JPH0961802A - Evaluating method of defect in glass substrate - Google Patents

Evaluating method of defect in glass substrate

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JPH0961802A
JPH0961802A JP21172395A JP21172395A JPH0961802A JP H0961802 A JPH0961802 A JP H0961802A JP 21172395 A JP21172395 A JP 21172395A JP 21172395 A JP21172395 A JP 21172395A JP H0961802 A JPH0961802 A JP H0961802A
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JP
Japan
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glass substrate
ito film
defect
liquid crystal
defect evaluation
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JP21172395A
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Satoshi Amano
智 天野
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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  • Liquid Crystal (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To judge whether defects are present or not in a glass substrate before the glass substrate is subjected to a producing process. SOLUTION: This method includes a process to form an ITO film all of at least the area which is to be inspected whether defects are present or not on a glass substrate 1, a process to selectively etch the ITO film into a specified pattern, and a process to visually check the ITO film 8A remaining after the selective etching. The specified pattern is composed of an assembly of patterns each having a long peripheral length present in each region determined by finely dividing the inspection region.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はガラス基板の欠陥評価方
法に係り、たとえば液晶表示基板に用いられるガラス基
板の欠陥評価方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a defect evaluation method for a glass substrate, and more particularly to a defect evaluation method for a glass substrate used for a liquid crystal display substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示基板は、液晶を介して互いに対
向配置されるガラス基板を外囲器とするものであり、そ
れぞれのガラス基板の液晶側の面にはいわゆるフォトリ
ソグラフィ技術で形成された信号線、電極、あるいはス
イッチング素子等が形成されている。
2. Description of the Related Art A liquid crystal display substrate has glass substrates arranged opposite to each other with a liquid crystal interposed therebetween as an envelope. The liquid crystal side surface of each glass substrate is formed by a so-called photolithography technique. Signal lines, electrodes, switching elements, etc. are formed.

【0003】この場合、それぞれのガラス基板の液晶側
の面はいわゆる潜傷(研磨剤粒子等で埋められた研磨
傷)等の欠陥が全く形成されていないことが望ましいこ
とはいうまでもない。このような欠陥が形成されている
場合、その欠陥の部分で断線が生じた信号線等が形成さ
れてしまうからである。
In this case, it goes without saying that it is desirable that no defects such as so-called latent scratches (polishing scratches filled with abrasive particles or the like) are formed on the surface of each glass substrate on the liquid crystal side. This is because, when such a defect is formed, a signal line or the like having a disconnection is formed at the defect portion.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た潜傷等の欠陥はたとえば顕微鏡による観察によっても
その認識は困難であり、製造工程の過程において上述し
た信号線の断線を認識できた時点で判明するにすぎなか
った。
However, it is difficult to recognize the above-mentioned defects such as latent scratches even by observing them with a microscope, and it becomes clear when the above-mentioned disconnection of the signal line can be recognized in the course of the manufacturing process. I did nothing.

【0005】それ故、本発明はこのような事情に基づい
てなされたものであり、その目的は、製造工程に処せら
れる前にガラス基板に欠陥が存在するか否かを判明でき
るガラス基板の欠陥評価方法を提供することにある。
Therefore, the present invention has been made under such circumstances, and an object of the present invention is to detect a defect in a glass substrate, which makes it possible to determine whether or not a defect exists in the glass substrate before being subjected to a manufacturing process. To provide an evaluation method.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
SUMMARY OF THE INVENTION Among the inventions disclosed in the present application, the outline of a representative one will be briefly described.
It is as follows.

【0007】手段1.ガラス基板の少なくとも欠陥評価
領域の全域にITO膜を形成する工程と、このITO膜
を所定のパターンで選択エッチングする工程と、この選
択エッチングによって残存されたITO膜を目視検査す
る工程と、を含むものであって、前記所定のパターンは
前記欠陥評価領域を微細に分割した各領域毎に存在する
周辺長の大きなパターンの集合体からなっていることを
特徴とするものである。
Means 1. The method includes a step of forming an ITO film at least in the entire defect evaluation region of the glass substrate, a step of selectively etching the ITO film in a predetermined pattern, and a step of visually inspecting the ITO film remaining by the selective etching. It is characterized in that the predetermined pattern is composed of an aggregate of patterns having a large peripheral length, which are present in each area obtained by finely dividing the defect evaluation area.

