JPH09330998A - Integrated circuit device and method for packaging it - Google Patents

Integrated circuit device and method for packaging it

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JPH09330998A
JPH09330998A JP8151172A JP15117296A JPH09330998A JP H09330998 A JPH09330998 A JP H09330998A JP 8151172 A JP8151172 A JP 8151172A JP 15117296 A JP15117296 A JP 15117296A JP H09330998 A JPH09330998 A JP H09330998A
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JP
Japan
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conductive paste
pad
integrated circuit
resin
chip
Prior art date
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Application number
JP8151172A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Eiji Yokota
栄二 横田
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Motorola Solutions Japan Ltd
Original Assignee
Nippon Motorola Ltd
Motorola Japan Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector

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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To easily and inexpensively package an integrated circuit. SOLUTION: A method for packaging integrated circuit device includes a sealing process in which a resin 5 is formed in the other area than pads 2 on the surface of a chip 1 and a paste sticking process in which conductive paste is formed on the pads 2 by bringing the paste 7 into contact with the pads 2. The exposed areas of the paste 7 can be made larger than the surface areas of the pads 2 or can be formed in prescribed patterns. The paste 7 is composed of a thermoplastic or thermosetting conductive material. In addition, silver and/or copper can be used as the conductive material contained in the paste 7. Therefore, inexpensive chip connecting terminals can be obtained easily in place of expensive bumps which are hard to be formed. Since it is not required to use solder as the paste 7, a solder-free condition which is desirable under the present lead regulating condition can be accomplished on a package and board assembly.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子及び/
またはその他の素子により形成される集積回路に関す
る。本発明はまた、集積回路を搭載するチップを封止、
外装または実装するためのパッケージング方法に関す
る。
The present invention relates to a semiconductor device and / or a semiconductor device.
Or, it relates to an integrated circuit formed by other elements. The present invention also encapsulates a chip mounting an integrated circuit,
Packaging method for packaging or packaging.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、IC(集積回路)チップのパ
ッケージにおける内部接続方式として、ワイヤーボンデ
ィング方式やバンプ方式が知られている。ワイヤーボン
ディング方式は、チップに形成されている回路電極端子
たるパッドとパッケージ外部へ導出するためのリード端
とを個別にワイヤー接続することによって、チップの外
部回路との電気的結合を達成する。しかしながら、この
方式は、各パッドのサイズやピッチの縮小化が難しく、
また、外部リードの形成にも制約があるので、チップの
高集積化及び実装面積の縮小化に既に限界が見られる。
2. Description of the Related Art Conventionally, a wire bonding method or a bump method has been known as an internal connection method in an IC (integrated circuit) chip package. The wire bonding method achieves electrical connection with an external circuit of the chip by individually wire-connecting a pad, which is a circuit electrode terminal formed on the chip, and a lead end for leading out to the outside of the package. However, this method is difficult to reduce the size and pitch of each pad,
In addition, since there is a restriction on the formation of external leads, there is already a limit to high integration of chips and reduction of mounting area.

【0003】これに対して、バンプ方式は、パッドに形
成されたバンプを介したチップ外部への電気的結合が可
能である。これによれば、パッドのサイズやピッチの縮
小化が比較的容易であり、ワイヤーボンディング方式の
ような外部リードを形成する必要がないので、チップの
高集積化及び実装面積の縮小化に有利である。しかし、
バンプを形成するためには、バンプ材料として金や半田
などの金属を用いなければならない。またバンプの下地
に貴金属を必要とすることもある。従ってバンプの形成
及びバンプを介した外部接続は、技術的な困難性を伴う
とともに、経済的にもコスト高となり易い、といった欠
点を有する。
On the other hand, the bump method allows electrical connection to the outside of the chip via the bumps formed on the pads. According to this, it is relatively easy to reduce the size and pitch of the pad, and it is not necessary to form an external lead unlike the wire bonding method, which is advantageous for high integration of the chip and reduction of the mounting area. is there. But,
To form bumps, metal such as gold or solder must be used as the bump material. In addition, a precious metal may be required as the base of the bump. Therefore, the formation of the bumps and the external connection via the bumps have the drawbacks of being technically difficult and of being economically expensive.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した点
に鑑みてなされたものであり、その目的とするところ
は、簡単にして安価な集積回路装置及びそのパッケージ
ング方法を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and an object thereof is to provide a simple and inexpensive integrated circuit device and a packaging method thereof. is there.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明による集積回路装
置は、集積回路が形成され表面上にパッドを備えたIC
チップを含む集積回路装置であって、前記チップの表面
のうち前記パッドを除いた領域を封止する樹脂と、前記
パッドに接触して設けられた熱可塑性または熱硬化性の
導電ペースト層とを有することを特徴としている。
SUMMARY OF THE INVENTION An integrated circuit device according to the present invention is an IC having an integrated circuit formed thereon and having pads on its surface.
An integrated circuit device including a chip, comprising: a resin for sealing a region of the surface of the chip excluding the pad; and a thermoplastic or thermosetting conductive paste layer provided in contact with the pad. It is characterized by having.

