防止することができる。このため、受光素子の
チップ44を取り付けた後のFPC41の取り扱いが容易に
なる。
【0027】図9は本発明の第5実施形態における要部
の平面図、図10は同要部の正面図であり、この第5実施
形態は、受光素子のチップ51が、4分割受光面52を有し
て、再生信号およびサーボ信号(トラッキング,フォー
カシング制御)を検出するためのものであって、FPC4
1における受光素子のチップ51の設置面とは反対側に、
補強板53を一体的に設けており、さらに補強板53のFP
C41から突出した部分には、一対のハウジング取付用の
孔54と一対の取付位置調整ピン用の孔55とが形成されて
いる。
【0028】図11は第5実施形態のFPC41を取り付け
るピックアップ・ハウジング56の斜視図であり、このピ
ックアップ・ハウジング56に設けられたねじ孔57に、各
種調整後に補強板53を介して、受光素子のチップ51が設
置された前記FPC41を固定できるようにしてある。
【0029】図12は前記各実施形態に用いられるFPC
の変形例を示す平面図であり、図12において、FPC60
には、再生信号およびサーボ信号(トラッキング,フォ
ーカシング制御)を検出するための受光素子のチップ61
と、半導体レーザの光量モニタ用受光素子のチップ62と
が上述したのと同様に直接設置されており、さらに再生
信号,サーボ信号およびモニタ用出力の信号線と、駆動
部,半導体レーザへの電源供給および受光素子のチップ
に逆バイアス等を加えるための給電線とが一体に形成さ
れている。
【0030】図13は前記各実施形態に用いられるFPC
の他の変形例を示す平面図であり、図13において、FP
C70は、図12のFPC60と基本的な構成は同様であっ
て、前記受光素子のチップ61と受光素子のチップ62とが
設置され、かつ再生信号,サーボ信号およびモニタ用出
力の信号線と、駆動部,半導体レーザへの電源供給およ
び受光素子に逆バイアス等を加えるための給電線とが一
体に形成されているものであって、さらに、FPC70
に、各受光素子のチップ61と受光素子のチップ62との出
力を電流から電圧に変換するための電流−電圧変換用初
段アンプ71,72が設置されている。
【0031】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光ピック
アップ装置は、請求項1記載の構成によれば、FPCに
受光素子のチップを、従来のようなパッケージを介さず
直接取り付けたことによって、小型化,薄型化が可能に
なり、また従来のような半田付けの必要がないので、工
数が削減される等、実際上の効果が大である。
【0032】請求項2記載の構成によれば、補強部によ
って受光素子のチップ部分における外力による変形,破
壊を防止することができ、また取り扱いが容易になる。
【0033】請求項3記載の構成によれば、前記補強部
を介して光ピックアップ・ハウジングに対して調整,固
定することができるので、組み付けに必要な部品点数を
削減できる。
【0034】請求項4記載の構成によれば、FPCには
信号線と給電線とを備えて、受光素子のチップを取り付
けることによって、部品点数,工数の削減、および保
守,管理が容易になる。
【0035】請求項5記載の構成によれば、FPCに初
段アンプを搭載したことによって、外部ノズルの少ない
段階にて信号を電流/電圧変換することができ、S/N
比のよい信号検出が行える。
【0036】請求項6記載の構成によれば、受光素子の
チップ等に塵埃等が直接付着して悪影響を与えること
を、保護コーティングを設けることによって防止でき、
受光素子の環境に対する信頼性が向上する。
【0037】請求項7記載の構成によれば、受光素子の
チップに設けられた前記保護コーティング上に反射防止
コーティングを設けたことによって、保護コーティング
での光の反射による受光素子のチップへの影響を抑制す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の光ピックアップ装置の第1実施形態に
おける要部の平面図である。
【図2】第1実施形態の要部の正面図である。
【図3】本発明の光ピックアップ装置の第2実施形態に
おける要部の平面図である。
【図4】第2実施形態の要部の正面図である。
【図5】本発明の光ピックアップ装置の第3実施形態に
おける要部の平面図である。
【図6】第3実施形態の要部の正面図である。
【図7】本発明の光ピックアップ装置の第4実施形態に
おける要部の平面図である。
【図8】第4実施形態の要部の正面図である。
【図9】本発明の光ピックアップ装置の第5実施形態に
おける要部の平面図である。
【図10】第5実施形態の要部の正面図である。
【図11】第5実施形態のFPCが取り付けられるピッ
クアップ・ハウジングの斜視図である。
【図12】FPCの変形例を示す平面図である。
【図13】FPCの他の変形例を示す平面図である。
【図14】従来の光ピックアップ装置の構成の説明図で
ある。
【図15】従来の受光素子の斜視図である。
【図16】従来の受光素子の斜視図である。
【図17】従来の受光素子の実装方法を説明するための
斜視図平面図である。
【図18】レーザ光の光強度特性図である。
【符号の説明】
41,60,70…FPC(可撓性プリント基板)、 44,51,
61,62…受光素子のチップ、 45,52…受光面、 46…
ボンディング線、 47…保護コーティング、 50,53…
補強板、 56…ピックアップ・ハウジング、 71,72…
初段アンプ(電流−電圧変換用初段増幅器)。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 レーザ光源から出射された光ビームを光
    学式記録媒体に微小スポットとして照射して、光学式記
    録媒体に対して情報の再生,記録あるいは消去を行う光
    ピックアップ装置において、前記光ビームの光学的変化
    を検出するための受光素子と電気回路とを電気的に接続
    する可撓性プリント基板に、前記受光素子のチップを直
    接設置したことを特徴する光ピックアップ装置。
  2. 【請求項2】 前記可撓性プリント基板における受光素
    子のチップ設置箇所とは反対側に、可撓性プリント基板
    と一体的に補強部を設けたことを特徴とする請求項1記
    載の光ピックアップ装置。
  3. 【請求項3】 前記可撓性プリント基板の補強部を光ピ
    ックアップ・ハウジングに取り付けたことを特徴とする
    請求項2記載の光ピックアップ装置。
  4. 【請求項4】 前記可撓性プリント基板が信号線と給電
    線を備えたものであることを特徴とする請求項1ないし
    3のいずれか1項記載の光ピックアップ装置。
  5. 【請求項5】 前記可撓性プリント基板に電流−電圧変
    換初段増幅器を設置したことを特徴とする請求項1ない
    し4のいずれか1項記載の光ピックアップ装置。
  6. 【請求項6】 前記受光素子のチップ上あるいは受光素
    子のチップのボンディング線上に保護コーティングを施
    したことを特徴とする請求項1記載の光ピックアップ装
    置。
  7. 【請求項7】 前記受光素子のチップ上に施された前記
    保護コーティング上に光反射防止コーティングを施した
    ことを特徴とする請求項6記載の光ピックアップ装置。
JP21055195A 1995-08-18 1995-08-18 光ピックアップ装置 Pending JPH0963087A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003098616A1 (fr) * 2002-05-15 2003-11-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Tete optique

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WO2003098616A1 (fr) * 2002-05-15 2003-11-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Tete optique
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