JPH09306359A - Manufacture of image display device - Google Patents

Manufacture of image display device

Info

Publication number
JPH09306359A
JPH09306359A JP11587696A JP11587696A JPH09306359A JP H09306359 A JPH09306359 A JP H09306359A JP 11587696 A JP11587696 A JP 11587696A JP 11587696 A JP11587696 A JP 11587696A JP H09306359 A JPH09306359 A JP H09306359A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
spacer
face plate
electron
mask
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11587696A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Morio Hosoya
守男 細谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP11587696A priority Critical patent/JPH09306359A/en
Publication of JPH09306359A publication Critical patent/JPH09306359A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To simply form a spacer by forming an insulating spacer to be arranged between an element base board and a face plate by a sand blast method. SOLUTION: When an insulating spacer 36 is arranged on the face plate side, a transparent electrode 32 and a phosphor layer 33 are formed in layers on a base board 31 composed of a glass plate, and an insulator layer 34 to form the spacer 36 is formed on the layer 33, and a mask 35 for a sand blast is formed in a pattern shape on the layer 34. Next, when sand blast processing is performed through the mask 35, oblique injection of an abrasive material is successively performed from orthogonal four directions. After the sand blast processing is finished, the mask 35 is separated, the layer 34 is baked, and the spacer 36 is formed. Therefore, the spacer 36 is simply formed, and manufacturing cost can be sharply reduced, and the spacer 36 can be formed in a shape according to an emitting characteristic of an electron by adjusting the injecting direction of the abrasive material at sand blast time.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、表面伝導型電子放
出素子を用いた画像表示装置に係り、特に素子基板とフ
ェースプレートとの間に耐大気圧支持部材としてスペー
サーを設けた画像表示装置の製造方法に関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an image display device using a surface conduction electron-emitting device, and more particularly to an image display device provided with a spacer as an atmospheric pressure resistant supporting member between an element substrate and a face plate. The present invention relates to a manufacturing method.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より電子放出素子を用いた画像表示
装置としては、ブラウン管を用いたもののほか、素子基
板とフェースプレートに挟まれた真空パネル内において
電子放出素子から放出される電子ビームを加速してフェ
ースプレートの蛍光体に照射し、蛍光体を発光させて画
像を表示する薄型タイプの画像表示装置が提案されてい
る。この表面伝導型電子放出素子を複数個設けた画像表
示装置においては、それを構成する外周器内部を減圧下
に保ち、かつ素子基板とフェースプレートの厚さを軽く
して軽量化を図るため、フェースプレートと素子基板の
間に耐大気圧支持部材として絶縁性のスペーサーが用い
られている。
2. Description of the Related Art Conventionally, as an image display device using electron-emitting devices, one using a cathode ray tube and accelerating an electron beam emitted from the electron-emitting devices in a vacuum panel sandwiched between a device substrate and a face plate. Then, a thin type image display device has been proposed which irradiates the phosphor of the face plate and causes the phosphor to emit light to display an image. In an image display device provided with a plurality of surface conduction electron-emitting devices, in order to reduce the weight by keeping the inside of the peripheral device constituting the device under reduced pressure and reducing the thickness of the device substrate and face plate, An insulating spacer is used as an atmospheric pressure resistant supporting member between the face plate and the element substrate.

