JPH09246861A - 超電導デバイス装置 - Google Patents
超電導デバイス装置Info
- Publication number
- JPH09246861A JPH09246861A JP4901696A JP4901696A JPH09246861A JP H09246861 A JPH09246861 A JP H09246861A JP 4901696 A JP4901696 A JP 4901696A JP 4901696 A JP4901696 A JP 4901696A JP H09246861 A JPH09246861 A JP H09246861A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superconductor
- superconducting
- antenna
- superconductive
- superconducting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高利得で且つ環境に合わせた自由度の高い通
信用超電導デバイスを提供する。 【解決手段】 ヒーターによる加熱、ペルチェ素子によ
る加熱または吸熱や電界効果による超電導体のキャリヤ
変調等による超電導体−非超電導体間の転移により基板
上に所定の形状の超電導パターンを形成し超電導デバイ
ス装置を得る。自由に超電導デバイス装置を形成、制御
出来るため高利得で且つ環境に合わせた自由度の高い超
電導デバイス装置が得られる。
信用超電導デバイスを提供する。 【解決手段】 ヒーターによる加熱、ペルチェ素子によ
る加熱または吸熱や電界効果による超電導体のキャリヤ
変調等による超電導体−非超電導体間の転移により基板
上に所定の形状の超電導パターンを形成し超電導デバイ
ス装置を得る。自由に超電導デバイス装置を形成、制御
出来るため高利得で且つ環境に合わせた自由度の高い超
電導デバイス装置が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は主に衛星放送（Ｂ
Ｓ）、無線通信、レーダー等電磁波を受発信する装置に
関する。
Ｓ）、無線通信、レーダー等電磁波を受発信する装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】無線通信の世界では情報量の増大に伴い
キャリヤ周波数を上げる、１チャンネルを狭帯域にして
多チャンネル化（多重化）を図るなど資源を有効利用す
る検討が積極的に進められている。この様な状況の中で
材料で大きく注目されているのが超電導体、特に小型冷
凍機が使え使用環境の制限が少なくなった酸化物超電導
体である。
キャリヤ周波数を上げる、１チャンネルを狭帯域にして
多チャンネル化（多重化）を図るなど資源を有効利用す
る検討が積極的に進められている。この様な状況の中で
材料で大きく注目されているのが超電導体、特に小型冷
凍機が使え使用環境の制限が少なくなった酸化物超電導
体である。
【０００３】酸化物超電導体は（ａ）長波からマイクロ
波帯（ミリ波まで）に於て通常の金属に比べ桁違いに損
失が少ない（ｂ）電磁波の侵入がマイスナー効果により
周波数に関係なく一定であるため周波数分散を持たず広
い周波数領域で使用出来る特徴を持っている。
波帯（ミリ波まで）に於て通常の金属に比べ桁違いに損
失が少ない（ｂ）電磁波の侵入がマイスナー効果により
周波数に関係なく一定であるため周波数分散を持たず広
い周波数領域で使用出来る特徴を持っている。
【０００４】これらの特徴を活かしたアプリケーション
の主だったものには （１）超電導アンテナ 使用する電磁波の波長に対してアンテナのサイズを数桁
小さくしてもアンテナの絶対利得は低下しない。即ち極
めて小型のアンテナが可能となる。また超電導アンテナ
には超電導体を用いて初めて成しうる「超利得アンテ
ナ」または「超指向性アンテナ」と呼ばれるアンテナが
ある。いまだ良い特性が得られた報告は無いが図１に示
す様に微小アンテナを近接して配置し、ほぼ逆位相で駆
動させるものであり極めて高指向性で且つ高利得のアン
テナが得られる可能性がある。
の主だったものには （１）超電導アンテナ 使用する電磁波の波長に対してアンテナのサイズを数桁
小さくしてもアンテナの絶対利得は低下しない。即ち極
めて小型のアンテナが可能となる。また超電導アンテナ
には超電導体を用いて初めて成しうる「超利得アンテ
ナ」または「超指向性アンテナ」と呼ばれるアンテナが
ある。いまだ良い特性が得られた報告は無いが図１に示
す様に微小アンテナを近接して配置し、ほぼ逆位相で駆
動させるものであり極めて高指向性で且つ高利得のアン
テナが得られる可能性がある。
【０００５】（２）超電導共振器 水晶振動子より２桁以上高いＱ値の共振器が得られる。
即ちクロック精度が高くなり多チャンネル化が可能にな
る。マイクロ波帯でＱ＝３００万の報告がある。
即ちクロック精度が高くなり多チャンネル化が可能にな
る。マイクロ波帯でＱ＝３００万の報告がある。
【０００６】（３）超電導フィルター 挿入損失が少なく多重極フィルターが可能なため狭帯域
のバンドパスフィルターが出来る。故に多チャンネル化
が可能になる。尚現時点までに１９重極の報告がある。
のバンドパスフィルターが出来る。故に多チャンネル化
が可能になる。尚現時点までに１９重極の報告がある。
【０００７】（４）超電導線路 広帯域、低損失、小型の遅延回路が出来る。
【０００８】などが上げられる。
【０００９】これら超電導デバイスの全般に関しては
Ｍ．Ｎｉｓｅｎｏｆｆの未踏科学技術協会の第２１回新
超電導研究会シンポジューム資料（１９９５）やＤＵＰ
ＯＮＴＳｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙのＴｅｃｈ
ｎｉｃａｌ ＤａｔａＳｈｅｅｔに於て詳しく述べてい
る。アンテナに関してはパッチアンテナが信学技報，Ｓ
ＣＥ９３−１２，ｐｐ７５−７４（１９９３）にスロッ
トアンテナが信学技報，ＭＷ９４−１４３，ｐｐ９−１
３（１９９５）に、ログペリアンテナが第５６回応用物
理学会学術講演会予稿集，２７ａ−Ｒ−１に述べられて
いる。
Ｍ．Ｎｉｓｅｎｏｆｆの未踏科学技術協会の第２１回新
超電導研究会シンポジューム資料（１９９５）やＤＵＰ
ＯＮＴＳｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙのＴｅｃｈ
ｎｉｃａｌ ＤａｔａＳｈｅｅｔに於て詳しく述べてい
る。アンテナに関してはパッチアンテナが信学技報，Ｓ
ＣＥ９３−１２，ｐｐ７５−７４（１９９３）にスロッ
トアンテナが信学技報，ＭＷ９４−１４３，ｐｐ９−１
３（１９９５）に、ログペリアンテナが第５６回応用物
