JPH0949775A - マイクロメカニカルデバイス - Google Patents

マイクロメカニカルデバイス

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JPH0949775A
JPH0949775A JP8220394A JP22039496A JPH0949775A JP H0949775 A JPH0949775 A JP H0949775A JP 8220394 A JP8220394 A JP 8220394A JP 22039496 A JP22039496 A JP 22039496A JP H0949775 A JPH0949775 A JP H0949775A
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JP
Japan
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diaphragm
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along
line
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JP8220394A
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English (en)
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Ralf Catanescu
カタネスク ラルフ
Ulrich Dr Naeher
ネーエル ウルリツヒ
Thomas Scheiter
シヤイター トーマス
Christofer Dr Hierold
ヒエロルト クリストフアー
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Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0064Constitution or structural means for improving or controlling the physical properties of a device
    • B81B3/0067Mechanical properties
    • B81B3/0072For controlling internal stress or strain in moving or flexible elements, e.g. stress compensating layers
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0042Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00Electrostatic transducers
    • H04R19/005Electrostatic transducers using semiconductor materials
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00Electrostatic transducers
    • H04R19/04Microphones
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R7/00Diaphragms for electromechanical transducers; Cones
    • H04R7/16Mounting or tensioning of diaphragms or cones
    • H04R7/18Mounting or tensioning of diaphragms or cones at the periphery

