JPH09292277A - Infrared detector - Google Patents

Infrared detector

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JPH09292277A
JPH09292277A JP8107799A JP10779996A JPH09292277A JP H09292277 A JPH09292277 A JP H09292277A JP 8107799 A JP8107799 A JP 8107799A JP 10779996 A JP10779996 A JP 10779996A JP H09292277 A JPH09292277 A JP H09292277A
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JP
Japan
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thermistors
infrared
thermistor
combination
circuit
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Application number
JP8107799A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazunori Kidera
和憲 木寺
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Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
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Publication date
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  • Geophysics And Detection Of Objects (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To detect the position of an object with a simple structure without using an infrared ray shielding means such as a chopper. SOLUTION: In this device, infrared rays from four detecting areas 7a-7d are converged onto corresponding thermistors 1a-1d by infrared ray condensers 8a-8d, and the change of resistance values of the thermistors 1a-1d is detected by a signal processing circuit 6, whereby the presence of an object in each detecting area 7a-7d is detected. This device has a differential amplifier 5 for forming bridge circuits by the thermistors 1a-1d and detecting the difference in intermediate potential of the bridge circuits, and a switching circuit 4 capable of changing the combination of the thermistors 1a-1d. The combination of the thermistors 1a-1d is changed by the switching circuit 4, whereby the presence of the object 9 in the detecting areas 7a-7d is detected on the basis of the differential signals in the respective combination states of the thermistors 1a-1d in the signal processing circuit 6.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、人体等の赤外線を
放射する物体の存在する検知領域を検出する赤外線検出
装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an infrared detecting device for detecting a detection area in which an object emitting infrared rays, such as a human body, exists.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、位置検出を行うことのできる赤外
線検出装置としては、焦電素子をアレイ状に接続したも
のやサーモパイルを複数個接続したものがあり、焦電素
子やサーモパイルに入射した赤外線量の変化により、出
力信号が変化し、この出力信号の変化により位置検出が
可能となるものである。
2. Description of the Related Art Conventionally, there have been known infrared detectors capable of detecting a position, in which pyroelectric elements are connected in an array or in which a plurality of thermopiles are connected, and infrared rays incident on the pyroelectric elements or thermopile. The output signal changes according to the change in the amount, and the position detection can be performed based on the change in the output signal.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、焦電素
子を用いた赤外線検出装置は、赤外線の入射量が変化し
たときにしか信号が出力されないため、連続的な赤外線
の入射を検出することができなかった。従って、チョッ
パ等を用いて赤外線を遮光する必要が生じ、構造が複雑
になるという問題があった。
However, since the infrared detecting device using the pyroelectric element outputs a signal only when the incident amount of infrared rays changes, continuous infrared ray incident can be detected. There wasn't. Therefore, it is necessary to shield infrared rays by using a chopper or the like, which causes a problem that the structure becomes complicated.

【0004】また、サーモパイルを用いた赤外線検出装
置は、その出力信号が非常に微小であるため、高精度の
増幅器が必要になるという問題があった。
Further, the infrared detector using the thermopile has a problem that a highly accurate amplifier is required because the output signal thereof is extremely small.