理学会学術講演会予稿集，２７ａ−Ｒ−１に述べられて
いる。
【００１０】これらの超電導デバイスは超電導細線を基
本に構成される２次元的デバイスであり、ＬａＡｌ
Ｏ3、ＮｄＧａＯ3、ＹＳＺ、ｓａｐｐｈｉｒｅ、ＭｇＯ
等酸化物単結晶基板上にＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7、Ｔｌ2Ｂａ2
ＣａＣｕ2０8、Ｔｌ0.5Ｐｂ0.5Ｓｒ2Ｃａ2Ｃｕ3Ｏ9等酸
化物超電導膜をスパッタ法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、レー
ザーアブレーション法等により形成した後、フォトリソ
グラフィによりパターニングして得られる。尚超電導デ
バイスは超電導アンテナ、超電導フィルター、超電導共
振器等を基板上に個々に形成するだけでなく組み合わせ
てモノリシック化する傾向にある。
本に構成される２次元的デバイスであり、ＬａＡｌ
Ｏ3、ＮｄＧａＯ3、ＹＳＺ、ｓａｐｐｈｉｒｅ、ＭｇＯ
等酸化物単結晶基板上にＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7、Ｔｌ2Ｂａ2
ＣａＣｕ2０8、Ｔｌ0.5Ｐｂ0.5Ｓｒ2Ｃａ2Ｃｕ3Ｏ9等酸
化物超電導膜をスパッタ法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、レー
ザーアブレーション法等により形成した後、フォトリソ
グラフィによりパターニングして得られる。尚超電導デ
バイスは超電導アンテナ、超電導フィルター、超電導共
振器等を基板上に個々に形成するだけでなく組み合わせ
てモノリシック化する傾向にある。
【００１１】他にバルク的なアンテナとしてはヘリカル
アンテナがＩＥＩＣＥ ＴＲＡＮＳ．，ＥＬＥＣＴＲＯ
Ｎ．，ＶＯＬ．Ｅ７５−Ｃ，ＮＯ．２，ＦＥＢＲＵＡＲ
Ｙ，１９９２に述べられている。
アンテナがＩＥＩＣＥ ＴＲＡＮＳ．，ＥＬＥＣＴＲＯ
Ｎ．，ＶＯＬ．Ｅ７５−Ｃ，ＮＯ．２，ＦＥＢＲＵＡＲ
Ｙ，１９９２に述べられている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の超伝導
デバイス装置は以下の様な問題を有していた。
デバイス装置は以下の様な問題を有していた。
【００１３】（１）ビルの谷間、機械装置の間、その他
所定の場所のみに電波を送信したい場合その指向は様々
であるため、必要な指向にアンテナを合わせるには都度
アンテナを専用に作る必要があった。またアンテナのセ
ット後に環境が変わった場合は必要な指向のアンテナに
交換しなくてはならなかった。
所定の場所のみに電波を送信したい場合その指向は様々
であるため、必要な指向にアンテナを合わせるには都度
アンテナを専用に作る必要があった。またアンテナのセ
ット後に環境が変わった場合は必要な指向のアンテナに
交換しなくてはならなかった。
【００１４】（２）アンテナの利得は指向性利得×放射
効率で表される様に指向性が強いほど高い。反面指向性
を持つアンテナ、特に超利得アンテナは指向性が強いが
故に他の方向に於ける利得が極端にすくなくなる。その
ため移動体のアンテナの様に方向が頻繁に変わるものに
は使えなかった。
効率で表される様に指向性が強いほど高い。反面指向性
を持つアンテナ、特に超利得アンテナは指向性が強いが
故に他の方向に於ける利得が極端にすくなくなる。その
ため移動体のアンテナの様に方向が頻繁に変わるものに
は使えなかった。
【００１５】（３）電波には使用目的により直線偏波、
円偏波があり、更に波長もＶＬＦの数十ｋｍから現在注
目されているマイクロ波（センチ波ーミリ波）のｍｍ台
まで幅広いためアンテナもそれに合わせ多種となってい
た。
円偏波があり、更に波長もＶＬＦの数十ｋｍから現在注
目されているマイクロ波（センチ波ーミリ波）のｍｍ台
まで幅広いためアンテナもそれに合わせ多種となってい
た。
【００１６】（４）超電導体は広い周波数領域で使える
ことを前に述べたが、超利得アンテナ、フィルター、共
振器は波長に合わせて形状を変える必要がある。即ち超
電導体の持つ周波数依存性の少ない特徴を活かしきって
いない。
ことを前に述べたが、超利得アンテナ、フィルター、共
振器は波長に合わせて形状を変える必要がある。即ち超
電導体の持つ周波数依存性の少ない特徴を活かしきって
いない。
【００１７】（５）超利得アンテナの様にアンテナの素
子数が増えるほど指向性は向上するが反面給電の制御が
困難になる。これが超利得アンテナに関して未だ良い報
告がなされていない因子の一つとなっている。
子数が増えるほど指向性は向上するが反面給電の制御が
困難になる。これが超利得アンテナに関して未だ良い報
告がなされていない因子の一つとなっている。
【００１８】本発明は以上述べた問題点を解決するもの
であり、高利得で且つ環境に合わせた自由度の高い超電
導デバイスを低コストで容易に得んとするものである。
であり、高利得で且つ環境に合わせた自由度の高い超電
導デバイスを低コストで容易に得んとするものである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明よりなる超伝導デバイス装置は超電導体の一
部を非超電導体に、または非超電導体の一部を超電導体
に転移させパターニングすることによりアンテナ、フィ
ルター、遅延回路、共振器またはそれらのモノリシック
デバイスを形成すること、超電導体の一部を非超電導体
に、または非超電導体の一部を超電導体に転移させるこ
とによりアンテナへの給電経路長を変え給電の位相を変
調することを特徴とする。ここで超電導体−非超電導間
の転移をする材料は薄膜であるかバルクであるかは問わ
ないが精度を要求する超利得アンテナやモノリシック化
デバイスを作製する上では薄膜が適している。更に超電
導体、非超電導体間の転移を電界効果によるキャリヤ変
調により行うこと、超電導体、非超電導体間の転移を超
電導体に隣接したヒーターまたはペルチェ素子により行
うことを特徴とする。更に超電導体と非超電導体のパタ
ーンの移動や回転によりアンテナの指向をスキャンさせ
た後検出電磁波の強い方向にアンテナの指向を合わせ超
電導体、非超電導体のパターンを固定したこと、双安定
な強誘電体のメモリ効果により超電導体と非超電導体の
パターンの固定を行うことを特徴とする。更に基板上に
所定の形状でパターニングした超電導アンテナの上に該
アンテナの給電部にコンタクトホールを持つ絶縁膜を形
成し、更に該絶縁膜上に一部コンタクトホールに於いて
給電部に接合する所定の給電位相に長さを調整した給電
経路を形成したこと、基板の片面にアンテナを、一方の
片面に所定の長さの給電経路を形成し、該アンテナの給
電部と給電経路を基板に穿孔せるコンタクトホールに於