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 付加的な製造ステップを必要とすることな
く、機能用に設けられたダイヤフラムが機械的応力を全
く又は殆ど有しないマイクロメカニカルデバイスを提供
する。 【解決手段】 互いに密接して隣接する長方形状の又は
細長い複数個の開口部が設けられこれらの開口部の長手
方向が縁部に対して一定の距離を持ってこの縁部に沿っ
て走るライン又はダイヤフラムの内部に直線状に走るラ
インに沿って特に平行な2つの列に整列させられた応力
のないダイヤフラムを備える。開口部の配置は、ダイヤ
フラムがこれらのラインに沿ってこれらのラインに垂直
な方向に見て随所で中断されているように密接して選定
される。圧力センサの場合これらの開口部は閉鎖膜によ
って外部に対して閉鎖される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば圧力測定用
の薄いダイヤフラムが設けられているセンサ又はアクチ
ェエータのようなマイクロメカニカルデバイスに関す
る。
【0002】
【従来の技術】圧力測定のために、表面マイクロメカニ
クス法で製造された圧力センサを使用することができ
る。このようなデバイスの原理構造は、基準圧を有しし
かも弾性ダイヤフラムによって外部に対して密閉された
閉鎖室から成る。外部から作用する圧力によって生ぜし
められるこのダイヤフラムの変形はこの圧力の大きさの
尺度として評価することができる。
【0003】例えばポリシリコンから成る薄膜によって
形成されるこの種のダイヤフラムは他のマイクロメカニ
カルセンサ、例えば加速度センサにおいても質量部とし
て使用されている。この種のダイヤフラムの製造上の重
要な問題はダイヤフラム用に設けられた膜に生ずる応力
(機械的応力)である。一般にデバイスの機能用に設け
られる膜の材料として、すなわち例えばダイヤフラムの
材料としてはポリシリコンから析出された膜が使用され
る。製造プロセスに応じて、これらの膜は引張応力又は
圧縮応力を有する。特に圧力センサの製造の場合、この
ような応力はデバイスの使用に際して難点を生ずる。こ
のような膜応力はダイヤフラムの剛性を変化させまたダ
イヤフラムを反らせ、それによってセンサの感度を変化
させる。圧縮応力はさらにヒステリシスを惹き起こす原
因になり得る。従って、機械的応力を有することなく又
は少なくとも充分に小さい機械的応力しか有しないよう
にダイヤフラムを製造することが必要である。
【0004】従来、膜応力を膜の設置後に実施されたプ
ロセスステップ(一般に温度)によって減少させること
が試みられていた。その場合必要な温度が場合によって
はデバイスの他の部分を傷付けたり又は阻害したりする
ことは問題である。電子回路のデバイスをモノリシック
に集積する際、温度のこのような非適合性のために重要
な問題と制限が生ずる。さらに従来の方法を用いた場
合、機械的応力の取除き度を事前に規定して調整するこ
とは不可能である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、付加
的な製造ステップを必要とすることなく、機能用に設け
られたダイヤフラムが機械的応力を全く又は殆ど有しな
いマイクロメカニカルデバイスを提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】この課題は本発明によれ
ば、センサ又はアクチュエータ用に設けられたダイヤフ
ラム膜を備え、このダイヤフラム膜に少なくとも1本の
閉じられた又は縁部から縁部へ走るラインに沿って複数
個の開口部を設け、これらの開口部は長方形状に又は細
長く形成され、これらの開口部の長さはその幅より少な
くとも2倍大きく、これらの開口部はその長手方向がこ
れらのラインのそれぞれ1つに沿って整列させられるこ
とによって解決される。
【0007】本発明の実施態様は請求項2以降に記載さ
れている。
【0008】本発明によれば、デバイスは長手方向が直
線状ライン又は湾曲状ラインに沿って配置された長方形
状の又は細長い複数個の開口部が設けられているダイヤ
フラムを備えている。特にこれらの開口部は長く延びて
おり、その場合長さは開口部の幅の少なくとも2倍にさ
れる。応力を減少させるためにはこの種の開口部をダイ
ヤフラムの縁部に環状に設ければ充分である。膜が縁部
のどの位置においてもダイヤフラム内側部分とダイヤフ
ラム固定部との間で1つの開口部によって中断されるよ
うにするために、ダイヤフラムに設けられた複数個の開
口部は例えば2本の互いに平行に走るラインに沿って配
置することができる。ダイヤフラムは特にダイヤフラム
膜の可動部分によって形成される。ダイヤフラム膜の外
側部分は基板又は半導体膜構造体上に取付けられる。ダ
イヤフラムはこのダイヤフラム膜の固定されていない内
側部分によって形成され、例えば圧力センサの場合膜面
に垂直に動くことができる。加速度センサの場合、慣性
力を決定するために設けられる質量部を形成するダイヤ
フラムは、例えば弾性支持部がダイヤフラム膜の外側部
分に結合され、それによりダイヤフラムは同様に膜面が
往復動することができる。応力の問題は特に環状に固定
されたダイヤフラムにおいて現れる。従って、ダイヤフ
ラム内の開口部は特にダイヤフラム膜のダイヤフラムと
して設けられた部分の縁部の近くに配置される。ダイヤ
フラムが非常に大きい場合には、他の開口部はダイヤフ
ラムの内部に例えばダイヤフラムの縁部から縁部へ直線
状に走るラインに沿って設けられると好適である。ダイ
ヤフラムが圧力センサ用として設けられ、それゆえダイ
ヤフラムによって画成された室が外部に対して気密に閉
鎖されなければならない場合には、開口部は例えばダイ
ヤフラム膜上に設けられた閉鎖膜によって閉鎖される。
この閉鎖膜を開口部の設けられている領域に設け、それ
により例えば内部のダイヤフラムの剛性が補助膜によっ
て所望の大きさ以上に高められることを回避し得るよう
にすれば充分である。
【0009】
【実施例】本発明によるデバイスの実施例を以下図1乃
至図4に基づいて詳細に説明する。
【0010】図1にはダイヤフラム膜1の一部分が平面
図で示されている。このダイヤフラム膜1のダイヤフラ
ム4用に設けられた部分の縁部3には複数個の開口部2
が設けられている。これらの開口部2はこの例では端部
が互いに直角に接続された複数個の長方形開口部によっ
てそれぞれ形成されている。開口部2は、縁部のどの位
置においても縁部に垂直な方向へダイヤフラム4の内部
に向かって見るとダイヤフラム膜1が少なくとも1つの
開口部によって中断されているように、その開口部の長
手方向が縁部3に沿って整列させられている。
【0011】図2には図1に対応する部分の他の実施例
が示されている。ダイヤフラム膜1にはダイヤフラム4
用に設けられた部分の縁部3に沿って複数個の開口部2
が設けられている。この実施例では大多数の開口部2は
長方形である。開口部は縁部に平行に走るラインに沿っ
て2列に平行に並んで整列させられている。ダイヤフラ
ム4内での機械的応力の減少はこの例では特に縁部3に
垂直な方向で行われる。それぞれ互いに隣接する2つの
開口部2の間隔はこの場合これらの開口部の一方の開口
部の長さより小さくなるように特に小さく選定されてい
る。ダイヤフラム4とダイヤフラム膜1の固定部分との
間の結合が非常に狭いにも拘わらず、多数の開口部2が
設けられている場合、従って多数の結合部が設けられて
いる場合、機械的応力を取除くと共に同様に充分な機械
的安定性も達成することができる。
【0012】便宜上、図1及び図2では開口部はダイヤ
フラム4の縁部3のところにしか示されていない。原理
的にはかかる開口部はダイヤフラム4の内部にも設ける
ことができる。特に大面積のダイヤフラムの場合、応力
を完全に取除くために、ダイヤフラムの内部にも開口部
を設けることが必要である。この図2においても同様に
長方形の又は細長い開口部はその長手方向がラインに沿
って整列させられている。これらのラインは閉じること
ができ、ダイヤフラム4の縁部3から一定の距離を持っ
て走っている。これらのラインはその代わりに縁部3の
一点から対向位置する一点へダイヤフラムの内部を通っ
て走ることもできる。これらのラインは特に直線であ
る。ダイヤフラムの内部に開口部を配置するこの他の実
施例の場合にも同様に、開口部は互いに平行な2列のラ
インに沿って並んで配置され、それによりダイヤフラム
は当該ラインに垂直に見たらどの位置においても少なく
とも1つの開口部によって中断されているようにされ
る。1本のラインに沿った開口部の配置はところどころ
を中断することができる。ダイヤフラム膜に閉鎖膜を設
置することは開口部の幅が充分に小さいので可能であ
る。
【0013】図3には、正方形又は長方形のダイヤフラ
ムにおいて特に本発明によって設けられる開口部が配置
されるラインが概略的に示されている。正方形ダイヤフ
ラムの場合、図1及び図2の実施例に応じて開口部が縁
部に沿ってのみ設けられれば充分である(図3の左上の
例を参照)。大形ダイヤフラムの場合、ダイヤフラムの
縁部に対して大きな一定の距離を持って走るラインに沿
って同様に開口部を設けると有利である。この実施例は
図3の第1行目に示されている。右側の例では、例えば
図1及び図2の例に応じて細長い又は長方形の開口部が
設けられる全体で3本の正方形ラインが設けられてい
る。図3の第2行目には、開口部をさらにダイヤフラム
の内部の直線状ラインに沿って設けることのできる例が
示されている。ダイヤフラムの大きさに応じて、ダイヤ
フラムが互いに垂直に走る2つの方向において本発明に
よる開口部の1つの列によってそれぞれ分割されれば充
分である(図3の第2行目の左側の例参照)。しかしな
がら、開口部は図3のこの第2行目の他の例のように互
いに平行な又は縁部に対して平行な複数本のラインに沿
って設けることもできる。図3に示された他の例は便宜
上幅よりそれぞれ2倍長く示された長方形ダイヤフラム
に関する。描かれたラインはこのダイヤフラムをそれぞ
れ複数の部分に分割するが、これらの部分はこれらの領
域には大きな膜応力が生じない程小さい。開口部はここ
でも同様に描かれたラインに沿って随所に設けられる。
しかしながら、開口部の列は同様にところどころで中断
することができる。図示された例は、ダイヤフラム内の
機械的応力が予定された大きさに減少するように、ダイ
ヤフラムの寸法に基づいて必要に応じて変更可能であ
る。
【0014】図4は円形ダイヤフラム用の対応する例を
示す。左上の例では開口部はダイヤフラムの円形縁部に
沿って設けられる。開口部はここでも同様にダイヤフラ
ムの内部の同心円に沿って配置することもできる。開口
部の形状はその場合は特に湾曲させられ、当該ラインの
曲率半径を有する。図4の第2行目の例では直線状ライ
ンに沿って付加的な開口部が配置されている。直線状ラ
インに沿って配置された開口部列は右側の例では中心部
が中断されており、その中心部では開口部はダイヤフラ
ムの縁部に対して同心的に整列させられたダイヤフラム
内部の小円に沿って配置されている。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるデバイスのダイヤフラムの一実施
例を示す平面図である。
【図2】本発明によるデバイスのダイヤフラムの他の実
施例を示す平面図である。
【図3】ダイヤフラム開口部の配置及び整列の例を示す
概略図である。
【図4】ダイヤフラム開口部の配置及び整列の他の例を
示す概略図である。
【符号の説明】
1 ダイヤフラム膜 2 開口部 3 縁部 4 ダイヤフラム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 トーマス シヤイター ドイツ連邦共和国 80469 ミユンヘン エーレングートシユトラーセ 15 (72)発明者 クリストフアー ヒエロルト ドイツ連邦共和国 81739 ミユンヘン ドルンレツシエンシユトラーセ 48

