JPH0943834A - セルフパターニング方法 - Google Patents
セルフパターニング方法Info
- Publication number
- JPH0943834A JPH0943834A JP7196231A JP19623195A JPH0943834A JP H0943834 A JPH0943834 A JP H0943834A JP 7196231 A JP7196231 A JP 7196231A JP 19623195 A JP19623195 A JP 19623195A JP H0943834 A JPH0943834 A JP H0943834A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- transparent substrate
- surface side
- lens
- photoresist film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 透明基板の一面側に形成したレンズ部とのズ
レがなくしかも正確に１対１で対応したパターンの膜を
透明基板の他面側に形成する。 【解決手段】 一面側に二次元状に複数のレンズ部ｒ…
が配列された透明基板１を用意し、この透明基板１の他
面側にフォトレジスト膜２を形成し、次いで、透明基板
１の一面側からレンズ部ｒを介して前記フォトレジスト
膜２に露光を施し、この後、現像して前記フォトレジス
ト膜のうちの露光部分２ａを残して非露光部分を除去
し、次いで、透明基板の他面側に遮光膜３を形成し、更
に前記残されたフォトレジスト膜の露光部分２ａを除去
することでレンズ部ｒに対応する部分の遮光膜を除去し
て開口３ａを形成する。
レがなくしかも正確に１対１で対応したパターンの膜を
透明基板の他面側に形成する。 【解決手段】 一面側に二次元状に複数のレンズ部ｒ…
が配列された透明基板１を用意し、この透明基板１の他
面側にフォトレジスト膜２を形成し、次いで、透明基板
１の一面側からレンズ部ｒを介して前記フォトレジスト
膜２に露光を施し、この後、現像して前記フォトレジス
ト膜のうちの露光部分２ａを残して非露光部分を除去
し、次いで、透明基板の他面側に遮光膜３を形成し、更
に前記残されたフォトレジスト膜の露光部分２ａを除去
することでレンズ部ｒに対応する部分の遮光膜を除去し
て開口３ａを形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は透明基板の一面側に
設けたレンズ部を利用して、透明基板の他面側にレンズ
部に対応したパターンを有する遮光膜等を形成する方法
に関する。
設けたレンズ部を利用して、透明基板の他面側にレンズ
部に対応したパターンを有する遮光膜等を形成する方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザ（発光素子）と光ファイバ
との結合デバイス、光ファイバの中間に減衰器や分岐回
路を挿入する際に用いる平行レンズ板等の光通信用のデ
バイス或いは複写機やファクシミリ内に組込まれる光学
部品として、透明基板の一面側にライン状またはマトリ
クス状にレンズ部を設け、他面側に当該レンズ部に１対
１に対応した光の入出射用の開口を形成した遮光膜を設
けたデバイスがある。
との結合デバイス、光ファイバの中間に減衰器や分岐回
路を挿入する際に用いる平行レンズ板等の光通信用のデ
バイス或いは複写機やファクシミリ内に組込まれる光学
部品として、透明基板の一面側にライン状またはマトリ
クス状にレンズ部を設け、他面側に当該レンズ部に１対
１に対応した光の入出射用の開口を形成した遮光膜を設
けたデバイスがある。
【０００３】このようなデバイスを製作するには、透明
基板の一面側に複数のレンズ部を設ける際にアライメン
トマーカーを作製しておき、このアライメントマーカー
に合致するアライメントマーカーを有するフォトマスク
を透明基板の他面側に形成し、このフォトマスクを介し
て透明基板の他面側に蒸着やスパッタリング等によって
遮光膜を形成するとともに、フォトマスクを除去するこ
とで遮光膜にレンズ部に対応した開口を形成するように
している。
基板の一面側に複数のレンズ部を設ける際にアライメン
トマーカーを作製しておき、このアライメントマーカー
に合致するアライメントマーカーを有するフォトマスク
を透明基板の他面側に形成し、このフォトマスクを介し
て透明基板の他面側に蒸着やスパッタリング等によって
