JPH09318832A

JPH09318832A - 短パルス光源

Info

Publication number: JPH09318832A
Application number: JP8131953A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Tsuda; 裕之津田; Akira Hirano; 章平野; Tomoyoshi Kataoka; 智由片岡; Akihide Sano; 明秀佐野; Kazuo Hagimoto; 和男萩本
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date: 1996-05-27
Filing date: 1996-05-27
Publication date: 1997-12-12
Anticipated expiration: 2016-05-27
Also published as: JP3444464B2

Abstract

(57)【要約】【課題】パルス幅の安定した所望の光波形を出力する
短パルス光源を実現する。【解決手段】光共振器および共振器内に配置された光
利得媒質および共振器内に配置されたモードロック変調
器から構成されるモードロック型レーザを用いた短パル
ス光源である。この短パルス光源はモードロック型レー
ザの出力光を透過または反射する波長フィルタを具備し
ている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、短光パルス列を発
生する短パルス光源に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の技術を図４に示す。ここで、２０
１は光変調器、２０２はクロック発生器、２０３は利得
媒質、２０４は励起回路、２０５はミラーであり、モー
ドロック型レーザを構成している。２個のミラー２０５
より構成される光共振器の共振モード間隔にほぼ等しい
周波数（あるいはそのほぼ整数倍の周波数）のクロック
により光変調器２０１を駆動するとクロック周波数（あ
るいは整数倍の周波数）の光短パルス列を発生できるこ
とは公知の事実である。また、光共振器構成をリンク構
成とした別の従来技術を図５に示す。ここで、２０６は
光カップラ、２０７は希土類ドープファイバ、２０８は
ＷＤＭカップラ、２０９は励起光源、２１０は光終端器
（反射を極力抑えた終端器）、２１１は光アイソレー
タ、２１２は光フィルタ、２１３は光変調器、２１４は
クロック発生器、２１５は光ファイバ（２０７とは融着
接続されている）である。この従来の技術においても、
リング光共振器の共振モード間隔にほぼ等しい周波数
（あるいはそのほぼ整数倍の周波数）のクロックにより
光変調器２１３を駆動するとクロック周波数（あるいは
整数倍の周波数）の光短パルス列を発生できることは公
知の事実である。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
技術には以下のような問題点があった。

【０００４】（１）モードロック型レーザ構成の設計で
光波形（パルス幅）を設計することがほぼ不可能であ
る。これは、モードロック型レーザから発生される光パ
ルス波形（パルス幅）は利得媒質の利得スペクトル、共
振器の共振特性を反映して決定されるが、レーザの動作
は非線形な多モードのファンデルポール方程式で記述さ
れていて多くのパラメータを含み、解析が極めて困難で
あるからである。このため、モードロック型レーザは、
実測しない限り光パルス波形（パルス幅）が分からず、
多数のモードロック型レーザを製作し適当なものを選択
する必要があり、実用に供するためには問題があった。

【０００５】（２）また、光波形（パルス幅）が動作条
件に対して非線形に変動するので光波形（パルス幅）の
制御が困難である。

【０００６】本発明は、このような背景の下になされた
もので、光波形（パルス幅）の安定した所望の光波形
（パルス幅）を出力する短パルス光源を得ることを第一
の目的とする。また、光波形（パルス幅）の制御の容易
な短パルス光源を得ることを第二の目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による短パルス光源は、光共振器および共振
器内に配置された光利得媒質および共振器内に配置され
たモードロック変調器から構成されるモードロック型レ
ーザを用いた短パルス光源において、前記モードロック
型レーザの出力光を透過または反射する波長フィルタを
具備したことを特徴とする。

【０００８】ここで、前記波長フィルタの透過帯域の半
値全幅が前記モードロック型レーザの光スペクトルの包
絡線の半値全幅以下であることが好適である。

【０００９】前記波長フィルタの中心周波数の前記モー
ドロック型レーザの出力スペクトル中の最大強度のモー
ド周波数に対する離調が、前記出力スペクトルの包絡線
半値全幅の３倍以内であるとよい。