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 センサ又はアクチュエータ用に設けられ
    たダイヤフラム膜を備え、このダイヤフラム膜に少なく
    とも1本の閉じられた又は縁部から縁部へ走るラインに
    沿って複数の開口部を設け、これらの開口部は長方形状
    に又は細長く形成され、これらの開口部の長さはその幅
    より少なくとも2倍大きく、これらの開口部はその長手
    方向がこれらのラインのそれぞれ1つに沿って整列させ
    られていることを特徴とするマイクロメカニカルデバイ
    ス。
  2. 【請求項2】 それぞれ互いに隣接して配置された2つ
    の開口部の間隔はこれらの開口部の長さより小さいこと
    を特徴とする請求項1記載のデバイス。
  3. 【請求項3】 前記開口部は、1本のラインに沿った随
    所でダイヤフラム膜がこのラインに垂直な方向に見てこ
    れらの開口部の1つによって中断されるように、1本の
    ラインに沿って配置されていることを特徴とする請求項
    1又は2記載のデバイス。
  4. 【請求項4】 前記開口部はダイヤフラム膜のダイヤフ
    ラムとして設けられた部分の縁部に沿って配置されてい
    ることを特徴とする請求項1乃至3の1つに記載のデバ
    イス。
  5. 【請求項5】 前記開口部はダイヤフラム膜のダイヤフ
    ラムとして設けられた部分の縁部に対して一定の間隔を
    持って走る1本のラインに沿って配置されていることを
    特徴とする請求項1乃至4の1つに記載のデバイス。
  6. 【請求項6】 前記開口部はダイヤフラム膜の縁部から
    縁部へしかもダイヤフラム膜のダイヤフラムとして設け
    られた部分の内部を走る直線状ラインに沿って配置され
    ていることを特徴とする請求項1乃至5の1つに記載の
    デバイス。
  7. 【請求項7】 開口部は少なくともこの開口部の領域に
    おいてダイヤフラム膜に設けられた閉鎖膜によって閉鎖
    されていることを特徴とする請求項1乃至6の1つに記
    載のデバイス。
JP8220394A 1995-08-09 1996-08-02 マイクロメカニカルデバイス Pending JPH0949775A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19529335.5 1995-08-09
DE19529335 1995-08-09