いて接合することを特徴とする。尚超指向性アンテナは
位相差給電を高精度で行い初めて成しうるため、給電経
路は精度が高くなくてはならない。更に本発明よりなる
超電導デバイス装置は超電導体−非超電導体間を転移す
る平面体または膜上に変調素子をマトリックス状に配
し、変調による転移により形成される超電導体の集合体
により成ることを特徴とする。
に、本発明よりなる超伝導デバイス装置は超電導体の一
部を非超電導体に、または非超電導体の一部を超電導体
に転移させパターニングすることによりアンテナ、フィ
ルター、遅延回路、共振器またはそれらのモノリシック
デバイスを形成すること、超電導体の一部を非超電導体
に、または非超電導体の一部を超電導体に転移させるこ
とによりアンテナへの給電経路長を変え給電の位相を変
調することを特徴とする。ここで超電導体−非超電導間
の転移をする材料は薄膜であるかバルクであるかは問わ
ないが精度を要求する超利得アンテナやモノリシック化
デバイスを作製する上では薄膜が適している。更に超電
導体、非超電導体間の転移を電界効果によるキャリヤ変
調により行うこと、超電導体、非超電導体間の転移を超
電導体に隣接したヒーターまたはペルチェ素子により行
うことを特徴とする。更に超電導体と非超電導体のパタ
ーンの移動や回転によりアンテナの指向をスキャンさせ
た後検出電磁波の強い方向にアンテナの指向を合わせ超
電導体、非超電導体のパターンを固定したこと、双安定
な強誘電体のメモリ効果により超電導体と非超電導体の
パターンの固定を行うことを特徴とする。更に基板上に
所定の形状でパターニングした超電導アンテナの上に該
アンテナの給電部にコンタクトホールを持つ絶縁膜を形
成し、更に該絶縁膜上に一部コンタクトホールに於いて
給電部に接合する所定の給電位相に長さを調整した給電
経路を形成したこと、基板の片面にアンテナを、一方の
片面に所定の長さの給電経路を形成し、該アンテナの給
電部と給電経路を基板に穿孔せるコンタクトホールに於
いて接合することを特徴とする。尚超指向性アンテナは
位相差給電を高精度で行い初めて成しうるため、給電経
路は精度が高くなくてはならない。更に本発明よりなる
超電導デバイス装置は超電導体−非超電導体間を転移す
る平面体または膜上に変調素子をマトリックス状に配
し、変調による転移により形成される超電導体の集合体
により成ることを特徴とする。
【００２０】尚超電導体の種類は問わないが酸化物超電
導体は臨界温度が高いため使用環境の制限が少なく、ま
た金属系よりキャリヤ密度が少なくキャリヤの変調がし
易いため好ましい。
導体は臨界温度が高いため使用環境の制限が少なく、ま
た金属系よりキャリヤ密度が少なくキャリヤの変調がし
易いため好ましい。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、実施例に従って本発明を詳
細に説明していく。
細に説明していく。
【００２２】（実施例１）本発明よりなる超伝導アレー
アンテナの平面図を図１に、Ａ−Ａ’断面図を図２に、
Ｂ−Ｂ’断面図を図３に示す。ＬａＡｌＯ3単結晶基板
１の上に図１に示す様にパターニングしたＹＢａ2Ｃｕ3
０7-xよりなる超電導アンテナ２、更にその上に形成さ
れたＺｒＯ2よりなる保護膜３、Ｎｉ−Ｃｒ金属よりな
るヒーター４、ＺｒＯ2よりなる第２保護膜５、ＹＢａ2
Ｃｕ3０7-xよりなる給電経路６により構成される。
アンテナの平面図を図１に、Ａ−Ａ’断面図を図２に、
Ｂ−Ｂ’断面図を図３に示す。ＬａＡｌＯ3単結晶基板
１の上に図１に示す様にパターニングしたＹＢａ2Ｃｕ3
０7-xよりなる超電導アンテナ２、更にその上に形成さ
れたＺｒＯ2よりなる保護膜３、Ｎｉ−Ｃｒ金属よりな
るヒーター４、ＺｒＯ2よりなる第２保護膜５、ＹＢａ2
Ｃｕ3０7-xよりなる給電経路６により構成される。
【００２３】本実施例の作製プロセス、構造のポイント
は次の通りである。基板１にＬａＡｌＯ3単結晶を用い
た理由は低誘電率（ε＝１０）で且つＹＢａ2Ｃｕ3０
7-xと格子定数の整合性に優れているためである。先ず
該基板１に真空中に於て酸素プラズマを照射し、表面の
洗浄で取れない汚れやアモルファス層を除去し、更に大
気に晒す事なくプラズマフラッシュ法によりＹＢａ2Ｃ
ｕ3０7-x膜を基板温度５５０〜６００℃、成膜レート１
〜５Å／ｓｅｃ．の条件で１００〜５００ｎｍ形成す
る。プラズマフラッシュ法はスパッタ法や蒸着法に比べ
桁違いに速い成膜レートでエピタキシャル成長膜が形成
できるため採用した。この条件により得られる超電導膜
はＴｃ＝９０Ｋ、Ｊｃ＝１×１０6Ａ／ｃｍ2（７７Ｋ）
である。次にＹＢａ2Ｃｕ3０7-x膜を図１に示す形状に
フォトリグラフィによりパターニングし５素子の超電導
アンテナ２を形成する。この超電導アンテナは図１では
略してあるがダイポールアンテナであり給電は中央部で
行う。次に中央部の給電部７を除く面に保護膜３となる
ＺｒＯ2をプラズマフラッシュ法により２００〜１００
０ｎｍ形成する。更に中央部の給電部７を除き、図１と
ほぼ同じパターンに成るように金属マスクを用いヒータ
ー４となるＮｉ−Ｃｒ金属を２００〜１０００ｎｍ形成
する。ここで超電導アンテナ２とヒーター４の間に保護
膜３を形成したのは作製過程に於ける超電導アンテナ２
の劣化防止と超電導アンテナ２とヒーター４との線膨張
係数の違いによる冷却過程またはヒーター４の加熱時に
於ける超電導アンテナ２の歪による劣化、ヒーター４の
剥離防止のためである。そのため保護膜３には酸化物、
金属共に相性（密着性）が良い材料が必要である。Ｚｒ
Ｏ2の他にはＴｉＯ2、ＨｆＯ2またはそれらの混合物が
適している。これ以外の酸化物を用いる場合は保護膜３
とヒーター４の間に数ｎｍ程度のＴｉまたはＺｒ膜を形
成するとよい。更に給電部７を除く面に第２保護膜５を
１００ｎｍ形成する。この第２保護膜は後に形成する給
電経路６とヒーター４を絶縁させるためのものである。
次に超電導アンテナ２の給電部７を酸素プラズマに晒し
クリーニングした後全面にプラズマフラッシュ法により
超電導アンテナ２と接合するＹＢａ2Ｃｕ3０7-x膜を基
板温度５００℃、成膜レート１００Å／ｓｅｃ．の条件
で２〜５μ形成する。次に該ＹＢａ2Ｃｕ3０7-x膜をフ
ォトリソグラフィーによりパターニングし給電の位相調
整をした給電経路６を形成する。給電経路６の形成に精
度の高いフォトリソグラフィ工程を導入出来る構造であ
るため精密な給電経路６が出来る。
は次の通りである。基板１にＬａＡｌＯ3単結晶を用い
た理由は低誘電率（ε＝１０）で且つＹＢａ2Ｃｕ3０
7-xと格子定数の整合性に優れているためである。先ず
該基板１に真空中に於て酸素プラズマを照射し、表面の
洗浄で取れない汚れやアモルファス層を除去し、更に大
気に晒す事なくプラズマフラッシュ法によりＹＢａ2Ｃ
