JPH0950014A - Inspection method for liquid crystal driving board - Google Patents

Inspection method for liquid crystal driving board

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JPH0950014A
JPH0950014A JP20118195A JP20118195A JPH0950014A JP H0950014 A JPH0950014 A JP H0950014A JP 20118195 A JP20118195 A JP 20118195A JP 20118195 A JP20118195 A JP 20118195A JP H0950014 A JPH0950014 A JP H0950014A
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modulator
drive substrate
crystal drive
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照正 石原
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睦 竹内
Susumu Sakamoto
勧 坂本
Katsuhiro Kaji
克広 梶
Chiyuu Ron
チュー ロン
Miraa Maiku
ミラー マイク
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enable accurately to correspond defective picture elements to their addresses by measuring reflection state of light on each part of a modulator and detecting a position of each picture element. SOLUTION: A liquid crystal driving board A is arranged face-to-face with a modulator B at a small distance away by means of a loading means. The whole surface of the modulator B is irradiated with light with a uniform intensity by a halogen lamp D. A CCD camera E successively scans the surface of modulator B from a prescribed position. The reflected light from each part is transduced into a voltage corresponding to the intensity as it is and a picture data representing the brightness on each part of the surface of the modulator B is formed and outputted to a picture processor F. And each position of the picture element electrodes 2 is obtained based on a voltage pattern applied on each picture element electrode 2 and the state of light reflection on each part of the modulator B and defective parts of the liquid crystal driving board A are detected.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示パネルを
構成する主要な部品である液晶駆動基板の検査方法に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for inspecting a liquid crystal drive substrate, which is a main component of a liquid crystal display panel.

【0002】[0002]

【従来の技術】周知のように、液晶表示パネルは、透明
電極を貼り合わせたガラス基板と液晶駆動基板とをスペ
ーサを介して対面配置し、このガラス基板と液晶駆動基
板との間隙に液晶を封止して構成される。この液晶駆動
基板は、液晶の駆動方法によって種々の構成のものが知
られている。
2. Description of the Related Art As is well known, in a liquid crystal display panel, a glass substrate to which transparent electrodes are attached and a liquid crystal driving substrate are arranged face-to-face via a spacer, and a liquid crystal is placed in a gap between the glass substrate and the liquid crystal driving substrate. It is configured by sealing. This liquid crystal drive substrate is known to have various configurations depending on the liquid crystal drive method.

【0003】図8はTFT(薄膜トランジスタ)を使用
したアクティブマトリックス方式の液晶駆動基板の構成
例を示す平面図である。同図において、ガラス基板1の
表面には互いに平行な複数本の行配線6,6,…が所定
ピッチを隔てて布線されると共にこれらの行配線と直交
する列配線4,4,…が所定ピッチを隔てて布線されて
いる。そして、ガラス基板1上において各行配線および
各列配線が交差する各交差点毎に、各々1個の画素電極
2およびスイッチング用のTFT3が各々配置されてい
る。ここで、各TFT3は、ソース端子が列配線4に接
続され、ドレイン端子が画素電極2に接続され、ゲート
端子は列配線6に接続されている。行方向に並んだ一連
のTFT3,3,…は、当該行配線6から各々のゲート
端子に所定の電圧が印加されることによって導通状態と
なり、これにより各列配線4に対する各印加電圧が各T
FT3を介して各画素電極2に印加される。ここで、液
晶駆動基板Aは、製造工程の途中のものであり、各TF
T3を静電気等から保護するために、行配線4は全てシ
ョーティングバー5に接続され、列配線6は全てショー
ティングバー7に接続されている。しかし、この液晶駆
動基板Aが液晶表示パネルとして完成する時点では、シ
ョーティングバー5、7は除去され、各々の行配線4お
よび列配線6は分離される。
FIG. 8 is a plan view showing a structural example of an active matrix type liquid crystal driving substrate using TFTs (thin film transistors). In the figure, a plurality of row wirings 6, 6, ... Which are parallel to each other are laid out at a predetermined pitch on the surface of the glass substrate 1, and column wirings 4, 4, ... Which are orthogonal to these row wirings. The wires are laid out at a predetermined pitch. Then, on the glass substrate 1, one pixel electrode 2 and one switching TFT 3 are arranged at each intersection where each row wiring and each column wiring intersect. Here, in each TFT 3, the source terminal is connected to the column wiring 4, the drain terminal is connected to the pixel electrode 2, and the gate terminal is connected to the column wiring 6. A series of TFTs 3, 3, ... Arranged in the row direction become conductive by applying a predetermined voltage from the row wiring 6 to each gate terminal, whereby each applied voltage to each column wiring 4 becomes T.
It is applied to each pixel electrode 2 via FT3. Here, the liquid crystal drive substrate A is in the middle of the manufacturing process,
In order to protect T3 from static electricity or the like, all the row wirings 4 are connected to the shorting bar 5 and all the column wirings 6 are connected to the shorting bar 7. However, when the liquid crystal drive substrate A is completed as a liquid crystal display panel, the shorting bars 5 and 7 are removed and the row wirings 4 and the column wirings 6 are separated.

【0004】ところで、本出願人は、このように構成さ
れた液晶駆動基板Aの検査装置として、電界によって光
の反射率が変化する電気光学特性を有する電気光学素子
(モジュレータ)を用いたものを特開平5−25679
4号公報に開示した。
By the way, the applicant of the present invention uses an electro-optical element (modulator) having electro-optical characteristics in which the reflectance of light is changed by an electric field, as an inspection apparatus for the liquid crystal drive substrate A having the above-mentioned structure. JP-A-5-25679
No. 4 publication.

【0005】図9は、この検査装置の主要部の構成を示
す図であり、この図において、符号Bはモジュレータで
ある。モジュレータBは、内部に液晶が封入された液晶
シート10の片面に薄膜透明電極11を貼り合わせ、ま
た他面にモジュレータBに照射された光を反射する半導
体反射膜12を蒸着または貼り合わせて構成されてい
る。このモジュレータBは、検査装置に固定されてお
り、液晶駆動基板Aは、このように構成されたモジュレ
ータBに微小間隔(10μm〜20μm)をおいて、か
つ、位置精度良く面対向配置される。そして、モジュレ
ータBの薄膜透明電極11および液晶駆動基板Aのショ
ーティングバー5、7には、電圧印加装置Cによって液
晶駆動基板Aの動作を検査するために必要な所定の電圧
がそれぞれ印加される。そして、モジュレータBの表面
には、ハロゲンランプDによって均一に光が照射され
る。CCDカメラEは、モジュレータBの表面からの反
射光によってモジュレータBの表面を一枚の画像として
捉える。
FIG. 9 is a diagram showing the configuration of the main part of this inspection apparatus. In this figure, the symbol B is a modulator. The modulator B is configured by laminating a thin film transparent electrode 11 on one surface of a liquid crystal sheet 10 in which liquid crystal is sealed, and vapor-depositing or laminating a semiconductor reflection film 12 that reflects light irradiated on the modulator B on the other surface. Has been done. The modulator B is fixed to the inspection device, and the liquid crystal drive substrate A is arranged face-to-face with high precision in the modulator B at a minute interval (10 μm to 20 μm). Then, the thin film transparent electrode 11 of the modulator B and the shorting bars 5 and 7 of the liquid crystal drive substrate A are respectively applied with a predetermined voltage required for inspecting the operation of the liquid crystal drive substrate A by the voltage application device C. . Then, the halogen lamp D uniformly irradiates the surface of the modulator B with light. The CCD camera E captures the surface of the modulator B as one image by the reflected light from the surface of the modulator B.