遮光膜を形成するとともに、フォトマスクを除去するこ
とで遮光膜にレンズ部に対応した開口を形成するように
している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、予め
レンズ部に対応した開口を有するフォトマスクを透明基
板の他面側に重ねてパターニングする方法では、透明基
板とフォトマスクとの熱膨張係数の差によって、透明基
板側に予め形成したレンズ部とフォトマスクとが遮光膜
の形成時にズレを生じてしまうことがある。
レンズ部に対応した開口を有するフォトマスクを透明基
板の他面側に重ねてパターニングする方法では、透明基
板とフォトマスクとの熱膨張係数の差によって、透明基
板側に予め形成したレンズ部とフォトマスクとが遮光膜
の形成時にズレを生じてしまうことがある。
【０００５】また、アライメント装置自体も透明基板の
厚み分の焦点深度を持ったものが必要になるので、アラ
イメント作業が複雑且つ困難となる。
厚み分の焦点深度を持ったものが必要になるので、アラ
イメント作業が複雑且つ困難となる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明に係るパターニング方法は、一面側に二次元状に
複数のレンズ部が配列された透明基板を用意し、この透
明基板の他面側にフォトレジスト膜を形成し、次いで、
透明基板の一面側からレンズ部を介して前記フォトレジ
スト膜に露光を施し、この後、現像して前記フォトレジ
スト膜のうちの露光部分を残して非露光部分を除去し、
次いで、透明基板の他面側に遮光膜や透明導電膜等の薄
膜を形成し、更に前記残されたフォトレジスト膜の露光
部分を除去することでレンズ部に対応する部分の前記薄
膜を除去して開口を形成するようにした。
本発明に係るパターニング方法は、一面側に二次元状に
複数のレンズ部が配列された透明基板を用意し、この透
明基板の他面側にフォトレジスト膜を形成し、次いで、
透明基板の一面側からレンズ部を介して前記フォトレジ
スト膜に露光を施し、この後、現像して前記フォトレジ
スト膜のうちの露光部分を残して非露光部分を除去し、
次いで、透明基板の他面側に遮光膜や透明導電膜等の薄
膜を形成し、更に前記残されたフォトレジスト膜の露光
部分を除去することでレンズ部に対応する部分の前記薄
膜を除去して開口を形成するようにした。
【０００７】また、本発明に係る別のパターニング方法
は、一面側に二次元状に複数のレンズ部が配列された透
明基板を用意し、この透明基板の他面側に紫外光透過膜
とフォトレジスト膜を順次形成し、次いで、透明基板の
一面側からレンズ部及び紫外光透過膜を介して前記フォ
トレジスト膜に露光を施し、この後、現像してフォトレ
ジスト膜のうちの露光部分を残して非露光部分を除去
し、次いで、フォトレジスト膜を介して紫外光透過膜を
エッチングすることでレンズ部に対応する部分の紫外光
透過膜を除去して開口を形成し、更に残っているフォト
レジスト膜を除去するようにした。
は、一面側に二次元状に複数のレンズ部が配列された透
明基板を用意し、この透明基板の他面側に紫外光透過膜
とフォトレジスト膜を順次形成し、次いで、透明基板の
一面側からレンズ部及び紫外光透過膜を介して前記フォ
トレジスト膜に露光を施し、この後、現像してフォトレ
ジスト膜のうちの露光部分を残して非露光部分を除去
し、次いで、フォトレジスト膜を介して紫外光透過膜を
エッチングすることでレンズ部に対応する部分の紫外光
透過膜を除去して開口を形成し、更に残っているフォト
レジスト膜を除去するようにした。
【０００８】ここで、前記透明基板の厚みはレンズ部の
焦点距離に略等しいことがパターニングの精度を向上す
るうえで好ましく、またレンズ部としては例えば屈折率
分布型レンズ或いはエッチング法にてガラス基板に形成
した凹部に高屈折率樹脂を充填してなるレンズ等が考え
られる。
焦点距離に略等しいことがパターニングの精度を向上す
るうえで好ましく、またレンズ部としては例えば屈折率
分布型レンズ或いはエッチング法にてガラス基板に形成
した凹部に高屈折率樹脂を充填してなるレンズ等が考え
られる。
【０００９】一面側にライン状或いはマトリクス状等の
二次元状に複数のレンズ部が形成された透明基板の他面
側に、前記レンズ部と１対１に対応した開口を有する遮
光膜等の薄膜が形成される。
二次元状に複数のレンズ部が形成された透明基板の他面
側に、前記レンズ部と１対１に対応した開口を有する遮
光膜等の薄膜が形成される。
【００１０】
【発明の実施の態様】以下に本発明の実施の態様を添付