【0003】このタイプの画像表示装置を構成する素子
基板とスペーサーの一例を図1に示す。同図において、
11は青板ガラスからなる素子基板、12及び13は素
子電極、14は電子放出部を含む薄膜、15はスペーサ
ーである。そして、素子基板11に対向してスペーサー
15の上に、蛍光体、透明電極、ガラス板からなるフェ
ースプレート(図示せず)が配置されて画像表示装置が
形成され、その内部は排気管を通して圧力を約1×10
-8torrの真空度に排気される。そして、素子電極1
2,13に電圧を印加することで電子放出素子より電子
をビーム状に放出させ、該電子をフェースプレートに印
加された正の高電圧によって加速させて蛍光体に衝突さ
せ、これを発光させることによって画像を得るものであ
る。
FIG. 1 shows an example of an element substrate and a spacer which constitute this type of image display device. In the figure,
Reference numeral 11 is an element substrate made of soda lime glass, 12 and 13 are element electrodes, 14 is a thin film including an electron emitting portion, and 15 is a spacer. A face plate (not shown) made of a phosphor, a transparent electrode, and a glass plate is arranged on the spacer 15 so as to face the element substrate 11 to form an image display device. About 1 × 10
Evacuated to a vacuum of -8 torr. And the element electrode 1
Electrons are emitted in the form of a beam from an electron-emitting device by applying a voltage to the electrodes 2 and 13, and the electrons are accelerated by a positive high voltage applied to the face plate to collide with a phosphor and emit light. To get the image.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上記で述べた画像形成
装置におけるスペーサーの形成方法として、ガラス等
絶縁性の材料を使用して印刷によりパターン形成する方
法(例えば、特開平2−299136号公報参照)、
感光性ガラスをフォトリソエッチング法等によりパター
ニングする方法(例えば、特開平2−299136号公
報、特開平4−132136号公報等参照)、感光性
ガラス等の絶縁物をエッチング法や機械研磨法により加
工して所定の形状(薄板状、円柱型、角柱型、十字型
等)に作製したものを使用し、これをフリットガラスで
固定する方法(例えば、特開平6−342630号公
報、特開平7−45221号公報等参照)等が提唱され
ているが、これらの方法では工程が複雑であることが問
題となる。
As a method of forming the spacer in the above-mentioned image forming apparatus, a method of forming a pattern by printing using an insulating material such as glass (see, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-299136). ),
A method of patterning the photosensitive glass by a photolithographic etching method or the like (see, for example, JP-A-2-299136 and JP-A-4-132136), and an insulator such as the photosensitive glass is processed by an etching method or a mechanical polishing method. Used in a predetermined shape (thin plate shape, columnar shape, prismatic shape, cross shape, etc.) and fixing it with frit glass (for example, JP-A-6-342630, JP-A-7- No. 45221, etc.) has been proposed, but these methods have a problem that the steps are complicated.

【0005】本発明は、上記のような問題点に鑑みてな
されたものであり、その目的とするところは、スペーサ
ー形成の簡略化を図った画像表示装置の製造方法を提供
することにある。
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a method of manufacturing an image display device in which spacer formation is simplified.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、電子放出素子が複数個設けられた素子基
板と、該素子基板に対向配置され前記電子放出素子から
放出される電子の照射により発光する蛍光体を有するフ
ェースプレートと、これら素子基板とフェースプレート
との間に絶縁性のスペーサーを備えてなる画像表示装置
の製造方法において、前記スペーサーをサンドブラスト
法により形成するようにしたことを特徴とするものであ
る。
In order to achieve the above object, the present invention provides an element substrate provided with a plurality of electron-emitting devices, and electrons emitted from the electron-emitting devices which are arranged to face the element substrate. In a method of manufacturing an image display device including a face plate having a phosphor that emits light when irradiated with, and an insulating spacer between the element substrate and the face plate, the spacer is formed by a sandblast method. It is characterized by that.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】図2はスペーサーを素子基板側に
設ける場合の当該素子基板の作製手順を示す工程図であ
り、以下に順を追って説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 2 is a process chart showing a procedure for manufacturing an element substrate when a spacer is provided on the element substrate side, which will be described step by step below.

【0008】まず、図2(a)に示すようにガラス板か
らなる基板21上に電極22を形成しておく。電極の形
成は従来のどの様な方法によっても構わない。次いで、
図2(b)に示すように、電極22を覆って基板21上
に絶縁体ペーストを塗布して乾燥させることにより、ス
ペーサーを形成するための絶縁体層23を形成する。絶
縁体ペーストの塗布に当たっては平板ブレードコーター
を使用するとよい。次に、図2(c)に示すように絶縁
体層23の上にマスク材料として感光性樹脂膜24を形
成した後、所望パターンのマスクを介して感光性樹脂膜
24を露光し、さらに現像工程で感光性樹脂膜24の未
露光部分を除去することにより図2(d)に示すように
サンドブラスト用マスク25を形成する。なお、スクリ
ーン印刷によりサンドブラスト用マスク25をパターン
形成するようにしてもよい。
First, as shown in FIG. 2A, an electrode 22 is formed on a substrate 21 made of a glass plate. The electrodes may be formed by any conventional method. Then
As shown in FIG. 2B, an insulator layer 23 for forming spacers is formed by applying an insulator paste on the substrate 21 so as to cover the electrodes 22 and drying it. A flat blade coater may be used to apply the insulating paste. Next, as shown in FIG. 2C, after forming a photosensitive resin film 24 as a mask material on the insulating layer 23, the photosensitive resin film 24 is exposed through a mask having a desired pattern and further developed. By removing the unexposed portion of the photosensitive resin film 24 in the process, a sandblasting mask 25 is formed as shown in FIG. The sandblasting mask 25 may be patterned by screen printing.

