JPH09266211A

JPH09266211A - アルミニウム合金膜のドライエッチング方法と、その方法に用いるエッチング用ガス

Info

Publication number: JPH09266211A
Application number: JP9007274A
Authority: JP
Inventors: Michinari Yamanaka; 通成山中
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1996-01-22
Filing date: 1997-01-20
Publication date: 1997-10-07

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体集積回路の配線として用いられるＡｌ
合金膜をドライエッチングする際に生じるエッチング残
さを発生させないドライエッチング方法を提供する。【解決手段】本発明は、半導体基板上にＡｌを主成分
とする合金膜を形成する工程と、前記合金膜の上にレジ
ストパターンを形成する工程と、前記レジストパターン
をマスクとして、Ａｌをエッチングするエッチング用ガ
スにアンモニアガスを添加したガスにより、前記合金膜
をドライエッチングする工程とからなるＡｌ合金膜のド
ライエッチング方法において、前記アンモニガスの流量
が前記エッチング用ガスの流量の１／２以上で前記エッ
チング用ガスの流量以下である特徴を有している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路の
配線材料として用いられるアルミニウム（Ａｌ）合金膜
のドライエッチング方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路の配線材料としては、Ａ
ｌ配線が一般的に用いられているが、微細化に起因する
配線のスパイクやエレクトロマイグレーションの問題を
抑制するために、Ａｌにケイ素（Ｓｉ）や銅（Ｃｕ）を
添加することが行われている。このようなＡｌ合金膜を
ドライエッチングする際には、エッチング用ガスとし
て、三塩化ホウ素（ＢＣｌ₃）、塩素（Ｃｌ₂）、クロロ
ホルム（ＣＨＣｌ₃）、窒素（Ｎ₂）の混合ガスが用いら
れていた。これらのガスを用いて、Ａｌ合金膜を良好な
形状で、すなわち、アンダーカットやサイドエッチを防
止して、ドライエッチングするためには、エッチング用
ガスのスパッタによって生じるレジストの反応生成物を
Ａｌ合金膜の側壁に有効に付着させることにより、保護
膜を形成する方法が一般的に用いられる。

【０００３】しかしながら、昨今の６４ＭＤＲＡＭや２
５６ＭＤＲＡＭといった半導体集積回路では、フォトレ
ジストの膜厚が薄くなること及びレジストの形成されて
いる部分の面積が微細化に伴い縮小されることから、以
下の問題が生じている。フォトレジストの膜厚が薄くな
るのは、上記のＤＲＡＭでは、Ａｌを主成分とする合金
膜を線幅０．４μｍ以下、線厚０．６５μｍ程度といっ
た微細な形状にする必要があり、フォトリソグラフィ工
程での焦点深度が極端に狭くなるためである。具体的に
は、これらのＤＲＡＭでは、フォトレジストの膜厚は、
１．０μｍ以下になる。

【０００４】図５に、ＢＣｌ₃とＣｌ₂を混合したエッチ
ング用ガスにより、Ａｌ合金膜をエッチングした際の断
面形状を示す。１は、基板、例えばＳｉ基板であり、４
は、フォトレジストである。レジストが薄いこと及びレ
ジストの形成されている部分の面積の縮小に起因して、
レジストの反応生成物の発生量が少ないため、Ａｌ合金
膜２にアンダーカットを生じていることがわかる。この
問題を解決する方法として、エッチング用ガスを非常に
高いイオンエネルギー状態にする方法と、エッチング用
ガスに窒素を添加する方法が考えられる。いずれも、レ
ジストパターンの分解を促進することにより、反応生成
物を増加させる方法である。

【０００５】しかしながら、これらの方法では別の問題
が発生する。図６に、ＢＣｌ₃とＣｌ₂を混合したエッチ
ング用ガスに窒素を添加した際のエッチング後の断面の
実験結果を示す。レジストパターンが後退するために、
Ａｌ合金膜の上端がエッチングされてしまうという問題
である。いいかえると、これらの方法では、Ａｌ合金膜
のエッチレートをレジストのエッチレートで除算したも
ので定義される選択比を高くすることができない。薄い
レジストで上記問題を防止するためには、この選択比を
高くする必要がある。