【0005】本発明は、上記の点に鑑みてなしたもので
あり、その目的とするところは、チョッパ等の赤外線遮
光手段を用いることなく、簡易な構成で物体の位置検出
を行うことのできる赤外線検出装置を提供することにあ
る。
The present invention has been made in view of the above points, and it is an object of the present invention to detect the position of an object with a simple structure without using an infrared ray shielding means such as a chopper. An object is to provide an infrared detection device.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
半導体基板上に形成された互いに熱的に絶縁された4つ
の薄膜上に、同一温度で同一抵抗値を有するサーミスタ
を各々形成することにより赤外線受光素子を構成すると
ともに、赤外線集光レンズにより4つの検知領域からの
赤外線を対応するサーミスタ上に集光するようにし、信
号処理回路にてサーミスタの抵抗値の変化を検出するこ
とにより各検知領域での物体の存在を検出するようにし
た赤外線検出装置において、前記サーミスタでブリッジ
回路を形成し、該ブリッジ回路の中間電位の差分を検出
する差分増幅器を具備するとともに、ブリッジ回路を構
成する各サーミスタの組み合わせを変更できるスイッチ
ング回路を具備し、該スイッチング回路で各サーミスタ
の組み合わせを変更することにより、信号処理回路で
は、各サーミスタの組み合わせの各々の状態での差分信
号に基づき各検知領域での物体の存在を検出するように
したことを特徴とするものである。
According to the first aspect of the present invention,
An infrared light receiving element is formed by forming thermistors having the same resistance value at the same temperature on four thin films that are thermally insulated from each other on a semiconductor substrate. An infrared detector that detects the presence of an object in each detection area by focusing the infrared rays from the detection area on the corresponding thermistor and detecting the change in the resistance value of the thermistor in the signal processing circuit. In the switching circuit, the thermistor is provided with a difference amplifier for forming a bridge circuit and detecting a difference between intermediate potentials of the bridge circuit, and a switching circuit capable of changing a combination of the thermistors forming the bridge circuit. In the signal processing circuit, by changing the combination of each thermistor, It is characterized in that to detect the presence of an object in the sensing area based on the difference signal in each state of the combined saw.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の一例
を図面に基づき説明する。図1は、本発明の実施の形態
の一例に係る赤外線検出装置の概略構成を示す回路図で
あり、図2は同上に係る赤外線検出素子の概略構成に係
る平面及び断面を示す模式図である。1a〜1dは赤外
線により抵抗値が変化するサーミスタであり、各々同一
温度で同一抵抗値を有するように設定されている。各サ
ーミスタ1a〜1dは、半導体基板2に形成された互い
に熱的に絶縁された4つの薄膜2a〜2d上に形成さ
れ、赤外線検出素子1を構成する。なお、11〜16は
接続端子である。サーミスタ1a、1bとサーミスタ1
c、1dは各々直列に接続され、サーミスタ1a〜1d
でブリッジ回路を構成するように配置される。3は電源
であり、サーミスタ1a〜1dで構成されたブリッジ回
路に電源を供給するものである。4はスイッチング回路
であり、各サーミスタ1a〜1dの組み合わせを変更
し、電源3とブリッジ回路との接続関係を変更するため
のものである。5は差動増幅器であり、サーミスタ1
a、1bの接続点12の電位とサーミスタ1c、1dの
接続点15の電位との間の電位差を増幅するものであ
る。6は信号処理回路であり、差動増幅器5から出力さ
れる電位差信号を取り込んで、スイッチング回路4に対
して切り換え信号を出力するとともに、サーミスタ1a
〜1dの組み合わせを変更した場合の電位差信号をも取
り込み、抵抗値の変化のあったサーミスタ1a〜1dを
検出するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram showing a schematic configuration of an infrared detection device according to an example of an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic diagram showing a plane and a cross section of the schematic configuration of an infrared detection device according to the above. . Reference numerals 1a to 1d are thermistors whose resistance values change with infrared rays, and are set to have the same resistance value at the same temperature. The thermistors 1 a to 1 d are formed on the four thin films 2 a to 2 d which are formed on the semiconductor substrate 2 and are thermally insulated from each other, and constitute the infrared detection element 1. Note that 11 to 16 are connection terminals. Thermistors 1a and 1b and Thermistor 1
c and 1d are respectively connected in series, and thermistors 1a to 1d
Are arranged so as to form a bridge circuit. A power source 3 supplies power to the bridge circuit composed of the thermistors 1a to 1d. Reference numeral 4 is a switching circuit for changing the combination of the thermistors 1a to 1d and changing the connection relationship between the power supply 3 and the bridge circuit. 5 is a differential amplifier, the thermistor 1
The potential difference between the potential at the connection point 12 of a and 1b and the potential at the connection point 15 of the thermistors 1c and 1d is amplified. Reference numeral 6 denotes a signal processing circuit which takes in the potential difference signal output from the differential amplifier 5 and outputs a switching signal to the switching circuit 4 and also the thermistor 1a.
The potential difference signal when the combination of 1d to 1d is changed is also detected, and the thermistors 1a to 1d having a change in resistance value are detected.