【0006】次に、液晶駆動基板Aは、微小間隔をおい
てモジュレータBに対向して配置されているので、モジ
ュレータBの液晶シート10内に封入された液晶は、薄
膜透明電極11と液晶駆動基板Aの各画素電極2との間
に発生する電界の影響を受ける。この電界の影響によっ
て、液晶シート10内に封入された液晶は、その分子配
向を変化させ、ハロゲンランプDによって照射される光
に対する反射率を変化させる。しかし、列配線4または
行配線6の断線、列配線4と行配線6の短絡等の不良に
よって正常に電圧が印加されない画素電極2に対向する
部分のモジュレータBの光の反射率は、正常に電圧が印
加された画素電極2に対向する部分の光の反射率とは異
なった値となる。
Next, since the liquid crystal drive substrate A is arranged to face the modulator B with a minute gap, the liquid crystal enclosed in the liquid crystal sheet 10 of the modulator B is driven by the thin film transparent electrode 11 and the liquid crystal. It is affected by the electric field generated between the substrate A and each pixel electrode 2. Under the influence of this electric field, the liquid crystal enclosed in the liquid crystal sheet 10 changes its molecular orientation and changes its reflectance with respect to the light emitted by the halogen lamp D. However, the reflectance of light of the modulator B at the portion facing the pixel electrode 2 to which the voltage is not normally applied due to a defect such as a disconnection of the column wiring 4 or the row wiring 6, a short circuit between the column wiring 4 and the row wiring 6, becomes normal. The value is different from the reflectance of light in the portion facing the pixel electrode 2 to which a voltage is applied.

【0007】したがって、CCDカメラEによって捉え
られるモジュレータBの反射光による画像は、液晶駆動
基板Aの画素電極2に印加された電圧を反映させた輝度
分布を有する画像となる。ここで、CCDカメラEとモ
ジュレータBの位置関係は常に一定になっているため、
画像処理装置Fは、CCDカメラEから入力される画像
を各画素電極2について指定されている所定のアドレス
に対応させて所定の処理を施すことができる。つまり、
画像処理装置Fは、CCDカメラEから入力される画像
情報が何番目のアドレスの画素電極2に対応する情報で
あるのを常に認識して所定の処理を行うことができる。
これによって、画像処理装置Fは、各画素電極2毎に動
作状態を検出して液晶駆動基板Aの良否を判定し、この
結果をモニタGに表示する。
Therefore, an image captured by the CCD camera E by the reflected light of the modulator B becomes an image having a brightness distribution reflecting the voltage applied to the pixel electrode 2 of the liquid crystal drive substrate A. Here, since the positional relationship between the CCD camera E and the modulator B is always constant,
The image processing device F can perform a predetermined process by correlating an image input from the CCD camera E with a predetermined address designated for each pixel electrode 2. That is,
The image processing device F can always recognize that the image information input from the CCD camera E is the information corresponding to the pixel electrode 2 of which address, and can perform a predetermined process.
As a result, the image processing device F detects the operating state of each pixel electrode 2 to determine the quality of the liquid crystal drive substrate A, and displays the result on the monitor G.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した液
晶駆動基板は、基板の外形を高精度に加工する等によっ
て、液晶駆動基板が検査装置に装着された際、モジュレ
ータと液晶駆動基板の相対的な位置が常に一定となるよ
うに構成されている。このようにすることによって、画
像処理装置は、入力されるモジュレータの表面の画像上
の位置とその位置に対向する画素電極の位置(画素電極
を駆動する上で各画素毎に対応づけられているアドレ
ス)とを対応づけて記憶することができる。つまり、モ
ジュレータの表面の特定の位置に欠陥画素が存在した場
合、画像処理装置は、この欠陥画素が液晶駆動基板上の
どのアドレスの画素電極であるかを対応付けることがで
きる。しかし、このように機械的な加工精度によってモ
ジュレータと液晶駆動基板の位置関係を一定に保つこと
は、コストが掛かるという問題があった。また、加工精
度の限界とその偏差のために、モジュレータと液晶駆動
基板の相対的な位置関係にズレが生じる場合があるとい
う問題があった。
By the way, the above-mentioned liquid crystal drive substrate has a structure in which the modulator and the liquid crystal drive substrate are relatively moved when the liquid crystal drive substrate is mounted on the inspection device by processing the outer shape of the substrate with high precision. The position is always constant. By doing so, the image processing apparatus associates the position on the image of the surface of the input modulator with the position of the pixel electrode facing the position (corresponding to each pixel when driving the pixel electrode). (Address) can be stored in association with. That is, when a defective pixel exists at a specific position on the surface of the modulator, the image processing apparatus can associate which address on the liquid crystal drive substrate the pixel electrode is with this defective pixel. However, keeping the positional relationship between the modulator and the liquid crystal drive substrate constant by such mechanical processing accuracy has a problem in that it costs a lot. Further, there is a problem that the relative positional relationship between the modulator and the liquid crystal drive substrate may be displaced due to the limit of processing accuracy and its deviation.

【0009】本発明は上述する問題点に鑑みてなされた
もので、被検査物である液晶駆動基板の機械的な加工精
度に頼ることなく、欠陥画素とそのアドレスとを正確に
対応付けることが可能な液晶駆動基板の検査方法を提供
することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and it is possible to accurately associate a defective pixel with its address without depending on the mechanical processing accuracy of the liquid crystal drive substrate which is the object to be inspected. An object of the present invention is to provide a method for inspecting a liquid crystal drive substrate.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の液晶駆動
基板の検査方法は、上述する問題点を解決するために、
液晶に電界を与えるための複数の画素電極と、これらの
各画素電極に駆動電圧を印加するための回路とが形成さ
れてなる液晶駆動基板を、表面に透明電極が形成され、
かつ、電界強度に依存して光の反射率が変化する液晶シ
ートを有するモジュレータを使用して検査する液晶駆動
基板の検査方法において、 a.前記透明電極と前記画素電極とによって前記液晶シ
ートが挟まれるように、前記モジュレータと、検査しよ
うとする前記液晶駆動基板とを対面配置し、 b.前記モジュレータの透明電極と前記液晶駆動基板の
各画素電極との間に所定のパターンの電圧を印加すると
共に、この電圧印加時における前記モジュレータの各部
の光の反射状態を測定し、 c.前記各画素電極に印加される電圧のパターンと前記
モジュレータの各部の光の反射状態とに基づいて前記各
画素電極の位置を求め、 d.前記モジュレータの各部の光の反射状態と前記各画
素電極の位置とに基づいて、前記液晶駆動基板の欠陥箇
所を検出する、 ことを特徴とする。
A method for inspecting a liquid crystal drive substrate according to claim 1 is intended to solve the above-mentioned problems.
A liquid crystal drive substrate formed by a plurality of pixel electrodes for applying an electric field to the liquid crystal and a circuit for applying a drive voltage to each of these pixel electrodes, a transparent electrode is formed on the surface,
A method of inspecting a liquid crystal drive substrate, which inspects by using a modulator having a liquid crystal sheet whose light reflectance changes depending on the electric field strength, comprising: a. The modulator and the liquid crystal drive substrate to be inspected are arranged so as to face each other so that the liquid crystal sheet is sandwiched between the transparent electrode and the pixel electrode; b. A voltage of a predetermined pattern is applied between the transparent electrode of the modulator and each pixel electrode of the liquid crystal drive substrate, and the light reflection state of each part of the modulator when the voltage is applied is measured, and c. Determining the position of each pixel electrode based on the pattern of the voltage applied to each pixel electrode and the light reflection state of each part of the modulator; d. The defective portion of the liquid crystal drive substrate is detected based on the light reflection state of each part of the modulator and the position of each pixel electrode.

