JPH09297234A - Optical reflection end, production for optical reflection end and optical interference device using the optical reflection end - Google Patents

Optical reflection end, production for optical reflection end and optical interference device using the optical reflection end

Info

Publication number
JPH09297234A
JPH09297234A JP11068596A JP11068596A JPH09297234A JP H09297234 A JPH09297234 A JP H09297234A JP 11068596 A JP11068596 A JP 11068596A JP 11068596 A JP11068596 A JP 11068596A JP H09297234 A JPH09297234 A JP H09297234A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
waveguide
reflection
optical
light
reflection end
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP11068596A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3602255B2 (en
JP3602255B6 (en
Inventor
Takashi Go
隆司 郷
Akira Himeno
明 姫野
Masahiro Yanagisawa
雅弘 柳澤
Kuninori Hattori
邦典 服部
Senta Suzuki
扇太 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP1996110685A priority Critical patent/JP3602255B6/en
Priority claimed from JP1996110685A external-priority patent/JP3602255B6/en
Publication of JPH09297234A publication Critical patent/JPH09297234A/en
Publication of JP3602255B2 publication Critical patent/JP3602255B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3602255B6 publication Critical patent/JP3602255B6/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Instruments For Measurement Of Length By Optical Means (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To form a reflection end face whose relative position is correct by providing an optical reflection end at an end face to be faced with the channel waveguide of the slab waveguide optically connected to the end part of the channel waveguide. SOLUTION: A slab waveguide 2 is arranged at the terminal of a channel waveguide 1 and a reflection end is formed in the slab waveguide 2. That is, an optical waveguide consisting of the channel waveguide 1 and a clad 3 is formed on a silicon substrate 5 and the slab waveguide 2 is arranged at the terminal of the channel waveguide 1 and also an optical reflection film 4 of a metallic thin film or the like is arranged on the slab waveguide 2 to constitute a reflection end. Since the waveguide is the slab waveguide 2 in a reflection end boundary part and there is uniformity in a boundary line direction, ruggednesses and protrusions on the reflection end are never generated in a process transferring a pattern becoming the reflection end by a light exposure and in a process disclosing a reflection end face by a reactive ion-etching technology.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光反射端、光反射
端の製造方法及び光反射端を用いた光干渉計に関する。
詳しくは、単一モード光導波路において用いる光反射端
等に関し、より詳細には、同一基板上に複数作製される
相対位置精度の優れた光反射端等に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light reflecting end, a method for manufacturing the light reflecting end, and an optical interferometer using the light reflecting end.
More specifically, the present invention relates to a light reflecting end used in a single mode optical waveguide, and more specifically, to a light reflecting end having a high relative positional accuracy, which is manufactured in plural on the same substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】平面基板上に作製される単一モード光導
波路、特にシリコン基板上に作製可能な石英系ガラス単
一モード光導波路は、光ファイバとの整合性に優れてお
り、実用的な導波型光部品の実現手段として期待されて
いる。特に、この光導波路により構成される導波路型光
干渉計は、光通信に用いられる光波長フィルタ等の重要
な光部品として期待されている。
2. Description of the Related Art A single mode optical waveguide manufactured on a flat substrate, especially a silica glass single mode optical waveguide which can be manufactured on a silicon substrate, has excellent compatibility with an optical fiber and is practical. It is expected as a means of realizing a waveguide type optical component. In particular, a waveguide type optical interferometer configured by this optical waveguide is expected as an important optical component such as an optical wavelength filter used for optical communication.

【0003】導波路型光干渉計には、例えば、二光束の
干渉計では、図3に示すような導波路長に所望の差を設
けた光反射端付き導波路と、これら導波路が接続されて
いる方向性結合器の組み合わせからなる、反射型の光干
渉計、いわゆる、マイケルソン型干渉計が知られてい
る。これ以外にも、2個の方向性結合器とこの方向性結
合器を連結した導波路長に所望の差を設けた2本の光導
波路の組み合わせからなる、透過型の光干渉計、いわゆ
るマッハツェンダー型の干渉計がある。
A waveguide type optical interferometer, for example, in a two-beam interferometer, is connected to a waveguide with a light reflection end having a desired difference in waveguide length as shown in FIG. 3 and these waveguides. There is known a reflection type optical interferometer, so-called Michelson type interferometer, which is composed of a combination of directional couplers. In addition to this, a transmission type optical interferometer, a so-called Mach, which is composed of a combination of two directional couplers and two optical waveguides in which the directional couplers are connected to each other with a desired difference in waveguide length. There is a Zender type interferometer.

【0004】回路サイズのコンパクト化といった観点か
らは、後述する理由により、反射型の光干渉計の方が有
利である。干渉動作を起こす二本の導波路に所望の光路
長差を設けるために、透過型の光干渉計では曲線導波路
と直線導波路の組み合わせによる導波路長の差を用いて
おり、反射型の光干渉計では光反射端の位置の差を設け
ている。曲線導波路は曲げ半径を小さくすると損失が大
きくなるために、曲げ半径の短小化には限界がある。
From the viewpoint of making the circuit size compact, the reflection type optical interferometer is more advantageous for the reason described later. In order to provide the desired optical path length difference between the two waveguides that cause the interference operation, the transmission type optical interferometer uses the difference in the waveguide length due to the combination of the curved waveguide and the linear waveguide, and The optical interferometer is provided with a difference in the position of the light reflection end. Since the loss increases in the curved waveguide when the bending radius is reduced, there is a limit in reducing the bending radius.

【0005】例えば、比屈折率差0.75%の導波路で
はこの最小曲げ半径は5mmであり、光路長差を与える
2本の導波路において、導波路長差が1mmと小さい場
合でも、12.5mm程度の導波路がこの導波路長差を
確保するために必要となる。光反射端の位置にはこの様
な制約はない。このように、導波型光干渉計は、透過型
の光干渉計に比較して、回路サイズが大きくなる欠点が
ある。
For example, in a waveguide having a relative refractive index difference of 0.75%, this minimum bending radius is 5 mm, and in two waveguides giving an optical path length difference, even if the waveguide length difference is as small as 1 mm, 12 A waveguide of about 0.5 mm is required to secure this waveguide length difference. There is no such restriction on the position of the light reflection end. As described above, the waveguide type optical interferometer has a drawback that the circuit size is larger than that of the transmission type optical interferometer.

