JPH0955515A - Manufacture of dynamical quantity sensor - Google Patents

Manufacture of dynamical quantity sensor

Info

Publication number
JPH0955515A
JPH0955515A JP7204663A JP20466395A JPH0955515A JP H0955515 A JPH0955515 A JP H0955515A JP 7204663 A JP7204663 A JP 7204663A JP 20466395 A JP20466395 A JP 20466395A JP H0955515 A JPH0955515 A JP H0955515A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
manufacturing
quantity sensor
auxiliary
mechanical quantity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7204663A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hajime Nakamura
肇 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP7204663A priority Critical patent/JPH0955515A/en
Publication of JPH0955515A publication Critical patent/JPH0955515A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a dynamical quantity sensor wherein load is not applied to a flexible part. SOLUTION: An auxiliary substrate (fourth substrate) is bonded to a second substrate 2. Retaining members 21 and weight members 22 are cut out from the second substrate 2 to which the fourth substrate is bonded. A first substrate 1 is bonded to the second substrate 2, in the positional relation that a peripheral thick-walled part 15 is bonded to the retaining members 21, and a central thick- walled part 14 is bonded to the weight members 22 (c). The fourth substrate is removed from the second substrate 2 (d).

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、力学量センサ、特に加
速度センサを製造するための製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a manufacturing method for manufacturing a mechanical quantity sensor, particularly an acceleration sensor.

【0002】[0002]

【従来の技術】抵抗素子を用いた力学量センサが最近注
目されているが、中でも物体の動きを検出するための加
速度センサの開発が盛んに進められている。
2. Description of the Related Art Recently, a mechanical quantity sensor using a resistance element has been attracting attention, and in particular, an acceleration sensor for detecting the movement of an object has been actively developed.

【0003】加速度センサの製造方法については、例え
ば、特開平3−2535号公報に記載されている。以
下、この製造方法をはじめとする、従来の加速度センサ
の製造方法について簡単に説明する。
A method of manufacturing the acceleration sensor is described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-2535. Hereinafter, a conventional method for manufacturing an acceleration sensor, including this manufacturing method, will be briefly described.

【0004】まず、従来の加速度センサの構成を図4を
用いて説明する。該加速度センサは、同図に示すよう
に、3枚の基板で構成されており、第1基板1は、作用
部(ここでは、中央厚肉部)14と、固定部(ここで
は、周辺厚肉部)15と、複数の抵抗素子11が所定の
位置に配置されている可撓部(ここでは、薄肉部)13
とを有する。第2基板2は、はじめ一枚の基板である
が、後述する切離し工程によって、中央厚肉部14に接
続する重錘体22と、周辺厚肉部15に接続して、これ
を支持する支持体21とに分離されている。第3基板3
は、重錘体22の動きを制限するための台座である。
First, the structure of a conventional acceleration sensor will be described with reference to FIG. As shown in the figure, the acceleration sensor is composed of three substrates, and the first substrate 1 includes an action portion (here, a thick center portion) 14 and a fixing portion (here, a peripheral thickness). 15) and a flexible part (here, thin part) 13 in which a plurality of resistance elements 11 are arranged at predetermined positions.
And The second substrate 2 is a single substrate at first, but a support for supporting the weight body 22 connected to the central thick portion 14 and the peripheral thick portion 15 by a separating step described later. It is separated into the body 21. Third substrate 3
Is a pedestal for restricting the movement of the weight body 22.

【0005】そして、図5に示すように、該加速度セン
サに対して横方向の加速度が働いた場合には、重錘体2
2が中央厚肉部14の上面の中心を基準として回転運動
を行い、これにともなって、薄肉部13が変形する。薄
肉部13に埋め込まれている各抵抗素子11は、該変形
に応じて、その電気的な抵抗値が変化する。該加速度セ
ンサは、この電気抵抗の変化を検出することで、加速度
の向きや大きさを算出している。
Then, as shown in FIG. 5, when a lateral acceleration is applied to the acceleration sensor, the weight 2
2 makes a rotational movement with the center of the upper surface of the central thick portion 14 as a reference, and the thin portion 13 is deformed accordingly. Each resistance element 11 embedded in the thin portion 13 changes its electrical resistance value according to the deformation. The acceleration sensor calculates the direction and magnitude of the acceleration by detecting the change in the electric resistance.

【0006】また、図6に示すように、該加速度センサ
に対して縦方向の加速度が働いた場合には、重錘体22
が上下し、これにともなって、薄肉部13が変形する。
以降は前述した通りである。
Further, as shown in FIG. 6, when vertical acceleration acts on the acceleration sensor, the weight body 22
Moves up and down, and the thin portion 13 is deformed accordingly.
The subsequent steps are as described above.