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JP (1) JPH0949775A (ja)
DE (1) DE59600621D1 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007210083A (ja) * 2006-02-13 2007-08-23 Hitachi Ltd Mems素子及びその製造方法
KR100785233B1 (ko) * 2006-12-29 2007-12-11 주식회사다스 사이드 볼스터 연동 형 룸바 서포트 조절장치를 갖춘차량용 시트
JP2008147441A (ja) * 2006-12-11 2008-06-26 Rohm Co Ltd 半導体装置
JP2009148880A (ja) * 2007-12-14 2009-07-09 Ind Technol Res Inst センシング膜及びそれを用いるマイクロエレクトロメカニカルシステムデバイス
CN101920926A (zh) * 2010-09-30 2010-12-22 无锡中微高科电子有限公司 一种不匹配封接应力释放结构
US8776602B2 (en) 2006-08-11 2014-07-15 Rohm Co., Ltd. Acceleration sensor, semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5883420A (en) * 1995-12-20 1999-03-16 Motorola, Inc. Sensor device having a pathway and a sealed cavity
GB0605576D0 (en) * 2006-03-20 2006-04-26 Oligon Ltd MEMS device
US8068268B2 (en) 2007-07-03 2011-11-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS devices having improved uniformity and methods for making them
US8270056B2 (en) 2009-03-23 2012-09-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display device with openings between sub-pixels and method of making same
US8659816B2 (en) 2011-04-25 2014-02-25 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mechanical layer and methods of making the same

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60138434A (ja) * 1983-12-27 1985-07-23 Fuji Electric Co Ltd 半導体形静電容量式圧力センサの製造方法
JPS61285772A (ja) * 1985-06-12 1986-12-16 Omron Tateisi Electronics Co 半導体センサ
JPH0726887B2 (ja) * 1986-05-31 1995-03-29 株式会社堀場製作所 コンデンサマイクロフオン型検出器用ダイアフラム
JPH0212950A (ja) * 1988-06-30 1990-01-17 Toshiba Corp 半導体装置
US5059556A (en) * 1988-09-28 1991-10-22 Siemens-Bendix Automotive Electronics, L.P. Low stress polysilicon microstructures
US5068203A (en) * 1990-09-04 1991-11-26 Delco Electronics Corporation Method for forming thin silicon membrane or beam
US5753134A (en) * 1994-01-04 1998-05-19 Siemens Aktiengesellschaft Method for producing a layer with reduced mechanical stresses

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007210083A (ja) * 2006-02-13 2007-08-23 Hitachi Ltd Mems素子及びその製造方法
US8776602B2 (en) 2006-08-11 2014-07-15 Rohm Co., Ltd. Acceleration sensor, semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
JP2008147441A (ja) * 2006-12-11 2008-06-26 Rohm Co Ltd 半導体装置
KR100785233B1 (ko) * 2006-12-29 2007-12-11 주식회사다스 사이드 볼스터 연동 형 룸바 서포트 조절장치를 갖춘차량용 시트
JP2009148880A (ja) * 2007-12-14 2009-07-09 Ind Technol Res Inst センシング膜及びそれを用いるマイクロエレクトロメカニカルシステムデバイス
CN101920926A (zh) * 2010-09-30 2010-12-22 无锡中微高科电子有限公司 一种不匹配封接应力释放结构

Also Published As

Publication number Publication date
DE59600621D1 (de) 1998-11-05
EP0758080B1 (de) 1998-09-30
EP0758080A1 (de) 1997-02-12

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