JPH0955179A - Beam scanning wave-form shaping method - Google Patents

Beam scanning wave-form shaping method

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JPH0955179A
JPH0955179A JP22734195A JP22734195A JPH0955179A JP H0955179 A JPH0955179 A JP H0955179A JP 22734195 A JP22734195 A JP 22734195A JP 22734195 A JP22734195 A JP 22734195A JP H0955179 A JPH0955179 A JP H0955179A
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scanning
ion beam
waveform
signal
waveform shaping
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Nobuo Nagai
宣夫 長井
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Nissin Electric Co Ltd
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Nissin Electric Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an improved beam scanning wave-form shaping method capable of simply and instantly judging the correctness of the generated scanning signal wave-form. SOLUTION: A detecting coil 70 detecting the time-wise change of the magnetic field of a scanning electromagnet 64 is provided. After wave-form shaping, the scanning electromagnet 64 is driven based on the scanning signal W(t) of the wave-form newly generated by the wave-form shaping, the wime-wise change of the magnetic field of the scanning electromagnet 64 is detected by the detecting coil 70, the detection signal S is compared with the preset reference data by a wave-form shaping controller 40, and the correctness of the generated wave-form is judged based on the difference between them.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、イオンビームを
電気的に(即ち電界または磁界によって)走査してター
ゲットにイオン注入を行う方式のイオン注入装置に用い
られるものであって、ターゲット上でのイオンビームの
走査速度を補正することによって、注入均一性を改善す
ることができるようにしたビーム走査波形整形方法に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is used in an ion implantation apparatus of a type in which an ion beam is electrically scanned (that is, by an electric field or a magnetic field) to implant ions into a target. The present invention relates to a beam scanning waveform shaping method capable of improving implantation uniformity by correcting a scanning speed of an ion beam.

【0002】[0002]

【従来の技術】ターゲット上でのイオンビームの走査速
度を一定にすることで、注入均一性を向上させることが
できるようにしたビーム走査波形整形方法が、同一出願
人によって先に提案されている(特開平4−22900
号)。それの要点を以下に説明する。
2. Description of the Related Art The same applicant previously proposed a beam scanning waveform shaping method capable of improving the uniformity of implantation by making the scanning speed of an ion beam on a target constant. (JP-A-4-22900
issue). The main points will be described below.

【0003】図6は、電界によるパラレルスキャン方式
のイオン注入装置に従来のビーム走査波形整形方法を実
施するための構成を付加した例を示す概略図である。
FIG. 6 is a schematic diagram showing an example in which a structure for carrying out a conventional beam scanning waveform shaping method is added to an ion implantation apparatus of a parallel scan type by an electric field.

【0004】このイオン注入装置は、図示しないイオン
源から引き出され、かつ必要に応じて質量分析、加速等
が行われたスポット状のイオンビーム2を、上流側の走
査電極4によって電気的に走査し、かつその下流側の走
査電極6によって電気的に曲げ戻すことによって、イオ
ンビーム2をX方向(例えば水平方向。以下同じ)にお
いて平行走査(パラレルスキャン)して、X方向に直交
するZ方向に平行な平行ビームを得て、それをホルダ1
0に保持されたターゲット(例えばウェーハ)8に照射
するよう構成されている。
This ion implanter electrically scans a spot-like ion beam 2 extracted from an ion source (not shown) and subjected to mass analysis, acceleration, etc., by an upstream scanning electrode 4. And is electrically bent back by the scanning electrode 6 on the downstream side, the ion beam 2 is parallel-scanned in the X-direction (for example, the horizontal direction; hereinafter the same), and the Z-direction orthogonal to the X-direction. Obtain a parallel beam parallel to the
The target (for example, wafer) 8 held at 0 is irradiated.

【0005】両走査電極4および6には、走査電源50
から、三角波に近い波形の走査電圧V(t)が互いに1
80度位相が異なるように印加され、この電圧でイオン
ビーム2が走査される。走査電源50はこの例では増幅
器から成り、走査電圧V(t)は後述する波形整形・制
御器40から出力される走査信号W(t)を電圧増幅し
たものである。
A scanning power supply 50 is connected to both scanning electrodes 4 and 6.
Therefore, the scanning voltages V (t) having a waveform close to a triangular wave are 1
The voltages are applied with a phase difference of 80 degrees, and the ion beam 2 is scanned with this voltage. The scanning power supply 50 is composed of an amplifier in this example, and the scanning voltage V (t) is obtained by voltage-amplifying the scanning signal W (t) output from the waveform shaping / controller 40 described later.

【0006】ホルダ10およびターゲット8は、この例
では、ホルダ駆動装置12によって前記X方向と実質的
に直交するY方向(例えば垂直方向。以下同じ)に機械
的に走査され、これとイオンビーム2の前記電気的走査
との協働(ハイブリッドスキャン)によって、ターゲッ
ト8の全面に均一にイオン注入が行われるようにしてい
る。
In this example, the holder 10 and the target 8 are mechanically scanned by a holder driving device 12 in a Y direction (for example, a vertical direction; the same applies hereinafter) substantially perpendicular to the X direction, and the holder 10 and the target 8 and the ion beam 2 are scanned. By the cooperation with the electric scanning (hybrid scanning), the ions are uniformly implanted on the entire surface of the target 8.

【0007】ホルダ駆動装置12は、この例では、ホル
ダ10を支えるアーム13を可逆転式のモータ(例えば
ダイレクトドライブモータ)14によって、矢印Rのよ
うに所定角度範囲内で往復回転させるよう構成されてい
る。
In this example, the holder driving device 12 is configured to reciprocally rotate an arm 13 supporting the holder 10 by a reversible motor (for example, direct drive motor) 14 within a predetermined angle range as indicated by an arrow R. ing.

