JP2000137916A - 光記録方法及び相変化型記録媒体 - Google Patents
光記録方法及び相変化型記録媒体Info
- Publication number
- JP2000137916A JP2000137916A JP11306574A JP30657499A JP2000137916A JP 2000137916 A JP2000137916 A JP 2000137916A JP 11306574 A JP11306574 A JP 11306574A JP 30657499 A JP30657499 A JP 30657499A JP 2000137916 A JP2000137916 A JP 2000137916A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording
- power
- mark
- linear velocity
- pulse
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Optical Head (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
び速度依存性が異なる媒体間の互換性を確保する。 【解決手段】 相変化型記録媒体で長さnTの非晶質マ
ークを形成する際に、記録パワーPwを印加する期間α
iT(1≦i≦m)とバイアスパワーPbを印加する期
間βiTとを交互に設けることで、レーザパワーをm個
のパルスに分割する。この分割において、線速度Vに対
応させて、αiT、βiT又はβiTにおける、Pbと
消去パワーPeの比θ=Pb/Pe、Pe、及び、Pwのパ
ラメータの組合せを、相変化媒体自体に記録する。記録
装置は、この記録されたパラメータの組合せに従って、
レーザパワーを制御する。これにより、特性が異なる媒
体間の互換性を確保する。
Description
化型記録媒体に関する。より詳しくは、レーザー光など
の照射により、情報を記録、消去、再生可能な相変化型
光学的記録媒体について、再結晶化特性及び線速度依存
性が異なるディスク間の互換性を確保し得る記録方法及
びこれに用いる相変化型記録媒体に関する。
度・高速化の要求に応える記録媒体として、レーザーを
利用した光ディスクについての開発が盛んに行われてい
る。記録可能な光ディスクには、一度だけ記録が可能な
追記型と、記録・消去が何度でも可能な書換え型とがあ
る。書換え型光ディスクとしては、光磁気効果を利用し
た光磁気記録媒体や、可逆的な結晶状態の変化を利用し
た相変化媒体が挙げられる。相変化媒体は外部磁界を必
要とせず、レーザー光のパワー変調だけで、記録・消去
が可能である。さらに、消去及び再記録を単一ビームで
同時に行う、1ビームオーバーライトが可能であるとい
う利点を有する。1ビームオーバーライト可能な相変化
記録方式では、記録膜のμmオーダーの微小部分を非晶
質化させることによって記録マークを形成し、これを結
晶化させることによって消去を行う手法が一般的であ
る。このような、相変化記録方式で用いられる記録層材
料としては、カルコゲン系合金薄膜を用いることが多
く、例えば、Ge−Te系、Ge−Te−Sb系、In−Sb
−Te系、Ge−Sn−Te系合金薄膜等が挙げられる。
相異なる2つの状態(結晶状態及び非晶質状態)を実現
するために、異なる2つのレベルのレーザー光パワーを
用いる。この方式を、結晶化された初期状態から非晶質
マークを形成し、また、これを再び結晶化して非晶質マ
ークの消去を行う場合を例にとって説明する。結晶化
は、記録層の結晶化温度より十分に高く、融点よりは低
い温度まで記録層部分を加熱することによってなされ
る。この場合、結晶化が十分なされる程度に冷却速度が
遅くなるように、記録層を誘電体層で挟んだり、ビーム
の移動方向に長い楕円形ビームを用いたりする。一方、
非晶質化は融点より高い温度まで記録層を加熱し、急冷
することによって行う。通常の相変化媒体において1ビ
ームオーバーライトを行う際には、記録パルスを記録レ
ーザーパワーとそれよりも低いパワーの消去レーザーパ
ワーとの間で変調して、既に記録されている過去の非晶
質マークを消去しながら記録を行う。この場合、誘電体
層は、記録層で十分な冷却速度(過冷却速度)を得るた
めの放熱層として機能する。さらに、上述のような、加
熱・冷却過程における記録層の溶融・体積変化に伴う変
形や、プラスチック基板への熱的ダメージを防ぎ、或い
は、湿気による記録層の劣化を防止するためにも、上記
誘電体層が重要な役割を有する。一般に、誘電体層の材
質は、レーザー光に対して光学的に透明であること、融
点・軟化点・分解温度が高いこと、膜形成が容易である
こと、適当な熱伝導性を有すること等の観点から選定さ
れる。
は、一旦記録パワーで溶融せしめた記録層部分を、臨界
冷却速度以上の速さで冷却することによって行われる
(Mitsubishi Kasei R&D Review vol.4 No2 p68-81)。
この冷却速度は、同一層構成を用いた場合には線速度に
依存する。つまり、高線速では冷却速度が速くなり、低
線速では冷却速度は遅くなる。これを確認するため、本
発明の実施例でも用いた層構成である、ポリカーボネー
ト基板上にZnS:SiO2混合膜を100nm、GeSb
Te記録層を25nm、ZnS:SiO2混合膜を20n
m、Al合金膜を100nm順次に形成したディスク
で、一般的な差分法を用いた熱分布シミュレーションを
行った。この場合、計算上の記録パワー(レベル)P
w、及び、ベースパワー(レベル)Pbを照射して、記録
層が最高到達温度1350℃にまで達するように昇温し
た後に、温度が降下する過程において、融点(600
℃)付近における臨界冷却速度を、パルス照射開始位置
から0.1μm進んだ位置で調べた。結果は、線速度が
10m/s以上では数K/nsec以上、4m/sでは
2.2K/nsec、1.4m/sでは0.9K/ns
ecであった。
合には、溶融領域の一部又は全部が再凝固する際の冷却
速度が非晶質化のための臨界冷却速度に達せず、記録溶
融後に再結晶化が起こり、十分な非晶質マークの形成が
困難になるためと考えられる。溶融後に再結晶化した記
録マークの再生波形を観察すると図1のようになり、非
晶質膜部分の状態を示す図2を併せて参照すると、記録
マークの前半部分では再結晶化が大きく、マーク後半部