【００１０】さらに、複数の波長フィルタを具備するこ
とが好適である。

【００１１】前記波長フィルタが透過中心波長が可変で
ある波長フィルタであり、前記波長フィルタの光出力強
度を測定する光出力強度測定手段と、前記可変波長フィ
ルタの透過波長を制御するフィルタ制御手段とを具備す
るとよい。

【００１２】さらに、前記波長フィルタからの出力光パ
ルスのパルス形状を測定するパルス形状測定手段と、前
記可変波長フィルタの透過波長を制御するフィルタ制御
手段とを具備するとよい。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明の短パルス光源の一実施形
態は、光変調器と利得媒質およびそれらを挟む二つのミ
ラーからなる光共振器、利得媒質を励起する励起回路お
よび光変調器にクロック信号を入力するクロック発生器
を含むモードロック型レーザの出力光を透過する波長フ
ィルタを具えている。光スペクトルは主として波長フィ
ルタの透過スペクトルによって決定されるので、モード
ロック型レーザの光波形が多少変化しても短パルス光源
の出力波形はほとんど変化しない。モードロック型レー
ザは光共振器の構成をリング構成としたモードロック型
レーザでもよく、あるいはモードロック型半導体レーザ
でもよい。

【００１４】

【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例を説
明する。

【００１５】図１に本発明の第１の実施例を示す。初め
に実施例の構成について説明する。ここで、１０１は光
変調器、１０２はクロック発生器、１０３は利得媒質、
１０４は励起回路、１０５はミラーでこの部分はモード
ロック型レーザ（１１６）を構成している。１２０は光
アイソレータ、１２１は光フィルタ（波長フィルタ）で
ある。

【００１６】あるいは、図２に示すように、モードロッ
ク型レーザ１１６の代わりにリング構成モードロック型
レーザ（１１７）を用いても良い。ここで、１０６は光
カップラ、１０７は希土類ドープファバ、１０８はＷＤ
Ｍカップラ、１０９は励起光源、１１０は光終端器、１
１１は光アイソレータ、１１２は光フィルタ、１１３は
光変調器、１１４はクロック発生器、１１５は光ファイ
バである。

【００１７】また、図３に示すように、モードロック型
半導体レーザ（１１８）を用いることもできる。ここ
で、１２２はレンズ、１３０は電極、１３１はオーミッ
ク合金層、１３２はｎ−ＩｎＰ基板、１３３はフォトル
ミネッセンス波長が１．４９μｍのＩｎＧａＡｓＰ−歪
みＭＱＷ層、１３４はＩｎＰ層、１３５はフォトルミネ
ッセンス波長が１．５７μｍのＩｎＧａＡｓＰ−歪みＭ
ＱＷ層、１３６はポリイミド、１３７はｎ−ＩｎＰ層、
１３８はｎ−ＩｎＰクラッド層、１３９はｎ⁺−ＩｎＧ
ａＡｓＰコンタクト層、１４０Ａ，１４０Ｂは電極、１
４１は分離溝でコンタクト層とクラッド層の一部が削り
取られている。電極１４０Ａには図示しないクロック発
生器１０２からクロック信号が入力され、電極１４０
Ｂ，１３０には図示しない励起回路１０４から電圧が印
加される。高周波で駆動する側の端面には高反射コーテ
ィングがされている。モードロック型半導体レーザは、
光共振器が小型なのでクロック周波数と光共振器のモー
ド間隔を一致させて駆動できるのでジッタが少なく比較
的安定に短光パルス列を出力することができる。モード
ロック型半導体レーザ１１８の出力光は、図１および図
２に示した例と同様に光アイソレータ１２０を通して光
フィルタ１２１に導かれる。ＩｎＰ半導体をベースとす
る構成を示したが、ＧａＡｓ系など他の半導体をベース
とする構成でも良いことは言うまでもない。また、ＭＱ
ＷとしてＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ、ＩｎＰ／ＩｎＧ
ａＡｓＰ、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ等他のＭＱＷを用い
ても良いことは言うまでもない。