【0006】反射型の光干渉計では、方向性結合器から
光反射端まで接続されている2本の導波路の距離の差に
よって、干渉特性が決まるので、光反射端の位置を高精
度に作製することが重要になる。更に、光反射端での反
射率を高めるため、反射面が平面であり、導波路に対し
て垂直であることが望ましい。
In the reflection type optical interferometer, the interference characteristic is determined by the difference in the distance between the two waveguides connected from the directional coupler to the light reflecting end, so that the position of the light reflecting end can be positioned with high accuracy. Fabrication becomes important. Further, in order to increase the reflectance at the light reflecting end, it is desirable that the reflecting surface be a plane and perpendicular to the waveguide.

【0007】図4(a),(b),(c)に従来の光反
射端の構造を示す。図4(a)は平面図、同図(b),
(c)はそれぞれG−G’線、H−H’線に沿った断面
図である。図4に示すように、シリコン基板5上にはチ
ャンネル導波路コア1及びクラッド3よりなる単一モー
ド埋込光導波路を形成し、微細加工技術で露呈させた導
波路端面には金属薄膜等の光反射膜4を配置して反射端
を構成している。また、図4(d)は、導波路面を露呈
させる前の導波路配置の平面図であり、反射端形成位置
7にその後反射端が形成される。
FIGS. 4A, 4B and 4C show the structure of a conventional light reflecting end. 4 (a) is a plan view, FIG. 4 (b),
(C) is sectional drawing which followed the GG 'line and the HH' line, respectively. As shown in FIG. 4, a single mode buried optical waveguide composed of a channel waveguide core 1 and a clad 3 is formed on a silicon substrate 5, and a metal thin film or the like is formed on the end face of the waveguide exposed by a fine processing technique. The light reflection film 4 is arranged to form a reflection end. Further, FIG. 4D is a plan view of the waveguide arrangement before exposing the waveguide surface, and the reflection end is formed at the reflection end formation position 7 thereafter.

【0008】このような反射端は、例えば、上述の石英
系ガラス単一モード光導波路では、次に述べる方法によ
り作製している。先ず、図5(a)に示すシリコン基板
5上に火炎加水分解反応堆積技術と反応性イオンエッチ
ング技術との公知の組み合わせにより、図5(b)に示
すように、チャンネル導波路コア1及びクラッド3より
なる単一モード埋込光導波路を形成する。
Such a reflection end is manufactured by the method described below, for example, in the above-mentioned silica glass single mode optical waveguide. First, as shown in FIG. 5B, the channel waveguide core 1 and the cladding are formed on the silicon substrate 5 shown in FIG. 5A by a known combination of the flame hydrolysis reaction deposition technique and the reactive ion etching technique. A single mode buried optical waveguide consisting of 3 is formed.

【0009】このとき埋め込まれた導波路は、光反射端
形成時の絶対的な位置ズレを考慮して、通常、図4
(d)に示すように、光反射端形成位置よりも十分長く
作製してある。次に、図5(c)に示すようにクラッド
ガラス表面にフォトレジスト6を塗布し、その上に図5
(d)に示すように露光により光反射端となるパターン
を転写する。
At this time, the buried waveguide is usually formed in FIG. 4 in consideration of the absolute positional deviation at the time of forming the light reflection end.
As shown in (d), it is made sufficiently longer than the light reflection end forming position. Next, as shown in FIG. 5 (c), a photoresist 6 is applied to the surface of the clad glass, and the photoresist 6 is applied thereon.
As shown in (d), the pattern to be the light reflection end is transferred by exposure.

【0010】引き続き、図5(e)に示すようにこれを
マスクとして光反射端より外側に余計に作製してある導
波路も含めた不要部分を反応性イオンエッチング技術に
より除去し、導波路端面を露呈させる。更に、図5
(f)に示すように、真空蒸着技術により金属薄膜等よ
りなる光反射膜4をこの導波路端面に形成する。
Subsequently, as shown in FIG. 5 (e), an unnecessary portion including a waveguide, which is additionally formed outside the light reflection end, is removed by a reactive ion etching technique using this as a mask, and the end face of the waveguide is removed. Expose. Further, FIG.
As shown in (f), the light reflection film 4 made of a metal thin film or the like is formed on the end face of the waveguide by a vacuum evaporation technique.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た方法により光反射端を作製する場合には、次のような
問題があった。即ち、露光工程において、導波路コア1
が配置されている部分では、コア1のレンズ効果により
導波路コア側の上の部分のレジスト露光量は、クラッド
側の上の部分よりも若干大きくなる。
However, when the light reflecting end is manufactured by the above method, there are the following problems. That is, in the exposure process, the waveguide core 1
In the portion where is disposed, the resist exposure amount of the upper portion on the waveguide core side is slightly larger than that on the cladding side due to the lens effect of the core 1.

【0012】よって、光反射端のパターン境界部には導
波路コア1が垂直に配置されていると、このパターン境
界部近傍で境界線に沿った方向の露光強度も変化する。
この結果、露光される部分のレジストと露光されない部
分のレジストの境界線が、例えば、ポジレジストを用い
た場合、遮光パターン側から見ると、導波路コアの上の
部分でやや凹になる。
Therefore, when the waveguide core 1 is vertically arranged at the pattern boundary portion at the light reflection end, the exposure intensity in the direction along the boundary line also changes in the vicinity of the pattern boundary portion.
As a result, the boundary line between the resist of the exposed portion and the resist of the non-exposed portion becomes slightly concave in the portion above the waveguide core when viewed from the light-shielding pattern side when a positive resist is used.