分では比較的良好に非晶質化されていることが判る。こ
のことは、記録パワーに相当するレーザービームの連続
照射により、マーク後半部分に相当する領域へのレーザ
ー照射による熱が、一旦は溶融したマーク前半部分に相
当する領域に伝導し、その結果、マーク前半部分が急冷
されずに再結晶化してしまうことによると説明できる。
この場合、マーク後半部分では、その直後に記録パワー
に相当するレーザービームが照射されなくなるために、
余計な熱の伝導がなく、溶融した部分が良好な非晶質に
なる。以上を考慮すると、記録パワーの照射開始後に、
一旦パワーを落とすことによって記録パルスを分割すれ
ば、記録層の時間的な温度変化が急冷的になり、記録時
の再結晶化によるマークの劣化を抑えることが可能にな
ると推論できる。
開平2−165420号、特開平4−212735号、
特開平5−62193号、特開平5−325258号、
特開平1−116927号の各公報、Jap. J vol.30 N
o.4 (1991), pp677-681等があり、また、オフパルスを
利用したものでは第40回応用物理学関係連合会春季講
演会29a-B-4、特開平7−37251号、特開平6−4
867号、特開平1−253828号、特開平1−15
0230号、特開平1−315030号、特開平4−3
13816号、特開平2−199628号、特開昭63
−113938号の各公報等が挙げられる。
からすれば、記録時には、非晶質マーク形成のための臨
界冷却速度、再凝固時の溶融領域からの結晶化速度で非
晶質マークの形状等が定まる。消去時には、固相での核
形成、核成長速度に支配される結晶化特性で消去比が定
まる。このような物質固有の特性は、記録層材料及び組
成によって大きく異なる。現在、実用化されている、或
いは、実用化されつつある有用な記録層材料としては、
Ge、Sb、Teの3元を主成分とする合金や、Ag、I
n、Ib、Teを主成分とする合金であるが、当然のこと
ながら、上記の物質固有の特性は大ききく異なる。更
に、冷却速度や結晶化のための保温時間は、記録媒体の
層構成にも大きく依存する。前述のように、相変化媒体
の記録層は、耐熱性の誘電体保護層で挟まれるのが普通
である。また、記録層上部の保護層上に更に金属反射層
を用いることも多い。当然のことながら、保護層や反射
層の熱物性や厚みにより、記録層の冷却速度、高温に維
持される時間は異なってくる。
化を行うことにより、特定の線速及び特定の記録方法
(記録パルス分割方法)を使用する記録装置で、特性よ
く情報の記録、消去、再生を行うことが可能である。し
かしながら、そのような最適化のみでは、その記録媒体
の層構成及び記録層組成が適応できる線速度及びパルス
分割方法が狭いため、ある一定の範囲の線速度及びパル
ス分割方法や、特定の媒体での記録時には有効ではある
ものの、線速度が大きく異なる条件下や再結晶化特性が
異なる媒体では良好な記録が行えなくなる場合が多い。
すなわち、記録装置側がある特定の媒体のみを対象に設
計され、一定のパルス分割方法を採用する限り、相異な
る再結晶化特性、従って、線速依存性を有する相変化型
光ディスク媒体の互換性をとることは困難であった。こ
の問題が解決されない限り、ユーザサイドでのトラブル
が続出し、相変化型記録媒体の健全な市場の発展は望め
ない。
の解決のため、記録時線速度及び個々の媒体に合わせた
パルス分割の方法を提案し、また、互換性を確保するた
めの具体的方法についても提案する。
ーパワーをクロック周期Tに従って記録パワーPw、消
去パワーPe、及び、バイアスパワーPbの少なくとも3
値の間で変調することで光学的に識別可能な非晶質マー
クの形成又は消去を行って、相変化型記録媒体にデータ
を記録・消去する光記録方法において、記録パワーPw
を印加する期間をα1T、α2T、・・・、αmTとし
且つバイアスパワーPbを印加する期間をβ1T、β2
T、・・・、βmTとして、レーザパワーのための印加
期間を順次にα1T、β1T、α2T、β2T、・・・
・、αmT、βmTと選定することで、nを2以上の整
数として長さnTの非晶質マークを記録するレーザパワ
ーをm個のパルスに分割し、kを0から2迄の整数から
成るパラメータ、jを0から2迄の実数からなるパラメ
ータとし、且つ、前記nの最小値をnminとして、n
min−k≧1、m=n−k、α1+β1+・・・・・
+αm+βm=n−j=nLを条件として、パルス分割
情報のパラメータである、記録パワーPw、消去パワー
Pe、バイアスパワーPbiとPeとの比Pbi/Pe=θ
i及びαiの全てを、使用する線速度及び記録媒体に合
わせて変更するように予め記録媒体上に記載し、該パル
ス分割情報を選択して記録を行なうことを特徴とする。
ザーパワーをクロック周期Tに従って記録パワーPw、
消去パワーPe、及び、バイアスパワーPbの少なくとも
3値の間で変調することで光学的に識別可能な非晶質マ
ークの形成又は消去を行って、データを記録・消去する
相変化型記録媒体であって、記録パワーPwを印加する
期間をα1T、α2T、・・・、αmTとし且つバイア
スパワーPbを印加する期間をβ1T、β2T、・・
・、βmTとして、レーザパワーのための印加期間を順
次にα1T、β1T、α2T、β2T、・・・・、αm
T、βmTと選定することで、nを2以上の整数として
長さnTの非晶質マークを記録するレーザパワーをm個
のパルスに分割し、kを0から2迄の整数から成るパラ
メータ、jを0から2迄の実数からなるパラメータと
し、且つ、前記nの最小値をnminとして、nmin
−k≧1、m=n−k、α1+β1+・・・・・+αm
+βm=n−j=nLとした光記録方法に使用される相
変化型記録媒体であって、パルス分割情報のパラメータ
である、記録パワーPw、消去パワーPe、バイアスパワ
ーPbiとPeとの比Pbi/Pe=θi及びαiの全てが
記録されてなることを特徴とする。
始端位置と後端位置とが記録データに対応するため特に
重要である。ある最大線速度Vhのときに採用されるク
ロック周期をThとすると、nを指定することにより、
つまり、nThによって記録されるマーク長さが決ま
る。低線速度Vで同じ長さのマークを記録するには、ク
ロック周期Tを計算上(Vh/V)×Thとし、nTパ
ルスにより同じ長さのマークが得られる筈である。線速
に応じてこのようにクロック周期Tを調整することは既
に一般的に行われている。しかし、実際には熱拡散によ