【００１８】光アイソレータ１２０は光フィルタ１２１
からの反射戻り光によりモードロック型レーザの動作が
不安定にならないように挿入される。また、モードロッ
ク型半導体レーザとして共振器構造がファブリペロー型
の構成を示したが、ＤＢＲ型、ＤＦＢ型、リング型の共
振器構造を用いても良いことは言うまでもない。

【００１９】次に実施例の動作について説明する。

【００２０】従来の技術の項で述べたように素子設計段
階でモードロック型レーザの光出力波形（パルス幅）を
決定することはできない。しかしながら、動作条件を選
べば各モードの位相関係を揃えて、トランスフォームリ
ミテッドないしほぼトランスフォームリミテッドとみな
せる光出力波形（パルス幅）を得ることが可能である。
光電界（振幅、位相）と光周波数（振幅、位相）は互い
にフーリエ変換の関係で結びついているが、一般には光
出力波形（パルス幅）と光スペクトルは１：１に対応し
ない。特別な場合として、トランスフォームリミテッド
な光出力波形の場合は、光電界に位相変調がかかってい
ないので光出力波形（パルス幅）と光スペクトルはフー
リエ変換で結びつけられ、１：１に対応する。この場合
には光スペクトルを周波数領域で制御するとこれに対応
して光出力波形（パルス幅）を制御することが可能であ
る。モードロック型レーザが完全にトランスフォームリ
ミテッドでない場合には、不完全さに応じて光スペクト
ルの制御に対する光出力波形（パルス幅）の制御性が低
下する。

【００２１】図６にモードロック型レーザの出力光の光
スペクトルの一例を示す。ここで、Δｆ_mをモード周波
数間隔、Δｆ_sを光スペクトルの半値全幅、ｍ_i（ｉ＝
…，−２，−１，０，１，２，…）をモード番号（０番
を最大モード）とする。Δｆ_mは、モードロック型レー
ザのクロック発生器のクロック周波数に等しい。図７に
対応する光波形を示す。ｔ_rは繰り返し周期でΔｆ_mの
逆数、Δｔはパルス幅である。トランスフォームリミテ
ッドで光波形がｓｅｃｈ²型である場合、ΔｔとΔｆ_s
は次式を満たす。

【００２２】

【数１】 Δｔ×Δｆ_s＝０．３１５（１）すなわち、Δｆ_sを制御することでΔｔを制御すること
ができる。

【００２３】図８に同じ光パルス列を光フィルタを通し
た場合の、パルス幅の光フィルタ半値幅依存性を示す。
Δｆ_sは１６０ＧＨｚと仮定している。このとき、光フ
ィルタの中心周波数は光スペクトルの中心周波数と一致
しているとする。光フィルタの半値全幅が光スペクトル
の半値全幅より大きい場合、フィルタ透過に際して光ス
ペクトルがほとんど変化しないので光波形（パルス幅）
も変化が少ない。光フィルタの半値全幅が光スペクトル
の半値全幅より小さい場合、光スペクトルは主として光
フィルタの透過スペクトルによって決定されるので光波
形（パルス幅）は大きく広がる。光波形（パルス幅）は
主として光フィルタにより決定される。このため、モー
ドロック型レーザの光波形が多少変化しても本実施例の
短パルス光源の出力波形はほとんど変化しない。モード
ロック型レーザの光出力がトランスフォームリミテッド
になっていない場合、（１）式は、

