JPH09312279A - 半導体装置の製造方法及びその半導体製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及びその半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH09312279A JPH09312279A JP12618896A JP12618896A JPH09312279A JP H09312279 A JPH09312279 A JP H09312279A JP 12618896 A JP12618896 A JP 12618896A JP 12618896 A JP12618896 A JP 12618896A JP H09312279 A JPH09312279 A JP H09312279A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- storage elevator
- chamber
- wafer
- processing
- section
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】床の占有面積を有効に利用して、省フットプリ
ント化、コストの低減化を図ることができるとともに、
エッチング処理のスループットの向上を図り得る半導体
装置の製造方法及びその半導体製造装置を提供する。 【解決手段】 マルチチャンバー方式のエッチング装置
を用いた半導体装置の製造方法において、カセットから
ウエハをストレージエレベータ下部１３へロードする工
程と、ストレージエレベータ部、ローダ部の真空引きを
行う工程と、前記ロードされたウエハを処理チャンバー
へ送り、第１の処理を行う工程と、この第１の処理中に
ストレージエレベータ部、ローダ部を大気状態にし、次
に処理すべきウエハをストレージエレベータ下部１３へ
ロードし、真空引きする工程と、前記第１の処理済のウ
エハをストレージエレベータ上部１２へロードするとと
もに、ストレージエレベータ下部１３へロードさせた次
に処理すべきウエハを前記処理チャンバーへロードする
工程と、前記ストレージエレベータ上部１２へロードさ
れたウエハを上昇させ、ストレージエレベータ部におい
て第２の処理を行うようにしたものである。
ント化、コストの低減化を図ることができるとともに、
エッチング処理のスループットの向上を図り得る半導体
装置の製造方法及びその半導体製造装置を提供する。 【解決手段】 マルチチャンバー方式のエッチング装置
を用いた半導体装置の製造方法において、カセットから
ウエハをストレージエレベータ下部１３へロードする工
程と、ストレージエレベータ部、ローダ部の真空引きを
行う工程と、前記ロードされたウエハを処理チャンバー
へ送り、第１の処理を行う工程と、この第１の処理中に
ストレージエレベータ部、ローダ部を大気状態にし、次
に処理すべきウエハをストレージエレベータ下部１３へ
ロードし、真空引きする工程と、前記第１の処理済のウ
エハをストレージエレベータ上部１２へロードするとと
もに、ストレージエレベータ下部１３へロードさせた次
に処理すべきウエハを前記処理チャンバーへロードする
工程と、前記ストレージエレベータ上部１２へロードさ
れたウエハを上昇させ、ストレージエレベータ部におい
て第２の処理を行うようにしたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
係り、特にマルチチャンバー方式の半導体製造装置のロ
ーダ部をアッシング室として利用する方法及びその製造
装置に関するものである。
係り、特にマルチチャンバー方式の半導体製造装置のロ
ーダ部をアッシング室として利用する方法及びその製造
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、特開平４−１７４５１１号公報に示すようなも
のがあった。一般に、従来のマルチチャンバー方式のエ
ッチング装置（半導体製造装置）は、２〜４チャンバー
の処理室を有しており、それぞれの目的にあった処理を
行っている。４チャンバー（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄとする）の
メタルエッチング装置の場合は、エッチングチャンバー
２室とアッシングチャンバー２室の組み合わせとなり、
３チャンバー（Ａ、Ｂ、Ｃ）の場合には、エッチングチ
ャンバー２室とアッシングチャンバー１室という構成で
あった。
例えば、特開平４−１７４５１１号公報に示すようなも
のがあった。一般に、従来のマルチチャンバー方式のエ