るマーク長の拡大、あるいは再結晶化によるマーク長短
縮により、必ずしも所望のマーク長が得られない。この
ようなことは、最低線速度VLが4〜6m/s未満の低
線速度の場合に特に起こりやすい。そこで、記録パルス
を分割し、個々の分割パルス幅を短くすることで記録層
内の温度分布を調整する。このようなマーク長変調の記
録方法における記録パルスを図3に示す。
めのレーザパワーをn−k個のパルスに分割した例を示
す。場合によっては、nTマークを記録するのにパルス
長nT分のレーザパワー、つまり、(α1+β1+・・
・・・+αm+βm)=nとなるパルス列を印加する
と、加熱時間が長くなりすぎて、必要な長さより長いマ
ークが書けてしまうことがある。その場合には、(α1
+β1+・・・・・+α m+βm)=n−j(jは0<
j≦2の範囲の実数)とし、それに応じてパルス分割数
m=n−kを変化させてもよい。図4には、例として、
βi(1≦i≦m−1)を一定とし、βmのみ異なる値
とするパターンを例示した。この場合、β mの調整によ
り、n−jを変化させ、所望のマーク長nTを得ること
ができる。
る場合に、クロック周期を上記のように線速度に比例し
て変化させ、また、パルス分割方法もその媒体に適応さ
せて変化させることで、広い線速度で高品質の記録を行
うことは比較的容易である。一方、層構成や記録層の材
料及び組成が若干異なる相変化型記録媒体に対しては、
パルス分割方法、及び、その線速による変化のさせかた
を、各相変化型媒体の特性に応じて変化させなければな
らない。即ち、線速度が小さく冷却速度が遅くなった場
合に、或いは、記録しようとする相変化型媒体の非晶質
化のための臨界冷却速度が大きく、非晶質マークが形成
され難い場合には、記録パルス分割方法を変えて、溶融
領域の冷却速度を大きくする。
きパルス分割方法のパラメータには幾つかあるが、この
うちパルス分割数m=n−k、及び、パルス長nL=n
−j、更にはαi+βiも線速及び媒体によらず一定と
したほうが、クロック周期に同期した回路構成を利用で
きるので、パルス制御回路を簡素化する上で好ましい。
本発明においては、記録パワーPwがオンとなるパルス
幅αiTを短くし、オフとなる時間βiTを長くし、又
は、記録パワーPwがオフとなる期間βiTに印加され
るレーザー光パワー(バイアスパワー)Pbiの消去パ
ワーPeに対する比Pbi/Pe=θiを低線速ほど低く
することで、1マーク内に熱がたまることを抑制して冷
却速度を増大せしめ、再結晶化を防止する。但し、当然
のことながら、記録パワーPw、消去パワーPeは個々の
線速によって異なる値をとる。
け照射したときに、非晶質マークを消去できるパワーに
選ばれる。より具体的には、fmax=1/(2n
maxT)、又は、fmin=1/(2nminT)な
る単一周波数(デューティ比50%)で記録したマーク
上に直流的にPeを照射したときに、消去された信号の
キャリアレベルの減衰が約20dB以上となるPeが選
ばれる。或いは、fmax=1/(2nmaxT)なる
単一周波数(デューティ比50%)で記録したマーク上
に、fmin=1/(2nminT)なる単一周波数
(デューティ比50%)の信号でオーバーライト(この
とき、記録パルスは分割してもしなくても良いが、Pw
とPeの2値で変調を行う)したときに、fminのキ
ャリアレベルと消去されたfmaxのキャリアレベルの
差が約20dB以上となるようにPeを選ぶ。なお、Pw
はfmax及びfminの記録信号のC/N比(Carrie
r to Noise 比)が約45dB以上となるように選ばれ
る。
は、パルス長nTに依存せず一定であり、且つ、一つの
マーク内の分割された個々のパルス相互で一定であるこ
とが、パルス制御回路を簡素化する上で望ましい。P
w、Pe、及び、クロック周期Tを記録時の線速に応じて
変更することは公知である。しかし、パルス分割方法を
線速及び媒体に応じて変化させることは、本発明者等が
最初に提案するものである。これらのパルス分割方法を
記述するパラメータは、線速に応じて連続的に変化させ
てもよいが、一定の線速の範囲ごとに段階的に変化させ
てもよい。ここで、Pbiが0になるとサーボ信号がと
れなくなり、トラッキングサーボがかからなくなるので
好ましくない。また、PbiがPeを超えると、記録層が
溶融するため、かえって消去不可能となるため好ましく
ない。結局、Pbiは、0より大でPe以下であることが
好ましい。
に、使用するディスクに予めそのディスクに適したパル
ス分割方法に関する情報を記録する。そのパルス分割情
報は、上記パラメータ(Pw、Pe、θi、αi)のうち
可変とするものの組合せを、使用する線速度に合わせて
変更するように記載されている。この記載は、VL≦V
≦Vhの範囲の線速度Vについて、VL及びVhにおけ
る線速度Vのみに関して分割方法を記載し、その間のV
については、VL及びVhに対するパラメータを補間し
て利用することが可能である。上記情報は、使用するデ
ィスクの記録領域の最内周又は最外周に近接した領域
の、光ビーム案内用の溝の断続、又は、溝内若しくは溝
間の凹凸によって記載することが出来る。或いは、CD
−Eでは、記録領域の最内周又は最外周に近接した領域
の、光ビーム案内用の溝の周期的蛇行となる周波数変調
によって記載できる。このような信号記録方法自体は、
CD−Rで実用化されており、ATIP信号(特開平2
−87344号公報、特開平3−3168号公報等に記
載の技術)と呼ばれるが、本発明で開示する記載内容及
びその利用方法は、従来知られていなかった。
期間中のPbiを一定ではなくPbiとPeの比θiで変
化させることは、回路が複雑になるが、ときには好まし
い。図5(b)に例示した4Tマークのためのパターン
では、βiTの期間中にPbが、まず、0<Pb<Peを
とり、次いで、Pb=Peと変化させる場合を挙げた。ま
た、図5(a)に例示したパターンでは、先にPb=Pe
とし、その後にPb<Peと変化させる例をあげた。この
ように、βiTにおいてPbiをPbとPeとの間で変化
させるタイミングは、βiに関して一定であることが好
ましい。即ち、クロック周期Tの整数分の1のタイミン
グのサブクロックに同期させる。このようにすると、ク
ロック周期Tを変化させても自動的にタイミングが調整
される。
部は、直前のレーザパワーが消去パワーであり、従って
温度が上がりにくいことから、先頭の分割パルスのパル