【０００６】近年、上記問題点を解決するために、エッ
チング用ガスにアンモニアガスを添加する方法が、試み
られている（日本特許出願：出願公開番号H1-18662
2）。すなわち、アンモニアガスの添加により選択比が
向上するため、良好な形状が得られるというものであ
る。また、レジストパターンの代わりに、酸化膜をマス
クとする方法も試みられている（日本特許出願：出願公
開番号H5-206082）。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
方法も、ＳｉやＣｕを含むＡｌ合金膜を精度良くエッチ
ングする際には、まだ、大きな問題が実用上、存在して
いた。すなわち、エッチング用ガスとして、三塩化ホウ
素（ＢＣｌ₃）、塩素（Ｃｌ₂）、クロロホルム（ＣＨＣ
ｌ₃）、窒素（Ｎ₂）の混合ガスを用いる際には、Ｓｉや
Ｃｕはこれらのガスによって化学的にエッチングされな
いため、エッチング残さが発生するという問題が未解決
なためである。

【０００８】図７に、ＣｕとＳｉを含むＡｌ合金膜をア
ンモニアガスを添加したガスによって、ドライエッチン
グした際のエッチング後の断面形状を示す。この実験に
おいては、エッチング用ガス（ＢＣｌ₃とＣｌ₂の混合ガ
ス）の流量の１／４の流量のアンモニアガスを添加して
いる。図７より明らかなように、微視的に見ると、エッ
チング残さ５が多数発生していることがわかる。

【０００９】この残さが発生する要因は、Ａｌを化学的
にエッチングするエッチング用ガスでは、Ａｌ合金膜に
含まれるＳｉやＣｕをエッチングすることができないた
め、これらのＳｉやＣｕがエッチングの進行中にマスク
となってしまうからである。すなわち、ＳｉやＣｕがマ
スクとなっている部分についてのエッチング速度が遅く
なり、図７のような残さが発生することとなる。

【００１０】エッチング残さは、微細化を図る上では大
きな問題であり、この問題はアンモニアガスを単に添加
することによっては、これまで十分には解決されていな
かった。このため、半導体集積回路への製造工程への導
入を図る上で、障害となっていた。本発明は、上述の点
に鑑みて為されたものであって、ＳｉやＣｕを含むＡｌ
合金膜を精度良くエッチングできる微細化に対応したド
ライエッチング方法を提供し、半導体集積回路の製造工
程を改善することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明は、半導体基板上にＡｌを主成分とする合金
膜を形成する工程と、前記合金膜の上にレジストパター
ンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクと
して、Ａｌをエッチングするエッチング用ガスにアンモ
ニアガスを添加したガスにより、前記合金膜をドライエ
ッチングする工程とからなるＡｌ合金膜のドライエッチ
ング方法において、前記アンモニガスの流量が前記エッ
チング用ガスの流量の１／２以上で前記エッチング用ガ
スの流量以下である特徴を有している。

【００１２】本発明によれば、ＳｉやＣｕを含むＡｌ合
金膜の場合であっても、エッチング残さを発生させるこ
となく、微細なパターンにＡｌ合金膜をドライエッチン
グすることができる。すなわち、アンモニアガスの添加
を所定の範囲で行うことよって、Ａｌの表面にアルミニ
ウムナイトライド（ＡｌＮ）を有効に形成し、Ａｌ合金
膜をイオン支援エッチングを主とするメカニズムにより
エッチングする。そのため、Ａｌが存在する部分とＳｉ
やＣｕが存在する部分のエッチング速度の差を小さくな
り、残さの問題が抑制される。

【００１３】従って、線幅０．４μｍ以下、膜厚０．６
５μｍ程度の金属膜パターンにおいても、精度よく金属
膜パターンを形成することができるようになり、例え
ば、６４ＭＤＲＡＭや２５６ＭＤＲＡＭ）を、歩留まり
良く製造することができるようになる。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明を、実施例に基づいて詳細
に説明する。まず、図１(a)に示すように、単結晶シリ
コン基板などの半導体基板１上に、ケイ素１％、銅０．
５％含有する膜厚０．６５μｍ程度のＡｌ合金膜２を形
成する。そして、Ａｌ合金膜２の表面に、膜厚１．０μ
ｍ以下の膜厚を備えたフォトレジスト膜３を形成したう
えで、フォトレジスト膜３に周知のフォトリソグラフィ
工程を施すことにより、線幅０．４μｍ以下のレジスト
パターン４を形成する。

【００１５】このようにして、レジストパターン４を形
成した半導体基板１に、以下に示すエッチング条件のも
とで、ドライエッチングを行って、Ａｌ合金膜パターン
５を形成した。すなわち、アンモニアガスの流量は、エ
ッチング用ガス（ＢＣｌ₃とＣｌ₂の混合ガス）とアンモ
ニアガスの合計の流量に対して、３３％である。なお、
エッチング装置としては、平行平板型の反応性イオンエ
ッチング（ReactiveIon Ｅtching）装置を用いた。