【0006】本発明によるパッケージング方法は、集積
回路が形成され表面上にパッドを備えたICチップを含
む集積回路装置のパッケージング方法であって、前記チ
ップの表面のうち前記パッドを除いた領域に樹脂を形成
する封止工程と、熱可塑性または熱硬化性の導電ペース
トを前記パッドに接触させて導電ペースト層を形成する
ペースト付着工程とを有することを特徴としている。
A packaging method according to the present invention is a packaging method of an integrated circuit device including an IC chip on which an integrated circuit is formed and which has pads on the surface thereof, wherein a region of the surface of the chip excluding the pads is used. And a paste attaching step of forming a conductive paste layer by bringing a thermoplastic or thermosetting conductive paste into contact with the pad.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。図1及び図2は、本発明に
よる一実施例の集積回路チップのパッケージング工程を
示している。図1において、ウェハプロセスが終了して
得られる集積回路チップ1は、(A)の平面図及び断面
図に示される如く、当該集積回路の入出力電極端子たる
複数のパッド2を有する。このパッド2は、アルミニウ
ムや銅などの物質からなり、チップ1の表面に露出しか
つ所定の形状に、例えば正方形または長方形に整形され
ている。なおパッド2は、図示されているような突起状
に形成されなくとも良く、実際は凹部底面或いは平面的
に形成される場合が多い。以下では、説明を明瞭とする
ために、図示上パッド2を突起状にして表している。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. 1 and 2 show a packaging process of an integrated circuit chip according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, an integrated circuit chip 1 obtained after the wafer process is completed has a plurality of pads 2 which are input / output electrode terminals of the integrated circuit, as shown in the plan view and the sectional view of FIG. The pad 2 is made of a material such as aluminum or copper and is exposed on the surface of the chip 1 and shaped into a predetermined shape, for example, a square or a rectangle. Note that the pad 2 does not have to be formed in a protruding shape as shown in the figure, but in reality, it is often formed in the bottom surface of a recess or in a plane. In the following, for the sake of clarity of explanation, the pad 2 is shown as a protrusion on the drawing.

【0008】かかるチップ1は、工程(B)に示される
ように先ず、型容器3に入れられ、次いでマスク工程
(C)に示されるように、マスクとしてパッド2の各々
の主たる露出面を覆いかつ当接するよう適合する形状の
ステンレスピン(立設部材)4を立てる。ステンレス
は、十分な強度(硬さ)を持ち、加工し易く、しかも樹
脂5に対する粘着性の低いものとして立設部材には好適
である。
The chip 1 is first placed in the mold container 3 as shown in step (B), and then, as shown in mask step (C), covers each main exposed surface of the pad 2 as a mask. Further, a stainless pin (standing member) 4 having a shape suitable for abutting is set up. Stainless steel is suitable for the standing member because it has sufficient strength (hardness), is easy to process, and has low adhesiveness to the resin 5.

【0009】そうしてこのステンレスピン4を立てた状
態を固定したまま、積層工程(D)に示されるように、
絶縁性の樹脂5を型容器3に流し入れ、チップ1の表面
に積層させ封着させる。かかる樹脂5の形成は、このよ
うなポッティングに依らずとも、いわゆるトランスファ
ーモールド法やキャスティング法、ペレット形成法(所
定形状の樹脂体(ペレット)をチップ1上の所定位置に
載置し、加熱処理等で当該樹脂体を溶融させチップ1の
表面に広げる)など、種々の方法が考えられる。
[0009] Then, as shown in the laminating step (D), with the stainless pin 4 held upright,
The insulating resin 5 is poured into the mold container 3, laminated on the surface of the chip 1 and sealed. The formation of the resin 5 does not depend on such potting, but the so-called transfer molding method, casting method, pellet forming method (a resin body (pellet) having a predetermined shape is placed at a predetermined position on the chip 1, and heat treatment is performed. Etc., various methods are conceivable such as melting the resin body with the above and spreading it on the surface of the chip 1.