図面に基づいて説明する。ここで、図１（ａ）乃至
（ｅ）はリフトオフによってパターンを形成するように
した第１発明に係るセルフパターニング方法を工程順に
説明した図であり、本発明にあっては先ず一面側に二次
元状に複数のレンズ部ｒ…が配列された透明基板１を用
意する。
図面に基づいて説明する。ここで、図１（ａ）乃至
（ｅ）はリフトオフによってパターンを形成するように
した第１発明に係るセルフパターニング方法を工程順に
説明した図であり、本発明にあっては先ず一面側に二次
元状に複数のレンズ部ｒ…が配列された透明基板１を用
意する。
【００１１】透明基板１としては、ガラス板、プラスチ
ック板等任意であるが、例えば、過酸化ベンゾイルを３
％添加したアリルジグライコールカーボネイトを８０℃
にて３５分間加熱することによって得られる屈折率１．
５０４の透明基板とする。
ック板等任意であるが、例えば、過酸化ベンゾイルを３
％添加したアリルジグライコールカーボネイトを８０℃
にて３５分間加熱することによって得られる屈折率１．
５０４の透明基板とする。
【００１２】そして、上記の透明基板１の一面側にレン
ズ部ｒ…を設ける手段も任意であるが、例えば、所定の
二次元パターンで開口を形成したポリエチレンマスクを
透明基板１の一面側に貼着し、この状態で透明基板１を
屈折率１．５７７５の安息香酸ビニル（８０℃）の溶液
中に浸漬させ、マスクの開口から安息香酸ビニルのモノ
マーを透明基板１中に拡散せしめて共重合させること
で、中心部の屈折率が高く外側に向かって二乗近似で屈
折率が小さくなる屈折率分布型のレンズ部ｒが得られ
る。
ズ部ｒ…を設ける手段も任意であるが、例えば、所定の
二次元パターンで開口を形成したポリエチレンマスクを
透明基板１の一面側に貼着し、この状態で透明基板１を
屈折率１．５７７５の安息香酸ビニル（８０℃）の溶液
中に浸漬させ、マスクの開口から安息香酸ビニルのモノ
マーを透明基板１中に拡散せしめて共重合させること
で、中心部の屈折率が高く外側に向かって二乗近似で屈
折率が小さくなる屈折率分布型のレンズ部ｒが得られ
る。
【００１３】尚、レンズ部ｒとしてはガラス基板の一面
側にマスクを形成し、このガラス基板をエッチャントに
浸漬することで、マスクの開口部分から等方性エッチン
グを施して、半球状凹部を形成し、この凹部に高屈折率
樹脂を充填することで形成してもよい。
側にマスクを形成し、このガラス基板をエッチャントに
浸漬することで、マスクの開口部分から等方性エッチン
グを施して、半球状凹部を形成し、この凹部に高屈折率
樹脂を充填することで形成してもよい。
【００１４】以上の如くして、一面側に二次元状に複数
のレンズ部ｒ…が配列された透明基板１を得たならば、
図１（ａ）に示すように、透明基板１の他面側にネガ型
のフォトレジスト膜２を形成し、次いで、図１（ｂ）に
示すように、透明基板１の一面側からレンズ部ｒ…を介
して前記フォトレジスト膜２に紫外線等で露光を施す。
のレンズ部ｒ…が配列された透明基板１を得たならば、
図１（ａ）に示すように、透明基板１の他面側にネガ型
のフォトレジスト膜２を形成し、次いで、図１（ｂ）に
示すように、透明基板１の一面側からレンズ部ｒ…を介
して前記フォトレジスト膜２に紫外線等で露光を施す。
【００１５】すると、露光用の光はレンズ部ｒにおいて
屈曲せしめられ、また透明基板１の厚みがレンズ部ｒの
焦点距離に略等しく設定しているので、透明基板１を透
過した光はフォトレジスト膜２の部分で集光し、露光さ
れた部分と露光されない部分とに分れる。
屈曲せしめられ、また透明基板１の厚みがレンズ部ｒの
焦点距離に略等しく設定しているので、透明基板１を透
過した光はフォトレジスト膜２の部分で集光し、露光さ
れた部分と露光されない部分とに分れる。
【００１６】この後、図１（ｃ）に示すように、水やア
ルカリ水で現像して前記フォトレジスト膜２のうちの露
光部分２ａを残して非露光部分を除去する。次いで、図
１（ｄ）に示すように、透明基板１の他面側に遮光膜３
を形成する。この遮光膜３としては導電性を有する金属
膜等が適当である。また遮光膜３の形成方法としては、
ＣＶＤやスパッタリング等が考えられる。
ルカリ水で現像して前記フォトレジスト膜２のうちの露
光部分２ａを残して非露光部分を除去する。次いで、図
１（ｄ）に示すように、透明基板１の他面側に遮光膜３
を形成する。この遮光膜３としては導電性を有する金属
膜等が適当である。また遮光膜３の形成方法としては、
ＣＶＤやスパッタリング等が考えられる。
【００１７】而る後、図１（ｅ）に示すように、酸素ガ
スを反応ガスとしたアッシングにてフォトレジスト膜の
露光部分２ａを除去する。以上の工程によって、図２に
示すような、レンズ部ｒ…と正確に１対１に対応する開
口３ａ…がパターニングされた遮光膜３が形成される。
スを反応ガスとしたアッシングにてフォトレジスト膜の
露光部分２ａを除去する。以上の工程によって、図２に
示すような、レンズ部ｒ…と正確に１対１に対応する開
口３ａ…がパターニングされた遮光膜３が形成される。
【００１８】図３は上記のデバイスを組込んだ液晶表示
装置の断面図であり、液晶層１０を挟んで、一方の側
（図３において左側）に本発明に係るセルフパターニン
グ方法を適用した透明基板１が設けられ、他方の側にも
透明基板１１が設けられ、この透明基板１１には開口を
形成した遮光膜（Ａl膜）１２を形成し、遮光膜３を透
過した照射光が遮光膜３，１２間で反射した後、遮光膜
１２の開口から出射するようにしている。
装置の断面図であり、液晶層１０を挟んで、一方の側
（図３において左側）に本発明に係るセルフパターニン
グ方法を適用した透明基板１が設けられ、他方の側にも
透明基板１１が設けられ、この透明基板１１には開口を
形成した遮光膜（Ａl膜）１２を形成し、遮光膜３を透
過した照射光が遮光膜３，１２間で反射した後、遮光膜
１２の開口から出射するようにしている。
【００１９】図４（ａ）乃至（ｅ）は第２発明に係るセ
ルフパターニング方法を工程順に説明した図であり、こ
の方法は、遮光膜の代りに紫外光透過膜を透明基板１の
他面側に形成する場合に適した方法である。
ルフパターニング方法を工程順に説明した図であり、こ
の方法は、遮光膜の代りに紫外光透過膜を透明基板１の
他面側に形成する場合に適した方法である。
【００２０】即ち、第２発明に係るセルフパターニング
方法にあっては、前記と同様の一面側に二次元状に複数
のレンズ部ｒ…が配列された透明基板１を用意し、先ず
図４（ａ）に示すように、透明基板１の他面側に紫外光
透過膜４を形成し、次いで図４（ｂ）に示すように、紫
外光透過膜４の上に前記と同様のネガ型のフォトレジス
ト膜２を形成する。
方法にあっては、前記と同様の一面側に二次元状に複数
のレンズ部ｒ…が配列された透明基板１を用意し、先ず
図４（ａ）に示すように、透明基板１の他面側に紫外光
透過膜４を形成し、次いで図４（ｂ）に示すように、紫
外光透過膜４の上に前記と同様のネガ型のフォトレジス
ト膜２を形成する。
【００２１】この後、図４（ｃ）に示すように、透明基
板１の一面側からレンズ部ｒ及び紫外光透過膜４を介し
て前記フォトレジスト膜２に露光を施す。すると、第１
発明の場合と同様に透明基板１の厚みがレンズ部ｒの焦
点距離に略等しく設定しているので、透明基板１を透過
した光はフォトレジスト膜２の部分で集光し、露光され
た部分と露光されない部分とに分れる。
板１の一面側からレンズ部ｒ及び紫外光透過膜４を介し
て前記フォトレジスト膜２に露光を施す。すると、第１
発明の場合と同様に透明基板１の厚みがレンズ部ｒの焦
点距離に略等しく設定しているので、透明基板１を透過
した光はフォトレジスト膜２の部分で集光し、露光され
た部分と露光されない部分とに分れる。
【００２２】この後、図４（ｄ）に示すように、水やア
ルカリ水で現像して前記フォトレジスト膜２のうちの露
光部分２ａを残して非露光部分を除去する。
ルカリ水で現像して前記フォトレジスト膜２のうちの露
光部分２ａを残して非露光部分を除去する。
【００２３】そして、図４（ｅ）に示すように、レジス
ト膜２をマスクとしてＣＶＤやスパッタリング等によっ
て紫外光透過膜４をエッチングしてレンズ部ｒに対応す
る部分の紫外光透過膜４を除去して開口４ａを形成し、
更に図４（ｆ）に示すように、アッシングにてフォトレ
ジスト膜の露光部分２ａを除去する。以上の工程によっ
て、前記と同様に、レンズ部ｒ…と正確に１対１に対応
する開口４ａ…がパターニングされた紫外光透過膜４が
形成される。
ト膜２をマスクとしてＣＶＤやスパッタリング等によっ
て紫外光透過膜４をエッチングしてレンズ部ｒに対応す
る部分の紫外光透過膜４を除去して開口４ａを形成し、
更に図４（ｆ）に示すように、アッシングにてフォトレ
ジスト膜の露光部分２ａを除去する。以上の工程によっ
て、前記と同様に、レンズ部ｒ…と正確に１対１に対応
する開口４ａ…がパターニングされた紫外光透過膜４が
形成される。
【００２４】
【発明の効果】以上に説明したように本発明によれば、
透明基板の一面側に二次元状に複数のレンズ部が配列さ
れ、他面側にレンズ部に対応する開口を有する遮光膜が
形成されたデバイスを作製する工程のうち、遮光膜を形
成するにあたり、透明基板の他面側にフォトレジスト膜
を形成し、次いで、透明基板の一面側からレンズ部を介
して前記フォトレジスト膜に露光を施し、この後、現像
して前記フォトレジスト膜のうちの露光部分を残して非
露光部分を除去し、次いで、透明基板の他面側に遮光膜
を形成し、更に前記残されたフォトレジスト膜の露光部
分を除去することでレンズ部に対応する部分の遮光膜を
除去して開口を形成するようにしたので、アライメント
装置を用いることなく、レンズ部とのズレがなくしかも
正確に１対１で対応したパターンの遮光膜を形成するこ
とができる。
透明基板の一面側に二次元状に複数のレンズ部が配列さ
れ、他面側にレンズ部に対応する開口を有する遮光膜が
形成されたデバイスを作製する工程のうち、遮光膜を形
成するにあたり、透明基板の他面側にフォトレジスト膜
を形成し、次いで、透明基板の一面側からレンズ部を介
して前記フォトレジスト膜に露光を施し、この後、現像
して前記フォトレジスト膜のうちの露光部分を残して非
露光部分を除去し、次いで、透明基板の他面側に遮光膜
を形成し、更に前記残されたフォトレジスト膜の露光部
分を除去することでレンズ部に対応する部分の遮光膜を
除去して開口を形成するようにしたので、アライメント
装置を用いることなく、レンズ部とのズレがなくしかも
正確に１対１で対応したパターンの遮光膜を形成するこ
とができる。
【００２５】また、遮光膜の代りに所定パターンの紫外
光透過膜を形成するには、透明基板の他面側に紫外光透
過膜を形成し、この紫外光透過膜の上にフォトレジスト
膜を形成し、次いで、透明基板の一面側からレンズ部及
び紫外光透過膜を介して前記フォトレジスト膜に露光を
施し、この後、現像してフォトレジスト膜のうちの露光
部分を残して非露光部分を除去し、次いで、フォトレジ
スト膜を介して紫外光透過膜をエッチングすることでレ
ンズ部に対応する部分の紫外光透過膜を除去して開口を
形成し、更に残っているフォトレジスト膜を除去するよ
うにしたので、前記同様、アライメント装置を用いるこ
となく、レンズ部とのズレがなくしかも正確に１対１で
対応したパターンの紫外光透過膜を形成することができ
る。
光透過膜を形成するには、透明基板の他面側に紫外光透
過膜を形成し、この紫外光透過膜の上にフォトレジスト
膜を形成し、次いで、透明基板の一面側からレンズ部及
び紫外光透過膜を介して前記フォトレジスト膜に露光を
施し、この後、現像してフォトレジスト膜のうちの露光
部分を残して非露光部分を除去し、次いで、フォトレジ
スト膜を介して紫外光透過膜をエッチングすることでレ
ンズ部に対応する部分の紫外光透過膜を除去して開口を
形成し、更に残っているフォトレジスト膜を除去するよ
うにしたので、前記同様、アライメント装置を用いるこ
となく、レンズ部とのズレがなくしかも正確に１対１で
対応したパターンの紫外光透過膜を形成することができ
る。
【００２６】特に、透明基板の厚みをレンズ部の焦点距
離に略等しいすることで、パターニングの精度を向上さ
せることができる。
離に略等しいすることで、パターニングの精度を向上さ
せることができる。
【００２７】また、レンズ部として屈折率分布型レンズ
を採用する場合には、マスクを介して安息香酸ビニルの
モノマー溶液中に浸漬して屈折率分布型レンズを作製す
る工程が含まれているおり、一方本発明方法もマスクを
介して蒸着やエッチング等を行う工程を含んでいるの
で、一連の工程でデバイスを作製することも可能とな
る。
を採用する場合には、マスクを介して安息香酸ビニルの
モノマー溶液中に浸漬して屈折率分布型レンズを作製す
る工程が含まれているおり、一方本発明方法もマスクを
介して蒸着やエッチング等を行う工程を含んでいるの
で、一連の工程でデバイスを作製することも可能とな
る。
【図１】（ａ）乃至（ｅ）は第１発明に係るセルフパタ
ーニング方法を工程順に説明した図
ーニング方法を工程順に説明した図
【図２】本発明方法によって作製されたデバイスの斜視
図
図
【図３】本発明方法によって作製されたデバイスを組込
んだ液晶表示装置の断面図
んだ液晶表示装置の断面図
【図４】（ａ）乃至（ｅ）は第２発明に係るセルフパタ
ーニング方法を工程順に説明した図
ーニング方法を工程順に説明した図
１…透明基板、２…フォトレジスト膜、２ａ…フォトレ
ジスト膜の露光部分、３…遮光膜、３ａ，４ａ…開口、
４…紫外光透過膜、ｒ…レンズ部。
ジスト膜の露光部分、３…遮光膜、３ａ，４ａ…開口、
４…紫外光透過膜、ｒ…レンズ部。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年１２月１４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）乃至（ｅ）は第１発明に係るセルフパタ
ーニング方法を工程順に説明した図
ーニング方法を工程順に説明した図
【図２】本発明方法によって作製されたデバイスの斜視
図
図
【図３】本発明方法によって作製されたデバイスを組込
んだ液晶表示装置の断面図
んだ液晶表示装置の断面図
【図４】（ａ）乃至（ｆ）は第２発明に係るセルフパタ
ーニング方法を工程順に説明した図
ーニング方法を工程順に説明した図
【符号の説明】 １…透明基板、２…フォトレジスト膜、２ａ…フォトレ
ジスト膜の露光部分、３…遮光膜、３ａ，４ａ…開口、
４…紫外光透過膜、ｒ…レンズ部。
ジスト膜の露光部分、３…遮光膜、３ａ，４ａ…開口、
４…紫外光透過膜、ｒ…レンズ部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０２Ｂ 5/20 １０１ Ｇ０２Ｂ 5/20 １０１
Claims (4)
- 【請求項１】 一面側にライン状或いはマトリクス状等
の二次元状に複数のレンズ部が配列された透明基板の他
面側にフォトレジスト膜を形成し、次いで、透明基板の
一面側からレンズ部を介して前記フォトレジスト膜に露
光を施し、この後、現像して前記フォトレジスト膜のう
ちの露光部分を残して非露光部分を除去し、次いで、透
明基板の他面側に遮光膜や透明導電膜等の薄膜を形成
し、更に前記残されたフォトレジスト膜の露光部分を除
去することでレンズ部に対応する部分の前記薄膜を除去
して開口を形成するようにしたことを特徴とするセルフ
パターニング方法。 - 【請求項２】 一面側にライン状或いはマトリクス状等
の二次元状に複数のレンズ部が配列された透明基板の他
面側に紫外光透過膜を形成し、この紫外光透過膜の上に
フォトレジスト膜を形成し、次いで、透明基板の一面側
からレンズ部及び紫外光透過膜を介して前記フォトレジ
スト膜に露光を施し、この後、現像してフォトレジスト
膜のうちの露光部分を残して非露光部分を除去し、次い
で、フォトレジスト膜を介して紫外光透過膜をエッチン
グすることでレンズ部に対応する部分の紫外光透過膜を
除去して開口を形成し、更に残っているフォトレジスト
膜を除去するようにしたことを特徴とするセルフパター
ニング方法。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載のセルフ
パターニング方法において、前記透明基板の厚みはレン
ズ部の焦点距離に略等しいことを特徴とするセルフパタ
ーニング方法。 - 【請求項４】 請求項１乃至請求項３に記載のセルフパ
ターニング方法において、前記レンズ部は屈折率分布型
レンズ、或いはエッチング法にてガラス基板に形成した
凹部に高屈折率樹脂を充填してなるレンズであることを
特徴とするセルフパターニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7196231A JPH0943834A (ja) | 1995-08-01 | 1995-08-01 | セルフパターニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7196231A JPH0943834A (ja) | 1995-08-01 | 1995-08-01 | セルフパターニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0943834A true JPH0943834A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=16354387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7196231A Pending JPH0943834A (ja) | 1995-08-01 | 1995-08-01 | セルフパターニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0943834A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6136500A (en) * | 1997-08-18 | 2000-10-24 | Jsr Corporation | Radiation sensitive resin composition |