ｕ3０7-x膜を基板温度５５０〜６００℃、成膜レート１
〜５Å／ｓｅｃ．の条件で１００〜５００ｎｍ形成す
る。プラズマフラッシュ法はスパッタ法や蒸着法に比べ
桁違いに速い成膜レートでエピタキシャル成長膜が形成
できるため採用した。この条件により得られる超電導膜
はＴｃ＝９０Ｋ、Ｊｃ＝１×１０6Ａ／ｃｍ2（７７Ｋ）
である。次にＹＢａ2Ｃｕ3０7-x膜を図１に示す形状に
フォトリグラフィによりパターニングし５素子の超電導
アンテナ２を形成する。この超電導アンテナは図１では
略してあるがダイポールアンテナであり給電は中央部で
行う。次に中央部の給電部７を除く面に保護膜３となる
ＺｒＯ2をプラズマフラッシュ法により２００〜１００
０ｎｍ形成する。更に中央部の給電部７を除き、図１と
ほぼ同じパターンに成るように金属マスクを用いヒータ
ー４となるＮｉ−Ｃｒ金属を２００〜１０００ｎｍ形成
する。ここで超電導アンテナ２とヒーター４の間に保護
膜３を形成したのは作製過程に於ける超電導アンテナ２
の劣化防止と超電導アンテナ２とヒーター４との線膨張
係数の違いによる冷却過程またはヒーター４の加熱時に
於ける超電導アンテナ２の歪による劣化、ヒーター４の
剥離防止のためである。そのため保護膜３には酸化物、
金属共に相性（密着性）が良い材料が必要である。Ｚｒ
Ｏ2の他にはＴｉＯ2、ＨｆＯ2またはそれらの混合物が
適している。これ以外の酸化物を用いる場合は保護膜３
とヒーター４の間に数ｎｍ程度のＴｉまたはＺｒ膜を形
成するとよい。更に給電部７を除く面に第２保護膜５を
１００ｎｍ形成する。この第２保護膜は後に形成する給
電経路６とヒーター４を絶縁させるためのものである。
次に超電導アンテナ２の給電部７を酸素プラズマに晒し
クリーニングした後全面にプラズマフラッシュ法により
超電導アンテナ２と接合するＹＢａ2Ｃｕ3０7-x膜を基
板温度５００℃、成膜レート１００Å／ｓｅｃ．の条件
で２〜５μ形成する。次に該ＹＢａ2Ｃｕ3０7-x膜をフ
ォトリソグラフィーによりパターニングし給電の位相調
整をした給電経路６を形成する。給電経路６の形成に精
度の高いフォトリソグラフィ工程を導入出来る構造であ
るため精密な給電経路６が出来る。
【００２４】尚超電導アンテナ２と給電経路６間の互い
に接合していない部分に保護膜３、第２保護膜５を介し
て金属または超電導体よりなるシールド膜を形成し超電
導アンテナ２と給電経路６の干渉を防止する場合もあ
る。以上により超電導デバイス装置を得る。
に接合していない部分に保護膜３、第２保護膜５を介し
て金属または超電導体よりなるシールド膜を形成し超電
導アンテナ２と給電経路６の干渉を防止する場合もあ
る。以上により超電導デバイス装置を得る。
【００２５】この様にして得られた超電導デバイス装置
の５素子アンテナとヒーター４に通電し加熱することに
より２素子を非超電導化した３素子アンテナの指向性と
利得を評価した。周波数は１０ＧＨｚであり、冷却温度
は７７Ｋである。
の５素子アンテナとヒーター４に通電し加熱することに
より２素子を非超電導化した３素子アンテナの指向性と
利得を評価した。周波数は１０ＧＨｚであり、冷却温度
は７７Ｋである。
【００２６】結果を図４と図５に示す。それぞれ５素子
アンテナと３素子アンテナである。先ず図４に於て指向
性の高い超利得アンテナが出来ていることが判る。これ
は超電導アンテナの寸法、位相差給電が精密に出来てい
るためである。また図４と図５からヒーター４に通電し
て超電導体を非超電導体に転移させることによりアンテ
ナの指向性が制御されていることが判る。
アンテナと３素子アンテナである。先ず図４に於て指向
性の高い超利得アンテナが出来ていることが判る。これ
は超電導アンテナの寸法、位相差給電が精密に出来てい
るためである。また図４と図５からヒーター４に通電し
て超電導体を非超電導体に転移させることによりアンテ
ナの指向性が制御されていることが判る。
【００２７】（実施例２）本発明よりなる給電経路６の
平面図を図６と図８にＣ−Ｃ’に於ける断面図を図９に
示す。ＬａＡｌＯ3単結晶基板１の上に図６に示す様に
パターニングしたＹＢａ2Ｃｕ3０7-xよりなる超電導給
電経路６、更にその上にＺｒＯ2よりなる保護膜３ａ、
Ｎｉ−Ｃｒ金属よりなるヒーター４ａにより構成され
る。図６のλは使用する電波の実効波長を示す。
平面図を図６と図８にＣ−Ｃ’に於ける断面図を図９に
示す。ＬａＡｌＯ3単結晶基板１の上に図６に示す様に
パターニングしたＹＢａ2Ｃｕ3０7-xよりなる超電導給
電経路６、更にその上にＺｒＯ2よりなる保護膜３ａ、
Ｎｉ−Ｃｒ金属よりなるヒーター４ａにより構成され
る。図６のλは使用する電波の実効波長を示す。
【００２８】本実施例の作製プロセス、構造のポイント
は次の通りである。実施例１と同様に基板１に真空中に
於て酸素プラズマを照射した後大気に晒す事なくプラズ
マフラッシュ法によりＢｉ1.5Ｐｂ0.5Ｓｒ2Ｃａ2Ｃｕ3
Ｏy膜を基板温度６００℃、成膜レート１〜５Å／ｓｅ
ｃ．の条件で２００〜４００ｎｍ形成する。この条件に
より得られる超電導膜はＴｃ＝１０３Ｋ、Ｊｃ＝３×１
０6Ａ／ｃｍ2（７７Ｋ）である。次にＢｉ1.5Ｐｂ0.5Ｓ
ｒ2Ｃａ2Ｃｕ3Ｏy膜を図６に示す形状にフォトリグラフ
ィによりパターニングし給電経路６を形成する。次に全
面に保護膜３ａとなるＺｒＯ2をプラズマフラッシュ法
により２００〜１０００ｎｍ形成する。更に給電経路６
のループの部分に金属マスクを用い図７に示した形状の
ＮｉーＣｒよりなるヒーター４Ａ、ヒーター４Ｂをそれ
ぞれループの形状に合うように２００〜１０００ｎｍ形
成する。以上により超電導デバイス装置を作製した。
は次の通りである。実施例１と同様に基板１に真空中に
於て酸素プラズマを照射した後大気に晒す事なくプラズ
マフラッシュ法によりＢｉ1.5Ｐｂ0.5Ｓｒ2Ｃａ2Ｃｕ3
Ｏy膜を基板温度６００℃、成膜レート１〜５Å／ｓｅ
ｃ．の条件で２００〜４００ｎｍ形成する。この条件に
より得られる超電導膜はＴｃ＝１０３Ｋ、Ｊｃ＝３×１
０6Ａ／ｃｍ2（７７Ｋ）である。次にＢｉ1.5Ｐｂ0.5Ｓ
ｒ2Ｃａ2Ｃｕ3Ｏy膜を図６に示す形状にフォトリグラフ
ィによりパターニングし給電経路６を形成する。次に全
面に保護膜３ａとなるＺｒＯ2をプラズマフラッシュ法
により２００〜１０００ｎｍ形成する。更に給電経路６
のループの部分に金属マスクを用い図７に示した形状の
ＮｉーＣｒよりなるヒーター４Ａ、ヒーター４Ｂをそれ
ぞれループの形状に合うように２００〜１０００ｎｍ形
成する。以上により超電導デバイス装置を作製した。
【００２９】この超電導デバイス装置のヒーター４Ａに
通電し部分的に給電経路６の超電導体を非超電導体に転
移させると図８（Ａ)の経路となり、同様にヒーター４