【００１６】エッチング条件は、ウエハ温度：７０
℃、ＢＣｌ₃流量：５０sccm、Ｃｌ₂流量：５０sccm、Ｎ
Ｈ₃流量：５０sccm、Ｐressure：２００mTorr、ＲＦ電
力：２５０Ｗである。図１(b)に示すように、アンダー
カットやサイドエッチがなく、レジストの後退もみられ
ず、良好なＡｌ配線の形状が得られていることがわか
る。

【００１７】なお、比較例として、アンモニアガスの流
量を変えてドライエッチングを行い、エッチング後の断
面を観察した。その結果、アンモニアガスの流量とエッ
チング後の断面には、大きな相関があることがわかっ
た。すなわち、単にアンモニアガスを添加するだけで
は、良好にエッチングされないことが明らかとなった。
図４に、アンモニアガスの流量比を変えたときのエッチ
ング後の形状等について、その実験結果をまとめる。こ
こで、流量比とは、アンモニアガスの流量を、エッチン
グ用ガスとアンモニアガスの合計の流量で除算したもの
である。エッチング用ガスとしては、ＢＣｌ₃とＣｌ₂の
混合ガスを用いている。具体的な条件は、ウエハ−温
度：７０℃、圧力：２００mTorr、ＲＦ電力：２５０
Ｗ、ＢＣｌ₃流量：５０sccm、Ｃｌ₂流量：５０sccm、Ｎ
Ｈ₃流量は、１０、１２．５、２５、５０、６４、７５s
ccmである。

【００１８】まず、エッチング残さについて見ると、図
４はアンモニアガスの流量比が３３％以上のときに残さ
が発生しないことを示している。すなわち、アンモニア
ガスの流量がエッチング用ガスの流量の１／２以上と大
量に添加したときに、エッチング残さの問題が解決する
ことがわかる。ここで、エッチング残ざが発生しなくな
るメカニズムについて、以下に説明する。エッチング残
さは、Ａｌに含まれるＣｕやＳｉが、エッチング用ガス
（例えば、ＢＣｌ₃、Ｃｌ₂）によっては、化学的にエッ
チングされないことにより生じる。アンモニアガスが多
量に添加されると、Ａｌの表面にＡｌＮが形成される。
ＡｌＮはエッチングガスとの反応性が低いため、化学反
応によるエッチング速度は小さくなる。この場合、プラ
ズマ中に存在するイオンのアシストによるエッチングが
支配的となり、ＡｌＮはエッチングされることになる。
このようにイオンアシストによるエッチングが支配的と
なると、Ａｌが存在する部分と、ＳｉやＣｕが存在する
部分のエッチング速度の差が小さくなる。すなわち、エ
ッチングが化学的なエッチングから、イオンアシストの
エッチングへと変化する境界からエッチング残さが生じ
なくなる。

【００１９】ただし、多量のアンモニアガスの添加を必
要とするため、この境界の存在は、従来は知られていな
かった。我々は、この実験から、この境界がエッチング
用ガスの流量の１／２であることを初めて見いだした。
一方、エッチングレートについて見ると、アンモニアガ
スの添加は好ましくない結果となる。図２に、エッチン
グレートの実験結果を示す。横軸には、Ｌine＆Ｓpac
e：Ｗを示す。ここで、Ｌine＆Ｓpaceとは、マスクパタ
ーン４とパターンのないスペースとが同じ幅で、縞状
に、繰り返し形成されている場合において、そのマスク
パターンの幅をいう。

【００２０】図２より明らかなように、アンモニアガス
の添加により、エッチングレートが、大きく低下してい
ることがわかる。一方、窒素を添加した場合には、あま
りエッチングレートは低下していない。エッチングレー
トが低下すると、エッチング時間が増加するため、製造
工程においては、生産性が低下することになる。このこ
とが原因で、これまでエッチング用ガスに大量にアンモ
ニアガスを添加する試みはなされていなかった。半導体
の製造工程において、生産性は重要な項目であり、現実
には０．２μm／min以上のエッチレートが好ましくは、
必要である。図には示していないが、我々の実験では、
生産性を確保するためには、アンモニアガスの添加は、
多くともエッチング用ガスの流量以下であることが必要
であることがわかった。