【0008】手段2.手段1の構成において、ガラス基
板は液晶表示基板の外囲器を構成するものであって、そ
れに形成されたITO膜を選択エッチングする際のフォ
トマスクとして、該液晶表示基板の製造の際に用いる各
フォトマスクのいずれかを用いることを特徴とするもの
である。
Means 2. In the configuration of the means 1, the glass substrate constitutes an envelope of the liquid crystal display substrate, and is used as a photomask when selectively etching the ITO film formed on the glass substrate, and is used in manufacturing the liquid crystal display substrate. One of the photomasks is used.

【0009】[0009]

【作用】手段1に示した構成によれば、ガラス基板の面
の欠陥評価領域に欠陥があった場合、選択エッチングに
よって形成されたITO(Imdium-Tin-Oxide)膜はその
欠陥が形成されている部分において切欠きが形成された
形状となり、この切欠きは顕微鏡による目視によって容
易に観察することができるようになる。
According to the construction described in the means 1, when there is a defect in the defect evaluation region on the surface of the glass substrate, the ITO (Imdium-Tin-Oxide) film formed by selective etching has the defect formed. A notch is formed in the existing portion, and this notch can be easily observed by visual observation with a microscope.

【0010】このITO膜は、ガラス基板に形成された
潜傷等の欠陥に敏感に反応し、上記切欠きが生じやすい
材料であることが判明している。潜傷等内に侵入したI
TO膜のエッチング液が該ITO膜を容易に侵食するも
のと考えられる。
It has been found that this ITO film is a material that reacts sensitively to defects such as latent scratches formed on the glass substrate and is prone to the above-mentioned notches. I that has penetrated into latent scratches, etc.
It is considered that the etching solution for the TO film easily corrodes the ITO film.

【0011】この場合、ITO膜のパターンは欠陥評価
領域を微細に分割した各領域毎に存在する周辺長の大き
なパターンの集合体とすることにより、欠陥はその存在
する個所に拘らずITO膜のパターンの周辺部に位置づ
けられる確率が高くなって上記切欠きが発生しやすくな
る。
In this case, the pattern of the ITO film is an aggregate of patterns having a large peripheral length which are present in each of the regions where the defect evaluation region is finely divided, so that the defect of the ITO film is present regardless of where the defect exists. The probability of being positioned in the peripheral portion of the pattern is increased, and the above notch is likely to occur.

【0012】このことから、微細な欠陥をほとんど見逃
すことなく発見できるという効果を奏する。
From this, there is an effect that fine defects can be found with almost no oversight.

【0013】また、手段2に示した構成によれば、上記
パターンを有するITO膜形成のためのフォトマスクを
特別に作成する必要がなくなり、既存のフォトマスクを
そのまま使用できるという効果を奏する。
Further, according to the constitution shown in the means 2, there is no need to specially prepare the photomask for forming the ITO film having the above pattern, and the existing photomask can be used as it is.

【0014】[0014]

【実施例】図2は、本発明による欠陥評価方法の対象と
なるガラス基板を備える液晶表示基板の等価回路の一実
施例を示す図である。同図は等価回路であるが実際の幾
何学的配置に対応して描かれている。
FIG. 2 is a diagram showing an embodiment of an equivalent circuit of a liquid crystal display substrate having a glass substrate which is a target of the defect evaluation method according to the present invention. Although the figure is an equivalent circuit, it is drawn corresponding to the actual geometrical arrangement.

【0015】同図において、液晶を介して互いに対向配
置されるガラス基板のうち一方のガラス基板1の液晶側
の面に、図中x方向に延在しy方向に並設されるゲート
信号線2があり、また、これらゲート信号線2に絶縁さ
れてy方向に延在しx方向に並設される映像信号線3が
ある。
In FIG. 1, gate signal lines extending in the x direction and arranged in parallel in the y direction on the liquid crystal side surface of one glass substrate 1 of the glass substrates arranged to face each other with the liquid crystal interposed therebetween. 2 and video signal lines 3 insulated from the gate signal lines 2 and extending in the y direction and arranged in parallel in the x direction.