【0009】そして、図2(e)に示すように、マスク
25を介してサンドブラスト処理を行い、図2(f)に
示すように絶縁体層23の不要部分を除去する。続い
て、図2(g)に示すように、サンドブラスト用マスク
25を剥離してから、絶縁体層23を焼成してスペーサ
ー26を形成する。続いて、図2(h)に示すように、
電子放出物質を用いて電極22間に電子放出部形成用薄
膜27を形成する。
Then, as shown in FIG. 2 (e), sandblasting is performed through the mask 25 to remove unnecessary portions of the insulator layer 23 as shown in FIG. 2 (f). Subsequently, as shown in FIG. 2G, the sandblasting mask 25 is peeled off, and then the insulator layer 23 is baked to form the spacer 26. Then, as shown in FIG.
An electron emitting portion forming thin film 27 is formed between the electrodes 22 using an electron emitting material.

【0010】以上のようにして作製した電子源用基板に
対し、フォーミングと呼ばれる通電加熱処理によって電
子放出部を形成して素子基板を作製する。すなわち、素
子電極22,22間に電圧を印加して薄膜27に通電
し、これにより発生するジュール熱で薄膜27を局所的
に破壊、変形若しくは変質せしめ、電気的に高抵抗な状
態にした電子放出部を形成する。このように電子放出部
形成用薄膜27の形成及びそのフォーミング処理に関し
てはスペーサー26を形成した後で行うのが望ましい。
An electron emitting portion is formed on the electron source substrate manufactured as described above by an energization heat treatment called forming to manufacture an element substrate. That is, a voltage is applied between the element electrodes 22 and 22 to energize the thin film 27, and the Joule heat generated thereby locally destroys, deforms, or alters the thin film 27 to make it an electrically high resistance electron. Form the emission part. As described above, it is desirable that the formation of the electron emission portion forming thin film 27 and the forming treatment thereof be performed after the spacer 26 is formed.

【0011】上記の素子基板に対向してスペーサー26
の上に、蛍光体、透明電極、ガラス板からなるフェース
プレートを配して画像表示装置が形成される。そして、
素子電極22,22に電圧を印加することで電子放出素
子より電子をビーム状に放出させ、該電子をフェースプ
レートに印加された正の高電圧によって加速させて蛍光
体に衝突させ、これを発光させることによって画像を得
るものである。
A spacer 26 is provided facing the element substrate.
An image display device is formed by arranging a face plate made of a phosphor, a transparent electrode, and a glass plate on the above. And
By applying a voltage to the device electrodes 22 and 22, electrons are emitted from the electron-emitting device in a beam shape, and the electrons are accelerated by the positive high voltage applied to the face plate to collide with the phosphor and emit light. By doing so, an image is obtained.