【００２４】

【数２】 Δｔ×Δｆ_s＞０．３１５（２）となり、同じスペクトル形状が必ずしも同じ光波形（パ
ルス幅）には対応することはない。しかしながら、モー
ドロック型レーザの光出力の光スペクトルを操作するこ
とである程度光波形（パルス幅）を制御することが可能
である。また、この場合にも、光波形（パルス幅）は主
として光フィルタにより決定される。このため、モード
ロック型レーザの光波形が多少変化しても本実施例の短
パルス光源の出力波形はほとんど変化しない。

【００２５】図９にはΔｆ_sが６６ＧＨｚ、Δｆ_mが１
９．１ＧＨｚ、パルス幅が７．１ｐｓの半導体モードロ
ック型レーザの出力光を光フィルタを透過させた後のパ
ルス幅を（○印）示す。実線がトランスフォームリミテ
ッドの場合の理論曲線である。出力光はトランスフォー
ムリミテッドではないが、フィルタを透過させることで
パルス幅を７．１ｐｓ（フィルタ無し）から１０．０ｐ
ｓまで制御することができた。

【００２６】本実施例の構成では、上記の動作の仕組み
に鑑み、光フィルタの透過帯域の半値全幅はモードロッ
ク型レーザの光スペクトルの半値全幅より小さく設定さ
れる。光フィルタとしては誘電体多層膜を用いた干渉フ
ィルタを用いている。ファイバ中にファブリペロー型の
共振器を構成したフィルタ、ロッドレンズ内にファブリ
ペロー型の共振器を構成したフィルタなど、同様のロー
レンツ型の透過特性を持つフィルタを用いることができ
ることは言うまでもない。

【００２７】本発明の第２の実施例を図１０および図１
１に示す。

【００２８】光ファイバ中にグレーティングを形成した
ファイバグレーティング５０２を波長フィルタとして用
いた点が第１の実施例と異なる。ファイバグレーティン
グを用いると干渉フィルタよりも反射（透過）スペクト
ルが矩形に近い。このため、短パルス光源の光スペクト
ル（すなわち光波形）はモードロック型レーザの光スペ
クトルよりも光フィルタの反射（透過）スペクトルで決
定される。以上の理由でモードロック型レーザの光出力
変動を押さえる観点からはファイバグレーティングの方
が望ましい。しかしながら、構成はやや複雑になる。図
１０（ａ）に示したのは反射型の構成で、５００は図
１，図２または図３に示したモードロック型レーザであ
り、光サーキュレータ５０１でファイバグレーティング
５０２からの反射光を取り出す構成である。図１０
（ｂ）にファイバグレーティング５０２の反射率の周波
数特性を示す。

【００２９】図１１（ａ）に示したのは透過型の構成で
不必要なスペクトル成分をファイバ外に反射するファイ
バグレーティング（５０３，５０４）を用いる構成であ
る。図１１（ｂ）および図１１（ｃ）にファイバグレー
ティング５０３およびファイバグレーティング５０４の
透過率の周波数特性を示す。ファイバグレーティング５
０３と５０４は一体化できることは言うまでもない。ま
た、ファイバグレーティングの個数を３個以上としても
良いことは言うまでもない。反射光をファイバ内に出力
するファイバグレーティング５０２と同様のファイバグ
レーティングを用いる場合には、ファイバグレーティン
グ間にさらに別の光アイソレータを挿入する。また、光
アイソレータの性能が高いものを用いる必要がある。

【００３０】本発明の第３の実施例はフィルタの透過
（反射）帯域の中心周波数をモードロック型レーザの中
心周波数（最大モードの周波数）から離調した短パルス
光源である。この場合、最大のモードが抑圧されるので
光スペクトルの包絡線の半値全幅が増大する。すなわ
ち、モードロック型レーザの光出力のパルス幅を制御す
るだけでなく、さらに低減することが可能である。