【0016】ゲート信号線2と映像信号線3とで囲まれ
る矩形状の領域が単位画素領域を構成し、これら各領域
にはそれぞれ一方のゲート信号線2からのゲート信号
(電圧)の供給によってオンする薄膜トランジスタTF
Tを備え、このオンされた薄膜トランジスタTFTを介
して映像信号線3からの映像信号(電圧)が画素電極3
に供給されるようになっている。
A rectangular region surrounded by the gate signal line 2 and the video signal line 3 constitutes a unit pixel region, and a gate signal (voltage) is supplied from one gate signal line 2 to each of these regions. Thin film transistor TF to turn on
A video signal (voltage) from the video signal line 3 is provided through the thin film transistor TFT which is turned on.
It is supplied to.

【0017】また、この画素電極3は他方のゲート信号
線2との間に浮遊容量Caddが備えられており、前記
薄膜トランジスタTFTがオフした後の映像信号を長く
蓄積できるようになっている。
The pixel electrode 3 is provided with a floating capacitance Cadd between the pixel electrode 3 and the other gate signal line 2 so that a video signal after the thin film transistor TFT is turned off can be stored for a long time.

【0018】なお、このガラス基板1に液晶を介して対
向配置される他のガラス基板の液晶側の面には各単位画
素に共通な共通電極が形成され、映像信号が供給された
前記画素電極3との間に電界を発生させ、前記液晶の光
透過率を変化させるようになっている。
A common electrode common to each unit pixel is formed on the surface of the other glass substrate facing the glass substrate 1 with the liquid crystal in between, and the pixel electrode to which the video signal is supplied is formed. An electric field is generated between the liquid crystal and the liquid crystal layer 3 to change the light transmittance of the liquid crystal.

【0019】図3は前記単位画素の一実施例を示す構成
図であり、同図(a)は平面図を、同図(b)は(a)
のb−b線における断面図である。
3A and 3B are configuration diagrams showing an embodiment of the unit pixel. FIG. 3A is a plan view and FIG. 3B is a view.
3 is a cross-sectional view taken along line bb.

【0020】まず、ガラス基板1の主表面には走査信号
線(たとえばAl合金層)2が形成され、この走査信号
線2をも被って該ガラス基板1の全域に形成された絶縁
膜(たとえばシリコン窒化膜)4上に映像信号線(たと
えばCrとAl合金層の順次積層体層)3が形成されて
いる。
First, a scanning signal line (for example, an Al alloy layer) 2 is formed on the main surface of the glass substrate 1, and an insulating film (for example, an Al film) formed over the entire area of the glass substrate 1 so as to cover the scanning signal line 2 as well. A video signal line (eg, a sequentially laminated body layer of Cr and Al alloy layers) 3 is formed on a silicon nitride film 4.

【0021】この絶縁膜4は、走査信号線2と映像信号
線との交差部においては層間絶縁膜として、薄膜トラン
ジスタTFTの形成領域においてはゲート絶縁膜とし
て、さらには浮遊容量Caddの形成領域においては誘
電体膜として機能するようになっている。
This insulating film 4 serves as an interlayer insulating film at the intersection of the scanning signal line 2 and the video signal line, as a gate insulating film in the formation region of the thin film transistor TFT, and further in the formation region of the stray capacitance Cadd. It functions as a dielectric film.

【0022】走査信号線2はその一部において薄膜トラ
ジスタTFTの形成領域にまで延在し該薄膜トランジス
タTFTのゲート電極が形成されている。そして、前記
絶縁膜4(ゲート絶縁膜)のゲート電極2A上の面には
半導体層(たとえばアモルファスSi)5が形成され、
その半導体層5の上面には互いに離間されて形成された
ドレイン電極3Aおよびソース電極6とが形成されてい
る。ここで、ドレイン電極3Aは映像信号線3と一体に
形成されたものとなっている。
A part of the scanning signal line 2 extends to the formation region of the thin film transistor TFT, and the gate electrode of the thin film transistor TFT is formed. Then, a semiconductor layer (for example, amorphous Si) 5 is formed on the surface of the insulating film 4 (gate insulating film) on the gate electrode 2A,
A drain electrode 3A and a source electrode 6 are formed on the upper surface of the semiconductor layer 5 so as to be separated from each other. Here, the drain electrode 3A is formed integrally with the video signal line 3.

