JPH09258200A - Liquid crystal display device and its production - Google Patents
Liquid crystal display device and its productionInfo
- Publication number
- JPH09258200A JPH09258200A JP7158696A JP7158696A JPH09258200A JP H09258200 A JPH09258200 A JP H09258200A JP 7158696 A JP7158696 A JP 7158696A JP 7158696 A JP7158696 A JP 7158696A JP H09258200 A JPH09258200 A JP H09258200A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- forming
- light
- shielding film
- liquid crystal
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置、及
びその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、液晶表示装置にはブラックマト
リックスと呼ばれる遮光膜が使用されている。この遮光
膜として、表示画素電極アレイ基板上の表示画素電極を
除いた領域上に絶縁性遮光膜のマトリックスを配置する
方法が提案されている（特開昭６３−６４０２３号公
報）。2. Description of the Related Art Generally, a liquid crystal display device uses a light-shielding film called a black matrix. As this light-shielding film, a method of arranging a matrix of an insulating light-shielding film on a region excluding the display pixel electrodes on the display pixel electrode array substrate has been proposed (JP-A-63-64023).
【０００３】この場合の絶縁性遮光膜は、ポリマーに黒
色染料または補色関係にある２色以上の染料を配合し黒
色化したものを配合し使用するものである。従来、スイ
ッチング素子が配置された表示画素電極アレイ基板とカ
ラーフィルタ上に形成された遮光膜を有する基板との合
わせ精度が通常４〜８μｍあるため、ブラックマトリッ
クスの開口パターンは前後合わせ精度分のマージンを見
込んで設計しなければならなかった。In this case, the insulative light-shielding film is prepared by blending a polymer with a black dye or two or more dyes having a complementary color relationship to be blackened. Conventionally, since the alignment accuracy of the display pixel electrode array substrate on which the switching elements are arranged and the substrate having the light shielding film formed on the color filter is usually 4 to 8 μm, the opening pattern of the black matrix has a margin for the front-back alignment accuracy. I had to design in anticipation.
【０００４】しかし、この方法によれば、これらの合わ
せ精度は３００mm角以上の大基板においても従来に比べ
て１／２程度以下であるため、合わせずれによる開口率
の低下を抑えることができ、バックライト光が回り込ん
でオフ抵抗が低下するのを避けることが可能となる。However, according to this method, the accuracy of these alignments is about 1/2 or less of that of the conventional technique even on a large substrate of 300 mm square or more, so that the reduction of the aperture ratio due to misalignment can be suppressed. It is possible to prevent the OFF resistance from decreasing due to the backlight light coming around.
【０００５】また、他の遮光膜として、遮光膜をレジス
トとして用い、このレジストとしてポリマーに染料，顔
料を分散させたものが実用化されている。また、他の遮
光膜として、スイッチング素子内の金属配線が併用して
いる場合あるいはパッシベーション層内に金属層よりな
る遮光膜を設ける場合などがある。As another light-shielding film, a light-shielding film is used as a resist, and a resist in which dyes and pigments are dispersed in a polymer has been put into practical use. Further, as another light shielding film, a metal wiring in the switching element is also used, or a light shielding film made of a metal layer is provided in the passivation layer.
【０００６】しかし、この場合、導電性の金属を遮光膜
として使用しているため、画素電極と信号線の間の容量
カップリングに基づく画素電極の変動等の問題がある。
このため、本出願人は特願平７−７７４５１号にて、絶
縁体中に金属微粒子を分散させた遮光膜を提案した。即
ち、遮光特性を劣化することなく、映り込みを抑え、し
かも液晶配向特性を劣化することのない遮光膜が提案さ
れている。However, in this case, since a conductive metal is used as the light-shielding film, there is a problem such as fluctuation of the pixel electrode due to capacitive coupling between the pixel electrode and the signal line.
