JPH09305971A - 情報記録方式及び情報記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】マークエッジ部の長さを正確に制御でき、エッ
ジシフト、ジッタの悪化、オーバーライト特性の低下、
半導体レーザーの寿命低下等を防止することができる情
報記録方式の提供。 【解決手段】本発明は、ＬＤ光源にマルチパルスの光を
発光させて相変化型の記録媒体上に記録マークを形成す
る情報記録方式において、記録媒体上の有効スポット径
と最短長ｘＴのマークとの大小に応じて、先頭冷却パル
スＡから最後尾冷却パルスＣｒまでの累積長を変化させ
る。例えば記録媒体上の有効スポット径が最短長ｘＴ
（例えば３Ｔ）のマークより略小さい場合は、ｙＴ長
（例えば５Ｔ）のマークを記録する際に、ｎ＝ｙ−ｘ＋
１（＝３）個の後部加熱パルスＢと後部冷却パルスＣを
先頭加熱パルスＡと最後尾冷却パルスＣｒの間に繰返し
発光させる。また、有効スポット径がｘＴマーク長より
略大きい場合は、ｎ＝ｙ−ｘ個となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、結晶相とアモルフ
ァス相とに可逆的に相変化する記録層を有する記録媒体
（光ディスク等）上に情報を光源からのレーザー光によ
り記録する情報記録方式、及びその情報記録方式を用い
た書き替え型光ディスクドライブ装置等の情報記録再生
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】マルチメディアの普及に伴い音楽用Ｃ
Ｄ、ＣＤ−ＲＯＭなどの再生専用メディア（記録媒体）
や情報再生装置が実用化されている。また最近では、色
素メディアを用いた追記型光ディスクや、光磁気（Ｍ
Ｏ）メディアを用いた書き替え可能なＭＯディスクの他
に相変化型メディアも注目されており、これらの記録媒
体を用いた情報記録再生装置が実用化されている。尚、
相変化型メディアは記録材料を結晶相とアモルファス相
とに可逆的に相変化させて情報を記録するものである。
また、相変化型メディアは、ＭＯメディアなどと異なり
外部磁界を必要とせず半導体レーザーからなる光源から
のレーザー光だけで情報の記録、再生ができ、かつ、情
報の記録と消去がレーザー光により一度に行なわれるオ
ーバーライト記録が可能である。

【０００３】相変化型メディアに情報を記録するための
一般的な記録波形としては例えばＥＦＭ（Ｅight Ｆour
teen Ｍodulation）変調コードなどに基づいて生成した
単パルスの半導体レーザー発光波形があるが、この記録
波形による単パルス記録では、蓄熱のため記録マークが
涙状に歪みを生じたり、冷却速度が不足してアモルファ
ス相の形成が不十分となり、レーザー光に対して低反射
率の記録マークが得られないなどの問題がある。

【０００４】このため、相変化メディアに情報を記録す
る従来の記録方式は、図１２に示すようにＥＦＭ変調コ
ードなどの記録データに基づいて生成した多段の記録パ
ワーを用いたマルチパルス波形のレーザー光により相変
化型メディアにマークを形成することで上記の問題を防
止している。このマルチパルス波形のマーク部は、相変
化型メディアの記録膜を融点温度以上に十分に予備加熱
するための先頭加熱パルスＡと、後続する複数個の連続
加熱パルスＢと、それらの間の連続冷却パルスＣからな
っており、先頭加熱パルスＡの発光パワーをＰｗａ、加
熱パルスＢの発光パワーをＰｗｂ、冷却パルスＣの発光
パワーをＰｗｃ、リードパワーをＰｒとすれば、それぞ
れの発光パワーは、 Ｐｗｂ≧Ｐｗａ＞Ｐｗｃ≒Ｐｒ に設定されている。また、マルチパルス波形のスペース
部はイレースパルスＤからなり、その発光パワーＰｅｄ
はＰｗａ＜Ｐｅｄ＜Ｐｗｃに設定されている。このよう
に記録波形をマルチパルス発光波形とすることで、相変
化型メディアのマーク部は加熱パルスＡ，Ｂと冷却パル
スＣによる加熱→冷却の急冷条件によりアモルファス相
が形成され、スペース部はイレースパルスＤによる加熱
のみの徐冷条件により結晶相が形成されるため、アモル
ファス相と結晶相とで十分な反射率差が得られている。

【０００５】また、情報記録方式としてはマークポジシ
ョン（ＰＰＭ）記録方式とマークエッジ(ＰＷＭ：Ｐuls
e Ｗidth Ｍodulation）記録方式があるが、最近では高
密度化に対応できるマークエッジ記録方式が用いられる
ようになっている。相変化型メディアにマークエッジ記
録方式で情報を記録する場合、記録マークの両エッジに
情報を持たせるため、相変化型メディアは記録マークで
十分な加熱と急冷を行なってマーク前後のエッジ部を鮮
明に形成することが重要である。したがって、相変化型
メディアのチルトや半導体レーザーの発光パワー変動等
を考慮して記録パワーを高めに設定している。また、最
近の高密度化に伴い、短波長レーザーや高ＮＡ対物レン
ズによる小スポットを用いてメディアに微小マークを形
成するようになってきている。しかし、レーザー光によ
るメディア媒体面での記録スポットの有効スポット径と
最短マーク長が接近してくると、従来の基本記録波形で
は、最短マークが長く形成されるため、イレースパワー
を高くすることでマークの後エッジを短く形成するよう
な設定としている。

【０００６】尚、情報記録方式の従来技術として、特開
昭６３−２６６６３３号公報には、光ディスクにデータ
の記録を行なうときに、マークの始端部と終端部の光照
射エネルギーを中間部より大きくし、これを光照射時間
や光照射パワーを変化させることで行なう光情報記録方
法が記載されている。また、特公平５−３２８１１号
（特開昭６３−１１３９３８号）公報には、相変化型光
ディスクにデータの記録を行なうとき、レーザー光のパ
ワーレベルを、相変化型光ディスクの記録膜の結晶化パ
ワーから記録膜の溶融する記録パワーに高めた後、結晶
化パワーより低いパワーレベルに瞬時に低減させる情報
の光学的記録方法が記載されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】前述した従来の情報記
録方式では、相変化型メディアのチルトや半導体レーザ
ー（ＬＤ）の発光パワー変動等を考慮しながら記録時の
加熱やイレースパワーを変化させて設定している。しか
しながら、加熱やイレースパワーを高くすると記録膜の
劣化が著しくなりオーバーライト特性の低下が顕著にな
ったり、マーク長に応じて蓄熱状態が異なってエッジシ
フトが増大し再生信号のジッタが悪化するといった問題
や半導体レーザーの寿命低下が起こっている。また、加
熱パワーを低くすると加熱不足によりアモルファス相が
形成されず、イレースパワーを低くすると消し残りによ
りジッタが悪化してオーバライトできなくなる。これら
の問題は図１３のオーバーライト回数の記録パワー依存
性から明らかであり、常に適正なパワーにより記録しな
ければならない。