ッチング装置（半導体製造装置）は、２〜４チャンバー
の処理室を有しており、それぞれの目的にあった処理を
行っている。４チャンバー（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄとする）の
メタルエッチング装置の場合は、エッチングチャンバー
２室とアッシングチャンバー２室の組み合わせとなり、
３チャンバー（Ａ、Ｂ、Ｃ）の場合には、エッチングチ
ャンバー２室とアッシングチャンバー１室という構成で
あった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の構成のマルチチャンバー方式のエッチング装置
では、 （１）上記エッチング装置が４チャンバーの場合、エッ
チングチャンバー２室とアッシングチャンバー２室の構
成になるため、床の占有面積が大きく（フットプリント
大）、１台の装置に５台の真空ポンプが必要なため、コ
ストが高くなり、メンテナンス上問題である。
た従来の構成のマルチチャンバー方式のエッチング装置
では、 （１）上記エッチング装置が４チャンバーの場合、エッ
チングチャンバー２室とアッシングチャンバー２室の構
成になるため、床の占有面積が大きく（フットプリント
大）、１台の装置に５台の真空ポンプが必要なため、コ
ストが高くなり、メンテナンス上問題である。
【０００４】（２）上記エッチング装置が３チャンバー
の場合、エッチングチャンバー２室とアッシングチャン
バー１室の構成になるため、アッシングチャンバーが処
理律速となり、処理能力が著しく低下する。等の問題点
があった。本発明は、上記問題点を除去し、床の占有面
積を有効に利用して、省フットプリント化、コストの低
減化を図ることができるとともに、エッチング処理のス
ループットの向上を図り得る半導体装置の製造方法及び
その半導体製造装置を提供することを目的とする。
の場合、エッチングチャンバー２室とアッシングチャン
バー１室の構成になるため、アッシングチャンバーが処
理律速となり、処理能力が著しく低下する。等の問題点
があった。本発明は、上記問題点を除去し、床の占有面
積を有効に利用して、省フットプリント化、コストの低
減化を図ることができるとともに、エッチング処理のス
ループットの向上を図り得る半導体装置の製造方法及び
その半導体製造装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕マルチチャンバー方式のエッチング装置を用いた
半導体装置の製造方法において、カセットからウエハを
ストレージエレベータ下部へロードする工程と、ストレ
ージエレベータ部、ローダ部の真空引きを行う工程と、
前記ロードされたウエハを処理チャンバーへ送り、第１
の処理を行う工程と、この第１の処理中にストレージエ
レベータ部、ローダ部を大気状態にし、次に処理すべき
ウエハをストレージエレベータ下部へロードし、真空引
きする工程と、前記第１の処理済のウエハをストレージ
エレベータ上部へロードするとともに、前記ストレージ
エレベータ下部へロードされた、次に処理すべきウエハ
を前記処理チャンバーへロードする工程と、前記ストレ
ージエレベータ上部へロードされたウエハを上昇させ、
前記ストレージエレベータ部において第２の処理を行う
ようにしたものである。
成するために、 〔１〕マルチチャンバー方式のエッチング装置を用いた
半導体装置の製造方法において、カセットからウエハを
ストレージエレベータ下部へロードする工程と、ストレ
ージエレベータ部、ローダ部の真空引きを行う工程と、
前記ロードされたウエハを処理チャンバーへ送り、第１
の処理を行う工程と、この第１の処理中にストレージエ
レベータ部、ローダ部を大気状態にし、次に処理すべき
ウエハをストレージエレベータ下部へロードし、真空引
きする工程と、前記第１の処理済のウエハをストレージ
エレベータ上部へロードするとともに、前記ストレージ
エレベータ下部へロードされた、次に処理すべきウエハ
を前記処理チャンバーへロードする工程と、前記ストレ
ージエレベータ上部へロードされたウエハを上昇させ、
前記ストレージエレベータ部において第２の処理を行う
ようにしたものである。
【０００６】〔２〕上記〔１〕記載の半導体装置の製造
方法において、前記第１の処理をエッチング処理、前記
第２の処理をアッシャ処理とするようにしたものであ
る。 〔３〕上記〔１〕記載の半導体装置の製造方法におい
て、前記第１の処理を等方性エッチング処理、前記第２
の処理をエッチング処理とするようにしたものである。
方法において、前記第１の処理をエッチング処理、前記