【0013】また、エッチング工程において、コア部分
のガラスとクラッド部分のガラスではガラスの成分が異
なるために、エッチングレートが僅かに異なり、エッチ
ング面にズレが生じる。これによっても、道路はコア端
面に僅かな突起が生じる。また、埋め込み用のクラッド
ガラス厚が薄い導波路の場合、ガラス表面が埋め込んだ
コアの形を反映した起伏があり、これによっても、導波
路コア近傍端面に僅かな突起が生じる。
Further, in the etching step, since the glass of the core portion and the glass of the cladding portion have different glass components, the etching rate is slightly different, and the etching surface is displaced. This also causes the road to have a slight protrusion on the end face of the core. Further, in the case of a waveguide having a thin clad glass for embedding, there is undulation that reflects the shape of the core embedded in the glass surface, and this also causes a slight protrusion on the end face in the vicinity of the waveguide core.

【0014】これらの様に凹凸や突起の大きさは実際に
は一つ一つの導波路コアによって微妙に異なるため、こ
の端面を使って光反射端を形成した場合、反射端の相対
的な位置ズレとなり、設計通りの正確な光路長差が設け
られた光干渉計を作製することが困難であった。
Since the sizes of the unevenness and the protrusions are slightly different depending on the individual waveguide cores as described above, when the light reflecting end is formed by using this end face, the relative position of the reflecting end. There is a deviation, and it is difficult to manufacture an optical interferometer having an accurate optical path length difference as designed.

【0015】本発明は、上記従来技術に鑑みて成された
ものであり、所望の特性を持つ導波路型光干渉計を作製
するために、相対的な位置が正確な反射端面を形成する
ことを目的とするものである。
The present invention has been made in view of the above-mentioned prior art, and in order to manufacture a waveguide type optical interferometer having desired characteristics, it is necessary to form a reflecting end face whose relative position is accurate. The purpose is.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】斯かる目的を達成する本
発明の請求項1に係る光反射端は、基板上のチャンネル
導波路に近接して設けられ、前記チャンネル導波路を伝
搬する光を反射する光反射端であって、前記チャンネル
導波路の端部に光学的に接続されたスラブ導波路の前記
チャンネル導波路に対向する端面に設けられたことを特
徴とする。
The light reflecting end according to claim 1 of the present invention which achieves such an object is provided in the vicinity of a channel waveguide on a substrate, and a light propagating through the channel waveguide is provided. The slab waveguide is a light reflecting end that reflects light, and is provided on an end face of the slab waveguide that is optically connected to the end of the channel waveguide and that faces the channel waveguide.

【0017】上記目的を達成する本発明の請求項2に係
る光反射端は、基板上のチャンネル導波路に近接して設
けられ、前記チャンネル導波路を伝搬する光を反射する
光反射端であって、前記チャンネル導波路の延長線上に
前記チャンネル導波路と隔てて設けられ、前記チャンネ
ル導波路との隙間に前記チャンネル導波路のクラッド層
が介在することを特徴とする。
The light reflecting end according to claim 2 of the present invention which achieves the above object is a light reflecting end which is provided in the vicinity of the channel waveguide on the substrate and reflects the light propagating through the channel waveguide. The channel waveguide is provided on an extension of the channel waveguide so as to be separated from the channel waveguide, and a clad layer of the channel waveguide is interposed in a gap between the channel waveguide and the channel waveguide.

【0018】上記目的を達成する本発明の請求項3に係
る光反射端の製造方法は、基板上のチャンネル導波路に
接続するスラブ導波路表面に塗布されたフォトレジスト
上に露光により反射端となるパターンを転写する工程
と、該パターンをマスクとして前記スラブ導波路の不要
部分を除去してスラブ導波路端面を露呈させる工程と、
該スラブ導波路端面に光反射膜を形成する工程とを含む
ことを特徴とする。
A method of manufacturing a light reflecting end according to a third aspect of the present invention which achieves the above object, comprises: exposing a photoresist coated on a surface of a slab waveguide connected to a channel waveguide on a substrate to a reflecting end by exposure. And a step of exposing the end face of the slab waveguide by removing unnecessary portions of the slab waveguide by using the pattern as a mask.
And a step of forming a light reflecting film on the end face of the slab waveguide.

【0019】上記目的を達成する本発明の請求項4に係
る光反射端の製造方法は、基板上のチャンネル導波路に
接続するクラッド層のみの領域表面に塗布されたフォト
レジスト上に露光により反射端となるパターンを転写す
る工程と、該パターンをマスクとして前記領域の不要部
分を除去してクラッド端面を露呈させる工程と、該クラ
ッド端面に光反射膜を形成する工程とを含むことを特徴
とする。
According to a fourth aspect of the present invention which achieves the above object, a method of manufacturing a light reflecting end is characterized in that a photoresist coated on the surface of a region of only a clad layer connected to a channel waveguide on a substrate is reflected by exposure. And a step of exposing a clad end surface by removing unnecessary portions of the region by using the pattern as a mask, and a step of forming a light reflection film on the clad end surface. To do.

【0020】上記目的を達成する本発明の請求項5に係
る光反射端を用いた光干渉計は、導波路長が各々異なる
複数の光反射端付き導波路と、これら導波路が接続され
ている光結合器の組み合わせからなる反射型の光干渉計
において、前記反射端として請求項1又は2記載の反射
端を用いることを特徴とする。
An optical interferometer using a light reflecting end according to a fifth aspect of the present invention which achieves the above object, comprises a plurality of waveguides with light reflecting ends each having a different waveguide length, and these waveguides are connected. In a reflection-type optical interferometer including a combination of optical couplers, the reflection end according to claim 1 or 2 is used as the reflection end.

【0021】上記目的を達成する本発明の請求項6,7
に係る光反射端を用いた光干渉計は、請求項5記載の前
記光結合器として、方向性結合器を用いること、また
は、スラブ導波路を用いることを特徴とする。
[0021] Claims 6 and 7 of the present invention which achieve the above object.
An optical interferometer using a light reflecting end according to claim 5 is characterized in that a directional coupler is used as the optical coupler according to claim 5 or a slab waveguide is used.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】本発明の光反射端は、チャンネル
導波路1の終端に反射膜が形成されているのではなく、
チャンネル導波路1の終端にスラブ導波路2又はクラッ
ド層のみの領域3を設け、このスラブ導波路2或いはク
ラッド層のみの領域3に反射端を形成したものである。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The light reflecting end of the present invention does not have a reflecting film formed at the end of the channel waveguide 1,
The slab waveguide 2 or the region 3 having only the cladding layer is provided at the end of the channel waveguide 1, and the reflection end is formed in the region 3 having only the slab waveguide 2 or the cladding layer.