【0008】ターゲット8に対する注入位置のビーム進
行方向(Z方向)上の上流側および下流側に、第1およ
び第2の多点ビームモニタ20および22がそれぞれ配
置されている。各多点ビームモニタ20、22は、それ
ぞれ、イオンビーム2を受けてそのビーム電流を計測す
る複数のファラデーカップ21、23をイオンビーム2
の走査方向であるX方向に沿って等間隔に並べたもので
ある。各ファラデーカップ21、23のX方向上の位置
は予め分かっている。なお、上流側の多点ビームモニタ
20は、ビーム電流計測時はビーム軌道に入れられ、イ
オンビーム2を後方へ通過させてターゲット8に入射さ
せたり多点ビームモニタ22に入射させたりするとき
は、ビーム軌道外に出される。
First and second multipoint beam monitors 20 and 22 are arranged on the upstream side and the downstream side of the implantation position with respect to the target 8 in the beam traveling direction (Z direction), respectively. Each of the multipoint beam monitors 20 and 22 includes a plurality of Faraday cups 21 and 23 that receive the ion beam 2 and measure the beam current thereof.
Are arranged at equal intervals along the X direction, which is the scanning direction of. The position of each Faraday cup 21, 23 in the X direction is known in advance. The upstream multi-point beam monitor 20 is placed in the beam orbit when measuring the beam current, and when the ion beam 2 is passed backward to enter the target 8 or the multi-point beam monitor 22. , Out of beam orbit.

【0009】両多点ビームモニタ20、22には、ビー
ム電流変換器30が接続されている。このビーム電流変
換器30は、入力されるビーム電流Iを増幅する増幅器
34、A/D変換するA/D変換器36および入力を多
点ビームモニタ20側と多点ビームモニタ22側とに切
り換えるスイッチ32を備えている。このビーム電流変
換器30は、多点ビームモニタ20または22を構成す
る複数のファラデーカップ21または23の一つ一つに
入力するビーム電流Iを独立して計測可能である。計測
されたビーム電流Iを表す信号は、波形整形・制御器4
0に供給される。
A beam current converter 30 is connected to both the multi-point beam monitors 20 and 22. The beam current converter 30 switches the amplifier 34 for amplifying the input beam current I, the A / D converter 36 for A / D conversion, and the input to the multipoint beam monitor 20 side and the multipoint beam monitor 22 side. The switch 32 is provided. The beam current converter 30 can independently measure the beam current I input to each of the plurality of Faraday cups 21 or 23 forming the multipoint beam monitor 20 or 22. The signal representing the measured beam current I is the waveform shaping / controller 4
0 is supplied.

【0010】波形整形・制御器40は、演算処理用のC
PU42、データ記憶用のメモリ44およびD/A変換
用のD/A変換器46を備えており、次のような論理
で、ターゲット8上のイオン注入量が均一になるような
走査信号W(t)を生成する。なお、走査電圧V(t)
はこの走査信号W(t)を単に増幅したものであるか
ら、以下の式において両者は置換可能である。
The waveform shaping / controller 40 is a C for arithmetic processing.
It has a PU 42, a memory 44 for data storage, and a D / A converter 46 for D / A conversion. With the following logic, a scanning signal W ( generate t). The scanning voltage V (t)
Is a signal obtained by simply amplifying the scanning signal W (t), the two can be replaced in the following equation.

【0011】まず、波形整形・制御器40から三角波状
の初期の走査信号W(t)を走査電源50に与えて、初
期の走査電圧V(t)でイオンビーム2を走査し、上流
側の多点ビームモニタ20によって、走査されているイ
オンビーム2のサンプリングを行う。これによって得ら
れるビーム電流Iの波形の一例を図7に示す。横軸は時
間軸で、Tは1往復走査分である。図中の実線は多点ビ
ームモニタ20のある(例えばX=Xf1の)ファラデー
カップ21からの信号、破線はそれよりも内側の(例え
ばX=Xf2の)のファラデーカップ21からの信号であ
り、ピークの時刻はその時点で多点ビームモニタ20の
あるファラデーカップ21の正面にイオンビーム2が入
射していることを示している。このようにして、予め位
置{Xf1,Xf2,・・・,Xfn}の分かっている多点ビ
ームモニタ20の各ファラデーカップ21に対して、そ
の位置にイオンビーム2が入射した時刻{Tf1,Tf2
・・・,Tfn}が得られる。
First, the triangular wave-shaped initial scanning signal W (t) is applied from the waveform shaping / controlling device 40 to the scanning power source 50 to scan the ion beam 2 with the initial scanning voltage V (t), and The multipoint beam monitor 20 samples the ion beam 2 being scanned. An example of the waveform of the beam current I obtained by this is shown in FIG. The horizontal axis is the time axis, and T is one reciprocating scan. The solid line in the figure is the signal from the Faraday cup 21 (for example, X = X f1 ) of the multipoint beam monitor 20, and the broken line is the signal from the faraday cup 21 inside (for example, X = X f2 ) thereof. The peak time indicates that the ion beam 2 is incident on the front surface of the Faraday cup 21 having the multipoint beam monitor 20 at that time. Thus, the time at which the ion beam 2 is incident on each Faraday cup 21 of the multipoint beam monitor 20 whose position {X f1 , X f2 , ..., X fn } is known in advance { T f1 , T f2 ,
..., T fn } is obtained.

【0012】同様にして、下流側の多点ビームモニタ2
2においても、その各ファラデーカップ23の位置{X
b1,Xb2,・・・,Xbn}に対するイオンビーム2の入
射時刻{Tb1,Tb2,・・・,Tbn}のデータが得られ
る。
Similarly, a multi-point beam monitor 2 on the downstream side is provided.
2, the position of each Faraday cup 23 {X
Data of the incident times {T b1 , T b2 , ..., T bn } of the ion beam 2 with respect to b1 , X b2 , ..., X bn } are obtained.