第２の処理をアッシャ処理とするようにしたものであ
る。 〔３〕上記〔１〕記載の半導体装置の製造方法におい
て、前記第１の処理を等方性エッチング処理、前記第２
の処理をエッチング処理とするようにしたものである。
【０００７】〔４〕上記〔１〕記載の半導体装置の製造
方法において、前記第１の処理をエッチング処理、前記
第２の処理をライトエッチング処理とするようにしたも
のである。 〔５〕マルチチャンバー方式のエッチング装置におい
て、第１の処理を行う複数のチャンバーと、ローダ部
と、第２の処理を行うチャンバーを有するストレージエ
レベータ部と、このストレージエレベータ部に昇降可能
な仕切り板によって分離されたストレージエレベータ上
部とストレージエレベータ下部を設けるようにしたもの
である。
方法において、前記第１の処理をエッチング処理、前記
第２の処理をライトエッチング処理とするようにしたも
のである。 〔５〕マルチチャンバー方式のエッチング装置におい
て、第１の処理を行う複数のチャンバーと、ローダ部
と、第２の処理を行うチャンバーを有するストレージエ
レベータ部と、このストレージエレベータ部に昇降可能
な仕切り板によって分離されたストレージエレベータ上
部とストレージエレベータ下部を設けるようにしたもの
である。
【０００８】〔６〕上記〔５〕記載のマルチチャンバー
方式のエッチング装置において、前記ストレージエレベ
ータ上部とストレージエレベータ下部に少数枚数のウエ
ハを搭載するようにしたものである。上記のように構成
したので、 （Ａ）従来のマルチチャンバー方式のエッチング装置の
搬送用バッファ部（ストレージエレベータ部）をアッシ
ング室やエッチング室として有効利用することができ、
省フットプリント、高スループットが可能になる。
方式のエッチング装置において、前記ストレージエレベ
ータ上部とストレージエレベータ下部に少数枚数のウエ
ハを搭載するようにしたものである。上記のように構成
したので、 （Ａ）従来のマルチチャンバー方式のエッチング装置の
搬送用バッファ部（ストレージエレベータ部）をアッシ
ング室やエッチング室として有効利用することができ、
省フットプリント、高スループットが可能になる。
【０００９】（Ｂ）ストレージエレベータ部を用いて、
ウエハの処理シーケンスを変えることにより、様々なウ
エハの連続エッチングが可能である。
ウエハの処理シーケンスを変えることにより、様々なウ
エハの連続エッチングが可能である。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の
第１実施例を示すマルチチャンバー方式のエッチング装
置の概略図である。図１において、チャンバーＡ３，Ｂ
４，Ｃ５，Ｄ６は処理室で、それぞれ同条件でウエハの
処理を行う。つまり、ウエハ４枚の一括処理を行う。ロ
ーダ部１、ストレージエレベータ部２は大気と真空を繰
り返す。ローダ部１のアームにより、大気中にあるカセ
ットＡ７、カセットＢ８からウエハをストレージエレベ
ータ部２（真空引き）→チャンバー→ストレージエレベ
ータ部２（アッシャ）（大気に戻す）→カセットへと移
動する。
て図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の
第１実施例を示すマルチチャンバー方式のエッチング装
置の概略図である。図１において、チャンバーＡ３，Ｂ
４，Ｃ５，Ｄ６は処理室で、それぞれ同条件でウエハの
処理を行う。つまり、ウエハ４枚の一括処理を行う。ロ
ーダ部１、ストレージエレベータ部２は大気と真空を繰
り返す。ローダ部１のアームにより、大気中にあるカセ
ットＡ７、カセットＢ８からウエハをストレージエレベ
ータ部２（真空引き）→チャンバー→ストレージエレベ
ータ部２（アッシャ）（大気に戻す）→カセットへと移
動する。
【００１１】図２は本発明の第１実施例を示すストレー
ジエレベータ部（アッシャ装置を兼ねる）の断面図であ
る。図２において、１１はセラミック製の仕切り板であ
り、ストレージエレベータ上部、下部を電気的に分離す
るようにしている。１２はアルミニウム製のストレージ
エレベータ上部であり、ウエハ１４が多段に搭載されて
いる。また、１３はアルミニウム製のストレージエレベ
ータ下部であり、ストレージエレベータ上部と同様に、
ウエハ１４が多段に搭載されている。
ジエレベータ部（アッシャ装置を兼ねる）の断面図であ
る。図２において、１１はセラミック製の仕切り板であ
り、ストレージエレベータ上部、下部を電気的に分離す
るようにしている。１２はアルミニウム製のストレージ
エレベータ上部であり、ウエハ１４が多段に搭載されて