【０００８】本発明者らは先に、マークのエッジ部を鮮
明に形成しながら平均記録パワーの低減を図ることによ
り光源の高寿命化とオーバーライト特性の向上や、マー
ク長に応じた蓄熱によるエッジシフトの防止、ジッタの
低減を図ることができる情報記録方式として、光ディス
クにデータの記録を行なうとき、先頭加熱パルスを前半
と後半に２分した後半部分の先頭加熱パルスの発光パワ
ーをその他の加熱パルスより大きくする、もしくは先頭
加熱パルス直後の先頭冷却パルスの発光パワーを、後続
するその他の冷却パルスより低くする、もしくは後部加
熱パルスのうち最後尾加熱パルスの発光パワーを前述の
後半部分の先頭加熱パルスと略等しく大きくする、もし
くは後部加熱パルスのうち最後尾加熱パルス直後の最後
尾冷却パルスの発光パワーをその他の冷却パルスより低
くする等の手段を備えた情報記録方式を提案した（特願
平７−２６６６５２号）。本発明は、前記従来技術の問
題を解決するために上記先願の情報記録方式をさらに改
良したものであり、各請求項記載の発明の目的は以下の
通りである。

【０００９】請求項１〜６の発明では、相変化型光ディ
スク等の記録媒体上での半導体レーザー（ＬＤ）光のス
ポット径と最短長のマークあるいはスペースの大小に応
じて記録波形の累積長やパルス幅または部分的な発光パ
ワーを変化させることにより、マークエッジ部の長さを
正確に制御して形成し、マークの増大や減少によるエッ
ジシフトを防止することができる情報記録方式を提供
し、さらには、記録パワーやイレースパワーの増減を最
小限に抑えて高密度記録から低密度記録までを対応させ
ることができ、半導体レーザーの高寿命化とオーバーラ
イト特性の向上やイレース不足によるジッタの悪化を防
止することのできる情報記録方式を提供することを目的
とする。

【００１０】また、請求項７の発明では、請求項１〜６
までの情報記録方式によるオーバライト特性の向上やジ
ッタ低減を効果的に発揮することが可能な記録媒体を得
ることを目的とする。

【００１１】また、請求項８の発明では、単一あるいは
複数の光学系を有する光ピックアップを用いて、前述の
請求項１〜７の発明を適用することで記録変調方式ある
いは記録線密度の異なる記録を行なうことができ、多種
の規格に対応した互換性を有する情報記録再生装置を提
供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の発明は、結晶相とアモルファス相と
に可逆的に相変化する記録層を有する記録媒体上に情報
を半導体レーザー（ＬＤ）光源からのレーザー光により
記録する際に、該ＬＤ光源に、先頭加熱パルスと先頭冷
却パルス及び後続する複数個の後部加熱パルスと後部冷
却パルスからなるマルチパルスの光を発光させて、該マ
ルチパルス発光により前記記録媒体上に、記録変調方式
に基づいた最短長ｘＴから最大長までの各マーク長ｙＴ
の複数のマークあるいはスペースを形成する情報記録方
式において、前記記録媒体上におけるレーザー光の有効
スポット径（以下、有効ＬＤスポット径と記す）と前記
最短長ｘＴのマークとの大小に応じて、前記先頭冷却パ
ルスから最後尾冷却パルスまでの累積長を変化させるよ
うにしたものである。

【００１３】請求項２記載の発明は、請求項１記載の情
報記録方式において、マルチパルス発光によりｙＴ長の
マークを記録する際に、前記記録媒体上における有効Ｌ
Ｄスポット径が、最短長ｘＴのマークより略小さい場合
には、ｎ＝ｙ−ｘ＋１個の後部加熱パルスと後部冷却パ
ルスを先頭加熱パルスと最後尾冷却パルスの間に繰返し
発光させ、前記記録媒体上における有効ＬＤスポット径
が、最短長ｘＴのマークより略大きい場合には、ｎ＝ｙ
−ｘ個の後部加熱パルスと後部冷却パルスを先頭加熱パ
ルスと最後尾冷却パルスの間に繰返し発光させるように
したものである。

【００１４】請求項３記載の発明は、請求項１記載の情
報記録方式において、前記記録媒体上における有効ＬＤ
スポット径と最短長ｘＴのマークの大小に応じて、先頭
冷却パルスあるいは最後尾冷却パルスの幅を変化させる
ようにしたものである。

【００１５】請求項４記載の発明は、結晶相とアモルフ
ァス相とに可逆的に相変化する記録層を有する記録媒体
上に情報を半導体レーザー（ＬＤ）光源からのレーザー
光により記録する際に、該ＬＤ光源に、先頭加熱パルス
と先頭冷却パルス及び後続する複数個の後部加熱パルス
と後部冷却パルスからなるマルチパルスの光を発光させ
て、該マルチパルス発光により前記記録媒体上に、記録
変調方式に基づいた最短長ｘＴから最大長までの各マー
ク長ｙＴの複数のマークあるいはスペースを形成する情
報記録方式において、前記記録媒体上における有効ＬＤ
スポット径と前記最短長ｘＴのマークとの大小に応じ
て、前記先頭加熱パルスを前半と後半に２分した後半部
分の先頭加熱パルス発光パワーとその直後の先頭冷却パ
ルス発光パワーの差と、後部加熱パルスのうち最後尾加
熱パルスとその直後の最後尾冷却パルスとの発光パワー
の差の少なくとも一方を、その他の加熱パルスとその直
後の冷却パルスとの発光パワーの差と変化させるように
したものである。

【００１６】請求項５記載の発明では、請求項４記載の
情報記録方式において、前記記録媒体上における有効Ｌ
Ｄスポット径が、最短長ｘＴのマークより略小さい場
合、前記先頭加熱パルスを前半と後半に２分した後半部
分の先頭加熱パルス発光パワーとその直後の先頭冷却パ
ルス発光パワーの差と、後部加熱パルスのうち最後尾加
熱パルスとその直後の最後尾冷却パルスとの発光パワー
の差の少なくとも一方を、その他の加熱パルスとその直
後の冷却パルスとの発光パワーの差よりも大きくなるよ
うに設定したものである。

【００１７】請求項６記載の発明では、請求項４記載の
情報記録方式において、前記記録媒体上における有効Ｌ
Ｄスポット径が、最短長ｘＴのマークより略大きい場
合、前記先頭加熱パルスを前半と後半に２分した後半部
分の先頭加熱パルス発光パワーとその直後の先頭冷却パ
ルス発光パワーの差と、後部加熱パルスのうち最後尾加
熱パルスとその直後の最後尾冷却パルスとの発光パワー
の差の少なくとも一方を、その他の加熱パルスとその直
後の冷却パルスとの発光パワーの差よりも小さくなるよ
うに設定したものである。