【0007】なお、該加速度センサに対して過大な加速
度が働いた場合には、重錘体22の動きは第1基板1お
よび第3基板3によって制限される。
When excessive acceleration acts on the acceleration sensor, the movement of the weight body 22 is restricted by the first substrate 1 and the third substrate 3.

【0008】すなわち、重錘体22については、第1面
(以下、上面を第1面、下面を第2面と呼ぶことにす
る)が予め削り取られて支持体21よりも薄くなってお
り、第3基板3については、重錘体22の下方に位置す
る第1面の一部が、予め削り取られている。また、周辺
厚肉部15については、支持体21から中央に向かって
僅かに突出している。
That is, with respect to the weight body 22, the first surface (hereinafter, the upper surface is referred to as the first surface and the lower surface is referred to as the second surface) is preliminarily scraped off to be thinner than the support body 21, As for the third substrate 3, a part of the first surface located below the weight body 22 is scraped off in advance. Further, the peripheral thick portion 15 slightly projects from the support 21 toward the center.

【0009】したがって、重錘体22は、周辺厚肉部1
5の第2面に自身の第1面が当接し、また、第3基板3
の第1面に自身の第2面が当接して、その動きが制限さ
れることになる。
Therefore, the weight 22 has a thick peripheral portion 1
The first surface of itself contacts the second surface of 5, and the third substrate 3
The second surface of itself comes into contact with the first surface of the and its movement is restricted.

【0010】このように重錘体22の動きを制限すれ
ば、薄肉部13が過大に変形することがないので、薄肉
部13の破壊を防ぐことができる。なお、第1基板1お
よび第3基板3の部材強度は比較的大きいので、重錘体
22の当接によって破損するようなことはない。
By limiting the movement of the weight body 22 in this manner, the thin portion 13 is not excessively deformed, so that the thin portion 13 can be prevented from being broken. Since the member strengths of the first substrate 1 and the third substrate 3 are relatively large, they will not be damaged by the contact of the weight body 22.

【0011】つぎに、該加速度センサの製造方法につい
て説明する。
Next, a method of manufacturing the acceleration sensor will be described.

【0012】図7(a)に示すように、まず、第1基板
1の第1面にICプロセスによって複数の抵抗素子11
を所定の位置に形成する。また、第1基板1の第2面に
は、エッチングマスク12を形成する。
As shown in FIG. 7A, first, a plurality of resistance elements 11 are formed on the first surface of the first substrate 1 by an IC process.
Is formed at a predetermined position. Further, an etching mask 12 is formed on the second surface of the first substrate 1.

【0013】図7(b)では、第1基板の第2面からエ
ッチングを行い、薄肉部13を形成する。図7(c)で
は、図8に示すような断面形状を有する第2基板2を第
1基板1に接合する。図7(d)では、接合された第2
基板2の第2面からダイシングを行い、重錘体22と支
持体21を切り出す。図7(e)では、第3基板3を第
2基板2に接合する。図7(f)では、接合された3枚
の基板を、センサ毎に分離する。
In FIG. 7B, the thin portion 13 is formed by etching the second surface of the first substrate. In FIG. 7C, the second substrate 2 having the cross-sectional shape as shown in FIG. 8 is bonded to the first substrate 1. In FIG. 7 (d), the bonded second
Dicing is performed from the second surface of the substrate 2 to cut out the weight body 22 and the support body 21. In FIG. 7E, the third substrate 3 is bonded to the second substrate 2. In FIG. 7F, the bonded three substrates are separated for each sensor.

【0014】このような工程を経て、図4に示した加速
度センサが出来上がる。
Through these steps, the acceleration sensor shown in FIG. 4 is completed.

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】さて、前述した第2基
板2には、通常、ガラス材が用いられる。ガラス材の切
削抵抗は、比較的大きいが、従来の製造方法では、ガラ
ス材から重錘体22と支持体21を切り出す際に(図7
(d)工程)、何の考慮も為されていなかった。
A glass material is usually used for the second substrate 2 described above. The cutting resistance of the glass material is relatively large, but in the conventional manufacturing method, when the weight body 22 and the support body 21 are cut out from the glass material (see FIG.
(D) step), no consideration was given.

【0016】すなわち、従来の製造方法では、ガラス材
の切断時に、その負荷や振動が薄肉部13に伝わってい
た。特に、切断終了時には、重錘体22の重量が薄肉部
13に一気にかかり、その衝撃が薄肉部13に加わって
いた。薄肉部13は、微弱な加速度を検出できるよう、
特に薄く形成されており、その取扱には十分な注意が必
要である。
That is, in the conventional manufacturing method, the load and vibration are transmitted to the thin portion 13 when the glass material is cut. In particular, at the end of cutting, the weight of the weight body 22 was suddenly applied to the thin portion 13, and the impact was applied to the thin portion 13. The thin portion 13 is designed to detect weak acceleration.
It is particularly thin and requires careful handling.