いる。また、１３はアルミニウム製のストレージエレベ
ータ下部であり、ストレージエレベータ上部と同様に、
ウエハ１４が多段に搭載されている。
【００１２】１５はセラミック製の台座であり、アース
された円筒形の内部電極１６を備えている。また、台座
１５には排気口１８が設けられ、仕切り板１１と台座１
５間にはＯリング１７が設けられている。１９はチャン
バーであり、このチャンバー１９の回りには、ＲＦ（１
３．５６ＭＨｚ）を印加する円筒形の外部電極２１が設
置されている。また、チャンバー１９の上部にはガス導
入口２０が形成され、台座１５とチャンバー１９間には
Ｏリング２２が設けられている。なお、Ｄは仕切り板の
駆動範囲、２３はウエハの搬送アームを示している。
された円筒形の内部電極１６を備えている。また、台座
１５には排気口１８が設けられ、仕切り板１１と台座１
５間にはＯリング１７が設けられている。１９はチャン
バーであり、このチャンバー１９の回りには、ＲＦ（１
３．５６ＭＨｚ）を印加する円筒形の外部電極２１が設
置されている。また、チャンバー１９の上部にはガス導
入口２０が形成され、台座１５とチャンバー１９間には
Ｏリング２２が設けられている。なお、Ｄは仕切り板の
駆動範囲、２３はウエハの搬送アームを示している。
【００１３】上記した装置の上部をアッシャとして使用
する。上記したように、ストレージエレベータ上部と下
部は台座１５と仕切り板１１で絶縁されている。上部の
アッシャは通常の同軸タイプのアッシャであり、チャン
バー１９内部にアースされた円筒形の内部電極１６を備
えている。チャンバー１９の回りにはＲＦ（１３．５６
ＭＨｚ）を印加する円筒形の外部電極２１が設置してあ
り、チャンバー１９の上部のガス導入口２０からガス
（Ｏ2 メイン、添加ガス：Ｈ2 Ｏ、Ｎ2 、Ｎ2 Ｏ、Ｈ2
等）が導入され、チャンバー１９の下部の排気口１８か
ら真空ポンプにより排気される。
する。上記したように、ストレージエレベータ上部と下
部は台座１５と仕切り板１１で絶縁されている。上部の
アッシャは通常の同軸タイプのアッシャであり、チャン
バー１９内部にアースされた円筒形の内部電極１６を備
えている。チャンバー１９の回りにはＲＦ（１３．５６
ＭＨｚ）を印加する円筒形の外部電極２１が設置してあ
り、チャンバー１９の上部のガス導入口２０からガス
（Ｏ2 メイン、添加ガス：Ｈ2 Ｏ、Ｎ2 、Ｎ2 Ｏ、Ｈ2
等）が導入され、チャンバー１９の下部の排気口１８か
ら真空ポンプにより排気される。
【００１４】ストレージエレベータの上部１２はアルミ
ニウム製であり、アルミナコートの有無は関係ない。ウ
エハ１４間は広く、４枚の少数バッチなのでエッチレー
トは極めて高い。アッシングの方式としてはヘリカル等
も単純な構造なので適用可能である。以下、この実施例
の動作について図１及び図２を参照しながら説明する。
ニウム製であり、アルミナコートの有無は関係ない。ウ
エハ１４間は広く、４枚の少数バッチなのでエッチレー
トは極めて高い。アッシングの方式としてはヘリカル等
も単純な構造なので適用可能である。以下、この実施例
の動作について図１及び図２を参照しながら説明する。
【００１５】まず、カセットＡ７またはカセットＢ８か
ら、ウエハ１４を４枚ストレージエレベータ下部１３へ
ロードする。次に、ストレージエレベータ部２、ローダ
部１の真空引きを行い、その後、４枚のウエハ１４は、
次々にチャンバーＡ〜Ｄへ送られ、処理が実施される。
この処理中にストレージエレベータ部２、ローダ部１は
大気状態になり、次の４枚のウエハ１４をストレージエ
レベータ下部１３へロードし、真空引きする。各チャン
バーの４枚のウエハ１４は、ストレージエレベータ上部
１２へロードされ、次にストレージエレベータ下部１３
の４枚のウエハ１４はチャンバーＡ〜Ｄへロードされ
る。
ら、ウエハ１４を４枚ストレージエレベータ下部１３へ
ロードする。次に、ストレージエレベータ部２、ローダ
部１の真空引きを行い、その後、４枚のウエハ１４は、
次々にチャンバーＡ〜Ｄへ送られ、処理が実施される。
この処理中にストレージエレベータ部２、ローダ部１は
大気状態になり、次の４枚のウエハ１４をストレージエ
レベータ下部１３へロードし、真空引きする。各チャン
バーの４枚のウエハ１４は、ストレージエレベータ上部
１２へロードされ、次にストレージエレベータ下部１３
の４枚のウエハ１４はチャンバーＡ〜Ｄへロードされ
る。
【００１６】その後、仕切り板１１が上部に上がり、処
理済４枚のウエハ１４のアッシングを行う。アッシング
が終わると、仕切り板１１が下がり、大気状態になり、
アッシング後のウエハをカセットＡ，Ｂへ戻し、次の４