【００２１】以上の結果から、Ａｌ合金膜を製造上問題
なくエッチングするには、アンモニアガスを、エッチン
グ用ガスの流量の１／２以上で、エッチング用ガスの流
量以下の割合で添加することが必要であることがわか
る。製造上は、エッチングの度に、ＢＣｌ₃、Ｃｌ₂、Ｎ
Ｈ₃のガスを上記の割合で、混合するよりも、予めエッ
チング用ガスとして、これらが混合されたガスをボンベ
に準備しておく方が好ましい。すなわち、アンモニアガ
スの体積比が、Ａｌをエッチングできるガスの体積の１
／２以上で、１以下の割合で混合されたガスをエッチン
グ用のガスとして、ボンベに準備しておくことが好まし
い。ここで、体積比とは、エッチングの際に、実際にボ
ンベから取り出した状態での混合ガスの体積比をいい、
高圧ボンベ内でガスが液化しているような状態での体積
比を言うものではない。

【００２２】また、本発明は、マイクロロ−ディング効
果の低減に対しても、大きな効果があることを以下に、
説明する。ここで、マイクロローディング効果とは、レ
ジストパターンの粗密により金属膜のエッチレートが変
動することを意味している。すなわち、粗いレジストパ
ターンでは、エッチレートが速く、密なレジストパター
ンでは、エッチレートが遅くなる効果をいう。マイクロ
ローディング効果が小さいほど、レジストパターンの粗
密に関係なく均質なエッチングを行うことができ、微細
化パターンの形成が容易になる。

【００２３】マイクロローディング効果は、一般に、以
下の３つの原因により生じる。( 1)ラジカル分布のパターン依存性レジストパターンが密になると、基板へのラジカルの供
給が小さくなり、エッチレートが減少する。 (2)レジストの反応生成物量のパターン依存性レジストパターンが密になるほど、フォトレジストから
の反応生成物が基板上に多く、存在するため、エッチレ
ートが減少する。 (3)イオンの入射角分布のパターン依存性レジストパターンが密になると、イオンの入射角が小さ
い角度でないと基板にイオンが到達しないので、エッチ
レートが小さくなる。

【００２４】これおらの３つの原因のうち、Ａｌ合金膜
のエッチングの場合は、主に(1),(2)が原因となる。こ
のマイクロローディング効果は、線幅０．４μｍ以下、
線厚０．６５μｍ程度といった微細な金属膜パターンを
形成する場合には、その影響が顕著になって微細パター
ンの形成を妨げる要因となる。

【００２５】しかしながら、特に、アンモニアガスを添
加しない従来のドライエッチング方法では、レジストパ
ターンの反応生成物をエッチング側壁に付着させること
でその形状保護を行うために、フォトレジスト反応生成
物の生成量をレジストパターンの粗密に関係なく均一化
するように制御することができない。また、密なパター
ンには、ラジカルの入射量が少ないため、エッチング速
度は遅くなる。これらの要因のために、マイクロローデ
ィング効果を低減できなかった。さらに、従来のエッチ
ングではＣｌラジカルとＡｌとの反応性が高いため、熱
化学反応が生じる。また、アンモニアガスを添加したと
しても、その流量が小さい場合には、マイクロローディ
ング効果の低減は十分ではない。

【００２６】図３は、マイクロローディング効果の実験
値を示す線図である。横軸にＬine＆Ｓpaceを示し、縦
軸に、マイクロローディング効果を数値化したもの、す
なわち、１．０（μｍ）のＬine＆Ｓpaceにおけるエッ
チレートを１００％とした場合のエッチレートをプロッ
トしている。図３により明らかなように、本発明では、
アンモニアガスを添加しない場合に比べて、エッチレー
トのＬine＆Ｓpaceに対する依存性が小さくなり、マイ
クロローディング効果が大幅に低減されているのがわか
る。

【００２７】以下、本発明のドライエッチング方法にお
けるエッチング過程を詳細に説明して、マイクロローデ
ィング効果が低減されている理由を示す。アンモニアガ
スを添加すると、エッチング用ガス中にＮＨ₂ ⁺,ＮＨ⁺等
のイオンもしくはラジカルと、ＢＣｌ₂ ⁺,Ｃｌ⁺等のイオ
ンあるいはラジカルが生じる。ＮＨ₂ ⁺,ＮＨ⁺等のイオン
もしくはラジカルはＮＨ₃ガスに起因して生じる。一
方、ＢＣｌ₂ ⁺,Ｃｌ⁺等のイオンあるいはラジカルはＢＣ
ｌ₃ガス及びＣｌ₂ガスに起因して生じる。