【0013】走査電圧Vは(もちろん走査信号Wも)、
時刻tに対する関数V(t)であるから、この関数V
(t)と先のデータ{Tf1,・・・,Tfn}および{T
b1,・・・,Tbn}より、二つの多点ビームモニタ20
および22(即ちZ=Zf およびZ=Zb の位置)にお
ける、走査電圧Vの値とイオンビーム2の走査位置Xと
の関係を示すデータ点列{(Vf1,Xf1),(Vf2,X
f2),・・・,(Vfn,Xfn)}および{(Vb1
b1),(Vb2,Xb2),・・・,(Vbn,Xbn)}が
得られる。これは、簡単に言えば、時刻tが分かればそ
のときの走査電圧Vの値が分かり、同様に時刻tが分か
ればそのときの走査位置が分かることで、共通の時刻t
で関係付ければ、走査電圧Vの値が分かれば走査位置X
が分かるということである。
The scanning voltage V (and of course the scanning signal W) is
Since this is a function V (t) for time t, this function V
(T) and the previous data {T f1 , ..., T fn } and {T f1
From b1 , ..., T bn }, two multi-point beam monitors 20
And 22 (that is, positions of Z = Z f and Z = Z b ), a series of data points {(V f1 , X f1 ), (V that indicates the relationship between the value of the scanning voltage V and the scanning position X of the ion beam 2) f2 , X
f2 ), ..., (V fn , X fn )} and {(V b1 ,
X b1 ), (V b2 , X b2 ), ..., (V bn , X bn )} are obtained. Simply speaking, if the time t is known, the value of the scanning voltage V at that time is known, and similarly, if the time t is known, the scanning position at that time is known.
If the value of the scanning voltage V is known, the scanning position X
Is to understand.

【0014】このデータ点列を用いて例えば最小二乗法
による高次関数近似することにより、多点ビームモニタ
20(Z=Zf )と多点ビームモニタ22(Z=Zb
での走査電圧Vとイオンビーム2の走査位置Xとの関係
を表す関数Xf(V)およびXb(V)を求める。この二
つの関数と多点ビームモニタ20(Z=Zf )、多点ビ
ームモニタ22(Z=Zb )およびターゲット8(Z=
t )の位置関係から、ターゲット8上での、走査電圧
Vとイオンビーム2の走査位置Xとの関係を表す関数X
t(V)は、次のように表される。
The multipoint beam monitor 20 (Z = Z f ) and the multipoint beam monitor 22 (Z = Z b ) are subjected to high-order function approximation by the least square method using this data point sequence.
The functions X f (V) and X b (V) representing the relationship between the scanning voltage V and the scanning position X of the ion beam 2 at are calculated. These two functions and multipoint beam monitor 20 (Z = Z f), multipoint beam monitor 22 (Z = Z b) and target 8 (Z =
Zt ), a function X representing the relationship between the scanning voltage V and the scanning position X of the ion beam 2 on the target 8.
t (V) is expressed as follows.

【0015】[0015]

【数1】Xt(V) ={(Zb−Zt)Xf(V)+(Zt
f)Xb(V)}/(Zb−Zf)
[Number 1] X t (V) = {( Z b -Z t) X f (V) + (Z t -
Z f ) X b (V)} / (Z b −Z f ).

【0016】また、ターゲット8上におけるビーム走査
位置Xでのイオンビーム2の走査速度dXt(V)/d
tは、次のように表される。
Further, the scanning velocity dX t (V) / d of the ion beam 2 at the beam scanning position X on the target 8.
t is expressed as follows.

【0017】[0017]

【数2】dXt(V)/dt={dXt(V)/dV}・
{dV(t)/dt}
## EQU00002 ## dX t (V) / dt = {dX t (V) / dV} .multidot.
{DV (t) / dt}

【0018】ターゲット8上での注入均一性は、イオン
ビーム2の走査速度の逆数であるから、そのときの走査
信号W(t)ひいては走査電圧V(t)でイオン注入し
たときの予測均一性は、波形整形・制御器40におい
て、{dXt(V)/dt}-1を求めることによって得
られる。
Since the implantation uniformity on the target 8 is the reciprocal of the scanning speed of the ion beam 2, the predicted uniformity at the time of ion implantation at the scanning signal W (t) at that time and at the scanning voltage V (t). Is obtained by obtaining {dX t (V) / dt} −1 in the waveform shaping / controller 40.

【0019】この予測均一性が予め設定されたものより
悪ければ、次式を満たすように走査信号W(t)の波形
を整形して新しい波形の走査信号W(t)を作成する。
これを波形整形・制御器40において行う。Cは定数で
ある。そのようにすれば、ターゲット8上でのイオンビ
ーム2の走査速度dXt(V)/dtはより一定に近づ
き、注入均一性は向上する。
If the predicted uniformity is worse than that set in advance, the waveform of the scanning signal W (t) is shaped so as to satisfy the following equation, and the scanning signal W (t) having a new waveform is created.
This is performed in the waveform shaping / controller 40. C is a constant. By doing so, the scanning speed dX t (V) / dt of the ion beam 2 on the target 8 becomes closer to a constant value, and the implantation uniformity is improved.

【0020】[0020]

【数3】W(t)/dt=C/{dXt(V)/dV}## EQU3 ## W (t) / dt = C / {dX t (V) / dV}

【0021】以上のような状況を図を参照して説明する
と、走査電圧Vが完全な三角波の場合、数1のイオンビ
ームの走査位置を表す関数Xt(V)は、通常は直線に
はならず、一例を示せば図8に示すようにわずかにS字
状になる。これは、イオンビーム2の軌道が図6中に示
す状態のように大振幅の場合、イオンビーム2が下流側
の走査電極6を通過中に電位(正電位)の高い電極近傍
を通るためにイオンビーム2が減速されて曲げ戻しの作
用が大きくなり、イオンビーム2はわずかに中心へ向か
って集束する傾向になり、従ってdV/dt=一定の三
角波による走査では、小振幅の部分では走査速度が速く
なり、大振幅の部分では走査速度が遅くなるからであ
る。
The above situation will be described with reference to the drawings. When the scanning voltage V is a perfect triangular wave, the function X t (V) representing the scanning position of the ion beam of the equation 1 is normally a straight line. However, if one example is shown, it will be slightly S-shaped as shown in FIG. This is because when the trajectory of the ion beam 2 has a large amplitude as shown in FIG. 6, the ion beam 2 passes near the electrode having a high potential (positive potential) while passing through the scanning electrode 6 on the downstream side. The ion beam 2 is decelerated to increase the effect of bending back, and the ion beam 2 tends to focus slightly toward the center. Therefore, in scanning with a constant dV / dt = triangular wave, the scanning speed is small in a small amplitude portion. Is faster and the scanning speed is slower in a large amplitude portion.