【0017】このような問題点を考慮して、本発明の目
的は、可撓部に負荷がかからない、力学量センサの製造
方法を提供することにある。
In consideration of such problems, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a mechanical quantity sensor in which a load is not applied to a flexible portion.

【0018】[0018]

【問題点を解決するための手段】前記目的を達成するた
めの本発明の第1の態様によれば、作用部と、与えられ
た力学量によって前記作用部が揺動するように前記作用
部を支持する可撓部と、該可撓部を支持する固定部とが
形成される第1基板と、前記固定部に接合される支持体
と、前記作用部に接合される重錘体とが形成される第2
基板とを少なくとも用いて力学量センサを製造する力学
量センサの製造方法において、前記第2基板に補助基板
を接合し、前記補助基板が接合された前記第2基板から
前記支持体と前記重錘体とを切り出し、前記固定部と前
記支持体とが接合され、かつ、前記作用部と前記重錘体
とが接合されるような位置関係で前記第1基板と前記第
2基板とを接合し、前記補助基板を前記第2基板から取
り除くことを特徴とする力学量センサの製造方法が提供
される。
According to a first aspect of the present invention for achieving the above object, an action part and the action part are arranged so that the action part oscillates by a given mechanical amount. A flexible substrate supporting the flexible portion, a first substrate on which a fixed portion supporting the flexible portion is formed, a support body joined to the fixed portion, and a weight body joined to the acting portion. Second formed
A method for manufacturing a mechanical quantity sensor, which manufactures a mechanical quantity sensor using at least a substrate, wherein an auxiliary substrate is bonded to the second substrate, and the support and the weight are formed from the second substrate to which the auxiliary substrate is bonded. The body is cut out, and the first substrate and the second substrate are joined together in such a positional relationship that the fixing portion and the support body are joined together, and the acting portion and the weight body are joined together. A method of manufacturing a mechanical sensor is provided, wherein the auxiliary substrate is removed from the second substrate.

【0019】前記目的を達成するための本発明の第2の
態様によれば、第1の態様において、前記補助基板を前
記第2基板からエッチングにより取り除くことを特徴す
る力学量センサの製造方法が提供される。
According to a second aspect of the present invention for achieving the above object, there is provided a method for manufacturing a mechanical quantity sensor according to the first aspect, wherein the auxiliary substrate is removed from the second substrate by etching. Provided.

【0020】前記目的を達成するための本発明の第3の
態様によれば、第2の態様において、前記補助基板を前
記第2基板から取り除く際に、前記第1基板に、前記作
用部と、前記可撓部と、前記固定部とを前記エッチング
により形成することを特徴する力学量センサの製造方法
が提供される。
According to a third aspect of the present invention for achieving the above object, in the second aspect, when the auxiliary substrate is removed from the second substrate, the first substrate is provided with the acting portion. There is provided a method for manufacturing a mechanical quantity sensor, characterized in that the flexible portion and the fixed portion are formed by the etching.

【0021】前記目的を達成するための本発明の第4の
態様によれば、第1、第2または第3の態様において、
前記補助基板が取り除かれた第2基板に当該力学量セン
サの台座となる第3基板を接合することを特徴する力学
量センサの製造方法が提供される。
According to a fourth aspect of the present invention for achieving the above object, in the first, second or third aspect,
Provided is a method for manufacturing a mechanical quantity sensor, which comprises bonding a third board, which is a base of the mechanical quantity sensor, to a second board from which the auxiliary board has been removed.

【0022】前記目的を達成するための本発明の第5の
態様によれば、第1、第2、第3または第4において、
前記第2基板は、ガラス材であることを特徴する力学量
センサの製造方法が提供される。
According to a fifth aspect of the present invention for achieving the above object, in the first, second, third or fourth aspect,
A method of manufacturing a mechanical quantity sensor is provided, wherein the second substrate is a glass material.

【0023】前記目的を達成するための本発明の第6の
態様によれば、第1、第2、第3、第4または第5にお
いて、前記力学量は、加速度であることを特徴する力学
量センサの製造方法が提供される
According to a sixth aspect of the present invention for achieving the above object, in the first, second, third, fourth or fifth aspect, the mechanical quantity is acceleration. A method of manufacturing a quantity sensor is provided

【0024】[0024]

【作用】本発明によれば、補助基板が接合された第2基
板から支持体と重錘体とが切り出されたのち、第1基板
と第2基板とが接合されるので、支持体と重錘体の切り
出しの際に与えられる機械的な負荷や振動が第1基板の
可撓部に伝わることがない。
According to the present invention, the support body and the weight body are cut out from the second substrate to which the auxiliary substrate is joined, and then the first substrate and the second substrate are joined together. Mechanical load or vibration applied when cutting out the weight body is not transmitted to the flexible portion of the first substrate.