【0012】上記の電子放出素子は、電子が電極に対し
て斜め方向に飛翔する特性を持っている。すなわち、電
子放出部の法線に対して、該素子に印加した電位の正極
側にずれて飛翔する。かかる放射特性(偏向特性)は、
上記素子を含む同一平面内で電位が対称でない、表面伝
導型電子放出素子に固有の特性である。このため、場合
によっては電子の飛翔軌道をスペーサーが遮る構造とな
る。これを回避するために、スペーサーを斜めに傾斜さ
せる必要がある。このような場合には、図3(a)に示
すように、サンドブラスト時に用いる研磨剤の噴射方向
を基板に垂直な軸から斜め方向にずらすことで、図3
(b)に示す如く飛翔軌道を遮らない構造のスペーサー
を形成することができる。
The above electron-emitting device has a characteristic that electrons fly obliquely with respect to the electrodes. That is, with respect to the normal line of the electron emitting portion, the electric potential applied to the element shifts to the positive electrode side and flies. The radiation characteristic (deflection characteristic) is
This is a characteristic peculiar to the surface conduction electron-emitting device in which the potentials are not symmetrical in the same plane including the above device. Therefore, in some cases, the spacer has a structure in which the flight trajectory of electrons is blocked. In order to avoid this, it is necessary to incline the spacer obliquely. In such a case, as shown in FIG. 3A, by shifting the spraying direction of the polishing agent used during sandblasting from an axis perpendicular to the substrate in an oblique direction, as shown in FIG.
As shown in (b), a spacer having a structure that does not block the flight trajectory can be formed.

【0013】スペーサーはフェースプレート側に形成す
ることも可能である。電子放出素子からの電子の飛翔軌
道が長い場合には電子ビームが広がるため、スペーサー
がフェースプレートに近づくに従って細くなる構造を採
る場合もある。この場合には、フェースプレート側に形
成した絶縁体層に対して、研磨剤の斜め噴射を別々の方
向から行うことで作製可能となる。
The spacer can also be formed on the face plate side. When the flight trajectory of the electrons from the electron-emitting device is long, the electron beam spreads, so that the spacer may have a structure that becomes thinner as it approaches the face plate. In this case, the polishing can be performed by obliquely spraying the abrasive onto the insulating layer formed on the face plate side from different directions.

【0014】図4及び図5はスペーサーをフェースプレ
ート側に設ける場合の当該フェースプレートの作製手順
を示す工程図であり、以下に順を追って説明する。
FIG. 4 and FIG. 5 are process drawings showing the manufacturing procedure of the face plate when the spacer is provided on the face plate side, which will be described step by step below.

【0015】まず、図4(a)に示すように、ガラス板
からなる基板31上に透明電極32と蛍光体層33を重
ねて形成しておき、その蛍光体層33の上にスペーサー
を形成するための絶縁体層34を形成し、さらに絶縁体
層34の上にサンドブラスト用マスク35をパターン状
に形成する。絶縁体層34は絶縁体ペーストを平板ブレ
ードコーターにより塗布することで形成できる。サンド
ブラスト用マスク35は、マスク材料として感光性樹脂
膜を形成し、それをパターン露光、現像することにより
形成できる。或いは、スクリーン印刷により形成するこ
ともできる。
First, as shown in FIG. 4A, a transparent electrode 32 and a phosphor layer 33 are formed on a substrate 31 made of a glass plate in an overlapping manner, and a spacer is formed on the phosphor layer 33. Then, an insulating layer 34 is formed, and a sandblasting mask 35 is formed in a pattern on the insulating layer 34. The insulating layer 34 can be formed by applying an insulating paste with a flat blade coater. The sandblasting mask 35 can be formed by forming a photosensitive resin film as a mask material and subjecting it to pattern exposure and development. Alternatively, it can be formed by screen printing.

【0016】そして、マスク35を介してサンドブラス
ト処理を行うが、この場合、研磨剤の斜め噴射を直交す
る4方向から順次行うようにする。具体的には、まず図
4(b)に示すように、研磨剤の噴射方向を右上方から
左下方に向かうようにして第1回目のサンドブラスト処
理を行う。次いで図4(c)に示すように、研磨剤の噴
射方向を左上方から右下方に向かうようにして第2回目
のサンドブラスト処理を行う。さらに図5(a)に示す
ように、研磨剤の噴射方向を後上方から前下方に向かう
ようにして第3回目のサンドブラスト処理を行う。最後
に図5(b)に示すように、研磨剤の噴射方向を前上方
から後下方に向かうようにして第4回目のサンドブラス
ト処理を行う。サンドブラスト処理を終えた後、図5
(c)に示すように、サンドブラスト用マスク35を剥
離し、絶縁体層34を焼成してスペーサー36を形成す
る。
Then, the sandblasting process is carried out through the mask 35. In this case, the oblique spraying of the polishing agent is carried out sequentially from four directions orthogonal to each other. Specifically, first, as shown in FIG. 4B, the first sandblasting process is performed so that the direction of the abrasive spray is from upper right to lower left. Next, as shown in FIG. 4C, the second sandblasting process is performed so that the spraying direction of the polishing agent is from the upper left to the lower right. Further, as shown in FIG. 5A, the third sandblasting process is performed so that the abrasive is sprayed from the upper rear side toward the lower front side. Finally, as shown in FIG. 5B, the fourth sandblasting treatment is performed so that the abrasive is sprayed from the upper front to the lower rear. After finishing the sandblasting process, see FIG.
As shown in (c), the sandblasting mask 35 is peeled off, and the insulator layer 34 is baked to form the spacer 36.