【0010】積層した樹脂5が固まってチップ1の樹脂
封止が完了すると、図2の工程(E)に示されるよう
に、型容器5から、その樹脂封止されたチップ1及びス
テンレスピン4を一体的に取り出し、さらにマスク除去
工程(F)に示されるように、チップ1からステンレス
ピン4をその軸方向に移動させて取り去る。ステンレス
ピン4が取り去られると、パッド2が露出されそれ以外
の表面が樹脂5に被膜された形となる。外観上、パッド
2の露出部は凹状を呈する。
When the laminated resin 5 is solidified and the resin sealing of the chip 1 is completed, the resin-sealed chip 1 and the stainless steel pin 4 are removed from the mold container 5 as shown in step (E) of FIG. Are integrally taken out, and as shown in the mask removing step (F), the stainless pin 4 is removed from the chip 1 by moving it in the axial direction. When the stainless steel pin 4 is removed, the pad 2 is exposed and the other surface is covered with the resin 5. In appearance, the exposed portion of the pad 2 has a concave shape.

【0011】この状態で、工程(G)に示されるように
スキージ6を用いた処理が行われる。スキージ6は、好
ましくはゴムなどの弾性体からなる板状の部材であっ
て、樹脂5の表面に対し高気密性を保ったままその側端
を摺動させることのできる、導電ペースト7を塗布する
ための工具である。その外観及び使用形態は、例えば図
3及び図4に示される。
In this state, a process using the squeegee 6 is performed as shown in step (G). The squeegee 6 is preferably a plate-shaped member made of an elastic material such as rubber, and is coated with a conductive paste 7 capable of sliding its side end on the surface of the resin 5 while maintaining high airtightness. It is a tool for doing. The appearance and usage form are shown in, for example, FIGS. 3 and 4.

【0012】図3において、スキージ6は、樹脂5の一
方の端において樹脂5の表面に対し斜めに傾けられ、そ
の側端は、チップ1上の樹脂5の表面に所定の圧力をか
けるよう当接する。この位置から、かかる傾斜及び当接
状態を保ったまま樹脂5の他方の端まで、傾斜側とは反
対の矢印a方向に摺動させられる。この摺動の開始に際
しては、予め導電ペースト7が樹脂5とスキージ6との
当接面上に盛って置かれる。スキージ6が摺動され図4
に示されるように樹脂5の全面に亘る摺動が終了する
と、樹脂5の表面に導電ペースト7が塗りつけられる
も、樹脂5とスキージ6との当接面における気密性が高
い故に、導電ペースト7は、樹脂5の表面を滑りかつ付
着されることなく、パッド2の凹状露出部にのみ敷き詰
められ若しくは埋め込まれることとなる。従って工程
(G)は、ペースト付着,形成若しくは埋め込み工程ま
たは塗布工程を担う。
In FIG. 3, the squeegee 6 is inclined at one end of the resin 5 with respect to the surface of the resin 5, and its side end is applied so as to apply a predetermined pressure to the surface of the resin 5 on the chip 1. Contact. From this position, the resin 5 is slid to the other end of the resin 5 in the direction of arrow a opposite to the inclined side while maintaining the inclined and abutted state. At the start of this sliding, the conductive paste 7 is placed on the contact surface between the resin 5 and the squeegee 6 in advance. The squeegee 6 is slid and shown in FIG.
When the sliding over the entire surface of the resin 5 is completed as shown in FIG. 3, the surface of the resin 5 is coated with the conductive paste 7, but since the contact surface between the resin 5 and the squeegee 6 is highly airtight, the conductive paste 7 Will be spread or embedded only on the concave exposed portion of the pad 2 without slipping and adhering on the surface of the resin 5. Therefore, the step (G) is responsible for a paste attaching, forming or embedding step or a coating step.