【００２８】このようなイオンもしくはラジカルを含有
するエッチング用ガスを半導体基板１に供給すると、ま
ず質量の小さいＮＨ₂ ⁺,ＮＨ⁺等のイオンもしくはラジカ
ル（Ｎ原子を含んでいる）がＡｌ合金膜２と反応する。
そのため、エッチング用ガスが供給されたＡｌ合金膜２
の表面にはまず、Ａｌ−Ｎ層が形成されることになる。

【００２９】Ａｌ合金膜２の表面にＡｌ−Ｎ層が形成さ
れたのち、質量の大きいＢＣｌ₂ ⁺,Ｃｌ⁺等のイオンある
いはラジカルがＡｌ合金膜２の表面においてイオンアシ
ストによりＡｌＣｌxＮyを形成する。これがエッチング
生成物となって気化してエッチングが進行する。このと
き、エッチング側壁は先に形成されたＡｌ−Ｎ層によっ
て保護されているので、サイドエッチは防止される。す
なわち、エッチング側壁を保護する層はレジストパター
ン４をスパッタすることで生じる反応生成物ではなく、
エッチング用ガスの成分（ＮＨ₂ ⁺,ＮＨ⁺等のイオンもし
くはラジカル）とＡｌ合金膜２との反応によって形成さ
れる。

【００３０】このような反応を起こすＮＨ₂ ⁺,ＮＨ⁺等の
イオンもしくはラジカルは質量の小さな粒子であるた
め、Ｎ₂ガスを添加した場合と比較して、イオンスパッ
タによるレジストパターン４の分解反応は抑制される。
従って、レジストパターン４の分解反応が抑制されてレ
ジストパターン反応生成物が減少する結果、レジストパ
ターン４に多少の粗密があってもレジストパターン反応
生成物の発生量はあまり変動しなくなる。また、Ａｌ膜
の表面には、塩素ラジカルと反応性の低いＡｌＮが形成
されているため、化学反応によるエッチングは低減さ
れ、イオンアシストによるエッチングが支配的となる。
このため、ＣｌラジカルとＡｌとの熱化学反応は低減さ
れている。そのため、レジストパターン４の粗密によっ
て生じるレジストパターン反応生成物の発生量変動と、
ラジカル分布のパターン依存性を主原因とするエッチレ
ート変動が小さくなり、これによってマイクロローディ
ング効果は低減されることになる。

【００３１】ただし、図４に示すようにマイクロローデ
ィング効果を十分に低減するためには、アンモニアガス
の流量比を２０％以上にすることが必要である。すなわ
ち、一定以上のアンモニアガスの供給がなければ、上記
の効果が十分に得られないからである。本発明では、残
差の観点から、アンモニアガスの流量比を３３％以上と
するので、マイクロローディング効果を低減することに
おいても有効である。

【００３２】なお、本実施例において、エッチング用ガ
スは、ＢＣｌ₃,Ｃｌ₂ガスを用いたが、本発明は、上述
のように、塩素系ガスとして、ＳｉＣｌ₄，ＣＨＣｌ₃，
ＨＣｌの内の少なくとも一つのガスとアンモニア(Ｎ
Ｈ₃)とを混合させたガスでもよく、臭素系のガスとし
て、ＢＢｒ₃，Ｂｒ₂，ＨＢrの内の少なくとも一つのガ
スとアンモニア(ＮＨ₃)とを混合させたガスでもよい。

【００３３】また、本実施例では、金属膜をＡｌ合金膜
２とした場合の例を示したが、この他、次のような金属
を用いた金属膜においても本発明は実施できる。エッチング用ガスとして塩素系ガスとアンモニアとの混
合ガスを用いた場合・Ａｌ（アルミニウム）−Ｓｃ（スカンジウム）合金・Ｇｅ（ゲルマニウム）・Ｔｉ（チタン）・Ｚｒ（ジルコニウム）・Ｍｏ（モリブデン）・Ｗ（タングステン）・Ｃｕ（銅）・Ａｇ（銀）・Ａｕ（金）エッチング用ガスとして臭素系ガスとアンモニアとの混
合ガスを用いた場合・Ａｌ（アルミニウム）−Ｓｃ（スカンジウム）合金・Ｇｅ（ゲルマニウム）・Ｔｉ（チタン）・Ｃｕ（銅）・Ａｇ（銀）エッチング用ガスとしてフッ素系ガスとアンモニアとの
混合ガスを用いた場合・Ｇｅ（ゲルマニウム）・Ｔｉ（チタン）・Ｗ（タングステン）・Ａｇ（銀）・Ａｕ（金）