【0017】このように作製したスペーサーを持つフェ
ースプレートと別途作製した素子基板とを組み合わせた
画像表示装置を図6に示す。図中41は素子基板、42
は電極、43は電子放出部形成用薄膜、44は封止用の
シール剤である。この画像表示装置では、スペーサー3
5が断面台形状になっているため、電子放出部からの電
子ビームの軌道が確保されたものになる。
FIG. 6 shows an image display device in which a face plate having a spacer thus produced and an element substrate produced separately are combined. In the figure, 41 is an element substrate, 42
Is an electrode, 43 is an electron emission portion forming thin film, and 44 is a sealing agent for sealing. In this image display device, the spacer 3
Since 5 has a trapezoidal cross section, the trajectory of the electron beam from the electron emitting portion is secured.

【0018】[0018]

【実施例】厚さ3mmの清浄な石英ガラス板からなる基
板上に、スパッタ法により膜厚3μmのCr層を堆積し
た。次いで、その上にレジスト剤(東京応化工業社製
「ORM85」)をスピンナーにより回転塗布し、オー
ブン内にて80℃で30分間放置し乾燥させた。空冷
後、所望のパターンで露光してから、現像に続けて水洗
を行い、オーブン内にて135℃で30分間放置した。
空冷後、Crエッチング液(東京応化工業社製「MR−
DS」)を用いてCrをエッチングし、水洗した。次
に、120℃に保持したレジスト剥離液(東京応化工業
社製「クリーンストップ」)中に基板を5分間放置した
後、室温のストリップリンス液に1分、室温のイソプロ
ピルアルコールに1分間浸すことでレジストの剥離を行
った。そしてこの基板を水洗し、その後乾燥させた。以
上により基板上に電極のパターニングを完了した。
EXAMPLE A Cr layer having a film thickness of 3 μm was deposited by a sputtering method on a substrate made of a clean quartz glass plate having a thickness of 3 mm. Then, a resist agent (“ORM85” manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was spin-coated thereon with a spinner, and left to dry in an oven at 80 ° C. for 30 minutes. After air-cooling, exposure was carried out in a desired pattern, followed by development, followed by washing with water, and leaving in an oven at 135 ° C. for 30 minutes.
After air cooling, Cr etching solution (“MR- manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.
Cr was etched using DS ") and washed with water. Next, after leaving the substrate in the resist stripping solution (“Clean Stop” manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) kept at 120 ° C. for 5 minutes, soak it in a strip rinse solution at room temperature for 1 minute and isopropyl alcohol at room temperature for 1 minute. Then, the resist was peeled off. Then, this substrate was washed with water and then dried. The patterning of electrodes on the substrate was completed as described above.