Ｂに通電すると図８（Ｂ）の経路となり、λ／２の距離
差を作れる。更にヒーター４Ａ、ヒーター４Ｂ共に通電
すると給電を止めることが出来る。この様な経路を組み
合わせるとアンテナへの給電を精密に容易に制御でき
る。即ち効率良く且つ容易に指向性を制御出来る。特に
位相をずらして多素子に給電する超利得アンテナに適し
ている。
通電し部分的に給電経路６の超電導体を非超電導体に転
移させると図８（Ａ)の経路となり、同様にヒーター４
Ｂに通電すると図８（Ｂ）の経路となり、λ／２の距離
差を作れる。更にヒーター４Ａ、ヒーター４Ｂ共に通電
すると給電を止めることが出来る。この様な経路を組み
合わせるとアンテナへの給電を精密に容易に制御でき
る。即ち効率良く且つ容易に指向性を制御出来る。特に
位相をずらして多素子に給電する超利得アンテナに適し
ている。
【００３０】尚基板上に給電経路６を直接形成する方法
で説明したが実施例１の超電導アンテナと組み合わせる
と断面は図１０の様になる。また図１０に於いては超電
導アンテナ２と給電経路６を保護膜３、第２保護膜５を
介して形成しているが図１１に示す様に基板１の片面に
超電導アンテナ２を、別片面に所定の給電位相に長さを
調整した超電導給電経路６を形成し、基板１に穿孔した
コンタクトホール１３にを通じてアンテナの給電部と給
電経路６を接合してもアンテナへの給電を精密に制御出
来るため何等差し支えない。この方法では基板１に薄肉
化が可能で選択異方性エッチングが出来、コンタクトホ
ール１３の形成がし易いＳｉウエハーを用いることが好
ましい。Ｓｉ基板とＢｉ1.5Ｐｂ0.5Ｓｒ2Ｃａ2Ｃｕ3Ｏy
膜が反応する場合はＺｒＯ2、ＹＳＺ、ｓａｐｐｈｉｒ
ｅからなるバッファー層を基板１との中間部に形成する
と良い。
で説明したが実施例１の超電導アンテナと組み合わせる
と断面は図１０の様になる。また図１０に於いては超電
導アンテナ２と給電経路６を保護膜３、第２保護膜５を
介して形成しているが図１１に示す様に基板１の片面に
超電導アンテナ２を、別片面に所定の給電位相に長さを
調整した超電導給電経路６を形成し、基板１に穿孔した
コンタクトホール１３にを通じてアンテナの給電部と給
電経路６を接合してもアンテナへの給電を精密に制御出
来るため何等差し支えない。この方法では基板１に薄肉
化が可能で選択異方性エッチングが出来、コンタクトホ
ール１３の形成がし易いＳｉウエハーを用いることが好
ましい。Ｓｉ基板とＢｉ1.5Ｐｂ0.5Ｓｒ2Ｃａ2Ｃｕ3Ｏy
膜が反応する場合はＺｒＯ2、ＹＳＺ、ｓａｐｐｈｉｒ
ｅからなるバッファー層を基板１との中間部に形成する
と良い。
【００３１】（実施例３）超電導フィルター（多重極バ
ンドパスフィルター）は図１２に示す様に使用する基板
１等の誘電率を限定した場合、ｈ，ｄ，ｌのサイズを周
波数に合わせて調節する。即ちこの調節は超電導体−非
超電導体の転移を利用しても調整可能である。中心周波
数２０ＧＨｚのバンドパスフィルターにパターニングし
た超電導フィルターを中心周波数１５ＧＨｚに合わせて
超電導ー非超電導転移により所定のｈ，ｄ，ｌに調節し
た。超電導ー非超電導の転移はヒーター、ペルチェ素子
と電界効果素子により行った。
ンドパスフィルター）は図１２に示す様に使用する基板
１等の誘電率を限定した場合、ｈ，ｄ，ｌのサイズを周
波数に合わせて調節する。即ちこの調節は超電導体−非
超電導体の転移を利用しても調整可能である。中心周波
数２０ＧＨｚのバンドパスフィルターにパターニングし
た超電導フィルターを中心周波数１５ＧＨｚに合わせて
超電導ー非超電導転移により所定のｈ，ｄ，ｌに調節し
た。超電導ー非超電導の転移はヒーター、ペルチェ素子
と電界効果素子により行った。
【００３２】ヒーターとペルチェ素子による変調は温度
（発熱または吸熱）による変調であり実施例２と変調素
子がヒーターからペルチェ素子に置き変わるだけであり
基本構造は変わらないため省略し電界効果による超電導
デバイス装置に付いて説明する。電界効果素子の断面図
を図１３に示す。構造は誘電体膜９と電極１０からな
り、電極１０に電界を加えることにより誘電体膜９を分
極させ超電導体８内のキャリヤを直接変調し超電導体−
非超電導体の転移を行うものである。そのため超電導体
にキャリヤ密度が金属系に比べ１桁少なく変調のし易い
酸化物超電導体が好ましい。このタイプはヒーターの様
に常時超電導体を非超電導体に転移させるだけでなくと
ペルチェ素子と同じ様に常時非超電導体を非超電導体
に、常時超電導体を非超電導体に両方転移が可能であ
る。
（発熱または吸熱）による変調であり実施例２と変調素
子がヒーターからペルチェ素子に置き変わるだけであり
基本構造は変わらないため省略し電界効果による超電導
デバイス装置に付いて説明する。電界効果素子の断面図
を図１３に示す。構造は誘電体膜９と電極１０からな
り、電極１０に電界を加えることにより誘電体膜９を分
極させ超電導体８内のキャリヤを直接変調し超電導体−
非超電導体の転移を行うものである。そのため超電導体
にキャリヤ密度が金属系に比べ１桁少なく変調のし易い
酸化物超電導体が好ましい。このタイプはヒーターの様
に常時超電導体を非超電導体に転移させるだけでなくと
ペルチェ素子と同じ様に常時非超電導体を非超電導体
に、常時超電導体を非超電導体に両方転移が可能であ
る。
【００３３】得られた超電導デバイス装置を２０ＧＨｚ
対応から１５ＧＨｚ対応に変調した後中心周波数１５Ｇ
Ｈｚに於ける挿入損失を調べた。結果を表１に超電導体
ー非超電導体転移の変調方法別に示した。
対応から１５ＧＨｚ対応に変調した後中心周波数１５Ｇ
Ｈｚに於ける挿入損失を調べた。結果を表１に超電導体
ー非超電導体転移の変調方法別に示した。
【００３４】
【表１】
【００３５】表１より判る様にフォトリソのみによりパ
ターニングした超電導フィルターの挿入損失は０．５ｄ
Ｂであるため若干本発明の特性は劣るが理想的な銅薄膜
のシミュレーションによる挿入損失は５．４ｄＢである
ため低損失と言える。即ち低損失に周波数に対応した変
調が出来るため、周波数依存性の少ない超電導フィルタ
ーが出来る。
ターニングした超電導フィルターの挿入損失は０．５ｄ
Ｂであるため若干本発明の特性は劣るが理想的な銅薄膜
のシミュレーションによる挿入損失は５．４ｄＢである
ため低損失と言える。即ち低損失に周波数に対応した変
調が出来るため、周波数依存性の少ない超電導フィルタ
ーが出来る。
【００３６】尚電界効果変調の挿入損失が少ないのは電
界効果はデプレッションが形成出来て超電導体を絶縁体
に極めて近く出来るためと考えられる。
界効果はデプレッションが形成出来て超電導体を絶縁体
に極めて近く出来るためと考えられる。
【００３７】また誘電体膜９に双安定な強誘電体を用い
ると変調した形状を記憶固定させることが出来る。