【0022】この関数Xt(V)の導関数dXt(V)/
dVの概略を図9に示す。これは走査電圧Vを変数とし
た走査速度を表している。従ってこのままでは、ターゲ
ット8へのイオン注入量はその周辺へ行くほど多くな
る。
The derivative of this function X t (V) dX t (V) /
The outline of dV is shown in FIG. This represents the scanning speed with the scanning voltage V as a variable. Therefore, if this is left as it is, the amount of ion implantation into the target 8 increases toward the periphery thereof.

【0023】このような走査速度の不均一を補正するた
めには、走査電圧V(t)の導関数dV(t)/dt
を、図10に示すように、図9の導関数dXt(V)/
dVとは逆の関係で変化させることによって、数2の導
関数、即ち走査速度dXt(V)/dtを一定にするよ
うに、走査信号波形ひいては走査電圧波形を整形すれば
良いことになる。
In order to correct such nonuniform scanning speed, the derivative dV (t) / dt of the scanning voltage V (t).
As shown in FIG. 10, the derivative dX t (V) /
It is sufficient to shape the scanning signal waveform and thus the scanning voltage waveform so that the derivative of the equation 2, that is, the scanning speed dX t (V) / dt, is made constant by changing it in a relationship opposite to dV. .

【0024】このようにして整形した走査電圧V(t)
の波形の例を図11中に実線Fで示す。同図中の破線E
は元の三角波であり、これに比べて実線Fは、それのピ
ーク付近がより尖った格好になっている。このような波
形の元になる走査信号W(t)がこの例では波形整形・
制御器40で作られ、それが走査電源50に与えられて
走査電圧V(t)が作られる。このような走査電圧V
(t)によってイオンビーム2の走査を行えば、イオン
ビーム2の曲げ戻し作用の不均一が存在しても、ターゲ
ット8上でのイオンビーム2の走査速度が一定になるの
で、ターゲット8の面内における注入量の均一性を向上
させることができる。
The scanning voltage V (t) thus shaped
An example of the waveform of is shown by the solid line F in FIG. Broken line E in the figure
Is the original triangular wave, and in comparison, the solid line F has a sharper shape near its peak. In this example, the scanning signal W (t) that is the source of such a waveform is waveform shaped
It is generated by the controller 40, which is supplied to the scanning power source 50 to generate the scanning voltage V (t). Such a scanning voltage V
If the ion beam 2 is scanned by (t), the scanning speed of the ion beam 2 on the target 8 becomes constant even if there is unevenness in the bending back action of the ion beam 2, so that the surface of the target 8 is The uniformity of the injection amount can be improved.

【0025】[0025]

【発明が解決しようとする課題】以上から分かるよう
に、従来は、イオンビーム2の走査速度をターゲット8
上で均一にするために、多点ビームモニタ20および2
2によって計測されるイオンビーム2の位置データのみ
を使用して波形整形処理を行っていた。
As can be seen from the above, the scanning speed of the ion beam 2 is conventionally set to the target 8
Multi-point beam monitors 20 and 2 for uniformity above
The waveform shaping process was performed using only the position data of the ion beam 2 measured by 2.

【0026】しかしこの方法は、イオンビーム2の変動
等の影響を受ける。例えば、イオンビーム2のビーム電
流が急激に変動するなどしてイオンビーム2におけるビ
ーム電流密度分布の重心位置がずれると、イオンビーム
2の位置をずれて計測することになり、それに基づく波
形整形処理も誤ったものとなる。
However, this method is affected by fluctuations in the ion beam 2. For example, if the barycentric position of the beam current density distribution in the ion beam 2 shifts due to a sudden change in the beam current of the ion beam 2, the position of the ion beam 2 will shift and measurement will be performed. Will be wrong.

【0027】従って、上記方法で波形整形を行う場合に
は、イオンビーム2の安定性、イオン源部その他におけ
る放電等によるエネルギー変動等のイオンビーム2の状
態を詳細にモニタして、そのときに採取したイオンビー
ム位置データが正当であるというチェックをしなければ
ならないという煩雑さがある。
Therefore, when performing waveform shaping by the above method, the stability of the ion beam 2 and the state of the ion beam 2 such as energy fluctuations due to discharge in the ion source and the like are monitored in detail, and at that time. There is the complexity of having to check that the sampled ion beam position data is valid.

【0028】更に、波形整形処理によって新たに作成し
た走査信号W(t)の波形の正当性チェックを行うため
には、再度、上述した、多点ビームモニタ20、22に
よるイオンビームのサンプリングから、予測均一性の算
出までの処理を全て実行する必要があり、これには短く
ても数分オーダーの時間がかかるので、その分、ターゲ
ット8の処理効率(スループット)が低下することにな
る。
Further, in order to check the correctness of the waveform of the scanning signal W (t) newly created by the waveform shaping process, the above-mentioned sampling of the ion beam by the multipoint beam monitors 20 and 22 is performed again. It is necessary to execute all the processes up to the calculation of the prediction uniformity, and this takes a few minutes on the order of at least, so the processing efficiency (throughput) of the target 8 is reduced accordingly.

【0029】そこでこの発明は、採取したイオンビーム
位置データの正当性を詳細にモニタする煩雑さをなくし
て、作成した走査信号波形の正当性を簡単にかつ瞬時に
判定することができるように改善したビーム走査波形整
形方法を提供することを主たる目的とする。
Therefore, the present invention is improved so that the legitimacy of the created scanning signal waveform can be determined easily and instantaneously without the need to monitor the legitimacy of the sampled ion beam position data in detail. The main object of the present invention is to provide a beam scanning waveform shaping method.

【0030】[0030]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明のビーム走査波形整形方法は、走査手段に
おける磁界または電界の時間的変化分を検出する検出器
を設けておき、波形整形後更に、整形された波形の走査
信号に基づいて前記走査手段を駆動し、その時の同走査
手段における磁界または電界の時間的変化分を前記検出
器によって検出し、この検出器からの検出信号を、予め
設定された基準データと比較し、両者の差によって、作
成された波形の正当性を判定することを特徴とする。
In order to achieve the above object, the beam scanning waveform shaping method of the present invention is provided with a detector for detecting a temporal change of a magnetic field or an electric field in the scanning means, and after the waveform shaping. Furthermore, the scanning means is driven on the basis of the shaped scanning signal of the waveform, the time change of the magnetic field or electric field in the scanning means at that time is detected by the detector, and the detection signal from this detector is It is characterized in that the validity of the created waveform is judged by comparing with preset reference data and the difference between the two.