Therefore, the applicant of the present invention has proposed a light-shielding film in which metal fine particles are dispersed in an insulator in Japanese Patent Application No. 7-77451. That is, there has been proposed a light-shielding film that suppresses glare without deteriorating the light-shielding property and further does not deteriorate the liquid crystal alignment property.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、表示画
素電極アレイ基板の下層にこの遮光膜を配置すると、そ
の後の工程で高温の処理が必要となる場合に不都合が生
じることが分かってきた。すなわち、高温の工程によ
り、遮光膜上層部に分散させた金属微粒子が異常成長
し、表面に凹凸が形成され、その上部に形成される薄膜
トランジスタの信頼性を損なう恐れがある。However, it has been found that disposing this light-shielding film in the lower layer of the display pixel electrode array substrate causes inconvenience when a high temperature treatment is required in the subsequent steps. That is, due to the high temperature process, the metal fine particles dispersed in the upper portion of the light-shielding film may abnormally grow, unevenness may be formed on the surface, and the reliability of the thin film transistor formed thereover may be impaired.
【０００８】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、映り込みがなく、液晶配向特性が良好で、充分な遮
光特性を有する遮光膜を使用し、かつ、薄膜トランジス
タ形成面に凹凸が生じない表示画素電極アレイ基板、強
いては良好な表示を行う液晶表示装置を提供することを
目的とする。The present invention has been made in view of the above problems, uses a light-shielding film having no glare, good liquid crystal alignment characteristics, and sufficient light-shielding characteristics, and has unevenness on the thin film transistor formation surface. It is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device that does not display a pixel electrode array substrate, and in other words, displays a good image.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明は、第１の基板
と、前記第１の基板上にマトリクス状に形成された遮光
膜と、前記遮光膜を被覆して形成された絶縁膜と、マト
リクス状に形成された前記遮光膜の交点近傍に形成され
たスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続さ
れた表示画素電極と、を有する表示画素電極アレイ基板
と、前記表示画素電極アレイ基板と対向して配置された
第２の基板と、前記第２の基板の一主面上に形成された
対向電極とを有する対向基板と、前記表示画素電極アレ
イ基板と前記対向基板との間に挟持された液晶と、を有
する液晶表示装置において、前記遮光膜は絶縁体中に少
なくとも金属微粒子または半金属微粒子より選ばれた１
種または２種以上の元素の微粒子が分散してなり、前記
遮光膜を被覆する絶縁膜は複数層からなることを特徴と
する液晶表示装置である。According to the present invention, there is provided a first substrate, a light-shielding film formed in a matrix on the first substrate, and an insulating film formed by covering the light-shielding film. A display pixel electrode array substrate having switching elements formed in the vicinity of the intersections of the light-shielding films formed in a matrix, and display pixel electrodes connected to the switching elements, and facing the display pixel electrode array substrate. Sandwiched between the display pixel electrode array substrate and the counter substrate, and a counter substrate having a second substrate arranged on the main surface of the second substrate and a counter electrode formed on one main surface of the second substrate. In a liquid crystal display device including a liquid crystal, the light-shielding film is selected from at least metal fine particles or semi-metal fine particles in the insulator.
The liquid crystal display device is characterized in that fine particles of one kind or two or more kinds of elements are dispersed, and the insulating film covering the light shielding film is composed of a plurality of layers.
【００１０】また本発明は、第１の基板上に、絶縁体中
に少なくとも金属微粒子または半金属微粒子より選ばれ
た１種または２種以上の元素の微粒子が分散してなる遮
光膜を形成する工程と、前記遮光膜上に絶縁膜を形成す
る工程と、前記スイッチング素子を形成する工程と、前
記スイッチング素子に接続される表示画素電極を形成す
る工程と、を含む表示画素電極アレイ基板を形成する工
程と、第２の基板上に対向電極を形成する工程を含む対
向基板を形成する工程と、前記表示画素電極アレイ基板
と前記対向基板とをシール材を介して貼り合わせる工程
と、前記貼り合わされた表示画素電極と対向基板との間
隙に液晶を注入し封止する工程とを含む液晶表示装置の
製造方法において、前記絶縁膜を形成する工程は、前記
遮光膜に接して形成される第１層を前記遮光膜中に分散
された微粒子の融点より低い温度で形成する第１工程を
含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法である。Further, according to the present invention, a light-shielding film is formed on the first substrate by dispersing at least one kind of fine particles of an element selected from metal fine particles or semi-metal fine particles in an insulator. Forming a display pixel electrode array substrate including a step, a step of forming an insulating film on the light shielding film, a step of forming the switching element, and a step of forming a display pixel electrode connected to the switching element And a step of forming a counter substrate including a step of forming a counter electrode on the second substrate, a step of bonding the display pixel electrode array substrate and the counter substrate with a sealing material, and the bonding step. In the method of manufacturing a liquid crystal display device, including the step of injecting a liquid crystal into a gap between the combined display pixel electrode and the counter substrate and sealing the same, the step of forming the insulating film is performed by contacting the light shielding film. It is a manufacturing method of a liquid crystal display device which comprises a first step of the first layer to form at temperatures below the melting point of the particles dispersed in the light-shielding film to be.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】図１に本発明の他の実施例を示
す。図１は表示画素電極アレイ基板を詳細に説明した断
面図である。ガラスからなる絶縁基板１９の一主面上
に、主にＳｉＯx とＢｉ微粒子よりなる遮光膜（Ｂｉ−
ＳｉＯx 遮光膜）８を形成する。この遮光膜８はスパッ
タによって５０００オングストロームの厚さに堆積し、
所望の形状にエッチング加工して得られている。1 shows another embodiment of the present invention. FIG. 1 is a detailed cross-sectional view of a display pixel electrode array substrate. On the main surface of the insulating substrate 19 made of glass, a light-shielding film (Bi-) mainly made of SiOx and Bi fine particles is formed.