【0025】また、補助基板の除去と、作用部、可撓
部、および、固定部の形成の両方にエッチングを用いれ
ば、これらを一連の工程として実施することができる。
If etching is used for both the removal of the auxiliary substrate and the formation of the acting portion, the flexible portion, and the fixing portion, these can be carried out as a series of steps.

【0026】[0026]

【実施例】以下、本発明を、加速度センサの製造に適用
した場合の一実施例について図面を参照しながら説明す
る。なお、目的とする加速度センサの構成については、
図4〜図6を用いて既に説明したので、ここでは省略す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment in which the present invention is applied to manufacturing an acceleration sensor will be described below with reference to the drawings. Regarding the configuration of the target acceleration sensor,
Since it has already been described with reference to FIGS. 4 to 6, it is omitted here.

【0027】該加速度センサを製造するにあたっては、
まず、シリコン基板を用意し、その上面(以下、上面を
第1面、下面を第2面とする)に、シリコンのエピタキ
シャル層を成長させる。つぎに、シリコン基板の両側に
例えば窒化珪素膜を成膜する。第2面の窒化珪素膜は、
エッチング工程(図1(b)の工程)で使用される。該
窒化珪素膜の成膜には、例えば、LP−CVD手法(減
圧化学気相堆積手法)を用いることができる。
In manufacturing the acceleration sensor,
First, a silicon substrate is prepared, and an epitaxial layer of silicon is grown on the upper surface (hereinafter, the upper surface is the first surface and the lower surface is the second surface). Next, for example, a silicon nitride film is formed on both sides of the silicon substrate. The silicon nitride film on the second surface is
It is used in the etching process (process of FIG. 1B). An LP-CVD method (a low pressure chemical vapor deposition method) can be used for forming the silicon nitride film.

【0028】この後、前述のエピタキシャル層上にある
窒化珪素膜を剥離し、該エピタキシャル層を露出させ
る。露出させたエピタキシャル層には、例えば、酸化珪
素膜を成長させる。そして、この酸化珪素膜にフォトリ
ソグラフィを用いてパターニングを施し、パターニング
された当該酸化珪素膜を通して所定の不純物をエピタキ
シャル層に拡散させ、各抵抗素子(具体的には、ピエゾ
抵抗)を形成する。必要な金属線の配線も、これと同時
に行う。なお、抵抗素子の数と配置を変えれば、1軸〜
3軸についての加速度を任意に検出することができるよ
うになる。
After that, the silicon nitride film on the epitaxial layer is peeled off to expose the epitaxial layer. For example, a silicon oxide film is grown on the exposed epitaxial layer. Then, this silicon oxide film is patterned by using photolithography, and a predetermined impurity is diffused into the epitaxial layer through the patterned silicon oxide film to form each resistance element (specifically, piezoresistor). Wiring of required metal wires is also performed at the same time. If the number and arrangement of the resistance elements are changed,
It becomes possible to detect the accelerations about the three axes arbitrarily.

【0029】一方、シリコン基板の第2面に残されてい
る窒化珪素膜には、フォトリソグラフィでエッチングマ
スクのパターンを形成する。
On the other hand, a pattern of an etching mask is formed by photolithography on the silicon nitride film left on the second surface of the silicon substrate.

【0030】以上の工程を経たシリコン基板は、図1
(a)に示されている。これらの工程は、既によく知ら
れているので、図面を用いた説明は省略したが、本実施
例は、これらの工程に限定されるものではない。なお、
該シリコン基板は、以下、第1基板1と呼ぶ。また、図
1(a)において、11は、抵抗素子、12は、エッチ
ングマスクである。加速度センサの単位を示す境界は、
図1(a)〜図1(e)において破線で示されている。
第1基板(シリコン基板)1の結晶面は、(100)
(図1(a)に示したA面と平行な面)である。
The silicon substrate which has undergone the above steps is shown in FIG.
This is shown in FIG. Since these steps are already well known, the description using the drawings is omitted, but the present embodiment is not limited to these steps. In addition,
The silicon substrate is hereinafter referred to as the first substrate 1. Further, in FIG. 1A, 11 is a resistance element and 12 is an etching mask. The boundary indicating the unit of the acceleration sensor is
It is indicated by a broken line in FIGS. 1 (a) to 1 (e).
The crystal plane of the first substrate (silicon substrate) 1 is (100)
(A plane parallel to the plane A shown in FIG. 1A).