【００１８】請求項７記載の発明では、請求項１から６
の何れかに記載の情報記録方式において、前記記録媒体
の記録層がＡｇＩｎＳｂＴｅ系の記録材料からなるよう
にしたものである。

【００１９】請求項８記載の発明では、請求項１から７
の何れかに記載の情報記録方式を用いた情報記録再生装
置において、単一あるいは複数の光学系を有する光ピッ
クアップを備え、該光ピックアップにより、前記記録媒
体上における単一あるいは複数の有効ＬＤスポット径を
有するＬＤ光源を用いて、複数の記録線密度の記録を行
なうようにしたものである。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図示
の実施例により詳細に説明する。

【００２１】（１）実施例１（請求項１，２の説明）．
図１，２は請求項１，２記載の情報記録方式の実施例を
示すマーク記録時の動作タイミングの説明図である。本
実施例は、ＣＤ−ＲＯＭフォーマットのコードデータ
を、相変化型メディア（例えば相変化型光ディスク）の
記録層に記録（オーバライト）する情報記録再生装置の
情報記録方式の例であり、データ変調方式としてＥＦＭ
（Ｅight Ｆourteen Ｍodulation）変調コードを用いて
マークエッジ(ＰＷＭ：Ｐulse ＷidthＭodulation）記
録を行なっている。本発明ではこのようなメディアと記
録データを用いて、半導体レーザー（ＬＤ：Ｌaser Ｄi
ode）をマルチパルス発光させて記録マークを形成する
ことにより情報の記録を行なう。尚、図１，２におい
て、マルチパルス発光波形のマーク部は、相変化型メデ
ィアの記録膜（記録層）を融点温度以上に十分に予備加
熱するための先頭加熱パルスＡと、後続する複数個の連
続加熱パルスＢと、それらの間の連続冷却パルスＣ，Ｃ
ｒからなっている。また、マルチパルス波形のスペース
部はイレースパルスＤからなっている。

【００２２】情報記録再生装置（図示を省略）は、記録
時には、光強度制御手段にてＥＦＭ変調コードからなる
記録データに基づいてパルス制御信号を生成し、半導体
レーザー駆動回路でそのパルス制御信号に応じた駆動電
流により、例えば後述する図１１に示す構成の光ピック
アップの半導体レーザー（ＬＤ）光源１を駆動して図
１，２に示すようなマルチパルスの光を発光させ、相変
化型光ディスク７をスピンドルモータで回転させて光ピ
ックアップにて半導体レーザ（ＬＤ）光源１からのマル
チパルスの光を光学系を介して相変化型光ディスク７の
記録層７ａに照射することで、相変化型光ディスク７に
記録マークを形成して情報の記録を行なう。また、この
情報記録再生装置では、再生時には、半導体レーザー駆
動回路で半導体レーザー（ＬＤ）光源１を駆動して再生
パワー（リードパワー）で発光させ、光ピックアップに
て半導体レーザー（ＬＤ）光源１からの再生パワーの光
を光学系を介して相変化型光ディスク７に照射し、その
反射光を光学系を介して受光手段１０で受光し、光電変
換して再生信号を得る。

【００２３】上記ディスク媒体等の相変化型メディアに
記録を行なう場合、メディア板面上での有効ＬＤスポッ
ト径ωは、光ピックアップのＬＤ波長をλ、開口数をＮ
Ａとすると、 ω≒ｋ×λ／ＮＡ と表わすことができる。また、ＥＦＭ変調コードを用い
た記録データとして、本実施例ではチャネルクロック周
期を１Ｔとして、最短長ｘＴから最大長までの各マーク
長ｙＴ（ｙ≧ｘ）の複数のマーク及びスペースを用いて
ＰＷＭ記録を行なうが、このとき、最短長マークｘＴに
おける理想的な最短マーク長をＭＬとすると、有効ＬＤ
スポット径ωがω＜ＭＬの場合は、図１に示すように、
マルチパルス発光によりｙＴ長のマークを記録する際
に、ｎ＝ｙ−ｘ＋１個の後部加熱パルスＢと後部冷却パ
ルスＣが先頭加熱パルスＡと最後尾冷却パルスＣｒの間
に繰返し発光するようにしている。すなわち、図１の例
のように、最短マークが３Ｔの場合に、５Ｔマークを記
録する場合、ｘ＝３、ｙ＝５であり、ｎ＝３個の後部加
熱パルスＢと後部冷却パルスＣが先頭加熱パルスＡと最
後尾冷却パルスＣｒの間に繰返し発光される。また、こ
のとき、加熱パワー及びイレースパワー値は、オーバー
ライト特性やジッタ特性が良好となるように設定し、か
つ、記録マークあるいはスペースのエッジシフトが最小
となる最後尾冷却パルス幅を設定している。

【００２４】次に、ω＞ＭＬの場合は、図２に示すよう
に、マルチパルス発光によりｙＴ長のマークを記録する
際に、ｎ＝ｙ−ｘ個の後部加熱パルスＢと後部冷却パル
スＣが先頭加熱パルスＡと最後尾冷却パルスＣｒの間に
繰返し発光するようにしている。すなわち、図２の例の
ように、最短マークが３Ｔの場合に、５Ｔマークを記録
する場合、ｘ＝３、ｙ＝５であり、ｎ＝２個の後部加熱
パルスＢと後部冷却パルスＣが先頭加熱パルスＡと最後
尾冷却パルスＣｒの間に繰返し発光される。また、３Ｔ
マークを記録する場合は、３Ｔマークが最短長マークで
あるためｎ＝０となり、マルチパルス波形は、先頭加熱
パルスＡと１個の冷却パルスＣ（最後尾冷却パルス）と
なる。尚、以上の制御のとき、加熱パワー及びイレース
パワーはω＜ＭＬの場合とほぼ同一値となりオーバーラ
イト特性やジッタ特性は良好である。しかし、ω＞ＭＬ
の場合に前述のｎ＝ｙ−ｘ＋１個のマルチパルス発光に
より記録を行なうと、記録マーク長が理想長より長く形
成されるため、マークの後ろエッジを短く補正するため
にイレースパワーを約１〜２ｍＷ程度大きくしなければ
ならなくなり、オーバーライト特性が顕著に悪化する。
このため、有効ＬＤスポット径ωと最短長マークｘＴの
最短マーク長ＭＬとの大小関係に応じて、ω＜ＭＬの場
合は図１のようにｎ＝ｙ−ｘ＋１個のマルチパルス発光
により記録を行ない、ω＞ＭＬの場合は図２のようにｎ
＝ｙ−ｘ個のマルチパルス発光により記録を行なうよう
に制御する。