【0023】そのため、パターン境界近傍部で境界線方
向にコア導波路等の構造の変化がなく、境界線方向に対
して一様であるので、前記露光工程或いはエッチング工
程において、従来技術で述べたような導波路コア端面に
凹凸や突起は生じない。
Therefore, there is no change in the structure of the core waveguide or the like in the boundary line direction in the vicinity of the pattern boundary, and the pattern is uniform in the boundary line direction. No unevenness or protrusion is formed on the end face of the waveguide core.

【0024】そのため、この光反射端を用いた光干渉計
では、高精度の光路長差を設けることができるため、透
過中心波長のバラツキの低減やクロストークの低減を図
ることが可能となる。
Therefore, in the optical interferometer using this light reflecting end, it is possible to provide a highly accurate optical path length difference, so that it is possible to reduce variations in the transmission center wavelength and crosstalk.

【0025】[0025]

【実施例】以下、本発明について、図面に示す実施例を
参照して詳細に説明する。以下の実施例は、光導波路と
してシリコン基板上に形成した石英系単一モード光導波
路を使用した光反射端に適用した例である。それは、こ
の組み合わせが単一モード光導波路との接続に優れてい
るためである。但し、本発明は、これらの組み合わせに
限定されるものではない。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to embodiments shown in the drawings. The following example is an example applied to a light reflecting end using a silica-based single mode optical waveguide formed on a silicon substrate as an optical waveguide. This is because this combination excels in connection with a single-mode optical waveguide. However, the present invention is not limited to these combinations.

【0026】〔実施例1〕本発明の第一の実施例に係る
光反射端の構造を図1(a),(b),(c),(d)
に示す。図1(a)は平面図、同図(b),(c),
(d)はそれぞれA−A’,B−B’,C−C’に沿っ
た断面図である。図1(e)は、導波路端を露出する前
の導波路配置の平面図である。
[Embodiment 1] FIGS. 1A, 1B, 1C and 1D show the structure of a light reflecting end according to a first embodiment of the present invention.
Shown in FIG. 1 (a) is a plan view, FIG. 1 (b), (c),
(D) is sectional drawing along AA ', BB', and CC ', respectively. FIG. 1E is a plan view of the waveguide arrangement before exposing the ends of the waveguide.

【0027】本実施例は、チャンネル導波路1の終端に
反射膜が形成されているのではなく、チャンネル導波路
1の終端にスラブ導波路2を配置し、このスラブ導波路
2に反射端を形成したものである。
In this embodiment, the reflection film is not formed at the end of the channel waveguide 1, but the slab waveguide 2 is arranged at the end of the channel waveguide 1, and the reflection end is provided at this slab waveguide 2. It was formed.

【0028】即ち、シリコン基板5上にはチャンネル導
波路コア1及びクラッド3よりなる光導波路が形成さ
れ、そのチャンネル導波路1の終端にはスラブ導波路2
が配置されると共にそのスラブ導波路2に金属薄膜等の
光反射膜4が配置されて反射端が構成されている。
That is, an optical waveguide consisting of the channel waveguide core 1 and the cladding 3 is formed on the silicon substrate 5, and the slab waveguide 2 is formed at the end of the channel waveguide 1.
And a light reflection film 4 such as a metal thin film is arranged on the slab waveguide 2 to form a reflection end.

【0029】本実施例では、反射端境界部において、導
波路がスラブ導波路2であり、境界線方向に一様性があ
るため、図5(a)〜(f)に示すように、露光により
反射端となるパターンを転写する工程や反応性イオンエ
ッチング技術により反射端面を露呈させる工程におい
て、従来技術で述べたような反射端面での凹凸や突起は
生じなかった。尚、図1(e)に示すように、反射端形
成位置7にその後反射端が形成される。
In the present embodiment, the waveguide is the slab waveguide 2 at the boundary portion of the reflection end, and since there is uniformity in the direction of the boundary line, exposure is performed as shown in FIGS. In the process of transferring the pattern to be the reflection end or by the process of exposing the reflection end face by the reactive ion etching technique, the unevenness or protrusion on the reflection end face as described in the prior art did not occur. As shown in FIG. 1E, a reflective end is subsequently formed at the reflective end forming position 7.

【0030】また、後述する実施例では、反射端直前の
導波路構造はコアの無い構造であるのに比較して、本実
施例の導波構造はスラブ導波路2であり、シリコン基板
5に垂直な方向には光が閉じ込められているので、コア
の無い構造によりも損失的には有利である。
Further, in the embodiment described later, the waveguide structure immediately before the reflection end has no core, but the waveguide structure of this embodiment is the slab waveguide 2 and the silicon substrate 5 Since the light is confined in the vertical direction, the structure without a core is advantageous in terms of loss.

【0031】〔実施例2〕本発明の第二の実施例に係る
反射型二光束干渉計を図3に示す。本実施例の反射型二
光束干渉計は、図1に示す光反射端を用いたものであ
る。本実施例の反射型二光束干渉計は、直径4インチの
シリコン基板5上に従来と同様火炎堆積技術と反応性イ
オンエッチング技術の組み合わせにより、石英系光導波
路21a,21b,23a,23bを作製し、真空蒸着
法及び化学エッチングにより所望の位置に反射膜を作製
したものである。
[Embodiment 2] FIG. 3 shows a reflection type two-beam interferometer according to a second embodiment of the present invention. The reflective two-beam interferometer of this embodiment uses the light reflecting end shown in FIG. In the reflection-type two-beam interferometer of this embodiment, the silica-based optical waveguides 21a, 21b, 23a, and 23b are manufactured on the silicon substrate 5 having a diameter of 4 inches by the combination of the flame deposition technique and the reactive ion etching technique as in the conventional case. Then, the reflection film is formed at a desired position by the vacuum vapor deposition method and chemical etching.

