JPH09297002A

JPH09297002A - 変位検出装置

Info

Publication number: JPH09297002A
Application number: JP8110958A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Yokoya; 昌広横谷; Hideki Umemoto; 英樹梅元; Naoki Hiraoka; 直樹平岡; Wataru Fukui; 渉福井; Yutaka Ohashi; 豊大橋
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1996-05-01
Filing date: 1996-05-01
Publication date: 1997-11-18

Abstract

(57)【要約】【課題】たとえブリッジ回路の構成要素に抵抗温度係
数のばらつきがあってもこれを温度補償して常に正常な
出力特性を維持できる変位検出装置を得る。【解決手段】四辺に構成要素として磁気検出素子（１
〜４）の配置されたブリッジ回路を備え、磁気検出素子
（３，４）の少なくとも一つに温度補償手段としての抵
抗体（１０，１１）を並列に設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、変位検出装置に
関し、特に例えば磁気検出素子にて回転変位あるいは直
線変位を検出する変位検出装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図６は、磁気検出素子を用いた従来の変
位検出装置を概略的に示す構成図である。図において、
１〜４はホイートストンブリッジ回路を構成する構成要
素としての磁気検出素子であって、磁気検出素子１およ
び３の各一端は共通接続されて電源端子＋Ｂに接続さ
れ、磁気検出素子２および４の各一端は共通接続されて
接地され、磁気検出素子１および２の各他端は接続点５
に接続され、磁気検出素子３および４の各他端は接続点
６に接続される。７は差動増幅回路であって、その各入
力端子がそれぞれ接続点５および６に接続されている。

【０００３】次に、動作について説明する。印加磁界に
より抵抗変化を生じる磁気検出素子１および２の接続点
５の出力と、磁気検出素子１および２とそれぞれ対向し
て配置されている磁気検出素子３および４の接続点６の
出力を差動増幅回路７により増幅し、回転変位あるいは
直線変位に対応した出力を得る。

【０００４】いま、例えば、電源端子＋Ｂの電圧をＶと
すると、各磁気検出素子の抵抗値が一致しておれば、接
続点５および６には同電位の電圧Ｖ／２が現れ、差動増
幅回路７の両方の入力端子間の電位差は０である。従っ
て、差動増幅回路７の出力側には、これに対応した図７
に実線で示すような差動増幅回路７の増幅度だけ増幅さ
れた出力電圧（Ｖ₁＋Ｖ₂）／２が中位電圧として出力さ
れる。

【０００５】この状態で、磁気検出素子１および２によ
り被検出体（図示せず）の変位が検出されると、ホイー
トストンブリッジ回路のオフセット電圧はこの場合０Ｖ
であるので、ホイートストンブリッジ回路の接続点５お
よび６の電位差は実質的に０Ｖを基準に上下に変化する
ことになる。この結果、この変化分が検出出力として差
動増幅回路７で増幅され、その出力電圧は図７に示すよ
うに中位電圧（Ｖ₁＋Ｖ₂）／２を中心に上下に電圧
Ｖ₁，Ｖ₂の間で変化する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の変位
検出装置では、磁気検出素子への印加磁界が一定の場
合、磁気検出素子１および２の抵抗温度係数の差から発
生する接続点５における出力と、磁気検出素子３および
４の抵抗温度係数の差から発生する接続点６の出力の周
囲温度による出力差が大きい場合、ホイートストンブリ
ッジ回路の出力特性延いては変位検出装置の出力特性に
大きく影響を及ぼすという問題点があった。