【００２５】次に具体例としては、λ＝６８０ｎｍでｋ
≒０．４５の特性を有する光ピックアップを用いてＮＡ
＝０．４と０．６の対物レンズを線密度に応じて切り替
えて記録する場合などが考えられる。この光ピックアッ
プにおいて、ＣＤ密度（ＭＬ＝０．９μｍ相当）をＮＡ
＝０．４の対物レンズを用いて記録すると、有効ＬＤス
ポット径はω≒０．７６５μｍであり、ω＜ＭＬとなる
ため、図１に示すように、ｎ＝ｙ−ｘ＋１個のマルチパ
ルス発光により記録を行なっている。尚、イレースパワ
ーはオーバーライト特性が良好な６ｍＷで、かつ、最後
尾冷却パルス幅は０．５Ｔとしている。次に上記光ピッ
クアップにおいて、高密度（ＭＬ＝０．４３μｍ相当）
をＮＡ＝０．６の対物レンズを用いて記録すると、有効
ＬＤスポット径はω≒０．５１０μｍであり、ω＞ＭＬ
となるため、図２に示すように、ｎ＝ｙ−ｘ個のマルチ
パルス発光により記録を行なっている。尚、イレースパ
ワーはオーバーライト特性が良好な５ｍＷで、かつ、最
後尾冷却パルス幅は０．５Ｔとしている。

【００２６】このように発光波形の累積長を切り替える
ことで加熱パワーやイレースパワーを必要以上に大きく
することなく、異なった線密度の記録が可能となり、記
録膜の劣化を防止できる。よって、オーバーライト特性
の悪化を防ぐことができる。尚、有効ＬＤスポット径の
大きさにより加熱到達温度が異なるため、イレースパワ
ーの最適値は一値に決まるものではない。また、各ｋ、
λ、ＮＡやＭＬの設定値は代表的な値を示しており、実
際には使用する光ピックアップの設計値や変調方式及び
線密度による最短長などによって最適化されたωやＭＬ
の値を適用するものである。

【００２７】（２）実施例２（請求項１，３の説明）．
図３，４及び図５，６は請求項１，３記載の情報記録方
式の実施例を示すマーク記録時の動作タイミングの説明
図である。本実施例におけるコードデータやデータ変調
方式などの記録方式は実施例１と同一である。

【００２８】実施例１では、記録波形の累積長がω＜Ｍ
Ｌの場合とω＞ＭＬの場合で１Ｔだけ変化させている
が、ωとＭＬの差が小さい場合や大きい場合などは記録
マーク長が理想長とずれることが考えられる。そこで本
実施例では、これらのずれを補正し、より理想的な記録
マーク長を得ることを可能とするものである。

【００２９】本実施例では、実施例１と同様の光ピック
アップでＮＡ＝０．４を用いて記録を行ない、ω＜ＭＬ
の場合、ｙＴ長のマークでは、ｎ＝ｙ−ｘ＋１個の後部
加熱パルスＢと後部冷却パルスＣが先頭加熱パルスＡと
最後尾冷却パルスＣｒの間に繰返し発光するようにして
いる。このうち、図３に示すように、ωとＭＬの差が小
さいとき、例えばＣＤ７４分の密度（ＭＬ＝０．８３μ
ｍ相当）のとき、最後尾冷却パルス幅を０．２５Ｔとし
ている。また、図４に示すように、ωとＭＬの差が大き
いとき、例えばＣＤ６３分の密度（ＭＬ＝０．９７μｍ
相当）のとき、最後尾冷却パルス幅を０．７５Ｔとして
いる。ここで、図３と図４の最後尾冷却パルス幅の差は
０．５Ｔであり、最短マーク長ＭＬの差とほぼ一致させ
ている。このような波形とすることで、加熱パワー及び
イレースパワーはどちらの記録密度であっても同一値と
なり、オーバーライト特性が変化することがなく、ジッ
タ特性も良好である。

【００３０】次に、ＮＡ＝０．６を用いて記録を行な
い、ω＞ＭＬの場合、ｙＴ長のマークでは、ｎ＝ｙ−ｘ
個の後部加熱パルスＢと後部冷却パルスＣが先頭加熱パ
ルスＡと最後尾冷却パルスＣｒの間に繰返し発光するよ
うにしている。このうち、図５に示すように、ωとＭＬ
の差が大きいとき、例えばＭＬ＝０．４μｍ相当のと
き、最後尾冷却パルス幅を０．２５Ｔとしている。ま
た、図６に示すように、ωとＭＬの差が小さいとき、例
えばＭＬ＝０．４７μｍ相当のとき、最後尾冷却パルス
幅を０．７５Ｔとしている。ここで図５と図６の最後尾
冷却パルス幅の差は０．５Ｔであり、最短マーク長ＭＬ
の差とほぼ一致させている。この場合、累積長を短く設
定することができ、より高密度記録を行なうときに適し
ている。また、このような波形とすることで、実施例１
よりも累積長を細かく設定することができ、加熱パワー
及びイレースパワーはどちらの記録密度であっても同一
値となり、オーバライト特性が変化することがなく、ジ
ッタ特性も良好である。尚、ここでは最後尾冷却パルス
Ｃｒを変化させているが先頭冷却パルスＡであっても同
様の効果が得られることは言うまでもない。

【００３１】このように、先頭冷却パルスＡあるいは最
後尾冷却パルスＣｒの幅を変化させることで異なった有
効ＬＤスポット径を有する光ピックアップを用いたり、
異なった記録密度の記録を行なっても、加熱パワーやイ
レースパワーを必要以上に変化させることなく設定でき
るため、オーバーライト特性やジッタ特性の悪化を防止
することが可能である。尚、実際には使用する光ピック
アップの各ｋ、λ、ＮＡなどの設計値、及び変調方式や
線密度から算出される最短長などによって、最適化され
たωやＭＬの値を適用するものである。

【００３２】（３）実施例３（請求項４，５の説明）．
図７は請求項４，５記載の情報記録方式の実施例を示す
マーク記録時の動作タイミングの説明図である。本実施
例におけるコードデータやデータ変調方式などの記録方
式は実施例１や２と同一である。

【００３３】一般的に、相変化メディアにＰＷＭ記録を
行なう場合、再生信号のジッタ特性を良好にするため加
熱パルスの発光パワーを高く設定することが多いが、オ
ーバーライト特性を良好にするには逆に発光パワーを低
く設定することが多い。したがって、実際には両方のバ
ランスを取りながら設定しているため、それぞれの最適
値での記録は困難であった。本実施例は、オーバーライ
ト特性の向上に効果があり、ここでは、レーザー光源の
記録スポット径が最短長ｘＴのマークより小さい場合に
特に有効となる記録方式について説明する。