A SiOx light shielding film) 8 is formed. This light-shielding film 8 is deposited to a thickness of 5000 Å by sputtering,
It is obtained by etching into a desired shape.
【００１２】そして、遮光膜８を被覆するように絶縁基
板１９上に複数層から成る絶縁膜２５ａ、２５ｂを形成
する。本実施例の場合、２層とし、第１層２５ａ、第２
層２５ｂとも酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）からなる。Then, insulating films 25a and 25b composed of a plurality of layers are formed on the insulating substrate 19 so as to cover the light shielding film 8. In the case of this embodiment, there are two layers, the first layer 25a and the second layer.
Both layers 25b are made of silicon oxynitride (SiON).
【００１３】次にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘ
ｉｄｅ）とＭｏ−Ｗ（モリブデン−タングステン）合金
を積層成膜し、フォトリソグラフィーによってエッチン
グ加工して、表示画素電極４と一体化したソース電極１
０及びドレイン電極１２を形成する。Next, ITO (Indium Tin Ox)
ide) and a Mo-W (molybdenum-tungsten) alloy are laminated to form a film, and the source electrode 1 is integrated with the display pixel electrode 4 by etching by photolithography.
0 and the drain electrode 12 are formed.
【００１４】次に、枚葉式ＣＶＤ装置でＮ2 雰囲気中で
１５０℃に遮光膜８が形成された絶縁基板１９を加熱す
る。そして、プロセスガスとして、ＳｉＨ4 を２０ｓｃ
ｃｍ、Ｎ2 Ｏを１２０ｓｃｃｍ、Ｎ2 を４００ｓｃｃｍ
の流量とし、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を２００
Ｗ、成膜圧力３Ｔｏｒｒで第１層２５ａのＳｉＯＮを３
０００オングストロームの厚さに形成する。Next, the insulating substrate 19 having the light-shielding film 8 formed thereon is heated at 150 ° C. in an N 2 atmosphere using a single-wafer CVD apparatus. Then, 20 sc of SiH 4 is used as a process gas
cm, N 2 O 120 sccm, N 2 400 sccm
Flow rate of 13.56 MHz high frequency power of 200
W, the film forming pressure is 3 Torr, and the SiON of the first layer 25a is 3 times.
Formed to a thickness of 000 angstroms.
【００１５】続いて、第１層２５ａが形成された絶縁基
板１９を３３０℃に加熱し、他の条件は第１層２５ａ形
成の時と同じにして第２層２５ｂのＳｉＯＮを２０００
オングストロームの厚さに形成する。Subsequently, the insulating substrate 19 on which the first layer 25a is formed is heated to 330 ° C., and the other conditions are the same as those for forming the first layer 25a.
Angstrom thickness.
【００１６】次に、これらを覆うように、能動素子１４
としての膜厚０．１μｍのａ−Ｓｉを、低抵抗層１３と
してのｎ+ｐ−Ｓｉを、ゲート絶縁膜２６としての膜厚
０．４μｍのＳｉＮx 膜を順次積層形成する。Next, the active element 14 is formed so as to cover them.