ス幅をこれに後続する分割パルスよりも長くすると良い
場合がある。これを図6(b)に示した。また、個々の
分割された記録パルスの立上がりは、必ずしもクロック
周期と同期している必要はないが、パルス制御回路を簡
素化するためには、同期していることが好ましい。但
し、その場合にも、1つのマーク長に対する、先頭パル
ス又は最終パルスの立上がりだけをクロック周期から高
々Tだけずらすことは、異なるマーク間の熱干渉を補正
する上で効果がある。さらには、先行するマークとの熱
干渉を抑制するため、後続マークの先頭パルスの直前
(最大でも2T時間経過以前)にオフパルス区間を設け
ることも複雑にはなるが有効である。この例を図6
(b)に示した。
L≦V<Vhにおいて、低線速になるほどパルス幅を短
くして最結晶化を防ぐことが出来る。しかし、あまり短
くすると記録感度が低下するので、0.05<αiと下
限を設けることが好ましい。
とするが、マーク端検出方式には制限されない。即ち、
Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 31 (1992). pp584-589に記
載されているような、単純な直流レベルによるスライ
ス、2回微分によるピーク検出の何れも採用できる。ま
た、同文献に記載されているような、マーク端の検出を
マーク前端と後端とで別々に行う方法も適用できる。
る相変化型記録媒体であって、結晶状態を未記録状態と
し、非晶質の記録マークを形成する形式のものである。
この形式の相変化媒体の構成の1例を図7に示す。もち
ろん、本発明はこの層構成に限定されるものではない。
同図において、基板1上に、下部保護層2、相変化型の
記録層3、上部保護層4、金属または半導体からなる反
射層5、及び、紫外線または熱硬化樹脂からなる保護層
6が順次に形成されている。符号2−5で示した各層
は、通常はスパッタ法で成膜される薄膜である。記録再
生用の集束光は、一般に、透明基板1を透過して記録層
3に照射される。記録層3は記録パワーPwの照射によ
り局所的に加熱されて溶融し、集束照射光のオフによ
り、急激に冷却され、固化する際に非晶質マークとな
る。非晶質マークは、消去パワーPeの照射により、融
点以下で結晶化温度以上の温度となるように加熱され、
再結晶化されて消去される。このような原理でオーバー
ライトできる記録層材料としては、すでに述べたような
GeSbTe合金(なかでも、GeTeとSb2Te3の疑似
2元合金)、Sb70Te30共晶組成の近傍でAg、C
u、Au、Ge、Pd、Pt等を添加したものが挙げられ
る。これらの合金では、特にSb量の制御により、結晶
化速度および非晶質形成能、あるいは結晶化温度を制御
し、使用する線速度にあわせて最適化を行っている。例
えば、GeTe−Sb2Te3疑似2元合金にSbを添加し
ていくと、非晶質形成能が増し、結晶化速度が遅くなる
ので、低線速向きとなる。また、記録層3や保護層2、
4の厚み、保護層及び反射層5の熱伝導率を制御するこ
とで、記録時に形成された溶融領域の過冷却速度を制御
することでも、線速に適合させる制御が可能となる。例
えば、保護層の熱伝導率を高くする、或いは、記録層お
よび上部保護層の厚みを15−30nmとして、記録層
から反射層への熱拡散を促進すると、非晶質化が促進さ
れるので、低線速向きとなる。なお、本発明では、前記
Peを決定する際に、消去比が20dBに達しないよう
な記録層材料、組成、層構成の媒体は好ましくない。こ
のような媒体は、いかようにパルス分割方法を変更しよ
うとも、オーバーライトした際に、以前に記録したマー
クの消し残りが生じ、信号品質を大幅に低下させるから
である。
録可能なコンパクトディスク(CD−E)が挙げられ
る。CD−Eでは、最小線速度VLはVL=1.2〜
1.4m/sであり、通常は1倍速又は2倍速で記録/
再生するが、1、2、4、6倍速の全てで記録/再生で
きれば望ましい。このような、CD−Eの使用方法は、
公表されてはいないが、現在すでに市場に出回ってい
る、ライトワンス型の記録可能CD(CD−R、CD−
Recrordable)では、1−6倍速の広い範囲の線速度で
記録可能であることが望ましい。この場合、好ましいパ
ルス分割方法としては、まず、マーク長変調方式として
m=n、n−1、又は、n−2なるEFM変調を採用
し、VとしてVL、2VL、4VL、又は、6VLの有
限個の値を取りうるものとする。線速2VL以上におい
てα1h=1.5又は1.0、β1h=α ih=0.5
(2≦i≦m)とし、且つ、全ての線速度において、α
i+βi− 1=1.0(2≦i≦m)としている。更
に、線速度2VLではPbi=Pr±0.5mW(1≦i
≦m、Prは再生光パワー)、線速度V=Vh=4VL
又は6VLにおいてはPbi=Pe±0.5mW(1≦i
≦m)、線速度VLにおいては0.05<αi<0.5
(2≦i≦m)及びα1L≦α1hとなるように線速度
に応じて記録パルス分割方法を変更させる。但し、βm
=0.5又はβm≠0.5(0であり得る)とする。こ
の例を図8に示した。
方式としてm=n、n−1、又は、m−2のEFM変調
を用い、線速度VとしてVL=1.2〜1.4m/sの
1、2、4、又は、6倍速の有限個の範囲を取り得るも
のとし、αi=0.05〜1.5、且つ、全ての線速に
おいてαi+βi−1=1.0(2≦i≦m、βmは0
を含み、他のβiとは異なる値を取り得る)とし、θi
=Pbi/Pe、又は、Pbiは記録媒体及び線速に依存
せず一定であり、αiは、同一記録媒体に対しては、記
録時の線速度が小さいほど単調に小さくなるように、線
速度Vに応じて記録パルス分割方法を変更させることも
出来る。この例を図9に示した。このようにすること
で、種々の線速度で記録を行う多種の記録装置に対し
て、1種類の媒体で対応できる。
として、より具体的には、基板上に少なくとも下部誘電
体保護層、{(GeTe)y(Sb2Te3)1−y}
1−xSbx(0≦x<0.1、0.2<y<0.9)
記録層、上部誘電体保護層、金属反射層を順に設けてな
り、記録層膜厚が15−30nm、上部誘電体保護層膜
厚が10−30nmとした相変化型媒体が挙げられる。
或いは、この記録層を、My(Te1−xSbx)1−y
(0≦y<0.3、0.5<x<0.9、M=In、G
a、Zn、Ge、Sn、Si、Co、Cr、Cu、Ag、Au、P
d、Pt、S、Se、Oのうちの少なくとも1種)に代え