-
1995
- 1995-08-01 JP JP7196231A patent/JPH0943834A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6136500A (en) * | 1997-08-18 | 2000-10-24 | Jsr Corporation | Radiation sensitive resin composition |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1542045B1 (en) | Method of manufacturing an optical waveguide | |
| KR100233417B1 (ko) | 마이크로렌즈 형성방법 | |
| KR940002733B1 (ko) | 노광용 마스크와 그 노광용 마스크의 제조방법 | |
| JPH01287605A (ja) | 光ファイバコネクタアセンブリおよび該アセンブリの製造方法 | |
| JP2002196104A (ja) | マイクロレンズアレイ及びその製造方法並びに光学装置 | |
| JP4153442B2 (ja) | 光モジュールの製造方法 | |
| JP3547467B2 (ja) | マイクロレンズアレイおよびその製造方法 | |
| JPH07191209A (ja) | 微小光学素子の製造方法 | |
| WO2001069316A1 (fr) | Photomasque de regulation de l'exposition et procede de production correspondant | |
| US7012291B2 (en) | Monolithic three-dimensional structures | |
| JPH06194502A (ja) | マイクロレンズ・マイクロレンズアレイ及びその製造方法 | |
| JPH08166502A (ja) | マイクロレンズアレイ及びその製造方法 | |
| US7255978B2 (en) | Multi-level optical structure and method of manufacture | |
| KR102007438B1 (ko) | 비구면 마이크로 렌즈의 제조 방법 | |
| US11454759B2 (en) | High-throughput manufacturing of photonic integrated circuit (PIC) waveguides using multiple exposures | |
| JPH0943834A (ja) | セルフパターニング方法 | |
| JP4390119B2 (ja) | 回折光学素子の製造方法 | |
| US20060012880A1 (en) | Optical device with refractive and diffractive properties | |
| JP3666918B2 (ja) | 光学デバイス・光学デバイス製造方法 | |
| JP3724035B2 (ja) | 発光素子装置の製造方法 | |
| KR101083341B1 (ko) | 고분자기반 평면 광도파로 제작방법 | |
| JP2004099394A (ja) | マイクロレンズアレイ用金型の製作方法 | |
| US20230350112A1 (en) | Multi-level structures and methods for manufacturing the same | |
| JP3504701B2 (ja) | 光学デバイスおよびその製造方法 | |
| JP4027456B2 (ja) | マイクロレンズ・マイクロレンズアレイ・マイクロレンズ製造方法およびマイクロレンズアレイ製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040325 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050712 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060221 |