JPH09282716A - Optical information recording medium and optical recording/reproducing method - Google Patents

Optical information recording medium and optical recording/reproducing method

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Publication number
JPH09282716A
JPH09282716A JP8085023A JP8502396A JPH09282716A JP H09282716 A JPH09282716 A JP H09282716A JP 8085023 A JP8085023 A JP 8085023A JP 8502396 A JP8502396 A JP 8502396A JP H09282716 A JPH09282716 A JP H09282716A
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JP
Japan
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recording
recording medium
groove
optical information
layer
Prior art date
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Application number
JP8085023A
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Japanese (ja)
Inventor
Michikazu Horie
通和 堀江
Kenichi Takada
健一 高田
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Mitsubishi Chemical Corp
Original Assignee
Mitsubishi Chemical Corp
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Publication date
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Publication of JPH09282716A publication Critical patent/JPH09282716A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To perform stable beam tracking by forming a recording layer in such a manner that a groove width is larger than a land width and the reflectance of a recording mark part is higher than that before recording in the groove. SOLUTION: A groove 9 having a pitch of 1.0μm or lower and a land 10 narrower than the width of this groove 9 are alternately provided on a substrate. Since beam irregular reflection is large in the shoulder part of the narrow land 10 and the groove part 9 has more flat area, for beams 3, 4 and 5, 0-order diffracted beams from the groove part 9 are more intense than 0-order diffracted beams from the land 10. Thus, tracking is performed by moving all the three beams in the direction of the beam 5 if the 0-order diffracted beam intensity of the beam 3 is smaller than that of the beam 5 or in the direction of the beam 3 if it is larger. Further, a layer is formed such that the reflectance of a recording mark increases after recording, and thus, a tracking servo signal is made stable after recording. Therefore, even when a groove pitch is 1.0μm or lower, tracking is properly performed.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は光学的情報記録媒体
と光記録再生方法に関し、より詳しくは、1.0μm以
下の狭トラックピッチであっても安定に作動する3ビー
ム法トラッキングサーボによる光記録再生方法に適した
光学的情報記録用媒体に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical information recording medium and an optical recording / reproducing method, and more particularly to an optical recording by a three-beam tracking servo which operates stably even at a narrow track pitch of 1.0 μm or less. The present invention relates to an optical information recording medium suitable for a reproducing method.

【0002】[0002]

【従来の技術】現在、市場には、CD(コンパクトディ
スク)と同じ約650メガバイトの記憶容量を有し、通
常のCDドライブで再生可能な記録可能媒体である、C
Dレコーダブルディスク(CD−R)が存在する。CD
−Rは、CDとのトラッキングサーボの互換性を保持す
るために、周期的に蛇行したスパイラル状の溝部に記録
を行う。さらに、サーボおよび再生信号の互換性を取る
ために、CD−Rの溝幅は溝間の幅より狭くなってお
り、かつ、記録前より記録後の反射率が低下するように
設計されている。CD−Rはトラックピッチが1.6μ
mと規定されており、溝幅はおよそ0.5〜0.7μm
とされるのが普通である。
2. Description of the Related Art At present, C is a recordable medium that has a storage capacity of about 650 megabytes, which is the same as a CD (Compact Disc), and can be reproduced by an ordinary CD drive.
There is a D recordable disc (CD-R). CD
In order to maintain the compatibility of the tracking servo with the CD, -R records in a spiral groove portion that periodically meanders. Further, in order to make the servo and the reproduction signal compatible with each other, the groove width of the CD-R is narrower than the width between the grooves, and is designed so that the reflectance after recording is lower than that before recording. . CD-R has a track pitch of 1.6μ
The groove width is approximately 0.5 to 0.7 μm.
It is usually said that.

【0003】近年、光ディスクの高密度化技術の進歩が
著しく、特に再生専用ディスクでは、トラックピッチを
1.0μm以下として、CDサイズで片面3〜5ギガバ
イトの記憶容量を有する動画ファイル用記録媒体が提案
されている(日経エレクトロニクス、2月27日号、p
p.87〜100(1995))。上記CD−Rと同様
に、早晩、この再生専用ディスクと同程度の記憶容量を
有し、互換性を持つ記録可能な媒体が必要となると考え
られ、現在開発が進められている。このような媒体にお
いても、やはりトラッキングの互換性の点から溝記録が
行われると考えられる。
In recent years, progress has been made in the technology for increasing the density of optical discs. Particularly, in the case of read-only discs, there is a recording medium for moving image files having a CD size and a storage capacity of 3 to 5 gigabytes per side. Proposed (Nikkei Electronics, February 27, p.
p. 87-100 (1995)). It is considered that a recordable medium having the same storage capacity as the read-only disc and having compatibility with the CD-R will be needed sooner or later, and the development is currently underway. Even in such a medium, groove recording is considered to be performed from the viewpoint of tracking compatibility.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】記録を行うための溝や
ピット列は、まず、フォトレジスト膜を設けたガラス原
盤に露光、現像を行って形成され、これをスタンパーに
転写し、さらに、射出成形あるいは2P法などにより基
板に転写される。スパイラル上あるいは同心円状の溝の
露光は、上記原盤をターンテーブル上で回転させつつリ
ニアモータで半径位置をずらしながら、Arガスレーザ
ーなどのレーザーを原盤上に集光し、露光することで行
われる。
Grooves and pit rows for recording are formed by first exposing and developing a glass master having a photoresist film, transferring this to a stamper, and then ejecting it. It is transferred to the substrate by molding or the 2P method. The exposure of the spiral or concentric grooves is performed by concentrating a laser such as an Ar gas laser on the master and exposing the master while rotating the master on a turntable and shifting the radial position with a linear motor. .

【0005】近年、高集積度半導体の製造技術の発達に
伴ってフォトレジストの精密加工の分解能は大幅に改善
されたが、現在のところ、Arレーザーなどで形成でき
る溝幅は、0.3〜0.4μm程度が下限である。ま
た、紫外線露光などによって溝幅をより狭くすることは
可能であるが、以下の理由で好ましくない。すなわち、
ドライブで記録再生に用いる半導体レーザーの集束ビー
ム径は1.0μm以下とすることが当面困難であるた
め、溝内に記録されるマークの幅は0.3〜0.5μm
程度が下限である。溝からはみ出てマークを記録するこ
とは、隣接トラックへの信号のもれこみ、すなわち、ク
ロストークを増大させるから好ましくないことが多い。
従ってやはり、溝幅は0.3〜0.4μm以上であるの
が好ましいのである。
In recent years, the resolution of precision processing of photoresist has been greatly improved with the development of manufacturing technology for highly integrated semiconductors, but at present, the groove width that can be formed by Ar laser is 0.3 to 10. The lower limit is about 0.4 μm. Although it is possible to make the groove width narrower by exposure to ultraviolet rays, it is not preferable for the following reasons. That is,
Since it is difficult to keep the focused beam diameter of the semiconductor laser used for recording / reproducing in the drive at 1.0 μm or less for the time being, the width of the mark recorded in the groove is 0.3 to 0.5 μm.
The degree is the lower limit. It is often unfavorable to record marks by protruding from the groove, because leakage of signals to adjacent tracks, that is, crosstalk is increased.
Therefore, again, the groove width is preferably 0.3 to 0.4 μm or more.

【0006】このため現状では、トラックピッチが1.
0μm以下、特に0.6〜0.8μmの狭トラックピッ
チを実現しようとすると、溝幅が溝間の幅より広くなっ
てしまう。トラックピッチ1.0μm以下の狭トラック
ピッチで、上記のように溝幅が溝間幅より広い場合、現
在広く使用されているトラッキング法、すなわちシング
ルビームによるプッシュプル法では誤差信号が十分とれ
ず安定なトラッキングサーボが得にくい。この場合、ト
ラッキング法としてはいわゆる3ビーム法が適してい
る。この3ビーム法自体は公知の回路構成、光ヘッドを
用いて実現できる(例えば、「光ディスク技術」(尾上
守夫監修)、ラジオ技術社(1989))。
Therefore, at present, the track pitch is 1.
When it is attempted to realize a narrow track pitch of 0 μm or less, particularly 0.6 to 0.8 μm, the groove width becomes wider than the width between the grooves. When the track pitch is narrower than 1.0 μm and the groove width is wider than the inter-groove width as described above, the tracking method that is widely used at present, that is, the push-pull method using the single beam, cannot obtain an error signal sufficiently and is stable. Hard to get a good tracking servo. In this case, the so-called three-beam method is suitable as the tracking method. The three-beam method itself can be realized using a known circuit configuration and an optical head (for example, "Optical Disc Technology" (supervised by Morio Onoue), Radio Technology Co. (1989)).

【0007】図を用いて3ビーム法について説明する。
図1は3ビームトラッキングを行うための装置の模式図
であり、図5は、従来の媒体の一例に3ビームトラッキ
ングを適用した場合を示す。図1、図5において、半導
体レーザー1から出射したビームは回折格子2によっ
て、信号記録再生用のメインビーム4、トラッキング誤
差信号を得るためのサブビーム3、5の3本のビームに
分割され、ビームスプリッター6を通して光ディスク7
に照射される。ビーム3、4、5の反射光、すなわち0
次回折光はビームスプリッター6を経て3分割フォトダ
イオード8に至る。
The three-beam method will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic diagram of an apparatus for performing 3-beam tracking, and FIG. 5 shows a case where 3-beam tracking is applied to an example of a conventional medium. In FIGS. 1 and 5, the beam emitted from the semiconductor laser 1 is divided into three beams by a diffraction grating 2 into a main beam 4 for signal recording / reproduction and sub-beams 3 and 5 for obtaining a tracking error signal. Optical disk 7 through splitter 6
Is irradiated. Light reflected from beams 3, 4, and 5, ie 0
The next-order diffracted light passes through the beam splitter 6 and reaches the three-divided photodiode 8.

【0008】図5においては、基板上に溝9と、溝より
幅の広いランド10が交互に設けられ、溝9の中に、記
録マーク11が設けられている。なお、本願において溝
とは基板において凹となっている部分、ランドとは基板
において凸となっている部分である。基板上でメインビ
ームは溝9の中心に、サブビームはその前後に、溝中心
から対称に外れるように配置される。
In FIG. 5, grooves 9 and lands 10 wider than the grooves are alternately provided on the substrate, and recording marks 11 are provided in the grooves 9. In the present application, the groove means a concave portion on the substrate, and the land means a convex portion on the substrate. On the substrate, the main beam is arranged at the center of the groove 9 and the sub-beams are arranged at the front and rear thereof so as to deviate symmetrically from the groove center.

【0009】図5に示すように、溝幅がランド幅より狭
い場合には、サブビーム3、5の0次回折光強度は、ビ
ームが溝内にあるときよりランド上にあるときのほうが
強くなる。従って、例えばトラッキングがビーム3方向
にずれた場合には、P3(ビーム3の0次回折光強度)
>P5(ビーム5の0次回折光強度)となる。従って、
P3>P5ならばビーム5方向に、P3<P5ならばビーム
3方向に、3ビーム全体を平行に移動させることで溝中
心にメインビーム4がくるようにトラッキングサーボが
維持される。
As shown in FIG. 5, when the groove width is narrower than the land width, the 0th-order diffracted light intensity of the sub-beams 3 and 5 is stronger when the beam is on the land than when it is in the groove. Therefore, for example, when tracking is deviated in the beam 3 direction, P3 (0th order diffracted light intensity of beam 3)
> P5 (0th order diffracted light intensity of beam 5). Therefore,
When P3> P5, the tracking servo is maintained so that the main beam 4 comes to the center of the groove by moving the three beams in parallel in the beam 5 direction and in the beam 3 direction if P3 <P5.

【0010】ところが、反射率変化を伴う記録マークが
溝内に存在する場合、特に、ピット長記録などの長いマ
ークが存在する場合、サブビームの回折光強度にも当然
影響を及ぼす。記録マークの反射率が記録前より低下す
る場合には問題ない。しかし、反射率が増加する場合に
は、溝内の平均的な反射率が大きくなり、溝とランドと
の反射率差が小さくなるため好ましくない。すなわちト
ラッキングが溝中心からずれても、サブビームの0次回
折光量の変動が小さくなってしまい、正常なトラッキン
グ動作が得られにくくなるのである。
However, when a recording mark accompanied by a change in reflectance exists in the groove, particularly when a long mark such as a pit length recording exists, the diffracted light intensity of the sub beam is naturally affected. There is no problem when the reflectance of the recording mark is lower than that before recording. However, when the reflectance increases, the average reflectance in the groove increases, and the reflectance difference between the groove and the land decreases, which is not preferable. That is, even if the tracking is deviated from the groove center, the fluctuation of the 0th-order diffracted light amount of the sub beam becomes small, and it becomes difficult to obtain a normal tracking operation.

【0011】このように、トラックピッチ1.6μmの
CD−Rにおいては、溝部は溝間部より狭く、溝部で反
射率が低下し、この前提のもとに、記録後のマーク部で
反射率が低下することが要求されていた。さらに厳密に
は、マークでの反射率変化の値にも一定の制限が必要と
されていた。しかしながら、前述のように狭トラックピ
ッチ化され、溝幅が溝間幅より広くなるような媒体につ
いては、この前提が崩れ、そのままでは3ビーム法を用
いることはできなかった。
As described above, in the CD-R having a track pitch of 1.6 μm, the groove portion is narrower than the inter-groove portion, and the reflectance is lowered in the groove portion. Was required to decrease. More strictly, a certain limit is required for the value of the reflectance change at the mark. However, for a medium having a narrow track pitch and a groove width wider than the inter-groove width as described above, this premise is broken, and the three-beam method cannot be used as it is.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記溝間
記録で高密度CDと互換性を保てる記録媒体および記録
方式について鋭意検討した結果、本発明に到達した。本
発明の要旨は、光ビームをトラッキングするためのスパ
イラル状または同心円状の溝を1.0μm以下のピッチ
で設けた基板上に少なくとも記録層を設けてなる光記録
媒体であって、溝幅を溝間の幅より広くするとともに、
溝内に記録を行った場合に記録マーク部の反射率が記録
前の反射率より高くなる層構成としたことを特徴とする
光学的情報記録用媒体に存する。また、本発明の別の要
旨は、この光学的情報記録用媒体の溝間に記録再生を行
う方法であって、トラッキングサーボを3ビーム法で行
うことを特徴とする光記録再生方法に存する。
The present inventors have arrived at the present invention as a result of extensive studies on a recording medium and a recording system which can maintain compatibility with a high density CD in the inter-groove recording. The gist of the present invention is an optical recording medium in which at least a recording layer is provided on a substrate provided with spiral or concentric circular grooves for tracking a light beam at a pitch of 1.0 μm or less. Wider than the width between the grooves,
The optical information recording medium is characterized by having a layer structure in which the reflectance of the recording mark portion becomes higher than the reflectance before recording when recording is performed in the groove. Another subject matter of the present invention is a method of recording / reproducing between grooves of the optical information recording medium, which is an optical recording / reproducing method characterized by performing a tracking servo by a three-beam method.

【0013】すなわち、溝幅を溝間幅より広くするとと
もに、記録後のマーク部で反射率が高くなる層構成とす
ることにより、現在のフォトレジスト露光技術と現行の
記録用レーザービーム径を使用しつつ、3ビーム法での
トラッキングに適した高密度記録媒体とその記録再生方
法を提供できることを見出したのである。
That is, the present photoresist exposure technique and the present recording laser beam diameter are used by making the groove width wider than the inter-groove width and providing a layer structure in which the reflectance is high at the mark portion after recording. At the same time, they have found that it is possible to provide a high-density recording medium suitable for tracking by the three-beam method and a recording / reproducing method thereof.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下に、図を用いて本発明を詳細
に説明する。図2においては、基板上に溝9と、溝より
幅の狭いランド10が交互に設けられ、溝9の中に、記
録マーク11が設けられている。なお、本願において溝
とは基板において凹となっている部分、ランドとは凸と
なっている部分である。ここで、溝幅をランド幅、すな
わち溝間幅より広くしてここに記録を行う場合、ランド
幅を狭めることで、マークが溝からはみ出すことなく高
密度化が可能であるため、トラックピッチの狭小化がし
やすい。この場合、従来とは逆に、幅の狭いランド部で
は肩部でのビームの乱反射が大きくなり、溝部では平坦
部が多くなるため、ビーム3、4、5に対して、溝部か
らの0次回折光はランド部からの0次回折光より強くな
る。従って、溝幅が狭い場合とは逆に、P3(ビーム3
の0次回折光強度)<P5(ビーム5の0次回折光強
度)ならばビーム5方向に、P3>P5ならばビーム3方
向に3ビーム全体を移動させることで、トラッキングを
行う。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in detail with reference to the drawings. In FIG. 2, grooves 9 and lands 10 having a width narrower than the grooves are alternately provided on the substrate, and recording marks 11 are provided in the grooves 9. In the present application, the groove means a concave portion on the substrate, and the land means a convex portion. Here, when recording is performed by making the groove width wider than the land width, that is, the inter-groove width, by narrowing the land width, it is possible to increase the density without the marks protruding from the groove. Easy to narrow. In this case, contrary to the conventional case, the diffuse reflection of the beam on the shoulder portion becomes large in the narrow land portion, and the flat portion becomes large in the groove portion, so that the beam 3, 4 and 5 are not reflected from the groove portion at the next time. The folding light is stronger than the 0th-order diffracted light from the land portion. Therefore, contrary to the case where the groove width is narrow, P3 (beam 3
(0th-order diffracted light intensity) <P5 (0th-order diffracted light intensity of beam 5) is moved in the beam 5 direction, and if P3> P5, 3 beams are moved in the beam 3 direction to perform tracking.

【0015】さらに、記録マークの反射率が記録後に増
加するような層構成とすることにより、記録後のトラッ
キングサーボ信号がより安定となる。逆に、反射率が記
録後に低下するような層構成の場合には、溝部の平均的
な反射率が下がるため、ランド部との反射率差が小さく
なり、トラッキングが行いにくくなる。このような構成
とすることにより、溝ピッチが1.0μm以下の場合で
も、トラッキングが好適に行える。
Furthermore, the tracking servo signal after recording becomes more stable by adopting a layer structure in which the reflectance of the recording mark increases after recording. On the other hand, in the case of a layer structure in which the reflectance decreases after recording, the average reflectance of the groove portion decreases, so the reflectance difference with the land portion becomes small, and tracking becomes difficult. With such a configuration, tracking can be suitably performed even when the groove pitch is 1.0 μm or less.

【0016】本媒体は、現行媒体とは逆のトラッキング
極性を持つことになるが、トラッキング誤差信号の極性
を切り替える反転回路などを付加することにより、現行
媒体と本発明に関わる媒体とを同一装置で記録再生する
ことができる。本発明の記録媒体は、追記型媒体であっ
てもよいが、書換可能型媒体、さらにはいわゆる光変調
オーバーライト可能な媒体であってもよい。本発明の好
ましい一例は、上述の記録層が非晶質・結晶状態間の相
転移に伴う反射率変化を検出する相変化型の記録媒体で
あって、結晶状態を初期状態として非晶質マークを形成
して情報の記録を行うものである。
This medium has a tracking polarity opposite to that of the current medium, but by adding an inverting circuit for switching the polarity of the tracking error signal, the current medium and the medium relating to the present invention are in the same device. You can record and play with. The recording medium of the present invention may be a write-once medium, but may be a rewritable medium or a so-called light modulation overwritable medium. A preferred example of the present invention is a phase change type recording medium in which the above-mentioned recording layer detects a change in reflectance due to a phase transition between an amorphous state and a crystalline state. Is formed to record information.

【0017】オーバーライト可能な相変化媒体の記録層
としては、種々のカルコゲン系合金があげられるが、な
かでもSbおよびTeを主成分とする合金が好ましい。
なお、本願において主成分とは、全原子中に占める特定
原子の割合が50原子%以上であることを言う。ここで
はSbとTeの合計量が50原子%以上である。特に、
1-xx(0≦x≦0.9){AはSb2Te3金属間化
合物組成もしくはSb 0.7Te0.3共晶組成近傍(Sbと
Teの総量に対するSbの量にして+30原子%までの
ずれを含む)、MはII族からVI族までの元素}で表
される合金を主成分とする記録層が、繰返しオーバーラ
イトによる劣化も少なく、信頼性が高く好ましい。例え
ば、Ge、Sb、Teの3元素を主成分とする合金薄膜
や、Ag、In、Sb、Teの4元素を主成分とする合
金などが知られている。より具体的には、GeTeとS
2Te3の擬似2元合金近傍の組成、あるいはAgIn
Te2にSbを添加した組成近傍が知られている(特開
昭62−209742号、特開昭63−225934
号、特開平5−151619号、特開平5−34547
8号)。
Recording layer of overwritable phase change medium
Examples include various chalcogen-based alloys.
Of these, alloys containing Sb and Te as the main components are preferable.
In addition, in the present application, the main component is a specific atom in all atoms.
It means that the atomic ratio is 50 atomic% or more. here
Has a total amount of Sb and Te of 50 atomic% or more. Especially,
A1-xMx(0 ≦ x ≦ 0.9) {A is SbTwoTeThreeIntermetallic
Compound composition or Sb 0.7Te0.3Near the eutectic composition (with Sb
Up to +30 atom% of Sb relative to the total amount of Te
Gap, and M is an element from group II to group VI}
The recording layer whose main component is the alloy
It is preferable because of its high reliability and less deterioration due to heat. example
For example, an alloy thin film containing Ge, Sb, and Te as main components
Or, if the main component is four elements of Ag, In, Sb, and Te.
Money is known. More specifically, GeTe and S
bTwoTeThreeNear the pseudo-binary alloy, or AgIn
TeTwoIt is known in the vicinity of the composition in which Sb is added to
JP-A-62-209742, JP-A-63-225934.
JP-A-5-151619 and JP-A-5-34547.
No. 8).

【0018】上記記録層を用いた相変化媒体において
は、以下のようにしてオーバーライト記録が可能であ
る。以前に記録された記録マークを消去するために記録
層を結晶化温度以上に加熱するバイアスパワーを有する
ビームを照射しておき、新たに非晶質記録マークを形成
したい部分でのみ、記録層を溶融させるための記録パワ
ーを重畳する。溶融された記録層が冷却される時に、過
冷却状態となれば非晶質マークが形成される。
In the phase change medium using the above recording layer, overwrite recording is possible as follows. In order to erase the previously recorded recording mark, a beam having a bias power for heating the recording layer to a crystallization temperature or higher is irradiated, and the recording layer is formed only in a portion where a new amorphous recording mark is to be formed. The recording power for melting is superimposed. When the melted recording layer is cooled, an amorphous mark is formed if it is in a supercooled state.

【0019】繰返しオーバーライトによる記録層などの
変形、穴あき、基板へのダメージを防ぐために、上記オ
ーバーライト可能な相変化媒体は多層構成をとるのが望
ましい。すなわち、基板上に無機化合物からなる保護
層、相変化型記録層、無機化合物からなる保護層、金属
または半導体からなる反射層を設けてなる。さらに、反
射層の上に、光硬化性または熱硬化性の樹脂からなる保
護層を設けることも、記録層などの変形を抑制したり、
媒体の耐擦傷性を改善する上で有効である。本願におい
ては、これらを含めて記録層構成と呼ぶ。
In order to prevent deformation of the recording layer and the like due to repeated overwriting, perforation, and damage to the substrate, it is desirable that the overwritable phase change medium has a multi-layered structure. That is, a protective layer made of an inorganic compound, a phase change recording layer, a protective layer made of an inorganic compound, and a reflective layer made of a metal or a semiconductor are provided on a substrate. Furthermore, by providing a protective layer made of a photocurable or thermosetting resin on the reflective layer, it is possible to suppress deformation of the recording layer or the like,
It is effective in improving the scratch resistance of the medium. In the present application, these are collectively referred to as a recording layer configuration.

【0020】これら保護層は記録再生光波長に対して実
質的に透明であることが望ましく、保護層の光吸収も、
入射光エネルギーの10%未満に押さえることが望まし
い。また、保護層は、記録層の融点より十分高い融点ま
たは分解温度を有するものが望ましい。上記のGeSb
Te系あるいはAgInSbTe系記録層に対しては、
保護層はおよそ1000℃までは安定であることが必要
でる。高耐熱性の誘電体である、無機化合物、例えば金
属または半導体の酸化物、窒化物、炭化物、弗化物、硫
化物等公知の材料を用いることができる。より具体的に
は、酸化タンタル、酸化シリコン、酸化イットリウム、
窒化シリコン、窒化アルミニウム、硫化亜鉛、弗化マグ
ネシウム等があげられる。これらの誘電体は単独でも混
合して用いることもできる。特に、硫化亜鉛に10〜4
0mol%の酸化シリコン、酸化イットリウム等を混合
した保護層は、繰返しオーバーライトに対する耐久性に
優れることが知られている(特公平4−74785号、
特開昭63−259855号)。反射層にはAu、A
g、Alなど高反射率金属あるいはその合金を用いるの
が好ましいが、熱伝導率や光吸収率の調整のために、他
の金属や半導体を用いてもよい。
It is desirable that these protective layers are substantially transparent to the recording / reproducing light wavelength, and the light absorption of the protective layer is
It is desirable to suppress the incident light energy to less than 10%. The protective layer preferably has a melting point or a decomposition temperature sufficiently higher than the melting point of the recording layer. GeSb above
For Te-based or AgInSbTe-based recording layers,
The protective layer needs to be stable up to about 1000 ° C. A known material such as an inorganic compound, which is a highly heat-resistant dielectric, such as a metal or semiconductor oxide, nitride, carbide, fluoride, or sulfide can be used. More specifically, tantalum oxide, silicon oxide, yttrium oxide,
Examples thereof include silicon nitride, aluminum nitride, zinc sulfide, magnesium fluoride and the like. These dielectrics may be used alone or as a mixture. In particular, 10 to 4 for zinc sulfide
It is known that a protective layer in which 0 mol% of silicon oxide, yttrium oxide or the like is mixed has excellent durability against repeated overwriting (Japanese Patent Publication No. 4-74785).
JP-A-63-259855). Au, A for the reflective layer
It is preferable to use a high-reflectance metal such as g or Al or an alloy thereof, but other metals or semiconductors may be used for adjusting the thermal conductivity and the light absorption rate.

【0021】上記記録層構成は、非晶質の記録マークの
反射率を結晶状態より高くするためにも利用できる。こ
れは、保護層、反射層を含めた多重干渉効果による。例
えば、上記GeSbTe系からなる記録層では、記録層
上下の保護層は、非晶質の反射率を高めるために不可欠
である。
The above-mentioned recording layer structure can also be used to make the reflectance of an amorphous recording mark higher than that of the crystalline state. This is due to the multiple interference effect including the protective layer and the reflective layer. For example, in the GeSbTe-based recording layer, the protective layers above and below the recording layer are indispensable for increasing the amorphous reflectance.

【0022】以下に、反射率および吸収率の計算例をも
って、本発明において好ましい層構成について説明する
が、本発明はその要旨を越えない限り、以下の例に限定
されるものではない。屈折率1.58のポリカーボネー
ト基板上に下部保護層、記録層、上部保護層、反射層を
この順に積層した。記録層として厚さ20nmのGe 2
Sb2Te5膜、反射層として厚さ100nmのAl合金
膜を用いた。ここで、Ge2Sb2Te5記録層の複素屈
折率は非晶質状態で3.90−1.82i、結晶状態で
3.73−3.81i、Al合金反射層の複素屈折率は
1.77−5.48iである。上部および下部保護層と
しては屈折率2.1程度のもの、具体的には、ZnSに
20mol%のSiO2を混合したものや、酸化タンタ
ルを用いた。
Below, examples of calculation of reflectance and absorptance are also given.
Now, a preferred layer structure in the present invention will be described.
However, the present invention is limited to the following examples as long as the gist thereof is not exceeded.
It is not something to be done. Polycarbonate with a refractive index of 1.58
Lower protective layer, recording layer, upper protective layer, reflective layer on the substrate
The layers were laminated in this order. 20 nm thick Ge as a recording layer Two
SbTwoTeFiveAl alloy with a thickness of 100 nm for the film and reflective layer
A membrane was used. Where GeTwoSbTwoTeFiveComplex curvature of recording layer
The folding rate is 3.90-1.82i in the amorphous state, and in the crystalline state
3.73-3.81i, the complex refractive index of the Al alloy reflective layer is
1.77-5.48i. With upper and lower protective layers
With a refractive index of about 2.1, specifically ZnS
20 mol% SiOTwoMixed with tantalum oxide
Was used.

【0023】ここで、計算に用いた複素屈折率などの光
学定数は波長680nmにおける実測値であり、計算値
と実測値の一致は良好である。この場合の、波長680
nmでの反射率の保護層膜厚依存性の計算結果を図3に
示した。下部保護層膜厚を横軸に、反射率を縦軸にと
り、上部保護層膜厚xを変化させたものである。結晶状
態および非晶質状態での反射率をそれぞれRc、Raで
示した。上部保護層膜厚80nmでは下部保護層膜厚0
〜90nmおよび150〜250nmにおいて、また、
上部保護層膜厚100〜120nmの範囲では下部保護
層の全膜厚において、非晶質マークの反射率が記録前の
結晶状態より高くでき、好ましいことがわかる。
Here, the optical constants such as the complex index of refraction used in the calculation are measured values at a wavelength of 680 nm, and the calculated values and the measured values are in good agreement. In this case, the wavelength 680
The calculation result of the protective layer thickness dependence of the reflectance in nm is shown in FIG. The lower protective layer thickness is plotted on the horizontal axis and the reflectance is plotted on the vertical axis, and the upper protective layer thickness x is changed. The reflectances in the crystalline state and the amorphous state are shown by Rc and Ra, respectively. When the thickness of the upper protective layer is 80 nm, the thickness of the lower protective layer is 0.
At ~ 90 nm and 150-250 nm,
It can be seen that in the range of the upper protective layer thickness of 100 to 120 nm, the reflectance of the amorphous mark can be higher than the crystalline state before recording in the total thickness of the lower protective layer, which is preferable.

【0024】これらの膜厚依存性は、波長600〜70
0nmの範囲においてほぼそのまま成立すると考えてよ
い。なぜならば、光学定数は波長600〜700nmの
範囲においてはほとんど変化がなく、680nmでの実
測値がそのまま適用可能であるし、また、(1/波長)
に比例する実質上の光学膜厚は波長600〜700nm
の範囲では大きく変化しないからである。
These film thickness dependences are due to wavelengths of 600 to 70.
It may be considered that the above condition is satisfied almost as it is in the range of 0 nm. This is because the optical constant hardly changes in the wavelength range of 600 to 700 nm, and the measured value at 680 nm can be applied as it is, and (1 / wavelength)
Is substantially proportional to the wavelength of 600 to 700 nm
This is because there is no great change in the range of.

【0025】なお、保護層膜厚については、波長相当
分、すなわち、保護層の屈折率nに対して(波長/2
n)の膜厚差は、光学的には全く同等の効果を有する。
また、記録層の結晶・非晶質状態での光吸収率の比の保
護層膜厚依存性の計算結果を図4に示した。下部保護層
膜厚を横軸に、光吸収率比Ac/Aaを縦軸にとり、上
部保護層膜厚xを変化させたものである。Ac、Aaは
それぞれ、結晶状態および非晶質状態での記録層の光吸
収率を入射光強度を1.0として表した値である。図3
においてRaがRcより小さい層構成においては、図4
でAc/Aaがほぼ1.0であるが、図3でRaがRc
より大きい層構成においては、図4でAc/Aa>1.
0となっている。
The thickness of the protective layer is equivalent to the wavelength, that is, (wavelength / 2 with respect to the refractive index n of the protective layer.
The film thickness difference of n) has an optically equivalent effect.
FIG. 4 shows the calculation result of the protective layer thickness dependency of the ratio of the light absorptance of the recording layer in the crystalline / amorphous state. The lower protective layer film thickness is plotted on the horizontal axis and the light absorption ratio Ac / Aa is plotted on the vertical axis, and the upper protective layer film thickness x is changed. Ac and Aa are values in which the light absorptance of the recording layer in the crystalline state and the amorphous state is represented with the incident light intensity of 1.0. FIG.
In the layer structure in which Ra is smaller than Rc in FIG.
Ac / Aa is approximately 1.0, but Ra is Rc in FIG.
In the larger layer structure, Ac / Aa> 1.
It is 0.

【0026】一般に、Ac/Aa>1.0を満たす相変
化型記録媒体は、数m/秒以上の高線速で1ビームオー
バーライトを行う場合に顕著な利点を有することが知ら
れている(S.Ohkubo等、Jpn.J.App
l.Phys.,32(1993)、p.5230、あ
るいは、北浦ら、第6回相変化記録研究会予稿集、p.
59)。従って、非晶質状態の反射率が結晶状態の反射
率より高くなる場合においては、ほぼ常にAc/Aa>
1.0であるから、高線速における記録特性を改善する
という付加的な効果も得られ、より好ましいことが分か
る。
It is generally known that the phase change type recording medium satisfying Ac / Aa> 1.0 has a remarkable advantage when one-beam overwrite is performed at a high linear velocity of several m / sec or more. (S. Ohkubo et al., Jpn. J. App.
l. Phys. 32 (1993), p. 5230, or Kitaura et al., Proceedings of the 6th Phase Change Record Study Group, p.
59). Therefore, when the reflectance in the amorphous state is higher than the reflectance in the crystalline state, Ac / Aa> almost always>
Since it is 1.0, the additional effect of improving the recording characteristics at high linear velocity can be obtained, which is more preferable.

【0027】また、図4において上部保護層膜厚が10
0〜120nmの範囲では、広範な下部保護層膜厚にわ
たってAc/Aa>1.3となっていることがわかる。
Ac/Aa>1.3を満たす媒体の場合には、特に高線
速での消去比の改善効果が顕著であることも知られてお
り(竹口ら、第6回相変化記録研究会、p.64)、特
に好ましい。
Further, in FIG. 4, the film thickness of the upper protective layer is 10
It can be seen that in the range of 0 to 120 nm, Ac / Aa> 1.3 over a wide range of the lower protective layer film thickness.
It is also known that in the case of a medium satisfying Ac / Aa> 1.3, the effect of improving the erasing ratio at a high linear velocity is particularly remarkable (Takeguchi et al., 6th Phase Change Recording Workshop, p. .64), particularly preferred.

【0028】本発明の他の好ましい一例は、記録層が非
晶質・結晶状態間の相転移に伴う反射率変化を検出する
相変化型の記録媒体であって、非晶質状態を初期状態と
して結晶マークを形成して情報の記録を行うものであ
る。例えば追記型媒体としては、このタイプのものが単
層で記録マークの反射率が高くなる構成が得やすく、ま
た成膜後の初期化操作を必要としないので好ましい。
Another preferable example of the present invention is a phase change type recording medium in which the recording layer detects a change in reflectance due to a phase transition between an amorphous state and a crystalline state. As described above, a crystal mark is formed to record information. For example, as a write-once medium, this type is preferable because it is easy to obtain a structure in which the reflectance of a recording mark is high in a single layer and an initialization operation after film formation is not required.

【0029】これに使用できる記録層としては例えば、
Sb、Snの2種の元素を主成分とする系にGe、I
n、Zn、Al、Ag、Pd、Au、Si、Bi等の第
3元素の少なくとも1種を添加した合金薄膜などの公知
のものが挙げられる(米国特許第4795695号、4
798785号、4812385号、4981722号
など)。第3元素の添加量としては、5〜20原子%程
度が望ましい。とりわけSbSnInの3元を主成分と
する記録媒体は非晶質状態が安定で、かつ、光ビーム照
射で高速に結晶化されるため、高感度かつ高信頼性のデ
ィスクとして好ましい(米国特許第4960680
号)。
The recording layer that can be used for this is, for example,
Ge and I are added to a system containing two elements of Sb and Sn as main components.
Known thin films such as alloy thin films to which at least one kind of a third element such as n, Zn, Al, Ag, Pd, Au, Si, and Bi is added are known (US Pat. No. 4,795,695, 4).
798785, 4812385, 4981722). The amount of the third element added is preferably about 5 to 20 atom%. In particular, a recording medium containing SbSnIn as a main component has a stable amorphous state and is crystallized at a high speed by irradiation with a light beam, and is therefore preferable as a highly sensitive and highly reliable disc (US Pat. No. 4,960,680).
issue).

【0030】[0030]

【実施例】以下に実施例により本発明をさらに具体的に
説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。トラックピッチ0.
75μmとし、溝幅0.5μm、ランド幅0.25μ
m、溝深さ50nmとしたスパイラル状溝を設けた板厚
0.6mmの基板上に、(ZnS)80(SiO2
20(mol%)混合膜からなる保護層を110nm、I
1 0Sb65Sn25からなる記録層を20nm、酸化タン
タルからなる保護層を20nm、Al97.5Ta2.5合金
からなる反射層を100nm設けた媒体を作製した。こ
の媒体は非晶質媒体に対して結晶化記録を行う、ライト
ワンス型媒体である。また、上記溝形状は、AFM観察
を行い、溝深さの中間点での溝幅およびランド幅を導出
したものである。
The present invention will be described in more detail with reference to the following examples, but the present invention is not limited to the following examples as long as the gist thereof is not exceeded. Track pitch 0.
75 μm, groove width 0.5 μm, land width 0.25 μm
m, the depth of the groove is 50 nm, and the (ZnS) 80 (SiO 2 ) 80
A protective layer composed of a 20 (mol%) mixed film is formed at 110 nm, I
20nm recording layer composed of n 1 0 Sb 65 Sn 25, 20nm protective layer of tantalum oxide, to prepare a medium having 100nm a reflective layer of Al 97.5 Ta 2.5 alloy. This medium is a write-once type medium for performing crystallization recording on an amorphous medium. The groove shape is obtained by performing AFM observation and deriving the groove width and the land width at the midpoint of the groove depth.

【0031】この媒体に対して、波長635nmにおけ
る3ビームトラッキングサーボ特性評価を行った。ただ
し、波長635nmの記録再生装置では記録に用いる高
パワーが現状では得られないため、記録は波長680n
mの記録再生装置を用いて行った。まず、波長680n
m、NA0.6のプッシュプル方式トラッキングサーボ
を行う記録再生装置を用いて線速3m/sにて結晶化記
録を行った。記録パワー5mW、再生パワーおよびトラ
ッキング用バイアスパワーを0.8mWとした。記録方
式は最短マーク長が0.6μmとなるEFM変調記録で
ある。その結果、記録前の非晶質状態での反射率は20
%であったが、結晶化記録により45%に上昇した。
Three-beam tracking servo characteristic evaluation at a wavelength of 635 nm was performed on this medium. However, since a recording / reproducing apparatus with a wavelength of 635 nm cannot currently obtain high power used for recording, recording with a wavelength of 680 n is required.
m recording / reproducing apparatus. First, wavelength 680n
Crystallization recording was performed at a linear velocity of 3 m / s by using a recording / reproducing device that performs push-pull type tracking servo with NA of 0.6 m. The recording power was 5 mW and the reproducing power and the bias power for tracking were 0.8 mW. The recording method is EFM modulation recording in which the shortest mark length is 0.6 μm. As a result, the reflectance in the amorphous state before recording is 20.
%, But it increased to 45% due to crystallization recording.

【0032】次に、この媒体を、波長635nm、NA
0.6の3ビームトラッキングサーボを行う記録再生装
置を用いて再生パワー1mWのビームで再生したとこ
ろ、安定なトラッキングサーボが得られた。なお、63
5nmドライブにおける記録前反射率は15%、記録後
反射率は40%であった。
Next, this medium was changed to a wavelength of 635 nm and NA.
When a recording / reproducing apparatus for performing a 3-beam tracking servo of 0.6 was used to reproduce with a beam having a reproduction power of 1 mW, stable tracking servo was obtained. 63
The reflectance before recording in the 5 nm drive was 15%, and the reflectance after recording was 40%.

【0033】[0033]

【発明の効果】本発明の光学的情報記録用媒体は、狭ト
ラックピッチであっても溝加工が容易であり、かつ、従
来3ビーム法トラッキングサーボを適用しにくかった、
記録後に反射率が増加するような層構成の記録媒体に対
しても、安定的に3ビームトラッキングを行うことがで
き、記録前後にかかわらず安定なトラッキングサーボが
得られる。
The optical information recording medium of the present invention can be easily grooved even at a narrow track pitch, and it has been difficult to apply the conventional three-beam method tracking servo.
Three-beam tracking can be stably performed even on a recording medium having a layer structure in which the reflectance increases after recording, and stable tracking servo can be obtained before and after recording.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の方法に用いる装置の一例の概略説明図FIG. 1 is a schematic explanatory view of an example of an apparatus used in the method of the present invention.

【図2】本発明の媒体の一例の概略説明図FIG. 2 is a schematic explanatory view of an example of a medium of the present invention.

【図3】反射率と保護層膜厚との関係の一例を示すグラ
FIG. 3 is a graph showing an example of the relationship between reflectance and protective layer film thickness.

【図4】光吸収率と保護層膜厚との関係の一例を示すグ
ラフ
FIG. 4 is a graph showing an example of the relationship between the light absorption rate and the protective layer film thickness.

【図5】従来の媒体の一例の概略説明図FIG. 5 is a schematic explanatory view of an example of a conventional medium.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体レーザー 2 回折格子 3 サブビーム 4 メインビーム 5 サブビーム 6 ビームスプリッター 7 光ディスク 8 3分割フォトダイオード 9 溝 10 ランド 11 記録マーク 1 semiconductor laser 2 diffraction grating 3 sub-beam 4 main beam 5 sub-beam 6 beam splitter 7 optical disk 8 3-division photodiode 9 groove 10 land 11 recording mark

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 光ビームをトラッキングするためのスパ
イラル状または同心円状の溝を1.0μm以下のピッチ
で設けた基板上に少なくとも記録層を設けてなる光記録
媒体であって、溝幅を溝間の幅より広くし、溝内におい
ては記録マーク部の反射率が記録前の反射率より高くな
る記録層構成としたことを特徴とする光学的情報記録用
媒体。
1. An optical recording medium in which at least a recording layer is provided on a substrate provided with spiral or concentric circular grooves for tracking a light beam at a pitch of 1.0 μm or less, and the groove width is a groove. The optical information recording medium is characterized in that the recording layer has a width larger than the gap and the reflectance of the recording mark portion in the groove is higher than that before recording.
【請求項2】 記録層が、非晶質・結晶状態間の相転移
に伴う反射率変化を検出する相変化型の記録媒体であ
り、結晶状態を初期状態として、非晶質記録マークを形
成して情報の記録を行うことを特徴とする請求項1記載
の光学的情報記録用媒体。
2. A recording layer is a phase change type recording medium for detecting a change in reflectance due to a phase transition between an amorphous state and a crystalline state, and an amorphous recording mark is formed with the crystalline state as an initial state. The optical information recording medium according to claim 1, wherein the information is recorded by performing the recording.
【請求項3】 記録層がSbおよびTeを主成分とする
合金であることを特徴とする請求項2記載の光学的情報
記録用媒体。
3. The optical information recording medium according to claim 2, wherein the recording layer is an alloy containing Sb and Te as main components.
【請求項4】 記録層が、A1-xx(0≦x≦0.9)
{AはSb2Te3金属間化合物組成もしくはSb0.7
0.3共晶組成近傍(SbとTeの総量に対するSbの
量にして+30原子%までのずれを含む)、MはII族
からVI族までの元素}で表される合金を主成分とする
ことを特徴とする請求項3記載の光学的情報記録用媒
体。
4. The recording layer is A 1-x M x (0 ≦ x ≦ 0.9)
{A is the composition of Sb 2 Te 3 intermetallic compound or Sb 0.7 T
e 0.3 Near a eutectic composition (including a deviation of up to +30 atomic% in the amount of Sb with respect to the total amount of Sb and Te), and M is an alloy represented by Group II to Group VI} The optical information recording medium according to claim 3, wherein
【請求項5】 基板上に、無機化合物からなる保護層、
相変化型記録層、無機化合物からなる保護層、金属もし
くは半導体またはこれらの合金からなる反射層を設けて
なることを特徴とする請求項2ないし4のいずれかに記
載の光学的情報記録用媒体。
5. A protective layer made of an inorganic compound on a substrate,
5. The optical information recording medium according to claim 2, further comprising a phase-change recording layer, a protective layer made of an inorganic compound, and a reflective layer made of a metal or a semiconductor or an alloy thereof. .
【請求項6】 結晶状態での光吸収率Acが非晶質状態
での光吸収率Aaより大きいことを特徴とする請求項5
記載の光学的情報記録用媒体。
6. The light absorption rate Ac in the crystalline state is higher than the light absorption rate Aa in the amorphous state.
The optical information recording medium according to the above.
【請求項7】 Ac/Aa>1.3であることを特徴と
する請求項6記載の光学的情報記録用媒体。
7. The optical information recording medium according to claim 6, wherein Ac / Aa> 1.3.
【請求項8】 記録層が、非晶質・結晶状態間の相転移
に伴う反射率変化を検出する相変化型の記録媒体であ
り、非晶質状態を初期状態として、結晶記録マークを形
成して情報の記録を行うことを特徴とする請求項1記載
の光学的情報記録用媒体。
8. A recording layer is a phase change type recording medium that detects a change in reflectance due to a phase transition between an amorphous state and a crystalline state, and a crystalline recording mark is formed with the amorphous state as an initial state. The optical information recording medium according to claim 1, wherein the information is recorded by performing the recording.
【請求項9】 記録層がSbおよびSnを主成分とする
合金薄膜であることを特徴とする特許請求の範囲第8項
記載の光学的情報記録用媒体。
9. The optical information recording medium according to claim 8, wherein the recording layer is an alloy thin film containing Sb and Sn as main components.
【請求項10】 請求項1に記載の光学的情報記録用媒
体に記録再生を行う方法であって、トラッキングサーボ
を3ビーム法で行うことを特徴とする光記録再生方法。
10. A method for recording / reproducing on / from the optical information recording medium according to claim 1, wherein the tracking servo is performed by a three-beam method.
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