【0031】上記方法によれば、作成された波形に異常
がないときは、検出器からの検出信号と、予め与えられ
た基準データとの差は無いかあっても小さいけれども、
作成された波形に何か異常があると、この検出信号と基
準データとの差が大きくなるので、両者の差によって、
作成された波形の正当性を、波形整形と独立して判定す
ることができる。しかもこの判定処理は、検出器からの
検出信号と基準データとを比較するだけで良いので、簡
単にかつ瞬時に行うことができる。
According to the above method, when there is no abnormality in the generated waveform, there is little or no difference between the detection signal from the detector and the reference data given in advance.
If there is something wrong with the created waveform, the difference between this detection signal and the reference data becomes large, so the difference between the two causes
The validity of the generated waveform can be determined independently of the waveform shaping. Moreover, this determination processing can be performed easily and instantaneously because it is sufficient to compare the detection signal from the detector with the reference data.

【0032】[0032]

【発明の実施の形態】図1は、磁界によるパラレルスキ
ャン方式のイオン注入装置にこの発明に係るビーム走査
波形整形方法を実施するための構成を付加した例を示す
概略図である。図6の従来例と同一または相当する部分
には同一符号を付し、以下においては当該従来例との相
違点を主に説明する。
1 is a schematic diagram showing an example in which a configuration for carrying out a beam scanning waveform shaping method according to the present invention is added to an ion implantation apparatus of a parallel scan system by a magnetic field. The same or corresponding portions as those of the conventional example in FIG. 6 are denoted by the same reference numerals, and the differences from the conventional example will be mainly described below.

【0033】この実施例においては、磁界によってイオ
ンビーム2を走査、より具体的には平行走査するように
している。そのため、図6に示した走査電極4および6
の代わりに、イオンビーム2を磁界によって前記X方向
に走査する走査電磁石64、および、走査されたイオン
ビーム2を磁界によって曲げ戻すことによって平行ビー
ムを作る平行化電磁石66を設けている。走査電磁石6
4として、図1では、それを構成する上下二つのコイル
を図示している。
In this embodiment, the ion beam 2 is scanned by a magnetic field, more specifically, parallel scanning is performed. Therefore, the scan electrodes 4 and 6 shown in FIG.
Instead of the above, a scanning electromagnet 64 for scanning the ion beam 2 in the X direction by a magnetic field and a parallelizing electromagnet 66 for forming a parallel beam by bending the scanned ion beam 2 back by the magnetic field are provided. Scanning electromagnet 6
In FIG. 1, two upper and lower coils constituting the coil are shown as 4.

【0034】走査電磁石64を用いるため、この実施例
では、波形整形・制御器40から与えられる前述したよ
うな走査信号W(t)を走査電源50において電流増幅
して得られる走査電流J(t)を、走査電磁石64に供
給してそれを駆動するようにしている。
Since the scanning electromagnet 64 is used, in this embodiment, the scanning signal J (t) obtained by current-amplifying the above-mentioned scanning signal W (t) given from the waveform shaping / controller 40 in the scanning power supply 50. ) Is supplied to the scanning electromagnet 64 to drive it.

【0035】このようにしてイオンビーム2を磁界によ
って走査する場合も、その走査用の走査信号W(t)ひ
いては走査電流J(t)の波形を整形する方法は、前述
した従来例の場合と同様であり、基本的には、先の走査
電圧V(t)を走査電流J(t)に置き換えれば良い。
Even when the ion beam 2 is scanned by the magnetic field in this way, the method of shaping the waveform of the scanning signal W (t) and hence the scanning current J (t) is the same as in the case of the above-mentioned conventional example. The same is true, and basically, the previous scanning voltage V (t) may be replaced with the scanning current J (t).

【0036】この実施例に特徴的なものとしては、走査
電磁石64に、そこにおける磁界の時間的変化分を検出
する検出器として、検出コイル70を設け、この検出コ
イル70からの検出信号SをA/D変換器72でA/D
変換して波形整形・制御器40に取り込むようにしてい
る。
A characteristic of this embodiment is that the scanning electromagnet 64 is provided with a detection coil 70 as a detector for detecting the temporal change of the magnetic field therein, and the detection signal S from this detection coil 70 is provided. A / D with A / D converter 72
It is adapted to be converted and taken into the waveform shaping / control device 40.

【0037】この検出コイル70は、例えば、走査電磁
石64の磁極の周りに1ターン巻き付けられたコイルで
あり、走査電磁石64における磁束密度Bが時間的に変
化するときに、その時間変化dB/dtに比例した起電
力を発生し、これが検出信号Sとして出力される。
The detection coil 70 is, for example, a coil wound around the magnetic pole of the scanning electromagnet 64 for one turn, and when the magnetic flux density B in the scanning electromagnet 64 changes with time, its time change dB / dt. An electromotive force proportional to is generated, and this is output as the detection signal S.

【0038】即ち、検出信号SはdB/dtに比例し、
磁束密度Bは走査電磁石64に供給する走査電流J
(t)に比例するから、結局、検出信号SはdJ(t)
/dtに比例する。従って、走査電流J(t)の微小な
傾きの変化が拡大して検出信号Sに表れることになる。
That is, the detection signal S is proportional to dB / dt,
The magnetic flux density B is the scanning current J supplied to the scanning electromagnet 64.
Since it is proportional to (t), the detection signal S is eventually dJ (t).
Proportional to / dt. Therefore, a slight change in the inclination of the scanning current J (t) is enlarged and appears in the detection signal S.

【0039】例えば、イオンビーム2の走査位置Xが磁
束密度Bに比例する(即ちXがBの一次関数で表され
る)特性を持つ(通常はそうである)走査電磁石64で
イオンビーム2を走査する場合、イオンビーム2の走査
速度が一定になる場合は、検出信号Sの値が一定になる
はずである。
For example, the scanning position X of the ion beam 2 is proportional to the magnetic flux density B (that is, X is represented by a linear function of B). In scanning, if the scanning speed of the ion beam 2 is constant, the value of the detection signal S should be constant.