【0013】図3及び図4から分かるように、スキージ
6の樹脂5への当接端は、チップ1の幅と同等もしくは
若干広い幅を有していることが好ましい。スキージ6の
樹脂5の表面における端から端までの唯一回の摺動で導
電ペースト7の塗布印刷処理が完了するからである。な
おここでの樹脂5は、導電ペースト7の塗布印刷するた
めのメタルマスクの役割を果たしている。
As can be seen from FIGS. 3 and 4, it is preferable that the contact end of the squeegee 6 with the resin 5 has a width equal to or slightly wider than the width of the tip 1. This is because the coating and printing process of the conductive paste 7 is completed by sliding the squeegee 6 from one end to the other on the surface of the resin 5. The resin 5 here serves as a metal mask for applying and printing the conductive paste 7.

【0014】導電ペースト7は、熱可塑性または熱硬化
性の導電材が採用される。一例として、ベースレジン
(主剤)をポリエステルとし、フィラー(充てん剤)を
銀(Ag)粒子及び銅(Cu)粒子として成る熱可塑性
導電材が、また、ベースレジンをクレゾールノボラック
型エポキシ樹脂とし、硬化剤をフェノールノボラック樹
脂とし、フィラーを銀(Ag)粒子及び銅(Cu)粒子
として成る熱硬化性導電材が適用可能である。導電ペー
スト7に熱可塑性物質が採用されたときは、導電ペース
ト7を加熱した状態で、すなわち融かした状態で工程
(G)の処理を行う。
The conductive paste 7 is made of a thermoplastic or thermosetting conductive material. As an example, a thermoplastic conductive material composed of polyester as a base resin (main agent) and silver (Ag) particles and copper (Cu) particles as a filler (filler), and a cresol novolac type epoxy resin as a base resin and cured A thermosetting conductive material in which the agent is phenol novolac resin and the filler is silver (Ag) particles and copper (Cu) particles is applicable. When the conductive paste 7 is made of a thermoplastic material, the step (G) is performed while the conductive paste 7 is heated, that is, in the melted state.

【0015】こうして、図2の(H)に示されるよう
に、チップ1が樹脂5により樹脂封止されるも、パッド
2が導電ペースト7を介して樹脂5の表面にまで導出さ
れることとなる。導電ペースト7はこの状態での外部接
続端子を担う。なお、図2の(H)に示される集積回路
装置1Aを完成品とせずに、さらに導電ペースト7の外
部露出面積を広げたい場合は、上記封止工程(B)〜
(F),ペースト形成工程(G)の如き処理をステンレ
スピン4の断面積を前回工程よりも大きくして繰り返し
行えば良い。例えば初回のステンレスピン4の断面積よ
りも次回のそれを大きくして(B)〜(G)の如き工程
を2回だけ繰り返した場合には、図5の如き完成品が出
来上がる。
Thus, as shown in FIG. 2H, even though the chip 1 is resin-sealed with the resin 5, the pad 2 is led out to the surface of the resin 5 through the conductive paste 7. Become. The conductive paste 7 serves as an external connection terminal in this state. In addition, when the integrated circuit device 1A shown in FIG. 2H is not a finished product and the external exposed area of the conductive paste 7 is desired to be further widened, the sealing step (B) to
The processes such as (F) and the paste forming process (G) may be repeated by making the cross-sectional area of the stainless steel pin 4 larger than in the previous process. For example, if the next step is made larger than the cross-sectional area of the stainless steel pin 4 for the first time and the steps (B) to (G) are repeated only twice, a finished product as shown in FIG. 5 is completed.

【0016】すなわちマスクとして、導電ペースト7の
外部露出面積よりも断面積の大なるステンレスピン4´
を、各導電ペースト7の外部露出面上に立設し、第2封
止工程及び第2ペースト付着工程として上記(D)〜
(F)と同様の工程処理を施せば、1層目の樹脂5に2
層目の樹脂5´が積層するが、1層目の導電ペースト7
の外部露出部においては、そのペースト露出面より1回
り大きい底面を持ちかつ壁面として2層目の樹脂5´に
より周辺が囲まれた凹部が形成される。そして今度は、
この大なる凹部に、上記(G)の工程において2層目の
導電ペースト7´が埋められる。よって図5の如き完成
品1Bにおいては、露出面積の大きな2層目の導電ペー
スト7´が外部接続端子を担うこととなる。
That is, as a mask, a stainless steel pin 4'having a cross-sectional area larger than the exposed area of the conductive paste 7 is exposed.
Is erected on the externally exposed surface of each conductive paste 7, and the above (D) to (2) are performed as the second sealing step and the second paste attaching step.
If the same process treatment as in (F) is applied, it is possible to
The resin 5'of the first layer is laminated, but the conductive paste 7 of the first layer
In the externally exposed portion, a concave portion having a bottom surface that is one size larger than the paste exposed surface and surrounded by the second layer resin 5'as a wall surface is formed. And this time,
The conductive paste 7'of the second layer is filled in the large recesses in the step (G). Therefore, in the finished product 1B as shown in FIG. 5, the second-layer conductive paste 7'having a large exposed area serves as an external connection terminal.