【0032】コアの断面寸法は、6μm角であり、コア
とクラッドとの比屈折率差は0.75%である。反射膜
にはAlを用いた。スラブ導波路の導波方向の長さは5
μmとした。また、方向性結合器22から各反射端構造
部24a,24b迄の遅延線導波路23a,23bの実
質的な長さの差ΔLは828μmとした。入力導波路2
1aから出力導波路21bへ抜ける光の波長間隔(FS
R)Δλは、Δλ=λ2/2nΔLで表され、出力導波
路21bへの透過波長はλ=2nΔL/m(m:整数)
である。
The cross-sectional dimension of the core is 6 μm square, and the relative refractive index difference between the core and the clad is 0.75%. Al was used for the reflective film. The length of the slab waveguide in the waveguide direction is 5
μm. Further, the difference ΔL in the substantial length of the delay line waveguides 23a and 23b from the directional coupler 22 to the reflection end structure portions 24a and 24b is set to 828 μm. Input waveguide 2
Wavelength interval (FS) of light passing from 1a to the output waveguide 21b
R) Δλ is represented by Δλ = λ 2 / 2nΔL, and the transmission wavelength to the output waveguide 21b is λ = 2nΔL / m (m: integer).
It is.

【0033】ここで、nは導波路の実効屈折率であり、
今回用いた導波路では1.451である。よってこの式
から、今回の回路の波長間隔は、1nmであり、例え
ば、1550.23nmの光が出力導波路21bへ透過
する。
Where n is the effective refractive index of the waveguide,
In the waveguide used this time, it is 1.451. Therefore, from this equation, the wavelength interval of the circuit this time is 1 nm, and for example, light of 1550.23 nm is transmitted to the output waveguide 21b.

【0034】従来技術に係る光反射端を用いて、同様な
反射型二光束干渉計を作製した場合、透過光の中心波長
は0.2nm程度のバラツキがあったが、本実施例で
は、透過光の中心波長のバラツキは殆ど見られず、従来
のものに比べて10分の1以下となり、安定した値が得
られた。尚、導波方向の長さ5μmのスラブ導波路を入
れることによる過剰損は0.1dBと小さかった。
When a similar reflection-type two-beam interferometer was manufactured using the light reflecting end according to the prior art, the center wavelength of the transmitted light had a variation of about 0.2 nm. Almost no variation in the center wavelength of light was observed, which was 1/10 or less of that of the conventional one, and a stable value was obtained. The excessive loss due to the insertion of the slab waveguide having a length of 5 μm in the waveguiding direction was as small as 0.1 dB.

【0035】〔実施例3〕本発明の第三の実施例に係る
光反射端の構造を図2(a),(b),(c),(d)
に示す。図2(a)は平面図、同図(b),(c),
(d)はそれぞれA−A’,B−B’,C−C’に沿っ
た断面図である。図2(e)は、導波路端を露出する前
の導波路配置の平面図である。
[Embodiment 3] FIGS. 2 (a), 2 (b), 2 (c) and 2 (d) show the structure of the light reflecting end according to the third embodiment of the present invention.
Shown in 2 (a) is a plan view, FIG. 2 (b), (c),
(D) is sectional drawing along AA ', BB', and CC ', respectively. FIG. 2E is a plan view of the waveguide arrangement before exposing the ends of the waveguide.

【0036】本実施例は、チャンネル導波路1の終端に
反射膜が形成されているのではなく、チャンネル導波路
1の終端にコア層のないクラッド層のみの領域3を設
け、このクラッド層のみの領域3に反射端を形成したも
のである。
In this embodiment, the reflection film is not formed at the end of the channel waveguide 1, but the region 3 of only the clad layer without the core layer is provided at the end of the channel waveguide 1, and only this clad layer is provided. The reflective end is formed in the region 3 of FIG.

【0037】即ち、シリコン基板5上にはチャンネル導
波路コア1及びクラッド3よりなる光導波路が形成さ
れ、そのチャンネル導波路1の終端にはコア層のないク
ラッド層のみの領域3が配置されると共にそのクラッド
層のみの領域3に金属薄膜等の光反射膜4が配置されて
反射端が構成されている。
That is, an optical waveguide consisting of the channel waveguide core 1 and the cladding 3 is formed on the silicon substrate 5, and the region 3 of only the cladding layer without the core layer is arranged at the end of the channel waveguide 1. At the same time, a light reflection film 4 such as a metal thin film is arranged in the region 3 having only the cladding layer to form a reflection end.

【0038】本実施例でも、前述した第一の実施例と同
様に、反射端境界部において、導波路がスラブ導波路2
であり、境界線方向に一様性があるため、図5(a)〜
(f)に示すように、露光により反射端となるパターン
を転写する工程や反応性イオンエッチング技術により反
射端面を露呈させる工程において、従来技術で述べたよ
うな反射端面での凹凸や突起は生じなかった。尚、図2
(e)に示すように、反射端形成位置7にその後反射端
が形成される。
Also in this embodiment, as in the first embodiment described above, the waveguide is the slab waveguide 2 at the reflection end boundary portion.
Since there is uniformity in the direction of the boundary,
As shown in (f), in the process of transferring the pattern to be the reflection end by exposure and the process of exposing the reflection end face by the reactive ion etching technique, the unevenness or protrusions on the reflection end face as described in the prior art are generated. There wasn't. Incidentally, FIG.
As shown in (e), a reflection end is then formed at the reflection end formation position 7.

【0039】また、前述した第一の実施例に比べて、反
射端直前の導波構造はコアの無い構造であり、基板5に
垂直な方向には光の閉じ込めは全く無いので、スラブ導
波路を用いた構造に比較して、損失的には不利である。
Further, as compared with the first embodiment described above, the waveguide structure immediately before the reflection end has no core, and there is no confinement of light in the direction perpendicular to the substrate 5, so that the slab waveguide is used. It is disadvantageous in terms of loss as compared with the structure using.