【0019】次に、平板ブレードコーターにてガラスペ
ーストを7mmの厚みで塗布し、塗布を終了した後で、
オーブン内にて150℃で20分間乾燥させて絶縁体層
を形成した。次いで、厚さ50μmのドライフィルムレ
ジスト(日本合成化学工業社製「日合アルフォNEF1
50」)を加熱ラミネート法で積層し、超高圧水銀灯を
光源とする平行光プリンターを用いて所望のパターンを
持つマスクを介して露光した。露光条件は波長265n
mにて強度3200μW/cm2 、照射量120mJ/
cm2 である。その後、1%炭酸ナトリウム水溶液を用
い、室温にてスプレー現像を行った。以上の方法で、所
望のパターンを持つサンドブラスト用マスクが得られ
た。
Next, a glass paste is applied to a thickness of 7 mm with a flat blade coater, and after the application is completed,
An insulator layer was formed by drying in an oven at 150 ° C. for 20 minutes. Next, a dry film resist with a thickness of 50 μm (“Nihon Alpho NEF1” manufactured by Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd.
50 ") was laminated by a heat laminating method and exposed through a mask having a desired pattern using a parallel light printer using an ultrahigh pressure mercury lamp as a light source. Exposure conditions are wavelength 265n
m intensity at 3200 μW / cm 2 , irradiation dose at 120 mJ / m
cm 2 . Thereafter, spray development was performed at room temperature using a 1% aqueous sodium carbonate solution. A sandblasting mask having a desired pattern was obtained by the above method.

【0020】そして、研磨剤として褐色溶融アルミナ#
400を用い、噴出圧力3kg/cm2 でサンドブラス
ト処理を行い、絶縁体層の不要部分を除去して所望の位
置にコンタクトホールを形成した。この場合、下に存在
する電極は焼成前の絶縁体層に比べて充分に固いため、
サンドブラストのダメージを殆ど受けない。次に、無水
炭酸ナトリウム0.2wt%水溶液により液温30〜5
0%でスプレー現像を行った。続いて、ピーク温度58
5℃、保持時間10〜20分の条件で焼成を行い、膜厚
3.2mmのスペーサーを形成した。
Then, brown fused alumina # is used as an abrasive.
Using No. 400, sandblasting was performed at a jet pressure of 3 kg / cm 2 to remove unnecessary portions of the insulating layer and form contact holes at desired positions. In this case, the underlying electrode is sufficiently hard compared to the insulator layer before firing,
Almost no damage from sandblasting. Next, with a 0.2 wt% anhydrous sodium carbonate aqueous solution, the liquid temperature is 30 to 5
Spray development was performed at 0%. Then, the peak temperature 58
Firing was performed under the conditions of 5 ° C. and a holding time of 10 to 20 minutes to form a spacer having a film thickness of 3.2 mm.

【0021】次に、有機パラジウム化合物を含む有機溶
媒インキ(奥野製薬工業社製「キャタペーストCC
P」)を電極間の所定位置に噴霧し、15分間放置し
た。その後、約200℃で20分間焼成し、Pbの微粒
子からなる電子放出部を得た。以上の方法で電子放出素
子を持つ素子基板を作製し、良好な電子放出特性を得
た。
Next, an organic solvent ink containing an organopalladium compound (“Katapaste CC” manufactured by Okuno Chemical Industries Co., Ltd.)
P ") was sprayed in place between the electrodes and left for 15 minutes. Then, it was baked at about 200 ° C. for 20 minutes to obtain an electron emitting portion made of Pb fine particles. An element substrate having an electron-emitting device was produced by the above method, and good electron emission characteristics were obtained.

【0022】一方、厚み3mmの清浄な石英ガラス板か
らなる基板上に、スパッタ法により膜厚1μmのITO
層を堆積して透明電極を形成した。次いで、その上にE
B蒸着法により蛍光体(ZnO:Zn)を蒸着して膜厚
20μmの蛍光体層を形成した。以上の方法で透明電極
と蛍光体層を有するフェースプレートを作製した。
On the other hand, an ITO film having a thickness of 1 μm was formed by sputtering on a substrate made of a clean quartz glass plate having a thickness of 3 mm.
The layers were deposited to form a transparent electrode. Then E on it
A phosphor (ZnO: Zn) was vapor-deposited by the B vapor deposition method to form a phosphor layer having a film thickness of 20 μm. A face plate having a transparent electrode and a phosphor layer was produced by the above method.