枚のウエハはストレージエレベータ下部１３へロードさ
れ真空引きされる。アッシングレートが十分に速いた
め、エッチング処理中にアッシング及び搬送が行われる
ため、律速にはならない。
理済４枚のウエハ１４のアッシングを行う。アッシング
が終わると、仕切り板１１が下がり、大気状態になり、
アッシング後のウエハをカセットＡ，Ｂへ戻し、次の４
枚のウエハはストレージエレベータ下部１３へロードさ
れ真空引きされる。アッシングレートが十分に速いた
め、エッチング処理中にアッシング及び搬送が行われる
ため、律速にはならない。
【００１７】以上のような構成にすることにより、省フ
ットプリント、高スループットが可能になる。すなわ
ち、従来の方法では、図１に示した（１）Ａ、Ｂ、Ｃが
処理室、Ｄがアッシャ、（２）または、Ａ、Ｂが処理
室、Ｃがアッシャ、Ｄはなし、（３）Ａ、Ｂが処理室、
Ｃ、Ｄがアッシャの場合が考えられるが、本発明によれ
ば、フットプリントは変わらずに、上記（１）、（２）
の場合の４倍のスループット、上記（３）の場合の２倍
のスループットが得られる。また、上記（１）、（２）
の場合は、アッシャが律速となるため、処理室が１個の
場合とあまり変わらない。
ットプリント、高スループットが可能になる。すなわ
ち、従来の方法では、図１に示した（１）Ａ、Ｂ、Ｃが
処理室、Ｄがアッシャ、（２）または、Ａ、Ｂが処理
室、Ｃがアッシャ、Ｄはなし、（３）Ａ、Ｂが処理室、
Ｃ、Ｄがアッシャの場合が考えられるが、本発明によれ
ば、フットプリントは変わらずに、上記（１）、（２）
の場合の４倍のスループット、上記（３）の場合の２倍
のスループットが得られる。また、上記（１）、（２）
の場合は、アッシャが律速となるため、処理室が１個の
場合とあまり変わらない。
【００１８】次に、本発明の第２実施例について図３を
用いて説明する。構成は第１実施例と同じであるが、ア
ッシング用のガスをＣＦ4 ／Ｏ2 ガス系にし、また、チ
ャンバーＡ〜Ｄでの処理前にストレージエレベータのチ
ャンバーで処理する方法等を組み合わせることにより、
以下のような処理も可能である。 （１）ストレージエレベータ処理→チャンバー処理
の場合 を酸化膜等方性エッチング、を酸化膜異方性エッチ
ングとすることにより、図３に示すような、ワイングラ
スエッチング３１が可能になる。
用いて説明する。構成は第１実施例と同じであるが、ア
ッシング用のガスをＣＦ4 ／Ｏ2 ガス系にし、また、チ
ャンバーＡ〜Ｄでの処理前にストレージエレベータのチ
ャンバーで処理する方法等を組み合わせることにより、
以下のような処理も可能である。 （１）ストレージエレベータ処理→チャンバー処理
の場合 を酸化膜等方性エッチング、を酸化膜異方性エッチ
ングとすることにより、図３に示すような、ワイングラ
スエッチング３１が可能になる。
【００１９】（２）チャンバー処理→ストレージエレ
ベータ処理の場合 を酸化膜異方性エッチング、をダメージ層除去のラ
イトエッチングとすることにより、エッチングダメージ
除去プロセスが可能になる。上記のように構成すること
により、第１実施例と同様に、スループットが２〜４倍
になるとともに、各種のエッチング処理を行うことがで
きる。
ベータ処理の場合 を酸化膜異方性エッチング、をダメージ層除去のラ
イトエッチングとすることにより、エッチングダメージ
除去プロセスが可能になる。上記のように構成すること
により、第１実施例と同様に、スループットが２〜４倍
になるとともに、各種のエッチング処理を行うことがで
きる。
【００２０】本発明によれば、以下のような処理が可能
である。 （Ｉ）エッチング＋アッシャ処理 （II）等方性エッチング＋エッチング処理 (III)エッチング＋ライトエッチング処理 等の組み合わせが可能であり、基本的に連続エッチング
の工程に全て適用可能である。
である。 （Ｉ）エッチング＋アッシャ処理 （II）等方性エッチング＋エッチング処理 (III)エッチング＋ライトエッチング処理 等の組み合わせが可能であり、基本的に連続エッチング
の工程に全て適用可能である。
【００２１】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００２２】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （Ａ）従来のマルチチャンバー方式のエッチング装置の
搬送用バッファ部（ストレージエレベータ部）をアッシ
ング室やエッチング室として有効利用することができ、