【0040】〔実施例4〕本発明の第四の実施例に係る
反射型二光束干渉計を図3に示す。本実施例の反射型二
光束干渉計は、図2に示す光反射端を用いたものであ
る。本実施例の反射型二光束干渉計の回路諸元は、コア
導波路端と反射面の導波路の距離を5μmとした以外
は、前述した第二の実施例と同様である。
[Embodiment 4] FIG. 3 shows a reflection type two-beam interferometer according to a fourth embodiment of the present invention. The reflection type two-beam interferometer of this embodiment uses the light reflection end shown in FIG. The circuit specifications of the reflection-type two-beam interferometer of this embodiment are the same as those of the second embodiment described above, except that the distance between the core waveguide end and the waveguide of the reflecting surface is 5 μm.

【0041】本実施例の反射型二光束干渉計でも、透過
光の中心波長のバラツキは殆ど見られず、従来のものに
比べて10分の1以下となり、安定した値が得られた。
尚、コア層のないクラッド層のみの領域3を5μm入れ
ることによる過剰損は0.3dBと小さかった。
Also in the reflection-type two-beam interferometer of this embodiment, there was almost no variation in the center wavelength of the transmitted light, which was one-tenth or less that of the conventional one, and a stable value was obtained.
The excessive loss due to the inclusion of 5 μm in the region 3 having only the clad layer without the core layer was as small as 0.3 dB.

【0042】〔実施例5〕本発明の第五の実施例に係る
光反射端を適用した多光束干渉計の構造を図6に示す。
図6は平面図である。本実施例の多光束干渉計は、反射
型アレイ導波路格子合分波器とも言われ、複数本の入出
力導波路31、スラブ導波路32、光路長が各々異なる
アレイ導波路33、反射端34を順に接続してなるもの
である。
[Embodiment 5] FIG. 6 shows the structure of a multi-beam interferometer to which a light reflecting end according to a fifth embodiment of the present invention is applied.
FIG. 6 is a plan view. The multi-beam interferometer of this embodiment is also called a reflection-type array waveguide grating multiplexer / demultiplexer, and has a plurality of input / output waveguides 31, slab waveguides 32, array waveguides 33 having different optical path lengths, and reflection ends. 34 are connected in order.

【0043】任意の一つの入出力導波路31から入射さ
れた光は、スラブ導波路32によりアレイ導波路33に
分配される。分配された光は、光反射端34で反射さ
れ、アレイ導波路33で所望の遅延を受けて、再びスラ
ブ導波路32に戻る。戻ってきた光は、スラブ導波路3
2で所望の干渉を起こし、光の波長に応じて所望の入出
力導波路31に集光されて、光が複数の入出力導波路3
1に分波される。このように、本実施例では、多数の光
の干渉を起こし、複数の波長に分波される点が、第二,
第四の実施例とは異なる。
The light incident from any one input / output waveguide 31 is distributed to the arrayed waveguide 33 by the slab waveguide 32. The distributed light is reflected by the light reflecting end 34, undergoes a desired delay in the arrayed waveguide 33, and returns to the slab waveguide 32 again. The returned light is slab waveguide 3
2 causes a desired interference and is condensed on a desired input / output waveguide 31 according to the wavelength of the light, so that the light is input into the plurality of input / output waveguides 3
It is demultiplexed to 1. As described above, in the present embodiment, the point where a large number of light beams interfere with each other and are demultiplexed into a plurality of wavelengths is
Different from the fourth embodiment.

【0044】導波路長差のズレは、第二,第四の実施例
で示した二光束干渉計では、透過光(通過域)の中心波
長のズレとなって表れていたが、多光束干渉計では、こ
れ以外に、阻止域での光出力レベル上昇、即ち、ストロ
ークの劣化となって表れてくる。このために、多光束干
渉計では、より厳しく光路長差の精度が要求される。
The deviation of the waveguide length difference was shown as a deviation of the central wavelength of the transmitted light (pass band) in the two-beam interferometers shown in the second and fourth embodiments, but the multi-beam interference. In addition to this, in the total, the optical output level rises in the stop band, that is, the stroke deteriorates. For this reason, the multi-beam interferometer is required to be more strict in the accuracy of the optical path length difference.

【0045】本実施例の反射型多光束干渉計に適用した
光反射端の諸元は、第一の実施例と同様である。64本
のアレイ導波路33には、各々64.7μmの導波路長
差を付けた。集光される光は100GHz間隔で、16
本の入出力導波路31に分波されるように設計した。
The specifications of the light reflecting end applied to the reflective multi-beam interferometer of this embodiment are the same as those of the first embodiment. The 64 arrayed waveguides 33 each have a waveguide length difference of 64.7 μm. The collected light is 100 GHz and 16
It was designed to be demultiplexed into the book input / output waveguide 31.

【0046】回路サイズは、30mm×10mmであっ
た。これは、透過型のアレイ導波路格子合分波器の回路
サイズ26mm×40mmに比べて、面積比で約3分の
1であり、反射型の特徴であるコンパクトな回路が実現
できた。従来技術に係る反射端を用いて、同様な反射型
多光束干渉計を作製した場合、阻止域での光出力レベル
(クロストーク)は、−12dB程度であり、まともな
特性は得られなかった。
The circuit size was 30 mm × 10 mm. This is about one-third in area ratio as compared with the circuit size of the transmissive arrayed-waveguide grating multiplexer / demultiplexer of 26 mm × 40 mm, and a compact circuit, which is a characteristic of the reflective type, was realized. When a similar reflection-type multi-beam interferometer was manufactured using the reflection end according to the conventional technique, the optical output level (crosstalk) in the stop band was about −12 dB, and no decent characteristic was obtained. .