ると変調した形状を記憶固定させることが出来る。
【００３８】（実施例４）本発明よりなる超電導アンテ
ナを図１４に示す。断面構造は図３、または図１２とほ
ぼ同じである。
ナを図１４に示す。断面構造は図３、または図１２とほ
ぼ同じである。
【００３９】基板１上に超電導アレーアンテナ１１を放
射状に複数個形成したものであり、ヒーター、ペルチェ
素子、電界効果素子など変調素子はそれぞれの超電導ア
レーアンテナ１１に個々に形成されている。基本的な作
製方法は実施例１と同じである。
射状に複数個形成したものであり、ヒーター、ペルチェ
素子、電界効果素子など変調素子はそれぞれの超電導ア
レーアンテナ１１に個々に形成されている。基本的な作
製方法は実施例１と同じである。
【００４０】本実施例では超指向性アンテナの利得の低
い方向を超指向性アンテナを放射状に配置することで補
っている。この様な配置は相手の方位が不明の場合、方
位が頻繁に変わる移動体用に適している。方位が一定の
場合は交信する方位が判明した場合は図１５に示す様に
変調素子によりブロック別に超電導体を非超電導体に転
移させると限られた方向のみに指向性を持たせることが
出来る。
い方向を超指向性アンテナを放射状に配置することで補
っている。この様な配置は相手の方位が不明の場合、方
位が頻繁に変わる移動体用に適している。方位が一定の
場合は交信する方位が判明した場合は図１５に示す様に
変調素子によりブロック別に超電導体を非超電導体に転
移させると限られた方向のみに指向性を持たせることが
出来る。
【００４１】また動作する超電導アレーアンテナ１１を
変調素子により１本にして且つ動作する超電導アレーア
ンテナを一つずつ移動回転させると指向性の強いビーム
をスキャンさせることが出来る。電界効果素子はｎｓ〜
ｐｓ台で高速にスイッチ出来るため電界効果素子を変調
に用いるとモーター等による機械的回転に比べ極めて高
速にスキャンすることが出来る。
変調素子により１本にして且つ動作する超電導アレーア
ンテナを一つずつ移動回転させると指向性の強いビーム
をスキャンさせることが出来る。電界効果素子はｎｓ〜
ｐｓ台で高速にスイッチ出来るため電界効果素子を変調
に用いるとモーター等による機械的回転に比べ極めて高
速にスキャンすることが出来る。
【００４２】（実施例５）本発明よりなる超電導デバイ
ス装置を図１６に示す。基板状に形成した超電導体膜８
と微細化し且つマトリックス化したヒーター、ペルチェ
素子、電界効果素子など変調素子１２から構成される。
ス装置を図１６に示す。基板状に形成した超電導体膜８
と微細化し且つマトリックス化したヒーター、ペルチェ
素子、電界効果素子など変調素子１２から構成される。
【００４３】実施例１〜実施例４に於いては超電導アン
テナ、超電導給電経路、超電導フィルター等を予めパタ
ーニングを行った後部分的に変調する方式で本発明を説
明してきたが、本実施例は超電導膜８を殆どパターニン
グしないものである。微細化した変調素子１２を用いる
と超電導体ー非超電導体のパターンも微細に制御でき、
また変調素子１２をマトリックス状に配列したことによ
り自由な位置に自由な超電導デバイス装置を形成でき
る。即ち真白なキャンパス（加工の無い超電導膜８）に
自由に絵（超電導体と非超電導体のパターン）を描く様
なものであり極めて自由度が高い。
テナ、超電導給電経路、超電導フィルター等を予めパタ
ーニングを行った後部分的に変調する方式で本発明を説
明してきたが、本実施例は超電導膜８を殆どパターニン
グしないものである。微細化した変調素子１２を用いる
と超電導体ー非超電導体のパターンも微細に制御でき、
また変調素子１２をマトリックス状に配列したことによ
り自由な位置に自由な超電導デバイス装置を形成でき
る。即ち真白なキャンパス（加工の無い超電導膜８）に
自由に絵（超電導体と非超電導体のパターン）を描く様
なものであり極めて自由度が高い。
【００４４】以上実施例に於いては超電導体にＹＢａ2
Ｃｕ3０7-x系とＢｉ1.5Ｐｂ0.5Ｓｒ2Ｃａ2Ｃｕ3Ｏy系を
用いたが他の酸化物超電導体を用いてもよく、超電導体
ー非超電導体の転移を行う変調方法を限定すれば超電導
体はＮｂ等金属系やＮｂ3Ｇｅ等化合物系であっても差
し支えない。また超電導体ー非超電導体転移にヒータ
ー、ペルチェ素子、電界効果素子を用い説明したが光の
照射等他の転移方法であっても良く、変調性の高い薄膜
による応用が好ましいがヘリカルアンテナ等バルク的な
ものでも効果は同じであり何等差し支えない。
Ｃｕ3０7-x系とＢｉ1.5Ｐｂ0.5Ｓｒ2Ｃａ2Ｃｕ3Ｏy系を
用いたが他の酸化物超電導体を用いてもよく、超電導体
ー非超電導体の転移を行う変調方法を限定すれば超電導
体はＮｂ等金属系やＮｂ3Ｇｅ等化合物系であっても差
し支えない。また超電導体ー非超電導体転移にヒータ
ー、ペルチェ素子、電界効果素子を用い説明したが光の
照射等他の転移方法であっても良く、変調性の高い薄膜
による応用が好ましいがヘリカルアンテナ等バルク的な
ものでも効果は同じであり何等差し支えない。
【００４５】
【発明の効果】本発明は、以上説明した様に構成されて
いるので、以下に記載される様な効果を奏する。
いるので、以下に記載される様な効果を奏する。
【００４６】超電導デバイス装置を超電導体ー非超電導
体転移によるパターニングで形成するため、自由に超電
導デバイス装置を形成、制御出来る。故に超電導アンテ
ナと超電導給電経路に応用すると高い利得の超利得アン
テナが容易に得られ、更に指向性が容易に制御出来る。
超電導フィルター、超電導遅延回路に応用すると周波数
依存性の無い超電導デバイス装置が得られ、周波数依存
性の少ないという超電導体の持つ本来の特徴を活かすこ
とが出来る。当然モノリシック化も容易に出来き装置全
体の効率の向上が図れる。
体転移によるパターニングで形成するため、自由に超電
導デバイス装置を形成、制御出来る。故に超電導アンテ
ナと超電導給電経路に応用すると高い利得の超利得アン
テナが容易に得られ、更に指向性が容易に制御出来る。
超電導フィルター、超電導遅延回路に応用すると周波数
依存性の無い超電導デバイス装置が得られ、周波数依存
性の少ないという超電導体の持つ本来の特徴を活かすこ
とが出来る。当然モノリシック化も容易に出来き装置全
体の効率の向上が図れる。
【００４７】またフォトリソが利用出来て超電導アンテ
ナ、超電導給電経路を精度良く形成できる構造であるこ
とも超利得アンテナを容易に得る手助けをしている。
ナ、超電導給電経路を精度良く形成できる構造であるこ
とも超利得アンテナを容易に得る手助けをしている。
【００４８】また超電導体ー非超電導体転移によりパタ
ーンを高速に移動、回転させることが出来、更に必要な
方向にパターンを固定出来るため必要な方向に効率よく
指向性を合わせることが可能になり電波を有効に使え