【０００７】このことを、図８を参照して説明する。い
ま、磁気検出素子１〜４の抵抗値を例えばそれぞれ１０
ｋΩとし、周囲温度が常温例えば２５℃で磁気検出素子
１および２を調整して接続点５の電圧ｖ1と接続点６の
電圧ｖ2を共に2.500Ｖに調整した場合に、例えば磁気検
出素子３の抵抗温度係数が2500ppm/℃、磁気検出素子４
の抵抗温度係数が2490ppm/℃と両者の間に10ppm/℃の差
があると、周囲温度が１２５℃では接続点５の電圧ｖ1
は2.500Ｖ、接続点６の電圧ｖ2は2.499Ｖとなり、両者
間には１mＶとの温度ドリフトを生じる。この１mＶの電
位差は、後段の差動増幅回路７でその増幅度だけ増幅さ
れて、出力されることになる。

【０００８】図５に示す破線Ｂは、この従来の変位検出
装置の中位電圧（Ｖ₁＋Ｖ₂）／２における周囲温度の変
化に応じた出力特性の変化を示したもので、温度補償が
ないと、このように、実線Ａで示す理想的な特性に対し
て大きなずれ、即ちオフセット電圧を生じる。因みに、
差動増幅回路７の増幅度が約６７倍（例えばホイートス
トンブリッジ回路の接続点５および６の電位差の基準値
（中位電圧）に対する変化量を±３０mV、Ｖ₁を0.5Ｖ、
Ｖ₂を4.5Ｖ、フルスケール時の差動増幅回路７の出力電
圧Ｖ_FS（＝Ｖ₂−Ｖ₁）を４Ｖとした場合）であれば、こ
のオフセット電圧は周囲温度１２５℃では、６７mＶと
なる。

【０００９】このように、従来の変位検出装置では、ホ
イートストンブリッジ回路を構成する磁気検出素子に抵
抗温度係数のばらつきがあった場合には、ホイートスト
ンブリッジ回路の中位電圧がたとえ常温で電位差０に調
整されていても、周囲温度の変化に応じて変化し、ホイ
ートストンブリッジ回路の出力特性が大きな影響を受
け、結果として変位検出装置の出力特性が劣化するとい
う問題点があった。

【００１０】この発明はこのような問題点を解決するた
めになされたもので、たとえホイートストンブリッジ回
路の構成要素に抵抗温度係数のばらつきがあってもこれ
を温度補償して常に正常な出力特性を維持できる変位検
出装置を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明に係
る変位検出装置は、四辺の構成要素の少なくとも一つに
検出素子を用いるブリッジ回路を備えた変位検出装置で
あって、構成要素の少なくとも一つに温度補償手段を設
けたものである。

【００１２】請求項２記載の発明に係る変位検出装置
は、請求項１の発明において、温度補償手段が構成要素
に並列接続された少なくとも１個の抵抗体であるもので
ある。

【００１３】請求項３記載の発明に係る変位検出装置
は、請求項１の発明において、温度補償手段が構成要素
に直列接続された少なくとも１個の抵抗体であるもので
ある。

【００１４】請求項４記載の発明に係る変位検出装置
は、請求項２または３の発明において、抵抗体が構成要
素に対して一桁以上異なる抵抗温度係数を有するもので
ある。

【００１５】請求項５記載の発明に係る変位検出装置
は、請求項２〜４のいずれかの発明において、抵抗体と
して異種材料を用いたものである。

【００１６】請求項６記載の発明に係る変位検出装置
は、請求項１〜５のいずれかの発明において、検出素子
として磁気検出素子を用いたものである。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施の形態
を、検出素子として磁気検出素子を用いた場合を例に取
り、図について説明する。実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１を示す構
成図であり、図６と対応する部分には同一符号を付し、
その詳細説明は省略する。図において、１０ａは磁気検
出素子３に並列接続され、磁気検出素子３および４の抵
抗温度係数の差を考慮して、これらとは例えば一桁以上
異なった抵抗温度係数を有する温度補償手段としての温
度補償用の抵抗体である。同じく、１１ａは磁気検出素
子４に並列接続され、磁気検出素子３および４の抵抗温
度係数の差を考慮して、これらとは例えば一桁以上異な
った抵抗温度係数を有する温度補償手段としての温度補
償用の抵抗体である。６ａは抵抗体１０ａと１１ａの接
続点である。