【0047】本実施例では、阻止域での光出力レベル
(クロストーク)は、−30dBであり、かなりの特性
向上が見られた。これは、アレイ導波路それぞれの導波
路の光反射端の相対位置が高精度に作成されていること
によるものである。尚、前述した第三の実施例に係る光
反射端を、本実施例の反射型多光束干渉計に適用するこ
ともでき、そのときのコア層のないクラッド層のみの領
域を5μm入れたことによる過剰損は0.1dBであり
小さかった。
In this example, the optical output level (crosstalk) in the stop band was -30 dB, showing a considerable improvement in characteristics. This is because the relative positions of the light reflecting ends of the waveguides of the arrayed waveguides are created with high accuracy. The light reflection end according to the third embodiment described above can also be applied to the reflection-type multi-beam interferometer of this embodiment, and a region of only the clad layer without the core layer at that time is 5 μm. The excessive loss due to was 0.1 dB, which was small.

【0048】上記第一、第三の実施例におけるスラブ導
波路2、クラッド層のみの領域3の導波方向の長さ及び
第五の実施例におけるコア導波路端と反射面の導波路の
距離は、損失の観点から見れば、短い方が好ましいが、
極端に短い場合にはチャンネル導波路コア1の影響が生
じるので、最終的にはこれら両方を勘案して決定するこ
とが望ましい。
The length of the slab waveguide 2 in the first and third embodiments in the waveguide direction of the region 3 of only the cladding layer and the distance between the end of the core waveguide and the waveguide of the reflecting surface in the fifth embodiment. Is preferable from the viewpoint of loss, but
If the length is extremely short, the influence of the channel waveguide core 1 will occur. Therefore, it is desirable to finally take these into consideration when making a decision.

【0049】また、上記実施例では、シリコン基板上の
石英系ガラスを基本とする光反射端を用いた例について
説明したが、導波型の光干渉計を構成しうる他の材料、
例えば、プラスチック光導波路やイオン拡散型導波路、
更には、ニオブ酸リチウム系導波路などにも、本発明を
適用できることを付記する。尚、本発明は、上述した実
施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない
範囲で、種々変更しうることは言うまでもない。
Further, in the above-mentioned embodiment, the example using the light reflecting end based on silica glass on the silicon substrate is explained, but other materials which can constitute the waveguide type optical interferometer,
For example, plastic optical waveguide or ion diffusion type waveguide,
Furthermore, it is additionally noted that the present invention can be applied to a lithium niobate-based waveguide and the like. Needless to say, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention.

【0050】[0050]

【発明の効果】以上、実施例に基づいて具体的に説明し
たように、本発明では、相対位置精度に優れた光反射端
を提供することができ、よって、この光反射端を用いて
反射型光干渉計を作成した場合、従来の構造の光反射端
を用いた反射型光干渉計と比べて、高精度の光路長差を
設けることができ、透過中心波長のバラツキの低減やク
ロストークの低減等を図ることができた。特に、本発明
は、回路サイズの小型化が可能である導波路を用いた反
射型光干渉計を実現化する上で極めて効果的である。
As described above in detail with reference to the embodiments, the present invention can provide a light reflecting end having excellent relative positional accuracy. Therefore, the light reflecting end can be used for reflection. When a type optical interferometer is created, compared to a reflection type optical interferometer using a light reflecting end with a conventional structure, it is possible to provide a highly accurate optical path length difference, reduce variations in transmission center wavelength, and crosstalk. Was able to be reduced. In particular, the present invention is extremely effective in realizing a reflection type optical interferometer using a waveguide, which can reduce the circuit size.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第一の実施例に係る光反射端の構造を
示す説明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing a structure of a light reflecting end according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第三の実施例に係る光反射端の構造を
示す説明図である。
FIG. 2 is an explanatory view showing a structure of a light reflecting end according to a third embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第二,第四の実施例に係る反射型二光
束干渉計(マイケルソン干渉計)の構造を示す説明図で
ある。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing the structure of a reflective two-beam interferometer (Michelson interferometer) according to second and fourth embodiments of the present invention.

【図4】従来の光反射端の構造を示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory view showing a structure of a conventional light reflecting end.

【図5】従来の光反射端を作成する工程を示す工程図で
ある。
FIG. 5 is a process chart showing a process of forming a conventional light reflection end.

【図6】反射型多光束干渉計(反射型アレイ導波路格
子)を示す説明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram showing a reflection type multi-beam interferometer (reflection type arrayed waveguide grating).

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 チャンネル導波路コア 2 スラブ導波路コア 3 クラッド 4 光反射膜 5 シリコン基板 6 フォトレジスト 7 反射端形成位置 21a 入力導波路 21b 出力導波路 22 方向性結合器 23a,23b 遅延線導波路 24a,24b 反射端構造 31 入出力導波路 32 スラブ導波路 33 アレイ導波路(遅延線導波路) 34 反射端構造 1 Channel Waveguide Core 2 Slab Waveguide Core 3 Clad 4 Light Reflecting Film 5 Silicon Substrate 6 Photoresist 7 Reflection Edge Forming Position 21a Input Waveguide 21b Output Waveguide 22 Directional Coupler 23a, 23b Delay Line Waveguide 24a, 24b Reflection edge structure 31 Input / output waveguide 32 Slab waveguide 33 Arrayed waveguide (delay line waveguide) 34 Reflection edge structure

フロントページの続き (72)発明者 服部 邦典 東京都新宿区西新宿三丁目19番2号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 鈴木 扇太 東京都新宿区西新宿三丁目19番2号 日本 電信電話株式会社内Front page continuation (72) Inventor Kuninori Hattori 3-19-2 Nishishinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo Nippon Telegraph and Telephone Corporation (72) Inventor Fanta Suzuki 3-19-3 Nishishinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo Japan Telegraph and Telephone Corporation