【0017】さらに、導電ペースト7または7´の外部
露出部は、パッド2と同等の形状(図2(H)参照)ま
たはそれを拡大した形状(図5参照)にしなくとも良
く、後述される実装基板の接続パターンに整合するよう
に変形させても良い。或いは当該外部露出部自体を実装
上の接続パターンを担うように形成しても良いし、チッ
プ1を実装基板に固着させるための形状としても良く、
色々な形状を採ることができる。
Further, the externally exposed portion of the conductive paste 7 or 7'does not have to have the same shape as the pad 2 (see FIG. 2H) or an enlarged shape thereof (see FIG. 5), which will be described later. It may be deformed so as to match the connection pattern of the mounting board. Alternatively, the external exposed portion itself may be formed so as to bear a connection pattern on mounting, or may have a shape for fixing the chip 1 to a mounting substrate,
Various shapes can be adopted.

【0018】一例を示せば、図6はチップ1を含む完成
品としての集積回路装置1Cの平面図及び断面図であ
り、2層目導電ペースト7´は、パッド2上の1層目導
電ペースト7の各々から集積回路の外縁側に比較的大な
る幅をもって延出するパターンに形成される。すなわ
ち、2巡目の上記(B)〜(G)の工程において立設す
る封止対象領域除外マスクとしてのステンレスピン4´
にそれぞれ、図6の平面図に示されるような導電ペース
ト7´に担わせるべきパターン形状の断面を持たせるの
である。これにより当該封止対象領域以外の領域(導電
対象領域)は、当該パーンを呈することとなるので、導
電ペースト7´の外部露出部を所望のパターン形状に形
成することができ、もってチップ1としては、所望の外
部露出電極若しくは実装端子が形成されることとなる。
As an example, FIG. 6 is a plan view and a sectional view of an integrated circuit device 1C as a finished product including the chip 1, and the second layer conductive paste 7'is the first layer conductive paste on the pad 2. 7 is formed in a pattern extending to the outer edge side of the integrated circuit with a relatively large width. That is, the stainless pin 4 ′ as a mask for excluding the sealing target region, which is provided upright in the above-described steps (B) to (G) of the second round.
Each has a pattern-shaped cross section to be carried by the conductive paste 7'as shown in the plan view of FIG. As a result, the region other than the sealing target region (conduction target region) presents the pattern, so that the externally exposed portion of the conductive paste 7 ′ can be formed in a desired pattern shape, and thus the chip 1 is formed. Will form the desired external exposed electrodes or mounting terminals.

【0019】但し、微小なチップ上に導電ペーストを形
成する故に、かかるパターン引き回しの自由度に限度が
あることは否めず、比較的単純なパターンを余儀なくさ
れる。しかし完全にパターン形成の余地のない場合に比
べ、実装上の効果はかなり大きいものとなる。なお、こ
のような2層構造に限らず、上記(B)〜(G)の工程
を繰り返すことにより、それより大なる数の層構造を持
つ集積回路装置を形成することもできる。
However, since the conductive paste is formed on a minute chip, it is unavoidable that there is a limit to the degree of freedom in pattern routing, and a relatively simple pattern is inevitable. However, the mounting effect is considerably greater than when there is no room for pattern formation. Note that the present invention is not limited to such a two-layer structure, and by repeating the above steps (B) to (G), an integrated circuit device having a larger number of layer structures can be formed.

【0020】以上のようにして構成された集積回路装置
1A,1B,1Cは、次のように印刷回路基板(PC
B:Printed Circuit Boadもしくは印刷配線基板)に実
装され得る。図7は、PCB100に当該集積回路を実
装した場合の断面図である。図7において、PCB10
0は2層配線構造を有し、表面側第1層配線パターン1
01上に集積回路装置1A〜1Cが実装される。
The integrated circuit devices 1A, 1B and 1C configured as described above are printed circuit board (PC) as follows.
B: Printed Circuit Board or printed wiring board). FIG. 7 is a sectional view when the integrated circuit is mounted on the PCB 100. In FIG. 7, the PCB 10
0 has a two-layer wiring structure, and the front side first layer wiring pattern 1
Integrated circuit devices 1A to 1C are mounted on 01.