【００３４】本実施例におけるマルチパルス発光波形
は、図７のように先頭加熱パルスＡを前半部分Ａｆと後
半部分Ａｒに２分して、その後半部分Ａｒの発光パワー
を従来より高く設定し、逆に前半部分Ａｆは従来より低
く設定している。また、最後尾加熱パルスＢｒの発光パ
ワーもパルスＡｒと同様に高く設定している。すなわち
本実施例では、先頭加熱パルスＡを前半と後半に２分し
た後半部分Ａｒの先頭加熱パルス発光パワーとその直後
の先頭冷却パルスＣの発光パワーの差と、後部加熱パル
スのうち最後尾加熱パルスＢｒとその直後の最後尾冷却
パルスＣｒとの発光パワーの差を、その他の加熱パルス
とその直後の冷却パルスとの発光パワーの差よりも大き
くなるように設定している。具体的には、実施例１と同
様の光ピックアップを用いてＮＡ＝０．４での記録を行
ない、有効ＬＤスポット径ωがω＜ＭＬの場合、ｙＴ長
のマークでは、ｎ＝ｙ−ｘ＋１個のマルチパルス発光を
行ない、かつ、ωとＭＬの差が大きいとき、例えばＣＤ
６３分の密度（ＭＬ＝０．９７μｍ相当）のとき、最後
尾冷却パルス幅を０．７５Ｔとしている。ここで、前述
のマルチパルス波形の各発光パワーの設定値は、Ａｆ部
＝１１ｍＷ，Ａｒ部＝１３ｍＷ，Ｂ部＝１１ｍＷ，Ｂｒ
部＝１３ｍＷ，Ｃ（Ｃｒ）部＝１ｍＷ（≒リードパワ
ー），Ｄ部＝６ｍＷ（イレースパワー）としている。

【００３５】このような記録波形とすることで、マーク
の前エッジ及び後ろエッジに相当する加熱→冷却の発光
パワーの差は、従来の１１ｍＷから１２ｍＷに増大して
より良好な急冷条件となるため、マークエッジの形成が
より鮮明になっていると考えられる。このときのジッタ
σ／Ｔｗ（Ｔｗ：ウィンドウ幅）は、従来よりも約２％
低減できている。また、ジッタσ／Ｔｗの許容値を満足
するオーバーライト回数は、マーク記録時の平均発光パ
ワーが低減できているため、従来と比べて約１．５倍に
向上している。また、ω＜ＭＬの場合で、ωとＭＬの差
が小さいとき、例えばＣＤ７４分密度（ＭＬ＝０．８３
μｍ相当）のとき、本実施例の方法を用いると、線密度
が高くなった分、ジッタ低減の効果が少なくなるが、オ
ーバーライト特性は同様に向上している。

【００３６】ここで、本実施例では、マークの前後エッ
ジ部に相当するＡｒ部とＢｒ部を変化させたが、どちら
か一方でもよく、相変化型メディアの記録特性に合わせ
ればよいことは言うまでもない。尚、各発光パワーの設
定値は代表的な値を示しており、実際には記録材料やメ
ディア相構成などによって最適化された値を適用するも
のである。

【００３７】（４）実施例４（請求項４，６の説明）．
図８は請求項４，６記載の情報記録方式の実施例を示す
マーク記録時の動作タイミングの説明図である。本実施
例におけるコードデータやデータ変調方式などの記録方
式は実施例１や２と同一である。

【００３８】一般的に、相変化メディアにＰＷＭ記録を
行なう場合、有効ＬＤスポット径に対して最短長のマー
クが小さくなると、記録されたマーク長は理想長より長
くなるため、イレースパワーを高く設定してマークの後
ろエッジを短く形成し、理想長に補正している。しかし
イレースパワーを高くすると記録膜の劣化が著しくなり
オーバーライト特性が悪化する。そこで、本発明では実
施例１，２のように、オーバーライト特性の悪化を防止
するためイレースパワーを高くしないで、マークを形成
するためのマルチパルス発光波形の累積長を変化させて
いる。しかしながら、先頭冷却パルスや最後尾冷却パル
スの幅を０．２５Ｔよりさらに短く設定していくと、十
分な冷却時間が確保できなくなり、エッジ部が不明瞭と
なりジッタ特性が悪化する。本実施例は、ジッタ特性の
悪化の防止に効果があり、レーザー光源の記録スポット
径が最短長ｘＴのマークより大きい場合に特に有効とな
る記録方式について説明する。

【００３９】本実施例におけるマルチパルス波形は、図
８のように先頭加熱パルスＡを前半部分Ａｆと後半部分
Ａｒに２分して、その後半部分Ａｒの発光パワーを従来
より低く設定し、先頭加熱パルスの前半部分Ａｆと最後
尾を除いた加熱パルスＢの発光パワーは従来と同一とし
た。また、最後尾加熱パルスＢｒの発光パワーもパルス
Ａｒと同様に低く設定している。すなわち本実施例で
は、先頭加熱パルスを前半と後半に２分した後半部分Ａ
ｒの先頭加熱パルス発光パワーとその直後の先頭冷却パ
ルスＣの発光パワーの差と、後部加熱パルスのうち最後
尾加熱パルスＢｒとその直後の最後尾冷却パルスＣｒと
の発光パワーの差を、その他の加熱パルスとその直後の
冷却パルスとの発光パワーの差よりも小さくなるように
設定している。具体的には、実施例１と同様の光ピック
アップを用いてＮＡ＝０．６での記録を行ない、有効Ｌ
Ｄスポット径ωがω＞ＭＬの場合、ｙＴ長のマークで
は、ｎ＝ｙ−ｘ個のマルチパルス発光を行ない、かつ、
ωとＭＬの差が大きいとき、例えば高密度（ＭＬ＝０．
４μｍ相当）のとき、最後尾冷却パルス幅を０．２５Ｔ
としている。ここで、前述のマルチパルス波形の各発光
パワーの設定値は、Ａｆ部＝Ｂ部＝１２ｍＷ，Ａｒ部＝
Ｂｒ部＝１０．５ｍＷ，Ｃ（Ｃｒ）部＝１ｍＷ（≒リー
ドパワー），Ｄ部＝６ｍＷ（イレースパワー）としてい
る。

【００４０】このような記録波形とすることで、マーク
の前エッジ及び後ろエッジに相当する加熱→冷却の発光
パワーの差は、従来の１１ｍＷから９．５ｍＷに減少し
て前後エッジが短くなるように形成される。これにより
マークエッジの形成は冷却条件としては不鮮明になると
考えられるが、冷却時間を確保できるため、トータルと
してのジッタ特性は従来より低減されている。このとき
のジッタσ／Ｔｗ（Ｔｗ：ウィンドウ幅）は、従来より
も約１．５％低減できている。また、オーバーライト回
数は、マーク記録時の平均発光パワーが若干低減できて
いるため、従来と比べて約１．１倍に向上している。ま
た、ω＞ＭＬの場合で、ωとＭＬの差が小さいとき、本
実施例の方法を用いると、線密度が低くなった分、ジッ
タ特性の低減の効果が少なくなるが、オーバーライト特
性と共に従来方式より向上している。尚、各発光パワー
の設定値は代表的な値を示しており、実際には記録材料
やメディア相構成などによって最適化された値を適用す
るものである。また、本実施例では、マークの前後エッ
ジ部に相当するＡｒ部とＢｒ部を変化させたが、どちら
か一方でもよく、相変化型メディアの記録特性に合わせ
ればよいことは言うまでもない。

【００４１】（５）実施例５（請求項７の説明）．従来
から用いられている相変化型メディアの記録層として、
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ−Ｓ系、Ｔｅ−
Ｇｅ−Ｓｎ−Ａｕ系、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｎ系、Ｓｂ−Ｓｅ
系、Ｓｂ−Ｓｅ−Ｔｅ系、Ｓｎ−Ｓｅ−Ｔｅ系、Ｇａ−
Ｓｅ−Ｔｅ系、Ｇａ−Ｓｅ−Ｔｅ−Ｇｅ系、Ｉｎ−Ｓｅ
系、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｅ系、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系な
どがある。

【００４２】本実施例では、請求項１から６の情報記録
方式における相変化型メディアの記録層として、Ａｇ−
Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系の記録材料を用いている。この記録
材料を用いた相変化型メディアにデータの記録をすると
き、加熱→冷却による急冷条件に対してアモルファス形
成の依存性が高いため、マークの前後エッジ部に相当す
る加熱パルスとその直後の冷却パルスとの発光パワーの
差の大小によりエッジ部の形状や大きさが左右される。
したがって請求項４〜６の記録方式に対して、マークの
前後エッジ部の形状や大きさの制御が容易である。ま
た、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系の記録材料を用いた場
合、先頭冷却パルスＡから最後尾冷却パルスＣｒまでの
累積長に対する形成されたマーク長との関係は、図９に
示すように、ほとんど直線的に一致するという傾向があ
り、レーザー光の有効ＬＤスポット径ωと最短マーク長
ＭＬに対して、マルチパルス波形の累積長を変化させる
ことで、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系の記録材料がマーク
長を制御しやすいということがわかる。また、図１０に
示すように、イレースパワーや累積長の大きさにより全
てのデータ長が均一にエッジシフトを生じるため正確な
制御が可能となる。尚、他の記録材料においても、半導
体レーザーの発光パワーとジッタ特性及びオーバーライ
ト特性の関係や、記録パルス幅とマーク長の関係は基本
的に同じであるため、本記録方式が効果的であることは
言うまでもない。

【００４３】（６）実施例６（請求項８の説明）．本実
施例は請求項１から７の何れかの情報記録方式を用いた
情報記録再生装置を提供するものである。図１１（ａ）
は本実施例における情報記録再生装置の光ピックアップ
の構成例を示す図であって、図中の符号１は半導体レー
ザー（ＬＤ）からなる光源、２はコリメートレンズ、３
は偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）、４はλ／４板、５
はアパーチャ、６は対物レンズ、７は相変化型メディア
である相変化型光ディスク、７ａは相変化型光ディスク
の実施例５に示した記録材料からなる記録層、８は検出
系集光レンズ、９はシリンドリカルレンズ、１０は受光
素子である。

【００４４】図１１（ａ）において、半導体レーザー
（ＬＤ）光源１は波長λ＝６８０ｎｍの短波長レーザー
を出射し、該光源１から出射されたレーザー光はコリメ
ートレンズ２により平行光となり、偏光ビームスプリッ
タ（ＰＢＳ）３により相変化型光ディスク７の方向に反
射され、λ／４板４を通過して円偏光となり、アパーチ
ャ部５を通過して、対物レンズ６に入射し、光ディスク
７の記録層上のメディア板面でスポット状に集光する。
そしてメディア板面で反射された光は対物レンズ６を通
過して平行光となり、再びλ／４板４を通過すること
で、偏光ビームスプリッタ３を透過し、検出系集光レン
ズ８で集光し、シリンドリカルレンズ９を通過して受光
素子１０に入射し、受光素子１０で光電変換されて再生
信号が得られる。

【００４５】本実施例の情報記録再生装置では、このよ
うな構成の光ピックアップを用いて記録線密度の異なる
記録を行なうために、前記アパーチャ５により、対物レ
ンズ６に入射するレーザー光の径を可変する。例えば、
ＮＡ＝０．６の対物レンズを用いる場合は、アパーチャ
５を光路外に出してアパーチャが無い状態にし、レーザ
ー光を絞らずに高密度記録を行ない、ＮＡ＝０．４とす
る場合には、アパーチャ５を光路内に挿入してアパーチ
ャ５によりレーザー光を絞る。すなわち、対物レンズ６
の開口数ＮＡをアパーチャ５の有・無により変えること
で、ディスク板面上での有効ＬＤスポット径を切り替え
ることができ、２つの有効ＬＤスポット径のＬＤ光源を
得ることができる。よって、例えば、ＮＡ＝０．６に切
り替えてＭＬ＝０．５３μｍやＭＬ＝０．４７μｍでの
線密度を記録する場合や、ＮＡ＝０．４に切り替えてＭ
Ｌ＝０．９７μｍやＭＬ＝０．８３μｍでの線密度を記
録する場合は、実施例１〜４に記載の情報記録方式を用
いることで、加熱パワーやイレースパワーを必要以上に
変化させることなく良好なジッタ特性とオーバーライト
特性をすべての線密度の記録において得ることが可能と
なる。

【００４６】尚、図１１（ａ）の実施例では、アパーチ
ャ５により対物レンズの開口数ＮＡを切り替える構成を
示したが、図１１（ｂ）の部分図に示すように開口数Ｎ
Ａの異なる２個の対物レンズ６ａ，６ｂを用いて切り替
える構成にしてもよいし、図１１（ｃ）の部分図に示す
ように対物レンズ６とホログラム１１（あるいはプリズ
ム）を用いた２焦点対物レンズを用いてもよいし、さら
には、開口数ＮＡは変えずに波長の異なる２個の半導体
レーザーを用いて切り替える構成としてもよく、上記と
同様の作用効果を得ることができる。

【００４７】以上、本発明の各請求項に対応した実施例
について説明したが、図１〜８に示した動作タイミング
の説明図及び従来例の図１２に示した動作タイミングの
説明図における記録マーク及び有効スポット径は、記録
データとの長さの整合性を示すものであり、実際の形状
や大きさを表わしている訳ではない。

【００４８】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の発
明によれば、結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変
化する記録層を有する記録媒体上に情報を半導体レーザ
ー（ＬＤ）光源からのレーザー光により記録する際に、
該ＬＤ光源に、先頭加熱パルスと先頭冷却パルス及び後
続する複数個の後部加熱パルスと後部冷却パルスからな
るマルチパルスの光を発光させて、該マルチパルス発光
により前記記録媒体上に、記録変調方式に基づいた最短
長ｘＴから最大長までの各マーク長ｙＴの複数のマーク
あるいはスペースを形成する情報記録方式において、前
記記録媒体上における有効ＬＤスポット径と前記最短長
ｘＴのマークとの大小に応じて、前記先頭冷却パルスか
ら最後尾冷却パルスまでの累積長を変化させるようにし
たので、加熱パワーやイレースパワーを必要以上に大き
くすることなく、理想長のマークを形成することができ
る。よって、記録膜が劣化することなく、異なった線密
度の記録が可能となり、オーバーライト特性の悪化を防
止することができる。