省フットプリント、高スループットが可能になる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （Ａ）従来のマルチチャンバー方式のエッチング装置の
搬送用バッファ部（ストレージエレベータ部）をアッシ
ング室やエッチング室として有効利用することができ、
省フットプリント、高スループットが可能になる。
【００２３】（Ｂ）ストレージエレベータ部を用いて、
ウエハの処理シーケンスを変えることにより、様々なウ
エハの連続エッチングが可能である。
ウエハの処理シーケンスを変えることにより、様々なウ
エハの連続エッチングが可能である。
【図１】本発明の第１実施例を示すマルチチャンバー方
式のエッチング装置の概略図である。
式のエッチング装置の概略図である。
【図２】本発明の第１実施例を示すストレージエレベー
タ部（アッシャ装置を兼ねる）の断面図である。
タ部（アッシャ装置を兼ねる）の断面図である。
【図３】本発明の第２実施例を示すワイングラスエッチ
ングを示す図である。
ングを示す図である。
１ ローダ部 ２ ストレージエレベータ部 ３ チャンバーＡ ４ チャンバーＢ ５ チャンバーＣ ６ チャンバーＤ ７ カセットＡ ８ カセットＢ １１ 仕切り板 １２ ストレージエレベータ上部 １３ ストレージエレベータ下部 １４ ウエハ １５ 台座 １６ 円筒形の内部電極 １７，２２ Ｏリング １８ 排気口 １９ チャンバー ２０ ガス導入口 ２１ 円筒形の外部電極 ２３ 搬送アーム
Claims (6)
- 【請求項１】 マルチチャンバー方式のエッチング装置
を用いた半導体装置の製造方法において、（ａ）カセッ
トからウエハをストレージエレベータ下部へロードする
工程と、（ｂ）ストレージエレベータ部、ローダ部の真
空引きを行う工程と、（ｃ）前記ロードされたウエハを
処理チャンバーへ送り、第１の処理を行う工程と、
（ｄ）該第１の処理中にストレージエレベータ部、ロー
ダ部を大気状態にし、次に処理すべきウエハをストレー
ジエレベータ下部へロードし、真空引きする工程と、
（ｅ）前記第１の処理済のウエハをストレージエレベー
タ上部へロードするとともに、前記ストレージエレベー
タ下部へロードされた次に処理すべきウエハを前記処理
チャンバーへロードする工程と、（ｆ）前記ストレージ
エレベータ上部へロードされたウエハを上昇させ、前記
ストレージエレベータ部において第２の処理を行うこと
を特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記第１の処理をエッチング処理、前記第２の
処理をアッシャ処理としたことを特徴とする半導体装置
の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記第１の処理を等方性エッチング処理、前記
第２の処理をエッチング処理としたことを特徴とする半
導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記第１の処理をエッチング処理、前記第２の
処理をライトエッチング処理としたことを特徴とする半
導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 マルチチャンバー方式のエッチング装置
において、（ａ）第１の処理を行う複数のチャンバー
と、（ｂ）ローダ部と、（ｃ）第２の処理を行うチャン
バーを有するストレージエレベータ部と、（ｄ）該スト
レージエレベータ部に昇降可能な仕切り板によって分離
されたストレージエレベータ上部とストレージエレベー
タ下部を具備するマルチチャンバー方式のエッチング装
置。 - 【請求項６】 請求項５記載のマルチチャンバー方式の
エッチング装置において、前記ストレージエレベータ上
部とストレージエレベータ下部に少数枚数のウエハを搭
載するマルチチャンバー方式のエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12618896A JPH09312279A (ja) | 1996-05-22 | 1996-05-22 | 半導体装置の製造方法及びその半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12618896A JPH09312279A (ja) | 1996-05-22 | 1996-05-22 | 半導体装置の製造方法及びその半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09312279A true JPH09312279A (ja) | 1997-12-02 |
Family