【0023】そして、このように構成されたガラス基板
1の表面にはその全域に及んで保護膜7が形成され、こ
の保護膜7の上面にはこの保護膜7に形成されたコンタ
クトホールを通して前記ソース電極6と接続された画素
電極(Imdium-Tin-Oxide)8が形成されている。
A protective film 7 is formed over the entire surface of the glass substrate 1 thus constructed, and the contact hole formed in the protective film 7 is formed on the upper surface of the protective film 7. A pixel electrode (Imdium-Tin-Oxide) 8 connected to the source electrode 6 is formed.

【0024】この画素電極8は保護膜7上を他方のゲー
ト信号線2に重畳するように延在され、この重畳部にお
いて該ゲート信号線2との間に浮遊容量Caddを形成
している。
The pixel electrode 8 extends on the protective film 7 so as to overlap with the other gate signal line 2, and a floating capacitance Cadd is formed between the pixel electrode 8 and the gate signal line 2 at this overlapping portion.

【0025】このように構成される液晶表示基板は、ガ
ラス基板1の主表面の全域に形成した堆積膜をいわゆる
フォトリソグラフィ技術を用いた選択エッチング方法に
よる微細加工を数回繰り返えすことによって製造され
る。
The liquid crystal display substrate thus constructed is manufactured by repeating the microfabrication of the deposited film formed on the entire main surface of the glass substrate 1 by the selective etching method using the so-called photolithography technique several times. To be done.

【0026】そして、この場合、ガラス基板1はその主
表面において欠陥がないことが、その後のフォトリソグ
ラフィ技術を用いた選択エッチング方法による微細加工
を損傷なく行うことの一要素となる。
In this case, the fact that the glass substrate 1 has no defects on its main surface is one of the factors for performing subsequent fine processing by the selective etching method using the photolithography technique without damage.

【0027】図4は、このような微細加工を順次行って
いく前段階として行うガラス基板の欠陥評価方法の一実
施例を示した工程図である。
FIG. 4 is a process diagram showing an embodiment of a glass substrate defect evaluation method performed as a pre-stage for sequentially performing such fine processing.

【0028】工程1.ロット毎に分けられた複数のガラ
ス基板のうちの一のガラス基板を選択して抜き取る。ロ
ット単位に分けられた複数のガラス基板はそれぞれ同じ
工程で形成されかつ同様の洗浄等がなされていることか
ら、抜き取られたガラス基板に欠陥があった場合に、ロ
ット単位の各ガラス基板の全てに同じような欠陥が生じ
ているだろうとの経験則に基づくものである。
Step 1. One glass substrate is selected and extracted from the plurality of glass substrates divided for each lot. Multiple glass substrates divided into lot units are formed in the same process and cleaned in the same way, so if there is a defect in the extracted glass substrate, all glass substrates in each lot unit It is based on the empirical rule that similar flaws may have occurred in.

【0029】工程2.抜き取ったガラス基板をアルカリ
洗浄液に浸漬する。この洗浄液としてはpHが12〜1
3、液温が50〜60℃が好適で、かつ浸漬時間として
は10〜15分間が適当である。
Step 2. The glass substrate taken out is immersed in an alkaline cleaning liquid. This cleaning solution has a pH of 12 to 1
3. The liquid temperature is preferably 50 to 60 ° C., and the dipping time is suitably 10 to 15 minutes.

【0030】工程3.このようにアルカリ洗浄液で処理
されたガラス基板の主表面の全域に膜厚約100nmの
ITO膜を成膜する。
Step 3. In this way, an ITO film having a film thickness of about 100 nm is formed on the entire main surface of the glass substrate treated with the alkaline cleaning liquid.

【0031】工程4.ガラス基板の全域に形成されたI
TO膜をいわゆるフォトリソグラフィ技術による選択エ
ッチング方法を用いていわゆるパターニングを行う。
Step 4. I formed on the entire area of the glass substrate
So-called patterning is performed on the TO film by using a selective etching method based on a so-called photolithography technique.

【0032】この場合のフォトリソグラフィ技術による
フォトマスクは、液晶表示基板の製造において用いられ
かつ既に存在している画素電極(図3において符号8に
示す)形成のためのフォトマスクをそのまま使用する。
As the photomask by the photolithography technique in this case, the photomask for forming the pixel electrode (indicated by reference numeral 8 in FIG. 3) used in the manufacture of the liquid crystal display substrate and already existing is used as it is.

【0033】また、選択エッチングの際のエッチャント
としてはたとえば王水を用いる。
Also, aqua regia is used as an etchant for the selective etching.