【００３４】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、ＳｉやＣ
ｕを含むＡｌ合金膜の場合であっても、エッチング残さ
を発生させることなく、微細なパターンにＡｌ合金膜を
ドライエッチングすることができる。すなわち、アンモ
ニアガスの添加を所定の範囲で行うことよって、Ａｌの
表面にアルミナイトライド（ＡｌＮ）を有効に形成し、
Ａｌ合金膜をイオン支援エッチングを主とするメカニズ
ムによりエッチングする。そのため、Ａｌが存在する部
分とＳｉやＣｕが存在する部分のエッチング速度の差を
小さくなり、残さの問題が抑制される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例のドライエッチング工程の前後
におけるＡｌ合金膜の断面の模式図

【図２】各種のエッチングガスにおけるマスクパターン
の幅とエッチングレートとの関係の実験値を示す図

【図３】各種のエッチングガスにおけるマスクパターン
の幅とマイクロローディング効果との関係の実験値を示
す図

【図４】アンモニアガスの流量比に対する、エッチング
後の形状、マイクロローディング効果、およびエッチン
グ残さの関係の実験結果を示した図

【図５】ＢCｌ₃とＣｌ₂の混合ガスにより、Ａｌ膜をド
ライエッチングしたときの断面の模式図

【図６】ＢＣｌ₃とＣｌ₂とＮ₂との混合ガスにより、Ａ
ｌ膜をドライエッチングしたときの断面の模式図

【図７】ＢＣｌ₃とＣｌ₂とＮＨ₃との混合ガスにより、
Ａｌ合金膜をドライエッチングしたときの断面の模式図

【符号の説明】

１基板２Ａｌ合金膜３レジストパターン形成前のフォトレジスト膜４レジストパターン５残さ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板上に合金膜を形成する工程と、
前記合金膜の上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記合金膜をエッ
チング用ガスにアンモニアガスを添加したガスによりド
ライエッチングする工程とからなる合金膜のドライエッ
チング方法において、前記アンモニガスの流量が前記エ
ッチング用ガスの流量の１／２以上で前記エッチングガ
スの流量以下であることを特徴とする合金膜のドライエ
ッチング方法。
【請求項２】前記合金膜が、Ａｌを含むものであること
を特徴とする請求項１に記載のドライエッチング方法。
【請求項３】前記エッチング用ガスは、塩素系のガスで
あることを特徴とする請求項２に記載のドライエッチン
グ方法。
【請求項４】前記塩素系ガスは、ＢＣｌ₃、ＳｉＣｌ₄、
Ｃｌ₂、ＣＨＣｌ₃、または、ＨＣｌの内の少なくとも１
種類以上のガスを含むものであることを特徴とする請求
項３に記載のドライエッチング方法。
【請求項５】前記エッチング用ガスは、臭素系のガスで
あることを特徴とする請求項２に記載のドライエッチン
グ方法。
【請求項６】前記臭素系ガスは、ＢＢｒ₃、Ｂｒ₂、また
は、ＨＢｒの内の少なくとも１種類以上のガスを含むも
のであることを特徴とする請求項５に記載のアルミニウ
ム合金膜のドライエッチング方法。
【請求項７】前記合金膜が、少なくとも銅およびケイ素
の一方を含むものであることを特徴とする請求項２に記
載のアルミニウム合金膜のドライエッチング方法。
【請求項８】塩素系ガスに、前記塩素系ガスの体積比の
１／２以上で１以下の体積比のアンモニアガスを添加し
たエッチング用ガス。
【請求項９】前記塩素系ガスは、ＢＣｌ₃、ＳｉＣｌ₄、
Ｃｌ₂、ＣＨＣｌ₃、または、ＨＣｌの内の少なくとも１
種類以上のガスを含むものであることを特徴とする請求
項８に記載のエッチング用ガス。
【請求項１０】臭素系ガスに、前記臭素系ガスの体積比
の１／２以上で１以下の体積比のアンモニアガスを添加
したエッチング用ガス。
【請求項１１】前記臭素系ガスは、ＢＢｒ₃、Ｂｒ₂、ま
たは、ＨＢｒの内の少なくとも１種類以上のガスを含む
ものであることを特徴とする請求項１０に記載のエッチ
ング用ガス。