【0011】請求項2記載の液晶駆動基板の検査方法
は、請求項1記載の検査方法において、上記bの電圧印
加における各々の画素電極に印加される所定の電圧が、
第1の電圧と第2の電圧とが交互に並ぶように電圧を印
加する、ことを特徴とする。
A liquid crystal driving substrate inspection method according to a second aspect is the inspection method according to the first aspect, wherein a predetermined voltage applied to each pixel electrode in the voltage application of b is:
The voltage is applied so that the first voltage and the second voltage are alternately arranged.

【0012】[0012]

【作用】請求項1記載の液晶駆動基板の検査方法によれ
ば、モジュレータの透明電極と液晶駆動基板の各画素電
極との間に所定のパターンの電圧を印加し、この時のモ
ジュレータの各部の光の反射状態を測定することによっ
て、各画素電極の位置が検出される。すなわち、モジュ
レータの各部の反射光に基づく電気的な処理によって各
画素電極の位置が検出されるので、液晶駆動基板の形状
加工精度等に依存してモジュレータと液晶駆動基板との
位置関係を高精度に抑えることなく、欠陥画素を検出す
ることができる。
According to the method of inspecting a liquid crystal drive substrate as set forth in claim 1, a voltage of a predetermined pattern is applied between the transparent electrode of the modulator and each pixel electrode of the liquid crystal drive substrate, and each part of the modulator at this time is applied. The position of each pixel electrode is detected by measuring the light reflection state. That is, since the position of each pixel electrode is detected by electrical processing based on the reflected light of each part of the modulator, the positional relationship between the modulator and the liquid crystal drive substrate is highly accurate depending on the shape processing accuracy of the liquid crystal drive substrate. Defective pixels can be detected without being suppressed.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明に
よる液晶駆動基板の検査方法の一実施例について説明す
る。なお、本実施例で用いる被検査用の液晶駆動基板に
ついて、既に示した図7と構成の同一部分には同一符号
を付してその説明を省略する。また、検査時におけるモ
ジュレータと液晶駆動基板との位置関係は、既に説明し
た図8と同様でありその説明を省略する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of a method for inspecting a liquid crystal drive substrate according to the present invention will be described below with reference to the drawings. Regarding the liquid crystal drive substrate to be inspected used in the present embodiment, the same parts as those shown in FIG. 7 already described are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted. Further, the positional relationship between the modulator and the liquid crystal drive substrate at the time of inspection is the same as that in FIG. 8 already described, and the description thereof will be omitted.

【0014】図2は、本実施例において用いる液晶駆動
基板A’を示す図である。図において、符号4a、4b
は列配線、6a、6bは行配線、5a、5b、7a、7
bはショーティングバーである。水平方向の左端から一
列おきの列に位置するTFT3の各々のソース端子は、
各々列配線4を介してショーティングバー5aに接続さ
れ、他の列に位置するTFT3の各々のソース端子は、
列配線4bを介してショーティングバー5bに接続され
ている。また、垂直方向の上端から一行おきの行に位置
するTFT3の各々のゲート端子は、行配線6aを介し
てショーティングバー7aに接続され、他の行に位置す
るTFT3の各々のゲート端子は、行配線6bを介して
ショーティングバー7bに接続されている。
FIG. 2 is a diagram showing a liquid crystal drive substrate A'used in this embodiment. In the figure, reference numerals 4a and 4b
Is column wiring, 6a and 6b are row wiring, 5a, 5b, 7a and 7
b is a shorting bar. The source terminals of the TFTs 3 located in every other row from the left end in the horizontal direction are
The source terminals of the TFTs 3 connected to the shorting bar 5a via the column wirings 4 and located in the other columns are
It is connected to the shorting bar 5b through the column wiring 4b. Further, each gate terminal of the TFTs 3 located in every other row from the upper end in the vertical direction is connected to the shorting bar 7a via the row wiring 6a, and each gate terminal of the TFTs 3 located in the other row is It is connected to the shorting bar 7b via the row wiring 6b.

【0015】このように構成された被検査用の液晶駆動
基板A’について、本実施例の検査方法を示すフローチ
ャートを図1に示す。以下、このフローチャートに沿っ
て具体的な検査方法を詳しく説明する。 〔ステップS1〕液晶駆動基板の搭載 液晶駆動基板A’は、装着手段(図示略)によってモジ
ュレータBに対して10μm〜20μmの微小距離を隔
てて対面配置させる。そして、ハロゲンランプDによっ
て、均一な強度の光をモジュレータBの表面全体に照射
する。CCDカメラEは、モジュレータBの表面を所定
の位置から順次走査する。そして、各部から得られる反
射光をその強度に対応した電圧に変換することによっ
て、モジュレータBの表面の各部の輝度を表す画像デー
タを形成し、画像処理装置Fに出力する。
FIG. 1 is a flow chart showing an inspection method of the present embodiment for the liquid crystal drive substrate A'to be inspected constructed as described above. Hereinafter, a specific inspection method will be described in detail with reference to this flowchart. [Step S1] Mounting of Liquid Crystal Driving Substrate The liquid crystal driving substrate A ′ is placed face-to-face with the modulator B with a minute distance of 10 μm to 20 μm by mounting means (not shown). Then, the halogen lamp D irradiates the entire surface of the modulator B with light of uniform intensity. The CCD camera E sequentially scans the surface of the modulator B from a predetermined position. Then, the reflected light obtained from each part is converted into a voltage corresponding to the intensity thereof to form image data representing the brightness of each part on the surface of the modulator B, and output to the image processing device F.

【0016】〔ステップS2〕画素マップの生成 このスッテプS2では、画像処理装置Fがモジュレータ
Bの表面上の位置とそれに対向する画素電極2の位置
(アドレス)とを正確に対応付けるために、以下に説明
する処理を行う。
[Step S2] Generation of Pixel Map In this step S2, in order for the image processing apparatus F to accurately associate the position on the surface of the modulator B with the position (address) of the pixel electrode 2 facing it, Perform the described process.