【0034】このようにして得られるガラス基板は、図
1に示すように、ガラス基板1面に、そのパターン化さ
れた各ITO膜8Aがマトリックス状配列されて形成さ
れるようになる。
As shown in FIG. 1, the glass substrate thus obtained is formed by arranging the patterned ITO films 8A on the surface of the glass substrate 1 in a matrix.

【0035】工程5.各ITO膜8Aを順次顕微鏡によ
る目視によって観察する。この場合、図5に示すよう
に、ITO膜8Aがその周辺において切欠き10が形成
されているような形状として認識できる場合がある。
Step 5. Each ITO film 8A is sequentially observed visually by a microscope. In this case, as shown in FIG. 5, the ITO film 8A may be recognized as a shape in which the notch 10 is formed in the periphery thereof.

【0036】この場合、その切欠き10の個所における
ガラス基板面に潜傷等の欠陥11が存在することの立証
になる。王水からなるエッチャントが該潜傷に侵入し、
この侵入したエッチャントがITO膜10を容易に侵食
するからである。
In this case, it is proved that there is a defect 11 such as a latent scratch on the surface of the glass substrate at the notch 10. An aqua regia etchant invades the latent wound,
This is because the infiltrated etchant easily erodes the ITO film 10.

【0037】以上、このような実施例に示した評価方法
によれば、ガラス基板1の面に欠陥11があった場合、
選択エッチングによって形成されたITO膜8Aはその
欠陥が形成されている部分において切欠き10が形成さ
れた形状となり、この切欠き10は顕微鏡による目視に
よって容易に観察することができるようになる。
As described above, according to the evaluation methods shown in the examples, when there is a defect 11 on the surface of the glass substrate 1,
The ITO film 8A formed by the selective etching has a shape in which the notch 10 is formed in the portion where the defect is formed, and the notch 10 can be easily observed by visual observation with a microscope.

【0038】このことから、微細な欠陥をほとんど見逃
すことなく発見できるという効果を奏する。
From this fact, there is an effect that fine defects can be found almost without overlooking.

【0039】また、液晶表示基板の製造において用いら
れかつ既に存在している画素電極8の形成のためのフォ
トマスクをそのまま使用していることから、欠陥評価用
のITO膜8Aの形成のためのフォトマスクを特別に作
成する必要がなくなくなるという効果を奏する。
Further, since the photomask used for manufacturing the liquid crystal display substrate and already existing for forming the pixel electrode 8 is used as it is, it is necessary to form the ITO film 8A for defect evaluation. This has the effect of eliminating the need to create a special photomask.

【0040】上述した実施例では、液晶表示基板の表示
部に相当する領域を欠陥評価領域としてITO膜8Aを
形成したものであるが、この欠陥評価領域は必ずしも前
記表示部に限定されることはなく、それよりも狭い領域
あるいは広い領域であってもよいことはいうまでもな
い。
In the above-described embodiment, the ITO film 8A is formed with the area corresponding to the display portion of the liquid crystal display substrate as the defect evaluation area, but this defect evaluation area is not necessarily limited to the display area. Needless to say, the area may be narrower or wider than that.

【0041】また、上述した実施例では液晶表示基板の
製造において用いられるフォトマスクをそのまま使用し
たものであるが、これに限定されることはなく、欠陥評
価用のフォトマスクを特別に作成し、図6に示すような
パターンのITO膜8Aを形成するようにしてもよいこ
とはいうまでもない。
Although the photomask used in the manufacture of the liquid crystal display substrate is used as it is in the above-mentioned embodiment, the present invention is not limited to this, and a photomask for defect evaluation is specially prepared. It goes without saying that the ITO film 8A having a pattern as shown in FIG. 6 may be formed.

【0042】この場合のITO膜8Aのパターンは欠陥
評価領域を微細に分割した各領域毎に存在する周辺長の
大きなパターンの集合体となっておれば、特に限定され
ることはない。
In this case, the pattern of the ITO film 8A is not particularly limited as long as it is an aggregate of patterns having a large peripheral length which are present in each area obtained by finely dividing the defect evaluation area.

【0043】そして、該パターンの周辺長を大きくする
ほど、欠陥はその存在する個所に拘らずITO膜のパタ
ーンの周辺部に位置づけられる確率が高くなることか
ら、欠陥を発見できやすくなるという効果を奏する。
The larger the peripheral length of the pattern, the higher the probability that the defect will be located in the peripheral portion of the pattern of the ITO film, regardless of the location of the defect. Therefore, it is easier to find the defect. Play.