【0023】そして、上記で作製したフェースプレート
の外周部にガラスペースト(日本電気硝子社製「PLS
−0206/150」)をXYプロッターを使って所望
の形状に塗布した。この基板を170℃に保ったオーブ
ン内に30分間放置する。室温に冷却した後、フェース
プレートの所定位置に予め開けられた通気孔に合わせて
封入管をガラスペーストで貼り合わせ、170℃に保っ
たオーブン中に30分間放置する。室温に冷却した後、
この基板と先に作製したスペーサー付きの素子基板を貼
り合わせ、これを400℃に保った焼成炉中に2時間放
置し、封着を行ってパネル化した。空冷後、作製したパ
ネルの封入管を真空ポンプと接続し、パネル内の真空度
が10-10 Paとなるまで真空に引き、所定の真空度に
なった時点でガラスを溶融させて密封する。以上の方法
により作製した画像表示装置を発光させたところ、良好
な色純度を持った発光が確認された。また、スペーサー
の導入以前に観測されたガラス中央部のギャップの減少
が解消された。
Then, a glass paste (“PLS manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd.” is applied to the outer peripheral portion of the face plate manufactured as described above.
-0206/150 ") was applied to a desired shape using an XY plotter. This substrate is left for 30 minutes in an oven kept at 170 ° C. After cooling to room temperature, a sealed tube is pasted with glass paste in accordance with a ventilation hole that has been opened in advance at a predetermined position of the face plate, and left in an oven kept at 170 ° C. for 30 minutes. After cooling to room temperature,
This substrate and the device substrate with a spacer prepared previously were bonded together, and this was left in a baking furnace kept at 400 ° C. for 2 hours, and sealed to form a panel. After air cooling, the sealed tube of the produced panel is connected to a vacuum pump, a vacuum is drawn until the degree of vacuum in the panel reaches 10 −10 Pa, and when the predetermined degree of vacuum is reached, the glass is melted and sealed. When the image display device produced by the above method was made to emit light, it was confirmed that the light emission had good color purity. In addition, the decrease in the gap in the center of the glass observed before the introduction of the spacer was eliminated.

【0024】[0024]

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、電子放
出素子が複数個設けられた素子基板と、該素子基板に対
向配置され前記電子放出素子から放出される電子の照射
により発光する蛍光体を有するフェースプレートと、こ
れら素子基板とフェースプレートとの間に絶縁性のスペ
ーサーを備えてなる画像表示装置の製造方法において、
前記スペーサーをサンドブラスト法により形成するよう
にしたことにより、スペーサーの形成が簡単になり、製
造コストも大幅に低減することができる。
As described above, according to the present invention, an element substrate provided with a plurality of electron-emitting devices, and fluorescent light emitted by irradiation of electrons emitted from the electron-emitting devices which are arranged so as to face the element substrate. In a method of manufacturing an image display device including a face plate having a body, and an insulating spacer between the element substrate and the face plate,
By forming the spacers by the sandblast method, the spacers can be formed easily and the manufacturing cost can be significantly reduced.

【0025】また、サンドブラスト時における研磨剤の
噴射方向を調整することにより、表面伝導型電子放出素
子に固有の特性である電子の放射特性(偏向特性)に合
わせた形状でスペーサーを形状することができる。
Further, by adjusting the spraying direction of the abrasive during sandblasting, the spacer can be formed in a shape that matches the electron emission characteristic (deflection characteristic) that is a characteristic peculiar to the surface conduction electron-emitting device. it can.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】画像表示装置を構成する素子基板とスペーサー
の一例を示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing an example of an element substrate and a spacer that form an image display device.

【図2】スペーサーを素子基板側に設ける場合の当該素
子基板の作製手順を示す工程図である。
FIG. 2 is a process drawing showing a procedure for manufacturing an element substrate when a spacer is provided on the element substrate side.

【図3】スペーサーを斜めに傾斜させる場合の説明図で
ある。
FIG. 3 is an explanatory diagram when a spacer is inclined.

【図4】スペーサーをフェースプレート側に設ける場合
の当該フェースプレートの作製手順を示す前半の工程図
である。
FIG. 4 is a process diagram of the first half showing a manufacturing procedure of the face plate when a spacer is provided on the face plate side.

【図5】図4に続く後半の工程図である。FIG. 5 is a process diagram of the latter half of FIG.