る。また頻繁に方向を変える移動体の通信に指向性を持
たせたまま用いる事が出来る。
ーンを高速に移動、回転させることが出来、更に必要な
方向にパターンを固定出来るため必要な方向に効率よく
指向性を合わせることが可能になり電波を有効に使え
る。また頻繁に方向を変える移動体の通信に指向性を持
たせたまま用いる事が出来る。
【００４９】更に超指向性アンテナを放射状に配したこ
とにより全方位に渉り利得の高い超電導アンテナが得ら
れる。
とにより全方位に渉り利得の高い超電導アンテナが得ら
れる。
【図１】 本発明よりなる第１の実施例に於ける超伝導
デバイス装置（超電導アンテナ）の平面図。
デバイス装置（超電導アンテナ）の平面図。
【図２】 本発明よりなる第１の実施例に於ける超伝導
デバイス装置のＡ−Ａ’断面図。
デバイス装置のＡ−Ａ’断面図。
【図３】 本発明よりなる第１の実施例に於ける超伝導
デバイス装置のＢ−Ｂ’断面図。
デバイス装置のＢ−Ｂ’断面図。
【図４】 本発明よりなる第１の実施例に於ける超伝導
デバイス装置の指向性−利得図。
デバイス装置の指向性−利得図。
【図５】 本発明よりなる第１の実施例に於ける超伝導
デバイス装置の変調時に於ける指向性−利得図。
デバイス装置の変調時に於ける指向性−利得図。
【図６】 本発明よりなる第２の実施例に於ける超伝導
デバイス装置（超電導給電経路）の平面図。
デバイス装置（超電導給電経路）の平面図。
【図７】 本発明よりなる第２の実施例に於ける超電導
デバイス装置のヒーターの平面図。
デバイス装置のヒーターの平面図。
【図８】 本発明よりなる第２の実施例に於ける超伝導
デバイス装置の変調後の超電導経路平面図。
デバイス装置の変調後の超電導経路平面図。
【図９】 本発明よりなる第２の実施例に於ける超伝導
デバイス装置のＣ−Ｃ’断面図。
デバイス装置のＣ−Ｃ’断面図。
【図１０】 本発明よりなる第２の実施例に於ける超伝
導デバイス装置のアンテナ一体に於ける断面図。
導デバイス装置のアンテナ一体に於ける断面図。
【図１１】 本発明よりなる第２の実施例に於ける超伝
導デバイス装置の別形態の断面図。
導デバイス装置の別形態の断面図。
【図１２】 本発明よりなる第３の実施例に於ける超伝
導デバイス装置（超電導フィルター）の平面図。
導デバイス装置（超電導フィルター）の平面図。
【図１３】 本発明よりなる第３の実施例に於ける超伝
導デバイス装置の電界効果型変調素子の断面図。
導デバイス装置の電界効果型変調素子の断面図。
【図１４】 本発明よりなる第４の実施例に於ける超伝
導デバイス装置（放射状超電導アレーアンテナ）の平面
図。
導デバイス装置（放射状超電導アレーアンテナ）の平面
図。
【図１５】 本発明よりなる第４の実施例に於ける超電
導デバイス装置の変調後の平面図。
導デバイス装置の変調後の平面図。
【図１６】 本発明よりなる第５の実施例に於ける超電
導デバイス装置の断面図。
導デバイス装置の断面図。
１ ・・・ 単結晶基板 ２ ・・・ 超電導アンテナ ３ ・・・ 保護膜 ３ａ・・・ 保護膜（給電経路用） ４ ・・・ ヒーター（アンテナ用） ４Ａ・・・ ヒーター（給電経路用） ４Ｂ・・・ ヒーター（給電経路用） ５ ・・・ 第２保護膜 ６ ・・・ 給電経路 ７ ・・・ 給電部 ８ ・・・ 超電導体膜８ ９ ・・・ 誘電体膜 １０・・・ 電極 １１・・・ 超電導アレーアンテナ １２・・・ 変調素子（ヒーター、ペルチェ、電界効果
素子） １３・・・ コンタクトホール
素子） １３・・・ コンタクトホール
Claims (10)
- 【請求項１】 超電導体の一部を非超電導体に、または
非超電導体の一部を超電導体に転移させパターニングす
ることによりアンテナ、フィルター、遅延回路、共振器
またはそれらのモノリシックデバイスを形成することを
特徴とする超電導デバイス装置。 - 【請求項２】 超電導体の一部を非超電導体に、または
非超電導体の一部を超電導体に転移させることによりア
ンテナへの給電経路長を変え給電の位相を変調すること
を特徴とする超電導デバイス装置。 - 【請求項３】 超電導体、非超電導体間の転移を電界効
果によるキャリヤ変調により行うことを特徴とする請求
項１または請求項２記載の超電導デバイス装置。 - 【請求項４】 超電導体、非超電導体間の転移を超電導
体に隣接したヒーターまたはペルチェ素子により行うこ
とを特徴とする請求項１または請求項２記載の超電導デ
バイス装置。 - 【請求項５】 超電導体と非超電導体のパターンの移動
や回転によりアンテナの指向をスキャンさせた後検出電
磁波の強い方向にアンテナの指向を合わせ超電導体、非
超電導体のパターンを固定したことを特徴とする超電導
デバイス装置。 - 【請求項６】 双安定な強誘電体のメモリ効果により超
電導体と非超電導体のパターンの固定を行うことを特徴
とする請求項３及び請求項５記載の超電導デバイス装
置。 - 【請求項７】 基板上に所定の形状でパターニングした
超電導アンテナ上に該アンテナの給電部にコンタクトホ
ールを持つ絶縁膜を形成し、更に該絶縁膜上に一部コン
タクトホールに於いて超電導アンテナの給電部に接合す
る所定の給電位相に長さを調整した給電経路を形成した
ことを特徴とする超電導デバイス装置。 - 【請求項８】 基板の片面に超電導アンテナを、別片面
に所定の給電位相に長さを調整した超電導給電経路を形
成し、該アンテナの給電部と給電経路を基板に穿孔せる
コンタクトホールに於いて接合することを特徴とする超
電導デバイス装置。 - 【請求項９】 超指向性アンテナ（超電導アレーアンテ
ナ）を放射状に配することを特徴とする超電導デバイス
装置。 - 【請求項１０】 超電導体−非超電導体間を転移する平
面体または膜上に変調素子をマトリックス状に配し、変
調による転移により形成される超電導体の集合体により
成ることを特徴とする超電導デバイス装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4901696A JPH09246861A (ja) | 1996-03-06 | 1996-03-06 | 超電導デバイス装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4901696A JPH09246861A (ja) | 1996-03-06 | 1996-03-06 | 超電導デバイス装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09246861A true JPH09246861A (ja) | 1997-09-19 |
Family