【0044】また、上述した実施例では、液晶表示基板
を構成するガラス基板の欠陥評価方法を示したものであ
るが、必ずしも液晶表示基板を構成するガラス基板に限
定されることはないことはいうまでもない。
Further, in the above-mentioned embodiment, the method for evaluating defects of the glass substrate constituting the liquid crystal display substrate is shown, but it is not always limited to the glass substrate constituting the liquid crystal display substrate. There is no end.

【0045】[0045]

【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明によるガラス基板の欠陥評価方法によれば、製造
工程に処せられる前にガラス基板に欠陥が存在するか否
かを判明できるようになる。
As is apparent from the above description,
According to the glass substrate defect evaluation method of the present invention, it becomes possible to determine whether or not a defect exists in the glass substrate before being subjected to the manufacturing process.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明による欠陥評価方法の一実施例を示す説
明図で、ガラス基板に形成されたITO膜のパターンを
示している。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing an embodiment of a defect evaluation method according to the present invention, showing a pattern of an ITO film formed on a glass substrate.

【図2】本発明による欠陥評価方法の対象となるガラス
基板を備える液晶表示基板の等価回路の一実施例を示す
図である。
FIG. 2 is a diagram showing an example of an equivalent circuit of a liquid crystal display substrate including a glass substrate which is a target of the defect evaluation method according to the present invention.

【図3】単位画素の一実施例を示す構成図であり、同図
(a)は平面図を、同図(b)は(a)のb−b線にお
ける断面図である。
3A and 3B are configuration diagrams showing an embodiment of a unit pixel, FIG. 3A is a plan view, and FIG. 3B is a sectional view taken along line bb of FIG. 3A.

【図4】本発明によるガラス基板の欠陥評価方法の一実
施例を示す工程図である。
FIG. 4 is a process drawing showing an embodiment of a glass substrate defect evaluation method according to the present invention.

【図5】本発明による欠陥評価方法を示す説明図であ
る。
FIG. 5 is an explanatory diagram showing a defect evaluation method according to the present invention.

【図6】本発明による欠陥評価方法の一実施例を示す説
明図で、ガラス基板に形成されたITO膜のパターンを
示している。
FIG. 6 is an explanatory view showing an embodiment of a defect evaluation method according to the present invention, showing a pattern of an ITO film formed on a glass substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1……ガラス基板、8A……ITO膜、10……切欠
き、11……潜傷。
1 ... Glass substrate, 8A ... ITO film, 10 ... Notches, 11 ... Latent scratches.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ガラス基板の少なくとも欠陥評価領域の
全域にITO膜を形成する工程と、このITO膜を所定
のパターンで選択エッチングする工程と、この選択エッ
チングによって残存されたITO膜を目視検査する工程
と、を含むものであって、 前記所定のパターンは、前記欠陥評価領域を微細に分割
した各領域毎に存在する周辺長の大きなパターンの集合
体からなっていることを特徴とするガラス基板の欠陥評
価方法。
1. A step of forming an ITO film on at least the entire area of a defect evaluation region of a glass substrate, a step of selectively etching the ITO film in a predetermined pattern, and a visual inspection of the ITO film remaining by the selective etching. A glass substrate, characterized in that the predetermined pattern is composed of an aggregate of patterns having a large peripheral length that exist in each of the regions obtained by finely dividing the defect evaluation region. Defect evaluation method.
【請求項2】 ガラス基板は液晶表示基板の外囲器を構
成するものであって、それに形成されたITO膜を選択
エッチングする際のフォトマスクとして、該液晶表示基
板の製造の際に用いる各フォトマスクのいずれかを用い
ることを特徴とする請求項1記載のガラス基板の欠陥評
価方法。
2. The glass substrate constitutes an envelope of a liquid crystal display substrate, and is used as a photomask for selectively etching an ITO film formed on the glass substrate, and is used for manufacturing the liquid crystal display substrate. The defect evaluation method for a glass substrate according to claim 1, wherein any one of photomasks is used.
JP21172395A 1995-08-21 1995-08-21 Evaluating method of defect in glass substrate Pending JPH0961802A (en)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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