【図6】スペーサーを設けたフェースプレートと別途作
製した素子基板とを組み合わせた画像表示装置を示す断
面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing an image display device in which a face plate provided with spacers and an element substrate manufactured separately are combined.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 基板 12,13 素子電極 14 薄膜 15 スペーサー 21 基板 22 電極 23 絶縁体層 24 感光性樹脂膜 25 サンドブラスト用マスク 26 スペーサー 27 薄膜 31 基板 32 透明電極 33 蛍光体層 34 絶縁体層 35 サンドブラスト用マスク 36 スペーサー 41 基板 42 電極 43 薄膜 44 シール剤 11 Substrate 12, 13 Element Electrode 14 Thin Film 15 Spacer 21 Substrate 22 Electrode 23 Insulator Layer 24 Photosensitive Resin Film 25 Sandblast Mask 26 Spacer 27 Thin Film 31 Substrate 32 Transparent Electrode 33 Fluorescent Layer 34 Insulator Layer 35 Sandblast Mask 36 Spacer 41 Substrate 42 Electrode 43 Thin film 44 Sealant

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電子放出素子が複数個設けられた素子基
板と、該素子基板に対向配置され前記電子放出素子から
放出される電子の照射により発光する蛍光体を有するフ
ェースプレートと、これら素子基板とフェースプレート
との間に絶縁性のスペーサーを備えてなる画像表示装置
の製造方法において、前記スペーサーをサンドブラスト
法により形成するようにしたことを特徴とする画像表示
装置の製造方法。
1. An element substrate provided with a plurality of electron-emitting devices, a face plate disposed facing the element substrate and having a phosphor that emits light when irradiated with electrons emitted from the electron-emitting device, and these element substrates. A method of manufacturing an image display device comprising an insulating spacer between a face plate and a face plate, wherein the spacer is formed by a sandblast method.
JP11587696A 1996-05-10 1996-05-10 Manufacture of image display device Pending JPH09306359A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11587696A JPH09306359A (en) 1996-05-10 1996-05-10 Manufacture of image display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11587696A JPH09306359A (en) 1996-05-10 1996-05-10 Manufacture of image display device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09306359A true JPH09306359A (en) 1997-11-28

Family

ID=14673359

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11587696A Pending JPH09306359A (en) 1996-05-10 1996-05-10 Manufacture of image display device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH09306359A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6986692B1 (en) 1998-10-14 2006-01-17 Canon Kabushiki Kaisha Production method of image-forming apparatus, and image-forming apparatus produced by the production method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6986692B1 (en) 1998-10-14 2006-01-17 Canon Kabushiki Kaisha Production method of image-forming apparatus, and image-forming apparatus produced by the production method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100602071B1 (en) Field emission devices
JPH08171877A (en) Anode plate for flat panel display with accumulated getter
JPH10134964A (en) Display device and its manufacture
US5693438A (en) Method of manufacturing a flat panel field emission display having auto gettering
JP3270054B2 (en) Field emission device with internal structure for aligning phosphor pixels with corresponding field emitters
JP2001076652A (en) Flat display device and its manufacture
KR100608198B1 (en) Method of forming metal back-attached fluorescent surface and image display unit
JP4134361B2 (en) Thin film electron source and display device using the same
KR100965543B1 (en) Field emission display device and manufacturing method of the device
JPH09306359A (en) Manufacture of image display device
JP3058095B2 (en) Manufacturing method of thin film electrode
JP2005116500A (en) Field emission display device and its manufacturing method
US7352123B2 (en) Field emission display with double layered cathode and method of manufacturing the same
KR100680090B1 (en) Image display unit
JP2000353466A (en) Electron emitting element, its manufacture, display device and its manufacture
JP4366054B2 (en) Matrix wiring manufacturing method, electron source, and image forming apparatus manufacturing method
KR950003649B1 (en) Spacer field emission display and manufacturing method thereof
JP3060652B2 (en) Fluorescent display device and method of manufacturing the same
KR100786858B1 (en) Flat panel display device having reflective layer and manufacturing method of the reflective layer
JPH1050209A (en) Manufacture of substrate for electron emitting element
US7108575B2 (en) Method for fabricating mesh of tetraode field-emission display
KR100285156B1 (en) Method for fabricating of fluorescent film in field emission display
KR100303546B1 (en) Field emission display and manufacturing method of the same
KR100637521B1 (en) Manufacturing method of partition for flat panel display
JP2000208042A (en) Barrier-rib forming method for plasma display panel