ID=12819346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4901696A Withdrawn JPH09246861A (ja) | 1996-03-06 | 1996-03-06 | 超電導デバイス装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09246861A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100804201B1 (ko) * | 2000-02-28 | 2008-02-18 | 일리노이 수퍼컨덕터 코포레이션 | 고선택 필터를 갖는 지연 등화 무선 통신 시스템 |
| CN107069222A (zh) * | 2017-03-02 | 2017-08-18 | 上海汇珏网络通信设备有限公司 | 定向分布天线 |
-
1996
- 1996-03-06 JP JP4901696A patent/JPH09246861A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100804201B1 (ko) * | 2000-02-28 | 2008-02-18 | 일리노이 수퍼컨덕터 코포레이션 | 고선택 필터를 갖는 지연 등화 무선 통신 시스템 |
| CN107069222A (zh) * | 2017-03-02 | 2017-08-18 | 上海汇珏网络通信设备有限公司 | 定向分布天线 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Romanofsky et al. | K-band phased array antennas based on Ba/sub 0.60/Sr/sub 0.40/TiO/sub 3/thin-film phase shifters | |
| US6360112B1 (en) | High-frequency circuit element having a superconductive resonator tuned by another movable resonator | |
| US5105200A (en) | Superconducting antenna system | |
| US5339457A (en) | Superconductive electromagnetic wave mixer and superconductive electromagnetic wave mixing apparatus employing the same | |
| Romanofsky | Advances in scanning reflectarray antennas based on ferroelectric thin-film phase shifters for deep-space communications | |
| Romanofsky | Array phase shifters: Theory and technology | |
| US5790078A (en) | Superconducting mixer antenna array | |
| US5215959A (en) | Devices comprised of discrete high-temperature superconductor chips disposed on a surface | |
| JP3071093B2 (ja) | 特性変調可能な超電導マイクロ波素子構造 | |
| EP0567407B1 (en) | Microwave component of oxide superconducter material | |
| US5910662A (en) | Semiconductor substrate having a superconducting thin film | |
| Kwok et al. | Superconducting quasi-lumped element filter on R-plane sapphire | |
| JPH09246861A (ja) | 超電導デバイス装置 | |
| Belohoubek et al. | High temperature superconducting components for microwave systems | |
| Holdengreber et al. | Design and implementation of an RF coupler based on YBCO superconducting films | |
| JPH09275310A (ja) | 超電導デバイス装置 | |
| Talisa et al. | Microwave superconducting filters | |
| US7465354B2 (en) | Patterned ferroelectric thin films for microwave devices | |
| Chaloupka | High-temperature superconductors-A material for miniaturized or high-performance microwave components | |
| CA2134008C (en) | Array antenna and production process therefor | |
| Kooi et al. | The development of an 850 GHz waveguide receiver using tuned sis junctions on 1µm Si 3 N 4 membranes | |
| Aiga et al. | HTS hairpin microstrip filter on r-cut sapphire substrate | |
| JP2822953B2 (ja) | 超伝導回路の製造方法 | |
| JPH05299914A (ja) | 超伝導高周波共振器およびフィルター | |
| JP3075147B2 (ja) | 超伝導素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040401 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20040420 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Effective date: 20040531 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 |