【0021】より詳しくは、集積回路1B,1Cの導電
ペースト層7´の外部露出部が、PCBの表面側第1層
配線パターン101の対応位置に接触するよう位置合わ
せされて集積回路1Bが載置される。そしてこの載置状
態で、ヒータ200によりチップ1の背面から集積回路
装置1B,1Cが加熱される。加熱温度の一例として
は、摂氏180゜〜280゜程度が挙げられるが、なる
べく低温が望ましい。
More specifically, the integrated circuit 1B is mounted by aligning the externally exposed portions of the conductive paste layer 7'of the integrated circuits 1B and 1C so as to contact the corresponding positions of the front surface side first layer wiring pattern 101 of the PCB. Placed. Then, in this mounted state, the heater 200 heats the integrated circuit devices 1B and 1C from the back surface of the chip 1. An example of the heating temperature is about 180 ° to 280 ° C, but a low temperature is preferable.

【0022】かかる加熱によって、熱可塑性の導電ペー
スト層7及び7´は融け、当該導電ペーストが配線パタ
ーン101となじんで金属的接続が果たされた後、ヒー
タ200からの加熱が止められる。その後導電ペースト
層7及び7´が冷却すると、固まって、配線パターン1
01との完全な電気的接続が達成される。導電ペースト
層7及び7´が熱硬化性である場合も、載置工程後、上
述と同様にヒータ200により集積回路1Bが熱せられ
るが、導電ペースト層7及び7´は、加熱状態で固まっ
て配線パターン101との接続を果たすこととなる。
By such heating, the thermoplastic conductive paste layers 7 and 7'are melted, the conductive paste is adapted to the wiring pattern 101 and the metallic connection is achieved, and then the heating from the heater 200 is stopped. After that, when the conductive paste layers 7 and 7 ′ are cooled, they solidify to form the wiring pattern 1
A complete electrical connection with 01 is achieved. Even when the conductive paste layers 7 and 7'are thermosetting, the integrated circuit 1B is heated by the heater 200 after the mounting step in the same manner as described above, but the conductive paste layers 7 and 7'are hardened in a heated state. The connection with the wiring pattern 101 is achieved.

【0023】集積回路装置1Aを実装する場合も、集積
回路装置1B,1Cの場合と基本的に同様である。しか
し本例では、配線パターン101における集積回路装置
1Aの載置箇所上に、導電ペースト層7と同じ物質の導
電ペースト層107を予め下地として塗布または形成し
ておくようにしている。こうすることにより、加熱時に
集積回路装置1A側の導電ペースト層7と配線パターン
101上の導電ペースト層107とが良好に融合し合っ
て、パッド2と配線パターン101との接続性が向上す
ることとなる。なお、導電ペースト層7と配線パターン
101上の導電ペースト層107とは異なる物質を採用
しても良い。
The case where the integrated circuit device 1A is mounted is basically the same as the case of the integrated circuit devices 1B and 1C. However, in this example, the conductive paste layer 107 made of the same material as the conductive paste layer 7 is applied or formed in advance as a base on the placement position of the integrated circuit device 1A in the wiring pattern 101. By doing so, the conductive paste layer 7 on the integrated circuit device 1A side and the conductive paste layer 107 on the wiring pattern 101 fuse well with each other during heating, and the connectivity between the pad 2 and the wiring pattern 101 is improved. Becomes Note that different materials may be used for the conductive paste layer 7 and the conductive paste layer 107 on the wiring pattern 101.

【0024】かくして、これまで述べてきた実施例にお
いては、高価かつ形成の難易なバンプの代わりに導電ペ
ーストを使うことにより、安価なチップ接続端子を容易
に得ることができる。また、導電ペーストとして半田を
使用する必要もないので、半田フリーをパッケージ及び
ボードアセンブリ上において達成することができ、鉛規
制下においては好都合である。
Thus, in the embodiments described so far, the inexpensive chip connection terminals can be easily obtained by using the conductive paste instead of the bumps which are expensive and difficult to form. Further, since it is not necessary to use solder as the conductive paste, solder-free can be achieved on the package and board assembly, which is convenient under the lead regulation.

【0025】なお、上記実施例においては、銀及び銅粒
子を含む導電ペーストが使われたが、上記鉛規制下にお
かれていない場合は、フィラーとして半田粒子を含む導
電ペーストを使うこともできることは勿論である。ま
た、上記実施例においては、底面にパッドまたは下層ペ
ースト層が配された凹部に完全に導電ペーストを充填さ
せるようにして導電ペースト層を形成しているが、基本
的には、当該底面部に接触して導電ペーストが外部へと
導出されるよう設けられれば良い。
Although the conductive paste containing silver and copper particles was used in the above embodiment, a conductive paste containing solder particles can be used as the filler if the lead regulation is not satisfied. Of course. Further, in the above embodiment, the conductive paste layer is formed so as to completely fill the concave portion in which the pad or the lower paste layer is arranged on the bottom surface with the conductive paste layer. It suffices that the conductive paste is provided so as to be brought into contact with the conductive paste and led out to the outside.

【0026】この他にも、上記実施例では種々の手段及
び工程を限定的に説明したが、当業者の設計可能な範囲
で適宜改変することは可能である。
In addition, although various means and steps have been described in a limited manner in the above-described embodiment, it is possible to appropriately modify them within a range that can be designed by those skilled in the art.

【0027】[0027]

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
簡単にして安価な集積回路装置及びそのパッケージング
方法を提供することができる。
As described in detail above, according to the present invention,
It is possible to provide a simple and inexpensive integrated circuit device and its packaging method.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明による一実施例としての集積回路のパッ
ケージング処理前半の各工程を示す模式的流れ図。
FIG. 1 is a schematic flow chart showing respective steps of a first half of a packaging process of an integrated circuit according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明による一実施例としての集積回路のパッ
ケージング処理後半の各工程を示す模式的流れ図。
FIG. 2 is a schematic flow chart showing each step of the latter half of the packaging process of the integrated circuit as one embodiment according to the present invention.

【図3】図2の(G)における導電ペーストの塗布工程
の初期状態を示す集積回路の外観図。
FIG. 3 is an external view of an integrated circuit showing an initial state of a conductive paste application process in FIG.

【図4】図2の(G)における導電ペーストの塗布工程
の終了状態を示す集積回路の外観図。
FIG. 4 is an external view of the integrated circuit showing a state where the conductive paste applying step in FIG. 2G is completed.

【図5】本発明による他の実施例において形成される集
積回路の断面図。
FIG. 5 is a cross-sectional view of an integrated circuit formed in another embodiment according to the present invention.

【図6】本発明によるさらに他の実施例において形成さ
れる集積回路の平面図及び断面図。
6A and 6B are a plan view and a sectional view of an integrated circuit formed in still another embodiment according to the present invention.

【図7】本発明による集積回路装置のPCBへの実装形
態を示す断面図。
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a mounting mode of the integrated circuit device according to the present invention on a PCB.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ICチップ 2 パッド 3 型容器 4,4´ ステンレスピン 5,5´ 樹脂 6 スキージ 7,7´ 導電ペースト 1A,1B,1C 集積回路装置 100 PCB 101,102 配線パターン 103 絶縁層 107 下地導電ペースト 200 ヒータ 1 IC Chip 2 Pad 3 Type Container 4, 4'Stainless Pin 5, 5 'Resin 6 Squeegee 7, 7' Conductive Paste 1A, 1B, 1C Integrated Circuit Device 100 PCB 101, 102 Wiring Pattern 103 Insulating Layer 107 Base Conductive Paste 200 heater