【0008】図3は赤外線検出素子1を構成する各サー
ミスタ1a〜1dと検知領域7a〜7dとの対応関係を
示す模式図である。各検知領域7a〜7d内に存在する
人体9等の物体から放射される赤外線は、検知領域7a
〜7dに対応して配置された赤外線集光レンズ8a〜8
dにより、サーミスタ1a〜1dに集光されるようにな
っている。つまり、図3のように、検知領域7c内に存
在する人体9から放射される赤外線は赤外線集光レンズ
8cによりサーミスタ1cに集光されるのである。
FIG. 3 is a schematic diagram showing the correspondence between the thermistors 1a to 1d constituting the infrared detecting element 1 and the detection areas 7a to 7d. Infrared rays emitted from an object such as the human body 9 existing in each of the detection areas 7a to 7d are detected by the detection area 7a.
Infrared condensing lenses 8a-8 arranged corresponding to 7d
The light is focused on the thermistors 1a to 1d by d. That is, as shown in FIG. 3, the infrared rays emitted from the human body 9 present in the detection area 7c are condensed on the thermistor 1c by the infrared condenser lens 8c.

【0009】次に、本実施形態の動作を説明する。今、
スイッチング回路4は図1に示すような状態に設定さ
れ、サーミスタ1a〜1dとしてNTCサーミスタが使
用されているとする。サーミスタ1a〜1dは設置環境
の温度が同じであれば同じ抵抗値を有するように設定し
てあるので、設置環境が室温に保たれ、赤外線が照射さ
れない限り同じ抵抗値を示す。従って、この場合にはブ
リッジ回路のバランスがとれ、差動増幅器5の出力は0
である。ここで、図3に示すように、検知領域7cに人
体9が入ってきたとすると、人体9から放射される赤外
線が赤外線集光レンズ8cを介してサーミスタ1cに照
射され、サーミスタ1cの温度が上昇し、温度上昇にと
もない抵抗値が下がる。この場合にはブリッジ回路のバ
ランスが崩れ、接続端子16にはプラス電源が印加され
ており、サーミスタ1cの抵抗値だけが他のサーミスタ
の抵抗値より低くなるので、差動増幅器5の出力はサー
ミスタ1cの抵抗値の変化量に応じた分だけプラスの値
となる。信号処理回路6では、差動増幅器5の出力信号
を取り込むと、スイッチング回路4に対してスイッチの
切り換えのための制御信号を送り、スイッチング回路4
のスイッチが切り換えられる。スイッチング回路4のス
イッチの切り換わりにより、今度は、接続端子14にプ
ラス電源が印加され、接続端子16にはマイナス電源が
印加されることになり、サーミスタ1cの抵抗値だけが
低い状態では、差動増幅器5の出力はサーミスタ1cの
抵抗値の変化量に応じた分だけマイナスの値となる。こ
の場合の差動増幅器5の出力信号も信号処理回路6に取
り込まれる。信号処理回路6では、差動増幅器5の出力
信号がプラスの値として出力されるとH(ハイレベ
ル)、マイナスの値として出力されるとL(ローレベ
ル)、0の値として出力されるとM(ミドルレベル)と
なるように、増幅率やオフセット電圧を考慮して閾値を
決めておくことにより、差動増幅器5の3段階の出力信
号を判断することができる。そして、スイッチング回路
4の切り換えによって得られる差動増幅器5の2つの出
力信号の組み合わせにより、人体9がどの検知領域7a
〜7dに存在するかを検出することができるのである。
今の場合、つまり、人体9が検知領域7cに存在する場
合には差動増幅器5の出力信号は(H、L)となる。ま
た、人体9が検知領域7dに存在する場合には差動増幅
器5の出力信号は(L、H)となり、人体9が検知領域
7aに存在する場合には差動増幅器5の出力信号は
(L、L)となり、人体9が検知領域7bに存在する場
合には差動増幅器5の出力信号は(H、H)となる。さ
らに、人体9がどの検知領域7a〜7dにも存在しない
場合には差動増幅器5の出力信号は(M、M)となる。
Next, the operation of this embodiment will be described. now,
It is assumed that the switching circuit 4 is set in the state as shown in FIG. 1 and that NTC thermistors are used as the thermistors 1a to 1d. Since the thermistors 1a to 1d are set to have the same resistance value if the temperature of the installation environment is the same, the thermistors 1a to 1d show the same resistance value unless the installation environment is kept at room temperature and infrared rays are irradiated. Therefore, in this case, the bridge circuit is balanced and the output of the differential amplifier 5 is zero.
It is. Here, as shown in FIG. 3, if the human body 9 enters the detection area 7c, the infrared rays emitted from the human body 9 are irradiated to the thermistor 1c via the infrared condenser lens 8c, and the temperature of the thermistor 1c rises. However, the resistance value decreases as the temperature rises. In this case, the bridge circuit is unbalanced, a positive power source is applied to the connection terminal 16, and only the resistance value of the thermistor 1c becomes lower than the resistance values of the other thermistors, so that the output of the differential amplifier 5 is the thermistor. It becomes a positive value by the amount corresponding to the amount of change in the resistance value of 1c. In the signal processing circuit 6, when the output signal of the differential amplifier 5 is taken in, a control signal for switching the switch is sent to the switching circuit 4, and the switching circuit 4
The switch of is changed. Due to the switching of the switch of the switching circuit 4, the positive power source is applied to the connection terminal 14 and the negative power source is applied to the connection terminal 16 in this state, and when the resistance value of the thermistor 1c is low, the difference is small. The output of the dynamic amplifier 5 has a negative value corresponding to the amount of change in the resistance value of the thermistor 1c. The output signal of the differential amplifier 5 in this case is also taken into the signal processing circuit 6. In the signal processing circuit 6, when the output signal of the differential amplifier 5 is output as a positive value, it is output as H (high level), and when it is output as a negative value, it is output as L (low level) and a value of 0. By determining the threshold value in consideration of the amplification factor and the offset voltage so as to be M (middle level), it is possible to determine the three-stage output signal of the differential amplifier 5. Then, the combination of the two output signals of the differential amplifier 5 obtained by switching the switching circuit 4 determines which detection region 7a the human body 9 is in.
It is possible to detect whether it exists in ~ 7d.
In this case, that is, when the human body 9 exists in the detection area 7c, the output signal of the differential amplifier 5 becomes (H, L). The output signal of the differential amplifier 5 is (L, H) when the human body 9 is in the detection area 7d, and the output signal of the differential amplifier 5 is (L, H) when the human body 9 is in the detection area 7a. L, L), and when the human body 9 exists in the detection area 7b, the output signal of the differential amplifier 5 becomes (H, H). Further, when the human body 9 does not exist in any of the detection areas 7a to 7d, the output signal of the differential amplifier 5 becomes (M, M).