ID=14928880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12618896A Withdrawn JPH09312279A (ja) | 1996-05-22 | 1996-05-22 | 半導体装置の製造方法及びその半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09312279A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6360687B1 (en) | 1998-11-26 | 2002-03-26 | Speedfam-Ipec Co., Ltd | Wafer flattening system |
-
1996
- 1996-05-22 JP JP12618896A patent/JPH09312279A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6360687B1 (en) | 1998-11-26 | 2002-03-26 | Speedfam-Ipec Co., Ltd | Wafer flattening system |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4454234B2 (ja) | プラズマ半導体処理装置及び方法 | |
| US6467186B2 (en) | Transferring device for a vacuum processing apparatus and operating method therefor | |
| US6254721B1 (en) | Method and apparatus for processing samples | |
| JP2000315685A (ja) | 高アスペクト比開口部の反応性プラズマエッチクリーニング | |
| JPH0666298B2 (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPH09129612A (ja) | エッチングガス及びエッチング方法 | |
| JP3121524B2 (ja) | エッチング装置 | |
| JP2000183037A (ja) | 真空処理装置 | |
| US6194284B1 (en) | Method for forming residue free etched silicon layer | |
| EP0841689A2 (en) | Method of processing semiconductor substrate | |
| US11557486B2 (en) | Etching method, damage layer removal method, and storage medium | |
| JPH09312279A (ja) | 半導体装置の製造方法及びその半導体製造装置 | |
| JP3259000B2 (ja) | 高融点金属含有膜のエッチング方法及び薄膜キャパシタの製造方法 | |
| JPH11340208A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JPH11330064A (ja) | 半導体装置の製造工程における薄膜形成方法 | |
| JP3429786B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP3162272B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JPH09129611A (ja) | エッチング方法 | |
| JP2005268244A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2939378B2 (ja) | 真空処理装置 | |
| JPH06342776A (ja) | プラズマ装置の運転方法 | |
| JP2000077389A (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
| JP2005286103A (ja) | 真空処理装置及び真空処理方法 | |
| CN110808228A (zh) | 蚀刻方法和半导体器件的制造方法 | |
| JPH05140743A (ja) | 真空処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030805 |