【００３１】図１２に前述のモードロック型レーザ（Δ
ｆ_sが６６ＧＨｚ、Δｆ_mが１９．１ＧＨｚが７．１ｐ
ｓの半導体モードロック型レーザ）の出力光を半値全幅
が５１ＧＨｚのフィルタを透過させた場合のパルス幅の
離調依存性を測定した結果を示す。測定結果が示すよう
に元々のパルス幅（７．１ｐｓ）よりも短いパルスを得
ることが可能である。出力スペクトル中の最大強度のモ
ード周波数に対する離調は通常出力スペクトルの包絡線
半値全幅の２倍以内設定される。例えば、スペクトルの
包絡線形状がローレンツ型であれば、包絡線半値全幅の
３倍の離調における包絡線上のスペクトル強度はピーク
スペクトル強度の値よりも約１６ｄＢ低い。波長１．５
μｍ帯において光増幅器を用いて増幅する場合にＳ／Ｎ
の観点から１ビット当たり１ｆＪ程度の光強度が必要で
ある。離調を３倍以内にしなければならない理由は、一
般に半導体レーザのファイバ光出力は１ｍＷであるの
で、２０ＧＨｚの信号に対して１ビット当りのエネルギ
ーは５０ｆＪなので、フィルタによる損失はＳ／Ｎ制限
に近づき、短パルス光の品質が悪くなるからである。ま
た、中心から離れているモードはレーザ内の非線形効
果、分散等により十分に位相関係が揃っていない場合が
あるため、短パルス光がモードロック状態とならなくな
るからである。

【００３２】本発明の第４の実施例を図１３に示す。本
実施例の特徴は複数のファブリペロー型光フィルタを用
いる点である。ここで、７００は図１，図２または図３
に示したモードロック型レーザであり、７０１は光アイ
ソレータ、７０２は光フィルタ、７０３は光フィルタで
ある。この場合には以下のような利点がある。第１に１
段のフィルタでは不可能な狭帯域の透過特性、あるいは
矩形に近い透過特性を得ることができる点である。これ
は、ファブリペロー型光フィルタの透過特性の半値幅お
よび最大透過率はある程度素子設計で可変であるが、透
過スペクトルの関数型は設計パラメータで変更できない
からである。また、同じ半値幅を得るために一つのフィ
ルタで構成するよりも多段に構成する方が要求されるミ
ラーの反射率、基板精度等が緩和されるからである。第
２の利点は複数のフィルタの中心波長・帯域を適当に設
定してモードロック型の光スペクトルの加工を柔軟に行
うことが可能であることである。すなわち、光出力波形
（パルス幅）の制御性が高まる。反射が大きいフィルタ
を用いる場合には光フィルタ７０２と７０３の間にも光
アイソレータが挿入される。また、同一フィルタ内に複
数のファブリペロー型共振器を構成する多数キャビティ
型のフィルタを用いても良いことは言うまでもない。

【００３３】本発明の第５の実施例を図１４および図１
５に示す。本実施例では少なくとも１台の光フィルタを
可変波長光フィルタとしたことを特徴とする短パルス光
源である。図１４に示す構成では可変波長フィルタの離
調を制御することでパルス幅を制御する構成である。８
００は図１，図２または図３に示したモードロック型レ
ーザであり、８０１は光アイソレータ、８０２が可変波
長フィルタ、８０４が可変波長フィルタ制御装置であ
る。図１５（ａ）に示す構成では二つの可変波長フィル
タ８０２，８０３を用いることで出力スペクトルの中心
周波数を一定に保つ構成である。二つの可変波長フィル
タの中心周波数は、図１５（ｂ）に示すように、モード
ロック型レーザの中心周波数から中心周波数より低い側
と高い側に同じだけ離調（Δｆ_x）するように制御され
る。モードロック型レーザの光スペクトルが非対称の場
合は、それに応じて出力スペクトルが対称になるように
するため、二つの可変波長フィルタの離調は異なる。一
つのフィルタしか使用しない場合に比較して、モードロ
ック型の光スペクトルの中心部分を有効に用いることが
できるので、同じ光スペクトル幅を得る場合でもＳ／Ｎ
を高くすることが可能である。また、出力光スペクトル
も一定以上のＳ／Ｎを得る条件で広くすることが可能
で、一層の短パルス化が可能である。