【0010】上述のように、差動増幅器5の出力信号の
L、Hの組み合わせに基づき人体9の存在する検知領域
7a〜7dを検出することができるのである。
As described above, the detection areas 7a to 7d in which the human body 9 exists can be detected based on the combination of L and H of the output signals of the differential amplifier 5.

【0011】[0011]

【発明の効果】以上のように、請求項1記載の発明によ
れば、半導体基板上に形成された互いに熱的に絶縁され
た4つの薄膜上に、同一温度で同一抵抗値を有するサー
ミスタを各々形成することにより赤外線受光素子を構成
するとともに、赤外線集光レンズにより4つの検知領域
からの赤外線を対応するサーミスタ上に集光するように
し、信号処理回路にてサーミスタの抵抗値の変化を検出
することにより各検知領域での物体の存在を検出するよ
うにした赤外線検出装置において、前記サーミスタでブ
リッジ回路を形成し、該ブリッジ回路の中間電位の差分
を検出する差分増幅器を具備するとともに、ブリッジ回
路を構成する各サーミスタの組み合わせを変更できるス
イッチング回路を具備し、該スイッチング回路で各サー
ミスタの組み合わせを変更することにより、信号処理回
路では、各サーミスタの組み合わせの各々の状態での差
分信号に基づき各検知領域での物体の存在を検出するよ
うにしたので、チョッパ等の赤外線遮光手段を用いるこ
となく、簡易な構成で物体の位置検出を行うことのでき
る赤外線検出装置が提供できた。
As described above, according to the first aspect of the present invention, thermistors having the same resistance value at the same temperature are formed on the four thin films thermally insulated from each other formed on the semiconductor substrate. The infrared light receiving element is configured by forming each of them, and the infrared light collecting lens collects the infrared light from the four detection areas on the corresponding thermistor, and the signal processing circuit detects the change in the resistance value of the thermistor. In the infrared detection device configured to detect the presence of an object in each detection area, a bridge circuit is formed by the thermistor, and a difference amplifier for detecting a difference in intermediate potential of the bridge circuit is provided, and the bridge circuit is provided. The thermistor is equipped with a switching circuit that can change the combination of the thermistors that make up the circuit. By changing the above, the signal processing circuit detects the presence of an object in each detection area based on the difference signal in each state of each thermistor combination, so use an infrared light shielding means such as a chopper. In other words, an infrared detection device capable of detecting the position of an object with a simple configuration can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施の形態の一例に係る赤外線検出装
置の概略構成を示す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a schematic configuration of an infrared detection device according to an example of an embodiment of the present invention.

【図2】同上に係る赤外線検出素子の概略構成を示す平
面及びX−Yにおける断面の模式図である。
FIG. 2 is a schematic view of a plane and a cross section in XY showing a schematic configuration of the infrared detection element according to the above.

【図3】赤外線検出素子を構成する各サーミスタと検知
領域との対応関係を示す模式図である。
FIG. 3 is a schematic diagram showing a correspondence relationship between each thermistor constituting the infrared detection element and a detection region.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 赤外線検出素子 1a〜1d サーミスタ 2 半導体基板 2a〜2d 薄膜 3 電源 4 スイッチング回路 5 差動増幅器 6 信号処理回路 7a〜7d 検知領域 8a〜8d 赤外線集光レンズ 9 人体 11〜16 接続端子 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Infrared detection element 1a-1d Thermistor 2 Semiconductor substrate 2a-2d Thin film 3 Power supply 4 Switching circuit 5 Differential amplifier 6 Signal processing circuit 7a-7d Detection area 8a-8d Infrared condensing lens 9 Human body 11-16 Connection terminals

─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成8年9月2日[Submission date] September 2, 1996

【手続補正1】[Procedure amendment 1]

【補正対象書類名】図面[Document name to be amended] Drawing

【補正対象項目名】図1[Correction target item name] Fig. 1

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【図1】 FIG.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体基板上に形成された互いに熱的に
絶縁された4つの薄膜上に、同一温度で同一抵抗値を有
するサーミスタを各々形成することにより赤外線受光素
子を構成するとともに、赤外線集光レンズにより4つの
検知領域からの赤外線を対応するサーミスタ上に集光す
るようにし、信号処理回路にてサーミスタの抵抗値の変
化を検出することにより各検知領域での物体の存在を検
出するようにした赤外線検出装置において、前記サーミ
スタでブリッジ回路を形成し、該ブリッジ回路の中間電
位の差分を検出する差分増幅器を具備するとともに、ブ
リッジ回路を構成する各サーミスタの組み合わせを変更
できるスイッチング回路を具備し、該スイッチング回路
で各サーミスタの組み合わせを変更することにより、信
号処理回路では、各サーミスタの組み合わせの各々の状
態での差分信号に基づき各検知領域での物体の存在を検
出するようにしたことを特徴とする赤外線検出装置。
1. An infrared light receiving element is formed by forming thermistors having the same resistance value at the same temperature on four thin films formed on a semiconductor substrate and thermally insulated from each other. An optical lens is used to focus the infrared rays from the four detection areas on the corresponding thermistors, and the signal processing circuit detects the change in the resistance value of the thermistor to detect the presence of an object in each detection area. In the infrared detection device described above, a bridge circuit is formed by the thermistor, and a differential amplifier that detects a difference in intermediate potential of the bridge circuit is provided, and a switching circuit that can change a combination of the thermistors that form the bridge circuit is provided. However, by changing the combination of the thermistors in the switching circuit, An infrared detection device characterized in that the presence of an object in each detection region is detected based on a difference signal in each state of a combination of thermistors.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010035624A1 (en) * 2008-09-25 2010-04-01 株式会社 東芝 Solid-state imaging element
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