Of 0.1 μm in thickness, n + p-Si as the low resistance layer 13, and a SiN x film of 0.4 μm in thickness as the gate insulating film 26 are sequentially laminated.
【００１７】続いて、ＡｌとＭｏを積層し、フォトリソ
グラフィーによってエッチング加工してゲート電極１５
を形成する。次に、同一パターンでＳｉＮx 膜をエッチ
ングし、ゲート電極１５のない部分にａ−Ｓｉを露出さ
せる。そして、レジスト剥離後、ゲート電極１５をマス
クとしてａ−Ｓｉ層にＰをドーピングし、さらにＸｅＣ
ｌエキシマレーザーを照射して結晶化させる。Subsequently, Al and Mo are laminated and etched by photolithography to form the gate electrode 15.
To form Next, the SiNx film is etched in the same pattern to expose a-Si at the portion where the gate electrode 15 is not present. After removing the resist, the a-Si layer is doped with P using the gate electrode 15 as a mask, and further XeC is added.
l Excimer laser is irradiated to crystallize.
【００１８】そして、Ｎ型多結晶シリコンを、フォトリ
ソグラフィーによってエッチング加工して、ソース領域
１０とドレイン領域１２を形成する。最後に、全体を例
えばＳｉＮx などの保護膜２７で覆い、画素部と周辺電
極部上の保護膜を除去する。Then, the N type polycrystalline silicon is etched by photolithography to form a source region 10 and a drain region 12. Finally, the whole is covered with a protective film 27 such as SiNx, and the protective film on the pixel portion and the peripheral electrode portion is removed.
【００１９】この時点では、ソース、ドレイン電極と同
様に表示画素電極４はＩＴＯ上に不透明Ｍｏ−Ｗが乗っ
ているので、これもエッチング除去する。以上の工程に
より、本発明の液晶表示装置を得ることができる。At this point, the display pixel electrode 4 has opaque Mo-W on ITO as well as the source and drain electrodes, so that this is also removed by etching. Through the above steps, the liquid crystal display device of the present invention can be obtained.
【００２０】本実施例によれば、絶縁膜を２層とし、遮
光膜に接する層である第１層２５ａを１５０℃というＢ
ｉの融点である２７０℃よりもはるかに低い温度で形成
することで、Ｂｉが異常成長する可能性がなく平坦な表
面の絶縁膜を得ることができる。さらにその上に高温で
第２層２５ｂを形成することにより絶縁性の高い絶縁膜
を形成することができる。即ち、これら第１層、第２層
を組み合わせて形成することにより、絶縁体中にＢｉ微
粒子が分散して成る遮光膜上にも平坦でかつ絶縁性の高
い絶縁膜を形成することができる。According to this embodiment, the insulating film has two layers, and the first layer 25a, which is a layer in contact with the light-shielding film, has a temperature of 150.degree.
By forming at a temperature much lower than 270 ° C. which is the melting point of i, it is possible to obtain an insulating film having a flat surface without the possibility of abnormal growth of Bi. Further, by forming the second layer 25b thereon at a high temperature, an insulating film having a high insulating property can be formed. That is, by forming the first layer and the second layer in combination, it is possible to form a flat and highly insulating insulating film even on the light-shielding film in which Bi particles are dispersed in the insulating material.
【００２１】また、本実施例では２層ともＳｉＯＮで形
成したが、この材質に限定されるものでなく、特にＳｉ
Ｏx は応力が小いのでガラス基板に形成した場合にガラ
ス基板が歪むということがない。また、ＳｉＮx はガラ
スから能動層への汚染を遮断する効果があることが知ら
れており、さらに能動層の下に直接ＳｉＮx が形成され
ている場合、能動層の特性の劣化が少なく非常に相性が
よいことが分かっている。これら各種材料の特性を考慮
して適宜その組み合わせを選択することができる。Further, in the present embodiment, both layers were formed of SiON, but the material is not limited to this and particularly Si is used.
Since Ox has a small stress, the glass substrate will not be distorted when formed on the glass substrate. In addition, SiNx is known to have the effect of blocking contamination from the glass to the active layer, and when SiNx is formed directly under the active layer, the characteristics of the active layer are less likely to deteriorate and are very compatible. I know that is good. The combination can be appropriately selected in consideration of the characteristics of these various materials.
【００２２】また、第１層を形成する温度はＢｉの融点
より低ければよいが、略２００℃以下がより好ましい。
さらに、第２層を形成する温度はＢｉの融点より高い温
度であればよいが、より絶縁性の高い膜を形成するため
には略３００℃以上が好ましい。The temperature for forming the first layer may be lower than the melting point of Bi, but is preferably about 200 ° C. or lower.
Further, the temperature for forming the second layer may be higher than the melting point of Bi, but it is preferably about 300 ° C. or higher for forming a film having higher insulation.
【００２３】また、本発明は図２に示すような多結晶シ
リコンを能動層として用いた薄膜トランジスタの表示画
素電極アレイ基板にも適用できる。絶縁基板１９上に同
様のプロセスで遮光膜８及び第１層の絶縁膜２５ａ、第
２層目の絶縁膜２５ｂが形成されている。The present invention can also be applied to a display pixel electrode array substrate of a thin film transistor using polycrystalline silicon as an active layer as shown in FIG. The light-shielding film 8, the first insulating film 25a, and the second insulating film 25b are formed on the insulating substrate 19 by the same process.
【００２４】さらにその上層にソース領域３０、ドレイ
ン領域３１、及びチャネル領域３２を形成する多結晶シ
リコン層が形成され、チャネル領域の上部にゲート絶縁
膜２６、ゲート電極１５が順次積層されている。Further, a polycrystalline silicon layer forming a source region 30, a drain region 31, and a channel region 32 is formed thereover, and a gate insulating film 26 and a gate electrode 15 are sequentially laminated on the channel region.
【００２５】さらに、全面に絶縁膜３３が形成され、ソ
ース領域３０とドレイン領域３１上に開口された開口部
を介して、ソース電極１０とソース領域３０とが導通さ
れ、ドレイン電極１２とドレイン領域３１とが導通され
ている。Further, the insulating film 33 is formed on the entire surface, the source electrode 10 and the source region 30 are electrically connected to each other through the opening formed on the source region 30 and the drain region 31, and the drain electrode 12 and the drain region are connected. 31 is electrically connected.
【００２６】そして、ソース電極１０に接続された表示
画素電極４が形成されている。このような構成の表示画
素電極アレイ基板以外でも本発明は様々な構成に適用で
きることはいうまでもない。The display pixel electrode 4 connected to the source electrode 10 is formed. It goes without saying that the present invention can be applied to various configurations other than the display pixel electrode array substrate having such a configuration.
【００２７】[0027]
【発明の効果】本発明によれば、遮光膜の表面に複数層
からなる絶縁膜を形成することによって、遮光膜中の金
属微粒子の異常成長を抑えることができる。従って、遮
光膜の表面に凹凸が形成されることがなく、その上に形
成される薄膜トランジスタの信頼性が大幅に向上する。
即ち、「映り込み」がなく、液晶配向特性、及び遮光特
性が充分な遮光膜を用いて良好な表示を行う液晶表示装
置を得ることができる。According to the present invention, by forming an insulating film having a plurality of layers on the surface of the light shielding film, it is possible to suppress abnormal growth of metal fine particles in the light shielding film. Therefore, unevenness is not formed on the surface of the light shielding film, and the reliability of the thin film transistor formed thereon is significantly improved.
That is, it is possible to obtain a liquid crystal display device which does not have "glare" and uses a light-shielding film having sufficient liquid crystal alignment characteristics and light-shielding characteristics to perform good display.
【図１】 本発明の一実施例における液晶表示装置の表
示画素電極アレイ基板の断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of a display pixel electrode array substrate of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
【図２】 本発明の別の実施例における液晶表示装置の
表示画素電極アレイ基板である。FIG. 2 is a display pixel electrode array substrate of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention.
４…表示画素電極 ８…遮光膜 １０…ソース電極 １２…ドレイン電極 １３…低抵抗 １４…能動層 １５…ゲート電極 １９…絶縁基板 ２５ａ、２５ｂ…絶縁膜 ２６…ゲート絶縁膜 ２７…保護膜 4 ... Display pixel electrode 8 ... Shading film 10 ... Source electrode 12 ... Drain electrode 13 ... Low resistance 14 ... Active layer 15 ... Gate electrode 19 ... Insulating substrate 25a, 25b ... Insulating film 26 ... Gate insulating film 27 ... Protective film
Claims (7)
リクス状に形成された遮光膜と、前記遮光膜を被覆して
形成された絶縁膜と、マトリクス状に形成された前記遮
光膜の交点近傍に形成されたスイッチング素子と、前記
スイッチング素子に接続された表示画素電極と、を有す
る表示画素電極アレイ基板と、 前記表示画素電極アレイ基板と対向して配置された第２
の基板と、前記第２の基板の一主面上に形成された対向
電極とを有する対向基板と、 前記表示画素電極アレイ基板と前記対向基板との間に挟
持された液晶と、を有する液晶表示装置において、 前記遮光膜は絶縁体中に少なくとも金属微粒子または半
金属微粒子より選ばれた１種または２種以上の元素の微
粒子が分散してなり、前記遮光膜を被覆する絶縁膜は複
数層からなることを特徴とする液晶表示装置。1. A first substrate, a light-shielding film formed in a matrix on the first substrate, an insulating film formed by covering the light-shielding film, and the light-shielding formed in a matrix. A display pixel electrode array substrate having a switching element formed in the vicinity of the intersection of the films and a display pixel electrode connected to the switching element; and a second pixel arranged to face the display pixel electrode array substrate.
And a liquid crystal sandwiched between the display pixel electrode array substrate and the counter substrate, and a counter substrate having a counter substrate and a counter electrode formed on one main surface of the second substrate. In the display device, the light-shielding film is formed by dispersing at least fine particles of one or more elements selected from metal fine particles or semi-metal fine particles in an insulator, and the insulating film covering the light-shielding film has a plurality of layers. A liquid crystal display device comprising:
料からなることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装
置。2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the plurality of layers forming the insulating film are made of different materials.
リコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンのうちのいずれ
かからなることを特徴とする請求項１または２いずれか
記載の液晶表示装置。3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the plurality of layers forming the insulating film are made of any one of silicon oxide, silicon nitride, and silicon oxynitride.
形成され、複数層から成る前記絶縁膜の前記スイッチン
グ素子と接する層は窒化シリコンからなることを特徴と
する請求項１、２または３いずれか記載の液晶表示装
置。4. The switching element is formed on the insulating film, and a layer of the insulating film composed of a plurality of layers that is in contact with the switching element is made of silicon nitride. The described liquid crystal display device.
金属微粒子または半金属微粒子より選ばれた１種または
２種以上の元素の微粒子が分散してなる遮光膜を形成す
る工程と、前記遮光膜上に絶縁膜を形成する工程と、前
記スイッチング素子を形成する工程と、前記スイッチン
グ素子に接続される表示画素電極を形成する工程と、を
含む表示画素電極アレイ基板を形成する工程と、 第２の基板上に対向電極を形成する工程を含む対向基板
を形成する工程と、 前記表示画素電極アレイ基板と前記対向基板とをシール
材を介して貼り合わせる工程と、前記貼り合わされた表
示画素電極と対向基板との間隙に液晶を注入し封止する
工程とを含む液晶表示装置の製造方法において、 前記絶縁膜を形成する工程は、前記遮光膜に接して形成
される第１層を前記遮光膜中に分散された微粒子の融点
より低い温度で形成する第１工程を含むことを特徴とす
る液晶表示装置の製造方法。5. A step of forming a light-shielding film on the first substrate, in which fine particles of at least one element selected from metal fine particles or metalloid fine particles are dispersed in an insulator, A step of forming a display pixel electrode array substrate including a step of forming an insulating film on the light shielding film, a step of forming the switching element, and a step of forming a display pixel electrode connected to the switching element; A step of forming a counter substrate including a step of forming a counter electrode on a second substrate, a step of bonding the display pixel electrode array substrate and the counter substrate via a sealing material, and the bonded display In a method of manufacturing a liquid crystal display device, including a step of injecting liquid crystal into a gap between a pixel electrode and a counter substrate and sealing the same, the step of forming the insulating film includes a step of forming a first contact layer in contact with the light shielding film. A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising a first step of forming a layer at a temperature lower than a melting point of fine particles dispersed in the light shielding film.
膜に接して形成される第１層を２７０℃以下で形成する
第１工程を含むことを特徴とする請求項５記載の液晶表
示装置の製造方法。6. The liquid crystal display according to claim 5, wherein the step of forming the insulating film includes a first step of forming a first layer formed in contact with the light shielding film at 270 ° C. or lower. Device manufacturing method.
膜に接して形成される第１層を形成する第１工程と、前
記第１層より上層となる第２層を前記第１層を形成した
温度よりも高い温度で形成する第２工程とを含むことを
特徴とする請求項５または６いずれか記載の液晶表示装
置の製造方法。7. The step of forming the insulating film comprises a first step of forming a first layer formed in contact with the light-shielding film, and a second layer which is an upper layer of the first layer. 7. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 5, further comprising a second step of forming the film at a temperature higher than the forming temperature.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7158696A JPH09258200A (en) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | Liquid crystal display device and its production |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7158696A JPH09258200A (en) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | Liquid crystal display device and its production |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09258200A true JPH09258200A (en) | 1997-10-03 |
Family
ID=13464943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7158696A Pending JPH09258200A (en) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | Liquid crystal display device and its production |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09258200A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6567136B1 (en) | 1998-12-14 | 2003-05-20 | Nec Corporation | Liquid crystal display device |
| CN107452758A (en) * | 2017-08-08 | 2017-12-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display base plate and its manufacture method and display device |
-
1996
- 1996-03-27 JP JP7158696A patent/JPH09258200A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6567136B1 (en) | 1998-12-14 | 2003-05-20 | Nec Corporation | Liquid crystal display device |
| CN107452758A (en) * | 2017-08-08 | 2017-12-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display base plate and its manufacture method and display device |
| US10566350B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-02-18 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate, method of manufacturing the same and display device |
| CN107452758B (en) * | 2017-08-08 | 2020-05-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display substrate, manufacturing method thereof and display device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6624864B1 (en) | Liquid crystal display device, matrix array substrate, and method for manufacturing matrix array substrate | |
| JP3240858B2 (en) | Color display | |
| US6373546B1 (en) | Structure of a liquid crystal display and the method of manufacturing the same | |
| US7615783B2 (en) | Thin film transistor array substrate using low dielectric insulating layer and method of fabricating the same | |
| JP3762002B2 (en) | Thin film transistor and liquid crystal display device | |
| US7602452B2 (en) | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same | |
| US20100233834A1 (en) | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same | |
| JPH1041519A (en) | Liquid crystal display device and its manufacture | |
| JPH11340462A (en) | Liquid crystal display and fabrication thereof | |
| JPH1140814A (en) | Thin-film transistor substrate and manufacture thereof, of and liquid crystal display device | |
| JPH09218425A (en) | Liquid crystal display device and its production | |
| KR100493382B1 (en) | Method For Manufacturing of Liquid Crystal Display Device | |
| KR100343307B1 (en) | A method for manufacturing a thin film transistor | |
| JPH08236775A (en) | Film transistor, and its manufacture | |
| TW200422748A (en) | Manufacturing method of optoelectronic substrate, manufacturing method of optoelectronic apparatus, and the optoelectronic apparatus | |
| US6317174B1 (en) | TFT array substrate, liquid crystal display using TFT array substrate, and manufacturing method thereof | |
| US6353464B1 (en) | TFT array substrate, liquid crystal display using TFT array substrate, and manufacturing method thereof in which the interlayer insulating film covers the guard resistance and the short ring | |
| US7235416B2 (en) | Method for fabricating polysilicon liquid crystal display device | |
| JPH09258200A (en) | Liquid crystal display device and its production | |
| US7116389B2 (en) | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same | |
| KR100603852B1 (en) | Method for manufacturing liquid crystal display device using diffraction exposure technique | |
| KR100380894B1 (en) | Liquid crystal display capable of reducing amount of return light to TFT and manufacturing method therefor | |
| JPH1065177A (en) | Thin-film transistor device, manufacturing method thereof, and liquid crystal display device | |
| JPH08313934A (en) | Array substrate, its production, liquid crystal display device and its production | |
| JP3141456B2 (en) | Thin film transistor and method of manufacturing the same |