【００３４】本発明の第６の実施例を図１６に示す。本
実施例では可変波長光フィルタの透過光出力を常に最大
に保つように可変波長フィルタの中心周波数が制御され
る。ここで、９００は図１，図２または図３に示したモ
ードロック型レーザであり、９０１は光アイソレータ、
９０２は可変波長フィルタ、９０３は光分岐素子、９０
４は光パワーメータ、９０５は可変波長フィルタ制御装
置である。具体的な制御方法としては、遅い周波数（〜
Ｈｚ）で微小にフィルタの中心周波数を変調して光パワ
ーメータからの光出力強度変動をロックイン検出し、変
動が最小になるようにフィルタの中心周波数を制御す
る。この構成では、モードロック型レーザの光出力の変
動に対する短パルス光源の光出力波形（パルス幅）変動
をさらに低減することが可能である。

【００３５】本発明の第７の実施例を図１７に示す。本
実施例は第５の実施例にパルス幅測定手段を付加したも
のである。ここで、１０００は図１，図２または図３に
示したモードロック型レーザであり、１００１は光アイ
ソレータ、１００２および１００３は可変波長フィル
タ、１００４は光分岐素子、１００５はオートコリレー
タ（自己相関波形計測装置：パルス幅が非同期で測定可
能な装置）、１００６はフィルタ制御装置である。本実
施例では、パルス幅を常時測定し、パルス幅の変動が最
小になるように可変波長フィルタが制御される。第６の
実施例と異なるのは直接にパルス幅を測定するので、短
パルスがトランスフォームリミテッドでない場合にも、
所望のパルス幅の短パルス列を安定に得ることが可能で
ある点である。

【００３６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
所望の光波形（パルス幅）の短光パルス列を発生するこ
とが可能である。また、内蔵されるモードロック型レー
ザの変動に対して耐力のある短パルス光源である。さら
に、半導体モードロック型レーザを用いれば小型にモジ
ュール化できるため、取扱も容易となるとともに、他の
装置への組み込みも可能となるなどの利点があり、高速
の光信号処理装置、伝送装置等に使用することができ
る。

【００３７】短パルス光源を伝送装置の光源に用いる場
合、パルス幅が変化すると伝送路中での非線形効果によ
るパルス形状の変化の度合いも変化する。すなわち、パ
ルス幅の変化によって波形の変化が生じて伝送システム
の設計のマージンが減少する。本発明により安定なパル
ス幅の光源を構成すれば、伝送システムの設計が容易に
なり、超大容量・超スパンの伝送システムを構築するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のモードロック型レーザを用いた第１の
実施例の説明図である。

【図２】本発明のリング構成モードロック型レーザを用
いた第１の実施例の説明図である。

【図３】本発明のモードロック型半導体レーザを用いた
第１の実施例の説明図である。

【図４】従来技術の説明図である。

【図５】従来技術の説明図である。

【図６】本発明の第１の実施例の説明図である。

【図７】本発明の第１の実施例の説明図である。

【図８】本発明の第１の実施例の説明図である。

【図９】パルス幅の光フィルタ半値全幅依存性測定結果
を示す特性図である。

【図１０】本発明の第２の実施例の説明図である。

【図１１】本発明の第２の実施例の説明図である。

【図１２】パルス幅の光フィルタ離調依存性測定結果を
示す特性図である。

【図１３】本発明の第４の実施例の説明図である。

【図１４】本発明の第５の実施例の説明図である。

【図１５】本発明の第５の実施例の説明図である。

【図１６】本発明の第６の実施例の説明図である。

【図１７】本発明の第７の実施例の説明図である。

【符号の説明】

１０１光変調器１０２クロック発生器１０３利得媒質１０４励起回路１０５ミラー１０６光カップラ１０７希土類ドープファイバ１０８ＷＤＭカップラ１０９励起光源１１０光終端器１１１光アイソレータ１１２光フィルタ１１３光変調器１１４クロック発生器１１５光ファイバ１１６モードロック型レーザ１１７リング構成モードロック型レーザ１１８モードロック型半導体レーザ１２０光アイソレータ１２１光フィルタ１２２レンズ１３０電極１３１オーミック合金層１３２ｎ−ＩｎＰ基板１３３ＩｎＧａＡｓＰ−歪みＭＱＷ層１３４ＩｎＰ層１３５ＩｎＧａＡｓＰ−歪みＭＱＷ層１３６ポリイミド１３７ｎ−ＩｎＰ層１３８ｎ−ＩｎＰクラッド層１３９ｎ⁺−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１４０電極１４１分離溝２０１光変調器２０２クロック発生器２０３利得媒質２０４励起回路２０５ミラー２０６光カップラ２０７希土類ドープファイバ２０８ＷＤＭカップラ２０９励起光源２１０光終端器２１１光アイソレータ２１２光フィルタ２１３光変調器２１４クロック発生器２１５光ファイバ５００モードロック型レーザ５０１光サーキュレータ５０２ファイバグレーティング５０３ファイバグレーティング５０４ファイバグレーティング７００モードロック型レーザ７０１光アイソレータ７０２光フィルタ７０３光フィルタ８００モードロック型レーザ８０１光アイソレータ８０２可変波長フィルタ８０３可変波長フィルタ８０４可変波長フィルタ制御装置９００モードロック型レーザ９０１光アイソレータ９０２可変波長フィルタ９０３光分岐素子９０４光パワーメータ９０５可変波長フィルタ制御装置１０００モードモック型レーザ１００１光アイソレータ１００２可変波長フィルタ１００３可変波長フィルタ１００４光分岐素子１００５オートコリレータ１００６フィルタ制御装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｓ 3/07 Ｈ０１Ｓ 3/07 3/098 3/098 3/10 3/10 Ａ 3/18 3/18 (72)発明者佐野明秀東京都新宿区西新宿三丁目19番２号日本電信電話株式会社内 (72)発明者萩本和男東京都新宿区西新宿三丁目19番２号日本電信電話株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光共振器および共振器内に配置された光
利得媒質および共振器内に配置されたモードロック変調
器から構成されるモードロック型レーザを用いた短パル
ス光源において、前記モードロック型レーザの出力光を透過または反射す
る波長フィルタを具備したことを特徴とする短パルス光
源。
【請求項２】前記波長フィルタの透過帯域の半値全幅
が前記モードロック型レーザの光スペクトルの包絡線の
半値全幅以下であることを特徴とする請求項１に記載の
短パルス光源。
【請求項３】前記波長フィルタの中心周波数の前記モ
ードロック型レーザの出力スペクトル中の最大強度のモ
ード周波数に対する離調が、前記出力スペクトルの包絡
線半値全幅の３倍以内であることを特徴とする請求項１
または２に記載の短パルス光源。
【請求項４】複数の波長フィルタを具備することを特
徴とする請求項１から３のいずれかに記載の短パルス光
源。
【請求項５】前記波長フィルタが透過中心波長が可変
である波長フィルタであり、前記波長フィルタの光出力強度を測定する光出力強度測
定手段と、前記可変波長フィルタの透過波長を制御するフィルタ制
御手段とを具備することを特徴とする請求項１から４の
いずれかに記載の短パルス光源。
【請求項６】前記波長フィルタからの出力光パルスの
パルス形状を測定するパルス形状測定手段と、前記可変波長フィルタの透過波長を制御するフィルタ制
御手段とを具備することを特徴とする請求項１から５の
いずれかに記載の短パルス光源。