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上のチャンネル導波路に近接して設
けられ、前記チャンネル導波路を伝搬する光を反射する
光反射端であって、前記チャンネル導波路の端部に光学
的に接続されたスラブ導波路の前記チャンネル導波路に
対向する端面に設けられたことを特徴とする光反射端。
1. A light-reflecting end that is provided in the vicinity of a channel waveguide on a substrate and that reflects light propagating through the channel waveguide, and is optically connected to an end of the channel waveguide. A light reflecting end provided on an end face of the slab waveguide facing the channel waveguide.
【請求項2】 基板上のチャンネル導波路に近接して設
けられ、前記チャンネル導波路を伝搬する光を反射する
光反射端であって、前記チャンネル導波路の延長線上に
前記チャンネル導波路と隔てて設けられ、前記チャンネ
ル導波路との隙間に前記チャンネル導波路のクラッド層
が介在することを特徴とする光反射端。
2. A light reflecting end provided on the substrate in the vicinity of the channel waveguide and for reflecting light propagating through the channel waveguide, the light reflecting end being separated from the channel waveguide on an extension line of the channel waveguide. And a clad layer of the channel waveguide is provided in a gap with the channel waveguide.
【請求項3】 基板上のチャンネル導波路に接続するス
ラブ導波路表面に塗布されたフォトレジスト上に露光に
より反射端となるパターンを転写する工程と、該パター
ンをマスクとして前記スラブ導波路の不要部分を除去し
てスラブ導波路端面を露呈させる工程と、該スラブ導波
路端面に光反射膜を形成する工程とを含むことを特徴と
する光反射端の製造方法。
3. A step of transferring a pattern to be a reflection end by exposure onto a photoresist applied to a surface of a slab waveguide connected to a channel waveguide on a substrate, and using the pattern as a mask, the slab waveguide is unnecessary. A method for manufacturing a light reflecting end, comprising: a step of removing a portion to expose an end surface of the slab waveguide; and a step of forming a light reflecting film on the end surface of the slab waveguide.
【請求項4】 基板上のチャンネル導波路に接続するク
ラッド層のみの領域表面に塗布されたフォトレジスト上
に露光により反射端となるパターンを転写する工程と、
該パターンをマスクとして前記領域の不要部分を除去し
てクラッド端面を露呈させる工程と、該クラッド端面に
光反射膜を形成する工程とを含むことを特徴とする光反
射端の製造方法。
4. A step of transferring a pattern to be a reflection end by exposure on a photoresist coated on a surface of a region of only a clad layer connected to a channel waveguide on a substrate,
A method of manufacturing a light reflecting end, comprising: a step of removing an unnecessary portion of the region by using the pattern as a mask to expose a clad end surface; and a step of forming a light reflecting film on the clad end surface.
【請求項5】 導波路長が各々異なる複数の光反射端付
き導波路と、これら導波路が接続されている光結合器の
組み合わせからなる反射型の光干渉計において、前記光
反射端として請求項1又は2記載の反射端を用いること
を特徴とする光干渉計。
5. A reflection-type optical interferometer comprising a combination of a plurality of waveguides with different light-reflecting ends each having a light-reflecting end, and an optical coupler to which these waveguides are connected. An optical interferometer using the reflecting end according to Item 1 or 2.
【請求項6】 前記光結合器として、方向性結合器を用
いることを特徴とする請求項5記載の光干渉計。
6. The optical interferometer according to claim 5, wherein a directional coupler is used as the optical coupler.
【請求項7】 前記光結合器として、スラブ導波路を用
いることを特徴とする請求項5記載の光干渉計。
7. The optical interferometer according to claim 5, wherein a slab waveguide is used as the optical coupler.
JP1996110685A 1996-05-01 Manufacturing method of channel waveguide with light reflection end Expired - Fee Related JP3602255B6 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1996110685A JP3602255B6 (en) 1996-05-01 Manufacturing method of channel waveguide with light reflection end

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1996110685A JP3602255B6 (en) 1996-05-01 Manufacturing method of channel waveguide with light reflection end

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JPH09297234A true JPH09297234A (en) 1997-11-18
JP3602255B2 JP3602255B2 (en) 2004-12-15
JP3602255B6 JP3602255B6 (en) 2005-03-02

Family

ID=

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008209904A (en) * 2007-01-30 2008-09-11 Nec Corp Bidirectional optical transmitting/receiving module, optical transmitting/receiving device, and bidirectional optical transmitting/receiving module manufacturing method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008209904A (en) * 2007-01-30 2008-09-11 Nec Corp Bidirectional optical transmitting/receiving module, optical transmitting/receiving device, and bidirectional optical transmitting/receiving module manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
JP3602255B2 (en) 2004-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4004794B2 (en) Planar optical waveguide device
US20020191916A1 (en) Vertical waveguide tapers for optical coupling between optical fibers and thin silicon waveguides
KR100450935B1 (en) Method for fabricating tapered waveguide
JPH07306323A (en) Waveguide type optical multiplexer/demultiplexer
JP3112246B2 (en) Array waveguide grating
US6731828B2 (en) Waveguide-type optical signal processing circuit
WO2005116705A1 (en) Optical divider and manufacturing method thereof
US5500916A (en) Method for making Bragg reflectors for waveguides
JP2000171661A (en) Array waveguide diffraction grating type optical multiplexer/demultiplexer
JP2001194541A (en) Optical waveguide circuit
JP2891856B2 (en) Optical path conversion circuit
JP2003240992A (en) Waveguide element and waveguide device
US20020027126A1 (en) Fabrication of gratings in planar waveguide devices
US6483964B1 (en) Method of fabricating an optical component
US6633703B2 (en) Optical multiplexer/demultiplexer
JP3602255B2 (en) Channel waveguide with light reflecting end, method of manufacturing the same, and optical interferometer using the same
JP3602255B6 (en) Manufacturing method of channel waveguide with light reflection end
JPH1068833A (en) Optical waveguide and its production as well as output circuit
JP3735024B2 (en) Optical multiplexer / demultiplexer
JP2001235645A (en) Optical waveguide circuit
JPH10197737A (en) Production of optical waveguide circuit
JP3228233B2 (en) Optical waveguide device
WO2011078033A1 (en) Planar lightwave circuit and production method for planar lightwave circuit
JP3214545B2 (en) Array waveguide grating
JP3214544B2 (en) Planar optical waveguide

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20040615

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040810

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20040826

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040921

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040922

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081001

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091001

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101001

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111001

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121001

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131001

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees