JPH0927583A - Semiconductor integrated circuit device and its manufacture - Google Patents

Semiconductor integrated circuit device and its manufacture

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JPH0927583A
JPH0927583A JP7175684A JP17568495A JPH0927583A JP H0927583 A JPH0927583 A JP H0927583A JP 7175684 A JP7175684 A JP 7175684A JP 17568495 A JP17568495 A JP 17568495A JP H0927583 A JPH0927583 A JP H0927583A
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JP
Japan
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integrated circuit
circuit device
semiconductor integrated
resin
insulating substrate
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Application number
JP7175684A
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Japanese (ja)
Inventor
Atsushi Fujisawa
敦 藤沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd
Hitachi Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor integrated circuit device which enhances a sealing property, standardizes a lead frame and lowers costs and to provide its manufacturing method. SOLUTION: A semiconductor integrated circuit device is composed of a printed-circuit board 2 which comprises wiring parts 2a on which terminal parts 2e are formed so as to be arranged at outer circumferential parts 2a on at least one face out of the surface 2b or the rear 2c, of a semiconductor chip 1 which is mounted on the printed-circuit board 2 so as to leave the terminal parts 2e, of a resin member 3 which resin-seals its peripheral part 1a and of outer leads 4a whose surface is plated in advance and which are connected to the terminal parts 2e. The semiconductor chip 1 is resin-sealed on the printed- circuit board 2, and the outer leads 4a are then connected to the printed-circuit board 2.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置お
よびその製造技術に関し、特に、樹脂によって封止を行
う半導体集積回路装置およびその製造方法に関するもの
である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device and a manufacturing technique thereof, and more particularly to a semiconductor integrated circuit device sealed with resin and a manufacturing method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】以下に説明する技術は、本発明を研究、
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。
2. Description of the Related Art The technology described below studies the present invention,
The present invention was studied by the present inventors upon completion, and its outline is as follows.

【0003】電子機器やコンピュータなどでは、その小
形化、軽量化あるいは高性能化に伴い、半導体集積回路
装置の高速化や高集積化が求められている。
In electronic equipment, computers, and the like, there is a demand for higher speed and higher integration of semiconductor integrated circuit devices as they become smaller, lighter, and more sophisticated.

【0004】前記要求に対応する半導体集積回路装置の
一例として、QFP(Quad Flat Package) と称される樹
脂封止型の半導体集積回路装置が知られている。このQ
FPは、リードフレームがガルウィング形状を成してい
る。
As an example of a semiconductor integrated circuit device that meets the above requirements, a resin-sealed semiconductor integrated circuit device called QFP (Quad Flat Package) is known. This Q
In the FP, the lead frame has a gull wing shape.

【0005】ここで、前記半導体集積回路装置の主な製
造方法について説明すると、まず、半導体素子をリード
フレームに搭載し、その後、樹脂封止を行い、さらに、
リードフレームのアウタリードを外装めっきし、最後に
アウタリードの切断成形を行う。
Here, the main manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device will be described. First, a semiconductor element is mounted on a lead frame, then resin sealing is performed, and then,
The outer leads of the lead frame are externally plated, and finally the outer leads are cut and formed.

【0006】なお、QFPについては、例えば、199
3年5月31日、日経BP社発行、香山晋、成瀬邦彦
(監)「実践講座VLSIパッケージング技術(上)」
82〜84頁に記載されている。
Regarding QFP, for example, 199
May 31, 2013, published by Nikkei BP, Shin Kayama, Kunihiko Naruse (Director) "Practical course VLSI packaging technology (above)"
82-84.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】ところが、前記した技
術においては、半導体素子の大きさやワイヤボンディン
グ技術、あるいは樹脂封止技術に制限があるため、リー
ドフレームの品種の数が増加するという問題があり、そ
の結果、リードフレームの価格向上につながることが問
題とされる。
However, in the above-mentioned technique, there is a problem that the number of types of lead frames increases because the size of the semiconductor element, the wire bonding technique, or the resin sealing technique is limited. As a result, there is a problem that the price of the lead frame is improved.

【0008】そこで、本発明の目的は、封止性を向上さ
せ、リードフレームの標準化とコスト低減を図る半導体
集積回路装置およびその製造方法を提供することにあ
る。
Therefore, an object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit device which improves the sealing property, standardizes the lead frame and reduces the cost, and a manufacturing method thereof.

【0009】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
SUMMARY OF THE INVENTION Among the inventions disclosed in the present application, the outline of a representative one will be briefly described.
It is as follows.

【0011】すなわち、本発明による半導体集積回路装
置は、配線部を有しかつ表裏面の少なくともどちらか一
方の面の外周部に配置する端子部が設けられた絶縁基板
と、前記端子部を残して前記絶縁基板に搭載された半導
体素子およびその周辺部を封止する封止部材と、予め表
面がめっきされかつ前記端子部に接続される外部リード
とを有し、前記絶縁基板上で前記半導体素子の封止を行
った後、前記絶縁基板に前記外部リードが接続されるも
のである。
That is, the semiconductor integrated circuit device according to the present invention has an insulating substrate having a wiring portion and provided with a terminal portion arranged on the outer peripheral portion of at least one of the front and back surfaces, and the terminal portion remaining. A semiconductor element mounted on the insulating substrate and a peripheral member for sealing the semiconductor element, and an external lead having a surface plated in advance and connected to the terminal portion, and the semiconductor on the insulating substrate. After sealing the element, the external lead is connected to the insulating substrate.

【0012】また、本発明による半導体集積回路装置
は、配線部を有しかつ表裏面の少なくともどちらか一方
の面の外周部に配置する端子部が設けられた絶縁基板
と、前記端子部を残して前記絶縁基板に搭載された半導
体素子およびその周辺部を樹脂封止する樹脂部材と、予
め表面がめっきされかつ前記端子部に接続される外部リ
ードとを有し、前記絶縁基板上で前記半導体素子の樹脂
封止を行った後、前記絶縁基板に前記外部リードが接続
されるものである。
Further, the semiconductor integrated circuit device according to the present invention has an insulating substrate having a wiring portion and provided with a terminal portion arranged on the outer peripheral portion of at least one of the front and back surfaces, and the terminal portion remaining. A semiconductor element mounted on the insulating substrate and a resin member for sealing the peripheral portion thereof with a resin, and an external lead having a surface plated in advance and connected to the terminal portion, and the semiconductor on the insulating substrate. After the element is sealed with resin, the external leads are connected to the insulating substrate.

【0013】さらに、本発明による半導体集積回路装置
は、前記絶縁基板がその封止箇所に少なくとも1つの貫
通孔を有し、多連のフレーム状に形成されているもので
ある。
Further, in the semiconductor integrated circuit device according to the present invention, the insulating substrate has at least one through hole at a sealing portion thereof and is formed in a multiple frame shape.

【0014】なお、本発明による半導体集積回路装置の
外部リードは、はんだなどの導電材料によってその表面
が予めめっきされたリードフレームである。
The external leads of the semiconductor integrated circuit device according to the present invention are lead frames whose surfaces are preliminarily plated with a conductive material such as solder.

【0015】また、本発明による半導体集積回路装置の
製造方法は、前記絶縁基板に前記半導体素子を搭載した
後、前記半導体素子上の電極と前記配線部とを導電部材
によって電気的に接続し、前記半導体素子およびその周
辺部を樹脂封止する金型の所定箇所に前記絶縁基板を配
置した後、前記絶縁基板上において前記端子部を残した
それ以外の箇所を樹脂封止し、樹脂封止終了後、予め表
面がめっきされた外部リードを前記端子部に接続して前
記外部リードを切断成形するものである。
In the method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to the present invention, after mounting the semiconductor element on the insulating substrate, the electrodes on the semiconductor element and the wiring portion are electrically connected by a conductive member, After arranging the insulating substrate at a predetermined position of a mold for resin-sealing the semiconductor element and its peripheral portion, resin-sealing is performed on the insulating substrate except for the portion where the terminal portion is left, After the completion, the external lead having the surface plated in advance is connected to the terminal portion and the external lead is cut and formed.

【0016】[0016]

【作用】上記した手段によれば、半導体素子が絶縁基板
上に搭載され、かつ絶縁基板上においてその封止が行わ
れるため、封止の際の封止部材の移動、特に、樹脂封止
時の樹脂の流れを整流化することができる。これによ
り、ボンディングワイヤの変形を抑制することができ、
さらに、半導体素子の位置移動を防止することができ
る。
According to the above-mentioned means, since the semiconductor element is mounted on the insulating substrate and the sealing is performed on the insulating substrate, movement of the sealing member at the time of sealing, especially at the time of resin sealing. The flow of the resin can be rectified. Thereby, the deformation of the bonding wire can be suppressed,
Further, the position movement of the semiconductor element can be prevented.

【0017】その結果、封止性、特に樹脂封止性を向上
することができる。
As a result, the sealing property, particularly the resin sealing property, can be improved.

【0018】さらに、剛性を有した絶縁基板において配
線部のボンディングを行うことができるため、ボンディ
ング性を向上できる。
Further, since the wiring portion can be bonded on the insulating substrate having rigidity, the bondability can be improved.

【0019】なお、樹脂封止性とボンディング性とを向
上することができ、かつ絶縁基板が多連のフレーム状に
形成されていることにより、絶縁基板およびその配線部
のパターンの標準化とコスト低減を図ることができる。
Since the resin sealing property and the bonding property can be improved, and the insulating substrate is formed in a multi-frame shape, standardization of the pattern of the insulating substrate and its wiring portion and cost reduction are achieved. Can be achieved.

【0020】また、リードフレームが外部リードである
アウタリードだけによって形成されているため、リード
フレームの品種の数を低減することができる。
Further, since the lead frame is formed only by the outer leads which are external leads, the number of types of lead frames can be reduced.

【0021】さらに、絶縁基板はエポキシ系またはポリ
イミド系などの樹脂あるいはセラミックによって形成さ
れた複合積層板であることにより、半導体集積回路装置
を樹脂またはセラミックベースの実装基板に実装する場
合、相互にその素材を樹脂またはセラミック材料にする
ことができる。
Further, since the insulating substrate is a composite laminated board formed of epoxy-based or polyimide-based resin or ceramic, when the semiconductor integrated circuit device is mounted on a resin- or ceramic-based mounting substrate, the insulating substrates are mutually The material can be a resin or ceramic material.

【0022】また、リードフレームにおいて少なくとも
外部リードの表面が、予めめっきされていることによ
り、封止後のリードフレームの外装めっき工程を削除す
ることができる。
Further, since at least the surface of the external lead in the lead frame is pre-plated, the exterior plating step of the lead frame after sealing can be eliminated.

【0023】なお、樹脂封止の際に、金型が絶縁基板と
クランプする箇所において、絶縁基板の配線部が形成さ
れていない箇所と配線部との段差によって隙間が形成さ
れる。これにより、封止する樹脂部材中の空気を逃がす
エアベント効果を生み出し、内部ボイドの低減と歩留り
を向上することができる。
During resin sealing, a gap is formed by the step between the wiring portion and the portion of the insulating substrate where the wiring portion is not formed, at the portion where the mold is clamped to the insulating substrate. As a result, an air vent effect of letting air in the resin member to be sealed escape is created, and it is possible to reduce internal voids and improve the yield.

【0024】[0024]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0025】図1は本発明による半導体集積回路装置の
構造の一実施例を示す断面図、図2は本発明による半導
体集積回路装置の構造の一実施例を示す平面図、図3は
本発明の半導体集積回路装置における絶縁基板の構造の
一実施例を示す部分平面図、図4は本発明の半導体集積
回路装置におけるリードフレームの構造の一実施例を示
す部分平面図、図5は本発明による半導体集積回路装置
の製造方法の一実施例を示す部分断面図、図6は本発明
による半導体集積回路装置の製造方法の一実施例を示す
部分断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the structure of a semiconductor integrated circuit device according to the present invention, FIG. 2 is a plan view showing an embodiment of the structure of a semiconductor integrated circuit device according to the present invention, and FIG. 5 is a partial plan view showing an embodiment of the structure of the insulating substrate in the semiconductor integrated circuit device of FIG. 4, FIG. 4 is a partial plan view showing the embodiment of the structure of the lead frame in the semiconductor integrated circuit device of the present invention, and FIG. 6 is a partial sectional view showing an embodiment of a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to the present invention, and FIG. 6 is a partial sectional view showing an embodiment of a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to the present invention.

【0026】本実施例の半導体集積回路装置の構成につ
いて説明すると、配線部2aを有しかつ表面2bもしく
は裏面2c(本実施例では半導体集積回路装置を実装す
る実装基板側を裏面2c、その反対側を表面2bとす
る)の少なくともどちらか一方の面の外周部2dに配置
する端子部2eが設けられた絶縁基板であるプリント基
板2と、端子部2eを残してプリント基板2に搭載され
た半導体素子である半導体チップ1およびその周辺部1
aを樹脂封止する樹脂部材3と、予め表面がめっきされ
かつ端子部2eに接続される外部リードであるアウタリ
ード4aとから構成され、プリント基板2上で半導体チ
ップ1の樹脂封止を行った後、プリント基板2にアウタ
リード4aが接続されるものである。
The structure of the semiconductor integrated circuit device according to the present embodiment will be described. The front surface 2b or the back surface 2c having the wiring portion 2a (in this embodiment, the mounting substrate side on which the semiconductor integrated circuit device is mounted is the back surface 2c, and vice versa). The printed board 2 is an insulating board provided with a terminal portion 2e disposed on the outer peripheral portion 2d of at least one of the surfaces 2b) and the printed circuit board 2 except for the terminal portion 2e. Semiconductor chip 1 which is a semiconductor element and its peripheral portion 1
The semiconductor chip 1 is resin-sealed on the printed circuit board 2, which is composed of a resin member 3 for resin-sealing a and an outer lead 4a which is an external lead whose surface is plated in advance and which is connected to the terminal portion 2e. After that, the outer leads 4a are connected to the printed circuit board 2.

【0027】ここで、絶縁基板であるプリント基板2
は、PCB(Printed Circuited Board)とも呼ばれ、図
1〜図3に示すように、プリント基板本体部2fの中央
付近には半導体チップ1を載置するタブ2gが設けら
れ、さらに、その周囲には配線パターンなどの配線部2
aが形成されている。
Here, the printed board 2 which is an insulating board
Is also called a PCB (Printed Circuited Board), and as shown in FIGS. 1 to 3, a tab 2g for mounting the semiconductor chip 1 is provided in the vicinity of the center of the printed circuit board body 2f, and further around it. Is a wiring part 2 such as a wiring pattern
a is formed.

【0028】また、配線部2aは、タブ2g寄りの先端
にインナリード端子2hを有し、さらに、外周部2d付
近の先端にアウタリード4aを接続する端子部2eを有
している。
The wiring portion 2a has an inner lead terminal 2h at the tip near the tab 2g, and a terminal portion 2e for connecting the outer lead 4a at the tip near the outer peripheral portion 2d.

【0029】ここで、端子部2eには、はんだめっきな
どが行われ、さらに、配線部2aの厚さは30〜40μ
m程度である。
Here, the terminal portion 2e is plated with solder or the like, and the thickness of the wiring portion 2a is 30 to 40 μm.
m.

【0030】なお、配線部2a、インナリード端子2h
または端子部2eは、プリント基板2の表面2bもしく
は裏面2cの両方に設けられていてもよい。この場合、
配線部2a内に設けられかつ配線パターンが形成された
スルーホール部2iなどを介すことにより、表裏両面の
配線部2aを電気的に接続することができる。
The wiring portion 2a and the inner lead terminal 2h
Alternatively, the terminal portion 2e may be provided on both the front surface 2b and the back surface 2c of the printed board 2. in this case,
The wiring portions 2a on both the front and back surfaces can be electrically connected through the through-hole portion 2i provided in the wiring portion 2a and having a wiring pattern formed therein.

【0031】さらに、本実施例のプリント基板2は、図
3に示すように、複数個のプリント基板本体部2fが多
連のフレーム状に形成されているものである。すなわ
ち、複数個のプリント基板本体部2fがその周囲に設け
られたスリット部2kを境界にし、つながって配置され
ている。
Further, as shown in FIG. 3, the printed circuit board 2 of the present embodiment has a plurality of printed circuit board body portions 2f formed in a multi-frame shape. That is, the plurality of printed circuit board main body portions 2f are arranged in a continuous manner with the slit portions 2k provided around the printed circuit board main body portions 2f as boundaries.

【0032】また、プリント基板2は、樹脂部材3(図
1参照)によって封止される封止箇所に少なくとも1つ
の貫通孔2jを有している。この貫通孔2jは、樹脂封
止の際に、樹脂部材3がプリント基板2の表裏両面側に
行き渡るように樹脂部材3の通路として設けられている
ものであり、好ましくは複数個設けられている。
Further, the printed board 2 has at least one through hole 2j at a sealing portion sealed by the resin member 3 (see FIG. 1). The through hole 2j is provided as a passage of the resin member 3 so that the resin member 3 is spread over both front and back surfaces of the printed circuit board 2 at the time of resin sealing, and preferably a plurality of through holes 2j are provided. .

【0033】さらに、プリント基板2は、エポキシ系ま
たはポリイミド系などの樹脂あるいはセラミックによっ
て形成された複合積層板である。
Further, the printed board 2 is a composite laminated board formed of a resin such as an epoxy type or a polyimide type or a ceramic.

【0034】また、本実施例のリードフレーム4は、図
4に示すように、外部リードであるアウタリード4aだ
けを有するものである。したがって、複数個のアウタリ
ード4aが多連のフレーム状に形成されている。
Further, the lead frame 4 of this embodiment has only outer leads 4a which are external leads, as shown in FIG. Therefore, the plurality of outer leads 4a are formed in a multiple frame shape.

【0035】なお、リードフレーム4は、少なくともア
ウタリード4aがはんだやPdなどによって、予め外装
めっきされているものであるが、リードフレーム4全体
が外装めっきされていてもよい。
Although at least the outer leads 4a of the lead frame 4 are externally plated with solder or Pd in advance, the entire lead frame 4 may be externally plated.

【0036】さらに、本実施例のリードフレーム4は、
プリント基板2に接続した後にアウタリード4aの切断
および曲げ成形を行うものであるが、アウタリード4a
が予め所望の形状に曲げ成形されたリードフレーム4を
用いてもよい。
Furthermore, the lead frame 4 of this embodiment is
The outer lead 4a is cut and bent after it is connected to the printed circuit board 2.
It is also possible to use the lead frame 4 that has been previously bent and formed into a desired shape.

【0037】また、本実施例の半導体集積回路装置にお
いては、半導体チップ1がプリント基板2上のタブ2g
に導電性あるいは非導電性の接着剤などによって固定さ
れている。
Further, in the semiconductor integrated circuit device of this embodiment, the semiconductor chip 1 is the tab 2g on the printed board 2.
It is fixed to a conductive or non-conductive adhesive or the like.

【0038】さらに、半導体チップ1上の電極1bが、
金もしくはアルミニウムなどからなる導電部材であるボ
ンディングワイヤ5によって、配線部2aのインナリー
ド端子2hと電気的に接続されている。
Further, the electrode 1b on the semiconductor chip 1 is
It is electrically connected to the inner lead terminal 2h of the wiring portion 2a by a bonding wire 5 which is a conductive member made of gold or aluminum.

【0039】また、半導体チップ1およびその周辺部1
a、すなわち、半導体チップ1、ボンディングワイヤ
5、インナリード端子2hおよび配線部2aの局部など
が、熱硬化性の樹脂部材3によって樹脂封止されてい
る。
Further, the semiconductor chip 1 and its peripheral portion 1
That is, a, that is, the semiconductor chip 1, the bonding wires 5, the inner lead terminals 2h, and the local portions of the wiring portions 2a are resin-sealed by the thermosetting resin member 3.

【0040】ただし、プリント基板2の外周部2dにお
いて、配線部2aの先端に配置する端子部2eは、樹脂
封止されていない。
However, in the outer peripheral portion 2d of the printed circuit board 2, the terminal portion 2e arranged at the tip of the wiring portion 2a is not resin-sealed.

【0041】なお、配線部2aの他方の先端に配置する
インナリード端子2hは、外部装置(例えば、半導体集
積回路装置を実装する実装基板もしくは他の測定装置な
ど)と電気的に接続されてもよい。
The inner lead terminal 2h arranged at the other end of the wiring portion 2a may be electrically connected to an external device (for example, a mounting board on which a semiconductor integrated circuit device is mounted or another measuring device). Good.

【0042】次に、本実施例の半導体集積回路装置の製
造方法について説明する。
Next, a method of manufacturing the semiconductor integrated circuit device of this embodiment will be described.

【0043】まず、エッチングなどによって配線パター
ン、すなわち配線部2aが形成され、かつプレスもしく
はルータなどによってその外形が加工された絶縁基板で
あるプリント基板2を準備する。
First, a printed board 2 is prepared which is an insulating board on which a wiring pattern, that is, a wiring portion 2a is formed by etching or the like, and whose outer shape is processed by a press or a router.

【0044】さらに、プリント基板2のタブ4に半導体
チップ1を搭載して接着剤などによって固定し、続い
て、半導体チップ1上の電極1bと配線部2aのインナ
リード端子2hとをボンディングワイヤ5によって電気
的に接続する。
Further, the semiconductor chip 1 is mounted on the tab 4 of the printed board 2 and fixed by an adhesive or the like, and subsequently, the electrode 1b on the semiconductor chip 1 and the inner lead terminal 2h of the wiring portion 2a are bonded to each other by the bonding wire 5. To connect electrically.

【0045】その後、半導体チップ1およびその周辺部
1aを樹脂封止する金型6の所定箇所にプリント基板2
を配置する。
After that, the printed circuit board 2 is placed on a predetermined portion of a mold 6 for resin-sealing the semiconductor chip 1 and its peripheral portion 1a.
Place.

【0046】この時、金型6については、その内部の樹
脂部材3を注入する箇所の大きさが、プリント基板2上
の端子部2eには樹脂を形成しない程度のものを用い
る。
At this time, the mold 6 is such that the inside of the mold 6 into which the resin member 3 is injected is such that no resin is formed on the terminal portion 2e on the printed circuit board 2.

【0047】これにより、ゲート部6aを介して金型6
内に樹脂部材3を注入し、プリント基板2上において端
子部2eを残したそれ以外の箇所を樹脂封止する。
As a result, the mold 6 is inserted through the gate portion 6a.
The resin member 3 is injected into the inside, and the other portions of the printed circuit board 2 where the terminal portions 2e are left are sealed with resin.

【0048】ここで、プリント基板2は、封止が行われ
る箇所に少なくとも1つの貫通孔2jを有しているた
め、樹脂部材3がこれを通過し、プリント基板2の表裏
両面側に行き渡る。その結果、プリント基板2の表裏両
面側を樹脂封止できる。
Here, since the printed circuit board 2 has at least one through hole 2j at the position where the sealing is performed, the resin member 3 passes through this and reaches both sides of the printed circuit board 2. As a result, both front and back sides of the printed circuit board 2 can be resin-sealed.

【0049】なお、図5、図6に示すように、金型6を
クランプした際に、プリント基板2の配線部2aが形成
されていない箇所と配線部2aとの段差7によって隙間
(金型6とプリント基板2との間で、前記段差7によっ
て生じる隙間)が形成されることにより、金型6内に注
入された樹脂部材3中の空気を逃がすエアベント効果を
生み出すことができる。
As shown in FIGS. 5 and 6, when the mold 6 is clamped, a gap (mold) is formed by a step 7 between the wiring part 2a and a portion of the printed board 2 where the wiring part 2a is not formed. By forming a gap created by the step 7 between the printed circuit board 2 and the printed circuit board 6, it is possible to create an air vent effect of letting air in the resin member 3 injected into the mold 6 escape.

【0050】続いて、樹脂部材3を熱硬化し、樹脂封止
を終了する。
Subsequently, the resin member 3 is thermoset and the resin sealing is completed.

【0051】その後、金型6内からプリント基板2を取
り出し、予め外装めっきされたアウタリード4aをプリ
ント基板2の端子部2eに熱圧着などによって接続す
る。
Thereafter, the printed circuit board 2 is taken out from the mold 6, and the outer leads 4a which are externally plated in advance are connected to the terminal portions 2e of the printed circuit board 2 by thermocompression bonding or the like.

【0052】この時、例えば、プリント基板2の表裏両
面に端子部2eが形成されている場合、アウタリード4
aは表裏どちらの面の端子部2eに接続することも可能
である。
At this time, for example, when the terminals 2e are formed on both front and back surfaces of the printed circuit board 2, the outer leads 4 are formed.
It is possible to connect a to the terminal portion 2e on either the front or back surface.

【0053】さらに、リードフレーム4において、アウ
タリード4aを切断する。この時、プリント基板2も同
時に切断する。
Further, in the lead frame 4, the outer leads 4a are cut. At this time, the printed board 2 is also cut at the same time.

【0054】その後、アウタリード4aを所望の形状に
曲げ成形する。なお、本実施例の半導体集積回路装置
は、アウタリード4aをガルウィング形状に曲げ成形し
たQFPタイプのものであるが、QFP以外の他の半導
体集積回路装置であってもよい。
Then, the outer leads 4a are bent and formed into a desired shape. Although the semiconductor integrated circuit device of this embodiment is of the QFP type in which the outer lead 4a is bent and formed into a gull wing shape, it may be a semiconductor integrated circuit device other than QFP.

【0055】なお、予め所望の形状に曲げ成形が行われ
たリードフレーム4を用いる場合、アウタリード4aお
よびプリント基板2の切断後の曲げ成形(曲げ工程)を
省くことができる。
When the lead frame 4 that has been bent and formed into a desired shape in advance is used, the bending and forming (bending process) after cutting the outer leads 4a and the printed circuit board 2 can be omitted.

【0056】次に、本実施例の半導体集積回路装置およ
びその製造方法によって得られる作用効果について説明
する。
Next, the function and effect obtained by the semiconductor integrated circuit device and the method of manufacturing the same of this embodiment will be described.

【0057】すなわち、半導体チップ1がプリント基板
2上に搭載され、かつプリント基板2上においてその樹
脂封止が行われるため、樹脂封止時の樹脂部材3の流れ
を整流化することができる。これにより、ボンディング
ワイヤ5の変形を抑制することができ、さらに、半導体
チップ1の位置移動を防止することができる。
That is, since the semiconductor chip 1 is mounted on the printed board 2 and the resin is sealed on the printed board 2, the flow of the resin member 3 at the time of resin sealing can be rectified. Thereby, the deformation of the bonding wire 5 can be suppressed, and further, the position movement of the semiconductor chip 1 can be prevented.

【0058】その結果、樹脂封止性を向上することがで
きる。
As a result, the resin sealing property can be improved.

【0059】また、プリント基板2に形成された配線部
2aは、その厚さが30〜40μm程度であるため、配
線部2aのファインピッチ化(細パターン化)ができ
る。
Further, since the wiring portion 2a formed on the printed board 2 has a thickness of about 30 to 40 μm, the wiring portion 2a can have a fine pitch (fine patterning).

【0060】これにより、剛性を有したプリント基板2
において配線部2aのボンディングを行うことができる
ため、ボンディング性を向上できる。
As a result, the printed circuit board 2 having rigidity
Since the wiring portion 2a can be bonded in the above, the bondability can be improved.

【0061】なお、樹脂封止性とボンディング性とを向
上することができ、かつプリント基板2が多連のフレー
ム状に形成されていることにより、プリント基板2およ
びその配線部2aのパターンの標準化とコスト低減を図
ることができる。
Since the resin sealing property and the bonding property can be improved and the printed circuit board 2 is formed in the form of multiple frames, standardization of the pattern of the printed circuit board 2 and its wiring portion 2a can be realized. And the cost can be reduced.

【0062】また、リードフレーム4が外部リードであ
るアウタリード4aだけによって形成されているため、
リードフレーム4の品種の数を低減することができ、そ
の結果、リードフレーム4の標準化とコスト低減を図る
ことができる。
Further, since the lead frame 4 is formed only by the outer leads 4a which are external leads,
The number of types of the lead frame 4 can be reduced, and as a result, standardization of the lead frame 4 and cost reduction can be achieved.

【0063】さらに、プリント基板2はエポキシ系また
はポリイミド系などの樹脂あるいはセラミックによって
形成された複合積層板であることにより、半導体集積回
路装置を樹脂またはセラミックベースの実装基板に実装
する場合、相互にその素材を樹脂またはセラミック材料
にすることができる。
Further, since the printed board 2 is a composite laminated board formed of a resin such as an epoxy type or a polyimide type or a ceramic, when the semiconductor integrated circuit device is mounted on a mounting board of a resin or a ceramic base, they are mutually connected. The material can be a resin or ceramic material.

【0064】その結果、半導体集積回路装置の実装時も
しくは実装後の熱疲労に対する歩留りを向上することが
でき、また、接続部の信頼性を向上することもできる。
As a result, it is possible to improve the yield against thermal fatigue during or after mounting the semiconductor integrated circuit device, and also to improve the reliability of the connection portion.

【0065】また、リードフレーム4において少なくと
もアウタリード4aの表面が、予め外装めっきされてい
ることにより、樹脂封止後のリードフレーム4の外装め
っき工程を削除することができる。
Since at least the surface of the outer lead 4a in the lead frame 4 is preliminarily subjected to the exterior plating, the exterior plating process of the lead frame 4 after resin sealing can be omitted.

【0066】これにより、半導体集積回路装置の製造工
程におけるスループットを向上することができ、また、
製造コストを低減することができる。
As a result, the throughput in the manufacturing process of the semiconductor integrated circuit device can be improved, and
Manufacturing costs can be reduced.

【0067】なお、樹脂封止の際に、金型6がプリント
基板2とクランプする箇所において、プリント基板2の
配線部2aが形成されていない箇所と配線部2aとの段
差7によって隙間が形成される。
At the point where the mold 6 is clamped to the printed circuit board 2 during the resin sealing, a gap is formed by the step 7 between the position where the wiring section 2a of the printed circuit board 2 is not formed and the wiring section 2a. To be done.

【0068】これにより、樹脂部材3中の空気を逃がす
エアベント効果を生み出し、内部ボイドの低減と歩留り
を向上することができる。
As a result, the air vent effect of letting air in the resin member 3 escape can be produced, and the internal voids can be reduced and the yield can be improved.

【0069】ここで、前記隙間から流出する樹脂部材3
は、プリント基板2のベースである樹脂部との密着性が
良いため、前記流出した樹脂部材3が落下または脱落す
ることを低減できる。
Here, the resin member 3 flowing out from the gap
Has good adhesiveness to the resin portion which is the base of the printed circuit board 2, so that the resin member 3 that has flowed out can be prevented from falling or dropping off.

【0070】これにより、アウタリード4aの切断成形
時に不良が発生することを低減できる。
As a result, it is possible to reduce the occurrence of defects during the cutting and molding of the outer leads 4a.

【0071】また、封止する樹脂部材3は、プリント基
板2のベースである樹脂部との密着性が良好であること
により、半導体集積回路装置の実装時の信頼性を向上す
ることができる。
Further, since the resin member 3 to be sealed has good adhesion to the resin portion which is the base of the printed circuit board 2, the reliability at the time of mounting the semiconductor integrated circuit device can be improved.

【0072】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
The invention made by the present inventor has been specifically described above based on the embodiments, but the present invention is not limited to the embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.

【0073】例えば、前記実施例で説明した半導体集積
回路装置は、半導体素子が搭載されるプリント基板の両
面を樹脂封止するものであったが、少なくとも半導体素
子とその周辺部が封止されていれば、片面だけの封止で
あってもよい。
For example, in the semiconductor integrated circuit device described in the above embodiment, both sides of the printed circuit board on which the semiconductor element is mounted are resin-sealed, but at least the semiconductor element and its peripheral portion are sealed. If so, only one side may be sealed.

【0074】また、前記半導体集積回路装置は、半導体
素子およびその周辺部が金型によって樹脂封止されるも
のであったが、封止は金型を用いた樹脂封止だけでな
く、ゲル状の封止部材をポッティングする封止などであ
ってもよく、さらに、アルミニウムなどによって形成さ
れたキャップ部材を用いた封止であってもよい。
Further, in the semiconductor integrated circuit device, the semiconductor element and its peripheral portion are resin-sealed by the mold, but the sealing is not limited to the resin-sealing using the mold, but the gel-like structure. The sealing may be performed by potting the sealing member, or may be sealing using a cap member made of aluminum or the like.

【0075】なお、プリント基板の外周部に設けられた
端子部はアウタリードを熱圧着するものであったが、ア
ウタリードの接合時にピンを挿入するピン挿入タイプに
することもできる。これにより、アウタリードの形状に
ついては、種々の形状に曲げ成形を行うことができる。
Although the terminal portion provided on the outer peripheral portion of the printed circuit board is formed by thermocompression bonding the outer lead, it may be a pin insertion type in which a pin is inserted when the outer lead is joined. As a result, the outer leads can be bent into various shapes.

【0076】また、前記実施例の半導体集積回路装置
は、プリント基板に1つの半導体素子を搭載するもので
あったが、図7の他の実施例の半導体集積回路装置に示
すように、プリント基板2上でハイブリッド構成を実
現、すなわちプリント基板2の表裏両面に複数個の半導
体チップ1を搭載し、封止するものであってもよい。
Further, although the semiconductor integrated circuit device of the above-described embodiment has one semiconductor element mounted on the printed board, as shown in the semiconductor integrated circuit device of another embodiment of FIG. It is also possible to realize a hybrid configuration on the two, that is, to mount a plurality of semiconductor chips 1 on both front and back surfaces of the printed circuit board 2 and seal the same.

【0077】さらに、図8の他の実施例の半導体集積回
路装置に示すように、プリント基板2の外周部2dの表
裏両面に端子部2eを設けることにより、表裏両面の端
子部2eにアウタリード4aを接合することもできる。
Further, as shown in the semiconductor integrated circuit device of another embodiment of FIG. 8, by providing the terminal portions 2e on both the front and back surfaces of the outer peripheral portion 2d of the printed board 2, the outer leads 4a are provided on the terminal portions 2e on both the front and back surfaces. Can also be joined.

【0078】その結果、半導体チップ1を上下に複数個
積層したハイブリッドタイプの半導体集積回路装置を実
現することもできる。
As a result, a hybrid type semiconductor integrated circuit device in which a plurality of semiconductor chips 1 are vertically stacked can be realized.

【0079】[0079]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
Advantageous effects obtained by typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described.
It is as follows.

【0080】(1).半導体素子が絶縁基板上に搭載さ
れ、かつ絶縁基板上においてその封止が行われるため、
封止の際の封止部材の移動、特に、樹脂封止時の樹脂の
流れを整流化することができる。これにより、ボンディ
ングワイヤの変形を抑制することができ、さらに、半導
体素子の位置移動を防止することができる。
(1). Since the semiconductor element is mounted on the insulating substrate and is sealed on the insulating substrate,
The movement of the sealing member at the time of sealing, especially the flow of resin at the time of resin sealing can be rectified. Thereby, the deformation of the bonding wire can be suppressed, and further, the position movement of the semiconductor element can be prevented.

【0081】その結果、封止性、特に樹脂封止性を向上
することができる。
As a result, the sealing property, especially the resin sealing property can be improved.

【0082】(2).絶縁基板に形成された配線部は、
その厚さが30〜40μm程度であるため、配線部のフ
ァインピッチ化(細パターン化)が可能になる。
(2). The wiring part formed on the insulating substrate is
Since the thickness is about 30 to 40 μm, it is possible to make the wiring portion fine pitch (fine pattern).

【0083】これにより、剛性を有した絶縁基板におい
て配線部のボンディングを行うことができるため、ボン
ディング性を向上できる。
As a result, since the wiring portion can be bonded on the insulating substrate having rigidity, the bonding property can be improved.

【0084】(3).樹脂封止性とボンディング性とを
向上することができ、かつ絶縁基板が多連のフレーム状
に形成されていることにより、絶縁基板およびその配線
部のパターンの標準化とコスト低減を図ることができ
る。
(3). Since the resin sealing property and the bonding property can be improved, and the insulating substrate is formed in a multiple frame shape, it is possible to standardize the pattern of the insulating substrate and its wiring portion and reduce the cost. .

【0085】(4).リードフレームが外部リードであ
るアウタリードだけによって形成されているため、リー
ドフレームの品種の数を低減することができ、その結
果、リードフレームの標準化とコスト低減を図ることが
できる。
(4). Since the lead frame is formed only by the outer leads which are external leads, the number of types of lead frames can be reduced, and as a result, standardization of lead frames and cost reduction can be achieved.

【0086】(5).絶縁基板はエポキシ系またはポリ
イミド系などの樹脂あるいはセラミックによって形成さ
れた複合積層板であることにより、半導体集積回路装置
を樹脂またはセラミックベースの実装基板に実装する場
合、相互にその素材を樹脂またはセラミック材料にする
ことができる。
(5). Since the insulating substrate is a composite laminated board formed of resin or ceramic such as epoxy or polyimide, when the semiconductor integrated circuit device is mounted on a resin or ceramic base mounting substrate, the materials thereof are mutually resin or ceramic. It can be a material.

【0087】その結果、半導体集積回路装置の実装時も
しくは実装後の熱疲労に対する歩留りを向上することが
でき、また、接続部の信頼性を向上することもできる。
As a result, it is possible to improve the yield against thermal fatigue during or after mounting the semiconductor integrated circuit device, and also to improve the reliability of the connection portion.

【0088】(6).リードフレームにおいて少なくと
も外部リードの表面が、予めめっきされていることによ
り、封止後のリードフレームのめっき工程を削除するこ
とができる。これにより、半導体集積回路装置の製造工
程におけるスループットを向上することができ、また、
製造コストを低減することができる。
(6). Since at least the surfaces of the external leads in the lead frame are pre-plated, the plating step of the lead frame after sealing can be omitted. As a result, the throughput in the manufacturing process of the semiconductor integrated circuit device can be improved, and
Manufacturing costs can be reduced.

【0089】(7).樹脂封止の際に、金型が絶縁基板
とクランプする箇所において、絶縁基板の配線部が形成
されていない箇所と配線部との段差によって隙間が形成
される。これにより、封止する樹脂部材中の空気を逃が
すエアベント効果を生み出し、内部ボイドの低減と歩留
りを向上することができる。
(7). During resin encapsulation, a gap is formed by a step between the wiring portion of the insulating substrate and a portion where the wiring portion of the insulating substrate is not clamped at the portion where the die clamps the insulating substrate. As a result, an air vent effect of letting air in the resin member to be sealed escape is created, and it is possible to reduce internal voids and improve the yield.

【0090】(8).(7)で説明した隙間から流出す
る樹脂部材は、絶縁基板のベースである樹脂部との密着
性が良いため、流出した樹脂部材が落下または脱落する
ことを低減できる。その結果、外部リードの切断成形時
に不良が発生することを低減できる。
(8). The resin member that flows out from the gap described in (7) has good adhesion to the resin portion that is the base of the insulating substrate, so it is possible to reduce the falling or dropping of the resin member that has flowed out. As a result, it is possible to reduce the occurrence of defects during the cutting and molding of the external leads.

【0091】(9).封止する樹脂部材は、絶縁基板の
ベースである樹脂部との密着性が良好であることによ
り、半導体集積回路装置の実装時の信頼性を向上するこ
とができる。
(9). Since the resin member to be sealed has good adhesion to the resin portion which is the base of the insulating substrate, the reliability at the time of mounting the semiconductor integrated circuit device can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明による半導体集積回路装置の構造の一実
施例を示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the structure of a semiconductor integrated circuit device according to the present invention.

【図2】本発明による半導体集積回路装置の構造の一実
施例を示す平面図である。
FIG. 2 is a plan view showing an embodiment of the structure of a semiconductor integrated circuit device according to the present invention.

【図3】本発明の半導体集積回路装置における絶縁基板
の構造の一実施例を示す部分平面図である。
FIG. 3 is a partial plan view showing an example of the structure of the insulating substrate in the semiconductor integrated circuit device of the present invention.

【図4】本発明の半導体集積回路装置におけるリードフ
レームの構造の一実施例を示す部分平面図である。
FIG. 4 is a partial plan view showing an embodiment of the structure of a lead frame in the semiconductor integrated circuit device of the present invention.

【図5】本発明による半導体集積回路装置の製造方法の
一実施例を示す部分断面図である。
FIG. 5 is a partial cross-sectional view showing one embodiment of a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to the present invention.

【図6】本発明による半導体集積回路装置の製造方法の
一実施例を示す部分断面図である。
FIG. 6 is a partial cross-sectional view showing an embodiment of a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to the present invention.

【図7】本発明の他の実施例である半導体集積回路装置
の構造の一例を示す断面図である。
FIG. 7 is a sectional view showing an example of the structure of a semiconductor integrated circuit device which is another embodiment of the present invention.

【図8】本発明の他の実施例である半導体集積回路装置
の構造の一例を示す断面図である。
FIG. 8 is a sectional view showing an example of a structure of a semiconductor integrated circuit device which is another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体チップ(半導体素子) 1a 周辺部 1b 電極 2 プリント基板(絶縁基板) 2a 配線部 2b 表面 2c 裏面 2d 外周部 2e 端子部 2f プリント基板本体部 2g タブ 2h インナリード端子 2i スルーホール部 2j 貫通孔 2k スリット部 3 樹脂部材(封止部材) 4 リードフレーム 4a アウタリード(外部リード) 5 ボンディングワイヤ(導電部材) 6 金型 6a ゲート部 7 段差 1 semiconductor chip (semiconductor element) 1a peripheral part 1b electrode 2 printed circuit board (insulating substrate) 2a wiring part 2b front surface 2c back surface 2d outer peripheral part 2e terminal part 2f printed circuit board body part 2g tab 2h inner lead terminal 2i through hole part 2j through hole 2k slit part 3 resin member (sealing member) 4 lead frame 4a outer lead (external lead) 5 bonding wire (conductive member) 6 mold 6a gate part 7 step

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体素子を搭載し、外部リードが接続
される絶縁基板を有する半導体集積回路装置であって、 配線部を有し、かつ表裏面の少なくともどちらか一方の
面の外周部に配置する端子部が設けられた絶縁基板と、 前記端子部を残して前記半導体素子およびその周辺部を
封止する封止部材と、 予め表面がめっきされ、かつ前記端子部に接続される外
部リードとを有し、 前記絶縁基板上で前記半導体素子の封止を行った後、前
記絶縁基板に前記外部リードが接続されることを特徴と
する半導体集積回路装置。
1. A semiconductor integrated circuit device having a semiconductor element and an insulating substrate to which external leads are connected, the semiconductor integrated circuit device having a wiring portion and being arranged on an outer peripheral portion of at least one of the front and back surfaces. An insulating substrate provided with a terminal portion for sealing, a sealing member for sealing the semiconductor element and its peripheral portion while leaving the terminal portion, and an external lead having a surface plated in advance and connected to the terminal portion. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, further comprising: after encapsulating the semiconductor element on the insulating substrate, the external lead is connected to the insulating substrate.
【請求項2】 半導体素子を搭載し、外部リードが接続
される絶縁基板を有する半導体集積回路装置であって、 配線部を有し、かつ表裏面の少なくともどちらか一方の
面の外周部に配置する端子部が設けられた絶縁基板と、 前記端子部を残して前記半導体素子およびその周辺部を
樹脂封止する樹脂部材と、 予め表面がめっきされ、かつ前記端子部に接続される外
部リードとを有し、 前記絶縁基板上で前記半導体素子の樹脂封止を行った
後、前記絶縁基板に前記外部リードが接続されることを
特徴とする半導体集積回路装置。
2. A semiconductor integrated circuit device having a semiconductor element mounted thereon and an insulating substrate to which external leads are connected, the semiconductor integrated circuit device having a wiring portion and being arranged on an outer peripheral portion of at least one of the front and back surfaces. An insulating substrate provided with a terminal portion, a resin member for sealing the semiconductor element and its peripheral portion with a resin leaving the terminal portion, and an external lead having a surface plated in advance and connected to the terminal portion. A semiconductor integrated circuit device, comprising: the external lead being connected to the insulating substrate after the semiconductor element is resin-sealed on the insulating substrate.
【請求項3】 請求項1または2記載の半導体集積回路
装置であって、前記絶縁基板はその封止箇所に少なくと
も1つの貫通孔を有し、多連のフレーム状に形成されて
いることを特徴とする半導体集積回路装置。
3. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the insulating substrate has at least one through hole at a sealing portion and is formed in a multiple frame shape. A characteristic semiconductor integrated circuit device.
【請求項4】 請求項1,2または3記載の半導体集積
回路装置であって、前記絶縁基板はエポキシ系またはポ
リイミド系などの樹脂あるいはセラミックによって形成
された複合積層板であることを特徴とする半導体集積回
路装置。
4. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, 2 or 3, wherein the insulating substrate is a composite laminated plate formed of a resin such as an epoxy resin or a polyimide resin or a ceramic. Semiconductor integrated circuit device.
【請求項5】 請求項1,2,3または4記載の半導体
集積回路装置であって、前記外部リードは、はんだなど
の導電材料によってその表面が予めめっきされたリード
フレームであることを特徴とする半導体集積回路装置。
5. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, 2, 3, or 4, wherein the external leads are lead frames whose surfaces are pre-plated with a conductive material such as solder. Integrated circuit device.
【請求項6】 請求項1,2,3,4または5記載の半
導体集積回路装置の製造方法であって、 前記絶縁基板に前記半導体素子を搭載した後、前記半導
体素子上の電極と前記配線部とを導電部材によって電気
的に接続し、 前記半導体素子およびその周辺部を樹脂封止する金型の
所定箇所に前記絶縁基板を配置した後、前記絶縁基板上
において前記端子部を残したそれ以外の箇所を樹脂封止
し、 樹脂封止終了後、予め表面がめっきされた外部リードを
前記端子部に接続して前記外部リードを切断成形するこ
とを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
6. The method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device according to claim 1, 2, 3, 4 or 5, wherein after mounting the semiconductor element on the insulating substrate, the electrode on the semiconductor element and the wiring. Part is electrically connected by a conductive member, and after the insulating substrate is arranged at a predetermined position of a mold for resin-sealing the semiconductor element and its peripheral portion, the terminal part is left on the insulating substrate. A method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device, characterized by encapsulating resin in a portion other than .
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