【0031】つぎに、第1基板1の第2面から強アルカ
リ水溶液(例えば水酸化カリウム水溶液)でエッチング
を行い、抵抗素子11が埋め込まれているエピタキシャ
ル層の裏側まで該エッチングを進行させる。図1(b)
には、エッチングが完了した状態が示されており、第1
基板1には、作用部(ここでは中央厚肉部)14、固定
部(ここでは周辺厚肉部)15、および、可撓部(ここ
では薄肉部13)が形成されている。
Next, etching is performed from the second surface of the first substrate 1 with a strong alkaline aqueous solution (eg, potassium hydroxide aqueous solution) to advance the etching to the back side of the epitaxial layer in which the resistance element 11 is embedded. Figure 1 (b)
Shows that the etching is completed.
The substrate 1 is provided with an action portion (here, a thick portion in the center) 14, a fixed portion (here, a thick portion in the periphery) 15, and a flexible portion (here, a thin portion 13).

【0032】つづいて、図8に示すような形状のガラス
材(以下、第2基板2とする)に、図3に示すようなシ
リコン基板(以下、補助基板4とする)を接合する。こ
の接合には、例えば、陽極接合法を用いる。陽極接合法
は、接合する部材間に所定の電圧を印加して温度を上
げ、両者を加圧しながら接合する方法である。第2基板
2に補助基板4を接合したら、該第2基板2を各案内溝
に沿ってダイシングブレードで切断する。この切断は、
補助基板4上において、重錘体22と、支持体21とが
完全に分離されるように実施する。また、このダイシン
グ作業により支持体21については、センサ毎に独立し
た状態になる。
Subsequently, a glass substrate (hereinafter referred to as the second substrate 2) having a shape as shown in FIG. 8 is bonded to a silicon substrate (hereinafter referred to as the auxiliary substrate 4) as shown in FIG. For this bonding, for example, an anodic bonding method is used. The anodic bonding method is a method in which a predetermined voltage is applied between the members to be bonded to raise the temperature, and the members are bonded while being pressed. After joining the auxiliary substrate 4 to the second substrate 2, the second substrate 2 is cut along the guide grooves with a dicing blade. This disconnection
The weight body 22 and the support body 21 are completely separated on the auxiliary substrate 4. In addition, the support 21 becomes independent for each sensor by this dicing operation.

【0033】なお、第2基板2については、支持体21
の第1面よりも、重錘体22の第1面(中央厚肉部14
との接合部は除く)のほうが僅かに低くなるようなエッ
チング処理が予め施されている。また、前述の周辺厚肉
部15については、第1基板1と第2基板2とが接合さ
れた際に、支持体21から僅かに中央側に張り出すよう
に形成されている。したがって、重錘体22の上方向の
動きは、この周辺厚肉部15によって制限される。この
ように重錘体22の動きを制限すれば、薄肉部13が過
大に変形することがないので、薄肉部13の破壊を防ぐ
ことができる。なお、第1基板1および第2基板2の部
材強度は比較的大きいので、第1基板1の周辺厚肉部1
5と第2基板2の重錘体22とが互いに当接しても、こ
れらが破損するようなことはない。なお、第2基板2に
は、前述のダイシング作業で用いた案内溝も予め形成さ
れている。
Regarding the second substrate 2, the support 21
The first surface of the weight body 22 (the central thick portion 14
(Excluding the joint portion with) is previously subjected to an etching treatment so as to be slightly lower. Further, the peripheral thick portion 15 is formed so as to slightly project from the support body 21 toward the center side when the first substrate 1 and the second substrate 2 are bonded together. Therefore, the upward movement of the weight body 22 is limited by the peripheral thick portion 15. By limiting the movement of the weight body 22 in this manner, the thin portion 13 is not excessively deformed, so that the thin portion 13 can be prevented from being broken. Since the member strengths of the first substrate 1 and the second substrate 2 are relatively large, the peripheral thick portion 1 of the first substrate 1
Even if the weight 5 and the weight body 22 of the second substrate 2 come into contact with each other, they are not damaged. The second substrate 2 is also preliminarily formed with the guide groove used in the above dicing work.

【0034】つぎに、補助基板4が接合された第2基板
2を第1基板1に接合する。該接合においては、支持体
21の第1面と周辺厚肉部15の第2面、および、重錘
体22の第1面と中央厚肉部14の第2面がそれぞれ接
合されるように位置決めを行った上で実行する。第2基
板2が第1基板1に接合された様子は、図1(c)に示
されている。
Next, the second substrate 2 to which the auxiliary substrate 4 is joined is joined to the first substrate 1. In the joining, the first surface of the support body 21 and the second surface of the peripheral thick portion 15 and the first surface of the weight body 22 and the second surface of the central thick portion 14 are joined together, respectively. Execute after positioning. The state where the second substrate 2 is bonded to the first substrate 1 is shown in FIG.

【0035】つづいて、第2基板2から補助基板4を除
去する。該除去は、強アルカリ水溶液(例えば、水酸化
カリウム水溶液)によるエッチングで行う。なお、補助
基板4が除去されても、重錘体22と支持体21は、既
に第1基板1に接合されているので、これらが散乱する
ようなことはない。除去処理が完了した状態は、図1
(d)に示されている。
Subsequently, the auxiliary substrate 4 is removed from the second substrate 2. The removal is performed by etching with a strong alkaline aqueous solution (for example, potassium hydroxide aqueous solution). Even if the auxiliary substrate 4 is removed, since the weight body 22 and the support body 21 are already bonded to the first substrate 1, they do not scatter. The state where the removal process is completed is shown in Fig. 1.
This is shown in (d).

【0036】この後、図1(e)に示すようにシリコン
基板(以下、第3基板3とする)を、第2基板2に接合
する。
After that, as shown in FIG. 1E, a silicon substrate (hereinafter, referred to as a third substrate 3) is bonded to the second substrate 2.

【0037】このように、第1基板1、第2基板2およ
び第3基板3を一体化させたら、これらを加速度センサ
毎に分離する。該分離は、例えばダイシングブレードで
第1基板1および第3基板3を切断することで行うが、
第1基板1および第3基板3は何れもシリコン基板で比
較的切削抵抗が小さく、また、ガラス材である第2基板
2を切断する必要がないので、各基板に対して過大な負
荷がかからない。
After the first substrate 1, the second substrate 2, and the third substrate 3 are integrated in this way, they are separated for each acceleration sensor. The separation is performed, for example, by cutting the first substrate 1 and the third substrate 3 with a dicing blade,
Each of the first substrate 1 and the third substrate 3 is a silicon substrate and has a relatively small cutting resistance, and since it is not necessary to cut the second substrate 2 which is a glass material, an excessive load is not applied to each substrate. .

【0038】なお、第3基板3は、重錘体22の下方側
に空間が形成されるように、予め第1面がエッチングで
削り取られており、該重錘体22の下方への動きは、第
3基板3の該第1面によって制限される。
The third substrate 3 has its first surface etched in advance so that a space is formed below the weight body 22, and the weight body 22 is not moved downward. , Limited by the first surface of the third substrate 3.

【0039】つぎに、本発明のその他の実施例について
図2を用いて説明する。
Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0040】本実施例では、補助基板4を第2基板2か
ら取り除くためのエッチングと、中央厚肉部14、周辺
厚肉部15、および、薄肉部13を形成するためのエッ
チングを続けて実施している。
In the present embodiment, the etching for removing the auxiliary substrate 4 from the second substrate 2 and the etching for forming the central thick portion 14, the peripheral thick portion 15 and the thin portion 13 are continuously performed. are doing.

【0041】すなわち、図1(a)と同一工程である図
2(a)の工程を実施したのち、補助基板4を第2基板
2に接続し、補助基板4上の第2基板2から、前述と同
様、重錘体22と支持体21を切り出す。この後、図2
(b)に示すように、第2基板2を第1基板に接合す
る。このとき、重錘体22が、エッチング時に中央圧肉
部14を残すためのエッチングマスクと重なるように、
また、支持体21が、エッチング時に周辺圧肉部15を
残すためのエッチングマスクと重なるように位置合わせ
を行い、これらを接合する。
That is, after carrying out the step of FIG. 2A which is the same step as FIG. 1A, the auxiliary substrate 4 is connected to the second substrate 2, and the second substrate 2 on the auxiliary substrate 4 is Similarly to the above, the weight body 22 and the support body 21 are cut out. After this, FIG.
As shown in (b), the second substrate 2 is bonded to the first substrate. At this time, the weight body 22 is overlapped with the etching mask for leaving the central pressed portion 14 at the time of etching.
Further, the support 21 is aligned so as to overlap with the etching mask for leaving the peripheral pressure-reduced portion 15 at the time of etching, and these are joined.

【0042】そして、図2(c)に示すように、強アル
カリ水溶液(例えば水酸化カリウム水溶液)によるエッ
チングで補助基板4を除去し、続けて、図2(d)に示
すように、薄肉部13、中央圧肉部14および周辺圧肉
部15のそれぞれを形成する。このように本実施例で
は、補助基板4の除去と、薄肉部13、中央圧肉部14
および周辺圧肉部15の形成とを一連のエッチング処理
で行っているため、製造工程をより簡素化することがで
きる。
Then, as shown in FIG. 2C, the auxiliary substrate 4 is removed by etching with a strong alkaline aqueous solution (eg, potassium hydroxide aqueous solution), and subsequently, as shown in FIG. 13, the central pressed portion 14 and the peripheral pressed portion 15 are respectively formed. As described above, in the present embodiment, the removal of the auxiliary substrate 4, the thin portion 13, the central pressed portion 14
Further, since the peripheral pressed portion 15 is formed by a series of etching processes, the manufacturing process can be further simplified.