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 集積回路が形成され表面上にパッドを備
えたICチップを含む集積回路装置であって、 前記チップの表面のうち前記パッドを除いた領域を封止
する樹脂と、前記パッドに接触して設けられた熱可塑性
または熱硬化性の導電ペースト層とを有することを特徴
とする集積回路装置。
1. An integrated circuit device including an IC chip on which an integrated circuit is formed and having a pad on the surface, wherein a resin for sealing a region of the surface of the chip excluding the pad and the pad are provided. An integrated circuit device having a thermoplastic or thermosetting conductive paste layer provided in contact with the conductive paste layer.
【請求項2】 前記導電ペースト層の外部露出面は、前
記パッドの表面の面積より大なることを特徴とする請求
項1記載の集積回路装置。
2. The integrated circuit device according to claim 1, wherein the exposed surface of the conductive paste layer is larger than the surface area of the pad.
【請求項3】 前記導電ペースト層の外部露出面は、所
定パターンを形成することを特徴とする請求項1または
2記載の集積回路装置。
3. The integrated circuit device according to claim 1, wherein the externally exposed surface of the conductive paste layer forms a predetermined pattern.
【請求項4】 前記導電ペースト層に含まれる導電材
は、銀及び/または銅であることを特徴する請求項1,
2または3に記載の集積回路装置。
4. The conductive material contained in the conductive paste layer is silver and / or copper.
2. The integrated circuit device according to 2 or 3.
【請求項5】 集積回路が形成され表面上にパッドを備
えたICチップを含む集積回路装置のパッケージング方
法であって、 前記チップの表面のうち前記パッドを除いた領域に樹脂
を形成する封止工程と、熱可塑性または熱硬化性の導電
ペーストを前記パッドに接触させて導電ペースト層を形
成するペースト付着工程とを有することを特徴とするパ
ッケージング方法。
5. A packaging method for an integrated circuit device including an IC chip having an integrated circuit formed thereon and having a pad on the surface, wherein a resin is formed on a region of the surface of the chip excluding the pad. A packaging method comprising: a stopping step; and a paste attaching step of forming a conductive paste layer by bringing a thermoplastic or thermosetting conductive paste into contact with the pad.
【請求項6】 前記封止工程は、前記パッドをマスクす
るマスク工程と、前記パッドがマスクされた状態で前記
樹脂を前記チップの表面に亘って積層形成する積層工程
と、前記樹脂の積層形成後に前記パッドのマスクを除去
するマスク除去工程とを有し、 前記ペースト付着工程は、前記マスクの除去後において
前記樹脂の表面上に前記導電ペーストを盛り、その盛ら
れた導電ペーストを、前記樹脂の表面においてスキージ
を摺動させることにより前記パッド上に敷き詰める埋込
工程を有することを特徴とする請求項5記載のパッケー
ジング工程。
6. The encapsulating step includes a mask step of masking the pad, a laminating step of laminating the resin over the surface of the chip with the pad masked, and a laminating step of the resin. And a mask removing step of removing the mask of the pad later, the paste attaching step, the conductive paste is deposited on the surface of the resin after removal of the mask, the conductive paste is the resin 6. The packaging step according to claim 5, further comprising an embedding step of spreading the pad on the pad by sliding a squeegee on the surface of the pad.
【請求項7】 前記導電ペースト層が形成された後にお
いて、前記樹脂の表面のうち少なくとも前記導電ペース
トの外部露出面を除く封止対象領域にさらに樹脂を形成
する第2封止工程と、前記樹脂の表面のうち前記封止対
象領域以外の導電対象領域において前記導電ペーストの
層をさらに形成する第2ペースト付着工程とを有するこ
とを特徴とする請求項6記載のパッケージング方法。
7. A second sealing step of further forming a resin in a sealing target region of the surface of the resin except at least an externally exposed surface of the conductive paste after the conductive paste layer is formed, 7. The packaging method according to claim 6, further comprising a second paste attaching step of further forming a layer of the conductive paste in a conductive target area other than the sealing target area on the surface of the resin.
【請求項8】 前記第2封止工程及び第2ペースト付着
工程を繰り返すことを特徴とする請求項7記載のパッケ
ージング方法。
8. The packaging method according to claim 7, wherein the second sealing step and the second paste attaching step are repeated.
【請求項9】 前記導電ペースト層の最終的な外部露出
面は、前記パッドの表面の面積より大なることを特徴と
する請求項5,6,7または8記載のパッケージング方
法。
9. The packaging method according to claim 5, wherein the final exposed surface of the conductive paste layer is larger than the surface area of the pad.
【請求項10】 前記導電ペースト層の最終的な外部露
出面は、所定パターンを形成することを特徴とする請求
項5ないし9のうちいずれか1つに記載のパッケージン
グ方法。
10. The packaging method according to claim 5, wherein the final external exposed surface of the conductive paste layer forms a predetermined pattern.
【請求項11】 前記導電ペースト層に含まれる導電材
は、銀及び/または銅であることを特徴する請求項5な
いし10のうちいずれか1つに記載のパッケージング方
法。
11. The packaging method according to claim 5, wherein the conductive material included in the conductive paste layer is silver and / or copper.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2006140525A (en) * 2006-01-10 2006-06-01 Dainippon Printing Co Ltd Semiconductor device mounter and its manufacturing method

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