【0040】そこでこの実施例では、波形整形・制御器
40において、まず、多点ビームモニタ20および22
からのビーム電流データを用いて、従来例の所で説明し
たのと同様の方法によって走査信号W(t)の波形を整
形して新たな波形の走査信号W(t)を作成する。その
後更に、その走査信号W(t)を出力して走査電源50
で増幅して走査電流J(t)にしてそれで走査電磁石6
4を駆動し、そのときの検出信号Sを計測してそのデー
タを波形整形・制御器40に取り込む。
Therefore, in this embodiment, in the waveform shaping / controller 40, first, the multi-point beam monitors 20 and 22.
The waveform of the scanning signal W (t) is shaped by the same method as described in the conventional example by using the beam current data from No. 1 to create the scanning signal W (t) having a new waveform. Thereafter, the scanning signal W (t) is further output to output the scanning power supply 50.
And the scanning current J (t) is amplified by the scanning electromagnet 6
4 is driven, the detection signal S at that time is measured, and the data is taken into the waveform shaping / controller 40.

【0041】このときの走査電流J(t)および検出信
号Sの例を図2に示す。走査電流J(t)の微小な傾き
の変化部分Pが拡大されて、大きな変動部分Qとして検
出信号Sに表れている。
An example of the scanning current J (t) and the detection signal S at this time is shown in FIG. A change portion P of a slight inclination of the scanning current J (t) is enlarged and appears as a large change portion Q in the detection signal S.

【0042】波形整形・制御器40には予め、走査電流
J(t)が正常な場合の検出信号Sの値(例えばその絶
対値)を、基準データとして設定しておく。そして、波
形整形・制御器40において、計測した検出信号Sとこ
の基準データとを比較し、両者の差によって、新たに作
成された走査信号W(t)の波形の正当性を判定する。
具体的には、両者の差が一定以上あれば、波形整形に失
敗していると判定する。波形整形に失敗しているのは、
多点ビームモニタ20、22によって採取したデータ
に、走査信号W(t)を正常に作成できない何らかの不
都合があったからである。
In the waveform shaping / controller 40, the value (for example, the absolute value) of the detection signal S when the scanning current J (t) is normal is set in advance as reference data. Then, in the waveform shaping / controlling device 40, the measured detection signal S is compared with the reference data, and the correctness of the waveform of the newly created scanning signal W (t) is determined based on the difference between the two.
Specifically, if the difference between the two is more than a certain value, it is determined that the waveform shaping has failed. The reason why waveform shaping fails is
This is because the data collected by the multipoint beam monitors 20 and 22 has some inconvenience that the scanning signal W (t) cannot be normally created.

【0043】上記方法によれば、波形整形によって新た
に作成された走査信号W(t)の波形の正当性を、検出
コイル70からの検出信号Sを用いて、波形整形とは独
立して判定することができる。しかもこの判定処理は、
検出コイル70からの検出信号Sと基準データとを比較
するだけで良いので、簡単にかつ瞬時に行うことができ
る。従って従来のように、採取したイオンビーム位置デ
ータの正当性を詳細にモニタする煩雑さから開放され
る。その結果、ターゲット8に対する注入均一性の保証
と信頼性の向上とを、多くの手間と時間とをかけること
なく簡単に実現することができる。
According to the above method, the validity of the waveform of the scanning signal W (t) newly created by the waveform shaping is determined by using the detection signal S from the detection coil 70, independently of the waveform shaping. can do. Moreover, this determination process is
Since it suffices to compare the detection signal S from the detection coil 70 with the reference data, it can be performed easily and instantaneously. Therefore, unlike the conventional case, the complexity of monitoring the validity of the collected ion beam position data in detail is released. As a result, it is possible to easily realize the guarantee of the injection uniformity for the target 8 and the improvement of the reliability without much labor and time.

【0044】上記のようにして整形波形の正当性をチェ
ックして、整形波形が正常でないと判定した場合、更に
進んで、次のようにして、新たな走査信号W(t)を短
時間で作成することも可能である。
When the legitimacy of the shaped waveform is checked as described above and it is determined that the shaped waveform is not normal, the process proceeds further and a new scanning signal W (t) is generated in a short time as follows. It is also possible to create.

【0045】即ち、上記検出信号S上の位置と走査電流
J(t)上の位置とは図2に示すように互いに対応して
おり、またこの走査電流J(t)と多点ビームモニタ2
0および22上でのイオンビーム2の走査位置とは前述
したように対応しているから(数1の前辺りの説明参
照。但し走査電圧Vを走査電流Jと読み替えるものとす
る)、検出信号Sにおける大きな変動部分Qの位置が分
かれば、その部分に対応する多点ビームモニタ20およ
び22上での位置、即ち何番目のファラデーカップ21
および23が上記変動部分Qに対応しているかが分か
る。従って、この変動部分Qに対応しているファラデー
カップ21および23からのデータだけを取り直し、他
の部分のデータはそのまま用い、これらのデータを使用
して走査信号W(t)を作り直す。
That is, the position on the detection signal S and the position on the scanning current J (t) correspond to each other as shown in FIG. 2, and the scanning current J (t) and the multi-point beam monitor 2 are also provided.
Since the scanning positions of the ion beam 2 on 0 and 22 correspond to each other as described above (see the explanation about the front part of Formula 1, but the scanning voltage V is replaced with the scanning current J), the detection signal If the position of the large fluctuation portion Q in S is known, the position on the multipoint beam monitors 20 and 22 corresponding to that portion, that is, the number Faraday cup 21.
It can be seen whether and 23 and 23 correspond to the varying portion Q. Therefore, only the data from the Faraday cups 21 and 23 corresponding to the varying portion Q are re-acquired, the data of the other portions are used as they are, and the scanning signal W (t) is re-created using these data.

【0046】この方法によれば、データを取り直すの
は、不都合があった部分だけで済むので、全て新しいデ
ータで走査信号W(t)を作成する場合よりも短時間で
新たな走査信号W(t)を作成することができるという
利点がある。
According to this method, the data can be reacquired only at the inconvenient portion, so that a new scan signal W (t can be obtained in a shorter time than in the case where the scan signal W (t) is created with all new data. There is an advantage that t) can be created.

【0047】ところで、先に、イオンビーム2の走査位
置Xが磁束密度Bに比例する特性を持つ走査電磁石64
が通常であると述べたが、そうでない場合もあり得るの
でその場合について説明する。
By the way, first, the scanning electromagnet 64 having the characteristic that the scanning position X of the ion beam 2 is proportional to the magnetic flux density B is obtained.
Is normal, but it may be not so, so that case will be described.

【0048】例えば、図3に示す例のように、X∝√B
の特性を持つ走査電磁石64によってイオンビーム2を
走査する場合、イオンビーム2を一定速度で走査するた
めには、当該走査電磁石64に供給する走査電流J
(t)の波形は、図2に示したような完全な三角波では
なく、図4に示すように三角波の上下付近をX2 即ちt
2に比例させて曲げたような波形にする必要がある。
For example, as in the example shown in FIG. 3, X∝√B
When the ion beam 2 is scanned by the scanning electromagnet 64 having the above characteristic, in order to scan the ion beam 2 at a constant speed, the scanning current J supplied to the scanning electromagnet 64 is supplied.
The waveform of (t) is not a perfect triangular wave as shown in FIG. 2, but X 2 or t near the upper and lower sides of the triangular wave as shown in FIG.
It is necessary to form a waveform that is bent in proportion to 2 .

【0049】このような走査電流J(t)で走査電磁石
64を駆動した場合、検出コイル70から出力される検
出信号Sの波形は概ね図4に示したようなものとなる。
これが正常時の波形である。従ってこの波形を基準デー
タとして波形整形・制御器40に予め格納しておく。
When the scanning electromagnet 64 is driven by such a scanning current J (t), the waveform of the detection signal S output from the detection coil 70 is approximately as shown in FIG.
This is the normal waveform. Therefore, this waveform is stored in the waveform shaping / controller 40 in advance as reference data.

【0050】そして、整形波形の正当性の判定時に、そ
のときに計測した検出信号Sの波形とこの基準データの
波形とを比較し、両者の差によって整形波形の正当性を
判定する。
Then, when determining the correctness of the shaped waveform, the waveform of the detection signal S measured at that time is compared with the reference data waveform, and the correctness of the shaped waveform is determined based on the difference between the two.

【0051】なお、以上では走査電磁石64または走査
電極4によって走査されたイオンビーム2を平行化電磁
石66または走査電極6によって曲げ戻して平行ビーム
化するいわゆるパラレルスキャン方式の場合を例にして
説明したが、以上の説明からも分かるように、ここで波
形整形の対象としているのは基本的には走査電磁石64
または走査電極4に供給する走査電流J(t)または走
査電圧V(t)の波形であり、それらの下流側に平行化
電磁石66または走査電極6を更に設けてイオンビーム
2を平行ビーム化するか否かは、この発明の本質に影響
するものではなく、任意である。
In the above, the case of the so-called parallel scan system in which the ion beam 2 scanned by the scanning electromagnet 64 or the scanning electrode 4 is bent back by the collimating electromagnet 66 or the scanning electrode 6 to form a parallel beam has been described as an example. However, as can be seen from the above description, the target of waveform shaping is basically the scanning electromagnet 64.
Alternatively, it has a waveform of the scanning current J (t) or the scanning voltage V (t) to be supplied to the scanning electrode 4, and a parallelizing electromagnet 66 or a scanning electrode 6 is further provided on the downstream side thereof to convert the ion beam 2 into a parallel beam. Whether or not this does not affect the essence of the present invention is arbitrary.

【0052】また、図6に示したように、イオンビーム
2を走査電極4における電界によって走査する方式の場
合は、走査電極4における電界の時間的変化分を検出す
る検出器として、例えば図5に示すような一組の検出プ
ローブ74および微分器76を設ければ良い。この検出
プローブ74を2枚の走査電極4間に挿入してそれで走
査電極4における電界Eを検出し、それを微分器76で
微分することによって、走査電極4における電界Eの時
間的変化分dE/dtを表す検出信号Sを得ることがで
きる。微分を求めるのは、図1の例の場合と同様、電界
Eの微小な傾きの変化が拡大して検出信号Sに表れ、当
該変化を検出しやすくなるからである。
Further, as shown in FIG. 6, in the case of the system in which the ion beam 2 is scanned by the electric field in the scanning electrode 4, as a detector for detecting the temporal change of the electric field in the scanning electrode 4, for example, FIG. It is sufficient to provide a set of detection probe 74 and differentiator 76 as shown in FIG. The detection probe 74 is inserted between the two scanning electrodes 4 to detect the electric field E at the scanning electrodes 4 and differentiated by the differentiator 76 to obtain a time change dE of the electric field E at the scanning electrodes 4. A detection signal S representing / dt can be obtained. The reason why the differential is obtained is that, as in the case of the example of FIG. 1, a minute change in the inclination of the electric field E is enlarged and appears in the detection signal S, and the change can be easily detected.

【0053】この検出信号Sを用いて整形波形の正当性
を判定する方法は、図1に示した場合と同様であるの
で、ここでは重複説明を省略する。
Since the method of determining the correctness of the shaped waveform using the detection signal S is the same as that shown in FIG. 1, the duplicated description will be omitted here.

【0054】検出器として、図1に示した検出コイル7
0を用いる場合と、図5に示した検出プローブ74およ
び微分器76の組合せを用いる場合とを比べると、検出
コイル70の方が、ノイズの影響を受けにくく、かつ微
分器も不要であるので、簡単かつ正確であると言える。
As the detector, the detection coil 7 shown in FIG.
Comparing the case where 0 is used and the case where the combination of the detection probe 74 and the differentiator 76 shown in FIG. 5 is used, the detection coil 70 is less affected by noise and the differentiator is not necessary. , Easy and accurate.