【００１８】なお、温度補償用の抵抗体は、図示のごと
く磁気検出素子３および４の両方に接続してもよいし、
或いは一方のみに接続してもよい。また、図示せずも、
磁気検出素子１および２に抵抗温度係数のばらつきがあ
れば、こちら側にも上述と同様にして抵抗体を接続して
もよい。つまり、各磁気検出素子１，２，３，４の抵抗
温度係数の差を考慮して、接続点５の出力と接続点６の
出力の電位が各磁気検出素子に同一磁界印加時、周囲温
度により同量の変化をするように、抵抗体１０ａまたは
抵抗体１１ａを接続して抵抗温度係数を操作する。

【００１９】次に、動作について説明する。印加磁界に
より抵抗変化を生じる磁気検出素子１および２の接続点
５の出力と、磁気検出素子１および２に対して対向して
配置されている磁気検出素子３および４の接続点６の出
力を差動増幅回路７により増幅し、回転変位あるいは直
線変位に対応した出力を得る。この場合には、磁気検出
素子の抵抗温度係数のばらつきに対して温度補償用の抵
抗体により温度補償が成されているので、周囲温度が変
化してもホイートストンブリッジ回路の出力即ち変位検
出装置の出力である差動増幅回路７の出力の特性は殆ど
影響を受けない。

【００２０】このことを、更に図２を参照して説明す
る。いま、図８の場合と同様に、磁気検出素子１〜４の
抵抗値を例えばそれぞれ１０ｋΩとし、例えば磁気検出
素子３の抵抗温度係数が2500ppm/℃、磁気検出素子４の
抵抗温度係数が2490ppm/℃と両者の間に10ppm/℃の差が
あるとすると、これを温度補償するために、例えば磁気
検出素子３に対して抵抗値が３ＭΩ、抵抗温度係数が10
0ppm/℃なる抵抗体１０ａを並列接続する。

【００２１】すると、磁気検出素子３と抵抗体１０ａの
並列接続による合成抵抗によって抵抗値が変わってくる
ので、これと対向する磁気検出素子２の抵抗値を10.033
3ｋΩに変更して周囲温度が常温例えば２５℃で接続点
５の電圧ｖ1と接続点６の電圧ｖ2が共に2.50416Ｖにな
るように調整する。かくして、周囲温度に応じて接続点
５および６の電圧は若干変わるが、１２５℃では接続点
５の電圧ｖ1は2.50416Ｖ、接続点６の電圧ｖ2は2.50415
Ｖとなり、両者間の電位差は0.01mＶと図８の場合の1/1
00程度の極めて小さい値となり、実質的に温度補償が成
されていることが分かる。

【００２２】この0.01mＶの電位差は、後段の差動増幅
回路７でその増幅度だけ増幅されて、出力されることに
なるが、図５の一点鎖線Ｃでに示すように、本実施の形
態では、上述のごとく、磁気検出素子の抵抗温度係数の
ばらつきに対して温度補償用の抵抗体により温度補償が
施されているので、実線Ａで示す理想的な特性に対して
大きなずれはなく、即ちオフセット電圧は極めて小さい
ものとなる。因みに、差動増幅回路７の増幅度が約６７
倍であれば、このオフセット電圧は周囲温度１２５℃で
は、0.67mＶとなり、実質的に無視できる程度のもので
あり、実用上問題ない。

【００２３】ここで、磁気検出素子の抵抗温度係数のば
らつきに対する温度補償の際の抵抗体の付加の仕方につ
いては、抵抗体が例えばセラミック基板上に印刷された
厚膜抵抗であれば、これらを磁気検出素子の抵抗温度係
数の差に応じてトリミングして調整を行う。なお、この
ようにして、温度補償用の抵抗体を付加した後は、その
合成抵抗により抵抗値が変わってくるので、対向する磁
気検出素子の抵抗値を調整して、周囲温度が常温例えば
２５℃で接続点５の電圧ｖ1と接続点６の電圧ｖ2を同電
位とする。

【００２４】このように、本実施の形態では、ホイート
ストンブリッジ回路を構成する各磁気検出素子の少なく
とも１個に並列に１個の温度補償用の抵抗体を設けるこ
とで、磁気検出素子への印加磁界が一定の場合の磁気検
出素子の接続点における出力の周囲温度による電位差を
低減させることができる。

【００２５】実施の形態２．図３はこの発明の実施の形
態２を示す構成図であり、図１と対応する部分には同一
符号を付し、その詳細説明は省略する。上記実施の形態
１では、ホイートストンブリッジ回路を構成する磁気検
出素子３および４に対してそれぞれ並列に１個の抵抗体
１０ａおよび１１ａを配置する場合であったが、本実施
の形態においては、磁気検出素子３および４に対してそ
れぞれ並列にｎ個の温度補償手段としての抵抗体１０
ａ，１０ｂ，〜１０ｎおよび１１ａ，１１ｂ，〜１１ｎ
を配置する場合である。６ｂ〜６ｎはそれぞれ抵抗体１
０ｂと１１ｂ〜抵抗体１０ｎと１１ｎの接続点である。

【００２６】抵抗体１０ａ〜１０ｃおよび抵抗体１１ａ
〜１１ｃとしては、例えばセラミック基板上に印刷され
た厚膜抵抗を用いることができ、互いに抵抗値（抵抗温
度係数）の異なるものとされる。なお、この並列構成の
抵抗体１０ａ〜１０ｎおよび抵抗体１１ａ〜１１ｎは任
意の数に設定され得るものである。また、この場合も、
温度補償用の抵抗体は、図示のごとく磁気検出素子３お
よび４の両方に接続してもよいし、或いは一方のみに接
続してもよい。また、図示せずも、磁気検出素子１およ
び２に抵抗温度係数のばらつきがあれば、こちら側にも
上述と同様にして抵抗体を接続してもよい。

【００２７】次に、動作について説明する。印加磁界に
より抵抗変化を生じる磁気検出素子１および２の接続点
５の出力と、磁気検出素子１および２に対してそれぞれ
対向して並列に配置されている磁気検出素子３と抵抗体
１０ａ〜１０ｎおよび磁気検出素子４と抵抗体１１ａ〜
１１ｎの接続点６〜６ｎの出力を差動増幅回路７により
増幅し、回転変位あるいは直線変位に対応した出力を得
る。

【００２８】ここで、磁気検出素子の抵抗温度係数のば
らつきに対する温度補償の際の抵抗体の付加の仕方につ
いては、上述と同様に抵抗体が例えばセラミック基板上
に印刷された厚膜抵抗であれば、これらを磁気検出素子
の抵抗温度係数の差に応じてトリミングして調整を行
う。その際に、抵抗体１０ａ〜１０ｎおよび抵抗体１１
ａ〜１１ｎは互いにその抵抗値（抵抗温度係数）が異な
るので、少なくとも一方の側において、先ず、抵抗値
（抵抗温度係数）の小さい方の例えば抵抗体１０ｎまた
は１１ｎに対してトリミングを施して粗調整を行い、次
いで、抵抗値（抵抗温度係数）の大きい方の抵抗体１０
ａ〜１０nおよび１１ａ〜１１nに対してトリミングを施
して微調整を行う。この場合、粗調整および微調整の対
象となる抵抗体の数は、任意の値に設定され得るもので
ある。

【００２９】なお、このようにして、温度補償用の抵抗
体を付加した後は、その合成抵抗により抵抗値が変わっ
てくるので、対向する磁気検出素子の抵抗値を調整し
て、周囲温度が常温例えば２５℃で接続点５の電圧ｖ1
と接続点６の電圧ｖ2を同電位とする。この場合も、磁
気検出素子の抵抗温度係数のばらつきに対して温度補償
用の抵抗体により温度補償が成されているので、周囲温
度が変化してもホイートストンブリッジ回路の出力即ち
変位検出装置の出力である差動増幅回路７の出力の特性
は殆ど影響を受けない。

【００３０】このように、本実施の形態では、ホイート
ストンブリッジ回路を構成する各磁気検出素子の少なく
とも１個に並列にｎ個の温度補償用の抵抗体を設けるこ
とで、磁気検出素子への印加磁界が一定の場合の磁気検
出素子の接続点における出力の周囲温度による電位差を
低減させることができる。また、温度補償用の抵抗体を
実質的にｎ個に分割して並列に配置し、先ず、抵抗値
（抵抗温度係数）の小さい方の抵抗体を粗調整し、次い
で、抵抗値（抵抗温度係数）の大きい方の抵抗体を微調
整して所望の値まで追い込むので、トリミングした量に
対して抵抗値（抵抗温度係数）の変化が小さく、高精度
のオフセット調整が可能となり、ホイートストンブリッ
ジ回路を構成する磁気検出素子の抵抗温度係数のばらつ
きに対する温度補償の精度を向上することができ、ま
た、抵抗体に対する調整を効率よく行うことができる。

【００３１】実施の形態３．図４はこの発明の実施の形
態３を示す構成図であり、図３と対応する部分には同一
符号を付し、その詳細説明は省略する。上記、実施の形
態２では、ホイートストンブリッジ回路を構成する磁気
検出素子３および４に対してそれぞれ並列にｎ個の抵抗
体１０ａ〜１０ｎおよび１１ａ〜１１ｎを配置する場合
であったが、本実施の形態においては、磁気検出素子３
および４に対して予めそれぞれ直列を成すｎ個の温度補
償手段としての抵抗体１０ａ〜１０ｎおよび１１ａ〜１
１ｎを配置する場合である。

【００３２】この場合の抵抗体１０ａ〜１０ｃおよび抵
抗体１１ａ〜１１ｃは、その抵抗値（抵抗温度係数）の
異なるものとされ、しかも付加される磁気検出素子の抵
抗値（抵抗温度係数）に対してかなり小さい値とされ
る。なお、この直列構成の抵抗体１０ａ〜１０ｎおよび
抵抗体１１ａ〜１１ｎは任意の数に設定され得るもので
ある。また、この場合も、温度補償用の抵抗体は、図示
のごとく磁気検出素子３および４の両方に接続してもよ
いし、或いは一方のみに接続してもよい。また、図示せ
ずも、磁気検出素子１および２に抵抗温度係数のばらつ
きがあれば、こちら側にも上述と同様にして抵抗体を接
続してもよい。

【００３３】次に、動作について説明する。印加磁界に
より抵抗変化を生じる磁気検出素子１および２の接続点
５の出力と、磁気検出素子１および２に対してそれぞれ
対向して配置されている１０ａ〜１０ｎおよび１１ａ〜
１１ｎの内の抵抗体１０ｎおよび１１ｎの接続点６の出
力を差動増幅回路７により増幅し、回転変位あるいは直
線変位に対応した出力を得る。

【００３４】ここで、磁気検出素子の抵抗温度係数のば
らつきに対する温度補償の際の抵抗体の付加の仕方につ
いては、上述と同様に抵抗体が例えばセラミック基板上
に印刷された厚膜抵抗であれば、これらを磁気検出素子
の抵抗温度係数の差に応じてトリミングして調整を行
う。その際に、抵抗体１０ａ〜１０ｎおよび抵抗体１１
ａ〜１１ｎは互いにその抵抗値（抵抗温度係数）が異な
るので、少なくとも一方の側において、先ず、抵抗値
（抵抗温度係数）の大きい方の例えば抵抗体１０ｎまた
は１１ｎに対してトリミングを施して粗調整を行い、次
いで、抵抗値（抵抗温度係数）の小さい方の抵抗体１０
ａ〜１０nおよび１１ａ〜１１nに対してトリミングを施
して微調整を行う。この場合、粗調整および微調整の対
象となる抵抗体の数は、任意の値に設定され得るもので
ある。

【００３５】なお、このようにして、温度補償用の抵抗
体を付加した後は、その合成抵抗により抵抗値が変わっ
てくるので、対向する磁気検出素子の抵抗値を調整し
て、周囲温度が常温例えば２５℃で接続点５の電圧ｖ1
と接続点６の電圧ｖ2を同電位とする。この場合も、磁
気検出素子の抵抗温度係数のばらつきに対して温度補償
用の抵抗体により温度補償が成されているので、周囲温
度が変化してもホイートストンブリッジ回路の出力即ち
変位検出装置の出力である差動増幅回路７の出力の特性
は殆ど影響を受けない。

【００３６】このように、本実施の形態では、ホイート
ストンブリッジ回路を構成する各磁気検出素子の少なく
とも１個に直列にｎ個の温度補償用の抵抗体を設けるこ
とで、磁気検出素子への印加磁界が一定の場合の磁気検
出素子の接続点における出力の周囲温度による電位差を
低減させることができる。また、温度補償用の抵抗体を
実質的にｎ個に分割して直列に配置し、先ず、抵抗値
（抵抗温度係数）の大きい方の抵抗体を粗調整し、次い
で、抵抗値（抵抗温度係数）の小さい方の抵抗体を微調
整して所望の値まで追い込むので、トリミングした量に
対して抵抗値（抵抗温度係数）の変化が小さく、高精度
のオフセット調整が可能となり、ホイートストンブリッ
ジ回路を構成する磁気検出素子の抵抗温度係数のばらつ
きに対する温度補償の精度を向上することができ、ま
た、抵抗体に対する調整を効率よく行うことができる。

【００３７】実施の形態４．なお、上述の実施の形態２
では、並列構成の抵抗体をトリミングする場合である
が、抵抗値（抵抗温度係数）の小さい抵抗体に対して抵
抗値（抵抗温度係数）の大きい抵抗体を順次追加して抵
抗温度係数を微調整を行ってもよいし、或いは、予め並
列構成とされた抵抗体を順次切断して抵抗温度係数を微
調整するようにしてもよく、若しくは、粗調整で抵抗値
（抵抗温度係数）の小さい抵抗体を切断し、微調整で抵
抗値（抵抗温度係数）の大きい抵抗体をトリミングして
抵抗温度係数の微調整するようにしてもよい。この切断
による抵抗温度係数の調整の場合、トリミングの際のレ
ーザ光による熱の影響を受けないので、より精度よく調
整可能となる。

【００３８】また、上述の各実施の形態では、抵抗体と
して同一材料を前提とした抵抗温度係数の異なる抵抗体
の場合について説明したが、抵抗温度係数が異なるもの
であれば異種材料の抵抗体でもよい。また、上述の各実
施の形態では、検出素子として磁気検出素子の場合につ
いて説明したが、これに限定されることなく、その他の
素子、例えば圧力を検出する圧電素子や歪みを検出する
歪みゲージ等を用いてもよく、同様の効果を奏する。

【００３９】

【発明の効果】以上のように、請求項１記載の発明によ
れば、四辺の構成要素の少なくとも一つに検出素子を用
いるブリッジ回路を備えた変位検出装置であって、構成
要素の少なくとも一つに温度補償手段を設けたので、ブ
リッジ回路の構成要素に抵抗温度係数のばらつきがあっ
てもこれを温度補償して常に正常な出力特性を維持で
き、周囲温度の変化に影響されることなく常に精度の高
い変位検出を行うことができ、しかも、ブリッジ回路を
構成する構成要素の抵抗温度係数の差に余裕度を持たせ
ることができ、製品の歩留まりを向上できるという効果
がある。

【００４０】請求項２記載の発明に係る変位検出装置
は、請求項１の発明において、温度補償手段が構成要素
に並列接続された少なくとも１個の抵抗体であるので、
ブリッジ回路を構成する構成要素の抵抗温度係数のばら
つきに対する温度補償の精度を向上することができ、ま
た、抵抗体に対する調整を効率よく行うことができると
いう効果がある。また、抵抗体に対して切断による抵抗
温度係数の調整の場合、トリミングの際のレーザ光によ
る熱の影響を受けず、より精度よく調整ができるという
効果がある。

【００４１】請求項３記載の発明に係る変位検出装置
は、請求項１の発明において、温度補償手段が構成要素
に直列接続された少なくとも１個の抵抗体であるので、
ブリッジ回路を構成する構成要素の抵抗温度係数のばら
つきに対する温度補償の精度を向上することができ、ま
た、抵抗体に対する調整を効率よく行うことができると
いう効果がある。

【００４２】請求項４記載の発明に係る変位検出装置
は、請求項２または３の発明において、抵抗体が構成要
素に対して一桁以上異なる抵抗温度係数を有するので、
温度補償が容易で、精度の高い温度補償が可能になると
いう効果がある。

【００４３】請求項５記載の発明に係る変位検出装置
は、請求項２〜４のいずれかの発明において、抵抗体と
して異種材料を用いたので、抵抗温度係数の異なる抵抗
体を幅広く取得でき、より精度の高い温度補償が可能に
なるという効果がある。

【００４４】請求項６記載の発明に係る変位検出装置
は、請求項１〜５のいずれかの発明において、検出素子
として磁気検出素子を用いたので、印加磁界変化によっ
て抵抗値が変化し、確実に被検出体の変位を検出できる
という効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る変位検出装置の実施の形態１
を示す構成図である。

【図２】この発明に係る変位検出装置の実施の形態
１における温度補償の説明に供するための模式図であ
る。

【図３】この発明に係る変位検出装置の実施の形態２
を示す構成図である。

【図４】この発明に係る変位検出装置の実施の形態３
を示す構成図である。

【図５】この発明に係る変位検出装置の実施の形態と
従来例を対比して示す特性図である。

【図６】従来の変位検出装置を示す構成図である。

【図７】従来の変位検出装置の動作説明に供するため
の特性図である。

【図８】従来の変位検出装置における温度補償の説明
に供するための模式図である。

【符号の説明】

１〜４磁気検出素子、７差動増幅回路、１０ａ〜１
０ｃ，１１ａ〜１１ｃ抵抗体。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者福井渉東京都千代田区丸の内二丁目２番３号三菱電機株式会社内 (72)発明者大橋豊東京都千代田区丸の内二丁目２番３号三菱電機株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】四辺の構成要素の少なくとも一つに検出
素子を用いるブリッジ回路を備えた変位検出装置であっ
て、上記構成要素の少なくとも一つに温度補償手段を設
けたことを特徴とする変位検出装置。
【請求項２】上記温度補償手段は上記構成要素に並列
接続された少なくとも１個の抵抗体であることを特徴と
する請求項１記載の変位検出装置。
【請求項３】上記温度補償手段は上記構成要素に直列
接続された少なくとも１個の抵抗体であることを特徴と
する請求項１記載の変位検出装置。
【請求項４】上記抵抗体は上記構成要素に対して一桁
以上異なる抵抗温度係数を有することを特徴とする請求
項２または３記載の変位検出装置。
【請求項５】上記抵抗体として異種材料を用いたこと
を特徴とする請求項２〜４のいずれかに記載の変位検出
装置。
【請求項６】上記検出素子として磁気検出素子を用い
たことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の変
位検出装置。