【0017】電圧印加装置Cは、モジュレータBの薄膜
透明電極11に後述するバイアス電圧を印加する。そし
て、ショーティングバー5aには電圧E2を印加し、シ
ョーティングバー5bには電圧E1を印加し、また、シ
ョーティングバー7a、7bに正の電圧を印加する。こ
の状態において、各TFT3は「ON」して、、ショー
ティングバー5aに接続された列の画素電極2には電圧
E2が印加され、ショーティングバー5bに接続された
列の画素電極2には電圧E1が印加される。すなわち、
垂直方向の各列の画素電極2には、一列おきに交互に電
圧E2と電圧E1が印加される。
The voltage applying device C applies a bias voltage, which will be described later, to the thin film transparent electrode 11 of the modulator B. A voltage E2 is applied to the shorting bar 5a, a voltage E1 is applied to the shorting bar 5b, and a positive voltage is applied to the shorting bars 7a and 7b. In this state, each TFT 3 is turned “ON”, the voltage E2 is applied to the pixel electrode 2 of the column connected to the shorting bar 5a, and the pixel electrode 2 of the column connected to the shorting bar 5b is applied. The voltage E1 is applied. That is,
The voltage E2 and the voltage E1 are alternately applied to the pixel electrodes 2 in each column in the vertical direction every other column.

【0018】次に、電圧印加装置Cは、ショーティング
バー7a、7bに負の電圧を印加し、全てのTFT3は
「OFF」状態とされる。この状態において、各画素電
極2とモジュレータBの薄膜透明電極11とは、モジュ
レータBを構成する液晶シート10と半導体反射膜12
および空気を挟んでコンデンサを構成することになる。
したがって、各々の画素電極2に印加された電圧E2、
E1は、このようにTFT3を「OFF」させた状態に
おいて保持される。
Next, the voltage application device C applies a negative voltage to the shorting bars 7a and 7b, and all the TFTs 3 are turned off. In this state, each pixel electrode 2 and the thin film transparent electrode 11 of the modulator B are connected to the liquid crystal sheet 10 and the semiconductor reflection film 12 which constitute the modulator B.
And the air will be sandwiched to form a capacitor.
Therefore, the voltage E2 applied to each pixel electrode 2,
E1 is held in the state where the TFT 3 is "OFF" in this way.

【0019】次に、電圧印加装置Cは、先程とは逆に、
ショーティングバー5aに電圧E1を印加し、ショーテ
ィングバー5bに電圧E2を印加する。ここで、電圧印
加装置Cは、ショーティングバー7bに印加する電圧を
負電圧から正電圧に切り換える。これにより、ゲート端
子がショーティングバー7bに接続された水平方向の各
行のTFT3は、再び「ON」となり、画素電極2に
は、先程とは逆の電圧E1あるいは電圧E2が印加され
る。これによって、例えば図3に示すように、水平方向
及び垂直方向に互いに隣合う画素電極2に印加される電
圧は、電圧E2と電圧E1がチェッカーフラッグ状に交互
に並ぶような電圧印加パターンとなる。
Next, the voltage applying device C, contrary to the above,
The voltage E1 is applied to the shorting bar 5a, and the voltage E2 is applied to the shorting bar 5b. Here, the voltage application device C switches the voltage applied to the shorting bar 7b from a negative voltage to a positive voltage. As a result, the TFTs 3 in each row in the horizontal direction whose gate terminals are connected to the shorting bar 7b are turned "on" again, and the voltage E1 or voltage E2 opposite to the above is applied to the pixel electrode 2. Accordingly, for example, as shown in FIG. 3, the voltage applied to the pixel electrodes 2 adjacent to each other in the horizontal direction and the vertical direction has a voltage application pattern in which the voltage E2 and the voltage E1 are alternately arranged in a checkered flag shape. .

【0020】次に、このような電圧印加パターンにおい
て、CCDカメラEは、モジュレータBの表面の各部を
順次走査することによって反射光の強度を検出する。こ
の場合、CCDカメラEのCCD撮像素子の分解能は被
検査基板である液晶駆動基板A’上の画素電極2のピッ
チよりも高解像度に設定されており、CCDカメラE
は、各画素電極2毎にこの反射光の強度を検出し、この
反射光の強度に応じた検出電圧を出力する。この検出電
圧は、画像処理装置Fに入力されて内部のメモリに記憶
されるが、その際に、画像処理装置Fは、反射光を検出
しようとする各々の画素電極2について、その画素電極
2を中心として水平3画素×垂直3画素のフィルタサイ
ズによって空間平滑化処理を施して得られる検出電圧を
記憶する。
Next, in such a voltage application pattern, the CCD camera E detects the intensity of the reflected light by sequentially scanning each part of the surface of the modulator B. In this case, the resolution of the CCD image pickup device of the CCD camera E is set to a higher resolution than the pitch of the pixel electrodes 2 on the liquid crystal drive substrate A ′ which is the substrate to be inspected.
Detects the intensity of the reflected light for each pixel electrode 2 and outputs a detection voltage according to the intensity of the reflected light. This detection voltage is input to the image processing device F and stored in the internal memory. At that time, the image processing device F is concerned with each pixel electrode 2 for which the reflected light is to be detected. The detected voltage obtained by performing the spatial smoothing process with the filter size of horizontal 3 pixels × vertical 3 pixels centering on is stored.

【0021】例えば、画像処理装置Fは、図3に示す画
素H24の反射光の強度を検出する場合、画素H24を中心
とする合計9(3×3)つの画素(画素H13、H14、H
15、H23、H24、H25、H33、H34、H35)によって畳
み込み演算を行い、その結果空間平滑化処理された検出
電圧を記憶する。この畳み込み演算を各画素について例
えば3回行うことによって、各画素の反射光に含まれる
ノイズが除去され、安定した電圧値として記憶される。
For example, when the image processing device F detects the intensity of the reflected light of the pixel H24 shown in FIG. 3, a total of 9 (3 × 3) pixels (pixels H13, H14, H) centered on the pixel H24 are shown.
15, H23, H24, H25, H33, H34, H35) is used to perform the convolution operation, and as a result, the spatially smoothed detected voltage is stored. By performing this convolution operation for each pixel three times, for example, the noise included in the reflected light of each pixel is removed and the voltage value is stored as a stable voltage value.

【0022】次に、図4(a)は、画像処理装置Fが記
憶した検出電圧を画素H11〜H16について示した図であ
る。この図において、電圧E3よりも高い電圧として示
されている部分は、電圧E2が印加された画素(H11、
H13、H15)の反射光の強度を検出して得られた電圧を
示しており、また、電圧E3よりも低い電圧として示さ
れている部分は、電圧E1が印加された画素(H12、H1
4、H16)の反射光の強度を検出して得られた電圧を示
している。ここで、電圧E3は、モジュレータBの薄膜
透明電極11に印加されたバイアス電圧に対応する電圧
である。このように、CCDカメラEが出力する検出電
圧は、電圧E3を中心に各画素に印加された電圧E1、E
2を反映した繰り返し波形となる。各画素について検出
された検出電圧は、画像処理装置Fによって以下に説明
する画像処理が施され、最終的に各画祖の位置を示す画
素マップデータが算出される。
Next, FIG. 4A is a diagram showing the detection voltage stored in the image processing apparatus F for the pixels H11 to H16. In this figure, the portion shown as a voltage higher than the voltage E3 is the pixel (H11, H11,
H13, H15) shows the voltage obtained by detecting the intensity of the reflected light, and the portion shown as a voltage lower than the voltage E3 is the pixel (H12, H1) to which the voltage E1 is applied.
4, H16) shows the voltage obtained by detecting the intensity of the reflected light. Here, the voltage E3 is a voltage corresponding to the bias voltage applied to the thin film transparent electrode 11 of the modulator B. As described above, the detection voltage output from the CCD camera E is the voltages E1 and E applied to each pixel centering on the voltage E3.
The repetitive waveform reflects 2. The detection voltage detected for each pixel is subjected to the image processing described below by the image processing device F, and finally the pixel map data indicating the position of each imager is calculated.

【0023】この検出電圧は、電圧値E3を基準に絶対
値化され、図4(b)に示すような絶対値データX1と
される。そして、この絶対値データX1に水平3画素×
垂直3画素のフィルタサイズの畳み込み演算が3回施さ
れ、図4(c)に示す平滑化データX2が算出される。
そして、この平滑化データX2は、絶対値データX1から
減算され、所定のしきい値と比較することによって2値
化される。この結果、図5(a)に示すような各画素の
位置を範囲を持って示すデータX3が算出される。さら
に、この各データX3は、中心を求める処理が施され、
その結果、図5(b)に示すような各画素の中心位置を
概略示すデータX4が算出される。
This detected voltage is made into an absolute value with reference to the voltage value E3, and is made into absolute value data X1 as shown in FIG. 4 (b). Then, this absolute value data X1 has 3 horizontal pixels x
The convolution operation of the filter size of three vertical pixels is performed three times, and the smoothed data X2 shown in FIG. 4C is calculated.
Then, the smoothed data X2 is binarized by subtracting it from the absolute value data X1 and comparing it with a predetermined threshold value. As a result, data X3 showing the position of each pixel with a range as shown in FIG. 5A is calculated. Further, each data X3 is subjected to the processing for obtaining the center,
As a result, data X4 that roughly indicates the center position of each pixel as shown in FIG. 5B is calculated.

【0024】次に、このデータX4を基に、最小2乗法
等の手法を用いて水平方向のラインLが算出される。そ
して、このラインLと上記検出電圧との各交点a0、a
1、‥が算出され、隣合う交点の中心点b0、b1、‥が
各画素の中心座標をして算出される。上述した一連の処
理を各画素H11、H12、‥について求めた検出電圧に施
すことにより、全ての画素H11、H12、‥の中心座標が
算出される。この中心座標を示すデータは、画素マップ
・データRとして画像処理装置Fの内部メモリに記憶さ
れる。
Next, based on this data X4, a horizontal line L is calculated using a method such as the least square method. Then, the intersections a0, a of the line L and the detection voltage
, Are calculated, and the center points b0, b1, ... Of the adjacent intersections are calculated as the center coordinates of each pixel. The center coordinates of all the pixels H11, H12, ... Are calculated by applying the series of processes described above to the detection voltages obtained for the pixels H11, H12 ,. The data indicating the center coordinates are stored in the internal memory of the image processing apparatus F as the pixel map data R.

【0025】〔ステップS3〕E/Oゲインキャリブレ
ーション このステップS3において、画像処理装置Fは、モジュ
レータBの電気光学利得(E/Oゲイン)を各画素電極
2について算出する。図6は、モジュレータBの電気光
学特性を示す図である。この図において、モジュレータ
Bの薄膜透明電極11に印加する電圧Eを増大させた場
合、CCDカメラEが検出するモジュレータBの反射光
量Oは、曲線Pに沿って変化する。例えば、電圧Eを電
圧値E0をバイアス電圧とし、電圧E1から電圧E2まで
変化させたとき、CCDカメラEが検出する反射光量O
は、略直線的に反射光量O1から反射光量O2まで変化す
る。この薄膜透明電極11に印加する電圧Eの変化量|
E2−E1|に対する反射光量Oの変化量|O2−O1|の
比|E2−E1|/|O2−O1|がE/Oゲインである。
このE/Oゲインは、先に説明したモジュレータ欠陥部
と正常部とで異なった値となる。
[Step S3] E / O Gain Calibration In this step S3, the image processing apparatus F calculates the electro-optical gain (E / O gain) of the modulator B for each pixel electrode 2. FIG. 6 is a diagram showing electro-optical characteristics of the modulator B. In this figure, when the voltage E applied to the thin film transparent electrode 11 of the modulator B is increased, the reflected light amount O of the modulator B detected by the CCD camera E changes along the curve P. For example, when the voltage E is used as the bias voltage and the voltage E1 is changed from the voltage E1 to the voltage E2, the reflected light amount O detected by the CCD camera E is detected.
Changes almost linearly from the reflected light amount O1 to the reflected light amount O2. Amount of change in voltage E applied to the thin film transparent electrode 11 |
The ratio | E2-E1 | / | O2-O1 | of the change amount | O2-O1 | of the reflected light amount O with respect to E2-E1 | is the E / O gain.
This E / O gain has different values in the modulator defective portion and the normal portion described above.

【0026】実際にE/Oゲインを求める場合、電圧印
加装置Cは、液晶駆動基板A’の各画素電極2を接地状
態とし、モジュレータBの薄膜透明電極11に電圧E1
を印加する。同時に、この電圧E1は、画像処理装置F
の内部メモリに記憶される。そして、画像処理装置F
は、CCDカメラEが出力する反射光量O1を対応した
電圧EO1を各画素電極2毎に内部のメモリに記憶する。
ここで、画像処理装置Fは、画素マップ・データRが示
す各画素電極2のアドレスに対応させて電圧EO1を内部
メモリに記憶する。
When actually obtaining the E / O gain, the voltage applying device C sets each pixel electrode 2 of the liquid crystal drive substrate A ′ to the grounded state, and applies the voltage E1 to the thin film transparent electrode 11 of the modulator B.
Is applied. At the same time, this voltage E1 is applied to the image processing device F.
Stored in the internal memory of the. Then, the image processing device F
Stores the voltage EO1 corresponding to the reflected light amount O1 output from the CCD camera E in the internal memory for each pixel electrode 2.
Here, the image processing device F stores the voltage EO1 in the internal memory in association with the address of each pixel electrode 2 indicated by the pixel map data R.

【0027】次に、電圧印加装置Cは、薄膜透明電極1
1に電圧E2を印加し、画像処理装置Fは、このときの
反射光量O2に対応する電圧EO2、および電圧E2を内部
メモリに記憶する。画像処理装置Fは、このようにして
記憶した電圧E1、E2および反射光量O1、O2にそれぞ
れ対応した電圧EO1、EO2に基づいてE/Oゲインを求
め、これをE/Oゲイン・データXとして内部メモリに
記憶する。このE/Oゲイン・データXは、以下に説明
するステップS4のイメージ電圧の取得において、各画
素電極2毎に求められた反射光量からイメージ電圧を算
出するときに使われる。
Next, the voltage applying device C includes the thin film transparent electrode 1
The voltage E2 is applied to 1, and the image processing apparatus F stores the voltage E2 corresponding to the reflected light amount O2 at this time and the voltage E2 in the internal memory. The image processing device F obtains the E / O gain based on the voltages E1 and E2 and the voltages EO1 and EO2 corresponding to the reflected light amounts O1 and O2 stored in this way, respectively, and sets this as the E / O gain data X. Store in internal memory. This E / O gain data X is used when the image voltage is calculated from the reflected light amount obtained for each pixel electrode 2 in the acquisition of the image voltage in step S4 described below.

【0028】〔ステップS4〕基板電圧印加 次に、電圧印加装置Cは、モジュレータBの薄膜透明電
極11にバイアス電圧E0を印加し、ショーティングバ
ー5a、5b、7a、7bには、以下に示すようなパタ
ーンの電圧を順次印加する。 (a)ショーティングバー7a、7bに正電圧(各TF
T3のゲート端子電圧)を印加し、ショーティングバー
5a、5bに電圧Ex(各TFT3のソース端子電圧)
を印加する。 (b)ショーティングバー7a、7bを接地し、ショー
ティングバー5a、5bに電圧Exを印加する。 (c)ショーティングバー7a、7bに正電圧を印加
し、ショーティングバー5a、5bを接地する。
[Step S4] Substrate Voltage Application Next, the voltage application device C applies a bias voltage E0 to the thin film transparent electrode 11 of the modulator B, and the shorting bars 5a, 5b, 7a and 7b are shown below. The voltages having such patterns are sequentially applied. (A) Positive voltage (each TF) is applied to the shorting bars 7a and 7b.
(Gate terminal voltage of T3) is applied, and voltage Ex (source terminal voltage of each TFT3) is applied to the shorting bars 5a and 5b.
Is applied. (B) The shorting bars 7a and 7b are grounded, and the voltage Ex is applied to the shorting bars 5a and 5b. (C) A positive voltage is applied to the shorting bars 7a and 7b, and the shorting bars 5a and 5b are grounded.

【0029】〔ステップS5〕イメージ電圧の取得 上記電圧印加パターン毎に、モジュレータBの反射光量
に対応したCCDカメラEの出力電圧が画像処理回路F
に取り込まれる。例えば、上記(a)の電圧印加パター
ンにおいて、画素電極2に電圧Exが印加されたとき、
この画素電極2に対向するモジュレータBの反射光量
は、反射光量Oxとなる。しかし、列配線4aが点xに
おいて断線している画素電極2においては、左側の一列
の画素電極2には電圧得Exが印加されないため、この
部分に対向するモジュレータBの反射光量は、反射光量
Oxになり得ず、他の部分に比較して低い反射光量とな
る。
[Step S5] Acquisition of Image Voltage For each of the voltage application patterns, the output voltage of the CCD camera E corresponding to the reflected light amount of the modulator B is the image processing circuit F.
Is taken into. For example, in the voltage application pattern of (a) above, when the voltage Ex is applied to the pixel electrode 2,
The reflected light amount of the modulator B facing the pixel electrode 2 is the reflected light amount Ox. However, in the pixel electrode 2 in which the column wiring 4a is broken at the point x, the voltage gain Ex is not applied to the pixel electrode 2 in the left one column, so that the reflected light amount of the modulator B facing this portion is the reflected light amount. Ox cannot be generated, and the amount of reflected light is low compared to other portions.

【0030】また、上記(b)の電圧印加パターンにお
いて、列配線4aの点xと点yとが短絡している場合、
左上端の画素電極2のみに電圧Exが印加され、この部
分のモジュレータBの反射光量は、反射光量Oxとな
る。この場合、他の画素電極2は、反射光量Oxになり
得ず、低い反射光量となる。さらに、上記(c)の電圧
印加パターンにおいて、点yと点zとが短絡している場
合、上記と同様に左上端の画素電極2のみに電圧Exが
印加され、この部分のモジュレータBの反射光量は、反
射光量Oxとなる。
In the voltage application pattern (b) above, when the point x and the point y of the column wiring 4a are short-circuited,
The voltage Ex is applied only to the pixel electrode 2 at the upper left corner, and the reflected light amount of the modulator B in this portion becomes the reflected light amount Ox. In this case, the other pixel electrodes 2 cannot have the reflected light amount Ox, and have a low reflected light amount. Further, in the voltage application pattern of the above (c), when the point y and the point z are short-circuited, the voltage Ex is applied only to the pixel electrode 2 at the upper left end similarly to the above, and the reflection of the modulator B at this portion is reflected. The amount of light is the amount of reflected light Ox.

【0031】このように、モジュレータBの反射光量
は、画素電極2への電圧の印加状態を反映した反射光量
となる。画像処理装置Fは、この反射光量に応じて変化
するCCDカメラEの出力電圧を、先に記憶されたE/
Oゲイン・データXを用いてイメージ電圧Eyに変換
し、これを内部メモリに記憶する。
As described above, the amount of reflected light of the modulator B becomes the amount of reflected light that reflects the state of application of the voltage to the pixel electrode 2. The image processing device F changes the output voltage of the CCD camera E, which changes according to the amount of reflected light, to the previously stored E /
It is converted into an image voltage Ey by using the O gain data X and stored in the internal memory.

【0032】ここで、各画素電極2について3ポイント
のイメージ電圧Eyが算出され、それらは所定の重み係
数によって加重平均され、その結果が該当する画素電極
2のイメージ電圧Eyとして記憶される。図7は、1つ
の画素電極2を拡大して示した図である。この図におい
て、画素マップ・データRによって示される画素の中心
座標のイメージ電圧Ey0と、垂直方向にそれぞれ上下に
距離rだけ離れた座標のイメージ電圧Ey1,Ey2が求め
られ、以下に示す計算式によってこの画素のイメージ電
圧Eyが算出される。 Ey=(K1・Ey1+K2・Ey2+K3・Ey0)/(K1+K2+K3) ‥‥(1) ただし、K1、K2、K3は重み係数である。また、液晶
駆動基板A’の端に位置する画素のイメージ電圧Ey
は、他の画素のイメージ電圧Eyに対して低く検出され
る傾向がある。このことを考慮して、一番端に位置する
画素において、距離rは、他の画素の場合に対して多少
の補正が加えられる。
Here, the image voltage Ey at three points is calculated for each pixel electrode 2, they are weighted and averaged by a predetermined weighting factor, and the result is stored as the image voltage Ey of the corresponding pixel electrode 2. FIG. 7 is an enlarged view of one pixel electrode 2. In this figure, the image voltage Ey0 at the center coordinates of the pixel indicated by the pixel map data R and the image voltages Ey1 and Ey2 at the coordinates vertically separated by a distance r are obtained, and the following formula is used. The image voltage Ey of this pixel is calculated. Ey = (K1 * Ey1 + K2 * Ey2 + K3 * Ey0) / (K1 + K2 + K3) (1) However, K1, K2, and K3 are weighting factors. In addition, the image voltage Ey of the pixel located at the edge of the liquid crystal drive substrate A ′ is
Is likely to be detected low with respect to the image voltage Ey of other pixels. In consideration of this, in the pixel located at the end, the distance r is slightly corrected as compared with the case of other pixels.

【0033】〔ステップS6〕2値化 各々の画素電極2について算出されたイメージ電圧Ey
は、ステップS4において各々の画素電極2に印加され
た電圧と比較され、その差が所定のしきい値Sに対して
大きいか否かによって2値化される。例えば、|Ex−
Ey|<Sである場合、その画素電極2は、正常画素で
あるとして”0”に対応させ、|Ex−Ey|≧Sである
場合、欠陥画素であるととして”1”に対応させる。こ
のようにして、画像処理装置Fは、画素電極2毎に欠陥
画素と正常画素とを対応させた欠陥画素データTを作成
する。
[Step S6] Binarization Image voltage Ey calculated for each pixel electrode 2
Is compared with the voltage applied to each pixel electrode 2 in step S4 and binarized depending on whether the difference is larger than a predetermined threshold value S or not. For example, | Ex−
When Ey | <S, the pixel electrode 2 corresponds to "0" as a normal pixel, and when | Ex-Ey | ≥S, it corresponds to "1" as a defective pixel. In this way, the image processing device F creates defective pixel data T in which defective pixels and normal pixels are associated with each other for each pixel electrode 2.

【0034】〔ステップS7〕欠陥判定 ここでは、液晶駆動基板A’の良否を判定し、その結果
をモニタGに表示して検査を終了する。または、欠陥画
素数と同時に液晶駆動基板A’の欠陥画素の分布を画像
としてモニタGに表示し、操作員が欠陥画素数とその分
布状態から液晶駆動基板A’の良否を判定することも可
能である。
[Step S7] Defect Judgment Here, the quality of the liquid crystal drive substrate A ′ is judged, the result is displayed on the monitor G, and the inspection is ended. Alternatively, at the same time as the number of defective pixels, the distribution of defective pixels of the liquid crystal drive substrate A ′ is displayed on the monitor G as an image, and the operator can judge the quality of the liquid crystal drive substrate A ′ from the number of defective pixels and the distribution state thereof. Is.

【0035】なお、本発明による液晶駆動基板の検査方
法は、上記実施例に限定されるものではなく、以下のよ
うな検査方法も本発明の範囲に属する。 (1)上記実施例では、水平方向の各列および垂直方向
の各行の画素電極の列配線及び行配線が、一列あるいは
一行おきに別系統のショーティングバーに接続された液
晶駆動基板の検査方法を説明した。しかし、ショーティ
ングバーと列配線及び行配線との接続関係は、上記実施
例に示すような構成のみではない。例えば、水平方向及
び垂直方向について各々2列おきに別系統のショーティ
ングバーに接続されているような液晶駆動基板の場合に
おいては、別の電圧印加パターンを用いることによっ
て、画素の中心座標を検出して液晶駆動基板に生じる欠
陥画素を判定することが可能である。
The method of inspecting the liquid crystal drive substrate according to the present invention is not limited to the above-mentioned embodiment, and the following inspection methods also belong to the scope of the present invention. (1) In the above-described embodiment, a method for inspecting a liquid crystal drive substrate in which the column wirings and row wirings of the pixel electrodes in each horizontal column and each vertical row are connected to a shorting bar of another system every other column or every other row. Explained. However, the connection relationship between the shorting bar and the column wirings and the row wirings is not limited to the configuration shown in the above embodiment. For example, in the case of a liquid crystal drive substrate in which every two columns in the horizontal direction and the vertical direction are connected to shorting bars of different systems, the center coordinates of the pixels are detected by using different voltage application patterns. Then, it is possible to determine the defective pixel generated in the liquid crystal drive substrate.

【0036】(2)上記実施例では、水平方向に行配線
が共通で、垂直方向に列配線が共通な液晶駆動基板の検
査方法について説明した。しかし、水平方向に列配線が
共通で、垂直方向に行配線が共通な液晶駆動基板の場合
においても、同様な方法で液晶駆動基板の検査を行うこ
とが可能である。
(2) In the above embodiment, the method of inspecting the liquid crystal driving substrate in which the row wiring is common in the horizontal direction and the column wiring is common in the vertical direction has been described. However, even in the case of a liquid crystal driving substrate in which the column wiring is common in the horizontal direction and the row wiring is common in the vertical direction, it is possible to inspect the liquid crystal driving substrate by a similar method.

【0037】(3)上記実施例では、1つの画素につい
て、垂直方向に3点をピックアップして当該画素のイメ
ージ電圧を取得した。しかし、画素の形状に応じて水平
方向に3点をピックアップして当該画素のイメージ電圧
を取得することによって、上記検査を行うことが可能で
ある。
(3) In the above embodiment, the image voltage of one pixel was obtained by picking up three points in the vertical direction. However, the inspection can be performed by picking up three points in the horizontal direction according to the shape of the pixel and acquiring the image voltage of the pixel.

【0038】[0038]

【発明の効果】本発明による液晶駆動基板の検査方法
は、以下のような効果を奏する。 (1)モジュレータの透明電極と液晶駆動基板の各画素
電極との間に所定のパターンの電圧を印加し、この電圧
印加時における前記モジュレータの各部の光の反射状態
を測定することによって各画素電極の位置を検出するの
で、正確に欠陥画素の位置を検出することが可能であ
る。また、これにより、信頼性の高い検査が実現される
ため、生産される液晶駆動基板の信頼性が向上する。 (2)また、これによって、液晶検査装置に被検査物で
ある液晶駆動基板を装着する場合、液晶駆動基板を高精
度に位置決めをする必要がなくなる。これにより、検査
装置における液晶駆動基板の装着機構の機械精度をある
程度緩めることが可能である。
The method for inspecting a liquid crystal drive substrate according to the present invention has the following effects. (1) Each pixel electrode is applied by applying a voltage having a predetermined pattern between the transparent electrode of the modulator and each pixel electrode of the liquid crystal drive substrate, and measuring the light reflection state of each part of the modulator when the voltage is applied. Since the position of the defective pixel is detected, it is possible to accurately detect the position of the defective pixel. Moreover, since a highly reliable inspection is realized by this, the reliability of the produced liquid crystal drive substrate is improved. (2) As a result, when the liquid crystal drive substrate, which is the object to be inspected, is mounted on the liquid crystal inspection device, it is not necessary to position the liquid crystal drive substrate with high accuracy. As a result, the mechanical accuracy of the mounting mechanism of the liquid crystal drive substrate in the inspection device can be relaxed to some extent.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明による液晶駆動基板の検査方法の一例を
示すフローチャートである。
FIG. 1 is a flowchart showing an example of a method for inspecting a liquid crystal drive substrate according to the present invention.

【図2】本発明の液晶駆動基板の検査方法において用い
る液晶駆動基板の一例を示す正面図である。
FIG. 2 is a front view showing an example of a liquid crystal drive substrate used in the liquid crystal drive substrate inspection method of the present invention.

【図3】本発明の液晶駆動基板の検査方法において、液
晶駆動基板への電圧印加パターンの一例を示す図であ
る。
FIG. 3 is a diagram showing an example of a voltage application pattern to the liquid crystal drive substrate in the liquid crystal drive substrate inspection method of the present invention.

【図4】本発明の液晶駆動基板の検査方法における画素
マップの生成方法を説明する第1の図である。
FIG. 4 is a first diagram illustrating a method for generating a pixel map in the method for inspecting a liquid crystal drive substrate according to the present invention.

【図5】本発明の液晶駆動基板の検査方法における画素
マップの生成方法を説明する第2の図である。
FIG. 5 is a second diagram illustrating a method of generating a pixel map in the liquid crystal drive substrate inspection method of the present invention.

【図6】本発明および従来のモジュレータの電気光学特
性の一例を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing an example of electro-optical characteristics of the present invention and a conventional modulator.

【図7】本発明の液晶駆動基板の検査方法におけるイメ
ージ電圧の取得方法を説明する図である。
FIG. 7 is a diagram illustrating a method of acquiring an image voltage in the liquid crystal drive substrate inspection method of the present invention.

【図8】TFTタイプのアクティブマトリックス方式の
液晶駆動基板の一構成例を示す正面図である。
FIG. 8 is a front view showing a configuration example of a liquid crystal drive substrate of a TFT type active matrix system.

【図9】本発明および従来の液晶駆動基板の検査装置の
主要部の一構成例を示すものである。
FIG. 9 shows an exemplary configuration of a main part of a liquid crystal drive substrate inspection apparatus according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

A’ 液晶駆動基板 1 ガラス基板 2 画素電極 3 TFT 4a、4b 列配線 5a、5b、7a、7b ショーティングバー 6a、6b 行配線 B モジュレータ 10 液晶シート 11 薄膜透明電極 12 半導体反射膜 C 電圧印加装置 D ハロゲンランプ E CCDカメラ F 画像処理装置 G モニタ A'Liquid crystal drive substrate 1 Glass substrate 2 Pixel electrode 3 TFT 4a, 4b Column wiring 5a, 5b, 7a, 7b Shorting bar 6a, 6b Row wiring B modulator 10 Liquid crystal sheet 11 Thin film transparent electrode 12 Semiconductor reflection film C Voltage application device D Halogen lamp E CCD camera F Image processor G Monitor

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹内 睦 茨城県新治郡出島村大字加茂5236番地 石 川島播磨重工業株式会社土浦事業所内 (72)発明者 坂本 勧 茨城県新治郡出島村大字加茂5236番地 石 川島播磨重工業株式会社土浦事業所内 (72)発明者 梶 克広 茨城県新治郡出島村大字加茂5236番地 石 川島播磨重工業株式会社土浦事業所内 (72)発明者 ロン チュー 東京都港区浜松町2−1−16 SVAX浜 松町第2ビル 株式会社フォトンダイナミ ックス内 (72)発明者 マイク ミラー 東京都港区浜松町2−1−16 SVAX浜 松町第2ビル 株式会社フォトンダイナミ ックス内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Mutsutake Takeuchi, 5236 Kamo, Dejima-mura, Shinji-gun, Ibaraki Pref., Ishikawa Kawashima-Harima Heavy Industries Co., Ltd. Tsuchiura Works (72) Inventor, Kan Sakamoto, 5236, Kamo, Dejima-mura, Ibaraki-ken Ishikawajima Harima Heavy Industries Co., Ltd., Tsuchiura Works (72) Inventor Katsuhiro Kaji 5236 Kamo, Deshima Village, Shinji-gun, Ibaraki Prefecture Ishikawajima Harima Heavy Industries Co., Ltd., Tsuchiura Works (72) Inventor, Long Chu 2-Hamamatsucho, Minato-ku, Tokyo 1-16 SVAX Hama Matsumachi 2nd Building Photon Dynamics Co., Ltd. (72) Inventor Mike Miller 2-1-16 Hamamatsucho, Minato-ku, Tokyo SVAX Hama Matsumachi 2nd Building Photon Dynamics Co., Ltd.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 液晶に電界を与えるための複数の画素電
極と、これらの各画素電極に駆動電圧を印加するための
回路とが形成されてなる液晶駆動基板を、表面に透明電
極が形成され、かつ、電界強度に依存して光の反射率が
変化する液晶シートを有するモジュレータを使用して検
査する液晶駆動基板の検査方法において、 a.前記透明電極と前記画素電極とによって前記液晶シ
ートが挟まれるように、前記モジュレータと、検査しよ
うとする前記液晶駆動基板とを対面配置し、 b.前記モジュレータの透明電極と前記液晶駆動基板の
各画素電極との間に所定のパターンの電圧を印加すると
共に、この電圧印加時における前記モジュレータの各部
の光の反射状態を測定し、 c.前記各画素電極に印加される電圧のパターンと前記
モジュレータの各部の光の反射状態とに基づいて前記各
画素電極の位置を求め、 d.前記モジュレータの各部の光の反射状態と前記各画
素電極の位置とに基づいて、前記液晶駆動基板の欠陥箇
所を検出する、 ことを特徴とする液晶駆動基板の検査方法。
1. A liquid crystal drive substrate having a plurality of pixel electrodes for applying an electric field to liquid crystal and a circuit for applying a drive voltage to each of these pixel electrodes, and a transparent electrode formed on the surface thereof. And a method for inspecting a liquid crystal drive substrate, which inspects using a modulator having a liquid crystal sheet in which the light reflectance changes depending on the electric field strength, comprising: a. The modulator and the liquid crystal drive substrate to be inspected are arranged so as to face each other so that the liquid crystal sheet is sandwiched between the transparent electrode and the pixel electrode; b. A voltage of a predetermined pattern is applied between the transparent electrode of the modulator and each pixel electrode of the liquid crystal drive substrate, and the light reflection state of each part of the modulator when the voltage is applied is measured, and c. Determining the position of each pixel electrode based on the pattern of the voltage applied to each pixel electrode and the light reflection state of each part of the modulator; d. A method for inspecting a liquid crystal drive substrate, comprising: detecting a defective portion of the liquid crystal drive substrate based on a light reflection state of each part of the modulator and a position of each pixel electrode.
【請求項2】 上記bの電圧印加において、各々の画素
電極に印加される所定の電圧が、第1の電圧と第2の電
圧とが交互に並ぶように電圧を印加する、 ことを特徴とする請求項1記載の液晶駆動基板の検査方
法。
2. In the voltage application of the above item b, a predetermined voltage applied to each pixel electrode is applied so that the first voltage and the second voltage are alternately arranged. The method for inspecting a liquid crystal drive substrate according to claim 1.
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