てもよい。特開平4−212735号公報及び特開平5
−62193号公報は、特にCD線速において書き換え
可能なGeSbTe記録層を用いた相変化型記録媒体に関
する先行技術であり、長マークで記録パルスを分割する
記録方法が示されている。しかし、上記2倍速(2
VL)におけるパルス分割方法は示唆すらされておら
ず、また、2、4、6倍速で記録するときに生じる線速
度依存性の問題についてはなんら記載されていない。更
に、特定の組成範囲のGeSbTe記録層及び特定の層構
成に限定されており、他の相変化記録媒体との互換性を
確保する方法については全く開示されていない。特開平
7−37251号公報、及びその発明者等による学会発
表(International symposium on Optical Memory、 19
95、 Knanazawa、 Japan、 No.P-33)においては、Ag
InSbTe記録層を用いたCD−E媒体の例及びその記
録方法が例示されている。しかしながら、やはり、線速
度依存性の問題及びその解決方法についてはなんら開示
されていない。
方法を読み取り、指定されたパルス分割方法及び線速度
で記録を行なうスキームを自動的に実施する装置を使用
すれば、線速依存性は異なるが記録される情報のフォー
マットが同じ複数の相変化媒体が市場に共存しても、そ
の互換性をとることが出来る。即ち、ある特定の相変化
媒体を、ある特定の固定されたパルス分割方法のみを採
用した記録装置で記録した場合に、再結晶化により正常
な信号が記録されないという問題を解消し得る。より具
体例として、上記CD−Eを挙げると、図8及び図9に
示したような記録パルス分割方法を用い、そのディスク
を使用できる線速がCD線速1.2〜1.4m/sの何
倍速(N倍速)であるかを明記し、(N、Pw、Pe、
θ、α1、α、βm)なるパラメータの組を記載すれば
よい。このとき、場合によっては、m及びnLも可変と
する。ここで、図8及び図9の記録方法では、αi(2
≦i≦m)の値は同一のNに対しては一定であるので、
1つの値αで代表している。また、αi+βi−1=
1.0(2≦i≦m)としている。なお、Pw、Peはパ
ワーの絶対値で与えてもよく、一方を他方の比で与えて
もよい。また、双方を別途定められた基準となるパワー
との比で与えてもよい。なお、参照すべき線速に対して
記録パワー等を記載することは既にCD−R規格(オレ
ンジブック、パート2)において利用されている。但
し、パルス分割方法を線速に応じて変更するとの記載は
ない。
下の実施例に限定されるものではない。以下の実施例で
は、780nmのレーザーダイオード、NA=0.60
の光学レンズを搭載したパルステック社製光ディスクド
ライブテスタ(DDU1000)を用いて記録(1ビー
ム・オーバーライト)を行った。再生光パワーPrは
0.8mWで線速によらず一定とした。媒体CD線速
(1.2〜1.4m/s)の1.2倍又は1.4倍でF
EMランダムパターンによる評価を行なった。また、ク
ロック周期Tは2倍速で115ナノ秒(ns)である。
適当な条件で数回オーバーライトした後に、11Tマー
クの再生信号の振幅(peak-to-peak)の中心でスライス
し、マーク長を検出した。検出にはタイムインターバル
アナライザー(TIA、ヒューレットパッカード製、E
1725A)を用いた(Jpn. J. Appl.Phys. , vol. 31
(1992)、pp584-589等に開示された簡易法)。また、媒
体は、直径120mm(CDサイズ)で、ピッチ1.6μ
mのスパイラル状グルーブを有するポリカーボネート樹
脂基板上に形成した。更に、消去パワーPeは、22T
単一周期(デューティ比50%)で記録したマーク上に
6T単一周期(デューティ比50%)でオーバーライト
した場合に、11T信号の残留信号のキャリアレベル
と、3T信号のキャリアレベルとの差が20dB以上と
なるように選んだ。
に、(ZnS)80(SiO2)20[mol%]層を10
0nm、Ge22.0Sb25.0Te53.0[at%]層
を25nm、(ZnS)80(SiO2)20[mol%]
層を20nm、Al合金層を100nm順次にマグネト
ロンスパッタリング法にて積層し、更にその上に紫外線
硬化樹脂を4μm設けることにより作成したディスクを
用意した。一方、媒体Bとして同様な層構成で記録層の
みをAg7.0In12.0Sb58.0Te23.0とし
たものを用意した。記録層に使用した上記2種類の合金
材料は、書換え可能な相変化媒体の記録層材料として何
れも従来から用いられており、共に市場に普及しつつあ
る。これら2種類の記録層材料には、何れも特性に一長
一短があり、どちらが優れていると簡単には決め難い。
また、相互に大きく異なる結晶化・非結晶化プロセスを
有し、相互に異なる線速依存性を示す。CD−Eへの適
用を考えた場合に、特定の線速に限れば互換性を確保で
きるものの、従来、1−4倍速の広範囲においては互換
性を確保するのが困難であった。
る記録を試み、良好な結果が得られたPw、Pe、Pb及
びパルス分割方法の組合せについて表1にまとめた。こ
こで、良好な結果とは、EFMランダムパターンにおい
て明瞭なアイパターンが得られ、最短マークである3T
マークのジッターがTの10%未満となったことをい
う。記録時のパルス分割パターンは図10に示した通り
である。
倍速、m=n−1、Pb=Pr(一定)としたEFM変調
記録である。媒体Aに対しては表1の媒体Aとした欄で
示したように、最大線速度が4倍速の場合に相当する記
録方法において、1−4倍速の範囲で良好に記録可能で
ある。上記表1より、媒体A及び媒体Bは、α1、α
(2≦i≦mに対するαiの値)、β(1≦i≦m−1
に対するβiの値)、β m、θ、Pw、及び、Peを各線
速において指定した値とすれば、良好なEFM信号の記
録が可能であることが判明した。また、何れの場合も、
低線速ほどα及びθの少なくとも一方を減少させるよう
なパルス分割方法が好ましいことが判明した。上記情報
をATIP信号の「特別情報」として記載し、記録装置
側でこの特殊情報を読み取ることは、特開昭63−10
3454号、特開平2−87344号、特開平2−19
8040号、特開平3−88124号、特開平3−23
7657号、特公平1−23859号、特開平3−31
68号等の各公報に記載された既存の技術で実現でき
る。また、パルス分割方法を表1の如く可変とする回路