【0043】その後、図2(e)で、第3基板3を第2
基板2に接合し、図2(f)で、加速度センサ毎の分離
を行う。これらの工程については、図1(e)、図1
(f)の工程と同様なので、詳細な説明は省略する。
Then, in FIG. 2 (e), the third substrate 3 is changed to the second substrate.
It is bonded to the substrate 2 and separated for each acceleration sensor in FIG. Regarding these steps, FIG.
Since it is the same as the step (f), detailed description thereof will be omitted.

【0044】以上が本発明の実施例であるが、本発明
は、加速度センサ以外の力学量センサにも適用可能であ
る。
Although the embodiment of the present invention has been described above, the present invention can be applied to a mechanical quantity sensor other than the acceleration sensor.

【0045】[0045]

【発明の効果】本発明によれば、可撓部に一切負荷をか
けることなく、第2基板から支持体と重錘体とを切り出
すことができるようになる。
According to the present invention, the support body and the weight body can be cut out from the second substrate without applying any load to the flexible portion.

【0046】[0046]

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明を加速度センサの製造に適用した場合の
一実施例の各工程に関する説明図。
FIG. 1 is an explanatory diagram related to each step of an embodiment when the present invention is applied to manufacturing an acceleration sensor.

【図2】本発明を加速度センサの製造に適用した場合の
その他の実施例の各工程に関する説明図。
FIG. 2 is an explanatory diagram regarding each step of another embodiment when the present invention is applied to manufacture of an acceleration sensor.

【図3】図1及び図2に示した実施例で用いられる第2
基板および補助基板の構成図。
FIG. 3 is a second view used in the embodiment shown in FIGS. 1 and 2;
The block diagram of a board | substrate and an auxiliary board.

【図4】従来の加速度センサの断面図。FIG. 4 is a sectional view of a conventional acceleration sensor.

【図5】従来の加速度センサの作用に関する説明図(そ
の1)。
FIG. 5 is an explanatory view (No. 1) of the operation of the conventional acceleration sensor.

【図6】従来の加速度センサの作用に関する説明図(そ
の2)。
FIG. 6 is an explanatory view (part 2) of the operation of the conventional acceleration sensor.

【図7】従来の加速度センサの製造方法に関する説明
図。
FIG. 7 is an explanatory diagram relating to a method of manufacturing a conventional acceleration sensor.

【図8】従来の加速度センサの第2基板の構成図。FIG. 8 is a configuration diagram of a second substrate of a conventional acceleration sensor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:第1基板、 2:第2基板、 3:第3基板、 4:第4基板、 11:抵抗素子、 12:エッチングマスク、 13:薄肉部、 14:中央厚肉部、 15:周辺厚肉部、 21:支持体、 22:重錘体 1: 1st substrate, 2: 2nd substrate, 3: 3rd substrate, 4: 4th substrate, 11: resistance element, 12: etching mask, 13: thin part, 14: central thick part, 15: peripheral thickness Meat part, 21: support body, 22: weight body

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】作用部と、与えられた力学量によって前記
作用部が揺動するように前記作用部を支持する可撓部
と、該可撓部を支持する固定部とが形成される第1基板
と、 前記固定部に接合される支持体と、前記作用部に接合さ
れる重錘体とが形成される第2基板とを少なくとも用い
て力学量センサを製造する力学量センサの製造方法にお
いて、 前記第2基板に補助基板を接合し、 前記補助基板が接合された前記第2基板から前記支持体
と前記重錘体とを切り出し、 前記固定部と前記支持体とが接合され、かつ、前記作用
部と前記重錘体とが接合されるような位置関係で前記第
1基板と前記第2基板とを接合し、 前記補助基板を前記第2基板から取り除くことを特徴と
する力学量センサの製造方法。
1. A working part, a flexible part that supports the working part so that the working part oscillates by a given mechanical amount, and a fixing part that supports the flexible part. Method for manufacturing a mechanical quantity sensor using at least a first substrate, a support body joined to the fixed portion, and a second substrate on which a weight body joined to the action portion is formed In, joining an auxiliary substrate to the second substrate, cutting out the support body and the weight body from the second substrate to which the auxiliary substrate is joined, the fixing portion and the support body are joined, and A mechanical quantity characterized by joining the first substrate and the second substrate in a positional relationship such that the acting portion and the weight body are joined, and removing the auxiliary substrate from the second substrate. Sensor manufacturing method.
【請求項2】請求項1において、 前記補助基板を前記第2基板からエッチングにより取り
除くことを特徴する力学量センサの製造方法。
2. The method for manufacturing a mechanical sensor according to claim 1, wherein the auxiliary substrate is removed from the second substrate by etching.
【請求項3】請求項2において、 前記補助基板を前記第2基板から取り除く際に、前記第
1基板に、前記作用部と、前記可撓部と、前記固定部と
を前記エッチングにより形成することを特徴する力学量
センサの製造方法。
3. The method according to claim 2, wherein when the auxiliary substrate is removed from the second substrate, the acting portion, the flexible portion, and the fixing portion are formed on the first substrate by the etching. A method for manufacturing a mechanical quantity sensor characterized by the above.
【請求項4】請求項1、2または3において、 前記補助基板が取り除かれた第2基板に当該力学量セン
サの台座となる第3基板を接合することを特徴する力学
量センサの製造方法。
4. The method for manufacturing a mechanical quantity sensor according to claim 1, 2 or 3, wherein a third substrate which is a base of the mechanical quantity sensor is joined to the second substrate from which the auxiliary substrate is removed.
【請求項5】請求項1、2、3または4において、 前記第2基板は、ガラス材であることを特徴する力学量
センサの製造方法。
5. The method for manufacturing a mechanical quantity sensor according to claim 1, 2, 3 or 4, wherein the second substrate is a glass material.
【請求項6】請求項1、2、3、4または5において、 前記力学量は、加速度であることを特徴する力学量セン
サの製造方法。
6. The method for manufacturing a mechanical quantity sensor according to claim 1, 2, 3, 4 or 5, wherein the mechanical quantity is acceleration.
JP7204663A 1995-08-10 1995-08-10 Manufacture of dynamical quantity sensor Pending JPH0955515A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7204663A JPH0955515A (en) 1995-08-10 1995-08-10 Manufacture of dynamical quantity sensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7204663A JPH0955515A (en) 1995-08-10 1995-08-10 Manufacture of dynamical quantity sensor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0955515A true JPH0955515A (en) 1997-02-25

Family

ID=16494227

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7204663A Pending JPH0955515A (en) 1995-08-10 1995-08-10 Manufacture of dynamical quantity sensor

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0955515A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8140734B2 (en) 2001-11-09 2012-03-20 Aten Technology Inc. Asynchronous/synchronous switching of console devices and peripheral devices
US8176226B2 (en) 2001-11-09 2012-05-08 Aten International Co., Ltd. KVMP switch allowing asynchronous and synchronous switching for console devices and peripheral devices among different computers

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8140734B2 (en) 2001-11-09 2012-03-20 Aten Technology Inc. Asynchronous/synchronous switching of console devices and peripheral devices
US8176226B2 (en) 2001-11-09 2012-05-08 Aten International Co., Ltd. KVMP switch allowing asynchronous and synchronous switching for console devices and peripheral devices among different computers

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5725729A (en) Process for micromechanical fabrication
EP2375443B1 (en) Method for preparing and assembling substrates
KR100907514B1 (en) Sensor device, sensor system and method of manufacturing the same
EP1884994A2 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2001203371A (en) Micromechanical device
EP0598477A1 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
JPH06267382A (en) Pressure switch and manufacture thereof
CN101405937B (en) Method for manufacturing piezoelectric resonator element
JPH0955515A (en) Manufacture of dynamical quantity sensor
JP2000155030A (en) Manufacture of angular velocity sensor
JP2000277753A (en) Semiconductor accelerometer and its manufacture
US20020197862A1 (en) Semiconductor component in a wafer assembly
JPH10163505A (en) Semiconductor inertia sensor and its manufacture
JP4288573B2 (en) Semiconductor wafer chip forming method
JP3290047B2 (en) Acceleration sensor and method of manufacturing the same
JPH11274142A (en) Etching depth detecting method, manufacture of semiconductor device using the method, and manufacture of dynamical quantity sensor using the detecting method
JPH09116171A (en) Manufacture of dynamical amount sensor
JP3399164B2 (en) Acceleration sensor and method of manufacturing the same
JPH09236615A (en) Dynamic quantity sensor and its manufacture
JPH10132680A (en) Method for manufacturing pressure sensor
JPH10111310A (en) Manufacture of semiconductor acceleration sensor
JP2001044449A (en) Force detection sensor and manufacture of force detection sensor
JPH0835982A (en) Manufacture of semiconductor acceleration sensor
JP7415911B2 (en) Positioning structure of micro-vibrator, manufacturing method of inertial sensor
JPH10253657A (en) Semiconductor accelerometer