【００４９】請求項２記載の発明によれば、請求項１記
載の情報記録方式において、マルチパルス発光によりｙ
Ｔ長のマークを記録する際に、前記記録媒体上における
有効ＬＤスポット径が、最短長ｘＴのマークより略小さ
い場合には、ｎ＝ｙ−ｘ＋１個の後部加熱パルスと後部
冷却パルスを先頭加熱パルスと最後尾冷却パルスの間に
繰返し発光させ、前記記録媒体上における有効ＬＤスポ
ット径が、最短長ｘＴのマークより略大きい場合には、
ｎ＝ｙ−ｘ個の後部加熱パルスと後部冷却パルスを先頭
加熱パルスと最後尾冷却パルスの間に繰返し発光させる
ようにしたので、加熱パワーやイレースパワーを必要以
上に大きくすることなく、理想長のマークを形成するこ
とができる。よって、記録膜が劣化することなく、異な
った線密度の記録が可能となり、オーバーライト特性の
悪化を防止することができる。

【００５０】請求項３記載の発明によれば、請求項１記
載の情報記録方式において、前記記録媒体上における有
効ＬＤスポット径と最短長ｘＴのマークの大小に応じ
て、先頭冷却パルスあるいは最後尾冷却パルスの幅を変
化させるようにしたので、請求項２（実施例１）の方式
よりも累積長を細かく設定することができるため、異な
った有効ＬＤスポット径を有する光ピックアップを用い
たり、異なった線密度の記録を行なっても、オーバーラ
イト特性やジッタ特性の悪化を防止することが可能であ
る。

【００５１】請求項４記載の発明によれば、結晶相とア
モルファス相とに可逆的に相変化する記録層を有する記
録媒体上に情報を半導体レーザー（ＬＤ）光源からのレ
ーザー光により記録する際に、該ＬＤ光源に、先頭加熱
パルスと先頭冷却パルス及び後続する複数個の後部加熱
パルスと後部冷却パルスからなるマルチパルスの光を発
光させて、該マルチパルス発光により前記記録媒体上
に、記録変調方式に基づいた最短長ｘＴから最大長まで
の各マーク長ｙＴの複数のマークあるいはスペースを形
成する情報記録方式において、前記記録媒体上における
有効ＬＤスポット径と前記最短長ｘＴのマークとの大小
に応じて、前記先頭加熱パルスを前半と後半に２分した
後半部分の先頭加熱パルス発光パワーとその直後の先頭
冷却パルス発光パワーの差と、後部加熱パルスのうち最
後尾加熱パルスとその直後の最後尾冷却パルスとの発光
パワーの差の少なくとも一方を、その他の加熱パルスと
その直後の冷却パルスとの発光パワーの差と変化させる
ようにしたので、マーク間隔のジッタを低減することが
可能となったり、平均記録パワーの低減によりオーバー
ライト特性の向上が可能となる。

【００５２】請求項５記載の発明によれば、請求項４記
載の情報記録方式において、前記記録媒体上における有
効ＬＤスポット径が、最短長ｘＴのマークより略小さい
場合、前記先頭加熱パルスを前半と後半に２分した後半
部分の先頭加熱パルス発光パワーとその直後の先頭冷却
パルス発光パワーの差と、後部加熱パルスのうち最後尾
加熱パルスとその直後の最後尾冷却パルスとの発光パワ
ーの差の少なくとも一方を、その他の加熱パルスとその
直後の冷却パルスとの発光パワーの差よりも大きくなる
ように設定したので、マークの前後エッジ部がより良好
な急冷条件となるため、マーク間隔のジッタを低減する
ことが可能となると共に、平均記録パワーの低減により
オーバーライト特性の向上が可能となる。

【００５３】請求項６記載の発明によれば、請求項４記
載の情報記録方式において、前記記録媒体上における有
効ＬＤスポット径が、最短長ｘＴのマークより略大きい
場合、前記先頭加熱パルスを前半と後半に２分した後半
部分の先頭加熱パルス発光パワーとその直後の先頭冷却
パルス発光パワーの差と、後部加熱パルスのうち最後尾
加熱パルスとその直後の最後尾冷却パルスとの発光パワ
ーの差の少なくとも一方を、その他の加熱パルスとその
直後の冷却パルスとの発光パワーの差よりも小さくなる
ように設定したので、冷却時間を確保しながら、記録マ
ークの前後エッジが短くなるように形成されるため、エ
ッジシフトを防止できるのでジッタ特性の低減が可能と
なる。

【００５４】請求項７記載の発明によれば、請求項１か
ら６の何れかに記載の情報記録方式において、前記記録
媒体の結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変化する
記録層が、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系の記録材料からなるよう
にしたので、マークの前後エッジ部に相当する加熱パル
スとその直後の冷却パルスとの発光パワーの差の大小に
よりジッタ特性が大きく左右されるため、前述のジッタ
低減の効果が顕著に現われる。また、先頭冷却パルスか
ら最後尾冷却パルスまでの累積長に対する形成されたマ
ーク長の関係がほとんど直線的に一致するという傾向が
ありマーク長を制御しやすい。

【００５５】請求項８記載の発明によれば、請求項１か
ら７の何れかに記載の情報記録方式を用いた情報記録再
生装置において、単一あるいは複数の光学系を有する光
ピックアップを備え、該光ピックアップにより、前記記
録媒体上における単一あるいは複数の有効ＬＤスポット
径を有するＬＤ光源を用いて、複数の記録線密度の記録
を行なうようにしたので、加熱パワーやイレースパワー
を必要以上に変化させることなく良好なジッタ特性とオ
ーバーライト特性をすべての線密度の記録において得る
ことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】請求項１，２記載の情報記録方式の実施例を示
すマーク記録時の動作タイミングの説明図である。

【図２】請求項１，２記載の情報記録方式の別の実施例
を示すマーク記録時の動作タイミングの説明図である。

【図３】請求項１，３記載の情報記録方式の実施例を示
すマーク記録時の動作タイミングの説明図である。

【図４】請求項１，３記載の情報記録方式の別の実施例
を示すマーク記録時の動作タイミングの説明図である。

【図５】請求項１，３記載の情報記録方式の別の実施例
を示すマーク記録時の動作タイミングの説明図である。

【図６】請求項１，３記載の情報記録方式の別の実施例
を示すマーク記録時の動作タイミングの説明図である。

【図７】請求項４，５記載の情報記録方式の実施例を示
すマーク記録時の動作タイミングの説明図である。

【図８】請求項４，６記載の情報記録方式の実施例を示
すマーク記録時の動作タイミングの説明図である。

【図９】請求項７の実施例の説明図であって、先頭冷却
パルスから最後尾冷却パルスまでの累積長と、記録マー
ク長との関係を示す特性図である。

【図１０】請求項７の実施例の説明図であって、イレー
スパワーやマルチパルス波形の累積長の大きさが変わっ
た場合の、先頭冷却パルスから最後尾冷却パルスまでの
累積長と、記録マーク長との関係を示す特性図である。

【図１１】請求項８の実施例を示す図であって、（ａ）
は情報記録再生装置の光ピックアップの構成例を示す概
略構成図、（ｂ）は（ａ）に示す光ピックアップの対物
レンズとアパーチャ部分を２個の対物レンズに替えた場
合の構成例を示す部分図、（ｃ）は（ａ）に示す光ピッ
クアップの対物レンズとアパーチャ部分をホログラムを
用いた２焦点対物レンズに替えた場合の構成例を示す部
分図である。

【図１２】従来の情報記録方式の一例を示すマーク記録
時の動作タイミングの説明図である。

【図１３】オーバーライト回数の記録パワー依存性を示
す図であって、半導体レーザー（ＬＤ）パワー設定値
と、オーバーライト回数との関係を示す特性図である。

【符号の説明】

１：半導体レーザー（ＬＤ） ２：コリメートレンズ ３：偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ） ４：λ／４板 ５：アパーチャ ６：対物レンズ ６ａ：対物レンズ（ＮＡ大用） ６ｂ：対物レンズ（ＮＡ小用） ７：相変化型光ディスク（相変化型メディア） ７ａ：記録層 ８：検出系集光レンズ ９：シリンドリカルレンズ １０：受光素子 １１：ホログラム

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変
   化する記録層を有する記録媒体上に情報を半導体レーザ
   ー（ＬＤ）光源からのレーザー光により記録する際に、
   該ＬＤ光源に、先頭加熱パルスと先頭冷却パルス及び後
   続する複数個の後部加熱パルスと後部冷却パルスからな
   るマルチパルスの光を発光させて、該マルチパルス発光
   により前記記録媒体上に、記録変調方式に基づいた最短
   長ｘＴから最大長までの各マーク長ｙＴの複数のマーク
   あるいはスペースを形成する情報記録方式において、前
   記記録媒体上におけるレーザー光の有効スポット径（以
   下、有効ＬＤスポット径と記す）と前記最短長ｘＴのマ
   ークとの大小に応じて、前記先頭冷却パルスから最後尾
   冷却パルスまでの累積長を変化させることを特徴とする
   情報記録方式。
2. 【請求項２】請求項１記載の情報記録方式において、マ
   ルチパルス発光によりｙＴ長のマークを記録する際に、
   前記記録媒体上における有効ＬＤスポット径が、最短長
   ｘＴのマークより略小さい場合には、ｎ＝ｙ−ｘ＋１個
   の後部加熱パルスと後部冷却パルスを先頭加熱パルスと
   最後尾冷却パルスの間に繰返し発光させ、前記記録媒体
   上における有効ＬＤスポット径が、最短長ｘＴのマーク
   より略大きい場合には、ｎ＝ｙ−ｘ個の後部加熱パルス
   と後部冷却パルスを先頭加熱パルスと最後尾冷却パルス
   の間に繰返し発光させることを特徴とする情報記録方
   式。
3. 【請求項３】請求項１記載の情報記録方式において、前
   記記録媒体上における有効ＬＤスポット径と最短長ｘＴ
   のマークの大小に応じて、先頭冷却パルスあるいは最後
   尾冷却パルスの幅を変化させることを特徴とする情報記
   録方式。
4. 【請求項４】結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変
   化する記録層を有する記録媒体上に情報を半導体レーザ
   ー（ＬＤ）光源からのレーザー光により記録する際に、
   該ＬＤ光源に、先頭加熱パルスと先頭冷却パルス及び後
   続する複数個の後部加熱パルスと後部冷却パルスからな
   るマルチパルスの光を発光させて、該マルチパルス発光
   により前記記録媒体上に、記録変調方式に基づいた最短
   長ｘＴから最大長までの各マーク長ｙＴの複数のマーク
   あるいはスペースを形成する情報記録方式において、前
   記記録媒体上における有効ＬＤスポット径と前記最短長
   ｘＴのマークとの大小に応じて、前記先頭加熱パルスを
   前半と後半に２分した後半部分の先頭加熱パルス発光パ
   ワーとその直後の先頭冷却パルス発光パワーの差と、後
   部加熱パルスのうち最後尾加熱パルスとその直後の最後
   尾冷却パルスとの発光パワーの差の少なくとも一方を、
   その他の加熱パルスとその直後の冷却パルスとの発光パ
   ワーの差と変化させることを特徴とする情報記録方式。
5. 【請求項５】請求項４記載の情報記録方式において、前
   記記録媒体上における有効ＬＤスポット径が、最短長ｘ
   Ｔのマークより略小さい場合、前記先頭加熱パルスを前
   半と後半に２分した後半部分の先頭加熱パルス発光パワ
   ーとその直後の先頭冷却パルス発光パワーの差と、後部
   加熱パルスのうち最後尾加熱パルスとその直後の最後尾
   冷却パルスとの発光パワーの差の少なくとも一方を、そ
   の他の加熱パルスとその直後の冷却パルスとの発光パワ
   ーの差よりも大きくなるように設定することを特徴とす
   る情報記録方式。
6. 【請求項６】請求項４記載の情報記録方式において、前
   記記録媒体上における有効ＬＤスポット径が、最短長ｘ
   Ｔのマークより略大きい場合、前記先頭加熱パルスを前
   半と後半に２分した後半部分の先頭加熱パルス発光パワ
   ーとその直後の先頭冷却パルス発光パワーの差と、後部
   加熱パルスのうち最後尾加熱パルスとその直後の最後尾
   冷却パルスとの発光パワーの差の少なくとも一方を、そ
   の他の加熱パルスとその直後の冷却パルスとの発光パワ
   ーの差よりも小さくなるように設定することを特徴とす
   る情報記録方式。
7. 【請求項７】請求項１から６の何れかに記載の情報記録
   方式において、前記記録媒体の記録層が、ＡｇＩｎＳｂ
   Ｔｅ系の記録材料からなることを特徴とする情報記録方
   式。
8. 【請求項８】請求項１から７の何れかに記載の情報記録
   方式を用いた情報記録再生装置において、単一あるいは
   複数の光学系を有する光ピックアップを備え、該光ピッ
   クアップにより、前記記録媒体上における単一あるいは
   複数の有効ＬＤスポット径を有する半導体レーザー（Ｌ
   Ｄ）光源を用いて、複数の記録線密度の記録を行なうこ
   とを特徴とする情報記録再生装置。