【0055】[0055]

【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、作成し
た走査信号波形の正当性を、検出器からの検出信号を用
いて、波形整形とは独立して判定することができる。し
かもこの判定処理は、検出器からの検出信号と基準デー
タとを比較するだけで良いので、簡単にかつ瞬時に行う
ことができる。従って従来のように、採取したイオンビ
ーム位置データの正当性を詳細にモニタする煩雑さから
開放される。その結果、ターゲットに対する注入均一性
の保証と信頼性の向上とを、多くの手間と時間とをかけ
ることなく簡単に実現することができる。
As described above, according to the present invention, the legitimacy of the created scanning signal waveform can be judged independently of the waveform shaping by using the detection signal from the detector. Moreover, this determination processing can be performed easily and instantaneously because it is sufficient to compare the detection signal from the detector with the reference data. Therefore, unlike the conventional case, the complexity of monitoring the validity of the collected ion beam position data in detail is released. As a result, it is possible to easily realize the guarantee of the implantation uniformity for the target and the improvement of the reliability without much labor and time.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】磁界によるパラレルスキャン方式のイオン注入
装置にこの発明に係るビーム走査波形整形方法を実施す
るための構成を付加した例を示す概略図である。
FIG. 1 is a schematic diagram showing an example in which a configuration for implementing a beam scanning waveform shaping method according to the present invention is added to a parallel scan type ion implantation apparatus using a magnetic field.

【図2】図1中の走査電流と検出信号の波形の例を示す
図である。
FIG. 2 is a diagram showing an example of waveforms of a scanning current and a detection signal in FIG.

【図3】ビーム走査位置が磁束密度の一次関数で表され
ない場合の例を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing an example in which a beam scanning position is not represented by a linear function of magnetic flux density.

【図4】図3の特性を有する走査電磁石の場合の走査電
流と検出信号の波形の例を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing an example of waveforms of a scanning current and a detection signal in the case of a scanning electromagnet having the characteristics of FIG.

【図5】電界によってイオンビームを走査する場合に用
いる検出器の例を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing an example of a detector used when an ion beam is scanned by an electric field.

【図6】電界によるパラレルスキャン方式のイオン注入
装置に従来のビーム走査波形整形方法を実施するための
構成を付加した例を示す概略図である。
FIG. 6 is a schematic diagram showing an example in which a configuration for carrying out a conventional beam scanning waveform shaping method is added to an ion implantation apparatus of a parallel scan system using an electric field.

【図7】多点ビームモニタからの信号の一例を部分的に
示す概略図である。
FIG. 7 is a schematic diagram partially showing an example of signals from a multipoint beam monitor.

【図8】イオンビームの走査位置を表す関数の一例を示
す図である。
FIG. 8 is a diagram showing an example of a function representing a scanning position of an ion beam.

【図9】イオンビームの走査位置を表す関数の導関数の
一例を示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing an example of a derivative of a function representing a scanning position of an ion beam.

【図10】走査電圧を表す関数の導関数の一例を示す図
である。
FIG. 10 is a diagram showing an example of a derivative of a function representing a scan voltage.

【図11】整形された走査電圧波形の一例を示す図であ
る。
FIG. 11 is a diagram showing an example of a shaped scanning voltage waveform.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 イオンビーム 8 ターゲット 20,22 多点ビームモニタ 30 ビーム電流変換器 40 波形整形・制御器 50 走査電源 64 走査電磁石 70 検出コイル 2 Ion beam 8 Target 20, 22 Multi-point beam monitor 30 Beam current converter 40 Waveform shaper / controller 50 Scanning power supply 64 Scanning electromagnet 70 Detection coil

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 初期の走査信号に基づいて走査電流また
は走査電圧を作成してそれを用いて走査手段において磁
界または電界によってイオンビームを走査し、このよう
にして走査されるイオンビームを電気的に検出してその
走査位置の時間的変化をイオンビームの上流側および下
流側についてそれぞれ求め、その結果に基づいて、イオ
ンビームの上流側および下流側での計測位置とターゲッ
トとの位置関係からターゲット上でのイオンビームの走
査位置の時間的変化を求め、そしてこのターゲット上で
のイオンビームの走査位置の時間的変化が一定になるよ
うに、前記走査信号の波形を整形して新たな波形の走査
信号を作成するビーム走査波形整形方法において、前記
走査手段における磁界または電界の時間的変化分を検出
する検出器を設けておき、波形整形後更に、当該波形整
形によって新たに作成された波形の走査信号に基づいて
前記走査手段を駆動し、その時の同走査手段における磁
界または電界の時間的変化分を前記検出器によって検出
し、この検出器からの検出信号を、予め設定された基準
データと比較し、両者の差によって、作成された波形の
正当性を判定することを特徴とするビーム走査波形整形
方法。
1. A scanning current or a scanning voltage is generated based on an initial scanning signal and is used to scan an ion beam by a magnetic field or an electric field in a scanning means, and the ion beam thus scanned is electrically scanned. To determine the temporal change of the scanning position for each of the upstream side and the downstream side of the ion beam, and based on the results, the target is determined from the positional relationship between the measurement position on the upstream side and the downstream side of the ion beam and the target. The temporal change of the scanning position of the ion beam on the target is obtained, and the waveform of the scanning signal is shaped so that the temporal change of the scanning position of the ion beam on the target becomes constant. In a beam scanning waveform shaping method for creating a scanning signal, a detector for detecting a temporal change of a magnetic field or an electric field in the scanning means is provided. After the waveform shaping, the scanning means is driven based on the scanning signal of the waveform newly created by the waveform shaping, and the temporal change of the magnetic field or electric field in the scanning means at that time is detected by the detector. Then, the beam scanning waveform shaping method is characterized in that the detection signal from this detector is compared with preset reference data, and the validity of the generated waveform is judged based on the difference between the two.
【請求項2】 前記走査手段が、磁界によってイオンビ
ームを走査する走査電磁石であり、前記検出器が、この
走査電磁石における磁界の時間的変化分を検出する検出
コイルである請求項1記載のビーム走査波形整形方法。
2. The beam according to claim 1, wherein the scanning means is a scanning electromagnet that scans an ion beam with a magnetic field, and the detector is a detection coil that detects a temporal change in the magnetic field of the scanning electromagnet. Scan waveform shaping method.
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