技術自体は既存の技術の組合せで達成される。
パルス分割方法のうち、特に、αi、βi及びθを可変
とすること、及び、これを予めディスクに記載すること
の組合せによって、相変化媒体の互換性を確保すること
にある。
体を用いることにより、記録データのフォーマットに互
換性を持たせながら、記録時の線速度が異なる種々の媒
体に対して同一の記録装置で対応でき、特定の記録装置
に特化したディスクが出回ることによる互換性欠除の問
題が解消できる。
図。
るパルスパターンを例示する波形図。
スパターンを7Tマークの形成を例として示す波形図。
るパルスパターンを例示する波形図。
えたときのパルスパターンを例示する波形図。
面図。
例示する波形図。
ンを例示する波形図。
ーンを例示する波形図。
Claims (2)
- 【請求項1】 レーザーパワーをクロック周期Tに従っ
て記録パワーPw、消去パワーPe、及び、バイアスパワ
ーPbの少なくとも3値の間で変調することで光学的に
識別可能な非晶質マークの形成又は消去を行って、相変
化型記録媒体にデータを記録・消去する光記録方法にお
いて、 記録パワーPwを印加する期間をα1T、α2T、・・
・、αmTとし且つバイアスパワーPbを印加する期間
をβ1T、β2T、・・・、βmTとして、レーザパワ
ーのための印加期間を順次にα1T、β1T、α2T、
β2T、・・・・、αmT、βmTと選定することで、
nを2以上の整数として長さnTの非晶質マークを記録
するレーザパワーをm個のパルスに分割し、 kを0から2迄の整数から成るパラメータ、jを0から
2迄の実数からなるパラメータとし、且つ、前記nの最
小値をnminとして、nmin−k≧1、m=n−
k、α1+β1+・・・・・+αm+βm=n−j=n
Lを条件として、パルス分割情報のパラメータである、
記録パワーPw、消去パワーPe、バイアスパワーPbi
とPeとの比Pbi/Pe=θi及びαiの全てを、使用す
る線速度及び記録媒体に合わせて変更するように予め記
録媒体上に記載し、該パルス分割情報を選択して記録を
行なうことを特徴とする光記録方法。 - 【請求項2】 レーザーパワーをクロック周期Tに従っ
て記録パワーPw、消去パワーPe、及び、バイアスパワ
ーPbの少なくとも3値の間で変調することで光学的に
識別可能な非晶質マークの形成又は消去を行って、デー
タを記録・消去する相変化型記録媒体において、 記録パワーPwを印加する期間をα1T、α2T、・・
・、αmTとし且つバイアスパワーPbを印加する期間
をβ1T、β2T、・・・、βmTとして、レーザパワ
ーのための印加期間を順次にα1T、β1T、α2T、
β2T、・・・・、αmT、βmTと選定することで、
nを2以上の整数として長さnTの非晶質マークを記録
するレーザパワーをm個のパルスに分割し、 kを0から2迄の整数から成るパラメータ、jを0から
2迄の実数からなるパラメータとし、且つ、前記nの最
小値をnminとして、nmin−k≧1、m=n−
k、α1+β1+・・・・・+αm+βm=n−j=n
Lとした光記録方法に使用される相変化型記録媒体であ
って、パルス分割情報のパラメータである、記録パワー
Pw、消去パワーPe、バイアスパワーPbiとPeとの比
Pbi/Pe=θi及びαiの全てが記録されてなる相変
化型記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30657499A JP3230676B2 (ja) | 1999-10-28 | 1999-10-28 | 光記録方法及び記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30657499A JP3230676B2 (ja) | 1999-10-28 | 1999-10-28 | 光記録方法及び記録装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8118491A Division JP3022770B2 (ja) | 1996-04-16 | 1996-04-16 | 光記録方法、装置及び光記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000137916A true JP2000137916A (ja) | 2000-05-16 |
JP3230676B2 JP3230676B2 (ja) | 2001-11-19 |
Family
ID=17958708
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30657499A Expired - Lifetime JP3230676B2 (ja) | 1999-10-28 | 1999-10-28 | 光記録方法及び記録装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3230676B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1426940A1 (en) * | 2001-09-12 | 2004-06-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and recording method using it |
JP2006244708A (ja) * | 2002-05-20 | 2006-09-14 | Samsung Electronics Co Ltd | 光記録媒体の消去パターン情報記録方法およびデータ消去方法 |
US7158460B2 (en) | 2001-09-04 | 2007-01-02 | Nec Corporation | Method and apparatus for adjusting conditions for recording and reproducing informations |
US7342860B2 (en) | 2002-02-25 | 2008-03-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for recording data on optical recording medium |
US7349306B2 (en) | 2002-05-20 | 2008-03-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of recording erase pattern information on an optical recording medium, erasing information on the optical recording medium based on the erase pattern information, and optical recording medium therefor |
JP2009037657A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Taiyo Yuden Co Ltd | 光ディスク記録方法、光ディスク記録再生装置及び光ディスク |
US8018817B2 (en) | 2002-05-20 | 2011-09-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of recording erase pattern information on an optical recording medium, erasing information on the optical recording medium based on the erase pattern information, and optical recording medium therefor |
-
1999
- 1999-10-28 JP JP30657499A patent/JP3230676B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7158460B2 (en) | 2001-09-04 | 2007-01-02 | Nec Corporation | Method and apparatus for adjusting conditions for recording and reproducing informations |
US7304930B2 (en) | 2001-09-12 | 2007-12-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and recording method using the same |
EP1426940A1 (en) * | 2001-09-12 | 2004-06-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and recording method using it |
EP1426940A4 (en) * | 2001-09-12 | 2006-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | OPTICAL RECORDING MEDIUM AND CORRESPONDING RECORDING METHOD |
US7376064B2 (en) | 2002-02-25 | 2008-05-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for recording data on optical recording medium |
US7342860B2 (en) | 2002-02-25 | 2008-03-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for recording data on optical recording medium |
US7693023B2 (en) | 2002-02-25 | 2010-04-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for recording data on optical recording medium |
US7724628B2 (en) | 2002-02-25 | 2010-05-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for recording data on optical recording medium |
US7349306B2 (en) | 2002-05-20 | 2008-03-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of recording erase pattern information on an optical recording medium, erasing information on the optical recording medium based on the erase pattern information, and optical recording medium therefor |
US7369470B2 (en) | 2002-05-20 | 2008-05-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of recording erase pattern information on an optical recording medium, erasing information on the optical recording medium based on the erase pattern information, and optical recording medium therefor |
JP2006244708A (ja) * | 2002-05-20 | 2006-09-14 | Samsung Electronics Co Ltd | 光記録媒体の消去パターン情報記録方法およびデータ消去方法 |
US7411880B2 (en) | 2002-05-20 | 2008-08-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of recording erase pattern information on an optical recording medium, erasing information on the optical recording medium based on the erase pattern information, and optical recording medium therefor |
US7447129B2 (en) | 2002-05-20 | 2008-11-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of recording erase pattern information on an optical recording medium, erasing information on the optical recording medium based on the erase pattern information, and optical recording medium therefor. |
JP4531725B2 (ja) * | 2002-05-20 | 2010-08-25 | 三星電子株式会社 | 光記録媒体の消去パターン情報記録方法およびデータ消去方法 |
US8018817B2 (en) | 2002-05-20 | 2011-09-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of recording erase pattern information on an optical recording medium, erasing information on the optical recording medium based on the erase pattern information, and optical recording medium therefor |
JP2009037657A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Taiyo Yuden Co Ltd | 光ディスク記録方法、光ディスク記録再生装置及び光ディスク |
JP4537430B2 (ja) * | 2007-07-31 | 2010-09-01 | 太陽誘電株式会社 | 光ディスク記録方法、光ディスク記録再生装置及び光ディスク |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3230676B2 (ja) | 2001-11-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3022770B2 (ja) | 光記録方法、装置及び光記録媒体 | |
JP3171103B2 (ja) | 光記録方法および光記録媒体 | |
KR100486324B1 (ko) | 다가 기록재생 방법 및 상 변화 다가 기록 매체 | |
JP3899779B2 (ja) | 光記録方法 | |
US7068591B2 (en) | Information recording method and optical recording medium therefor | |
US5412626A (en) | Method of recording optical information with selective correction in pulse waveform and a recording system therefor | |
KR950003182B1 (ko) | 광디스크 및 광학정보의 기록방법 | |
JP3230676B2 (ja) | 光記録方法及び記録装置 | |
JP2827545B2 (ja) | 光学情報の記録方法 | |
JPH0935269A (ja) | 光学的情報記録媒体の記録方法 | |
JP2001084591A (ja) | 多値記録再生方法および相変化型多値記録用媒体 | |
JP3658485B2 (ja) | 情報記録方式及び情報記録再生装置 | |
JP3264805B2 (ja) | 情報記録方式 | |
JP3455521B2 (ja) | 光記録方法 | |
JP3218235B2 (ja) | 記録装置 | |
US20060007833A1 (en) | Method and apparatus for recording marks in a phase-charge type information layer of a record carrier | |
US7738335B2 (en) | Method and apparatus for recording information on an optical recording medium | |
JP2005122881A (ja) | 光記録方法 | |
KR100319839B1 (ko) | 상변화형광디스크및이에적합한기록방법 | |
JP2003016643A (ja) | 光記録方法および光学的情報記録媒体 | |
JP2003099936A (ja) | 光記録媒体への情報記録方法、情報記録装置、光記録媒体及び光記録媒体の評価方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070914 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080914 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080914 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090914 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090914 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100914 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110914 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120914 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130914 Year of fee payment: 12 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |